CN101552281A - 固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一个目的是提供易于制造并具有高可靠性的固态成像设备、以及制造所述固态成像设备的方法。在本发明中，所述制造方法包括在半导体基板的表面上形成多个IT－CCD、将半透明组件结合至所述半导体基板以具有与所述IT－CCD的每个光接收区相对的间隙、以及对于每个IT－CCD分离在所述结合步骤获得的结合组件的步骤。

Description

固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法

本申请为2003年7月29日递交、申请号为“03143658.7”、发明名称“固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法。本发明尤其涉及芯片尺寸封装(CSP)型固态成像设备，其中微型透镜被整体设置在芯片上。

背景技术

由于存在应用到移动电话或数码相机的必然性，要求减小例如CCD(电荷耦合器件)等固态影像拾取装置(image pickup device)的尺寸。

例如，已提出一种固态成像设备，其中微型透镜设置在半导体芯片的光接收区中。具体地，例如，已提出一种固态成像设备，其在光接收区中设置有微型透镜，且被整体装配以具有在光接收区和微型透镜之间的气密的密封部分，从而减小了固态成像设备的尺寸(JP-A-7-202152公报)

根据这样的结构，装配区可被减小，而且，诸如滤色器、透镜、或棱镜等光学部件可粘附到气密的密封部分表面，从而可在微型透镜的聚光能力不会变差的情况下减小装配尺寸。

然而，在固态成像设备的装配中，有必要将固态成像设备装配在用于装配的支撑基板上，用于读取信号到外部，从而通过例如结合和进行密封等方法进行电连接。因此，存在这样一问题，即，由于大量的人工小时，装配需要很多时间。

然而，在固态成像设备的装配中，有必要将固态成像设备设置在用于装配的支持基板上，用于读取信号到外部，从而通过例如结合和进行密封等方法进行电连接。此外，有必要装配诸如滤色器、透镜或棱镜和信号处理电路等的光学部件。因此，存在这样一问题，即，由于大量器件被设置，装配需要很多时间。此外，还存在一个重要的问题，即，具有提高分辨率要求的各种外围电路是必要的，造成整个设备的尺寸增加。

发明内容

考虑到实际环境，本发明的一个目的是提供一种制造固态成像设备的方法，其中该固态成像设备易于制造且具有高可靠性。

而且，另一目的是提供能易于连接至主体的固态成像设备。

考虑到实际环境，本发明的一个目的是提供一种制造固态成像设备的方法，其中该固态成像设备易于制造且具有高可靠性。

而且，另一目的是提供具有小尺寸和高驱动速度的固态成像设备。

因此，本发明提供了一种制造固态成像装置的方法，包括以下步骤：在半导体基板表面上形成多个IT-CCD、将半透明组件结合至半导体基板表面以便具有与IT-CCD的每个光接收区相对的间隙、形成与IT-CCD相应的外部连接端子、以及使在结合步骤获得并设置有用于每个IT-CCD的外部连接端子的结合组件分离。

根据这样的结构，在圆片级上进行定位，且顺序执行集合装配和集成以分离每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

此外，理想的是，结合半透明组件的步骤应包括制备半透明基板以及将半透明基板结合到半导体基板表面的步骤，其中该半透明基板具有相应于待形成IT-CCD的区域的凹形部分。

根据这种结构，凹形部分仅形成在半透明基板上。因此，可形成该凹形部分以使其易于具有与每个光接收区相对的间隙。因此，可减少部件的数目且易于执行制造。

理想的是，该方法还应包括，在结合步骤前，有选择地除去半导体基板表面以环绕光接收区，从而形成凸出部分、由凸出部分在光接收部分和半透明组件之间形成间隙的步骤。

根据这种结构，仅通过插入先前在半导体基板表面上形成的凸出部分(衬垫)执行装配。因此，可能易于提供一种具有优良的工作能力(workability)和高可靠性的固态成像设备。

