CN102830531B - Tft阵列基板、制造方法及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，涉及显示技术领域，以解决采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率的问题，所述TFT阵列基板包括彩色滤光层，彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在钝化层与像素电极之间或者像素电极之上，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。本发明实施例主要应用于显示领域，尤其适用于液晶显示面板。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、制造方法及液晶显示装置。
背景技术
利用薄膜晶体管来产生电压以控制液晶转向的显示器，叫做薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下简称为TFT-LCD)。TFT-LCD包括液晶面板，液晶面板由彩膜基板以及阵列基板对盒而成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。
在实现本发明的过程中，发明人发现，现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率。此外，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降。
发明内容
本发明的实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，一种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方 的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，还包括：彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。
具体的，所述彩色滤光层中至少一种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述像素电极之上。
进一步，具体的，所述第一滤光层和所述第二滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述第一滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第二滤光层和所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述钝化层与所述像素电极之间。
进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，所述TFT的源极和漏极的下方均设有欧姆接触层。
进一步的，为了防止漏光，所述数据线的两侧设置有遮光条。
另一方面，本发明实施例还提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接 触孔和第一滤光层的图形；在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成透明导电层和第二树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第二滤光层的图形；在具有像素电极和第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
进一步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
另一方面，本发明实施例还提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形；在具有所述第二滤光层的图形基板上依次形成透明导电层和第三树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成 数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
进一步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
另一方面，本发明实施例还提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；在所述具有钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形；在具有所述第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形；在具有所述第三滤光层的图形的基板上形成透明导电层，通过构图工艺形成像素电极的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
进一步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
另一方面，本发明实施例还提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层、沟道结构、钝化层接触孔的图形的基板上依次形成透明导电层和第一树脂层，通过构图工 艺形成像素电极和第一滤光层的图形；在具有所述像素电极和第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形；
在具有所述第二滤光层的图形基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
进一步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
另一方面，本发明实施例还提供一种液晶显示装置，其特征在于，包括上述的TFT阵列基板。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板的俯视图；
图2为图1中A-A’的剖面图一；
图3为图1中A-A’的剖面图二；
图4为图1中A-A’的剖面图三；
图5为图1中A-A’的剖面图四；
图6为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图一；
