CN101667584A - 反光cmos图像传感器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种图像传感器(100)，至少包括：CMOS型光电二极管(112)和晶体管(114)，其制造于半导体层(110)中，所述半导体层(110)的厚度为大约1μm至1.5μm；电介质层(116)，在所述电介质层(116)中制造电互连层(122a，122b)，其彼此电连接和/或与CMOS光电二极管和/或晶体管电连接，所述电介质层被布置为与半导体层的第一面抵靠，所述第一面与半导体层的第二面相对，由传感器从外部接收的光将通过半导体层的第二面进入；反光装置(122b)，布置在电介质层中，与光电二极管相对，并能够朝着光电二极管反射至少一部分由传感器接收的光。

Description

反光CMOS图像传感器

技术领域

本发明涉及图像传感器的领域，或涉及用CMOS技术制造的“背面(backside)”型成像器，即，使得光经由与布置有互连层的侧部相对的侧部进入这些传感器。

本发明尤其适用于低成本图像传感器的制造，所述低成本图像传感器例如用于移动电话或网络摄像机中，并更通常地用于使用CMOS图像传感器的任何类型的照相机或摄像机中。

背景技术

存在两种类型的用于电子记录图像的图像传感器：

-CCD传感器，即，将从光电二极管接收的电信号转移至放大器和数字转换器的电荷转移器件(charge transfer device)，

-CMOS传感器，包括放大器，该放大器在所需时刻使得由每个光电二极管传送的电信号在通向数字转换器的电线上流动。

这种由CCD或CMOS技术制造的传感器可以是“背面”型的或“前面”型的，对于“背面”型传感器，被捕获的光接着经由与传感器电互连层所在的面相对的面进入，而对于“前面”型传感器，被捕获的光接着通过电互连之间的左侧自由区域，以到达光电二极管的半导体。

“背面”型CMOS成像器主要由硅工艺制造，即，包括被制造在一层硅中的CMOS光电二极管和晶体管。为了降低其制造成本，要寻找尽可能减小这些成像器尺寸的方法，以在同一半导体晶片上制造最大数量的成像器。另外，类似地要寻找通过增加每个成像器中的光电二极管数量(即，每个成像器的像素数量)来增加所捕获图像的分辨率的方法。为了响应这两种限制，因此，要寻找减小这些成像器的像素宽度或间距的方法。

然而，在制造这些成像器的过程中必须类似地考虑其他限制。这些限制与用来制造CMOS光电二极管和晶体管的半导体的物理常数相对应，例如，吸光性或这些材料中产生的电荷的运动规律。关于半导体材料的物理常数的这些限制彼此矛盾，因为，为了使光电二极管吸收光子的能力最大，必须使所用的半导体层的厚度最大，并且，为了使由光电二极管吸收光子而产生的电荷的收集最大，必须使此半导体层的厚度最小。因此，在半导体层的厚度方面达到折衷，这种折衷在于，保持半导体厚度大于大约2μm，例如，等于大约2.5μm，以获得传感器的适当功能。

虽然，技术上可以将像素的宽度或间距减小至小于大约2μm的尺寸，但是考虑到半导体层的最小厚度是2μm，因此，由于所使用的半导体的厚度的影响，例如斜入射光子的吸收或所产生的电子的横向散射的作用，使得在不改变像素实际结构的情况下无法实现像素宽度的这种减小。

发明内容

本发明的一个目的是提出一种图像传感器和制造这种传感器的方法，该图像传感器结构与厚度减小的半导体层兼容，与此同时，保持传统结构的像素元件，并具有良好的光电二极管光子转换效率。

为了实现此目的，本发明提供一种图像传感器，该图像传感器至少包括：

-CMOS型光电二极管和晶体管，其制造在包含至少一种半导体的层中，

-包含至少一种电介质的层，在该层中制造电互连层，电互连层彼此电连接和/或与CMOS光电二极管和/或晶体管电连接，所述电介质层被布置为抵靠半导体层的第一面，所述第一面与半导体层的第二面相对，由传感器从外部接收的光将通过所述半导体层的第二面进入，

