CN101568610A - 检查用粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明的检查用粘合片，是在基材薄膜上设有粘合剂层的检查用粘合片，所述基材薄膜和粘合剂层具有导电性，在两者之间设有电导通路径。由此，即使在贴合了半导体晶片或通过半导体晶片的切割而形成的半导体芯片的状态下，也可以进行电导通检查，可以防止该检查中的半导体晶片的变形(翘曲)或破损、背面的瑕疵或划痕的发生。

Description

检查用粘合片
技术领域
本发明涉及检查用粘合片及使用其的半导体装置的制造方法。本发明的检查用粘合片是用于在贴合了半导体晶片或半导体芯片的状态下进行导通检查的粘合片，作为可以将切割(dicing)工序及拾取工序连贯进行的构件特别有用。
背景技术
以往，以硅、镓、砷等为材料的半导体晶片，在以大直径的状态被制造后，通过检查工序进行半导体晶片的导通检查。随后，半导体晶片被粘贴到切割用粘合片，并被实施切割工序、清洗工序、展开工序、拾取工序、安装工序的各工序。作为上述切割用粘合片，例如可以举出在由塑料薄膜形成的基材上涂布由丙烯酸系粘合剂等形成的粘合剂层而形成的粘合片(例如，参照专利文献1)。
然而，近年来，随着IC卡等的普及，半导体晶片的薄型化在不断进展，因此，在检查工序、或向切割用粘合片的贴合工序中，有半导体晶片变形(翘曲)或破损的问题。其结果，在这些工序中，稳定操作变得困难。另外，在将薄型的半导体晶片载置于导通检查用的台上时，也存在由于台上的异物或颗粒等而在半导体晶片的背面出现瑕疵或划痕，或半导体晶片破损(破裂)等问题。
专利文献1：日本特公平4-70937号
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于，提供一种检查用粘合片以及使用该检查用粘合片的半导体装置的制造方法，上述检查用粘合片即便在贴合有半导体晶片、或通过切割半导体晶片而形成的半导体芯片的状态下，也可以进行电导通检查，可以防止该检查中半导体晶片的变形(翘曲)或破损、背面的瑕疵或划痕的发生。
本发明人等为了解决上述以往的问题，对检查用粘合片以及使用其的半导体装置的制造方法进行了研究。结果发现，通过使用具备具有导电性的基材薄膜和粘合剂层的检查用粘合片，可以在被固定于该粘合片的状态下进行半导体晶片或半导体芯片的导通检查，从而完成了本发明。
即，本发明的检查用粘合片，为了解决上述课题，是在基材薄膜上设有粘合剂层的检查用粘合片，其特征在于，上述基材薄膜和粘合剂层具有导电性，在两者之间设有电导通路径。
在是上述构成的检查用粘合片时，由于在粘合剂层和基材薄膜之间设有电导通路径，因此可以在固定了(包括一时的临时固定)半导体晶片、或由切割形成的半导体芯片的状态下，实施关于导通性的检查。即，如果是以往的检查用粘合片，在贴合有该粘合片的状态下进行半导体晶片的导通检查是无法想象的，所以不能确保导通路径。因此，难以进行半导体晶片的导通检查。但是，在本发明的检查用粘合片中，在粘合剂层与基材薄膜之间的导通路径得到确保，因而可以在贴合有半导体晶片的状态下进行导通检查。另外，就本发明的检查用粘合片而言，粘合剂层可以固定半导体晶片，因而还作为切割用粘合片发挥功能。另外，在切割时，有不仅切断分离半导体晶片也会切断分离粘合剂层的情况，但即使在这种情况下，本发明的检查用粘合片也会在粘合剂层和基材薄膜之间确保电导通路径，因而可以对切割后的半导体芯片进行导通检查。
上述粘合剂层优选具有从上述基材薄膜侧顺次层叠有第1导电性粘合剂层和第2导电性粘合剂层的层叠构造，上述第1导电性粘合剂层的粘合力为1N/20mm以下，第2导电性粘合剂层的粘合力为1N/20mm以上，第1导电性粘合剂层的粘合力比第2导电性粘合剂层的粘合力小。如上述构成那样，通过将表面电阻率设在上述数值范围内，且将第1导电性粘合剂层的导电性设为大于第2导电性粘合剂层的导电性，可以使第1导电性粘合剂层与第2导电性粘合剂层之间的电导电路径更优良。另外，通过将第2导电性粘合剂层的粘合力设为大于第1导电性粘合剂层，可以在该第2导电性粘合剂层上确实可靠地固定半导体晶片或半导体芯片等，也可以很好地用于切割用途。
上述基材薄膜可以是在基材上设有导电性蒸镀层的构造。
另外，上述基材薄膜可以由金属箔形的。
另外，在上述构成中，优选在上述第1导电性粘合剂层和第2导电性粘合剂层中分别含有导电性粒子，相对于构成各粘合剂层的基础聚合物成分100重量份，导电性粒子的含量为1～500重量份的范围内，且第1导电性粘合剂层中导电性粒子的含量大于第2导电性粘合剂层中导电性粒子的含量。
如果是上述构成，则由于在第1以及第2导电性粘合剂层中分别含有导电性粒子，因此可以在面内的任意方向、厚度方向等显示导电性。另外，由于基材薄膜也具有导电性，因此在面内的任意方向及厚度方向等显示导电性。由此，可以在粘合剂层和基材薄膜之间形成电导通路径。
通过使第1以及第2导电性粘合剂层中导电性粒子的含量相对于各自的基础聚合物成分100重量份为1重量份以上，可以防止导电性粒子彼此之间的相互接触变难而导电性降低。另一方面，通过设为500重量份以下，可以防止导电性粒子在第1以及第2导电性粘合剂层中所占的比例变得过高而使各自的粘合性降低。
本发明的半导体装置的制造方法，为了解决上述的课题，其特征在于，具有如下工序：在上述的检查用粘合片的上述粘合剂层上，以电路形成面相反侧的面为贴合面来贴合半导体晶片的工序；在固定了上述半导体晶片的状态下，在能够导通的检查台上载置上述检查用粘合片，在上述半导体晶片的电路形成面抵接一方连接端子，并且在上述粘合剂层上抵接另一方连接端子，以实现电连接，由此进行上述半导体晶片的导通检查的工序；从电路形成面侧切割上述半导体晶片，以至少残留了上述基材薄膜的一部分的状态形成半导体芯片的工序；和从上述检查用粘合片拾取上述半导体芯片的工序。
