CN101939847B - 太阳能电池模块和太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明提供太阳能电池模块和太阳能电池。在太阳能电池模块中，形成有第一露出部(12b)的面积相对于第一主面(A)的面积的比率(第一值v)，小于形成有第二露出部(13b)的面积相对于第二主面(B)的面积的比率(第二值w)，并且第一值v与第二值w的比小于第三值x与第四值y的比，其中，第三值x是指形成有第一连接部(12a)的面积相对于区域(C)的面积的比率，第四值y是指形成有第二连接部(13a)的面积相对于区域(D)的面积的比率。
Description
技术领域
本发明涉及具有利用配线件相互连接的多个太阳能电池的太阳能电池模块。
背景技术
太阳能电池因为能够将清洁且无穷尽地供给的太阳光直接转换为电，所以作为新能源而备受期待。
通常，每1片太阳能电池的输出为数W左右。于是，在使用太阳能电池作为住宅和楼房等的电源的情况下，使用通过连接有多个太阳能电池来提高输出的太阳能电池模块。多个太阳能电池利用密封件在受光面侧保护件与背面侧保护件之间进行密封。
太阳能电池具有形成在受光面上的第一连接用电极和多个第一细线电极、以及形成在背面上的第二连接用电极和多个第二细线电极(例如，参照日本特开2002-359388号公报)。配线件被焊接于1个太阳能电池的第一连接用电极和另一个太阳能电池的第二连接用电极。由此，一个太阳能电池与另一个太阳能电池相互电连接。
另一方面，还提出了一种使用以比焊锡的熔融温度低的温度而被热硬化的树脂粘接件，将配线件粘接于太阳能电池的方法(例如，参照日本特开2005-101519号公报)。根据这种方法，与焊接配线件的情况相比，能够减小太阳能电池所受的温度变化的影响。
在此，在粘接配线件时，通过对配线件朝向太阳能电池加压，能够实现配线件的良好连接。即，通过使第一和第二细线电极进入配线件中，能够实现配线件与第一和第二细线电极的电连接和机械连接。
但是，为了扩大受光面积，将第一细线电极形成为比第二细线电极更少且更窄。因此，受光面中形成有第一细线电极的面积相对于连接有配线件的区域的面积的比率，小于背面中形成有第二细线电极的面积相对于连接有配线件的区域的面积的比率。从而，在连接配线件时，第二细线电极的向配线件的进入量与第一细线电极相比变小。其结果，当从具有比配线件大的线膨胀系数的密封件对配线件施加有与温度变化相对应的应力时，在第二细线电极与配线件的电连接和机械连接中可能会产生缺陷。
本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的在于提供一种能够维持形成在太阳能电池的背面上的细线电极与配线件的良好连接的太阳能电池模块和太阳能电池。
发明内容
本发明的太阳能电池模块，其特征在于，包括：太阳能电池；连接在上述太阳能电池的受光面上的一个配线件；和连接在设置上述太阳能电池的上述受光面的相反侧的背面上，上述太阳能电池具有：至少包含形成在上述受光面上的多个第一细线电极的第一部件组；和形成在上述背面上的第二电极，上述第一部件组具有：与上述一个配线件连接的第一连接部；和从上述一个配线件露出的一组第一露出部，上述第二电极具有：与上述另一个配线件连接的第二连接部；和从上述另一个配线件露出的第二露出部，当将形成有上述第一露出部的面积相对于上述受光面的面积的比率作为第一比率，将形成有上述第二露出部的面积相对于上述背面的面积的比率作为第二比率时，上述第一比率小于上述第二比率，当将上述受光面中形成有上述第一连接部的面积相对于连接有上述一个配线件的区域的面积的比率作为第三比率，将上述背面中形成有上述第二连接部的面积相对于连接有上述另一个配线件的区域的面积的比率作为第四比率时，上述第一比率与上述第二比率的比小于上述第三比率与上述第四比率的比。
本发明的太阳能电池模块中，上述第二电极具有上述多个第二细线电极，上述多个第二细线电极具有上述第二连接部和上述第二露出部
本发明的太阳能电池模块中，上述第一连接部以直接接触的方式与上述一个配线件连接。
本发明的太阳能电池模块中，上述第二连接部以直接接触的方式与上述另一个配线件连接。
本发明的太阳能电池模块中，上述多个第二细线电极中至少2个第二细线电极在连接有上述另一个配线件的区域中结合成1个。
本发明的太阳能电池模块中，上述多个第一细线电极中至少1个第一细线电极在连接有上述一个配线件的区域中分支成多个。
本发明的太阳能电池模块中，上述第一部件组在连接有上述一个配线件的区域内包含呈岛状地形成的岛状部件。
本发明的太阳能电池模块，其特征在于，包括：太阳能电池；连接在上述太阳能电池的受光面上的一个配线件；和连接在设置在上述太阳能电池的上述受光面的相反侧的背面上的另一个配线件，上述太阳能电池具有：形成在上述受光面上的第一电极；和形成在上述背面上的第二电极，上述第一电极具有：与上述一个配线件连接的第一连接部；和从上述一个配线件露出的第一露出部，上述第二电极具有：与上述另一个配线件连接的第二连接部；和从上述另一个配线件露出的第二露出部，上述第一露出部的面积小于上述第二露出部的面积，上述第一露出部的面积相对于上述第二露出部的面积的比率，小于上述第一连接部的面积相对于上述第二连接部的面积的比率。
