CN101795552B

CN101795552B - 辐射量降低装置

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Publication number: CN101795552B
Application number: CN2010101042395A
Authority: CN
Inventors: 清田幸宪; 杉田贤生
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2009-02-03
Filing date: 2010-01-27
Publication date: 2012-08-29
Anticipated expiration: 2030-01-27
Also published as: JP2010182742A; US8149593B2; CN101795552A; JP4655156B2; US20100195305A1

Abstract

本发明公开一种辐射量降低装置。该辐射量降低装置包括金属板，其能够整体地覆盖用于辐射电磁波的电磁波产生源的表面；盖子区域，其设置在金属板的面内并用于覆盖所述表面；以及多个狭缝，多个狭缝在盖子区域中形成为带状，并且彼此间隔开，其中多个狭缝的每个包括引入狭缝，其从盖子区域的外周中的强电场位置朝着盖子区域的中央延伸成，其中强电场位置是指在盖子区域的外周中由电磁波产生源辐射的电磁波所产生的电场比在其他位置所产生的电场强的位置；以及耦合狭缝，其从引入狭缝在盖子区域的中央方向的一端以与另一狭缝平行地延伸。

Description

辐射量降低装置

技术领域

本发明涉及辐射量降低装置。

背景技术

近年来，用在装置内的CPU、LSI、时钟IC、周边半导体等的高密度和高集成以及印刷配线的高密度伴随着包括电视机、计算机、相机和便携式电话机的电子装置的进步而不断进步。在这些电子部件等中使用的频率成分还正变成高频率。

与此相伴，由于从电子部件产生的辐射噪音(电磁波)和从在印刷衬底上形成的线性图案产生的传导噪音(电磁波)引起的诸如对人体的影响、误操作、功能故障、特性劣化等问题出现了。因而进一步希望EMC(电磁兼容性)、EMI(电磁接口)、EMS(电磁易感性)措施。

发明内容

一般地，用于利用屏蔽壳来抑制来自电子装置的不需要的电波和不需要的噪音的机构是用于降低电子装置中不需要的电波的主流装置。

这是使用具有导电性的金属板作为屏蔽板并通过反射来密封从衬底产生的辐射噪音的方法(参见日本专利申请公开No.7-212079)。尽管此方法在辐射噪音的泄漏中有效，但是由于来自诸如IC的多种类型的部件和图案的辐射噪音被屏蔽壳反射，会促进散射的辐射噪音的电磁波干涉。

此外，屏蔽壳结构为了降低诸如辐射噪音的电磁波的辐射而变得复杂，结果，造成制造成本的增大(参见日本专利申请公开No.11-3549669)。

当使用这种屏蔽壳等时，使用螺纹装配件、板簧、垫圈等将盖子和构成外壳的屏蔽壳结合。

当通过螺纹装配件进行结合时，需要麻烦的螺纹装配任务，并且盖子和屏蔽壳之间的螺钉的安装位置需要增大以提高屏蔽效果。螺纹装配任务增大，并且组装工作明显地显著降低。

当使用板簧时，形成板簧自身的工作花费了相当多的时间，这大大地增加了安装工时并增大了成本。

在添加导电金属粉末的垫片或者包括绝缘性软磁性体的物件的情况下，垫片和板自身比较昂贵，并且使用位置由于安装结构的制约而受到很大的限制。

日本专利申请公开No.9-312489公开了一种复合磁性体，其执行EMI措施中以来自电缆等的辐射噪音为目标的措施。然而，在此方法中，难以抑制从在印刷衬底上形成的线性图案产生的传导噪音。这样没有被抑制的传导噪音通过由切换操作引起的电源电压波动等产生，由此影响电子装置、电路等。

日本专利申请公开No.2007-95971公开了一种用于覆盖辐射电磁波的辐射单元的电磁波屏蔽板。然而，此板不仅由于复杂的构造而增加了制造步骤，而且还比较昂贵，因而会增大该产品的制造成本。

因而，辐射防止方法具有优点和缺点，并且期望研发一种容易和不贵的方法，其能适合地抑制辐射噪音和传导噪音。然而，由于其中因更高频率等越来越期望降低噪音的电子电路正在复杂化，产生了各种位置和频率噪音。这种噪音不一致，并且知道屏蔽壳结构的措施复杂，并且屏蔽壳对噪音的降低也受到限制。因而，期望一种能够有效降低辐射的容易和不贵的辐射防止装置。

鉴于以上所述，期望提供一种新颖和改进的辐射量降低装置，其能够更有效地、容易并不贵地抑制从诸如电子电路的电磁波产生源辐射的噪音(电磁波)。

根据本发明实施例，提供一种辐射量降低装置，其包括：金属板，其能够整体地覆盖用于辐射电磁波的电磁波产生源的至少一个表面；盖子区域，其设置在所述金属板的面内并用于覆盖整个所述一个表面；以及多个狭缝，所述多个狭缝在至少所述盖子区域中形成为带状，并且彼此间隔开，其中所述多个狭缝的每个包括引入狭缝，其从所述盖子区域的外周中的强电场位置朝着所述盖子区域的中央延伸而形成，以便通过所述电磁波沿着朝向所述盖子区域的中央的方向引导在环绕所述盖子区域的中央的周向上流动的环形电流，其中所述强电场位置是指在所述盖子区域的外周中由所述电磁波产生源辐射的电磁波所产生的电场比在其他位置所产生的电场强的位置；以及耦合狭缝，其从所述引入狭缝在所述盖子区域的中央方向的一端以与在一侧相邻的从所述盖子区域的外周朝向所述盖子区域的中央延伸的另一引入狭缝平行地延伸而形成，以便将由所述引入狭缝引导的环形电流引导到所述耦合狭缝与所述另一引入狭缝之间。

