CN101939890B - 利用常关器件来检测电流脱扣阈值的瞬态闭锁单元 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有常关检测的绝缘器件。该具有常关检测的绝缘器件包括瞬态闭锁单元(TBU)，该TBU具有设置在一对感测端子之间的至少一个耗尽型器件，以及设置成驱动该TBU中的耗尽型器件的栅极的至少一个常关转换元件，其中该常关转换元件从第一电阻状态转换至第二电阻状态，且一个耗尽型器件连接至一个感测端子，且该常关元件通过检测流过TBU的电流来转换。该TBU可以是单向或双向的。

Description

利用常关器件来检测电流脱扣阈值的瞬态闭锁单元
技术领域
本发明一般涉及电气绝缘器件。更具体地，本发明涉及绝缘器件，该绝缘器件具有设置成驱动该绝缘器件的常关检测转换元件。
背景技术
瞬态闭锁单元(TBU)是具有两个或多个晶体管的装置，这两个或多个晶体管相连接以响应于过电压或过电流情况而迅速和自动地截止。该功能使TBU能为串联负载提供保护。典型的TBU设计依赖于耗尽型(即常通)晶体管的阈值电压来设置TBU脱扣电流。不幸的是，耗尽型晶体管的阈值电压倾向于是制造中控制较差的器件参数。
TBU可以是双向TBU或单向TBU。如图1所示，双向TBU 100包括：一对第一材料耗尽型器件102，每一个第一材料耗尽型器件102的漏极端子104连接至分离的感测端子106；以及第二材料耗尽型器件108，其导电沟道110连接并串联在该对第一材料耗尽型器件102之间，其中第二材料耗尽型器件108的栅极端子112电连接至每个第一材料耗尽型器件102的漏极端子114。根据双向TBU 100的一个方面，第二材料耗尽型器件108的栅极端子112通过电阻116连接至每个第一材料耗尽型器件102的漏极端子104。在双向TBU 100的另一方面中，二极管118连接在第二材料耗尽型器件108的栅极端子112与每个第一材料耗尽型器件102的漏极端子104之间，其中二极管118的正极连接至第二材料耗尽型器件108的栅极端子112，且二极管118的负极连接至第一材料耗尽型器件102的漏极端子104。此外，第一材料耗尽型器件102的栅极120的驱动通过借助在第二材料耗尽型器件108的沟道110上产生的电压来检测通过TBU 100的电流而触发。在双向TBU 100的另一方面中，第一材料耗尽型器件102是p型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件108是n型耗尽型器件。在双向TBU 100的另一方面中，第一材料耗尽型器件102是n型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件108是p型耗尽型器件。
如图2所示的单向TBU 200包括：第一材料耗尽型器件102，其漏极端子104连接至第一感测端子106；第二材料耗尽型器件108，其导电沟道110与第一材料耗尽型器件102的源极114和第二感测端子106串联，其中第二材料耗尽型器件108的栅极112通过电阻116连接至第一材料耗尽型器件102的漏极104。此外，第一材料耗尽型器件102的栅极120通过检测流过TBU 200的电流而触发。在单向TBU 200的另一方面中，第一材料耗尽型器件102是p型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件108是n型耗尽型器件。在单向TBU 200的另一方面中，第一材料耗尽型器件102是n型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件108是p型耗尽型器件。
TBU在大规模制造时呈现问题：例如，其基本设计对耗尽型NMOS中的公差敏感。图1中所示的双向TBU被用作比较用常规TBU方法的基准，但其基本设计考虑适用于所有TBU类型，而与例如反馈至PJFET的栅极的实现无关。同样的理念也可应用于图2的单向TBU 200或图1的双向TBU100。
NMOS阈值的变化直接影响脱扣电流。例如，在图3中所示的模拟中，当NMOS的阈值(Vth)在从-3.0V(模拟中的最高脱扣电流～200mA)到-0.6V(～40mA)的范围上以0.2V的幅度改变时，可以看到脱扣电流的变化范围很广。
这表明对于给定的JFET电阻，在此示例中，NMOS阈值的最大可允许范围为从-3V到约-1.5V。实际上，NMOS阈值变化的可允许范围更小，因为JFET参数也会显著变化。蒙特卡罗分析的结果在图4中示出，其中JFET参数的影响以5％的标准偏差变化，且同时NMOS阈值变化为从-1V到-3V。该蒙特卡罗分析呈现两个参数的高斯分布。
图4所得的分布示出了落在该示例性TBU的120-200mA界限的典型设计目标之外显著量的脱扣电流，其平均值为135mA且标准偏差为27mA(20％)。
因此，需要开发一种器件来解决在制造TBU中的耗尽型晶体管时阈值电压参数控制糟糕的问题。
