CN101681592B - 有机电致发光的发光部分的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机EL发光部分的驱动方法，其根据亮度优化对于驱动电路的晶体管的迁移率校正处理。在所述有机EL发光部分的驱动方法中，使用由驱动晶体管TDrv、图像信号写入晶体管TSig和具有一对电极(两端对应于第一节点ND1和第二节点ND2)的电容器部分C1形成的驱动电路11，执行预处理[TP(5)1]、阈值电压取消处理[TP(5)2]和写入处理[TP(5)6]。在阈值电压取消处理和写入处理之间，将依赖于图像信号VSig可变校正电压VCor施加到第一节点ND1，并且将在阈值电压取消处理中高于第二节点ND2的电势的电压施加到驱动晶体管TDrv的漏极区域，以根据驱动晶体管TDrv的特性升高第二节点ND2的电势。

Description

有机电致发光的发光部分的驱动方法
技术领域
本发明涉及用于有机电致发光的发光部分的驱动方法。 
背景技术
在使用有机电致发光元件(以下简称为EL元件)作为发光元件的有机电致发光的显示设备中(以下简称为有机EL显示设备)，利用流过有机EL元件的电流的值来控制有机EL元件的亮度。并且类似地如在液晶显示设备中，在有机EL显示设备中同样已知简单矩阵型和有源(active)矩阵型为驱动方法。虽然有源矩阵型与简单矩阵型相比具有结构复杂这样的缺点，但是其具有如可通过高亮度来显示图像的优点的各种优点。 
作为用于驱动形成有机EL元件的有机电致发光的发光部分(以下简称为发光部分)的电路，有5个晶体管和1个电容器组成的驱动电路(称为5Tr/1C驱动电路)是公知的，例如，根据日本专利特开第2006-215213号。如图1所示，该传统的5Tr/1C驱动电路包括有5个晶体管：图像信号写入晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2，并且还包括1个电容器部分C1。这里，驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的另一个形成第二节点ND2，而驱动晶体管TDrv的栅极电极形成第一节点ND1。 
注意以下详细描述晶体管和电容器。 
此外，如图24的时序图中所示，在[时间段TP(5)1]中，执行用于实现阈值电压取消处理的预处理。具体地，当第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于导通状态时，第一节点ND1的电势变为VOfs(例如，0伏)。同时，第二节点ND2的电势变为VSS(例如，-10伏)。结果，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极/漏极电极的另一个(为了方便描述，以下称为源极区域)之间的电势差变得高于Vth并且驱动晶体管TDrv处于导通状态。 
然后，在[时间段TP(5)2]中，实现阈值电压取消处理。具体地，在维持第一节点初始化晶体管TND1的导通状态的同时，将发光控制晶体管TEL_C置 于导通状态。结果，第二节点ND2的电势向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth与第一节点ND1的电势的电势差改变。换言之，处于浮置状态的第二节点ND2的电势上升。然后，当驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的电势差达到Vth时，驱动晶体管TDrv处于截止状态。在此状态下，第二节点的电势实质上为(VOfs-Vth)。此后，在[时间段TP(5)3]中，在维持第一节点初始化晶体管TND1的导通状态的同时，将发光控制晶体管TEL_C置于截止状态。然后，在[时间段TP(5)4]中，将第一节点初始化晶体管TND1置于截止状态。 
然后，在[时间段TP(5)5’]中，执行到驱动晶体管TDrv中的一种写入处理。具体地，在维持第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制晶体管TEL_C的截止状态的同时，将数据线DTL的电势设置为对应于图像信号的电压[用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号(驱动信号、亮度信号)VSig]，然后将扫描线SCL设置为高电平，以将图像信号写入晶体管TSig置于导通状态。结果，第一节点ND1的电势升至VSig。将基于第一节点ND1的电势的变化的电荷分发到电容器部分C1、发光部分ELP的寄生电容CEL和驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的寄生电容。因此，如果第一节点ND1的电势改变，则第二节点ND2的电势也改变。但是，由于发光部分ELP的寄生电容CEL的电容值具有不断增加的值，所以第二节点ND2的电势的变化减小。一般地，发光部分ELP的寄生电容CEL的电容比电容器部分C1的电容值和驱动晶体管TDrv的寄生电容的值高。因此，如果假设第二节点ND2的电势改变小，则驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极/漏极区域的另一个之间的电势差Vgs由以下给出的表达式(A)给出。注意，在图25的(A)中示出了[时间段TP(5)5’]和[时间段TP(5)6’]中放大的时序图。 
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)    (A) 
此后，在[时间段TP(5)6’]中，实现基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的幅度的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的校正(迁移率校正处理)。具体地，在维持驱动晶体管TDrv的导通状态的同时，将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态，然后当经过预定时间(tCor)时，将图像信号写入晶体管TSig置于截止状态，以将第一节点ND1(驱动晶体管TDrv的栅极电极)置于浮置状态。结果，在驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值高的情况下，驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势的上升量ΔV(电势校正值)大，而在驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值低的情况下，驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势的 上升量ΔV(电势校正值)小。这里，将驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的电势差Vgs由表达式(A)转换到以下给出的表达式(B)。注意，用于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(5)6’]的总时间(tCor))可在设计有机EL显示设备时预先确定为设计值。 
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)-ΔV    (B) 
通过上述操作，完成了阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理。在稍后的[时间段TP(5)7]中，将图像信号写入晶体管TSig置于截止状态，并且将第一节点ND1(也就是，驱动晶体管TDrv的栅极电极)置于浮置状态，同时发光控制晶体管TEL_C维持导通状态，并且发光控制晶体管TEL_C的源极/漏极区域的一个(为了方便描述，以下称为漏极区域)处于其连接到用于控制发光部分ELP的发光的电流提供部分(电压VCC，例如，20伏)的状态。因此，作为上述的结果，第二节点ND2的电势上升，并且驱动晶体管TDrv的栅极电极发生与所谓自举电路发生的现象类似的现象，并且第一节点ND1的电势也上升。结果，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的电势差Vgs维持表达式(B)的值。同时，由于流经发光部分ELP的电流是从源极/漏极区域的一个(为了方便描述，以下称为漏极区域)流到驱动晶体管TDrv的源极区域的漏极电流Ids，所以可以通过表达式(C)代表。注意以下描述系数k。 
Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2
＝k·μ·(VSig-VOfs-ΔV)2    (C) 
此外，以下还详细描述已经简略描述过的5Tr/1C驱动电路的驱动等。 
顺便提及，在迁移率校正处理中，如根据表达式(B)显而易见的，驱动晶体管TDrv的源极区域的电压取决于图像信号(驱动信号、亮度信号)VSig，并且不是固定的。并且，因此，为了提高使有机EL元件的亮度，高电流流过驱动晶体管TDrv，加速驱动晶体管TDrv的源极区域中电势的上升量ΔV的上升速度。 
换言之，由于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(5)6’]的总时间(tCor))是固定的设计值，其中将在有机EL显示设备上实现“白显示”(也就是，其中有机EL元件显示高亮度)，所以驱动晶体管TDrv的源极区域的电势的上升量ΔV(电势校正值)展现如图25的(B)中由实线ΔV1所指示的快速上升。另一方面，其中将实现“黑显示”(也就是，其中有机EL元件显示低亮度)，所以驱动晶体管TDrv的源极区域的电势的上升量ΔV(电势校正 值)展现如图25的(B)中由实线ΔV2所指示的缓慢上升。具体地，其中实现“白显示”所要求的ΔV的值由ΔVH代表，在比tCor短的时间(tH-Cor)中上升量ΔV到达ΔVH。另一方面，其中实现“黑显示”所要求的ΔV的值由ΔVL代表，如果不经过比tCor长的时间(tL-Cor)，则不到达ΔVL。因此，实现“白显示”则上升量ΔV变为非常大，而实现“黑显示”则上升量ΔV变为非常小。结果，出现有机EL显示设备的显示质量劣化的问题。 
因此，本发明的目的在于提供在有机电致发光的显示设备的有机电致发光的发光时间段的驱动方法，其使得可以响应于要显示的图像，实现组成驱动电路的晶体管的迁移率校正处理的最优化。 
发明内容
为了实现上述目的，根据本发明，提供一种用于使用驱动电路的有机电致发光的发光部分的驱动方法，该驱动电路包括 
(A)具有源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的驱动晶体管； 
(B)包括源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的图像信号写入晶体管；以及 
(C)包括一对电极的电容器部分， 
所述驱动晶体管 
(A-1)在其源极/漏极区域的一个连接到电流提供部分； 
(A-2)在其源极/漏极区域的另一个连接到有机电致发光的发光部分并且还连接到电容器部分的一个电极，以便形成第二节点；以及 
(A-3)在其栅极电极连接到图像信号写入晶体管的源极/漏极区域的另一个和电容器部分的另一个电极，以便形成第一节点。 
图像信号写入晶体管 
(B-1)在其源极/漏极区域的一个连接到数据线，以及 
(B-2)在其栅极电极连接到扫描线， 
以及，所述驱动方法包括以下步骤： 
(a)执行将第一节点初始化电压施加到第一节点并且将第二节点初始化电压施加到第二节点的预处理，使得第一和第二节点之间的电势差超过驱动晶体管的阈值电压并且有机电致发光的发光部分的阴极电极和第二节点之间的电势差不超过有机电致发光的发光部分的阈值电压； 
(b)在保持第一节点的电势的状态下，执行将第二节点的电势向驱动晶体管的阈值电压与第一节点的电势的差的电势改变的阈值电压取消处理； 
(c)执行通过图像信号写入晶体管将图像信号从数据线施加到第一节点的写入处理，其中利用来自扫描线的信号已将所述图像信号写入晶体管置于导通状态； 
(d)利用来自扫描线的信号将图像信号写入晶体管置于截止状态，以将第一节点置于浮置状态，从而允许对应于第一和第二节点之间电势差的值的电流，通过驱动晶体管从电流提供部分提供到有机电致发光的发光部分，以驱动有机电致发光的发光部分； 
驱动方法还包括以下步骤： 
在步骤(b)和(c)之间，执行将校正电压通过图像信号写入晶体管从数据线施加到第一节点的迁移率校正处理，其中利用来自扫描线的信号已将所述图像信号写入晶体管置于导通状态，并且将高于在步骤(b)的第二节点的电势的电压从电流提供部分施加到驱动晶体管的源极/漏极区域的一个，以响应于驱动晶体管的特性，升高第二节点的电势； 
校正电压的值是依赖于在步骤(c)从数据线施加到第一节点的图像信号并且低于图像信号的值。 
注意，在上述步骤(b)，为了在保持第一节点的电势的状态下，将第二节点的电势向驱动晶体管的阈值电压与第一节点的电势的差的电势改变，将超过在步骤(a)的第二节点的电势与驱动晶体管的阈值电压的和的电压的电压从电流提供部分施加到驱动晶体管的源极/漏极区域的一个。 
在有机电致发光的发光部分的驱动方法中(以下简称为本发明的驱动方法)，使用以下参数： 
图像信号的值：VSig
校正电压的值：VCor
图像信号的最小值：VSig-Min
图像信号的最大值：VSig-Max
在该例子中，驱动方法可具有以下形式：通过VSig的二次函数来表示VCor，这可被表示为VCor＝a2·VSig 2+a1·VSig+a0，其中a2、a1和a0(其中a2＜0)为系数，并且其中二次项的系数为负值。 
或者，驱动方法可具有以下形式：其中α1和β2是大于0的常数，而β1是常数，满足 
VCor＝α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0] 
VCor＝β2[其中VSig-0＜VSig≤VSig-Max]。然而，注意α1×VSig-0+β1＝β2。 
或者，驱动方法可具有以下形式：α1是大于0的常数，而β1是常数，满足 
VCor＝α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max]。 
或者，驱动方法可具有以下形式：α1和β1是大于0的常数，满足 
VCor＝-α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max]。 
或者，驱动方法可具有以下形式：α1、α2和β1是大于0的常数，而β2是常数，满足 
VCor＝-α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0] 
VCor＝α2×VSig+β2[其中VSig-0＜VSig≤VSig-Max]。 
然而，注意-α1×VSig-0+β1＝α2×VSig-0+β2。 
