CN101568796A - 膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统 - Google Patents
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Abstract
一种膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，其目的在于减轻作业员的负担，并且提高制造效率。通过线型照明器(3)，对在基板(W)上成膜的透明导电膜或透明光学膜照射直线照明光，并由摄像机检测由透明导电膜或透明光学膜反射的直线反射光，对检测出的反射光的色评价值进行计测，使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的色评价值对应的膜厚。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜的膜厚计测，特别是涉及对薄膜设备装置所利用的透明导电膜、透明光学膜的膜厚进行计测的膜厚计测方法及装置，以及薄膜设备的制造系统。
背景技术
薄膜设备装置中包括例如薄膜系太阳电池、液晶面板、半导体设备等。例如，在薄膜系太阳电池的技术领域中，除了吸收光而产生电流的光电变换发电层(硅等半导体材料)以外，还使用作为光入射侧的集电电极的透明导电膜或透明光学膜等。
在这里，以双层型太阳电池举例，在顶电池和底电池之间形成有被称为中间连接层的薄膜而使顶电池和底电池的发电电流的平衡适当化。例如，顶电池是由非晶硅构成的光电变换层，中间连接层是透明导电膜，底电池是由结晶质硅构成的光电变换层。
所述中间连接层反射透过顶电池的太阳光的一部分的光，使之返回顶电池，同时使剩余的光透过而引导到底电池。这样，通过设置中间连接层，可使一部分光返回顶电池，因此能在维持光电效果的同时，使顶电池的膜厚减薄。此外，能使顶电池的膜厚变薄这一点从光劣化的观点来看是好的，通过设置中间连接层，可使太阳电池整体的性能提升。
这样的双层型太阳电池中，需要使顶电池和底电池各自的发电电流相一致。该发电电流通过中间连接层的材质(折射率)和膜厚来调整。中间连接层的膜厚薄为10nm～150nm左右，所以一旦其脱离了适当范围，顶电池和底电池的发电电流的平衡将瓦解，因此将导致双层型太阳电池的发电电流降低，电池性能下降。因而，在现有技术中，该中间连接层的膜厚管理很重要，可进行从生产线上的抽取检查。
此外，透明导电膜或透明光学膜不限于上述双层型太阳电池的中间连接层，其被利用在薄膜型太阳电池、多接合型的薄膜太阳电池乃至薄膜晶体管等半导体设备的电极、液晶面板的液晶驱动电极等各种技术领域中，根据需要实施膜厚检查。
现有技术中，作为一种测定膜厚的装置，公知有一种例如干涉式膜厚计测装置，其对作为测定对象的薄膜照射光，对其反射光和被薄膜里面反射的光的干涉光进行各波长的分光，作成分光后的各波长的光强度分布，基于该分布计测膜厚(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平10-311708号公报
发明内容
在使用所述干涉式膜厚计测装置进行成膜测定时，需要从自成膜后的生产线下线的基板上切取试验片，将该试验片设置在干涉式膜厚计测装置上，进行试验片的膜厚测定。
因此，切取试验片的基板就不能作为商品使用，成品率下降。此外，由于作业员不得不切出试验片并将其设置在检查装置上，因此，存在作业员负担较大的问题。此外，不能检查全部基板，在评价结果出来之前需要时间，并且不能向生产线反馈结果，这成为生产稳定性下降，成品率下降的主要原因。
此外，希望有能够在生产线上简单地对膜厚进行在线评价的方法。
本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于提供一种膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，能减轻作业员负担，并且使生产效率和成品率提高。