-反光装置，布置在电介质层中，例如，所述反光装置与光电二极管相对，并能够朝着光电二极管或朝着半导体层反射至少一部分由传感器接收的光。

与现有技术的图像传感器相比，此传感器包括“前面”区域，即，布置有互连层的区域，“前面”区域由于出现反光装置而被改变。这些反光装置不会使得传感器的“背面”区域有任何改变。因此，此结构改变不排除可能的后续结构改变。

由于布置在电介质层中的反光装置的作用，半导体层中的光子吸收增加，并且此层中的光子转换效率也增加，因此，允许在不改变电互连层的已有整体结构的情况下，通过仅改变电互连区域来减小半导体层的厚度，同时不会使传感器的整体结构产生问题。因此，与反光装置的存在相关联的半导体层厚度的减小可以使得电干扰(即，图像传感器中的相邻像素之间的信号混合)最小化，并且，可以增加由光子吸收产生的电荷的收集。

由于半导体层的厚度减小，因此，可以减小此传感器的像素宽度或间距，使得能够获得对于单个占用表面区域可包括更多像素的传感器，同时不会出现斜入射光子吸收现象或所产生的电子的横向漫射的现象，这些现象破坏传感器的工作。

另外，这些反光装置的存在不会防止电介质与半导体层的表面接触的出现，这限制了电子对图像传感器的影响。

与传感器的像素宽度的减小无关，半导体层的厚度的减小使得可以更好地分离像素信号，并使得可以改进传感器的MTF(调制传递函数)，尤其当需要将像素宽度保持在等于至少大约2μm时。另外，半导体层的厚度的减小同样使得可以改进由传感器的滤色器执行的色彩分离(彩色边缘效应)。

光电二极管的表面(在穿过半导体层的第一面的平面中位于与反光装置相对处)可以等于或大于在穿过半导体层的第一面的所述平面中的光电二极管的总表面积的大约70％。

反光装置可包括至少一个电互连层，该电互连层具有反射表面(即，与半导体层相对的表面)，该反射表面是半导体基的层的第一面的表面或电互连层中的另一个的与半导体层相对的表面的大约40％至80％，或是大约50％至大约90％，或是大约30％至90％。

这样，至少一个互连层的表面增加，从而使得形成用于朝向半导体层反射光子的表面，光子通过半导体层，同时不被光电二极管转换成电信号。一个或多个金属互连层可具有这种反射表面。

所述反射电互连层和半导体层的第一面之间的距离可大于或等于大约200nm，或者大于或等于大约300nm。因此，此距离使得可以防止电场破坏图像传感器的光电二极管和晶体管的工作，该电场由电荷运动产生并且在电互连层中是普遍存在的。

反光装置可包括至少一种金属层，其主面与半导体层的第一面基本平行，所述电互连层布置在所述金属层和半导体层之间。

金属层的这些主面中的一个的表面可与半导体层的第一面的表面基本相等。用此替代方式，在整个传感器上获得均匀的光反射。

金属层可具有大约10nm至100nm的厚度。

反光装置可包括至少一个包含至少一种反光材料的层，其主面与半导体层的第一面基本平行，所述层布置在互连层和半导体层之间，并且电接头通过所述层，该电接头将电互连层连接至CMOS光电二极管和/或晶体管。

例如，此反射层可形成在布置于电介质层中的CMOS晶体管的栅极之间，抵靠着半导体层的第一面。

可反光材料层可包含铝和/或铜和/或铬和/或非晶硅和/或多晶硅，并且/或者具有大约10nm至100nm的厚度。

可反光材料层和半导体层的第一面之间的距离可以是大约70nm至120nm，此值尤其取决于装置的中央工作波长的值。

反光装置可进一步包括第二层或空隙空间，该第二层包含至少一种电介质材料，该空隙空间布置在可反光材料层和半导体层的第一面之间。此第二电介质层或此空隙空间使得可以改进吸收半导体中被反射的光子的能力，同时有助于这些光子的反射。当可反光材料不是金属性质时，可选择电介质材料以使得其光学指数低于可反光材料的光学指数。

