CN101188113B - 带电路的悬浮基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示一种带电路的悬浮基板，具有：金属支持基板；在前述金属支持基板上形成的衬底绝缘层；在前述衬底绝缘层上形成的导体图形；在前述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖前述导体图形的覆盖绝缘层；以及导光路径。

Description

带电路的悬浮基板及其制造方法

与相关申请的相互关系

本申请主张2006年11月21日申请的日本国专利No.2006-314149及2007年7月31日申请的日本国专利No.2007-199996的优先权，其揭示内容照原样包含在本申请中。

技术领域

本发明涉及带电路的悬浮基板及其制造方法，详细地说涉及采用光辅助法的硬盘驱动器等上安装的带电路的悬浮基板及其制造方法。

背景技术

近年来，作为对硬盘等的磁记录方式，已知有光辅助法(光辅助磁记录方式)，该方式在信息记录时，利用光照射来加热硬盘，在使其矫顽力降低的状态下，利用磁头进行记录，通过这样能够以小的记录磁场高密度地记录信息。。例如，在采用光辅助法的光辅助磁记录装置中提出一种方案，即在头部滑块的侧面形成磁重放元件及磁记录元件(磁头)和导光路径和光源，通过这样设置磁记录重放元件，将该头部滑块支持在悬浮件上(例如，参照特开2000-195002号公报)。

但是，为了适应小型化的要求，头部滑块要形成得比较小，而且由于设置了磁头，因此在空间上很难设置除此以外的元器件。所以，若想要将光辅助法中所使用的导光路径及光源与磁头一起设置在头部滑块上，则存在的问题是，受到布置上的限制，制造很费事，制造成本增加。

本发明的目的在于提供一种带电路的悬浮基板及其制造方法，它虽然能采用光辅助法，但能够确保设计上的自由，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

发明内容

本发明的带电路的悬浮基板，具有：金属支持基板；在前述金属支持基板上形成的衬底绝缘层；在前述衬底绝缘层上形成的导体图形；在前述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖前述导体图形的覆盖绝缘层；以及导光路径。

另外，对于本发明的带电路的悬浮基板，最好前述导光路径设置在前述衬底绝缘层或前述覆盖绝缘层上。

另外，对于本发明的带电路的悬浮基板，最好前述导光路径具有：下包层；在前述下包层上形成的、折射率高于前述下包层的芯层；以及在前述下包层上形成的、用来覆盖前述芯层，并且折射率低于前述芯层的上包层，并且前述衬底绝缘层兼作为前述下包层，前述芯层形成在前述衬底绝缘层上，前述覆盖绝缘层兼作为前述上包层。

另外，对于本发明的带电路的悬浮基板，最好还具有发光元件，该发光元件与前述导光路径进行光连接。

另外，对于本发明的带电路的悬浮基板，最好具有安装头部滑块用的安装部，在前述安装部的附近，形成在厚度方向贯通前述金属支持基板的开口部，并形成前述导光路径，使得它的一端与前述发光元件连接、它的另一端面对前述开口部。

另外，对于本发明的带电路的悬浮基板，最好前述导光路径沿着前述导体图形延伸的方向配置，前述发光元件配置在前述金属支持基板的长度方向一侧，前述安装部配置在前述金属支持基板的长度方向另一侧。

对于本发明的带电路的悬浮基板，能够比头部滑块在空间上有余量而形成光辅助法中使用的导光路径。因而，能够确保设计上的自由，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

另外，本发明的带电路的悬浮基板的制造方法，具有以下工序：准备金属支持基板、在前述金属支持基板上形成的衬底绝缘层、在前述衬底绝缘层上形成的导体图形、以及在前述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖前述导体图形的覆盖绝缘层的工序；在前述衬底绝缘层或前述覆盖绝缘层上形成导光路径的工序；在安装头部滑块用的安装部的附近、形成在厚度方向贯通前述金属支持基板的开口部的工序；以及将前述衬底绝缘层及/或覆盖绝缘层和前述导光路径从前述开口部一侧进行切削、使得前述导光路径的端面与前述导光路径的延伸方向相交的工序。

另外，本发明的带电路的悬浮基板的制造方法，具有以下工序：准备金属支持基板的工序；在前述金属支持基板上形成兼作为下包层的衬底绝缘层的工序；在前述衬底绝缘层上形成导体图形的工序；在前述衬底绝缘层上形成折射率高于前述衬底绝缘层的芯层的工序；以及在前述衬底绝缘层上形成用来覆盖前述导体图形及前述芯层、兼作为上包层、而且折射率低于前述芯层的覆盖绝缘层的工序。

另外，根据本发明的带电路的悬浮基板的制造方法，能够比头部滑块在空间上有余量、而在衬底绝缘层或覆盖绝缘层上形成光辅助法中使用的导光路径。因而，能够确保设计上的自由。而且，由于从开口部侧同时切削衬底绝缘层及/或覆盖绝缘层和导光路径，因此能够确实使从导光路径射出的光向所希望的位置照射，同时能够简单而且迅速制造。因而，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

再有，在本发明的带电路的悬浮基板及其制造方法中，若形成为衬底绝缘层兼作为下包层，覆盖绝缘层兼作为上包层，则能够力图使带电路的悬浮基板实现薄型化、简化结构、以及减少制造工时，能够提高制造效率、力图降低成本。

附图说明

图1所示为本发明的带电路的悬浮基板的一个实施形态的平面图。

图2所示为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的导光路径的剖视图。

图3为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的布线部的宽度方向的剖视图，所示为导光路径设置在衬底绝缘层上的形态的剖视图。

图4所示为图3所示的带电路的悬浮基板的制造工序的剖视图，左图为沿着图3中对应的布线部的宽度方向的剖视图，右图为沿着端子形成部的长度方向的放大剖视图，

(a)所示为准备金属支持基板的工序，

(b)所示为在金属支持基板上依次层叠衬底绝缘层、导体图形、以及覆盖绝缘层的工序，

(c)所示为在衬底绝缘层上形成导光路径的工序，

(d)所示为在端子形成部的金属支持基板上形成开口部的工序，

(e)所示为利用激光加工来切削衬底绝缘层及导光路径、使得导光路径的前端部的端面与长度方向相交的工序。

图5为安装了头部滑块及磁头及图1所示的带电路的悬浮基板的硬盘驱动器采用光辅助法对硬盘记录信息的状态的说明图。

图6为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的布线部的宽度方向的剖视图，所示为导光路径设置在衬底绝缘层上的形态的剖视图。

