CN101563479A - 真空处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种真空处理装置，使用应用了皮尔斯式电子枪的真空蒸镀装置在被处理基板上形成蒸镀涂层时，使电子束向收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点诱导，使在上述蒸发点的电子束的照射范围最适化，可以以更快的成膜速度形成优良的蒸镀涂层。作为使皮尔斯式电子枪的电子束向收容在真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点偏向并诱导的装置，将形成相对于上述电子束的入射方向大致垂直且相对于上述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场的磁铁装置设在上述电子束照射面的背侧的真空槽外。将永久磁铁用于磁铁装置实现装置的小型化。其结果是，与将电子束偏向装置置于真空槽内的现有的装置相比，真空槽内变得简单。不会产生机械及磁性的干扰，可以将电子束的照射范围最适化。

Description

真空处理装置

技术领域

本发明涉及一种使皮尔斯式电子枪的电子束照射在蒸镀材料上，在被处理基板上形成蒸镀膜的真空处理装置。

背景技术

例如，在等离子显示面板(PDP)用的玻璃基板上作为保护膜形成的氧化镁(MgO)等涂层通过蒸镀形成。为形成这种MgO的蒸镀涂层而开发了各种方法。

作为现有方法之一例，有通过磁性装置将等离子引导到蒸镀材料上，在置于蒸镀材料的上方的基体上形成涂层的离子镀法。研究了为了形成大面积均一的内部应力低的薄膜，对电弧放电等离子流施加磁场而变形为片状，在该片状等离子的宽度方向上，通过细长的永久磁铁(片化磁铁)的磁场，将上述片状等离子引导到上述蒸镀材料上并使该蒸镀材料蒸发，在置于该蒸镀材料的上方的玻璃基板上形成涂层(参照专利文献1)。

另外，作为改良离子镀法的方法有下述方法，即，以坩埚内的蒸镀材料的蒸发部分不偏离的方式可以微细地调节片状等离子的分布。将给予磁通密度分布的多个永久磁铁在玻璃基板的宽度方向上排列为一列且配置在坩埚的下方，使其相对于玻璃基板的输送方向前后可移动，相对于坩埚上下可移动(参照专利文献2)。由此，片状等离子的分布变得均一，等离子束无扭曲地聚焦在坩埚上稳定地蒸发蒸镀材料，因此，在玻璃基板上得到均一的膜质。

另外，为了使基板的整个面的亮度特性均质，着眼于堆积在成膜面上的氧化镁的结晶/非结晶的比例，使用磁铁、线圈将等离子气氛中的电子入射到基板的成膜面，做成遍及大面积的基板整体的均质的电介质膜(参照专利文献3)。在离子镀法中，等离子流发生装置多由多个等离子枪、多个聚焦线圈和多个片状磁铁构成。在此，从各方向对玻璃基板的成膜面入射磁力线，进一步在多个等离子流之间引起相互干涉。其结果是，在堆积于基板的成膜面上的氧化镁的膜质上产生分布。因此，得知在PDP面上观测到发光部(高亮度部)和低亮度部，发光部被结晶化而形成MgO的(111)定向膜，低亮度部为非晶形的(非结晶)。为防止之且使玻璃基板的整个面的亮度特性为均质，而使等离子气氛中的电子积极地入射到基板的成膜面的整个面，做成遍及大面积的基板整体的均质的电介质膜。

而且，近年来，对应平板的大型化、量产化的潮流，希望更进一步均质的成膜。于是，相比等离子，利用电子的方法更容易进行电或磁的控制，对提高成膜的质量更为适合，因此，使用采用了电子束的蒸镀装置。

例如，开发出具有多台皮尔斯式电子枪的串联式真空蒸镀装置。该装置基本上具备将储存/取出室和蒸镀室的两室或储存室和取出室和蒸镀室的三室经由隔离阀连设的构成。

其概略如下。即，作为将PDP的保护膜即MgO连续成膜的加热源，主要使用皮尔斯式电子枪。通过偏向线圈使从固定在蒸镀室侧壁的皮尔斯式电子枪大致水平地发出的电子束偏向，使其照射在作为蒸发源的感应炉内的MgO的蒸发点上，由此发生MgO蒸气流，在搭载于在其上通过移动的载体上的玻璃基板上形成MgO涂层。

