CN101562189A - 薄膜晶体管阵列面板和所述薄膜晶体管阵列面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；在基板上沿第一方向延伸的栅极线；设置在基板上的数据线，数据线与栅极线相交且该数据线与栅极线之间具有绝缘层，并且数据线在第二方向上延伸；包括连接到栅极线的控制端子、连接到数据线的输入端子、以及输出端子的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的彩色滤光片，彩色滤光片具有对应于薄膜晶体管的输出端子的开口；设置在彩色滤光片的开口中的光线阻挡件，光线阻挡件露出薄膜晶体管的输出端子的第一端部的第一区域，并且具有包围第一区域的圆周的输出端子光线阻挡部分；以及设置在光线阻挡件以及彩色滤光片上的像素电极，像素电极接触输出端子的第一区域。

Description

薄膜晶体管阵列面板和所述薄膜晶体管阵列面板的制造方法

相关申请的交叉引用

本申请主张于2008年4月15日提出申请的韩国专利申请第10-2008-0034876号的优先权和利益，该申请在此整体并入本文供参考。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)是一种最广泛使用的平板显示器，而LCD包括：一对面板，所述面板设置有场发生电极，例如，像素电极和共用电极；以及设置在两个面板之间的液晶(LC)层。当电压施加到场发生电极以在LC层中产生电场，从而确定该LC层中的LC分子的取向以调节入射光的偏振时，LCD显示图像。

此液晶显示器还包括彩色滤光片，以利用传输到液晶层的光线显示色彩，而彩色滤光片通常设置在具有共用电极的显示面板上。由于彩色滤光片通常包括红色、绿色和蓝色滤光片，所以彩色滤光片应该排列成在对准两个显示面板时面对相应的像素。然而，因为考虑到偏差容限，限定对应于像素的开口的光线阻挡件的面积可能很宽，所以开口的尺寸可能减小，使得像素的孔径比可能降低。

为了解决此问题，已经提出了其中彩色滤光片形成于具有薄膜晶体管的显示面板上的技术。当彩色滤光片形成于薄膜晶体管阵列面板上时，应该去除彩色滤光片的一部分以形成接触孔，像素电极通过所述接触孔可以连接到薄膜晶体管的漏电极，并且彩色滤光片的侧壁可以形成有平滑的斜面。然而，LC分子的布置由于倾斜部分可能会异常地发生变形，从而产生光线泄漏。为了阻止光线的泄漏，漏电极可以形成得较宽，但这可能会使孔径比下降。

发明内容

本发明提供一种可以提供用于提高孔径比的薄膜晶体管阵列面板。

本发明还提供一种制造所述薄膜晶体管的方法。

本发明的其它特征将在以下说明中阐述且从该说明中将部分清楚呈现，或者可以通过本发明的实施获悉。

本发明还公开了一种薄膜晶体管面板，所述薄膜晶体管面板包括：基板；在基板上沿第一方向延伸的栅极线；设置在基板上的数据线，数据线与栅极线相交并绝缘，并且在第二方向上延伸；包括连接到栅极线的控制端子、连接到数据线的输入端子以及输出端子的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的彩色滤光片，所述彩色滤光片具有对应于薄膜晶体管的输出端子的开口彩色滤光片；设置在彩色滤光片的开口中的光线阻挡件，光线阻挡件露出薄膜晶体管的输出端子的第一端部的第一区域，并且具有包围第一区域的输出端子光线阻挡部分；以及设置在光线阻挡件以及彩色滤光片上的像素电极，像素电极接触输出端子的第一区域。

本发明还公开了一种用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括步骤：形成在第一方向上延伸的栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体；形成在与第一方向相交的第二方向上延伸的数据线、以及漏电极；在数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成彩色滤光片，彩色滤光片具有露出漏电极的第一端部的开口；形成漏电极光线阻挡件，所述漏电极光线阻挡件露出漏电极的第一端部的第一区域，并且包围彩色滤光片的开口中的第一区域的圆周；在彩色滤光片和漏电极光线阻挡件上形成覆盖层；通过覆盖层和钝化层的光刻加工形成露出漏电极的第一区域的接触孔；以及形成通过接触孔连接到漏电极的像素电极。

