CN101595514B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的显示装置及其制造方法。制造包括有源矩阵基板(2)和光电二极管(6)的显示装置。首先，在玻璃(12)基板上，依次形成硅膜(8)和覆盖硅膜(8)的层间绝缘膜(15)。接着，形成金属膜，对其进行蚀刻，形成横贯硅膜(8)的金属配线(10、11)。然后，使用具有使与p层(9a)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(24a)，并且开口部(24a)的一部分由金属配线(10)形成的掩模，进行p型杂质的离子注入。而且，使用具有使与n层(9c)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(25b)，并且开口部(25a)的一部分由金属配线(11)形成的掩模，进行n型杂质的离子注入。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有光电二极管的显示装置及其制造方法。 
背景技术
在以液晶显示装置为代表的显示装置的领域中，为了根据显示装置的周围的光(以下称为“外光”)的强度进行显示画面的亮度的调整，提出在显示装置中装载光传感器的方案。能够通过在显示面板上安装独立部件的光传感器，而进行向显示装置的光传感器的搭载。此外，在为液晶显示装置的情况下，光传感器能够利用有源元件(TFT)、周边电路的形成工艺，在有源矩阵基板上一体形成。 
其中，特别是在便携式终端装置用的显示装置的领域中，光传感器，从削减部件个数和显示装置的小型化的观点出发，要求在有源矩阵基板上一体形成。作为一体形成的光传感器，例如已知具有横向构造的光电二极管(例如，参照日本特开2006-3857号公报)。 
此处，使用图6说明现有技术中的光电二极管(光传感器)。图6是表示现有技术的光电二极管的结构的截面图。如图6所示，光电二极管51是具有横向构造的PIN二极管，在构成液晶显示面板的有源矩阵基板上一体形成。 
如图6所示，光电二极管51具有设置在作为有源矩阵基板50的基底基板的玻璃基板52上设置的硅膜60。硅膜60能够利用作为有源元件起作用的薄膜晶体管(TFT(Thin Film Transistor))的形成工序，与其同时形成。此外，在硅膜60上，沿着面方向依次设置有p型半导体区域(p层)51a、本征半导体区域(i层)51b、和n型半导体区域(n层)51c。在该光电二极管51中，i层51b成为光检测区域。 
此外，在光电二极管51的下层，隔着底涂膜54，设置有对来自背光源装置的照明光进行遮光的遮光膜53。光电二极管51被层间绝缘膜55和56覆盖。 
在图6中，57表示与p层51a连接的配线，58表示与n层51c连接的配线。此外，59表示平坦化膜，61表示保护膜。62是液晶层。相对基板63的详细图示被省略，仅图示其外形。 
发明内容
图6所示的光电二极管51的输出特性由正向的i层51b的长度L(即沟道长度)决定。如果i层51b的长度L有偏差，则光电二极管51的输出特性也同样产生偏差。此外，i层51b的长度L的偏差，很大程度上依赖于离子注入时作为掩模的抗蚀剂图案的对准精度，容易在每个PIN二极管产生。 
因此，存在明明是同一规格的PIN二极管，输出特性却在每个制品中产生差别的情况。此外，也存在下述情况：明明是装载在同一有源矩阵基板上的同一规格的PIN二极管，输出特性却在每个PIN二极管中产生差别。因为在这样的情况下，利用光传感器调整显示画面的亮度变得困难，所以在光电二极管51的制造工序中，要求抑制i层51b的长度L的偏差。 
本发明的目的是提供能够解决上述问题，抑制光电二极管的输出特性的偏差的显示装置及其制造方法。 
为了达成上述目的，本发明提供一种显示装置的制造方法，该显示装置包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，上述光电二极管具有沿着面方向设置有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域的硅膜，该显示装置的制造方法的特征在于，包括下述工序：(a)在上述有源矩阵基板的基底基板上，形成作为上述光电二极管的上述硅膜的工序；(b)形成覆盖上述硅膜的绝缘膜的工序；(c)在上述绝缘膜上形成金属膜，对上述金属膜进行蚀刻，形成横贯上述硅膜的两根金属配线的工序；(d)使用第一掩模，进行p型杂质的离子注入的工序，上述第一掩模具有使与上述p型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第一开口部，并且上述第一开口部的一部分由一根上述金属配线形成；(e)使用第二掩模，进行n型杂质的离子注入的工序，上述第二掩模具有使与上述n型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第二开口部，并且上述第二开口部的一部 分由另一根上述金属配线形成。 