电介质层的一部分可布置在第二电介质层(或空隙空间)和半导体层的第一面之间，并具有大约1nm至10nm的厚度。

可反光材料的厚度，和/或电介质层(一个或多个)的厚度，和/或位于半导体层的第一面和可反光材料层之间的空隙的厚度可等于大约：

其中

-λc：图像传感器的工作波长范围的中央波长，其穿过半导体层，

-n：所述层的材料的光学指数，或所述层的材料的光学指数的实部。

可反光材料层可与形成于半导体层中的掺杂区域电连接。在此情况中，反光层可类似地形成与CMOS光电二极管和/或晶体管电连接的极化电极。

半导体层可具有大约1μm至2μm的厚度，或优选地大约1μm至1.5μm的厚度。

本发明同样涉及一种制造图像传感器的方法，至少包括以下步骤：

-在包含至少一种半导体的层中制造CMOS型光电二极管和晶体管的掺杂区域，

-制造彼此电连接和/或与包含至少一种电介质的层中的CMOS光电二极管和/或晶体管电连接的电互连层，所述电介质层被布置为抵靠半导体基的层的第一面，该第一面与半导体基的层的第二面相对，由传感器从外部接收的光将穿过半导体基的层的第二面进入，

并且，进一步包括布置在电介质层中(例如，与光电二极管相对)的反光装置的制造，该反光装置能够朝着半导体层或朝着光电二极管反射至少一部分由传感器接收的光。

半导体层的厚度可以在大约1μm至1.5μm之间，此厚度可通过将半导体层变薄而获得。

附图说明

参照附图，通过阅读仅用来说明而非限制性目的的示意性实施方式的说明，本发明将更容易理解，附图中：

-图1至图3分别示出了根据第一、第二和第三实施例的本发明的对象(图像传感器)，

-图4示出了根据第三实施例的本发明的对象(图像传感器)的半导体层中的光子吸收的模拟，其是被接收光的波长的函数，并取决于用于光反射的反射层和电介质层的材料性质，

-图5和图6分别示出了根据第四和第五实施例的本发明的对象(图像传感器)，

-图7示出了根据第四实施例的本发明的对象(图像传感器)的半导体层中的光子吸收的模拟，其是被接收的光的波长的函数，并取决于用于光反射的反射层和电介质层的材料性质。

下述各个附图的相同、相似或等同的部件用相同的数字参考表示，以便方便从一张附图移至另一附图。

附图中所示的各种部件无需用统一的比例来表示，以使附图更清晰易读。

各种可能性(替代方式和实施方式)应理解为是不互相排斥的，并且可以彼此结合。

具体实施方式

首先参照图1，其示出了根据第一实施例的图像传感器100。

图像传感器100包括第一“背面”区域，来自被捕获的图像的光穿过此区域而进入。此区域包括微透镜102，其布置在形成于滤色器106上的平面层104上。每个微透镜102可具有小于大约2μm的宽度，例如，大约1μm至1.7μm之间的宽度。微透镜102的宽度与图像传感器100的一个像素的宽度或间距相对应。这些滤色器106，例如，可根据所谓的“拜尔”结构而布置，这种结构包括一个红色滤色器、两个绿色滤色器和一个蓝色滤色器，这些滤色器以正方形矩阵的形式一个接一个地布置。“背面”区域同样包括钝化层108，例如，该钝化层108包含诸如SiO₂和/或Si₃N₄的SiO_xN_y，该钝化层108形成于滤色器106和半导体层110之间。此“背面”区域的厚度等于微透镜102、平面层104、滤色器106和钝化层108的厚度的总和，即，总厚度大于大约1μm或在大约1μm至3μm之间。