本发明的第1方式是一种膜厚计测方法，其能对透明导电膜及透明光学膜的至少一方进行膜厚计测，对在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜从膜面侧照射光，对由所述透明导电膜或所述透明光学膜反射的反射光进行检测，对检测出的反射光的色评价值进行计测，使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的所述色评价值对应的膜厚。
发明者们发现，来自透明导电膜或透明光学膜(在相对于透明导电膜具有导电性而言，透明光学膜不具有导电性，在这点上二者不同。)的反射光的颜色和膜厚相关。此外，发明者们还发现，颜色和膜厚具有相关关系是一般的物理现象。主要原理是光学干涉。对应于透明导电膜或透明光学膜的膜厚，薄膜多重干涉条件变化，物体的表面反射的反射光谱变化。
本发明中，捕捉该光谱变化，通过对色评价值(颜色)进行定量化，使膜厚计测成为可能。对应于计测对象的基底材料的平滑性，反射状态中正反射和漫反射混杂情况改变，但干涉条件不依赖于基底材料的平滑性，而是根据膜厚改变，色评价值(颜色)的变化在试验中也能被观察确认。进而，对应于膜厚的干涉条件的变化引起的反射光谱变化的情况是，即便使用一般出售的光学薄膜计算软件的薄膜多重干涉计算，也能确认其妥当性。
此外，根据所述方法，由于对在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜照射光，因此，可不使用干涉式膜厚计测装置等专用的测定装置而容易地进行膜厚计测。根据所述方法，能进行全部的制造基板的非破坏检查，成品率提升。能够不需要从自生产线下线的基板上切出试验片，可减轻作业员的负担。
作为所述色评价值，例如，能使用色差或RGB的光强度等。此外，作为所述色差，能使用例如L*a*b*表色系的a*及b*等。
在所述膜厚计测方法中，可以对具有相互不同的已知膜厚的多个样本分别计测所述色评价值，并通过将计测的该色评价值和所述膜厚建立关联来作成所述膜厚特性。
这样，通过准备具有相互不同的已知膜厚的多个样本，对这些样本照射光，从而测定与各膜厚对应的色评价值，基于该测定结果，作成将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性。
由此，在膜厚计测时，通过使用该膜厚特性，可容易地求出膜厚。
例如，所述膜厚特性是如下的特性：如图4所示，在横轴表示a*、纵轴表示b*的a*b*坐标轴上，标绘每个规定膜厚下的(a*、b*)的点，并对这些点(a*、b*)通过直线或最小二乘法等的近似函数连接起来而图表化的特性。根据这样的方法，作为评价的反射光，不仅对反射光强度进行计测，通过使用与色评价相适应的a*及b*和膜厚的相关关系，能够高精度地对计测对象膜的膜厚进行计测。
本发明的第2方式是一种膜厚计测装置，其能对透明导电膜及透明光学膜的至少一方进行膜厚计测，具有：光照射部，其对在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜从膜面侧照射光；光检测部，其对由所述透明导电膜或所述透明光学膜反射的反射光进行检测；色计测部，其对检测出的反射光的色评价值进行计测；和膜厚计测部，其使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的所述色评价值对应的膜厚。
根据这样的结构，向在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜侧照射从光照射部射出的光，由光检测部检测其反射光。检测出的光通过色计测部进行分析，从而计测色评价值，通过膜厚计测部使用膜厚特性，求出与计测的该色评价值对应的膜厚。这样，由于对生产线所搬运的基板照射光，因此可不使用干涉式膜厚计测装置等专用的测定装置，容易地进行膜厚计测。
在所述膜厚计测装置中，所述膜厚特性可以是对具有相互不同的已知膜厚的多个样本分别计测所述色评价值，并通过将计测的该色评价值和所述膜厚建立关联而作成。
根据这样的结构，准备具有相互不同的已知膜厚的多个样本，对这些样本照射光，从而测定与各膜厚对应的色评价值，并基于该测定结果，作成对各色评价值和各膜厚建立关联的膜厚特性，因此在膜厚计测时，通过使用该膜厚特性，可以容易地求出膜厚。