图7为图6所示的TFT阵列基板的制造方法中步骤301的流程图；
图8为图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3011完成后基板的结构示意图；
图9为图8中A-A’的剖面图；
图10为图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成过程中的构示意图一；
图11为在图10基础上执行图6提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成过程中的构示意图二；
图12为图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成后基板的结构示意图；
图13为图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成过程中的构示意图一；
图14为在图13基础上执行图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成过程中的构示意图二；
图15为图7提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成后基板的结构示意图；
图16为图6提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤302完成后基板的结构示意图；
图17为图6提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤303完成后基板的结构示意图；
图18为图6提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤304完成后基板的结构示意图；
图19为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图二；
图20为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图三；
图21为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图四。
图中标记：1-基板；2-栅线；3-数据线；4-栅极；5-源极；6-漏极；8-栅极绝缘层；9-有源层；10、欧姆接触层；11-钝化层；12-像素电极；13-半导体层；14-第一树脂层；15-沟道；16-钝化层接触孔；17-遮挡条；18-第一滤光层；19-第二滤光层；20-第三滤光层。
具体实施方式
本发明实施例提供一种阵列基板的结构及制造方法，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
实施例一
如图1和图2-图5所示，本发明实施例提供的TFT阵列基板，包括基板1， 以及在基板上形成的栅线2、数据线3、与栅线2相连的栅极4、源极5、漏极6、栅极绝缘层8、有源层9、钝化层11以及像素电极12，其中相互垂直的栅线2与数据线3定义了子像素区域，由栅极4、源极5、漏极6、栅极绝缘层8以及有源层9构成TFT，该TFT的栅极4与栅线2相连、该TFT的源极5与数据线3相连、该TFT的漏极6与像素电极12相连，TFT与像素电极12形成在子像素区域当中，TFT与像素电极12形成一个子像素；栅线2负责向TFT提供开启或关闭信号，而数据线3对像素电极12提供数据信号。
本实施例提供的TFT阵列基板还包括彩色滤光层，该彩色滤光层形成在对应所述像素电极12的区域中，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层18、第二滤光层19以及第三滤光层20，每种基色的滤光层设置在所述钝化层11与所述像素电极12之间或者所述像素电极12之上，所述第一滤光层18、所述第二滤光层19以及所述第三滤光层20对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层，在阵列基板上可以包括多个由三个相邻子像素构成的像素。
值得说明的是，所述三种基色的滤光层可以包括红色滤光层、绿色滤光层以及蓝色滤光层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层为三种不同基色的滤光层，所述第一滤光层为所述三种基色的滤光层中的任一种基色的滤光层，所述第二滤光层为所述三种基色的滤光层中的任一种基色的滤光层，所述第三滤光层为所述三种基色的滤光层中的任一种基色的滤光层。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加 了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
具体的，如图2-图4所示，所述彩色滤光层中至少一种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，如图5所示，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层，即第一滤光层18、第二滤光层19以及第三滤光层20，均设置在所述像素电极之上。
进一步，具体的，如图3所示，所述第一滤光层18和所述第二滤光层19设置在所述钝化层11与所述像素电极之间，所述第三滤光层20设置在所述像素电极12之上。可选的，如图4所述第一滤光层18设置在所述钝化层11与所述像素电极12之间，所述第二滤光层19和所述第三滤光层20设置在所述像素电极12之上。可选的，如图2所示，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层，即第一滤光层18、第二滤光层19以及第三滤光层20，均设置在所述钝化层11与所述像素电极12之间。
进一步的，如图2-图5所示，为了降低源极5、漏极6与有源层9之间的接触电阻，所述TFT的源极5和漏极6的下方均设有欧姆接触层10。
进一步的，如图1和图2-图5所示，为了防止漏光，所述数据线3的两侧设置有遮光条17。
值得说明的是，对于图3和图4所示的TFT阵列基板，由于在钝化层11与像素电极12之间以及像素电极12之上均设有彩色滤光层的三种基色的滤光层，在制造该TFT阵列基板的过程中，可以将形成滤光层的树脂层作为光刻胶来使用，即直接通过曝光和显影的工序形成滤光层的图形，从而不需要再进行后续的剥离工序，从而可以用更少的制备工序即可完成内置有彩膜结构的TFT阵列 基板，其制造工艺步骤简单。