注意，基于迁移率校正处理的时间tCor(迁移率校正处理时间)和写入处理的时间(写入处理时间)tSig来确定应当采用形式中的一个或者应当采用除了这些形式以外的形式。此外，不限制校正电压的控制，而是可基于例如在以下描述的图像信号输入电路中提供的电阻器或电容器、以及独立部分的无源元件的组合来执行，或者可通过将表格存储在图像信号输出电路中来执行，所述表格使用图像信号作为参数，定义图像信号和校正电压之间的关系。 
虽然以下描述了驱动电路的细节，但是驱动电路可从如下驱动电路形成：由5个晶体管和1个电容器部分组成的驱动电路(5Tr/1C驱动电路)、由4个晶体管和1个电容器部分组成的驱动电路(4Tr/1C驱动电路)、由3个晶体管和1个电容器部分组成的驱动电路(3Tr/1C驱动电路)、或由2个晶体管和1个电容器部分组成的驱动电路(2Tr/1C驱动电路)。 
在根据本发明的驱动方法的有机电致发光显示设备(有机EL显示设备)中，电流提供部分、连接到扫描线的扫描电路、数据线连接到的图像信号输出电路、扫描线、数据线和有机电致发光的发光部分(以下有时仅称为发光部分)的配置和结构可为已知的配置和结构。具体地，可由阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层等形成发光部分。 
在本发明的驱动方法中用于彩色显示的有机EL显示设备中，由多个子像素形成1个像素。但是具体地，1个像素可具有由红色发光子像素、绿色 发光子像素和蓝色发光子像素的3个子像素形成的形式。或者1个像素可由包括除了3个不同的子像素以外的1个或多个不同子像素的子像素集合形成(例如，包括用于发射白光以便增强亮度的附加子像素的集合、包括用于发射补充色彩光以便扩展色彩再现范围的附加子像素的另一集合、包括用于发射黄光以便扩展色彩再现范围的附加子像素的另一集合、或者包括用于发射黄色和青色光以便扩展色彩再现范围的附加子像素的又一集合)。 
虽然根据情况n沟道类型的薄膜晶体管(TFT)可用于驱动电路的晶体管，但是，例如p沟道类型的薄膜晶体管可以用作以下描述的发光控制晶体管或者p沟道类型的薄膜晶体管可以用作图像信号写入晶体管。可以由在硅半导体衬底上形成的场效应晶体管(例如MOS晶体管)形成驱动电路。可由一个电极、另一个电极以及夹在电极之间的电介质层(绝缘层)形成电容器部分。在特定平面中(例如，在衬底上)形成形成驱动电路的晶体管和电容器部分，并且利用插入其间的夹层绝缘层形成形成驱动电路的晶体管和电容器部分上的发光部分。同时，驱动晶体管的源极/漏极区域的另一个例如通过接触孔连接到在发光部分上提供的阳极电极。 
对其应用本发明的驱动方法的有机EL显示设备包括： 
(a)扫描电路； 
(b)图像信号输出电路； 
(c)以二维矩阵排列的总共N×M个有机电致发光元件，其中在第一方向排列N个有机EL元件，而在与第一方向不同的第二方向排列M个有机EL元件； 
(d)连接到扫描电路并且在第一方向延伸的M条扫描线； 
(e)连接到扫描电路并且在第二方向延伸的N条数据线；以及 
(f)电流提供部分。每个有机电致发光元件(简称为有机EL元件)包括 
驱动电路，包括驱动晶体管、图像信号写入晶体管和电容器部分，以及 
有机电致发光的发光部分(发光部分)。 
如上所述，在现有技术中，在迁移率处理中将图像信号VSig施加到驱动晶体管TDrv的栅极电极。因此，为了升高有机EL元件的亮度，由于高电流流到驱动晶体管TDrv，所以在迁移率校正处理中，在驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势的上升量ΔVCor的上升速度增加。然后，由于迁移率校正处理 时间tCor是固定的，所以即使有机EL发光元件具有相同的迁移率，对于显示高亮度的有机EL元件，上升量ΔVCor(电势校正值)也是大的。因此，根据以上给出的表达式(C)，在应当显示高亮度的有机EL元件中，流到发光部分的电流减少，并且最后，发光部分的亮度变得低于希望亮度。另一方面，相反地对于应当显示低亮度的有机EL显示元件，上升量ΔVCor(电势校正值)小。因此，根据以上给出的表达式(C)，在应当显示低亮度的有机EL元件中，流到发光部分的电流增加，并且最后，发光部分的亮度变得高于希望亮度。 
相反，在本发明中，将具有依赖于图像信号VSig的值并且比图像信号VSig低的可变校正电压施加到驱动晶体管TDrv的栅极电极。因此可减少在迁移率校正处理时图像信号VSig的幅度的影响(对于上升量ΔVCor的影响)，并且可将发光部分的亮度设置为希望的亮度或发光部分的亮度可改变以更接近希望的亮度。结果，可实现有机EL显示设备的显示质量的提高。 
附图说明
图1是基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例1的驱动电路的等效电路图。 
图2是基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例1的驱动电路的概念图。 
图3是示意性地示出了基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例1的驱动电路的驱动的时序图的图。 
图4的(A)和(B)是放大了图3中所示的驱动的时序图的部分([时间段TP(5)5]和[时间段TP(5)6]的部分)的图。 
图5的(A)至(D)是示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例1的驱动电路。 
图6的(A)至(E)是示意性地示出了图5的(D)之后的晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例1的驱动电路。 
图7是基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例2的驱动电路的等效电路图。 
图8是基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例2的驱动电路的概念图。 
图9是示意性地示出了基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例2的驱动电路的驱动的时序图的图。 
图10的(A)至(D)是示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例2的驱动电路。 
图11的(A)至(D)是示意性地示出了图10的(D)之后的晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例2的驱动电路。 
图12是基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路的等效电路图。 
图13是基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路的概念图。 
图14是示意性地示出了基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路的驱动的时序图的图。 
图15的(A)至(D)是示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路。 
图16的(A)至(E)是示意性地示出了图15的(D)之后的晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路。 
图17是基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例4的驱动电路的等效电路图。 
图18是基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例4的驱动电路的概念图。 
图19是示意性地示出了基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例4的驱动电路的驱动的时序图的图。 
图20的(A)至(D)是示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例4的驱动电路。 
图21的(A)和(C)是示意性地示出了图20的(D)之后的晶体管的导通/截止状态等的图，所述晶体管组成基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的、实施例3的驱动电路。 
图22是有机电致发光元件的示意性部分剖面图。 
图23的(A)、(B)和(C)是在实施例中适于实现校正电压的控制的等效电路图。 
图24是基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、传统的驱动电路的等效电路图。 
图25是放大了图24中所示的、基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的、传统的驱动电路的等效电路图中的[时间段TP(5)5]和[时间段TP(5)6]中的时序图。 
具体实施方式
以下将参考附图基于实施例来描述本发明。但是，在描述之前，描述在实施例中使用的有机EL显示设备的概况。 
适用于实施例的有机EL显示设备是包括多个像素的有机EL显示设备。并且一个像素由多个子像素组成(在实施例中，包括红色发光子像素、绿色发光子像素和蓝色发光子像素的3个子像素)，并且每个子像素由有机电致发光元件(有机EL元件)10构成，所述有机EL元件具有其中层叠(laminate)驱动电路11和连接到驱动电路11的有机电致发光的发光元件(发光部分ELP)的结构。图1、7、12和17中分别示出了实施例1、2、3和4中的有机EL显示设备的等效电路图。图2、8、13和18中分别示出了实施例1、2、3和4中的有机EL显示设备的概念图。注意，图1和2示出了基本根据5-晶体管/1-电容器部分形成的驱动电路；图7和8示出了基本根据4-晶体管/1-电容器部分形成的驱动电路；图12和13示出了基本根据3-晶体管/1-电容器部分形成的驱动电路；图17和18示出了基本根据2-晶体管/1-电容器部分形成的驱动电路。 
这里，每个实施例中的有机EL显示设备包括： 
(g)扫描电路101； 
(h)图像信号输出电路102； 
(i)以二维矩阵排列的总共N×M个有机EL元件10，其中在第一方向 排列N个有机EL元件10，而在与第一方向不同的第二方向(具体地，在垂直于第一方向的方向)排列M个有机EL元件10； 
(j)连接到扫描电路101并且在第一方向延伸的M条扫描线SCL； 
(k)连接到扫描电路102并且在第二方向延伸的N条数据线SCL；以及 
(l)电流提供部分100。 
注意，虽然在图2、8、13和18中示出了3×3个有机EL元件10，但是这仅是图示。 
发光部分ELP具有已知的配置和结构，例如包括阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层等。此外，在扫描线SCL的一端提供扫描电路101。扫描电路101、图像信号输出电路102、扫描线SCL、数据线DTL以及电流提供部分100的配置和结构可为任何已知的配置和结构。 
其中列出了驱动电路的最小组件，驱动电路至少由驱动晶体管TDrv、图像信号写入晶体管TSig和具有一对电极的电容器部分C1组成。从具有源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的n-沟道TFT形成驱动晶体管TDrv。此外，从具有源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的n-沟道TFT形成图像信号写入晶体管TSig。 
这里，在驱动晶体管TDrv中， 
(A-1)将源极/漏极区域的一个(以下称为漏极区域)连接到电流提供部分100； 
(A-2)将源极/漏极区域的另一个(以下称为源极区域)连接到在发光部分ELP上提供的阳极电极并连接到电容器部分C1的一个电极，并且形成第二节点ND2；以及 
(A-3)将栅极电极连接到驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的另一个并且连接到电容器部分C1的另一个电极，并且形成第一节点ND1。 
此外，图像信号写入晶体管TSig
(B-1)在其源极/漏极区域的一个连接到数据线DTL，以及 
(B-2)在其栅极电极连接到扫描线SCL。 
更具体地，如图22中的示意性部分剖面图所示，组成驱动电路的晶体管TSig和TDrv以及电容器部分C1被连接到衬底，并且晶体管TSig和TDrv以及电容器部分C1上形成发光部分ELP，例如在晶体管TSig和TDrv以及电容器部分 C1之间插入夹层绝缘层40组成驱动电路。此外，驱动晶体管TDrv在其源极/漏极区域的另一个通过接触孔连接到为发光部分提供的阳极电极。注意，在图22中，仅示出驱动晶体管TDrv。隐藏了图像信号写入晶体管TSig和其他晶体管，并且不能被观察。 
更具体地，从栅极电极31、栅极绝缘层32、在半导体层33中提供源极/漏极区域35以及在源极/漏极区域35之间、对应于半导体层33的部分的沟道形成区域34形成驱动晶体管TDrv。同时，从另一电极36、由栅极绝缘层32的扩展形成的电介质(dielectric)层和一个电极37(其对应于第二节点ND2)形成电容器部分C1。在衬底20上形成组成电容器部分C1的栅极电极31、栅极绝缘层32的部分和电极36。将驱动晶体管TDrv在源极/漏极区域35的一个连接到布线38并且在源极/漏极区域35的另一个连接到一个电极37(其对应于第二节点ND2)。驱动晶体管TDrv、电容器部分C1等被夹层绝缘层40覆盖，并且在夹层绝缘层40上提供由阳极电极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层等53形成的发光部分ELP。注意，在图中，由一个层52代表空穴传输层、发光层和电子传输层。在夹层绝缘层40的部分提供第二夹层绝缘层54，在该处不提供发光部分ELP，并且将透明衬底21置于第二夹层绝缘层54和阴极电极53上，使得从发光层发射的光线通过衬底21，并且到达外部。注意，通过在夹层绝缘层40中形成的接触孔将一个电极37(第二节点ND2)和阳极电极51相互连接。此外，将阴极电极53通过在夹层绝缘层40中形成的接触孔56和55连接到在栅极绝缘层32的扩展上提供的布线39。 
从以(N/3)×M的二维矩阵排列的像素形成有机EL显示设备。并且，形成像素的有机EL元件10是线顺序驱动，并且显示帧速率为FR(次/秒)。具体地，同时驱动形成以m行(其中m＝1，2，3，...，M)排列的N/3个像素(N个子像素)的有机EL元件。换言之，在形成一行的有机EL元件10中，以有机EL元件10所属的行为单位控制发光/不发光定时。注意，将图像信号写入形成一行的像素的处理可以是将图像信号同时写入所有像素的处理(以下仅仅有时将该处理称为同时写入处理)或者可以是对于每个像素连续写入图像信号的处理(以下仅仅有时将该处理称为连续写入处理)。可响应于驱动电路的配置来适当地选择应使用哪个写入处理。 