半导体层110(优选地是硅基，但是也可类似地包含任何其他半导体)形成用于吸收从“背面”区域进入的光并用于分离由半导体110中的电场产生的电荷的区域。此层110具有大约1μm至2μm之间的厚度，例如，等于大约1.5μm。

在硅层110中制造光电二极管112和CMOS晶体管114。光电二极管112收集由从传感器100的“背面”区域接收的光子所产生的电荷，以将其转换成电信号。然后，通过CMOS晶体管114使用这些电信号，以将电信号放大并将其置于光电二极管和晶体管的矩阵之外。

图像传感器100类似地包括“前面”区域，该“前面”区域包括电介质层116，例如，该电介质层116包含诸如SiO₂和/或Si₃N₄的SiO_xN_y，在电介质层中制造有CMOS晶体管114的栅极118、连接至CMOS晶体管114的源极和漏极的电接头120、以及电互连层122。在图1中，仅示出了两个互连层122a和122b。然而，传感器100可包括大量互连层，例如，高达15个互连层，类似地被称为互连水平面。通孔124，或电镀通孔(plated through-holes)，被类似地制造于电介质层116中，并将接头120和栅极118电连接至互连层122，并将各个互连层122彼此电连接。这些通孔124形成竖直电接头，将这些不同的元件互相连接。

最后，图像传感器100包括粘合层126，其将电介质层116连接至支承板或基板128。

在此第一实施方式中，传感器100包括第二互连层122b，第二互连层与半导体层110相对，具有比传统的CMOS图像传感器的互连层面积大的表面面积。在这种情况中，如果互连层122是金属基的，例如，铝和/或钨和/或铜，则此表面使得已经通过了半导体层110但还没有被光电二极管112转换成电信号的光子被光反射，从而可以使得这些光子朝向半导体层110返回。这样，改进了光电二极管112的光子吸收率，从而使得可以减小硅层110的厚度，因此可以减小像素宽度以及减小或消除传感器100的电干扰，与此同时，能够改进传感器100的转换效率。另外，此第二互连层122b的一部分与光电二极管112相对地设置，以朝着光电二极管返回光子。

在此第一实施例的一个替代实施例中，可能不是第二互连水平面122b具有光反射性，而是第一互连水平面122a具有光反射性，或两者都具有光反射性，和/或，如果传感器100包括多于两个电互连水平面时则一个或多个其他互连水平面具有光反射性。

如果想要使传感器中的光反射性最大化，那么，优选地选择最靠近半导体层110的互连水平面，即，第一互连水平面122a，以形成反射层。另一方面，如果想要在不使通孔通道124的制造复杂化的情况下朝着半导体层110反射光，优选地选择第二互连层122b(或者，如果传感器包括多于两个互连水平面时，至少选择下互连水平面中的一个)，以形成反射层。

另外，用作反射层的互连层和硅层110之间的距离大于大约300nm，或大于大约200nm，以防止光电二极管112和晶体管114的工作中由于互连水平面122中的磁场的存在而产生干扰。

虽然，互连层122b的尺寸被选择成使光反射最大化(尤其是使得光电二极管方向上的反射表面最大化)，但是，此层的尺寸同样被选择为使互连层122a，122b彼此不短路或使互连层122b本身的各个部分不短路。通常来说，互连层122b的反射表面(即，与半导体层110相对设置的此层122b的面的表面)和半导体层110或互连层122a的一个主面的表面之间的比例，可以是，例如，50％至90％之间。这样，可以反射已经穿过半导体层110且其光子没有被转换成电信号的光的大约40％至75％，或大约40％至80％。

