CN101557122A - 双电源选择电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种双电源选择电路，涉及模拟集成电路领域，为解决在同时连接两路电源的情况下，选择电压值高的电源进行供电的技术问题而设计。所述双电源选择电路包括：偏置电路、双电源电压比较电路、及功率选择电路；所述偏置电路，其输入为第一电源电压和第二电源电压，输出为偏置电压；所述双电源电压比较电路，其输入为所述第一电源电压、所述第二电源电压及所述偏置电压，输出为一比较信号；所述功率选择电路，其输入为所述第一电源电压、第二电源电压以及所述比较信号，输出一选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压。本发明可应用于锂离子电池充电器电路中。

Description

双电源选择电路
技术领域
本发明涉及模拟集成电路领域，特别是指一种双电源选择电路。
背景技术
在电路设计中，当两路电源同时供电时，需要对电源进行选择。如果不能正常选择电源，则可能会损害元器件。以锂离子(Li-ion)电池充电器为例。随着锂离子电池的线性充电芯片越来越集成化，充电功率管(PMOS)也被集成进线性充电器。为了缩小充电器的体积，并且降低生产成本，首选CMOS工艺。当给锂离子电池充电时，充电功率管同时连接两路电源，即充电电源和负载(待充电的电池)。充电器在上电时可能会由于上电顺序的误动作，使得充电电池的电压给PMOS管供电。当电池电压小于电源电压时，PMOS管的物理器件结构中应该反偏的二极管(Diode)正向导通，这样会损坏充电器芯片，从而导致充电器不能正常工作。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种双电源选择电路，能够在同时连接两路电源的情况下，选择电压值高的电源进行供电。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一种双电源选择电路包括：偏置电路、双电源电压比较电路、及功率选择电路；
所述偏置电路，其输入为第一电源电压和第二电源电压，输出为偏置电压；
所述双电源电压比较电路，其输入为所述第一电源电压、所述第二电源电压及所述偏置电压，输出为一比较信号，所述比较信号为所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号；
所述功率选择电路，其输入为所述第一电源电压、第二电源电压以及所述比较信号，输出一选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压。
所述偏置电路包括：第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；
所述第一PMOS管的源极和所述第一PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第一PMOS管的栅极接地，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极；
所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的衬底接地，所述第二NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极均与所述第二电源电压连接；
所述第三NMOS管的源极和所述第三NMOS管的衬底均接地，所述第三NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
优选的，所述第一PMOS管为倒比管；和/或所述第二NMOS管为倒比管。
可选的，所述偏置电路包括：第一电阻、第二电阻以及第十四NMOS管；
所述第一电阻的一端连接所述第一电源电压，所述第一电阻的另一端连接所述第十四NMOS管的漏极；
所述第二电阻的一端连接所述第二电源电压，所述第二电阻的另一端连接所述第十四NMOS管的漏极；
所述第十四NMOS管的源极和所述第十四NMOS管的衬底分别接地，所述第十四NMOS管的栅极和所述第十四NMOS管的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
所述双电源电压比较电路包括：第六PMOS管、第七PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、第十一NMOS管以及第三反相器；
所述第六PMOS管的源极和所述第六PMOS管的衬底均与所述第二电源电压连接，所述第六PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极均与所述第七PMOS管的栅极连接；
所述第七PMOS管的源极和所述第七PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第七PMOS管的漏极连接所述第九NMOS管的漏极；
所述第八NMOS管的源极和所述第八NMOS管的衬底均接地，所述第八NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压，所述第八NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极；
所述第九NMOS管的源极和所述第九NMOS管的衬底均接地，所述第九NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压，所述第九NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极；
