CN102237379A - 包含具有按比例调整的宽度的金属反射器的图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及包含具有按比例调整的宽度的金属反射器的图像传感器。根据所公开的实施例的图像传感器包括成像像素阵列、绝缘体层和多个金属反射器。成像像素阵列安置于半导体层内，成像像素阵列中的每个成像像素包括被构造成接收来自图像传感器的背面的光的光敏元件。绝缘体层安置于半导体层的正面，所述多个金属反射器安置于绝缘体层内以将光反射至各个光敏元件。所述多个金属反射器中每一者的宽度等于该阵列的中心处的金属反射器的宽度乘以比例因子，其中该比例因子取决于该金属反射器离该阵列的中心的距离。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及图像传感器，尤其涉及用于图像传感器的金属反射器。
背景技术
一般而言，传统的图像传感器能良好地工作以产生图像。典型的图像传感器可由互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制造。电荷耦合器件(CCD)技术也适用。这些图像传感器包括安置于衬底上的像素的阵列，每个像素包括光敏元件(例如光电二极管)、安置于该光敏元件上的滤光片、安置于该滤光片上的微透镜。
典型的图像传感器以下述方式操作。光(例如可见光)入射于微透镜上。微透镜将光经过滤光片而聚焦至光敏元件。光敏元件将光转换成与所检测的光的强度成比例的电信号。当相关联的转移晶体管导通以将电荷从光敏元件转移至浮动扩散区时，该光敏元件及该浮动扩散区可耦合在一起。这些电信号可以被耦合至放大及读出电路(例如CMOS晶体管(未示出))，以例如基于所捕获的光而产生图像。在衬底上也可以安置一个或多个金属层、多晶硅层等。
一些图像传感器可以使用正面照明(front side illumination，FSI)，在FSI中，金属层、多晶硅层、扩散层等可安置于衬底的与微透镜及光敏元件相同那侧。其它图像传感器可以使用背面照明(BSI)，在BSI中，金属层位于衬底的一侧而光敏元件位于衬底的另一侧。在任一情况下，由于图像传感器中的像素的位置，可能需要由微透镜将光从不同的角度聚焦至光敏元件上。
遗憾的是，随着角度变大，光中的一些不被聚焦至光敏元件上，从而导致光损耗，并导致像素响应降低。主光线是穿过相机入射光瞳中心的光线，接近相机入射光瞳中心的光进入像素。主光线的角度通常称作主光线角度(CRA)。在CRA较大的情况下，像素响应降落至其0°角响应的某个百分比(例如80％)以下，其中0°角响应是像素垂直于入射光的情况。接近相机镜头轴线的光以接近0°的角度进入像素；然而随着光移动到离该轴线更远，该角度增大。结果，位于离开阵列中心处的像素之间可能存在串扰。串扰在图像传感器中产生噪声。
发明内容
对于本发明的一些实施例，图像传感器包括像素阵列。每个像素包括：光敏元件，其安置于衬底中；滤光片，其安置于光敏元件上；微透镜，其安置于该色彩滤光片上。多个金属反射器安置于该衬底上。这些金属反射器可以包括、也可以不包括金属层1(M1)导体。在4共享像素架构中，两个像素可以共享一个金属反射器。在背面照明式图像传感器的情况下，当光入射于微透镜上时，这些微透镜将光聚焦至其相应的光敏元件。
光中的一些被耦合至这些金属反射器，并可以被反射回这些光敏元件。光可以在共享同一金属反射器的两个光敏元件之间反射。在光垂直于微透镜的轴线而入射的中心像素中，这可能是有利的。结果，这些中心像素可以更灵敏且几乎没有串扰。但是，在共享同一金属反射器的两个光敏元件之间反射的光可能不利于安置在离开阵列中心处的像素。对于安置在离开阵列中心的像素，光以相对于微透镜轴线倾斜的角度入射。这些边缘像素可能不太敏感，并且在共享同一金属反射器的两个像素之间可能有更多的色彩串扰。
本发明的实施例使该多个金属反射器的宽度从像素阵列的中心向该像素阵列的至少一个边缘而按比例调整，使得中心像素处的金属反射器宽于边缘像素处的金属反射器。这些宽度可以逐渐地减小而非突然减小。
本发明的实施例的一个优点在于可以减少边缘像素之间的串扰。另一优点在于图像传感器可以对边缘像素处的入射光更为灵敏。根据附图以及下文的详细说明，可以更加了解本发明的其它特征及优点。
附图说明
在各附图中，相似的标号一般表示相同的、功能上类似和/或结构上等效的要素。要素第一次出现时的附图系藉由标号中最左侧的一个或多个数字来表示，在附图中：
图1为根据本发明实施例的图像传感器的横截面侧视图。
图2为根据本发明实施例的图像传感器的俯视图。
图3为图示了根据本发明实施例如何确定图像传感器的金属层的比例因子的曲线图。
