CN101582266B - 带电路的悬挂基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的带电路的悬挂基板包括：具有基板侧槽部的金属支承基板；在金属支承基板的表面上形成的基底绝缘层；在基底绝缘层的表面上形成的导体图案；以及配置成在沿着金属支承基板的厚度方向投影时与基板侧槽部重叠的光波导。光波导的至少一部分相对于金属支承基板的背面配置在导体图案侧。

Description

带电路的悬挂基板
技术领域
本发明涉及带电路的悬挂基板，更详细而言，涉及采用热辅助法的硬盘驱动器等所搭载的带电路的悬挂基板。
背景技术
近年来，作为硬盘等的磁记录方式，已知热辅助法(热辅助磁记录方式)，该方法在记录信息时，在通过照射光来加热硬盘、使其矫顽力下降的状态下，利用磁头进行记录，由此能以较小的记录磁场高密度地记录信息。
例如，在采用热辅助法的热辅助记录磁头中，提出了以下技术方案：在悬架的长度方向一侧配置浮起滑动器及记录磁极，另外，在长度方向另一侧配置激光二极管，用于将光从激光二极管导向记录磁极的光波导沿着从一侧向另一侧的方向配置在悬架上(例如参照日本专利特开2006-185548号公报(图9))。而且，这样的悬架通常安装在硬盘驱动器的E形组件(E block)上。
发明内容
但是，在日本专利特开2006-185548号公报所记载的悬架中，由于光波导设置在悬架上，所以光波导会从悬架突出。因此，在将悬架安装在E形组件上时，光波导会阻碍悬架插入E形组件。另外，此时还存在光波导与E形组件接触、会受到损伤这样的不理想情况。
本发明的目的在于提供一种可以采用热辅助法，悬架可顺利插入E形组件，并且可以减少光波导的损伤的带电路的悬挂基板。
本发明的带电路的悬挂基板的特征是，包括：具有基板侧槽部的金属支承基板；在上述金属支承基板的表面上形成的基底绝缘层；在上述基底绝缘层的表面上形成的导体图案；以及设置成在沿着上述金属支承基板的厚度方向投影时与上述基板侧槽部重叠的光波导，上述光波导的至少一部分相对于上述金属支承基板的背面配置在上述导体图案侧。
在该带电路的悬挂基板上，在沿着金属支承基板的厚度方向投影时，在与基板侧槽部重叠的位置的光波导，其至少一部分相对于金属支承基板的背面配置在导体图案侧。因此，可以减少光波导从带电路的悬挂基板的背面突出的情况。因此，可以减少光波导对带电路的悬挂基板插入E形组件的阻碍、以及光波导从E形组件受到的损伤。
另外，较为理想的是，在本发明的带电路的悬挂基板上，上述光波导容纳在上述基板侧槽部内。
若光波导容纳在基板侧槽部内，则光波导不会从带电路的悬挂基板的背面突出。因此，可以进一步减少光波导对带电路的悬挂基板插入E形组件的阻碍、以及光波导从E形组件受到的损伤。
另外，较为理想的是，在本发明的带电路的悬挂基板上，在上述基底绝缘层上设置有基底侧槽部，在沿着上述金属支承基板的厚度方向投影时，上述基底侧槽部与上述基板侧槽部重叠，上述光波导容纳在上述基底侧槽部内。
若光波导容纳在基底侧槽部内，则可以将光波导相对于金属支承基板配置在更内侧。因此，可以进一步减少光波导对带电路的悬挂基板插入E形组件的阻碍、以及光波导从E形组件受到的损伤。
另外，较为理想的是，在本发明的带电路的悬挂基板上，在上述光波导的下表面上设置有支承板，上述光波导的至少一部分容纳在上述基底侧槽部内，且上述支承板的至少一部分与上述基板侧槽部嵌合。
若光波导容纳在基底侧槽部内，且支承板与基板侧槽部嵌合，则可以确保光波导相对于带电路的悬挂基板可靠地定位。因此，可以提高光波导的传输效率。
附图说明
图1是表示本发明的带电路的悬挂基板的一实施方式的俯视图。
图2是图1所示的带电路的悬挂基板的沿着光波导的剖视图。
图3是图1所示的带电路的悬挂基板的布线部的沿着宽度方向的剖视图(光波导容纳在基板侧槽部内的形态)。
图4是采用热辅助法在硬盘上记录信息的状态的说明图。
图5是表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的剖视图；左侧的图是与图3对应的剖视图；右侧的图是沿着光波导的剖视图，
(a)表示准备金属支承基板的工序，
(b)表示在金属支承基板的表面上层叠基底绝缘层、导体图案、覆盖绝缘层的工序，
(c)表示在金属支承基板上设置基板侧槽部的工序，
(d)表示形成磁头侧开口部及发光元件侧开口部的工序。
图6接着图5，是表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的剖视图；左侧的图是与图3对应的剖视图；右侧的图是沿着光波导的剖视图，
(e)表示在基板侧槽部内容纳光波导的工序，
(f)表示形成磁头侧端面及发光元件侧端面的工序。
图7是表示图3所示的带电路的悬挂基板的另一实施方式(光波导容纳在基底侧槽部内的形态)的剖视图。