在所述膜厚计测装置中，所述光照射部可以设置在能对在薄膜设备生产线所搬运的薄膜设备用基板上成膜的所述透明导电膜或所述透明光学膜照射光的位置上。
通过这样地配置照射部，可容易地对膜厚设备中使用的透明导电膜或透明光学膜的膜厚进行计测。
本发明第3方式是一种薄膜设备的制造系统，具有所述膜厚计测装置，对薄膜形成状况进行监视。
本发明第4方式是一种薄膜设备，使用所述膜厚计测装置来制造。
在所述膜厚计测装置中，可以容易地对作为薄膜设备的薄膜太阳电池、液晶面板、用于半导体的设备用的透明导电膜或透明光学膜的膜厚进行计测。例如，薄膜系太阳电池，在单边超过1m的大型基板上使薄膜更均匀地、更均质地形成，这在发电效率提升上很重要，由于可使用所述的膜厚计测装置对整个基板面膜厚分布进行评价，因而，非常有助于发电效率的提升、成品率的提升、生产效率的提升。
根据本发明，起到所谓的能使作业员的负担减轻、同时使制造效率提升的效果。
根据本发明，由于可以监视膜厚变动，因此，起到所谓的使设备性能提升、成品率提升、制造效率提升的效果。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的膜厚计测装置的整体结构图。
图2是表示摄像机和线型照明器的配置关系的图。
图3是表示膜厚特性的作成顺序的流程图。
图4是表示膜厚特性的一例的图。
图5是表示本发明第1实施方式的膜厚计测处理的处理顺序的流程图。
附图标记说明
1、搬运传送带
2、摄像机
3、线型照明器
4、光源用电源
5、光电开关
6、回转式编码器
7、计算机
8、显示装置
W、基板
具体实施方式
以下，对于本发明的膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统的实施方式参照附图进行说明。各实施方式的膜厚计测装置是设置在薄膜设备、特别是薄膜太阳电池的制造装置的生产线的一部分上而加以利用的装置。各实施方式的膜厚计测装置是为了对成膜于太阳电池的基板上的薄膜、特别是中间连接膜的膜厚进行计测而加以利用且适用的装置。
此外，虽然各实施方式的膜厚计测装置用于具有两层pin构造光电变换层的双层型太阳电池、具有三层pin构造光电变换层的三层型太阳电池中的各光电变换层之间形成的中间连接层的膜厚评价，但不管太阳电池结构如何，只要在制造具有中间连接层的太阳电池的制造系统中就被广泛适用。在这里，作为一例，对在双层型太阳电池的生产线上进行顶电池和底电池之间所形成的中间连接层的膜厚计测的情况进行说明。
【第1实施方式】
图1是表示本发明的第1实施方式的膜厚计测装置的整体结构的图。
在图1所示的膜厚计测装置中，基板W被搬运传送带1沿搬运方向(图中Y方向)搬运。该基板W为在透明玻璃基板上按顺序通过热CVD(化学气相沉积)装置形成有透明电极膜、通过等离子CVD装置形成有作为非晶硅膜的光电变换层的顶电池、通过喷溅装置形成有中间连接层的基板。
中间连接层是例如将GZO(Ga掺杂ZnO)通过喷溅装置形成10nm～150nm的层。图1中基板W的搬运传送带1侧是透明玻璃基板，搬运传送带1的相反侧层积有透明导电膜、由薄膜硅得到的光电变换层。
搬运传送带1的上方配置有摄像机(光检测部)2和线型照明器(光照射部)3。摄像机2能适用例如彩色生产线传感器摄像机、彩色区域摄像机、所谓的CCD摄像机等。本实施方式中，作为摄像机2，采用摄像元件(例如，CCD元件)和摄像用镜头系构成的相机。
线型照明器3例如由荧光灯构成，通过光源用电源4基于后述的计算机7送来的信号动作，来进行光量调整及控制光源的开/关。另外，线型照明器3不限于荧光灯，只要是能照射出线状白色光的光源即可，可以是将LED元件以直线状配置而构成的线型LED照明。
摄像机2和线型照明器3，如图2所示，以相对计测的膜面构成反射式检查装置的方式配置。即，线型照明器3射出的直线照明光L1被基板W的上表面、在本实施方式中被形成于基板W的表面上的中间连接层的表面反射。摄像机2配置在入射由中间连接层的表面反射的直线反射光L2的位置处，接收从基板W表面上被直线照明光L1照到的部分(图1中直线状的部分K)反射的反射光L2。
