CN101901775A - 半导体背面用切割带集成膜 - Google Patents

半导体背面用切割带集成膜 Download PDF

Info

Publication number
CN101901775A
CN101901775A CN2010101887334A CN201010188733A CN101901775A CN 101901775 A CN101901775 A CN 101901775A CN 2010101887334 A CN2010101887334 A CN 2010101887334A CN 201010188733 A CN201010188733 A CN 201010188733A CN 101901775 A CN101901775 A CN 101901775A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
back surface
semiconductor back
semiconductor
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010101887334A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101901775B (zh
Inventor
三隅贞仁
高本尚英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101901775A publication Critical patent/CN101901775A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101901775B publication Critical patent/CN101901775B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％；所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量30重量％以上。

Description

半导体背面用切割带集成膜
技术领域
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度等的目的。此外，本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和安装倒装芯片的半导体器件。
背景技术
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将芯片形工件例如半导体芯片安装(倒装芯片接合)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片接合中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，例如，专利文献1至10)。
专利文献1：JP-A-2008-166451
专利文献2：JP-A-2008-006386
专利文献3：JP-A-2007-261035
专利文献4：JP-A-2007-250970
专利文献5：JP-A-2007-158026
专利文献6：JP-A-2004-221169
专利文献7：JP-A-2004-214288
专利文献8：JP-A-2004-142430
专利文献9：JP-A-2004-072108
专利文献10：JP-A-2004-063551
发明内容
然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。此外，由于薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。因此，期望在拾取步骤前增强半导体晶片或半导体芯片。
考虑到前述问题，本发明的目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。
此外，本发明的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示出优良的激光标识性和优良的外观性。
为了解决前述问题，本发明人进行了广泛深入的研究。结果，已发现，当将具有特定多层结构的倒装芯片型半导体背面用膜层压至包括基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示出优良的激光标识性和优良的外观性，使得完成本发明。
即，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：
切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，
其中所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％，和
其中所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量的30重量％以上。
如上所述，在本发明的半导体背面用切割带集成膜中，倒装芯片型半导体背面用膜和包括基材和压敏粘合剂层的切割带以集成方式形成，倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构。因此，在切割半导体晶片(工件)时，半导体晶片能够通过利用晶片粘合层将半导体背面用切割带集成膜以优良的紧密粘合性粘贴至半导体晶片来保持和有效地切割。此外，在切割半导体晶片以形成芯片形工件(例如，半导体芯片)后，通过将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，由于包括激光标识层，芯片形工件的背面(即，激光标识层)能够以优良的激光标识性进行激光标识。此外，能够有效地提高外观性等。
在本发明中，晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％(在热塑性树脂组分的量为0重量％的情况下，不包含热塑性树脂组分)，激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量的30重量％以上(在热塑性树脂组分的量为100重量％的情况下，不包含热固性树脂组分)。
在一实施方案中，晶片粘合层相对于半导体晶片具有1N/10mm-宽度以上的粘合力；当用具有波长为532nm的钒酸钇激光器在照射强度为1.0W的条件下照射时，激光标识层具有2μm以上的加工深度。
在一实施方案中，晶片粘合层和激光标识层分别包含添加至其的着色剂。
在一实施方案中，在倒装芯片接合时使用半导体背面用切割带集成膜。
本发明还提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，该方法包括：
将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜的晶片粘合层上，
切割所述工件以形成芯片形工件，
将芯片形工件与倒装芯片型背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，和
将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。
本发明进一步提供安装倒装芯片的半导体器件，其通过上述方法制造。
根据本发明的半导体背面用切割带集成膜，不仅切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成，而且倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构。因此，从工件例如半导体晶片的切割步骤至芯片形工件例如半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用本发明的半导体背面用切割带集成膜。具体地，本发明的半导体背面用切割带集成膜在工件的切割步骤中能够显示出优良的保持力，并且在芯片形工件的倒装芯片接合步骤期间和之后还能够显示出优良的激光标识性和优良的外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于芯片形工件的背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止芯片形工件的破坏(breakage)、碎裂(chipping)和翘曲(warp)等。自然，在除芯片形工件的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，本发明的半导体背面用切割带集成膜能够有效地显示出其功能。
附图说明
图1为示出本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。
图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。
附图标记说明
1：半导体背面用切割带集成膜
2：半导体背面用膜
21：激光标识层
22：晶片粘合层
3：切割带
31：基材
32：压敏粘合剂层
4：半导体晶片(工件)
5：半导体芯片(芯片形工件)
51：在半导体芯片5的电路面形成的凸块(bump)
6：被粘物
61：粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料
具体实施方式
半导体背面用切割带集成膜
参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出本发明半导体背面用切割带集成膜的实施方案的横截面示意图。在图1中，1为半导体背面用切割带集成膜(下文中有时也称作“切割带集成的半导体背面保护膜”、“具有切割带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)；2为倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时称作“半导体背面用膜”或“半导体背面保护膜”)；21为激光标识层；22为晶片粘合层；3为切割带；31为基材；32为压敏粘合剂层。
此外，在本说明书的附图中，没有给出不需要描述的部分，为了容易描述，存在通过放大、缩小等示出的部分。
如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1具有包括以下的构造：包括在基材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3，和包括在激光标识层21上形成的晶片粘合层22的半导体背面用膜。此外，半导体背面用切割带集成膜1以压敏粘合剂层32和激光标识层21彼此接触的形式构成。在直至将半导体背面用膜2的表面(要粘贴至半导体晶片(工件)背面的表面；即，晶片粘合层22的表面)粘贴至晶片背面的期间内，将其用隔离体等保护。
半导体背面用切割带集成膜1可以具有其中在切割带3的压敏粘合剂层32的整个表面上形成半导体背面用膜2的构造，或者可以具有如图1所示的其中仅在切割带3的压敏粘合剂层32的一部分上形成半导体背面用膜2的构造，要将半导体晶片粘贴至该半导体背面用膜2。
倒装芯片型半导体背面用膜
半导体背面用膜2具有膜形状。如前所述，由于半导体背面用膜2具有包括激光标识层21和晶片粘合层22的多层结构，在将粘贴至半导体背面用膜2(即，晶片粘合层22)上的半导体晶片切断的切断-加工步骤(切割步骤)中，半导体背面用膜2具有支承紧密粘合至该半导体背面用膜2的半导体晶片的功能，并能够显示出粘合性以使切断件不会飞散。此外，在切割步骤后的拾取步骤中，已通过切割而个体化的半导体芯片(芯片形工件)能够与半导体背面用膜2一起从切割带3容易地剥离。此外，在拾取步骤后(已通过切割而个体化的半导体芯片与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离后)，半导体背面用膜2具有保护半导体芯片背面的功能。此外，由于激光标识层21变为半导体芯片背面侧上的最外层，因此能够示出显示出优良的激光标识性的功能。此外，由于将晶片粘合层22以优良的紧密粘合性粘贴至半导体芯片的背面上，因此没有观察到由于不良粘合导致的浮起等，半导体芯片能够显示出优良的外观性。如上所述，由于半导体背面用膜2具有优良的激光标识性，所以能够借助半导体背面用膜2(更具体地，半导体背面用膜2的激光标识层21)，通过利用激光标识法进行激光标识，以将各种信息例如文字信息和图形信息赋予至半导体芯片或使用半导体芯片的半导体器件的非电路侧上的面。
根据本发明，在半导体背面用膜2中，优选将激光标识21着色；更优选将晶片粘合层22和激光标识层21着色。如上所述，在半导体背面用膜2中，当将激光标识层21(优选地，晶片粘合层22和激光标识层21)着色时，能够更多地展示出优良的激光标识性。特别地，通过控制着色的颜色，可以观察具有优良可见度的通过标识而赋予的信息(例如，文字信息和图形信息)。
特别地，由于半导体背面用膜2相对于半导体晶片或半导体芯片具有优良的紧密粘合性，因此没有观察到浮起等。此外，由于半导体背面用膜2能够显示出优良的外观性，因此能够获得具有优良的增值外观的半导体器件。例如，作为半导体器件，可以通过使用不同的颜色将其产品分类。
此外，通过将激光标识层21和晶片粘合层22着色，切割带3和半导体背面用膜2能够彼此容易地区分，并且作业性等能够得到提高。
如上所述，半导体背面用膜2不用于将半导体芯片模片接合至被粘物例如基板，而用于保护将要安装倒装芯片(或已经安装倒装芯片)的半导体芯片的背面(非电路面)，并且该半导体背面用膜2因而具有优化的功能和组成。在这点上，模片接合膜为用于将半导体芯片强烈地粘合至被粘物例如基板上的用途的粘合剂层。此外，在使用模片接合膜的半导体器件中，由于其最终使用包封树脂封装，因此模片接合膜的功能和组成与目的在于保护各半导体晶片和半导体芯片的背面的本发明的半导体背面用膜2不同。因此，不优选将本发明的半导体背面用膜2用作模片接合膜。
半导体背面用膜2的厚度(总厚度)没有特别限定，但能够例如在约5μm-500μm的范围内适当选择。此外，半导体背面用膜2的厚度优选为约5μm-150μm，更优选约5μm-100μm，进一步优选约5μm-50μm，甚至进一步优选约10μm-30μm，并且特别优选约15μm-25μm。
本发明的半导体背面用膜2的在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E′)优选为1GPa以上，更优选2GPa以上，特别优选3GPa以上。当半导体背面用膜2的拉伸贮能弹性模量为1GPa以上时，在当将半导体元件与半导体背面用膜2一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，然后将半导体背面用膜2放置在支承体(例如载带)上进行输送等时，能够有效地抑制或防止半导体背面用膜2粘贴至支承体(例如，载体带的顶带(top tape)或底带(bottomtape))。在如前所述半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，由于热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，半导体背面用膜2的在23℃下的拉伸贮能弹性模量通常为处于热固性树脂未固化或部分固化的状态的值。
