CN101636904A

CN101636904A - 无源部件

Info

Publication number: CN101636904A
Application number: CN200880008603A
Authority: CN
Inventors: 水谷靖彦; 牧野仁
Original assignee: Soshin Electric Co Ltd
Current assignee: Soshin Electric Co Ltd
Priority date: 2007-03-16
Filing date: 2008-03-13
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2028-03-13
Also published as: JP4995606B2; US8102222B2; CN101636904B; JP2008236024A; WO2008114681A1; US20100033267A1

Abstract

本发明提供无源部件。在第一无源部件(10A)中，在以下的位置形成有第一并联谐振电路～第三并联谐振电路中的具有接近通频带的谐振频率的第二并联谐振电路(16B)。即，在电介质基板(20)中，在由第一屏蔽电极(22A)和第二屏蔽电极(22B)夹着的区域(Za)中的距离第一屏蔽电极(22A)最远的位置、且距离第二屏蔽电极(22B)最远的位置(在该例中，位于区域(Za)的层叠方向中央部分的第七电介质层(S7)的主面和第八电介质层(S8)的主面)，形成有第二并联谐振电路(16B)。

Description

无源部件

技术领域

本发明涉及无源部件(passive part)，例如涉及适于在串联连接有多个谐振电路的低通滤波器等中使用的无源部件。

背景技术

在近来的移动通信、便携式电话等中，发送和接收共用单一的天线。

具体而言，在发送和接收中使用不同的频率的信号的情况下，将组合有使发送信号通过的带通滤波器和使接收信号通过的带通滤波器的双工器与天线连接，共用天线。

此外，在发送和接收中使用相同的频率的情况下，通过利用开关电路在时间轴上切换发送和接收，从而实现天线的共用。

而且，在上述发送接收装置中，特别是为了提高发送特性，例如在发送接收切换器的发送侧连接低通滤波器。

可是，作为连接在发送接收装置的发送侧的低通滤波器，一般采用使用了能够实现小型化的陶磁电介质基板的低通滤波器。

历来，作为使用了陶瓷电介质基板的低通滤波器，提案有一种低通滤波器，该低通滤波器在通频带的2倍和3倍处具有衰减极点，能够以多个参数调整衰减极点，并且在能够将整体的形状小型化的1～3GHz前后的高频的频带适宜地被使用(例如专利文献1)。

此外，还提案有不具有上下的方向性，即使将上下调换进行安装，电特性也不会变化的结构的低通滤波器(例如专利文献2)。

专利文献1：日本专利申请特开2004-153414号公报

专利文献2：日本专利申请特开2003-110393号公报

但是，现有的使用陶瓷电介质基板的低通滤波器，只不过提供仅增加衰减极点的结构、或即使上下调换进行安装电特性也不变化的结构，在多级低通滤波器中，对于提高形成通频带附近的衰减极点的谐振电路的Q值的方法没有进行任何研究。

即，例如在具有多个线圈图案的高阶低通滤波器中，为了将多个线圈图案形成在一个电介质基板上，可以考虑任意地形成在电介质基板的上部、下部、中央部的情况。

在电介质基板的上部和下部，因为形成有屏蔽电极，所以，当任意地配置多个线圈图案时，存在形成于屏蔽电极附近的线圈图案，具有该线圈图案的谐振电路的Q值恶化。当谐振电路的Q值恶化时，插入损失变大，存在不能得到通频带的宽带化、陡峭的衰减特性的问题。

发明内容

本发明正是考虑这样的问题而完成的，其目的在于提供一种无源部件，该无源部件即使在构成具有多个线圈图案的高阶低通滤波器的情况下，也能够抑制插入损失变大，能够获得通频带的宽带化、以及陡峭的衰减特性。