在上述的检查用粘合片中，在粘合剂层与基材薄膜之间形成有电导通路径，因而即便是在半导体晶片上贴合有检查用粘合片的状态也可以进行导通检查。在以往的检查工序中，是将半导体晶片直接载置于检查台上而进行的，因此由于台上存在的异物或颗粒等而在半导体晶片的背面产生瑕疵或划痕，或出现半导体晶片的破损。但是，如果是上述的方法，则以半导体晶片固定(包括一时的临时固定)于检查用粘合片上的状态而被载置于检查台上，因而该检查用粘合片也可以起到作为保护片的功能。其结果，可以防止在半导体晶片的背面产生瑕疵或划痕、破损。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，为了解决上述的课题，其特征在于，具有如下工序：在上述的检查用粘合片的上述粘合剂层上，贴合切割环(dicing ring)以及以电路形成面相反侧的面为贴合面贴合半导体晶片的工序；从电路形成面侧切割上述半导体晶片，以至少残留上述基材薄膜的一部分的状态形成半导体芯片的工序；在将刚刚切割后的半导体芯片分别固定的状态下，在能够导通的检查台上载置上述检查用粘合片，在上述半导体芯片的电路形成面抵接一方连接端子，并且在上述粘合剂层、切割环或导通检查台上抵接另一方连接端子，实现电连接，由此进行上述半导体芯片的导通检查的工序；和从上述检查用粘合片拾取上述半导体芯片的工序。
在上述的检查用粘合片中，由于粘合剂层与基材薄膜之间形成有电导通路径，因而对于刚刚切割后的半导体芯片，在其电路形成面抵接一方连接端子，并且在粘合剂层、切割环或导通检查台抵接另一方连接端子，以实现电连接，由此可以进行各半导体芯片的导通检查。其结果，不需要针对切割前的半导体晶片的检查工序，可以避免半导体晶片的变形(翘曲)或破损的问题。
另外，在以往的检查工序中，是将半导体晶片直接载置于检查台上而进行的，所以，由于台上存在的异物或颗粒等而在半导体晶片的背面产生瑕疵或划痕，或出现半导体晶片的破损(破裂)。但是，如果是上述的方法，则以各半导体芯片固定(包括一时的临时固定)于检查用粘合片的状态而被载置于检查台上，因而该检查用粘合片也可以起到作为保护片的功能。其结果，可以制造背面没有瑕疵或划痕的半导体芯片。
本发明通过上述说明的内容，可以实现下述的效果。
即，本发明的检查用粘合片是基材薄膜和粘合剂层都具有导电性且在两者之间设有导通路径的构成，因而可以在将半导体晶片或半导体芯片固定于检查用粘合片的状态下，进行导通检查。其结果，可以避免以往在导通检查中产生的半导体晶片的变形(翘曲)或破损的问题，另外，可以制造背面没有瑕疵或划痕的半导体晶片或半导体芯片并能提高产量。
附图说明
图1是概要地表示本发明的一个实施方式的检查用粘合片的截面示意图，该图(a)表示在粘合剂层中含有导电性粒子的情况，该图(b)表示从粘合剂层表面露出一部分导电性纤维的情况。
图2是用于说明使用了上述检查用粘合片的半导体装置的制造方法的概略图，该图(a)表示半导体晶片的检查工序，该图(b)表示半导体芯片的检查工序。
符号说明
1 基材薄膜
3 粘合剂层
5 导电性粒子
9 半导体晶片
10 检查用粘合片
11 半导体芯片
13 导通检查台
15 电路形成面
17 切割环
具体实施方式
以下，参照图1对本发明的实施方式进行说明。图1是概要地表示本实施方式的检查用粘合片(以下称为“粘合片”)的截面示意图。但省略了对于说明不必要的部分，另外，为了使说明容易，有图示被扩大或缩小等的部分。
如图1(a)所示，本发明的粘合片10是在基材薄膜1上设有粘合剂层3的构成。基材薄膜1以及粘合剂层3分别具有导电性，在两者之间设有电导通路径。
如图1(b)所示，上述基材薄膜1例如可以制成在基材1a上设有导电性蒸镀层1b的构造。作为上述基材1a，没有特别限定，作为其代表性的材料，例如可以举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚酰亚胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氟树脂、硅酮树脂、纤维素系树脂以及它们的交联物等聚合物。另外，关于上述例示的材料，可以根据需要接枝官能团、功能性单体或改性单体来使用。
另外，上述基材1a可以是单层薄膜或多层薄膜的任意，也可以是将上述2种以上的树脂进行干混而成的混合薄膜。多层薄膜可以使用上述树脂等并通过共挤压法、干层压法等惯用的薄膜层叠法来制造。另外，塑料薄膜可以在未拉伸的情况下使用，也可以根据需要实施单向或双向的拉伸处理。对如此制造的塑料薄膜的表面，可以根据需要施以消光处理、电晕放电处理、底涂(primer)处理、交联处理等惯用的物理或化学处理。
基材1a的厚度(在多层薄膜的情况下为总厚度)通常为10～300μm，优选30～200μm左右。
对上述导电性蒸镀层1b没有特别限定，例如可以举出铝蒸镀膜等。
另外，导电性蒸镀层1b的厚度优选为1nm～10μm，更优选10nm～1μm。
关于导电性蒸镀层1b的导电性，只要在可以进行导通检查的范围，就没有特别限定。所谓可以进行导通检查的范围，具体而言，是表面电阻率为5Ω/□以下，优选1Ω/□以下，特别优选5×10-1Ω/□以下。如果表面电阻率超过5Ω/□，则面内的任意方向的导电性降低，有难以进行导通检查的情况。另外，对于下限值而言，从实用的观点出发，优选为1×10-4Ω/□以上。另外，体积电阻率为1×10-1Ω·cm以下，优选1×10-2Ω·cm以下，特别优选1×10-3Ω·cm以下。如果体积电阻率超过1×10-1Ω·cm，则有导电性降低而妨碍导通检查的情况。另外，对于下限值而言，从实用的观点出发，优选为1×10-7Ω·cm以上。导电性评价使用三菱化学制Lorester MP MCP-T350，按照JIS K7194进行，通过测定导电性蒸镀层1b表面而得到。此时，以电阻率修正系数RCF为4.532，算出表面电阻率以及体积电阻率。其中，关于体积电阻率的计算，输入基材薄膜的膜厚进行计算。