半导体背面用膜2的在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E′)通过以下方式测定：制备由晶片粘合层22和激光标识层21形成但不层压至切割带上的半导体背面用膜2，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备″SolidAnalyzer RS A2″，在预定温度(23℃)下，在氮气气氛下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/min的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将该弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量E′的值。
此外，处于未固化状态的前述半导体背面用膜2的拉伸贮能弹性模量(23℃)能够通过适当设定树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)的种类和含量或填料例如二氧化硅填料的种类和含量来控制。
半导体背面用膜2在可见光区域(波长：400nm-800nm)的透光率(可见光透过率)没有特别限定，但例如，优选在不大于20％(0％-20％)的范围内、更优选在不大于10％(0％-10％)的范围内，特别优选不大于5％(0％-5％)的范围内。当半导体背面用膜2在可见光区域中的透光率为不大于20％时，可见光透过半导体背面用膜2并到达半导体芯片，从而能够减少对半导体芯片的不利影响。
半导体背面用膜2的可见光透过率(％)能够通过构成半导体背面用膜2的树脂组分的种类和含量、着色剂(例如，颜料和染料)的种类和含量，填料的种类和含量等来控制。
可见光透过率(％)能够例如以以下方式计算。即，制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜2，而不将其层压至切割带上。接着，将半导体背面用膜2使用″ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER″(商品名：Shimadzu Corporation)利用可见光照射。可见光具有400nm-800nm的波长。通过该照射透过半导体背面用膜2的可见光的光强度能够根据以下表达式计算。
可见光透过率(％)＝[(透过半导体背面用膜2后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
透光率(％)的前述计算方法还能够应用于厚度不是20μm的半导体背面用膜的透光率(％)的计算。具体地，根据朗伯-比尔定律(Lambert-Beer law)，在厚度为20μm的情况下吸光度A20能够如下计算。
A20＝α×L20×C    (1)
(在该式中，L20为光程长度，α为吸收系数(absorbanceindex)，C为样品浓度。)
此外，在厚度为X(μm)的情况下的吸光度AX能够如下计算。
AX＝α×LX×C     (2)
此外，在厚度为20μm的情况下的吸光度A20能够如下计算。
A20＝-log10T20    (3)
(在该式中，T20为在厚度为20μm的情况下的透光率。)
从上述式(1)-(3)，吸光度Ax可以由下式表示。
Ax＝A20×(Lx/L20)＝-[log10(T20)]×(Lx/L20)
因此，在厚度为Xμm的情况下的透光率TX(％)能够如下计算。
Tx＝10-Ax
其中AX＝-[log10(T20)]×(LX/L20)
此外，在透光率(％)的前述计算方法中半导体背面用膜的厚度调整为20μm的事实并不特别限定本发明的半导体背面用膜2的厚度。″20μm″的值是为了在测量时方便起见而采用的厚度。
此外，半导体背面用膜2优选具有低的吸湿度。具体地，吸湿度优选不大于1重量％，更优选不大于0.8重量％。通过将吸湿度调整至不大于1重量％，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤(reflow step)中能够抑制或防止空隙的产生。吸湿度能够例如通过改变有机填料的添加量来调整。吸湿度为由当将膜在85℃和85％RH的环境下静置168小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，吸湿度为由当将膜在热固化后在85℃和85％RH的环境下静置168小时时的重量变化计算的值。
吸湿度(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)-(使半导体背面用有色膜静置前的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
此外，半导体背面用膜2优选具有小比例的挥发性物质。具体地，在温度250℃下加热1小时后的重量减少的比例(重量减少率)优选不大于1重量％，更优选不大于0.8重量％。通过将重量减少率调整至不大于1重量％，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤中能够抑制或防止封装时裂纹的产生。重量减少率能够例如通过在无铅焊料再流时添加能够降低裂纹产生的无机材料来调整。重量减少率为由当将膜在250℃的条件下加热1小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，重量减少率为由当将膜在热固化后在250℃的条件下静置1小时时的重量变化计算的值。
重量减少率(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置前的重量)-(使半导体背面用有色膜静置后的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
半导体背面用膜2(特别地，晶片粘合层22)优选通过隔离体(剥离衬垫)(在图中未示出)保护。隔离体具有作为保护半导体背面用膜2(特别地，晶片粘合层22)直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能够进一步用作在将半导体背面用膜2转移至在基材31上的压敏粘合剂层32时的支承基材。当将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜1的半导体背面用膜2上时，剥离隔离体。作为隔离体，能够使用聚乙烯或聚丙烯、其表面用脱模剂例如氟类脱模剂和长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸。隔离体可通过常规已知的方法形成。此外，隔离体的厚度等没有特别限定。
在半导体背面用膜2由包含热固性树脂组分例如环氧树脂的树脂组合物形成的情况下(稍后将描述细节)，在半导体背面用膜2中，热固性树脂在将其施涂于半导体晶片前的阶段为未固化或部分固化的状态。在该情况下，在将它施涂至半导体晶片之后(具体地，通常，在倒装芯片接合步骤中将包封材料固化时)，半导体背面用膜2中的热固性树脂组分完全或几乎完全固化。
如上所述，由于即使当半导体背面用膜2包含热固性树脂组分时，该膜也处于热固性树脂组分未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜2的凝胶分数没有特别限定，但能够例如在不大于50重量％(0重量％-50重量％)的范围内选择，它优选不大于30重量％(0重量％-30重量％)，特别优选不大于10重量％(0重量％至10重量％)。
半导体背面用膜2的凝胶分数能够以下述测量方法测量。即，从半导体背面用膜2中取样约0.1g样品，并精确称重(样品重量)，将样品包裹在网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在130℃下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据下述表达式(a)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝{(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)}×100                        (a)
半导体背面用膜2的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含量以及交联剂的种类和含量，以及除此之外的加热温度和加热时间等来控制。
(晶片粘合层)
晶片粘合层22为显示出对半导体晶片的优良粘合性(紧密粘合性)的层并且是与半导体晶片背面接触的层。晶片粘合层22相对于半导体晶片的粘合力优选为1N/10mm-宽度以上(例如，1N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)。晶片粘合层22相对于半导体晶片的粘合力更优选为2N/10mm-宽度以上(例如，2N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，进一步优选为4N/10mm-宽度以上(例如，4N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)。当晶片粘合层22相对于晶片的粘合力小于1N/10mm-宽度时，可能存在不能将它用作晶片粘合层22的情况。
半导体背面用膜2相对于半导体晶片的粘合力为例如以以下方式测量的值。即，将压敏粘合带(商品名：BT315，由NittoDenko Corporation制造)粘贴至半导体背面用膜2的一个面上，从而增强背面。其后，通过热层压法，通过使2Kg的辊在50℃下往复一次，将厚度为0.6mm的半导体晶片粘贴至长度为150mm和宽度为10mm的背面增强的半导体背面用膜2的表面上。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下，在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下，通过使用剥离试验机(商品名：AUTOGRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造)，将背面增强的半导体背面用膜2剥离。粘合力为此时通过在半导体背面用膜2和半导体晶片之间的界面处剥离而测量的值(N/10mm-宽度)。
通常，晶片粘合层22优选用隔离体保护。在这种情况下，当剥离隔离体时，晶片粘合层22起到半导体背面用切割带集成膜1的一侧上的最外层的作用，并在将半导体背面用切割带集成膜1粘贴至半导体晶片时使用。
晶片粘合层22能够由树脂组合物形成。作为用于形成晶片粘合层22的树脂组合物(下文有时称作″晶片粘合层用树脂组合物″)，能够适当使用包含热塑性树脂组分作为可选组分和热固性树脂组分的树脂组合物。在晶片粘合层用树脂组合物中，在以下(热塑性树脂组分)部分中描述(或示例)的热塑性树脂等能够用作热塑性树脂组分，而以下(热固性树脂组分)部分中描述(或示例)的热固性树脂等能够用作热固性树脂组分。
在本发明中，如下所述，丙烯酸类树脂适合作为在晶片粘合层用树脂组合物中的热塑性树脂组分。另一方面，环氧树脂和酚醛树脂适合作为在晶片粘合层用树脂组合物中的热固性树脂组分。因此，包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物适合作为晶片粘合层用树脂组合物。由于这些树脂组分其离子性杂质小和耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。
在晶片粘合层用树脂组合物中，从对半导体晶片的粘合性的角度，热塑性树脂组分的比例优选为小于30重量％(例如，0重量％以上至小于30重量％)，更优选不大于28重量％(特别优选不大于25重量％)，相对于树脂组分的总量。在晶片粘合层用树脂组合物中，当热塑性树脂组分的比例过小时，存在降低成膜性的情况。从成膜性的角度，在晶片粘合层用树脂组合物中，热塑性树脂组分相对于树脂组分总量的比例的下限值优选为5重量％以上，更优选10重量％以上(特别优选15重量％以上)。总之，在晶片粘合层用树脂组合物中热塑性树脂组分的比例能够例如在5重量％以上至小于30重量％(优选10重量％以上至小于30重量％，更优选15重量％以上至小于30重量％)的范围内选择。
在晶片粘合层用树脂组合物中热固性树脂组分的比例为通过从100重量％中减去热塑性树脂组分的比例获得的余数，100重量％为树脂组分的总量的比例。在热塑性树脂组分相对于树脂组分的总量的比例为0重量％时，晶片粘合层用树脂组合物为仅包含热固性树脂组分(不包含热塑性树脂组分)作为树脂组分的树脂组合物(热固性树脂组合物)。
如果需要，除了交联剂和着色剂之外，晶片粘合层用树脂组合物可以包含添加剂例如填料、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂作为除树脂组分之外的组分。例如，在以下(交联剂)部分中描述(或示例)的交联剂等能够用作交联剂。例如，以下(着色剂)部分中描述(或示例)的着色剂等能够用作着色剂。
通过使用交联剂，可以设法提高高温下的粘合特性和改进耐热性。在一实施方案中，出于用交联剂交联树脂组分的目的，在树脂组分的聚合物中，将能够与交联剂反应的官能团引入分子链末端等。
晶片粘合层22可通过利用以下常规方法形成，在所述常规方法中，将热固性树脂组分例如环氧树脂和热塑性树脂组分例如丙烯酸类树脂混合并任选地进一步与溶剂和其它添加剂混合，从而制备树脂组合物，然后将其成形为膜状层。具体地，例如，晶片粘合层22能够通过以下方法形成，所述方法为：将树脂组合物涂布于在切割带3的压敏粘合剂层32上形成的激光标识层21上的方法；或者将树脂组合物涂布于适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层(或粘合剂层)，然后将其转移(粘合或嵌入)至激光标识层21上的方法；等。
晶片粘合层22的厚度没有特别限定，但是其能够例如在1μm-50μm(优选3μm-30μm，更优选5μm-20μm)的范围内选择，并且特别优选7μm-15μm。当晶片粘合层22的厚度过小时，存在激光标识时暴露晶片的可能性，而当该厚度过大时，存在在热固化后晶片翘曲的可能性。晶片粘合层22可为单层或多层的任意形式。
(激光标识层)