对应于上述TFT阵列基板，本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括图1和图2-图5所示的TFT阵列基板。
本发明的实施例提供的液晶显示装置，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
实施例二
对应于图2所示的TFT阵列基板，本发明实施例提供一种TFT阵列基板的制造方法，如图6所示，包括：
301、在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形。
在本实施例中，如图7所示，所述步骤301具体包括：
3011、用同一块掩膜板通过构图工艺在基板上形成包括栅极与栅线的图形。
具体的，如图8和图9，采用磁控溅射或者热蒸发的方法在基板1上沉积一层 至 的金属薄膜。通过第一次掩膜工艺形成包括栅线2、栅电极4的图形。金属薄膜的材料可以使用钨、钛、钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可使用上述几种材料薄膜的组合；所述基板可采用玻璃、石英或者其他适合材料。
进一步的，如图8和图9，为了防止漏光，在形成栅线以及与所述栅线相连 的栅极的图形的同时，还形成有遮光条图形遮光条17的图形。
3012，在完成步骤3011的基板上形成栅极绝缘层、有源层、源/漏极、数据线以及沟道结构的图形。
具体的，如图10、图11和图12所示，使用等离子体加强化学气相沉积的方法(PECVD)在基板上沉积厚度为 至 的薄膜作为栅极绝缘层8，其中，栅极绝缘层8可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。
在形成栅绝缘层8的基板上用化学沉积的方法沉积厚度为 至 的半导体层13，然后再使用磁控溅射或者热蒸发的方法在基板1上沉积一层 至 的源/漏金属薄膜。其中，半导体层为非晶硅薄膜，对应的反应气体可以是SiH4、N2的混合气体或SiH2、Cl2、N2的混合气体。
然后再涂敷上光刻胶，采用半色调或带有狭缝的灰色调掩模板曝光形成半曝光区域、未曝光区域与完全曝光区域。其中，完全曝光区域对应于硅岛以外的其他区域，半曝光区域对应于沟道的部分，未曝光区域对应于源/漏极和数据线区域。在显影过程完成之后，完全曝光区域光刻胶被完全去除，未曝光区域的光刻胶被完全保留，半曝光区域的光刻胶被部分保留，通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的源/漏极金属薄膜以及半导体层，形成有源层9、源极5、漏极6与数据线3的图形，然后通过灰化工艺去除掉半曝光区域的光刻胶，显露出沟道部分的源/漏极金属薄膜，再通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉半曝光区域的源/漏极金属薄膜，最终形成源极5、漏极6与沟道15部分的图形，最后将光刻胶进行剥离。
进一步的，如图10、图11和图12所示，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图 形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
具体的，在形成栅绝缘层8和半导体层13的基板上用化学沉积的方法沉积厚度为 至 的欧姆接触层10，可以在即将形成的硅岛形貌允许的情况下适当增加膜厚，然后再使用磁控溅射或者热蒸发的方法在基板1上沉积一层 至 的源/漏金属薄膜。
然后再涂敷上光刻胶，采用半色调或带有狭缝的灰色调掩模板曝光形成半曝光区域、未曝光区域与完全曝光区域。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的源/漏极金属薄膜、欧姆接触层以及半导体层，形成有源层9、源极5、漏极6与数据线3的图形，然后通过灰化工艺去除掉半曝光区域的光刻胶，显露出沟道部分的源/漏极金属薄膜，再通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉半曝光区域的源漏金属薄膜、欧姆接触层，最终形成源极5、漏极6与沟道15部分的图形，最后将光刻胶进行剥离。
3013，在完成步骤3012的基板上形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层。
具体的，如图13、图14和图15所示，首先，采用等离子体加强化学气相沉积的方法(PECVD)在基板上沉积厚度为 至 的钝化层11，其中，钝化层可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。
再在沉积有钝化层11的基板1的基础上涂敷上第一树脂层14，在本实施例中，所述第一树脂层以红色树脂层为例进行详细说明。
如图14所示，采用半色调或带有狭缝的灰色调掩模板曝光形成不曝光区域A、完全曝光区域B和半曝光区域C。其中A对应于像素区域，B对应于接触 孔区域，C对应于器件区与非红色彩膜区域。再经过干法刻蚀与灰化过程，在部分像素区域形成了第一滤光层18，即红色滤光层。通过一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的第一树脂层14和钝化层11，形成钝化层接触孔16，然后通过灰化工艺去除掉半曝光区域的第一树脂层14，显露出钝化层11。
302，在具有钝化层接触孔和第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形。
具体的，如图16所示，涂敷一层第二树脂层，在本实施例中以绿色树脂层为例进行详细说明，对涂敷有绿色树脂层的基板进行曝光和显影操作，使只有与红色像素树脂部分相邻区域被绿色树脂层覆盖以形成绿色滤光层(即第二滤光层19)，其余区域的绿色树脂层被显影。
303、在具有第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形。
具体的，如图17所示，涂敷一层第三树脂层，在本实施例中以蓝色树脂层为例进行详细说明，对涂敷有蓝色树脂层的基板进行曝光和显影操作，使只有与绿色像素树脂部分相邻区域被蓝色树脂层覆盖以形成蓝色滤光层(即第三滤光层20)，其余区域的蓝色树脂层被显影。
304、在具有第三滤光层的图形的基板上形成透明导电层，通过构图工艺形成像素电极的图形。