以入射到基板W的直线照明光L1的入射角θ1为约45°、由基板W反射的直线反射光L2的反射角θ2为约0°的方式对摄像机2和线型照明器3的配置位置进行设定。另外，在本实施方式的膜厚计测装置中，入射角θ1为约0°到90°的任意角度、反射角θ2为0°附近即可。通过这样配置，摄像机的位置调整，即对焦容易。
在搬运传送带1上配置有光电开关5和回转式编码器6。光电开关5在检测出搬运而来的基板W的顶端部分到达直线照明光L1的入射位置时，即到达由摄像机2拍摄的直线状的摄影位置时，产生检查开始信号S并发送给计算机7。回转式编码器6对于每个设定回转角、即基板W每次移动设定距离时，产生脉冲信号P，送给计算机7。
此外，在搬运传送带1的下方、被上述直线照明光L1照射的位置设置有基准白色板20。该基准白色板20用来取得作为基准的颜色的信息。基准白色板不特别指定材料，只要是在图像摄影的技术领域中看作是白色的部件即可使用。例如，分光计测用常用白板(将硫酸铝粉末凝固为颗粒状的构造)、白色的纸、市售的色差计常用的白色基准等都可使用。
计算机7在接收检查开始信号S后，每次接收脉冲信号P时，都将触发信号T送给摄像机2。摄像机2每次收到触发信号T时拍摄基板W，取入来自线型照明器3的反射光，生成彩色图像信号C，该彩色图像信号C包括基板W的横向宽度和在移动方向上具有纵向宽度的一个线型量的图像信息，并将其送入计算机7。该彩色图像信号C例如包含红色成分图像信号R、绿色成分图像信号G及蓝色成分图像信号B。
计算机(色计测部及膜厚计测部)7接收来自摄像机2的彩色图像信号C后，通过对这些彩色图像信号C在存储器中进行二维排列，作成表示基板W表面图像的二维图像。
计算机7通过对作成的二维图像执行后述的膜厚计测处理，进行基板W上形成的中间连接层的膜厚计测。此外，在计算机7上连接CRT等显示装置8，在该显示装置8上显示彩色图像信号C的波形、图像处理过的二维图像、膜厚分布状态和计测结果等。
接下来，通过图1所示膜厚计测装置说明对中间连接层的膜厚进行计测的情况。
首先，计算机7在使线型照明器3点亮的状态下，对载置于搬运传送带1上的基板W沿搬运方向Y搬运。由此，从线型照明器3射出的直线照明光L1(参照图2)在形成于基板W表面上的中间连接层上反射。此外，对应于该基板W的移动，从回转式编码器6向计算机7发送脉冲信号P。
计算机7每次接收该脉冲信号P都向摄像机2送出触发信号T。由此，对应于基板W的移动，通过摄像机2接收直线反射光L2(参照图2)，彩色图像信号C被接连不断地送给计算机7。计算机7接收到来自摄像机2的多个直线的彩色图像信号C后，通过对它们进行二维配置作成二维图像。
这样，在作成二维图像后，计算机7通过执行如下所示的膜厚计测处理，进行膜厚计测。以下，对膜厚计测处理进行具体说明。
在这里，首先，对膜厚计测处理使用的膜厚特性进行说明。
该膜厚特性表示中间连接层的膜厚和在该中间连接层上照射光时的反射光的颜色(以下称为“色评价值”)间的相关关系。
作为色评价值能使用表示颜色的各种参数。例如，能使用RGB中各色的光强度、CIE-XYZ表色系的XYZ值、或者CIE-L*a*b*表色系的L*a*b*的值等。L*a*b*是JIS Z 8729规定的L*a*b*表色系，表示色差。L*表示明度(辉度)，a*表示红-绿色相的色质(色度感chromaticness)指数，b*表示黄-蓝色相的色质指数。
在膜厚的评价时，不仅要找出反射光强度，还要找出适合色评价的参数(a*、b*)和膜厚的相关关系，加以利用。在这里，对作为色评价值采用CIE-L*a*b*表色系中a*及b*的值的情况下的膜厚特性的作成方法，参照图3进行说明。
首先，另行通过干涉式膜厚计测装置等进行计测、评价，以每个规定的膜厚，准备与具有相互不同的已知膜厚的评价对象膜的基板大致相同结构的样本，将这些样本载置于图1所示的搬运传送带1上，从线型照明器3照射照明光，以摄像机2取入反射光，以计算机7进行图像处理。计测此时的反射光的光评价值、即CIE-L*a*b*表色系的a*和b*的值(图3中的步骤SA1)。
