CN101793869A

CN101793869A - 涡流探伤方法和涡流探伤装置

Info

Publication number: CN101793869A
Application number: CN 200910261679
Authority: CN
Inventors: 日比野俊; 藤本贵司; 小松庆亮; 中尾喜之; 高田真�; 阪本诚
Original assignee: Marktec Corp; Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp; Marktec Corp
Priority date: 2008-12-24
Filing date: 2009-12-24
Publication date: 2010-08-04
Also published as: BRPI0921367A2; CA2743834C; EP2369333A4; US8803516B2; WO2010073926A1; JP5213692B2; AR074869A1; EP2369333B1; EP2369333A1; CA2743834A1; BRPI0921367B1; US20120161758A1; JP2010151555A

Abstract

本发明提供涡流探伤方法和涡流探伤装置。该涡流探伤方法具有将检测线圈配置在励磁线圈内的能旋转的涡流探伤探头，用于缩小由检测线圈的旋转位置的变化所引起的检测灵敏度的变化(检测灵敏度偏差)。其中，涡流探伤探头包括安装在圆盘(DS)上的励磁线圈(EC1)、检测线圈(DC1)以及励磁线圈(EC2)、检测线圈(DC2)。当在圆筒状的被检查体(T)的周面上设置涡流探伤探头、并使圆盘(DS)旋转时，由于检测线圈(DC1、DC2)与检查面之间的距离(离开量)发生变化，因此伤痕信号的检查灵敏度也发生变化。为了缩小检测灵敏度的变化，对检测线圈(DC1、DC2)的旋转位置(旋转角度)进行检测而调整检测灵敏度。

Description

涡流探伤方法和涡流探伤装置

技术领域

本发明涉及涡流探伤方法和涡流探伤装置。

背景技术

以往，提出有一种使检测线圈与励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内、一边使检测线圈旋转一边进行探伤的涡流探伤探头(例如参照专利文献1)。

参照图6说明以往的涡流探伤探头。

涡流探伤探头如图6(a)所示，包括薄饼状的励磁线圈EC和四边形(口字形)的检测线圈DC，两个线圈的线圈面正交。利用电动机(未图示)使检测线圈DC以图6(b)的励磁线圈EC的中心轴线P为中心向箭头方向旋转。另外，励磁线圈EC的线圈面面对被检查体T的检查面。

在对图6(b)的被检查体T的伤痕F1～F4进行检测的情况下，通过将涡流探伤探头设置在上述伤痕附近，能够在检测线圈DC旋转时检测所有方向的伤痕F1～F4。但是，涡流探伤探头所能检测的范围受限于检测线圈DC所能旋转的范围。因此，在例如像如图6(c)那样地沿线L进行探伤的情况下，必须使涡流探伤探头间歇性地移向位置Z1、Z2、Z3而在每个位置使检测线圈DC旋转来进行探伤。因而，探伤时间变长。

因此，为了能够连续地在大范围内进行探伤，提出了一种使检测线圈一边旋转一边以规定速度移动的涡流探伤探头(例如参照专利文献2)。

参照图7说明使检测线圈一边旋转一边移动的以往的涡流探伤探头。

涡流探伤探头如图7(a)所示，通过在2个圆盘(未图示)上并列安装具有励磁线圈EC1以及检测线圈DC1的探头、和具有励磁线圈EC2以及检测线圈DC2的探头而构成。圆盘一边以中心轴线P1为中心旋转一边向Y方向移动。

图7(c-1)～(c-4)表示在涡流探伤探头向Y方向移动时的检测线圈DC1、DC2的轨迹。具体而言，若将在检测线圈DC1、DC2旋转一周的期间内的涡流探伤探头向Y方向移动的距离设为S，则图7(c-1)表示S＝0.75×W2时的轨迹，图7(c-2)表示S＝1.0×W2时的轨迹，图7(c-3)表示S＝1.5×W2时的轨迹，图7(c-4)表示S＝2.0×W2时的轨迹。在图7中，实线表示检测线圈DC1的轨迹，虚线表示检测线圈DC2的轨迹。另外，如图7(b)所示，W1相当于检测线圈DC1、DC2的宽度，W2相当于检测线圈DC1、DC2的宽度的2倍。

