CN101785113A - 用于太阳能电池中的烧透应用的厚膜膏 - Google Patents
用于太阳能电池中的烧透应用的厚膜膏 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了制备太阳能电池接触层以及由其制备的太阳能电池的配方和方法。本发明提供了包含前接触层、后接触层以及背接触层的太阳能电池。所述后接触层在烧成之前包含钝化层，在所述钝化层上施加包含铝和玻璃组分的膏，其中铝膏包含铝、另外任选的金属、玻璃组分和载体。后接触层在烧成之前包含钝化层，在所述钝化层上施加铝膏，其中所述铝膏包括铝、玻璃组分和载体。
Description
技术领域
本发明涉及由铝源、至少一种其它金属的源和分散在有机体系中的玻璃料制成的铝导体配方。该配方可以烧透钝化层，由此允许在基于硅片的光电池的后侧面上使用钝化层。该配方可以丝网印刷并且适合用于制造光伏元件，特别是太阳能电池的后侧接触层。
背景技术
太阳能电池通常由半导体材料例如硅(Si)制成，它将太阳光转化成有用的电能。太阳能电池接触层通常由薄的硅晶片制成，其中所必须的PN结通过将来源于合适磷源的磷(P)扩散到P型Si晶片中来形成。在太阳光入射的硅晶片侧面上通常覆盖有抗反射涂层(ARC)，以防止太阳光的反射损失。这种ARC增加了太阳能电池的效率。被称为前接触层(front contact)的二维电极格栅图形连接到硅的N侧，而主要为铝(Al)构成的涂层连接到硅的P侧(后接触层(back contact))。进一步地，被称为银背面接触层(rear contact)的接触层(由银或者银-铝膏制成)被印刷且烧成在硅的p侧上，以能够使在太阳能电池组中的一个电池电连接到下一个电池的接触端能够焊接。这些接触层都是从PN结到外部负载的电出口。
硅晶片的后侧面通常包含Al膏，但是通常缺乏ARC。传统的后侧Al膏不能烧透典型的ARC材料例如SiNx、SiO2和TiO2。相反地，在硅的前侧上烧透良好的膏不会形成背面场(BSF)层，因此不适合用于太阳能电池后接触层。
因此，在现有技术中对既(1)可以烧透钝化层(SiNx或SiO2或TiO2)又(2)可以同时在硅的后侧面上实现BSF形成的后侧膏仍有改进的余地。
目前，典型的太阳能电池硅晶片的厚度为约200～300微米，并且发展趋势是更薄的硅晶片。因为硅晶片的成本为电池制造成本的约60％，所以该产业正寻求甚至更薄的晶片，接近150微米。当硅晶片厚度降低时，由于烧结应力所导致的电池弯曲的趋势增加，这是由Al热膨胀系数(TCE)(232×10-7/℃@20～300℃)和Si热膨胀系数(TCE)(26×10-7/℃@20～300℃)之间的巨大差异而产生的。
减少硅晶片弯曲的已知方法包括减少在丝网印刷过程中的铝含量，其导致不完全形成背表面场BSF层，并且为了达到相同的效果而需要更高的烧成温度。化学(酸)蚀刻已经被用于去除在烧成铝膏之后所形成的Al-Si合金，这只是在制造工艺中导致额外成本的另一个步骤。
另一种方法是采用添加剂以减少Al层和硅晶片之间的热膨胀失配。然而，缺点是背面钝化质量的降低以及伴随的太阳能电池性能的降低。通过将硅晶片的一部分背面用铝覆盖，这种部分覆盖被应用于星辰背表面场以抵消导致电池性能降低的弯曲。
最后，另一种减少或消除弯曲的传统方法是将制成的太阳能电池在烧成之后于几秒钟之内从室温降到-50℃。利用Al-Si膏基体的塑性变形，极大地消除弯曲，但这也意味着额外的工艺步骤，并且存在由于热应力而破损的高风险。
因此，光伏产业中需要一种太阳能电池接触层中形成足够BSF层的低弯曲、高性能的铝膏、制备所述接触层的方法以及也可以烧透钝化层的Al膏。
发明内容
本发明提供了一种包含硅晶片负载的后接触层的光电池，所述后接触层包含至少部分覆盖有烧成后的后侧膏的钝化层，所述后侧膏包含铝和玻璃组分。
本发明的进一步实施方式是一种光电池，其包含：
(a)前接触层，所述前接触层包含在其上施加银膏的钝化层，所述银膏在烧成之前包含银、玻璃组分和载体；以及
(b)后接触层，所述后接触层包含在其上施加铝膏的钝化层，所述铝膏在烧成之前包含铝、玻璃组分和载体。
本发明的另一实施方式包括制造光电池的方法，其包括：
(a)提供具有第一侧面和第二侧面的硅晶片；
(b)将磷源施加在所述硅晶片的第一侧面上；
(c)烧成所述晶片以在所述硅晶片的第一侧面上形成含磷玻璃层；
(d)从所述硅晶片的第一侧面上去除所述含磷玻璃层的至少一部分；
(e)磨光所述硅晶片的第二侧面；
(f)将钝化层施加在所述晶片的第一侧面和第二侧面上；
(g)将银膏施加在所述第一侧面上，该银膏在烧成之前包含银、玻璃组分和载体；
(h)将铝膏施加在所述第二侧面上，该铝膏在烧成之前包含铝、玻璃组分和载体，
其中(g)和(h)可以以任何顺序进行，以及
(i)将所述晶片烧成足以将银粘附在所述前侧面上以及将铝粘附在所述后侧面上的一段时间和温度，由此形成前接触层和后接触层。
本发明的另一实施方式提供一种厚膜膏组合物，其包含约40～约80wt％的铝以及约0.1～约50wt％的银。
最后，本发明的实施方式是一种包含后接触层的太阳能电池，其中所述后接触层在烧成之前包含厚膜膏组合物，该厚膜膏组合物包含约40～约80wt％的铝和约0.1～约50wt％的银。
本文所述的膏可以用于形成在除了太阳能电池以外的应用中，以及使用其它衬底例如玻璃、陶瓷、搪瓷、氧化铝和金属芯部衬底中的导体。例如，本发明的实施方式是包括含铝、玻璃组分和至少一种其它金属的电路的装置，所述至少一种其它金属选自以下金属所组成的组：钯、银、铂、金、硼、镓、铟、锌、锡、锑、镁、钾、钛、钒、镍、铜以及它们的组合，其中所述装置选自以下所组成的组：MCS加热器、LED照明设备、厚膜混合电路、燃料电池系统和汽车用电子设备。
本发明的组合物和方法通过如下方式克服现有技术的缺点，即通过使后接触层组分，通常是硅与铝之间的相互作用、结合和接触形成最优化，并且允许使用后接触层钝化层，这使太阳能电池的效率进一步改进。
本发明的前述和其他特征将在下文更全面地进行描述，并且在权利要求中特别指出，以下说明书详细阐述了本发明的一些示例性实施方式，但是，这些实施方式只是表示了本发明的原则可以被应用的几个不同的方式。
附图说明
图1A-1E提供了简要说明制造半导体器件的工艺流程图。图1A-1E所示的标号说明如下。
10：p-型硅衬底
20：n-型扩散层
30：前侧钝化层/抗反射涂层(例如SiNx、TiO2、SiO2膜)
35：后侧钝化层(例如SiNx、TiO2、SiO2膜)
40：P+层(背面场，BSF)
60：在后侧面上形成的铝-(16-金属)膏
61：显示烧透钝化层和BSF形成的烧成后铝-(16-金属)背电极
70：在后侧面上形成的银或银/铝膏
71：(通过烧成后侧面银膏所获得的)银或银/铝背电极
80：在银铝后侧膏或电极中的间隙
500：在前侧面上形成的银膏
501：在烧透ARC之后的银前电极
具体实施方式
本发明主要涉及包含铝和玻璃，或者铝、玻璃和至少一种其它金属的导电膏配方，其适用于包括硅半导体器件的各种应用例如光电池(PV)，通常被称作为太阳能电池。特别是，它是关于用于形成太阳能电池的厚膜电极的导电组合物，即膏。本发明进一步涉及Al导电厚膜组合物以实现烧透硅太阳能电池中的后侧ARC。ARC可以包括SiNx、SiO2或TiO2中的任何一种或所有，并且还用作钝化层。术语“ARC”和“钝化层”将在本文中互换适用。该配方通常可以丝网印刷且适用于光电池，然而，可以使用其它工艺例如喷雾、热熔印刷、压印、喷墨印刷以及带层压技术(tape lamination technique)，使用合适改性的有机物。本发明将能够使太阳能制造商使用新型太阳能电池设计，从而获得更高的效率，并且允许使用更薄的晶片，这导致在大规模生产中实质上节省成本。本发明还允许在某些电池设计中使用与传统的太阳能电池相比更少的后侧Al膏，这导致进一步节省成本。
本文的导体厚膜组合物允许通过所述Al膏很好地烧透后侧钝化层，以及允许在硅-铝界面上有效形成2～10微米的BSF层。一般认为在硅晶片的后侧面上使用钝化层例如SiNx意思是指缺少钝化层不再是薄、大面积晶片的太阳能电池效率的限制因素。或者，本发明的膏还可以用于某些要求受控的BSF区域的非烧透应用。一般认为在后接触层中使用铝有助于减少银迁移。
本发明的膏还可用于其中被施加在硅晶片的前侧面上的钝化层污染后侧(即后侧钝化是不希望的)的情况，其目的是烧透这种被污染的后侧钝化层。
为了在硅-铝界面上生产有效的BSF层，本发明提供一种导体厚膜膏，该厚膜膏在烧成之前包含铝颗粒；其它金属例如银、铜、镍的颗粒以及其它如硅掺杂剂；玻璃颗粒以及有机载体。所述膏通常被施加在p-型硅衬底的后表面(预先涂覆钝化层例如SiNx或TiO2或SiO2)上。
本发明提供一种光电池，其包含硅晶片负载的后接触层，所述后接触层包含至少部分覆盖有烧成后的后侧膏的钝化层，所述后侧膏包含铝和玻璃组分。
本发明的另一实施方式是光电池，其包含：
(c)前接触层，所述前接触层包含在其上施加银膏的钝化层，所述银膏在烧成之前包含银、玻璃组分和载体；以及
(d)后接触层，所述后接触层包含在其上施加铝膏的钝化层，所述铝膏在烧成之前包含铝、玻璃组分和载体。
本发明的另一实施方式包括制造光电池的方法，其包括：
(j)提供具有第一侧面和第二侧面的硅晶片；
(k)将磷源施加到所述硅晶片的第一侧面上；
(l)烧成所述晶片以在所述硅晶片的第一侧面上形成含磷玻璃层；
(m)从所述硅晶片的所述第一侧面上去除所述含磷玻璃层的至少一部分；
(n)磨光所述硅晶片的所述第二侧面；
(o)将钝化层施加在所述晶片的所述第一侧面和所述第二侧面上；
(p)将银膏施加在所述第一侧面上，该银膏在烧成之前包含银、玻璃组分和载体；
(q)将铝膏施加在所述第二侧面上，该铝膏在烧成之前包含铝、玻璃组分和载体，
其中(g)和(h)可以以任何顺序进行，以及
(r)将所述晶片烧成足以将银粘附在所述前侧面上以及将铝粘附在所述后侧面上的一段时间和温度，由此形成前接触层和后接触层。
本发明的实施方式提供一种厚膜膏组合物，其包含约40～约80wt％的铝和约0.1～约50wt％的银。
本发明的另一实施方式是包含后接触层的太阳能电池，其中，所述后接触层在烧成之前包括含约40wt％～约80wt％的铝和约0.1wt％～约50wt％的银的厚膜膏组合物。还可以包含选自由钯、铂、金、硼、镓、铟、锌、锡、锑、镁、钛、钾、钒、镍、铜以及它们的组合所组成的组中的其它金属代替铝，或者除了银以外包含所述其它金属。
本发明的膏还可以用于形成在除了太阳能电池以外的应用以及使用其它衬底例如玻璃、陶瓷、搪瓷、氧化铝和金属芯部衬底中形成导体。例如，本发明的实施方式是包括含有铝、玻璃组分和至少一种其它金属的电路的器件，所述至少一种其它金属选自由钯、银、铂、金、硼、镓、铟、锌、锡、锑、镁、钾、钛、钒、镍、铜以及它们的组合所组成的组，其中所述器件选自由MCS加热器、LED照明设备、厚膜混合电路、燃料电池系统以及汽车用电子设备所组成的组。
本发明的另一实施方式提供一种能够烧透所述钝化层的厚膜膏组合物，其包含约40～约80wt％的铝和约0.5～约10wt％的玻璃。
最后，本发明的实施方式是太阳能电池阵列或者太阳能电池组合板，其包括含有本文所公开的任何后侧铝膏的本文所公开的任何太阳能电池。
本发明的优选实施方式包括将金属分组为如下所示：钯、银、铂、金以及它们的组合(高导电性或高导电性改性剂)；硼、镓、铟以及它们的组合(p型硅的三价掺杂剂)；锌、锡、锑以及它们的组合(低熔点金属)；以及镁、钛、钾、钒、镍、铜以及它们的组合(晶粒改性剂/精炼剂)。
广泛地，包含铝和玻璃料的厚膜膏被用于制备硅基太阳能电池的后接触层，以将通过曝光所产生的电流传到到外部负载。具有由丝网印刷的铝后接触层的太阳能电池被烧成至相对低的温度(550℃～850℃晶片温度；650～1000℃的炉设定温度)，以在硼掺杂的硅晶片的p-侧面与铝基膏之间形成低的电阻接触层。用于制造太阳能电池的方法也是可以想到的。
由于大面积融化以及Al-掺杂(p+)外延生长的Si层的再固化，含有铝和玻璃的膏被用于在太阳能电池的后侧面上形成低电阻的欧姆接触，由于改进的BSF，这增加了太阳能电池性能。对于优化的性能，厚的p+再生长区域被认为是理想的。在烧成过程中，通过硅的液相外延生长，p+层由铝-硅(Al-Si)熔体形成在底层硅上。还认为将金属杂质排除在外延生产的p+层之外导致高的载体寿命。这两个因素被认为增加开路电压，更重要地，随着体电阻的增加，开路电压仅仅稍微下降。因此，由于在Al后接触层中形成基本上外延再生长的p+层，改善了太阳能电池性能。
铅玻璃通常被用于膏中，这是由于它们优异的低熔点特性与它们的优良润湿性能。由于环境原因，所希望的是使用无铅无镉的玻璃，或者至少基本上没有铅和镉的玻璃。高铋的无铅无镉玻璃允许在制备前接触层中低的烧成温度，这是由于它们在相对低的温度下的优异流动性能。碱金属-钛-硅酸盐玻璃是获得更低的烧成温度的另外路线。
本发明的膏可以通过将各个组分(即金属、玻璃料和有机载体)混合，或者通过将其为Al基的膏(主要组分)与银或其它金属或者获得所希望目的的金属的合金(次要组分)混和来制备。广泛理解地，本发明的膏包括含有至少铝、玻璃和载体的导电金属。每个组分详细描述如下。
金属组分。烧透的膏的主要金属组分是铝。使用铝是因为它形成p+/p表面，并且提供用于增强太阳能电池性能的BSF。本发明的后侧烧透膏包括约40～约80％的铝，优选约60～约80％的铝，更优选约65～约75％的铝。然而，Al自身并不能烧透所述钝化层，需要其它金属以渗透非导电的钝化层。