本发明的无源部件具有：电介质基板，其层叠多个电介质层而构成，在上部形成有第一屏蔽电极，在下部形成有第二屏蔽电极；以及多个LC谐振电路，其形成在上述电介质基板内的由上述第一屏蔽电极和上述第二屏蔽电极夹着的区域中，该无源部件的特征在于：在上述多个LC谐振电路中的、具有接近通频带的谐振频率的至少一个LC谐振电路中，至少线圈形成在上述区域中的距离上述第一屏蔽电极和上述第二屏蔽电极最远的位置。其中，LC谐振电路表示由线圈(L)和电容器(C)构成的集总常数电路。

由此，通过将LC谐振电路形成在距离上述第一屏蔽电极和第二屏蔽电极最远的位置，从而构成该LC谐振电路的电极(例如线圈形成用电极、电容器形成用电极等)不容易受到第一屏蔽电极和第二屏蔽电极的影响，该LC谐振电路的Q值提高。因此，相当于将具有高的Q值的LC谐振电路对通频带附近的衰减极点使用，能够抑制由于在电介质基板内形成多个LC谐振电路而使得插入损失变大的情况，能够实现通频带的宽带化，获得陡峭的衰减特性。

此外，在本发明中，也可以采用如下方式，即，在上述多个LC谐振电路的全部中，至少线圈形成在上述区域中的距离上述第一屏蔽电极和上述第二屏蔽电极最远的位置。在此情况下，因为多个LC谐振电路均不容易受到第一屏蔽电极和第二屏蔽电极的影响，所以能够使该多个LC谐振电路的Q值提高，并且能够实现低背化。适于用于薄型的通信装置、电子设备。

此外，在本发明中，上述LC谐振电路也可以是具有构成线圈的线圈形成用电极和构成电容器的电容器形成用电极的并联谐振电路。在此情况下，优选上述线圈形成用电极遍及多个电介质层地被形成，在其中的一个以上的线圈形成用电极处形成有上述电容器形成用电极。由此，能够促进小型化和低背化。

此外，在本发明中，还可以在作为形成有上述LC谐振电路的电介质层和形成有上述第一屏蔽电极或上述第二屏蔽电极的电介质层之间的、与上述电容器形成用电极对应的位置，形成有与上述电容器形成用电极等电位的接地用电容器电极。在此情况下，能够达到降低浮地电容(floating capacitance)的效果，还能够提高设计的自由度。

此外，在本发明中，也可以采用如下方式，即，在从上表面观察上述电介质基板的情况下，上述多个LC谐振电路被排列配置，并且在邻接的LC谐振电路彼此之间，各个上述线圈形成用电极的绕线方向为相反方向。在此情况下，有降低耦合的效果。其结果是，能够使邻接的LC谐振电路彼此接近地进行配置，能够促进小型化。

如以上所说明的那样，根据本发明的无源部件，即使在构成具有多个线圈图案的高阶低通滤波器的情况下，也能够抑制插入损失变大的情况，能够实现通频带的宽带化，获得陡峭的衰减特性。

附图说明

图1是表示本实施方式的无源部件的电路图。

图2是表示第一无源部件和第二无源部件的外观立体图。

图3是表示第一无源部件的分解立体图。

图4是表示本实施方式的无源部件(第一无源部件和第二无源部件)的频率特性的图。

图5是用于说明在第一无源部件中，距离第一屏蔽电极和第二屏蔽电极最远的位置的图。

图6是表示第二无源部件的分解立体图。

图7是用于说明在第二无源部件中，距离第一屏蔽电极和第二屏蔽电极最远的位置的图。

图8是表示本实施方式的无源部件和现有例的无源部件的通过特性的差异的图。

具体实施方式

下面，参照图1～图8，对本发明的无源部件的实施方式的例子进行说明。

首先，如图1所示，本实施方式的无源部件的电路构成为，在输入端子12和输出端子14之间串联连接有三个并联谐振电路(第一并联谐振电路16A、第二并联谐振电路16B和第三并联谐振电路16C)，在输入端子12与GND(地)之间连接有第一电容器C1，在第一并联谐振电路16A和第二并联谐振电路16B的接点与GND之间连接有第二电容器C2，在第二并联谐振电路16B和第三并联谐振电路16C的接点与GND之间连接有第三电容器C3，在输出端子14与GND之间连接有第四电容器C4。