激光标识层21为显示出优良的激光标识性的层和在半导体芯片的背面上进行激光标识时使用的层。即，激光标识层21为具有良好的激光加工性的层。关于激光标识层21的激光加工性，优选当用YVO4(钒酸钇)激光器[波长：532nm；激光发射装置，由Keyence Corporation(商品名：MD-S9900)]在强度为1.0W的条件下照射激光标识层21时，加工深度(深度)为2μm以上。加工深度的上限没有特别限定，但可以为与激光标识层21的厚度相同的值。具体地，激光标识层21的激光加工深度能够为例如在2μm-25μm的范围内选择，并且它优选3μm以上(例如，3μm-20μm)，更优选5μm以上(例如，5μm-15μm)。当作为激光标识层21的激光加工性指数的加工深度[波长：532nm；激光发射装置，由Keyence Corporation制造(商品名：MD-S9900)]在强度为1.0W的条件下小于2μm时，可能存在所得物不能用作激光标识层21的情况。当激光标识层21的激光加工深度为与激光标识层21的厚度相同的值时，可能存在在用激光器照射时激光到达与激光标识层21层压的晶片粘合层22，从而还加工了晶片粘合层22。此外，当用激光器照射时加工激光标识层21时，加工方法的实例包括通过激光器灼烧有机组分等，从而使组成改变的加工方法。
作为激光标识层21的激光加工性指数的加工深度为通过以下而测定的值：用激光器[波长：532nm；激光发射装置，由Keyence Corporation制造(商品名：MD-S9900)]在强度为1.0W的条件下照射激光标识层21(其可以为与晶片粘合层22的层压体)并测量通过该激光器照射加工的加工深度。
在半导体背面用切割带集成膜1中，将激光标识层21粘贴至切割带3的压敏粘合剂层32，但在切割步骤后拾取的半导体芯片中，激光标识层21变为半导体芯片背面侧上的最外层。
激光标识层21能够由树脂组合物形成。作为用于形成激光标识层21的树脂组合物(下文有时称作″激光标识层用树脂组合物″)，能够适当使用包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物。在激光标识层用树脂组合物中，在以下(热塑性树脂组分)部分中描述(或示例)的热塑性树脂等能够用作热塑性树脂组分，而以下(热固性树脂组分)部分中描述(或示例)的热固性树脂等能够用作热固性树脂组分。
在本发明中，如下所述，丙烯酸类树脂适合作为在激光标识层用树脂组合物中的热塑性树脂组分。另一方面，环氧树脂和酚醛树脂适合作为在激光标识层用树脂组合物中的热固性树脂组分。因此，包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物适合作为激光标识层用树脂组合物。由于这些树脂组分其离子性杂质小和耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。
在激光标识层用树脂组合物中，从激光标识性的角度，热塑性树脂组分的比例优选为30重量％以上(例如，30重量％以上至不大于100重量％)，相对于树脂组分的总量。在激光标识层用树脂组合物中，当热塑性树脂组分的比例过大时，耐热性能降低。因此，从耐热性的角度，作为在激光标识层用树脂组合物中热塑性树脂组分相对于树脂组分总量的比例的上限值优选为不大于90重量％，更优选不大于80重量％，进一步更优选不大于60重量％(特别优选不大于50重量％)。因此，在激光标识层用树脂组合物中热塑性树脂组分的比例能够例如在30重量％以上至不大于90重量％(优选30重量％以上至不大于80重量％，更优选30重量％以上至不大于60重量％，特别优选30重量％以上至不大于50重量％)的范围内选择。
在激光标识层用树脂组合物中热固性树脂组分的比例为通过从100重量％中减去热塑性树脂组分的比例获得的余数，100重量％为树脂组分的总量的比例。在热塑性树脂组分相对于树脂组分总量的比例为100重量％时，激光标识层用树脂组合物为仅包含热塑性树脂组分(不包含热固性树脂组分)作为树脂组分的树脂组合物(热塑性树脂组合物)。
如果需要，除了交联剂和着色剂之外，激光标识层用树脂组合物还可以包含添加剂例如填料、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂作为除树脂组分之外的组分。例如，在以下(交联剂)部分中描述(或示例)的交联剂等能够用作交联剂。例如，以下(着色剂)部分中描述(或示例)的着色剂等能够用作着色剂。
激光标识层21可通过利用以下常规方法形成，在所述常规方法形成中，将热固性树脂组分例如环氧树脂和热塑性树脂组分例如丙烯酸类树脂混合并任选地进一步与溶剂和其它添加剂混合，从而制备树脂组合物，然后将其成形为膜状层。具体地，例如，激光标识层21能够通过以下方法形成，所述方法为：将树脂组合物涂布于切割带3的压敏粘合剂层32上的方法；或将树脂组合物涂布于适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层(或粘合剂层)，然后将其转移(粘合或嵌入)至切割带3的压敏粘合剂层32或晶片粘合层22上的方法；等。
激光标识层21的厚度没有特别限定，但是其能够例如在1μm-50μm(优选3μm-30μm，更优选5μm-20μm)的范围内选择，并且特别优选7μm-15μm。当激光标识层21的厚度过小时，存在激光标识时暴露半导体晶片的可能性，而当该厚度过大时，存在在热固化后半导体晶片翘曲的可能性。激光标识层21可为单层或多层的任意形式。
(热塑性树脂组分)
在晶片粘合层用树脂组合物或激光标识层用树脂组合物中，热塑性树脂组分的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6，6-尼龙、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET和PBT、聚酰胺-酰亚胺树脂和氟碳树脂。这些热塑性树脂组分可以单独使用或以其两种以上组合使用。在这些热塑性树脂组分中，特别优选包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂。
丙烯酸类树脂没有特别限定，其实例包括包含一种或两种以上其中烷基为具有30个以下碳原子，特别是4至18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯作为组分的聚合物。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体组分(除其中烷基为具有30个以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体组分)没有特别限定，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloylphosphate)。
(热固性树脂组分)
在晶片粘合层用树脂组合物或激光标识层用树脂组合物中，除了环氧树脂和酚醛树脂之外，热固性树脂组分的实例包括，氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。这些热固性树脂组分可以单独使用或以其两种以上组合使用。作为热固性树脂组分，包含少量腐蚀半导体元件的离子性杂质的环氧树脂是合适的。此外，酚醛树脂适合用作环氧树脂的固化剂。
环氧树脂没有特别限定，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、可溶可熔酚醛(phenol Novolak)型环氧树脂、邻甲酚可溶酚醛(o-cresol Novolak)型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。
作为环氧树脂，在以上示例的那些中，双酚A型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优良。
此外，上述酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括可溶可熔型酚醛树脂如可溶可熔酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚可溶酚醛树脂、叔丁基可溶可熔酚醛树脂和壬基可溶可熔酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。酚醛树脂可单独或以其两种以上组合使用。在这些酚醛树脂中，可溶可熔酚醛树脂和苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基变为0.5至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。其更优选0.8至1.2当量。即，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。
环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限定，可适当选自已知的热固化促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独或两种以上的组合使用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。
(交联剂)
在晶片粘合层用树脂组合物或激光标识层用树脂组合物中，能够添加前述交联剂。通过使用交联剂，可以设法提高高温下的粘合特性(紧密粘合性)和改进耐热性。在一实施方案中，出于通过使用交联剂交联树脂组分的目的，在树脂组分的聚合物中，将能够与交联剂反应的官能团引入分子链末端等。
交联剂没有特别限定，可以任意选择已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或两种以上组合使用。
异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2-亚乙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。此外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N，N，N′，N′-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
交联剂的量不特别限定，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的量为例如0.05至7重量份，基于100重量份树脂组分(聚合物组分)(特别地，在分子链末端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份树脂组分大于7重量份时，粘合力降低，而当其低于0.05重量份时，内聚力降低。
在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外光照射来进行交联处理。
(着色剂)
在本发明中，优选将半导体背面用膜着色。具体地，优选将晶片粘合层22和激光标识层21的至少之一着色；首先，优选将至少激光标识层21着色；特别地，优选将晶片粘合层22和激光标识层21二者均着色。如上所述，在将半导体背面用膜着色的情况(半导体背面用膜既不是无色的也不是透明的情况)下，通过着色显示的颜色没有特别限定，但例如优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是特别优选的。
在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40以下(0至40)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的暗色。
此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以下(0至25)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在L*a*b*颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*两者均在-10至10，更优选-5至5，特别优选-3至3(特别地0或约0)的范围内。
在本发明中，在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*可通过用色差计(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差计)测量来确定。L*a*b*颜色空间为在1976年由CommissionInternationale de l’Eclairage(CIE)建议的颜色空间，是指称为CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(Japanese Industrial Standards)JIS Z8729中定义了L*a*b*颜色空间。
在晶片粘合层22或激光标识层21着色时，根据目标颜色，可使用着色剂(着色试剂)。作为该着色剂，可适合使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是特别适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独使用或两种以上组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。
黑色着色剂不特别限制，例如，可适当选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂(蓝-绿着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)混合的着色剂混合物。黑色着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外其它颜色的着色剂组合使用。
黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料(例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑色颜料和蒽醌型有机黑色颜料。
在使用其中将青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂混合的着色剂混合物作为黑色着色剂的情况下，青色着色剂的实例包括青色染料如C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6和45；青色颜料如C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.瓮蓝4、60；C.I.颜料绿7。
此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27和28。
作为品红色着色剂，品红色颜料的实例包括C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.瓮红1、2、10、13、15、23、29和35。
此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112和162；黄色颜料如C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.瓮黄1、3和20。
各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独使用或以两种以上的组合使用。在此点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定，可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。