而且，该方法的特征在于，在结合步骤，通过被设置以环绕光接收区的衬垫，在半导体基板和半透明组件之间形成间隙。

根据这种结构，仅通过插入衬垫可能易于提供具有高可靠性的固态成像设备。

而且，该方法的特征在于，分割步骤包括以这样的方式，即IT-CCD的周缘部分的表面暴露在半透明组件外的方式，分离半透明组件以将半透明组件的周缘部分放置到IT-CCD的周缘部分内部。

根据这种结构，可能从暴露的半导体基板表面容易地读取电极。

优选地，该方法的特征在于，以低于80℃的温度下执行结合步骤。

根据这种结构，如果每个组件具有不同的线性热膨胀系数，则可能减少结合后失真的产生。

优选地，该方法的特征在于，在结合步骤，室温固化粘合剂被用于结合。

根据该方法，可以结合半透明组件和半导体基板而不提高温度，并防止失真产生。

除了室温固化粘合剂，该方法的特征还在于，在结合步骤，光固化粘合剂被用于结合半透明组件和半导体基板。

根据该方法，还可以结合半透明组件和半导体基板而不提高温度，并防止失真产生。

而且，在结合步骤，可使用半固化粘合剂结合半透明组件和半导体基板，从而，可能实现复杂的定位。

优选地，该方法的特征在于，在分割步骤之前，该方法包括进行树脂屏蔽(resin shielding)的步骤，用树脂将与半导体基板结合连接附近的半透明组件进行屏蔽。

根据该方法，可能防止水渗入和形成可靠的IT-CCD。

同样，优选的是以低于80℃的温度下执行树脂屏蔽步骤。

根据该方法，可能结合半透明组件和半导体基板而不提高温度，且减少失真的产生。

此外，本发明提供了一种固态成像设备，包括设置有IT-CCD的半导体基板、以及为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙而连接至半导体基板的半透明组件，其中连接端子设置在与半导体基板的连接表面相对的半透明组件表面上，且该连接端子经由设置在半透明组件中的通孔连接至半导体基板。

根据这种结构，可通过半透明组件执行信号读取或传导(conduction)。因此，可以容易地进行连接，容易地装配成设备，且可减小整个设备的尺寸。此外，为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙，半透明组件连接至半导体基板。因此，可能提供具有小尺寸和优良的聚光特性的固态成像设备。

理想的是，半透明组件应采用衬垫连接至半导体基板。因此，可提高间隙的几何尺寸精度，且可能以低成本获得具有优良光学特征的固态成像设备。

理想的是，衬垫应由与半透明组件相同的材料构成。因此，可防止由于和半透明组件一起进行的温度变化而造成热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由与半导体基板相同的材料构成。因此，可防止由于和半透明组件一起进行的温度变化而造成热膨胀系数的不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由树脂材料构成。该树脂材料可填充在IT-CCD基板和半透明基板之间，或可由片状树脂材料构成。如果衬垫通过在半透明组件和半导体基板之间填充树脂材料形成，应力被弹力吸收，且可防止由于温度变化造成的热膨胀系数的不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由42-合金或硅构成。因此，可降低成本，而且，可防止由于与半导体基板一起进行的温度变化而造成的热膨胀系数的不同所引起的张力，且可延长寿命。不限于42-合金，也可使用另一金属、陶瓷或无机材料。

本发明提供了一种制造IT-CCD的方法，包括如下步骤：在半导体基板表面上形成多个IT-CCD、为了具有与IT-CCD的每个光接收区相对的间隙而将半透明组件(其具有用导电材料填充的通孔)结合在半导体基板的表面上、以及使在每个IT-CCD的结合步骤获得的结合组件分离的步骤。

根据这种结构，在圆片级上执行定位，且通过使用具有通孔的半透明组件顺序执行集合装配和集成以分隔每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

理想的是，结合半透明组件的步骤应包括制备半透明基板、以及将该半透明基板结合到半导体基板表面的步骤，所述半透明基板具有位于相应于待形成IT-CCD的区域的位置中的多个凹形部分和位于凹形部分附近的通孔。因此，制造的人工小时可减少更多，且装配可以容易地被执行。