发明内容
本发明提供具有常关检测的绝缘器件。具有常关检测的该绝缘器件包括瞬态闭锁单元(TBU)，该TBU具有设置在一对感测端子之间的至少一个耗尽型器件，以及设置成驱动该TBU中的耗尽型器件的栅极的至少一个常关转换元件，其中该常关转换元件从第一电阻状态转换至第二电阻状态，且一个耗尽型器件连接至一个感测端子，且该常关元件通过检测流过TBU的电流而转换。
根据本发明的一个方面，该常关转换元件包括具有两个输出端子和两个输入端子的四端子网络，其中跨输出端子的电阻通过输入端子上给出的信号来控制。在这里，该常关转换元件的输出和输入端子能共用公共基准。此外，该输出端子可通过电阻耦合至该感测端子。
在本发明的另一方面中，该常关转换元件包括有源和无源器件的集合，其中这些有源和无源器件提供开关功能。这些有源和无源器件可包括MOSFET、JFET、双极晶体管、比较器、运算放大器以及机电继电器。
在另一方面中，该TBU可以是单向TBU和双向TBU。
根据一个实施例，该单向TBU包括：第一材料耗尽型器件，其漏极端子连接至第一感测端子；第二材料耗尽型器件，其导电沟道与第一材料耗尽型器件的源极和第二感测端子串联，其中第二材料耗尽型器件的栅极通过电阻连接至第一材料耗尽型器件的漏极。在当前实施例的一个方面中，该常关转换元件被设置成驱动第一材料耗尽型器件的栅极，其中该常关转换元件通过检测流过TBU的电流来触发。在当前实施例的另一方面中，第一材料耗尽型器件是p型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件是n型耗尽型器件。在当前实施例的另一方面中，第一材料耗尽型器件是n型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件是p型耗尽型器件。在当前实施例的又一方面中，第一材料耗尽型器件的栅极通过电阻连接至该感测端子。
根据另一方面，该双向TBU 100包括：一对第一材料耗尽型器件，每一个第一材料耗尽型器件102的漏极端子连接至分离的感测端子；以及第二材料耗尽型器件，其导电沟道连接并串联在该对第一材料耗尽型器件之间，其中第二材料耗尽型器件的栅极端子电连接至每个第一材料耗尽型器件的漏极端子。根据当前实施例的一个方面，第二材料耗尽型器件的栅极端子通过电阻连接至每个第一材料耗尽型器件的漏极端子。在当前实施例的另一方面中，二极管连接在第二材料耗尽型器件的栅极端子与每个第一材料耗尽型器件的漏极端子之间，其中二极管的正极连接至第二材料耗尽型器件的栅极端子，且二极管的负极连接至第一材料耗尽型器件的漏极端子。在当前实施例的另一方面中，该常关转换元件被设置成驱动第一材料耗尽型器件的栅极，其中该常关转换元件通过检测流过TBU的电流来触发。根据当前实施例的另一方面，第一材料耗尽型器件是p型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件是n型耗尽型器件。在另一方面中，第一材料耗尽型器件是n型耗尽型器件，而第二材料耗尽型器件是p型耗尽型器件。
根据本发明的另一方面，该耗尽型器件可以是MOSFET、JFET或继电器。
附图说明
通过结合附图阅读以下详细描述，将能理解本发明的目的和优点，其中：
图1示出依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的现有技术基本双向TBU电路。
图2示出依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的现有技术基本单向TBU电路。
图3示出对脱扣电流具有直接影响的NMOS阈值变化的曲线图。
图4示出蒙特卡罗分析结果的曲线图，其中JFET参数的影响以5％的标准偏差变化，且NMOS阈值变化为从-1V到-3V。
图5示出根据本发明的不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化双向TBU电路。
图6示出根据本发明的不依赖于耗尽型器件获来得脱扣阈值的通用化双向TBU电路，其中开关输出端子通过电阻耦合至感测端子。
图7示出根据本发明的使用增强型器件的TBU电路。
图8示出根据本发明的使用增强型器件的TBU电路，其中漏极端子通过电阻耦合至感测端子。
图9示出根据本发明的对脱扣电流有直接影响的NMOS阈值的灵敏度的改进变化的曲线图。
图10示出根据本发明的蒙特卡罗分析结果的曲线图，其中JFET参数的影响随着改善公差而变化。
图11示出根据本发明的不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化单向TBU电路。
图12示出根据本发明的不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化单向TBU电路，其开关输出端子通过电阻耦合至感测端子。
图13示出根据本发明的使用增强型器件的单向TBU电路，其中漏极端子通过电阻耦合至感测端子。
