CN101678563A - 切断方法及线锯装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种切断方法及线锯装置,是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒,一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒,一边使该钢线行进地压抵晶棒,将晶棒切断成晶片状的方法,其通过对上述晶棒供给独立于上述切断用浆液地控制供给温度后的晶棒调温用浆液,以可控制晶棒的温度的方式来进行切断;此时,对于上述晶棒,仅向上述往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液。以此,提供一种切断方法以及线锯装置,利用线锯切断晶棒时,特别是减轻晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧的冷却,其结果,可抑制纳米形貌的恶化,进而也可切断成为厚度均匀的高质量晶片。
Description
技术领域
本发明是涉及一种利用线锯装置(也可简称为线锯)将硅晶棒、化合物半导体的晶棒等切成多枚晶片的切断方法及线锯装置。
背景技术
近年,晶片有大型化的趋势,随着此大型化而使用专门用于切断晶棒的线锯。
线锯,是使钢线(高张力钢线)高速行进,在此一面浇上浆液,一面压抵晶棒(工作件)而切断,同时切成多枚晶片的装置(参照日本专利公开公报特开平9-262826号)。
此处,图6是表示一般线锯的一例的概要。
如图6所示,线锯101主要由用以切断晶棒的钢线102、卷取钢线102的附凹沟滚筒103(导线器)、用以赋予钢线102张力的钢线张力赋予机构104、送出要被切断的晶棒的晶棒进给机构105、以及于切断时供给浆液的浆液供给机构106所构成。
钢线102从一侧的线卷盘(wire reel)107送出,经由移车台(traverser)108,再经过由磁粉离合器((powder clutch)定转矩马达109)或上下跳动滚筒(静重(deadweight))(未图示)等所组成的钢线张力赋予机构104,进入附凹沟滚筒103。钢线102卷绕于此附凹沟滚筒103大约300~400次之后,经过另一侧的钢线张力赋予机构104’而被卷绕在线卷盘107’上。
另外,附凹沟滚筒103,是在钢铁制圆筒的周围压入聚胺酯树脂,并于其表面以一定的节距切出凹沟的滚筒,卷绕的钢线102可通过驱动用马达110以预定的周期往复方向地驱动。
又,切断晶棒时,通过如图7所示的晶棒进给机构105,将晶棒向卷绕于附凹沟滚筒103上的钢线102进给。此晶棒进给机构105,是由用以进给晶棒的晶棒进给平台111、线性导轨112、把持晶棒的晶棒夹器113、以及切片挡板114等所组成,以计算机控制沿着线性导轨112驱动晶棒进给平台111,可依预先程序化的推送速度,进给已固定于前端的晶棒。
而且,在附凹沟滚筒103与卷绕的钢线102的附近设有喷嘴115,于切断时,可从浆液槽116供给浆液至附凹沟滚筒103、钢线102。另外,浆液槽116可与浆液冷却器117接续,以调整供给浆液的温度。
利用如此的线锯101,利用钢线张力赋予机构104赋予钢线102适当的张力,并通过驱动用马达110使钢线102往复方向地行进,将晶棒切片。
另一方面,近年来,称为“纳米形貌”的表面起伏成分大小成为晶片的问题。此纳米形貌是在晶片的表面形状中,其波长比“弯曲”、“翘曲”短、比“表面粗度”长,而取出λ=0.2~20mm的波长成分而成,其PV值为0.1~0.2μm以下的极浅的起伏。此纳米形貌,一般认为会影响组件制造时的浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation;STI)制程的合格率。
纳米形貌是于晶片的加工制程(切片~研磨)中所夹杂而生,如图8所示,其中起因于线锯·切片而产生的纳米形貌(亦即,切片起伏),可区分为“突发性地发生者”、“于切断开始或结束部分发生者”以及“具周期性者”三种。
其中,在“晶片的切断开始或结束部分”发生者,于纳米形貌的数值判定下,不合格率高。特别是“切断结束部分”的纳米形貌,相较于“切断开始部分”的纳米形貌大,成为晶片面内纳米形貌数值最恶化之处,数值判定成为不良的频率高,有高度的改善需求。
发明内容
因此,本发明人对于利用图6所示的现有线锯切断后的切片晶片进行纳米形貌的调查。
图9是例示以静电容量型测定机测定的切片晶片的翘曲剖面形状与“拟似纳米形貌”。拟似纳米形貌,是指对切片晶片的翘曲剖面波形,以模仿磨光(lapping)、磨削以及研磨加工特性的带通滤波器进行处理,拟似地获得与研磨后晶片的纳米形貌相关的数值。
一般地,纳米形貌是于抛光后进行测定,但从如上所述的切片晶片求取拟似纳米形貌,通过此种方式的采用,即可不花成本、时间地完成,另外,不受切片后的研磨等的制程中的因素影响,容易调查仅受切片影响所导致的纳米形貌。
通过如此的调查,明白了现有技术中最希望改善的切断结束部附近的纳米形貌的原因,是因为晶片的翘曲形状于此处急剧地变化。
如形状图所示,图9(A)是表示切断结束部附近之处的形状变化小,但由拟似纳米形貌可知,切断结束部附近之处,其变化的大小是被抑制于±0.1μm范围,属于较小的。另一方面,如图9(B)、(C)所示,切断结束部附近之处的形状急剧地大变化时,该处中,拟似纳米形貌的大小为-0.3~0.4的范围,与图9(A)相较可知,成为较大的。
又,即便整体的形状变化略大,但是若为缓和的变化,则纳米形貌几乎没有恶化。急剧地形状变化会重大地影响纳米形貌。
因此,接着调查于切片晶片发生如图9所示的切断结束部附近之处的急剧变化的原因。
首先,将切片晶片的形状的变化,亦即,晶棒切断时,钢线的切断轨迹的一例表示于图10。如图10所示,特别是于晶棒的两端附近的切断结束部分,钢线的轨迹大幅地向外侧扩张,因而切片晶片的翘曲剖面形状急剧地变化。