另外，本发明的基材薄膜1不限于上述的构成，例如也可以由金属箔形成。通过使用金属箔可以对基材薄膜1赋予刚性。作为金属箔的构成材料，例如可以举出铜等。对由金属箔形成时的基材薄膜1的厚度没有特别限定，通常为10～300μm，优选30～200μm，特别优选50～150μm。
就粘合剂层3而言，只要通过含有导电性粒子能确保至少在厚度方向上的电导通，就没有特别限定。粘合剂层3的导电性，通过形成导电性粒子以相互接触的状态分散的构造而得到。
关于上述导电性粒子5的相互接触的状态，至少在膜厚方向上形成，由此使该方向的导电性成为可能。其结果，即使通过切割而完全切断分离粘合剂层3，也可以确保与基材薄膜1之间的电导通路径。另外，例如在成为仅在膜厚方向显示导电性的各向异性导电性时，粘合剂层3中的导电性粒子5以相互分离的状态分散，然后使其在膜厚方向压缩成规定膜厚，由此形成导电性粒子5仅在厚度方向相互接触的分散状态。
粘合剂层3只要在可以进行导通检查的范围具有导电性即可。所谓可以进行导通检查的粘合片10的导电性，具体而言，是其表面的表面电阻率为1×103Ω/□以下，优选5×102Ω/□以下，特别优选1×102Ω/□以下。另外，对于下限值而言，从实用的观点出发，优选为1×10-3Ω/□以上。另外，粘合剂层3的体积电阻率为1Ω·cm以下、优选1×10-1Ω·cm以下，特别优选1×10-2Ω·cm以下。另外，对于下限值而言，从实用的观点出发，优选为1×10-5Ω·cm以上。导电性评价使用三菱化学制Lorester MP MCP-T350，按照JIS K7194进行，通过测定粘合片10的粘合剂表面而得到。此时，以电阻率修正系数RCF为4.532，算出表面电阻率以及体积电阻率。另外，就体积电阻率的计算而言，输入粘合片10的膜厚来计算。
相对于构成粘合剂层3的基础聚合物成分100重量份，导电性粒子5的含量为1～500重量份，优选5～500重量份，特别优选10～200重量份。如果含量小于1重量份，则导电性粒子5之间的相互接触变得困难，有导电性降低的情况。另一方面，如果含量超过1000重量份，则导电性粒子在粘合剂层3中所占的比例过高，有粘合剂层3的粘合性降低的情况。
对在本发明中使用的导电性粒子5的种类没有特别限定，例如可以举出镍、金、银、铜、铝、焊锡、铂等金属系粒子，ITO(铟锡氧化物)、ATI、氧化钛、氧化锡、氧化铜、氧化镍等金属氧化物系粒子，金刚石、炭黑、碳管、碳纤维等碳系粒子、在聚苯乙烯等塑料粒子的表面被覆了导电层的复合导电粒子等。另外，对这些导电性粒子5的形状也没有特别限定，可以举出球状、针状、纤维状、片状、钉状、线圈状等。
进而，对导电性粒子5的大小没有特别限定，但例如粒径为100μm以下，优选1nm～100μm，特别优选10nm～50μm。在粒径超过100μm时，粘合剂层3的膜厚的偏差或表面凹凸变大，有切割性降低的情况。另外，该粒径是用BET法测定的值。
另外，粘合剂层3也可以是从基材薄膜1侧顺次层叠有第1导电性粘合剂层3a以及第2导电性粘合剂层3b而成的构造(参照图1(c))。此时，优选第1导电性粘合剂层3a的表面电阻率为1×10-2～1Ω/□，第2导电性粘合剂层3b的表面电阻率为1×10-1～1×101Ω/□。由此，可以使两者间的电导通路径更加优良。另外，表面电阻率是将粘合剂层形成在25μm厚的铜箔薄膜上并用上述的测定方法测定得到的值。
另外，第1导电性粘合剂层3a的粘合力为1N/20mm以下，优选0～1N/20mm，第2导电性粘合剂层3b的粘合力为1N/20mm以上，优选1～10N/20mm，优选第2导电性粘合剂层3b的粘合力大于第1导电性粘合剂层3a的粘合力。通过使第2导电性粘合剂层3b的粘合力大于第1导电性粘合剂层3a，可以确实可靠地固定在第2导电性粘合剂层3b上贴合的半导体晶片、半导体芯片，可以很好地适用于切割用途。另外，粘合力是以常温下对硅晶片的粘合力(90度剥离值、剥离速度300mm/分钟)为基础的力。使用硅镜面晶片来规定粘合力，这是因为，硅镜面晶片表面的粗糙度状态为一定程度的平滑，与作为切割以及拾取的对象的被加工物的半导体晶片等为同质材料。另外，以在测定温度23±3℃下的粘合力为基准，是由于通常拾取是在室温(23℃)下进行的。
第1导电性粘合剂层3a的厚度优选5～100μm，更优选20～50μm。如果第1导电性粘合剂层3a的厚度小于5μm，则当在切割时不切入到基材薄膜而在第1导电性粘合剂层终止切割时，会出现切入到基材薄膜1的情况。另一方面，如果第1导电性粘合剂层3a的厚度超过100μm，会为了确保其导电性，有必要增加导电性粒子的配合量而不优选。进而，在半导体晶片切割时产生的振动过大，会发生半导体芯片缺损(chipping)。
另外，第2导电性粘合剂层3b的厚度优选1～30μm，更优选3～20μm。如果第2导电性粘合剂层3b的厚度小于1μm，则粘合力降低，切割时的半导体芯片的保持变得不充分，出现芯片飞溅的情况。另一方面，如果第2导电性粘合剂层3b的厚度超过30μm，会为了确保其导电性，有必要增加导电性粒子的配合量而不优选。进而，切割半导体晶片时产生的振动过大，会发生半导体芯片缺损。
关于在第1导电性粘合剂层3a和第2导电性粘合剂层3b中含有的导电性粒子的含量，相对于构成各粘合剂层的基础聚合物成分100重量份，为1～500重量份的范围内，优选5～500重量份，特别优选10～200重量份。如果含量小于1重量份，则导电性粒子5之间的相互接触变困难，有导电性降低的情况。另一方面，如果含量超过500重量份，则导电性粒子在粘合剂层3中所占的比例过高，有粘合剂层3的粘合性降低的情况。但是，优选第1导电性粘合剂层3a中导电性粒子的含量大于第2导电性粘合剂层3b中导电性粒子的含量。由此，可以使第1导电性粘合剂层3a的导电性大于第2导电性粘合剂层3b的导电性，并且使第1导电性粘合剂层3a的粘合力小于第2导电性粘合剂层3b的粘合力。