所述第三反相器的输入端分别与所述第七PMOS管的漏极和第九NMOS管的漏极连接，所述第三反相器的输出端连接所述第十PMOS管的栅极，所述第三反相器的电源端连接所述第一电源电压，所述第三反相器的地端接地；
所述第十PMOS管的源极和所述第十PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第十PMOS管的漏极连接所述第十一NMOS管的漏极，并且输出所述比较信号；
所述第十一NMOS管的源极和所述第十一NMOS管的衬底均接地，所述第十一NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压。
正反馈电路，输入所述偏置电压和所述比较信号，输出拉电流到所述双电源电压比较电路。
所述正反馈电路包括第四NMOS管和第五NMOS管；
所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的衬底接地，所述第四NMOS管的栅极的输入为所述比较信号，所述第四NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极；
所述第五NMOS管的源极和所述第五NMOS管的衬底接地，所述第五NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压。
进一步，所述正反馈电路还包括第一反相器和第二反相器；
所述第四NMOS管的栅极通过所述第一反相器和所述第二反相器连接所述双电源电压比较电路输出的所述比较信号；
所述第一反相器的输入端的输入为所述比较信号，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第一反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第一反相器的地端接地；
所述第二反相器的输出端连接所述第四NMOS管的栅极，所述第二反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第二反相器的地端接地。
所述功率选择电路包括第四反相器、第十二PMOS管以及第十三PMOS管；
所述第四反相器的输入端连接所述比较信号，所述第四反相器的输出端连接所述第十二PMOS管的栅极，所述第四反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第四反相器的地端接地；
所述第十二PMOS管的源极连接所述第一电源电压，所述第十二PMOS管的衬底分别与所述第十二PMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的衬底和所述第十三PMOS管的漏极连接，并且输出所述选择电压；
所述第十三PMOS管的源极连接所述第二电源电压，所述第十三PMOS管的栅极连接所述双电源电压比较电路输出的所述比较信号。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，偏置电路输入第一电源电压和第二电源电压，给双电源电压比较电路提供偏置电压；双电源电压比较电路输入所述第一电源电压和所述第二电源电压以及所述偏置电压，给功率选择电路提供所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号；功率选择电路，输入所述第一电源电压、第二电源电压以及所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号，输出选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压，因此，能够在两路电源供电的情况下，选择电压高的电源为电路提供电压。
附图说明
图1是本发明所述的双电源选择电路第一实施例的结构示意图；
图2是本发明所述的双电源选择电路第二实施例的结构示意图；
图3是本发明所述的双电源选择电路第三实施例的电路结构图；
图4是本发明所述的双电源选择电路第四实施例的电路结构图；
图5是本发明所述的双电源选择电路第五实施例的电路结构图；
图6为上述实施例中反相器的电路结构图；
图7为本发明实施例所述的双电源选择电路从上电到电源切换过程中选择电压的输出波形示意图。
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例针对现有技术中当两路电源同时供电时，需要选择电压高的电源进行供电的问题，提供一种双电源选择电路。
如图1所示，为本发明所述的双电源选择电路第一实施例的结构示意图。双电源选择电路10包括：偏置电路1、双电源电压比较电路3、功率选择电路4；
所述偏置电路1，输入第一电源电压和第二电源电压，输出偏置电压；偏置电路1在任何一路电源供电时都可以工作。
所述双电源电压比较电路3，输入所述第一电源电压和所述第二电源电压以及所述偏置电压，输出为一比较信号，所述比较信号为所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号；
所述功率选择电路4，输入所述第一电源电压、第二电源电压以及所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号，输出选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压。
上述方案中，偏置电路1输入第一电源电压和第二电源电压，给双电源电压比较电路3提供偏置电压；双电源电压比较电路3输入所述第一电源电压和所述第二电源电压以及所述偏置电压，给功率选择电路4提供所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号；功率选择电路4输入所述第一电源电压、第二电源电压以及所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号，输出选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压，因此，能够在两路电源供电的情况下，选择电压高的电源为电路提供电压。
