CN101847980A - 声波装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种声波装置及其制作方法。一种制作声波装置的方法包括：在压电衬底上形成具有多个电极指的交叉指型电极；形成阻挡膜，以使其覆盖交叉指型电极；在阻挡膜上形成介质；测量由交叉指型电极激发的声波装置的频率特性；以及在声波装置由交叉指型电极激发的激发区域中，通过使阻挡层图案化或者进一步设置调整膜，来形成与其他部分具有不同厚度的调整区域。当形成调整区域时，依照所测量的频率特性来调整激发区域中的调整区域的面积T。
Description
技术领域
本发明涉及诸如声表面波装置和声边界波装置的声波装置。
背景技术
SAW(表面声波)装置已经公知为使用声波的装置之一。SAW装置已经使用在处理45MHz到2GHz频段内的无线电信号的各种电路(以例如移动电话为代表)中。各种电路的示例包括发送带通滤波器、接收带通滤波器、本振滤波器，天线双工器、IF滤波器以及FM调制器等。
随着近年来移动电话性能的增强以及移动电话尺寸的减小，需要改善各种特性(例如，增加带外抑制以及改善温度稳定性)以及减小装置尺寸。作为改善温度稳定性的方法，已经发展了在压电衬底上的交叉指型电极上形成电介质材料(诸如SiO2)的技术。此外，已经发展了边界声波装置。在边界声波装置中，具有较高声速的不同电介质材料形成在电介质材料上，使得能量被限制在电介质材料与压电衬底的表面之间的边界中。因此，已经减小了装置尺寸。
由于制作变化而引起的频率变化可能是所有的这些声波装置的共同问题。作为针对该问题的措施，已经公开了用于作出频率调整的各种方法(例如，见专利文献1和2)。
作为一个示例，已经提出了通过在交叉指型电极、反射器和压电衬底上通过等离子化学气相沉积等形成SiN来作出频率调整(例如，见专利文献1)。此外，已经提出了通过在SiO2上形成SiN层并物理地蚀刻SiN层以减小其厚度或溅射SiN层以增加其厚度来作出频率调整(例如，见专利文献2)。
此外，已经提出了通过改变第二介质的厚度来调整在第一介质与第二介质之间包括IDT电极的边界声波装置的频率。
专利文献1：日本公开专利申请NO.H2-301210
专利文献2：WO 2005/083881
专利文献3：WO 2005/093949
如上所示，作为一种作出频率调整的方法，通过在深度方向上蚀刻覆盖电极的介质以调整介质的厚度，来调整频率特性。例如，为了通过使用这个方法使成在单一晶片上的多个声波装置之间的频率特性变化进入所期望的范围内，有必要选择在晶片上的每个声波装置的一部分并且调整在所选择的部分上的介质的厚度。例如，需要通过对晶片的一部分执行掩模并且在深度方向上蚀刻介质的上表面的一部分来调整介质的厚度。以此方式，蚀刻量根据每个芯片而变化。在这种情况下，为了使晶片表面的频率分布进入所期望的范围，需要为每个芯片执行掩模，甚至在一些情况下，成膜和蚀刻过程需要重复多次。因此，产生诸如步骤数目增加的问题。
考虑上述内容，本发明的目的是通过少量步骤并简单地调整声波装置的频率特性。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种制作声波装置的方法包括：在压电衬底上形成具有多个电极指的交叉指型电极；形成阻挡膜，以使其覆盖交叉指型电极；在阻挡膜上形成介质；测量由交叉指型电极激发的声波装置的频率特性；以及在声波装置由交叉指型电极激发的激发区域中，通过使阻挡层图案化或者进一步设置调整膜，来形成与其他部分具有不同厚度的调整区域。当形成调整区域时，依照所测量的频率特性来调整激发区域中的调整区域的面积T。
根据本说明书公开的内容，可以通过少量的步骤并简单地调整声波装置的频率特性。
附图说明