图8是表示图7所示的带电路的悬挂基板的又一实施方式(光波导容纳在基底侧槽部内，支承板嵌合在基板侧槽部的形态)的剖视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的带电路的悬挂基板的一实施方式的俯视图；图2是图1所示的带电路的悬挂基板的沿着光波导的剖视图；图3是图1所示的带电路的悬挂基板的布线部的沿着与带电路的悬挂基板的长度方向垂直的方向(以下称作宽度方向)的剖视图(光波导容纳在基板侧槽部内的形态)。另外，图1中省略了基底绝缘层12及覆盖绝缘层14。
图1中，在该带电路的悬挂基板1上安装有硬盘驱动器的磁头28(参照图4)，金属支承基板11用于克服磁头28与硬盘26(参照图4)相对运动时的空气流，在使磁头28与硬盘26之间保持微小的间隔的状态下支承该磁头28，在金属支承基板11上一体形成有用于连接外部电路基板(例如读写基板等)2与磁头28的导体图案13。
该带电路的悬挂基板1形成为沿长度方向延伸的扁平带状，一体地包括配置在长度方向一侧(以下称作后侧)的布线部3、配置在布线部3的长度方向另一侧(以下称作前侧)的万向接头(gimbal)部4。
万向接头部4从布线部3的前端连续地形成，并形成为俯视呈从布线部3向宽度方向两外侧膨胀的近似矩形。另外，在万向接头部4上形成有俯视呈向万向接头部4的前侧张开的近似U字形的狭缝部5。另外，宽度方向上位于狭缝部5之间的区域包括磁头滑动器(head slider)搭载部9。
磁头滑动器搭载部9是用于搭载磁头滑动器27的区域，在宽度方向上位于狭缝部5之间的区域内被划分成俯视呈近似矩形。
导体图案13一体地包括：外部侧连接端子部16；磁头侧连接端子部17；以及用于连接这些外部侧连接端子部16及磁头侧连接端子部17的信号布线15。
信号布线15沿着带电路的悬挂基板1的长度方向设置有多条(四条)，在宽度方向上互相隔开间隔并列配置。
多条信号布线15是从宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次配置第一布线15a、第二布线15b、第三布线15c及第四布线15d。
更具体而言，在布线部3上，第一布线15a、第二布线15b、第三布线15c及第四布线15d以互相平行延伸的形态形成。在万向接头部4上，第一布线15a及第二布线15b配置在狭缝部5的宽度方向一侧的外侧，第三布线15c及第四布线15d配置在狭缝部5的宽度方向另一侧的外侧。第一布线15a、第二布线15b、第三布线15c及第四布线15d配置成：在到达万向接头部4的前端部后，向万向接头部4的宽度方向内侧延伸，进而向万向接头部4的长度方向后侧折回，到达磁头侧连接端子部17的前端部。
外部侧连接端子部16配置在布线部3的后端部，设置有多个(四个)，以分别连接各条信号布线15的后端部。另外，外部侧端子连接部16在宽度方向上隔开间隔地配置。另外，外部侧端子连接部16对应与外部侧端子连接部16连接的第一布线15a、第二布线15b、第三布线15c及第四布线15d，从宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次配置第一外部侧连接端子部16a、第二外部侧连接端子部16b、第三外部侧连接端子部16c及第四外部侧连接端子部16d。在该外部侧连接端子部16上连接有虚线所示的外部电路基板2的未图示的端子部。
磁头侧端子连接部17配置在万向接头部4上，更具体而言，磁头侧端子连接部17与磁头滑动器搭载部9的前端部邻近地配置。磁头侧端子连接部17设置有多个(四个)，以分别连接各条信号布线15的前端部。
更具体而言，磁头侧端子连接部17沿着磁头滑动器搭载部9的前端缘，在宽度方向上互相隔开间隔地配置。另外，磁头侧端子连接部17对应与其连接的第一布线15a、第二布线15b、第三布线15c及第四布线15d，从宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次配置第一磁头侧连接端子部17a、第二磁头侧连接端子部17b、第三磁头侧连接端子部17c及第四磁头侧连接端子部17d。在该磁头侧连接端子部17上连接有磁头28的未图示的端子部。
而且，如图3所示，该带电路的悬挂基板1包括：金属支承基板11；在金属支承基板11的表面上形成的基底绝缘层12；在基底绝缘层12的表面上形成的导体图案13；以及在基底绝缘层12的表面上形成，以覆盖导体图案13的覆盖绝缘层14。
如图1及图3所示，金属支承基板11形成为与狭缝部5及带电路的悬挂基板1的外形形状对应的形状。
基底绝缘层12形成为与布线部3及万向接头部4的形成导体图案13的位置对应，使得金属支承基板11的周端缘及与狭缝部5对应的部分露出。更具体而言，基底绝缘层12形成为在长度方向及宽度方向上比金属支承基板11略短的扁平带状。
导体图案13配置在布线部3及万向接头部4的范围内，如上所述，作为一体地包括外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部17和信号布线15的布线电路图案形成。
覆盖绝缘层14配置在布线部3及万向接头部4的范围内，配置成与形成信号布线15的位置对应。覆盖绝缘层14形成为使与狭缝部5对应的部分、外部侧端子连接部16及磁头侧端子连接部17露出，并覆盖信号布线15。