本发明的太阳能电池，其包括：光电变换部；第一部件组，其至少包含在上述光电变换部的第一主面上形成的多个第一细线电极；和形成在上述光电变换部的第二主面上的第二电极，上述多个第一细线电极电连接有一个配线件，上述第二电极电连接有另一个配线件，上述太阳能电池的特征在于：上述第一部件组具有：与上述一个配线件连接的第一连接部；和从上述一个配线件露出的第一露出部，上述第二电极具有：与上述另一个配线件连接的第二连接部；和从上述另一个配线件露出的第二露出部，当将上述第一露出部的面积相对于上述第一主面的面积的比率作为第一比率，将上述第二露出部的面积相对于上述第二主面的面积的比率作为第二比率时，上述第一比率小于上述第二比率，当将上述第一主面中上述第一连接部的面积相对于连接有上述一个配线件的区域的面积的比率作为第三比率，将上述第二主面中上述第二连接部的面积相对于连接有上述另一个配线件的区域的面积的比率作为第四比率时，上述第一比率与上述第二比率的比小于上述第三比率与上述第四比率的比。
本发明的太阳能电池，包括：光电变换部；形成在上述光电变换部的第一主面上的第一电极；和形成在上述光电变换部的第二主面上的第二电极，上述第一电极电连接有一个配线件，上述第二电极电连接有另一个配线件，上述太阳能电池的特征在于：上述第一电极具有：与上述一个配线件连接的第一连接部；和从上述一个配线件露出的第一露出部，上述第二电极具有：与上述另一个配线件连接的第二连接部；和从上述另一个配线件露出的第二露出部，上述第一露出部的面积小于上述第二露出部的面积，上述第一露出部的面积相对于上述第二露出部的面积的比率，小于上述第一连接部的面积相对于上述第二连接部的面积的比率。
附图说明
图1是本发明的实施方式涉及的太阳能电池模块1的侧视图。
图2是本发明的第一实施方式涉及的太阳能电池模块1的平面图。
图3是本发明的第一实施方式涉及的太阳能电池10的平面图。
图4是本发明的第二实施方式涉及的太阳能电池10的平面图。
图5是本发明的第三实施方式涉及的太阳能电池10的平面图。
图6是本发明的实施方式涉及的太阳能电池10的受光面侧的平面图。
图7是本发明的实施方式涉及的太阳能电池10的受光面侧的平面图。
具体实施方式
下面，利用附图对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的附图标记。但是，应该注意的是附图只是示意图，各尺寸的比率等与实际不同。因此，具体尺寸等应参考以下的说明加以判断。另外，附图彼此之间当然也包含相互的尺寸关系和比率不同的部分。
[第一实施方式]
(太阳能电池模块的概略结构)
对于本发明的第一实施方式涉及的太阳能电池模块1的概略结构，参照图1和图2进行说明。图1是本实施方式涉及的太阳能电池模块1的侧视图。图2(a)是太阳能电池模块1的受光面侧的平面图。图2(b)是太阳能电池模块1的背面侧的平面图。
太阳能电池模块1具有多个太阳能电池10、受光面侧保护件2、背面侧保护件3、密封件4、配线件5和树脂粘接件6。
多个太阳能电池10被密封件4密封在受光面侧保护件2与背面侧保护件3之间。多个太阳能电池10沿着第一方向排列，利用配线件5将彼此电连接。
太阳能电池10具有光电变换部11、第一电极12和第二电极13。
光电变换部11具有第一主面A和设置在第一主面A的相反侧的第二主面B。在本实施方式中配置成，第一主面A与受光面侧保护件2对置，第二主面B与背面侧保护件3相对。该情况下，第一主面A是光电变换部11的受光面，第二主面B是光电变换部11的背面。光电变换部11通过受光而生成光生载流子。光生载流子是指通过光被光电变换部11吸收而生成的空穴和电子。
光电变换部11具有半导体pn结或半导体pin结等半导体结作为基本构造。能够使用单晶Si、多晶Si等结晶类半导体材料或GaAs、InP等化合物半导体材料等一般的半导体材料来形成光电变换部11。另外，光电变换部11也可以具有所谓的HIT构造，即，在单晶硅基板与非晶硅层之间夹入有实质为本征非晶硅层的构造。
第一电极12是收集由光电变换部11生成的光生载流子的收集电极。如图2(a)所示，第一细线电极12A具有在第一主面(受光面)A上的大致整个区域形成的多个第一细线电极12A。多个第一细线电极12A例如能够使用热硬化型或烧结型的导电性膏由印刷法等形成。
另外，在本实施方式中，沿着与第一方向大致正交的第二方向线状地形成13个第一细线电极12A，但第一细线电极12A的个数、尺寸和形状能够根据光电变换部11的大小等适当地设定。
第二电极13是收集由光电变换部11生成的光生载流子的收集电极。如图2(b)所示，第二细线电极13A具有在第二主面(背面)B上的大致整个区域上形成的多个第二细线电极13A。多个第二细线电极13A能够利用与第一细线电极12A相同的方法来形成。
另外，在本实施方式中，沿着第二方向线状地形成26个第二细线电极13A，但第二细线电极13A的个数、尺寸和形状能够根据光电变换部11的大小等适当地设定。