根据这种结构，凹形部分和通孔仅在半透明基板中形成。因此，可以容易地形成凹形部分以具有与每个光接收区相对的间隙，且电极读取也容易地被执行。

理想的是，该方法还应包括在结合步骤之前，在半导体基板表面上形成凸出部分以环绕光接收区、由凸出部分在光接收区和半透明组件之间形成间隙的步骤。因此，仅通过半导体基板加工就可以容易地提供具有高可靠性的固态成像设备。如果形成凸出部分的蚀刻步骤是在形成IT-CCD之前执行的，则在某些情况下IT-CCD损坏较少，且将在具有凹凸部分的基板表面上执行的光刻法造成图案移位。另一方面，如果形成凸出部分的蚀刻步骤是在形成IT-CCD之后执行的，则IT-CCD有轻微损坏，且可用高精度形成元件区，而不阻碍IT-CCD的制造方法。

理想的是，在结合步骤，应通过被设置以环绕光接收区的衬垫在半导体基板和半透明组件之间形成间隙。

根据这种结构，仅通过插入衬垫可能容易地提供具有高可靠性的固态成像设备。

此外，本发明提供了一种固态成像设备，包括设置有IT-CCD的半导体基板、以及为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙而连接至半导体基板的半透明组件，其中该半透明组件构成具有聚光功能的光学组件。

根据这种结构，具有聚光功能和/或图像形成功能的光学组件(例如透镜)被集成(integrate)。因此，不需要安装该光学组件，且可减小尺寸和提高可靠性。而且，可以容易地执行连接(attachment)并可以容易地装配成设备。因此，可减小整个设备的尺寸。此外，为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙，半透明组件连接至半导体基板。因此，可能提供具有小尺寸和优良的聚光特性的固态成像设备。

理想的是，半透明组件应采用衬垫连接至半导体基板。因此，可提高间隙的几何尺寸精度，且可能以低成本获得具有优良的光学特征的固态成像设备。

理想的是，衬垫应由与半透明组件相同的材料构成。因此，可防止由于和半透明组件一起进行的温度变化而造成的热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由与半导体基板相同的材料构成。因此，可防止由于和半透明组件一起进行的温度变化而造成热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由树脂材料构成。该树脂材料可填充在IT-CCD基板和半透明基板之间，或可由片状树脂材料构成。如果衬垫通过在半透明组件和半导体基板之间填充树脂材料形成，则应力被弹力吸收，且可防止由于温度变化而造成的热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由42-合金或硅构成。因此，可降低成本，而且，可防止由于与半导体基板一起进行的温度变化而造成的热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。不限于42-合金，也可使用另一金属、陶瓷或无机材料。

本发明提供了一种制造固态成像设备的方法，包括以下步骤：在半导体基板表面上形成多个IT-CCD、为了具有与IT-CCD的每个光接收区相对的间隙而将具有聚光功能的光学组件结合在半导体基板表面上、以及使在每个IT-CCD的结合步骤获得的结合组件分离。

根据这种结构，IT-CCD基板和具有聚光功能的光学组件被放置在圆片级上，且顺序执行集合装配和集成以分离每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

此外，理想的是，在结合光学组件的步骤，半透明基板应被制备，该半透明基板包括与待形成IT-CCD的区域相应的透镜并具有凹形部分，且半透明基板应结合到半导体基板表面。

根据这种结构，诸如透镜和凹形部分等的光学组件仅在半透明基板中形成。因此，凹形部分可以容易地被形成以具有与每个光接收区相对的间隙。因此，可减少元件数目，且可以容易地执行制造。

理想的是，该方法还应包括，在结合步骤前有选择地去除半导体基板的表面以环绕光接收区、由凸出部分在光接收区和光学组件之间形成间隙的步骤。

根据这种结构，仅通过插入预先在半导体基板表面上形成的凸出部分(衬垫)执行装配。因此，可以容易地提供具有高可靠性和高工作能力的固态成像设备。

此外，结合步骤的特征在于，间隙通过被设置以环绕光接收区的衬垫形成在半导体基板和光学组件之间。

根据这种结构，仅通过插入衬垫可能容易地提供具有高可靠性的固态成像设备。

此外，分割步骤的特征在于，以这样的方式，即IT-CCD的周缘部分的表面暴露在光学组件外的方式，切割光学组件以将光学组件的周缘部分放置到IT-CCD的周缘部分的内部上的步骤。