对于发生如此的剖面形状(切断轨迹)的可能性,进行如下的调查结果可知,如图11所示,切断结束时附近,因晶棒向其轴方向收缩,造成钢线的切断轨迹向晶棒的端部歪曲为主要原因。
调查方法是利用如图6的现有线锯,切断试验用而准备的直径300mm、长250mm的硅晶棒。对钢线施以2.5kgf的张力,以500m/min的平均速度、60s/c的循环周期,使钢线于往复方向行进地进行切断。另外,切断用浆液的供给温度,是如图12(A)所示的温度曲线。又,温度,是使用热电偶,于晶棒两端(切入深度285mm位置)计测(参照图12(B))。
实测切断中的晶棒的温度变化结果表示于图12(A)。
切断中,晶棒的温度最大上升13℃成为大约36℃,另外,切断结束部分附近(此时,切入深度275mm~300mm)急剧地降低大约10℃。此与切断结束附近的翘曲形状剧变的位置一致。另外,上述切断结束部附近,由热膨胀系数来计算可知,晶棒的轴方向急剧地收缩大约10μm。
一般认为,此是首先如图13所示,切断开始时至切断中间阶段为止,晶棒几乎未直接浇上切断用浆液而难以冷却,加工热积蓄于晶棒中,但如图14所示,于切断结束部分附近,切断进行中,晶棒下降,冷却至22~24℃的切断用浆液直接浇上于晶棒,且于切断结束部分附近,切断负荷减少至最大值的1/2以下,因此,使晶棒的温度急冷至与切断用浆液相同温度。
又,图12(A)中,切入深度200mm以后,因在此浆液的流量减少,已降低的晶棒温度再次上升。
根据以上的调查,得知为了改善起因于切断结束部附近之处的翘曲形状急剧变化而产生的纳米形貌,控制切断中的晶棒温度,以避免切断结束部附近的晶棒温度的急剧降低是重要的。
此处,为了控制切断时的晶棒温度,在世界智能财产权组织WO00/43162号公报中,揭示一种手段,于晶棒切断时,供给切断用浆液(切断用浆液喷嘴115)至附凹沟滚筒,且供给用以调整晶棒温度的晶棒调温用浆液(晶棒调温用浆液喷嘴115’)至晶棒。图15中表示说明切断用浆液与晶棒调温用浆液的说明图。
但是,本发明人对于通过如此的现有手法而被切断的切片晶片进行调查的结果发现,于晶片的中心领域,晶片厚度的精度成为标准条件的3~20倍,厚度均匀性显著恶化。图16中表示现有方法所得的切片晶片的厚度形状。如此的晶片实际上难以作为制品来使用。
因此,本发明人对于上述控制晶棒的温度来减轻急冷的方法、以及上述文献WO00/43162号公报中的晶片厚度的变化,不断努力研究的结果发现,若为图15所示的上述的现有方法,则进行切断,于切割晶棒的中心领域时,切断用浆液与晶棒调温用浆液之间重大干涉,流动混乱,对于晶棒的中心领域的切断形状造成强烈影响。图17中表示这些浆液之间的干涉的说明图。因此,成为如图16所示的,在中心领域,厚度的精度从标准条件显著地脱逸的切片晶片。
因此,本发明是有鉴于如此的问题而开发出来,其目的是提供一种切断方法,利用线锯切断晶棒时,减轻晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧地冷却,其结果,可抑制纳米形貌的发生,且切断成为厚度均匀的高质量晶片。
另外,其目的是提供一种线锯装置,可抑制如上所述的纳米形貌的恶化,切断成为厚度均匀的高质量晶片。
为了达成上述目的,本发明是提供一种切断方法,是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒,一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒,一边使该钢线往复行进地压抵晶棒,将晶棒切断成晶片状的方法,其特征在于:
通过对上述晶棒供给独立于上述切断用浆液地控制供给温度后的晶棒调温用浆液,以可控制晶棒的温度的方式来进行切断;此时,对于上述晶棒,仅向上述往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液。
如此,首先,因通过对要被切断的晶棒,供给独立于切断用浆液地控制供给温度后的晶棒调温用浆液,控制晶棒的温度来进行切断,所以可减轻晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧的冷却,抑制切断轨迹、翘曲形状的急剧的变化的发生,改善切片晶片的纳米形貌。
进而,此时,因为对于晶棒,仅向往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液,可将晶棒切断为厚度均匀的晶片。即便供给的晶棒调温用浆液与切断用浆液干涉,造成这些浆液的流动重大混乱,但是由于仅于往复行进的的钢线的出侧供给晶棒调温用浆液,因此,上述混乱的发生仅于钢线的出侧,因位于钢线的出侧,于此位置发生的浆液的混乱,对于晶棒的切断本身不会造成强烈的影响。因此,晶棒的切断形状无重大混乱,可抑制如现有技术般地于晶片的中心领域的厚度的精度恶化。
根据上述,可得到晶片的厚度的均匀性高且抑制纳米形貌的恶化的高质量的切片晶片。
此时,使上述晶棒调温用浆液,从切断开始时上升供给温度,于上述晶棒的切入深度至少达直径的2/3时,与该晶棒的温度相同地供给,之后,一边渐渐降低供给温度一边供给为较佳。
如依如此的温度控制供给晶棒调温用浆液,则切断中的晶棒的温度不会急剧地变化,特别是可效率极佳地减轻切断结束部附近的晶棒的急冷。
进而,此时,使该晶棒调温用浆液的供给温度,于晶棒的切入深度至少达直径的2/3后渐渐降低,于切断结束时,与该切断用浆液的供给温度相同为较佳。
如此,如使晶棒调温用浆液的温度,于切断结束时,与切断用浆液的供给温度相同,则晶棒的切断结束时附近不会有过度地冷却,且至切断用浆液的温度为止,晶棒的温度可更平顺的降低,可有效地减轻晶棒发生急冷。
另外,本发明提供一种线锯装置,是至少具备卷绕钢线的多个附凹沟滚筒;切断用浆液供给机构,供给切断用浆液至该附凹沟滚筒;以及晶棒调温用浆液供给机构,将独立于上述切断用浆液地控制温度的晶棒调温用浆液,供给至要被切断的晶棒;并且,一边从该上述切断用浆液供给机构供给切断用浆液至上述附凹沟滚筒,且从上述晶棒调温用浆液供给机构供给晶棒调温用浆液至晶棒,一边该钢线往复行进地压抵晶棒,来将晶棒切断成晶片状的形态的线锯装置,其特征在于:
该线锯装置还具备晶棒调温用浆液供给位置控制机构,用以控制上述晶棒调温用浆液的供给位置,该晶棒调温用浆液供给位置控制机构,对于上述要被切断的晶棒,可控制仅向上述往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液。
如此,本发明的线锯装置,首先,因具备将晶棒调温用浆液供给至要被切断的晶棒的晶棒调温用浆液供给机构,可控制晶棒调温用浆液的温度来进行切断,抑制晶棒的切断轨迹、翘曲形状的急剧地变化的发生,可抑制纳米形貌的恶化。
进而,还具备晶棒调温用浆液供给位置控制机构,因该晶棒调温用浆液供给位置控制机构,对于该要被切断的晶棒,可控制仅向该往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液,可使晶棒调温用浆液与切断用浆液的干涉而造成的这些浆液流动的重大混乱仅止于钢线的出侧,晶棒的切断形状无重大的混乱,可切出厚度均匀性高的高质量切片晶片。
此时,晶棒调温用浆液供给位置控制机构具备切换阀,通过该切换阀的切换,对于要被切断的晶棒,仅向钢线的出侧供给晶棒调温用浆液。
若具备如此的切换阀,通过此阀的周期性的切换,对于要被切断的晶棒,可简便地控制仅向钢线的出侧供给晶棒调温用浆液。
若为本发明的切断方法以及线锯装置,特别是可减轻切断结束时附近的晶棒的急冷,有效地抑制纳米形貌的恶化,且在中心领域中,晶片厚度的精度不会恶化,可获得具有均匀厚度的高质量切片晶片。
附图说明
图1是表示可使用于本发明的切断方法的线锯的一例的概略图。
图2是表示实施例中浆液的供给温度曲线的图表,(A)是切断用浆液、(B)是晶棒调温用浆液。
图3是表示实施例、比较例1中晶棒的温度变化的图表。
图4是表示实施例中切片晶片的厚度分布的图表。
图5是表示拟似纳米形貌的水平度的图表,(A)是实施例的结果、(B)是比较例1的结果。
图6是表示现有的线锯的一例的概略图。
图7是表示晶棒进给机构的一例的概略图。
图8是表示起因于线锯·切片的纳米形貌的分类说明图。
图9是切片晶片的翘曲剖面形状以及拟似纳米形貌波形的测定图。
图10是表示晶棒切断时,钢线的切断轨迹的一例的概略图。
图11是表示晶棒切断时,晶棒的收缩与切断轨迹的一例的说明图。
图12是关于晶棒于轴方向收缩可能性的试验结果,(A)是表示切断中的晶棒的温度变化以及切断用浆液的供给温度曲线的图表、(B)是说明晶棒的温度测定方法的说明图。
图13是表示切断开始时的晶棒与切断用浆液的关系的说明图。
图14是表示切断结束部附近的晶棒与切断用浆液的关系的说明图。
图15是说明切断用浆液喷嘴与晶棒调温用浆液喷嘴的说明图。
图16是表示现有方法所得的切片晶片的厚度形状的图表。
图17是说明切断用浆液与晶棒调温用浆液的干涉的说明图,(A)是切断开始时、(B)是切断晶棒中心领域时。
具体实施方式
以下说明本发明的实施形态,但本发明并不限定于此。
如上所述,为了防止晶棒的切断结束部附近的急剧地晶棒的温度降低,例如在世界智能财产权组织WO00/43162号公报中,揭示一种手段,在晶棒切断时,供给切断用浆液至附凹沟滚筒,且供给用以调整晶棒温度的晶棒调温用浆液至晶棒(参照图15)。但是,此手法中,在晶片的中心领域,其厚度均匀性显著恶化。
本发明人发现,此晶片的厚度均匀性恶化的原因,是切断用浆液与晶棒调温用浆液之间重大干涉,流动混乱,于切断晶棒时,对于其切断形状造成强烈影响。
然而,并非如现有般地对于晶棒往复行进地进行切断晶棒的钢线的入侧与出侧两侧,供给晶棒调温用浆液,若仅供给至钢线的出侧,则即便切断用浆液与晶棒调温用浆液互相干涉而混乱,其混乱是发生于钢线的出侧,而防止其发生于钢线的入侧,则上述浆液的混乱不会对于晶棒的切断造成重大影响,其结果,发现可防止晶片的中心领域中的厚度的精度恶化,进而完成本发明。
以下,一边参照图式一边详细地说明本发明的线锯装置,但本发明不限定于此。
图1表示本发明的线锯装置的一例的概略。
如图1所示,本发明的线锯装置1,主要由用以切断晶棒的钢线2、附凹沟滚筒3、钢线张力赋予机构4、晶棒进给机构5、切断用浆液供给机构6、晶棒调温用浆液供给机构6’、以及晶棒调温用浆液供给位置控制机构7所构成。
此处,首先描述浆液供给机构6,亦即,供给切断用浆液至附凹沟滚筒3(钢线2)的机构。此浆液供给机构6中,从浆液槽16,经由以计算机18的温度控制部(切断用浆液)控制的热交换器(切断用浆液用)19,接续至喷嘴(切断用浆液喷嘴)15。切断用浆液是通过热交换器19控制供给温度,从喷嘴15供给至附凹沟滚筒3。
另外,晶棒调温用浆液供给机构6’,亦即,直接供给用以调节其温度的浆液(晶棒调温用浆液)至要被切断的晶棒的机构中,从浆液槽16,经由以计算机18的温度控制部(晶棒调温用浆液)控制的热交换器(晶棒调温用浆液用)19’,接续至喷嘴(晶棒调温用浆液喷嘴)15’。晶棒调温用浆液是通过热交换器19’控制供给温度,从喷嘴15’供给至晶棒。
如此,本发明的线锯装置1中,切断用浆液与晶棒调温用浆液可分别经由相异热交换器19、19’而供给,而构成可个别地控制切断用浆液与晶棒调温用浆液的供给温度。
因此,通过晶棒调温用浆液供给机构6’,可独自调整晶棒调温用浆液的供给温度后,供给至晶棒,而可控制切断中的晶棒的温度,可防止因晶棒温度的急剧变化而发生切断轨迹、翘曲形状的急剧的变化。因此,可抑制以这些起因所造成的纳米形貌的恶化。
又,当然地,不限定于图1所示的上述的构成,例如通过做成配设个别的浆液槽,并使各浆液槽接续浆液冷却器的构成,而能够分别控制各个浆液槽内的浆液温度,亦即做成能够个别地控制浆液的供给温度的构成。只要是可分别独立控制切断用浆液与晶棒调温用浆液的供给温度的机构即可。
这些浆液的种类并无特别限定,可使用与现有相同的浆液。例如可为将GC(碳化硅)磨粒分散于液体而成的浆液。
