CN101874298A

CN101874298A - 静电型加固装置

Info

Publication number: CN101874298A
Application number: CN200880117654A
Authority: CN
Inventors: 傅宝莱
Original assignee: Tsukuba Seiko Ltd
Current assignee: Tsukuba Seiko Ltd
Priority date: 2007-10-15
Filing date: 2008-10-10
Publication date: 2010-10-27
Anticipated expiration: 2028-10-10
Also published as: JP5112808B2; JP2009099674A; TWI458041B; US20100309603A1; KR20100076028A; TW200935553A; WO2009051079A1; US8335070B2; CN101874298B; KR101511814B1

Abstract

一种用于加固在处理过程中需要暂时加固的薄状加固对象(101)的加固装置。该加固装置包括：加固部件本体(110)，具有在电绝缘层(113)内部嵌入电极部(112)的薄板状静电保持部；以及电压控制部(120)，与加固部件本体(110)可分离设置，具有能够将加固对象(101)导通接地的第一连接端子(121)和能够将电极部(112)接地或导通到高电压的第二连接端子(122)。电压控制部(120)包括：吸附工序部，用于由接地为加固对象(101)提供与提供给电极部(112)的电荷极性相反的电荷，以使静电保持部产生吸附力以吸附加固对象(101)以将加固部件本体(110)用作加固部件；及吸附释放工序部，用于使累积在加固对象(101)和电极部(112)上的电荷释放以使静电吸附能力消失。

Description

静电型加固装置

技术领域

本发明涉及抑制硅晶片等薄膜材料所受应力的静电型加固装置。

背景技术

近年来，硅晶片正在向薄膜化、大面积化发展。这样的薄硅晶片较脆，在处理中受到应力时硅晶片会产生龟裂或微裂缝，从而引起硅晶片的性能恶化，使品质下降，或者次品增多。

作为防止硅晶片产生龟裂或微裂缝的措施，研发了晶片保护带(例如参考专利文献1)。

如图6所示，该晶片保护带800的结构为在带状支撑体803的一个表面上提供粘合剂或粘附剂802，经由粘附剂802将带状支撑体粘合在硅晶片上，从而由带状支撑体从背面保护硅晶片101。当不需要保护时，采用保护带剥离装置等剥离、丢弃晶片保护带800。

通过采用这样的晶片保护带800，即使被研磨得很薄的硅晶片101也能够在生产过程期间移动时或加工时被加固，从而抑制产生裂缝。

另一方面，目前，已知将静电保持装置作为保持硅晶片等薄膜材料的保持装置(例如参考专利文献2、3)。

在这样的静电保持装置中，在基板上安装保持部，该保持部大致由提供一对正负电荷的电极元件组和覆盖该电极元件组的固定在基板上的绝缘层构成，并且包括向电极元件组施加高电压或释放所施加电压的电压控制部。

由此，通过经由配置在电压控制部上的开关将高电压施加到这些电极元件组上，将绝缘层的表面作为保持面，由作为处理对象的硅晶片和保持面之间感应的静电吸引力将处理对象保持。当开关为断开时，这样的静电吸引力消除，从而释放处理对象。由此，用作由静电吸引力吸引导体、半导体或高电阻体等处理对象而保持(装载)并在释放时能够使处理对象脱离(卸下)的静电卡盘。

专利文献1：特开2001-319906

专利文献2：特开2003-282671

专利文献3：特开2004-358562

专利文献4：特开2006-52075

发明内容

发明要解决的问题

近年来，在应用薄膜晶体管(TFT)的半导体芯片中，正在尝试在硅晶片的两个表面上形成电极图案。因此，例如采用表面尺寸英寸～

英寸左右、厚度650μm左右的硅晶片。

在该硅晶片的一个表面(表面)上形成TFT图案之后，研磨形成了TFT图案的表面的背面。由此，使硅晶片的整体厚度减小为30μm～80μm左右，从而构成薄膜硅晶片。之后，将该薄膜硅晶片形成有TFT图案的表面作为保持面，在研磨面(背面)上也形成TFT图案，由此制造在两个表面上都形成了电极图案的薄膜晶体管TFT。