而且，如图1所示，在该带电路的悬挂基板1上设置有用于热辅助法的热辅助部18。
热辅助部18包括光波导19、发光元件20。
为设置发光元件20，在该带电路的悬挂基板1上划分出发光元件搭载部37。
发光元件搭载部37是用于搭载发光元件20的区域，配置在布线部3后部的宽度方向中央的、外部侧连接端子部16的前侧，被划分成俯视下沿长度方向延伸的近似矩形。
另外，如图2所示，为设置光波导19及发光元件20，在该带电路的悬挂基板1上设置有磁头侧开口部7、发光元件侧开口部25以及基板侧槽部35。
磁头侧开口部7配置在磁头滑动器搭载部9的前端部的宽度方向中央，在厚度方向上贯穿金属支承基板11、基底绝缘层12及覆盖绝缘层14，形成为俯视呈近似矩形。
发光元件侧开口部25配置在发光元件搭载部37的宽度方向中央，在厚度方向上贯穿金属支承基板11、基底绝缘层12及覆盖绝缘层14，形成为俯视呈近似矩形。
基板侧槽部35在布线部3及万向接头部4的宽度方向中央，以连结磁头侧开口部7与发光元件侧开口部25的形态在其之间沿着长度方向直线状形成。如图3所示，基板侧槽部35在厚度方向上贯穿金属支承基板11，由以使基底绝缘层12的底面露出的形态向下方开口的截面近似矩形的长槽形成。
即，基板侧槽部35由金属支承基板11上的上述开口的两个内侧面以及基底绝缘层12的底面划定。
发光元件20是用于使光入射至光波导19的光源，例如将电能转换为光能，射出高能量的光。该发光元件20配置在发光元件搭载部37上，使发光元件20射出的光入射至发光元件侧开口部25内。
另外，在发光元件20上连接有用于向发光元件20提供电能的供电布线30，在该供电布线30上连接有与外部电路基板2的未图示的端子部连接的供电端子部31。
另外，供电布线30从发光元件20的后端向后方延伸，供电端子部31与外部侧的连接端子部16在宽度方向上隔开间隔地配置。另外，供电布线30被覆盖绝缘层14覆盖，供电端子部31从覆盖绝缘层14露出。
在将金属支承基板11沿着厚度方向投影时，光波导19与设置在金属支承基板11上的基板侧槽部35重叠，具体而言，光波导19容纳在基板侧槽部35内。
光波导19形成为截面呈近似矩形，宽度方向及上下方向的长度形成为与基板侧槽部35的相应长度相同。
另外，光波导19以使其底面与金属支承基板11的底面成为同一面的形态嵌合在基板侧槽部35内。
而且，如图4所示，在该带电路的悬挂基板1上，光波导19在基板侧槽部35内从布线部3的发光元件侧开口部25连续设置到万向接头部4的磁头侧开口部7，并直线状地配置。
光波导19的前端面即磁头侧端面21以面对磁头侧开口部7的形态配置，并且，其后端面即发光元件侧端面29以面对发光元件侧开口部25的形态配置。
发光元件侧端面29与发光元件20的射出窗夹着发光元件侧开口部25，在厚度方向上相对配置。
发光元件侧端面29例如作为从上端到下端向前侧倾斜的倾斜面形成，以规定的角度(倾斜角)α与光波导19的长度方向交叉。据此，发光元件侧端面29成为具有倾斜角α的反射面，由发光元件20射出的光通过发光元件侧开口部25，在发光元件侧端面29处光路改变规定的角度，之后，入射至光波导19。
另外，磁头侧端面21例如作为从上端到下端向后侧倾斜的倾斜面形成，以规定的角度(倾斜角)β与光波导19的长度方向交叉。据此，该磁头侧端面21成为具有倾斜角β的反射面，由光波导19射出的光在磁头侧端面21处光路改变规定的角度，之后，出射至磁头侧开口部7。
这样的倾斜角α及β没有特别限定，例如是35～55°，较为理想的是40～50°，更为理想的是45°。
另外，这样的光波导19包括：下包覆层22、在下包覆层22上形成的芯层23、以及在下包覆层22上覆盖芯层23而形成的上包覆层24，其细节后述。
而且，这样的带电路的悬挂基板1通常安装在硬盘驱动器上，采用热辅助法。
图5及图6是表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的剖视图；左侧的图是与图3对应的剖视图；右侧的图是沿着光波导的剖视图。
接下来，参照图5及图6说明该带电路的悬挂基板1的制造方法。
首先，在本方法中，如图5(a)所示，准备金属支承基板11。
金属支承基板11由不锈钢、42合金、铝、铜-铍、磷青铜等金属材料形成。金属支承基板11的厚度例如是10～30μm，较为理想的是15～25μm。
接下来，在本方法中，如图5(b)所示，在金属支承基板11的表面上依次层叠基底绝缘层12、导体图案13、覆盖绝缘层14。
为了依次层叠基底绝缘层12、导体图案13及覆盖绝缘层14，首先，将基底绝缘层12形成于金属支承基板11的表面。
基底绝缘层12例如可以由聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚氯乙烯树脂等合成树脂等绝缘材料形成。较为理想的是由聚酰亚胺树脂形成。
为了形成基底绝缘层12，例如，在金属支承基板11的表面上涂布感光性的绝缘材料的清漆，干燥后，通过光掩模曝光，显影后，根据需要使其固化。