图4为图示了根据一种实施例的图像传感器的框图。
图5为图示了根据一种实施例的图像传感器阵列内的两个图像传感器像素的样品像素电路的电路图。
图6为图示了根据一种实施例的成像系统的框图。
具体实施方式
本发明的实施例包括具有金属反射器的图像传感器，该金属反射器具有按比例调整的宽度(scaled width)。在下文的说明中给出了众多具体细节(例如特定的处理、材料、器件等)以提供对本发明实施例的透彻理解。然而本领域技术人员可以理解，在不具备这些特定细节中一者或多者的情况下，或通过其它的方法、组件等，也可以实施本发明的实施例。在其它情况下，未详细示出或描述一些结构或操作以避免混淆对说明书的理解。
说明书全文中涉及的“一种实施例”或“实施例”表示结合该实施例而描述的特定特征、结构、处理、方框或特性包含于本发明的至少一种实施例中。因此，说明书各处出现的短语“在一种实施例中”或“在一实施例中”并不一定表示这些短语都指相同的实施例。可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合特定特征、结构或特性。
图1为根据本发明一种实施例的BSI图像传感器100的横截面侧视图。在所示的实施例中，图像传感器100包括衬底101。注意，在BSI图像传感器100中，光电二极管(PD)被暴露于来自图像传感器100背面的入射光。对于一些实施例，衬底101是厚度为1.5微米的硅。其它厚度和/或材料也可以适用。
大体而言，图像传感器100包括若干个光敏元件，这些光敏元件在衬底101中排列成行和列的二维阵列。为了清楚起见，在所示的实施例中，衬底101包括10个光敏元件，它们被图示为安置于衬底101中的光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120。虽然在此处未示出，但在下文图2中更详细地示出4共享像素结构(例如，结构202、204等)的其余三个相应像素。但是，该阵列可以包括数千个以上的列和/或行(或更多)。类似地，该阵列也可以具有并非行列的配置。
在所示的实施例中，图像传感器100包括：多个金属层组成的堆栈；p+型掺杂硅的钝化层103，其安置于衬底101上；抗反射层105，其安置于钝化层103上；多个滤光片107(例如，红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或其它合适的色彩滤光片)，其安置于抗反射层105上；等等。在所示的实施例中，图像传感器100包括安置于绝缘体109中的10个金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140。虽然此处未示出，但在下文图2中更详细地示出4共享像素架构的其余两个相应金属导体(例如，结构202的金属导体232和234等)。
在所示的BSI实施例中，衬底101的正面表面111及光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120安置于绝缘体109上。金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140可以将光分别反射至光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120。
对于一些实施例，从中心金属反射器130及132至中间金属反射器126、128、134及136，再向外至边缘金属反射器122、124、138及140，逐渐地按比例调整金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140的宽度。例如，中心金属反射器130及132各自具有宽度w1，中间金属反射器126、128、134及136各自具有宽度w2，边缘金属反射器122及124各自具有宽度w3，边缘金属反射器138及140各自具有宽度w4。
在一种实施例中，所使用的比例因子考虑了微透镜的CRA、阵列中的特定像素的坐标等。下文参考图3描述了各种按比例调整的模型。例如，图像传感器100在图1中被图示为包括中心113(即，阵列的中心)。在一种实施例中，可由金属反射器离中心113的距离来确定比例因子。例如，用以确定宽度w2的比例因子可以基于中心113与中点115之间的距离117。如下文中进一步论述的，个体像素可以被分组在一起成为共享像素架构。因此，在这种示例中，与光电二极管114及116相关联的像素被分组在一起成为同一共享像素架构，其中中点115为该共享像素架构的中心。