此外，为了达成上述目的，本发明的显示装置包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，其特征在于：上述光电二极管具有设置在上述有源矩阵基板的基底基板上的硅膜，该硅膜沿着其面方向依次形成有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域，在上述光电二极管的上层，沿着与上述光电二极管的正向垂直的方向，设置有横贯上述光电二极管的两根金属配线，上述两根金属配线中，一根金属配线以其端部在上述有源矩阵基板的厚度方向上与p型半导体区域和本征半导体区域的边界一致的方式配置，另一根金属配线以其端部在上述有源矩阵基板的厚度方向上与本征半导体区域和n型半导体区域的边界一致的方式配置。 
在以上所述的本发明中，p型半导体区域(p层)和n型半导体区域(n层)的边界，被横贯硅膜、并且用作掩模的金属配线所定位。此外，金属配线由蚀刻形成，其对准精度相比于仅由抗蚀剂图案形成的掩模更高。因此，根据本发明的制造方法，与现有技术相比，能够使p层与n层的距离，即本征半导体区域(i层)的正向上的长度L的偏差极小，能够使光电二极管的输出特性的偏差极小。 
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的显示装置的立体图。 
图2是表示本发明的实施方式的显示装置所具有的光电二极管的截面图。 
图3是图2所示的光电二极管的平面图。 
图4是表示构成本发明的实施方式的显示装置的光电二极管的制造工序的截面图。图4(a)～(d)分别表示一系列的主要的制造工序。 
图5是表示构成本发明的实施方式的显示装置的光电二极管的制造工序的截面图。图5(a)～(c)分别表示在图4(d)所示的工序结束后进行的一系列的主要的制造工序。 
图6是表示现有技术的光电二极管的结构的截面图。 
具体实施方式
本发明提供一种显示装置的制造方法，该显示装置包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，上述光电二极管具有沿着面方向设置有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域的硅膜，该显示装置的制造方法的特征在于，包括下述工序：(a)在上述有源矩阵基板的基底基板上，形成作为上述光电二极管的上述硅膜的工序；(b)形成覆盖上述硅膜的绝缘膜的工序；(c)在上述绝缘膜上形成金属膜，对上述金属膜进行蚀刻，形成横贯上述硅膜的两根金属配线的工序；(d)使用第一掩模，进行p型杂质的离子注入的工序，上述第一掩模具有使与上述p型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第一开口部，并且上述第一开口部的一部分由一根上述金属配线形成；(e)使用第二掩模，进行n型杂质的离子注入的工序，上述第二掩模具有使与上述n型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第二开口部，并且上述第二开口部的一部分由另一根上述金属配线形成。 
上述本发明的制造方法也可以是，在实施上述(c)的工序之前，还具有在上述硅膜形成上述本征半导体区域的工序。此外，上述本发明的制造方法也可以是，在上述(a)的工序中，上述硅膜由连续晶界结晶硅形成。 
此外，本发明的显示装置包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，其特征在于：上述光电二极管具有设置在上述有源矩阵基板的基底基板上的硅膜，该硅膜沿着其面方向依次形成有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域，在上述光电二极管的上层，沿着与上述光电二极管的正向垂直的方向，设置有横贯上述光电二极管的两根金属配线，上述两根金属配线中，一根金属配线以其端部在上述有源矩阵基板的厚度方向上与p型半导体区域和本征半导体区域的边界一致的方式配置，另一根金属配线以其端部在上述有源矩阵基板的厚度方向上与本征半导体区域和n型半导体区域的边界一致的方式配置。 