应该理解，前述总体说明和以下详细的说明是示例性和解释性的，且其目的是提供所主张的本发明的进一步说明。

附图说明

包括用以提供本发明的进一步理解且并入及组成此说明书的一部分的附图显示本发明的实施例，并与说明一起用于说明本发明的原理。

图1是根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板的布置视图；

图2是沿图1的线II-II剖开的横截面视图；

图3是沿图1的线III-III剖开的横截面视图；

图4是沿图1的线IV-IV剖开的横截面视图；

图5是只显示图1中所示的薄膜晶体管阵列面板中的光线阻挡件的布置视图；

图6是放大根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板中的漏电极的一个侧面的放大的横截面的布置视图；以及

图7和图8是显示根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程中的中间步骤的横截面视图。

具体实施方式

下面将参照显示本发明的实施例的附图更充分地说明本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，且不应该被认为是对在此说明的实施例的限制。反之，提供这些实施例是为了使得此公开内容全面并将本发明的范围完全传达给本领域的普通技术人员。在图中，为清晰起见放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。图中相同的附图标记表示相同的元件。

应该理解，当元件或层被称为在另一元件或层“之上”或“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在其它元件或层上或直接连接到其它元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在另一元件或层上”或“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。

下面，将详细说明根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板。图1是根据本发明的第一示例实施例的薄膜晶体管阵列面板的布置视图，而图2、图3和图4分别是沿图1的线II-II、III-III和IV-IV剖开的横截面视图。

在根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板中，多个栅极线121和多个储存电极线131形成于可以由透明玻璃制成的绝缘基板110上。

栅极线121传递栅极信号且基本上在横向方向上延伸。每个栅极线121都包括形成栅电极124a和124b的多个突起、以及具有大面积以与另一层或外部驱动电路连接的端部129。储存电极线131设置在两个相邻的栅极线121之间且在横向方向上基本平行于栅极线121延伸，并且接收施加到共用电极的诸如共用电压Vcom的电压。储存电极线131包括形成多个储存电极137的多个突起、以及可防止光线泄漏并增加储存线131的面积的多个分支133a和133b。

栅极线121和储存电极线131可以具有包括两个具有不同物理性质的导电层(未显示)的多层结构。两个导电层中的一个可以由诸如含铝金属、含银金属或含铜金属的低电阻率金属制成，以减少栅极线121和储存电极线131中的信号延迟和电压下降。另一个导电层可以由具有与诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的其它金属良好的接触特性的诸如含钼金属、Cr、Ti或Ta的材料制成。对于这些组合的实例，可以形成铬下层和铝或铝合金上层、以及铝或铝合金下层和钼或钼合金上层。然而，栅极线121和储存电极线131也可以由各种其它的金属或导电体制成。

栅极线121和储存电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，所述侧面的倾斜角度可以为大约30°到80°。

可以由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)制成的栅极绝缘层140形成于栅极线121和储存电极线131上。

可以由氢化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的多个半导体带151l和151r成对地形成于栅极绝缘层140上。半导体带151l和151r基本上在垂直方向上延伸，并包括分别朝向栅电极124a和124b延伸的多个突起154a和154b。

多个欧姆接触带161l和161r以及岛状部(island)165a和165b形成于半导体带151l和151r上。欧姆接触带161l和161r以及岛状部165a和165b可以由诸如n+氢化非晶硅或硅化物的材料制成，在所述n+氢化非晶硅中以高浓度掺杂有诸如磷的n型杂质。欧姆接触带161l和161r分别包括多个突起163a和163b，突起163a和163b以及欧姆接触岛165a和165b分别成对地形成并设置在半导体带151l和151r的突起154a和154b上。

半导体151l和151r以及欧姆接触部161l、161r、165a和165b相对于基板110的表面倾斜，且所述半导体和所述欧姆接触部的倾斜角度为大约30°到80°。