这样的多个第一细线电极12A和多个第二细线电极13A，如图1所示以进入(侵入)配线件5的方式直接连接。对于第一电极12和第二电极13的结构，将在下面叙述。
受光面侧保护件2配置在密封件4上，保护太阳能电池模块1的表面。作为受光面侧保护件2，能够使用具有透光性和防水性的玻璃、透光性塑料等。
背面侧保护件3配置在密封件4上，保护太阳能电池模块1的背面。作为背面侧保护件3，能够使用PET(Polyethylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等树脂薄膜、具有以树脂薄膜夹持Al箔的构造的叠层薄膜等。
密封件4在受光面侧保护件2与背面侧保护件3之间对多个太阳能电池10进行密封。作为密封件4，能够使用EVA、EEA、PVB、硅、聚氨酯、丙烯、环氧等透光性的树脂。
另外，在具有如上所述的结构的太阳能电池模块1的外周能够安装Al框架(未图示)。
(第一电极和第二电极的结构)
下面，对于第一电极12和第二电极13的结构，参照图3进行说明。图3(a)是太阳能电池10的第一主面(受光面)A侧的平面图。图3(b)是太阳能电池10的第二主面(背面)B侧的平面图。
如图3(a)所示，13个第一细线电极12A具有与配线件5连接的第一连接部12a和在第一主面A上从配线件5露出的第一露出部12b。第一连接部12a位于连接有配线件5的区域C中。配线件5与第一连接部12a电连接。另外，本实施方式涉及的13个第一细线电极12A分别以一样的线宽形成。
如图3(b)所示，26个第二细线电极13A具有与配线件5连接的第二连接部13a和在第二主面B上从配线件5露出的第二露出部13b。第二连接部13a位于连接有配线件5的区域D中。配线件5与第二连接部13a电连接。
在此，26个第二细线电极13A在区域D中以2个为一组的方式被结合，合并为13个第二连接部13a。
另外，本实施方式涉及的第二连接部13a和第二露出部13b的线宽与第一细线电极12A(第一连接部12a和第一露出部12b)大致同等。
(电极形成面积的关系)
根据以上内容，第一电极12的形成面积和第二电极13的形成面积之间，成立下面的关系。
第一，令形成有第一露出部12b的面积相对于第一主面A的面积的比率为第一值v。
第二，令形成有第二露出部13b的面积相对于第二主面B的面积的比率为第二值w。
第三，令形成有第一连接部12a的面积相对于区域C的面积的比率为第三值x。
第四，令形成有第二连接部13a的面积相对于区域D的面积的比率为第四值y。
基于以上的情况，第一值v小于第二值w。即，(v/w)＜1成立(以下，称作“第一关系”)。
这是因为，第一主面A中，为了扩大受光面积而使每单位面积的电极形成面积小于第二主面B，第二主面B中，为了降低电阻损耗而使每单位面积的电极形成面积大于第一主面A。
此外，第一值v与第二值w的比，小于第三值x与第四值y的比。即，(v/w)＜(x/y)成立(以下，称作“第二关系”)。
这是因为，通过将26个第二细线电极13A在区域D中以2个为一组的方式进行结合，使区域D中的每单位面积的电极形成面积接近于区域C(中的该面积)。换言之是因为，使第二连接部13a的面积接近于第一连接部12a的面积。
另外，本实施方式中，由于第三值x与第四值y大致同等，因此(v/w)＜(x/y)≒1成立。
(太阳能电池模块的制造方法)
下面，对本实施方式涉及的太阳能电池模块1的制造方法进行说明。
首先，使用印刷法、涂敷法等，以图3(a)所示的图案，在光电变换部11的第一主面A上配置导电性膏。之后，通过加热使导电性膏暂时硬化。
接着，使用印刷法、涂敷法等，以图3(b)所示的图案，在光电变换部11的第二主面B上配置导电性膏。之后，通过热处理，使配置在第一主面A和第二主面B上的导电性膏硬化。
接着，使用分配器(dispenser)，在区域C和区域D涂敷树脂粘接件6。接着，在树脂粘接件6上配置配线件5，一边向着光电变换部11按压配线件5一边加热。由此，使第一连接部12a和第二连接部13a与配线件5连接，并使树脂粘接件6硬化。通过重复进行这样的配线件5的连接，将多个太阳能电池10电连接。
接着，通过在玻璃基板(受光面侧保护件2)上依次叠层EVA(密封件40)片、多个太阳能电池10、EVA(密封件4)片和背面侧保护件3来形成叠层体。通过加热叠层体使EVA硬化。
(作用和效果)
在本实施方式涉及的太阳能电池10中，第一电极12具有第一连接部12a和第一露出部12b，第二电极13具有第二连接部13a和第二露出部13b。在该情况下，上述第一关系((v/w)＜1)和上述第二关系(v/w)＜(x/y)成立。
在此，第一关系的成立表明，在太阳能电池10中使第一主面A中的每单位面积的电极形成面积小于第二主面B的情况。换言之，表明使第一露出部12b的面积小于第二露出部13b的面积的情况。
在第一关系成立的情况下，第二关系的成立表明，区域D中的每单位面积的电极形成面积与区域C中的每单位面积的电极形成面积接近。
本实施方式中，在区域D中通过将26个第二细线电极13A以2个为一组的方式进行结合，使区域D中的每单位面积的电极形成面积接近于区域C。