这样，在硅晶片的两个表面上形成电极图案的情况下，将保护带作为加固部件使用时，由保持带粘合表面上形成有TFT图案的表面。但是，由于保护带由粘附剂固定，所以在背面的TFT图案形成处理结束之后，需要使保护带从薄膜硅晶片剥离的步骤(剥皮步骤)。在该剥皮步骤中，由于将由粘附剂固定的保护带从硅晶片强行剥离，所以不可避免地对薄膜硅晶片产生应力，由于薄膜硅晶片的厚度薄，所以存在产生龟裂的风险高的问题。

其中，即使采用如在专利文献1中公开的不会受到应力处理的保护带的剥离装置，依然存在产生龟裂的风险。进一步地，还存在由于使用粘附剂而将形成纤细的TFT图案的表面污染的问题。在具有微细凹凸的TFT图案中，一般难以将由粘附剂污染的TFT图案表面彻底清洗干净。进一步地，对于在清洗中使用的清洗液和使用完成的保护带等进行丢弃和再循环也存在较大的经费问题。

本发明的目的是提供没有粘附剂带来的污染、并且再循环等经费少、且能够吸附硅晶片等薄板材料的加固对象的静电型加固装置。

解决问题的手段

为了实现上述目的，根据本发明一实施例的静电型加固装置，包括：加固部件本体，具有在电绝缘层内部嵌入电极部的薄板状静电保持部；以及电压控制部，与所述加固部件本体可分离设置，具有能够将所述加固对象导通接地的第一连接端子和能够将所述电极部接地或导通到高电压的第二连接端子；所述电压控制部包括：吸附工序部，用于在将高电压施加到所述电极部上的同时，通过由接地为所述加固对象提供与施加到所述电极部的电压极性相反的电荷，使所述静电保持部产生吸附力以吸附加固对象；及吸附释放工序部，用于使累积在所述加固对象和所述电极部上的电荷由所述接地释放，并使所述静电保持部的静电吸附能力消失从而将所述加固对象分离。

通过设置具有在电绝缘层内部嵌入电极部的薄板状静电保持部的加固部件本体的结构，由于可以通过接地对加固对象提供与施加在电极部上的电荷极性相反的电荷，所以加固对象和加固部件本体能够由于极性相反的电荷而相互强烈地吸引。此外，通过该结构，即使将电压控制部分离，累积在加固对象和加固部件本体上的电荷由于相互极性相反而强烈地吸引，因此不会发散到外部，从而经过很长时间也能够维持由静电产生的吸附力。

附图说明

图1A是示出本发明一实施例的静电型加固装置的平面图；

图1B是示出本发明一实施例的静电型加固装置的部分截面的结构图；

图2是本发明的静电型加固装置的部分截面的结构图；

图3是在图1A和图1B中示出的静电型加固装置的动作时间图；

图4A是示出本发明的变形例的静电型加固装置的平面图；

图4B是示出本发明的变形例的静电型加固装置的部分截面的结构图；

图5是在图1A和图1B或图4A和图4B中示出的静电型加固装置的动作时间图；

图6A是现有的带式加固装置的平面图；

图6B是现有的带式加固装置的截面图。

符号说明

100：晶片支撑件 114：导电性基底

(静电型加固装置) (防电场泄漏装置)

101：晶片(加固对象) 114a：通孔

110：晶片支撑件本体 114b：连接端子(电导通装置)

(加固部件本体) 121：连接端子(T1)

112：电极部 122：连接端子(T2)

112a：通孔 120：电压控制部

112b：连接端子 SW1～SW4：电开关

113：电绝缘层(聚酰亚胺层) R1：电阻

具体实施方式

下面，参考附图说明本发明的优选实施例。首先，图2是说明根据本发明一实施例的静电型加固装置100的结构图，图1是说明由图2的静电型加固装置100保持加固对象101的状态的结构图。任何一个图都是用于根据原理说明本发明所述静电型加固装置100的结构的结构图，例如厚度方向与表面方向相比进行了放大地描述。