多个左侧和右侧数据线171l和171r以及多个第一和第二漏电极175a和175b形成于欧姆接触部161l、161r、165a和165b上。在此，欧姆接触带161l和161r以及半导体带151l和151r分别设置在左侧数据线171l和右侧数据线171r的下方。

数据线171l和171r传输数据电压，并且基本在垂直方向上延伸且同时与数据线121和储存电极线131相交。每个数据线171l和171r都包括朝向栅电极124a和124b弯曲并具有“U”形的多个源电极173a和173b、以及连接到其它层或外部驱动电路的端部179l和179r。

漏电极175a和175b分别与数据线171l和171r分隔开，并且相对于栅电极124a和124b面对源电极173a和173b。每个漏电极175a和175b都包括连接到各自的子像素电极191a和191b并具有宽面积的第一端部以及具有杆形的第二端部。漏电极175a和175b的第二端部分别由具有“U”形的源电极173a和173b包围。

栅电极124a和124b、源电极173a和173b以及漏电极175a和175b分别与半导体154a和154b一起形成薄膜晶体管Qa和Qb，并且薄膜晶体管Qa和Qb的通道在源电极173a和173b与漏电极175a和175b之间形成于半导体154a和154b中。

数据线171l和171r以及漏电极175a和175b可以具有包括难熔金属层(未显示)和低电阻导电层(未显示)的多层结构。

例如，多层结构可以包括双层或三层，所述双层包括为铬、钼或其合金的下层以及铝或铝合金上层，所述三层包括为钼或钼合金的下层、铝或铝合金中间层以及钼或钼合金上层。然而，数据线171l和171r以及漏电极175a和175b可以由各种其它金属或导体制成。

与栅极线121和储存电极线131一样，数据线171l和171r以及漏电极175a和175b的侧面可以相对于基板110的表面倾斜，且所述侧面的倾斜角度可以为大约30°到80°。

钝化层180形成于数据线171l和171r以及漏电极175a和175b上。钝化层180可以由氮化硅或氧化硅制成。

多个彩色滤光片230形成于钝化层180上。彩色滤光片230每个都可以具有红色、绿色和蓝色中的一种颜色。彩色滤光片230可以在两个数据线171l和171r之间沿纵向形成有相同的颜色，且在此情况下，彩色滤光片230具有为绿色、红色和蓝色顺序的带状布置。在此，彩色滤光片230的高度可以在大约1-3μm的范围内。然而，彩色滤光片230的布置可以以各种方式改变，以在每个像素中布置不同的颜色。

彩色滤光片230具有露出漏电极175a和175b的宽端部分的多个开口231和232、露出储存电极137的多个开口233、露出靠近薄膜晶体管的通道的一部分的多个开口234、以及露出右侧和左侧数据线171l和171r的多个开口235。在此，露出储存电极137的开口233减小了储存电极137和像素电极190之间的距离，且虽然储存电极137的面积减小，但可以充分获得在该储存电极之间产生的存储电容。如果需要可以省略开口233。

光线阻挡件220形成于钝化层180上。光线阻挡件220设置在彩色滤光片230的开口231、232、233、234和235中。因此，如图5所示，光线阻挡件220包括在纵向上设置在数据线171l和171r上的第一部分221、设置在储存电极线131的上方和下方的第二部分223a和223b、靠近漏电极175a和175b的扩大端部设置的第三部分225a和225b、以及覆盖薄膜晶体管Qa和Qb的通道的第四部分227a和227b。

第一部分221覆盖数据线171l和171r，并根据数据线171l和171r在纵向上延伸。具体地，第一部分221设置有带形状，以限定不同颜色的彩色滤光片230之间的空间。第二部分223a和223b设置在储存电极137的上方和下方，并在横向上平行于储存电极137形成，使得所述第二部分连接在第一部分221之间。第三部分225a和225b设置在漏电极175a和175b的端部上，且当显示在平坦表面上时具有包围漏电极175a和175b的端部的形状。第三部分225a和225b的形状可以改变，例如，可以为如图1所示的四边形形状、八边形形状或圆形。