在图7(c-1)～(c-3)的情况下、即在移动距离S＝0.75×W2～1.5×W2之间的情况下，由于在检测线圈通过被检查体的所有区域，所以能够不遗漏地检测相当于各检测线圈的宽度W1的2倍的W2范围内的伤痕。

在图7(c-4)的情况下、即在移动距离S＝2.0×W2的情况下，在区域E2中，检测线圈的轨迹变疏，伤痕的检测精度比轨迹较密的区域低。因而，最好利用不包含区域E2的上半部分区域来进行探伤。另外，在区域E1中并未显示有检测线圈的轨迹，这是因为，该区域E1相当于检测线圈的旋转开始时期的区域，因此没有检测线圈通过。检测线圈开始旋转并旋转了半圈之后，检测线圈的轨迹为区域E2所示。另外，在图7(c-4)中，区域E3是检测线圈DC2所通过的区域，区域E4是检测线圈DC1所通过的区域。另外，区域E3和区域E4的位置向Y方向彼此错开半圈的旋转量(180度)。

专利文献1：日本国特开2002-214202号公报

专利文献2：日本国特开2007-248169号公报

图6、图7的涡流探伤探头中的检测线圈是旋转的，所以在被检查体的检查面不是平面的情况下(例如在被检查体为圆筒状、圆柱状等的情况下)，检测线圈的位置变化使检测线圈的底部与检查面之间的距离(离开量)发生变化。由此，检测线圈的位置变化导致伤痕信号的检测灵敏度不同。

参照图8说明该检测灵敏度的不同。

图8(a)是在圆筒状的被检查体T的周面设有涡流探伤探头的状态的俯视图，图8(b)是图8(a)的X1-X1的剖视图，图8(c)是图8(a)的X2-X2的剖视图。

在图8(a)中，A状态的检测线圈DC1、DC2停止在它们的线圈轴线与被检查体T的中心轴线L1方向正交的方向上，B状态的检测线圈DC1、DC2停止在它们的线圈轴线与中心轴线L1方向平行的方向上。

若将图8(b)的检测线圈DC1、DC2的底面与被检查体T的检查面之间的距离(离开量)设为HX1、将图8(c)的检测线圈DC1、DC2的底面中央部与被检查体T的检查面之间的距离(离开量)设为HX2，则HX1＜HX2。即、在检测线圈DC1、DC2处于图8(a)的A状态时，离开量最小，在检测线圈DC1、DC2处于图8(a)的B状态时，离开量最大。由于在离开量较小时检测线圈DC1、DC2对伤痕信号的检测灵敏度变高，因此所检测到的伤痕信号的振幅变大。另一方面，由于在离开量较大时检测线圈DC1、DC2对伤痕信号的检测灵敏度变低，因此所检测到的伤痕信号的振幅变小。

因而，在被检查体是圆筒状等那样的检查面不是平面的情况下，由于检查线圈的旋转位置不同使伤痕信号的振幅不同，因此有时会误认振幅较小的伤痕信号，并且伤痕信号的振幅大小不同会影响到对信号的处理。

发明内容

本发明鉴于一边使检测线圈旋转一边进行探伤的涡流探伤探头中的以上问题，目的在于提供一种由检测线圈的位置离开量对伤痕信号的检测灵敏度偏差影响较小的涡流探伤方法以及涡流探伤装置。

为了达到上述目的，第1技术方案的涡流探伤方法使涡流探伤探头旋转，而对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，上述涡流探伤探头是通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的，其特征在于，依据检测线圈的旋转位置将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

第2技术方案的涡流探伤方法使涡流探伤探头旋转，而对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，上述涡流探伤探头是通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的，其特征在于，依据检测线圈的旋转位置所对应的离开量将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

在第1或第2技术方案所述的涡流探伤方法的基础上，第3技术方案的涡流探伤方法的特征在于，上述被检查体为圆筒体或圆柱体。

第4技术方案的涡流探伤装置具有通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的能旋转的涡流探伤探头，对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，其特征在于，该涡流探伤装置包括：旋转位置检测部，其用于对检测线圈的旋转位置进行检测；检测灵敏度调整部，其依据由该旋转位置检测部检测到的旋转位置将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

第5技术方案的涡流探伤装置具有通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而成的能旋转的涡流探伤探头，对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，其特征在于，该涡流探伤装置包括：离开量检测部，其用于对检测线圈的旋转位置所对应的离开量进行检测；检测灵敏度调整部，其依据由该离开量检测部检测到的离开量将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

