CN101866112B - 减少掩模版滑移的掩模版支撑装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种减少掩模版滑移的掩模版支撑装置。具体地，提供一种基本上消除在掩模版台移动期间的掩模版滑移或滑动的系统和方法。所述系统包括掩模保持系统、掩模驱动装置和支撑装置传送装置。掩模保持系统包括支撑装置和保持装置，其中所述保持装置将例如图案形成装置(例如具有图案的掩模版)的掩模可释放地耦合到支撑装置。掩模驱动装置可释放地连接到掩模以便提供加速力给掩模，使得光刻设备中的投影光学系统可以通过使用辐射束将由图案形成装置赋予的图案精确地投影到衬底的目标部分上。支撑装置传送装置耦合至所述掩模支撑装置，并同时地移动所述掩模支撑装置和所述掩模驱动装置。

Description

减少掩模版滑移的掩模版支撑装置
技术领域
本发明大体上涉及一种光刻技术，并且更具体地涉及掩模版支撑装置。
背景技术
光刻技术被广泛看成制造集成电路（ICs）以及其他器件和/或结构的关键过程。光刻设备是在光刻过程中使用的将所需图案应用到衬底，例如衬底的目标部分上的机器。在用光刻设备制造ICs的过程中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料（例如，抗蚀剂）层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
已知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向（“扫描”方向）扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印（imprinting）到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
为了提高扫描的图案的生产率，图案形成装置（例如掩模或掩模版）以恒定速度（例如3米/秒）沿扫描方向来回经过投影透镜进行扫描。因此，从静止开始，掩模版迅速地加速达到扫描速度，然后在扫描结束，其迅速地减速到零，反转方向，并且沿反方向加速达到扫描速度。加速/减速速率是例如重力加速度的15倍。在扫描的恒定速度阶段中，在掩模版上没有惯性力。然而，在扫描的加速和减速阶段，遭受极大的惯性力，例如60N（=.4kg掩模版质量×150m/sec2加速度），其可以导致掩模版的滑动或滑移。这种滑移或滑动可以导致在衬底上的未对准的器件图案。尝试解决未对准问题包括：使用夹持装置以将掩模版保持在合适位置和/或使用摩擦涂层以增大掩模版和夹持装置之间的摩擦力。不断增大生产率要求不断加快的方向反转，因此更高的加速度已经减小了这些方案的优点。
试图解决掩模版滑移的其他尝试包括安装在掩模版台的卡盘上、以在掩模版和卡盘之间施加与在台运动的加速阶段期间由掩模版遭受的惯性力大小相等且方向相反的力的装置。外部功率或惯性质量和杠杆被用来产生这种力。
外部提供动力的抗滑移或滑动装置消耗掩模版附近的功率或能量，因此它们会引起热稳定问题。此外，导线可以将卡盘动态地耦合到移动框架，这对于振动隔离是不希望的。单独的控制需要额外的电子硬件和软件。
惯性抗滑移或滑动装置可以将相当大的质量加到卡盘上，这对于高的加速度是不希望的。惯性抗滑移或滑动装置通过增加低的需要对输入运动命令信号进行附加过滤的本征模式而能够进一步地使卡盘的动力特性复杂化。
发明内容
由前面所述知道，需要改进的方法和系统，其提供用于图案形成装置的抗滑移或滑动方案，使得图案形成装置可以在最小的附加质量或控制的情况下在高的加速度下工作。
本发明的实施例提供一种系统，包括掩模保持系统，所述掩模保持系统包括支撑装置和保持 装置，其中保持装置将掩模可释放地耦合到支撑装置。掩模驱动装置配置成提供加速力到掩模， 其中传送装置可释放地耦合到掩模。此外，支撑装置传送装置配置成移动所述支撑装置。
本发明的另一实施例提供一种用于光刻设备的台系统，包括台、可释放地耦合到台的掩模、 配置成控制台的移动的台控制系统以及配置成控制施加到所述掩模的力的掩模控制系统。
本发明的另一实施例提供一种光刻设备台控制方法，包括用支撑装置支撑掩模，同时采用真 空装置同时地支撑图案掩模。所述方法还包括采用第一移动装置移动支撑装置并且采用第二移动 装置施加力到掩模。
本发明的其他特征和优点，以及本发明的不同实施例的结构和操作将在下文参考附图进行详细描述。要注意的是，本发明不限于这里所述的具体实施例。这里给出的实施例仅是示例性的。基于这里给出的教导和启示，附加的实施例对于本领域技术人员是显而易见的。
附图说明
这里的附图并入本文并形成说明书的一部分，其示出本发明并和说明书一起用于解释本发明的原理，并且用以允许本领域技术人员能够实现和应用本发明。
图1A示出根据本发明实施例的反射型光刻设备；
图1B示出根据本发明实施例的透射型光刻设备；
图2示出根据本发明实施例的具有抗滑移或滑动控制的掩模版传送系统；
图3示出根据本发明实施例的无抗滑移或滑动控制的掩模版传送系统；
图4示出根据本发明实施例的具有抗滑移或滑动控制的掩模版传送系统的俯视图；