据此形成的基底绝缘层12的厚度例如是1～35μm，较为理想的是8～15μm 。
接下来，以上述的图案形成导体图案13。
导体图案13例如可以由铜、镍、锡、金、焊锡、或者它们的合金等导体材料形成。
为了形成导体图案13，例如可以使用加成法、减成法等已知的图案形成法。较为理想的是使用加成法。
据此形成的导体图案的厚度例如是3～50μm，较为理想的是5～20μm。另外，各条信号布线15的宽度例如是5～200μm，较为理想的是10～100μm，各条信号布线15间的间隔例如是5～1000μm，较为理想的是10～100μm。
另外，各外部侧连接端子部16及各磁头侧连接端子部17的宽度例如是20～1000μm，较为理想的是30～800μm，各外部侧端子连接部16间的间隔以及各磁头侧连接端子部17间的间隔例如是20～1000μm，较为理想的是30～800μm。
覆盖绝缘层14可以由已例举的基底绝缘层12的绝缘材料形成。
为了以上述的图案形成覆盖绝缘层14，例如，在包含导体图案13及基底绝缘层12的金属支承基板11的表面上涂布感光性的绝缘材料的清漆，干燥后，通过光掩模曝光，显影后，根据需要使其固化。据此形成的覆盖绝缘层14的厚度例如是1～40μm，较为理想的是2～10μm。
据此，覆盖绝缘层14的与狭缝部5、外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部17、发光元件侧开口部25及磁头侧开口部7对应的部分开口，覆盖绝缘层14作为覆盖信号布线15的图案形成。
这样，便可以在金属支承基板11的表面上依次层叠基底绝缘层12、导体图案13及覆盖绝缘层14。
另外，形成上述的导体图案13，并同时以与上面相同的方法形成供电布线30及供电端子部31。
接下来，在本方法中，如图5(c)所示，在金属支承基板11上设置基板侧槽部35。
为了设置基板侧槽部35，例如可以通过钻头等进行穿孔，或例如通过干法蚀刻、湿法蚀刻等蚀刻形成。较为理想的是通过湿法蚀刻形成。
这样设置的基板侧槽部35，其宽度例如是5～250μm，较为理想的是10～150μm，其长度(长度方向长度)例如是5～100mm，较为理想的是10～50mm。
另外，在形成基板侧槽部35的同时，还对金属支承基板11的与磁头侧开口部7及发光元件侧开口部25对应的部分进行蚀刻。而且，如果有必要，还可以同时实施金属支承基板11的外形加工。
接下来，在本方法中，如图5(d)所示，在厚度方向上贯穿基底绝缘层12，形成磁头侧开口部7及发光元件侧开口部25。
基底绝缘层12的蚀刻使用已知的方法即可，例如可以通过化学蚀刻、等离子蚀刻等形成。较为理想的是通过化学蚀刻形成。
这样形成的磁头侧开口部7及发光元件侧开口部25，其宽度例如是50～500μm，较为理想的是100～200μm，其长度(长度方向长度)例如是50～500μm，较为理想的是100～200μm。
接下来，在本方法中，如图6(e)所示，将光波导19容纳在基板侧槽部35内。
光波导19是另行形成的，是通过依次层叠下包覆层22、芯层23及上包覆层24并使其固化而得到的。具体而言，例如，准备支承板34(参照图8)，将下包覆层22、芯层23、上包覆层24依次层叠在支承板34的表面上。
形成支承板34的材料没有特别限定，例如可以使用不锈钢、42合金、铝、铜-铍、磷青铜等。
为了依次层叠下包覆层22、芯层23、上包覆层24，首先，将下包覆层22形成于支承板34的表面。
作为形成下包覆层22的材料，例如可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅酮树脂、环氧树脂(脂环式环氧树脂等)、丙烯酸树脂、或者芴衍生物树脂、或者芴衍生物树脂与脂环式环氧树脂的混合树脂、以及这些树脂与脂环式醚化合物(例如氧杂环丁烷化合物等)的混合树脂。较为理想的是，在这些树脂中混合感光剂，作为感光性树脂使用。较为理想的是使用感光性芴衍生物树脂(原料：感光性芴系环氧树脂)与脂环式环氧树脂的混合树脂。另外，作为感光剂，例如可以使用已知的鎓盐等，更具体而言，可以使用4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚硫酰基]苯硫醚-双-六氟锑酸盐等。
为了形成下包覆层22，例如，调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，将其涂布于该支承板34的表面，之后，使其干燥，并根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩模曝光，之后，通过使未曝光部分溶解进行显影，根据需要使其固化。
下包覆层22的折射率例如是1.45～1.55。另外，下包覆层22的厚度例如是1～50μm，较为理想的是5～20μm，其宽度例如是5～200μm，较为理想的是10～100μm。
接下来，将芯层23形成于下包覆层22上。