在第4或第5技术方案所述的涡流探伤装置的基础上，第6技术方案的涡流探伤装置的特征在于，上述被检查体为圆筒体或圆柱体。

采用本发明，使涡流探伤探头旋转地进行探伤，该涡流探伤探头是通过使检测线圈和励磁线圈的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的，因此能够利用一个涡流探伤探头对所有方向的伤痕进行探伤，并且能够通过移动涡流探伤探头而连续在大范围内探伤伤痕。

采用本发明，能够通过对检测线圈的旋转位置或其旋转位置的离开量进行检测而将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值，因此能够以基本恒定的检测灵敏度对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤。因而，在探伤时，不会误认伤痕信号，并且也容易处理伤痕信号。

采用本发明，能够通过对检测线圈的旋转位置进行检测而间接地检测(推测)离开量，因此容易检测离开量，并且能简化该检测装置的结构。

采用本发明，由于直接测量检测线圈的旋转位置所对应的离开量、并依据该离开量调整检测灵敏度，因此能够精密地调整检测灵敏度。

采用本发明，即使被检查体是圆筒体，也能以基本恒定的检测灵敏度对其进行探伤。

附图说明

图1表示本发明的一个实施方式的涡流探伤装置所用的涡流探伤探头的结构。

图2表示图1的涡流探伤探头的检测线圈的旋转位置、离开量以及检测灵敏度的关系。

图3表示图1的涡流探伤探头的用于对检测线圈的旋转位置以及离开量进行检测的装置的结构。

图4是说明在使用图1的涡流探伤探头对圆筒状的被检查体进行探伤的情况下的涡流探伤探头的移动和被检查体的旋转的图。

图5表示具有图1的涡流探伤探头的涡流探伤装置的结构。

图6表示使检测线圈旋转来进行探伤的以往的涡流探伤探头的结构。

图7表示使检测线圈一边旋转一边移动的以往的涡流探伤探头的结构。

图8是说明在使用图7的涡流探伤探头对圆筒状的被检查体进行探伤时的离开量的图。

具体实施方式

参照图1～图5说明本发明的一个实施方式的涡流探伤装置。另外，对各图中的共用部分标注相同的附图标记。

图1的(a)是涡流探伤探头的俯视图，图1的(b)是图1的(a)的X4-X4剖视图，图1的(c)是图1的(a)的X3-X3剖视图。另外，励磁线圈和检测线圈的结构以及配置与图6、图7、图8的涡流探伤探头相同。

图1的涡流探伤探头通过将具有励磁线圈EC1以及检测线圈DC1的探头、和具有励磁线圈EC2以及检测线圈DC2的探头安装在2个圆盘DS上而构成1个涡流探伤探头。励磁线圈EC1、EC2的形状为薄饼状(圆形)，检测线圈DC1、DC2的形状为具有开口的四边形(口字形)。励磁线圈EC1和检测线圈DC1的彼此的线圈面正交(线圈轴线也正交)，将检测线圈DC1配置在励磁线圈EC1内。同样，励磁线圈EC2和检测线圈DC2的彼此的线圈面正交(线圈轴线也正交地)，将检测线圈DC2配置在励磁线圈EC2内。

另外，励磁线圈EC1、EC2的各自的线圈面面对圆盘DS的平面，检测线圈DC1、DC2的线圈轴线平行且线圈面并列设置在被检查体T的中心轴线L1方向所在的同一平面上。并且，圆盘DS如图1的(c)所示，与圆筒状的被检查体T的直径L2方向正交地配置。利用电动机(未图示)使圆盘DS以其中心轴线P1为中心进行旋转。

另外，励磁线圈EC1、EC2的形状并不限定于薄饼状，也可以是椭圆形、四边形。另外，检测线圈DC1、DC2的形状并不限定于四边形，也可以是三角形、椭圆形、圆形。另外，励磁线圈EC1、EC2可以由1个椭圆形或长方形的励磁线圈形成，在该1个励磁线圈内配置检测线圈DC1、DC2。在该情况下，能够简化涡流探伤探头的结构。另外，检测线圈DC1、DC2也可以使彼此的线圈轴线交叉地配置。