因此，在将配线件5压接在太阳能电池的第一主面A和第二主面B上时，能够使第二连接部13a的与配线件5的连接面积接近于第一连接部12a的与配线件5的连接面积。从而，能够使第二连接部13a与配线件5充分连接。
其结果，即使从密封件4对配线件5施加有应力，也能够维持第二连接部13a与配线件5的良好连接。
[第二实施方式]
下面，对于本发明的第二实施方式，参照附图进行说明。本实施方式与上述第一实施方式的不同之处在于，使区域C中的每单位面积的电极形成面积接近于区域D。就其他方面而言，与上述第一实施方式相同，故以下主要对不同点进行说明。
(第一电极和第二电极的结构)
对于本实施方式涉及的第一电极12和第二电极13的结构，参照图4进行说明。图4(a)是太阳能电池10的第一主面(受光面)A侧的平面图。图4(b)是太阳能电池10的第二主面(背面)B侧的平面图。
如图4(a)所示，第一电极12具有13个第一细线电极12A。13个第一细线电极12A具有与配线件5连接的第一连接部12a和在第一主面A上从配线件5露出的第一露出部12b。第一连接部12a位于连接有配线件5的区域C中。
在此，13个第一细线电极12A在区域C中分别被分支成为多个，与25个第一连接部12a连结。另外，第一连接部12a和第一露出部12b具有大致同等的线宽。
如图4(b)所示，第二电极13具有26个第二细线电极13A。26个第二细线电极13A具有与配线件5连接的第二连接部13a和在第二主面B上从配线件5露出的第二露出部13b。第二连接部13a位于连接有配线件5的区域D中。26个第二细线电极13A分别以一样的线宽形成。
另外，本实施方式涉及的第一连接部12a和第一露出部12b的线宽与第二细线电极13A(第二连接部13a和第二露出部13b)大致同等。
(电极形成面积的关系)
根据以上内容，在本实施方式中，与上述第一实施方式同样地，第一电极12的形成面积和第二电极13的形成面积之间，第一关系((v/w)＜1)和第二关系((v/w)＜(x/y))成立。
第一关系成立是因为，为了扩大受光面积而使每单位面积的电极形成面积小于第二主面B，在第二主面B中，为了降低电阻损耗而使每单位面积的电极形成面积大于第一主面A。
第二关系成立是因为，通过将13个第一细线电极12A在区域C中分支，使区域C中的每单位面积的电极形成面积接近于区域D。
(作用和效果)
本实施方式涉及的太阳能电池10中，上述第一关系((v/w)＜1)和上述第二关系(v/w)＜(x/y)成立。
第一关系的成立表明，在太阳能电池10中使第一主面A中的每单位面积的电极形成面积小于第二主面B的情况。换言之表明，使第一露出部12b的面积小于第二露出部13b的面积的情况。
在第一关系成立的情况下，第二关系的成立表明，区域C中的每单位面积的电极形成面积与区域D中的每单位面积的电极形成面积接近。
本实施方式中，在区域C中，通过将13个第一细线电极12A分支，使区域C中的每单位面积的电极形成面积接近于区域D。
因此，在将接配线件5压接于太阳能电池的第一主面A和第二主面B上时，能够使第一连接部12a的与配线件5的连接面积接近于第二连接部13a的与配线件5的连接面积。从而，能够使第二连接部13a与配线件5充分地连接。
其结果，即使从密封件4对配线件5施加有应力，也能够维持第二连接部13a与配线件5的良好的连接。
此外，13个第一细线电极12A在离开区域C的位置上被分支。因此，即使在由于热粘接配线件5时的温度变化而导致第一细线电极12A断线的情况下，也能够通过没有断线的部分来收集光生载流子。
[第三实施方式]
下面，对于本发明的第三实施方式，参照附图进行说明。本实施方式与上述第二实施方式的不同之处在于，在区域C中形成有岛状部件14。就其他方面而言，与上述第二实施方式相同，故以下主要对不同点进行说明。
(第一电极和第二电极的结构)
对于本实施方式涉及的第一电极12和第二电极13的结构，参照图5进行说明。图5(a)是太阳能电池10的第一主面A侧的平面图。图5(b)是太阳能电池10的第二主面B侧的平面图。
如图5(a)所示，第一电极12在受光面A上具有13个第一细线电极12A。此外，在受光面A上，除13个第一细线电极12A之外，还形成有24个岛状部件14。以下，将13个第一细线电极12A和24个岛状部件14合并称为“第一部件组12′”。
第一部件组12′具有与配线件5连接的第一连接部12c和在第一主面A上从配线件5露出的第一露出部12b。在此，本实施方式涉及的第一连接部12c包含13个第一细线电极12A的一部分和24个岛状部件14。
岛状部件14能够使用具有绝缘性的氧化硅等形成。这样的岛状部件14的平面形状不限于图5(a)所示的椭圆形，例如也可以是点状、矩形形状或其他的形状。另外，本实施方式涉及的一个岛状部件14的形成面积与形成在区域D中的一个第二连接部13a大致同等。此外，本实施方式涉及的一个岛状部件14的厚度与第一细线电极12A的厚度大致同等。
(第一部件组和电极形成面积的关系)