2^N个狭缝可以形成在所述金属板上，N是正整数。

所述多个狭缝可以设置为以所述盖子区域的中央部分为基准而彼此点对称。

所述盖子区域可以是所述金属板的整个区域，所述金属板可以形成为从所述中央到所述外周的中心距离不相等，并且所述强电场位置可以是所述中心距离比其他位置的中心距离长的边缘位置。

所述金属板可以形成为在外周具有2^M个角的多边形，M是大于或者等于二的正整数，并且所述强电场位置可以是所述角。

所述金属板可以是正多边形。

所述强电场位置可以是所述盖子区域的外周上的与所述电磁波产生源的一个表面中的角对应的位置。

所述盖子区域可以是所述金属板的整个区域，并且所述金属板可以形成为从中央到外周的中心距离相等的圆形。

根据本发明的上述实施例，能够更有效地并且容易和不贵地抑制从电磁波产生源(例如电路)辐射的噪音(电磁波)。

附图说明

图1A是描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的构造的说明视图；

图1B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的构造的说明视图；

图2A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的操作示例的说明视图；

图2B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的操作示例的说明视图；

图3A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的操作示例的说明视图；

图3B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的操作示例的说明视图；

图4是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图5A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图5B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图5C是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图6A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图6B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明视图；

图7A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图7B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图7C是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图7D是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图7E是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图7F是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明视图；

图8A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图8B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图8C是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图8D是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图8E是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图8F是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明视图；

图9A是描述根据本实施例的辐射量降低装置的另一变形的说明视图；

图9B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的另一变形的说明视图；以及

图10是描述根据现有技术的辐射量降低装置的说明视图；

具体实施方式

以下，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。注意，在此说明书和附图中，用相同的附图标记表示具有基本相同的功能和结构的结构元件，并且省去这些结构元件的重复说明。

根据本发明每个实施例的辐射量降低装置能用于各种电磁波产生源。可以使用各种各样的电磁波产生源，从包括CPU(中央处理单元)、LSI(大规模集成)、时钟IC(集成电路)、周边半导体、印刷衬底、配线、线圈、电阻和电容器到通过将以上组合形成的电子装置。辐射量降低装置的应用不限于电磁波产生源的示例，并可以应用到发射电磁波的各种区域。在此情况下，辐射量降低装置布置成与不期望传播由电磁波产生源辐射的电磁波的方向一侧的电磁波产生源紧密接触，或者布置在其附近。辐射量降低装置可以布置成远离电磁波产生源，但是考虑到电磁波的屏蔽或者衰减效率、整个装置的空间效率等，期望地布置在电磁波产生源一侧上。为了便于理解辐射量降低装置，将按照以下顺序进行描述。

1.根据现有技术的辐射量降低装置

2.根据第一实施例的辐射量降低装置

2-1.辐射量降低装置的构造

2-2.辐射量降低装置的操作示例

2-3.辐射量降低装置的示例

2-4.辐射量降低装置的实施示例

2-5.辐射量降低装置的变形

2-6.辐射量降低装置的效果的示例

<1.根据现有技术的辐射量降低装置>

首先，将参照图10描述根据现有技术的辐射量降低装置。图10是描述根据现有技术的辐射量降低装置的说明图。

在图10中，示出了其中金属板90用作电磁波的屏蔽罩，即根据现有技术的辐射量降低装置900。图10所示的金属板90具有导电性并布置成覆盖电磁波产生源(以下还称为“噪音产生源R”)。尽管未图示，在图10所示的金属板90的背面(图面的远侧)布置程度与金属板90的形成面处的外形(x-y面中的外形)相同或者比其小一个尺寸的噪音产生源R。

从噪音产生源R产生的电磁波(噪音)被根据现有技术的辐射量降低装置900反射。然而，其能量不衰减，并从根据现有技术的辐射量降低装置900的外周或者表面或者从与噪音产生源R之间辐射。这种现象此处称为“二次辐射”，并且二次辐射电磁波此处称为“噪音N”。

各种电路用作噪音产生源R，并产生电磁波，并且二次辐射的噪音N从根据现有技术的辐射量降低装置900发射。二次辐射的强噪音N大致划分成两个类型。第一类型的噪音N是主噪音，并且是具有金属板90作为贴片天线所辐射。此噪音N主要从金属板90的表面朝着噪音产生源R的相反侧发射。当由金属板的边缘(端部)和布置了噪音产生源R的衬底中的GND(接地)表面形成的开口如静电容量天线那样操作时，发射第二类型的噪音N。

以下将简要描述二次辐射噪音N的产生机制，该机制由于本发明的发明人进行仔细的研究的结果而变得明显。

如果如根据现有技术的辐射量降低装置900的金属板90那样布置覆盖噪音产生源R的金属板90，则在金属板90的下部(即，在金属板90和噪音产生源R之间)如驻波那样产生电场。图10示出了产生强电场的位置(称为“强电场位置”)。如图10所示，在金属板90的四个角处产生强电场位置VA至VD，并且在金属板90的中间处产生强电场位置VO。强电场位置至少由金属板90的形状或者噪音产生源R的形状中的一者确定。伪驻波的电场环在强电场位置VA至VD、VO产生，其中相邻强电场位置的电场符号彼此相反。因而，环形电流I(以下还称为外周电流)通过电场流动。