这里，原理上描述关于有机EL元件10的驱动和操作，其中所述有机EL元件10形成位于第m行和第n列(其中n＝1，2，3，...，N)的像素中的一个子像 素，并且以下将这种子像素或有机EL元件10称为第(n，m)个子像素或第(n，m)个有机EL元件10。并且，在第m行中排列的有机EL元件10的水平扫描时间段(第m水平扫描时间段)结束之前，执行各种处理(以下描述的阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理)。注意，虽然在第m水平扫描时间段执行写入处理和迁移率校正处理，但是根据情况，有时将它们在第(m-m”)水平扫描时间段到第m水平扫描时间段上执行。另一方面，取决于驱动电路的类型，可在第m水平扫描时间段之前实现阈值电压取消处理和相关预处理。 
然后，在全部上述各种处理结束后，驱动组成在第m行中排列的发光EL元件10的发光部分发光。注意，可以在全部上述各种处理结束后立即驱动发光部分发光，或在预定时间段(例如，对于预定数目的行的预定水平扫描时间段)后驱动发光部分发光。可根据有机EL显示设备、驱动电路的配置等适当地设置所提到的预定时间段。注意，为了方便描述，在以下的描述中假设在各种处理结束后立即驱动发光部分发光。以及，形成在第m行中排列的有机EL元件10的发光部分的发光继续，直到紧接着在第(m+m’)行中排列的有机EL元件10的水平扫描时间段开始之前的时间点。这里“m’”取决于有机EL显示设备的设计规范。具体地，组成在特定显示帧的第m行中排列的有机EL元件10的发光部分的发光继续，直到第(m+m’-1)个水平扫描时间段。同时，在第(m+m’)个水平扫描时间段开始之后，组成在第m行中排列的有机EL元件10的发光部分保持不发光状态，直到在下一个显示帧中的第m个水平扫描时间段中完成写入处理和迁移率校正处理。通过提供上述不发光状态的时间段(以下有时将该时间段简称为不发光时间段)，减少由有源矩阵驱动引起的余像模糊(after-image blurring)，并且可使得动态画面质量进一步提高。然而，每个子像素的发光/不发光状态不限于上述状态。此外，水平扫描时间段的时间长度是比(1/FR)×(1/M)短的时间长度。其中(m+m’)的值超过M，在下一显示帧中处理水平扫描时间段的超过部分。 
有时使用关于一个晶体管的两个源极/漏极区域的术语“源极/漏极区域之一”表示在连接到电源部分的一侧的源极/漏极区域之一。同时，晶体管处于导通状态表示在源极/漏极区域之间形成沟道的状态。电流是否从晶体管源极/漏极区域的一个流到源极/漏极区域的另一个无关紧要。另一方面，特定晶体管的源极/漏极区域连接到另一晶体管的源极/漏极区域包括其中特定晶体管 的源极/漏极区域和另一晶体管的源极/漏极区域占据相同区域的形式。此外，源极/漏极区域不但可以由如包含杂质的多晶硅或非晶硅的导电材料形成，而且可由金属、合金、导电粒子、它们的碾压结构或有机材料(导电高分子)形成的层形成。此外，在以下描述中使用的时序图中，指示各种时间段的横坐标轴的长度(时间长度)是示意性的，并不指示在时间段之间的时间长度的比率。 
在以下描述中，基于实施例描述使用5Tr/1C驱动电路、4Tr/1C驱动电路、3Tr/1C驱动电路和2Tr/1C驱动电路的发光部分ELP的驱动方法。 
实施例1 
实施例1涉及用于本发明的有机电致发光的发光部分的驱动方法。在实施例1中，由5Tr/1C驱动电路形成驱动电路。 
在图1中示出了5Tr/1C驱动电路的等效电路图；在图2中示出了概念图；在图3中示意性地示出了驱动的时序图；在图5的(A)至(D)以及图6的(A)至(E)中示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等。此外，在图4的(A)和(B)中示出了放大了图3中所示的驱动的时序图的部分([时间段TP(5)5]和[时间段TP(5)6])的示例图。 
该5Tr/1C驱动电路包括包含图像信号写入晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2的5个晶体管，并且还包括1个电容器部分C1。 
[发光控制晶体管TEL_C] 
将发光控制晶体管TEL_C在其源极/漏极区域的一个连接到电流提供部分100(电压VCC)，并且在其源极/漏极区域的另一个连接到驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的一个。同时，由连接到发光控制晶体管TEL_C的栅极电极的发光控制晶体管控制线CLEL_C控制发光控制晶体管TEL_C的导通/截止操作。注意提供电流提供部分100，以便将电流提供到有机EL元件10的发光部分ELP，以控制发光部分ELP的发光。此外，将发光控制晶体管控制线CLEL_C连接到发光控制晶体管控制电路103。 
[驱动晶体管TDrv] 
如上所述，驱动晶体管TDrv在其源极/漏极区域的一个连接到发光控制晶体管TEL_C的源极/漏极区域的另一个。具体地，驱动晶体管TDrv在其源极/漏极区域的一个通过发光控制晶体管TEL_C连接到电流提供部分100。同时，驱 动晶体管TDrv在其源极/漏极区域的另一个连接到 
发光部分ELP的阳极电极， 
第二节点初始化晶体管TND2的源极/漏极区域的另一个，以及 
电容器部分C1的一个电极，并且形成第二节点ND2。此外，驱动晶体管TDrv在其栅极连接到 
图像信号写入晶体管TSig的源极/漏极区域的另一个，[2]第一节点初始化晶体管TND1的源极/漏极区域的另一个，以及 
电容器部分C1的另一个电极，并且形成第一节点ND1。 
这里，在有机EL元件10的发光状态下，根据以下给出的表达式(1)驱动驱动晶体管TDrv以提供漏极电流Ids。在有机EL元件10的发光状态下，驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的一个用作漏极区域而源极/漏极区域的另一个用作源极区域。为了方便描述，在以下描述中，有时将驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的一个简称为漏极区域，并且将驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的另一个简称为源极区域。注意 
μ：有效迁移率 
L：沟道长度 
W：沟道宽度 
Vgs：栅极电极和源极区域之间的电势差 
Vth：阈值电压 
Cox：(栅极绝缘层的相关电常数)×(真空的介电常数)/(栅极绝缘层的厚度) 
k≡(1/2)·(W/L)·Cox
Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2    (1) 
因为该漏极电流Ids流到有机EL元件10的发光部分ELP，所以有机EL元件10的发光部分ELP发光。此外，通过漏极电流Ids的值的幅度来控制有机EL元件10的发光部分ELP的发光状态(亮度)。 
[图像信号写入晶体管TSig] 
如上所述，图像信号写入晶体管TSig在其源极/漏极区域的另一个连接到驱动晶体管TDrv的栅极电极。同时，图像信号写入晶体管TSig在其源极/漏极区域的一个连接到数据线DTL。并且，通过数据线DTL从图像信号输出电路102将用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号(驱动信号、亮度信号)VSig， 以及可变校正电压VCor连接到图像信号写入晶体管TSig的源极/漏极区域的一个。注意，除了VSig和校正电压VCor以外，各种信号和电压(用于预充电驱动的信号、各种参考电势等)可通过数据线DTL提供到源极/漏极区域的一个。此外，通过连接到图像信号写入晶体管TSig的栅极电极的扫描线SCL控制图像信号VSig的导通/截止操作。 
[第一节点初始化晶体管TND1] 
如上所述，第一节点初始化晶体管TND1在其源极/漏极区域的另一个连接到驱动晶体管TDrv的栅极电极。同时，将用于初始化第一节点ND1的电势(也就是，驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势)的电压VOfs提供到第一节点初始化晶体管TND1源极/漏极区域的一个。此外，通过连接到第一节点初始化晶体管TND1的栅极电极的第一节点初始化晶体管控制线AZND1来控制第一节点初始化晶体管TND1的导通/截止操作。第一节点初始化晶体管控制线AZND1连接到第一节点初始化晶体管控制电路104。 
[第二节点初始化晶体管TND2] 
如上所述，将第二节点初始化晶体管TND2在其源极/漏极区域的另一个连接到驱动晶体管TDrv的源极电极。同时，将用于初始化第二节点ND2的电势(也就是，驱动晶体管TDrv的源极区域的电势)的电压VSS提供到第二节点初始化晶体管TND2源极/漏极区域的一个。此外，通过连接到第二节点初始化晶体管TND1的栅极电极的第二节点初始化晶体管控制线AZND2来控制第二节点初始化晶体管TND2的导通/截止操作。第二节点初始化晶体管控制线AZND2连接到第二节点初始化晶体管控制电路105。 
[发光部分ELP] 
如上所述，发光部分ELP在其阳极电极连接到驱动晶体管TDrv的源极区域。同时，将电压VCat施加到发光部分ELP的阴极电极。发光部分ELP的寄生电容由附图标记CEL表示。此外，由附图标记Vth-EL表示发光部分ELP的所要求的阈值电压。具体地，如果在发光部分ELP的阳极电极和阴极电极之间施加的高于Vth-EL的电压，则发光部分ELP发光。 
在以下的描述中，如以下给出电压或电势的值。然而，它们最多是用于描述的值，并且不限于特定值。 
VSig：用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号 
...0伏到14伏 
图像信号的最大值VSig-Max＝14伏 
图像信号的最小值VSig-Min＝0伏 
VCC：用于控制发光部分ELP的发光的电流提供部分的电压 
...20伏 
VOfs：用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电压的电势(第一节点ND1的电势)的电压 
...0伏 
VSS：用于初始化驱动晶体管TDrv的源极区域的电势(第二节点ND2的电势)的电压 
...-10伏 
Vth：驱动晶体管TDrv的阈值电压 
...3伏 
VCat：施加到发光部分ELP的阴极电极电压 
...0伏 
Vth-EL：发光部分ELP的阈值电压 
...3伏 
在下文中，描述5Tr/1C驱动电路的操作。注意，虽然描述了在各种处理(阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理)之后立即开始发光状态，但是发光状态的开始不限于此。类似地，这也适用于以下描述的实施例2到4的描述(4Tr/1C驱动电路、3Tr/1C驱动电路和2Tr/1C驱动电路)。 
[时间段TP(5)-1](参考图5的(A)) 
该[时间段TP(5)-1]例如涉及用于先前显示帧的操作，并且是其中在完成先前操作循环中的各种处理后，第(n，m)个有机EL元件10保持发光状态的时间段。具体地，基于以下给出的表达式(5)的漏电流I’ds流到形成第(n，m)个子像素的有机EL元件10的发光部分ELP，并且形成第(n，m)个子像素的有机EL元件10的亮度具有对应于该漏电流I’ds的值。这里，图像信号写入晶体管TSig、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态，而发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv处于导通状态。第(n，m)个有机EL元件10的发光状态持续，直到紧挨着在第(m+m’)行中排列的有机EL元件10的水平扫描时间段之前的时间点。 
图3中图示的[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]是在完成先前操作循环中 的各种处理后的发光状态结束之后，直到紧挨着执行下一写入处理之前的时间点的操作时间段。具体地，[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]是从先前显示帧中第(m+m’)水平扫描时间段的开始定时直到在当前显示帧中第(m-1)水平扫描时间段的结束定时的特定时间长度的时间段。注意，可配置[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]，以便被包括在当前显示帧中的第m水平扫描时间段中。 
并且在[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。具体地，在[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)1]和[时间段TP(5)3]到[时间段TP(5)4]中，发光控制晶体管TEL_C处于截止状态，并且因此，有机EL元件10不发光。注意，在[时间段TP(5)2]中，发光控制晶体管TEL_C处于变为导通状态。然而，在该时间段中，执行以下描述的阈值电压取消处理。虽然在阈值电压取消处理的描述中给出了详细描述，但是如果假定满足以下给出的表达式(2)，则有机EL元件10不发光。 
在下文中，首先描述从[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]的时间段。注意可根据有机EL显示设备的设计来适当地设置[时间段TP(5)1]的开始定时和[时间段TP(5)1]到[时间段TP(5)4]的每个时间段的长度。 
[时间段TP(5)0] 
如上所述，在该[时间段TP(5)0]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。图像信号写入晶体管TSig、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态。此外，在从[时间段TP(5)-1]到[时间段TP(5)0]转换(transition)的时间点，将发光控制晶体管TEL_C置于截止状态。因此，第二节点ND2(驱动晶体管TDrv的源极区域或发光部分ELP的阳极电极)的电势降到(Vth-EL-VCor)，并且发光部分ELP进入不发光状态。此外，处于浮置状态的第一节点ND1(驱动晶体管TDrv的栅极电极)以跟随第二节点ND2的电势下降的方式下降。 
[时间段TP(5)1](参考图5的(B)和(C)) 