依此方式，因为第一部分221在纵向上延伸，所以可以防止在数据线171l和171r附近产生光线泄漏。另外，第二部分223a和223b相邻于储存电极137设置。因此，可以减小出现由于彩色滤光片230的开口233露出储存电极137造成液晶胞间隙变得不均匀的面积，且光线阻挡件可防止在储存电极附近产生光线泄漏，使得储存电极的面积减小，从而可以提高孔径比。另外，第三部分225a和225b形成于设置接触孔185a和185b使得可以减小接触孔附近的液晶胞间隙变得不均匀的面积的一部分上，漏电极175a和175b通过所述接触孔连接到像素电极，并且光线阻挡件可防止在接触孔附近产生光线泄漏，使得可以减小漏电极的面积，从而可以提高孔径比。

光线阻挡件220进一步包括设置在薄膜晶体管Qa和Qb上的第四部分227a和227b。第四部分227a和227b防止光线入射到薄膜晶体管Qa和Qb的通道。在图中，第四部分227a和227b与第一部分221分隔开并具有岛状，但所述第四部分也可以连接到第一部分221。

在此，光线阻挡件220的高度可以与彩色滤光片230的高度几乎相同，然而，如果光线阻挡件220的高度小于1.5μm，则可能降低光线阻挡件220防止光线传输的能力。因此，光线阻挡件220的高度应该大于1.5μm。光线阻挡件220的宽度可以改变，然而，如果光线阻挡件220的宽度很窄，则可能出现光线泄漏，而如果其宽度很宽，则孔径比可能会变差。因此，需要适当的宽度。下面将参照图6详细说明光线阻挡件220的宽度，特别是第三部分225a和225b的宽度。

覆盖层250形成于光线阻挡件220和彩色滤光片230上。覆盖层250在第二部分223a和223b之间形成于覆盖储存电极137的钝化层180上。在光线阻挡件220的第三部分225a和225b上去除覆盖层250，从而露出第三部分225a和225b。因此，在有源区域中可防止覆盖层250和钝化层180之间形成接触。当覆盖层250和钝化层180彼此接触时，由于两层之间的粘接应力可能造成覆盖层250升高，而防止此现象可以提高加工产量。覆盖层250可以由诸如氧化硅、氮化硅的无机绝缘材料、或有机绝缘材料制成。

覆盖层250和钝化层180具有分别露出数据线171l和171r的端部179l和179r的多个接触孔182l、182r，而钝化层180具有露出漏电极175a和175b的端部的多个接触孔185a和185b。另外，覆盖层250、钝化层180以及栅极绝缘层140具有露出栅极线121的端部129的多个接触孔181。接触孔185a和185b设置在第三部分225a和225b的内部，并通过同时刻蚀覆盖层250和钝化层180形成。

多个第一和第二子像素电极191a和191b以及多个接触辅助部(contact assistant)81、82l和82r形成于覆盖层250上。所述第一和第二子像素电极以及所述接触辅助部由例如ITO或IZO的透明导电材料制成。

第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过接触孔185a和185b分别连接到漏电极175a和175b，并且数据电压从漏电极175a和175b施加到第一和第二子像素电极191a和191b。

施加有数据电压的两个子像素电极191a和191b与共用电极一起产生电场，以确定设置在电极191和270之间的液晶层的液晶分子的取向。在此，因为第一子像素电极191a通过左侧数据线171l接收数据电压，而第二子像素电极191b通过右侧数据线171r接收数据电压，所以可以将不同的电压施加到该第一和第二子像素电极上。这样，如果施加不同的电压，则相应区域的液晶的布置变得不同。因此，当适当地调节施加到第一和第二子像素电极191a和191b的电压时，可以使从侧面观看到的图像尽可能地与从正面观看到的图像一样。也就是说，可以改进液晶显示器的侧面可视性。在此，施加到第一子像素电极191a和第二子像素电极191b中具有较宽面积的第一子像素电极191a的电压的绝对值应该高于施加到第二子像素电极191b的电压的绝对值，以便改进侧面可视性。