其它金属或合金为所述膏的约0.5wt％～约50％铝，以帮助实现铝烧透所述钝化层。在局部应用(其中金属膏覆盖即小于后接触层表面总面积的约10％)中，弯曲并不是关键的，并且可以使用球形粉末形态的银和铝。然而，当整个后接触层完全覆盖Al膏时，使收缩率最小的形态例如片式是优选的。Al颗粒通常为约2～约20微米，优选为约3～约10微米。其它金属颗粒为约2～约20微米，更优选为约2～约8微米。优选具有99+％纯度的Al以及其它金属/合金以使太阳能电池的电性能最优化。
金属的物理和化学形式。本发明的所有金属可以几种物理和化学形式的一种或多种形式来提供。广泛地，金属粉、片、盐、氧化物、玻璃、胶体以及有机金属是合适的。通常，金属粉尺寸为约0.1～约40微米，优选最高约10微米。更优选地，所述金属颗粒尺寸与在后接触层中所述的铝和银颗粒的尺寸相一致。此外，通常所述16种金属可以以离子盐的形式提供，例如所述金属的氯化物、碳酸盐、氢氧化物、磷酸盐、硝酸盐、硫酸盐和亚硫酸盐。还可以使用任何所述金属的有机金属化合物，包括但不限于醋酸盐、甲酸盐、羧酸盐、邻苯二甲酸盐、异酞酸盐、对苯二甲酸盐、富马酸盐、水杨酸盐、酒石酸盐、葡萄糖酸盐，或者螯合物例如与乙二胺(en)或乙二胺四乙酸(EDTA)的螯合物。对于本领域技术人员来说，将很容易想到包含所述16种金属中的至少一种的其它合适的粉末、盐、氧化物、玻璃、胶体和有机金属。通常，铝和所述16种金属以金属粉末或片的形式提供。
例如，所述膏可以包含约80～约99wt％的球形金属颗粒，或者可选择地包含约35～约75wt％的金属颗粒和约29～约55wt％的金属片。可选择地，所述膏可以包含约75～约90wt％的金属片和约5～约9wt％的胶体金属，或者约60～约95wt％的金属粉末或金属片以及约4～约20wt％的胶体金属。
上述金属的颗粒、片和胶体形式的上述组合并不打算限制于其中本领域技术人员将会了解到的，并且其他组合是可能的。铝颗粒的合适商业化实例可以是从美国铝业公司(Alcoa，Inc.，Pittsburgh，PA)；美国Ampal公司(Ampal Inc.，Flemington，NJ)；以及德国ECKA公司(ECKA Granulate Gmbh & Co.，Fürth，德国)获得的。
除了铝以外的导电金属的含量并没有特别限制，只要它的量可以获得本发明的目的。然而，优选地，本文的膏组合物包含约0.1～约50wt％的除铝以外的金属或合金，以获得所希望的性能例如银、铜、镍或镁。特别是，某些实施方式包含约0.1～约50wt％的银，1～约25wt％的银，更优选约1～约10wt％的银。另外的实施方式包含约3～约50wt％的铜，优选约3～约15wt％的铜，更优选约3～约10wt％的铜。另外的实施方式包含约1～约50wt％的镍，优选约5～约25wt％的镍，更优选约5～约15wt％的镍。在其它的实施方式中，所述膏包含约1～约50wt％的镁，优选约3～约25wt％的镁，更优选约5～约15wt％的镁。所述膏还可以包含约1～约50wt％的硼，优选约5～约25wt％的硼。本文可以想到包含上述金属的接触层和太阳能电池。
在本发明中银掺杂硅是一种优选的路线，然而，选自以下组的其它导电金属：例如(a)钯、银、铂、金以及它们的组合(高导电性或高导电性改性剂)；(b)硼、镓、铟以及它们的组合(p型硅的三价掺杂剂)；(c)锌、锡、锑以及它们的组合(低熔点金属)；以及(d)镁、钛、钾、钒、镍、铜以及它们的组合(晶粒改性剂/精炼剂)。还可以使用另外的合金例如Al-Cu、Al-Mg、Al-Si、Al-Zn和Al-Ag，以及Ag-Pd、Pt-Au、Ag-Pt用于硅掺杂。还可以使用所述16种金属的混合物用于本文所述的膏、接触层和太阳能电池。
膏玻璃。所述膏包含约0.5～约10wt％，优选约0.5～约8wt％，更优选约0.5～约5wt％，甚至更优选约0.5～约2.5wt％的粉末玻璃组分。该玻璃组分在烧成之前包含一种或多种玻璃组合物。每种玻璃组合物包含氧化物玻璃料，在一种实施方式中包含Bi2O3、碱金属氧化物、B2O3和SiO2。在另外实施方式中，所述玻璃组合物包括碱金属氧化物、TiO2和SiO2。在另外实施方式中，所述玻璃组合物包含PbO。具体地，在本发明的不同实施方式中，用于后接触层的玻璃组合物可以表1-3中找到。表中的词条“20种三价氧化物”是指一种或多种以下元素的三价氧化物，所述元素选自由Al、Ga、In、Sc和Y以及原子序数为57～71的元素所组成的组。在配制所述膏中，所述玻璃料的典型粒径为约0.2～约10微米，尽管正如在本技术领域中所熟知的可以使用其他的粒径。优选用于所述膏配方中的玻璃粉末具有在300℃～700℃范围内，优选在400℃～550℃范围内的Tg。
参见表1-3，可以使用一种以上的玻璃组合物，还可以设想包含在相同表中的不同栏中的量的组合物。如果使用第二玻璃组合物，该玻璃组合物的比例可以变化，从而控制膏与硅相互作用的程度，并且由此控制所获得的太阳能电池性能，而且控制硅晶片的弯曲。举例来说，在玻璃料组分内，第一和第二玻璃组合物可以以约1∶20～20∶1的重量比，优选约1∶5～5∶1的重量比存在。该玻璃组分优选不含铅或铅的氧化物，也不合镉或镉的氧化物。然而，在某些实施方式中，PbO的特性是不可替代的，所述实施方式有利地包含PbO。表中例如“Li2O+Na2O+K2O”词条表示Li2O、Na2O、K2O和Rb2O的总量落在特定的范围内。在具有零下限的每种范围中，其优选实施方式是与具有0.1％下限的范围相同。
表1.以摩尔百分数计的用于铋基后接触层玻璃的氧化物玻璃料成分
| 玻璃组合物 | I | II | III |
| 成分 | |||
| Bi2O3 | 5-85 | 10-75 | 12-50 |
| B2O3+SiO2 | 5-75 | 15-75 | 34-71 |
| ZnO | 0-55 | 0-20 | 0-12 |
| Li2O+Na2O+K2O | 0-40 | 5-30 | 10-30 |
| 20种三价氧化物 | 0-25 | 0-20 | 3-10 |
| Sb2O5+Nb2O5 | 0-40 | 0-30 | 0-20 |
| TiO2+ZrO2 | 0-20 | 0-10 | 1-6 |
表2.以摩尔百分比计用于碱金属-钛-硅酸盐后接触层玻璃的氧化物玻璃料成分
| 玻璃组合物 | IV | V | VI |
| 成分 | |||
| Li2O+Na2O+K2O | 5-55 | 15-50 | 30-40 |
| TiO2 | 2-26 | 10-26 | 15-22 |
| B2O3+SiO2 | 5-75 | 25-70 | 30-52 |
| V2O5+Sb2O5+P2O5 | 0-30 | 0.25-25 | 5-25 |
| MgO+CaO+BaO+SrO | 0-20 | 0-15 | 0-10 |
| F | 0-20 | 0-15 | 5-13 |
表3.以摩尔百分数计的用于铅基后接触层玻璃的氧化物玻璃料成分
| 玻璃组合物 | IV | V | VI |
| 成分 | |||
| PbO | 15-75 | 25-66 | 50-65 |
| B2O3+SiO2 | 5-75 | 20-60 | 24-45 |
| ZnO | 0-55 | 0.1-35 | 0.1-25 |
| Li2O+Na2O+K2O | 0-40 | 0-30 | 0-10 |
| TiO2+ZrO2 | 0-20 | 0-10 | 0.1-5 |
| 20种三价氧化物 | 0-25 | 0.1-20 | 1-10 |
在优选的实施方式中，所述玻璃组分包含：约12～约50摩尔％的Bi2O3；约25～约65摩尔％的SiO2；约5～约15摩尔％的B2O3；约4～约26摩尔％的K2O；TiO2，其中TiO2的含量不超过约10摩尔％；以及选自以下所组成的组中的元素的氧化物：Li、Na、K、Sb以及它们的组合，条件是所述氧化物的组合总量不超过所述组合物的约40摩尔％，优选至少为所述组合物的约1摩尔％。在含有碱金属氧化物的优选实施方式中，所述玻璃组分含有约1～约15摩尔％的Li2O；约8～约25摩尔％的Na2O；约3～约25摩尔％的K2O；约8～约22摩尔％的TiO2；约25～约50摩尔％的SiO2；约2～约18摩尔％的V2O5；约0.25～约5摩尔％的P2O5，可以进一步包含氟化物，其含量不超过约20摩尔％。
在另一优选的实施方式中，所述组合物包含一种或多种下列成分，只要下列氧化物的含量不超过所给出的量(以摩尔％计)：Li2O(15％)、Na2O(25％)、K2O(25％)、TiO2(22％)、SiO2(60％)、V2O5(18％)、(Sb2O5+V2O5+P2O5)的总量(25％)以及F(15％)。
最优选的实施方式是上面所讨论的无铅无镉玻璃。然而，如果需要其他含铅玻璃都不能达到的特性，则所述玻璃组分可以包含一种或多种下列成分，只要下列氧化物的含量不超过所给出的量(以摩尔％计)：PbO(75％)、SiO2(55％)、B2O3(55％)、ZnO(25％)以及选自Al、Ga、In、Sc、Y、La的三价氧化物(25％)以及(TiO2+ZrO2)(5％)，条件是(B2O3+SiO2)的总量不超过45％。含铅的玻璃组分可以进一步包含约0.1～约10摩尔％的Al2O3。
载体。本文的膏包括载体(vehicle)或负载(carrier)，其通常是树脂溶于溶剂中的溶液，经常是含有树脂和触变剂的溶剂溶液。所述膏的有机部分包含：(a)至少约80wt％的有机溶剂；(b)最高约15wt％的热塑性树脂；(c)最高约4wt％的触变剂；以及(d)最高约2wt％的润湿剂。还可以设想使用超过一种的溶剂、树脂、触变剂和/或润湿剂。
乙基纤维素是通常使用的树脂。然而，也可以使用诸如乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯和乙二醇单醋酸酯的单丁基醚的树脂。具有约130℃～约350℃沸点(1个大气压)的溶剂都是合适的。广泛使用的溶剂包括萜烯例如α-松油醇或β-松油醇，或者更高沸点的醇例如Dowanol
(二甘醇单丁醚)，或者它们与下列其他溶剂的混合物：例如丁基卡必醇(butyl Carbitol
)(二甘醇单丁醚)、二丁基卡必醇(dibutylCarbitol
)(二甘醇二丁醚)、丁基卡必醇乙酸酯(butyl Carbitol
acetate)(二甘醇单丁醚乙酸酯)、己二醇、伊斯曼醇(Texanol
)(2，2，4-三甲基-1.3-戊二醇单异丁酸酯)以及其他的醇酯、煤油和邻苯二甲酸二丁酯。所述载体可以包含有机金属化合物(例如基于铝或硼的那些)以改性接触层。N-Diffusol
是一种稳定的液体配制品，其含有扩散系数与单质磷相似的n-型扩散剂。可以配制这些与其它溶剂的各种组合以获得每种应用所要求的理想粘度和挥发性。可以包括其他的分散剂、表面活性剂、流变改性剂，这些在厚膜膏配方中经常使用。这些产品的商业化例子包括以如下的商标销售的那些：Teanol
(伊斯曼化学公司(Eastman Chemical Company，金斯波特，田纳西州))；Dowanol和Carbitol
(陶氏化学公司，Dow Chemicai Company，米德兰，密歇根州)；Triton
(美国陶氏化学公司联碳分公司，Union Carbide Division of Dow ChemicaiCompany，米德兰，密歇根州)；海名斯触变剂(Thixatrol
)(美国海名斯公司，海次镇，新泽西州)；以及Diffusol
(Transene Co.，Inc.，丹佛，马萨诸塞州)。
最常用的有机触变剂是氢化蓖麻油以及它们的衍生物。触变剂并不总是必须的，因为在这点上与任何悬浮液中所固有的剪切变稀相关的溶液可以单独适用的。进一步地，可以使用润湿剂如脂肪酸酯，例如，N-牛油脂-1，3-二氨基丙烷二油酸脂；N-牛油脂三亚甲基二胺二醋酸盐；N-椰油三亚甲基二胺；β-二胺；N-油烯基三亚甲基二胺；N-牛油脂三亚甲基二胺；N-牛油脂三亚甲基二胺二油酸脂以及它们的组合。
其它添加剂。其它无机添加剂可以添加到所述膏中，基于在烧成之前所述膏的重量，添加量为约1～约30wt％，优选约2～约25wt％，更优选约5～约20wt％。可以添加其他的添加剂，例如粘土、硅土或碳粉或它们的组合，以控制铝和硼与硅的反应。已经煅烧的普通粘土是合适的。可以添加低熔点金属添加剂的微粒(即，不同于金属氧化物的单质金属添加剂)例如Pb、Bi、In、Zn和Sb以及每种金属的合金，以在较低的烧成温度下提供接触层或者扩大烧成温度范围。
(a)玻璃的混合物、或(b)晶状添加剂与玻璃的混合物或者(c)一种或多种晶状添加剂的混合物可以被用来以所希望的组分范围配制玻璃组分。目的是减少弯曲和改进太阳能电池的电性能。例如，可以将第二相结晶陶瓷材料例如SiO2、ZnO、MgO、ZrO2、TiO2、Al2O3、PbO、Bi2O3、V2O5、MoO3、WO3、Sb2O3、SnO和In2O3以及其反应产物和其组合添加到玻璃组分中以调节接触层性能。然而，上面氧化物的总量必须落入此处公开的各种实施方式的特定范围内。陶瓷添加剂包括诸如锂蒙脱石、滑石、高岭土、绿坡缕石、膨润土、绿土、石英、云母、长石、钠长石、正长石、钙长石、硅石以及它们的组合。结晶二氧化硅和无定形二氧化硅都是合适的。
膏制备。根据本发明的膏可以在行星式混合器中制得。所使用的有机载体的种类和量主要由最终所希望的配方粘度、膏的研磨粒度以及所希望的湿印刷厚度决定。通常，湿膏包含约15～约40wt％，优选约20～约35wt％的有机载体。所述有机载体可以包括烷基酯醇、松油醇和二烷基乙二醇醚(如以下表4所示)和/或本文所公开的其它有机物。
在制备本发明的后侧厚膜膏组合物中，颗粒状无机固体物与载体混合，并且用合适的设备例如行星混合器分散以形成悬浮液，从而获得在9.6秒-1的剪切速率下粘度在约200～约4000泊范围内，优选在约500～约1500泊范围内，更优选在800～1200泊的组合物，其粘度值由布氏粘度计HBT，纺锤芯14号，在25℃下来测定的。通常，当后接触层仅仅部分覆盖膏时，其粘度应当更高。根据本发明的膏的通常组分范围如表4所示。