图14示出根据本发明的双向TBU，其中开关的感测端子连接在NMOS的源极与输出端子之间。
发明详述
虽然为了说明目的，以下详细描述包含许多特定细节，但本领域技术人员将容易理解，对以下示例性细节的许多变化和修改在本发明的范围内。因此，陈述本发明的以下优选实施例，而不会丧失声明要求保护的本发明的任何一般性，而且不会对本发明施加限制。
图5示出不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化双向TBU电路500。如图所示，如果使用常关开关502来驱动第一耗尽型器件102的栅极120，则可避免对第一耗尽型器件102的依赖性问题，其中开关502通过检测流过瞬态闭锁单元(TBU)500的电流来触发。可以理解，“开关”500是当在其输入端子处达到预设阈值时从第一电阻状态转换至第二电阻状态的转换元件。本发明提供具有常关检测的绝缘器件，其包括TBU(100/200)，该TBU具有设置在一对感测端子106之间的至少一个耗尽型器件102，以及设置成驱动该TBU中的耗尽型器件102的栅极120的至少一个常关转换元件502，其中该常关转换元件502从第一电阻状态转换至第二电阻状态，且一个耗尽型器件102连接至一个感测端子106，且该常关转换元件502通过检测流过TBU(100/200)的电流而转换。
检测流过TBU(100/200)的电流以及在需要时向开关502提供电源的最简单的方法是通过监测耗尽型器件102(在图5的示例中是PJFET)上产生的电压。当该电流达到脱扣电平时，通常达到比方说1V的电压，该电压高到足以驱动检测系统。
图5中的电路示出了常关的电压控制开关502，当感测端子106上的电压超过某个阈值时，该开关502接通。因为该阈值不再依赖于耗尽型器件102，所以TBU(100/200)变得对该器件阈值的变化不敏感。
根据本发明的一个方面，如图5所示，该常关转换元件502可包括具有两个输入端子504和两个输出端子506的四端子网络，其中跨输出端子506上的电阻通过输入端子504上给出的信号来控制。在这里，该常关转换元件502的输出端子506和输入端子504能共用公共基准。此外，如图6所示，输出端子506可通过电阻508耦合至感测端子106。
实际上存在创建电压控制开关的各种手段。在图5和图6的示例中，最简单的方法是使用增强型NMOS，其阈值例如为1V。根据本发明，该常关转换元件502可包括有源和无源器件的集合，其中这些有源和无源器件提供开关功能。这些有源和无源器件可包括MOSFET、JFET、双极晶体管、比较器、运算放大器以及机电继电器。
如图5和图6所示，当开关502断开时，电阻器(508、602)为耗尽型器件102提供栅极基准。在该情况下，在开关502断开期间，栅极120被保持于零伏。还有可能利用电阻器602或电流源的某替代设计(例如MOSFET电流源)从该器件的栅极120到漏极104来构造该电路。
这在某些情况下是有利的，因为当开关502断开时栅极120连接至漏极104，从而提供了提高的栅极电压，且因此提供了耗尽型器件102的较低的导通状态电阻，这又导致TBU电阻与电流的更好线性关系。在高于某些电压时，栅极电压可能变得过高，而且可能需要诸如箝位器之类的更复杂电流源来防止栅极120上的过高电压。因此图6中所示的方法一般优选用于较低电压设计，其中不需要栅极电压限制电路形式的附加电路系统。
在制造时，典型耗尽型NMOS器件的变化已经表现出远大于基本增强型器件阈值在掺杂前的固有变化。例如，已经观测到，制造耗尽型NMOS的平均耗尽型阈值在约-0.4到-1.5V之间变化，而相似构造的平均增强型器件仅在1.45V到1.65V之间变化。
根据如图7所示的本发明的替代实施例700，该电路通过将小的低电压增强型晶体管702用作电压控制开关来检测脱扣电流的阈值，从而克服对阈值变化的敏感性。在这里，小晶体管702是低电压增强型器件。适当选择这些器件的漏源导通电阻可使它们将不会减缓高电压NMOS的导通。本示例中的这些器件的阈值被设置于约1V。
在这种情况下，且为简单起见，栅极驱动晶体管704连接至NMOS器件102的源极114，但如上所述，在某些设计情况下，栅极驱动电阻器704可替代地连接至漏极(以图8为例)，以便提供漏源导通电阻和线性度的可能优点。
器件702是相同的耗尽型NMOS，而PJFET 108也与之前讨论的示例性设计相同。
使用从-3.0V到-0.6V的相同范围内的以0.2V幅度变化的NMOS阈值模拟其性能给出图9中所示的结果。如图所示，170mA的最大脱扣电流对应于-3V的阈值，而130mA的最低脱扣电流对应于-0.6V的阈值。
可以看出，该阈值以0.2V幅度从-2.8V到-0.8V步进，这些曲线在150mA的目标值周围+/-3mA左右地非常紧密地成束。因此在非常宽的范围上，该设计对耗尽型NMOS的阈值变化不敏感。