现在参照图2，其示出了根据第二实施例的图像传感器200。

与图1所示的图像传感器100相比，图像传感器200包括两个互连水平面122a，122b，该互连水平面的相对于半导体层110的表面与由图像传感器100的第二互连层122b引入的表面类似，即，并不对其表面进行使其朝着硅层110最大程度地反射还没有被转换成电信号的光子的特别设计。这样，与图像传感器100相反，不是第二互连层122b用作反射层，而是形成于第二互连层122b下的附加层130用作反射层。此层130是金属基的，例如，与互连层122的金属类似，并且，此层被制造于电介质层116的整个表面之上，从而具有与硅层110的一个主面的整个表面区域相对应的反射表面，该硅层110与此附加反射层130相对地设置。被选择用来反射光子的金属的厚度可以较小：金属层130可具有大约10nm至100nm的厚度。此层130使得可以在这些互连层122a，122b之间反射通过层122a，122b中的开口的所有光子。

该附加层130存在于半导体层110的整个表面上，该附加层130使得可以在整个半导体层110上获得均匀的光反射度，并且不需要改变传感器200的互连层122a，122b的几何构造。

现在参照图3，其示出了根据第三实施例的图像传感器300。

与图1所示的图像传感器100相反，图像传感器300包括两个互连水平面122a，122b，其不具有被优化为朝着硅层110反射光子的表面，其方式与传感器200相似。因此，与图像传感器100相反，不是第二互连水平面122b用作反射层，而是在电介质层116中形成于互连层122上的附加层132用作反射层。

此附加层132，例如，是金属基的，例如铝和/或铜和/或铬，和/或半导体，诸如非晶硅和/或多晶硅，和/或任何其他适于产生这种光反射的材料。该附加层的厚度例如在大约10nm至100nm之间。在此第三实施例中，附加层132的厚度等于大约30nm。另外，当附加层132包含半导体和/或任何其他非金属性质的材料时，反射层132的材料可具有大于大约3的光学指数，从而形成具有高光学指数的层。

反射层132不是直接施加在电介质层116的上表面上。位于反射层132和电介质层116的上表面之间的电介质层116的一部分形成电介质部分134，其具有大约70nm至120nm的厚度，并具有大约1.35至1.6的光学指数，从而形成低光学指数的层。

此附加层132不是用来导通电信号，但是使得可以反射已经通过了硅层110但还没有被光电二极管112吸收和转换成电信号的光子。因此，反射层132不与栅极118和漏-源接头120电接触，但是会经过这些栅极118和这些接头120，并在层132中的栅极118和接头120的通道中包括电绝缘区域。此外，附加层132被形成为光电二极管112的大部分(总表面的至少70％)或整个表面与附加层132相对地设置。

图4示出了图像传感器300的半导体层110中的光子吸收的模拟，其是被捕获的光的波长的函数。各条曲线用来表示反射层132和电介质层116的各种材料。这些模拟与厚度等于大约1.5μm的硅层110中的光子吸收相对应，其中，反射层132的厚度等于大约30nm，并且其中，电介质层134的厚度等于大约90nm。

曲线10示出了对于铝基反射层132和SiO₂基电介质层116的这种吸收。可以看到，此吸收与现有技术的“背面”CMOS型图像传感器中获得的吸收基本类似，现有技术的图像传感器包括厚度等于大约2.5μm的硅层但不包括反射层(曲线12所示)。

曲线14，16，18分别示出了在包含非晶硅或多晶硅、铜和铬的吸收层132与SiO₂基电介质层116的情况中获得的性能水平。在这些情况中，可以观察到，此吸收比用铝基反射层132和SiO₂基电介质层116获得的吸收稍小一些。

曲线20示出了现有技术中的“背面”CMOS型图像传感器(即，不包括任何反光装置)中的厚度等于大约1.5μm的硅层中的光子吸收。通过比较这些不同曲线，可以观察到，在厚度等于大约1.5μm的薄的无干扰的层中的吸收大于在单个装置中实现的吸收，但是，其并不包括任何反射层。

现在参照图5，其示出了根据第四实施例的图像传感器400。

除了在图3的传感器300中出现的反射层132以外，传感器400进一步包括电介质层136，其光学指数小于反射层132的材料的光学指数。当此电介质材料与层116的电介质材料不同时，此构造尤其有利。厚度为大约1nm至10nm的电介质层116的一部分类似地布置在电介质层136之上。此电介质层136使得可以改进半导体层110中的光子吸收和反射。