环形电流I在外周流动，以环绕金属板90的中央部分，并朝着中央部分O变小。当该环形电流流动时，在金属板90的上部和下部产生磁场。在金属板90的下部产生的磁场类似于以上所述电场的强电场位置象驻波那样产生。在图10中示出了产生强磁场的位置(以下称为“铁磁场位置”)。如图10所示，铁磁场位置BA至BD在金属板90的四个边的中央产生。换言之，铁磁场位置BA至BD在强电场位置VA至VD的中间点处产生。

金属板90的下部产生的电场和磁场分别执行类似于由衬底中的GND和金属板90之间的静电容量天线产生的电场和磁场的操作。电场和磁场通过衬底中的GND和金属板90之间的开口产生噪音N(第二类型的噪音；可以不是精确的二次辐射)。环形电流I在金属板90的上部处产生的磁场以连锁反应产生电场，并产生噪音N(第一类型的噪音N)。

因而，在根据简单地形成有金属板90的现有技术的辐射量降低装置900中，由噪音产生源R辐射的电磁波简单地在x-y面方向上散射(第二类型的噪音)，或者再次从金属板90的表面辐射(第一类型的噪音N)。

对根据现有技术的辐射量降低装置900的噪音N等进行仔细研究后，本发明的发明人阐述了如上所述的噪音N的产生机制，并为了降低噪音N的目的通过进一步的研究和研发完成了本发明的实施例。以下将描述本发明的每个实施例。要理解到，此处描述的噪音N的产生机制不限定此噪音N，并且根据本发明的每个实施例的辐射量降低装置能降低甚至非以上所述的两个类型的噪音N的噪音的辐射量。

<2.根据第一实施例的辐射量降低装置>

首先，将参照图1A和图1B描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的构造。图1A和图1B是描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的说明图。

<2-1.辐射量降低装置的构造>

如图1A所示，根据本实施例的辐射量降低装置100大致包括金属板10和狭缝SA至SD。

在本实施例中，如图1B所示，为了便于说明，将描述其中辐射量降低装置100降低辐射到噪音产生源R的上侧的电磁波的辐射量。以下描述的金属板10因而形成为覆盖噪音产生源R的上表面的形状，并且辐射量降低装置100布置在噪音产生源R的上表面侧附近。能根据噪音产生源R、降低辐射量的方向等适合地改变金属板10的形状、辐射量降低装置100的布置位置等。

金属板10由具有导电性的材料制成，并包括能覆盖用于辐射电磁波的噪音产生源R(电磁波产生源的一个示例)的至少整个上表面的盖子表面(一个表面的一个示例)。如图1B所示，根据本实施例的金属板整个形成为盖子表面。然而，金属板10的盖子表面可以不是金属板10的整个区域，而可以是金属板10的一部分的区域。即，金属板10能形成为各种形状，只要金属板10具有与噪音产生源R的整个上表面对应的表面(盖子表面)。金属板10的成为盖子表面的区域也称为“盖子区域Ar”。

即，在本实施例中，盖子区域Ar可与金属板10的整个区域相当。如果盖子区域Ar与金属板10的整个区域相当，则金属板10的区域期望在由金属板10覆盖的噪音产生源R的上表面的面积的1和1.5倍之间，更优选地，在1.25和1.5之间。然而，金属板10可以形成为比噪音产生源R的上表面大很多。

在本实施例中，示出了其中金属板10形成为对应于噪音产生源R的上表面的形状的方形的情况。然而，金属板10可以不对应于噪音产生源R的上表面的形状，并可以不是方形。金属板10期望地以以下顺序形成，以提高辐射量降低装置100的辐射量效果等。

方形≥正多边形≥多边形≥椭圆≥圆

除了示例中提及的形状之外，金属板10可以具有中心距离不相等的形状。

盖子区域Ar是设定在金属板10的平面内并覆盖噪音产生源R的整个上表面的区域。如上所述，在本实施例中，盖子区域Ar设定到金属板10的整个区域。

狭缝SA至SD在至少盖子区域Ar中形成为带状。能通过将金属板10的一部分切割成带状(还称为沟槽)或者通过形成除去狭缝SA至SD的金属板10本身来形成狭缝SA至SD。如图1A所示，狭缝SA至SD朝着中央部分O形成并整个地形成为十字形状，但是在金属板10的周边方向相邻的狭缝不彼此连接，并间隔开。因而，被狭缝SA至SD伪分隔的金属板片11至12借助于中央部分O而彼此连接以形成金属板10。

在本实施例中，如图1A所示，形成四个这种狭缝SA至SD。然而，狭缝SA至SD的数量不限于四个，并且仅仅需要为多个。然而，期望2^N个这种狭缝SA至SD形成在金属板10上，其中N是正整数。

如图1A所示，根据本实施例的狭缝SA至SD布置成以盖子区域Ar(即，金属板10)的中央部分O为基准对称。每个狭缝SA至SD形成为类似的形状。将首先使用狭缝SA作为示例描述每个狭缝的形状。

如图1A所示，狭缝SA主要分成引入狭缝S1A和耦合狭缝S2A。

引入狭缝S1A形成为从盖子区域Ar的外周处的强电场位置VA朝着盖子区域Ar的中央部分O延伸。由于盖子区域Ar和整个金属板10在本实施例中一致，引入狭缝S1A从金属板10的端部形成。如图10所示，在盖子区域Ar的四个角(角部，强电场位置)处产生盖子区域Ar的外周处的强电场位置VA，并因而引入狭缝S1A形成为从该角朝着中央部分O以带状延伸。