在一种实施例中，金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140的宽度不是以对称方式来按比例调整。例如，在所示的实施例中，边缘金属反射器122及124具有宽度w3，而边缘金属反射器138及140具有不同的宽度w4。即，在此实施例中，即使边缘金属反射器122及124离中心113的距离可能与边缘金属反射器138及140离中心113的距离相同，但宽度w3也是不同于宽度w4的宽度。对金属反射器的这种不对称按比例调整可以发生于像素阵列中微透镜的高度不对称的实施例中。在像素相对较小的一些实施例中，有效的微透镜高度在对角线方向(例如，参见图2中的轴线292及296)上比在垂直和水平方向(例如，参见图2中的轴线294及298)上高。微透镜高度的这种差异可能引起焦深的差异，从而导致金属反射器处的光反射差异。因此，在这种不对称实施例中，即使金属反射器离阵列的中心的距离相同，金属反射器的宽度也可以不同。
或者，边缘金属反射器122、124、138及140可以具有相同或类似的宽度。这种情形也适用于中间金属反射器126、128、134及136。对于一些实施例，金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140的按比例调整的宽度导致边缘和/或中间像素处的色彩串扰减小。
绝缘体109可以使金属反射器与衬底101绝缘。绝缘体109可以是任何介电材料，例如氧化物。对于一些实施例，介电材料可以是硅氧化物，例如二氧化硅(SiO2)。金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140可以是铜、铝、铝铜混合物、钨、TiN或适合于承载信号或反射光的其它金属。
对于一些实施例，图像传感器100包括用于每个光敏元件的微透镜。在所示的实施例中，图像传感器100包括分别用于光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120的微透镜142、144、146、148、150、152、154、156、158及160。微透镜142、144、146、148、150、152、154、156、158及160以及滤光片107可以通过下述任意的合适方式而安置于图像传感器100的背面：沉积、蚀刻或掩模技术，平面化、加热、回流、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或其它合适的技术等。
图像传感器100可以通过如下方式操作。光入射于微透镜142、144、146、148、150、152、154、156、158及160上，这些微透镜将光聚焦至滤光片107上。滤光片107(可选地经过抗反射材料105及p+型硅层103)将光传递至光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120。光中的一些从光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120分别传递至金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140，这些金属反射器可以将光分别反射回光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120。
光电二极管102、104、106、108、110、112、114、116、118及120将光转换成电信号。这些电信号可以具有与所接收的光的强度成比例的强度。这些电信号可以被耦合至放大及读出电路(例如CMOS晶体管(未示出))，以例如基于所捕获的光而产生图像。从阵列的中心向阵列的边缘逐渐地按比例调整金属反射器122、124、126、128、130、132、134、136、138及140的宽度，以使中心像素维持灵敏度和较低的串扰，而离开阵列中心的像素具有较好的灵敏度和较低的串扰。
图2为图像传感器200的俯视图，图示了根据本发明实施例按比例调整的金属反射器。示例性图像传感器200包括具有中心213及15个4共享像素架构的阵列，其中，两个像素可以共享一个金属反射器。例如，衬底201中已安置有一个中心4共享像素架构202，10个中间4共享像素架构204、206、208、210、212、214、216、220、226及230。衬底201中还安置有4个边缘4共享像素架构218、222、224及228。如图2所示，图像传感器200包括像素阵列的边缘。在一种实施例中，这些边缘表示4共享像素架构离该中心的最远距离，可以表示、也可以不表示集成电路的实体边缘。例如，读出电路、控制电路及功能逻辑电路可位于这些边缘(如图2中所示出)处以外并位于同一片硅上，读出电路、控制电路及功能逻辑的操作将在下文中更详细地说明。