在图2中，静电型加固装置100是以防止在晶片等薄膜状加固对象的运送和加工作业中加固对象产生裂缝等为目的的加固部件或加固装置。该静电型加固装置100包括作为薄板状静电保持部的加固部件本体110，和相对于该加固部件本体110可自由分离地构成的电压控制部120。该电压控制部120构成为能够进行控制以使得在使加固部件本体110用作加固部件时可以使加固部件本体110表现出静电吸附力，同时在加固部件本体110作为加固部件使用结束而回收加固部件本体110时可以使加固部件本体110的静电吸附力消减。

这样的加固部件本体110的在平面观察下的形状是与加固对象101大致相同的形状，除了电极部112和用于将该电极部112的周围绝缘而覆盖的绝缘层113是必需的结构以外，在本实施例所述静电型加固装置100中还包括导电性基底114。

电极部112在平面观察下的外径形状与加固对象101的在平面观察下的外径形状大致相同。此外，该电极部112也可以是栉齿状、格子状等，但是优选地在平面观察下的外形与加固对象101的在平面观察下的外形基本一致。

如图2所示，该电极部112的表面、背面(d1，d2)和周围(d3)都由薄薄的绝缘层113覆盖，在本实施例所述加固部件本体110中，在绝缘层113的背面侧上固定薄膜状的导电性基底114。

其中，这些绝缘层113用于通过使施加在电极部上的电荷绝缘而维持积累在电极部上的电荷。

此外，该导电性基底114是用于在伴随着向电极部112施加电压时遮断在电极部112下部产生的电场以防止电场泄漏的装置。此外，该实施例的导电性基底114同时用作使电压控制部120和加固对象101在结构上容易导通以使累积在加固对象101上的电荷容易释放的电导通装置。

在不考虑来自电极部112等的电场泄漏问题时，可以省略设置与电极部112相对背面上的导电性基底114。

此外，在利用该导电性基底114作为电导通装置时，由于可以平稳地进行电荷的释放，所以不需要一定是大容量的电导通性。即，导电性程度只要能够电导通即可，即微小的微导电性即可。

由于具有这种结构的本发明所述加固部件本体110的目的是抑制加固对象受到应力而产生裂缝等，所以在使构成电极部112、绝缘层113和导电性基底114等加固部件本体110的材料构成为一体的状态下，需要具有能够保护加固对象101足以对抗弯曲应力程度的强度，但是在此范围内可以将各材料的厚度制成非常薄。

接下来，在本实施例所述导电性基底114的一部分上设置贯通孔114a。由绝缘层113覆盖的电极部112的一部分贯通该贯通孔114a而在背面侧露出，该露出部用作与下述的电压控制部120的各开关SW2～SW4连接的连接端子112b。

其中，虽然在图1和图2中示出的连接端子112b与导电性基底114的背面在同一平面，但是只要能够与下述的电压控制部120的连接端子连接，不需要一定是在同一平面。例如，连接端子112b相对于导电性基底114，可以设置为凹状部或凸状部。此外，在该实施例中，虽然使导电性基底114贯通而将电极部112设置在背面上，但是在本发明中电极部112只要能够与电压控制部120连接、分离即可，所以连接端子112b的位置不限制为在背面，例如也可以在侧面上。

另一方面，在该实施例中，在电极部112的一部分上设置贯通孔112a。使由绝缘层113覆盖的导电性基底114的一部分贯通该贯通孔112a延伸到表面侧，从而设置在表面侧露出的连接端子114b。该连接端子114b与加固对象101接触，从而使加固对象101与导电性基底114的电位相等，所以构成在导电性基底114接地的同时去除加固对象101的电荷的电导通装置。优选地，该连接端子114b与绝缘层113的表面大致在同一平面上。

接下来，说明电压控制部120。本实施例所述的电压控制部120包括四个开关SW1～SW4。

在开关SW1的一端上设置连接到导电性基底114上的连接端子121(第一连接端子T1)，在开关SW1的另一端上经由电阻R1接地。

在开关SW2～SW4的一端接合在一起地设置一连接端子122(第二连接端子T2)，该连接端子122与电极部112的连接端子112b连接。

另一方面，开关SW2的另一端接地。此外，开关SW3的另一端连接到+V(或-V)电压的高压电源上，开关SW4的另一端连接到-V(或+V)电压的高压电源上。

此外，在该电压控制部120中，内嵌有与下述步骤2所述加固对象的吸附工序部和步骤4所述加固对象的吸附释放工序部相对应的开关控制程序，分别用于在加固对象101和加固部件本体110之间顺利进行由库仑力引起的吸附和剥离。