接着叙述晶棒调温用浆液供给位置控制机构7。此晶棒调温用浆液供给位置控制机构7,例如能够作成主要是由切换阀20、以及计算机18的晶棒调温用浆液供给位置控制部18a所构成。
此处,切换阀20,是如图1所示,配设于热交换器19’与喷嘴15’之间,用以切换控制经由热交换器19’,从浆液槽16送来的晶棒调温用浆液,使其流向喷嘴15’L或喷嘴15’R、或者双方的阀。又,由线锯装置1的前面侧(亦即图1的前方侧)来看,喷嘴15’中,左侧的喷嘴是15’L,右侧的喷嘴是为15’R。
如此,如有切换阀20,则可简便且确实地通过切换控制晶棒调温用浆液的流送方向。又,阀本身可使用目前所使用的阀。
而且,切换阀20与使钢线2行进的驱动用马达10,是接续于计算机18,通过晶棒调温用浆液供给位置控制部18a,可自动地对应驱动用马达10的驱动,来控制切换阀20的切换。
更具体地说明,则例如由线锯装置1的前面侧来看,通过驱动用马达10,使钢线2从右侧向左侧行进来切断晶棒时,可对应此钢线2的行进方向,从晶棒调温用浆液供给位置控制部18a对于切换阀20送出使阀切换成仅开放左侧的喷嘴15’L的信号。以此,晶棒调温用浆液流向左侧的喷嘴15’L,而仅将浆液供给至晶棒的左侧,亦即,此时切断晶棒的钢线2从晶棒出来的一侧(钢线2的出侧)。
另外,钢线2从左侧向右侧行进来切断晶棒时,可对应此钢线2的行进方向,从晶棒调温用浆液供给位置控制部18a对于切换阀20送出使阀切换成仅开放右侧的喷嘴15’R的信号。以此,晶棒调温用浆液流向右侧的喷嘴15’R,而仅将浆液供给至晶棒的右侧,亦即,此时也是钢线2的出侧。
如此,本发明的线锯装置1中,具备上述晶棒调温用浆液供给位置控制机构7,至少对于要被切断的晶棒,可控制仅向往复行进的钢线2的出侧,供给晶棒调温用浆液。因此,若为本发明的线锯装置1,晶棒的切断中,即便供给切断用浆液加上晶棒调温用浆液,也可不供给晶棒调温用浆液至钢线2进入晶棒的一侧(钢线2的入侧),而仅供给晶棒调温用浆液至钢线2的出侧。因此,不会发生现有发生的钢线2的入侧的晶棒调温用浆液与切断用浆液的重大干涉,不会引起因浆液之间的干涉所造成的混乱,可有效地防止晶棒的切断形状大幅地混乱。另一方面,即便于钢线2的出侧发生晶棒调温用浆液与切断用浆液的重大干涉而引起混乱,因位于钢线2切断晶棒而出来的一侧,不会对于晶棒的切断形状造成重大的影响。因此,若为本发明的线锯装置1,晶片中心领域的厚度精度不会恶化,可切出厚度均匀的晶片。
但是,上述晶棒调温用浆液供给位置控制机构7的机能,并未限定于仅控制开放上述的切换阀20的一方,进而,例如可送出将阀切换,开放左右两侧的喷嘴15’L、15’R的信号,对应必要的情况,可从喷嘴15’L、15’R的两方供给晶棒调温用浆液。例如,切断开始前,调整晶棒的初期温度时,可从两方的喷嘴15’L、15’R供给晶棒调温用浆液,快速地使晶棒的温度成为设定温度。
又,晶棒调温用浆液供给位置控制机构7,不限定于采用上述切换阀20者,例如,喷嘴15’L、15’R,可从浆液槽16以相异管线流送晶棒调温用浆液,于各管线设置个别的阀,通过控制个别的阀的开闭可控制晶棒调温用浆液的供给位置。
另外,计算机18的喷嘴、晶棒进给控制部,与供给切断用浆液的喷嘴15、以及晶棒进给机构5接续,可通过预先设定的程序,对于预定的晶棒进给量,亦即预定的晶棒的切断量,自动地从喷嘴15以预定量、预定的时机,供给切断用浆液至附凹沟滚筒3。
进而,计算机18的喷嘴、晶棒进给控制部,亦与供给晶棒调温用浆液的喷嘴15’接续,关于此晶棒调温用浆液对于晶棒的供给,如上所述,考虑对应钢线2的行进方向的时机、供给位置(喷嘴15’L、喷嘴15’R)而被程序化。
另外,钢线2、附凹沟滚筒3、钢线张力赋予机构4、晶棒进给机构5,可为与图6的现有的线锯101相同者。
钢线2的种类、粗细,附凹沟滚筒3的沟的节距,甚至是其它机构的构成等,并无特别限定,可根据现有技术,依其情况决定使得可以成为所希望的切断条件。
例如,钢线2可为宽大约为0.13mm~0.18mm的特殊钢琴线所成,附凹沟滚筒3可为具有(预定晶片厚度+切割部分)的沟节距。
以下,描述利用如此的本发明的线锯装置1本发明的切断方法的实施步骤。
首先,通过晶棒进给机构5,将把持的晶棒以预定速度向下方送出,且驱动附凹沟滚筒3,使通过钢线张力赋予机构4赋予张力的钢线2向往复方向行进。又,此时,可适当地设定赋予钢线2的张力大小、钢线2的行进速度。例如,可施以2.5~3.0kgf的张力,以400~600m/min的平均速度,1~2c/min(30~60s/c)的循环周期,往复方向地行进。配合要被切断的晶棒等来决定即可。
另外,从喷嘴15向附凹沟滚筒3以及钢线2开始供给切断用浆液,但此供给温度等也可自由设定。例如,大约可为室温(25℃)。
图2(A)中表示本发明的切断方法中的切断用浆液的供给温度曲线的一例。又,可依如此的温度曲线供给切断用浆液,但不限定于此。
进而,从喷嘴15’L或喷嘴15’R向晶棒直接供给晶棒调温用浆液。此时,通过晶棒调温用浆液供给位置控制机构7,一边控制晶棒调温用浆液的供给位置一边进行供给。亦即,通过晶棒调温用浆液供给位置控制部18a,对应往复行进的钢线2的行进方向,自动地切换切换阀20,使晶棒调温用浆液仅流向位于钢线2的出侧的喷嘴。以此,控制晶棒调温用浆液的供给位置,对于晶棒,仅向钢线2的出侧供给晶棒调温用浆液。
如此,本发明的切断方法中,因可仅向钢线2的出侧供给晶棒调温用浆液,在切断中,可防止晶棒调温用浆液供给至钢线2的入侧,在钢线2的入侧,抑制晶棒调温用浆液与切断用浆液发生重大干涉而导致浆液的流动混乱,可防止对于晶棒的切断形状造成重大的影响。因此,可有效地防止以上述浆液之间的重大干涉为起因的中心领域中的晶片厚度的均匀性恶化。
另外,即便于钢线2的出侧发生浆液之间的干涉,其干涉位置是于钢线2切割晶棒结束后之处,因此,当然地,此时的钢线2的行进方向中,此干涉与晶棒的切断无关联性,不会对切断形状以及晶片厚度造成重大影响。