图7所示为图6所示的带电路的悬浮基板的制造工序的剖视图，左图为沿着图6中对应的布线部的宽度方向的剖视图，右图为沿着端子形成部的长度方向的放大剖视图，

(a)所示为准备金属支持基板的工序，

(b)所示为在金属支持基板上依次层叠衬底绝缘层、导体图形及覆盖绝缘层的工序，

(c)所示为在衬底绝缘层上形成导光路径的工序，

(d)所示为在端子形成部的金属支持基板上形成开口部的工序，

(e)所示为利用激光加工来切削衬底绝缘层及覆盖绝缘层及导光路径、使得导光路径的前端部的端面与长度方向相交的工序。

图8所示为带电路的悬浮基板的制造工序的剖视图，左图为沿着布线部的宽度方向的剖视图，右图为沿着端子形成部的长度方向的放大剖视图，

(a)所示为准备金属支持基板的工序，

(b)所示为在金属支持基板上形成兼作为下包层的衬底绝缘层的工序，

(c)所示为在衬底绝缘层上形成导体图形的工序，

(d)所示为在衬底绝缘层上形成芯层的工序，

(e)所示为在衬底绝缘层上形成用来覆盖导体图形及芯层、兼作为上包层的覆盖绝缘层的工序，

(f)所示为在端子形成部的金属支持基板上形成开口部的工序，

(g)所示为利用激光加工来切削衬底绝缘层及芯层及覆盖绝缘层的前端部、使得它们的前端部的端面与长度方向相交的工序。

具体实施方式

图1所示为本发明的带电路的悬浮基板的一个实施形态的平面图，图2所示为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的导光路径的剖视图，图3为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的布线部的与长度方向垂直的方向(以下，称为宽度方向)的剖视图，所示为导光路径设置在衬底绝缘层上的形态的剖视图。另外，在图1及图2中，省略了衬底绝缘层12及覆盖绝缘层14。

在图1中，该带电路的悬浮基板1上安装硬盘驱动器中的磁头28(参照图5)，该磁头28阻碍磁头28与硬盘26(参照图5)相对运动时的气流，在与硬盘26之间保持微小的间隔，同时在支持用的金属支持基板11上，与连接外部电路基板(例如，读写基板等)2与磁头28用的导体图形13形成一体。

该带电路的悬浮基板1形成为沿长度方向延伸的平带状，具有配置在长度方向一侧(以下，称为后侧)的布线部3、以及配置在布线部3的长度方向另一侧(以下，称为前侧)的万向接头部4，并形成一体。

布线部3形成为沿长度方向延伸的俯视图为实质上矩形形状。

从布线部3的前端连续地形成万向接头部4，并形成为相对于布线部3向宽度方向两外侧鼓出的俯视图为实质上矩形形状。另外，在万向接头部4形成俯视图中，面向前侧张开的实质上U字形的缝隙部5。另外，万向接头部4具有被缝隙部5在宽度方向夹住的舌片部6、以及配置在缝隙部5的宽度方向两外侧及舌片部6的前端侧的外连接部8，并形成一体。

舌片部6形成俯视图为实质上矩形形状，具有安装部9及端子形成部10。

安装部9是安装头部滑块27用的区域，配置在舌片部6的后侧，形成为俯视图为实质上矩形形状。

端子形成部10是形成后述的磁头侧连接端子部17的区域，配置在安装部9的前侧。另外，端子形成部10形成俯视图为实质上矩形形状的开口部7。

开口部7沿厚度方向贯通金属支持基板11那样形成俯视图为实质上矩形形状，是在安装部9的附近，形成在端子形成部10的宽度方向的中央。

导体图形13具有外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部17、以及连接这些外部侧连接端子部16与磁头侧连接端子部17用的信号布线15，并连续形成一体

沿带电路的悬浮基板1的长度方向设置多条(4条)各信号布线15，在宽度方向上互相隔开间隔并排配置。

由第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d形成多条信号布线15，并且从宽度方向一侧向宽度方向另一侧，依次配置这些第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d。

更具体来说是这样配置，即在布线部3互相平行地延伸形成第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d。在万向接头部4中，第1布线15a及第2布线15b沿宽度方向一侧的外连接部8配置，第3布线15c及第4布线15d沿宽度方向另一侧的外连接部8配置。第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d在到达前端侧的外连接部8之后，向宽度方向内侧延伸，再向后侧折返，到达磁头侧连接端子部17的前端部。

另外，在布线部3中沿宽度方向内侧绕过后述的发光元件20那样地配置第1布线15a及第2布线15b。

外部侧连接端子部16配置在布线部3的后端部，设置多个(4个)，使其分别与各布线15的后端部连接。另外，该外部侧连接端子部16在宽度方向上隔开间隔配置。另外，外部侧连接端子部16与和外部侧连接端子部16连接的第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d相对应，从宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次配置第1外部侧连接端子部16a、第2外部侧连接端子部16b、第3外部侧连接端子部16c及第4外部侧连接端子部16d。用虚线表示的外部电路基板2的未图示的端子部与该外部侧连接端子部16连接。

磁头侧连接端子部17配置在万向接头部4，更具体来说，配置在舌片部6的端子形成部10的后端部。磁头侧连接端子部17设置多个(4个)，使其分别与各信号布线15的前端部连接。

更具体来说，磁头侧连接端子部17沿端子形成部10的后端边缘(安装部9的前端边缘)在宽度方向上互相隔开间隔配置。另外，磁头侧连接端子部17与和它连接的第1布线15a、第2布线15b、第3布线15c及第4布线15d相对应，从宽度方向一侧向宽度方向另一侧，依次配置第1磁头侧连接端子部17a、第2磁头侧连接端子部17b、第3磁头侧连接端子部17c及第4磁头侧连接端子部17d。