小增强型NMOS中的变化将会引起一些变化，如同JFET中的变化。图10中示出的蒙特卡罗分析允许耗尽型NMOS和JFET相对于前一分析的小变化，但也允许小增强型器件中+/-0.2V的变化。这显著多于实际中示出的实际增强型器件。在这里，蒙特卡罗分析显示出，公差相比于原始设计已有显著改善，其中平均值为155mA且∑为12.1mA(7.8％)。即使在使用NMOS的极限范围的情况下，所有器件也都落在120到200mA的典型规范范围内。
因此，可以看出，使用增强型NMOS器件来设置脱扣阈值显著地降低了TBU脱扣电流对高压NMOS注入变化的敏感性。
如应当显而易见地，还有可能使用常关阈值检测的替代形式，其从感测器件上产生的电压或经由反馈网络导出其工作电源。在示例性情况下，使用耗尽型NMOS。也可使用具有或不具有温度补偿网络的双极晶体管，因为这种配置将以相似的常关阈值检测模式工作。然而，可使用诸如小运算放大器或比较器之类的以稳定或经补偿源作为基准的更复杂形式的常关阈值检测器件，藉此此类器件可由TBU内部产生的固有电压供电，诸如举例而言当TBU电流接近电流感测极限时在PJFET上产生的电压。所提供的说明性示例是这种自供电的阈值检测级的最简单形式。
进一步显而易见的是，针对示例性双向TBU 100所陈述的原理容易应用于单向TBU 200，其中图11-13分别示出具有对图5、6和9的双向TBU所描述的替代方面的单向TBU 200。因此，图11示出不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化单向TBU电路1100。图12示出根据本发明的不依赖于耗尽型器件来获得脱扣阈值的通用化单向TBU电路1200，其中开关输出端子通过电阻耦合至感测端子。图13示出根据本发明的使用增强型器件的单向TBU电路1300，其中漏极端子通过电阻耦合至感测端子。
现在已根据若干示例性实施例描述了本发明，这些示例性实施例在各方面旨在说明而非限制。因此，本发明能在详细实现上有多种变化，这些变化可由本领域技术人员根据本文中包含的描述而导出。例如，图14示出另一实施例1400，其中开关502的感测端子504连接在NMOS 102的源极114与输出端子106之间。这具有允许反接NMOS 102的电阻被添加到PJFET 108电阻的优点，从而对给定电流给出更高的感测电压，使其更易于与增强型晶体管一起使用。这对于低电流阈值TBU而言尤其有利。
应理解，利用二极管和/或电阻器的其他设置在连接晶体管、开关以及端子时是可能的，而且在本发明的范围内。
所有这些变型被认为在如所附权利要求和它们的法律等价物所限定的本发明的范围和精神内。

Claims (20)

1.一种具有常关检测的绝缘器件，包括：
a.瞬态闭锁单元TBU，其中所述TBU包括设置在一对感测端子之间的至少一个耗尽型器件；以及
b.至少一个增强型器件，其中所述增强型器件包括被设置成驱动所述TBU中的所述耗尽型器件的栅极的常关转换元件，其中所述常关转换元件包括有源和无源器件的集合，其中所述有源和无源器件提供开关功能，其中所述常关转换元件从第一电阻状态转换至第二电阻状态，其中一个所述耗尽型器件被连接至一个所述感测端子，且其中所述常关转换元件通过检测流过所述TBU的电流来转换。
2.如权利要求1所述的绝缘器件，其特征在于，所述常关转换元件包括具有两个输出端子和两个输入端子的四端子网络，其中跨所述输出端子上的电阻通过所述输入端子上给出的信号来控制。
3.如权利要求2所述的绝缘器件，其特征在于，所述常关转换元件的所述输出和所述输入端子共用公共基准。
4.如权利要求2所述的绝缘器件，其特征在于，所述输出端子进一步通过电阻耦合至所述感测端子。
5.如权利要求1所述的绝缘器件，其特征在于，所述有源和无源器件从由MOSFET、JFET、双极晶体管、比较器、运算放大器以及机电继电器组成的组中选择。
6.如权利要求1所述的绝缘器件，其特征在于，所述TBU从由单向TBU和双向TBU组成的组中选择。
7.如权利要求6所述的绝缘器件，其特征在于，所述单向TBU包括：
a.第一材料耗尽型器件，其漏极端子连接至第一所述感测端子；
b.第二材料耗尽型器件，其导电沟道与所述第一材料耗尽型器件的源极和第二所述感测端子串联连接，其中所述第二材料耗尽型器件的栅极通过电阻连接至所述第一材料耗尽型器件的漏极。
8.如权利要求7所述的绝缘器件，其特征在于，所述常关转换元件被设置成驱动所述第一材料耗尽型器件的栅极，其中所述常关转换元件通过检测流过所述TBU的电流来触发。
9.如权利要求7所述的绝缘器件，其特征在于，所述第一材料耗尽型器件是p型耗尽型器件，而所述第二材料耗尽型器件是n型耗尽型器件。
10.如权利要求7所述的绝缘器件，其特征在于，所述第一材料耗尽型器件是n型耗尽型器件，而所述第二材料耗尽型器件是p型耗尽型器件。
11.如权利要求7所述的绝缘器件，其特征在于，所述第一材料耗尽型器件的所述栅极通过电阻连接至所述感测端子。
12.如权利要求6所述的绝缘器件，其特征在于，所述双向TBU包括：