此外，引入狭缝S1A在角朝着中央部分O直线地形成为带状，但是狭缝S1A可以弯曲。然而，如果引入狭缝S1A如在本实施例中那样以直线形成，引入狭缝S1A对环形电流I的引入效果提高，并且辐射量降低效果提高。

耦合狭缝S2A形成为从引入狭缝S1A的盖子区域Ar在中央部分O的方向的端部延伸，以与在盖子区域Ar的周边方向的一侧的另一狭缝SB(或者SD)平行地排列。更具体地，在本实施例中，耦合狭缝S2A以与另一狭缝SB的引入狭缝S1B平行地延伸而形成。

在本实施例中，示出了其中耦合狭缝S2A形成为在盖子区域Ar的周边方向中的引入狭缝S1A的右侧(逆时针方向)延伸的情况。因而，每个耦合狭缝S2B至S2D也形成为在其他狭缝S1B至S1D在中央部分O方向的端部向右侧(逆时针方向)延伸。然而，耦合狭缝S2A至S2D可以形成为向盖子区域Ar的周边方向的每个引入狭缝的左侧(顺时针方向)延伸。

根据本实施例的耦合狭缝S2A形成为与相邻的狭缝SB的引入狭缝S1B平行，并与该引入狭缝S1B形成有预定的间隔。耦合狭缝S2A期望地形成为比并排的引入狭缝S1B短，以不形成到盖子区域Ar的端部。耦合狭缝S2A期望形成为宽度与引入狭缝S1A相同或者接近的带状。

耦合狭缝S2A将由引入狭缝S1A引导的环形电流I引导为与并排的引入狭缝S1B大致平行，以实现将其与由引入狭缝S 1B引导的环形电流I耦合的耦合效果。

此处描述的引入狭缝S 1A和耦合狭缝S2A分别对应于狭缝SA，但是其他狭缝SB至SD类似地包括引入狭缝S1B至S1D和耦合狭缝S2B至S2D中的每个。换言之，每个狭缝SA至SD形成为大致的L形，该L形狭缝SA至SD形成为从金属板10的四个角延伸。结果，狭缝SA至SD将金属板10分隔成大致十字形状的四个金属板片11至14。大致L形的狭缝SA至SD彼此间隔开，并且形成金属板10的金属板片11至14在中央部分O处耦合到彼此。

(关于强电场位置)

如上所述，狭缝SA至SD分别从强电场位置VA至VD朝着中央部分O的方向形成。下面将描述强电场位置VA至VD。

强电场位置VA至VD是由于噪音产生源R产生的电磁波而在与噪音产生源R之间产生的电场的位置，并且该电场比其他位置的电场大。该强电场位置VA至VD对应于金属板10和噪音产生源R之间的空间阻抗较低的位置。在根据本实施例的辐射量降低装置100中，金属板10形成为与噪音产生源R相同程度或者覆盖噪音产生源R的程度的多边形(方形)，但是在此情况下，金属板10的角的空间阻抗变得比其他位置低。因而，在根据本实施例的辐射量降低装置100中，金属板10的四个角是强电场位置VA至VD，并且从该四个角形成狭缝SA至SD。由于强电场位置VA至VD如上所述取决于金属板10的形状、噪音产生源R的形状等而不同，形成狭缝SA至SD的位置可以取决于金属板10的形状、噪音产生源R等的形状而改变。当金属板10形成为使得从中央部分O到外周的中心距离不相等时，强电场位置变成中心距离比其他位置长的边缘位置(端部)。更具体地，如果金属板10是多边形，则强电场位置是角(角部)，并且如果金属板10如本实施例中那样是方形，则是图1A所示的四个角。如果金属板10不具有角，并且金属板10比盖子区域Ar大很多，则强电场位置VA至VD是盖子区域Ar的外周对应于噪音产生源R的上表面的角的位置。因而，在此情况下，狭缝SA至SB由与噪音产生源R上表面的角对应的强电场位置形成。

已经描述了根据本发明第一实施例的辐射量降低装置100的构造。

现在将参照图2A至图3B描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的操作示例。图2A至图3B是描述根据本实施例的辐射量降低装置的操作示例的说明图。

<2-2.辐射量降低装置的操作示例>

<2-2-1.环形电流衰减操作>

首先，将描述作为噪音N的主产生源的环形电流I的衰减操作。

如图10所示，当类似于驻波的电场和磁场在金属板10和噪音产生源R之间通过由噪音产生源R产生的电磁波产生时，环形电流I通过该电场和磁场环形地流动以环绕盖子区域Ar的中央部分O。环形电流I是二次辐射的噪音N等的产生的主要原因。

如上所述，根据本实施例的辐射量降低装置100包括从强电场位置VA至VD形成的多个狭缝SA至SD。在这些狭缝SA至SD中，每个引入狭缝S1A至S1D从强电场位置VA至VD形成。强电场位置VA至VD是电场比其他位置强的位置，并且通过在强电场位置VA至VD处形成引入狭缝S1A至S1D，如图2A所示在引入狭缝S1A至S1D的边缘之间产生电压E。换言之，由噪音产生源R产生的电磁波的辐射电场成分在强电场位置VA至VD处耦合到引入狭缝S1A至S1D，并激励电压E。电压E在耦合到引入狭缝S1A至S1D的同时朝着盖子区域Ar的中央部分O一侧沿着狭缝S1A至S1D引导。环形电流I被引入狭缝S1A至S1D分割，并且伴随着将作为一个产生源的电压E耦合到引入狭缝S1A至S1D，如图2A所示，朝着中央部分O一侧与电压E一起被引导。如图2B所示，由引入狭缝S1A至S1D朝着中央部分O侧引导的环形电流I被耦合狭缝S2A至S2D引导到耦合狭缝与在外周方向的一侧上相邻的另一狭缝之间。因而，环形电流I在每个狭缝SA至SD的边缘部分处流动。