磁头28的未图示的端子部与该磁头侧连接端子部17连接。

然后，该带电路的悬浮基板1如图3所示，具有：金属支持基板11；在金属支持基板11上形成的衬底绝缘层12；在衬底绝缘层12上形成的导体图形13；以及在衬底绝缘层12上形成的、用来覆盖导体图形13的覆盖绝缘层14。

金属支持基板11如图1及图3所示，与带电路的悬浮基板1的外形形状相对应形成。

与布线部3及万向接头部4的导体图形13及导光路径19(后述)形成的位置相对应地形成衬底绝缘层12，使得金属支持基板11的外周边缘露出。更具体来说，衬底绝缘层12形成为长度方向及宽度方向比金属支持基板11略短的平带状。

经过布线部3及万向接头部4那样配置导体图形13，形成作为具有外部侧连接端子部16及磁头侧连接端子部17、以及信号布线15，并构成一体连续的布线电路图形。

经过布线部3及万向接头部4那样地配置覆盖绝缘层14，并配置成与形成信号布线15的位置相对应。形成覆盖绝缘层14，使得外部侧连接端子部16及磁头侧连接端子部17露出，并覆盖信号布线15。另外，覆盖绝缘层14配置在衬底绝缘层12上，并确保形成后述的导光路径19的区域。

另外，该带电路的悬浮基板1如图1所示，具有光辅助法中使用的光辅助部18。

光辅助部18具有导光路径19及发光元件20。

经过布线部3及万向接头部4那样地配置导光路径19，并沿着导体图形13延伸的方向配置。

更具体来说，在布线部3中配置在宽度方向一侧，即，与第1布线15a隔开间隔配置在宽度方向最外侧，并与第1布线15a平行延伸那样地设置导光路径19。另外，在外连接部8的宽度方向一侧及前端部和端子形成部10中，隔开间隔配置在相对于第1布线15a的第2布线15b的相反侧，与第1布线15a平行延伸那样地设置导光路径19。即，导光路径19这样配置，它与第1布线15a平行延伸，在前端侧的外连接部8向后侧折返后，沿着万向接头部4的宽度方向中央延伸到开口部7。

另外，导光路径19与发光元件20进行光连接。更具体来说，将导光路径19形成为它的后端与发光元件20连接，同时其前端面对开口部7。

发光元件20是对导光路径19入射光用的光源，例如，是将电能变换为光能、射出高能量的光的光源。该发光元件20配置在金属支持基板11的后端侧，更具体来说，是在布线部3的后端侧，与外部侧连接端子部16的前端侧隔开间隔配置，与信号布线15(第1布线15a)在宽度方向一侧隔开间隔配置。另外，该发光元件20形成在衬底绝缘层12上。

另外，对发光元件20供给电能用的供给布线30与该发光元件20连接，与外部电路基板2的未图示的端子部连接用的供给端子部31与该供给布线30连接。另外，供给布线30在发光元件20的后端侧，沿着信号布线15(第1布线15a)延伸，供给端子部31与外部侧连接端子部16(第1外部侧连接端子部16a)在宽度方向一侧隔开间隔配置。另外，供给布线30被覆盖绝缘层14覆盖，供给端子部31从覆盖绝缘层14露出。

对于该光辅助部18，在发光元件20中，从外部电路基板2通过供给端子部31及供给布线30供给的电能变换为光能，该光向导光路径19射出。射出的光通过导光路径19，在下述的端面21处被反射，向光盘26照射。

另外，导光路径19如图5所示，其前端部的端面21例如形成为与导光路径19的长度方向以规定的角度(倾斜角)α相交。通过这样，导光路径19由于其端面21形成为具有倾斜角α的反射镜面，因此入射导光路径19的光利用端面21以规定的角度进行光路变换，进行了光路变换的光面向所希望的位置一面进行散射、一面进行照射。这样的倾斜角α没有特别限定，例如是35～55°，最好是40～50°，更具体来说是45°。

然后，如图3所示，在该带电路的悬浮基板1中，在衬底绝缘层12上设置导光路径19。

这样的导光路径19具有下包层22、在下包层22上形成的芯层23、以及在下包层22上形成的用来覆盖芯层23的上包层24。

另外，导光路径19在面对开口部7的前侧一半，也形成在衬底绝缘层12上。即，衬底绝缘层12与导光路径19相对应，在俯视图中处于实质上同一位置那样面对开口部7。

形成上包层24，使得其宽度方向两外侧端部边缘与下包层22的宽度方向两外侧端部边缘在俯视图中处于同一位置。

图4所示为图3所示的带电路的悬浮基板的制造工序的剖视图，左图为沿着图3中对应的布线部的宽度方向的剖视图，右图为沿着端子形成部的长度方向的放大剖视图。

下面，参照图4说明该带电路的悬浮基板1的制造方法。

首先，在该方法中，如图4(a)所示，准备金属支持基板11。

金属支持基板11由不锈钢、42号合金、铝、铜-铍、磷青铜等金属材料形成。金属支持基板11的厚度例如是15～30μm，最好是20～25μm。

接着，在该方法中，如图4(b)所示，在金属支持基板11上依次层叠衬底绝缘层12、导体图形13、以及覆盖绝缘层14。

衬底绝缘层12例如由聚酰亚胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、丙烯树脂、聚醚腈树脂、聚醚磺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚氯乙烯树脂等合成树脂等的绝缘材料形成。最好由聚酰亚胺树脂形成。