接下来，如图4所示，在横轴表示a*、纵轴表示b*的a*b*坐标轴上，标绘在步骤SA1计测的与各膜厚相对应的(a*、b*)点(图3中的步骤SA2)，然后，对这些点(a*、b*)使用最小二乘法表示为近似函数(图3中的步骤SA3)。另外，对于从多个标绘的分布得到特性函数的方法，可以适当地利用公知技术。
其结果，如图4所示，作成将各膜厚和各色评价值加以对应的膜厚特性。作成的膜厚特性存储于计算机7具有的规定的存储区域(图3中步骤SA4)，可用于后述的膜厚计测处理。
另外，图4中表示的是，标绘有通过以每个一定膜厚准备的具有已知膜厚的八个样本X1～X8的(a*、b*)点，并通过将它们以近似函数连接起来而得到的膜厚特性的一例。
主要的膜厚的计测原理是光学干涉，利用的是对应于透明导电膜或透明光学膜的膜厚，膜厚多重干涉条件改变，物体的表面反射的反射光谱变化。
在这里，对于成为膜厚的评价的膜内多重干涉，由于底膜例如太阳电池中透明导电膜的凹凸或顶层产生影响，因而膜内多重干涉状况可能会改变。因此，基于样本膜厚作成图4所示的膜厚特性时，优选处于与实际评价的底膜和膜厚相近的状态。
其次，对使用所述膜厚特性进行的膜厚计测处理进行说明。
首先，通过在计算机7中对基于来自摄像机2的彩色图像信号C作成的二维图像施以图像处理，计测色评价值。具体地，计算机7由RGB图像数据变换为CIE-XYZ表色系(图5中步骤SB1)，然后，将CIE-XYZ表色系变换成CIE-L*a*b*表色系，从而求出色差数据(步骤SB2)。另外，这些变换采用公知的方法即可。
如上所述地分别求出二维图像中每个像素的L*a*b*值后，计算机7使用图4所示的膜厚特性，求出对应于各像素的色评价值a*b*的膜厚(步骤SB3)。此时，在所述步骤SB2中检测出的评价值a*b*偏离图4所示的特性线L的情况下，通过使用最小二乘法，求出与检测出的色评价值最接近的特性线L上的值，取得与该值(a*，b*)对应的膜厚。
计算机7取得各像素的膜厚后，将膜厚的计测结果、膜厚分布状况显示在显示装置8上(步骤SB4)。另外，显示方式可由合适设计决定。例如，可将膜厚的适当范围先行登记，仅对显示适当范围外的值的膜厚的像素区域加以着色来显示。或者，也可将膜厚区分为数段，每个区分以不同颜色着色来显示。
如以上所说明的，根据本实施方式的膜厚计测装置，因为对在太阳电池的生产线上搬运的基板W照射光，使用该其反射光的色评价值计测中间连接层的膜厚，所以，不使用干涉式膜厚计测装置等专用的测定装置，能容易地进行基板W的全面膜厚计测。其结果，可以不用从生产线下线的基板切取试验片，可以减轻作业员的负担。
此外，基于该膜厚分布的计测结果，判断由喷溅装置成膜的全部的中间连接层合格与否，在检出次品的情况下，可在中途工序将次品基板下线，并可根据需要调整喷溅装置的成膜条件等。
此外，在因喷溅装置自身感知不到的故障使得膜形成不良的情况下，也能即刻判断，可快速对应修复。
即，通过对作为管理目标的平均膜厚和膜厚分布的基准值进行评价，对制膜状态在线监视，从而维持发电效率较高的生产状况，不良产生时在极短时间内作出判断，因此成膜的品质稳定，成品率提升。由此，制造效率提升。
另外，在本实施方式中，对每个图像检测膜厚，但也可取而代之，对每个规定区域求出平均膜厚。例如，也可以在图5的步骤SB1中，将二维图像分割为每个规定区域，计算各区域的RGB的数据值的平均值，然后，通过使用该平均值进一步进行处理，在每个区域求出平均膜厚。通过这种方式地在每个区域求出膜厚，可以使处理负担减轻。
此外，计算机7可以对应于在所述膜厚计测处理中计测的每个像素或每个区域的膜厚，进行基板的次品判断。例如，在计算机7上预先登记膜厚或膜厚分布的适当范围，求出膜厚在适当范围外的面积，在相对于基板整体面积而言的该面积的比例超过预先设定的基准值时，或者膜厚分布超过预先设定的基准值时，判断为次品，将其信息显示在显示装置8中。
【第2实施方式】
下面，对本发明第2实施方式的膜厚计测装置进行说明。本实施方式的膜厚计测装置与所述的第1实施方式的膜厚计测装置基本相同，但在摄像机2和线型照明器3的配置上不同。
以下，以与第1实施方式的膜厚计测装置不同的点为主进行说明。