第一子像素电极191a具有多个切除部分，且该切除部分和第一子像素电极191a与第二子像素电极191b之间的间隙94与形成于显示面板(未显示)上的共用电极(未显示)的切除部分一起产生电场的水平分量，以控制液晶的布置操作，其中所述显示面板面对薄膜晶体管阵列面板或形成于共用电极上的突起(未显示)。

子像素电极191a和191b以及共用电极形成电容器(此后称为“液晶电容器”)，以便即使在薄膜晶体管被截止后也能保持施加的电压。为了提高电压储存能力，并联连接到液晶电容器的储存电容器通过重叠第一和第二子像素电极191a和191b以及储存电极线131形成，在此，因为在储存电极137以及第一和第二子像素电极191a和191b之间不存在彩色滤光片230，所以可以增加储存电容器的电容。如果储存电容器的电容小，则可以省略光线阻挡件220的第二部分223a和223b。在此情况下，彩色滤光片230设置在第一和第二子像素电极191a和191b与储存电极137之间，从而可以降低储存电容器的电容。由于储存电容的减少可能会增加反冲电压，但这可以通过减小薄膜晶体管的尺寸以降低在该薄膜晶体管的栅电极和漏电极之间产生的寄生电容来解决，或者通过采用具有大介电比的液晶材料以增加液晶电容来解决。

形成一个像素电极的一对第一和第二子像素电极191a和191b彼此接合且该第一和第二子像素电极之间具有间隙94。像素电极191的形状可以改变。

接下来，将参照图6说明与形成接触孔185a和185b的光线阻挡件的去除区域的宽度(或直径)相关的光线阻挡件的第三部分225a和225b的宽度(或直径)以及漏电极175a和175b的端部的宽度(或直径)。在此，直径应用到其中光线阻挡件的第三部分225a和225b、漏电极的端部、以及光线阻挡件的去除区域中的至少一个为图6中的虚线表示的圆形的情况中。

如上所述，根据本发明的示例实施例，第三部分225a和225b形成于漏电极175a和175b的圆周上，使得漏电极175a和175b的面积可以减小，从而可以提高孔径比。然而，在不考虑通过考虑曝光装置的处理能力、以及由于在不形成第三部分225a和225b的情况下的开口所形成的彩色滤光片230的倾斜表面所设置的误差容限的情况下也可以获得此效果。当未形成第三部分225a和225b时，接触孔和彩色滤光片的开口之间的间隔可以为大约3μm，而从彩色滤光片的开口到漏电极的端部的边缘的间隔可以为大约6μm。然而，与本发明的所述示例实施例一样，第三部分225a和225b形成于漏电极175a和175b上，使得漏电极175a和175b可以形成有与彩色滤光片230的开口的面积几乎相同或稍小的面积。在本发明的一种示例实施例中，考虑到曝光装置的对准误差，接触孔185a和185b的宽度(或直径)可以在5-25μm的范围内，漏电极175a和175b的宽度(或直径)可以在5-35μm的范围内，以及第三部分225a和225b的宽度(或直径)可以在15-60μm的范围内。在此，光线阻挡件220的第三部分225a和225b比漏电极175a和175b稍微宽一些，使得光线阻挡件220的第三部分225a和225b可以覆盖漏电极175a和175b的边界。

接下来，将详细说明包括这些元件的薄膜晶体管阵列面板的制造方法。

图7和图8是显示根据本发明的示例实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程中的中间步骤的横截面视图。

首先，如图1和图7所示，将例如铝-钕(AlNd)或钼(Mo)的金属层沉积到绝缘基板110上，并通过光刻加工形成图案，以形成包括栅电极124a和124b以及端部129的栅极线121、包括分支133a和133b以及储存电极137的储存电极线131。