为了形成衬底绝缘层12，例如在金属支持基板11的上面涂布感光性的、上述绝缘材料的清漆，在干燥后，通过光掩膜进行曝光，在显影后，根据需要使其固化。

通过这样形成的衬底绝缘层12的厚度，例如是1～35μm，最好是8～15μm。

接着，用上述图形形成导体图形13。

作为形成导体图形13的导体材料，例如可以使用铜、镍、金、焊锡、或它们的合金等导体材料。

为了形成导体图形13，例如使用添加法、减去法等众所周知的图形形成法。最好使用添加法。

对于通过这样形成的导体图形13，厚度例如是3～50μm，最好是5～20μm。另外，各信号布线15的宽度例如是10～200μm，最好是20～100μm，各信号布线15之间的间隔例如是10～1000μm，最好是20～100μm。另外，各外部侧连接端子部16及各磁头侧连接端子部17的宽度例如是20～1000μm，最好是30～800μm，各外部侧连接端子部16之间的间隔及各磁头侧连接端子部17之间的间隔例如是20～1000μm，最好是30～800μm。

为了用上述图形形成覆盖绝缘层14，例如在包含导体图形13及衬底绝缘层12的金属支持基板11的表面，涂布感光性的、上述绝缘材料的清漆，在干燥后，通过光掩膜进行曝光，在显影后，根据需要使其固化。

通过这样形成的覆盖绝缘层14的厚度，例如是1～40μm，最好是1～7μm。

通过这样，能够在金属支持基板11上依次层叠衬底绝缘层12、导体图形13、以及覆盖绝缘层14。

另外，在形成上述的导体图形13的同时，利用与上述同样的方法，同时形成供给布线30及供给端子部31。

接着，在该方法中，如图4(c)所示，在衬底绝缘层12上形成导光路径19。

为了形成导光路径19，在衬底绝缘层12上依次层叠下包层22、芯层23、以及上包层24。

为了依次层叠下包层22、芯层23及上包层24，首先，在衬底绝缘层12上形成下包层22。

作为形成下包层22的材料，例如可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅酮树脂、环氧树脂(脂环环氧树脂等)、丙烯树脂、芴衍生物树脂、芴衍生物树脂与脂环环氧树脂的混合树脂、以及这些树脂与脂环乙醚化合物(例如土霉素化合物等)的混合树脂。这些树脂最好掺合感光剂，作为感光性树脂使用。最好使用感光性芴衍生物树脂(作为原料，是感光性芴系环氧树脂)与脂环环氧树脂的混合树脂。另外，作为感光剂，例如可以使用众所周知的鎓盐等，更具体来说，可以使用4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚磺酰]苯硫醚-双-六氟锑酸盐等。

为了用上述图形形成下包层22，例如用众所周知的稀释剂调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，在衬底绝缘层12的表面涂布该清漆后，进行干燥，根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩膜进行曝光，利用众所周知的有机溶剂等使未曝光部分溶解，通过这样进行显影，然后根据需要使其固化。

这样形成的下包层22的折射率例如是1.45～1.55。另外，下包层22的厚度例如是1～50μm，最好是5～20μm，宽度例如是20～200μm，最好是30～100μm。

接着，在下包层22上形成芯层23。

作为形成芯层23的材料，可以使用折射率比下包层22的树脂材料要高的树脂材料。作为这样的树脂材料，例如可以使用与上述同样的树脂，最好使用感光性芴衍生物树脂(作为原料，是感光性芴系环氧树脂)与土霉素化合物的混合树脂。

为了用上述图形形成芯层23，例如用众所周知的稀释剂调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，在包含下包层22的衬底绝缘层12的表面涂布该清漆后，进行干燥，根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩膜进行曝光，利用众所周知的有机溶剂等使未曝光部分溶解，通过这样进行显影，然后根据需要使其固化。

这样形成的芯层23的折射率设定为高于下包层22的折射率，例如是1.55～1.65。另外，芯层23的厚度例如是1～30μm，最好是2～20μm，宽度例如是1～30μm，最好是2～20μm。

接着，在下包层22上形成覆盖芯层23的上包层24。

作为形成上包层24的材料，可以使用与上述下包层22同样的树脂材料。

为了用上述图形形成上包层24，例如用众所周知的稀释剂调制上述的树脂的清漆(树脂溶液)，在包含芯层23及下包层22的衬底绝缘层12的表面涂布该清漆后，进行干燥，根据需要使其固化。另外，在使用感光性树脂时，在涂布清漆及干燥后，通过光掩膜进行曝光，利用众所周知的有机溶剂等使未曝光部分溶解，通过这样进行显影，然后根据需要使其固化。

这样形成的上包层24的折射率，设定为低于芯层23的折射率，例如设定为与下包层22的折射率相同。另外，上包层24的距离芯层23的表面的厚度例如是1～50μm，最好是5～20μm，宽度例如是20～200μm，最好是30～100μm。

这样，通过在衬底绝缘层12上依次层叠下包层22、芯层23、以及上包层24，能够形成具有它们的导光路径19。

接着，在该方法中，如图4(d)所示，在端子形成部10的金属支持基板11上形成开口部7。为了形成开口部7，例如通过钻头等的穿孔来形成，例如通过干法刻蚀或湿法刻蚀等刻蚀等来形成。最好是通过刻蚀来形成。

形成该开口部7，使得在厚度方向与导光路径19的前端部重叠，更具体来说，在宽度方向，使得导光路径19的前端部配置在中央，在长度方向，使得导光路径19的前端部配置在前侧一半。

这样形成的开口部7，其宽度例如是50～500μm，最好是100～200μm，长度(长度方向的长度)例如是50～500μm，最好是100～200μm。

接着，在该方法中，如图4(e)所示，将衬底绝缘层12及导光路径19的前端部从开口部7一侧利用激光加工进行切削，使得导光路径19的前端部的端面21与长度方向相交。

在激光加工中，如图4(e)的虚线所示，使通过开口部7的激光与长度方向以规定的角度相交，从开口部7一侧(厚度方向下侧)向衬底绝缘层12及导光路径19照射，通过这样同时切削这些衬底绝缘层12及导光路径19。