又,切断中的晶棒调温用浆液的曲线,可例如图2(B)地设定。此处,描述此晶棒调温用浆液的温度曲线。
本发明的切断方法中,如图2(B)所示,首先,例如以大约室温的温度开始供给,之后,可渐渐上升。此是对应因切断而渐渐上升的晶棒的温度,可抑制晶棒调温用浆液过度冷却晶棒等的急剧变化。
然后,晶棒的切入深度至少达直径的2/3时,与晶棒的温度相同地供给,之后,一边渐渐降低供给温度一边供给为较佳。进而,切断结束时,成为与上述切断用浆液的供给温度相同即可。
若切入深度至少达直径的2/3,则切断负荷减少、大约22~24℃的切断用浆液直接浇上于晶棒,但此时,通过将晶棒调温用浆液与晶棒相同温度地直接供给至晶棒,另外,之后,一边渐渐降低供给温度一边供给,切断中的晶棒的温度不会剧变,可缓和地冷却。
另外,切断结束时,成为与切断用浆液的供给温度相同,可防止晶棒调温用浆液过度冷却晶棒。
通过如上所述的温度曲线供给晶棒调温用浆液,特别是可防止现有问题的于切断结束部附近的切断轨迹的急剧的变化,切断的晶片中,无翘曲形状急剧变化之处,可显著改善纳米形貌。
又,晶棒调温用浆液的温度曲线不限定于图2(B)的图示,可对应切断晶棒的种类、切断用浆液的供给温度等,依其情况决定。
通过如上所述的本发明的切断方法切断晶棒,可抑制发生于切断结束部部近的纳米形貌的恶化,且防止晶片中心领域的切断形状大幅恶化,可得到晶片厚度的精度恢复通常程度的高质量切片晶片。
以下更详细地通过实施例说明本发明,但本发明并不限定于此。
(实施例)
利用图1所示的本发明的线锯,将直径300mm,轴方向长200mm的硅晶棒以本发明的切断方法切断成晶片状,得到190片的切片晶片。
使用直径160μm的钢线,施以2.5kgf的张力,以500m/min的平均速度、60s/c的循环周期,使钢线往复方向行进地进行切断。
此时,切断用浆液从切断开始时即供给,以图2(A)所示的温度曲线供给至附凹沟滚筒。
另外,晶棒调温用浆液对于晶棒仅供给至钢线的出侧。亦即,由装置前面侧(图1的前方一侧)来看,钢线从左侧向右侧行进时,仅从右侧的喷嘴15’R喷射,相反地,钢线从右侧向左侧行进时,仅从左侧的喷嘴15’L喷射,以图2(B)所示的温度曲线,从切断开始时供给。
另外,如图12(B)地配置热电偶,测定切断中的晶棒的温度变化。
此时的晶棒的温度变化表示于图3,图3中,也一起表示未供给晶棒调温用浆液时的晶棒的温度变化(下述的比较例1)以作为比较。
如图3所示可知,依图2(B)的温度曲线供给晶棒调温用浆液,切断中的晶棒温度的变化变得缓和,特别是与利用现有的切断方法的比较例1相较,充分地减轻于切断结束部附近的急冷。
另外,测定实施例所得的切片晶片的厚度分布。以从晶棒的起头侧算起第20、40、60、80、100、120、140、160片的测定结果作为代表,表示于图4。由此可知,不论任何样品,特别是中心领域中,可获得均匀的厚度分布。如下述的比较例2,从左右的喷嘴两方连续地供给晶棒调温用浆液的情况下,则无法获得如此的均匀的厚度分布。
另外,以与上述实施例相同的方法切断多个晶棒,对所得的切片晶片进行拟似纳米形貌调查的结果可知,分别得到图5(A)所示的结果。图5是表示以晶棒的轴方向位置为横轴,切断结束时附近的拟似纳米形貌的水平度。如此,不论晶棒的任意领域皆未超过上限值(相对值0.6),进而,晶棒各领域的平均值,前端部是0.16、中央部是0.12、后端部是0.13,可抑制于极小值。
如此,依本发明的切断方法可极良好地控制纳米形貌,另外,可获得厚度分布均匀的高质量晶片。若是如此的晶片,可提高组件制程的合格率。
(比较例1)
除了不供给晶棒调温用浆液之外,其余是与实施例相同,切断与用于实施例中相同的硅晶棒,得到190片晶片。
如图3所示,关于比较例1中的切断中的晶棒的温度,可知晶棒于切断结束部附近(275~300mm)受到急冷。
而且,如图5(B)所示,所得的切片晶片中,拟似纳米形貌的水平度变高(水平度的数值越大表示越恶化)。晶棒前端部是平均0.59、中央部是0.29、后端部是0.45,各领域中成为图5(A)所示的实施例的数据的2.4~3.7倍。特别是从晶棒前端部、后端部切出的晶片的切断结束部附近,有超过0.6之上限值的情况。
具有如此水平度的纳米形貌的晶片,对于组件制程的合格率有极大的影响。
(比较例2)
除了不论钢线的行进方向,从左右的喷嘴15’L以及15’R连续地供给晶棒调温用浆液之外,其余是与实施例相同,切断与实施例相同的硅晶棒,得到190片晶片。又,晶棒调温用浆液的供给温度曲线,也与实施例相同。
比较例2的结果,晶棒中,可防止切断结束部附近的急冷。
但是,切出的切片晶片的厚度分布测定结果是与图16的例示相同地,中心领域的厚度显著地变动。此是与实施本发明的实施例相异,因从左右的喷嘴15’L以及15’R连续地供给晶棒调温用浆液,当然地也向钢线的入侧供给晶棒调温用浆液,特别是切断晶棒的中心领域时,于钢线的入侧中,晶棒调温用浆液与切断用浆液重大干涉,对于切断形状造成重大影响。
又,本发明不限定于上述实施形态。上述实施形态仅为例示。凡是与本发明的权利要求中记载的技术思想,实质上具有相同的构成,产生相同的效果的方案,不论为如何的形态,皆应包含于本发明的技术范围内。
Claims (5)
1.一种切断方法,是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒,一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒,一边使上述钢线往复行进地压抵晶棒,将晶棒切断成晶片状的方法,其特征在于:
通过对上述晶棒供给独立于上述切断用浆液地控制供给温度后的晶棒调温用浆液,以可控制晶棒的温度的方式来进行切断;
此时,对于上述晶棒,仅向上述往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液。