另外，在第1导电性粘合剂层3a以及第2导电性粘合剂层3b中分别含有的导电性粒子，根据需要可以为相同材料也可以为不同材料。另外，即使是相同材料，也可以使粒子的形状或粒径不同。
作为粘合剂层3的形成材料，可以使用含有(甲基)丙烯酸系聚合物、或橡胶系聚合物等的公知的粘合剂。其中，从对半导体晶片的污染性等方面出发，优选将丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为形成(甲基)丙烯酸系聚合物的单体成分，例如可以举出具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、及十二烷基等碳原子数为30以下、优选碳原子数为4～18的直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
作为上述以外的单体成分，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、以及巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、以及(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、磺酸烯丙酯、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙基酯、以及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等的含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰磷酸酯等含磷酸基单体等。这些单体成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
另外，为了对(甲基)丙烯酸系聚合物进行交联处理等，也可以根据需要将多官能单体等作为共聚单体成分使用。
作为多官能单体，例如可以举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、以及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能单体可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
从粘合特性等观点出发，多官能单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以下，进一步优选为15重量％以下。
关于(甲基)丙烯酸系聚合物的制备，例如可以采用溶液聚合方式、乳液聚合方式、本体聚合方式、或悬浮聚合方式等适当方式使含有1种或2种以上单体成分的混合物聚合来进行。
作为聚合引发剂，可以举出过氧化氢、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物等过氧化物系。优选单独使用，但也可以与还原剂组合而用作氧化还原系聚合引发剂。作为还原剂，例如可以举出亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化盐、三乙醇胺等胺类、醛糖、酮糖等还原糖等。另外，偶氮化合物也是优选的聚合引发剂，可以使用2，2’-偶氮双-2-甲基丙脒酸盐、2，2’-偶氮双-2，4-二甲基戊腈，2，2’-偶氮双-N，N’-二亚甲基异丁基脒酸盐，2，2’-偶氮二异丁腈，2，2’-偶氮双-2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺等。另外，也可以并用2种以上的上述聚合引发剂来使用。
反应温度通常为50～85℃左右，反应时间为1～8小时左右。另外，在上述制造方法中优选溶液聚合法，作为(甲基)丙烯酸系聚合物的溶剂，通常使用乙酸乙酯、甲苯等极性溶剂。溶液浓度通常为20～80重量％左右。
为了提高作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系聚合物的数均分子量，也可以在上述粘合剂中适当加入交联剂。作为交联剂，可以举出聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酐化合物、聚胺、含羧基聚合物等。在使用交联剂时，考虑到剥离粘合力不过度降低，一般而言，相对于上述基础聚合物100重量份，优选其使用量为配合0.01～5重量份左右。另外，在形成粘合剂层3的粘合剂中，根据需要，除上述成分之外，还可以含有以往公知的各种增粘剂、防老化剂、填充剂、防老化剂、着色剂等惯用的添加剂。
为了提高从半导体芯片的剥离性，粘合剂优选制成通过紫外线、电子射线等放射线进行固化的放射线固化型粘合剂。在使用放射线固化型的粘合剂时，通过放射线(例如紫外线)照射而使粘合剂层3的粘合力降低，因而通过对粘合剂层3照射放射线，可以容易地进行粘合片的剥离。在使用放射线固化型粘合剂作为粘合剂时，优选使用上述导电性纤维基材的开口度为10％以上的材料。
作为放射线固化型粘合剂，可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等放射线固化性官能团且示出粘合性的粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，例如可以举出在上述的(甲基)丙烯酸系聚合物中配合有放射线固化性的单体成分或低聚物成分而成的放射线固化性粘合剂。