表4.Al烧透导体的广义膏配方
| 成分-wt％ | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
| 铝 | 40-80 | 60-80 | 65-75 | 40-80 | 40-80 | 40-80 | 40-80 |
| 银 | 0.5-50 | 1-25 | 2-10 | ||||
| 镍 | 3-50 | ||||||
| 铜 | 3-50 | ||||||
| AlMg合金 | 1-50 | ||||||
| 烷基酯醇 | 10-20 | 10-20 | 10-20 | 10-20 | 10-20 | 10-20 | 10-20 |
| 松油醇 | 5-15 | 5-15 | 5-15 | 5-15 | 5-15 | 5-15 | 5-15 |
| 二烷基乙二醇醚 | 0-5 | 0-5 | 0-5 | 0-5 | 0-5 | 0-5 | 0-5 |
| 玻璃内含物 | 0.5-10 | 0.5-10 | 0.5-10 | 0.5-10 | 0.5-10 | 0.5-10 | 0.5-10 |
| 金属乙醇盐 | 0-10 | 0-10 | 0-10 | 0-10 | 0-10 | 0-10 | 0-10 |
| 乙醇 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 |
| 二氧化硅 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 | 0-0.5 |
膏的印刷与烧。制备太阳能后接触层的本发明方法包括：(1)施加Ag或Ag/Al后接触层膏；(2)干燥所述膏；(3)将含Al的膏施加在硅晶片的P-侧面上，在该硅晶片上已经施加钝化层；(4)干燥所述膏；(5)施加所述前接触层银膏；(6)干燥所述膏；以及(7)共烧成所述膏以使其与硅接触。
Al-膏可以包含任意所述16种金属或者所有16种金属，或者可能没有所述16种金属，只要存在某些玻璃。特别是，Al可以单独使用，只要玻璃含铅。用银背面接触层Ag-膏、Al-后接触层膏和Ag-前接触层膏印刷的太阳能电池在合适的温度下烧成，例如约650～1000℃的炉设定温度下；或者约550～850℃的硅晶片温度。在烧成期间，ARC被玻璃和Al/Ag膏的组合攻击且被腐蚀；即“烧透”。此外在随着硅晶片温度上升到Al-Si低共熔温度577℃的烧成过程中，后接触层的Al和(16种金属)将Si从衬底中溶出，并且形成Al-Si和(16种金属)的液体层。
此外在晶片温度升高至超过Al与每种所述其它金属的各种共晶温度时的烧成过程中，后接触层Al和(16种金属)从衬底中将Si溶解，并且形成液体Al-(16种金属)-Si层。该Al-(16种金属)-Si液体在进一步加热至峰值温度过程中继续溶解衬底Si。在冷却期间，Si从Al-(16种金属)-Si熔体中沉淀析出。这种沉淀析出的Si以外延层形式生长在下面的Si衬底上，从而形成p+层。当冷却的熔体温度达到Al-Si-金属溶体的低共熔温度时，剩余的液体将以Al-Si-金属低共熔层的形式冷却下来。p+层被认为提供了背表面场(BSF)，这反过来增加了太阳能电池的性能。在Al-(16种金属)后接触层中的玻璃最优与Al和Si相互作用，而没有过度地影响有效的BSF层的形成。
前接触层和后接触层的制备方法。参见附图1A-1E，通过将任何银基膏施加在太阳能级Si晶片上，通常可以制造根据本发明的太阳能前接触层。特别是，图1A简要显示了其中提供单晶硅或多晶硅的衬底的步骤，通常具有降低反光的织构表面。在太阳能电池的情况中，经常使用由提拉或者浇铸方法形成的锭片切割出来的晶片作为衬底。由工具例如用于切割的线锯引起的衬底表面损坏和由晶片切割步骤所引起的污染物一般通过使用碱水溶液例如KOH或NaOH或者使用HF和HNO3的混合物来腐蚀掉该衬底表面的约10～20微米来去除。所述衬底任选地可以用HCl和H2O2的混合物来洗涤以去除重金属例如可能粘附在该衬底表面的铁。有时此后使用例如碱水溶液例如氢氧化钾水溶液或者氢氧化钠水溶液，形成抗反射织构表面。这就生产得到衬底10(图示为夸大的厚度尺寸)，因为通常的硅晶片的厚度为约200微米。
参见附图1B，简要显示了当使用p-型衬底时，形成n-型层20以产生p-n结。以任何各种合适的形式提供磷扩散层，包括磷酰氯(POCl3)有机磷化合物和此处公开的其它化合物。磷源可以选择性地仅施加在硅晶片的一侧。扩散层的深度可以通过控制扩散温度和时间来控制，通常为约0.3～0.5微米，并且具有约40～100欧姆/方块的片电阻值。所述磷源可以包括含磷液体涂层材料，例如通过例如旋涂的工艺将磷硅酸盐玻璃(PSG)仅涂覆在所述衬底的一个表面上，其中扩散是通过在合适条件下回火来实现。
接着，在图1C中，抗反射涂层(ARC)30(也经常用作钝化膜，可以是SiNx、TiO2或者SiO2)形成在上述n-型扩散层20上。将钝化膜35类似地施加在硅晶片10的后侧面。氮化硅有时候被表示为SiNx:H以强调通过氢进行钝化。ARC 30减少了太阳能电池对入射光的表面反射，因此增加了光吸收的量，由此增加了所产生的电流。钝化层30和35的厚度依赖于所施加的材料的折射率，尽管约
的厚度是适合于约1.9～2.0的折射率。钝化层可以通过各种过程包括低压CVD、等离子体CVD或热CVD来形成。当热CVD被用于形成SiNx涂层时，原料经常是二氯硅烷(SiCl2H2)和氨气(NH3)，并且在至少700℃的温度下形成膜。当使用热CVD时，在高温度下原料气的热解导致在氮化硅膜中基本上不存在氢，从而获得在硅与氮之间基本上为化学计量比-Si3N4。形成钝化层的其它方法是现有技术中已知的。
如图1D所示，然后将后侧银或铝膏70和Al-(16种金属)膏60选择性地丝网印刷且随后干燥在所述衬底的后侧面上。尽管没有分别标示，但是需要注意的是，图1D显示了施加在硅晶片10的后侧面上的六部分膏60。在所述部分膏60之间的间隙使得后侧钝化层35未被覆盖。Al-(16种金属)膏可以包括一种或者多种表1、2或3所示的玻璃料。接着将前电极的银膏500丝网印刷且干燥在ARC 30上。然后在约700～1000℃的温度范围内在红外带式炉中进行煅烧约1分钟到几分钟。
因此，如图1E中所示的，在烧成期间Al-(16种金属)膏中的Al熔融并且与硅衬底10反应，然后固化形成部分p+层，其包含高浓度的铝掺杂剂。该层通常被称作为背表面场(BSF)层，并且有利于改善太阳能电池的能量转化效率。图1E显示了六部分层40，相对应于图1D中所施加的六部分铝膏60。在烧成(图1E)之后，钝化层35在其中图1D中未被铝膏60覆盖的那些区域保持几乎没有变化。
Al-(16种金属)膏通过烧成从干燥状态60转化为铝后接触层61(包含所述16种金属中的至少一种金属)。后侧银或铝膏70同时烧成，成为银或铝后接触层71。在烧成期间，在后侧Al-(16种金属)和后侧银或铝之间的边界被认为是合金状态，并且还是电连接的。后接触层主要用Al-(16种金属)膏覆盖至约30～50微米的湿厚度，部分由于需要形成更厚的p+层40。在模块制造期间，后侧银膏区域被用于触端连接。此外，形成前电极的银膏500烧结，并且在烧成期间渗透(即烧透)氮化硅膜30，由此能够电连接n-型层20，正如图1E中的前电极501所示的。
通过将本文所公开的任何Al膏施加在预涂有银背面接触层膏的硅衬底的P侧上至所希望的湿厚度(例如约30～50微米)，可以制备根据本发明的太阳能电池后接触层，所述Al膏是通过将铝粉与表1、2和3中的玻璃组合物进行混合来制备的。为了制备前接触层，将前接触层Ag膏印刷在前侧面上。
与前接触层的制备相同，后接触层和背面接触层的制备如下。可以利用200-325目筛网来使用自动丝网印刷技术。印刷后的图案然后在200℃或更低温度下干燥，优选在烧成之前于约120℃下干燥约5～15分钟。本发明的干燥印刷的Al-(16种金属)后接触层膏可以与银后接触层和前接触层银膏在峰值温度下在大气中的传送带炉中共烧成约1秒～约5分钟。
如果需要，可以使用氮气或者其他惰性气体，但这不是必须的。所述烧成通常按照下面的温度制度来进行，该温度制度允许有机物质在约300～约550℃下烧掉，炉设定温峰值为约650℃～约1000℃的一段时间，持续时间最短约1秒，但是如果在较低的温度下烧成，则较长的烧成时间例如1、3或5分钟也是可能的。例如，可以使用三区间烧成温度制度，其传送带的速度为每分钟约1～约4米(40～160英寸)。自然地，本发明还可设想具有超过3个区间的烧成设置，包括有4、5、6或7个区间或更多，每个区间长度为约5～约20英寸，其烧成温度为650～1000℃。
实施例
配制和测试的示例性膏组合物如表5所示。表6显示了在将印刷和烧成所述晶片之后的太阳能电池的性能(使用炉设定温度为780-830-930℃的三区烧成制度)，所述晶片具有在所述晶片的钝化的后侧面上的后侧Al烧透膏，除了印刷的标准背接触层膏和前侧接触层膏。在如下实施例中使用的多晶硅晶片的面积为243cm2，厚度为180微米，并且具有60欧姆/方块的片电阻值。将后侧Al烧透膏印刷在所述晶片的后侧钝化的侧面上，在设定温度点为780、830和930℃的三区炉中干燥和烧成。使用BSF的Sun Voc测量检测电特性，以及通过横截面的SEM来检测。膏制备、印刷、干燥和烧成都描述在共同所有的美国专利申请公开US2006/0102228和US2006/0289055，其公开内容引入本文作为参考。
由所示的商购玻璃、商购的4～10微米铝粉和商购的2～5微米银粉或片来制备表5中的示例性铝基配方。另外的膏成分包括胶态氧化硅(Cabosil)、标准石英(Min-U-Sil)、硼酸三乙酯(boron ethoxide)和/或正钛酸四乙酯、毕克-加特纳助剂(Anti-Terra204)、有机载体和伊斯曼醇(Texanol
)。粘土为Na0.3(Mg，Li)3Si4O10(OH)2，它需要灼烧以去除水分，然后利用传统的方式研碎(球磨)，然后在40wt％的煅烧后粘土、59wt％的松油醇和1wt％的Anti-Terra
204的比例下进行润湿。毕克-加特纳助剂(Anti-Terra
204)是从德国BYK-Chemie Gmbh公司购买的润湿剂。胶态氧化硅(Cabosil
)是煅烧的二氧化硅，可以从美国卡博特公司(Cabot公司，Billerica，马里兰州)购得。标准石英(Min-U-Sil
)是从美国二氧化硅公司(U.S.Silica Company，BerkeleySprings，West Virginia)获得的晶体二氧化硅。硼酸三乙酯和正钛酸四乙酯都可以从美国Sigma-Aldrich公司(Sigma-Aldrich公司，达拉斯，得克萨斯州)购得。载体131、132、205、402、450和473以及所有涉及的玻璃组合物(以字母EG、GL、IP开始的)都是从俄亥俄州的克利夫兰市的费罗公司(FerroCorporation，Cleveland Ohio)获得。
表5.用于Al烧透应用的示例性膏配方
| I | II | III | IV | V | VI | |
| 成分wt％ | ||||||
| 铝 | 70.38 | 65.41 | 68.46 | 72.31 | 66.31 | 69.08 |
| 银 | 2.19 | 7.2 | 2.1 | |||
| 铜 | 3.98 | |||||
| 标准石英(Min-U-Sil) | 0.39 | 0.36 | 0.4 | |||
| 胶态氧化硅(Cabosil) | 0.34 | 0.33 | 0.38 | |||
| 锂蒙脱石 | 4.75 | |||||
| 硼酸三乙酯 | 1.52 | |||||
| 正钛酸四乙酯 | 1.43 | |||||
| 费罗玻璃EG2050 | 0.58 | 0.54 | 0.60 | |||
| 费罗玻璃IP510 | 0.97 | 0.90 | 1.0 | |||
| 费罗玻璃EG9014 | 0.23 | 0.23 | ||||
| 费罗玻璃GL4317 | 0.49 |
| I | II | III | IV | V | VI | |
| 费罗玻璃EG2761 | 0.89 | |||||
| 费罗玻璃EG2760 | 0.6 | |||||
| 费罗玻璃EG9063 | 0.15 | 0.22 | ||||
| 费罗玻璃EG9322 | 0.76 | |||||
| 费罗玻璃EG9152 | 0.76 | |||||
| 费罗玻璃EG9294 | 0.5 | |||||
| 载体205 | 6.11 | 5.67 | 9.45 | 6.27 | 9.22 | 5.8 |
| 载体450 | 4.85 | 4.5 | 5.1 | 4.98 | 4.99 | 5.7 |
| 载体131 | 0.37 | |||||
| 载体132 | 0.2 | 0.2 | ||||
| 载体402 | 1.69 | |||||
| 载体473 | 0.61 | 0.5 | ||||
| 松油醇 | 12.24 | 11.25 | 7.70 | 8.63 | 3.49 | 5.2 |
| 毕克-加特纳助剂(Anti-Terra) | 0.96 | 0.89 | 1.12 | 0.98 | 1.1 | 0.95 |
| 伊斯曼醇(Texanol) | 0.51 | 0.70 | 3.98 | 0.52 | 3.88 | 1.62 |
| 二甘醇单丁醚(Dowanol DB) | 0.02 | 0.02 | 0.06 | 0.3 | ||
| 海名斯触变剂(Thixatrol) | 0.30 | 0.29 |