第一并联谐振电路16A构成为第十一线圈L11和第十一电容器C11并联连接，第二并联谐振电路16B构成为第十二线圈L12和第十二电容器C12并联连接，第三并联谐振电路16C构成为第十三线圈L13和第十三电容器C13并联连接。

此外，如图2所示，第一具体例的无源部件(以下标记为第一无源部件10A)具有层叠、煅烧多个电介质层(电介质S1～S14：参照图3)而整体化的电介质基板20。在电介质基板20中，在其上表面20u上形成有第一屏蔽电极22A，在第十四电介质层S14(参照图3)的主面形成有第二屏蔽电极22B。第一屏蔽电极22A和第二屏蔽电极22B在电介质基板20的第一侧面20a和第二侧面20b(与第一侧面20a为相反侧的面)连接。此外，在电介质基板20的第三侧面20c形成有输入端子12，在第四侧面20d(第三侧面20c的相反侧的面)形成有输出端子14。

如图3所示，电介质基板20从上开始依次重叠第一电介质层S1～第十四电介质层S14而构成。这些第一电介质层S1～第十四电介质层S14以一个或多个层构成。

此外，在第四电介质层S4的主面形成有第十一电极图案28a，该第十一电极图案28a电连接用于形成第一并联谐振电路16A的第十一电容器C11的第十一电容器形成用电极24a、和用于形成第十一线圈L11的第十一线圈形成用电极26a。

在第五电介质层S5的主面形成有第二十一电极图案34a，该第二十一电极图案34a电连接用于形成第一并联谐振电路16A的第十一电容器C11的第二十一电容器形成用电极30a、和用于形成第十一线圈L11的第二十一线圈形成用电极32a。

同样地，在第七电介质层S7的主面形成有第十二电极图案28b，该第十二电极图案28b电连接用于形成第二并联谐振电路16B的第十二电容器C12的第十二电容器形成用电极24b、和用于形成第十二线圈L12的第十二线圈形成用电极26b。

在第八电介质层S8的主面形成有第二十二电极图案34b，该第二十二电极图案34b电连接用于形成第二并联谐振电路16B的第十二电容器C12的第二十二电容器形成用电极30b、和用于形成第十二线圈L12的第二十二线圈形成用电极32b。

进一步，在第十电介质层S10的主面形成有第十三电极图案28c，该第十三电极图案28c电连接用于形成第三并联谐振电路16C的第十三电容器C13的第十三电容器形成用电极24c、和用于形成第十三线圈L13的第十三线圈形成用电极26c。

在第十一电介质层S11的主面形成有第二十三电极图案34c，该第二十三电极图案34c电连接用于形成第三并联谐振电路16C的第十三电容器C13的第二十三电容器形成用电极30c、和用于形成第十三线圈L13的第二十三线圈形成用电极32c。

另外，输入端子12经由引线电极60与第十一电极图案28a的第十一线圈形成用电极26a电连接，输出端子14经引线电极62与第二十三电极图案34c的第二十三线圈形成用电极32c电连接。

此外，在第二电介质层S2的主面，在与第十一电容器形成用电极24a对应的位置，形成有与第十一电容器形成用电极24a等电位、并且用于形成第一电容器C1的接地用的第一电容器电极50a，在与第十二电容器形成用电极24b对应的位置，形成有与第十二电容器形成用电极24b等电位、并且用于形成第二电容器C2的接地用的第二电容器电极50b。同样地，在第十三电介质层S13的主面，在与第二十二电容器形成用电极30b对应的位置，形成有与第二十二电容器形成用电极30b等电位、并且用于形成第三电容器C3的接地用的第三电容器电极50c，在与第二十三电容器形成用电极30c对应的位置，形成有与第二十三电容器形成用电极30c等电位、并且用于形成第四电容器C4的接地用的第四电容器电极50d。