作为形成芯层23的材料，可以使用折射率比下包覆层22的树脂材料大的树脂材料。作为这样的树脂材料，例如可以使用与上面相同的树脂，较为理想的是使用作为芴衍生物树脂(原料：感光性芴系环氧树脂)与氧杂环丁烷化合物的混合树脂。
为了形成芯层23，例如，调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，将该清漆涂布于下包覆层22的表面后，使其干燥，根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩模曝光，之后，通过使未曝光部分溶解进行显影，根据需要使其固化。
芯层23的折射率被设定为大于下包覆层22的折射率，例如是1.55～1.65。另外，芯层23的厚度例如是1～30μm，较为理想的是2～20μm，其宽度例如是1～30μm，较为理想的是2～20μm。
接下来，将上包覆层24形成在下包覆层22上，以覆盖芯层23。
作为形成上包覆层24的材料，可以使用与上述的下包覆层22同样的树脂材料。
为了形成上包覆层24，例如，调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，将该清漆涂布在包含芯层23的下包覆层22的表面后，使其干燥，根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩模曝光，之后，通过使曝光部分溶解进行显影，根据需要使其固化。
上包覆层24的折射率被设定为小于芯层23的折射率，例如设定为与下包覆层22的折射率相同。另外，上包覆层24从芯层23的表面的厚度例如是1～50μm，较为理想的是5～20μm，其宽度例如是5～200μm，较为理想的是10～100μm。
这样，通过在支承板34上依次层叠下包覆层22、芯层23及上包覆层24，可以形成光波导19。
接下来，将光波导19从支承板34剥离，容纳在基板侧槽部35内。
为了将光波导19容纳在基板侧槽部35内，例如，在光波导19的上表面及如有需要的两个侧面涂布粘接剂，之后，使光波导19嵌合在基板侧槽部35内。据此，使光波导19的上表面粘接(紧贴)于在基板侧槽部35内露出的基底绝缘层12的底面，并使光波导19的两个侧面根据需要粘接(紧贴)于金属支承基板11的基板侧槽部35的两个内侧面。
另外，据此，光波导19的前端部与磁头侧开口部7在金属支承基板11的厚度方向上重叠配置。更具体而言，在宽度方向上，光波导19的前端部配置在磁头侧开口部7的中央，在长度方向上，光波导19的前端部配置在磁头侧开口部7的后侧一半。
另外，光波导19的后端部与发光元件侧开口部25在金属支承基板11的厚度方向上重叠配置。更具体而言，在宽度方向上，光波导19的后端部配置在发光元件侧开口部25的中央，在长度方向上，光波导19的后端部配置在发光元件侧开口部25的前侧一半。
接下来，在本方法中，如图6(f)所示，从磁头侧开口部7侧，通过激光加工对光波导19的前端部切削，形成磁头侧端面21。
在激光加工时，如图6(f)的虚线所示，使通过磁头侧开口部7的激光以与长度方向交叉成规定角度的形态，从磁头侧开口部7侧(厚度方向上侧)射入。
接下来，与上述的方法一样，从发光元件侧开口部25侧(厚度方向上侧)，通过激光加工对光波导19的后端部切削，形成发光元件侧端面29。
之后，在布线部3的后端侧，将发光元件20配置在覆盖绝缘层14的发光元件搭载部37上，使发光元件20射出的光入射至发光元件侧开口部25内。据此，可以得到带电路的悬挂基板1。
而且，在带电路的悬挂基板1上，如图1及图2的虚线所示，在布线部3上，外部侧连接端子部16及供电端子部31与外部电路基板2的未图示的端子部连接。另外，在外部电路基板2上安装有用于控制磁头28(参照图4)及发光元件20的IC32，该IC32通过IC布线33与连接外部侧连接端子部16及供电端子部31的端子部电连接。
另外，在带电路的悬挂基板1上，如图1及图4所示，在万向接头部4的磁头滑动器搭载部9上搭载有磁头滑动器27。在磁头滑动器27上安装有磁头28，通过安装上述的磁头滑动器27，磁头28的未图示的端子部与磁头侧连接端子部17电连接。另外，通过安装上述的磁头滑动器27，磁头28面对磁头侧开口部7，与光波导19的磁头侧端面21夹着磁头侧开口部7在厚度方向上相对配置。
而且，在搭载磁头28、磁头滑动器27、带电路的悬挂基板1及外部电路基板2的硬盘驱动器中，可以采用热辅助法。
另外，在安装了磁头28、磁头滑动器27及外部电路基板2后，带电路的悬挂基板1被插入硬盘驱动器的E形组件。
在硬盘驱动器中，例如，硬盘26与光波导19的磁头侧端面21及磁头28相对运动。而且，从发光元件20向下方射出的光在通过发光元件侧开口部25后，在发光元件侧端面29处向与金属支承基板11平行的方向进行光路变换，通过光波导19。之后，光在磁头侧端面21处向上方进行光路变换，在通过磁头侧开口部7后，通过磁头28，照射在与上侧相对的硬盘26的表面上。据此，硬盘26的照射部分被加热。通过来自磁头28的磁场的照射，信息被记录在硬盘26上，而且，由于硬盘26的矫顽力下降，所以可以通过较小的磁场的照射，以高密度在硬盘26上记录信息。