可以不将蒸镀室暴露在大气中，在储存/取出室或储存室中，可以对玻璃基板或安装在玻璃基板上的夹具进行脱气、加热处理等前处理，因此，具有可以稳定地维持蒸镀室内的气氛等的优点。

而且，为了使具有皮尔斯式电子枪的串联式真空蒸镀装置高效率化，对蒸镀材料的加热进行了研究的多点蒸镀方式已经被实用化。此方法如下所述：将多台的皮尔斯式电子枪相对于玻璃基板的输送方向排列固定，使用磁铁、线圈使从各皮尔斯式电子枪发出的电子束形成束形状为长径相对于短径的比在1.5以下，进一步可以向前后方向及左右方向的多点进行跳变，并进行高效的原材料的蒸发(专利文献4)。将电子束的形状通过作成长径相对于短径的比在1.5以下而制成大致方形，有效率地使得蒸镀材料蒸发，进而使电子束碰撞到的蒸发点在前后方向及左右方向跳变，从而可以抑制蒸发材料的蒸发面的局部的变化。结果是可以以良好的成膜速度将蒸镀涂层形成在基板的表面。

专利文献1：(日本)专利278299(第2页、图1)

专利文献2：(日本)特开平9-170074号公报(第3页、图2、图3)

专利文献3：(日本)特开2003-306768号公报(第4页、图1)

专利文献4：(日本)特开2004-010943号公报(第3页、图1)

图18所示的装置是表示具有使用了现有的电子束偏向装置120的皮尔斯式电子枪103的串联式真空蒸镀装置101的概略的图。图18中，从蒸镀室102的玻璃基板110的输送方向看，在背面的壁面固定有2台皮尔斯式电子枪103。电子束从各电子枪103朝向玻璃基板110的输送方向大致水平发出。

在现有的真空蒸镀装置101中，为了将来自大致水平地固定的皮尔斯式电子枪103的电子束诱导并照射到作为蒸镀材料的MgO111上，使用在真空槽102内设置磁铁装置120，使电流在偏向线圈121(参照图19)上流动而产生的磁场。因此，需要将电子束偏向装置120的极片126设置在蒸发点P1、P2的附近。

图19是表示图18所示的现有的电子束偏向装置的120的概略的平面图。表示的是现有的蒸镀涂层的形成方法中所使用的串联式真空蒸镀装置101的蒸镀室102的玻璃基板110输送方向、产生电子束的皮尔斯式电子枪103、载置MgO111的环形感应炉(リングハ一ス)104、现有的电子束偏向装置120的极片126的位置关系。

在相对于玻璃基板110的输送方向垂直的方向(玻璃基板的宽度方向)设有两点的蒸发点P1、P2(一台感应炉带两点)，使从各皮尔斯式电子枪103发出的电子束左右跳变照射在蒸发点P1和P2上。这样，通过增加蒸发点P可以使MgO111高效地蒸发。与以前的真空蒸镀装置相比可以以约两倍的良好速度进行成膜。

然而，从PDP进一步大屏幕化、低价格化的要求出发，正在寻求更进一步的玻璃基板的大型化引起的蒸镀速度的提高、生产节拍时间的提高、及连续运转时间的提高。

玻璃基板的尺寸与开发上述现有的真空蒸镀装置101时相比达到4～8倍(从42英寸面板1或2枚到42英寸面板8枚以上)，蒸镀速度变为10倍(动态速率从

到

)，生产节拍时间变为6倍(从9分钟到1.5分钟)，连续运转时间变为3倍以上(从100小时到336小时以上)。

这样，伴随玻璃基板110大型化带来的蒸镀速度的提高、生产节拍时间的提高、及连续运转时间的提高，附着在极片126上的MgO膜(以下称为附着物)成长，妨碍到达玻璃基板110的蒸气流，而且以至于干扰到环形感应炉104，产生损坏槽部104a(参照图20)内的MgO111的表面等的问题。进而存在成长后的附着物使环形感应炉104的旋转不稳定且使蒸镀速度不稳定的问题。另外，虽然也有为使清洗容易化而在极片126上安装未图示的极片防护板的情况，但在极片防护板自身上附着物成长而产生同样的问题。