在此第四实施例的替代方式中，电介质层136可被空隙空间替代。此空隙空间实现与电介质层136相同的目的。

在另一替代方式中，反射层将可以是电介质基的。例如，反射层可以是TiO₂基，在此情况中，电介质层136包含多孔(porous)材料(例如，Si_xO_yN_z型的氧化物)。图7中的曲线22示出了图像传感器中的厚度等于大约1.5μm的硅层的光子吸收，该图像传感器包括TiO₂基反射层和包含多孔材料的电介质层136。通过将此曲线分别与现有技术的“背面”CMOS型图像传感器中的曲线12和20(示出了厚度等于大约2.5μm和1.5μm的硅层中的光子吸收)进行比较，可用观察到，此曲线22的值接近于曲线12的值。

在另一替代方式中，可以用由高光学指数和低光学指数的替代层形成的堆置层来替代反射层132和电介质层136。

反射层132和/或电介质层136和/或位于电介质层136和半导体层110之间的电介质层116的一部分，优选地被选择为等于大约

其中，λc：图像传感器的工作范围的中央波长，其穿过半导体层110，并且，n是反射层132的材料的光学指数的实部。对于在可见波长范围内工作的传感器，此中央波长可等于大约570nm。此最佳厚度指的是中央波长共振厚度。

参照图6，其示出了根据第五实施例的图像传感器500。

与图像传感器300相比，反射层132除了光反射半导体层110中的光子以外，同样地形成光电二极管112的极化电极，但是，不从光电二极管112提供任何电流或传送任何信号。通过与形成光电二极管112的半导体层110的掺杂区域接触而实现极化作用。包含与形成其他互连层122的金属的性质不同的金属的反射层132的厚度是，例如，等于大约30nm。

这些图像传感器可用传统的COMS技术制造。为此，先由半导体层110开始，首先将掺杂剂扩散到此层110内，以形成CMOS光电二极管112和晶体管114的活性(active)区域。然后，用光刻和蚀刻步骤来制造互连层和反光装置(由一个或多个前面所述的互连层和/或附加层而形成)，金属材料能够经由生长步骤或沉积步骤而被沉积。电介质材料116在各个层的制造过程之间逐渐沉积，以覆盖互连层和/或反光层。

然后，通过粘合层126将此组件转移到基板128上。然后，半导体层110的与和电介质116接触的面相对的面变薄。最后，在半导体层110的之前变薄的面上制造“背面”区域的元件，即，钝化层108、滤色器106、平面层104和微透镜102。

Claims (15)

1.一种图像传感器(100，200，300，400，500)，所述图像传感器至少包括：

-CMOS型光电二极管(112)和晶体管(114)，其制造在包含至少一种半导体的层(110)中，所述层的厚度为大约1μm至1.5μm，

-包含至少一种电介质的层(116)，在所述层中制造电互连层(122a，122b)，所述电互连层彼此电连接和/或与所述CMOS光电二极管(112)和/或所述晶体管(114)电连接，所述电介质层(116)被布置为与半导体层(110)的第一面抵靠，所述第一面与所述半导体层(110)的第二面相对，由传感器(100-500)从外部接收的光将通过所述半导体层(110)的第二面进入，

-反光装置(122b，130，132，136)，布置在所述电介质层(116)中，例如，所述反光装置与所述光电二极管(112)相对，并且所述反光装置能够朝着所述光电二极管(112)反射至少一部分由所述传感器(100-500)接收的光。

2.根据权利要求1所述的图像传感器(100-500)，其中，所述光电二极管(112)的表面被设置成在穿过所述半导体层(110)的第一面的平面中与所述反光装置(122b，130，132，136)相对，所述光电二极管(112)的表面等于或大于在穿过所述半导体层(110)的第一面的所述平面中的光电二极管(112)的总表面积的大约70％。