接下来，栅极绝缘层140形成于栅极线121和储存电极线131上，顺序沉积半导体层、欧姆接触层、数据金属层以及抗蚀膜，并且抗蚀膜通过利用半色调掩模由光学处理形成图案，以形成在不同区域中具有不同厚度的抗蚀膜图案。在此，在抗蚀膜图案中，与数据线171l和171r以及漏电极175a和175b的部分相对应的区域的厚度较厚，而与源电极173a和173b与漏电极175a和175b之间的部分相对应的区域的厚度较薄。接下来，数据金属层、欧姆接触层以及半导体层通过利用抗蚀膜图案作为蚀刻掩模被蚀刻，以形成初步的数据线、初步的欧姆接触部以及多个半导体带151l和151r(参加图3)，并将抗蚀膜图案灰化，以去除与源电极173a和173b与漏电极175a和175b之间的部分相对应的抗蚀膜图案之中的薄部分。然后，利用灰化的抗蚀膜图案作为蚀刻掩模蚀刻初步的数据线和初步的欧姆接触部，以形成多个数据线171l和171r和多个漏电极175a和175b、以及在下面的多个欧姆接触部161l，161r，165a和165b。

接下来，钝化层180形成于数据线171l和171r以及漏电极175a和175b上。

然后，重复涂敷、曝光以及显影包括色素的抗蚀剂，以形成包括多个开口231、232、233、234和235的彩色滤光片230。

然后，涂敷、曝光和显影包括分散的黑色色素的抗蚀剂，以形成包括在彩色滤光片230的开口231，232，233，234和235中的第一部分221、第二部分223a和223b、第三部分225a和225b以及第四部分227a和227b的光线阻挡件220。当形成由没有感光性的有机材料制成的光线阻挡件220时，光线阻塞件220通过光刻加工形成图案。

覆盖层250形成于彩色滤光片230和光线阻挡件220上。

接下来，如图8所示，露出光线阻挡件220的第三部分225a和225b上的覆盖层250的抗蚀膜图案PR形成于覆盖层250上，覆盖层250和钝化层180通过光刻加工顺序形成图案，以在包围第三部分225a和225b的部分上形成接触孔185a和185b。在此，去除第三部分225a和225b上的覆盖层250，使得可防止覆盖层250和钝化层180彼此接触。

然后，第一和第二子像素电极191a和191b以及接触辅助部81，82l和82r形成于覆盖层250上(参见图1)。

根据本发明的示例实施例，光线阻挡件包围接触孔，使得可以减小接触孔圆周上的液晶胞间隙变得不均匀的面积，并且光线阻挡件可防止在接触孔的圆周处产生光线泄漏，使得可以减小漏电极的面积，从而可以提高孔径比。

另外，根据本发明的示例实施例，当去除储存电极上的彩色滤光片以充分形成储存电容时，光线阻挡件形成于储存电极的圆周上，使得可以减小液晶胞间隙变得不均匀的面积，并且光线阻挡件可以防止储存电极的附近的光线泄漏，使得储存电极具有窄面积，从而可以提高孔径比。

本领域的普通技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神或范围的前提下可以在本发明中做出各种改进和变更。因此，本发明的目的是涵盖在附属权利要求及其等效形式的范围内的本发明的改进和变更方式。

Claims (18)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

栅极线，所述栅极线在所述基板上沿第一方向延伸；

数据线，所述数据线设置在所述基板上，所述数据线与所述栅极线相交并绝缘，并且在第二方向上延伸；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括连接到所述栅极线的控制端子、连接到所述数据线的输入端子、以及输出端子；

彩色滤光片，所述彩色滤光片设置在所述薄膜晶体管上，所述彩色滤光片包括对应于所述薄膜晶体管的所述输出端子的开口；

光线阻挡件，所述光线阻挡件设置在所述彩色滤光片的所述开口中，所述光线阻挡件露出所述薄膜晶体管的所述输出端子的第一端部的第一区域，并且包括包围所述第一区域的输出端子光线阻挡部分；以及

像素电极，所述像素电极设置在所述光线阻挡件和所述彩色滤光片上，所述像素电极接触所述输出端子的所述第一区域。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

覆盖层，所述覆盖层包括布置在所述彩色滤光片和所述像素电极之间以及所述光线阻挡件和所述像素电极之间的无机绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