以下结合加固对象的吸附、剥离操作过程的一个例子，共同说明这种开关控制程序的细节。

(步骤1：准备步骤)

在初始设定中，使所有的SW1～SW4断开(off)。如图1所示，通过使加固对象101搭载在加固部件本体110上，使加固对象101与加固部件本体110接触。由此，使加固对象101与导电性基底114电导通。

(步骤2：加固对象的吸附工序部)

在各SW1～SW4断开(off)的状态下，将开关SW1闭合(on)，接着将开关SW3闭合(on)。由此，在电极部112上，经由开关SW3施加高电压+V(-V)电压。对于施加在该电极部112上的施加电压，与施加电压相反电位的电荷从地提供给经由开关SW1接地的加固对象101和导电性基底114。

也就是，在电极部112上施加+1KV的电压时，在加固对象101和导电性基底114中的与电极部112的对抗面上由接地提供相当于-1KV的电位。

在此状态下，在电极部112和加固对象101之间由于隔着绝缘层113而产生电位差，从而相互产生吸合库仑力，由该库仑力将加固对象101吸附在加固部件本体110上。

在仅由库仑力使加固对象吸附的目的下，使开关SW1和开关SW3闭合(on)的顺序可以反转，但是在闭合(on)开关SW3之后使开关SW1闭合(on)时，在加固对象中会产生大电流流动的情况。因此，在加固对象是硅晶片等可能会由于电流流动而产生破损的情况下，优选地首先使开关SW1闭合(on)，接着使开关SW3闭合(on)。由此，降低了加固对象101破损的可能性。

(步骤3：电压控制部的分离步骤)

在加固对象101由库仑力吸附在加固部件本体110上的状态下，即使将连接端子121和连接端子122两者从加固部件本体110分离，由于在保持+V电压的正高电位的电极部112和保持-V电压的负高电位的加固对象101两者上累积的彼此极性相反的电荷相互吸引、相互约束，所以电荷不会泄漏到外部，经过很长时间保持力也不会衰减。

通过从电压控制部120分离，加固部件本体110作为轻量化的薄板支撑部件，起到作为保护带等的替代品的效果。即，构成加固部件本体110的材料只要具有能够保护加固对象101足以对抗弯曲应力的程度的强度，就可以用加固部件本体110代替保护带。

此外，由于本实施例所述的吸附力(库仑力)即使将电压控制部120分离，经过很长时间保持力也不会衰减，所以可以在由剩下的库仑力将加固对象101保持在加固部件本体110上的状态下，对加固对象101的吸附面和相反侧表面进行加工。

(步骤4：加固对象的吸附释放工序部)

在所需加工结束之后，将加固部件本体110从加固对象101分离时，将电压控制部120连接到加固部件本体110上。接着，如果将开关SW1和SW2一起闭合(on)，则电极部102、加固对象101和导电基底114上携带的电荷分别释放到地上，使加固部件本体110的保持力下降，从而可以使加固对象101从加固部件本体110分离。

但是，在仅使加固对象剥离为目的的情况下，使开关SW1和开关SW2闭合(on)的顺序可以是任何顺序，然而在加固对象是硅晶片等可能会由于电流流动而产生破损的情况下，为了尽力抑制在加固对象内流动大电流，使开关SW1和SW2闭合(on)的顺序是重要的。

例如，使开关SW1闭合(on)而先将加固对象101接地，接着使开关SW2闭合(on)。由此，在开始释放电荷时阻止了加固对象101中的大电流，降低了加固对象101破损的可能性。

此外，在使开关SW1闭合(on)而将加固对象101和导电性基底114接地的状态下使开关SW4闭合(on)，短时间内可以在电极部112中产生负的高电压。由此，可以使在绝缘层113内部产生的内部极化立即消除。之后，通过使开关SW2闭合(on)而将电极部112接地，从而将加固部件本体110内的所有电荷释放，使库仑力消除，从而能够顺利地进行加固部件本体110与加固对象101的分离动作。