图5示出根据本发明实施例的具有抗滑移或滑动控制的掩模版传送系统的部分侧视图；
图6示出根据本发明实施例的具有抗滑移或滑动控制的台系统；
图7示出根据本发明实施例的并联涡流阻尼控制系统；
图8示出根据本发明实施例的串联涡流阻尼控制系统。
图9示出根据本发明实施例的用于具有抗滑移或滑动控制的掩模版传送的方法的流程图。
本发明的特征和优点将通过下面的详细说明、结合附图变得清楚，其中相同的元件对应相同的附图标记。在附图中，相同的附图标记表示相同的、功能类似和/或结构类似的元件。在附图中，首先出现的元件用最左边的对应的附图标记表示。
具体实施方式
本发明的实施例涉及一种具有抗滑移或滑动（anti-slip）控制的掩模版传送装置。本说明书公开一个或更多个并入本发明的特征的实施例。所公开的实施例仅给出本发明的示例。本发明的范围不限于这些公开的实施例。本发明由所附权利要求来限定。
所描述的实施例以及在说明书提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这些段落不必指的是同一个实施例。此外，当特定特征、结构或特性与实施例结合进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，它均在本领域技术人员所知的知识范围内，以能够结合其他实施例实现这种特征、结构或特性。
本发明实施例可以应用到硬件、固件、软件或其任何组合。本发明实施例还可以应用为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器（例如计算设备）可读的形式存储或传送信息的机构。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器（ROM）；随机存取存储器（RAM）；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置。此外，这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定操作。然而，应该认识到，这些描述仅为了方便并且这些操作实际上由计算设备、处理器、控制器或其他执行所述固件、软件、程序、指令等的设备来完成。
图1分别示出了光刻设备100和光刻设备100’，本发明的实施例可以应用于其中。光刻设备100和光刻设备100’每一个包括下面构件：照射系统（照射器）IL，其配置用于调节辐射束B（例如，深紫外（DUV）辐射或极紫外（EUV）辐射）；支撑结构（例如掩模台）MT，其配置用于支撑图案形成装置（例如掩模、掩模版或动态图案形成装置）MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台（例如晶片台）WT，其配置用于保持衬底（例如涂覆有抗蚀剂的晶片）W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C（例如包括一根或多根管芯）上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的，而在光刻设备100’中图案形成装置MA和投影PS是透射型的。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100和100’的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上（例如相对于投影系统PS）。
术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示可以用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射型的（例如图1B中的光刻设备100’）或反射型的（例如图1A中的光刻设备100）。图案形成装置MA的例子包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。
术语“投影系统”PS能够包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体会吸收太多的辐射或电子。因此，借助真空壁和真空泵的帮助，真空环境可以提供到整个束路径。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个（双台）或更多衬底台（和/或两个或更多的掩模台）WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。