钝化层，所述钝化层包括布置在所述彩色滤光片和所述薄膜晶体管之间以及所述光线阻挡件和所述薄膜晶体管之间的无机绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述输出端子光线阻挡部分覆盖所述输出端子的所述第一端部的边界。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一区域的宽度或半径在5-25μm的范围内，所述输出端子的所述第一端部的宽度或半径在5-35μm的范围内，以及所述输出端子光线阻挡部分的宽度或半径在15-60μm的范围内。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述光线阻挡件具有沿所述数据线延伸的信号线部分，并且所述彩色滤光片被所述信号线部分分成两个区域，所述两个区域具有彼此不同的颜色。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

在所述第一方向上延伸并包括储存电极的储存电极线，其中所述光线阻挡件包括与所述信号线部分一起包围至少一部分所述储存电极的储存电极光线阻挡部分。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述光线阻挡件包括覆盖所述薄膜晶体管的薄膜晶体管部分。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述输出端子光线阻挡部分覆盖所述输出端子的所述第一端部的边界。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一区域的宽度或半径在5-25μm的范围内，所述输出端子的所述第一端部的宽度或半径在5-35μm的范围内，以及所述输出端子光线阻挡部分的宽度或半径在15-60μm的范围内。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述数据线包括第一数据线和第二数据线；

所述薄膜晶体管包括具有连接到所述第一数据线的输入端子的第一薄膜晶体管以及具有连接到所述第二数据线的输入端子的第二薄膜晶体管；以及

所述像素电极包括连接到所述第一薄膜晶体管的输出端子的第一子像素电极以及连接到所述第二薄膜晶体管的输出端子的第二子像素电极。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述光线阻挡件的所述输出端子光线阻挡部分包括包围所述第一薄膜晶体管的输出端子的第一输出端子光线阻挡部分以及包围所述第二薄膜晶体管的输出端子的第二输出端子光线阻挡部分。

13.一种用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括步骤：

形成在第一方向上延伸的栅极线；

在所述栅极线上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体；

形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的数据线、以及漏电极；

在所述数据线和所述漏电极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成彩色滤光片，所述彩色滤光片具有露出所述漏电极的第一端部的开口；

形成漏电极光线阻挡件，所述漏电极光线阻挡件露出所述漏电极的所述第一端部的第一区域，并且包围所述彩色滤光片的所述开口中的所述第一区域的圆周；

在所述彩色滤光片和所述漏电极光线阻挡件上形成覆盖层；

通过所述覆盖层和所述钝化层的光刻加工形成露出所述漏电极的所述第一区域的接触孔；以及

形成通过所述接触孔连接到所述漏电极的像素电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

通过所述覆盖层和所述钝化层的光刻加工形成露出所述漏电极的第一区域的接触孔的所述步骤包括步骤：

形成露出所述漏电极光线阻挡件上的所述覆盖层和所述覆盖层上的所述第一区域的抗蚀膜图案；

利用所述抗蚀膜图案作为蚀刻掩模蚀刻所述覆盖层，以露出所述第一区域上的所述漏电极光线阻挡件和所述钝化层；以及

利用所述抗蚀膜图案和所述漏电极光线阻挡件作为蚀刻掩模蚀刻所述第一区域上的所述钝化层。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括步骤：

当形成所述栅极线时，形成具有储存电极的储存电极线；以及

当形成所述漏电极光线阻挡件时，形成包围至少一部分所述储存电极的储存电极光线阻挡件。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括步骤：

当形成所述漏电极光线阻挡件时，形成沿所述数据线延伸的信号线光线阻挡件和覆盖所述薄膜晶体管的薄膜晶体管光线阻挡件。

17.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述漏电极光线阻挡件覆盖所述漏电极的所述第一端部的边界。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述第一区域的宽度或半径在5-25μm的范围内，所述漏电极的所述第一端部的宽度或半径在5-35μm的范围内，以及所述漏电极光线阻挡件的宽度或半径在15-60μm的范围内。

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