a.一对第一材料耗尽型器件，每个所述第一材料耗尽型器件的漏极端子连接至分离的所述感测端子；以及
b.第二材料耗尽型器件，其导电沟道在所述一对第一材料耗尽型器件之间串联连接，其中所述第二材料耗尽型器件的栅极端子电连接至每个所述第一材料耗尽型器件的所述漏极端子。
13.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述第二材料耗尽型器件的所述栅极端子通过电阻连接至每个所述第一材料耗尽型器件的所述漏极端子。
14.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，一二极管连接在所述第二材料耗尽型器件的栅极端子与每个所述第一材料耗尽型器件的所述漏极端子之间，其中所述二极管的负极连接至所述第二材料耗尽型器件的所述栅极端子，且所述二极管的正极连接至所述第一材料耗尽型器件的所述漏极端子。
15.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述常关转换元件被设置成驱动所述第一材料耗尽型器件的栅极，其中所述常关转换元件通过检测流过所述TBU的电流来触发。
16.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述第一材料耗尽型器件是p型耗尽型器件，而所述第二材料耗尽型器件是n型耗尽型器件。
17.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述第一材料耗尽型器件是n型耗尽型器件，而所述第二材料耗尽型器件是p型耗尽型器件。
18.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述一对第一材料耗尽型器件中的每个第一材料耗尽型器件的栅极通过电阻连接至所述感测端子。
19.如权利要求12所述的绝缘器件，其特征在于，所述一对第一材料耗尽型器件中的每个第一材料耗尽型器件的栅极通过电阻连接至其源极。
20.如权利要求1所述的绝缘器件，其特征在于，所述耗尽型器件从由MOSFET、JFET以及继电器组成的组中选择。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102007660B (zh) * 2008-04-16 2014-07-09 柏恩氏股份有限公司 限流电涌保护装置
US8169763B2 (en) * 2008-06-26 2012-05-01 Bourns, Inc. Transient blocking unit having an enhancement mode device in the primary current path
US8724273B2 (en) * 2011-02-25 2014-05-13 Bourns, Inc. Transient blocking unit with strong reset capability
US10205313B2 (en) 2015-07-24 2019-02-12 Symptote Technologies, LLC Two-transistor devices for protecting circuits from sustained overcurrent
WO2017053333A1 (en) 2015-09-21 2017-03-30 Symptote Technologies Llc One-transistor devices for protecting circuits and autocatalytic voltage conversion therefor
CN107196544A (zh) * 2017-06-19 2017-09-22 扬州芯智瑞电子科技有限公司 一种基于np沟道互补耗尽型mosfet整流二极管
US11359898B2 (en) * 2018-03-19 2022-06-14 Geodynamics, Inc. Current feed-through wireline release tool and method
CN108761284A (zh) * 2018-05-18 2018-11-06 北京华峰测控技术股份有限公司 场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法
CN109148445A (zh) * 2018-08-30 2019-01-04 成都方舟微电子有限公司 一种动态电阻及芯片及电路
CN114204535B (zh) * 2022-02-18 2022-07-08 上海维安半导体有限公司 一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器