在该带电路的悬挂基板1上，光波导19容纳在基板侧槽部35内。即，光波导19以使其底面与金属支承基板11的底面成为同一面的形态嵌合在基板侧槽部35内。因此，光波导19不会从带电路的悬挂基板1的背面突出。其结果是，可以减少光波导19对带电路的悬挂基板1插入E块体的阻碍、以及光波导19从E块体受到的损伤。
另外，导体图案13形成于基底绝缘层12的表面，与之相对，光波导19配置在基底绝缘层12的背面侧，所以可以确保带电路的悬挂基板1的设计上的自由度。
在上述的说明中，将配置光波导19的槽部设置在金属支承基板11上，但例如也可以将其设置在基底绝缘层12上。
图7是表示图3所示的带电路的悬挂基板的另一实施方式(光波导容纳在基底侧槽部内的形态)的剖视图。另外，对与上述的各部对应的部件标注了与图7相同的参照符号，并省略其详细说明。
在该带电路的悬挂基板1上，基板侧槽部35形成得宽于图3的基板侧槽部35。另外，基底绝缘层12的厚度与光波导19的厚度形成得相同。
在基底绝缘层12上，基底侧槽部36形成于基板侧槽部35的宽度方向中央，以与基板侧槽部35在金属支承基板11的厚度方向上重叠。
基底侧槽部36形成得窄于图7的基板侧槽部35，具体而言，基底侧槽部36的宽度与图3的基板侧槽部35的宽度形成得相同。另外，基底侧槽部36与基板侧槽部35一样，与磁头侧开口部7、发光元件侧开口部25连通。另外，基底侧槽部36在厚度方向上贯穿基底绝缘层12，由以使覆盖绝缘层14的底面露出的形态向下方开口的截面近似矩形的长槽形成。即，基底侧槽部36被基底绝缘层12的上述开口的两个内侧面、覆盖绝缘层14的底面划定。
这样的基底侧槽部36可以通过上述的化学蚀刻，对基底绝缘层12进行蚀刻而形成。
在该带电路的悬挂基板1上，光波导19容纳在基底绝缘层12上设有的基底侧槽部36内。
为了将光波导19容纳在基底侧槽部36内，例如，在光波导19的上表面及如有需要的两个侧面涂布粘接剂，之后，使光波导19嵌合在基底侧槽部36内。据此，使光波导19的上表面粘接(紧贴)于在基底侧槽部36内露出的覆盖绝缘层14的底面，并使光波导19的两个侧面根据需要粘接(紧贴)于基底绝缘层12的基底侧槽部36的两个内侧面。
在该带电路的悬挂基板1上，由于光波导19容纳在基底侧槽部36内，所以可以将光波导19相对于金属支承基板11配置在更内侧。因此，可以进一步减少光波导对带电路的悬挂基板1插入E形组件的阻碍、以及光波导从E形组件受到的损伤。
图8是表示图7所示的带电路的悬挂基板的又一实施方式(光波导容纳在基底侧槽部内，支承板嵌合在基板侧槽部内的形态)的剖视图。另外，对与上述的各部对应的部件标注了与图8相同的参照符号，并省略其详细说明。
在图7所示的实施方式中，将光波导19从支承板34剥离，容纳在基底侧槽部36内。但是，也可以不将光波导19从支承板34剥离，将光波导19在被支承板34支承的状态下容纳在基底侧槽部36内。
在本实施方式中，支承板34形成为截面近似矩形的平板状，宽度方向及上下方向的长度形成为与基板侧槽部35的相应长度相同。
在该带电路的悬挂基板1上，将光波导19容纳在基底绝缘层12上设有的基底侧槽部36内，并将支承板34嵌合在金属支承基板11上设有的基板侧槽部35内。
为了将光波导19容纳在基底侧槽部36内，并将支承板34嵌合于基板侧槽部35，例如可以在光波导19的上表面及光波导19的如有需要的两个侧面上涂布粘接剂，并且，根据需要在支承板34的两个侧面上也涂布粘接剂。之后，使光波导19嵌合在基底侧槽部36内，并使支承板34嵌合于基板侧槽部35。据此，使光波导19的上表面粘接(紧贴)于在基底侧槽部36内露出的覆盖绝缘层14的底面，并使光波导19的两个侧面根据需要粘接(紧贴)于基底绝缘层12的基底侧槽部36的两个内侧面。并且，支承板34的两个侧面根据需要粘接(紧贴)于金属支承基板11的基板侧槽部35的两个内侧面。
若光波导19容纳在基底侧槽部36内，且支承板34嵌合于基板侧槽部35，则可以确保光波导19相对于带电路的悬挂基板1可靠地定位。因此，可以提高光波导19的传输效率。另外，由于支承板34设置在光波导19的下表面上，所以可以防止光波导19从E形组件受到损伤。
另外，在上述的说明中，在基板侧槽部35内或者基底侧槽部36内容纳光波导19，但在沿着金属支承基板11的厚度方向投影时与基板侧槽部35重叠的位置上，光波导19的至少一部分既可以相对于金属支承基板11的背面配置在导体图案13侧，光波导19的一部分也可以从基板侧槽部35向下方突出。
另外，在上述的说明中，在磁头侧开口部7及发光元件侧开口部25内产生空隙，但也可以用粘接剂等密封这些空隙，防止产生光损耗。
另外，在上述的说明中，在带电路的悬挂基板1上设置有一条光波导19，但其条数没有特别限定，例如也可以根据带电路的悬挂基板1的用途及目的，设置多条光波导19。
另外，在上述的说明中，将光波导19的宽度方向两个侧面紧贴在金属支承基板11的基板侧槽部35的两个内侧面或者基底绝缘层12的基底侧槽部36的两个内侧面上，但也可以将光波导19的宽度方向两个侧面与它们隔开间隔地设置。在这种情况下，将光波导19的宽度形成得窄于基板侧槽部35的宽度或者基底侧槽部36的宽度。