每个示例性4共享像素架构包括两个金属反射器。在所示的实施例中，像素架构202包括金属反射器232及234。像素架构204包括两个金属反射器236及238，像素架构206包括两个金属反射器240及242，像素架构208包括金属反射器244及246，像素架构210包括金属反射器248及250，像素架构212包括金属反射器252及254。像素架构214包括金属反射器256及258，像素架构216包括金属反射器260及262。
像素架构218包括金属反射器264及266，像素架构220包括金属反射器268及270，像素架构222包括金属反射器272及274。像素架构224包括金属反射器276及278，像素架构226包括金属反射器280及282，像素架构228包括金属反射器284及286，像素架构230包括金属反射器288及290。
注意，中心4像素架构202上的金属反射器232及234具有一个宽度。其余的像素架构204、206、208、210、212、214、216、218、220、222、224、226、228及230上的金属反射器的宽度随着这些像素架构朝向阵列的边缘移动而逐渐被按比例调整为较小宽度。金属反射器232及234分别为图1的金属反射器130及132的一种可能实现方式。类似地，金属反射器256及258分别为图1的金属反射器126及128的一种可能实现方式。比例因子函数可以取决于图像传感器条件(例如主光线角度(CRA)与像素架构离图像传感器200的阵列中心的距离之间的关系)而改变。在一种实施例中，CRA是离阵列的中心213的距离的函数，并取决于微透镜的模块透镜规格。例如，CRA可以以非线性方式取决于离中心213的距离，其中在较大距离下给出的CRA也较大。在一些实施例中，较大的CRA需要较小的金属反射器宽度以减少串扰。
图像传感器200的所示实施例包括垂直轴线294、水平轴线298以及对角轴线292及296。在一种实施例中，沿垂直轴线294及水平轴线298的金属反射器具有由第一比例因子函数确定的宽度，而沿对角轴线292及296的金属反射器具有由第二比例因子函数确定的宽度，其中第一及第二比例因子函数不同。如上所述，这样可以使位于水平轴线298上的金属反射器的宽度不同于位于对角轴线296上的金属反射器的宽度，即使该两个金属反射器离阵列的中心的距离相同亦如此。在另一实施例中，可以使用单一比例因子函数来确定阵列中所有的金属反射器的宽度。
参考图3来描述比例因子，图3示出根据本发明实施例的、如何从阵列中心至边缘按比例调整金属反射器的宽度的数学模型300。在所示的数学模型300中，“x”轴表示从阵列的中心至阵列的边缘的像素的距离。在数学模型300中，“y”轴表示比例因子。
对于一些实施例，可如下定义比例因子：
比例因子＝W(r)/W(0)
其中W(r)表示位于与阵列的中心相距距离“r”处的金属反射器的宽度，W(0)表示阵列的中心处的金属反射器的宽度。换言之，
W(r)＝比例因子*W(0)
注意，按比例调整可以是线性的或分段线性的。例如，曲线302及304表明，金属反射器的宽度可以从阵列中心的像素向外朝阵列的边缘而以线性方式按比例调整。曲线306、308、312及314示出分段线性的按比例调整。
曲线302图示了根据本发明教导的用于以线性方式按比例调整金属反射器的宽度的一种可能的示例性函数。如图3所示，曲线302从阵列的中心直至与阵列的中心相距距离D4为止具有恒定的斜率(例如，-m)。在该实施例中，在与中心阵列相距的距离大于D4处的像素不具有相关联的金属反射器(即，只有与中心相距D4或更小距离的像素包括金属反射器，其中距离D4小于离像素阵列边缘的距离)。另外，在距离D4处的像素包括金属反射器，该金属反射器的宽度小于阵列的中心处或较接近中心处的金属反射器的宽度。
曲线304说明用于以线性方式按比例调整金属反射器的宽度的另一示例性函数。如图3所示，曲线304从阵列的中心至其边缘具有恒定的非零斜率。因此，在阵列的边缘处的像素包括金属反射器，该金属反射器的宽度小于阵列的中心处或较接近中心处的金属反射器的宽度。
如图3所示，曲线306、308、312及314图示了对金属反射器的宽度的分段线性按比例调整。例如，曲线306包括从阵列的中心至与该中心相距距离D3处具有第一斜率的第一线性片段。曲线306还包括从距离D3处至阵列的边缘具有第二斜率的第二线性片段，其中第一斜率的大小大于第二斜率的大小。曲线308包括从阵列的中心至距离D1处具有第一斜率的第一线性片段，然后从距离D1处延伸至阵列的边缘具有第二斜率的第二线性片段。在曲线308的示例中，第一斜率的大小小于第二斜率的大小。