具体而言，在形成为コ字状的第十一线圈形成用电极26a的一端连接有第十一电容器形成用电极24a，第十一线圈形成用电极26a的另一端和形成为コ字状的第二十一线圈形成用电极32a的一端经由通孔64电连接，第十一线圈形成用电极26a与引线电极60的连接部分和第一电容器电极50a经由通孔52电连接。

此外，第二十一线圈形成用电极32a的另一端和第二电容器电极50b经由通孔54电连接，在接近第二十一线圈形成用电极32a的另一端的部分形成有第二十一电容器形成用电极30a，第二十一线圈形成用电极32a与第二十一电容器形成用电极30a的连接部分、和形成为コ字状的第十二线圈形成用电极26b的一端经由通孔66电连接。

第十二电容器形成用电极24b与第十二线圈形成用电极26b的一端连接，第十二线圈形成用电极26b的另一端与形成为コ字状的第二十二线圈形成用电极32b的一端经由通孔68电连接，在接近第二十二线圈形成用电极32b的另一端的部分连接有第二十二电容器形成用电极30b。

第二十二线圈形成用电极32b与第二十二电容器形成用电极30b的连接部分、和形成为コ字状的第十三线圈形成用电极26c的一端经由通孔70电连接，该一端和第三电容器电极50c经由通孔56电连接，在接近第十三线圈形成用电极26c的一端的部分连接有第十三电容器形成用电极24c，第十三线圈形成用电极26c的另一端和形成为コ字状的第二十三线圈形成用电极32c的一端经由通孔72电连接。

第二十三线圈形成用电极32c与引线电极62的连接部分、和第四电容器电极50d经由通孔58电连接。

此处，以与图1所示的电路对应地说明第一无源部件10A的电路结构。

首先，利用在第二电介质层S2的主面形成的第一电容器电极50a、和在第一电介质层S1的主面(电介质基板20的上表面20u)形成的第一屏蔽电极22A形成第一电容器C1，利用第二电容器电极50b和第一屏蔽电极22A形成第二电容器C2。同样，利用在第十三电介质层S13的主面形成的第三电容器电极50c、和在第十四电介质层S14的主面形成的第二屏蔽电极22B形成第三电容器C3，利用第四电容器电极50d和第二屏蔽电极22B形成第四电容器C4。

利用在第四电介质层S4的主面形成的第十一电容器形成用电极24a、和在第五电介质层的主面形成的第二十一电容器形成用电极30a形成第一并联谐振电路16A的第十一电容器C11，利用在第四电介质层S4的主面形成的第十一线圈形成用电极26a、通孔64和在第五电介质层S5的主面形成的第二十一线圈形成用电极32a形成第一并联谐振电路16A的第十一线圈L11。

同样，利用在第七电介质层S7的主面形成的第十二电容器形成用电极24b、和在第八电介质层S8的主面形成的第二十二电容器形成用电极30b形成第二并联谐振电路16B的第十二电容器C12，利用在第七电介质层S7的主面形成的第十二线圈形成用电极26b、通孔68和在第八电介质层S8的主面形成的第二十二线圈形成用电极32b形成第二并联谐振电路16B的第十二线圈L12。

进一步，利用在第十电介质层S10的主面形成的第十三电容器形成用电极24c和在第十一电介质层S11的主面形成的第二十三电容器形成用电极30c形成第三并联谐振电路16C的第十三电容器C13，利用在第十电介质层S10的主面形成的第十三线圈形成用电极26c、通孔72和在第十一电介质层S11的主面形成的第二十三线圈形成用电极32c形成第三并联谐振电路16C的第十三线圈L13。