参照图1A和1B，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源SO和所述光刻设备100、100’可以是分立的实体（例如当该源SO为准分子激光器时）。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备100、100’的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD（图1B）的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，源SO可以是所述光刻设备100、100’的组成部分（例如当源SO是汞灯时）。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD（图1B）。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围（一般分别称为σ-外部和σ-内部）进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件（图1B），例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
参见图1A，辐射束B入射到保持在支撑结构（例如，掩模台）MT上的所述图案形成装置（例如，掩模）MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备100中，辐射束B由图案形成装置（例如掩模）MA反射。已经由图案形成装置（例如掩模）MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2（例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器）的帮助，可以精确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一定位传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置（例如掩模）MA。图案形成装置（例如掩模）MA和衬底W可以采用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2进行对准。
参考图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构（例如掩模台MT）上的图案形成装置（例如掩模MA）上，并通过所述图案形成装置形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF（例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器）的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT（例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中）。类似地，（例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间）可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器（图1B中未明确示出）用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。
通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块（粗定位）和短行程模块（精定位）的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下（与扫描器相反），掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间（这些公知为划线对齐标记）中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
光刻设备100和100’可以以以下模式中的至少一种进行使用：
1.在步进模式中，在将支撑结构（例如掩模台）MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上（即，单一的静态曝光）。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构（例如掩模台）MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上（即，单一的动态曝光）。衬底台WT相对于支撑结构（例如掩模台）MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的（缩小）放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构（例如掩模台）MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置（例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列）的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs（集成电路），但