如图2B所示，在每个狭缝SA至SD的边缘部分流动的环形电流I具有与由相邻的狭缝引导的环形电流I相反的相位。因而，相位相反的环形电流I在两个狭缝SA至SD变得平行的区域A和区域B彼此抵消。即，从一个狭缝可见，环形电流I在两个区域A、B处抵消并衰减。结果，根据本实施例的辐射量降低装置100能降低二次辐射的噪音N等。

<2-2-2.辐射电场成分衰减操作>

如上所述，从强电场位置VA至VD沿着每个狭缝SA至SD引导通过耦合到每个狭缝SA至SD产生电压E的辐射电场成分。每个狭缝SA至SD不仅耦合来自强电场位置VA至VD的辐射电场成分，而且还耦合在其他位置处的辐射电场成分，并产生电压E。在图3A所示的平行位置PA至PD处，如图3B所示，在每个狭缝SA至SD中产生的电压E具有相反的相位，因而彼此抵消。因而，由电压E在各个狭缝SA至SD处产生的二次辐射的噪音N在平行位置PA至PD处也变成相反的相位，并彼此抵消，由此进一步降低噪音。

<2-2-3.残留的二次辐射成分衰减操作>

此外，即使通过环形电流衰减操作和辐射电场成分衰减操作还产生残留的二次辐射成分。然而，如图3A所示，由于每个狭缝SA至SD在本实施例中形成为点对称，由相对的狭缝SA至SD(狭缝SA和狭缝SC或者狭缝SB和狭缝SD)产生的噪音N具有大致相同的幅度并具有相反的相位。结果，即使假定存在辐射，二次辐射成分的噪音N彼此抵消。更具体地，从平行位置PA辐射的二次辐射成分变成与从平行位置PC辐射的二次辐射成分相反的相位，由此彼此抵消，并且从平行位置PB辐射的二次辐射成分变成与从平行位置PD辐射的二次辐射成分相反的相位，由此彼此抵消。因而进一步降低噪音N。

因而，根据本实施例的辐射量降低装置100能通过用狭缝SA至SD的布置实现环形电流衰减操作、辐射电场成分衰减操作和残留的二次辐射成分降低操作来降低噪音N的辐射水平。然而，这种操作仅仅是示例，并且辐射水平降低装置100不限于此操作，并且不排除存在此处未提及的操作和通过此操作降低噪音N的可能性。

以上已经描述了根据本发明第一实施例的辐射量降低装置100的操作示例。

现在将参照图4至图6B描述根据本发明实施例的辐射量降低装置的示例。图4至图6B是用于描述根据本实施例的辐射量降低装置的示例的说明图。

<2-3.辐射量降低装置的示例>

在测量根据本实施例的辐射量降低装置的辐射量降低效果中，准备模仿图4所示的印刷衬底的测量装置。更具体地，乙烯基膜T2布置在测量目标X的下表面处，该乙烯基膜T2布置在支撑板T1上以挡住支撑板T1的开口。在改变频率的同时从噪音产生源R产生电磁波，并且从测量目标X辐射的噪音N(电场分布)由与测量目标X间隔开50mm的接收探针D测量。

如图5A所示，准备没有狭缝的根据现有技术的辐射量降低装置900和根据本实施例的辐射水平降低装置101、102，并将其布置在测量目标X的位置处，并且噪音N的辐射量由测量装置测量。

如图5A所示，根据本实施例的辐射量降低装置101、102分别形成有不同尺寸的狭缝SA至SD。即，通过将具有厚度为0.09mm的铜板形成为40mm×40mm的正方形，获得金属板10，并且具0.8mm的狭缝宽度的狭缝SA至SD形成在金属板10中。金属板10的材料不受具体的限制，只要该材料具有导电性即可，并且即使利用其它材料也能获得与以下所述类似的效果。

在此情况下，辐射量降低装置101的引入狭缝S1A至S1D的长度是25mm，并且耦合狭缝S2A至S2D的长度是13mm。辐射量降低装置102的引入狭缝S1A至S1D的长度是25mm，并且耦合狭缝S2A至S2D的长度是15mm。平行位置PA至PD处的狭缝间隔(即，相邻狭缝之间的间隔)是0.6mm。在每个狭缝SA至SD中引入狭缝S1A至S1D和耦合狭缝S2A至S2D之间的角度是90°。狭缝SA至SD具有以盖子区域Ar(即，金属板10)的中央部分O为基准相对彼此旋转90°的形状，以整个地形成为大致十字形状。根据现有技术的辐射量降低装置900使用类似于金属板10的金属板90。

图5B示出了以对根据现有技术的辐射量降低装置900的测量信号I900为0dB将对根据本实施例的辐射量降低装置101、102的测量信号I101、I102进行标准化的测量结果。图5C示出了使用电磁场模拟器以对根据现有技术的辐射量降低装置900的模拟结果C900为0dB将对辐射量降低装置101、102的模拟结果C101、C102进行标准化的结果。