图4表示该第一无源部件10A的频率特性的例子。在该图4中，实线A表示通过特性，实线B表示反射特性。在通过特性中形成有三个衰减极点(第一衰减极点P1～第三衰减极点P3)。其中，与通频带最接近的第二衰减极点P2(谐振频率fb)是基于第二并联谐振电路16B的衰减极点，此外的第一衰减极点P1(谐振频率fa)和第三衰减极点P3(谐振频率fc)分别是基于第一并联谐振电路16A和第三并联谐振电路16C的衰减极点。

这样，在第一无源部件10A中，将第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C中的具有与通频带接近的谐振频率(第二衰减极点P2)的第二并联谐振电路16B形成在以下的位置。即，例如如图5所示，在电介质基板20内的由第一屏蔽电极22A和第二屏蔽电极22B夹着的区域Za中，在距离第一屏蔽电极22A最远的位置并且距离第二屏蔽电极22B最远的位置，形成第二并联谐振电路16B。

此处，所谓远的位置，由于在该第一无源部件10A中，区域Za所包含的电介质层的层数为奇数(13层：第一电介质层S1～第十三电介质层S13)，因此相当于位于区域Za的层叠方向中央部分的第七电介质层S7的主面和第八电介质层S8的主面。

由此，构成第二并联谐振电路16B的电极(例如第十二电容器形成用电极24b、第十二线圈形成用电极26b、第二十二电容器形成用电极30b和第二十二线圈形成用电极32b等)不容易受到形成在电介质基板20的上部和下部的第一屏蔽电极22A和第二屏蔽电极22B的影响，该第二并联谐振电路16B的Q值提高。因此，与为了形成通频带附近的衰减极点P2而使用具有高的Q值的第二并联谐振电路16B的情况等价，通过在电介质基板20内形成第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C，能够抑制插入损失变大。其结果是，能够实现通频带的宽带化，获得陡峭的衰减特性。

此外，因为不是在各自不同的电介质层中形成各线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)和各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)，而是将各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)配置在各线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)的周围内，并且，令各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)分别与对应的线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)连接，所以形成与各线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)分别对应的电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)，能够促进第一无源部件10A的小型化和低背化。

此外，该第一无源部件10A，在形成有第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的第四电介质层S4～第十一电介质层S11、和形成有第一屏蔽电极22A的第一电介质层S1之间，在与第十一电容器形成用电极24a对应的位置，形成有与该第十一电容器形成用电极24a等电位的第一电容器电极50a，在与第十二电容器形成用电极24b对应的位置，形成有与该第十二电容器形成用电极24b等电位的第二电容器电极50b。进一步，在形成有第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的第四电介质层S4～第十一电介质层S11、和形成有第二屏蔽电极22B的第十四电介质层S14之间，在与第二十二电容器形成用电极30b对应的位置，形成有与该第二十二电容器形成用电极30b等电位的第三电容器电极50c，在与第二十三电容器形成用电极30c对应的位置，形成有与该第二十三电容器形成用电极30c等电位的第四电容器电极50d。因此，能够达到降低浮地电容的效果，还能够提高设计的自由度。

接着，参照图6，对第二具体例的无源部件(以下标记为第二无源部件10B)进行说明。如图6所示，该第二无源部件10B具有与上述的第一无源部件10A大致相同的结构，但是以下的方面不同。

即，如图6所示，电介质基板20从上开始依次层叠第一电介质层S1～第九电介质层S9而被构成。这些第一电介质层S1～第九电介质层S9由一层或多层构成。在第一电介质层S1的主面(电介质基板20的上表面20u)形成有第一屏蔽电极22A，在第九电介质层S9的主面形成有第二屏蔽电极22B。

而且，在第四电介质层S4的主面形成有电连接第十一电容器形成用电极24a和第十一线圈形成用电极26a的第十一电极图案28a、电连接第十二电容器形成用电极24b和第十二线圈形成用电极26b的第十二电极图案28b、以及电连接第十三电容器形成用电极24c和第十三线圈形成用电极26c的第十三电极图案28c。