根据以上内容，与上述第二实施方式同样地，第一部件组12′的形成面积和多个第二细线电极13A的形成面积之间，第一关系((v/w)＜1)和第二关系((v/w)＜(x/y))成立。
第一关系成立是因为，在第一主面A中，为了扩大受光面积而使每单位面积的电极形成面积小于第二主面B，在第二主面B中，为了降低电阻损耗而使每单位面积的电极形成面积大于第一主面A。
第二关系成立是因为，通过在区域C中形成有多个岛状部件14，使区域C中的每单位面积的第一部件组12′的形成面积接近于区域D中的每单位面积的电极形成面积。
(作用和效果)
在本实施方式涉及的太阳能电池10中，上述第一关系((v/w)＜1)和上述第二关系((v/w)＜(x/y))也成立。
第一关系的成立表明，在太阳能电池10中，以扩大受光面积为目的，使第一主面A中的每单位面积的电极形成面积小于第二主面B的情况。换言之，表明了使第一露出部12b的面积小于第二露出部13b的面积的情况。
在第一关系成立的情况下，第二关系的成立表明，区域C中的每单位面积的第一部件组12′的形成面积与区域D中的每单位面积的电极形成面积接近的情况。
本实施方式中，通过在区域C中形成有多个岛状部件14，使区域C中的每单位面积的第一部件组12′的形成面积接近于区域D中的每单位面积的电极形成面积。
因此，在将配线件5压接于太阳能电池的第一主面A和第二主面B上时，能够使第一连接部12a(包括多个岛状部件14)的与配线件5的连接面积接近于第二连接部13a的与配线件5的连接面积。从而，能够使第二连接部13a与配线件5充分连接。
其结果，即使从密封件4对配线件5施加有应力，也能够维持第二连接部13a与配线件5的良好连接。
(其他的实施方式)
本发明通过上述实施方式而被记载，但是不应该理解为构成本公开的一部分的论述和附图对本发明进行了限定。本领域的技术人员能够从本次公开中了解到各种替代的实施方式、实施例和应用技术。
例如，在上述实施方式中，沿着第二方向线状地形成有第一和第二细线电极，但细线电极的形状不限于此。例如，能够呈格子状地形成波浪线状的细线电极。
此外，在上述第一实施方式中，将2个第二细线电极13A结合成1个，但也可以将3个以上的第二细线电极13A结合成1个。
此外，在上述第二实施方式中，将1个第一细线电极12A分支成为3个，但也可以分支成为2个或4个以上。
此外，在上述第二实施方式中，在离开区域C的位置使第一细线电极12A分支，但也可以在区域C内使其分支。具体地说，能够如图6所示形成第一连接部12a。此外，也可以如图7所示，分支的部分不沿着第一方向而形成为锯齿状。此外，在使第一细线电极12A在区域C内分支的情况下，优选在配线件5的一个端部被压接的区域中进行分支。由此，能够抑制从配线件5的一个端部发生剥离。
此外，在上述的第三实施方式中，形成有具有绝缘性的部件作为岛状部件14，但也可以使用与细线电极相同的导电性膏来形成岛状部件14。
此外，在上述第二实施方式至第四实施方式中，令第二电极13具有多个第二细线电极13A，但第二电极13的形状不限定于此。例如，第二电极13也可以是形成在第二主面(背面)B大致整个面的电极。
本发明当然也包括没有记载在这里的各种实施方式等。因此，本发明的技术范围仅由依据上述说明的妥当的权利要求的范围所涉及的发明特定事项决定。
实施例
以下，对于本发明涉及的太阳能电池模块的实施例进行了具体的说明，但本发明并非限定于下述实施例所示的内容，能够在不变更其主旨的范围内适当地变更并实施本发明。
(实施例1)
首先，准备尺寸为108mm见方、厚度150μm、电阻率1Ωcm的n型单晶硅基板。
接着，使用RF等离子体CVD法，在基板的受光面上依次形成有厚5nm的i型非晶硅层和厚5nm的p型非晶质硅层。接着，在基板的背面上依次形成有厚5nm的i型非晶硅层和厚5nm的n型非晶质硅层。RF等离子体CVD装置的条件设定为频率13.56MHz、形成温度100～200℃、反应压力20～80Pa、RF功率10～100W。
接着，使用磁控溅射法，在p型和n型非晶质硅层上形成有厚100nm的ITO膜。溅射装置的条件设定为形成温度50～200℃、Ar气体流量200sccm、氧气流量50sccm、功率0.5～3kW、磁场强度500～3000高斯。按照以上制作出光电变换部。
接着，使用丝网印刷法，在太阳能电池的受光面上以图3(a)所示的图案印刷有环氧系热硬化型银膏。具体地说，以2mm间隔形成了52个细线电极(宽度100μm)。通过以150℃加热5分钟，使银膏暂时硬化。
接着，在太阳能电池的背面上，以图3(b)所示的图案印刷有环氧系热硬化型银膏。具体地说，以1mm间隔形成104个细线电极(宽度100μm)，并且，在连接有配线件的区域中，通过将104个细线电极以2个为一组的方式进行结合，以2mm间隔形成52个细线电极。接着，通过以200℃加热1小时，使受光面上和背面上的银膏硬化。
接着，使用分配器在受光面上和背面上之中连接有配线件的区域中，以厚度30μm涂敷包含约5体积％的镍粒子的环氧树脂。另外，也可以不涂敷环氧树脂，而是在受光面上和背面上之中连接有配线件的区域中配置成形为带状的环氧树脂。