3.根据上述权利要求中任一项所述的图像传感器(100)，其中，所述反光装置包括电互连层中的至少一个(122b)，该电互连层具有反射表面，所述反射表面是所述半导体基的层(110)的第一面的表面的50％至90％或者是电互连层中的另一个(122a)的与所述半导体层(110)相对的表面的50％至90％。

4.根据权利要求3所述的图像传感器(100)，其中，所述反射电互连层和所述半导体层的第一面之间的距离大于或等于大约200nm。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的图像传感器(200)，其中，所述反光装置包括至少一个包含至少一种金属层(130)的层，所述金属层的主面与所述半导体层(110)的第一面基本平行，所述电互连层(122a，122b)布置在所述金属层(130)和所述半导体层(110)之间。

6.根据权利要求5所述的图像传感器(200)，其中，所述金属层(130)的主面中的一个的表面基本上等于所述半导体层(110)的第一面的表面。

7.根据权利要求5或6中任一项所述的图像传感器(200)，其中，所述金属层(130)的厚度是大约10nm至100nm。

8.根据权利要求1或2中任一项所述的图像传感器(300，400，500)，其中，所述反光装置包括至少一个包含至少一种可反光材料的层(132)，其主面与所述半导体层的第一面基本平行，所述层(132)布置在所述互连层(122a，122b)和所述半导体层(110)之间，并且电接头(124)通过所述层(132)，所述电接头(124)将所述电互连层(122a，122b)连接至所述CMOS光电二极管(112)和/或所述晶体管(114)。

9.根据权利要求8所述的图像传感器(300，400，500)，其中，所述可反光材料的层(132)包含铝和/或铜和/或铬和/或非晶硅和/或多晶硅，并且/或者具有大约10nm至100nm的厚度。

10.根据权利要求8或9中任一项所述的图像传感器(300，400，500)，其中，所述可反光材料的层(132)和所述半导体层(110)的第一面之间的距离是大约70nm至120nm。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的图像传感器(400)，其中，所述反光装置还包括第二层(136)或空隙空间，所述第二层包含至少一种电介质材料，所述空隙空间布置在所述可反光材料的层(132)和所述半导体层(110)的第一面之间。

12.根据权利要求11所述的图像传感器(400)，其中，所述电介质层(116)的一部分布置在所述第二电介质层(136)或所述空隙空间与所述半导体层(110)的第一面之间，并具有大约1nm至10nm的厚度。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的图像传感器(300，400，500)，其中，所述可反光材料的层(132)的厚度、和/或一个或多个所述电介质层(136，116)的厚度、和/或位于所述半导体层(110)的第一面和所述可反光材料的层(132)之间的空隙的厚度等于大约：

其中

-λc：所述图像传感器(300，400，500)的工作波长范围的中央波长，其穿过所述半导体层(110)，

-n：所述层的材料的光学指数的实部。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的图像传感器(500)，其中，所述可反光材料的层(132)与形成于所述半导体层(110)中的掺杂区域电连接。

15.一种制造图像传感器(100-500)的方法，至少包括以下步骤：

-在包含至少一种半导体的层(110)中制造CMOS型光电二极管(112)和晶体管(114)的掺杂区域，

-制造彼此电连接和/或与包含至少一种电介质的层(116)中的CMOS光电二极管(112)和/或晶体管(114)电连接的电互连层(122a，122b)，所述电介质层(116)被布置为抵靠所述半导体基的层(110)的第一面，所述第一面与所述半导体基的层(110)的第二面相对，由所述传感器(100-500)从外部接收的光将穿过所述半导体基的层(110)的第二面进入，

并且，进一步包括布置在所述电介质层(116)中的反光装置(122b，130，132，136)的制造，所述电介质层例如与所述光电二极管(112)相对，所述反光装置能够朝着所述光电二极管(112)反射至少一部分由所述传感器(100-500)接收的光，

所述半导体层(110)的厚度在大约1μm至1.5μm之间。

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