曲线312及314的所示示例各自包括具有正斜率的第一线性片段，使得与阵列的中心离得更远的金属反射器的宽度可以增加至大于该中心处的金属反射器的宽度。
图3中还示出了曲线310，图示了在一种实施例中，金属反射器可以直至与阵列的中心相距距离D2为止都具有固定的宽度。即，在所示的实例中，曲线310从阵列的中心至距离D2处具有零斜率。对于距离大于D2处的像素，不存在相关联的金属反射器(即，只有离中心的距离为D2或更小的距离处的像素才包括金属反射器，其中距离D2小于离像素阵列边缘的距离)。
图4为图示了根据一种实施例的CMOS图像传感器CIS 400的框图。CIS 400的塑所示实施例包括像素阵列405(其具有上文所述的改良特性中的一些或全部)、读出电路410、功能逻辑电路415及控制电路420。像素阵列405为图像传感器像素(例如，像素P1、P2、…、Pn)的二维(“2D”)阵列。在一种实施例中，如图1中所说明，使用像素100来实施每一像素。在一实施例中，每个像素为CIS像素。在一种实施例中，像素阵列405包括彩色滤光片阵列，该彩色滤光片阵列包括红色、绿色及蓝色滤光片的色彩图案(例如Bayer图案或马赛克)。如图所示，将每个像素排列成行(例如，行R1至Ry)和列(例如，列C1至Cx)以获取人物、场所或对象的图像数据，接着可以用该图像数据来呈现该人物、场所或对象的2D图像。
在每个像素已获取其图像数据或图像电荷之后，由读出电路410读出该图像数据并将该图像数据转移至功能逻辑电路415。读出电路410可以包括放大电路、模拟-数字转换(“ADC”)电路或其它电路。功能逻辑电路415可以仅储存图像数据，或甚至通过施加后期图像效果(例如裁剪、旋转、去红眼、调整亮度、调整对比度或其它动作)而操纵该图像数据。在一种实施例中，读出电路410可以沿读出列线每次读出一行图像数据(所示的)，也可以使用各种其它技术读出该图像数据(未图示)，这些其它技术例如行/列读出、串行读出或同时对所有像素进行全并列读出。控制电路420与像素阵列405连接以控制像素阵列405的操作特性。例如，控制电路420可以产生用于控制图像获取的快门信号。
图5的电路图图示了根据本发明实施例的像素阵列内的两个四晶体管(“4T”)像素的像素电路500。像素电路500为用于实施图2的4共享像素架构200内每个像素的一种可能的像素电路架构。但是应当明白，本发明的实施例并不限于4T像素架构；相反，受益于本发明的本领域技术人员可以理解，本发明的教导也适用于3T设计、5T设计和各种其它像素架构。
在图5中，像素Pa和Pb排列成两行和一列。每个像素电路500的所示实施例包括光电二极管PD、转移晶体管T1、复位晶体管T2、源极跟随器(“SF”)晶体管T3及选择晶体管T4。在操作期间，转移晶体管T1接收转移信号TX，该信号将积累于光电二极管PD中的电荷转移至浮动扩散节点FD。在一种实施例中，浮动扩散节点FD可以耦合至储存电容器以用于临时储存图像电荷。
复位晶体管T2耦合于电源轨(power rail)VDD与该浮动扩散节点FD之间，以在复位信号RST的控制下复位像素(例如，将FD及PD放电或充电至预设的电压)。浮动扩散节点FD被耦合以控制SF晶体管T3的栅极。SF晶体管T3耦合于电源轨VDD与选择晶体管T4之间。SF晶体管T3作为源极跟随器而工作，提供与浮动扩散区FD的高阻抗连接。最后，选择晶体管T4在选择信号SEL的控制下选择性地将像素电路500的输出耦合至读出列线。
图6图示了根据本发明实施例的利用了CIS 400的成像系统600。成像系统600进一步包括用于将光从要成像的物体导引至CIS 400上的成像光学器件620，还可以包括信号处理器630以产生经处理的图像数据以供显示于显示器640上。
所附权利要求中所用的术语不应被理解为将本发明的实施例限于说明书及权利要求中所公开的特定实施例。相反，本发明的实施例的范围完全由权利要求来确定，这些权利要求应当根据权利要求的解释原则来理解。
Claims (20)
1.一种图像传感器，包括：
成像像素的阵列，其安置于半导体层内，其中，所述成像像素的阵列中的每个成像像素包括光敏元件，所述光敏元件被构造成接收来自该图像传感器的背面的光；
绝缘体层，其安置于所述半导体层的正面；以及
多个金属反射器，其安置于所述绝缘体层内以将所述光反射至相应的光敏元件，其中，所述多个金属反射器中每一者的宽度等于该阵列的中心处的金属反射器的宽度乘以下述比例因子：所述比例因子取决于该金属反射器离该阵列的中心的距离。