表5中的示例性Al-膏被印刷在预涂有后侧银/铝膏CN33-51(从美国费罗公司，克里弗兰，俄亥俄州购买)的硅太阳能电池上。铝是Ampal ULT3510粉末。用200目丝网将约1.7克的各种膏印刷在硅晶片上。在干燥后接触层膏之后，利用280目丝网(指线的开口为100微米，并且线与线之间的间距为2.8毫米)将从美国费罗公司(Ferro Coporation，Cleveland，Ohio)获得的前接触膏CN33-455进行印刷。采用3区红外(IR)传送带炉将印刷后的硅晶片共烧成，其传送带的速度为每分钟约3米(120英寸)，其温度分别设定在780℃、830℃和920℃。所述区间分别为7英寸、16英寸和7英寸长。
表6.由表5的示例性膏制备的太阳能电池的性能
| 膏 | I | II | III |
| Sun Voc测量(V) | 0.589 | 0.585 | 0.552 |
| 弯曲(mm) | 0.928 | 1.245 | 0.305 |
| 烧成后的表面外观 | 非常光滑 | 非常光滑 | 非常光滑 |
| BSF是否形成？ | 是 | 是 | 是 |
用91193-1000型(Oriel仪器公司，Stratfor，CT)的太阳能电池测试仪测试这些太阳能电池的电性能，该测试在AM 1.5目光条件下依照ASTMG-173-03来进行测试的。表6中列出了所得到的太阳能电池的电性能，其显示出典型的太阳能电池的电性能和相同硅晶片的弯曲，以将现有技术的低弯曲Al膏和包含本发明的Al-Ag后接触层膏的本发明膏进行比较。Jsc意指电流密度；Isc意指短路电流；Voc意指在零输出电流下测量的开路电压；效率(Eff)和填充因子(FF)是现有技术中已知的。晶片弯曲以毫米来测量。所有四个实施例都形成良好的BSF。
对于本领域的技术人员来说，很容易发现其他的优点和改进。因此，更广范围方面的本发明并不限于本文所显示和描述的特定细节和实例。由此，在没有偏离所附权利要求以及其对等物所限定的本发明总构思的精神或范围的情况下，可以作出各种改进。
Claims (25)
1.一种光电池，其包含硅晶片负载的后接触层，所述后接触层包含至少部分覆盖有烧成后的后侧膏的钝化层，其中，在烧成之前所述膏包含铝和玻璃组分。
2.根据权利要求1所述的光电池，其中，所述铝膏进一步包含选自由以下金属所组成的组中的至少一种其它金属：钯、银、铂、金、硼、镓、铟、锌、锡、锑、镁、钾、钛、钒、镍、铜以及它们的组合。
3.根据权利要求1所述的光电池，其中，不超过约10％的所述后接触层的面积覆盖有烧成后的铝膏。
4.根据权利要求1所述的光电池，其中，所述后侧膏在烧成之前包含：
a.约40～约80wt％的铝；
b.约0.5～约10wt％的玻璃；以及
c.约15～约40wt％的有机载体。
5.根据权利要求4所述的光电池，其中，所述后侧膏进一步包含约0.1～约50wt％的银。
6.根据权利要求5所述的光电池，其中，所述后侧膏在烧成之前包含：
a.约60～约80wt％的铝；
b.约0.5～约8wt％的玻璃；
c.约1～约25wt％的银；以及
d.约15～约40wt％的有机载体。
7.根据权利要求4所述的光电池，其中，所述后侧膏进一步包含约1～约50wt％的铜。
8.根据权利要求7所述的光电池，其中，所述后侧膏在烧成之前包含：
a.约60～约80wt％的铝；
b.约0.5～约8wt％的玻璃；
c.约3～约15wt％的铜；以及
d.约15～约40wt％的有机载体。
9.根据权利要求4所述的光电池，其中，所述后侧膏进一步包含约1～约50wt％的镍。
10.根据权利要求4所述的光电池，其中，所述后侧膏进一步包含约1～约50wt％的镁。
11.根据权利要求1所述的光电池，其中，所述玻璃组分包含铅和镉中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的光电池，其中，所述玻璃组分基本上没有铅和镉。
13.根据权利要求1所述的光电池，其中，所述铝膏进一步包含选自以下陶瓷颗粒所组成的组中的陶瓷颗粒：SiO2、ZnO、MgO、ZrO2、TiO2、Al2O3、PbO、Bi2O3、V2O5、MoO3、WO3、Sb2O3、SnO、In2O3、锂蒙脱石、滑石、高岭土、绿坡缕石、膨润土、绿土、石英、云母、长石、钠长石、正长石、钙长石、硅石以及它们的组合。
14.一种光电池，包括：
a.前接触层，所述前接触层在烧成之前包含：
i.钝化层；
ii.在所述钝化层上施加的银膏，该银膏包含：
1.银；
2.玻璃组分；和
3.载体，以及
b.后接触层，所述后接触层在烧成之前包含：
i.钝化层；
ii.在所述钝化层上施加的铝膏，该铝膏包含：
1.铝；
2.玻璃组分；和
3.载体。
15.一种制造光电池的方法，包括：
a.提供具有第一侧面和第二侧面的硅片；
b.将磷源施加在所述硅片的第一侧面上；
c.烧成所述晶片以在所述硅片的第一侧面上形成含磷玻璃层；以及
d.从所述硅片的第一侧面上去除所述含磷玻璃层的至少一部分；
e.磨光所述硅片的所述第二侧面；
f.将钝化层施加在所述晶片的所述第一侧面和所述第二侧面上；
g.将银膏施加在所述第一侧面上，该银膏在烧成之前包含：
i.银；
ii.玻璃组分；以及
iii.载体；
h.将铝膏施加在所述第二侧面上，该铝膏在烧成之前包含：
i.铝；
ii.玻璃组分；以及
iii.载体，
其中(g)和(h)可以以任何顺序进行；以及
i.将所述晶片烧成足以将银粘附在所述前侧面上以及将铝粘附在所述后侧面上的一段时间和温度，由此形成前接触层和后接触层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述铝膏进一步包含选自以下金属所组成的组中的金属：镁、镍、钛、钾、钒、铜以及它们的组合。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述铝膏进一步包含选自以下金属所组成的组中的金属：钯、银、铂、金以及它们的组合。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述铝膏进一步包含选自以下金属所组成的组中的金属：硼、镓、铟以及它们的组合。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述铝膏进一步包含选自以下金属所组成的组中的金属：锌、锡、铟、锑以及它们的组合。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述铝膏包含约40～约80wt％的铝和约1～约50wt％的镍。
21.根据权利要求16所述的方法，其中，所述铝膏包含约40～约80wt％的铝和约1～约50wt％的镁。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述铝膏包含约40～约80wt％的铝和约0.1～约50wt％的银。
23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述铝膏包含约40～约80wt％的铝和约0.5～约50wt％的硼。
24.一种太阳能电池，其包含后接触层，其中，所述后接触层在烧成之前包含厚膜膏组合物，所述厚膜膏组合物包含约40～约80wt％的铝和约0.1～约50wt％的银。
25.一种装置，其包括含有铝、玻璃组分和至少一种其它金属的电路，所述至少一种其它金属选自以下金属所组成的组：钯、银、铂、金、硼、镓、铟、锌、锡、锑、镁、钾、钛、钒、镍、铜以及它们的组合，其中所述装置选自由MCS加热器、LED照明设备、厚膜混合电路、燃料电池系统和汽车用电子设备所组成的组。
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Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102148291A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-08-10 | 天威新能源（扬州）有限公司 | 低欧姆接触的背接触电池的制造方法 |
| CN102157220A (zh) * | 2011-02-28 | 2011-08-17 | 张振中 | 晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆 |
| CN102347094A (zh) * | 2011-07-18 | 2012-02-08 | 湖南威能新材料科技有限公司 | 一种制备晶硅太阳能电池铝背场的铝浆及其制造方法 |
| CN102496418A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-06-13 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种晶硅太阳能电池背电场合金铝浆及其制备方法 |
| CN102637467A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 |
| US8377734B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-02-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing solar battery cell |
| CN101820002B (zh) * | 2009-02-27 | 2013-05-29 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
| CN103151096A (zh) * | 2013-02-06 | 2013-06-12 | 苏州达方电子有限公司 | 银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103177789A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池导电浆料及其制备方法 |
| CN103177788A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 包含锑氧化物的厚膜组合物及其在制备半导体器件中的用途 |
| CN103430240A (zh) * | 2010-09-01 | 2013-12-04 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于太阳能应用的过孔填料 |
| CN103503080A (zh) * | 2011-03-03 | 2014-01-08 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太阳能电池的方法 |
| CN103680678A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 包含纳米银颗粒的银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103680675A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 导电浆料及其用于制造光伏元件的用途 |
| CN103680676A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 包含细化玻璃颗粒的银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103827052A (zh) * | 2011-09-29 | 2014-05-28 | 株式会社则武 | 太阳能电池用无铅导电性糊组合物 |
| CN103985781A (zh) * | 2013-02-07 | 2014-08-13 | 大日本网屏制造株式会社 | 晶体硅型太阳能电池及其制造方法 |
| CN104011882A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-08-27 | 应用材料公司 | 制造太阳能电池装置的方法 |
| CN104185874A (zh) * | 2012-01-16 | 2014-12-03 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料 |
| CN104221158A (zh) * | 2012-04-11 | 2014-12-17 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN104282778A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-01-14 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 背接触式太阳能电池模块 |
| CN104576822A (zh) * | 2013-10-09 | 2015-04-29 | 新日光能源科技股份有限公司 | 背接触式太阳能电池及其制造方法 |
| CN106297953A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-04 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种用于电池片背场的抗黑点铝浆及其使用方法 |