作为配合的放射线固化性的单体成分或低聚物成分，例如可以举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
对放射线固化性的单体成分或低聚物成分的配合量没有特别限制，但考虑到粘合性，优选相对于构成粘合剂的(甲基)丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份为5～500重量份左右，进而优选60～150重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，可以使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳-碳双键的物质作为基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以(甲基)丙烯酸系聚合物为基本骨架的物质。在这种情况下，可以不特别添加放射线固化性的单体成分或低聚物成分，其使用是任意的。
在上述放射线固化型粘合剂中，当通过紫外线等使其固化时，使其含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α-甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物，苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚之类的苯偶姻醚系化合物，2-甲基-2-羟基丙基苯酮等α-酮醇系化合物，苯偶酰二甲基缩酮系等缩酮系化合物，2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物，1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物，二苯甲酮、苯甲酰基安息香酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物，噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物，樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、以及酰基膦酸酯等。
相对于构成粘合剂的(甲基)丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，光聚合引发剂的配合量优选为0.1～10重量份左右，更优选0.5～10重量份左右。
另外，对上述粘合剂层3的厚度没有特别限定，只要与以往的切割用粘合片相同即可。具体而言，为1～50μm，优选3～20μm，特别优选5～20μm。如果厚度小于1μm，则粘合力降低，切割时半导体芯片的保持变得不充分，有发生芯片飞溅的情况。另一方面，如果厚度超过50μm，则会为了确保粘合剂层3的导电性，必须增加导电性粒子的配合量而不优选。进而，半导体晶片在切割时产生的振动过大，有出现半导体芯片的缺损(chipping)的情况。
另外，粘合片10优选在上述粘合剂层3上设有隔离物。通过设置隔离物可以将层叠片(粘合片)制成辊状来实施加热处理或保管。另外，在直到使用粘合片10期间，可以保护粘合剂层3的表面免受尘埃等的侵害。
作为隔离物的构成材料，可以举出聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚芳酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、离聚物树脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、以及聚碳酸酯薄膜等塑料薄膜等。
为了提高从粘合剂层3的剥离性，根据需要，可以对隔离物的单面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。另外，根据需要，可以实施防止紫外线透过的处理等，以便粘合片10不会因环境紫外线而发生反应。隔离物的厚度通常为5～200μm，优选25～100μm，进而优选38～60μm。
可以使用隔离物的不与粘合剂层3接触的表面成为梨皮或凹凸结构的隔离物。
粘合片10可以通过例如在隔离物上形成粘合剂层3后，将其与基材薄膜1贴合来制造。另外，也可以另外在基材薄膜1的表面直接涂布粘合剂溶液，使其干燥(根据需要加热使其交联)而形成粘合剂层3，根据需要在该粘合剂层3的表面贴合隔离物，由此制造。这些粘合剂层3可以为1层，或者层叠2层以上。
在粘合剂层3上设置了隔离物的层叠片，优选制成辊状进行加热处理。通过加热处理层叠片，可以使粘合剂的特性稳定化。加热处理的温度为30～60℃左右，处理时间为12～100小时左右。
粘合片10可以采用片状、辊状等与用途对应的适宜形状。在晶片切割用途中，例如优选使用预先被切断加工成需要的形状的粘合片。另外，粘合片10的外径尺寸可以大于半导体晶片的外径尺寸且小于切割环的内径。
另外，粘合剂层3的粘合力优选基于常温下相对于硅晶片的粘合力(90度剥离值，剥离速度300mm/分钟)为20N/20mm以下，进而优选0.001～10N/20mm，特别优选0.01～8N/20mm。另外，使用硅镜面晶片来规定粘合剂层3的粘合力，这是因为，硅镜面晶片表面的粗糙度状态为一定程度的平滑，与作为切割以及拾取的对象的被加工物的半导体晶片等为同质材料。另外，以在测定温度23±3℃下的粘合力为基准，是因为通常拾取是在室温(23℃)下进行的。
粘合剂层3优选具有如下的剥离性，即由硅制成的半导体晶片的贴着面的表面有机物污染增加量ΔC为5％以下。通过粘合剂层3具有这样的剥离性，可以减少在拾取后的半导体芯片上发生糊残留的情况。表面有机物污染增量ΔC(％)的值是从C1(％)中减去C2(％)而得的值，上述C1(％)是在23℃下将粘合片10贴合于半导体晶片上，进行半导体晶片的切割后，在即将拾取之前于23℃下剥离粘合片10时的表面有机物污染量的值，上述C2(％)是半导体晶片的表面有机物污染量的值。另外，在含有放射线固化型粘合剂来构成粘合剂层3时，表面有机物污染增加量ΔC表示照射放射线后剥离时的值。