作为对于基板126上附着物成长的对策，虽然也可以使极片126从蒸发点P离开，但不能对应将来的蒸镀速度的更高速度、连续运转时间的提高。这是因为，为了达到更高效率而需要在蒸镀室102的有限的空间内确保尽可能多的蒸发点P，故而没有使蒸发点P充分离开的机械的空间。

另外，在邻接的极片126之间相互引起磁场干扰。该相互的磁场干扰大时，成膜时的膜厚分布变得不均。因此，邻接的极片126之间需要留有规定以上的距离，但在蒸镀室102的有限的空间具有限度。另一方面，为了在对玻璃基板110蒸镀MgO111时得到规定的膜厚分布，必须不使蒸发点P之间的间隔过宽。因此，在蒸镀室102的有限的空间内，考虑到机械的干扰和磁性的干扰双方是极为困难的。其结果也存在难以得到充分的偏向磁场，对MgO的射束照射角变小，蒸发效率不良这样的问题。

另外，存在下述问题，由于难以得到充分的偏向磁场，从而向MgO的射束照射角度减小，构成照射到MgO的电子束的热电子成为反射电子，与蒸镀室内的水分、氧等发生冲突而形成二次电子，妨碍MgO涂层向基板表面的形成。因此，在现有的真空蒸镀装置101中需要二次电子吸收板107。

另外，因蒸镀材料111的表面的粗糙或环形感应炉104的旋转的不稳定而MgO的蒸发产生了偏差，作为其结果的蒸镀材料产生局部的凹陷引起进一步的蒸镀材料111的蒸发的不稳定，因此，也需要通过刮板108对蒸镀材料111的表面经常进行平整。

另外，为了进行为配置在蒸镀室内而通过附着物的附着加热的极片126和为产生磁场而流过大电流的偏向线圈121的冷却，也需要设置冷却水用配管等设备。因此，具有未特别图示的防护板的数量变多，形成复杂的形状，其表面积也变大等的问题。进而蒸镀室清洗时的作业性也变得不良。

发明内容

本发明是鉴于所述的问题而构成的，可通过真空处理装置解决，该真空处理装置将皮尔斯式电子枪的电子束照射在收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料上，在与所述蒸发源对向的被处理基板上形成蒸镀膜，其特征在于，通过在所述电子束照射面的背侧的真空槽外配置形成相对于所述电子束的入射方向大致垂直且相对于所述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场的磁铁装置，使所述电子束向所述蒸发源的蒸发点偏向诱导。

在所述真空处理装置中，通过将使所述电子束偏向且向蒸发点诱导的磁铁装置配置在真空槽(蒸镀室)外，在蒸发点P附近消除现有的极片，全面解决了现有所述极片的附着物对连续生产时间进行速度支配的情况。即，解决了所述附着物成长，遮蔽蒸气流而使膜厚分布不良的问题。另外，没有了现有成长后的所述附着物使作为蒸发源的环形感应炉的旋转不稳定，使蒸镀速度不稳定的问题。进而，也解决了成长后的所述附着物损伤收容在所述环形感应炉的凹部中的蒸镀材料的表面，使所述蒸镀速率不稳定的问题，也不必使用刮板进行平整。

另外，在所述真空处理装置中，通过在真空槽(蒸镀室)外配置的磁铁装置，可以形成相对于所述电子束的入射方向大致垂直且相对于所述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场，由此，可以使电子束整齐，且可以降低每个皮尔斯式电子枪的偏差。另外，消除了构成照射到MgO等蒸镀材料的电子束的热电子成为反射电子，与所述蒸镀室内的水分、氧等进行冲突而形成二次电子，妨碍MgO等涂层向被处理基板即玻璃基板的表面形成的问题。因此，不需要在现有的装置中所需的二次电子吸收板。

另外，通过将所述磁铁装置配设在蒸镀室外，进一步由永久磁铁构成，可以对设置位置进行微调节，可以根据基板尺寸将蒸发点P最适化。另外，与现有的装置相比可以在有限的空间容易地形成最适磁场，因此，可以使电子束向作为蒸镀材料的MgO的入射角最适化，且采用电子束的跳变的多点蒸镀方式可以更加稳定实施，相对于投入功率的蒸镀速度提升。这对得到MgO膜的膜厚分布及(111)定向膜的工艺条件的最适化有效。MgO膜不只作为PDP单元内壁的电极的耐溅射保护膜发挥作用，而且由于制成(111)定向膜时二次电子放出系数比其它材料高，因此，还具有发挥降低放电开始、维持电压作用这样的优点。