在上述本发明的显示装置中，上述一根金属配线的与上述另一根金属配线相对的一侧的相反侧的端部，与上述p型半导体区域和上述本征半导体区域的边界一致，上述另一根金属配线的与上述一根金属 配线相对的一侧的相反侧的端部，与上述本征半导体区域和上述n型半导体区域的边界一致，此时，优选还具有对上述两根金属配线施加电压的驱动部。而且，在该情况下，特别优选上述驱动部对上述一根金属配线施加负电压，对上述另一根金属配线施加正电压。通过采用这样的方式，能够在一根金属配线的正下方使空穴增加，在另一根金属配线的正下方使自由电子增加。结果，耗尽层向不成为金属配线的阴影的位置移动，与不施加电压的情况相比，能够达到光电二极管的灵敏度的提高。 
(实施方式) 
以下，参照图1～图3说明本发明的实施方式的显示装置。首先，使用图1说明本实施方式的显示装置的整体结构。图1是表示本发明的实施方式的显示装置的立体图。 
如图1所示，本实施方式的显示装置是液晶显示装置，包括液晶显示面板1、和对其进行照明的背光源装置7。此外，显示装置还具有对外光进行反应而输出信号的光电二极管(光传感器)6。液晶显示面板1包括有源矩阵基板2、相对基板3、和在这两个基板之间被夹持的液晶层(未图示)。 
有源矩阵基板2具有矩阵状地形成有多个像素(未图示)的玻璃基板(参照图2)。玻璃基板是有源矩阵基板2的基底基板。此外，像素主要由作为有源元件的薄膜晶体管(TFT(Thin Film Transistor))、由透明的导电膜形成的像素电极形成。矩阵状地配置有多个像素的区域成为显示区域。 
相对基板3以与有源矩阵基板2的显示区域重叠的方式配置。相对基板3具有相对电极(未图示)和彩色滤光片(未图示)。彩色滤光片例如具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的着色层。着色层与各像素对应。 
此外，有源矩阵基板2在显示区域的周边区域具有栅极驱动器4和数据驱动器5。各有源元件通过在水平方向延伸的栅极线(未图示)与栅极驱动器4连接，通过在垂直方向延伸的数据线(未图示)与数据驱动器5连接。而且，在有源矩阵基板2的显示区域的周边区域还设置有光电二极管6。 
此处，使用图2和图3说明光电二极管6的具体的结构。图2是表示本发明的实施方式的显示装置所具有的光电二极管的截面图。图3是图2所示的光电二极管的平面图。另外，在图2中，仅导体和半导体被施以阴影线。 
如图2所示，光电二极管6与现有的光电二极管同样，具有设置在构成有源矩阵基板2的玻璃基板12上的硅膜8，在有源矩阵基板2上一体形成。硅膜8，如后所述，由与形成薄膜TFT的硅膜相同的工艺形成。 
此外，如图2和图3所示，光电二极管6是具有横向构造的PIN光电二极管。在硅膜8上，沿着其面方向，依次形成有p型半导体区域(p层)9a、本征半导体区域(i层)9b、和n型半导体区域(n层)9c。 
此外，在本实施方式中，与现有技术同样，在光电二极管6的下层，隔着底涂膜14设置有对来自背光源装置的照明光进行遮光的遮光膜13。而且，光电二极管6被层间绝缘膜15覆盖。 
这样，光电二极管6具有与现有技术同样的结构。但是，本实施方式中，如图2和图3所示，在光电二极管6的上层，沿着与光电二极管6的正向垂直的方向，设置有横贯光电二极管6的两根金属配线10和11。 
此外，金属配线10以与其相对侧相反的一侧的端部10a在有源矩阵基板2的厚度方向上和p层9a与i层9b的边界9d一致的方式配置。另一方面，金属配线11以与其相对侧相反的一侧的端部11a在有源矩阵基板2的厚度方向上和i层9b与n层9c的边界9e一致的方式配置。 
一般来说，在光电二极管中，产生由受光引起的光激励的过程的所谓耗尽层从p层与i层的边界和n层与i层的边界朝向i层的中心扩展。从而，当i层的正向的长度过大时，耗尽层只能够存在到i层的中途，当其过小时，i层全部被耗尽层充满。即，当i层的正向的长度过大时，产生光激励的区域不能够达到i层整体，这之外的区域成为电阻区域，使得输出下降。另一方面，当i层的正向的长度过小时，产生光激励的区域变小，光变换效率下降。在光电二极管中，使i层的正向的长度与设计值相同很重要。 