接着，在涂敷后的环氧树脂上配置配线件，一边以大约2MPa加压一边以200℃加热大约1小时。由此，使细线电极进入配线件，并且使环氧树脂硬化。通过重复进行该处理制作出太阳能电池串列(string)。
接着，利用EVA对配置在玻璃和PET薄膜之间的太阳能电池串列进行密封。如上述那样，制作出1000个实施例1涉及的太阳能电池模块。
(实施例2)
接着，制作1000个实施例2涉及的太阳能电池模块。实施例2与上述实施例1的不同之处在于，以图4所示的图案印刷有银膏。
具体地说，使用丝网印刷法，在太阳能电池的受光面上，以图4(a)所示的图案印刷环氧系热硬化型银膏。具体地说，以2mm间隔形成52个细线电极(宽度100μm)，并且，在连接有配线件的区域中，通过将1个细线电极分支成为2个，以1mm间隔形成104个细线电极。
此外，在太阳能电池的背面上，以图4(b)所示的图案印刷环氧系热硬化型银膏。具体地说，以1mm间隔形成104个细线电极(宽度100μm)。其他的方面与上述第一实施例相同。
(比较例)
接着，制作1000个比较例1涉及的太阳能电池模块。比较例1与上述实施例1的不同之处在于，在连接有配线件的区域中不对细线电极进行分支或结合。
即，在比较例中，在受光面上形成52个直线状的细线电极，在背面上形成104个直线状的细线电极。其他的方面与上述第一实施例相同。
(温度周期试验)
就实施例1、实施例2和比较例涉及的太阳能电池而言，使用恒温槽进行温度周期试验，对试验后的太阳能电池的输出降低率进行了比较。测定结果在下表中列出。另外，下表中的数值是关于1000个太阳能电池的平均值。
另外，根据JIS C 8917的规定进行温度周期试验。具体地说，将各样本保持在恒温槽内，花费45分钟从25℃上升到90℃，并在该温度保持90分钟，接着，花费90分钟下降到-40℃，并在该温度保持90分钟，再进一步花费45分钟上升到25℃。以此为一个周期(6小时)进行600个周期。
[表1]
| 输出降低率(％) | |
| 实施例1 | 4.2 |
| 实施例2 | 4.0 |
| 比较例 | 4.9 |
如上表所示，实施例1和2涉及的太阳能电池的输出降低率小于比较例涉及的太阳能电池。
这是因为，在实施例1涉及的太阳能电池中，使背面中配线件连接区域中的每单位面积的电极形成面积接近于受光面。此外还因为，在实施例2涉及的太阳能电池中，使受光面中配线件连接区域中的每单位面积的电极形成面积接近于背面。即，在实施例1和2涉及的太阳能电池中，上述第一关系((v/w)＜1)和上述第二关系((v/w)＜(x/y))成立。
另一方面，在比较例涉及的太阳能电池中，上述第二关系((v/w)＜(x/y))不成立，而关系(v/w)＝(x/y)成立。因此，背面上的细线电极向配线件的进入量小于受光面上的细线电极。其结果，通过从具有比配线件大的线膨胀系数的密封件(EVA)施加与温度变化相对应的应力，产生背面上的细线电极与配线件的连接不良。
根据以上内容能够确认，通过在第一关系((v/w)＜1)成立的情况下使第二关系((v/w)＜(x/y))成立，能够良好地维持背面上的细线电极与配线件的电连接和机械连接。
工业上的可利用性
如上所述，根据本发明，能够提供一种可维持在太阳能电池的背面上形成的细线电极与配线件的良好连接的太阳能电池模块，因此本发明在太阳光发电领域中是有用的。
Claims (10)
1.一种太阳能电池模块，其特征在于，包括：
太阳能电池；
连接在所述太阳能电池的受光面上的一个配线件；和
连接在设置在所述太阳能电池的所述受光面的相反侧的背面上的另一个配线件，
所述太阳能电池具有：至少包含形成在所述受光面上的多个第一细线电极的第一部件组；和形成在所述背面上的第二电极，
所述第一部件组具有：与所述一个配线件连接的第一连接部；和从所述一个配线件露出的一组的第一露出部，
所述第二电极具有：与所述另一个配线件连接的第二连接部；和从所述另一个配线件露出的第二露出部，其中
当将形成有所述第一露出部的面积相对于所述受光面的面积的比率作为第一比率，将形成有所述第二露出部的面积相对于所述背面的面积的比率作为第二比率时，所述第一比率小于所述第二比率，
当将所述受光面中形成有所述第一连接部的面积相对于连接有所述一个配线件的区域的面积的比率作为第三比率，将所述背面中形成有所述第二连接部的面积相对于连接有所述另一个配线件的区域的面积的比率作为第四比率时，所述第一比率与所述第二比率的比小于所述第三比率与所述第四比率的比。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述第二电极具有多个第二细线电极，
所述多个第二细线电极具有所述第二连接部和所述第二露出部。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述第一连接部以直接接触的方式与所述一个配线件连接。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述第二连接部以直接接触的方式与所述另一个配线件连接。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述多个第二细线电极中至少2个第二细线电极在连接有所述另一个配线件的区域中结合成为1个。