如图2所示，所述双电源选择电路10还包括：正反馈电路2，输入所述偏置电压和所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号，输出拉电流(sink)到所述双电源电压比较电路3。正反馈电路2用来使双电源电压比较电路3加速翻转，通过反馈，进一步使双电源电压比较电路3向先前的方向变化，使其电路响应速度更快。
如图3所示，是本发明所述的双电源选择电路第三实施例的电路示意图。所述偏置电路1包括：第一PMOS管M1、第二NMOS管M2以及第三NMOS管M3；
所述第一PMOS管M1的源极和所述第一PMOS管M1的衬底连接所述第一电源电压VIN1，所述第一PMOS管M1的栅极接地，所述第一PMOS管M1的漏极连接所述第二NMOS管M2的源极；优选的，在物理尺寸上所述第一PMOS管M1为倒比管，相当于大电阻，有利于降低静态功耗；
所述第二NMOS管M2的源极连接所述第三NMOS管M3的漏极，所述第二NMOS管M2的衬底接地，所述第二NMOS管M2的栅极和所述第二NMOS管M2的漏极连接所述第二电源电压VIN2；优选的，所述第二NMOS管M2为倒比管，有利于降低静态功耗。
所述第三NMOS管M3的源极和所述第三NMOS管M3的衬底接地，所述第三NMOS管M3的栅极和所述第三NMOS管M3的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
所述双电源电压比较电路3采用源极输入两路待比较电压，进行电压比较，经双端到单端变换后输出到反相器，进行整形以驱动输出驱动电路。包括：第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第八NMOS管M8、第九NMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一NMOS管M11管以及第三反相器I3；
所述第六PMOS管M6的源极和所述第六PMOS管M6的衬底连接所述第二电源电压VIN2，所述第六PMOS管M6的栅极和所述第六PMOS管M6的漏极连接所述第七PMOS管M7的栅极；
所述第七PMOS管M7的源极和所述第七PMOS管M7的衬底连接所述第一电源电压VIN1，所述第七PMOS管M7的漏极连接所述第九NMOS管M9的漏极；
所述第八NMOS管M8的源极和所述第八NMOS管M8的衬底接地，所述第八NMOS管M8的栅极连接所述偏置电路1输出的偏置电压，所述第八NMOS管M8的漏极连接所述第六PMOS管M6的漏极；
所述第九NMOS管M9的源极和所述第九NMOS管M9的衬底接地，所述第九NMOS管M9的栅极连接所述偏置电路1输出的偏置电压，所述第九NMOS管M9的漏极连接所述第七PMOS管M7的漏极；
所述第三反相器I3的输入端连接所述第七PMOS管M7的漏极和第九NMOS管M9的漏极，所述第三反相器I3的输出端连接所述第十PMOS管M10的栅极，所述第三反相器I3的电源端连接所述第一电源电压VIN1，所述第三反相器I3的地端接地；
所述第十PMOS管M10的源极和所述第十PMOS管M10的衬底连接所述第一电源电压VIN1，所述第十PMOS管M10的漏极连接所述第十一NMOS管M11管的漏极，并且输出所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号；
所述第十一NMOS管M11管的源极和所述第十一NMOS管M11管的衬底接地，所述第十一NMOS管M11管的栅极连接所述偏置电路1输出的偏置电压。
以下描述所述双电源电压比较电路3的工作过程。当第一电源电压VIN1＞第二电源电压VIN2时，第七PMOS管M7的漏极变为高电平，经第三反相器I3反相为低电平，驱动第十PMOS管M10，使第十PMOS管M10的漏极输出为高电平。当第一电源电压VIN1＜第二电源电压VIN2时，则第七PMOS管M7的漏极变为低电平，经第三反相器I3反相为高电平，使第十PMOS管M10关断，由于第十一NMOS管M11管栅极偏置电压的存在，使第十PMOS管M10和第十一NMOS管M11管的漏极输出为低电平。
所述正反馈电路2包括第四NMOS管M4和第五NMOS管M5；
所述第四NMOS管M4的源极连接所述第五NMOS管M5的漏极，所述第四NMOS管M4的衬底接地，所述第四NMOS管M4的栅极连接所述双电源电压比较电路3输出的所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号，所述第四NMOS管M4的漏极连接所述第六PMOS管M6的漏极；
所述第五NMOS管M5的源极和所述第五NMOS管M5的衬底接地，所述第五NMOS管M5的栅极连接所述偏置电路1输出的偏置电压。
所述功率选择电路4接收双电源电压比较电路3的输出，来选择控制功率管的打开或关断，将相应的电源电压传输到输出端，该电路完成电压的切换功能，将所需要的电压切换到输出端。所述功率选择电路4包括：第四反相器I4、第十二PMOS管M12以及第十三PMOS管M13；
所述第四反相器I4的输入端连接所述双电源电压比较电路3输出的所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号，所述第四反相器I4的输出端连接所述第十二PMOS管M12的栅极，所述第四反相器I4的电源端连接所述选择电压VINT，所述第四反相器I4的地端接地；