2.如权利要求1所述的切断方法,其中使上述晶棒调温用浆液,从切断开始时上升供给温度,于上述晶棒的切入深度至少达直径的2/3时,以与该晶棒的温度相同的方式进行供给,之后,一边渐渐降低供给温度一边供给。
3.如权利要求2所述的切断方法,其中使上述晶棒调温用浆液的供给温度,于晶棒的切入深度至少达直径的2/3后渐渐降低,于切断结束时,与上述切断用浆液的供给温度相同。
4.一种线锯装置,其至少具备:
卷绕钢线的多个附凹沟滚筒;
切断用浆液供给机构,供给切断用浆液至该附凹沟滚筒;以及
晶棒调温用浆液供给机构,将独立于上述切断用浆液地控制温度后的晶棒调温用浆液,供给至要被切断的晶棒;
并且,一边从上述切断用浆液供给机构,供给切断用浆液至上述附凹沟滚筒,且从上述晶棒调温用浆液供给机构,供给晶棒调温用浆液至晶棒,一边使上述钢线往复行进地压抵晶棒,来将晶棒切断成晶片状的形态的线锯装置,其特征在于:
该线锯装置还具备晶棒调温用浆液供给位置控制机构,用以控制上述晶棒调温用浆液的供给位置,该晶棒调温用浆液供给位置控制机构,对于上述要被切断的晶棒,可控制仅向上述往复行进的钢线的出侧,供给晶棒调温用浆液。
5.如权利要求4所述的线锯装置,其中上述晶棒调温用浆液供给位置控制机构具备切换阀,通过该切换阀的切换,对于上述要被切断的晶棒,仅向上述钢线的出侧,供给上述晶棒调温用浆液。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102581975A (zh) * | 2011-01-12 | 2012-07-18 | 硅电子股份公司 | 用于在线切割过程中冷却半导体材料制成的工件的方法 |
CN103085182A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 应用材料瑞士有限责任公司 | 使用两个独立线网的切片线锯、线锯装置及其工作方法的新概念 |
CN103429387A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-12-04 | 小松Ntc株式会社 | 线状锯 |
CN103842129A (zh) * | 2011-10-04 | 2014-06-04 | 信越半导体株式会社 | 工件的切割方法及线锯 |
CN106030764A (zh) * | 2014-02-20 | 2016-10-12 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法和硅晶片 |
CN107427986A (zh) * | 2015-05-01 | 2017-12-01 | 信越半导体株式会社 | 线锯装置 |
CN108778623A (zh) * | 2016-04-21 | 2018-11-09 | 信越半导体株式会社 | 线锯装置的制造方法及线锯装置 |
CN108927908A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-12-04 | 阜宁协鑫光伏科技有限公司 | 线切割机用的切割方法 |
CN111954586A (zh) * | 2018-05-15 | 2020-11-17 | 信越半导体株式会社 | 锭的切断方法及线锯 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4791306B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-10-12 | 信越半導体株式会社 | 切断方法 |
JP2009029078A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | ワイヤーソー装置 |
JP5475772B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2014-04-16 | サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド | ワイヤスライシングシステム |
JP5370006B2 (ja) | 2009-08-31 | 2013-12-18 | 株式会社Sumco | ワイヤソー装置 |
JP5515593B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-06-11 | 株式会社Sumco | ワイヤーソーによるシリコンインゴットの切断方法およびワイヤーソー |
TWI415714B (zh) * | 2010-03-01 | 2013-11-21 | Ihi Compressor And Machinery Co Ltd | Saw the slurry management device |
KR101149508B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2012-05-25 | (주)새한나노텍 | 와이어 슬라이싱 장치 |
KR20120037576A (ko) * | 2010-10-12 | 2012-04-20 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 절단장치 및 단결정 잉곳 절단방법 |
JP5494558B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2014-05-14 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー |
CN102922610B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-01-27 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种金刚线多线切割方法、设备和系统 |