根据这种结构，可能通过如此暴露的半导体基板表面容易地读取电极。

然后，本发明提供了一种固态成像设备，包括设置有IT-CCD的第一半导体基板、以及具有聚光功能的半透明组件，该半透明组件为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙而连接至第一半导体基板，其中构成外围电路的第二半导体基板设置在第一半导体基板上。

根据这种结构，具有聚光功能的光学组件(例如透镜)被集成。因此，不需要安装光学组件，且可减小尺寸、提高可靠性。而且，由于外围电路板也被设置，可以容易地执行连接和容易地装配成设备。因此，可减少整个设备的尺寸。此外，为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙，半透明组件连接到第一半导体基板。因此，可能提供具有小尺寸和优良的聚光特性的固态成像设备。

理想的是，半透明组件应采用衬垫连接至第一半导体基板。因此，可提高间隙的几何尺寸精度，且可能获得具有优良的光学特征的固态成像设备。

理想的是，衬垫应由与半透明组件相同的材料构成。因此，可防止由于与半透明组件一起进行的温度变化而造成的热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应由与第一半导体基板相同的材料构成。因此，可防止由于和第一半导体基板一起进行的温度变化而造成热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

理想的是，衬垫应通过在半透明组件和第一半导体基板之间填充树脂材料而构成。因此，应力被弹力吸收，且可防止由于温度变化而造成的热膨胀系数不同所引起的张力，且可延长寿命。

本发明提供了一种制造固态成像设备的方法，包括以下步骤：在第一半导体基板表面上形成多个IT-CCD、在第二半导体基板表面上形成外围电路、为了具有与IT-CCD的每个光接收区相对的间隙而将具有聚光功能的光学组件结合在第一半导体基板和第二半导体基板上、以及使在每个IT-CCD的结合步骤获得的结合组件分离。

根据这种结构，IT-CCD基板和具有聚光功能的光学组件被放置在圆片级上，且顺序执行集合装配和集成以分割每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

此外，理想的是，在结合光学组件的步骤，半透明基板应被制备，该半透明基板包括与待形成IT-CCD的区域相应的透镜并具有凹形部分，且半透明基板应结合到第一半导体基板表面。

根据这种结构，诸如透镜和凹形部分等的光学组件仅在半透明基板中形成。因此，凹形部分可以容易地被形成以具有与每个光接收区相对的间隙。因此，可减少元件数目，且可以容易地执行制造

理想的是，该方法还应包括，在结合步骤前通过有选择地去除第一半导体基板表面而形成凸出部分以环绕光接收区、由凸出部分在光接收区和光学组件之间形成间隙的步骤。

根据这种结构，仅通过插入预先在第一半导体基板表面上形成的凸出部分(衬垫)执行装配。因此，可能容易地提供具有高可靠性和高工作能力的固态成像设备。

此外，结合步骤的特征在于，间隙通过被设置以环绕光接收区的衬垫形成在第一半导体基板和光学组件之间。

根据这种结构，仅通过插入衬垫可能容易地提供具有高可靠性的固态成像设备。

此外，分割步骤的特征在于，以这样的方式，即每个IT-CCD的周缘部分的表面暴露在光学组件外的方式，切割光学组件以将光学组件的周缘部分放置到第一半导体基板的每个IT-CCD的周缘部分的表面上。

根据这种结构，可能容易地读取在按照此方式暴露的第一半导体基板表面上的电极。

因此，本发明提供了一种固态成像设备，其包括设置有IT-CCD的第一半导体基板、以及为了具有与IT-CCD的光接收区相对的间隙而连接至第一半导体基板的半透明组件，其中在其上形成有外围电路的第二半导体基板设置在与待形成IT-CCD的第一半导体基板表面相对的表面上，且外围电路经由设置在第一半导体基板上的通孔连接至IT-CCD。