6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述多个第一细线电极中至少1个第一细线电极在连接有所述一个配线件的区域中分支成为多个。
7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述第一部件组在连接有所述一个配线件的区域内包含呈岛状地形成的岛状部件。
8.一种太阳能电池模块，其特征在于，包括：
太阳能电池；
连接在所述太阳能电池的受光面上的一个配线件；和
连接在设置在所述太阳能电池的所述受光面的相反侧的背面上的另一个配线件，
所述太阳能电池具有：形成在所述受光面上的第一电极；和形成在所述背面上的第二电极，
所述第一电极具有：与所述一个配线件连接的第一连接部；和从所述一个配线件露出的第一露出部，
所述第二电极具有：与所述另一个配线件连接的第二连接部；和从所述另一个配线件露出的第二露出部，
所述第一露出部的面积小于所述第二露出部的面积，
所述第一露出部的面积相对于所述第二露出部的面积的比率，小于所述第一连接部的面积相对于所述第二连接部的面积的比率。
9.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
光电变换部；
第一部件组，其至少包含在所述光电变换部的第一主面上形成的多个第一细线电极；和
形成在所述光电变换部的第二主面上的第二电极，其中
所述多个第一细线电极电连接有一个配线件，所述第二电极电连接有另一个配线件，其中
所述第一部件组具有：与所述一个配线件连接的第一连接部；和从所述一个配线件露出的第一露出部，
所述第二电极具有：与所述另一个配线件连接的第二连接部；和从所述另一个配线件露出的第二露出部，
当将所述第一露出部的面积相对于所述第一主面的面积的比率作为第一比率，将所述第二露出部的面积相对于所述第二主面的面积的比率作为第二比率时，所述第一比率小于所述第二比率，
当将所述第一主面中所述第一连接部的面积相对于连接有所述一个配线件的区域的面积的比率作为第三比率，将所述第二主面中所述第二连接部的面积相对于连接有所述另一个配线件的区域的面积的比率作为第四比率时，所述第一比率与所述第二比率的比小于所述第三比率与所述第四比率的比，
其中，所述第一主面是所述光电变换部的受光面，所述第二主面是所述光电变换部的背面。
10.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
光电变换部；
形成在所述光电变换部的第一主面上的第一电极；和
形成在所述光电变换部的第二主面上的第二电极，
所述第一电极电连接有一个配线件，所述第二电极电连接有另一个配线件，其中
所述第一电极具有：与所述一个配线件连接的第一连接部；和从所述一个配线件露出的第一露出部，
所述第二电极具有：与所述另一个配线件连接的第二连接部；和从所述另一个配线件露出的第二露出部，
所述第一露出部的面积小于所述第二露出部的面积，
所述第一露出部的面积相对于所述第二露出部的面积的比率，小于所述第一连接部的面积相对于所述第二连接部的面积的比率，其中，所述第一主面是所述光电变换部的受光面，所述第二主面是所述光电变换部的背面。
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| JP2013030689A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光装置 |
| KR101969032B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2019-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2013039158A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US9484479B2 (en) | 2011-11-09 | 2016-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar cell module and manufacturing method thereof |
| DE112012006621T5 (de) * | 2012-06-29 | 2015-05-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solarzellenmodul und Solarzellenmodul-Fertigungsverfahren |
| CN103681891A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 茂迪(苏州)新能源有限公司 | 太阳能电池及其模组 |