此外，在黑色着色剂为通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的着色剂混合物的情况下，这些着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的混合比(或共混比)没有特别限定，只要能够显示黑色系颜色(例如，具有在上述范围内的在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*的黑色系颜色)即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的含量例如可在以下范围内适当选择：相对于着色剂总量，青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂＝10重量％-50重量％/10重量％-50重量％/10重量％-50重量％(优选20重量％-40重量％/20重量％-40重量％/20重量％-40重量％)。
作为黑色着色剂，可使用以下：黑色染料如C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，和C.I.分散黑1、3、10、24；和黑色颜料如C.I.颜料黑1、7；等。
作为此类黑色着色剂，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”和商品名“Oil Black 5905”(由OrientChemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商购可得的。
(其它添加剂)
在本发明中，如前所述，在晶片粘合层用树脂组合物或激光标识层用树脂组合物中，除了填料、阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外，还能够使用添加剂如增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。
填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机填料，能够实现赋予半导体背面用膜以导电性、改进半导体背面用膜的导热性、控制半导体背面用膜的弹性模量等。在这点上，半导体背面用膜可为导电性的或非导电性的。无机填料的实例包括由以下组成的各种无机粉末：二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯，和焊料及碳等。填料可以单独使用或两种以上组合使用。特别地，填料适合为二氧化硅，特别适合为熔凝硅石。无机填料的平均粒径优选在0.1至80μm的范围内。无机填料的平均粒径可通过激光衍射型粒径分布测量设备来测量。
填料(特别地，无机填料)的共混量优选为不大于80重量份(例如，0重量份至80重量份)，特别优选为0重量份至70重量份，基于100重量份树脂组分。
阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可以单独使用或两种以上组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可以单独使用或两种以上组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可以单独使用或两种以上组合使用。
切割带
切割带3由基材31和形成于基材31上的压敏粘合剂层32构成。因而，切割带3充分具有层压基材31和压敏粘合剂层32的构造。基材31(支承基材)能够用作压敏粘合剂层32等的支承材料。作为基材31，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网；金属类基材如金属箔和金属板；塑料类材料如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体(foamed body)如发泡片；及其层压体[特别地，塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜(或片)彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适合使用塑料类材料如塑料膜和片。此类塑料材料的原料实例包括烯属树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和氟化树脂。此外，作为基材的材料，也可以使用聚合物如各上述树脂的交联体。这些原料可以单独使用或两种以上组合使用。
在将塑料基材31用作基材的情况下，变形性如伸长度(elongation degree)可通过拉伸处理等控制。
基材31的厚度没有特别限定，可依赖于强度、屈挠性及预期的使用用途等适当选择。例如，厚度通常为1000μm以下(例如1至1000μm)，优选1至500μm，进一步优选3至300μm，特别地约5至250μm，但不限于此。在这点上，基材31可具有单层形式和层压层形式的任何形式。
可在基材31的表面上实施常规使用的表面处理，例如化学或物理处理如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射处理，或用底漆剂(undercoating agent)的涂布处理，以改进与邻接层的紧密粘合性、保持性等。
此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材31可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
压敏粘合剂层32由压敏粘合剂形成，并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂没有特别限定，可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可在例如以下的已知压敏粘合剂中适当选择并使用：丙烯酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类压敏粘合剂，和其中将具有约200℃以下熔点的热熔融性树脂混入这些压敏粘合剂中的蠕变特性改进的压敏粘合剂(参见例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，将其每一个引入此处以作参考)。此外，作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)或热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独或以两种以上的组合使用。
在本发明中，作为压敏粘合剂，可适当使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘合剂，特别地，丙烯酸类压敏粘合剂是适合的。作为丙烯酸类压敏粘合剂，可提及其中将使用一种或多种烷基(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸烷基酯)作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)用作基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。
在上述丙烯酸类压敏粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，具有具有4至18个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是适合的。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可为线性或支化的。
为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙烯酸类聚合物可包含与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。此类可共聚合单体组分的实例包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基团单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯和α-甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；乙烯基醚类单体例如乙烯基醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol(meth)acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxypolypropylene glycol(meth)acrylate)；具有杂环、卤原子或硅原子等的丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone(meth)acrylate)；多官能单体如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯等。这些可共聚合单体组分可单独或以两种以上的组合使用。
在将照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)用作压敏粘合剂的情况下，照射固化型压敏粘合剂(组合物)的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及其中将UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外，在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，提及包含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)等的热膨胀性压敏粘合剂作为热膨胀性压敏粘合剂。
在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层可包含各种添加剂(例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
交联剂没有特别限定，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是合适的。交联剂可以单独使用或两种以上组合使用。此外，交联剂的量没有特别限定。
异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2-亚乙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。此外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N，N，N′，N′-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外光照射进行交联处理。
压敏粘合剂层32例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层32例如可通过以下方法形成，所述方法为：包括将包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物施涂至基材上的方法，包括施涂上述混合物至适当隔离体(如剥离纸)上以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移(转换)至基材上的方法，或类似方法。
压敏粘合剂层32的厚度没有特别限定，例如，为约5至300μm，优选5至80μm，更优选15至50μm。当压敏粘合剂层32的厚度在上述范围内时，能够有效地显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层32可为单层或多层。
根据本发明，可使半导体背面用切割带集成膜1具有抗静电功能。由于该构造，能够防止电路由于以下原因导致的短路：由于在其粘合时和剥离时静电能的产生或由于半导体晶片通过静电能的带电。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以下方法进行：添加抗静电剂或导电性物质至基材31、压敏粘合剂层32和半导体背面用膜(晶片粘合层22和激光标识层21)的方法，或在基材31上设置由电荷转移配合物(complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形、薄片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，从不具有漏电性的观点，半导体背面用膜优选非导电性的。
此外，半导体背面用切割带集成膜1可以以卷绕成卷形物(roll)的形式形成或可以以将片材(膜)层压的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况下，根据需要，以通过隔离体保护半导体背面用膜2的状态将膜卷绕成卷形物，由此可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1。在这点上，处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1可由基材31、在基材31的一个表面上形成的压敏粘合剂层32、在压敏粘合剂层32上形成的半导体背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剥离处理层(后表面处理层)构成。
半导体背面用切割带集成膜1的厚度(半导体背面用膜2的厚度和由基材31和压敏粘合剂层32组成的切割带3的厚度的总厚度)可在例如11μm-300μm的范围内选择，其优选11μm-200μm，更优选15μm-200μm，进一步优选15μm-100μm(特别优选20μm-80μm)。
在半导体背面用切割带集成膜1中，半导体背面用膜2的厚度与切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以{(半导体背面用膜2的厚度)/(在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度)}的比例计为150/5至3/100的范围内适当选择。半导体背面用膜2的厚度与在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比例优选100/5至3/50，更优选60/5至3/40。当半导体背面用膜2的厚度与在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比例在前述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力，并能够显示优良的切割性和拾取性。