| US9824790B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-11-21 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Fire through aluminum paste for SiNx and better BSF formation |
| CN111139987A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 光之科技(北京)有限公司 | 一种面层材料、光伏建材及其制备方法 |
| CN112384992A (zh) * | 2018-07-06 | 2021-02-19 | 昭和电工材料株式会社 | 用于改性金属粒子层的材料特性的带有金属基添加剂的印刷糊剂 |
Families Citing this family (91)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009129600A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物と太陽電池素子 |
| JP2009146578A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Noritake Co Ltd | 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト |
| US20090223549A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Calisolar, Inc. | solar cell and fabrication method using crystalline silicon based on lower grade feedstock materials |
| TWI493605B (zh) * | 2008-06-11 | 2015-07-21 | Ind Tech Res Inst | 背面電極層的製造方法 |
| EP2283524A2 (en) * | 2008-06-11 | 2011-02-16 | E. I. du Pont de Nemours and Company | A process of forming a silicon solar cell |
| JP5174903B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2013-04-03 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
| KR100984701B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2010-10-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
| KR101135591B1 (ko) | 2009-03-11 | 2012-04-19 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 |
| US20100243042A1 (en) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | JA Development Co., Ltd. | High-efficiency photovoltaic cells |
| KR20110135880A (ko) * | 2009-04-08 | 2011-12-19 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 태양 전지 전극 |
| US8722453B2 (en) * | 2009-04-14 | 2014-05-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
| US20100269893A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal pastes and use thereof in the production of positive electrodes on p-type silicon surfaces |
| US8017428B2 (en) * | 2009-06-10 | 2011-09-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming a silicon solar cell |
| US7989346B2 (en) * | 2009-07-27 | 2011-08-02 | Adam Letize | Surface treatment of silicon |
| JP2011035024A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| KR101611456B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
| KR101601272B1 (ko) * | 2009-09-03 | 2016-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 낮은 휨 특성을 나타내는 태양전지 후면전극 형성용 조성물 |
| JP2011066353A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用アルミニウムペースト |
| MY162597A (en) * | 2009-09-18 | 2017-06-30 | Shinetsu Chemical Co | Solar cell, method for manufacturing solar cell, and solar cell module |
| US9984787B2 (en) * | 2009-11-11 | 2018-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and solar cell |
| WO2011066294A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes and use thereof in the production of passivated emitter and rear contact silicon solar cells |
| KR20110061997A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| JP2011142281A (ja) * | 2010-01-09 | 2011-07-21 | Aica Kogyo Co Ltd | ペースト組成物 |
| CN102714228A (zh) * | 2010-01-18 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 制造具有高转换效率的薄膜太阳能电池 |
| TWI576861B (zh) * | 2010-02-12 | 2017-04-01 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 導電鋁膠及其製造方法、太陽能電池及其模組 |
| JP5497504B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-05-21 | 株式会社日立製作所 | 電子部品 |
| US20110240124A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Metal pastes and use thereof in the production of silicon solar cells |
| CN101866705B (zh) * | 2010-06-22 | 2011-10-05 | 彩虹集团公司 | 一种环保型硅基太阳能电池用背铝浆料及其制备方法 |
| KR101741683B1 (ko) * | 2010-08-05 | 2017-05-31 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
| DE102010036893B4 (de) * | 2010-08-06 | 2017-01-19 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung |
| WO2012021750A1 (en) | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Crystal Solar, Inc. | Mwt architecture for thin si solar cells |
| KR101309809B1 (ko) * | 2010-08-12 | 2013-09-23 | 제일모직주식회사 | 태양전지용 알루미늄 페이스트 및 이를 이용한 태양전지 |
| US8668847B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
| US8987586B2 (en) | 2010-08-13 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste |
| WO2012033303A2 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Zno-based glass frit composition and aluminum paste composition for back contacts of solar cell using the same |
| EP2448003A3 (en) | 2010-10-27 | 2012-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode |
| US20120111399A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrode |
| KR101130196B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2012-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| US20130247957A1 (en) * | 2010-12-06 | 2013-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell and solar-cell module |
| US8858843B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-10-14 | Innovalight, Inc. | High fidelity doping paste and methods thereof |
| US9680036B2 (en) * | 2011-01-06 | 2017-06-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Organometallic and hydrocarbon additives for use with aluminum back solar cell contacts |
| US8709862B2 (en) * | 2011-01-06 | 2014-04-29 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Vanadium, cobalt and strontium additives for use in aluminum back solar cell contacts |
| US8815636B2 (en) * | 2011-01-06 | 2014-08-26 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Oxides and glasses for use with aluminum back solar cell contacts |
| US9105370B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
| US8940195B2 (en) | 2011-01-13 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same |
| WO2012129184A1 (en) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | Crystal Solar, Inc. | Insitu epitaxial deposition of front and back junctions in single crystal silicon solar cells |