(实施例1)

接下来，采用在图3中示出的电压施加时间图说明应用图1和图2中示出的静电加固装置100作为在硅晶片制造工艺中使用的晶片支撑件的具体例子。

其中，加固对象是硅晶片101，加固部件本体在该实施例中称为晶片支撑件110。

在该晶片支撑件110中，选择PI(聚酰亚胺)作为绝缘层113的材料。该聚酰亚胺层113的上表面厚度d1和背面厚度d2都是大约75μm，侧面厚度d3大约是1mm左右。

此外，经由开关SW3向电极部112施加的电压是+1KV(或-1KV)，并且经由开关SW4向电极部112施加的电压是-1KV(或+1KV)。

(步骤1：准备步骤)

如图1所示，在使作为加固对象的晶硅片等晶片101搭载在作为加固部件本体的晶片支撑件110上的情况下，使晶片101与导电性基底114的连接端子114b接触，使晶片101与导电性基底114电导通。

(步骤2：加固对象的吸附步骤)

接下来，在此状态下，如图3所示，在最初的时刻t1将SW1闭合(on)，使晶片101与导电性基底114一起接地。

接着，在开关SW1闭合(on)之后的时刻t2将SW3闭合(on)，在电极部112上施加+1KV的电压。伴随着向电极部112施加电压，在晶片101和导电性基底114的表面上由于接地而产生与施加电压极性相反的电荷，从而在电极部112和晶片101之间产生电位差，并产生吸引力。

当以吸附为目的时，该t1和t2时序可以反转，但是在用作半导体晶片等的加固装置的情况下，为了防止在半导体晶片中流动大电流，该时序是重要的。

在与施加在电极部112上的高电压+1KV相称的充足的电荷累积在电极部112和导电性基底114上的时刻t3时，将SW1断开(off)。由此，解除与晶片101导通的导电性基底114的接地(grounding)，从而遮断在导电性基底114和晶片101中累积的电荷的流动。此外，与此同时，在导电性基底114和晶片101中累积的电荷由电极部112中的极性相反的电荷约束。

在之后的时刻t4断开(off)SW3，将电极部112和电源遮断。在该状态下，即使将电压控制部120从晶片支撑件110分离，由于累积在电极部中的+V电压的电荷流出的路径和累积在导电性基底114和晶片101中的-V电压的电荷流出的路径都被遮断，并且累积在晶片101和电极部112中的极性相反的电荷隔着绝缘层113而相互吸引，所以累积电荷不会流失，从而长时间地维持吸引力。

其中，t3和t4的时间顺序是重要的。虽然即使该顺序反转也能进行吸附，但是如果在t3之前进行t4，则累积在导电性基底114和晶片101中的-V电压的一部分电荷被释放到地上，吸附力会下降。

并且，虽然严格地来说，t3时刻和t4时刻可以同时进行，但是考虑到误动作等，也可以在t3之后进行t4。

接下来，将电压控制部120从晶片支撑件本体110分离。

其中，在图1中示出的装置中，向电极部112施加的电压+1KV在12小时以上，相互的吸引力不衰减，能够确定沿相对于6英寸晶片的吸附面垂直的方向上可维持7Kgf的保持力。该保持力是将薄晶片固定在晶片支撑件上所需要的充分的吸引力。

利用该保持力，使薄晶片粘附在晶片支撑件110上，用作晶片的加固部件，能够进行薄晶片101的运送、加工等处理。

接下来，说明将晶片101从晶片支撑件110分离的动作。

在图3的时刻t5闭合(on)开关SW1，再次将晶片101与导电性基底114一起接地。接下来，在时刻t6闭合(on)开关SW4，将与在时刻t2时从开关SW3施加的电压的极性相反的电压施加到电极部112。其中，在该实施例中，虽然极性相反，但是施加电压相同。当然，只要从该开关SW4提供的电压的极性相反，电压也可以不限定为相同电压。