在本实施方式中，使i层9b的正向的长度L与设计值相同，为了抑制制品间的偏差，采用具有横贯光电二极管6的金属配线10和11的构造。金属配线10和11能够抑制i层9b的边界的位置精度的偏差，从而能够抑制光电二极管6的输出特性的偏差。关于该点，使用图4和图5在后面进行叙述。另外，本说明书中的“金属配线的相对侧”是指一根金属配线的面对另一根金属配线的一侧。此外，“金属配线的端部”是指位于相对侧或与相对侧相反的一侧的边缘或面。 
但是，因为金属配线10和11横贯光电二极管6，所以会对i层9b的一部分进行遮光。在i层9b中，金属配线10和11的正下方的区域成为难以产生光激励的区域。因此，在本实施方式中，优选对位于接近p层9a的位置的金属配线10施加负电压，对位于接近n层9c的位置的金属配线11施加正电压。 
在该情况下，i层9b的金属配线10的正下方的空穴增加，相反地，i层9b的金属配线11的正下方的自由电子增加，耗尽层集中在i层9b的中央。从而，i层9b的实质的沟道长度，和金属配线10的相对侧的端部10b与金属配线11的相对侧的端部11b的距离L’为相同程度，或者比其更短。在该情况下，与不在金属配线10和11上施加电压的情况相比，难以产生光激励的区域变小，光电二极管6的灵敏度增加。在这样在金属配线10和11上施加电压的情况下，i层9b的长度L考虑这一点而设定。 
在本实施方式中，向金属配线10和11的电压的施加能够使用栅极驱动器4或数据驱动器5等驱动电路而进行。此外，也可以采用另外设置有向金属配线10和11施加电压用的驱动电路的方式。另外设置的驱动电路的控制，也能够通过向栅极驱动器4、数据驱动器5供给控制信号、时钟信号的显示装置用的控制装置(液晶控制器)进行。 
在图2中，16是覆盖金属配线10和11的层间绝缘膜。17和18是光电二极管6的配线。19是平坦化膜，20是保护膜。21是液晶层。 
此处，说明本实施方式的显示装置的制造方法。在本实施方式中，构成显示装置的光电二极管及其周边部分的制造工序与现有技术没有什么特别的不同。此外，在本实施方式中，光电二极管的制造利用构成有源矩阵基板的有源元件(TFT)及其周边电路的制造工序而进行。 
以下，使用图4和图5说明光电二极管及其周边部分的制造工序。图4和图5是表示构成本发明的实施方式的显示装置的光电二极管的制造工序的截面图。图4(a)～(d)分别表示一系列的主要的制造工序。图5(a)～(c)分别表示在图4(d)所示的工序结束后进行的一系列的主要的制造工序。 
首先，如图4(a)所示，在作为有源矩阵基板的基底基板的玻璃基板12上，形成用于防止背光源装置(图1)的照明光入射至光电二极管的遮光膜13。 
具体地说，在玻璃基板12的一个主面上，通过CVD(ChemicalVapor Deposition：化学气相沉积)法、溅射法等，形成硅氧化膜、硅氮化膜等绝缘膜，或者形成以钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)等中的至少一种为主要成分的金属膜。此时，膜厚例如为50nm以上即可。 
接着，利用光刻法，形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案中预定形成遮光膜13的区域(预定形成区域)被开口，以该抗蚀剂图案作为掩模，对上述绝缘膜或金属膜实施蚀刻。由此，得到遮光膜13。另外，在本实施方式中，也可以采用不形成遮光膜的方式。 
接着，形成覆盖遮光膜13的绝缘性的底涂膜14，在其上，形成作为光电二极管6(参照图2和图3)的硅膜22。具体地说，作为底涂膜14，例如能够使用硅氧化膜、硅氮化膜，其形成能够通过CVD法进行。具体地说，在形成硅氧化膜的情况下，作为原料气体，可以使用SiH4气体和N2O气体(或者O2气体)。此外，底涂膜14可以是单层也可以是多层。底涂膜14的厚度例如设定为100nm～500nm即可。 
此外，作为硅薄膜22，能够使用非晶硅、低温多晶硅、连续晶界结晶硅的薄膜。其中，因为电子迁移度高，所以硅薄膜22优选为连续晶界结晶硅的薄膜。在该情况下，硅薄膜22具体由以下过程形成。 
首先，在底涂膜14上依次形成氧化硅膜和非晶硅膜。接着，在非晶硅膜的表层，形成作为促进结晶化的催化剂的镍薄膜。接着，实施固相生长退火，镍薄膜与非晶硅膜进行反应，在它们的界面形成结晶硅层。之后，利用蚀刻等，除去未反应的镍膜和硅化镍的层。然后，对剩余的硅膜进行激光退火处理，结晶化继续发展，从而完成连续晶 界结晶硅的薄膜。 