通过这样，将衬底绝缘层12及导光路径19从开口部7一侧利用激光加工进行切削，使得导光路径19的前端部的端面21与长度方向相交。

然后，在布线部3的后端侧，在衬底绝缘层12上设置发光元件20，使其与导光路径19的后端进行光连接，与供给布线30的前端电连接。

然后，在这样得到的带电路的悬浮基板1上，如图1及图2的虚线所示，外部侧连接端子部16及供给端子部31与外部电路基板2的未图示的端子部连接。另外，在该外部电路基板2上，安装控制磁头28(参照图5)及发光元件20用的IC32，该IC32通过IC布线33与连接外部侧连接端子部16及供给端子部31的端子部电连接。

另外，在带电路的悬浮基板1上，如图1及图5所示，在万向接头部4的安装部9安装头部滑块27。在该头部滑块27上安装磁头28，通过安装上述的头部滑块27，磁头28的未图示的端子部与磁头侧连接端子部17电连接。另外，通过安装上述的头部滑块27，磁头28面对开口部7那样，与导光路径19的前端部的端面21的附近相对配置。

然后，在安装了这样的磁头28、头部滑块27、带电路的悬浮基板1、以及外部电路基板2的硬盘驱动器中，能够采用光辅助法。

在该硬盘驱动器中，例如硬盘26相对于导光路径19的前端部的端面21及磁头28相对运动。然后，从发光元件20射出的光通过导光路径19，在其端面21，光路变为向上或散射，向与端面21的上侧相对的硬盘26的表面照射。利用来自导光路径19的端面21的光的照射，将硬盘26的表面加热，在该状态下，利用来自磁头28的磁场的照射，对硬盘26记录信息。如果这样，由于硬盘26的矫顽力降低，因此能够利用小的磁场的照射、以高密度对该硬盘26记录信息。

而且，在该带电路的悬浮基板1中，与比带电路的悬浮基板1要形成得很小的头部滑块27相比，能够在空间上具有余量形成光辅助法中使用的导光路径19。

特别是，由于导光路径19与头部滑块27相比，设置在空间上有余量的衬底绝缘层12上，因此能够确保设计上的自由，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

另外，该带电路的悬浮基板1由于具有发光元件20，该发光元件20与导光路径19进行光连接，因此能够在衬底绝缘层12上一起设置发光元件20及导光路径19。所以，能够提高光连接的可靠性，确实地实施光辅助法。

另外，该带电路的悬浮基板1由于具有安装部9，因此能够确实安装头部滑块27。另外，在该带电路的悬浮基板1中，由于在安装部9的附近形成开口部7，导光路径19的前端部形成为而对开口部7，因此能够利用激光加工，确实切削导光路径19的前端部的端面21。

即，在该带电路的悬浮基板1的制造方法中，将衬底绝缘层12及导光路径19从开口部7一侧利用激光加工进行切削，使得导光路径19的前端部的端面21与长度方向相交。于是，在开口部7内，由于能够一起切削衬底绝缘层12及导光路径19，因此能够将端面21确实形成作为平滑的反射镜面。所以，在带电路的悬浮基板1中，既能够使从导光路径19射出的光确实照射所希望的位置、即硬盘26的表面，又能够简单而且迅速地制造该带电路的悬浮基板1。因此，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

另外，该带电路的悬浮基板1的发光元件20配置在带电路的悬浮基板1的后端侧、即布线部3的后端侧，安装部9配置在带电路的悬浮基板1的前端侧、即万向接头部4的舌片部6。因此，能够确实确保发光元件20及头部滑块27的布置在设计上的自由。

图6为沿着图1所示的带电路的悬浮基板的布线部的宽度方向的剖视图，所示为导光路径设置在衬底绝缘层上的形态的剖视图，图7所示为图6所示的带电路的悬浮基板的制造工序的剖视图，左图为沿着图6中对应的布线部的宽度方向的剖视图，右图为沿着端子形成部的长度方向的放大剖视图。另外，对于与上述的各部相对应的构件，在图6及图7中附加同一参照标号，并省略其详细说明。

在上述的说明中，虽然将导光路径19设置在衬底绝缘层12上，但也可以例如设置在覆盖绝缘层14上。

在图6中，对于该带电路的悬浮基板1，形成覆盖绝缘层14，使得其外周边缘与衬底绝缘层12的外周边缘在俯视图中处于实质上同一位置。

导光路径19在布线部3及万向接头部4的外连接部8中，形成在信号布线15(更具体来说，是第1布线15a)上。另外，导光路径19的芯层23在布线部3及万向接头部4的外连接部8中，形成为与第1布线15a在俯视图中重叠。

另外，导光路径19在万向接头部4的端子形成部10中，形成在覆盖绝缘层14上，配置成与端子形成部10的第1布线15a向宽度方向另一侧偏移，更具体来说，与第1布线15a隔开间隔、与第1布线15a平行延伸那样配置。即，导光路径19在端子形成部10中沿端子形成部10的中央延伸、到达开口部7那样配置。

发光元件20形成在覆盖绝缘层14上。

为了制造该带电路的悬浮基板1，首先，如图7(a)所示，准备金属支持基板11，接着，如图7(b)所示，在金属支持基板11上依次层叠衬底绝缘层12、导体图形13及覆盖绝缘层14。接着，如图7(c)所示，在覆盖绝缘层14上形成导光路径19。接着，如图7(d)所示，在端子形成部10的金属支持基板11上形成开口部7，接着，如图7(e)所示，将衬底绝缘层12、覆盖绝缘层14及导光路径19从开口部7一侧利用激光加工进行切削，使得导光路径19的前端部的端面21与长度方向相交。通过这样，能够制造带电路的悬浮基板1。

这样，通过在覆盖绝缘层14上形成导光路径19，在衬底绝缘层12在空间上没有余量的情况下，也能够确保导光路径19在设计上的自由，能够提高制造效率，同时能够力图降低制造成本。

另外，在上述的说明中，是将导光路径19设置在第1布线15a的宽度方向一侧，但不限定于该配置，例如虽未图示，但可以设置在第4布线15d的宽度方向另一侧。另外，在相对于第2布线15b的第1布线15a的相反侧(即，相对于第3布线15c的第4布线15d的相反侧)、第1布线15a与第2布线15b之间、第3布线15c与第4布线15d之间，也可以设置导光路径19。从空间的观点，以及使导光路径19的前端部配置在万向接头部4的宽度方向中央的观点，最好将导光路径19设置在第1布线15a的宽度方向一侧、或第4布线15d厂宽度方向另一侧。