一般地，由于狭缝SA至SD在金属板10中开口，从其泄漏的电磁波添加到二次辐射成分中，因而，与根据现有技术的辐射量降低装置900相比，认为根据本实施例的辐射量降低装置101、102中的噪音N的水平劣化。因而，一般预期辐射量降低装置101、102的测量信号I101、I102变得高于对根据现有技术的辐射量降低装置900的测量信号I900。

然而，与人的预期相反，不仅从图5B而且从图5C明显可见，在电磁波频带的宽范围中，根据本实施例的辐射量降低装置101、102能大大地降低二次辐射成分(噪音N)。这是因为辐射量降低装置101、102能通过将辐射成分引入到狭缝SA至SD中并使用多个狭缝SA至SD将辐射成分互相干涉和抵消而大大地降低二次辐射。

如图6A中所示，准备其中在类似于上述的金属板10中适合地改变狭缝SA至SD的尺寸的根据本实施例的辐射量降低装置103至107，并执行类似于以上所述的测量。

在此情况下，辐射量降低装置103具有1.0mm的狭缝宽度、25mm的引入狭缝S1A至S1D的长度、15mm的耦合狭缝S2A至S2D的长度以及0.4mm的平行位置PA至PD处的狭缝间隔。辐射量降低装置104具有1.2mm的狭缝宽度、25mm的引入狭缝S1A至S1D的长度、13mm的耦合狭缝S2A至S2D的长度以及0.6mm的平行位置PA至PD处的狭缝间隔。辐射量降低装置105具有0.8mm的狭缝宽度、25mm的引入狭缝S1A至S1D的长度、11mm的耦合狭缝S2A至S2D的长度以及0.4mm的平行位置PA至PD处的狭缝间隔。辐射量降低装置106具有1.0mm的狭缝宽度、25mm的引入狭缝S1A至S1D的长度、13mm的耦合狭缝S2A至S2D的长度以及0.2mm的平行位置PA至PD处的狭缝间隔。辐射量降低装置107具有1.4mm的狭缝宽度、25mm的引入狭缝S1A至S1D的长度、15mm的耦合狭缝S2A至S2D的长度以及0.6mm的平行位置PA至PD处的狭缝间隔。

图6B示出了以根据现有技术的辐射量降低装置900的测量信号I900为0dB对辐射量降低装置103至107的测量信号I103至I107的测量结果进行标准化。

即使狭缝SA至SD的尺寸不同，图6B的测量结果也示出了根据本实施例的辐射量降低装置103至107通过具有可靠地耦合辐射成分的狭缝SA至SD能实现二次辐射(噪音N)降低效果。

以下已经描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的示例。

现在将参照图7A至图7F描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置的实施示例。图7A至图7F是描述根据本实施例的辐射量降低装置的实施示例的说明图。

<2-4.辐射量降低装置的实施示例>

如上所述，根据本发明第一实施例的辐射量降低装置100能形成有其中狭缝SA至SD形成在金属板10中的非常简单的结构。尤其是，由于辐射量降低装置甚至不需要接地，辐射量降低装置100不受布置位置的限制，并简单地布置在噪音产生源R的附近，由此能进行各种实施。以下将描述辐射量降低装置100的一些实施示例。

<2-4-1.第一实施示例>

图7A示出了根据本实施例的辐射量降低装置100直接印刷在噪音产生源R的上表面上的情况。在此情况下，辐射量降低装置100可以嵌在噪音产生源R内，而不是在噪音产生源R的上表面上。通过将辐射量降低装置100直接印刷在噪音产生源R上，能容易地构造辐射量降低装置100，并能大大地降低对噪音产生源R的一个表面侧的噪音N的辐射量。在此情况下，期望在噪音产生源R和辐射量降低装置100之间形成有约0.05mm的绝缘保护层。

<2-4-2.第二实施示例>

图7B示出了其中辐射量降低装置100用粘接剂31固定(可以用具有粘接性的密封剂)在噪音产生源R的上表面上的情况作为一体地形成有噪音源R的辐射量降低装置100的实施示例。在此情况下，期望具有绝缘特性的原材料用于粘接剂31等。

<2-4-3.第三实施示例>

图7C示出了其中根据本实施例的辐射量降低装置100固定到屏蔽壳23的情况。噪音产生源R布置在衬底22上，并被屏蔽壳21、23覆盖。辐射量降低装置100用粘接剂、密封剂(未示出)等固定在面对上方的屏蔽壳23的噪音产生源R的位置的内部。显然，辐射量降低装置100可以固定到屏蔽壳23的上部。辐射量降低装置100因而能以任何方式布置在噪音产生源R的附近，这是因为布置位置不受限制。此外，因为不必接地等并且特别地固定装置不是问题，能容易地布置辐射量降低装置100。

<2-4-4.第四实施示例>

图7D示出了根据本实施例的辐射量降低装置100形成为屏蔽壳23的一部分的情况。在此情况下，覆盖屏蔽壳23的噪音产生源R的是金属板10，并且面对金属板10的噪音产生源R的位置是盖子区域Ar。狭缝SA至SD形成在盖子区域Ar中。在此情况下，通过在屏蔽壳23中简单地形成狭缝SA至SD能形成根据本实施例的辐射量降低装置100。

<2-4-5.第五实施示例>

类似于第四实施示例，图7E示出了根据本实施例的辐射量降低装置100直接形成在屏蔽壳23并且金属板10比覆盖噪音产生源R的盖子区域Ar大很多。在此情况下，类似于第四实施示例，由于盖子区域Ar和金属板10不一致，盖子区域Ar的对应于噪音产生源R的上表面的角的外周(角)变成强电场位置VA至VD，并且狭缝SA至SD从强电场位置VA至VD形成。