在本实施方式中，硅薄膜22也用作构成TFT(未图示)的硅膜。从而，上述硅薄膜22的成膜能够利用构成TFT的硅的成膜工序而进行。 
接着，如图4(b)所示，形成抗蚀剂图案(未图示)，其与硅薄膜22的光电二极管的形成区域重合的部分被开口，以此为掩模实施蚀刻。从而得到构成光电二极管的硅膜8。 
接着，如图4(c)所示，形成覆盖硅膜8的层间绝缘膜15。与底涂膜14同样，能够通过CVD法形成硅氧化膜、硅氮化膜，从而进行层间绝缘膜15的形成。此外，层间绝缘膜15也是可以为单层也可以为多层。层间绝缘膜15的厚度例如设定为10nm～120nm即可。在本实施方式中，层间绝缘膜15的形成能够利用构成TFT的栅极绝缘膜的成膜工序而进行。 
此外，在形成层间绝缘膜15之后，为了通过掺杂量的调整在硅膜8形成本征半导体区域，进行离子注入。具体地说，硅膜8在形成时为n型，因此使用硼(B)、铟(In)等p型的杂质进行离子注入。从而使硅膜8成为电中性。 
具体地说，离子注入优选以注入后的杂质浓度为1.5×1020[个/cm3]～3×1021[个/cm3]的方式进行。例如，注入能量设定为10[KeV]～80[KeV]，掺杂量设定为5×1014[ion]～2×1016[ion]。在本实施方式中，也能够从在TFT、栅极驱动器4(参照图1)、数据驱动器5(参照图1)的形成时进行的离子注入工序中，选择条件最佳的工序，利用其进行上述离子注入。 
接着，如图4(d)所示，在硅膜8的上层，形成横贯它的金属配线10和11。具体地说，首先，以覆盖层间绝缘膜15的方式，形成以钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)等中的至少一种为主要成分的金属膜23。金属膜23的形成，例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等进行。接着，通过光刻法，形成金属配线10和11的预定形成区域被开口的抗蚀剂图案，以其作为掩模，对金属膜23实施蚀刻。从而得到金属配线10和11。 
此时，在本实施方式中，在厚度方向上，以金属配线10的端部10a与后述的p层9a和i层9b的边界一致、金属配线11的端部11a与后 述的i层9b和n层9c的边界一致的方式，进行金属配线10和11的形成。此外，金属配线10和11的形成利用构成TFT的栅极电极(配线)的形成工序而进行。 
接着，如图5(a)示，p型的杂质向硅膜8离子注入，形成p层9a。具体地说，首先，由抗蚀剂图案24和金属配线10、11形成掩模。掩模具有使与p层9a的预定形成区域重合的部分露出的开口部24a。此外，开口部24a的一部分由金属配线10的相对侧的相反侧的侧面构成。 
接着，使用硼(B)、铟(In)等p型的杂质，进行离子注入。在该情况下，离子注入优选以注入后的杂质浓度为1.5×1020[个/cm3]～3×1021[个/cm3]的方式进行。例如，注入能量设定为10[KeV]～80[KeV]，掺杂量设定为5×1014[ion]～2×1016[ion]。在离子注入结束后，除去抗蚀剂图案24。 
在本实施方式中，也能够从在栅极驱动器4(参照图1)、数据驱动器5(参照图1)的形成时进行的离子注入工序中，选择条件最佳的工序，利用其进行用于形成p层9a的离子注入。 
接着，如图5(b)所示，向硅膜8离子注入n型的杂质，形成n层9c。具体地说，首先，由抗蚀剂图案25和金属配线10、11形成掩模。此时的掩模具有使与n层9c的预定形成区域重合的部分露出的开口部25a。开口部25a的一部分由金属配线11的相对侧的相反侧的侧面构成。 
接着，使用磷(P)、砷(As)等n型的杂质，进行离子注入。在该情况下，离子注入优选以注入后的杂质浓度为1.5×1020[个/cm3]～3×1021[个/cm3]的方式进行。例如，注入能量设定为10[KeV]～100[KeV]，掺杂量设定为5×1014[ion]～1×1016[ion]。在离子注入结束后，除去抗蚀剂图案25。 
在本实施方式中，n层9c的形成能够通过利用在TFT的源极区域和漏极区域的形成工序中进行的离子注入而进行。此外，在抗蚀剂图案中，虽然没有图示，但也形成有使与TFT的源极区域和漏极区域重合的部分露出的开口部。 