根据这种结构，外围电路被设置，且第二半导体基板经由设置在第一半导体基板上的通孔彼此电连接。因此可减小整个设备的尺寸，而且，可减小第一半导体基板和第二半导体基板之间的距离。因此，可减少导线电阻和提高驱动速度。

而且，第一和第二半导体基板通过诸如冷直接结合(cold directbonding)等方法彼此直接结合。因此，可能获得更牢固的结合。并且，可很好地实现电连接。

此外，在第一和第二半导体基板之间使用粘合剂层使其彼此结合。因此，可以容易地实现理想结合。理想的是，粘合剂层应具有与第一和第二半导体基板的每个的热膨胀系数尽可能接近的热膨胀系数。

而且，可在第一和第二半导体基板之间使用绝热材料使其彼此结合。从而，构成外围电路的第二半导体基板的热传递至IT-CCD基板。因此，可能防止IT-CCD的特征受到不利的影响。

而且，在第一和第二半导体基板之间使用磁屏蔽材料使其彼此结合。从而，可能阻挡由不必要的辐射而造成的相互噪音。

而且，本发明提供了一种制造固态成像设备的方法，包括以下步骤：在第一半导体基板表面上形成多个IT-CCD、在第二半导体基板表面上形成外围电路、为了具有与IT-CCD的每个光接收区相对的间隙而将半透明组件结合到第一半导体基板的表面上、将第二半导体基板结合至第一半导体基板的背面、在结合步骤和半导体基板结合步骤之前或之后在第一半导体基板上形成通孔、将IT-CCD电连接至第一半导体基板的背面、以及使在每个IT-CCD的结合步骤获得的结合组件分离。

根据这种结构，对于每个固态成像设备，在其上装配IT-CCD的第一半导体基板和在其上装配外围电路的第二半导体基板相对于半透明组件放置在圆片级上，且被集合装配和集成，从而分离为每个固态成像设备。从而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

理想的是，在半导体基板结合步骤，第一和第二半导体基板应通过直接结合彼此结合。因此，可能容易地执行形成，而不使基板由于粘合剂挤出而变脏。

此外，在半导体基板结合步骤，可在第一和第二半导体基板之间使用粘合剂层使其相互结合，从而可用光固化粘合剂层、热固粘合剂层或它们的组合使它们容易地相互结合而不移动。

附图说明

图1A和1B示出用根据本发明的第一实施例的方法形成的固态成像设备的截面和示出主部的放大截面图；

图2A至2D示出根据本发明的第一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图3A至3C示出根据本发明的第一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图4A至4D示出根据本发明的第二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图5A至5E示出根据本发明的第三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图6A至6D示出根据本发明的第四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图7A至7D示出根据本发明的第五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图8A至8E示出根据本发明的第六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图9A至9E示出根据本发明的第七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图10A至10D示出根据本发明的第八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图11A至11D示出根据本发明的第九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图12A和12B示出根据本发明的第十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图13示出根据本发明的第十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图14A和14B示出根据本发明的第十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图15A至15C示出根据本发明的第十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图16A至16D示出根据本发明的第十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图17A至17C示出根据本发明的第十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图18示出根据本发明的第十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图19A至19D示出根据本发明的第十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图20A至20C示出根据本发明的第十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图21A至21F示出根据本发明的第十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图22A至22C示出根据本发明的第十九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图23A至23D示出根据本发明的第二十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图24示出根据本发明的第二十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图25A至25E示出根据本发明的第二十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图26示出根据本发明的第二十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图27A至27C示出根据本发明的第二十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图28A至28D示出根据本发明的第二十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图29A至29E示出根据本发明的第二十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图30A和30B示出根据本发明的第二十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图31示出根据本发明的第二十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图32示出根据本发明的第二十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图33示出根据本发明的第二十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图34A、34A`以及34B至34E示出根据本发明的第二十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图35A至35E示出根据本发明的第二十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图36A至36C示出根据本发明的第二十九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图37A至37C示出根据本发明的第三十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图38A、38A`以及38B至38E示出根据本发明的第三十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图39A、39A`、39B、39B`、以及39C至39F示出根据本发明的第三十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图40A至40D示出根据本发明的第三十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图41示出根据本发明的第三十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图42A、42A`、以及42B至42D示出根据本发明的第三十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图43A至43C示出根据本发明的第三十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图44A和44B示出根据本发明的第三十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图45A和45B示出根据本发明的第三十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图46A、46A`、以及46B至46D示出根据本发明的第三十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图47A至47D示出根据本发明的第三十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图48A至48D示出根据本发明的第三十九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图49示出根据本发明的第四十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图50示出根据本发明的第四十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图51A至51F示出根据本发明的实施例的贮液器形状的视图；