2.如权利要求1所述的图像传感器，还包括多个微透镜，其中，所述多个微透镜中每一者被安置成将所述光聚焦至相应的光敏元件上，其中，用于每个金属反射器的比例因子还取决于每个相应的微透镜的主光线角度。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个金属反射器中每一者安置于所述成像像素的阵列中的两个成像像素上。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个金属反射器的宽度从该阵列的中心向该阵列的边缘逐渐减小。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述比例因子是响应于下述线性函数而确定的：该线性函数针对从该阵列的中心处至该阵列的边缘处的距离具有非零的斜率。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，位于该阵列的中心处至与该阵列的中心相距一中间距离处的金属反射器的比例因子是响应于具有非零斜率的线性函数而确定的，其中，所述中间距离与该阵列的边缘之间的像素不包含相关联的金属反射器。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述比例因子是响应于具有第一片段及第二片段的分段线性函数而确定的，其中，所述第一片段的斜率不同于所述第二片段的斜率。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一片段的斜率的大小大于所述第二片段的斜率的大小。
9.如权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第二片段的斜率的大小大于所述第一片段的斜率的大小。
10.如权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一片段的斜率为正数。
11.如权利要求1所述的图像传感器，其中，对于位于该阵列的中心处至与该阵列的中心相距一中间距离处的金属反射器，所述比例因子是恒定的，其中，所述中间距离与该阵列的边缘之间的像素不包含相关联的金属反射器。
12.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个金属反射器包括：第一金属反射器，其大体上沿所述图像传感器的第一轴安置；第二金属反射器，其大体上沿所述图像传感器的第二轴安置，其中，所述第一金属反射器和所述第二金属反射器与该阵列的中心相距相同的距离，其中，所述第一金属反射器的宽度不同于所述第二金属反射器的宽度。
13.一种对图像传感器进行操作的方法，包括：
在安置于半导体层中的像素阵列处接收光；
使光反射离开安置于绝缘体层内的多个金属反射器，其中，绝缘体层安置于所述半导体层的正面，其中，所述多个金属反射器中每一者的宽度等于该阵列的中心处的金属反射器的宽度乘以下述比例因子：所述比例因子取决于该金属反射器离该阵列的中心的距离。
14.如权利要求13所述的方法，还包括由多个微透镜将所述光聚焦至该像素的阵列中所包括的光敏元件上，其中，每个金属反射器的比例因子还取决于每个相应的微透镜的主光线角度。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述多个金属反射器的宽度从该阵列的中心至该阵列的边缘逐渐减小。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述比例因子是响应于下述线性函数而确定的：该线性函数针对从该阵列的中心处至该阵列的边缘处的距离具有非零的斜率。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述比例因子是响应于具有第一片段及第二片段的分段线性函数而确定的，其中，所述第一片段的斜率不同于所述第二片段的斜率。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第一片段的斜率的大小大于所述第二片段的斜率的大小。
19.如权利要求17所述的方法，其中，所述第二片段的斜率的大小大于所述第一片段的斜率的大小。
20.如权利要求13所述的方法，其中，对于位于该阵列的中心处至与该阵列的中心相距一中间距离处的金属反射器，所述比例因子是恒定的，其中，所述中间距离与该阵列的边缘之间的像素不包含相关联的金属反射器。
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