本发明的粘合片10，如上所述，拾取时的剥离粘合力被控制得较低，或者设定为可控制。但是，如果粘合力低，则在进行作为前工序的切割时，不能保持被切断分离的芯片，在切割中芯片从粘合片10剥离(发生芯片飞溅)的可能性高。因此，优选使用如下所示的材料，即通过可以因放射线照射而固化从而降低粘合力的放射线固化型粘合剂来形成粘合剂层3，能够一边维持切割时的某种程度的粘合力，一边在切割工序后通过进行放射线照射来降低上述粘合力。另外，从同样的观点出发，还优选用可以通过加热降低粘合力的加热发泡剥离型粘合剂来形成粘合剂层。在这种情况下，可以在切割后，施加加热等公知的操作来降低粘合力，然后进行拾取。
接着，对本发明的半导体装置的制造方法进行说明。本发明的半导体装置的制造方法包括：将半导体晶片贴合到粘合片10的粘合剂层3上的安装工序，半导体晶片或半导体芯片的检查工序，切割半导体晶片的切割工序，和拾取半导体芯片的拾取工序。本发明的粘合片10，如上所述，即便在贴合有半导体晶片的状态下也可以进行导通工序。因此，可以在切割工序前对半导体晶片进行导通检查工序，也可以在切割工序后对各半导体芯片进行导通检查工序。另外，本发明的制造方法可以很好地用于半导体晶片的厚度小于100μm、进而小于50μm的情况。
上述安装工序是以半导体晶片的背面(与电路形成面为相反侧的面)和粘合剂层3侧成为贴合面的方式将其重叠，边用压接辊等按压装置按压边进行。另外，也可以在能加压的容器(例如高压釜等)中，如上述那样将半导体晶片与粘合片10重叠，通过对容器内加压来粘贴。此时，可以边通过按压装置按压边粘贴。另外，在真空室内，也可以与上述一样进行粘贴。对粘贴时的粘贴温度没有任何限定，但优选20～80℃。
当在切割工序之前进行半导体晶片9的导通检查时，该半导体晶片9在与粘合片10贴合的状态下被载置于导通检查台13上(参照图2(a))。接着，就导通检查用端子而言，将其中一方端子与半导体晶片9的电路形成面(电极)15抵接，将另一方端子与粘合剂层3或导通检查台13抵接，确保导通路径。然后，在两端子之间施加规定的电压，通过此时的电阻值来确认在半导体晶片9上形成的电路的导通性。
上述切割工序是将半导体晶片9切断(切割)而形成半导体芯片的工序。切割可以从半导体晶片的电路面侧按照常规方法进行，可以使用刀片切割、激光切割、等离子体切割、或破断(breaking)等公知的方法。另外，作为切断方法，可以采用切入到粘合片10为止的被称为全切断的切断方式等。在本发明中，由于确保了粘合片10的基材薄膜1和粘合剂层3之间的导通路径，因而即使在完全切断粘合剂层3、且基材薄膜1的一部分被切断的情况下，也可以进行后述的半导体芯片的导通检查工序。对在本发明中使用的切割装置没有特别限定，可以使用以往公知的装置。
当在切割工序后进行半导体芯片11的导通检查时，各半导体芯片11在与粘合片10贴合的状态下被载置于导通检查台13上(参照图2(b))。接着，就导通检查用端子而言，将其中一方端子与各半导体芯片11的电路形成面(电极)15抵接，将另一方端子与粘合剂层3、切割环17或导通检查台13抵接，确保导通路径。然后，向两端子之间施加规定的电压，通过此时的电阻值来确认半导体芯片11的导通性。另外，在通过切割工序完全断粘合剂层3时，其他端子与导通检查台13抵接。由于粘合片10是确保了基材薄膜1和粘合剂层3之间的导通路径的构造，因而即使将粘合剂层3完全切断且切入到基材薄膜1的一部分，也可以进行导通检查。另外，作为切割环17，优选具有导电性。
拾取工序是为了将粘接固定于粘合片10上的半导体芯片11剥离而进行的。对拾取的方法没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。例如，从粘合片10侧用针将各个半导体芯片11顶起，用拾取装置来拾取被顶起的半导体芯片11的方法等。
在这里，在使用具有放射线固化型粘合剂层或热剥离型粘合剂层的粘合片10时，可以对粘合剂层3照射放射线或进行加热处理。由此可以降低粘合性，使拾取变得容易。在放射线固化型的粘合剂层3的情况下，对放射线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，可以根据需要适当设定。另外，在热剥离型的粘合剂层3的情况下，在将其加热时，可以通过热发泡性或热膨胀性成分使粘合剂层3膨胀，使其与半导体芯片11的粘接面积显著减少。由此，粘合片10相对于半导体芯片的粘合力降低，粘合片10从半导体芯片11的剥离变得容易。其结果，可以在不损伤半导体芯片11的情况下进行拾取。对进行加热处理时的加热温度、加热时间等加热条件没有特别限定，可以根据需要适当设定。
实施例
下面，以例示来详细说明本发明的优选实施例。但是，本实施例中记载的材料或配合量等，只要没有特别限定的记载，就不是将本发明的范围仅限于它们，不过是简单的说明例而已。
(实施例1)
在乙酸乙酯中使丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸丁酯30重量份、以及丙烯酸5重量份发生共聚，得到含有数均分子量为80万的丙烯酸系聚合物的溶液。在该溶液中，加入二季戊四醇六丙烯酸酯(KAYARAD DPHA，日本化药株式会社制)60重量份、自由基聚合引发剂(IRGACURE 651，Ciba Specialty Chemicals公司制)5重量份、以及聚异氰酸酯化合物(Coronate L，日本聚氨酯公司制)2重量份，制备紫外线固化型丙烯酸系粘合剂。在该粘合剂溶液中加入作为导电性粒子的Inco Special Products制镍粉(商品名型号123、钉状、粒径3～7μmφ)200重量份，制作导电性粘合剂溶液A。