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器（LCDs）、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道（一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具）、量测工具和／或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在另一实施例中，光刻设备100包括极紫外（EUV）源，其配置用于产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源配置在辐射系统中（见下面），并且相应的照射系统配置用于调节EUV源的EUV辐射束。
在这里所述的实施例中，术语“透镜”和“透镜元件”在允许的情况下可以指包括折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型类型的光学部件、或其任意组合。
此外，这里所用的术语“辐射”和“束”可以包括所有类型的电磁辐射，包括紫外（UV）辐射（例如具有365、248、193、157或126nm波长λ）、极紫外（EUV或软X射线）辐射（例如具有5-20nm范围的波长，例如13.5nm），或以小于5nm工作的硬X射线，以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，具有大约780-3000nm（或更大）之间波长的辐射被看作IR辐射。UV指的是具有大约100-400nm波长的辐射。在光刻技术中，术语“UV”还应用于可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm；H线405nm；和/或I线365nm。真空UV，或VUV（即被空气吸收的UV）指的是具有大约100-200nm波长的辐射。深紫外（DUV）通常指的是具有126nm-428nm范围波长的辐射，并且在一实施例中，受激准分子激光器可以产生用在光刻设备中的DUV辐射。应该认识到，具有例如5-20nm范围波长的辐射指的是具有至少部分位于5-20nm范围的特定波长带的辐射。
图2示出根据本发明实施例的掩模版传送系统200。
在该示例中，掩模版传送系统200包括传送装置230、支撑装置250、图案形成装置270、掩模驱动装置260以及保持装置280。传送装置230传送支撑装置250。支撑装置250支撑图案形成装置270。在扫描运动曲线的加速部分期间，掩模驱动装置260施加加速力到图案形成装置270。保持装置280保持图案形成装置270，使得在扫描运动曲线的恒定速度部分期间不存在图案化掩模相对于掩模支撑装置传送装置的位移。
在一个示例中，图案形成装置270（例如掩模或掩模版）通过保持装置280（例如使用真空）可释放地保持到支撑装置250。支撑装置250可以配置成沿x方向和y方向移动。传送装置230可以与支撑装置250耦合，使得传送装置230提供足够的力以在扫描运动曲线的加速部分期间加速支撑装置250。
在一个示例中，传送装置230可以以高的速率和加速度移动支撑装置250和可释放地被保持的掩模270。高的加速度可以在掩模270和支撑装置250之间产生剪力。剪力会引起掩模270相对于保持装置280的滑移。为了基本上消除剪力，掩模驱动装置260可以可释放地耦合到掩模270。掩模驱动装置260可以提供足够的力直接作用到掩模270以减小掩模270和支撑装置250之间的剪力。倘若掩模驱动装置260耦合到掩模270，保持装置280可以提供足够的保持力，使得在掩模270和支撑装置250之间基本上没有相对移动。
在一个示例中，保持装置280包括用以在移动期间以相对静止的方式保持掩模270的可释放真空夹持装置。在另一示例中，保持装置280可以使用其他方法来保持掩模270，例如本领域普通技术人员已知的高摩擦涂层。高摩擦涂层还可以用于增大真空夹持装置的剪力容量。
图3示出根据本发明实施例的掩模版传送系统300。
在这个示例中，掩模版传送系统300包括长程装置310、支撑框架320、传送装置330、线圈330A-330D、磁体340、支撑装置350、图案形成装置370以及保持装置380。
在一个示例中，支撑装置350可以通过垂直取向的洛伦兹型致动器（未示出）相对于支撑框架320以磁力漂浮或浮起。在支撑框架320和支撑装置350之间没有物理接触。
在一个示例中，图案形成装置370（例如掩模或掩模版）可以通过保持装置380可释放地保持到支撑装置350。在一个示例中，保持装置380可以包括通过由真空力加强的摩擦将掩模370保持到支撑装置350的一对真空夹持装置380A和380B。在一个示例中，支撑装置350可以沿x方向和y方向移动。在一个示例中，线圈330A-330D可以提供沿y方向的力以产生支撑装置350的运动。磁体340A-340D在没有物理接触的情况下电磁耦合线圈330。多对对应的部件或零件330-340包括本领域技术人员已知的洛伦兹型电磁致动器，作为纯的力耦合。
