CN101572214B - 半导体封装件的锡球移除方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种半导体封装件的锡球移除方法，其包含下列步骤：提供一个锡炉，其中上述锡炉包括有用以涌锡的喷嘴；涂覆助焊剂于上述半导体封装件的锡球；移动上述半导体封装件，使上述半导体封装件的锡球与上述锡炉的喷嘴的涌锡接触；以及移动上述半导体封装件，使上述半导体封装件离开上述锡炉的喷嘴。本方法可提高半导体封装件的锡球移除的效率，节省时间和人力。

Description

半导体封装件的锡球移除方法

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件的锡球移除方法，且特别是有关于一种球栅阵列芯片的锡球移除方法。

背景技术

随着集成电路(Integrated Circuit，IC)技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的串音(CrossTalk)现象，而且当IC的管脚数大于208时，传统的封装方式有其困难度。因此，现今大多数的高脚数芯片(例如：图形芯片(VGA Chip)与芯片组(Chip Set)等)皆转而使用球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)封装技术。BGA封装技术主要在晶粒底部以数组的方式布置许多锡球，以锡球代替传统用金属导线架在周围做引脚的方式，此种封装技术的好处可在同样尺寸面积下，引脚数变多，其封装面积及重量只达方块形扁平封装体(QFP)方式的一半。因此，BGA封装技术一出现便成为中央处理单元(CPU)、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。

芯片厂商在生产BGA芯片的过程中，BGA芯片有可能因为半导体制程、封装制程、或组装在印刷电路板(PCB)的过程中导致芯片异常而无法正常工作。若BGA芯片已经组设在PCB上，而BGA芯片无法正常工作时，则需将BGA芯片从PCB上取下。然而，从PCB上取下的BGA芯片的锡球通常是残缺不全的，有些还会有额外的锡球熔结在一起，这就使后面的测试和分析无法进行，因而需要重工不符合规格的BGA芯片。重工制程包括：移除锡球、清洗并烘干表面后涂覆焊膏、重新植上锡球，以及回焊等步骤，其中移除锡球这一步骤在整个制程中起着至关重要的作用。

目前一般做法，是利用手工方式(利用吸锡带和烙铁)来移除BGA芯片的锡球，方法是把烙铁放在吸锡带上，然后在芯片焊盘上缓缓移动，等锡球熔了就会被吸锡带吸起。然而这种移除锡球的方式效率较低，且一般的BGA芯片的锡球数动辄上千个，若利用上述移除锡球的方式将要耗费大量的时间和人力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种易于操作、且能快速有效移除半导体封装件的锡球的方法。

为达上述及其它目的，本发明提出一种半导体封装件的锡球移除方法，上述锡球移除方法包含下列步骤：提供一个锡炉，其中锡炉包括有用以涌锡的喷嘴；涂覆助焊剂于半导体封装件的锡球；移动半导体封装件，使半导体封装件的锡球与锡炉的喷嘴的涌锡接触；以及移动半导体封装件，使半导体封装件离开锡炉的喷嘴。

由上述可知，本发明使半导体封装件的锡球与喷嘴中涌出的高温锡膏接触，从而可以带走熔化了的锡球。与已知技术相比，本发明的半导体封装件的锡球移除方法更易于操作，效率高，节省时间和人力，有助于降低生产成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体封装件的锡球移除的配置的示意图；

图2为本发明第一实施例的夹具的示意图；

图3为本发明第一实施例的另一种夹具的示意图；

图4为本发明第一实施例的半导体封装件的锡球移除方法的流程图；

图5为本发明第二实施例的半导体封装件的锡球移除的配置的示意图；以及

图6为本发明第二实施例的半导体封装件的锡球移除方法的流程图。

具体实施方式

图1为本发明第一实施例的半导体封装件的锡球移除的配置的示意图。在图1中，本实施例所提供的锡炉1为小锡炉，在其它实施例中，锡炉1亦可为其它种类的锡炉。上述锡炉1包括锡槽11与用以涌锡的喷嘴12，其中锡槽11用以容置液态的锡液。上述锡炉1更可包括马达、叶轮(图未示)等相关配件来使得锡槽11中的锡液由喷嘴12涌出。熟悉本领域技术者能轻易理解锡炉1的工作原理，本文不再赘述。

图2为本发明第一实施例的夹具的示意图。本实施例提供一特制的夹具13，其具有容置空间131与沟槽132。容置空间131用以容置球栅阵列(BGA)芯片14。沟槽132用以容置卡合模块16，其中卡合模块16更包括第一卡合块161与第二卡合块162。在本实施例中，第一卡合块161为梯型，第二卡合块162的形状则与第一卡合块161相搭配，使得第一卡合块161与第二卡合块162组合在一起时成为矩型。上述卡合模块16用以设置在夹具13的沟槽132中，用以抵住BGA芯片14的一侧，使得BGA芯片14可以紧密地固设在夹具13中而不会掉落。