在半导体背面用切割带集成膜1中，半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以{(半导体背面用膜2的厚度)/(切割带3的厚度)}的比例计为150/50至3/500的范围内适当选择。半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例优选100/50至3/300，更优选60/50至3/150。通过将半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例调整至不大于3/500，可以抑制拾取性的降低。另一方面，通过将半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例调整至150/50以上，可以抑制切割时横向残余物(lateral residue)的产生或其量的增加。
如上所述，在半导体背面用切割带集成膜1中，通过调整半导体背面用膜2的厚度与切割带3中压敏粘合剂层32的厚度的比例或半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例，在切割步骤时的切割性和在拾取步骤时的拾取性能够得到提高。此外，从工件例如半导体晶片的切割步骤至半导体元件例如半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均能够有效地利用半导体背面用切割带集成膜1。
半导体背面用切割带集成膜的生产方法
使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述本发明的半导体背面用切割带集成膜的生产方法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。
接着，压敏粘合剂层32通过以下形成：将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上，接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在这点上，压敏粘合剂组合物的施涂可直接在基材31上进行，以在基材31上形成压敏粘合剂层32，或可将压敏粘合剂组合物施涂至表面已进行剥离处理的剥离纸等上以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移至基材31上，从而在基材31上形成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。
另一方面，晶片粘合层22可通过以下形成：将作为用于形成晶片粘合层22的形成材料的树脂组合物(晶片粘合层用树脂组合物)涂布在剥离纸上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况等情况下，根据需要进行加热处理以实现干燥)。随后，激光标识层21通过以下形成：将作为用于形成激光标识层21的形成材料的树脂组合物(激光标识层用树脂组合物)涂布在晶片粘合层22上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况等情况下，根据需要进行加热处理以实现干燥)，从而制备具有激光标识层21和晶片粘合层22的层压结构的半导体背面用膜2。将半导体背面用膜2以激光标识层21与压敏粘合剂层32接触的形式转移至压敏粘合剂层32上，从而在压敏粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。在这点上，半导体背面用膜2也能够通过在压敏粘合剂层32上涂布激光标识层用树脂组合物以形成激光标识层21，并在激光标识层21上进一步涂布晶片粘合层用树脂组合物以形成晶片粘合层22而形成于压敏粘合剂层32上。在这点上，在需要激光标识层21或晶片粘合层22的热固化等的情况下，根据需要，优选进行加热处理以实现干燥。因此，获得根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1。在半导体背面用膜2形成时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至其处于部分固化状态的程度。然而，优选不进行热固化。
半导体背面用切割带集成膜1能够在包括倒装芯片接合步骤的半导体器件生产时适当使用。即，在安装倒装芯片的半导体器件的生产时使用半导体背面用切割带集成膜1，因此以将半导体背面用膜2粘贴至半导体芯片背面的状态或形式生产安装倒装芯片的半导体器件。因此，将根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1用于安装倒装芯片的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。
半导体晶片
半导体晶片没有特别限定，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，并可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。
半导体器件的生产方法
用于生产本发明半导体器件的方法没有特别限定，只要其为使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括以下步骤的生产方法等：
将工件(半导体晶片)粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上(即，半导体背面用膜的晶片粘合层22上)的步骤(安装步骤)；
切割工件以形成芯片形工件(半导体芯片)的步骤(切割步骤)；
将芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤(拾取步骤)；和
通过倒装芯片接合将芯片形工件固定至被粘物的步骤(倒装芯片接合步骤)。
更具体地，作为半导体器件的生产方法，例如，半导体器件可以如下在适当剥离任选地设置于半导体背面用膜上(即，在半导体背面用膜的晶片粘合层22上)的隔离体后使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产。下文中，参考图2A至2D，使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述该方法。
图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为半导体晶片(工件)，5为半导体芯片(芯片形工件)，51为在半导体芯片5的电路面形成的凸块，6为被粘物，61为粘合至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料，1、2、21、22、3、31和32分别为半导体背面用切割带集成膜、半导体背面用膜、激光标识层、晶片粘合层、切割带、基材和压敏粘合剂层。
(安装步骤)
首先，如图2A所示，将半导体晶片4粘贴(特别是压接)至半导体背面用切割带集成膜1中的半导体背面用膜2的晶片粘合层22上，以通过粘合(紧密粘合)和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。通常在用加压装置如加压辊加压的同时进行本步骤。
(切割步骤)
接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切断成规定尺寸并个体化(成形为小片)，以生产半导体芯片5。例如，所述切割根据常规方法从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到半导体背面用切割带集成膜1的切口(slit)的称作完全切断的切断方法。用于本步骤的切割设备没有特别限定，可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过半导体背面用切割带集成膜1粘合(紧密粘合)并固定，可抑制芯片破裂和切屑飞散，以及还可抑制半导体晶片4破损。在这点上，当半导体背面用膜2(激光标识层21和晶片粘合层22)由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切断时，也抑制或防止在切断面处发生粘合剂从半导体背面用膜2挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再粘贴(粘连(blocking))，从而可更加方便地进行以下要描述的拾取。
在半导体背面用切割带集成膜1扩展(expanding)的情况下，扩展可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动半导体背面用切割带集成膜向下通过切割环的环形外环，和直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。
(拾取步骤)
如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，以将半导体芯片5与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离，从而收集粘合(紧密粘合)并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半导体芯片5。拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从半导体背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5的背面(也称为无电路面、无电极形成面等)用包括激光标识层21和晶片粘合层22的半导体背面用膜2保护。
(倒装芯片接合步骤)
拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定于被粘物如基材。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为正面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形式，根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半导体芯片5的电路面处形成的凸块51与粘贴至被粘物6的连接垫的导电性材料61(如焊料)接触，并在加压下熔融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并能够将半导体芯片5固定于被粘物6上。在这点上，在将半导体芯片5固定至被粘物6时，重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙预先洗涤，然后将包封材料(如包封树脂)填充入该间隙中。
作为被粘物6，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料没有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和聚酰亚胺基板。
在倒装芯片接合中，凸块的材料和导电性材料没有特别限定，其实例包括焊料(合金)如锡-铅类金属材料、锡-银类金属材料、锡-银-铜类金属材料、锡-锌类金属材料和锡-锌-铋类金属材料，以及金类金属材料和铜类金属材料。
此外，在本步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面处的凸块和在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约260℃(例如，250℃至300℃)。通过形成具有环氧树脂等的半导体背面用膜，可使本发明的半导体背面用切割带集成膜具有能够承受在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。
此外，在倒装芯片接合中在洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形成面)以及间隙时使用的洗涤液没有特别限定，该液体可为有机洗涤液或可为水性洗涤液。在本发明的半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜具有对洗涤液的耐溶剂性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法而无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。
在本发明中，在封装半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的封装材料没有特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知封装材料如封装树脂中适当选择和使用。封装树脂优选具有弹性的绝缘树脂。封装树脂的实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成的封装树脂可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂(如酚醛树脂)或除了环氧树脂之外的热塑性树脂。此外，可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酚醛树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。
在用封装树脂的封装步骤中，封装树脂通常通过加热来固化以实现封装。在很多情况下，封装树脂的固化通常在175℃下进行60秒至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例如，固化可在165至185℃的温度下进行几分钟。在半导体背面用膜2中，由于激光标识层21由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，在包含热固性树脂组分的情况下，在固化该封装树脂时，热固性树脂组分可完全或几乎完全固化。此外，由于晶片粘合层22由包含作为可选组分的热塑性树脂组分和热固性树脂组分的树脂组合物形成，在固化该封装树脂时热固性树脂组分可完全或几乎完全固化。
半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30μm-300μm。
由此形成的半导体器件能够适合用作电子部件或其材料。
在本发明的使用半导体背面用切割带集成膜制造的半导体器件(安装倒装芯片的半导体器件)中，将半导体背面用膜以激光标识层21为最外层的形式粘贴至半导体芯片背面，因此，可以以优良的可见度实施激光标识。特别地，激光标识能够以优良的对比度实施，并可以观察通过具有良好可见度的激光标识实施的各种信息(例如文字信息和图形信息)。在激光标识时，可利用已知激光标识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态激光器而没有特别限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4激光器是合适的。