在该[时间段TP(5)1]中，执行用于执行以下描述的阈值电压取消处理的预处理。具体地，第一节点初始化电压施加到第一节点ND1，使得第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差超过驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth，并且发光部分ELP的阴极电极和第二节点之间的电势差不超过发光部分ELP的阈值电压Vth-EL，此外将第二节点初始化电压施加到第二节点ND2。具体地，在 [时间段TP(5)1]开始时，基于第一节点初始化晶体管控制电路104和第二节点初始化晶体管控制电路105将第一节点初始化晶体管控制线AZND1和第二节点初始化晶体管控制线AZND2设置为高电平，以将第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2置于导通状态。结果，第一节点ND1的电势变为VOfs(例如，0伏)。同时，第二节点ND2的电势变为VSS(例如，-10伏)。然后，在完成[时间段TP(5)1]之前，基于第二节点初始化晶体管控制电路105将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设置为低电平，以将第二节点初始化晶体管TND2置于截止状态。注意可将第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2同时置于导通状态，或者可将将第一节点初始化晶体管TND1首先置于导通状态。 
通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差变得高于Vth，并且将驱动晶体管TDrv置于导通状态。 
[时间段TP(5)2](参考图5的(D)) 
然后，在保持第一节点ND1的电势的状态下，更具体地，通过在[时间段TP(5)1]中将超过驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth和第二节点ND2的电势的和电势的电压从电流提供部分100施加到驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域(漏极区域)的一个，执行将第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth改变(具体地，升高第二节点ND2的电势)的阈值电压取消处理。更具体地，在保持第一节点初始化晶体管TND1的导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管TEL_C设置为高电平，以将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态。结果，虽然第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0伏)，但是第二节点ND2的电势向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的电势与第一节点ND1的电势的差改变。具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电势上升。然后，当驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差达到Vth时，驱动晶体管TDrv置于截止状态。更具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电势接近(VOfs-Vth＝-3伏＞VSS)，并且最终变为(VOfs-Vth)。这里，如果确保以下给出的等式(2)，换言之，如果选择并确定电势，以便满足等式(2)，则发光部分ELP完全不发光。注意，质量上，在阈值电压取消处理中，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差(换言之，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差)接近驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的程度取决于阈值电压取消处理的时间。因此， 例如，如果确保阈值电压取消处理的时间充分长，则第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差到达阈值电压Vth并且将驱动晶体管TDrv置于截止状态。另一方面，例如，如果将阈值电压取消处理的时间设置为短，则第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差大于驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth，并且驱动晶体管TDrv有时不进入截止状态。换言之，作为阈值电压取消处理的结果，不必要求驱动晶体管TDrv进入截止状态。 
(VOfs-Vth)＜(Vth-EL+VCat)    (2) 
在[时间段TP(5)2]中，第二节点ND2的电势差最终变为，例如，(VOfs-Vth)。具体地，第二节点ND2的电势仅依赖于驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs。换言之，第二节点ND2的电势独立于依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(5)3](参考图6的(A)) 
此后，在保持第一节点初始化晶体管TND1导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置为低电平，以将发光控制晶体管TEL_C置于截止状态。结果，虽然第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0伏)，并且处于浮置状态下的第二节点ND2的电势也不改变，但是维持(VOfs-Vth＝-3伏)。 
[时间段TP(5)4](参考图6的(B)) 
然后，基于第一节点初始化晶体管控制电路104将第一节点初始化晶体管控制线AZND1设置为低电平，以将第一节点初始化晶体管TND1置于截止状态。第一节点ND1和第二节点ND2的电势不改变(实际上，可能由寄生电容等的静电耦合导致电势差，但是通常忽略它们)。 
现在，描述从[时间段TP(5)5]到[时间段TP(5)7]的时间段。注意，如以下所描述的，在[时间段TP(5)5]中，执行迁移率校正处理，并且在[时间段TP(5)6]中，执行写入处理。如上所述，可在第m水平扫描时间段内执行所提到的处理。然而，根据情况需要，可在多个水平扫描时间段上执行处理。这类似地适用于以下描述的实施例2至4。然而，在实施例1中，为了便于描述，假设[时间段TP(5)5]的开始定时和[时间段TP(5)6]的结束定时分别与第m水平扫描时间段的开始定时和结束定时一致。 
通常，由多晶硅薄膜晶体管等形成驱动晶体管TDrv，不能避免在晶体管之间的迁移率μ中出现差量(dispersion)。因此，即使将相等值的图像信号 VSig施加到其间具有迁移率μ的差异的多个驱动晶体管TDrv的栅极电极，也会在流到具有高迁移率μ的驱动晶体管TDrv的漏电流Ids和流到具有低迁移率μ的驱动晶体管TDrv的漏电流Ids之间出现差异。如果，出现这样的差异，则损害有机EL显示设备的屏幕图像的一致性。 
[时间段TP(5)6](参考图6的(C)) 
因此，此后执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的幅度的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的校正(迁移率校正处理)。具体地，将可变校正电压VCor通过图像信号写入晶体管TSig从数据线DTL施加到第一节点ND1，其中已经以通过来自扫描线SCL的信号将图像信号写入晶体管TSig置于导通状态，并且在时间段TP(5)6中将高于第二节点ND2的电势从电流提供部分100施加到驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的一个(漏极区域)，以响应于驱动晶体管TDrv的特性来执行升高第二节点ND2的电势的迁移率校正处理。 
具体地，在维持第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制晶体管TEL_C的截止状态的同时，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势设置为校正电压VCor。然后，基于扫描电路101的操作将扫描线SCL设置为高电平，以将图像信号写入晶体管TSig设置为导通状态。同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置为高电平状态，以将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态。结果，在驱动晶体管TDrv的源极/漏极区域的一个(漏极区域)的电势向VCC上升的同时，第一节点ND1的电势(驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势)上升到校正电压VCor。 
这里，校正电压VCor的值取决于在下一[时间段TP(5)6]中，从数据线DTL施加到第一节点ND1的图像信号VSig，并且低于图像信号VSig。注意，以下描述校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
作为上述的结果，如果驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值高，则驱动晶体管TDrv的源极区域处的电势的上升量ΔVCor(电势校正值)大，而在迁移率μ的值低的情况下，驱动晶体管TDrv的源极区域处的电势的上升量ΔVCor(电势校正值)小。此外，在要升高有机EL元件的亮度的情况下，将图像信号VSig的值设置为高，并且高电流流到驱动晶体管TDrv，而在降低亮度的情况下，将图像信号VSig的值设置为低，并且低电流流到驱动晶体管TDrv。这里，如 果考虑驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值等于有机EL元件的情况，则迁移率校正处理中的校正电压VCor的值取决于图像信号VSig，并且低于图像信号VSig。因此，即使迁移率校正处理时间tCor是固定的，也可抑制有机EL显示元件中的驱动晶体管TDrv的源极区域中电势的上升量ΔVCor(电势校正值)从希望的值转移。这里，第一节点ND1和第二节点ND2的之间的电势差(也就是说，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs)由以下给出的表达式(3)给出。 
Vg＝VCor
Vs≈VOfs-Vth+ΔVCor
Vgs≈VCor-[(VOfs-Vth)+ΔVCor]    (3) 
注意，应当在设计有机EL显示设备时，将用于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(5)5]中的总时间(tCor))预先确定为设计值。此外，确定[时间段TP(5)5]中的总时间tCor，使得在该时间的驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势(VOfs-Vth+ΔVCor)可满足以下给出的表达式(2’)。并且，通过这样，发光部分ELP在[时间段TP(5)5]中不发光。此外，通过迁移率校正处理同时执行系数k(≡(1/2)·(W/L)·Cox)的差量(dispersion)的校正。 
(VOfs-Vth+ΔVCor)＜(Vth-EL+VCat)    (2’) 
[时间段TP(5)6](参考图6的(D)) 
此后，执行写入处理，该写入处理通过图像信号写入晶体管TSig将图像信号VSig[用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig(驱动信号、亮度信号)]从数据线DTL施加到第一节点ND1，其中利用来自扫描线SCL的信号已将所述图像信号写入晶体管TSig置于导通状态。具体地，在保持第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2截止状态，以及保持图像信号写入晶体管TSig和发光控制晶体管TEL_C导通状态的同时，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势从校正电压VCor设置为用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig。结果，第一节点ND1的电势上升到VSig。此外，第二节点ND2的电势随着第一节点ND1的电势上升而上升。第二节点ND2从ΔVCor的电势的上升量由ΔVSig代表。作为上述的结果，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差(也就是，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的电势差Vgs)从表达式(3)转变到下面给出的表达式(4)。用于写入处理的时间(写入处理时间)是TSig。 
Vg＝VSig
Vs≈VOfs-Vth+ΔVCor+ΔVSig
Vgs≈VSig-[VOfs-Vth+ΔVCor+ΔVSig)    (4) 
具体地，通过到驱动晶体管TDrv中的写入处理获得的Vgs仅仅依靠用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth、用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电压的电势VOfs以及校正电压VCor。这里，ΔVCor和ΔVSig仅仅依靠VSig、Vth、VOfs和VCor。这也类似地适用于以下描述的实施例2到4。此外，它们独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(5)7](参考图6的(E)) 
由于通过上述操作完成了阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理，所以使用来自扫描线SCL的信号将图像信号写入晶体管TSig至于截止状态，以将第一节点ND1置于浮置状态，从而通过驱动晶体管TDrv将对应于第一节点ND1和第二节点ND2之间电势差的值的电流从电流提供部分100提供到发光部分ELP，以驱动发光部分ELP。换言之，使得发光部分ELP发光。 
具体地，在经过预定时间(tSig)后，基于扫描电路101将扫描线SCL置于低电平状态，以将图像信号写入晶体管TSig置于截止状态，从而将第一节点ND1(驱动晶体管TDrv的栅极电极)置于浮置状态。同时，发光控制晶体管TEL_C保持导通状态，并且发光控制晶体管TEL_C的漏极区域处于其被连接到用于控制发光部分ELP的发光的电流提供部分100(电压VCC，例如，20伏)的状态。因此，作为上述的结果，第二节点ND2的电势上升。这里，由于驱动晶体管TDrv的栅极电极处于如上所述的浮置状态，并且此外存在电容器部分C1，通过驱动晶体管TDrv的栅极电极发生与所谓自举电路发生的现象类似的现象，并且第一节点ND1的电势也上升。结果，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs维持表达式(4)的值。此外，由于第二节点ND2的电势上升并且超过(Vth-EL+VCat)，所以发光部分ELP开始发光。此时，由于流到发光部分ELP的电流是从驱动晶体管TDrv的漏极区域流到源极区域的漏极电流Ids，所以可以通过表达式(1)代表。这里，根据表达式(1)到(4)，可以由以下表达式(5)给出的方式转换表达式(1)。 