图1A为图示了根据实施例1的声波装置的平面图，其中该声波装置具有频率调整膜的面积占据激发区域的整个面积的50％的构造。图1B为沿着图1A中的线a-a’所取的截面图。
图2A为图示了具有频率调整膜的面积占据激发区域的整个面积的75％的构造的声波装置的平面图。图2B为沿着图2A中的线a-a’所取的截面图。
图3为图示了频率调整膜的面积与导纳特性之间的关系的曲线图。
图4为图示了频率调整膜的面积与反谐振频率迁移之间的关系的曲线图。
图5为图示了晶片表面中的声波装置的频率分布的俯视图。
图6A为形成在图5中图示的晶片区域T1上的声波装置的平面图。图6B到图6K为分别图示了图5中示出的区域T1到T10中的声波装置的截面图。
图7A到图7D为图示了形成在晶片上的声波装置的制作过程的图。
图8A为图示了根据实施例1的修改例的声波装置的平面图。图8B为沿着图8A中的线a-a’取的截面图。
图9A为图示了根据实施例2的声波装置的平面图。图9B为沿着图9A中的线a-a’取的截面图。
图10A为图示了根据实施例3的声波装置的平面图。图10B为沿着图10A中的线a-a’取的截面图。
图11为图示了组成梯形滤波器的声波装置的平面图。
具体实施方式
实施例1
[声波装置的构造]
图1A为图示了根据本实施例的声波装置的平面图。图1B为沿着图1A中的线a-a’所取的截面图。
在图1A和图1B中图示的声波装置中，交叉指型电极3设置在压电衬底2上，每个交叉指型电极3都具有多个电极指。反射器3a和3b分别设置在交叉指型电极3的两侧。压电衬底2例如为具有旋转Y板的LN(LiNbO3)衬底。交叉指型电极3为激发声波的电极。用于输入和输出的两个交叉指型电极3设置为使其彼此相对。以使得一个交叉指型电极3的电极指和其他交叉指型电极3的电极指以交替顺序排列的这种方式设置交叉指型电极3。在这种情况下，由交叉指型电极3的电极指和电极指之间的间隔占据的区域变为激发区域。交叉指型电极3也称作IDT(交叉换能器)或者梳状电极。使用诸如Al、Ti、Cu、Au、Ni、Cr、Ta或W形成交叉指型电极3和反射器3a、3b。
作为阻挡膜(barrier film)的示例，将SiN膜4设置在压电衬底2上以使其覆盖交叉指型电极3。SiO2膜5设置在SiN膜4上。SiO2膜5为介质的示例。注意，SiO2膜5也设置在压电衬底2上没有设置交叉指型电极3的部分处。
如上所述，在图1A和图1B中图示的声波装置中，阻挡膜(SiN膜4)设置在压电衬底2与介质(SiO2膜5)之间。SiO2膜5相比于压电衬底2具有较低的声速。因此，由交叉指型电极3激发的声波集中地在压电衬底2与SiO2膜5之间的界面上传播。因此，声波装置作为谐振器工作。
SiN膜4具有厚度大与其他部分的部分(下文中称作图案化部分)。通过调整SiN膜4的图案化部分与SiO2膜5彼此相接触的区域，来调整声波装置的谐振频率。换言之，通过在由交叉指型电极3限定的激发区域中相比于其它部分具有较大厚度的部分的面积来调整谐振频率。根据此构造，具有不同声速的介质形成在分配声波能量的部分上，以改变声波装置的声速，并且由此作出调整。这里，通过SiN膜的图案化部分的面积来确定分配声波能量的区域的体积，并且也确定声波装置的频率特性的调整量。
在制作过程中，SiN膜4完全地(100％)形成在交叉指型电极3之上，并且晶片中对应于频率分布的图案化部分形成在SiN膜4上。在这种情况下，SiN膜4包括整个覆盖交叉指型电极3的盖部分以及设置在盖部分上的图案化部分。在该制作过程中，可以在完全(100％)形成SiN膜4之后在晶片表面上调整频率分布，以使晶片表面上的声波装置的频率特性接近基准频率。换言之，在相同的压电衬底(晶片)2上，通过在SiN膜4上形成图案，以使其具有对应于晶片表面中的频率分布的面积分布，可以调整晶片表面上的频率分布。
除了上述的作为频率调整膜的功能之外，在本实施例中，SiN膜4也起到防扩散膜和防氧化膜的作用。通过允许SiN膜4具有上述防扩散膜的功能，可以执行在制造和结构两方面都更有效的频率调整。
在图1A和图1B中图示的示例中，可以将SiN膜4的图案化部分与SiO2膜5彼此接触的面积设置为整个激发区域的50％，并且图案化部分和SiN膜4的盖部分的总厚度例如为10nm。图2A和图2B为图示了声波装置的平面图(2A)和截面图(2B)，其中频率调整膜与SiO2膜彼此接触的面积为整个激发区域的75％。
图3为图示了SiN膜4的图案化部分的面积(0％、50％以及75％)与导纳特性之间的关系的曲线图。图4为示出了形成在SiN膜4上的图案化部分和SiO2膜彼此接触的面积与反谐振频率迁移之间的关系。如图3和图4所示，随着SiN膜4的图案化部分与SiO2膜彼此接触的面积增加，谐振频率和反谐振频率朝向高频率侧迁移。从这些结果，可以理解，频率的迁移随着在SiN膜中的声波能量分布和体积分布的增加而增加。
在图1和图2中图示的示例中，虽然以使得板状膜有规律地(例如，有规律地以交叉指型电极3的电极指之间的距离的约2.3倍的间隔)布置的这种方式设置频率调整膜，但是它们也可以不以这种方式有规律地布置。
优选地，SiN膜4的图案化部分的厚度h为0.01到0.05λ。这里，λ表示声波的波长。
[在晶片表面中改善声波装置的频率特性分布的示例]
如上所述，可以通过使SiN膜4图案化来调整声波装置的频率特性。在本实施例中，将通过使SiN膜4图案化来调整形成在单个晶片(压电衬底2)上的多个声波装置的频率的情况作为示例进行描述。这里，按照晶片中的频率分布来调整晶片上的每个声波装置上的SiN膜4的面积。根据此示例，可以通过形成单个成膜来调整晶片上的声波装置的频率。
图5为示出了当从上方观察晶片时晶片表面中的声波装置的频率分布的俯视图。图5中图示晶片为诸如LN(LiNbO3)衬底的压电衬底，多个交叉指型电极和SiO2膜形成在压电衬底上。因此，形成共享相同的晶片(压电衬底)的多个声波装置。最后，通过切割将晶片分割为每个声波装置。举例来说，每个声波装置具有图1、图2或图3中图示的结构。为了简便，将要描述声波装置为谐振器的情况。但是，每个声波装置可以构成诸如包括多个谐振器的滤波器的芯片。
虽然形成在晶片上的多个声波装置优选地具有相同的频率特性(例如，谐振频率)，然而事实上，晶片表面中的声波装置的谐振频率在许多情况下彼此不同。
图5示出了晶片平面中的频率分布的一个示例。在图5的示例中，图示了区域T1到T10。在区域T1到T10中，声波装置的谐振频率分别偏离预定基准频率+1MHz、+2MHz、+3MHz、……+10MHz。这里，基准频率为预设的期望频率。注意，图5图示了在形成SiN膜4之前的频率分布。即，在区域T1到T10中，声波装置的谐振频率分别小于基准频率1到10MHz。
虽然已经将谐振频率用作频率特性的一个示例，但是也可以使用其他频率特性。例如，频率特性包括反谐振频率、分数带宽(fractionalbandwidth)等。
根据图5中图示的频率分布，调整了形成在晶片上的每个声波装置上的频率调整膜(SiN膜4)的图案化部分的面积。具体地，形成在每个声波装置上的SiN膜4设置为，使其具有包括图案化部分的相同的厚度并且根据表面中的频率分布来分布图案化部分的面积。因此，可以根据表面中的分布来调整频率调整量。例如，可以对于频率调整量小的部分减小SiN膜4的图案化部分的面积，并且对于频率调整量大的部分增加图案化部分的面积。因此，可以在不改变膜厚度的情况下调整SiN膜4中的声波能量分布以及分布体积。
通过将SiN膜4形成为在整个晶片表面上具有相同的厚度并且进一步将频率调整膜设置在SiN膜4的至少一部分上，也可以减小晶片中的频率特性的不同。通过调整其上设置有频率调整膜的SiN膜4的面积，可以通过单个成膜过程来调整频率特性分布。
图6A示出了形成在图6中图示的晶片的区域T1中形成的声波装置的平面图。图6B到图6J为分别图示了图5中示出的区域T1到T10中的声波装置的截面图。注意，图6B为沿着图6A中的线a-a’取的截面图。如图6A和图6B所示，在区域T1中，以使得每个图案化的部分占据激发区域的面积的10％的这种方式来对SiN膜4进行图案化。在区域T1中，声波装置的谐振频率从基准频率偏离了-1MHz。因此，通过将每个SiN膜4的图案化部分形成为占据每个激发区域的10％，可以使区域T1中的声波装置的谐振频率更接近基准频率。这里，激发区域为压电衬底2上由交叉指型电极3的电极指和电极指之间的间隔所占据的区域。
如图6C所示，在区域T2中，以使得每个图案化部分占据激发区域的面积的20％的这种方式来对SiN膜4进行图案化。此外，如图6D到图6K所示，在区域T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10中，SiN膜4分别占据每个激发区域的30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％和100％。图6A到图6K中示出的SiN膜4的每个图案化部分都具有7.5nm的厚度。
如上所述，晶片中的SiN膜4的图案化部分的厚度是相同。另一方面，在形成SiN膜4之前，依照距离基准频率的偏移量来调整SiN膜4的每个图案化部分占据每个激发区域的面积的比率。具体地，在此示例中，由SiN膜4的图案化部分占据的面积的比率与从基准频率的移动量成比例地增加。注意，也可以不以上述方式调整SiN膜4的厚度而调整晶片中的声波装置的频率特性。
注意，由SiN膜4的图案化部分所占据的面积与从基准频率的偏移量之间的关系不限于上述比例关系。该关系可以由通过经验法则而获得的函数来表示。此外，可以通过在计算机上使用函数计算，来确定每个激发区域中的SiN膜4的图案化部分的比率，其中与基准频率的差为输入数据并且图案化部分的面积比率为输出。或者，预先将谐振频率与基准频率之间的差和图案化部分的面积之间的关系的数据记录在计算机记录介质上，并且通过使用该数据来确定每个区域中图案化部分的面积。
此外，在相同晶片上的谐振器之间或者晶片上的芯片之间，SiN膜4覆盖的面积可以不同。例如，可以基于芯片来调整工作频率。在这种情况下，可以在相同的衬底上获得频率特性具有小差异的芯片。以此方式，可以基于谐振器、基于滤波器、基于芯片或者基于其他目的作出声波装置的调整。
[制作方法]
之后，将要说明一种制作图5和图6中图示的声波装置的方法。图7A到图7C都示出了形成在晶片上的声波装置的制作过程。为了简便，在图7A到图7C中，仅示出了晶片的一部分。
如图7A所示，首先，通过气相沉积、溅射、烧成等将SiO2膜5形成在作为晶片的压电衬底2上。通过使用图像化的光刻胶8作为掩模来将SiO2膜5以期望的形状图案化。之后，通过气相沉积、溅射等形成电极3以及反射器3a和3b。因此，通过将光刻胶移除来获得期望的电极形状。之后，将作为阻挡膜(防扩散膜)的SiN膜4形成在SiO2膜5和电极3上。通过溅射、化学气相沉积(CVD)等形成SiN膜4。
因此，声波装置(例如，谐振器)分别形成在区域T10和T20中。之后，移除位于每个交叉指型电极3上的SiN膜4的一部分(未示出)，以将交叉指型电极3部分地暴露出来。每个交叉指型电极3分隔为输入电极和输出电极。
之后，使晶片探测器的测试端与暴露的电极形成接触，以测量每个谐振器的谐振频率。例如，测量每个谐振器的谐振频率与所期望的基准频率之间的差(频率偏移量)。因此，获得了晶片上的谐振器的频率分布。例如，假设区域T10中的频率偏移量为3MHz，而区域T20中的频率偏移量为10MHz。
之后，如图7C所示，形成作为频率调整膜的SiN膜4a，其具有对应于频率分布的图案。以使得SiN膜4a的面积为区域T10的整个面积的15％、以及区域T20的整个面积的50％的这种方式，使SiN膜4a图案化。通过例如溅射并之后进行剥离来形成SiN膜4a。或者，可以通过蚀刻形成图案。
之后，如图7D所示，通过形成SiO2膜7来形成声波装置。具有频率调整膜的功能的SiN膜4a的图案反映到SiO2膜7的表面上。
如上所述，在本实施例中，通过将SiN膜4a形成为使其厚度变得相同并且覆盖梳状电极3的面积依照表面中的频率分布来分布，来依照表面中的分布来调整作为频率调整膜的SiN膜4a的体积(也就是说，频率调整量)。因此，可以通过单次成膜和蚀刻过程来形成SiN膜4a。换言之，可以通过单次成膜和蚀刻过程来改善表面中的分布。因此，可以通过少量的制作过程来制作减小了表面中的频率变化的声波装置。
此外，在本实施例中，在将SiO2膜7形成为介质之前调整频率。因此，可以在初期阶段减小晶片表面中的频率特性的变化。因此，可以防止诸如在形成SiO2膜7之后晶片表面中的频率特性的变化变得太大并使得难以进行调整的事故。
此外，因为在形成SiO2膜7之前将SiN膜4a设置在SiN膜4上，可以在形成SiO2膜7之后通过再次设置频率调整膜来调整晶片表面中的频率特性分布。因此，可以更精确地调整频率。
注意，测量频率分布的方法不限于如上所述的直接测量形成在相同的晶片上的谐振器的谐振频率。例如，可以通过绘制晶片上的声波装置的厚度分布来获得频率分布。可以使用X射线荧光分析仪来测量声波装置的厚度。
或者，当批量生产多个晶片时，可以通过根据已经获得的晶片的频率分布上的信息来实现晶片中期望的频率分布。
修改例
图8A为示出了根据本实施例的修改例的声波装置的平面图。图8B为沿着图8A中的线a-a’取的截面图。在图8A和图8B中示出的实施例中，频率调整膜6设置在SiN膜4上。对于频率调整膜6，可以使用SiN膜之外的膜，诸如Si膜、Al2O3膜、SiC膜、DLC膜等。在相同的压电衬底2(晶片)上，通过使频率调整膜6图案化以使其具有对应于晶片表面中的频率分布的面积分布，可以调整表面中的频率分布。
通过溅射形成具有面积分布的频率调整膜6并且通过剥离或蚀刻使其图案化。可以形成具有极好的厚度控制的膜。
图8A和图8B中图示的声波装置可以被用作使用乐甫波(Lovewave)的声波装置。
实施例2
图9A为示出了根据本实施例的声波装置的平面图，并且图9B为沿着图9A中的线a-a’取的截面图。在图9A和图9B中图示的构造中，全部由诸如Cu的导电材料制成的交叉指型电极3和反射器3a和3b形成在压电衬底2上。SiN膜4形成为使其覆盖交叉指型电极3以及反射器3a和3b，并且在SiN膜4上形成作为频率调整膜的图案化部分。此外，SiO2膜5形成为使其覆盖SiN膜4，并且Al2O3膜10也形成为使其覆盖SiO2膜5。SiN膜4的图案反映在SiO2膜5和Al2O3膜10上。由于这些膜，厚度大于其他部分的部分产生在激发区域中。换言之，SiN膜4的图案化部分与SiO2膜5相接触的部分具有大于其他部分的厚度。
如上所述，在本实施例的声波装置中，阻挡膜(SiN膜4)设置为使其覆盖压电衬底2上的交叉指型电极3，并且在阻挡膜上，设置了第一介质(SiO2膜5)和第二介质(Al2O3膜10)。因为通过使阻挡膜图案化而调整了频率，所以可以抑制在设置第一介质和第二介质之后频率特性的变化。因此，在形成第一介质和第二介质之后，可能不需要频率调整或者使调整变得简单。因此，可以有效地调整频率。
图9A和图9B中图示的声波装置可以用作例如边界声波装置。注意，第一介质和第二介质的组合不限于如以上实施例中的SiO2膜和Al2O3膜。例如，SiO2膜可以被用作第一介质而SiN膜可以被用作第二介质。以此方式，对于第二介质，优选地使用声速高于用于第一介质的材料。
实施例3
图10A为示出了根据本实施例的声波装置的平面图。并且图10B为沿着图10A中的线a-a’取的截面图。在图10A和图10B中图示的示例中，频率调整SiN膜4a设置为使其与整个面积的左半部分相接触。在这种情况下，SiN膜4a的面积占据SiO2膜4的50％。因此，SiN膜4a的面积占据激发区域的50％。SiN膜4形成为使其厚度h2例如为20nm。
在实施例1到实施例2中，执行图案化以使得比其他部分厚度更大的部分平均地分配到激发区域中。但是，如图10A和图10B所示，SiN膜4a可以设置为使其集中在一个部分上。即使在那种情况下，也可以通过调整SiN膜4的面积来类似地调整声波装置的频率。
在SiN层4a的厚度较大的情况下，当如图10A和图10B所示将频率调整膜设置为集中在一个部分上时，可能在谐振频率附近形成不希望的波。因此，可能使特性劣化。在这种情况下，如实施例1和实施例2中所描述的，可以通过将SiN膜4a设置为使其分布在激发区域中来防止特性劣化。此外，SiN膜4a可以规则地(周期地)或不规则地(随即地)布置。
实施例4
图11为示出了根据第本实施例的组成梯形滤波器的声波装置的平面图。滤波器包括串联谐振器S1到S3、并联谐振器P1和P2，以及将这些谐振器彼此连接的电线图案。串联谐振器S1到S3、并联谐振器P1和P2以及电线图案设置在压电衬底2上。例如，每个谐振器具有以下构造：交叉指型电极3以及反射器3a和3b设置在压电衬底2上，并且SiN膜4(阻挡膜)设置为使其覆盖衬底、电极和反射器，SiO2膜4设置在SiN膜4上。
在图11中图示的示例中，在构造滤波器的多个谐振器S1到S3以及P1和P2之中，作为频率调整膜的图案化的部分设置在串连谐振器S3上，以使其覆盖SiN膜4。举例来说，可以类似于实施例1的声波装置来设置该构造。
以此方式，通过为构成滤波器的谐振器中的一部分设置频率调整膜，可以仅调节一部分谐振器的频率。通过以该方式仅调整一部分谐振器的频率，可以调整滤波器的比例带宽。
例如，在梯状滤波器的情况下，每个谐振器可以具有彼此不同的频率。例如，在串连谐振器中，当具有最高反谐振频率的谐振器负责滤波器的右侧特性时，可以仅通过调整该谐振器的频率来增加或减小比例带宽。
其上设置有频率调整膜的谐振器的数目不限于图11中图示的示例，并且该膜可以设置在谐振器S1到S3以及P1和P2之中的多个谐振器上。在这种情况下，可以通过基于谐振器来改变频率调整膜(例如，SiN膜4的图案化的部分)的面积，来调整滤波器特性。
[实施例的效果等]
根据本说明书的公开内容，一种制作声波装置的方法，包括：在压电衬底上形成具有多个电极指的交叉指型电极；形成阻挡膜，以使其覆盖交叉指型电极；在阻挡膜上形成介质；测量由交叉指型电极激发的声波装置的频率特性；以及在声波装置由交叉指型电极激发的激发区域中，通过使阻挡层图案化或者进一步设置调整膜，来形成与其他部分具有不同厚度的调整区域。当形成调整区域时，依照所测量的频率特性来调整激发区域中的调整区域的面积T。
在上述制作方法中，阻挡层形成为使其覆盖交叉指型电极，并且通过将阻挡层图案化或者设置调整膜，来将与其他部分具有不同厚度的调整区域形成在激发区域中。当形成调整区域时，改变激发区域中的调整区域的面积T。因此，调整了由交叉指型电极激发的声波装置的频率特性。换言之，在不改变调整介质的厚度(具有相同厚度)的情况下，可以通过改变调整介质的面积来调整声波能量的分布量以及分布体积。因此，因为没有必要调整调整介质的厚度，所以可以提供通过少量步骤就可以调整频率特性的的声波装置。此外，在形成调整区域之前形成阻挡层，当形成调整区域时可以容易地调整区域T。
在根据本说明书的公开内容的制作声波装置的方法中，当形成交叉指型电极时，对应于多个声波装置的交叉指型电极形成在压电衬底上；当测量频率特性时，测量多个声波装置的频率特性的分布；并且当形成调整区域时，调整区域是可以被形成为使得面积T依照多个声波装置的频率特性分布来改变。
例如，当在相同的压电衬底上形成具有期望的频率特性(谐振频率和/或反谐振频率)的多个声波装置时，根据声波装置形成在压电衬底上的位置，频率特性可能彼此改变。在这种情况下，可以通过依照频率特性分布来形成具有适合于声波装置的面积T的调整区域，来调整每个声波装置的频率特性。在这种情况下，可以通过使阻挡层图案化或者形成调整膜(单次成膜)来调整形成在压电衬底上的所有的声波装置。因此，与通过改变调整介质的厚度来作出调整的情况相比，可以减小形成膜所需要的处理步骤。即，通过将调整介质形成为使其在压电衬底上的声波装置之间具有不同的面积T，可以经过少量的步骤来调整频率特性。
在根据本说明书的公开内容的制作声波装置的方法中，当测量频率特性时，测量压电衬底上的每个声波装置的频率特性，并且当形成调整区域时，根据所测量的声波装置的频率特性与预定的基准频率特性之间的差来确定调整区域的面积T。
因此，可以使压电衬底上的声波装置的频率特性更靠近基准频率特性。这里，例如在电压施加到声波装置的交叉指型电极时，测量频率特性。例如，当声波装置为谐振器时，可以测量谐振频率和反谐振频率。此外，当声波装置为滤波器时，可以测量中心频率。
根据说明书的公开内容，声波装置包括：压电衬底；交叉指型电极，其包括多个电极指并且设置在压电衬底上；阻挡膜，其设置为使其覆盖交叉指型电极；介质，其设置在阻挡膜上；以及调整膜，在声波装置由交叉指型电极激发的激发区域中，调整膜包括具有与其他部分不同厚度的调整区域。依照由交叉指型电极激发的声波装置的频率特性来改变调整膜的面积T。
根据说明书的公开内容，声波装置可以构造为使得通过交叉指型电极将多个声波装置形成在压电衬底上，并且依照多个声波装置的频率特性分布来改变调整膜的面积T。
Claims (5)
1.一种制作声波装置的方法，包括：
在压电衬底上形成具有多个电极指的交叉指型电极；
形成阻挡膜，以使其覆盖所述交叉指型电极；
在所述阻挡膜上形成介质；
测量由所述交叉指型电极激发的声波装置的频率特性；以及
在声波装置由所述交叉指型电极激发的激发区域中，通过使所述阻挡层图案化或者进一步设置调整膜，来形成与其他部分具有不同厚度的调整区域，
其中，当形成所述调整区域时，依照所测量的频率特性来调整所述激发区域中的所述调整区域的面积T。
2.根据权利要求1所述的制作声波装置的方法，其中，
当形成所述交叉指型电极时，对应于多个声波装置的多个交叉指型电极形成在所述压电衬底上，
当测量所述频率特性时，测量所述多个声波装置的频率特性的分布，以及
当形成所述调整区域时，所述调整区域形成为使得所述面积T依照所述多个声波装置的频率特性分布而改变。
3.根据权利要求1所述的制作声波装置的方法，其中，
当测量所述频率特性时，测量所述压电衬底上的每个声波装置的频率特性，并且
当形成所述调整区域时，根据所测量的所述声波装置的频率特性与预定的基准频率特性之间的差来确定所述调整区域的面积T。
4.一种声波装置，包括：
压电衬底；
交叉指型电极，其包括多个电极指并且设置在所述压电衬底上；
阻挡膜，其设置为使其覆盖所述交叉指型电极；
介质，其设置在所述阻挡膜上；以及
调整膜，在声波装置由所述交叉指型电极激发的激发区域中，所述调整膜包括与其他部分具有不同厚度的调整区域，
其中，依照由所述交叉指型电极激发的声波装置的频率特性来改变所述调整膜的面积T。
5.根据权利要求4所述的声波装置，其中，
通过所述交叉指型电极将多个声波装置形成在所述压电衬底上，以及
依照所述多个声波装置的频率特性分布来改变所述调整膜的所述面积T。
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