具体的，如图18，采用磁控溅射或者热蒸发的方法，沉积一层厚度为 至 的透明导电层，其中透明导电层可以采用氧化铟锡(简称ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。通过掩膜构图将所述透明导电层刻蚀形成像素电极12。
值得说明的是，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为 三种不同基色的树脂层，所述三种不同基色的树脂层包括红色树脂层、蓝色树脂层以及绿色树脂层；在本实施例中，以第一树脂层为红色树脂层、第二树脂层为绿色树脂层、第三树脂层为蓝色树脂层为例进行详细说明的，但是，第一树脂层、第二树脂层以及第三树脂层的具体基色并限于上述的描述，只需要三种树脂层为不同基色的树脂层即可，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
实施例三
对应于图3所示的TFT阵列基板，本发明实施例提供一种TFT阵列基板的制造方法，如图19所示，包括：
501、在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形。
其中，步骤501的具体实现方式与上述步骤301相同，此处不再赘述。
502、在具有钝化层接触孔和第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形。
其中，步骤502的具体实现方式与上述步骤302相同，此处不再赘述。
503、在具有第二滤光层的图形基板上依次形成透明导电层和第三树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第三滤光层的图形。
具体的，采用磁控溅射或者热蒸发的方法，沉积一层厚度为 至 的透明导电层，透明导电层可以采用氧化铟锡(简称ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。在此基础上涂敷上第三树脂层，在本实施例中第三树脂层为包含蓝色基色的树脂薄膜，即蓝色树脂层，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板曝光形成不曝光区域、完全曝光区域与半曝光区域，在显影之后进行湿刻与灰化操作，可以得到第三组像素电极的蓝色彩膜部分，即第三滤色层。
通过步骤503，得到图3所示的TFT阵列基板的结构。
值得说明的是，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层，所述三种不同基色的树脂层包括红色树脂层、蓝色树脂层以及绿色树脂层；在本实施例中，以第一树脂层为红色树脂层、第二树脂层为绿色树脂层、第三树脂层为蓝色树脂层为例进行详细说明的，但是，第一树脂层、第二树脂层以及第三树脂层的具体基色并限于上述的描述，只需要三种树脂层为不同基色的树脂层即可，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
值得说明的是，在本实施例中，由于在钝化层与像素电极之间以及像素电极之上均设有彩色滤光层的三种基色的滤光层，在制造该TFT阵列基板的过程中，可以将形成滤光层的树脂层作为光刻胶来使用，即直接通过曝光和显影的工序形成滤光层的图形，从而不需要再进行后续的剥离工序，从而可以用更少 的制备工序即可完成内置有彩膜结构的TFT阵列基板，其制造工艺步骤简单。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
实施例四
对应于图4所示的TFT阵列基板，本实施例提供一种TFT阵列基板的制造方法，如图20所示，包括：
601、在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形。
其中，步骤601的具体实现方式与上述步骤301相同，此处不再赘述。
602、在具有钝化层接触孔和第一滤光层的图形的基板上依次形成透明导电层和第二树脂层，通过构图工艺将形成像素电极和第二滤光层的图形。
具体的，采用磁控溅射或者热蒸发的方法，沉积一层厚度为 至 的透明导电层，透明导电层可以采用氧化铟锡(简称ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。在此基础上涂敷第二树脂层，在本实施例中为包含绿色基色的树脂薄膜，即绿色树脂层，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板曝光形成不曝光区域、完全曝光区域与半曝光区域，在显影之后进行湿刻与灰化操作，可以得到第二组像素电极的绿色彩膜部分， 即第二滤光层。
603、在具有像素电极和第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形。
具体的，涂敷一层第三树脂层，在本实施例中以蓝色树脂层为例进行详细说明，对涂敷有蓝色树脂层的基板进行曝光和显影操作，使只有与绿色像素树脂部分相邻区域被蓝色树脂层覆盖以形成蓝色滤光层(即第三滤光层)，其余区域的蓝色树脂层被显影。
通过步骤603，得到图4所示的TFT阵列基板的结构。
值得说明的是，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层，所述三种不同基色的树脂层包括红色树脂层、蓝色树脂层以及绿色树脂层；在本实施例中，以第一树脂层为红色树脂层、第二树脂层为绿色树脂层、第三树脂层为蓝色树脂层为例进行详细说明的，但是，第一树脂层、第二树脂层以及第三树脂层的具体基色并限于上述的描述，只需要三种树脂层为不同基色的树脂层即可所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
值得说明的是，在本实施例中，由于在钝化层与像素电极之间以及像素电极之上均设有彩色滤光层的三种基色的滤光层，在制造该TFT阵列基板的过程中，可以将形成滤光层的树脂层作为光刻胶来使用，即直接通过曝光和显影的工序形成滤光层的图形，从而不需要再进行后续的剥离工序，从而可以用更少的制备工序即可完成内置有彩膜结构的TFT阵列基板，其制造工艺步骤简单。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由 对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
实施例五
对应于图5所示的TFT阵列基板，本发明实施例提供一种TFT阵列基板的制造方法，如图21所示，包括：