使用该导电性粘合剂溶液A，分别形成导电性评价用以及90度剥离粘合力测定用的紫外线固化型粘合剂层(第1导电性粘合剂层)。作为导电性评价用，是对厚度25μm的铜箔涂布导电性粘合剂溶液A，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为25μm的紫外线固化型粘合剂层；作为90度剥离粘合力测定用，是对厚度25μm的聚酯薄膜涂布导电性粘合剂溶液A，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为25μm的紫外线固化型粘合剂层。接着，在将隔离物与各个紫外线固化型粘合剂层贴合后，进行紫外线照射(1000mJ/cm2)，使粘合剂进行紫外线固化。
接着，用后述的测定方法对导电性评价用的紫外线固化型粘合剂层测定表面电阻率以及体积电阻率。其结果为，表面电阻率为2.6×10-1Ω/□、体积电阻率为7.9×10-4Ωcm。另外，用后述的测定方法，在23±3℃的恒温室，对90度剥离粘合力测定用的紫外线固化型粘合剂层测定90°剥离粘合力。其结果，90度剥离粘合力为0.1N/20mm。
接着，在乙酸乙酯中使丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸丁酯30重量份、及丙烯酸5重量份发生共聚，得到含有数均分子量为80万的丙烯酸系聚合物的压敏型丙烯酸系粘合剂溶液。在该溶液中，加入聚异氰酸酯化合物(Coronate L，日本聚氨酯公司制)2重量份，制备压敏型丙烯酸系粘合剂。在该粘合剂溶液中加入作为导电性粒子的Inco Special Products制镍粉(商品名型号123、钉状、粒径3～7μmφ)10重量份，制作导电性粘合剂溶液B。
使用该导电性粘合剂溶液B，分别形成导电性评价用以及90度剥离粘合力测定用的压敏型粘合剂层(第2导电性粘合剂层)。作为导电性评价用，是对厚度25μm的铜箔涂布导电性粘合剂溶液A，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为5μm的压敏型粘合剂层；作为90度剥离粘合力测定用，是对厚度25μm的聚酯薄膜涂布导电性粘合剂溶液A，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为5μm的压敏型粘合剂层。
接着，用后述的测定方法对导电性评价用的压敏型粘合剂层测定表面电阻率以及体积电阻率。其结果，表面电阻率为1.8×10-1Ω/□、体积电阻率为5.5×10-4Ωcm。另外，用后述的测定方法，在23±3℃的恒温室，对90度剥离粘合力测定用的压敏型粘合剂层测定90°剥离粘合力。其结果为，90度剥离粘合力为1.5N/20mm。
使用东丽加工(株)制铝蒸镀聚酯薄膜(商品名Metalumy TS，铝蒸镀层的厚度为50～100nm，总厚度25μm)，将上述导电性粘合剂溶液A涂布于铝蒸镀面，在80℃下进行10分钟加热交联，形成厚度25μm的紫外线固化型粘合剂层(第1导电性粘合剂层)。接着，使用导电性粘合剂溶液B，涂布于经脱模处理的厚度为50μm的聚酯制隔离物的脱模处理面，在80℃下进行10分钟加热交联，形成厚度5μm的粘合剂层(第2导电性粘合剂层)。进而，与上述制作的紫外线固化型粘合剂面贴合，进行紫外线照射(1000mJ/cm2)，制造本实施例的检查用粘合片。
用后述的测定方法，测定本基材薄膜的表面电阻率以及体积电阻率，结果分别为1.5Ω/□、7.3×10-3Ω·cm。另外，同样测定的本粘合片的90度剥离粘合力为2.0N/20mm，表面电阻率为5.5×102Ω/□，体积电阻率为5.5×10-1Ωcm。
(实施例2)
在本实施例中，除了使用日矿材料公司制压延铜箔(厚度50μm)作为基材薄膜外，与实施例1一样，制作本实施例的检查用粘合片。
用后述的测定方法，测定本基材薄膜的表面电阻率以及体积电阻率，结果分别为6.4×10-3Ω/□、1.8×10-6Ω·cm。另外，同样测定的本粘合片的90度剥离粘合力为3.2N/20mm，表面电阻率为5.3×10-2Ω/□，体积电阻率为1.6×10-4Ωcm。
(参考例1)
在实施例1制作的紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液中，加入作为导电性粒子的Inco Special Products制镍粉(商品名型号123、钉状、粒径3～7μmφ)50重量份，制作导电性粘合剂溶液C。
使用该导电性粘合剂溶液C，用与上述实施例1同样的方法分别形成导电性评价用及90度剥离粘合力测定用的紫外线固化型粘合剂层，测定90度剥离粘合力、表面电阻率以及体积电阻率。其结果，90度剥离粘合力为1.3N/20mm，表面电阻率为1.9Ω/□，体积电阻率为5.5×10-3Ωcm。
接着，在实施例1制作的压敏型丙烯酸系粘合剂溶液中，加入作为导电性粒子的Inco Special Products制镍粉(商品名型号123、钉状、粒径3～7μmφ)200重量份，制作导电性粘合剂溶液D。
使用该导电性粘合剂溶液D，分别形成导电性评价用及90度剥离粘合力测定用的压敏型粘合剂层(第2导电性粘合剂层)。作为导电性评价用，是对厚度25μm的铜箔涂布导电性粘合剂溶液D，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为5μm的压敏型粘合剂层；作为90度剥离粘合力测定用，是对厚度25μm的聚酯薄膜涂布导电性粘合剂溶液D，然后在80℃下加热交联10分钟，形成厚度为5μm的压敏型粘合剂层。