图52示出根据本发明的第四十一实施例的树脂屏蔽的结构的视图；

图53A和53B示出根据本发明的第四十二实施例的固态成像设备的截面图以及示出主部的放大截面图；

图54A、54A`、以及54B至54E示出根据本发明的第四十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；‘

图55A至55E示出根据本发明的第四十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图56A至56C示出根据本发明的第四十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图57A至57C示出根据本发明的第四十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图58A、58A`、以及58B至58E示出根据本发明的第四十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图59A和59A`、59B和59B`、以及59C至59F示出根据本发明的第四十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图60A至60D示出根据本发明的第四十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图61A和61B示出根据本发明的第四十八实施例的固态成像设备的截面图以及示出主部的放大截面图；

图62A、62A`、以及62B至62D示出根据本发明的第四十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图63A至63C示出根据本发明的第四十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图64A和64B示出根据本发明的第四十九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图65A和65B示出根据本发明的第五十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图66A、66A`、以及66B至66D示出根据本发明的第五十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图67A至67D示出根据本发明的第五十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图68A至68D示出根据本发明的第五十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图69示出根据本发明的第五十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图70示出根据本发明的第五十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图71A和71B示出根据本发明的第五十六实施例的固态成像设备的截面图以及示出主部的放大截面图；

图72A、72A`、以及72B至72D示出根据本发明的第五十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图73A至73C示出根据本发明的第五十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图74A和74B示出根据本发明的第五十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图75A和75B示出根据本发明的第五十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图76A、76A`、以及76B至76D示出根据本发明的第五十九实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图77A至77C示出根据本发明的第六十实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图78A至78D示出根据本发明的第六十一实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图79示出根据本发明的第六十二实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图80示出根据本发明的第六十三实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图81A和81B示出根据本发明的第六十四实施例制造固态成像设备的方法的视图以及示出主部的放大截面图；

图82A至82D示出根据本发明的第六十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图83A至83C示出根据本发明的第六十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图84A至84D至示出根据本发明的第六十四实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图85A至85E示出根据本发明的第六十五实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图86A和86B示出根据本发明的第六十六实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图87示出根据本发明的第六十七实施例制造固态成像设备的方法的视图；

图88示出根据本发明的第六十八实施例制造固态成像设备的方法的视图；

在图中，参考数字100是指IT-CCD基板；101是指硅基板；102是指IT-CCD；200是指密封盖玻璃；201是指玻璃基板；203S是指衬垫。

具体实施方式

下面将参看图描述本发明的实施例。

(第一实施例)

如图1A的截面图和图1B中示出主部的放大截面图所示，固态成像设备具有这样一结构，为半透明基板的玻璃基板201结合至IT-CCD基板100的表面，该IT-CCD基板100包括为半导体基板的硅基板101，硅基板101设置有通过衬垫203S的IT-CCD 102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，而且，硅基板101的周缘通过切割(dicing)被单独分离，且通过在硅基板101表面上形成的焊盘(bonding pad)BP可获得至外部电路(未示出)的电连接，该焊盘BP位于暴露在玻璃基板201之外的周缘部分中。衬垫203S具有10至500μm的高度，且优选为80至120μm。而且，衬垫宽度设定为约100至500μm。