所述第十二PMOS管M12的源极连接所述第一电源电压VIN1，所述第十二PMOS管M12的衬底和所述第十二PMOS管M12的漏极短接，同时连接所述第十三PMOS管M13的衬底和所述第十三PMOS管M13的漏极，并且输出所述选择电压VINT；
所述第十三PMOS管M13的源极连接所述第二电源电压VIN2，所述第十三PMOS管M13的栅极连接所述双电源电压比较电路3输出的所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号。
以下描述所述功率选择电路4的工作过程：
当第一电源电压VIN1＞第二电源电压VIN2时，第十PMOS管M10的漏极输出为高电平，第四反相器I4的输出为低电平，使第十二PMOS管M12打开，第十三PMOS管M13关断，将第一电源电压VIN1传到VINT。
反之，当第一电源电压VIN1＜第二电源电压VIN2时，第十PMOS管M10的漏极输出为低电平，使第十二PMOS管M12关断，第十三PMOS管M13打开，将第二电源电压VIN2传到VINT。
如图4所示，所述正反馈电路2还包括第一反相器(Inverter)I1和第二反相器I2；其作用是使双电源电压比较电路3能够更迅速地翻转，使其电路响应速度更快，使双电源电压比较电路3朝先前的方向变化，同时能够减少功耗。
所述第四NMOS管M4的栅极通过所述第一反相器I1和所述第二反相器I2连接所述双电源电压比较电路3输出的所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号；
所述第一反相器I1的输入端连接所述双电源电压比较电路3输出的所述第一电源电压VIN1与所述第二电源电压VIN2的比较信号，所述第一反相器I1的输出端连接所述第二反相器I2的输入端，所述第一反相器I1的电源端连接所述功率选择电路4输出的所述选择电压VINT，所述第一反相器I1的地端接地；
所述第二反相器I2的输出端连接所述第四NMOS管M4的栅极，所述第二反相器I2的电源端连接所述功率选择电路4输出的所述选择电压VINT，所述第二反相器I2的地端接地。
如图5所示，为本发明所述的双电源选择电路的变形。所述偏置电路1包括：第一电阻R1、第二电阻R2以及第十四NMOS管M14；
所述第一电阻R1的一端连接所述第一电源电压VIN1，所述第一电阻R1的另一端连接所述第十四NMOS管M14的漏极；
所述第二电阻R2的一端连接所述第二电源电压VIN2，所述第二电阻R2的另一端连接所述第十四NMOS管M14的漏极；
所述第十四NMOS管M14的源极和所述第十四NMOS管M14的衬底接地，所述第十四NMOS管M14的栅极和所述第十四NMOS管M14的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
其中，所述第一电阻R1、第二电阻R2为大电阻，阻值可以为300K-400K之间。
如图6所示，为上述实施例中反相器的电路结构图；
如图7所示，为本发明实施例所述的双电源选择电路10从上电到电源切换过程中选择电压VINT的输出波形。在双电源电压开始上电时，双电源电压还没有使逻辑控制电路和部分模拟电路工作，由于第十二PMOS管M12和第十三PMOS管M13的衬底和源极存在寄生二极管(Diode)，该二极管的阳极(PMOS管的源极)接电源，该二极管的阴极(PMOS管的衬底)接M12、M13的漏极(VINT)。当第十二PMOS管M12和第十三PMOS管M13没有导通时，则寄生的二极管将导通，使VINT的电压为VIN1，2-VD，V1N1，2为V1N1和V1N2中电压值高的电压，VD为二极管的压降(通常为0.7V)，这样VINT就可以给双电源选择电路10的逻辑部分供电。当电源电压上升到VTHP+VTHN(VTHP为PMOS管的阈值电压，VTHN为NMOS管的阈值电压，)时，模拟电路和逻辑控制电路将工作，第十二PMOS管M12和第十三PMOS管M13中的其中一个将会打开，这样打开的PMOS管的源极和漏极的电压可以认为一样，使寄生的二极管处于零偏，该二级管将关断，这样就实现了从上电到双电源电压切换的过程。
本发明能够为后续电路提供所需的适当的电源电压，以满足后续电路稳定可靠地工作。可应用于锂离子电池充电器内部的电源选择、衬底偏置选择、双电源供电选择电路、锂离子电池充电中采用AC(交流)和USB电源充电的电源选择等。以下简单描述本发明实施例在锂离子电池充电器的应用。充电功率管的衬底的偏置电压在电源和负载(待充电的电池)之间进行选择时，当电源电压高于电池电压时，充电功率管的衬底偏置接电源；当电源电压低于电池电压时，充电功率管的衬底偏置接电池，这样确保了充电功率管的衬底偏置始终连接最高电位，不会对芯片和电池产生损害。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种双电源选择电路，其特征在于，包括：偏置电路、双电源电压比较电路、及功率选择电路；
所述偏置电路，其输入为第一电源电压和第二电源电压，输出为偏置电压；
所述双电源电压比较电路，其输入为所述第一电源电压、所述第二电源电压及所述偏置电压，输出为一比较信号，所述比较信号为所述第一电源电压与所述第二电源电压的比较信号；
所述功率选择电路，其输入为所述第一电源电压、第二电源电压以及所述比较信号，输出一选择电压，所述选择电压为所述第一电源电压和所述第二电源电压中电压值高的电源电压。
2.根据权利要求1所述的双电源选择电路，其特征在于，所述偏置电路包括：第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；
所述第一PMOS管的源极和所述第一PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第一PMOS管的栅极接地，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极；
所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的衬底接地，所述第二NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极均与所述第二电源电压连接；
所述第三NMOS管的源极和所述第三NMOS管的衬底均接地，所述第三NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
3.根据权利要求2所述的双电源选择电路，其特征在于，
所述第一PMOS管为倒比管；和/或所述第二NMOS管为倒比管。
4.根据权利要求1所述的双电源选择电路，其特征在于，所述偏置电路包括：第一电阻、第二电阻以及第十四NMOS管；
所述第一电阻的一端连接所述第一电源电压，所述第一电阻的另一端连接所述第十四NMOS管的漏极；
所述第二电阻的一端连接所述第二电源电压，所述第二电阻的另一端连接所述第十四NMOS管的漏极；
所述第十四NMOS管的源极和所述第十四NMOS管的衬底分别接地，所述第十四NMOS管的栅极和所述第十四NMOS管的漏极短接，并且输出所述偏置电压。
5.根据权利要求1所述的双电源选择电路，其特征在于，所述双电源电压比较电路包括：第六PMOS管、第七PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、第十一NMOS管以及第三反相器；
所述第六PMOS管的源极和所述第六PMOS管的衬底均与所述第二电源电压连接，所述第六PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极均与所述第七PMOS管的栅极连接；
所述第七PMOS管的源极和所述第七PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第七PMOS管的漏极连接所述第九NMOS管的漏极；
所述第八NMOS管的源极和所述第八NMOS管的衬底均接地，所述第八NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压，所述第八NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极；
所述第九NMOS管的源极和所述第九NMOS管的衬底均接地，所述第九NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压，所述第九NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极；
所述第三反相器的输入端分别与所述第七PMOS管的漏极和第九NMOS管的漏极连接，所述第三反相器的输出端连接所述第十PMOS管的栅极，所述第三反相器的电源端连接所述第一电源电压，所述第三反相器的地端接地；
所述第十PMOS管的源极和所述第十PMOS管的衬底均与所述第一电源电压连接，所述第十PMOS管的漏极连接所述第十一NMOS管的漏极，并且输出所述比较信号；
所述第十一NMOS管的源极和所述第十一NMOS管的衬底均接地，所述第十一NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压。
6.根据权利要求5所述的双电源选择电路，其特征在于，还包括：
正反馈电路，输入所述偏置电压和所述比较信号，输出拉电流到所述双电源电压比较电路。
7.根据权利要求6所述的双电源选择电路，其特征在于，所述正反馈电路包括第四NMOS管和第五NMOS管；
所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的衬底接地，所述第四NMOS管的栅极的输入为所述比较信号，所述第四NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极；
所述第五NMOS管的源极和所述第五NMOS管的衬底接地，所述第五NMOS管的栅极连接所述偏置电路输出的偏置电压。
8.根据权利要求7所述的双电源选择电路，其特征在于，所述正反馈电路还包括第一反相器和第二反相器；
所述第四NMOS管的栅极通过所述第一反相器和所述第二反相器连接所述双电源电压比较电路输出的所述比较信号；
所述第一反相器的输入端的输入为所述比较信号，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第一反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第一反相器的地端接地；
所述第二反相器的输出端连接所述第四NMOS管的栅极，所述第二反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第二反相器的地端接地。
9.根据权利要求1所述的双电源选择电路，其特征在于，所述功率选择电路包括第四反相器、第十二PMOS管以及第十三PMOS管；
所述第四反相器的输入端连接所述比较信号，所述第四反相器的输出端连接所述第十二PMOS管的栅极，所述第四反相器的电源端的输入为所述选择电压，所述第四反相器的地端接地；
所述第十二PMOS管的源极连接所述第一电源电压，所述第十二PMOS管的衬底分别与所述第十二PMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的衬底和所述第十三PMOS管的漏极连接，并且输出所述选择电压；
所述第十三PMOS管的源极连接所述第二电源电压，所述第十三PMOS管的栅极连接所述双电源电压比较电路输出的所述比较信号。
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