本实施方式的膜厚计测装置，以使图2中例如向基板W入射的直线照明管L1的入射角θ1在约0°附近，由基板W反射的直线反射光L2的反射角θ2为从约0°到90°的任意角度的方式，设定摄像机2及线型照明器3的配置位置。例如，以使向基板W入射的直线照明光L1的入射角θ1约为0°，由基板W反射的直线反射光L2的反射角θ2约为45°的方式，设定摄像机2及线型照明器3的配置位置。
通过这样配置，使线型照明器的位置调整、即照明分布调整变得容易。
【第3实施方式】
接下来，对本发明的第3实施方式的膜厚计测装置进行说明。本实施方式的膜质评价装置与所述第1实施方式的膜厚计测装置基本相同，但在摄像机2和线型照明器3的配置上不同。
以下，以与第1实施方式的膜厚计测装置不同的点为主进行说明。
本实施方式的膜厚计测装置，以使例如图2中向基板W入射的直线照明光L1的入射角θ1和由基板W反射的直线反射光L2的反射角θ2基本相同的方式，设定摄像机2及线型照明器3的配置位置。例如，将直线照明光L1的入射角θ1设定在约0°到约90°的任意角度。作为一例，入射角θ1及反射角θ2设定为约17°到约18°的任意角度。
通过这样配置，可以接受正反射光，因此，能得到光的受光水平变高，杂散光等的干扰变强的效果。
另外，在所述各实施方式中，举例说明了通过膜厚计测装置对双层型太阳电池的中间连接层的膜厚进行计测的情况，但并不限于此，能够进行薄膜型太阳电池、更为具体地多接合型太阳电池所使用的透明导电膜、透明光学膜的膜厚计测。例如，在三层型太阳电池的情况下，能用于顶光电变换层和中光电变换层间、中光电变换层和底光电变换层间等产生的中间连接层等的膜厚计测。
此外，在背电极由第二透明导电膜和金属电极膜构成的情况下，能用于该第二透明导电膜的膜厚计测。
另外，所述的薄膜太阳电池中，所谓结晶质硅系是指非晶硅系即非晶质硅系以外的硅系，也包含微晶硅系、多晶硅系。
再者，本发明的膜厚计测装置不限于薄膜太阳电池技术领域，也可在液晶面板、半导体设备等利用透明导电膜、透明光学膜的技术领域中广泛适用。此种情况下，可在对各制造工序中搬运的基板上所成膜的透明导电膜、透明光学膜照射光的位置上，配置所述线型照明器3，其反射光由摄像机2接受即可。
Claims (7)
1.一种膜厚计测方法，其能对透明导电膜及透明光学膜的至少一方进行膜厚计测，
对在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜从膜面侧照射光，
对由所述透明导电膜或所述透明光学膜反射的反射光进行检测，
对检测出的反射光的色评价值进行计测，
使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的所述色评价值对应的膜厚。
2.根据权利要求1所述的膜厚计测方法，其特征在于，
对具有相互不同的已知膜厚的多个样本分别计测所述色评价值，并通过将计测的该色评价值和所述膜厚建立关联来作成所述膜厚特性。
3.一种膜厚计测装置，其能对透明导电膜及透明光学膜的至少一方进行膜厚计测，其特征在于，具有：
光照射部，其对在生产线所搬运的基板上成膜的透明导电膜或透明光学膜从膜面侧照射光；
光检测部，其对由所述透明导电膜或所述透明光学膜反射的反射光进行检测；
色计测部，其对检测出的反射光的色评价值进行计测；和
膜厚计测部，其使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的所述色评价值对应的膜厚。
4.根据权利要求3所述的膜厚计测装置，其特征在于，
对具有相互不同的已知膜厚的多个样本分别计测所述色评价值，并通过将计测的该色评价值和所述膜厚建立关联而作成所述膜厚特性。
5.根据权利要求3或4所述的膜厚计测装置，其特征在于，
所述光照射部设置在能对在薄膜设备生产线所搬运的薄膜设备用基板上成膜的所述透明导电膜或所述透明光学膜照射光的位置上。
6.一种薄膜设备的制造系统，其特征在于，
具有权利要求5所述的膜厚计测装置，对薄膜形成状况进行监视。
7.一种薄膜设备，其特征在于，
使用权利要求5所述的膜厚计测装置来制造。
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