在一个示例中，长行程装置310沿x方向以不会在掩模370和支撑装置350之间产生任何剪力的相对低的速度移动支撑框架320（通过未示出的x取向的洛伦兹致动器）。
在一个示例中，传送装置330沿+y和-y方向移动掩模370，以相对高的速率加速到大致扫描速度。在一个示例中，传送装置330包括一系列磁体和线圈，其实现通过支撑框架320施加到支撑装置350的高的Y力。在一个示例中，传送装置330包括线圈330A-330D和磁体340A-330D。在一个示例中，线圈330安装到支撑框架320并且磁体340耦合到支撑装置350。
例如，为了沿-y方向（例如图3中从左到右）移动具有可释放地耦合的掩模370的支撑装置350，线圈330A和330C被通电以产生排斥力抵抗磁体340A和340C。当线圈330A和330C通电，抵抗磁体340A和340C的排斥力沿-y方向驱使支撑装置350。为了帮助支撑装置350沿-y方向移动，线圈330B和330D通电，使得它们基本上同步地产生拉力到磁体340B和340D。因此，线圈330A和330C以及磁体340A和340C沿-y方向推支撑装置350，同时线圈330B和330D以及磁体340B和340D基本上同步地沿-y方向拉支撑装置350。
类似地，支撑装置350和掩模370沿+y方向的移动以相同的方式执行，除了力是相反的。当通电时，装置线圈330A和330C以及磁体340A和340C沿+y方向拉支撑装置350，同时线圈330B和330D以及磁体340B和340D基本上同步地沿+y方向推支撑装置350。
应该认识到，图3中示出的实施例依赖于由掩模370和支撑装置350之间的保持装置380（例如真空夹持装置和/或摩擦涂层）产生的摩擦力，以防止在移动过程中掩模370的滑移或滑动。
图4示出根据本发明实施例的具有抗滑移或滑动控制的掩模版传送系统400。
在这个示例中，掩模版传送系统400包括长行程装置410、支撑框架420、线圈430、和掩模驱动装置460的磁体440、支撑装置450、掩模470以及保持装置480。
在一个示例中，掩模版传送系统400以与掩模版传送系统300类似的方式工作，但是具有附加的掩模驱动装置460。图3中沿x方向的移动通过使用长行程装置410实现，长行程装置移动其上安装支撑装置450的支撑框架420。
在一个示例中，沿y方向的移动类似上面所述，例如类似沿-y方向的情形，线圈430A和430C以及磁体440A和440C被通电以沿-y方向推支撑装置，同时装置线圈430B和430D以及磁体440B和440D被通电以基本上同步地沿-y方向拉支撑装置450。支撑装置450和掩模470沿+y方向的移动以相同的方式完成，除了力是相反的。线圈430A和430C以及磁体440A和440C被通电以沿+y方向拉支撑装置450，同时线圈430B和430D以及磁体440B和440D被通电以基本上同步地沿+y方向推支撑装置450。
在替换的示例中，掩模驱动装置460被用在掩模版传送系统400中，以用直接施加到掩模470的运行后缘的轴向推力补充保持装置480A和480B（例如真空夹持装置）的摩擦力，以便基本上减小或消除掩模（例如掩模版）滑移或滑动。掩模驱动装置460包括用于掩模470的每一边的部分460A和460B，并且以基本上相同的方式操作或运行。掩模驱动装置460A包括线圈延长部分（extension）432A和432B、磁体490A和490B、连接杆492A、推动销498A和498B、中心磁体496A以及中心标记494A。在这个示例中，掩模驱动装置460B是掩模驱动装置460A的镜像，并且包括线圈延长部分432C和432D、磁体490C和490D、连接杆492B、推动销498C和498D、中心磁体496B以及中心标记494B。
在一个示例中，当线圈430A和430C通电以沿-y方向（例如从图4的左边到右边）移动支撑装置450，施加到线圈430A的信号也被提供到线圈延长部分432A，并且类似地施加到线圈430C的信号也施加到线圈延长部分432C。在一示例中，线圈430A和432A与430C和432C之间的信号可以不同，以便在与所需加速度方向和值一致的掩模470上产生力。类似地，当线圈430A和430C通电以产生排斥力抵抗磁体440A和440C、以沿-y方向驱使支撑装置450，线圈延长部分432A和432C通电并且产生排斥力抵抗磁体490A和490C，这导致沿-y方向的力作用到连接杆492A和492B上。
虽然仅描述了掩模驱动装置460A的操作，但掩模驱动装置460B可以进行类似的操作。同时给线圈430A和线圈延长部分432A通电，线圈430B和线圈延长部分432B也被通电并且沿-y方向产生拉力到连接杆492A上，如前面有关线圈430B和磁体440B所述的那样。当磁体490A和490B、连接杆492A以及推动销498A和498B开始沿-y方向移动时，推动销498A将接触掩模470。推动销498A和掩模470之间的接触产生力直接地作用在掩模470上以沿-y方向移动掩模470。