CN116540148B (zh) * 2023-07-06 2023-09-05 江苏展芯半导体技术有限公司 一种高压下tbu器件的漏电测试电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5696659A (en) * 1993-02-10 1997-12-09 Maruo; Masaya Overcurrent protective circuit and semiconductor device
CN200979987Y (zh) * 2006-12-13 2007-11-21 南京普天通信股份有限公司 一种使用过电流、过电压防护元件tbu的保安单元

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811156A (en) * 1988-02-26 1989-03-07 Cherne Medical, Inc. Medical current limiter
JP3113929B2 (ja) * 1993-02-10 2000-12-04 ライン電子有限会社 過電流保護
JP3606994B2 (ja) * 1996-02-27 2005-01-05 新日本無線株式会社 出力電流制限回路及び出力電流制限回路における出力電流調整方法
AUPS045702A0 (en) * 2002-02-12 2002-03-07 Fultech Pty Ltd A protection device
US6970337B2 (en) * 2003-06-24 2005-11-29 Linear X Systems Inc. High-voltage low-distortion input protection current limiter
US20060098363A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Fultec Semiconductors, Inc. Integrated transient blocking unit compatible with very high voltages
US7342433B2 (en) * 2004-11-09 2008-03-11 Fultec Semiconductor, Inc. Apparatus and method for enhanced transient blocking
US7646576B2 (en) * 2004-11-09 2010-01-12 Bourns, Inc. Apparatus and method for high-voltage transient blocking using low voltage elements
US7369387B2 (en) * 2004-11-09 2008-05-06 Fultec Semiconductor, Inc. Apparatus and method for temperature-dependent transient blocking
US7492566B2 (en) * 2005-01-14 2009-02-17 Bourns, Inc. Low resistance transient blocking unit
US7576962B2 (en) * 2005-06-16 2009-08-18 Bourns, Inc. Transient blocking apparatus with reset
US7616418B2 (en) * 2006-10-27 2009-11-10 Bourns, Inc. Mitigation of current collapse in transient blocking units

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5696659A (en) * 1993-02-10 1997-12-09 Maruo; Masaya Overcurrent protective circuit and semiconductor device
CN200979987Y (zh) * 2006-12-13 2007-11-21 南京普天通信股份有限公司 一种使用过电流、过电压防护元件tbu的保安单元

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Publication number Publication date
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GB201013241D0 (en) 2010-09-22
GB2469602A (en) 2010-10-20

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