该电压的施加是为了消除伴随着长时间保持的、在电极部112和晶片101之间经过长时间存在的电场导致的、绝缘层113内部的极化，并在之后的时刻t8无吸引力残留地进行分离作业。也就是，在绝缘层113中产生与保持时相反方向的电场，消除内部极化。因此，时间t6和时间t7的间隔可以较短，例如大约2秒左右就足够了。

在消除内部极化之后，在时刻t7关断(off)开关SW4，之后在时刻t8闭合(on)开关SW2，从而将电极部112接地。在该时刻点，电极部112、晶片101以及导电性基底114都被接地，累积电荷接地流出，在电极部112和晶片101之间没有电位差，从而消除晶片101和晶片支撑件110的吸附力。由此，容易将晶片101和晶片支撑件110分离。

并且，图1中设置的电阻R1是用于抑制吸附开始时由接地流入到晶片中的电荷的电流或剥离时由晶片接地流出的电荷的电流，使其变小。

这是由结合到晶片上的TFT的最大允许电流来选择电阻值。

此外，伴随着SW4的闭合(on)而向电极部112施加电压的动作是用于消除伴随着长时间的吸附保持而在绝缘层内部形成的极化，所以优选地包含SW4的闭合(on)的控制，但是在不进行长时间保持等不需要消除极化的情况下，或者在剥离时不考虑保持力残留问题的情况下，可以省略时刻t6和t7的控制。

此外，导电性基底114的存在是为了遮断由电极部112在下部产生的电场，基本上不影响保持力。在不考虑该电场泄漏的情况下，可以不需要该导电性基底114。

(变形例1)

根据变形例1的静电型加固装置100在图4中示出，对其控制的一个例子具有在图5中示出的电压施加时间表。

在图4中，与图1中示出的静电型加固装置相同及相等的部位部件采用相同的序号而省略详细的说明，该静电型加固装置与图1的静电型加固装置相比较，省略了导电性基底114和开关SW4。由此，省略了设置在采用导电性基底114的加固部件本体110上的接触端子114b，连接端子121(T1)被设置为直接与加固对象101接触。

此外，导电性基底114的存在是为了遮断由电极部112在下部产生的电场，不影响保持力。在不考虑该电场泄漏的情况下，可以如图4所示不设置导电性基底114，而是直接经由SW1仅将晶片101接地。

此外，由于连接端子121(T1)是用于释放累积在加固对象中的电荷的接点，这样即使直接连接在电压控制部120上，当然也可以发挥相同的功能。

其中，如图1所示的从加固部件本体110侧导出连接端子112b，可以容易地构成电压控制部。

此外，如上所述，不需要开关SW4，由此可以通过在图5中示出的时间表使其作为静电型加固装置使用。

(步骤1：准备步骤)

如图4所示，在将加固对象101搭载在加固部件本体110上的状态下，将加固对象101连接到电压控制部120的连接端子121(T1)上。

(步骤2：加固对象的吸附操作)

在此状态下，如图5所示，在最初的时刻t1将SW1闭合(on)，使加固对象101接地。

接着，在开关SW1闭合(on)之后的时刻t2将SW3闭合(on)，在电极部112上施加正的高电压。伴随着向电极部112施加电压，加固对象101由于接地而产生极性相反的电荷，从而在电极部112和加固对象101之间产生电位差，并产生吸引力。

当以吸附为目的时，该t1和t2时序可以反转，但是在用作半导体晶片等加固装置的情况下，为了防止在半导体晶片中流动大电流，该时序是重要的。

在与施加在电极部112上的高电压相称的充足的电荷累积在加固对象101上的时刻t3，将SW1断开(off)。由此，解除与加固对象101的接地(grounding)，从而遮断在加固对象101中累积的电荷的流动。此外，与此同时，在加固对象101中累积的电荷由电极部112中的极性相反的电荷约束。

在之后的时刻t4断开(off)SW3，将电极部112和电源遮断。在该状态下，即使将电压控制部120从加固部件本体支撑件110分离，由于累积在电极部中的正电荷流出的路径和累积在加固对象101中的负电荷流出的路径都被遮断，并且累积在加固对象101和电极部112中的极性相反的电荷隔着绝缘层113而相互吸引，所以累积电荷不会流失，从而长时间地维持吸引力。