总结，在这个操作示例中，通过给线圈430A和430C通电掩模470沿-y方向移动，这产生沿-y方向的推力抵抗磁体44A和44C以及连接的支撑装置450。基本上同时地，线圈延长部分432A和432C通电并且产生推力抵抗磁体490A和490C，这依次推连接杆492A和492B。还是基本上同时地，线圈430B和430D通电以沿-y方向产生拉力到磁体440B和440D以及连接的支撑装置450。线圈延长部分432B和432D也会产生拉力到磁体490B和490D，其依次拉连接杆492A和492B。当连接杆和其他连接的元件开始沿-y方向移动，推动销498A和498C接触掩模470以沿-y方向移动掩模。这个操作产生力到掩模470和支撑装置450两者上以沿-y方向移动。
正如本领域技术人员所知，施加到掩模470和支撑装置450之间的力的分配可以进行变化以得到所需的分配。作为示例，力的50%可以被施加到掩模470而50%被施加到支撑装置450。
在一个示例中，除了沿相反的方向，以和上述相同方式实现沿+y方向移动掩模470。通电线圈430A和430C使得在磁体440A和440C以及连接的支撑装置450上产生沿+y方向的拉力。基本上同时地，线圈延长部分432A和432C通电以在磁体490A和490C上产生拉连接杆492A和492B的拉力。还是基本上同时地，线圈430B和430D通电，这产生沿+y方向的推力抵抗磁体440B和440D以及连接的支撑装置450。线圈延长部分432B和432D产生推连接杆492A和492B的推力抵抗磁体490B和490D。当连接杆和其他连接的元件开始沿+y方向移动，推动销498B和498D接触掩模470以沿+y方向移动掩模470。这个操作在掩模470和支撑装置450两者上产生力，以沿+y方向移动。
在一实施例中，在掩模470沿+y或-y方向移动之后，中心磁体496A和496B与中心标记494A和494B对准。所述对准使掩模470相对于传送装置460A和460B居中。
图5是根据本发明实施例的掩模版传送系统500的横截面视图。
在这个示例中，掩模版传送系统500包括支撑框架520、线圈530、掩模控制系统冷却系统531、线圈延长部分532、磁体540、支撑装置550、磁体590、连接杆592以及空气轴承593。
在一示例中，连接杆592由空气轴承593支撑在支撑装置550内。连接杆592连接到磁体590。连接杆592和磁体590与线圈延长部分532分开，但是通过磁力相互作用。
在一示例中，掩模控制系统冷却系统531使用本领域技术人员已知的多种方法提供冷却到线圈530和线圈延长部分532以及周围区域。
图6示出根据本发明实施例的光刻设备的台系统600。
在这个示例中，台系统600包括台控制系统630、台650、掩模控制系统660以及掩模670。
在一个示例中，掩模670可释放地保持在台650上（例如使用真空）。台控制系统630耦合到台650。台控制系统630可以提供充分的力以实现台650的移动。台控制系统630可以以与高加速度相应的高速移动台650和可释放地被保持的掩模670。这种加速度会在掩模670和台650之间产生剪力，使得掩模670会相对于台650滑动或滑移。为了基本上消除剪力，掩模驱动装置660可释放地耦合到掩模670。掩模驱动装置660可以提供直接地作用到掩模670的力、以实现掩模670的移动，由此减小掩模670和台650之间的剪力。掩模670和台650之间的力使得，倘若掩模驱动装置660耦合到掩模670，存在足够的保持力，从而在掩模670和台650之间基本上不存在相对移动。
在另一实施例中，台650可以使用其他方法来保持掩模670，例如摩擦涂层或其他本领域技术人员已知的方法。
图7示出根据本发明实施例的并联涡流阻尼系统700。
在这个示例中，并联涡流阻尼系统700包括线圈730、线圈延长部分732以及涡流阻尼开关734。
在一个示例中，并联涡流阻尼系统700与其他系统，例如台系统600结合使用。在另一示例中，并联涡流阻尼系统700与其他系统，例如掩模版传送系统400结合使用。涡流阻尼系统700可以配置成最小化振动或振荡（oscillation），这可以通过使用惯性驱动的开关或晶体管开关或任何其他本领域技术人员已知的装置来实现。
在一示例中，当掩模（未示出）的加速度或速度的绝对值超速，处于734-2所示状态的涡流阻尼开关734允许线圈730和线圈延长部分732通过导线733A和733B连接到电源（未示出）。在另一示例中，当加速度和速度的绝对值低于阀值时，（例如加速度接近零），则涡流阻尼开关734处于734-1所示的状态，因此使线圈730和线圈延长部分732短路消除任何涡流。
图8示出根据本发明实施例的串联涡流阻尼系统800。
在这个示例中，串联涡流阻尼系统800包括线圈830、线圈延长部分832以及涡流阻尼开关834。
在一个示例中，并联涡流阻尼系统800与例如台系统600等其他系统结合使用。在另一实施例中，并联涡流阻尼系统800与例如掩模版传送系统400等其他系统结合使用。在一个示例中，涡流阻尼系统800可以通过使用惯性驱动的开关或晶体管开关或本领域技术人员已知的其他装置最小化振动或振荡。