| US8486746B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-07-16 | Sunpower Corporation | Thin silicon solar cell and method of manufacture |
| JP5120477B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2013-01-16 | 日立化成工業株式会社 | 電極用ペースト組成物及び太陽電池 |
| US20140020751A1 (en) * | 2011-04-07 | 2014-01-23 | Su-Hee Lee | Ag paste composition for forming electrode and preparation method thereof |
| JP2013008759A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 |
| KR20140041865A (ko) * | 2011-07-19 | 2014-04-04 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 |
| TW201318995A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-05-16 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 導體形成用無鉛玻璃組成物 |
| KR101896740B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2018-09-07 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 은 태양 전지 접점 |
| RU2638070C2 (ru) | 2011-09-13 | 2017-12-11 | Ферро Корпорейшн | Индукционная пайка неорганических подложек |
| US8894888B2 (en) * | 2011-12-21 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition with synthetic clay additive and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| JPWO2013103141A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2015-05-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2013109583A2 (en) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Ferro Corporation | Non fire-through aluminum conductor reflector paste for back surface passivated cells with laser fired contacts |
| US20130183795A1 (en) * | 2012-01-16 | 2013-07-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell back side electrode |
| WO2013115076A1 (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-08 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
| US9818890B2 (en) | 2012-04-18 | 2017-11-14 | Ferro Corporation | Solar cell contacts with nickel intermetallic compositions |
| US8652873B1 (en) * | 2012-08-03 | 2014-02-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film paste containing lead-vanadium-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| US9263601B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-02-16 | Sunpower Corporation | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact |
| KR20140092744A (ko) * | 2012-12-29 | 2014-07-24 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| TWI506650B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-11-01 | Darfon Materials Corp | 銀漿及其用於製造光伏元件之用途 |
| JP6188480B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-08-30 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 |
| TWI562171B (en) * | 2013-03-27 | 2016-12-11 | Cheil Ind Inc | The composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same |
| ES2684721T3 (es) * | 2013-04-02 | 2018-10-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Partículas que comprenden AI, Si y Mg en pastas electroconductoras y preparación de células fotovoltaicas |
| US9637409B2 (en) | 2013-04-18 | 2017-05-02 | Ferro Corporation | Low melting glass compositions |
| US10027278B2 (en) * | 2013-05-10 | 2018-07-17 | Sinton Consulting, Inc | Characterization of substrate doping and series resistance during solar cell efficiency measurement |
| TW201511296A (zh) | 2013-06-20 | 2015-03-16 | Plant PV | 用於矽太陽能電池之核-殼型鎳粒子金屬化層 |
| US10553738B2 (en) | 2013-08-21 | 2020-02-04 | Sunpower Corporation | Interconnection of solar cells in a solar cell module |
| JP2015050349A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池素子およびその製造方法並びにファイヤースルー用アルミニウムペースト |
| CN103730524A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-04-16 | 锦州阳光能源有限公司 | 可提高太阳能电池功率的硅片 |
| KR101614190B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2016-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
| EP2913139B1 (en) | 2014-02-26 | 2019-04-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | A glass comprising molybdenum and lead in a solar cell paste |
| EP2921533A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-23 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Inorganic oxide particles having organic coating |
| WO2015178531A1 (ko) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 주식회사 이건창호 | 촉매금속페이스트를 이용하는 염료감응태양전지의 상대전극 제조방법 및 이를 이용한 염료감응태양전지 |
| WO2016122833A1 (en) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | Ferro Corporation | Grain boundary healing glasses and their use in transparent enamels, transparent colored enamels and opaque enamels |
| JP6495713B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-04-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2017035103A1 (en) | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Plant Pv, Inc | Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications |
| WO2017035102A1 (en) | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Plant Pv, Inc | Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells |
| US10217876B2 (en) * | 2015-09-25 | 2019-02-26 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Poly-siloxane containing organic vehicle for electroconductive pastes |
| US9741878B2 (en) | 2015-11-24 | 2017-08-22 | PLANT PV, Inc. | Solar cells and modules with fired multilayer stacks |
| SG11201804392WA (en) * | 2015-11-24 | 2018-06-28 | Plant Pv Inc | Fired multilayer stacks for use in integrated circuits and solar cells |
| CN106601330B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-02-23 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 高填充率perc电池局域接触背场铝浆及其制备方法与应用 |
| US20190198707A1 (en) * | 2016-09-21 | 2019-06-27 | Korea University Research And Business Foundation | Method of forming an electrode structure and method of manufacturing a photovoltaic cell using the same |
| US10115505B2 (en) * | 2017-02-23 | 2018-10-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Chip resistor |
| JP6741626B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 |