Ids＝k·μ·(VSig-VOfs-ΔVCor-ΔVSig)2       (5) 
因此，流过发光部分ELP的电流Ids与一个值的平方成比例增加，其中例如在将VOfs设置为0伏的情况下，通过减去源于驱动晶体管TDrv的迁移率μ 在第二节点ND2(驱动晶体管TDrv的源极区域)的电势校正值ΔVCor的值和根据用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig的值依赖于图像信号VSig的ΔVSig而获得所述值。换言之，流过发光部分ELP的漏电流Ids不依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一。换言之，发光部分ELP的发光量(亮度)不受发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的影响。并且，第(n，m)有机EL元件10的亮度具有对应于漏电流Ids的值。 
此外，随着驱动晶体管TDrv的迁移率μ增加，电势校正值ΔVCor增加，并且因此，在表达式(4)左侧的Vgs的值减少。因此，在表达式(5)中，即使迁移率μ的值高，(VSig-VOfs-ΔVCor-ΔVSig)2的值也是低的，结果，可校正漏电流Ids。具体地，即使在驱动晶体管TDrv具有不同的迁移率μ的值的情况下，如果图像信号VSig的值彼此相等，则漏电流Ids的值也实质彼此相等。结果，统一了流过发光部分ELP并且控制发光部分ELP的亮度的漏电流Ids。具体地，由于迁移率μ的差量引起的(还由差量k引起的)发光部分的亮度的差量可被校正。 
此外，在迁移率校正处理中，将取决于图像信号VSig并且低于图像信号VSig的校正电压VCor施加于驱动晶体管TDrv的栅极电压。因此，可减少图像信号VSig的亮度对迁移率校正处理的影响，并且可将发光部分的亮度控制为希望的亮度。结果，可获得有机EL显示设备的显示质量的改进。 
在图4的(A)和(B)中示出了图3中所示的驱动的时序图的部分([时间段TP(5)5]和[时间段TP(5)6]代表的部分)的示例图。这里，在图4的(A)和(B)所示的示例中，通过实线指示了[时间段TP(5)5]和[时间段TP(5)6]中第一节点ND1和第二节点ND2的电势改变。此外，通过虚线指示了当应用现有技术时在[时间段TP(5)5’]中第一节点ND1和第二节点ND2的电势改变。此外，由t代表直到(ΔVCor+ΔVSig)的值变为希望值的时间，在图4的(A)所示的示例中，在应用现有技术时的t的值比实施例1中的t的值短。同时，在图4的(B)所示的示例中，在应用现有技术时的t的值比实施例1中的t的值长。 
发光部分ELP的发光状态继续，直到第(m+m’-1)水平扫描时间段。该时间点对应于[时间段TP(5)-1]的结束。 
如上所述，完成有机EL元件10[第(n，m)个子像素(有机EL元件10)] 的发光操作。 
在下文中，描述校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
现在假设白色、灰色和黑色(更准确地，包括接近黑色的灰色)的灰度级的最优迁移率校正时间为3、5和7微秒。同时，将迁移率校正处理时间tCor假设为4微妙，并且将写入处理时间tSig假设为3微妙。并且，在该时间设置中，为每个灰度级检查最优校正电压VCor。 
首先，在有机EL显示元件显示黑色灰度级(更准确地，包括接近黑色的灰度级。这也类似地适用于以下描述)的情况下，对于该黑色灰度级，图像信号VSig例如低于3伏，黑色(例如，图像信号VSig＝3伏)灰度级的最优迁移率校正时间为7微秒。另一方面，由于tCor+tSig＝7微秒，在通过有机EL元件显示黑色灰度级的情况下，不需要施加非常高的值的正电压VCor。根据各种测试，例如，如下给出在校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
0(V)            0(V) 
3(V)            3(V) 
然后，当通过有机EL元件显示灰色灰度级(例如，图像信号VSig为6-8伏或更少)时，灰色灰度级(例如，图像信号VSig＝8伏)的最优迁移率校正时间为5微秒。然而，由于迁移率校正处理时间tCor为4微妙，所以灰色灰度级(例如，图像信号VSig＝8伏)的最优迁移率校正时间超过迁移率校正处理时间tCor。因此，需要设置校正电压VCor的值，使得最优迁移率校正时间不超过迁移率校正处理时间tCor。例如，作为各种测试的结果，如下给出校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
6(V)            4(V) 
8(V)            6.7(V) 
然后，例如，当通过有机EL元件显示白色灰度级(例如，图像信号VSig为低于14伏)时，白色灰度级(例如，图像信号VSig＝14伏)的最优迁移率校正时间为3微秒。并且，由于迁移率校正处理时间tCor为4微妙，所以白色灰度级(例如，图像信号VSig＝14伏)的最优迁移率校正时间在迁移率校正处理时间tCor的范围内。因此，在由有机EL元件显示白色灰度级的情况下，不需要施加非常高的值的校正电压VCor。例如，作为各种测试的结果，如下给 出校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
10(V)           0(V) 
12(V)           0(V) 
14(V)           0(V) 
作为上述的结果，以及进一步根据其中检查校正电压VCor和图像信号VSig之间的更精细关系的测试，如果在上述的定时设置中对于每个灰度级考虑最优校正电压VCor，则由VSig的二次函数表示校正电压VCor，其中二次项的系数为负值。具体地，其中a2、a1和a0为系数(然而，其中a2＜0)，能够将校正电压VCor表示为VCor＝a2·VSig 2+a1·VSig+a0。 
如果以此方式基于二次函数设置校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系，则通过装配(assemble)符合有机EL显示设备中的函数的逻辑电路，可为每个图像信号VSig精确地确定最优校正电压VCor，并将其输出到驱动电路11。 
替换地，假设白色、灰色和黑色(更准确地，包括接近黑色的灰色)的灰度级的最优迁移率校正时间为3、5和7微秒。另一方面，与上述不同，将迁移率校正处理时间tCor假设为5.5微妙，并且将写入处理时间tSig假设为1.5微妙。并且，在该定时设置中，为每个灰度级考虑最优校正电压VCor。 
首先，在有机EL显示元件显示黑色灰度级的情况下，对于该黑色灰度级，图像信号VSig例如低于3伏，黑色灰度级(例如，图像信号VSig＝3伏)的最优迁移率校正时间为7微秒。另一方面，由于tCor+tSig＝7微秒，在通过有机EL元件显示黑色灰度级的情况下，不需要施加非常高的值的校正电压VCor。例如，根据各种测试，如下给出校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
0(V)            0(V) 
3(V)            3(V) 
然后，当通过有机EL元件显示灰色灰度级(例如，图像信号VSig为6到8伏或更少)时，灰色灰度级(例如，图像信号VSig＝8伏)的最优迁移率校正时间为5微秒。然而，由于迁移率校正处理时间tCor为1.5微妙，所以灰色灰度级(例如，图像信号VSig＝6到8伏)的最优迁移率校正时间超过迁移 率校正处理时间tCor。因此，需要设置校正电压VCor的值，使得最优迁移率校正时间可以不超过迁移率校正处理时间tCor。例如，作为各种测试的结果，如下给出校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
6(V)            6.5(V) 
8(V)            6.5(V) 
然后，例如，当通过有机EL元件显示白色灰度级(例如，图像信号VSig为低于14伏)时，白色灰度级(例如，图像信号VSig＝14伏)的最优迁移率校正时间为3微秒。并且，由于迁移率校正处理时间tCor为1.5微妙，所以白色灰度级(例如，图像信号VSig＝14伏)的最优迁移率校正时间超过迁移率校正处理时间tCor。因此，需要设置校正电压VCor的值，使得最优迁移率校正时间不超过迁移率校正处理时间tCor。例如，作为各种测试的结果，如下给出校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
图像信号VSig    校正电压VCor
10(V)           6.5(V) 
12(V)           6.5(V) 
14(V)           8.5(V) 
作为上述的结果，以及进一步根据其中检查校正电压VCor和图像信号VSig之间更精细关系的测试，如果在上述的定时设置中对于每个灰度级考虑最优校正电压VCor，则其中α1和β2是大于0的常数，而β1是常数，满足 
VCor＝α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0] 
VCor＝β2[其中VSig-0＜VSig≤VSig-Max]。这里α1×VSig-0+β1＝β2。 
如果以此方式基于线性函数设置校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系，则通过装配符合有机EL显示设备中的函数的逻辑电路，可对于每个图像信号VSig精确地确定最优校正电压VCor，并将其输出到驱动电路11。 
如上所述，可基于迁移率校正处理时间tCor和写入处理时间tSig来确定什么关系(例如，函数)应被用作校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。例如，在迁移率校正处理时间tCor比写入处理时间tSig长的情况下，虽然取决于tCor和tSig的值，其中α1是大于0的常数β1是常数，但是满足VCor＝α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max]的单调递增线性函数可被用于上述关系。例如，在迁移率校正处理时间tCor比写入处理时间tSig短的情况下，虽然取决于 tCor和tSig的值，其中α1和β1是大于0的常数，但是满足VCor＝-α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max]的单调递减线性函数可被用于上述关系。此外，虽然取决于tCor和tSig的值，其中α1、α2和β1是大于0的常数并且β2是常数，但是满足 
VCor＝-α1×VSig+β1[其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0] 
VCor＝α2×VSig+β2[其中VSig-0≤VSig≤VSig-Max]。这里-α1×VSig-0+β1＝α2×VSig-0+β2。 
虽然取决于校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系，但是可将使用图像信号VSig作为参数定义校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系的表格存储在图像信号输出电路102中，使得基于要从图像信号输出电路102输出的图像信号VSig确定校正电压VCor，并且将其从图像信号输出电路102输出。 
替换地，可基于诸如在图像信号输出电路102中提供的电阻器和电容器、离散部分等的无源元件的组合，执行校正电压VCor的控制。具体地，在将校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系设置为单调递增线性函数的情况下，图像信号输出电路102包括，例如，如图23的(A)中所示的数字-模拟转换器DAC、电阻器RT1和RT2以及开关SWA和SWB。然后，从数字-模拟转换器DAC输出图像信号VSig。在[时间段TP(5)5]中，将开关SWB置于断开状态并将开关SWA置于接通状态。结果，在节点NDA的电势的值(也就是，校正电压VCor)基于的电阻器RT1的电阻值(rt1)和电阻器RT2的电阻值(rt2)，变为如由以下给出的表达式，并且将校正电压VCor输出到数据线DTL。 
VCor＝VSig×rt2/(rt1+rt2) 
此后，在[时间段TP(5)6]中，将开关SWB置于接通状态并将开关SWA置于断开状态。结果，将图像信号VSig输出到数据线DTL。通过改变如上所述的电阻器RT1的电阻值(rt1)和电阻器RT2的电阻值(rt2)(也就是，通过简单电阻分配方法)，可容易地改变校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
替换地，在将校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系设置为单调递增线性函数的情况下，图像信号输出电路102例如由如图23的(B)中所示的数字-模拟转换器DAC、电容器CS1和CS2以及开关SWA、SWB和SWC形成。然后，从数字-模拟转换器DAC输出图像信号VSig。在[时间段TP(5)5]中，将开关SWB和SWC置于断开状态并将开关SWA置于接通状态。结果，在节点NDA的电势的值(也就是，校正电压VCor)通过电容器CS1(电容cs1)和电 容器CS2(电容cs2)的耦合，变为如由以下给出的表达式给出，并且将校正电压VCor输出到数据线DTL。 
VCor＝VSig×cs1/(cs1+cs2) 
此后，在[时间段TP(5)6]中，将开关SWB和SWC置于接通状态并将开关SWA置于断开状态。结果，将图像信号VSig输出到数据线DTL。通过改变如上所述的电容器CS1的电容cs1和电容器CS2的电容cs2(也就是，通过简单电容分配方法)，可容易地改变校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
替换地，在将校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系设置为单调递将线性函数的情况下，图像信号输出电路102例如由如图23的(C)中所示的数字-模拟转换器DAC、晶体管TR、电阻器RT、电容器CS以及开关SWA、SWB和SWC形成。然后从数字-模拟转换器DAC输出图像信号VSig。在[时间段TP(5)5]中，将开关SWA置于接通状态并将开关SWB和SWC置于断开状态。 