在此情况下，输入端子12与第十一电极图案28a的第十一电容器形成用电极24a的一端电连接。此外，第十二电极图案28b的第十二线圈形成用电极26b和第十三电极图案28c的第十三线圈形成用电极26c被整体地连接，并在整体上成为C状的电极图案。

同样，在第6电介质层S6的主面形成有电连接第二十一电容器形成用电极30a和第二十一线圈形成用电极32a的第二十一电极图案34a、电连接第二十二电容器形成用电极30b和第二十二线圈形成用电极32b的第二十二电极图案34b、以及电连接第二十三电容器形成用电极30c和第二十三线圈形成用电极32c的第二十三电极图案34c。

在此情况下，输出端子14与第二十三电极图案34c的第二十三电容器形成用电极30c的一端电连接。此外，第二十一电极图案34a的第二十一线圈形成用电极32a、和第二十二电极图案34b的第二十二线圈形成用电极32b被整体地连接，并在整体上成为C状的电极图案。

进一步，在第五电介质层S5的主面形成有コ字状的第三十一线圈形成用电极36a、第三十二线圈形成用电极36b、第三十三线圈形成用电极36c。

其中，第三十一线圈形成用电极36a的一端与第十一线圈形成用电极26a的一端经由通孔38电连接，第三十一线圈形成用电极36a的另一端与第二十一线圈形成用电极32a的一端经由通孔40电连接。

同样，第三十二线圈形成用电极36b的一端与第十二线圈形成用电极26b的一端经由通孔42电连接，第三十二线圈形成用电极36b的另一端与第二十二线圈形成用电极32b的一端经由通孔44电连接。

进一步，第三十三线圈形成用电极36c的一端与第十三线圈形成用电极26c的一端经由通孔46电连接，第三十三线圈形成用电极36c的另一端与第二十三线圈形成用电极32c的一端经通孔48电连接。

此外，在第二电介质层S2的主面，在与第十一电容器形成用电极24a对应的位置形成有与第十一电容器形成用电极24a等电位的第一电容器电极50a，在与第十二电容器形成用电极24b对应的位置形成有与第十二电容器形成用电极24b等电位的第二电容器电极50b。第一电容器电极50a和第十一电容器形成用电极24a经由通孔52电连接，第二电容器电极50b和第十二电容器形成用电极24b经由通孔54电连接。第一电容器电极50a和第二电容器电极50b各自相对于第一屏蔽电极22A夹着第一电介质层S1相对。

同样，在第八电介质层S8的主面，在与第二十二电容器形成用电极30b对应的位置形成有与第二十二电容器形成用电极30b等电位的第三电容器电极50c，在与第二十三电容器形成用电极30c对应的位置形成有与第二十三电容器形成用电极30c等电位的第四电容器电极50d。第三电容器电极50c和第二十二电容器形成用电极30b经由通孔56电连接，第四电容器电极50d和第二十三电容器形成用电极30c经由通孔58电连接。上述的第三电容器电极50c和第四电容器电极50d各自相对于第二屏蔽电极22B夹着第八电介质层S8相对。

此处，以与图1所示的电路对应地说明第二无源部件10B的电路结构。

首先，利用在第二电介质层S2的主面形成的第一电容器电极50a和在电介质基板20的上表面20u形成的第一屏蔽电极22A形成第一电容器C1，利用第二电容器电极50b和第一屏蔽电极22A形成第二电容器C2。同样，利用在第八电介质层S8的主面形成的第三电容器电极50c和在第九电介质层S9的主面形成的第二屏蔽电极22B形成第三电容器C3，利用第四电容器电极50d和第二屏蔽电极22B形成第四电容器C4。

利用在第四电介质层S4的主面形成的第十一电容器形成用电极24a和在第6电介质层S6的主面形成的第二十一电容器形成用电极30a形成第一并联谐振电路16A的第十一电容器C11，利用第十二电容器形成用电极24b和第二十二电容器形成用电极30b形成第二并联谐振电路16B的第十二电容器C12，利用第十三电容器形成用电极24c和第二十三电容器形成用电极30c形成第三并联谐振电路16C的第十三电容器C13。