另外，在所述真空处理装置中，通过将所述电子束偏向而向蒸发点诱导的磁铁装置配置在蒸镀室外，从而现有多的防护板数量减少，也消除了二次吸收板、偏向线圈的冷却用配管等设备，因此，可以使蒸镀室简化且缩短蒸镀室的清洗时间。

附图说明

图1是表示本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置的蒸镀室中的玻璃基板的输送方向和皮尔斯式电子枪的位置关系的说明图(从蒸镀室内部的主体侧面的说明图)。

图2是图1所示的表示串联式真空蒸镀装置中的皮尔斯式电子枪3、环形感应炉4、安装在磁轭24上的永久磁铁26a、26b的位置关系的平面图。

图3是表示本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置中的环形感应炉4和永久磁铁的位置关系的局部剖面图。表示磁通B透过真空槽的底部壁面，到达环形感应炉4的表面，形成平行磁场区域的样子。

图4是在本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置中使用的磁铁装置的永久磁铁产生的平行磁场的说明图。永久磁铁26a、26b两个作为一组粘接在磁轭24的两端部。在粘接时，以永久磁铁26a和永久磁铁26b构成磁回路的方式，将永久磁铁26a以N极为上侧进行粘接，将永久磁铁26b以N极为下侧进行粘接。由此，永久磁铁26a作为N极，永久磁铁26b作为S极使用。在作为N极的永久磁铁26a和作为S极的永久磁铁26b之间的空间产生磁通B。

图5是本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置的实施例2的说明图，是将环形感应炉定为3个的例子。

图6是本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置的实施例2的平面图，是将环形感应炉定为3个的例子，一个皮尔斯式电子枪3对应一个蒸发点P。

图7是本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置的实施例3的平面图，是多点方式的X跳变方式的真空蒸镀装置的例子。

图8是本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置的实施例4的平面图，是多点方式的Y跳变方式的真空蒸镀装置的例子。

图9是说明本发明实施方式的磁铁装置20的安装状况的局部剖面图，磁铁装置20可以进行安装有磁铁的磁轭24的前后左右的位置调节和角度调节。

图10是本发明实施方式的磁铁装置20的正面图。

图11是本发明实施方式的磁铁装置20的平面图。

图12是说明本发明的变形例1的磁铁装置40的安装状况的局部剖面图，是只可进行前后左右的位置调节的磁铁装置。

图13是本发明的变形例1的磁铁装置40的正面图。

图14是本发明的变形例1的磁铁装置40的平面图。

图15是说明本发明的变形例2的磁铁装置60的安装状况的局部剖面图；是尽可能薄的磁铁装置。

图16是本发明的变形例2的磁铁装置60的正面图。

图17是本发明的变形例2的磁铁装置60的平面图。

图18是表示现有的串联式真空蒸镀装置的蒸镀室中的玻璃基板的输送方向和皮尔斯式电子枪的位置关系的说明图(从蒸镀室内部的主体侧面的说明图)。在蒸镀室102内设有电子束偏向装置120。也设置有二次电子吸收板，蒸镀室102内狭小。

图19是表示图18所示的串联式真空蒸镀装置的皮尔斯式电子枪和环形感应炉的位置关系的平面图。

图20是现有的电子束偏向装置的平面图。以往设置了刮板108。

图21是现有的电子束偏向装置的侧面图。以往冷却用配管设备为必用，偏向线圈用水转换接头122是其中一部分。

图22是现有的电子束偏向装置的正面图；

图23是本实施方式的磁铁装置产生的电子束形状的例子，表示在环形感应炉上在蒸发点P的四角的范围照射的样子。

图24是本实施方式的磁铁装置的电子束形状的例子，是蒸发点P的放大图。不变形地照射为方形。

图25是用于比较的现有电子束偏向装置产生的电子束的形状的例子，蒸发点P的形状变形。

图26是串联式真空蒸镀装置的模式图。A是2室的情况，B是3室的情况。

符号说明

1    真空处理装置

2    蒸镀室

3    皮尔斯式电子枪

4    环形感应炉

4a   槽部

5    送料器

6    材料供给装置

10   玻璃基板

20   磁铁装置

21   安装托架

22   安装板(1)