这里，在图像信号VSig的值为高的情况下，也就是，在有机EL元件显示白色灰度级的情况下，晶体管TR的压降小，并且在节点NDA的电势VA高。此外，在节点NDB的电势的值(也就是，校正电压VCor)通过电容器CS的耦合变为VCor＝Vdd-VA。如上所述，在图像信号VSig的值为高的情况下，由于在节点NDA的电势VA为高，所以校正电压VCor的值仍然为低。然后，将该校正电压VCor输出到数据线DTL。 
同时，在图像信号VSig的值为低的情况下，也就是，在有机EL元件显示黑色灰度级的情况下，晶体管TR的压降大，并且在节点NDA的电势VA为低。此外，在节点NDB的电势的值(也就是，校正电压VCor)通过电容器CS的耦合变为VCor＝Vdd-VA。如上所述，在图像信号VSig的值为低的情况下，由于在节点NDA的电势VA为低，所以校正电压VCor的值仍然为高。然后，将该校正电压VCor输出到数据线DTL。 
VCor＝VSig×cs1/(cs1+cs2) 
此后，在[时间段TP(5)6]中，将开关SWB和SWC置于接通状态并将开关SWA置于断开状态。结果，将图像信号VSig输出到数据线DTL。如上所述，通过改变在导通状态晶体管TR的电阻值、电阻器RT的电阻值以及电容器CS的电容，可容易地改变校正电压VCor和图像信号VSig之间的关系。 
以上论述和电路配置也可适用于以下描述的实施例2到4。 
实施例2 
实施例2是对实施例1的修改。在实施例2中，由4Tr/1C驱动电路形成驱动电路。在图7中示出了4Tr/1C驱动电路的等效电路图；在图8中示出了概念图；在图9中示意性地示出了驱动的时序图；在图10的(A)至(D)以及图11的(A)至(D)中示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等。 
在该4Tr/1C驱动电路中，从上述5Tr/1C驱动电路省略第一节点初始化晶体管TND1。具体地，4Tr/1C驱动电路由图像信号写入晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C和第二节点初始化晶体管TND2的4个晶体管组成，并且还包括1个电容器部分C1。 
[发光控制晶体管TEL_C] 
发光控制晶体管TEL_C的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的发光控制晶体管TEL_C相同，并且因此省略其详细描述。 
[驱动晶体管TDrv] 
驱动晶体管TDrv的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的驱动晶体管TDrv的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
[第二节点初始化晶体管TND2] 
第二节点初始化晶体管TND2的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的第二节点初始化晶体管TND2的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
[图像信号写入晶体管TSig] 
图像信号写入晶体管TSig的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的图像信号写入晶体管TSig的配置相同，并且因此省略其详细描述。注意，虽然图像信号写入晶体管TSig在其源极/漏极区域的一个连接到数据线DTL，但是不仅从图像信号输出电路102提供用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig和校正电压VCor而且从图像信号输出电路102提供用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs。关于这点，图像信号写入晶体管TSig的操作与上述关于5Tr/1C驱动电路的图像信号写入晶体管TSig的操作不同。注意，除了VSig、VOfs和VCor以外的信号或电压(例如，用于预充电驱动的信号)也可从图像信号输出电路102提供到图像信号写入晶体管TSig的源极/漏极区域的一个。 
[发光部分ELP] 
发光部分ELP的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的发光部分ELP的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
在下文中，描述4Tr/1C驱动电路的操作。 
[时间段TP(4)-1](参考图10的(A)) 
[时间段TP(4)-1]中的操作例如是在先前显示帧中的操作，并且与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)-1]中的操作相同。 
图9中所示的[时间段TP(4)0]到[时间段TP(4)4]是对应于图3中所示的[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]的时间段，并且是直到紧挨着执行下一写入处理之前的时间点的操作时间段。此外，与在5Tr/1C驱动电路中类似地，在[时间段TP(4)0]到[时间段TP(4)4]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。然而，4Tr/1C驱动电路的操作与5Tr/1C驱动电路的操作不同，在于第m扫描时间段中不仅包括[时间段TP(4)5]到[时间段TP(4)6]还包括[时间段TP(4)2]到[时间段TP(4)4]。注意，为了方便描述，描述[时间段TP(4)2]的开始定时和[时间段TP(4)6]的结束定时分别与第m水平扫描时间段的开始定时和结束定时一致。 
在下文中，单独描述[时间段TP(4)0]到[时间段TP(4)4]。注意，与5Tr/1C驱动电路的描述中类似地，可根据有机EL显示设备的设计来适当地设置[时间段TP(4)1]的开始定时和[时间段TP(4)1]到[时间段TP(4)4]的每个时间段的长度。 
[时间段TP(4)0] 
[时间段TP(4)0]中的操作例如是来自先前显示帧的当前显示帧中的操作，并且与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)0]中的操作实质相同。 
[时间段TP(4)1](参考图10的(B)) 
该[时间段TP(4)1]对应于上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)1]。在该[时间段TP(4)1]中，执行用于执行以下描述的阈值电压取消处理的预处理。在[时间段TP(4)1]开始时，基于第二节点初始化晶体管控制电路105将第二节点初始化晶体管控制线AZND2置为高电平，以将第二节点初始化晶体管TND2置于导通状态。结果，第二节点ND2的电势变为VSS(例如，-10伏)此外，处于浮置状态的第一节点ND1(驱动晶体管TDrv的栅极电极)的电势以跟随第二节点ND2的电势下降的方式下降。注意，[时间段TP(4)1]中第一节点ND1的电势取决于[时间段TP(4)-1]中的第一节点ND1的电势(其取决于先前帧中的VSig的值)，并且因此不取为固定值。 
[时间段TP(4)2](参考图10的(C)) 
此后，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势设置为VOfs，并且基于扫描电路101的操作将扫描线SCL置为高电平状态，以将图像信号写入晶体管TSig置为导通状态。结果，第一节点ND1的电势变为VOfs(例如，0伏)。第二节点ND2的电势维持VSS(例如，-10伏)。此后，基于第二节点初始化晶体管控制电路105的操作将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设置为低电平状态，以将第二节点初始化晶体管TND2置于截止状态。 
注意，可在[时间段TP(4)1]的开始或者[时间段TP(4)1]的中间将图像信号写入晶体管TSig同时置于导通状态。 
通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差变得大于Vth，并且将驱动晶体管TDrv置于导通状态。 
[时间段TP(4)3](参考图10的(D)) 
然后，执行阈值电压取消处理。具体地，在维持图像信号写入晶体管TSig的导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置为高电平状态，以将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态。结果，虽然第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0伏)，但是第二节点ND2的电势向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth与第一节点ND1的电势的电势差变化。换言之，处于浮置状态的第二节点ND2的电势上升。然后，如果在驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差达到Vth，则将驱动晶体管TDrv置于截止状态。具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电势向(VOfs-Vth＝-3伏＞VSS)变化，并且最终变为(VOfs-Vth)。这里，如果确保以下给出的等式(2)，换言之，如果选择并确定电势，以便满足等式(2)，则发光部分ELP完全不发光。 
在[时间段TP(4)3]中，第二节点ND2的电势差最终变为例如(VOfs-Vth)。具体地，第二节点ND2的电势仅依赖于驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs。此外，第二节点ND2的电势独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(4)4](参考图11的(A)) 
此后，在维持图像信号写入晶体管TSig的导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置于低电平，以将发光控制晶体管TEL_C置于截止状态。结果，第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0)，并且处于浮置状态下的第二节点ND2的电势也基本上不 改变(虽然实际上可能由寄生电容等的静电耦合引起电势变化，但是通常忽略它们)，而是维持(VOfs-Vth＝-3伏)。 
现在，描述从[时间段TP(4)5]到[时间段TP(4)7]的时间段。在该时间段中的操作实质上与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)5]到[时间段TP(5)7]中的操作相同。 
[时间段TP(4)5](参考图11的(B)) 
然后，执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的幅度的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的校正(迁移率校正处理)。具体地，可以执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)5]中的操作相同的操作。具体地，在维持第二节点初始化晶体管TND2和发光控制晶体管TEL_C的截止状态的同时，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势从VOfs改变到校正电压VCor，以将图像信号写入晶体管TSig和发光控制晶体管TEL_C置为导通状态。结果，第一节点ND1的电势上升到校正电压VCor，并且第二节点ND2的电势上升到ΔVCor。注意，可在设计有机EL显示设备时，预先确定用于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(4)5]中的总时间(tCor))为设计值。 
这里，与5Tr/1C驱动电路的描述类似，可获得关于表达式(3)描述的值作为第一节点ND1和第二节点ND2的之间的电势差，也就是说，作为驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs。 
[时间段TP(4)6](参考图11的(C)) 
此后，执行用于驱动晶体管TDrv的写入处理。具体地，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势从VCor改变到用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig。结果，第一节点ND1的电势上升到VSig，并且第二节点ND2的电势几乎上升到(VOfs-Vth+ΔVCor+ΔVSig)。因此，与上述关于5Tr/1C驱动电路给出的描述类似地，可获得关于表达式(4)描述的值作为第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差，也就是，作为驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs。 
具体地，同样在4Tr/1C驱动电路中，在到驱动晶体管TDrv的写入处理中获得的Vgs仅仅依赖于用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth、用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电压的电势VOfs以及校正电压VCor。此外，Vgs独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(4)7](参考图11的(D)) 
通过上述操作，完成了阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理。然后，执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)7]中处理类似的处理，并且第二节点ND2的电势上升并且超过(Vth-EL+VCat)。因此，发光部分ELP开始发光。此时，由于可使用以上给出的表达式(5)获得流过发光部分ELP的电流，所以流过发光部分ELP的漏极电流Ids不依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一。换言之，发光部分ELP的发光量(亮度)不受发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的影响。此外，可抑制由驱动晶体管TDrv的迁移率μ中的差量引起的漏极电流Ids中差量的出现。 
然后，发光部分ELP的发光状态继续，直到第(m+m’-1)水平扫描时间段。该时间点对应于[时间段TP(4)-1]的结束。 
通过以上操作，完成有机EL元件10[第(n，m)个子像素(有机EL元件10)]的发光操作。 