同样，利用在第四电介质层S4的主面形成的第十一线圈形成用电极26a、通孔38、在第五电介质层S5的主面形成的第三十一线圈形成用电极36a、通孔40和在第6电介质层S6的主面形成的第二十一线圈形成用电极32a形成第一并联谐振电路16A的第十一线圈L11，利用第二十一线圈形成用电极26b、通孔42、第三十二线圈形成用电极36b、通孔44、和第二十二线圈形成用电极32b形成第二并联谐振电路16B的第十二线圈L12，利用第十三线圈形成用电极26c、通孔46、第三十三线圈形成用电极36c、通孔48、和第二十三线圈形成用电极32c形成第三并联谐振电路16C的第十三线圈L13。

该第二无源部件10B的频率特性也显示与图4相同的特性，与通频带最接近的第二衰减极点P2(谐振频率fb)是基于第二并联谐振电路16B的衰减极点，此外的第一衰减极点P1(谐振频率fa)和第三衰减极点P3(谐振频率fc)分别是基于第一并联谐振电路16A和第三并联谐振电路16C的衰减极点。

这样，在第二无源部件10B中，将第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C形成在以下的位置。即，例如如图7所示，在电介质基板20内由第一屏蔽电极22A和第二屏蔽电极22B夹着的区域Za中，在距离第一屏蔽电极22A最远的位置，并且距离第二屏蔽电极22B最远的位置形成有第二并联谐振电路16B。

此处，所谓远的位置，因为在该第二无源部件10B中，区域Za中包含的电介质层的层数为偶数(8层：第一电介质层S1～第八电介质层S8)，所以相当于位于区域Za的层叠方向中央部分的第五电介质层S5的主面或第四电介质层S4～第6电介质层S6的各主面。

由此，第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C均不容易受到形成在电介质基板20的上部和下部的第一屏蔽电极22A和第二屏蔽电极22B的影响，能够提高该第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的Q值。因此，通过在电介质基板20内形成第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C，能够抑制插入损失变大，并且能够实现通频带的宽带化，获得陡峭的衰减特性。而且，能够实现低背化，适于应用于薄型的通信装置、电子设备。

特别是，因为将能够增大线圈长度(物理长度)的第三十一线圈形成用电极36a、第三十二线圈形成用电极36b和第三十三线圈形成用电极36c形成在区域Za中的位于层叠方向中央的第五电介质层S5的主面，所以能够有效地抑制插入损失的增大，并且能够增大第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的电感成分，能够增大在第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C中形成的第一衰减极点P1～第三衰减极点P3的减衰量，而且能够得到陡峭的通过特性。

此外，因为不是在各自不同的电介质层中形成各线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c、36a～36c)和各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)，而是将各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)配置在各线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)的周围内，并且，令各电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)分别与对应的线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)连接，所以形成与线圈形成用电极(26a～26c、32a～32c)分别对应的电容器形成用电极(24a～24c、30a～30c)，能够促进第二无源部件10B的小型化和低背化。

此外，该第二无源部件10B，在形成有第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的第四电介质层S4～第6电介质层S6、和形成有第一屏蔽电极22A的第一电介质层S1之间，在与第十一电容器形成用电极24a对应的位置，形成有与该第十一电容器形成用电极24a等电位的第一电容器电极50a，在与第十二电容器形成用电极24b对应的位置，形成有与该第十二电容器形成用电极24b等电位的第二电容器电极50b。进一步，在形成有第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C的第四电介质层S4～第6电介质层S6、和形成有第二屏蔽电极22B的第九电介质层S9之间，在与第二十二电容器形成用电极30b对应的位置，形成有与该第二十二电容器形成用电极30b等电位的第三电容器电极50c，在与第二十三电容器形成用电极30c对应的位置，形成有与该第二十三电容器形成用电极30c等电位的第四电容器电极50d。因此，能够达到降低浮地电容的效果，还能够提高设计的自由度。