由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用安装倒装芯片的半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的安装倒装芯片的半导体器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小型计算机[所谓的“PDA”(手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个人计算机”，所谓的“Net Book(商标)”和所谓的“可穿戴计算机”等]，具有“移动电话”和计算机集成形式的小型电子器件，所谓的“Digital Camera(商标)”，所谓的“数码摄像机”，小型电视机，小尺寸游戏机，小型数字音频播放机，所谓的“电子记事本”，所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端，移动电子器件(可携带电子器件)如小型数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于记录和复制的电子器件(硬盘录像机(hard diskrecorders)、DVD播放机等)、投影仪和微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件不特别限制，其实例包括用于所谓“CPU”的部件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。
实施例
以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在这些实施例中描述的材料和混合量等不意欲将本发明的范围仅限制于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此外，除非另外说明，在各实施例中的份为重量标准。
(生产例1)
基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将193份双酚A型环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、207份苯酚芳烷基树脂(phenol aralkyl resin)(商品名：MIREXXLC-4L，由Mitsui Chemicals，Inc.制造)、370份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由Admatechs Company Limited制造)、8份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和8份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由OrientChemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作″树脂组合物溶液A″)。在该树脂组合物溶液A中，热塑性树脂(即，丙烯酸酯类聚合物)在树脂组分中的比例为20重量％，相对于全部树脂组分。
(生产例2)
基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将135份双酚A型环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、144份苯酚芳烷基树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals，Inc.制造)、280份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、6份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和6份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作″树脂组合物溶液B″)。在该树脂组合物溶液B中，热塑性树脂(即，丙烯酸酯类聚合物)在树脂组分中的比例为26.4重量％，相对于全部树脂组分。
(生产例3)
基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将110份双酚A型环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、118份苯酚芳烷基树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals，Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、5份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和5份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作″树脂组合物溶液C″)。在该树脂组合物溶液C中，热塑性树脂(即，丙烯酸酯类聚合物)在树脂组分中的比例为30.5重量％，相对于全部树脂组分。
(生产例4)
基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将93份双酚A型环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、101份苯酚芳烷基树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由MitsuiChemicals，Inc.制造)、280份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由Admatechs Company Limited制造)、6份染料1(商品名：OILGREEN 502，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和6份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient Chemical IndustriesCo.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作″树脂组合物溶液D″)。在该树脂组合物溶液D中，热塑性树脂(即，丙烯酸酯类聚合物)在树脂组分中的比例为34重量％，相对于全部树脂组分。
(晶片粘合性的评价)
关于在生产例1-4中制备的树脂组合物溶液A-D的各树脂层，通过以下粘合力的测量方法测量对于晶片的粘合力，并根据以下粘合性的评价标准评价该树脂层是否具有作为晶片粘合层的足够粘合力。评价或测量结果示于表1中。
<粘合力的测量方法>
将聚对苯二甲酸乙二酯膜(厚度：38μm；下文中有时称作″PET膜″)粘贴至在生产例1-4中制备的树脂组合物溶液A-D的各树脂层的一面上，从而获得粘贴树脂层的PET膜。将硅晶片(厚度：0.6mm)作为晶片放置在热盘上并在预定温度(50℃)下以其中通过使2kg的辊在50℃下往复一次使粘贴树脂层的PET膜的树脂层与晶片接触的形式粘贴。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下通过使用剥离试验机(商品名：AUTO GRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造)将树脂层粘贴的PET膜剥离(在树脂层和晶片之间的界面处剥离)。测量剥离时载荷的最大载荷(从其中除去测量开始时峰顶的载荷的最大值)，将该最大载荷作为树脂层和晶片之间的粘合力(树脂层相对于晶片的粘合力)时确定树脂的粘合力(N/10mm-宽度)。
<粘合性的评价标准>
良好：相对于晶片的粘合力为1N/10mm-宽度以上。
差：相对于晶片的粘合力为小于1N/10mm-宽度。
在该粘合力的测量方法中，虽然树脂层用PET膜增强，但是即使当使用压敏粘合带(商品名：BT315，由Nitto DenkoCorporation制造)代替PET膜时，也可获得相同的粘合力值。
表1
  生产例   粘合力
  1   良好
  2   良好
  3   差
  4   差
从表1显而易见，在生产例1-2中制备的树脂组合物溶液A-B的树脂层相对于晶片的粘合力是有利的，因此它们适合作为晶片粘合层。结果，这些树脂层能够用作晶片粘合层。
另一方面，在生产例3-4中制备的树脂组合物溶液C-D的树脂层相对于晶片的粘合力低，因此它们不适合作为晶片粘合层。
结果，这些树脂层不能够用作晶片粘合层。
<激光标识性的评价>
关于在生产例1-4中制备的树脂组合物溶液A-D的各树脂层，通过以下激光加工性的评价或测量方法评价或测量激光标识性，并根据以下激光加工性的评价标准评价该树脂层是否具有作为激光标识层的充分的激光标识性。评价或测量结果示于表2中。
<激光加工性的评价或测量方法>
在生产例1-4中制备的树脂组合物溶液A-D的各树脂层用激光器照射，并使用激光显微镜测量该激光照射时加工的加工深度。使用YVO4(钒酸钇)激光器在波长为532nm和照射强度为1.0W的条件下进行照射。此外，使用由Keyence Corporation制造的激光发射装置(商品名：MD-S9900)。
<激光加工性的评价标准>
良好：激光加工深度为2μm以上。
差：激光加工深度为小于2μm。
表2
  生产例   激光加工性
  1   差
  2   差
  3   良好
  4   良好
从表2显而易见，在生产例3-4中制备的树脂组合物溶液C-D的树脂层在激光加工性方面是有利的，因此它们适合作为激光标识层。结果，这些树脂层能够用作激光标识层。
另一方面，在生产例1-2中制备的树脂组合物溶液A-B的树脂层在激光加工性方面是低的，因此它们不适合作为激光标识层。结果，这些树脂层不能够用作激光标识层。
(实施例1)
<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>
将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A涂布至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层。其后，将在生产例3中制备的树脂组合物溶液C涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜A″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜A通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(实施例2)
<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>
将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A涂布至由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。其后，将在生产例4中制备的树脂组合物溶液D涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜B″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜B通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本实施例2的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例1)
<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>
将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A涂布至由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。其后，将在生产例2中制备的树脂组合物溶液B涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜C″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜C通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本比较例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例2)
<半导体背面用膜的制备>
将在生产例3中制备的树脂组合物溶液C涂布至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层。其后，将在生产例3中制备的树脂组合物溶液C涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜D″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜D通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本比较例2的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例3)
<半导体背面用膜的制备>
将在生产例3中制备的树脂组合物溶液C涂布至由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。其后，将在生产例4中制备的树脂组合物溶液D涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜E″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜E通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本比较例3的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例4)
<半导体背面用膜的制备>
将在生产例4中制备的树脂组合物溶液D涂布至由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为可剥离衬垫(隔离体)的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的晶片侧树脂层，所述可剥离处理膜已进行硅酮剥离处理。其后，将在生产例4中制备的树脂组合物溶液D涂布在晶片侧树脂层上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度10μm的外部树脂层。由此制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(下文中有时称作″半导体背面用膜F″)。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用膜F通过使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据本比较例4的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(半导体背面用有色膜的物理性质的测量)