实施例3 
实施例3是对实施例1的修改。在实施例3中，由3Tr/1C驱动电路形成驱动电路。在图12中示出了3Tr/1C驱动电路的等效电路图；在图13中示出了概念图；在图14中示意性地示出了驱动的时序图；在图15的(A)至(D)以及图16的(A)至(E)中示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等。 
在该3Tr/1C驱动电路中，从上述5Tr/1C驱动电路省略第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2的2个晶体管。具体地，3Tr/1C驱动电路由图像信号写入晶体管TSig、发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv的3个晶体管组成，并且还包括1个电容器部分C1。 
[发光控制晶体管TEL_C] 
发光控制晶体管TEL_C的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的发光控制晶体管TEL_C的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
[驱动晶体管TDrv] 
驱动晶体管TDrv的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的驱动晶体管TDrv的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
[图像信号写入晶体管TSig] 
图像信号写入晶体管TSig的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的图像信 号写入晶体管TSig的配置相同，并且因此省略其详细描述。注意，虽然图像信号写入晶体管TSig在其源极/漏极区域的一个连接到数据线DTL，但是从图像信号输出电路102不仅提供用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig和校正电压VCor而且从图像信号输出电路102提供用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs-H和电压VOfs-L。关于这点，图像信号写入晶体管TSig的操作与上述关于5Tr/1C驱动电路的图像信号写入晶体管TSig的操作不同。注意，除了VSig、校正电压VCor和VOfs-H/VOfs-L以外的信号或电压(例如，用于预充电驱动的信号)也可从图像信号输出电路102提供到图像信号写入晶体管TSig的源极/漏极区域的一个。虽然，不限制电压VOfs-H和电压VOfs-L的值，但是例如可给出VOfs-H＝大约30伏并且VOfs-L＝大约0伏作为示例。 
[CEL和C1的值之间的关系] 
如上所述，在3Tr/1C驱动电路中，需要利用数据线DTL改变第二节点ND2的电势。假设发光部分ELP的寄生电容CEL的电容值cEL与电容器部分C1的电容值和驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的寄生电容的值cgs相比具有足够高的值，并且不考虑基于驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势的改变量的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的改变(这也类似地适用于以下描述的2Tr/1C驱动电路)，给出5Tr/1C驱动电路和4Tr/1C驱动电路的上述描述。另一方面，在3Tr/1C驱动电路中，在设计时将电容器部分C1的值设置为高于其他驱动电路的容器部分的值(例如，将值c1设置为大约值cEL的1/4到1/3)。因此，由第一节点ND1的电势改变引起的第二节点ND2的电势改变的程度高于由其他驱动电路改变的程度。因此，考虑由第一节点ND1的电势改变引起的第二节点ND2的电势改变而给出3Tr/1C驱动电路。注意，考虑由第一节点ND1的电势改变引起的第二节点ND2的电势改变而还给出图中所示的驱动的时序图。 
[发光部分ELP] 
发光部分ELP的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的发光部分ELP的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
在下文中，描述3Tr/1C驱动电路的操作。 
[时间段TP(3)-1](参考图15的(A)) 
[时间段TP(3)-1]中的操作例如是在先前显示帧中的操作，并且与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)-1]中的操作实质相同。 
图14中所示的[时间段TP(3)0]到[时间段TP(3)4]是对应于图3中所示的[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]的时间段，并且是直到紧挨着执行下一写入处理之前的时间点的操作时间段。与在5Tr/1C驱动电路中类似地，在[时间段TP(3)0]到[时间段TP(3)4]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。然而，3Tr/1C驱动电路的操作与5Tr/1C驱动电路的操作不同，在于第m水平扫描时间段中不仅包括[时间段TP(3)5]到[时间段TP(3)6]还包括[时间段TP(3)1]到[时间段TP(3)4]。注意，为了方便描述，描述[时间段TP(3)1]的开始定时和[时间段TP(3)6]的结束定时分别与第m水平扫描时间段的开始定时和结束定时一致。 
在下文中，描述[时间段TP(3)0]到[时间段TP(3)4]的每个。注意，与5Tr/1C驱动电路的描述中类似地，可根据有机EL显示设备的设计来适当地设置[时间段TP(3)1]到[时间段TP(3)4]的每个时间段的长度。 
[时间段TP(3)0](参考图15的(B)) 
[时间段TP(3)0]中的操作例如是来自先前显示帧的当前显示帧中的操作，并且与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)0]中的操作实质相同。 
[时间段TP(3)1](参考图15的(C)) 
然后，开始在当前显示帧中的第m水平扫描时间段。在[时间段TP(3)1]开始时，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势设置为用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs-H，并且然后基于扫描电路101的操作，将扫描线SCL置为高电平状态，以将图像信号写入晶体管TSig置为导通状态。结果，第一节点ND1的电势变为VOfs-H。由于如上所述在设计时将电容器部分C1的值c1设置为高于其他驱动电路的容器部分的值，所以源极区域的电势(第二节点ND2的电势)上升。然后，由于发光部分ELP上的电势差超过阈值电压Vth-EL，所以将发光部分ELP置于传导状态(conductingstate)。然而，驱动晶体管TDrv的源极区域的电势立即下降到(Vth-EL+VCat)。注意，虽然在电势下降过程中发光部分ELP可发光，但是这样的发光在瞬间发生，并且不会在实际使用中造成问题。同时，驱动晶体管TDrv的栅极电极维持电压VOfs-H。 
[时间段TP(3)2](参考图15的(D)) 
此后，基于图像信号输出电路102的操作，在第一节点ND1的电势变为VOfs-L时，将数据线DTL的电势从用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的 电压VOfs-H改变到电压VOfs-L。然后，随着第一节点ND1的电势下降，第二节点ND2的电势也下降。具体地，基于驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势的改变量(VOfs-L-VOfs-H)的电荷被分配到电容器部分C1、发光部分ELP的寄生电容CEL和驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极电极之间的寄生电容。然而，如以下描述的[时间段TP(3)3]中操作的先决条件(prerequisite)，需要第二节点ND2的电势低于在[时间段TP(3)2]结束时的VOfs-L-Vth。设置VOfs-H等的值，以便满足该条件。具体地，通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差变为高于Vth，并且驱动晶体管TDrv置于导通状态。 
[时间段TP(3)3](参考图16的(A)) 
然后，执行阈值电压取消处理。具体地，在维持图像信号写入晶体管TSig的导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置为高电平状态，以将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态。结果，虽然第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs-L＝0伏)，但是第二节点ND2的电势向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth与第一节点ND1的电势的差的电势变化。换言之，处于浮置状态的第二节点ND2的电势上升。然后，如果在驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差达到Vth，则将驱动晶体管TDrv置于截止状态。具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电势向(VOfs-Vth＝-3伏＞VSS)变化，并且最终变为(VOfs-Vth)。这里，如果确保以下给出的等式(2)，换言之，如果选择并确定电势，以便满足等式(2)，则发光部分ELP完全不发光。 
在[时间段TP(3)3]中，第二节点ND2的电势最终变为，例如(VOfs-L-Vth)。具体地，第二节点ND2的电势仅依赖于驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs-L。此外，第二节点ND2的电势独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(3)4](参考图16的(B)) 
此后，在维持图像信号写入晶体管TSig的导通状态的同时，基于发光控制晶体管控制电路103的操作将发光控制晶体管控制线CLEL_C置于为低电平状态，以将发光控制晶体管TEL_C置于截止状态。结果，第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0伏)，并且处于浮置状态下的第二节点ND2的电势也不改变，并且维持(VOfs-Vth＝-3伏)。 
现在，描述从[时间段TP(3)5]到[时间段TP(3)7]的时间段。在该时间段中 的操作实质上与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)5]到[时间段TP(5)7]中的操作相同。 
[时间段TP(3)5](参考图16的(C)) 
然后，执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的幅度的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的校正(迁移率校正处理)。具体地，可以执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)5]中操作相同的操作。注意，可在设计有机EL显示设备时，预先确定用于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(3)5]中的总时间(tCor))作为设计值。 
[时间段TP(3)6](参考图16的(D)) 
此后，执行对于驱动晶体管TDrv的写入处理。具体地，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势从校正电压VCor改变到用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig，同时维持图像信号写入晶体管TSig和发光控制晶体管TEL_C的导通状态。结果，第一节点ND1的电势上升到VSig，并且第二节点ND2的电势几乎上升到(VOfs-Vth+ΔVCor+ΔVSig)。因此，与上述关于5Tr/1C驱动电路给出的描述类似地，可获得关于表达式(4)描述的值作为第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差，也就是，作为驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs。 
具体地，同样在3Tr/1C驱动电路中，在到驱动晶体管TDrv的写入处理中获得的Vgs仅仅依赖于用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth、用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势VOfs-L以及校正电压VCor。此外，Vgs独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(3)7](参考图16的(E)) 
通过上述操作，完成了阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理。然后，执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)7]中处理相同的处理，并且第二节点ND2的电势上升并且超过(Vth-EL+VCat)。因此，发光部分ELP开始发光。此时，由于可使用上述表达式(5)获得流过发光部分ELP的电流，所以流过发光部分ELP的漏极电流Ids不依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一。换言之，发光部分ELP的发光量(亮度)不受发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一的影响。此外，可抑制由驱动晶体管TDrv的迁移率μ中的差量引起的漏极电流Ids中差量的出现。 
然后，发光部分ELP的发光状态继续，直到第(m+m’-1)水平扫描时间段。该时间点对应于[时间段TP(4)-1]的结束。 
通过以上操作，完成有机EL元件10[第(n，m)个子像素(有机EL元件10)]的发光操作。 
实施例4 