23   安装板(2)

24   磁轭

24a  磁轭中心

25   分度器

26a  永久磁铁(N极)

26b  永久磁铁(S极)

27   长孔

28   长孔

29   旋转中心轴

40   磁铁装置

41   安装托架

42   安装板(1)

43   安装板(2)

44   磁轭

46a  永久磁铁(N极)

46b  永久磁铁(S极)

47   长孔

48   长孔

60   磁铁装置

61   安装托架

62     安装板(1)

63     安装板(2)

64     磁轭

66a    永久磁铁(N极)

66b    永久磁铁(S极)

67     长孔

68     长孔

69     旋转中心轴

81、82 串联式真空蒸镀装置

83     储存/取出室

84     储存室

85     取出室

91     排气口

94～96 门

97～98 闸阀

101    真空处理装置

102    蒸镀室

103    皮尔斯式电子枪

104    环形感应炉

104a   槽部

105    送料器

106    材料供给装置

107    二次电子吸收板

108    刮板

110    玻璃基板

111    蒸镀材料

120    电子束偏向装置

121    偏向线圈

122    偏向线圈用水转换接头(水冷却配管设备的一个)

123        辅助磁轭

126        极片

B          磁通

L          磁轭的尺寸

M          平行磁场区域

N          摆动线圈

P、P1、P2  蒸发点

具体实施方式

下面，参照附图对应用了本发明的具体实施方式进行详细说明。

图1图4表示本发明的实施方式。首先，参照图1～4对装置的构成进行说明。图1是表示在本发明实施方式的蒸镀涂层的形成中使用的串联式真空蒸镀装置1的实施例的真空槽(蒸镀室)2中的玻璃基板10的输送方向、产生电子束的皮尔斯式电子枪3、收容有蒸镀材料11的环形感应炉4的位置关系的图。使本发明中使用的电子束偏向的磁铁装置20，在环形感应炉4的背侧，针对每个蒸发点设置在蒸镀室2的外侧(大气中)(参照图3)。

图2是表示本发明实施方式的磁铁装置20的永久磁铁26a、26b的配置的说明图。按照在环形感应炉4的槽部4a内的蒸镀材料11即MgO表面得到约10～30高斯的磁场的方式决定永久磁铁26a、26b的强度。另外，按照在射束的扫描范围内形成成为大致平行的磁场那样的磁回路的方式决定磁轭24的尺寸L(参照图4)。进而按照电子束以高的入射角度入射的方式将蒸发点P和磁铁装置20的位置最适化。在本实施例中，调节为在永久磁铁26a、26b的中间点即磁轭24的中心24a的上方环形感应炉4的表面为30高斯以上的磁通B，在环形感应炉4的表面的蒸发点P得到10高斯以上的磁通B。

图3是表示环形感应炉4和永久磁铁26a、26b的位置关系的蒸镀室2的剖面的局部图。环形感应炉4位于蒸镀室2的内部(真空侧)。另一方面，永久磁铁26a、26b位于蒸镀室2的外部(大气侧)。在蒸镀室2的底面的下方配置永久磁铁26a、26b的部分的材质使用透磁性的材料。

图4是本发明实施方式的磁铁装置20的永久磁铁部分的放大图。在磁轭24的两端粘接有永久磁铁26a、26b，一方的N极经由磁轭24与另一方的S极结合，产生上方的磁通B而形成磁回路。将该磁通B的平行磁场区域用于电子束的控制。另外，以使平行磁场区域的尺寸M覆盖电子束的扫描范围的方式决定磁轭24的尺寸L。

进一步用图9～11对本发明中使用的将电子束偏向的磁铁装置20的实施例1进行详细说明。

图9是表示本发明实施方式的磁铁装置20和环形感应炉4的位置关系的说明图。在蒸镀室2的底面的环形感应炉4的下方配置有磁铁装置20。

图10是磁铁装置20的正面图。另外，图11是磁铁装置20的平面图。安装板22以通过长孔27可以在左右方向调节的方式安装在安装托架21上。接着，安装板23以用长孔28在前后可以进行位置调节的方式安装在安装板22上。进而其上粘接有永久磁铁26a、26b的磁轭24经由旋转中心轴29安装在安装板23上。进而，在安装板23上追加工用于微调节的分度器25，在安装板22上追加工用于调节位置的刻度尺22a，在安装板21上追加工用于调节位置的刻度尺21a。通过这样的构成可以对粘接有永久磁铁26的磁轭24精密地进行角度及位置调节。另外，由于安装所使用的螺丝类位于安装板的背面，故而未图示。