| CN103165693B (zh) * | 2013-02-18 | 2016-03-16 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能模块 |
| TWI527251B (zh) * | 2013-02-27 | 2016-03-21 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池及其模組 |
| US10263131B2 (en) | 2014-04-07 | 2019-04-16 | Solaero Technologies Corp. | Parallel interconnection of neighboring solar cells with dual common back planes |
| KR20160038694A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
| KR101666630B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2016-10-18 | 한국에너지기술연구원 | 컨덕티브 페이스트를 이용한 태양전지모듈 제작방법 |
| JP6455099B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-01-23 | 日立化成株式会社 | 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法 |
| JP6802158B2 (ja) | 2014-12-05 | 2020-12-16 | ジェネンテック， インコーポレイテッド | 抗ＣＤ７９ｂ抗体及び使用方法 |
| US11532765B2 (en) * | 2015-04-30 | 2022-12-20 | Shangrao Jinko Solar Technology Development Co., Ltd | Solar cell and solar cell panel including the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013173A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2007103535A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| CN101009336A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 三洋电机株式会社 | 光电动势模块 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076400A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
| FR2831714B1 (fr) * | 2001-10-30 | 2004-06-18 | Dgtec | Assemblage de cellules photovoltaiques |
| JP2002359388A (ja) | 2002-05-28 | 2002-12-13 | Kyocera Corp | 太陽電池装置 |
| JP2005101519A (ja) | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 太陽電池ユニット及び太陽電池モジュール |
| JP4502845B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-07-14 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
| WO2007119365A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| JP2007305876A (ja) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール |
-
2009
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013173A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2007103535A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| CN101009336A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 三洋电机株式会社 | 光电动势模块 |
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