实施例4是对实施例1的修改。在实施例4中，由2Tr/1C驱动电路形成驱动电路。在图17中示出了2Tr/1C驱动电路的等效电路图；在图18中示出了概念图；在图19中示意性地示出了驱动的时序图；在图20的(A)至(C)以及图21的(A)至(C)中示意性地示出了晶体管的导通/截止状态等。 
在该2Tr/1C驱动电路中，从上述5Tr/1C驱动电路省略第一节点初始化晶体管TND1、发光控制晶体管TEL_C和第二节点初始化晶体管TND2的3个晶体管。具体地，2Tr/1C驱动电路由图像信号写入晶体管TSig和驱动晶体管TDrv的2个晶体管组成，并且还包括1个电容器部分C1。 
[驱动晶体管TDrv] 
驱动晶体管TDrv的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的驱动晶体管TDrv的配置相同，并且因此省略其详细描述。但是，驱动晶体管TDrv在其漏极电极连接到电流提供部分100。注意，从电流提供部分100，提供用于控制发光部分ELP的发光的电压VCC-H和用于控制驱动晶体管TDrv的源极区域的电势的电压VCC-L。这里，虽然作为电压VCC-H和VCC-L可列出 
VCC-H＝20伏 
VCC-L＝-10伏 
但是它们不限于特定值。 
[图像信号写入晶体管TSig] 
图像信号写入晶体管TSig的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的图像信号写入晶体管TSig的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
[发光部分ELP] 
发光部分ELP的配置为与上述关于5Tr/1C驱动电路的发光部分ELP的配置相同，并且因此省略其详细描述。 
在下文中，描述2Tr/1C驱动电路的操作。 
[时间段TP(2)-1](参考图20的(A)) 
[时间段TP(2)-1]中的操作例如是在先前显示帧中的操作，并且与上述关 于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)-1]中的操作实质相同。 
图19中所示的[时间段TP(2)0]到[时间段TP(2)2]是对应于图3中所示的[时间段TP(5)0]到[时间段TP(5)4]的时间段，并且是直到紧挨着执行下一写入处理之前的时间点的操作时间段。此外，与在5Tr/1C驱动电路中类似地，在[时间段TP(2)0]到[时间段TP(2)4]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。但是，2Tr/1C驱动电路的操作与5Tr/1C驱动电路的操作不同，在于在第m扫描时间段中不仅包括[时间段TP(2)3]还包括[时间段TP(2)1]到[时间段TP(2)2]。注意，为了方便描述，描述[时间段TP(2)1]的开始定时和[时间段TP(2)3]的结束定时分别与第m水平扫描时间段的开始定时和结束定时一致。 
在下文中，描述[时间段TP(2)0]到[时间段TP(2)2]的每个时间段。注意，与5Tr/1C驱动电路的描述中类似地，可根据有机EL显示设备的设计来适当地设置[时间段TP(2)1]到[时间段TP(2)3]的每个时间段的长度。 
[时间段TP(2)0](参考图20的(B)) 
[时间段TP(2)0]中的操作例如是来自先前显示帧的当前显示帧中的操作。具体地，[时间段TP(2)0]是从先前显示帧中第(m+m’)水平扫描时间段到在当前显示帧中第(m-1)水平扫描时间段的时间段。此外，在[时间段TP(2)0]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。这里，在从[时间段TP(2)-1]到[时间段TP(2)0]的转变的时间点，将从电流提供部分100提供的电势从VCC-H改变到电压VCC-L。结果，第二节点ND2(驱动晶体管TDrv的源极区域或发光部分ELP的阳极电极)的电势降到VCC-L，并且发光部分ELP置于不发光状态。此外，处于浮置状态的第一节点ND1(驱动晶体管TDrv的栅极电极)的电势也以跟随第二节点ND2的电势下降的方式下降。 
[时间段TP(2)1](参考图20的(C)) 
然后，开始当前显示帧中的第m水平扫描时间段。在开始[时间段TP(2)1]时，基于扫描电路101的操作将扫描线SCL设置为高电平，以将图像信号写入晶体管TSig置为导通状态。结果，第一节点ND1的电势变为VOfs(例如，0伏)。第二节点ND2的电势维持VCC-L(例如，-10伏)。 
通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差变得大于Vth，并且将驱动晶体管TDrv置于导通状态。 
[时间段TP(2)2](参考图20的(D)) 
随后，执行阈值电压取消处理。具体地，在维持图像信号写入晶体管TSig 的导通状态的同时，将从电流提供部分100提供的电压从VCC-L改变到电压VCC-H。结果，虽然第一节点ND1的电势不改变(维持VOfs＝0伏)，但是第二节点ND2的电势从第一节点ND1的电势向驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth与第一节点ND1的电势的差的电势变化。换言之，处于浮置状态的第二节点ND2的电势上升。然后，如果在驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差达到Vth，则将驱动晶体管TDrv置于截止状态。具体地，处于浮置状态的第二节点ND2的电势向(VOfs-Vth＝-3伏)变化，并且最终变为(VOfs-Vth)。这里，如果确保以下给出的等式(2)，换言之，如果选择并确定电势，以便满足等式(2)，则发光部分ELP完全不发光。 
在[时间段TP(2)2]中，第二节点ND2的电势差最终变为例如(VOfs-Vth)。具体地，第二节点ND2的电势仅依赖于驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电压VOfs。换言之，第二节点ND2的电势独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(2)3](参考图21的(A)) 
然后，执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的幅度的驱动晶体管TDrv的源极区域(第二节点ND2)的电势的校正(迁移率校正处理)。具体地，可以执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)5]中的操作相同的操作。注意，可在设计有机EL显示设备时，预先确定用于执行迁移率校正处理的预定时间([时间段TP(2)3]中的总时间(tCor))作为设计值。 
并且在该[时间段TP(2)3]中，在驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值高的情况下，驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势的上升量ΔVCor大，而在迁移率μ的值低的情况下，驱动晶体管TDrv的源极区域中的电势的上升量ΔVCor小。 
[时间段TP(2)4](参考图21的(B)) 
此后，执行对于驱动晶体管TDrv的写入处理。具体地，基于图像信号输出电路102的操作，将数据线DTL的电势从校正电压VCor改变到用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig，同时维持图像信号写入晶体管TSig的导通状态。结果，第一节点ND1的电势上升到VSig，并且第二节点ND2的电势几乎上升到(VOfs-Vth+ΔVCor+ΔVSig)。因此，与上述关于5Tr/1C驱动电路给出的描述类似地，可获得关于表达式(4)描述的值作为第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差，也就是，作为驱动晶体管TDrv的栅极电极和源极区域之间的电势差Vgs。 
具体地，同样在2Tr/1C驱动电路中，在到驱动晶体管TDrv的写入处理中获得的Vgs仅仅依赖于用于控制发光部分ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth、用于初始化驱动晶体管TDrv的栅极电极的电势VOfs-L以及校正电压VCor。此外，Vgs独立于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。 
[时间段TP(2)5](参考图21的(C)) 
通过上述操作，完成了阈值电压取消处理、写入处理和迁移率校正处理。然后，执行与上述关于5Tr/1C驱动电路的[时间段TP(5)7]中处理相同的处理，并且第二节点ND2的电势上升并且超过(Vth-EL+VCat)。因此，发光部分ELP开始发光。此时，由于可使用上述表达式(5)获得流过发光部分ELP的电流，所以流过发光部分ELP的漏极电流Ids不依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一。换言之，发光部分ELP的发光量(亮度)不受发光部分ELP的阈值电压Vth-EL以及驱动晶体管TDrv的阈值电压Vth的任一的影响。此外，可抑制由于驱动晶体管TDrv的迁移率μ中的差量引起的漏电流Ids中差量的出现。 
然后，发光部分ELP的发光状态继续，直到第(m+m’-1)水平扫描时间段。该时间点对应于[时间段TP(4)-1]的结束。 
通过以上操作，完成有机EL元件10[第(n，m)个子像素(有机EL元件10)]的发光操作。 
虽然已经基于其优选实施例描述了本发明，本发明不限于这些实施例。关于实施例描述的有机EL显示设备的各种组件的配置和结构是说明性的，并且可被适当地改变。虽然，在实施例中，根据情况，原理上通过图像信号VSig的改变，平滑地改变校正电压VCor，但是可逐级改变校正电压VCor。此外，在5Tr/1C驱动电路、4Tr/1C驱动电路和3Tr/1C驱动电路中，可在紧挨着迁移率校正处理开始之前将发光控制晶体管TEL_C置于导通状态，已将驱动晶体管TDrv的漏极区域的电势设置为电流提供部分100的电压VCC。此外，校正电压VCor的值可为固定值，而不考虑图像信号VSig的值。 

Claims (6)

1.一种用于使用驱动电路的有机电致发光的发光部分的驱动方法，所述驱动电路包括
(A)具有源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的驱动晶体管；
(B)包括源极/漏极区域、沟道形成区域和栅极电极的图像信号写入晶体管；以及
(C)包括一对电极的电容器部分，
所述驱动晶体管
(A-1)在所述源极/漏极区域的一个连接到电流提供部分；
(A-2)在所述源极/漏极区域的另一个连接到所述有机电致发光的发光部分，并且还连接到所述电容器部分的一个电极，以便形成第二节点；以及
(A-3)在所述栅极电极处连接到所述图像信号写入晶体管的所述源极/漏极区域的另一个和所述电容器部分的另一个电极，以便形成第一节点，
所述图像信号写入晶体管
(B-1)在所述源极/漏极区域的一个连接到数据线，以及
(B-2)在所述栅极电极连接到扫描线，
所述驱动方法包括以下步骤：
(a)执行将第一节点初始化电压施加到所述第一节点并且将第二节点初始化电压施加到所述第二节点的预处理，使得第一和第二节点之间的电势差超过所述驱动晶体管的阈值电压，并且所述有机电致发光的发光部分的阴极电极和所述第二节点之间的电势差不超过所述有机电致发光的发光部分的阈值电压；
(b)在保持所述第一节点的电势的状态下，执行将所述第二节点的电势向从所述第一节点的电势减去所述驱动晶体管的阈值电压的电势改变的阈值电压取消处理；
(c)通过已经利用来自所述扫描线的信号置于导通状态的所述图像信号写入晶体管，将图像信号从所述数据线施加到所述第一节点的写入处理；
(d)利用来自所述扫描线的信号将所述图像信号写入晶体管置于截止状态，以将所述第一节点置于浮置状态，从而允许对应于第一和第二节点之间电势差的值的电流通过所述驱动晶体管从所述电流提供部分提供到所述有机电致发光的发光部分，以驱动所述有机电致发光的发光部分；并且
在步骤(b)和(c)之间，执行将校正电压通过所述图像信号写入晶体管从所述数据线施加到所述第一节点的迁移率校正处理，其中已经利用来自所述扫描线的信号将所述图像信号写入晶体管置于导通状态，并且将高于在步骤(b)所述第二节点的电势的电压从所述电流提供部分施加到所述驱动晶体管的源极/漏极区域的一个，以响应于所述驱动晶体管的特性，升高所述第二节点的电势；
所述校正电压的值是依赖于在步骤(c)从所述数据线施加到所述第一节点的所述图像信号并且低于所述图像信号的值。
2.如权利要求1所述的有机电致发光的发光部分的驱动方法，其中，由VSig代表所述图像信号的值，并且由VCor代表所述校正电压的值，由VSig的二次函数代表VCor，二次项的系数为负值。
3.如权利要求1所述的有机电致发光的发光部分的驱动方法，其中，由VSig代表所述图像信号的值，由VCor代表所述校正电压的值，由VSig-Min代表所述图像信号的最小值，并且由VSig-Max代表所述图像信号的最大值，并且α1和β2是大于0的常数，而β1是常数，满足
VCor＝α1×VSig+β1，其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0，
VCor＝β2，其中VSig-0＜VSig≤VSig-Max，
其中，α1×VSig-0+β1＝β2。
4.如权利要求1所述的有机电致发光的发光部分的驱动方法，其中，由VSig代表所述图像信号的值，由VCor代表所述校正电压的值，由VSig-Min代表所述图像信号的最小值，并且由VSig-Max代表所述图像信号的最大值，并且α1是大于0的常数，而β1是常数，满足
VCor＝α1×VSig+β1，其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max。
5.如权利要求1所述的有机电致发光的发光部分的驱动方法，其中，由VSig代表所述图像信号的值，由VCor代表所述校正电压的值，由VSig-Min代表所述图像信号的最小值，并且由VSig-Max代表所述图像信号的最大值，并且α1和β1是大于0的常数，满足
VCor＝-α1×VSig+β1，其中VSig-Min≤VSig≤VSig-Max。
6.如权利要求1所述的有机电致发光的发光部分的驱动方法，其中，由VSig代表所述图像信号的值，由VCor代表所述校正电压的值，由VSig-Min代表所述图像信号的最小值，并且由VSig-Max代表所述图像信号的最大值，并且α1、α2和β1是大于0的常数，而β2是常数，满足
VCor＝-α1×VSig+β1，其中VSig-Min≤VSig≤VSig-0，
VCor＝α2×VSig+β2，其中VSig-0＜VSig≤VSig-Max，
其中，-α1×VSig-0+β1＝α2×VSig-0+β2。
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