| NL2020545B1 (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-13 | Rgs Dev B V | Thermoelectric conversion device |
| CN110491545B (zh) * | 2019-09-04 | 2021-05-18 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种n型太阳能电池正面细栅浆料及其制备方法 |
| CN115332364A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-11 | 西南交通大学 | 太阳能电池钝化涂覆料、制备方法及钝化方法 |
Family Cites Families (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615772A (en) | 1969-04-25 | 1971-10-26 | Owens Illinois Inc | Fluorine-containing borate glass compositions |
| FR2388381A1 (fr) | 1976-12-27 | 1978-11-17 | Labo Electronique Physique | Composition dielectrique, pate serigraphiable comportant une telle composition et produits obtenus |
| JPS5485399A (en) | 1977-12-21 | 1979-07-06 | Hitachi Ltd | Dielectric paste |
| US4256513A (en) * | 1978-10-19 | 1981-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| FR2451899A1 (fr) | 1979-03-23 | 1980-10-17 | Labo Electronique Physique | Composition dielectrique, encre serigraphiable comportant une telle composition, et produits obtenus |
| US4347262A (en) * | 1980-11-26 | 1982-08-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum-magnesium alloys in low resistance contacts to silicon |
| US4375007A (en) | 1980-11-26 | 1983-02-22 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Silicon solar cells with aluminum-magnesium alloy low resistance contacts |
| US4379319A (en) | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
| US4517155A (en) | 1982-05-18 | 1985-05-14 | Union Carbide Corporation | Copper base metal termination for multilayer ceramic capacitors |
| JPH0680151B2 (ja) * | 1985-06-06 | 1994-10-12 | 東洋アルミニウム株式会社 | 導電性塗料 |
| US4880567A (en) | 1987-08-20 | 1989-11-14 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
| US4906406A (en) | 1988-07-21 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
| JPH0764588B2 (ja) | 1989-04-28 | 1995-07-12 | 日本電気硝子株式会社 | 被覆用ガラス組成物 |
| US5296426A (en) | 1990-06-15 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-fire X7R compositions |
| US5165986A (en) | 1991-06-05 | 1992-11-24 | Ferro Corporation | Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate |
| JP2758749B2 (ja) * | 1991-10-17 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2989373B2 (ja) * | 1992-05-08 | 1999-12-13 | シャープ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| US5431741A (en) | 1992-12-11 | 1995-07-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon solar cell |
| US5378408A (en) | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
| US5543333A (en) | 1993-09-30 | 1996-08-06 | Siemens Solar Gmbh | Method for manufacturing a solar cell having combined metallization |
| US5439852A (en) | 1994-08-01 | 1995-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition |
| US5491118A (en) | 1994-12-20 | 1996-02-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film paste composition |
| DE19508712C2 (de) | 1995-03-10 | 1997-08-07 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung |
| JPH08273434A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 導電性アルミニウム合金ペースト組成物 |
| AU701213B2 (en) | 1995-10-05 | 1999-01-21 | Suniva, Inc. | Self-aligned locally deep-diffused emitter solar cell |
| US5641362A (en) | 1995-11-22 | 1997-06-24 | Ebara Solar, Inc. | Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell |
| US5948536A (en) | 1996-05-10 | 1999-09-07 | Tdk Corporation | Glass composition for substrates with a built-in lead base dielectric material, and multilayer substrate with a built-in capacitor |
| US6225392B1 (en) | 1996-05-15 | 2001-05-01 | Asahi Glass Company Ltd. | Conductive paste |
| DE19650111B4 (de) | 1996-12-03 | 2004-07-01 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle mit geringer Abschattung und Verfahren zur Herstellung |
| US5753571A (en) | 1997-02-13 | 1998-05-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead and cadmium-free encapsulant composition |
| US5792716A (en) | 1997-02-19 | 1998-08-11 | Ferro Corporation | Thick film having acid resistance |
| JPH1197726A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Daido Hoxan Inc | 太陽電池の製法 |
| US6171987B1 (en) | 1997-12-29 | 2001-01-09 | Ben-Gurion University Of The Negev | Cadmium-free and lead-free glass compositions, thick film formulations containing them and uses thereof |
| DE19910816A1 (de) | 1999-03-11 | 2000-10-05 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern |
| US6262359B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-07-17 | Ebara Solar, Inc. | Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof |
| US6185087B1 (en) | 1999-04-08 | 2001-02-06 | Kemet Electronics Corp. | Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes |
| JP2000323735A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 |
| DE19945866A1 (de) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Dmc2 Degussa Metals Catalysts | Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen Beschichtung auf Glas oder emailliertem Stahl und hiernach beschichtete Substrate |
| US6632730B1 (en) | 1999-11-23 | 2003-10-14 | Ebara Solar, Inc. | Method for self-doping contacts to a semiconductor |
| DE10046170A1 (de) * | 2000-09-19 | 2002-04-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht |
| US6673274B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-01-06 | Cabot Corporation | Dielectric compositions and methods to form the same |
| JP4726354B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2011-07-20 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
| JP3910072B2 (ja) | 2002-01-30 | 2007-04-25 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
| JP2004006565A (ja) * | 2002-04-16 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 太陽電池とその製造方法 |
| WO2004036658A1 (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池およびそれを用いた太陽電池モジュール |
| US7170001B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