接着，用后述的测定方法对导电性评价用的压敏型粘合剂层测定表面电阻率以及体积电阻率。其结果，表面电阻率为5.3×10-2Ω/□，体积电阻率为1.6×10-4Ωcm。另外，用后述的测定方法，在23±3℃的恒温室，对90度剥离粘合力测定用的压敏型粘合剂层测定90°剥离粘合力。其结果，90度剥离粘合力为0N/20mm。
进而，除了使用导电性粘合剂溶液C和D以外，与上述实施例1一样，制作本参考例的检查用粘合片。
用后述的测定方法，测定本粘合片的90度剥离粘合力、表面电阻率以及体积电阻率，结果90度剥离粘合力为0N/20mm，表面电阻率为2.1×102Ω/□，体积电阻率为6.4×10-1Ωcm。
(数均分子量的测定)
用以下的方法测定所合成的丙烯酸系聚合物的数均分子量。使丙烯酸系聚合物以0.1wt％溶解于THF，使用GPC(凝胶渗透色谱法)，通过苯乙烯换算测定数均分子量。详细测定条件如下所示。
GPC装置：TOSOH制、HLC-8120GPC
柱：TOSOH制、(GMHHR-H)+(GMHHR-H)+(G2000HHR)
流量：0.8ml/min
浓度：0.1wt％
注入量：100μl
柱温：40℃
洗脱液：THF
(导电性)
对实施例及参考例中得到的检查用粘合片等剥离隔离物，评价粘合剂层表面的导电性。用粘合片单体进行切割处理，在所有的粘合片中，按照各个基材薄膜被切入到其厚度的1/2的深度的方式设定条件。导电性评价是使用三菱化学制Lorester MP MCP-T350，按照JIS K7194来进行，求出粘合片中的粘合剂层的表面电阻率以及体积电阻率。另外，电阻率修正系RCF设为4.532，进行表面电阻率和体积电阻率的计算。
(剥离粘合力)
将实施例及参考例中得到的检查用粘合片切割成宽20mm的长条状，在23±3℃(室温)下粘贴于硅镜面晶片面(信越半导体株式会社制；CZN<100>2.5-3.5(4英寸))。接着，在室温气氛下静置30分钟后，在23±3℃的恒温室中测定90°剥离粘合力(剥离点移动速度为300mm/sec)。
(切割评价)
在温度23±3℃下，在实施例和参考例中得到的检查用粘合片上，安装经背面磨削的厚度100μm的半导体晶片(6英寸)后，在以下的条件下进行切割。评价切割时有无芯片飞溅、切割后的芯片有无缺损或断裂的发生。关于评价，将20个半导体芯片中只要有一个发生芯片飞溅、芯片的缺损或断裂的情况评价为×，将没有发生的情况评价为O。
[切割条件]
切刀：DISCO公司制、DFD-651刀片；DISCO公司制、27HECC刀片；转速：35000rpm、切割速度：50mm/sec、切割尺寸：10mm×10mm
关于切割的切断深度，进行到切断至紫外线固化型粘合剂层(第1导电性粘合剂层)的中途的程度。
(结果)
对于各实施例1、2以及参考例1的检查用粘合片，在第1导电性粘合剂层以及第2导电性粘合剂层、与基材薄膜之间形成有导通路径，即使在将半导体晶片或半导体芯片与这些检查用粘合片贴合的状态下，也可以在切割工序的前后进行导通检查。进而，在实施例1及2的检查用粘合片中，未发生切割时的芯片飞溅、芯片的缺损或断裂，显示极良好的切割性。
表1
  切割性
 实施例1   ○
实施例2 ○
 参考例1   ×芯片飞溅

Claims (7)

1.一种检查用粘合片，是在基材薄膜上设有粘合剂层的检查用粘合片，其中，
所述基材薄膜以及粘合剂层具有导电性，在两者之间设有电导通路径。
2.根据权利要求1所述的检查用粘合片，其中，
所述粘合剂层具有从所述基材薄膜侧顺次层叠有第1导电性粘合剂层和第2导电性粘合剂层的层叠构造，
所述第1导电性粘合剂层的表面电阻率为1×10-2Ω/□以上1Ω/□以下，第2导电性粘合剂层的表面电阻率为1×10-1Ω/□以上1×101Ω/□以下，所述第1导电性粘合剂层的粘合力为1N/20mm以下，第2导电性粘合剂层的粘合力为1N/20mm以上，第1导电性粘合剂层的粘合力小于第2导电性粘合剂层的粘合力。
3.根据权利要求1所述的检查用粘合片，其中，
所述基材薄膜是在基材上设有导电性蒸镀层的构造。
4.根据权利要求1所述的检查用粘合片，其中，
所述基材薄膜由金属箔形成。
5.根据权利要求2所述的检查用粘合片，其中，
在所述第1导电性粘合剂层和第2导电性粘合剂层中分别含有导电性粒子，相对于构成各个粘合剂层的基础聚合物成分100重量份，导电性粒子的含量为1～500重量份的范围内，且第1导电性粘合剂层中导电性粒子的含量大于第2导电性粘合剂层中导电性粒子的含量。
6.一种半导体装置的制造方法，其中，包括：
在权利要求1～5中任一项所述的检查用粘合片的所述粘合剂层上，以电路形成面相反侧的面为贴合面贴合半导体晶片的工序；
在所述半导体晶片被固定的状态下，在能够导通的检查台上载置所述检查用粘合片，在所述半导体晶片的电路形成面抵接一方连接端子，并且在所述粘合剂层抵接另一方连接端子，以实现电连接，由此进行所述半导体晶片的导通检查的工序；
从电路形成面侧切割所述半导体晶片，以至少残留所述基材薄膜的一部分的状态形成半导体芯片的工序；和
从所述检查用粘合片拾取所述半导体芯片的工序。
7.一种半导体装置的制造方法，其中，包括：
在权利要求1～5中任一项所述的检查用粘合片的所述粘合剂层上，贴合切割环，以及以电路形成面相反侧的面为贴合面贴合半导体晶片的工序；
从电路形成面侧切割所述半导体晶片，以至少残留所述基材薄膜的一部分的状态形成半导体芯片的工序；
在刚刚切割后的半导体芯片被分别固定的状态下，在能够导通的检查台上载置所述检查用粘合片，在所述半导体芯片的电路形成面抵接一方连接端子，在所述粘合剂层、切割环或导通检查台抵接另一方连接端子，以实现电连接，由此进行所述半导体芯片的导通检查的工序；和
从所述检查用粘合片拾取所述半导体芯片的工序。
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