其中，t3和t4的时间顺序是重要的。虽然即使该顺序反转也能进行吸附，但是如果在t3之前进行t4，则累积在加固对象101中的一部分负电荷被释放到地上，吸附力会下降。

接下来，将电压控制部120从晶片支撑件本体110分离。

利用该保持力，使加固对象紧密附着在加固部件本体110上，即使是薄的材料，也能够进行运送、加工等处理。

接下来，说明将加固对象101从加固部件本体110分离的操作。

在图5的时刻t5闭合(on)开关SW1，再次将加固对象101接地。接下来，在时刻t8闭合(on)开关SW2，将电极部112接地。在该时刻点，电极部112、加固对象101都被接地，累积电荷接地流出，在电极部112和加固对象101之间没有电位差，从而消除加固对象101和加固部件本体110的吸附力。由此，容易将加固对象101和加固部件本体110分离(或剥离)。

发明效果

根据本发明，可以提供不用担心粘附剂带来的污染，并且能够尽力抑制在剥离时对加固对象产生的应力的加固部件。

此外，由于不用担心粘附剂带来的污染、并且能够尽力抑制在剥离时产生的应力，所以根据本发明的加固部件可以优选地用作双面加工用的硅晶片加固部件。

可以应用以上说明的根据本发明的静电加固装置的加固对象不仅是晶片，也可以用作其他导电性～微导电性的薄板的保持加固板。

此外，根据以上说明的静电加固装置，由于不会受到粘附剂的污染，所以用作在薄膜晶体管(TFT)的两个表面上形成电极图案的情况下的硅晶片的加固部件会特别有效。

Claims

1.一种静电型加固装置，其特征在于，包括：

加固部件本体，具有在电绝缘层内部嵌入电极部的薄板状静电保持部；以及

电压控制部，与所述加固部件本体可分离设置，具有能够将加固对象导通接地的第一连接端子(T1)和能够将所述电极部接地或导通到高电压的第二连接端子(T2)；

其中，所述电压控制部包括：

吸附工序部，用于在将高电压施加到所述电极部上的同时，由接地为所述加固对象提供与施加到所述电极部的电压极性相反的电荷，以使所述静电保持部产生吸附力以吸附加固对象；及

吸附释放工序部，用于使累积在所述加固对象和所述电极部上的电荷由所述接地释放，并使所述静电保持部的静电吸附能力消失从而将所述加固对象分离。

2.根据权利要求1所述的静电型加固装置，其特征在于，所述电压控制部包括：用于控制所述加固对象和接地导通的第一开关(SW1)，用于控制所述电极部和接地导通的第二开关(SW2)，以及用于控制向所述电极部施加高电压的第三开关(SW3)；

在初始设定中，所有的开关(SW1～SW3)都断开(off)；

在所述吸附工序部中，在开关(SW1)闭合(on)之后，闭合(on)开关(SW3)，接下来依次断开(off)所述开关(SW1、SW3)；

在所述吸附释放工序部中，在开关(SW1)闭合(on)之后，闭合(on)开关(SW2)。

3.根据权利要求2所述的静电型加固装置，其特征在于，所述电压控制部进一步包括：用于控制向所述电极部施加与由所述开关(SW3)施加的电压极性相反的高电压的第四开关(SW4)；

在初始设定中，所有的开关(SW1～SW4)都断开(off)；

在所述吸附释放工序部中，依次进行开关(SW1)的闭合(on)、所述开关(SW4)的闭合(on)及所述开关(SW2)的闭合(on)。

4.根据权利要求1所述的静电型加固装置，其特征在于，所述加固部件本体包括：能够将所述开关(SW1)的连接端子与所述加固对象电导通的电导通装置。

5.根据权利要求1所述的静电型加固装置，其特征在于，所述加固部件本体的背面侧设置有防止从该加固部件本体向外界泄漏电场的防电场泄漏装置。

6.根据权利要求1所述的静电型加固装置，其特征在于，所述加固对象为晶片。

7.根据权利要求1所述的静电型加固装置，其特征在于，所述加固对象为具有电气导电性的薄板。