接着，参照图2说明图1的涡流探伤探头的检测线圈的旋转位置、离开量以及检测灵敏度的关系。

图2的(a)的A～E表示检测线圈DC1、DC2的旋转位置(旋转角度)，并分别表示检测线圈DC1、DC2的线圈面相对于被检查体T的中心轴线L1方向的角度θ为0度、45度、90度、135度、180度时的旋转位置。另外，图2的(b)表示从图2的(a)的X5方向观察到的旋转位置A～E的侧视图和离开量H，图2的(c)表示处于上述旋转位置时的离开量和伤痕信号的检测灵敏度的大小。

关于旋转位置A～E的离开量H和检测灵敏度，检测线圈DC1、DC2的底面(检查面侧的端面)中央部与检查面之间的距离(离开量)在旋转位置A、E处最小，在旋转位置C处最大，检测灵敏度在旋转位置A、E处最高，在旋转位置C处最低。旋转位置B、D处的离开量和检测灵敏度为旋转位置A、C处的离开量和检测灵敏度的中间大小。即、在检测线圈DC1、DC2的线圈面与被检查体T的中心轴线L1方向平行时，离开量最小，检测灵敏度最高，在检测线圈DC1、DC2的线圈面与被检查体T的管轴线L1方向正交时，离开量最大，检测灵敏度最低。

检测灵敏度随着离开量的变化而变化，离开量随着检测线圈DC1、DC2的旋转位置(旋转角度)的变化而变化。即、检测灵敏度的变化与离开量的变化相关联，离开量的变化与旋转位置的变化相关联，因此检测旋转位置相当于检测离开量。因而，能够通过对检测线圈DC1、DC2的旋转位置进行检测，间接检测(推测)在该旋转位置下的离开量，从而能够依据检测到的旋转位置调整检测灵敏度的变化。另外，能够直接测量各旋转位置所对应的离开量，依据测量到的该离开量更精密地调整检测灵敏度的变化。

另外，由于离开量是检测线圈DC1、DC2与被检查体T的检查面之间的距离，所以离开量是随着被检查体T的曲率变化而变化的。

另外，角度θ是检测线圈DC1、DC2的旋转角度，并且是由具有检测线圈DC1以及励磁线圈EC1的探头、和具有检测线圈DC2以及励磁线圈EC2的探头构成的一组探头的旋转角度，也是安装有上述探头的圆盘DS的旋转角度。

根据下面说明的伤痕信号的检测灵敏度的试验结果，得知图2的(a)的旋转位置A、E处的检测灵敏度是旋转位置C处的检测灵敏度的2～3倍。

试验的各种条件如下所述。

使用线径为0.16mm、匝数为180圈、内径为2.5mm的薄饼状线圈为涡流探伤探头的励磁线圈，使用线径为0.05mm、匝数为120圈、宽度(励磁线圈的直径方向的宽度)为1.5mm的四边形(口字形)线圈为涡流探伤探头的检测线圈。将2个检测线圈的间隔(底部中央部的距离)设为8.4mm和14mm而进行了试验。使用在直径为73mm的钢管上沿图2的(a)的旋转位置A～D的方向形成有长25mm、宽0.3mm、深0.5mm的伤痕的构件为被检查体T。另外，使圆盘DS以5000rpm进行旋转，使被检查体T以管轴线L1为中心以30rpm进行旋转，从而沿周向对被检查体T的表面进行探伤。

根据上述试验结果，以如下方式调整伤痕信号的检测灵敏度。即、在将旋转位置A、E(检测线圈DC1、DC2的线圈面与被检查体T的管轴线L1方向平行时)处的检测灵敏度设为基准值时，将旋转位置C(检测线圈DC1、DC2的线圈面与被检查体T的管轴线L1方向正交时)处的检测灵敏度调整为该基准值的2～3倍。或者，在将旋转位置C处的检测灵敏度设为基准值时，将旋转位置A、E处的检测灵敏度调整为该基准值的1/3～1/2。然后，当在基准值与基准值的2～3倍之间或在基准值与基准值的1/3～1/2之间以线性比例调整旋转位置A、E与旋转位置C之间的检测灵敏度时，能够使检测灵敏度的偏差缩小到不妨碍实际使用的程度。即、关于检测灵敏度最高的旋转位置和检测灵敏度最低的旋转位置，可以将一方的旋转位置上的检测灵敏度设为基准值而调整检测灵敏度，使两个旋转位置上的检测灵敏度基本相同，且根据两个旋转位置上的检测灵敏度以线性比例调整两个旋转位置之间的检测灵敏度。