图3为本发明第一实施例的另一种夹具的示意图。这个夹具13’亦具有容置空间131’与沟槽132’。值得一提的，沟槽132’用以容置一弹性体17，以抵住位于容置空间131’中的BGA芯片14’。在本实施例中，弹性体17是压簧。在其它实施例中，弹性体17亦可为块状橡胶或其它等效的弹性体。

图4为本发明第一实施例的半导体封装件的锡球移除方法的流程图，有关其说明，敬请一并参照图1与图4。在步骤S401中，先提供一个锡炉1，并将锡炉1设置完成，使得锡炉1的喷嘴12涌出锡液。

在步骤S402中，提供上述夹具13，并利用夹具13中的容置空间设置上述BGA芯片14，且利用卡合模块来使得BGA芯片14固设在夹具13上而不会掉落。接着，在步骤S403中，涂覆助焊剂(例如为松香)于BGA芯片14的锡球上。

在步骤S404中，移动上述夹具13，使上述BGA芯片14的锡球与上述锡炉1的喷嘴12的涌锡接触。一般来说，喷嘴12中涌出的锡液温度为260℃左右。因此，BGA芯片14的锡球遇到喷嘴12涌出的高温锡液会熔化，所以熔化的锡球很容易便会被涌出的锡液带走。继而，在步骤S405中，继续移动夹具13，使得BGA芯片14的其它部份的锡球被涌锡移除，直到上述BGA芯片14完全离开上述锡炉1的喷嘴12。

值得一提的是，在其它实施例中，亦可在实施完步骤S401后，直接提供BGA芯片14，并且直接涂覆助焊剂于BGA芯片14的锡球上。接着，再以手持BGA芯片14或以夹子夹住BGA芯片14来移动BGA芯片14经过锡炉1的喷嘴12，以利用锡炉1的喷嘴12涌锡，以达大面积除锡，增加除锡的速度及质量。

图5为本发明第二实施例的半导体封装件的锡球移除的配置的示意图，图6为本发明第二实施例的半导体封装件的锡球移除方法的流程图。如图5所示，本实施例所提供的锡炉5与上述实施例相同，在此不再重复赘述。唯一不同处在于，在锡炉5上并设置有两个轨道6，上述轨道6分别设置在锡炉5的喷嘴52的两侧。在本实施例中，上述轨道6具有第一侧边61与第二侧边62，其中第二侧边62的高度高于第一侧边61的高度，亦即，轨道6的侧面的形状为梯形(或楔形)。

有关本实施例的实施流程的说明，敬请一并参照图5与图6。在步骤S601中，先提供锡炉5，并将锡炉5设置完成，使得锡炉5的喷嘴52涌出锡液。在步骤S602中，在上述喷嘴52两侧分别设置轨道6。继而，涂覆助焊剂于BGA芯片54的锡球上(步骤S603)。

接着，在步骤S604中，将BGA芯片54放在上述轨道6上来进行移动，以沿着上述轨道6移动上述BGA芯片54，使得BGA芯片54的锡球与锡炉5的喷嘴52的涌锡接触，以除锡。在步骤S605中，继续移动上述BGA芯片54，使得BGA芯片54的其它部份的锡球被涌锡移除，直到上述BGA芯片54完全离开上述锡炉5的喷嘴52。值得一提的是，本发明不仅适用于BGA芯片，也可适用其它半导体封装件，此外，轨道的形态也不仅限于楔形。

另外，在其它实施例中，亦可在实施完步骤S602之后，将BGA芯片安置在上述实施例中的夹具中。而移动在步骤S604与步骤S605中，则是移动夹具，以使得夹具中的BGA芯片54通过锡炉5的喷嘴52。

由上述可知，本发明较佳实施例使半导体封装件的锡球与喷嘴中涌出的高温锡膏接触，从而可以带走熔化了的锡球。与已知技术相比，本发明的半导体封装件的锡球移除方法更易于操作，效率高，节省时间和人力，有助于降低生产成本。

虽然本发明已以具体实施例揭露如上，然其仅为了说明本发明的技术内容，而并非将本发明狭义地限定于上述实施例，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (3)

1.一种半导体封装件的锡球移除方法，其特征在于，上述锡球移除方法包括下列步骤：

提供一个锡炉，上述锡炉包括有用以涌锡的喷嘴，上述喷嘴两侧分别设置一个轨道；

放置上述半导体封装件于一个夹具，且上述夹具是放在上述轨道上来进行移动；

涂覆助焊剂于半导体封装件的锡球；

移动上述半导体封装件，使上述半导体封装件的锡球与上述喷嘴的涌锡接触；以及

移除上述半导体封装件，使上述半导体封装件离开上述锡炉的喷嘴。

2.根据权利要求1所述的锡球移除方法，其特征在于，上述各轨道具有第一侧边与第二侧边，且上述第二侧边的高度高于上述第一侧边的高度。

3.根据权利要求1所述的锡球移除方法，其特征在于，上述半导体封装件为球栅阵列芯片。 

Images