另外，在上述的说明中，是对带电路的悬浮基板1设置了1条导光路径19，但该条数没有特别限定，例如也可以根据带电路的悬浮基板1的用途及目的，设置多条导光路径19。

另外，在上述的说明中，是在导光路径19中设置了下包层22及上包层24，但也可以例如不设置下包层22及/或上包层24，而形成导光路径19。

更具体来说，在覆盖绝缘层14的折射率低于芯层23的折射率时，可以不设置上包层24，使覆盖绝缘层14兼用作为上包层24。

另外，在衬底绝缘层12的折射率低于芯层23的折射率时，可以不设置下包层22，使衬底绝缘层12兼用作为下包层22。在这种情况下，在覆盖绝缘层14的折射率低于芯层23的折射率时，还进一步可以将覆盖绝缘层14与上包层24形成为一体作为1层。即，能够不设置上包层24及下包层22，使覆盖绝缘层14兼用作为上包层24，而且使衬底绝缘层12兼用作为下包层22。

为了制造这样的带电路的悬浮基板1，首先，如图8(a)所示，准备金属支持基板11。

接着，如图8(b)所示，在金属支持基板11上形成兼作为下包层22的衬底绝缘层12。为了形成兼作为下包层22的衬底绝缘层12，例如，调制与上述形成衬底绝缘层12的树脂材料或形成下包层22的树脂材料相同的树脂材料的清漆(树脂溶液)，在金属支持基板11的上面涂布该清漆，进行干燥后，根据需要通过光掩膜进行曝光及显影，再根据需要使其固化。

衬底绝缘层12的折射率例如是1.45～1.70。另外，衬底绝缘层12的厚度例如是1～35μm，最好是5～15μm。

然后，如图8(c)所示，在衬底绝缘层12上形成导体图形13。为了形成导体图形13，例如与上述相同，使用添加法、减去法等众所周知的图形形成法。最好使用添加法。另外，导体图形13利用与上述相同的导体材料，用与图1所示的导体图形13相同的图形形成。

另外，在形成导体图形13的同时，利用与上述同样的方法，同时形成供给布线30及供给端子部31。

接着，如图8(d)所示，在衬底绝缘层12上形成芯层23。

为了形成芯层23，调制形成上述芯层23的树脂材料的清漆(树脂溶液)，在衬底绝缘层12的上面涂布该清漆，进行干燥后，根据需要通过光掩膜进行曝光及显影，再根据需要使其固化。

芯层23的折射率设定为高于衬底绝缘层12及覆盖绝缘层14的折射率，例如是1.55～1.65。另外，芯层23的厚度例如是1～30μm，最好是2～20μm，宽度例如是1～30μm，最好是2～20μm。另外，芯层23用与图1所示的芯层23相同的图形配置。

接着，如图8(e)所示，在衬底绝缘层12上形成用来覆盖导体图形13(包含供给布线30)及所述芯层23、兼作为上包层24的覆盖绝缘层14。为了形成兼作为上包层24的覆盖绝缘层14，例如，调制与上述形成覆盖绝缘层14的树脂材料或形成上包层24的树脂材料相同的树脂材料的清漆(树脂溶液)，在包含导体图形13及芯层23的衬底绝缘层12的上面涂布该清漆，进行干燥后，根据需要通过光掩膜进行曝光及显影，再根据需要使其固化。通过这样，形成覆盖绝缘层14，使得外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部17及供给端子部31露出，而覆盖信号布线15、芯层23及供给布线30。

覆盖绝缘层14的折射率例如是1.45～1.70。另外，覆盖绝缘层14的厚度(距离芯层的表面的厚度)例如是1～40μm，最好是1～12μm。

然后，如图8(f)所示，在端子形成部10的金属支持基板11上利用与上述同样的方法形成开口部7，然后，如图8(g)所示，将衬底绝缘层12、芯层23及覆盖绝缘层14的前端部，从开口部7一侧利用激光加工进行切削，使得它们的前端部的端面21与长度方向相交。通过这样，能够制造带电路的悬浮基板1。

在这样制造的带电路的悬浮基板1中，衬底绝缘层12兼作为下包层22，覆盖绝缘层14兼作为上包层24，导体图形13及芯层23都在衬底绝缘层12的上面，被覆盖绝缘层14覆盖。

因此，能够力图使带电路的悬浮基板1实现薄型化，力图简化结构及减少制造工时，能够提高制造效率，能够力图降低成本。

另外，在上述的说明中，虽然为了覆盖芯层23而设置了上包层24或覆盖绝缘层14，但也可以不设置上包层24或覆盖绝缘层14，而使芯层23露出，即暴露在空气中，形成所谓空气包层。从防止芯层23因外来原因而损伤的观点，最好设置上包层24或覆盖绝缘层14。

再有，也可以设置金属薄层构成的光反射层，以代替下包层22或上包层24。

另外，在上述的说明中，虽然在万向接头部4的宽度方向中央形成开口部7，但该配置不限定于此，例如也可以形成在宽度方向一端部或宽度方向另一端部。为了使头部滑块27的宽度方向中央部分与导光路径19的前端部长度方向相对配置，最好在万向接头部4的宽度方向中央形成开口部7。

实施例

以下所示为实施例，更具体地说明本发明，但本发明不限定于任何实施例。

实施例1(在衬底绝缘层上设置导光路径的形态)

准备了由厚20μm的不锈钢形成的金属支持基板(参照图4(a))。

接着，在金属支持基板上用上述的图形，形成由聚酰亚胺树脂构成的衬底绝缘层。该衬底绝缘层的厚度是10μm。

接着，利用添加法，同时形成由铜构成的导体图形及供给布线和供给端子部。这些的厚度是10μm。

接着，在衬底绝缘层上用上述的图形，形成由聚酰亚胺树脂构成的覆盖绝缘层。该覆盖绝缘层的厚度是5μm。通过这样，在金属支持基板上，依次层叠了衬底绝缘层、导体图形及覆盖绝缘层(参照图4(b))。