另外，相对于检测线圈的旋转位置的检测灵敏度的偏差是随着被检查体的曲率变化而变化的，因此在欲更精密地调整检测灵敏度的情况下，也可以预先将用于表示被检查体曲率、与相对于检测线圈的旋转位置的检测灵敏度的偏差的关系的曲率-检测灵敏度偏差特性存储在存储器等中，在开始探伤前选择与被检查体曲率对应的曲率-检测灵敏度偏差特性，对检测灵敏度调整部设定该曲率-检测灵敏度偏差特性。

在上述例子中，说明了检测灵敏度的基准值为最高检测灵敏度或最低检测灵敏度的情况，但也可以将除此之外的检测灵敏度基准值、例如旋转位置B(θ＝45度)处的检测灵敏度设为基准值。在该情况下，调低旋转位置A(θ＝0度)处的检测灵敏度，调高旋转位置C(θ＝90度)处的检测灵敏度。

图3表示用于对检测线圈的旋转位置以及离开量进行检测的装置的结构。

图3的(a-1)、(b-1)是俯视图，图3的(a-2)、(b-2)分别是图3的(a-1)、(b-1)的X6方向的侧视图。

首先，说明图3的(a-1)、(a-2)。

图3的(a-1)、(a-2)表示用于对检测线圈的旋转位置(旋转角度)进行检测的装置的一个例子。另外，在图3(a-1)中，省略表示光检测器MD1～MD4。

在圆盘DS的并列设有检测线圈DC1、DC2的线圈面的位置的延长线上安装有反射镜M1，圆盘DS以中心轴线P1为中心进行旋转。在圆盘DS旋转时，反射镜M1也与圆盘DS一起旋转。另外，在相对于圆盘DS独立的安装构件(未图示)上沿反射镜M1的轨迹以90度的间隔配置有4个光检测器MD1～MD4(MD4未图示)。光检测器MD1～MD4的位置分别相当于图2的θ为0度、90度、180度、270度的位置。反射镜M1每经过光检测器MD1～MD4时，该光检测器MD1～MD4都产生位置信号。根据光检测器MD1～MD4的位置信号能够检测例如检测线圈DC1、DC2相对于被检查体T的中心轴线方向(图2的θ＝0度)的基准位置而言的旋转位置或旋转角度。

具体而言，在光检测器MD1～MD4中分别内置有光源以及光检测元件。在反射镜M1位于光检测器MD1～MD4下方时，自光检测器MD1～MD4的光源射出的光被反射镜M1反射而由光检测器MD1～MD4的光检测元件检测出。另一方面，在反射镜M1不在光检测器MD1～MD4下方时，自光检测器MD1～MD4的光源射出的光照射在圆盘DS的上表面上。在预先利用反射率低的材料至少形成圆盘DS的上表面时，照射在圆盘DS上表面的光的反射光几乎不能被光检测器MD1～MD4的光检测元件检测出。于是，若使光检测器MD1～MD4的光检测元件的受光量变大时光检测器MD1～MD4产生的规定电信号(位置信号)，则能够识别反射镜M1是否位于光检测器MD1～MD4下方。

反射镜M1的安装位置并不限定于图中所示的位置，也可以安装在例如距离反射镜M1为45度的M2位置上。在该情况下，当圆盘DS向顺时针方向旋转时，若使光检测器MD1～MD4的位置信号延迟45度，则与相对于反射镜M1的位置信号相同。

在使用图3的(a-1)、(a-2)所示的装置的情况下，也可以使用发光二极管等光源来代替反射镜M1。在使用发光二极管等光源来代替反射镜M1的情况下，光检测器MD1～MD4无需内置上述光源以及在光检测元件中的光源，只内置光检测元件即可。

图3的(a-1)、(a-2)所示的装置的光检测器MD1～MD4并不限定于4个，也可以例如间隔45度地配置从而增加个数。在该情况下，能够更加精密地对检测线圈DC1、DC2的旋转位置进行检测。另外，在欲更进一步精密地对检测线圈DC1、DC2的旋转位置进行检测的情况下，可以将转动角传感器(rotatyencoder，旋转编码器)安装在圆盘DS的转轴上。

图3的(a-1)、(a-2)所示的装置只通过对在安装于圆盘DS上的反射镜、光源等通过光检测器时的位置信号进行检测、就能对检测线圈的旋转位置(旋转角度)进行检测，因此能简化装置的结构。