701、在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层、沟道结构、钝化层接触孔的图形的基板上依次形成透明导电层和第一树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第一滤光层的图形。
其中，具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板可以通过上述步骤3011-3012实现，此处不再赘述。所述沉积一层钝化层，具体为：采用等离子体加强化学气相沉积的方法(PECVD)在基板上沉积厚度为 至 的钝化层11，其中，钝化层可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。
具体的，在图12的基础上，采用磁控溅射或者热蒸发的方法，沉积一层厚度为 至 的透明导电层，透明导电层可以采用氧化铟锡(简称ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。在此基础上涂敷上第一树脂层，在本实施例中第一树脂层为包含红色基色的树脂薄膜，即红色树脂层，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板曝光形成不曝光区域、完全曝光区域与半曝光区域，在显影之后进行湿刻与灰化操作，可以得到第一 组像素电极的红色彩膜部分，即第一滤光层。
702、在所述具有像素电极和第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形。
具体的，涂敷一层第二树脂层，在本实施例中以绿色树脂层为例进行详细说明，对涂敷有绿色树脂层的基板进行曝光和显影操作，使只有与红色像素树脂部分相邻区域被绿色树脂层覆盖以形成绿色滤光层(即第二滤光层)，其余区域的绿色树脂层被显影。
703、在具有第二滤光层的图形基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形。
涂敷一层第三树脂层，在本实施例中以蓝色树脂层为例进行详细说明，对涂敷有蓝色树脂层的基板进行曝光和显影操作，使只有与绿色像素树脂部分相邻区域被蓝色树脂层覆盖以形成蓝色滤光层(即第三滤光层)，其余区域的蓝色树脂层被显影。
具体的，通过步骤703，得到图5所示的TFT阵列基板的结构。
值得说明的是，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层，所述三种不同基色的树脂层包括红色树脂层、蓝色树脂层以及绿色树脂层；在本实施例中，以第一树脂层为红色树脂层、第二树脂层为绿色树脂层、第三树脂层为蓝色树脂层为例进行详细说明的，但是，第一树脂层、第二树脂层以及第三树脂层的具体基色并限于上述的描述，只需要三种树脂层为不同基色的树脂层即可，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。
本发明实施例主要应用于显示领域，尤其适用于液晶显示面板。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，其特征在于，还包括：
彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；
所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层；
所述彩色滤光层中至少一种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上；
形成所述彩色滤光层的树脂层作为光刻胶来使用，直接通过曝光和显影的工序形成所述彩色滤光层的图形。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一滤光层和所述第二滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第二滤光层和所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。
4.根据权利要求1-3任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT的源极和漏极的下方均设有欧姆接触层。
5.根据权利要求1-3任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线的两侧设置有遮光条。
6.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求3所述的TFT阵列基板，该方法，包括：
在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；
在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成透明导电层和第二树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第二滤光层的图形；
在具有所述像素电极和所述第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图工艺形成第三滤光层的图形；
其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
9.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求2所述的TFT阵列基板，该方法，包括：
在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图工艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；
在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图工艺形成第二滤光层的图形；
在具有所述第二滤光层的图形基板上依次形成透明导电层和第三树脂层，通过构图工艺形成像素电极和第三滤光层的图形；
其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。
12.一种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要去1-5任一项所述的TFT阵列基板。
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