通过图5(a)和(b)所示的工序，在形成有i层9b的硅膜8中， 形成p层9a和n层9c。此时，定位p层9a与i层9b的边界的开口部24a的边缘，由金属配线10的端部10a构成。此外，定位i层9b与n层9c的边界的开口部25a的边缘，由金属配线11的端部11a构成。从而，i层9b的边界的位置精度由金属配线10的端部10a和金属配线11的端部11a的位置精度决定。 
但是，为了形成金属配线10和金属配线11，如图4(d)所示，必须形成一次抗蚀剂图案。从而，在本实施方式中，i层9b的边界的位置精度被一次抗蚀剂图案形成时的加工尺寸的误差所支配。另一方面，在图6所示的现有例中，i层51b的边界的位置精度由p层51a和n层51b这两者的位置精度所决定。此外，为了形成p层51a和n层51b，必须分别各形成一次抗蚀剂图案，共计形成两次，因此i层51b的边界的位置精度被两次的抗蚀剂图案形成时的加工尺寸的误差所支配。 
由此可知，根据本实施方式，与现有例相比，能够抑制i层9b的正向的长度L在每个制品中产生偏差。结果，也能够抑制在每个制品中光电二极管6的输出特性的偏差。 
接着，如图5(c)所示，以覆盖金属配线10和11的方式形成层间绝缘膜16，并且在其上形成平坦化膜19。接着，形成贯通平坦化膜19、层间绝缘膜16、层间绝缘膜15的贯通孔，并利用导电性材料填充该贯通孔，从而形成配线17和18。之后，形成包覆配线17和18、平坦化膜19的保护膜20，得到有源矩阵基板2。在其上，以夹着液晶层21(参照图2)的状态，使相对基板3(参照图2)重合，从而完成液晶显示装置(参照图1)。 
产业上的可利用性 
本发明能够应用于搭载有光传感器的显示装置，例如液晶显示装置、EL显示装置，具有产业上的可利用性。 

Claims (5)

1.一种显示装置的制造方法，该显示装置包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，所述光电二极管具有沿着面方向设置有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域的硅膜，该制造方法的特征在于，包括下述工序：
(a)在所述有源矩阵基板的基底基板上，形成作为所述光电二极管的所述硅膜的工序；
(b)形成覆盖所述硅膜的绝缘膜的工序；
(c)在所述绝缘膜上形成金属膜，对所述金属膜进行蚀刻，形成横贯所述硅膜的两根金属配线的工序；
(d)使用第一掩模，进行p型杂质的离子注入的工序，所述第一掩模具有使与所述p型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第一开口部，并且所述第一开口部的一部分由一根所述金属配线形成；和
(e)使用第二掩模，进行n型杂质的离子注入的工序，所述第二掩模具有使与所述n型半导体区域的预定形成区域重合的部分露出的第二开口部，并且所述第二开口部的一部分由另一根所述金属配线形成。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在实施所述(c)的工序之前，还具有在所述硅膜形成所述本征半导体区域的工序。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在所述(a)的工序中，所述硅膜由连续晶界结晶硅形成。
4.一种显示装置，其包括形成有多个有源元件的有源矩阵基板和光电二极管，该显示装置的特征在于：
所述光电二极管具有设置在所述有源矩阵基板的基底基板上的硅膜，所述硅膜沿着其面方向依次形成有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域，
在所述光电二极管的上层，沿着与所述光电二极管的正向垂直的方向，设置有横贯所述光电二极管的两根金属配线，
所述两根金属配线中，一根金属配线以该一根金属配线的与另一根金属配线相对的一侧的相反侧的端部在所述有源矩阵基板的厚度方向上与p型半导体区域和本征半导体区域的边界一致的方式配置，
另一根金属配线以该另一根金属配线的与所述一根金属配线相对的一侧的相反侧的端部在所述有源矩阵基板的厚度方向上与本征半导体区域和n型半导体区域的边界一致的方式配置。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
该显示装置还具有对所述两根金属配线施加电压的驱动部，
所述驱动部对所述一根金属配线施加负电压，对所述另一根金属配线施加正电压。
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