另外，在上述的实施方式中，带电路的悬挂基板1有时会在安装了磁头滑动器27后相对于磁头滑动器搭载部9弯曲成期望的角度。这时，横穿过狭缝部5的光波导19由可随着弯曲而弹性变形的材料形成。
实施例
下面通过实施例进一步具体说明本发明，但本发明不限于任何实施例。
实施例1(光波导容纳在基板侧槽部内的形态)
准备厚度20μm的由不锈钢形成的金属支承基板(参照图5(a))。
接下来，在金属支承基板上涂布聚酰亚胺树脂，干燥后，通过光掩模曝光，显影后，使其固化，以上述的图案形成基底绝缘层。该基底绝缘层的厚度是10μm。
接下来，通过加成法同时形成由铜形成的导体图案和供电布线以及供电端子部。它们的厚度是10μm。
接下来，在基底绝缘层上涂布聚酰亚胺树脂，干燥后，通过光掩模曝光，显影后，使其固化，以上述的图案形成覆盖绝缘层。该覆盖绝缘层的厚度是5μm。据此，在金属支承基板上依次层叠基底绝缘层、导体图案及覆盖绝缘层(参照图5(b))。
接下来，在金属支承基板的宽度方向中央部，通过湿法蚀刻来设置沿着金属支承基板的长度方向的基板侧槽部(参照图5(c))。该基板侧槽部的宽度是100μm，长度是20mm。
接下来，通过化学蚀刻来蚀刻基底绝缘层，形成在厚度方向上贯穿金属支承基板、基底绝缘层及覆盖绝缘层的磁头侧开口部及发光元件侧开口部(参照图5(d))。磁头侧开口部及发光元件侧开口部的宽度是100μm，长度是100μm。
另行准备由不锈钢形成的支承板，在其上形成光波导。支承板的厚度是20μm。
在形成下包覆层时，首先，混合35重量份的双苯氧基乙醇芴缩水甘油醚(芴衍生物、环氧化物当量300g/eq.)、25重量份的具有环己烯化氧骨架的脂环式环氧树脂(CELLOXIDE 2081、大赛璐(Daicel)化学株式会社制)、2重量份的4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚硫酰基]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％二乙基甲酮碳酸脂溶液、以及40重量份的3，4-环氧环己烯基甲基-3’，4’-环氧环己烯羧酸酯(稀释剂、脂环式环氧化物、CELLOXIDE 2021P、大赛璐(Daicel)化学株式会社制)，调制清漆。
接下来，将该清漆涂布在支承板的表面上，通过在80℃下加热15分钟，干燥。之后，通过光掩模曝光，利用伽马丁内酯系的有机溶剂使未曝光部分溶解，由此进行显影。之后，通过在100℃下加热15分钟使其固化，在支承板上形成下包覆层。
该下包覆层(固化后的下包覆层)的对830nm波长的折射率是1.540。另外，下包覆层的厚度是5μm，宽度是80μm。
接下来，将芯层形成于下包覆层上。
在形成芯层时，首先，混合70重量份的双苯氧基乙醇芴缩水甘油醚(芴衍生物、环氧化物当量300g/eq.)、30重量份的1，1，1-三{4-[2-(3-氧杂环丁基)]丁氧基苯基}乙烷(氧杂环丁烷化合物)、1重量份的4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚硫酰基]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％二乙基甲酮碳酸脂溶液、30重量份的乳酸乙酯(稀释剂)，调制清漆。
接下来，将该清漆涂布在下包覆层的表面上，通过在80℃下加热15分钟，干燥。之后，通过光掩模曝光，利用伽马丁内酯系的有机溶剂使未曝光部分溶解来进行显影。之后，通过在100℃下加热15分钟使其固化，在下包覆层上形成芯层。
该芯层(固化后的芯层)的对830nm波长的折射率是1.594。另外，芯层的厚度是5μm，宽度是5μm。
接下来，将上包覆层形成于下包覆层上，以覆盖芯层。
在形成上包覆层时，首先，调制与用于形成上述下包覆层的清漆同样的清漆，接下来，将该清漆涂布在包含芯层的下包覆层的表面上，通过在80℃下加热15分钟，干燥。
之后，通过光掩模曝光，利用伽马丁内酯系的有机溶剂使未曝光部分溶解，由此进行显影。之后，通过在100℃下加热15分钟使其固化，在下包覆层上形成上包覆层，以覆盖芯层。
该上包覆层的对830nm波长的折射率是1.540。另外，上包覆层从芯层的表面的厚度是5μm，宽度是80μm。据此得到光波导。
接下来，将该光波导从支承板剥离，在光波导的上表面及两个侧面上涂布粘接剂。
接下来，将光波导的上表面粘接于在基板侧槽部内露出的基底绝缘层的底面，并将光波导的两个侧面粘接于金属支承基板的基板侧槽部的两个内侧面，由此将光波导容纳在基板侧槽部内(参照图6(e))。
接下来，通过从磁头侧开口部侧及发光元件侧开口部侧对光波导进行激光加工，对光波导的前端部及后端部与长度方向交叉地进行一次切削(参照图6(f))。由该切削形成的磁头侧端面及发光元件侧端面的倾斜角分别是45°。
之后，在该带电路的悬挂基板的布线部的后端侧，将发光元件配置在覆盖绝缘层上(参照图1及图2)。