接着，在衬底绝缘层上形成导光路径。为了形成导光路径，首先，形成下包层。

为了用上述的图形形成下包层，首先，将双苯氧基乙醇芴二环氧甘油醚(芴衍生物、环氧当量300g/eq.)35重量份、具有环己烯环氧骨架的脂环环氧树脂(セロキサイド 2081、ダイセル化学公司制造)25重量份、4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚磺酰]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％丙碳酸酯溶液2重量份、3，4-环氧环己烯基甲基-3’，4’-环氧环己烯羧酸酯(稀释剂、脂环环氧、セロキサイド 2021P、ダイセル 化学公司制造)40重量份进行掺合，调制成清漆。接着，在衬底绝缘层的表面涂布该清漆，用80℃加热15分钟，通过这样进行干燥。然后，通过光掩膜进行曝光，利用γ丁内酯系有机溶解使未曝光部分溶解，通过这样进行显影。然后，用100℃加热15分钟，使其固化，通过这样在衬底绝缘层上形成下包层。

该下包层(固化后的下包层)的波长830nm时的折射率是1.540。另外，下包层的厚度是10μm，宽度是30μm。

接着，在下包层上形成芯层。

为了用上述的图形形成芯层，首先，将双苯氧基乙醇芴二环氧甘油醚(芴衍生物、环氧当量300g/eq.)70重量份、1，1，1-三{4-[2-(3-氧杂环丁烷基)]丁氧基苯基}乙烷(氧杂环丁烷化合物)30重量份、4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚磺酰]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％丙碳酸酯溶液1重量份、乳酸乙基(稀释剂)30重量份进行掺合，调制成清漆。接着，在包含下包层的衬底绝缘层的表面涂布该清漆，用80℃加热15分钟，通过这样进行干燥。然后，通过光掩膜进行曝光，利用γ丁内酯系有机溶解使未曝光部分溶解，通过这样进行显影。然后，用100℃加热15分钟，使其固化，通过这样在下包层上形成芯层。

该芯层(固化后的芯层)的波长830nm时的折射率是1.594。另外，芯层的厚度是5μm，宽度是5μm。

接着，在下包层上形成上包层，使其覆盖芯层。

为了用上述的图形形成上包层，首先，调制成与上述的形成下包层用的清漆相同的清漆，接着，在包含芯层及下包层的衬底绝缘层的表面涂布该清漆，用80℃加热15分钟，通过这样进行干燥。然后，通过光掩膜进行曝光，利用γ丁内酯系有机溶解使未曝光部分溶解，通过这样进行显影。然后，用100℃加热15分钟，使其固化，通过这样在下包层上形成上包层，使其覆盖芯层。

该上包层(固化后的上包层)的波长830nm时的折射率是1.540。另外，上包层的距离芯层的表面的厚度是10μm，宽度是30μm。

通过这样，在衬底绝缘层上，与第1布线隔开间隔形成导光路径(参照图4(c))。

接着，在端子形成部的金属支持基板上，利用湿法刻蚀形成俯视图是矩形形状的开口部(参照图4(d))。该开口部的宽度是100μm，长度是100μm。

接着，将衬底绝缘层及导光路径从开口部一侧利用激光加工同时进行切削，使得导光路径的前端部的端面与长度方向相交(参照图4(e))。利用该切削形成的端面的倾斜角是45°。

然后，在该带电路的悬浮基板的布线部的后端侧，在衬底绝缘层上设置发光元件，使其与导光路径的后端进行光连接，与供给布线的前端进行电连接(参照图1及图2)。

实施例2(在覆盖绝缘层上设置导光路径的形态)

在实施例2中，在覆盖绝缘层上设置导光路径，在覆盖绝缘层上设置发光元件，除此以外，与实施例1相同，制造带电路的悬浮基板(参照图1、图2及图7)。

即，形成覆盖绝缘层，使得它的外周边缘与衬底绝缘层的外周边缘在俯视图中处于实质上同一位置(参照图7(b))。

另外，形成导光路径，使得在布线部及万向接头部的外连接部中，在覆盖绝缘层上与第1布线重叠，在端子形成部中，在覆盖绝缘层上相对第1布线部向宽度方向另一侧偏移。另外，在覆盖绝缘层上设置发光元件。

实施例3(衬底绝缘层兼作为下包层、覆盖绝缘层兼作为上包层的形态)

准备了由厚20μm的不锈钢形成的金属支持基板(参照图8(a))。

接着，在金属支持基板上用上述的图形形成由聚酰亚胺树脂构成的衬底绝缘层。该衬底绝缘层的波长830nm时的折射率是1.541。另外，衬底绝缘层的厚度是6μm(参照图8(b))。

接着，利用添加法，在衬底绝缘层上同时形成由铜构成的导体图形及供给布线和供给端子部(参照图8(c))。这些的厚度是10μm。

接着，在衬底绝缘层上形成芯层。

为了用上述的图形形成芯层，首先，将双苯氧基乙醇芴二环氧甘油醚(芴衍生物、环氧当量300g/eq.)70重量份、1，3，3-三{4-[2-(3-氧杂环丁烷基)]丁氧基苯基}乙烷(氧杂环丁烷化合物)30重量份、4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚磺酰]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％丙碳酸酯溶液0.5重量份、乳酸乙基(稀释剂)28重量份进行掺合，调制成清漆。接着，在衬底绝缘层的表面涂布该清漆，用80℃加热15分钟，通过这样进行干燥。然后，通过光掩膜进行曝光，利用γ丁内酯系有机溶解使未曝光部分溶解，通过这样进行显影。然后，用100℃加热15分钟，使其固化，通过这样在衬底绝缘层上形成芯层(参照图8(d))。