下面，说明图3的(b-1)、(b-2)。另外，在图3的(b-1)、(b-2)中，省略了励磁线圈、检测线圈的附图标记(与图3的(a-1)、(a-2)相同)。另外，在图3的(b-1)中，省略表示激光测距计LD11～LD22。

图3的(b-1)、(b-2)表示用于直接测量检测线圈DC1、DC2的底面中央部与被检查体T的检查面之间的距离(离开量)H的装置的一个例子。

在圆盘DS上的沿着检测线圈DC1的线圈轴线方向的励磁线圈EC1的外侧两处分别形成透光部(透过孔)LH11、LH12，在沿检测线圈DC2的线圈轴线方向的励磁线圈EC2的外侧两处分别形成透光部LH21、LH22。圆盘DS以中心轴线P1为中心进行旋转。在透光部LH11、LH12上分别与其面对地配置有激光测距计LD11、LD12(只图示LD12)，在透光部LH21、LH22上分别与其面对地配置有激光测距计LD21、LD22(只图示LD22)。4个激光测距计LD11～LD22以面对透光部LH11～LH22的状态与圆盘DS一起旋转。

激光测距计LD11～LD22借助透光部LH11～LH22将光投射在被检查体T的检查面上而接收来自该检查面的反射光，从而测量检测线圈DC1、DC2的旋转位置(旋转角度)所对应的离开量。通过求出由激光测距计LD11、LD12测得的离开量的平均值来求得检测线圈DC1的离开量，通过求出由激光测距计LD21、LD22测得的离开量的平均值来求得检测线圈DC2的离开量。

图3的(b-1)、(b-2)所示的装置用于直接测量检测线圈的各旋转位置所对应的离开量，因此能够精密地调整各旋转位置上的检测灵敏度。另外，除了本实施方式中的激光测距计、也可以使用涡流式位移计测量离开量。另外，也能根据励磁线圈EC1、EC2的阻抗(impedance)的变化来测量离开量。

图4是用于说明在使用图1的涡流探伤探头对圆筒状的被检查体进行探伤的情况下的涡流探伤探头的移动和被检查体的旋转的图。

图4的(a)是一边使圆盘DS以中心轴线P1为中心向箭头方向(顺时针方向)旋转、一边使涡流探伤探头向Y1方向移动来进行探伤的例子。图4的(b)是一边使圆盘DS向顺时针方向旋转、一边使涡流探伤探头向Y1方向移动、并使被检查体T以其中心轴线为中心向Y2方向旋转来进行探伤的例子。在图4的(b)的情况下，也可以使涡流探伤探头沿被检查体T的周向旋转来代替使被检查体T旋转。

图5表示具有图1的涡流探伤探头的涡流探伤装置的结构。

图5的(a)表示设在被检查体T上的涡流探伤探头的俯视图(图5的(b)的X7-X7的俯视图(局部剖视图))和涡流探伤装置的框图，图5的(b)表示涡流探伤探头的侧视图。

在圆盘DS上安装有反射镜M1、串联连接的励磁线圈EC1、EC2、串联连接的检测线圈DC1、DC2，圆盘DS安装在转轴21上。利用电动机23使转轴21旋转。光检测器MD1、MD2、MD3、MD4安装在安装构件22上、且以90度的间隔配置。光检测器的配置间隔并不限定于90度，若设成45度或更小的角度，则能更精密地检测旋转位置。

励磁线圈EC1、EC2受到自励磁电源部11供给的励磁电流的作用而在被检查体T的检查面上产生涡电流。当被检查体T的检查面存在伤痕时，涡电流发生紊乱，由于该涡电流的紊乱在检测线圈DC1、DC2中因感应而产生电压。检测线圈DC1、DC2的感应电压被供给到伤痕信号产生部12。伤痕信号产生部12根据该感应电压产生伤痕信号，并将该伤痕信号供给到振幅调整部(增益调整部)13。