| AU2004294031B2 (en) * | 2003-11-27 | 2009-09-17 | Kyocera Corporation | Solar cell module |
| JP2005347628A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 電極形成方法、電極及び太陽電池 |
| US6982864B1 (en) | 2004-06-09 | 2006-01-03 | Ferro Corporation | Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors |
| US7339780B2 (en) | 2004-06-09 | 2008-03-04 | Ferro Corporation | Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors |
| US7176152B2 (en) | 2004-06-09 | 2007-02-13 | Ferro Corporation | Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes |
| US20060102228A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Ferro Corporation | Method of making solar cell contacts |
| US7494607B2 (en) * | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
| US8093491B2 (en) | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
| US7771623B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-08-10 | E.I. du Pont de Nemours and Company Dupont (UK) Limited | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
| US7718092B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
| JP2007194580A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
| US8076570B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
| NO20061668L (no) * | 2006-04-12 | 2007-10-15 | Renewable Energy Corp | Solcelle og fremgangsmate for fremstilling av samme |
| JP4963866B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-06-27 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
-
2007
- 2007-08-29 US US11/846,552 patent/US8309844B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-30 WO PCT/US2008/071512 patent/WO2009032429A1/en active Application Filing
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- 2008-07-31 TW TW097128988A patent/TWI475699B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-09-13 US US13/615,271 patent/US8802970B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8377734B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-02-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing solar battery cell |
| CN102239565B (zh) * | 2008-12-02 | 2016-04-06 | 三菱电机株式会社 | 太阳能电池单元的制造方法 |
| CN101820002B (zh) * | 2009-02-27 | 2013-05-29 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
| CN103430240A (zh) * | 2010-09-01 | 2013-12-04 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于太阳能应用的过孔填料 |
| CN102157220A (zh) * | 2011-02-28 | 2011-08-17 | 张振中 | 晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆 |
| CN102157220B (zh) * | 2011-02-28 | 2013-09-18 | 张振中 | 晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆 |
| CN103503080A (zh) * | 2011-03-03 | 2014-01-08 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太阳能电池的方法 |
| CN102148291A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-08-10 | 天威新能源（扬州）有限公司 | 低欧姆接触的背接触电池的制造方法 |
| CN102347094A (zh) * | 2011-07-18 | 2012-02-08 | 湖南威能新材料科技有限公司 | 一种制备晶硅太阳能电池铝背场的铝浆及其制造方法 |
| CN102347094B (zh) * | 2011-07-18 | 2014-03-26 | 湖南威能新材料科技有限公司 | 一种制备晶硅太阳能电池铝背场的铝浆及其制造方法 |
| CN103998387B (zh) * | 2011-08-26 | 2017-12-08 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于SINx和更好BSF形成的烧透铝膏 |
| US9824790B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-11-21 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Fire through aluminum paste for SiNx and better BSF formation |
| CN103827052B (zh) * | 2011-09-29 | 2016-08-24 | 株式会社则武 | 太阳能电池用无铅导电性糊组合物 |
| CN103827052A (zh) * | 2011-09-29 | 2014-05-28 | 株式会社则武 | 太阳能电池用无铅导电性糊组合物 |
| CN102496418A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-06-13 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种晶硅太阳能电池背电场合金铝浆及其制备方法 |
| CN102496418B (zh) * | 2011-11-29 | 2013-08-28 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种晶硅太阳能电池背电场合金铝浆及其制备方法 |
| CN103177789B (zh) * | 2011-12-20 | 2016-11-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池导电浆料及其制备方法 |
| CN103177789A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池导电浆料及其制备方法 |
| CN103177788A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 包含锑氧化物的厚膜组合物及其在制备半导体器件中的用途 |
| CN104011882A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-08-27 | 应用材料公司 | 制造太阳能电池装置的方法 |
| CN104185874A (zh) * | 2012-01-16 | 2014-12-03 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料 |
| CN104221158A (zh) * | 2012-04-11 | 2014-12-17 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN102637467A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 |
| CN103680678A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 包含纳米银颗粒的银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103680675A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 导电浆料及其用于制造光伏元件的用途 |
| CN103680676A (zh) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 达泰科技股份有限公司 | 包含细化玻璃颗粒的银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103151096B (zh) * | 2013-02-06 | 2015-09-02 | 苏州达方电子有限公司 | 银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103151096A (zh) * | 2013-02-06 | 2013-06-12 | 苏州达方电子有限公司 | 银浆及其用于制造光伏组件的用途 |
| CN103985781A (zh) * | 2013-02-07 | 2014-08-13 | 大日本网屏制造株式会社 | 晶体硅型太阳能电池及其制造方法 |
| CN104282778A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-01-14 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 背接触式太阳能电池模块 |
| CN104282778B (zh) * | 2013-07-02 | 2018-04-10 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 背接触式太阳能电池模块 |
| CN104576822A (zh) * | 2013-10-09 | 2015-04-29 | 新日光能源科技股份有限公司 | 背接触式太阳能电池及其制造方法 |
| CN104576822B (zh) * | 2013-10-09 | 2017-02-15 | 新日光能源科技股份有限公司 | 背接触式太阳能电池及其制造方法 |
| CN106297953A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-04 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种用于电池片背场的抗黑点铝浆及其使用方法 |
| CN112384992A (zh) * | 2018-07-06 | 2021-02-19 | 昭和电工材料株式会社 | 用于改性金属粒子层的材料特性的带有金属基添加剂的印刷糊剂 |
| CN111139987A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 光之科技(北京)有限公司 | 一种面层材料、光伏建材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2183783A1 (en) | 2010-05-12 |
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