进一步，在该第二无源部件10B中，在从上表面观察电介质基板20的情况下，第一并联谐振电路16A～第三并联谐振电路16C被排列配置，并且在邻接的第一并联谐振电路16A和第二并联谐振电路16B彼此之间，以及在邻接的第二并联谐振电路16B和第三并联谐振电路16C彼此之间，各个线圈形成用电极的绕线方向为相反方向。因此，有降低耦合的效果。其结果是，能够使邻接的LC谐振电路彼此接近地进行配置，能够促进第二无源部件10B的小型化。

此处，对本实施方式的无源部件10(第一无源部件10A和第二无源部件10B)与现有例的无源部件的频率特性进行比较。首先，尽管未图示，但现有例的无源部件具有如下结构，即，用于形成电容器的电极组和用于形成线圈的电极组相对于电介质基板的层叠方向各自分离地形成的结构。该现有例的无源部件的通过特性，特别是通频带附近的特性描绘出图8的虚线C所示那样的曲线。在该图8中，实线A表示本实施方式的无源部件10的通过特性。

由该图8可知，例如通频带附近的频率fd处的现有例的衰减量为大约-1.5dB，但是本实施方式的衰减量为大约-1dB，可知能够实现通频带的宽带化，且能够获得陡峭的衰减特性。

作为另外的实施方式，还可以在形成有线圈形成用电极的电介质层之外的电介质层处形成电容器形成用电极。

此外，也可以在线圈形成用电极的周围外形成电容器形成用电极。

在上述的例子中，令以线圈形成用电极构成的线圈的轴方向为电介质基板的上下面的方向(横卷状)，但是，也可以为与该上下面的方向正交的方向(纵卷状)。

此外，在上述的例子中，令LC谐振电路为并联谐振电路，但是也可以为串联谐振电路。

另外，本发明的无源部件当然不仅限于上述实施方式，只要不脱离本发明的趣旨，能够采用各种结构。

Claims

1.一种无源部件，其具有：

电介质基板(20)，其层叠多个电介质层而构成，在上部形成有第一屏蔽电极(22A)，在下部形成有第二屏蔽电极(22B)；以及

多个LC谐振电路(16A～16C)，其形成在所述电介质基板(20)内的由所述第一屏蔽电极(22A)和所述第二屏蔽电极(22B)夹着的区域(Za)中，该无源部件的特征在于，

在所述多个LC谐振电路(16A～16C)中的、具有接近通频带的谐振频率的至少一个LC谐振电路(16B)中，至少线圈(L12)形成在所述区域(Za)中的距离所述第一屏蔽电极(22A)和所述第二屏蔽电极(22B)最远的位置。

2.如权利要求1所述的无源部件，其特征在于，

在所述多个LC谐振电路(16A～16C)的全部中，至少线圈(L11～L13)形成在所述区域(Za)中的距离所述第一屏蔽电极(22A)和所述第二屏蔽电极(22B)最远的位置。

3.如权利要求1所述的无源部件，其特征在于，

所述LC谐振电路是具有构成线圈的线圈形成用电极和构成电容器的电容器形成用电极的并联谐振电路。

4.如权利要求3所述的无源部件，其特征在于，

所述线圈形成用电极遍及多个电介质层而被形成，在其中的一个以上的线圈形成用电极上形成有所述电容器形成用电极。

5.如权利要求3所述的无源部件，其特征在于，

在形成有所述LC谐振电路的电介质层和形成有所述第一屏蔽电极(22A)或所述第二屏蔽电极(22B)的电介质层之间，并且在与所述电容器形成用电极对应的位置，形成有与所述电容器形成用电极等电位的接地用电容器电极。

6.如权利要求3所述的无源部件，其特征在于，

在从上表面观察所述电介质基板的情况下，所述多个LC谐振电路被排列配置，在邻接的LC谐振电路彼此中，各个所述线圈形成用电极的绕线方向为相反方向。