<2-4-6.第六实施示例>

与第五实施示例不同，图7F示出了其中根据本实施例的辐射量降低装置100直接形成在屏蔽壳23中并且覆盖噪音产生源R的盖子区域Ar与金属板10基本上相同的情况。在此情况下，金属板10的角变成盖子区域Ar的角，并且还变成强电场位置VA至VD。因而，狭缝SA至SD从金属板10的角形成。如图7F所示，狭缝SA至SD期望地形成为延伸到屏蔽壳23中与金属板10不同的侧表面的角部以更有效地将环形电流I引导到中央部分O。这类似于第五实施示例的情况。因而，在第五实施示例中，由于图7E的狭缝SA至SD越过盖子区域Ar延伸到金属板10的端部或者其附近，环形电流I能更有效地引导到中央部分O。

如上已经描述了根据本发明第一实施例的辐射量降低装置100的实施示例。此处所描述的实施示例仅仅是示例，并且辐射量降低装置100的应用不限于这样的实施示例。如上所述，由于辐射量降低装置100形成有很简单的构造并且其布置位置不受限制，能执行各种实施方式。

<2-5.辐射量降低装置的变形>

现在参照图8A至图8E描述根据本发明第一实施例的辐射量降低装置100的变形。图8A至图8E是描述根据本实施例的辐射量降低装置的变形的说明图。

<2-5-1.狭缝数量和布置位置(点对称)>

如上所述，通过用多个狭缝SA至SD的布置实现环形电流衰减操作、辐射电场成分衰减操作、残留的二次辐射成分衰减操作等，根据本实施例的辐射量降低装置100能降低噪音N。如图2A、图2B和图3B所示，当相邻的狭缝在中央部分O方向上引入相位彼此相反的环形电流I或者电压时，实现环形电流衰减操作和辐射电场成分衰减操作。要形成两个或者更多个狭缝以实现环形电流衰减操作和辐射电场成分衰减操作。

然而，如图3A所示，当从每个狭缝SA至SD产生的噪音N变成幅度大致相同的相反相位时实现残留的二次辐射成分衰减操作。为此，与相位相关地，要形成的狭缝的数量期望地为2^N，N是正整数。为了通过使相反相位的噪音N的幅度相等来进一步提高抵消效果，期望以盖子区域Ar的中央部分O为基准来点对称地形成多个狭缝。即，一起描述狭缝的数量和布置位置，形成2^N个狭缝，并且期望以盖子区域Ar的中央部分O为基准2^N次折叠对称形成狭缝。

对于当狭缝数量N＝2时和对于当N大于2时，相同程度地实现环形电流衰减操作、辐射电场成分衰减操作、残留的二次辐射成分衰减操作等。因而，鉴于由于狭缝数量的增大造成狭缝形成步骤的增多，以及辐射量降低装置100的机械强度的降低，狭缝数量期望为N＝2，即，四个。考虑到每个狭缝以点对称地形成，如图8A所示，狭缝SA至SD可以形成在矩形金属板10中。然而，如图1A中所示的实施例中一样，通过使环形电流I的大小、电压E的幅度、相反相位的噪音N的幅度等相等以抵消，四个折叠对称狭缝SA至SD期望形成为各向同性地实现抵消效果。

然而，即使狭缝形成为非2^N的多个，也能实现环形电流衰减操作、辐射电场成分衰减操作等。要注意，即使多个狭缝不点对称地形成，如图8B所示，也能实现环形电流衰减操作、辐射电场成分衰减操作、残留的二次辐射成分衰减操作等。在此情况下，盖子区域Ar的中央部分O可以是金属板10的每个角的对角线的交点或者金属板10的重心位置。

<2-5-2.金属板的形状>

如上所述，狭缝从盖子区域Ar的强电场位置朝着中央部分O形成。在此情况下，如果金属板10比盖子区域Ar大很多(例如，大于或者等于1.5倍)，则如图7D和图7E所示，强电场位置变成盖子区域Ar的外周与噪音产生源R的上表面的角对应的位置。然而，如果盖子区域Ar基本上是金属板10的整个区域，则强电场位置对应于金属板10的角。

为了充分地实现残留的二次辐射成分衰减操作，与相位相关地，形成的狭缝的数量期望为2^N，其中N是正整数。因而，形成有狭缝的强电场位置期望布置相同程度的数量。为此，金属板10期望形成为2^M个角形成在外周处的多边形，其中M是大于或者等于二的正整数。因而，金属板10期望具有4、8、16、32多边形形状等以充分地实现残留的二次辐射成分衰减操作。类似于期望通过使相反相位的噪音N的幅度相等来点对称地形成狭缝以进一步提高抵消效果，还期望点对称地形成金属板。此外，类似于期望四次折叠对称地形成狭缝SA至SD以各向同性地实现抵消效果，期望金属板10是正多边形。

在图8C和图D中示出了金属板10形成为正多边形的情况的示例。在图8C和图8D中，金属板10形成为正八边形。在图8C中，以八次折叠对称地形成八个狭缝SA至SH以满足以上关系。然而，狭缝的数量可不与金属板10的角部的数量一致，因而如图8D所示可以四次折叠对称地形成四个狭缝SA至SD。

如果金属板10没有角或者如图8E所示的椭圆那样形成为从中央部分O到外周的中心距离不相等的形状，则强电场位置VA、VC变成中心距离比其他位置的中心距离长的边缘位置。因而，在此情况下，如图8E所示，多个狭缝SA、SC从作为边缘位置的强电场位置VA、VC形成。