每当光检测器MD1、MD2、MD3、MD4经过圆盘DS的反射镜M1时都产生位置信号，并将该位置信号供给到旋转位置检测部(旋转角度检测部)14。旋转位置检测部14根据位置信号对检测线圈DC1、DC2的旋转位置(旋转角度)进行检测。检测灵敏度调整部15根据与检测灵敏度基准值(例如最高检测灵敏度)对应的旋转位置(例如图2的θ＝0度)、和由旋转位置检测部14检测出的旋转位置求得检测灵敏度的调整量，产生与该检测灵敏度调整量相应的检测灵敏度调整信号。振幅调整部13根据检测灵敏度调整信号调整伤痕信号的振幅。振幅调整部13的伤痕信号的振幅与检测线圈DC1、DC2的旋转位置无关，是基本恒定的。

具体而言，旋转位置检测部14对例如从光检测器MD1供给了位置信号的时刻开始的经过时间进行计数。然后，在计数的该经过时间上乘以预先输入的圆盘DS的旋转速度设定值，从而算出以反射镜M1面对光检测器MD1时的旋转位置(即、光检测器MD1供给了位置信号的时刻的旋转位置)为起算点时的旋转位置的变化量。接着，在自光检测器MD2供给位置信号的同时、旋转位置检测部14清零上述计数的经过时间，重新对从光检测器MD2供给了位置信号的时刻开始的经过时间进行计数。然后，将计数的该经过时间乘以圆盘DS的旋转速度设定值，从而算出以反射镜M1面对光检测器MD2时的旋转位置(即、光检测器MD2供给了位置信号的时刻的旋转位置)为起算点时的旋转位置的变化量。之后，旋转位置检测部14反复进行相同的操作步骤，从而对线圈DC1、DC2的旋转位置(例如以图2的θ＝0度的位置为基准位置的旋转位置)进行检测。

在伤痕信号显示存储部16上显示振幅调整部13的伤痕信号。并且依据需要将伤痕信号存储在存储器等中进行保存。

另外，由于相对于检测线圈的旋转位置的检测灵敏度的偏差随着被检查体曲率的变化而变化，因此也可以预先将用于表示被检查体曲率、与检测线圈的旋转位置上的检测灵敏度的偏差之间的关系的曲率-检测灵敏度偏差特性存储在曲率-检测灵敏度存储部17的存储器等中，在开始探伤前选择与被检查体曲率对应的曲率-检测灵敏度偏差特性而在检测灵敏度调整部15上进行设定。在该情况下，也可以将被检查体的曲率输入曲率-检测灵敏度存储部17后，自动选择曲率-检测灵敏度偏差特性。

作为图5的涡流探伤装置，也可以采用直接测量检测线圈的各旋转位置所对应的离开量的装置(例如图3的(b-1)、(b-2)的装置)来代替反射镜和光检测器。在该情况下，将所测得的离开量输入旋转位置检测部14中即可。

在本实施方式中，说明了被检查体为圆筒状的例子，但被检查体并不限定于圆筒状体，也可以是椭圆筒状体、圆柱状体、椭圆柱状体等、以及由于检测线圈的旋转位置发生变化导致检测线圈与检查面之间的距离(离开量)发生变化的被检查体。

Claims

1.一种涡流探伤方法，其使涡流探伤探头旋转，而对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，上述涡流探伤探头是通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的，其特征在于，

依据检测线圈的旋转位置将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

2.一种涡流探伤方法，其使涡流探伤探头旋转，而对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，上述涡流探伤探头是通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而构成的，其特征在于，

依据检测线圈的旋转位置所对应的离开量将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

3.根据权利要求1或2所述的涡流探伤方法，其特征在于，

上述被检查体为圆筒体或圆柱体。

4.一种涡流探伤装置，其具有通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而成的能旋转的涡流探伤探头，对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，其特征在于，

该涡流探伤装置包括：旋转位置检测部，其用于对检测线圈的旋转位置进行检测；检测灵敏度调整部，其依据由该旋转位置检测部检测到的旋转位置将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

5.一种涡流探伤装置，其具有通过使检测线圈和励磁线圈的彼此的线圈面正交地将检测线圈配置在励磁线圈内而成的能旋转的涡流探伤探头，对由于检测线圈的旋转位置发生变化使检测线圈与检查面的离开量发生变化的被检查体进行探伤，其特征在于，

该涡流探伤装置包括：离开量检测部，其用于对检测线圈的旋转位置所对应的离开量进行检测；检测灵敏度调整部，其依据由该离开量检测部检测到的离开量将伤痕信号的检测灵敏度调整为检测灵敏度基准值。

6.根据权利要求4或5所述的涡流探伤方法，其特征在于，

上述被检查体为圆筒体或圆柱体。