其次，对磁铁装置20的功能进行说明。图2中，从皮尔斯式电子枪3在沿水平方向照射电子束(点线)时，直线进入环形感应炉4的上方。在环形感应炉4的下方配置有磁铁装置20，在其上方磁通B在垂直于电子束的方向产生。电子束通过磁通B向下方弯曲并照射在蒸发点P上。磁铁装置20被精密地调节角度及位置，因此，可以忠实地按照皮尔斯式电子枪3的没有特别图示的摆动线圈的控制而不变形地扫描蒸发点P。其结果是环形感应炉4上的蒸镀材料11可以有效地蒸发。由此，得到先前记述的各种效果。

以上，对本发明的实施例进行了说明，本发明也可用于其它构成的真空处理装置。图5～8表示其它构成的真空蒸镀装置的例子。

图5～6表示设有3个环形感应炉4的情况的实施例。图5是表示设有3个环形感应炉的情况的串联式真空蒸镀装置1的蒸镀室2的概略图。图6是表示图5的装置的蒸镀室2的玻璃基板10的输送方向、皮尔斯式电子枪3和磁铁装置20的位置关系的平面图。在本实施例中，皮尔斯式电子枪3在玻璃基板10的输送方向的正面横向一列排列固定。制作成为一个皮尔斯式电子枪3对应一个蒸发点P。根据本发明实施方式，6个磁铁装置20可以分别分开充分的间隔配置，因此，由于不发生机械及磁性相互干扰从而可进行良好的成膜。

另外，本发明也可适用于多点方式的真空蒸镀装置。图7是表示适用于多点蒸镀的X跳变方式的真空蒸镀装置的例子。通过内装的未特别图示的摆动线圈可以使各皮尔斯式电子枪发出的电子束左右跳变。图8是表示适用于多点蒸镀的Y跳变方式的真空蒸镀装置的例子。通过内装的未特别图示的摆动线圈可以使各皮尔斯式电子枪发出的电子束前后跳变。另外，虽未特别图示但也可以前后左右跳变。当然，摆动线圈不限定内装在皮尔斯式电子枪中，例如也可以另设在电子枪的外侧N(参照图1)。这样，即使在一个皮尔斯式电子枪3对应多个蒸发点P的情况下，由于磁铁装置20可以分别隔开充分的间隔配置，故而不会产生没有发生机械及磁性相互干扰，从而可进行优良的成膜。

另外，在本发明中使用的磁铁装置20可以对应使用的真空蒸镀装置变形。图12～14是磁铁装置的变形例1。该磁铁装置40是在不需要进行粘接有永久磁铁46a、46b的磁轭44的角度调节的情况的例子。也可以在将一个皮尔斯式电子枪3固定在一个蒸发点P上进行照射的情况下只进行前后左右方向的调节。图12中，磁铁装置40配置在环形感应炉4的下方。

图13是磁铁装置40的正面图。另外，图14是磁铁装置40的平面图。安装板42以用长孔47可以前后位置调节的方式安装在安装托架41上，安装板43以用长孔48可以左右进行位置调节的方式安装在安装板42上。进而将其上粘接有永久磁铁46a、46b的磁轭44安装在安装板43上。磁轭44不能进行角度调节。

图15～17是磁铁装置的变形例2。该磁铁装置60是有效活用特别地将永久磁铁66a、66b变小，使磁铁装置60尽可能薄的例子。图15中，在环形感应炉4的下方配置有磁铁装置60。

图16是磁铁装置60的正面图。另外，图17是磁铁装置60的平面图。安装板62以使用长孔67可以左右进行位置调节的方式安装在安装托架61上，安装板63以使用长孔68可以前后进行位置调节的方式安装在安装板62上。另外，在向其侧方的伸出部63a上经由旋转中心轴69安装有粘接了永久磁铁66a、66b的磁轭64。磁轭64形成为可以以旋转中心轴69为中心进行角度调节。