在一示例中，当掩模（未示出）的加速度或速度的绝对值超速，处于834-2所示状态的涡流阻尼开关834允许使用导线833A和833B将线圈830和线圈延长部分832连接到电源（未示出）。在其他示例中，当加速度或速度的绝对值低于阀值，（例如加速度接近零），则涡流阻尼开关834处于834-1所示的状态，因而使线圈延长部分832短路，消除任何涡流。
图9示出根据本发明实施例的用于移动掩模的方法900的流程图。例如，可以使用图1A、1B和2-8中示出的上述装置的一个或更多个来实施或执行方法900。
在这个示例中，方法900从步骤902开始，并且进行到步骤904。在步骤904中，图案化掩模用支撑装置支撑。在步骤906中，掩模同时地采用真空装置支撑。在步骤908中，采用第一移动装置移动支撑装置。在步骤910，掩模采用第二移动装置进行移动。然后所述方法在步骤912结束。
结论
应该认识到，具体实施例部分，而不是发明内容和摘要部分被用来解释权利要求。发明内容和摘要部分可以包括一个或更多个、但不是发明人想要的本发明的全部示例性实施例，因此其并不是用来限制本发明和未决的权利要求。
上面已经借助示出其具体功能和联系的应用的功能性构建模块描述本发明。为了便于说明，这里已经任意地限定这些功能性构建模块的边界。可以限定替换的边界，只要其具体功能和联系可以适当地实施。
前面具体实施例的描述将充分揭示本发明的一般特性，通过应用本领域的技术知识，在不需要过度的实验、不脱离本发明的总的发明构思的情况下，可以容易地调整和/或适应这些具体实施例的不同的应用。因此，基于本文已有的教导和指引，这些调整和修正应该落入所公开实施例的等价物的含义和范围内。应该理解，这里的措词或术语是为了描述而不是为了限制，使得本说明书的所述术语或措词可以由本领域技术人员根据所述教导和指引进行解释。
本发明的宽度和范围应该不受上面所述示例性实施例的限制，而仅通过权利要求和其等价物进行限定。

Claims (15)

1.一种掩模版传送系统，包括：掩模保持系统，所述掩模保持系统包括支撑装置和保持装置，其中所述保持装置配置用以将给定掩模可释放地耦合到支撑装置；掩模驱动装置，其配置成提供加速力到所述给定掩模，其中所述掩模驱动装置可释放地耦合到所述给定掩模；和支撑装置传送装置，其配置成移动所述支撑装置，其中所述支撑装置传送装置耦合到所述支撑装置，并且同时地移动所述支撑装置和所述掩模驱动装置，其中所述掩模驱动装置配置成和布置成直接施加预定的力到所述掩模以使得所述掩模能够移动，其中所述预定的力被选择以减小所述掩模和掩模版台之间的剪力，使得在掩模版台的移动期间掩模版滑移被基本上消除。
2.如权利要求1所述的系统，还包括：真空系统，所述真空系统配置成将所述给定掩模可释放地耦合到所述保持装置。
3.如权利要求1所述的系统，其中，所述掩模驱动装置包括第一电磁体。
4.如权利要求3所述的系统，其中，所述掩模驱动装置包括第二电磁体。
5.如权利要求1所述的系统，其中，共同控制信号控制掩模驱动装置和所述支撑装置传送装置。
6.如权利要求1所述的系统，其中，所述掩模驱动装置配置成提供加速所述给定掩模所需的所有力。
7.如权利要求1所述的系统，还包括：涡流阻尼系统，所述涡流阻尼系统配置成减小掩模驱动装置的第一电磁体和所述支撑装置传送装置的第二电磁体之间的电流的流量。
8.一种用于光刻设备的掩模版台系统，包括：台，其配置成将给定掩模可释放地耦合到所述台；台控制系统，所述台控制系统配置成控制所述台的移动；和掩模控制系统，所述掩模控制系统配置成控制施加到所述给定掩模的力，其中所述台和所述掩模同时移动，其中所述掩模控制系统配置成和布置成直接施加预定的力到所述掩模以使得所述掩模能够移动，其中所述预定的力被选择以减小所述掩模和所述台之间的剪力，使得在所述台的移动期间掩模滑移被基本上消除。
9.如权利要求8所述的系统，其中，所述台控制系统包括第一电磁体。
10.如权利要求8所述的系统，其中，所述掩模控制系统包括第二电磁体。
11.如权利要求8所述的系统，其中，共同控制信号控制所述台控制系统和所述掩模控制系统。
12.如权利要求8所述的系统，其中，所述掩模控制系统配置成提供控制所述给定掩模的移动所需的所有力。
13.一种用于在掩模版台移动期间减小掩模版滑移的方法，包括：
用支撑装置支撑图案掩模；采用真空装置同时地保持所述图案掩模；采用第一移动装置移动所述支撑装置；和采用第二移动装置加速所述图案掩模，其中所述第一移动装置耦合到所述支撑装置，并且同时移动所述支撑装置和所述第二移动装置，其中所述第二移动装置配置成和布置成直接施加预定的力到所述图案掩模以使得所述图案掩模能够移动，其中所述预定的力被选择以减小所述图案掩模和所述掩模版台之间的剪力，使得在掩模版台的移动期间掩模版滑移被基本上消除。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：用共同信号控制所述第一移动装置和所述第二移动装置。
15.如权利要求1所述的系统，其中所述掩模驱动装置配置和布置成在掩模的运行后缘处施加轴向推力补充所述保持装置的摩擦力。
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