US20130139800A1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw |
US20130139801A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Methods For Controlling Displacement Of Bearings In A Wire Saw |
US20130174828A1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-07-11 | Memc Electronic Materials, Spa | Systems and Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw |
DE102012221904B4 (de) | 2012-11-29 | 2018-05-30 | Siltronic Ag | Verfahren zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung |
JP5791642B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2015-10-07 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーの運転再開方法 |
JP6183074B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2017-08-23 | 新日鐵住金株式会社 | 反りの低減が可能なマルチワイヤー加工方法及びマルチワイヤー加工装置 |
DE102013223344B3 (de) * | 2013-11-15 | 2015-05-07 | Siltronic Ag | Verfahren zum Zersägen eines temperierten Werkstückes mit einer Drahtsäge |
CN103722624A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-04-16 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 用于切方机的金刚线切割工艺 |
KR101690246B1 (ko) | 2015-01-26 | 2017-01-09 | 주식회사 엘지실트론 | 와이어 쏘잉 장치 |
DE102015204275B3 (de) * | 2015-03-10 | 2016-05-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Wiederaufnahme eines Drahttrennläppvorgangs mit strukturiertem Sägedraht nach Unterbrechung |
DE102016211883B4 (de) | 2016-06-30 | 2018-02-08 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung |
DE102016222899A1 (de) | 2016-11-21 | 2018-05-24 | Siltronic Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Zersägen eines Werkstückes mit einer Drahtsäge |
KR102077368B1 (ko) | 2016-11-30 | 2020-02-14 | 전북대학교산학협력단 | 데옥시노지리마이신 및 아르기닌 함량이 증가된 누에 추출물 제조방법 |
DE102016224640B4 (de) | 2016-12-09 | 2024-03-28 | Siltronic Ag | Verfahren zum Zersägen eines Werkstückes mit einer Drahtsäge |
DE102018212734B4 (de) | 2018-07-31 | 2023-03-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Stab |
JP7427921B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2024-02-06 | 株式会社Sumco | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN113733378A (zh) * | 2021-11-05 | 2021-12-03 | 江苏晟大光电科技有限公司 | 一种太阳能电池板组件晶硅电池片切割加工设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2571488B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1997-01-16 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソーによるワークの切断方法及び切断装置 |
JP3656317B2 (ja) | 1996-03-27 | 2005-06-08 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワーク切断方法及び装置 |
JPH10217036A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体結晶棒の切断装置及び切断方法 |