关于在实施例1-2和比较例1-4中制备的半导体背面用切割带集成膜中的各半导体背面用有色膜，分别以以下方式测量可见光透过率(％)、吸湿度(重量％)和重量减少率(重量％)。测量结果示于下表3中。
<可见光透过率的测量方法>
在实施例1-2和比较例1-4中制备的各半导体背面用有色膜A-F(平均厚度：20μm)使用“ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER”(商品名，由Shimadzu Corporation制造)利用可见光照射。将可见光的波长调整为400nm-800nm。测量并根据以下表达式计算通过该照射而透过半导体背面用有色膜2的可见光的光强度。
可见光透过率(％)＝[(透过半导体背面用有色膜后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
<吸湿度的测量方法>
使在实施例1-2和比较例1-4中制备的各半导体背面用有色膜A-F在温度85℃和湿度85％RH的恒温恒湿室中静置168小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算吸湿度(重量％)。
吸湿度(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)-(使半导体背面用有色膜静置前的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
<重量减少率的测量方法>
使在实施例1-2和比较例1-4中制备的各半导体背面用有色膜A-F在温度250℃的干燥机中静置1小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算重量减少率(重量％)。
重量减少率(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置前的重量)-(使半导体背面用有色膜静置后的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
Figure GSA00000128877500551
(评价)
关于在实施例1-2和比较例1-4中制备的各半导体背面用切割带集成膜，通过以下评价或测量方法来评价或测量切割性、拾取性、倒装芯片接合性、晶片背面的标识性能和晶片背面的外观性。评价或测量结果示于表4中。
<切割性和拾取性的评价方法>
通过使用实施例1-2和比较例1-4的各半导体背面用切割带集成膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，从而评价半导体背面用切割带集成膜的切割性能和拾取性能。
将半导体晶片(直径：8英寸，厚度：0.6mm；硅镜面晶片)进行背面抛光处理，并使用具有厚度0.2mm的镜面晶片作为工件。从半导体背面用切割带集成膜剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在70℃下通过辊压接合粘贴至半导体背面用膜(即，半导体背面用膜的晶片粘合层)上，并进一步进行切割。此处，所述切割作为完全切断进行，以成为10mm见方的芯片尺寸。在这点上，半导体晶片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。
(半导体晶片的磨削条件)
磨削设备：商品名“DFG-8560”，由DISCO Corporation制造
半导体晶片：8英寸直径(将背面从厚度0.6mm磨削至厚度0.2mm)
(粘贴条件)
粘贴设备：商品名“MA-3000II”，由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造
粘贴速度：10mm/min
粘贴压力：0.15MPa
粘贴时的阶段温度：70℃
(切割条件)
切割设备：商品名“DFD-6361”，由DISCO Corporation制造
切割环：“2-8-1”(由DISCO Corporation制造)
切割速度：30mm/sec
切割刀：
Z1；“203O-SE 27HCDD”，由DISCO Corporation制造
Z2；“203O-SE 27HCBB”，由DISCO Corporation制造
切割刀旋转速度：
Z1；40,000r/min
Z1；45,000r/min
切割方法：阶梯切割(step cutting)
晶片芯片尺寸：10.0mm见方
在切割中，确认镜面晶片(工件)是否牢固保持在半导体背面用切割带集成膜上而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为“良好”，将未良好进行切割的情况评级为“差”，由此评价切割性。
接下来，通过用针状物从半导体背面用切割带集成膜的切割带侧向上推动工件，将通过切割获得的芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，由此拾取处于背面用半导体背面用膜保护的状态的芯片形工件。测定此时的芯片(总计400片)的拾取率(％)，以评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100％时，拾取性越好。
此处，拾取条件如下。
(半导体晶片的拾取条件)
拾取设备：商品名“SPA-300”，由Shinkawa Co.，Ltd.制造
拾取针状物的数量：9个针状物
针状物的向上推动速度：20mm/s
针状物的向上推动距离：500μm
拾取时间：1秒
切割带扩展量：3mm
<倒装芯片接合性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例和比较例的芯片形工件，以芯片形工件的表面(电路面)与具有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在芯片形工件的电路面处形成的凸块与连接至电路板连接垫的导电性材料(焊料)接触，使导电性材料通过升高温度至260℃在加压下熔融，然后冷却至室温，由此将芯片形工件固定至电路板上，从而制造半导体器件。根据以下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。
(倒装芯片接合性的评价标准)
良好：通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；
差：通过倒装芯片接合法不能实现安装。
<晶片背面标识性能的评价方法>
在通过上述<倒装芯片接合性的评价方法>获得的半导体器件中的芯片形工件的背面(即，半导体背面用膜的最外层的表面)上使用YAG激光器实施激光标识。关于通过激光标识(条形码信息)获得的信息，根据以下评价标准评价使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜获得的半导体器件的标识性能(激光标识性)。
(标识性的评价标准)
良好：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的8个人以上。
差：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的7个人以下。
<晶片背面外观性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例和比较例的芯片形工件，根据以下评价标准目视评价芯片形工件背面的外观性。
(外观性的评价标准)
良好：在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间没有观察到剥离(浮起)；
差：在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间观察到剥离(浮起)。
从表4中可以看出，根据实施例1-2的半导体背面用切割带集成膜以优良的水平具有作为切割带的功能和作为半导体背面用膜的功能(例如，相对于晶片的粘合性和激光标识性)。
由于在本发明的半导体背面用切割带集成膜中将切割带和半导体背面用膜以集成的方式形成以及半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用半导体背面用切割带集成膜。即，在通过倒装芯片接合法生产半导体器件时，本发明的半导体背面用切割带集成膜可适合用作具有切割带和半导体背面用膜两种功能的半导体背面用切割带集成膜。
虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围将显而易见。
本申请基于2009年5月29日提交的日本专利申请2009-130900和2010年4月28日提交的日本专利申请2010-103901，在此将其全部内容引入以作参考。

Claims (10)

1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：
切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，
其中所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％，和
其中所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量的30重量％以上。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，
其中所述晶片粘合层相对于半导体晶片具有1N/10mm-宽度以上的粘合力；和
其中当用具有波长为532nm的钒酸钇激光器在照射强度为1.0W的条件下照射时，所述激光标识层具有2μm以上的加工深度。
3.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述晶片粘合层和所述激光标识层分别包含添加至其的着色剂。
4.根据权利要求2所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述晶片粘合层和所述激光标识层分别包含添加至其的着色剂。
5.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其在倒装芯片接合时使用。
6.根据权利要求2所述的半导体背面用切割带集成膜，其在倒装芯片接合时使用。
7.根据权利要求3所述的半导体背面用切割带集成膜，其在倒装芯片接合时使用。
8.根据权利要求4所述的半导体背面用切割带集成膜，其在倒装芯片接合时使用。
9.一种生产半导体器件的方法，其使用根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，所述方法包括：
将工件粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜的晶片粘合层上，
切割所述工件以形成芯片形工件，
将所述芯片形工件与所述倒装芯片型背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和
将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。
10.一种安装倒装芯片的半导体器件，其通过根据权利要求9所述的方法制造。
CN201010188733.4A 2009-05-29 2010-05-28 半导体背面用切割带集成膜 Active CN101901775B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-130900 2009-05-29
JP2009130900 2009-05-29
JP2010103901A JP5885325B2 (ja) 2009-05-29 2010-04-28 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2010-103901 2010-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101901775A true CN101901775A (zh) 2010-12-01
CN101901775B CN101901775B (zh) 2014-12-03

Family

ID=43219304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010188733.4A Active CN101901775B (zh) 2009-05-29 2010-05-28 半导体背面用切割带集成膜

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8703584B2 (zh)
JP (1) JP5885325B2 (zh)
CN (1) CN101901775B (zh)
TW (1) TWI444451B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102153961A (zh) * 2009-12-24 2011-08-17 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜
CN104395424A (zh) * 2012-06-21 2015-03-04 日东电工株式会社 导热性粘合组合物
CN105086863A (zh) * 2014-05-13 2015-11-25 日东电工株式会社 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法
CN113329872A (zh) * 2019-01-23 2021-08-31 日东电工株式会社 薄玻璃树脂层叠体片的制造方法
CN114599517A (zh) * 2019-10-23 2022-06-07 琳得科株式会社 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的小片的制造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5681374B2 (ja) * 2010-04-19 2015-03-04 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5528936B2 (ja) * 2010-07-28 2014-06-25 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5641641B2 (ja) 2010-07-29 2014-12-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2014511560A (ja) * 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜
JP2014511559A (ja) 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるアンダーフィル膜
JP5023225B1 (ja) 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体装置用フィルムの製造方法
JP5907717B2 (ja) * 2011-12-16 2016-04-26 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US9171749B2 (en) * 2013-11-13 2015-10-27 Globalfoundries U.S.2 Llc Handler wafer removal facilitated by the addition of an amorphous carbon layer on the handler wafer
KR101602782B1 (ko) * 2014-07-03 2016-03-11 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 마킹 방법
JP6812212B2 (ja) 2016-11-14 2021-01-13 日東電工株式会社 シート、テープおよび半導体装置の製造方法
JP6921644B2 (ja) * 2017-06-27 2021-08-18 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型裏面保護フィルム
JP2020123522A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日東電工株式会社 電池パック、無線電力伝送システムおよび補聴器
JP2022149802A (ja) 2021-03-25 2022-10-07 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワーク加工物および装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040145060A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-29 Dominic Christopher J Laser marking passivation film for semiconductor package
US20040251538A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with heat sink
US20060079011A1 (en) * 2000-08-25 2006-04-13 Tandy William D Methods for marking a bare semiconductor die
US20080241995A1 (en) * 2004-05-12 2008-10-02 Sharp Kabushiki Kaisha Adhesive Sheet For Both Dicing And Die Bonding And Semiconductor Device Manufacturing Method Using The Adhesive Sheet

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521688B1 (en) * 1994-05-05 2003-02-18 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Laser-markable plastics
JP2003152317A (ja) * 2000-12-25 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2004063551A (ja) 2002-07-25 2004-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット
DE10235482B3 (de) 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
JP4341343B2 (ja) 2002-10-04 2009-10-07 日立化成工業株式会社 表面保護フィルム及びその製造方法
JP4364508B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-18 リンテック株式会社 チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法
JP2004221169A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子保護材、及び半導体装置
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4615368B2 (ja) * 2005-05-17 2011-01-19 株式会社岩田レーベル レーザーマーキング用紙、ラベル及びラベルシート
JP4865312B2 (ja) 2005-12-05 2012-02-01 古河電気工業株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4954569B2 (ja) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007250970A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法
JP4846406B2 (ja) 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4769975B2 (ja) * 2006-03-29 2011-09-07 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
JP2008006386A (ja) 2006-06-29 2008-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ用保護膜形成用シートによる保護膜形成方法。
JP2008063520A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Mitsubishi Pencil Co Ltd 粘着テープ
US8049313B2 (en) * 2006-09-20 2011-11-01 Freescale Semiconductor, Inc. Heat spreader for semiconductor package
JP2008144082A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Nippon Kararingu Kk レーザーマーキング用シート及びその製造方法
JP2008166451A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP5180507B2 (ja) * 2007-03-30 2013-04-10 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シートおよび保護膜付半導体チップ
JP2010031183A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
JP4994429B2 (ja) 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060079011A1 (en) * 2000-08-25 2006-04-13 Tandy William D Methods for marking a bare semiconductor die
US20040145060A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-29 Dominic Christopher J Laser marking passivation film for semiconductor package
US20040251538A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with heat sink
US20080241995A1 (en) * 2004-05-12 2008-10-02 Sharp Kabushiki Kaisha Adhesive Sheet For Both Dicing And Die Bonding And Semiconductor Device Manufacturing Method Using The Adhesive Sheet

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102153961A (zh) * 2009-12-24 2011-08-17 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜
CN102153961B (zh) * 2009-12-24 2015-11-25 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜
CN104395424A (zh) * 2012-06-21 2015-03-04 日东电工株式会社 导热性粘合组合物
CN105086863A (zh) * 2014-05-13 2015-11-25 日东电工株式会社 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法
CN113329872A (zh) * 2019-01-23 2021-08-31 日东电工株式会社 薄玻璃树脂层叠体片的制造方法
CN113329872B (zh) * 2019-01-23 2023-07-14 日东电工株式会社 薄玻璃树脂层叠体片的制造方法
US11904411B2 (en) 2019-01-23 2024-02-20 Nitto Denko Corporation Method for producing thin glass resin laminate piece
CN114599517A (zh) * 2019-10-23 2022-06-07 琳得科株式会社 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的小片的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8703584B2 (en) 2014-04-22
JP5885325B2 (ja) 2016-03-15
JP2011009711A (ja) 2011-01-13
TWI444451B (zh) 2014-07-11
TW201107443A (en) 2011-03-01
CN101901775B (zh) 2014-12-03
US20100301497A1 (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101901775B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN101794724B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN101794722B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN102153960B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜
CN105086867B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102376616B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
CN104465515B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN105428293B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN105153954B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜及其用途
CN105666976B (zh) 半导体背面用切割带集成膜在激光标识中的应用
CN106206396B (zh) 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法
CN102347263B (zh) 半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法
CN101924056A (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102153961B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜
CN102146265B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102376614A (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
CN102947930A (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
CN104054161A (zh) 倒装芯片型半导体装置的制造方法
CN101924055A (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102947929A (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜
CN102376611B (zh) 半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件
CN102376615A (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant