CN101819248B - 对施加到半导体开关元件的电压进行测定的半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体装置，具备：半导体开关元件，其具备第一导通电极和第二导通电极；以及电压测定电路，用于对半导体开关元件的第一导通电极和第二导通电极之间的电压进行测定，电压测定电路包含：恒压元件，与半导体开关元件并联连接，将在半导体开关元件的导通方向上施加的电压限制为规定值；控制用开关，与恒压元件并联连接；以及开关控制部，在半导体开关元件被切断时使控制用开关导通，在半导体开关元件被接通时使控制用开关断开。

Description

对施加到半导体开关元件的电压进行测定的半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置，特别涉及对施加到半导体开关元件的电压进行测定的半导体装置。
背景技术
在变换器(inverter)等的在电动机的旋转速度控制和交流电源装置等中使用的半导体开关元件装置中，为了检测出半导体开关元件处于过电流状态的情况，例如采用对使电流通过该半导体开关元件而流过时的导通电压进行测定的方法。
在变换器等中使用的驱动电路内置的IPM(Intelligent PowerModule，智能功率模块)的过电流保护，例如以如下方式进行。即，对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片设置电流传感器，连接电流传感器和电阻，对该电阻的两端电压进行监控。而且，在规定以上的电压产生的情况下，在IGBT芯片中产生过电流的情况下，切断向IGBT芯片的栅极信号，或输出错误信号。
作为具备半导体开关元件，进行施加到该半导体开关元件的电压的测定等的结构，例如，在日本专利申请特开平05-030727号公报(专利文献1)中公开有以下的变压器。即，在光触发晶闸管(opticallytriggered thyristor)的阳极和阴极之间，串联连接齐纳二极管，与该齐纳二极管并联地连接第二电阻和LED的串联连接体。
此外，在日本专利申请特开昭53-163919号公报(专利文献2)中公开有以下的结构。即，检测功率晶体管的导通电压的导通电压检测器包含：不较大地产生功率损耗的高电阻、用于不对比较器赋予过大电压输入的箝位用齐纳二极管、以及与齐纳二极管串联连接的二极管。
此外，在日本专利申请特开昭61-121115号公报(专利文献3)中公开有以下的结构。即，其具备：在螺线管的一端与驱动元件的集电极的连接部连接的第一电阻、与第一电阻串联连接第二电阻、与第二电阻并联连接的电容器、以及与第二电阻并联连接的齐纳二极管。
此外，在日本专利申请特开2006-136086号公报(专利文献4)中公开有以下的结构。即，在成为电流检测的对象的MOSFET的源极-漏极之间连接第一电阻体和第二电阻体的串联电路，通过由第一电阻体和第二电阻体构成的电压分压电路对MOSFET的导通电压进行分压并引入感测电路，换算为电流，对流过MOSFET的电流进行感测。在该结构中，由第一电阻体和第二电阻体构成的电压分压电路的电压分压比根据温度而变化，当温度上升时电压分压比变大。
此外，在日本专利申请特开平05-184133号公报(专利文献5)中公开有以下的结构。即，在各光晶闸管(optical thyristor)的阳极和阴极之间串联连接有电容器和电阻，其连接点经由二极管和第一齐纳二极管连接于晶体管的基极。与第二齐纳二极管并联地连接有上述晶体管的集电极和发射极。
可是，为了以上述方式对IGBT芯片设置电流传感器，在芯片设计中需要使主电流和电流传感器电流的比率为固定的高度的技术。在主电流和电流传感器电流的比率中偏差较大的情况下，有不是过电流的电流却切断栅极信号的错误工作、和虽然是过电流却不切断栅极信号的错误工作等发生的情况。
此外，也可以考虑经由高耐压的二极管监控IGBT的集电极电位，在驱动电路中实施保护工作的结构。可是，在这样的结构中，需要具有电源电压以上的耐压的二极管，此外，监控用的IC(Integrated Circuit，集成电路)等也需要高价的IC。此外，由于IGBT的集电极-发射极间的电压变化变大，所以容易发生上述的错误工作。
可是，在专利文献1～5中没有公开用于解决上述问题点的结构。
发明内容
本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种半导体装置，能够以简单的结构来高精度地测定施加到半导体开关元件的电压。
本发明的一个方面的半导体装置具备：半导体开关元件，其具备第一导通电极和第二导通电极；电压测定电路，用于对半导体开关元件的第一导通电极和第二导通电极之间的电压进行测定，电压测定电路包含：恒压元件，与半导体开关元件并联连接，将在半导体开关元件的导通方向上施加的电压限制为规定值；控制用开关，与恒压元件并联连接；以及开关控制部，在半导体开关元件被切断时使控制用开关导通，在半导体开关元件被接通时使控制用开关断开。
根据本发明，能够以简易的结构对施加到半导体开关元件的电压高精度地进行测定。
本发明的上述和其它的目的、特征、方面和优点，根据与附图相关地理解的与本发明相关的下述详细说明就能更清楚了。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的半导体装置的结构的图。
图2是表示本发明的第一实施方式的半导体装置对半导体开关元件10的导通电压进行检测的工作的时间图。
图3是表示本发明的第二实施方式的半导体装置的结构的图。
图4是表示本发明的第三实施方式的半导体装置的结构的图。
图5是表示本发明的第四实施方式的半导体装置的结构的图。
图6是表示本发明的第五实施方式的半导体装置对半导体开关元件10的导通电压进行检测的工作的时间图。
图7是表示本发明的第六实施方式的半导体装置的结构的图。
图8是表示本发明的第七实施方式的半导体装置的结构的图。
图9是表示本发明的第八实施方式的半导体装置的结构的图。
具体实施方式
以下，使用附图针对本发明的实施方式进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不重复其说明。
<第一实施方式>
图1是表示本发明的第一实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图1，半导体装置101具备：半导体开关元件10、二极管元件11、箝位二极管12、以及电压测定电路31。电压测定电路31包含：电阻2、齐纳二极管3、控制用开关7、以及开关控制部15。
半导体装置101基于从电源13供给的直流电力对电动机8进行驱动。电压测定电路31通过对施加到齐纳二极管3的两端的电压VZ进行测定，从而对半导体开关元件10的漏极-源极间电压进行测定。IC 151基于电压测定电路31的测定结果对半导体开关元件10的过电流状态进行检测。
半导体开关元件10例如是MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片。二极管元件11具有与半导体开关元件10反方向的导通方向。二极管元件11例如是在半导体开关元件10的漏极和源极之间存在的寄生二极管。二极管元件11被作为续流二极管而使用。
半导体开关元件10具有：漏极，连接于箝位二极管12的阳极和电阻2的第一端；源极，连接于电源13的负侧端子、齐纳二极管3的阳极、控制用开关7的第二端；以及栅极，接受驱动信号GS。箝位二极管12具有：阴极，连接于电源13的正侧端子和电动机8的第一端；以及阳极，连接于电动机8的第二端。
半导体开关元件10、和电阻2与齐纳二极管3的串联电路相互并联连接。此外，控制用开关7和齐纳二极管3与半导体开关元件10并联连接。此外，齐纳二极管3以与半导体开关元件10的导通方向成为相反的导通方向的方式连接。齐纳二极管3具有：阴极，连接于电阻2的第二端和控制用开关7的第一端；以及阳极，连接于控制用开关7的第二端。在控制用开关7的第一端和第二端连接有IC 151。
电阻2为了限制通过齐纳二极管3而流过的电流而设置。电阻2的电阻值被设定为对齐纳二极管3施加充分的电压的值。
图2是表示本发明的第一实施方式的半导体装置对半导体开关元件10的导通电压进行检测的工作的时间图。
参照图2，GS是向半导体开关元件10的驱动信号、即半导体开关元件10的栅极电压，Id是半导体开关元件10的漏极电流，Vds是半导体开关元件10的漏极-源极间电压，SWS是向控制用开关7的控制信号，VZ是齐纳二极管3的两端电压。
驱动信号GS在从定时A到定时B的期间中成为逻辑高电平，在该期间中半导体开关元件10成为导通状态。此外，驱动信号GS在从定时B到定时A的期间中成为逻辑低电平，在该期间中半导体开关元件10成为断开状态。
控制信号SWS与驱动信号GS成为逻辑电平相反。即，控制信号SWS在从定时A到定时B的期间中成为逻辑低电平，在从定时B到定时A的期间中成为逻辑高电平。
在这里，假设半导体装置101不具备控制用开关7和齐纳二极管3。在这样的结构中，在半导体开关元件10断开时，电源13的输出电压Vo被施加到半导体开关元件10的漏极-源极间的两端。因此，对与半导体开关元件10并联连接的电压测定电路31也同样地施加输出电压Vo的大部分。在这样的情况下，需要具有输出电压Vo以上的耐压的IC 151。
可是，半导体装置101具备控制用开关7，开关控制部15在半导体开关元件10被切断时使控制用开关7导通。由此，由于能够将施加到电压测定电路31的电压作为0V，所以不需要具有输出电压Vo以上的耐压的IC 151。此外，能够防止在半导体开关元件10被切断时在IC 151检测出高电压，错误判定为半导体开关元件10是过电流状态的情况。此外，在半导体开关元件10被切断时，不需要在IC 151进行不判定为过电流状态的控制，能够谋求控制的简易化。
此外，开关控制部15在半导体开关元件10被接通时使控制用开关7断开。例如，开关控制部15在半导体开关元件10从断开状态变化到导通状态的同时使开关7断开。由此，对应于半导体开关元件10的导通电压的电压被施加到齐纳二极管3的两端。
通过以上的开关控制，如图2所示，具有与漏极电流Id同样地变化的电压波形的电压VZ被施加到齐纳二极管3的两端，能够对其进行测定。即，能够将电压VZ作为半导体开关元件10的导通电压进行检测。而且，通过检测半导体开关元件10的导通电压，能够测定通过半导体开关元件10而流过的电流。能够检测半导体开关元件10的过电流状态。
此外，假定半导体装置101不具备齐纳二极管3。在这样的结构中，例如在电动机8故障而短路的情况下，由于在半导体开关元件10被接通时开关7被切断，所以输出电压Vo分别被施加到半导体开关元件10和开关7的两端，存在两者被破坏的可能。
可是，在半导体装置101中，通过具备齐纳二极管3的结构，被分别施加到半导体开关元件10和开关7的两端的电压，即使在电动机8故障而短路的情况下，也成为齐纳二极管3的齐纳电压以下。由此，能够防止半导体开关元件10和开关7被破坏。
此外，在半导体装置10中，由于电压VZ不会大于齐纳二极管3的齐纳电压，所以不需要使为了测定电压VZ的IC 151为高耐压的部件，所以能够容易地设计IC 151，能够谋求小型化、降低成本。
此外，由于开关7的耐压仅比齐纳二极管3的齐纳电压大一些即可，通过开关7而流过的电流被电阻2限制，所以能够使用小容量的开关，因此能够谋求小型化、降低成本。
如上所述，在本发明的第一实施方式的半导体装置中，能够以简易的结构高精度地测定施加到半导体开关元件的电压。由此，能够正确地检测半导体开关元件10的过电流状态，因此能够使成品率提高。
再有，在本发明的第一实施方式的半导体装置中，半导体开关元件10例如是MOSFET芯片，但并不限定于此，是IGBT等其它的半导体开关元件也可。
此外，本发明的第一实施方式的半导体装置是具备齐纳二极管3的结构，但并不局限于齐纳二极管3，只要是与半导体开关元件10并联连接的、将在半导体开关元件10的导通方向上施加的电压限制为规定值的电压元件即可。作为这样的恒压元件，例如可以举出变阻器。
此外，在本发明的第一实施方式的半导体装置中，是将半导体开关元件10的寄生二极管作为续流二极管进行使用的结构，但并不限定于此。在作为半导体开关元件10使用不具有寄生二极管的IGBT的情况下，或作为半导体开关元件10使用MOSFET的情况下，为了抑制电动机8的再生(regeneration)时的功耗，将正方向电压小的SBD(肖特基势垒二极管)等作为续流二极管而另外设置的结构也可。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第二实施方式>
本实施方式涉及与第一实施方式的半导体装置相比变更了恒压元件的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图3是表示本发明的第二实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图3，半导体装置102与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，代替电压测定电路31而具备电压测定电路32。电压测定电路32包含：电阻2、二极管部5、控制用开关7和开关控制部15。
二极管部5与电阻2串联连接。半导体开关元件10、和电阻2与二极管部5的串联电路相互并联连接。此外，控制用开关7与二极管部5和半导体开关元件10并联连接。此外，二极管部5包含以与半导体开关元件10的导通方向成为相同的导通方向的方式串联连接的多个二极管。二极管部5将在半导体开关元件10的导通方向上施加的电压限制为规定值。
电压测定电路32通过测定施加在二极管部5的两端的电压VZ，测定半导体开关元件10的漏极-源极间的电压。
在本发明的第二实施方式的半导体装置中，通过变更二极管部5的二极管的数量，从而能够调整电压VZ的最大电平。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
再有，本发明的第二实施方式的半导体装置是具备二极管部5的结构，但并不局限于二极管，是变阻器等的在双方向导通的半导体元件也可。即使是这样的结构，也能够得到与本发明的第二实施方式的半导体装置同样的效果。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第三实施方式>
本实施方式涉及与第一实施方式的半导体装置相比追加了电压VZ的调整功能的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图4是表示本发明的第三实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图4，半导体装置103与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，代替电压测定电路31而具备电压测定电路33。电压测定电路33包含：电阻2、齐纳二极管3、控制用开关7、开关控制部15、以及电阻24。电阻24与电阻2串联连接，并且与半导体开关元件10、二极管元件11、齐纳二极管3、以及控制用开关7并联连接。
在半导体装置101中，导通状态的半导体开关元件10的漏极-源极间电压、即导通电压被施加在齐纳二极管3的两端。
相对于此，在半导体装置103中，由于能够通过电阻2和电阻24对半导体开关元件10的导通电压进行分压，所以能够调整施加到齐纳二极管3的两端的电压VZ的最大电平。
再有，通过将电阻2置换为串联连接的多个电阻，或调整电阻2的电阻值，也能够进行电压VZ的电平调整。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第四实施方式>
本实施方式涉及与第一实施方式的半导体装置相比追加了使电压VZ稳定化的功能的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图5是表示本发明的第四实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图5，半导体装置104与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，代替电压测定电路31而具备电压测定电路34。电压测定电路34包含：电阻2、齐纳二极管3、控制用开关7、开关控制部15、以及电容器4。电容器4与电阻2串联连接，并且与半导体开关元件10、二极管元件11、齐纳二极管3、以及控制用开关7并联连接。
在半导体装置104中，通过电容器4，能够抑制在半导体开关元件10的导通状态和断开状态之间的转移时发生的噪声和阻尼振荡(ringing)导致的电压VZ的急剧的电平变化。由此，能够防止过电流检测的错误工作。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第五实施方式>
本实施方式涉及与第一实施方式的半导体装置相比变更了开关控制部15的控制内容的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图6是表示本发明的第五实施方式的半导体装置对半导体开关元件10的导通电压进行检测的工作的时间图。
参照图6，控制部15在从半导体开关元件10被接通起至经过规定时间为止维持控制用开关7的导通状态，在规定时间经过后切断控制用开关7。
即，控制信号SWS在从定时B到定时A的期间中成为逻辑高电平，在该期间中控制用开关7成为导通状态。此外，控制信号SWS在从定时A起至经过规定时间为止是逻辑高电平的状态，在该期间中控制用开关7维持导通状态。然后，控制信号SWS在从定时A起经过规定时间时变为逻辑低电平，在到定时B为止的期间中控制用开关7为断开状态。
根据这样的结构，能够防止半导体开关元件10从断开状态向导通状态转移时发生的噪声等引起的电压VZ的急剧的电平变化，能够防止过电流检测的错误工作。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第六实施方式>
本实施方式涉及将第一实施方式的半导体装置模块化后的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图7是表示本发明的第六实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图7，半导体装置106与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，还具备：盒体K、驱动端子TD1、TD2、监控端子TM1、TM2。
盒体K中收容有半导体开关元件10、二极管元件11、箝位二极管12、以及电压测定电路31。驱动端子TD1、TD2和监控端子TM1、TM2安装在盒体K。
从盒体K的外部经由驱动端子TD1对半导体开关元件10的栅极赋予驱动信号GS。此外，施加在齐纳二极管3的两端的电压VZ经由监控端子TM1、TM2被赋予到壳体K的外部的IC151。
通过这样的结构，在半导体装置106的外部能够容易地测定半导体开关元件10的导通电压。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第七实施方式>
本实施方式涉及将第一实施方式的半导体装置IPM化后的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图8是表示本发明的第七实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图8，半导体装置107与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，还具备：盒体K、错误端子TE、驱动部16、和过电流检测部17。
盒体K中收容有半导体开关元件10、二极管元件11、箝位二极管12、电压测定电路31、驱动部16、以及过电流检测部17。错误端子TE安装在盒体K。
驱动部16将用于驱动半导体开关元件10的驱动信号GS向半导体开关元件10的栅极输出。
过电流检测部17基于电压测定电路31的测定结果、即施加到齐纳二极管3的两端的电压VZ的大小，进行使驱动部16向半导体开关元件10的驱动信号GS的输出停止、使半导体开关元件10断开的控制。此外，过电流检测部17基于电压测定电路31的测定结果，使表示半导体开关元件10是过电流状态的错误信号经由端子TE向盒体K的外部输出。
像这样，半导体装置107在模块内部内置驱动部16，并且内置具有驱动信号GS的切断功能的过电流检测部17，由此能够使针对过电流的响应速度变快，因此能够防止半导体开关元件10被破坏于未然。此外，能够使用于传递电压VZ的布线长度变短，因此向过电流检测部17传递的电压VZ难以受到噪声等的影响，所以能够防止过电流检测的错误工作。
此外，在半导体装置107中，电压测定电路31、驱动部16和过电流检测部17例如被包含在1个集成电路41、即一个半导体芯片中。由此，能够实现模块整体的小型化、低成本化和组装性的提高。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
接着，针对本发明的其它实施方式，使用附图进行说明。再有，对图中同一或相当的部分赋予同一附图标记，不反复进行说明。
<第八实施方式>
本实施方式涉及与第一实施方式的半导体装置相比变更了半导体开关元件的种类的半导体装置。以下说明的内容之外与第一实施方式的半导体装置相同。
图9是表示本发明的第八实施方式的半导体装置的结构的图。
参照图9，半导体装置108与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，代替半导体开关元件10和二极管元件11而具备半导体开关元件20和二极管元件21。
半导体开关元件20和二极管元件21通过碳化硅(SiC)而形成。
在这里，由于碳化硅的耐电压性高、能够增大容许的电流密度，所以能够谋求半导体开关元件和二极管元件的小型化。因此，在本发明的第八实施方式的半导体装置中，与本发明的第一实施方式的半导体装置相比，能进一步谋求小型化。
再有，在本发明的第八实施方式的半导体装置中，是半导体开关元件20和二极管元件21通过碳化硅(SiC)形成的结构，但并不限定于此，是半导体开关元件和二极管元件的至少一方通过碳化硅(SiC)形成的结构也可。
其它的结构和工作与第一实施方式的半导体装置相同，因此在这里不重复详细的说明。
虽然详细地对本发明进行了说明，但仅仅是例示，并不是限定，很明显本发明的范围是通过本发明的技术方案所请求的保护范围来解释的。

Claims (10)

1.一种半导体装置，具备：
半导体开关元件，其具备第一导通电极和第二导通电极；以及
电压测定电路，用于对所述半导体开关元件的第一导通电极和第二导通电极之间的电压进行测定，
所述电压测定电路包含：
恒压元件，与所述半导体开关元件并联连接，将在所述半导体开关元件的导通方向上施加的电压限制为规定值；
控制用开关，与所述恒压元件并联连接；以及
开关控制部，控制所述控制用开关，使得在所述半导体开关元件的断开状态下所述控制用开关是导通状态，在所述半导体开关元件的导通状态下所述控制用开关是断开状态，
所述半导体装置还具备：
驱动部，将用于驱动所述半导体开关元件的驱动信号向所述半导体开关元件输出；
过电流检测部，基于施加到所述恒压元件的电压的大小，使所述驱动部向所述半导体开关元件的所述驱动信号的输出停止，并且输出表示所述半导体开关元件是过电流状态的错误信号；以及
盒体，对所述半导体开关元件、所述电压测定电路、所述驱动部以及所述过电流检测部进行收容，
所述过电流检测部的输入连接至所述电压测定电路，所述过电流检测部的输出连接至用于驱动所述半导体开关元件的驱动部，
所述恒压元件是齐纳二极管，
在所述齐纳二极管的两端连接所述过电流检测部的输入，
在规定的期间，齐纳二极管的两端相连接，齐纳二极管的两端电压为0，另一方面，在从控制用开关断开时直至接通为止的期间，没有将齐纳二极管的两端连接，两端电压不为0，且始终直线式增加。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电压测定电路还包含：电阻，与所述恒压元件串联连接，并且与所述半导体开关元件并联连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述恒压元件是串联连接的多个二极管，
所述电压测定电路还包含：电阻，与所述恒压元件串联连接，并且与所述半导体开关元件并联连接。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电压测定电路还包含：电阻，与所述半导体开关元件、所述恒压元件和所述控制用开关并联连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电压测定电路还包含：电容器，与所述半导体开关元件、所述恒压元件和所述控制用开关并联连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述开关控制部从所述半导体开关元件被接通起至规定时间经过为止维持所述控制用开关的导通状态，在所述规定时间经过之后切断所述控制用开关。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备：
端子，安装在所述盒体，用于对施加到所述恒压元件的电压进行测定。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电压测定电路、所述驱动部和所述过电流检测部被包含在1个半导体集成电路中。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备：二极管元件，与所述半导体开关元件、所述恒压元件和所述控制用开关并联连接，使得与所述半导体开关元件的导通方向成为相反的导通方向，并且通过碳化硅形成。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
所述半导体开关元件通过碳化硅形成。
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