为将以上所述的磁铁装置20的效果与现有的装置进行比较而进行电子束照射试验。其结果由图23～25进行说明。图25是现有电子束偏向装置120产生的在蒸发点P的观测结果。以往即使如方形那样进行控制也会变形而形成椭圆形状。

图23是本实施方式的磁铁装置20产生的在蒸发点P的观测结果。可以以方形照射在环形感应炉4上。图24是本实施方式的磁铁装置产生的在蒸发点P的放大观测结果。得知形成所希望的方形的射束形状，根据皮尔斯式电子枪3的未图示的摆动线圈的控制无变形地进行照射。

虽然以上对本发明实施方式进行了说明，但是当然，本发明不限定于此，基于本发明的技术思想可进行各种变更。

本发明的真空处理装置不限于MgO蒸镀，可以适用于使用皮尔斯式电子枪的真空处理装置。

在本发明实施方式的串联式真空蒸镀装置中，虽然将加入蒸镀材料的容器定为环形感应炉4，但也可为方形感应炉或坩埚。

本发明除MgO涂层的形成方法之外，也可以作为用于形成SiO₂涂层、TiO₂涂层或Al₂O₃涂层等金属氧化物涂层的方法采用。另外，本发明的蒸镀涂层的形成方法也可以作为用于形成Al涂层等金属涂层的方法采用。

在本发明的实施方式中，将用于电子束的偏向的永久磁铁设置在了蒸镀室的大气侧(蒸镀室外)，但也可设在真空槽内的环形感应炉4的下侧。

另外，本发明的真空处理装置可以应用于各种串联式真空蒸镀装置。图26表示串联式真空蒸镀装置的模式图。图26A是2室情况下的串联式真空蒸镀装置81，图26B是3室情况下的串联式真空装置82。2室的情况以由闸阀分隔蒸镀室2和储存/取出室83的方式构成。3室的情况以由闸阀分隔蒸镀室2、储存室84、取出室85的方式构成。

构成为关闭任一闸阀来确保蒸镀室2的真空，同时可进行门94～96的开关，储存或取出玻璃基板10，从而实现提高蒸镀膜的制造效率。

Claims (11)

1、一种真空处理装置，其将皮尔斯式电子枪的电子束照射在收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料上，在与所述蒸发源对向的被处理基板上形成蒸镀膜，其特征在于，通过在所述电子束照射面的背侧的真空槽外配设磁铁装置，该磁体装置形成相对于所述电子束的入射方向大致垂直且相对于所述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场，从而使所述电子束向所述蒸发源的蒸发点偏向诱导。

2、如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述蒸发源是环形感应炉。

3、如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述蒸镀材料是金属、金属氧化物或绝缘物。

4、如权利要求3所述的真空处理装置，其特征在于，所述金属氧化物是作为等离子显示面板的保护膜使用的MgO或MgO复合材料。

5、如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述磁铁装置由永久磁铁构成。

6、如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置是至少具有储存/取出室和蒸镀室的两室，或储存室、蒸镀室和取出室的三室的串联式真空处理装置，以如下方式进行控制：所述皮尔斯式电子枪被固定在所述蒸镀室的与被处理基板的输送方向相对的侧壁面上，朝向相对于被处理基板的输送方向大致垂直的方向发出电子束。

7、如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，通过皮尔斯式电子枪的摆动线圈产生的电子束的跳变形成两个以上的蒸发点。

8、如权利要求7所述的真空处理装置，其特征在于，通过所述皮尔斯式电子枪的摆动线圈使电子束前后或左右跳变。

9、如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置是至少具有储存/取出室和蒸镀室的两室，或储存室、蒸镀室和取出室的三室的串联式真空处理装置，以如下方式进行控制：所述皮尔斯式电子枪被固定在所述蒸镀室的与被处理基板的输送方向相对的正面或背面的壁面上，朝向相对于被处理基板的输送方向大致同方向发出电子束。

10、如权利要求9所述的真空处理装置，其特征在于，通过皮尔斯式电子枪的摆动线圈产生的电子束的跳变形成两个以上的蒸发点。

11、如权利要求10所述的真空处理装置，其特征在于，通过所述皮尔斯式电子枪的摆动线圈使电子束前后或左右跳变。

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