该芯层(固化后的芯层)的波长830nm时的折射率是1.588。另外，芯层的厚度是5μm，宽度是5μm。

接着，在衬底绝缘层上，用上述的图形形成覆盖绝缘层，使其覆盖导体图形及芯层。

为了用上述的图形形成覆盖绝缘层，首先，将双苯氧基乙醇芴二环氧甘油醚(芴衍生物、环氧当量300g/eq.)35重量份、(3，4-环氧环己烷)甲基3’，4’-环氧环己基羧酸酯40重量份、具有环己烯环氧骨架的脂环环氧树脂(セロキサイド 2081、ダイセル化学公司制造)25重量份、4，4-双[二(β羟乙氧基)苯亚磺酰]苯硫醚-双-六氟锑酸盐(感光剂)的50％丙碳酸酯溶液1重量份进行掺合，调制成清漆。接着，在包含导体图形及芯层的衬底绝缘层的表面涂布该清漆，用80℃加热15分钟，通过这样进行干燥。然后，通过光掩膜进行曝光，利用γ丁内酯系有机溶解使未曝光部分溶解，通过这样进行显影。然后，用100℃加热15分钟，使其固化，通过这样在衬底绝缘层上形成覆盖绝缘层，使得外部侧连接端子部、磁头侧连接端子部及供给端子部露出，而覆盖信号布线、芯层及供给布线(参照图8(e))。

覆盖绝缘层的波长830nm时的折射率是1.542。另外，覆盖绝缘层的厚度(距离芯层的表面的厚度)是10μm。

接着，在端子形成部的金属支持基板上，利用湿法刻蚀形成俯视图是矩形形状的开口部(参照图8(f))。该开口部的宽度是100μm，长度是100μm。

接着，将衬底绝缘层、芯层及覆盖绝缘层从开口部一侧利用激光加工同时进行切削，使得它们的前端部的端面与长度方向相交(参照图8(g))。利用该切削形成的端面的倾斜角是45°。

然后，在该带电路的悬浮基板的布线部的后端侧，在衬底绝缘层上设置发光元件，使其与导光路径的后端进行光连接，与供给布线的前端进行电连接。

另外，上述说明虽然提供了作为本发明的所示例子的实施形态，但这不过仅是所示例子，不能进行限定性解释。该技术领域的业内人士所明了的本发明的变形例，包含在后述的权利要求范围内。

Claims (5)

1.一种带电路的悬浮基板，其特征在于，具有：

金属支持基板；发光元件；在所述金属支持基板上形成的衬底绝缘层；在所述衬底绝缘层上形成的导体图形；在所述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖所述导体图形的覆盖绝缘层；设置在所述衬底绝缘层或所述覆盖绝缘层上的导光路径；以及安装头部滑块用的安装部，

所述导光路径具有：下包层；在所述下包层上形成的、折射率高于所述下包层的芯层；以及在所述下包层上形成的、用来覆盖所述芯层，并且折射率低于所述芯层的上包层，

在所述安装部的附近，形成在厚度方向贯通所述金属支持基板的开口部，

所述导光路径这样形成，使其沿着导体图形延伸的方向配置，所述导光路径的一端与所述发光元件连接、另一端面对所述开口部。

2.一种带电路的悬浮基板，其特征在于，具有：

金属支持基板；发光元件；在所述金属支持基板上形成的衬底绝缘层；在所述衬底绝缘层上形成的导体图形；在所述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖所述导体图形的覆盖绝缘层；导光路径；以及安装头部滑块用的安装部，

所述导光路径具有：下包层；在所述下包层上形成的、折射率高于所述下包层的芯层；以及在所述下包层上形成的、用来覆盖所述芯层，并且折射率低于所述芯层的上包层，

所述衬底绝缘层兼作为所述下包层，所述芯层形成在所述衬底绝缘层上，所述覆盖绝缘层兼作为所述上包层，

在所述安装部的附近，形成在厚度方向贯通所述金属支持基板的开口部，

所述导光路径这样形成，使其沿着导体图形延伸的方向配置，所述导光路径的一端与所述发光元件连接、另一端面对所述开口部。

3.如权利要求1或2所述的带电路的悬浮基板，其特征在于，

所述发光元件配置在所述金属支持基板的长度方向一侧，

所述安装部配置在所述金属支持基板的长度方向另一侧。

4.一种带电路的悬浮基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

准备金属支持基板、在所述金属支持基板上形成的衬底绝缘层、在所述衬底绝缘层上形成的导体图形、以及在所述衬底绝缘层上形成的、用来覆盖所述导体图形的覆盖绝缘层的工序；

在所述衬底绝缘层或所述覆盖绝缘层上形成沿着导体图形延伸的方向配置的导光路径，其中所述导光路径具有：下包层；在所述下包层上形成的、折射率高于所述下包层的芯层；以及在所述下包层上形成的、用来覆盖所述芯层，并且折射率低于所述芯层的上包层的工序；

在安装头部滑块用的安装部的附近、形成在厚度方向贯通所述金属支持基板、所述导光路径的另一端所面对的开口部的工序；

将所述衬底绝缘层及/或覆盖绝缘层和所述导光路径从所述开口部一侧进行切削、使得所述导光路径的端面与所述导光路径的延伸方向相交的工序；以及

设置与所述导光路径的一端连接的发光元件的工序。

5.一种带电路的悬浮基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

准备金属支持基板的工序；

在所述金属支持基板上形成兼作为导光路径的下包层的衬底绝缘层的工序；

在所述衬底绝缘层上形成导体图形的工序；

在所述衬底绝缘层上形成沿着导体图形延伸的方向配置的、折射率高于所述衬底绝缘层的导光路径的芯层的工序；

在所述衬底绝缘层上形成用来覆盖所述导体图形及所述芯层、兼作为导光路径的上包层、而且折射率低于所述芯层的覆盖绝缘层的工序；

在安装头部滑块用的安装部的附近、形成在厚度方向贯通所述金属支持基板、所述导光路径的另一端所面对的开口部的工序；以及

将所述衬底绝缘层及/或覆盖绝缘层和所述导光路径从所述开口部一侧进行切削、使得所述导光路径的端面与所述导光路径的延伸方向相交的工序；以及

设置与所述导光路径的一端连接的发光元件的工序。

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