如果金属板10如图8F的圆那样没有形成有该边缘位置，则类似于图7E等，强电场位置VA至VD变成与噪音产生源R的上表面的角对应的盖子区域Ar(即，金属板10)的外周处的位置。因而，在此情况下，如图8F所示，多个狭缝SA至SD从强电场位置VA至VD形成。

<2-6.辐射量降低装置的效果的示例>

以上已经描述了根据本发明实施例的辐射量降低装置100。

根据该辐射水平降低装置100，在位置的上部产生的辐射噪音成分能通过简单地加载在噪音产生源R的上表面上而被分割和被作用抵消。因而，从噪音产生源R产生的电磁波能有效地受到抑制，同时降低二次辐射等的噪音N的产生。在此情况下，抵消的电磁波能量吸收为热量。

能用粘接剂、密封剂等容易地布置辐射量降低装置100，并且由于不执行诸如螺纹装配任务的会降低组装任务效率的任务，能容易地布置辐射量降低装置100。由于能以简单的结构形成辐射量降低装置100，还预期能大大地降低制造成本。

如上所述，由于接地不是必需的，在没有不受到布置位置限制的情况下自由地装载辐射量降低装置100。因而，辐射量降低装置100能适合地布置在期望降低电磁波的多个噪音产生源R的附近，并且即使在存在各种各样的噪音产生源的情况下也能适合地降低噪音。要注意，能通过接地到屏蔽壳等进行使用。

本领域的一般技术人员要理解到，可以取决于设计要求和其他因素进行各种修改、组合、子组合和改变，只要这些修改、组合、子组合和改变在权利要求或者其等同方案的范围内。

例如，在以上所述的实施例中，已经描述了通过引入狭缝S1A至S1D将环形电流I引入到中央部分O一侧并通过耦合狭缝S2A至S2D直接抵消流经相邻狭缝SA至SD的环形电流I等的情况。然而，如图9A所示，可以通过辅助耦合狭缝S11至S14代替耦合狭缝S2A至S2D来间接实现引入和抵消环形电流I的效果。然而，在此情况下，与第一实施例相比，不仅环形电流衰减操作而且辐射电场成分衰减操作和残留的二次辐射成分衰减操作也较低地受到抑制，因而，期望如第一实施例那样直接抵消环形电流I等的构造。

为了实现仅仅用每个狭缝SA至SD降低环形电流I等的效果，如图9B所示，辅助狭缝S3A至S3D和辅助狭缝S4A至S4D可以布置在引入狭缝S1A至S1D的两侧上以代替耦合狭缝S2A至S2D。在此情况下，环形电流I通过引入狭缝S1A至S1D朝着中央部分O引导，然后围绕辅助狭缝流动，使得能降低环形电流I。然而，在此情况下，难以充分地实现环形电流衰减操作和辐射电场成分衰减操作，因而期望如第一实施例那样抵消环形电流I等的构造。

本申请包含与2009年2月3日提交给日本专利局的日本在先专利申请JP2009-22800中公开的有关的主题，其全部内容通过引用而结合于此。

Claims

1.一种辐射量降低装置，包括：

金属板，其能够整体地覆盖用于辐射电磁波的电磁波产生源的至少一个表面；

盖子区域，其设置在所述金属板的面内并用于覆盖整个所述一个表面；以及

多个狭缝，所述多个狭缝在至少所述盖子区域中形成为带状，并且彼此间隔开，其中

所述多个狭缝的每个包括，

引入狭缝，其从所述盖子区域的外周中的强电场位置朝着所述盖子区域的中央延伸而形成，以便通过所述电磁波沿着朝向所述盖子区域的中央的方向引导在环绕所述盖子区域的中央的周向上流动的环形电流，其中所述强电场位置是指在所述盖子区域的外周中由所述电磁波产生源辐射的电磁波所产生的电场比在其他位置所产生的电场强的位置；以及

耦合狭缝，其从所述引入狭缝在所述盖子区域的中央方向的一端以与在一侧相邻的另一引入狭缝平行地延伸而形成，以便将由所述引入狭缝引导的环形电流引导到所述耦合狭缝与所述另一引入狭缝之间，所述另一引入狭缝从所述盖子区域的外周朝向所述盖子区域的中央延伸。

2.根据权利要求1所述的辐射量降低装置，其中，2^N个狭缝形成在所述金属板上，N是正整数。

3.根据权利要求2所述的辐射量降低装置，其中，所述多个狭缝设置为以所述盖子区域的中央部分为基准而彼此点对称。

4.根据权利要求1所述的辐射量降低装置，其中

所述盖子区域是所述金属板的整个区域，

所述金属板形成为从所述盖子区域的中央到所述盖子区域的外周的中心距离不相等，并且

所述强电场位置是所述中心距离比其他位置的中心距离长的边缘位置。

5.根据权利要求4所述的辐射量降低装置，其中

所述金属板形成为在外周具有2^M个角的多边形，M是大于或者等于二的正整数，并且

所述强电场位置是所述角。

6.根据权利要求5所述的辐射量降低装置，其中，所述金属板是正多边形。

7.根据权利要求1所述的辐射量降低装置，其中，所述强电场位置是所述盖子区域的外周上的与所述电磁波产生源的一个表面中的角对应的位置。

8.根据权利要求7所述的辐射量降低装置，其中

所述盖子区域是所述金属板的整个区域，并且

所述金属板形成为从中央到外周的中心距离相等的圆形。