US6652356B1 (en) * | 1999-01-20 | 2003-11-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wire saw and cutting method |
MY126994A (en) * | 1999-12-14 | 2006-11-30 | Hitachi Metals Ltd | Method and apparatus for cutting a rare earth alloy |
DE10122628B4 (de) * | 2001-05-10 | 2007-10-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
US6889684B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-05-10 | Seh America, Inc. | Apparatus, system and method for cutting a crystal ingot |
EP2343155B1 (en) * | 2003-10-27 | 2014-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-wire saw |
JP4313174B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2009-08-12 | コマツNtc株式会社 | ワイヤソー |
US7878883B2 (en) * | 2006-01-26 | 2011-02-01 | Memc Electronics Materials, Inc. | Wire saw ingot slicing system and method with ingot preheating, web preheating, slurry temperature control and/or slurry flow rate control |
JP4839137B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2011-12-21 | トーヨーエイテック株式会社 | ワイヤソー |
-
2007
- 2007-06-08 JP JP2007152788A patent/JP5003294B2/ja active Active
-
2008
- 2008-05-02 US US12/451,669 patent/US8267742B2/en active Active
- 2008-05-02 KR KR1020097025446A patent/KR101476670B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-02 CN CN2008800166921A patent/CN101678563B/zh active Active
- 2008-05-02 WO PCT/JP2008/001143 patent/WO2008149490A1/ja active Application Filing
- 2008-05-07 TW TW097116880A patent/TW200909170A/zh unknown
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102581975B (zh) * | 2011-01-12 | 2014-12-17 | 硅电子股份公司 | 用于在线切割过程中冷却半导体材料制成的工件的方法 |
CN102581975A (zh) * | 2011-01-12 | 2012-07-18 | 硅电子股份公司 | 用于在线切割过程中冷却半导体材料制成的工件的方法 |
US10124431B2 (en) | 2011-08-22 | 2018-11-13 | Komatsu Ntc Ltd. | Wire saw |
CN103429387A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-12-04 | 小松Ntc株式会社 | 线状锯 |
CN103429387B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-05-06 | 小松Ntc株式会社 | 线状锯 |
US9707635B2 (en) | 2011-10-04 | 2017-07-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for slicing workpiece and wire saw |
CN103842129B (zh) * | 2011-10-04 | 2016-06-01 | 信越半导体株式会社 | 工件的切割方法及线锯 |
CN103842129A (zh) * | 2011-10-04 | 2014-06-04 | 信越半导体株式会社 | 工件的切割方法及线锯 |
CN103085182A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 应用材料瑞士有限责任公司 | 使用两个独立线网的切片线锯、线锯装置及其工作方法的新概念 |
CN106030764B (zh) * | 2014-02-20 | 2018-10-30 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法和硅晶片 |
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