实施例2(光波导容纳在基底侧槽部内的形态)
在实施例2中，除了基底绝缘层的厚度为20μm，基板侧槽部的宽度为100μm，并在基底绝缘层上设置基底侧槽部，将光波导配置在基底侧槽部内之外，以与实施例1一样的方式制造带电路的悬挂基板(参照图7)。
即，在形成磁头侧开口部及发光元件侧开口部时，对金属支承基板进行掩模以便设置基底侧槽部，通过与实施例1的等离子蚀刻同样的方法来蚀刻基底绝缘层。据此，在基底绝缘层上沿着基底绝缘层的长度方向设置连结磁头侧开口部与发光元件侧开口部的基底侧槽部。基底侧槽部的宽度是80μm，长度是20mm。
接下来，以与实施例1同样的方式形成光波导，将其从支承板上剥离，在光波导的上表面及两个侧面上涂布粘接剂。
接下来，将光波导的上表面粘接于在基底侧槽部内露出的覆盖绝缘层的底面，并将光波导的两个侧面粘接于基底绝缘层的基底侧槽部的两个内侧面，由此将光波导收容在基底侧槽部内。
接下来，通过从磁头侧开口部侧及发光元件侧开口部侧对光波导进行激光加工，对光波导的前端部及后端部与长度方向交叉地进行一次切削。由该切削形成的磁头侧端面及发光元件侧端面的倾斜角分别是45°。
之后，在该带电路的悬挂基板的布线部的后端侧，将发光元件配置在覆盖绝缘层上。
实施例3(光波导收容在基底侧槽部内，支承板嵌合于金属支承基板的形态)
在实施例3中，除了在形成光波导后不将其从支承板上剥离，将支承板的宽度加工成80μm，将光波导容纳在基底侧槽部内，并将支承板嵌合于金属支撑基板之外，以与实施例2一样的方式制造带电路的悬挂基板(参照图8)。
即，以与实施例2同样的方式形成光波导，但不将其从支承板上剥离，在光波导的上表面及两个侧面上涂布粘接剂，并在支承板的两个侧面上涂布粘接剂。
接下来，将光波导的上表面粘接于在基底侧槽部内露出的覆盖绝缘层的底面，将光波导的两个侧面粘接于基底绝缘层的基底侧槽部的两个内侧面，将光波导容纳在基底侧槽部内，并将支承板的两个侧面粘接于金属支承基板的基板侧槽部的两个内侧面，将支承板嵌合于基板侧槽部。
接下来，从磁头侧开口部侧及发光元件侧开口部侧对光波导进行激光加工，对光波导的前端部及后端部与长度方向交叉地进行一次切削。由该切削形成的磁头侧端面及发光元件侧端面的倾斜角分别是45°。
之后，在该带电路的悬挂基板的布线部的后端侧，将发光元件配置在覆盖绝缘层上。
另外，上述说明提供了作为本发明例举的实施方式，但这只是单纯的例举，并非限定性的解释。对于该技术领域的从业人员明显是本发明的变形例包含在权利要求范围内。

Claims (4)

1.一种带电路的悬挂基板，其特征在于，包括：
具有基板侧槽部的金属支承基板；
在所述金属支承基板的表面上形成的基底绝缘层；
在所述基底绝缘层的表面上形成的导体图案；
在所述基底绝缘层的表面上形成，以覆盖所述导体图案的覆盖绝缘层；以及
设置成在沿着所述金属支承基板的厚度方向投影时与所述基板侧槽部重叠的光波导，
所述光波导的至少一部分相对于所述金属支承基板的背面配置在所述导体图案侧，
在用于搭载具有磁头的磁头滑动器的磁头滑动器搭载部的前端部的宽度方向中央，形成在厚度方向上贯穿所述金属支承基板、所述基底绝缘层以及所述覆盖绝缘层的磁头侧开口部，
在用于搭载发光元件的发光元件搭载部的宽度方向中央，形成在厚度方向上贯穿所述金属支承基板、所述基底绝缘层以及所述覆盖绝缘层的发光元件侧开口部，
所述基板侧槽部以及所述光波导从所述发光元件侧开口部设置到所述磁头侧开口部，
所述光波导的前端面即磁头侧端面以面对所述磁头侧开口部的形态配置，并且，其后端面即发光元件侧端面以面对所述发光元件侧开口部的形态配置，
所述发光元件侧端面形成为以规定的角度与所述光波导的长度方向交叉的倾斜面，
所述磁头侧端面形成为以规定的角度与所述光波导的长度方向交叉的倾斜面，
所述基板侧槽部在厚度方向上贯穿所述金属支承基板，且所述基板侧槽部由向下方开口的长槽形成，
由所述发光元件射出的光通过所述发光元件侧开口部，在发光元件侧端面处光路改变规定的角度，之后，入射至光波导，且由所述光波导射出的光在所述磁头侧端面处光路改变规定的角度，之后，出射至所述磁头侧开口部。
2.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，所述光波导容纳在所述基板侧槽部内。
3.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，
在所述基底绝缘层上设置有基底侧槽部，在沿着所述金属支承基板的厚度方向投影时，所述基底侧槽部与所述基板侧槽部重叠，
所述光波导容纳在所述基底侧槽部内。
4.如权利要求3所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，在所述光波导的下表面上设置有支承板，所述光波导的至少一部分容纳在所述基底侧槽部内，所述支承板的至少一部分与所述基板侧槽部嵌合。
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