如图1B中示出主部的放大截面图所示，IT-CCD基板具有安排在其表面上的IT-CCD，而且，由设置有RGB滤色器46和微型透镜50的硅基板101构成。

在IT-CCD中，沟道截断环(channel stopper)28设置在在n-型硅基板101a表面上形成的p阱(p well)101b中，且光电二极管14和电荷转移元件33被形成，同时沟道截断环28插在它们之间。下文中，n-型杂质区14b设置在p⁺沟道区14a中，以形成光电二极管14。此外，包括深度为约0.3μm的n-型杂质区的垂直电荷转移通道20在p⁺沟道区14a中形成，且包括多晶硅层的垂直电荷转移电极32通过包括二氧化硅薄膜的门绝缘薄膜30形成在垂直电荷转移沟道20中，以便构成电荷转移元件33。此外，用于读逻辑门的沟道26由电荷转移元件33和光电二极管14之间的p-型杂质区形成，该光电二极管14位于读取信号电荷到垂直电荷转移沟道20上的侧上。

n-型杂质区14b沿用于读逻辑门的沟道26暴露在硅基板101的表面之外，且在光电二极管14中产生的信号电荷储存在n-型杂质区14b中，然后通过用于读逻辑门的沟道26被读取。

另一方面，包括p⁺型杂质区的沟道截断环28位于垂直电荷转移沟道20和另一光电二极管14之间。因此，光电二极管14和垂直电荷转移沟道20彼此电绝缘，且垂直电荷转移沟道20被隔开，以便彼此不接触。

此外，垂直电荷转移电级32遮盖了用于读逻辑门的沟道26，且n-型杂质区14b被暴露，沟道截断环28的一部分被暴露。信号电荷从用于读逻辑门的沟道26传输，该沟道26设置在施加读信号的任一垂直电荷转移电极32之下。

垂直电荷转移电级32与垂直电荷转移沟道20一起构成垂直电荷转移设备(VCCD)33，用于传递由垂直方向中的光电二极管14的pn结产生的信号电荷。设置有垂直电荷转移电级32的基板表面用表面保护薄膜36覆盖，由钨制成的屏蔽薄膜38设置在其上，且仅有光电二极管的光接收区40被打开，其它区域被屏蔽。

此外，垂直电荷转移电级32的上层用平展的(flattened)绝缘薄膜43(用于使表面平展)和在其上层上形成的半透明树脂薄膜44覆盖，而且，滤色器层46形成在其上。滤色器层46具有顺序安排的红滤色器层46R、绿滤色器层46G和蓝滤色器层46B，以产生相应于每个光电二极管14的预定图案。

而且，上层由包括由微型透镜50的微型透镜阵列覆盖，该微型透镜50通过使用光刻法的蚀刻方法通过平展的绝缘膜48在半透明树脂上形成图案而形成，该半透明树脂包含折射率为1.3至2.0的光敏树脂，接着熔化相同的半透明薄膜，通过表面张力使熔化的半透明薄膜变圆，此后冷却变圆的半透明薄膜。

接着，将描述用于制造固态成像设备的方法。所述方法基于所谓的圆片级CSP方法，其中放置在圆片级上执行，集合装配和集成被执行，接着用于每个IT-CCD的分割被执行，如在图2A至2C和图3A至3C中示出的制造过程的视图所示。所述方法的特征在于，具有预先设置有衬垫203S的衬垫的密封盖玻璃200被使用。

首先，将描述具有衬垫的玻璃基板的形成。

如图2A所示，将成为衬垫的硅基板203通过包括紫外线固化型粘合剂(阳离子聚合能量线固化粘合剂)的粘合剂层202粘附至玻璃基板201的表面。下文中，所谓的具有较少α射线引起图像噪音的低α射线玻璃(CG1：注册商标)用作玻璃基板201。理想的是，具有较少部分为α射线辐射核的材料应被用作待使用的玻璃基板。理想的是，α射线极限值应为0.002(DPH/cm²)。

接着，如图2B所示，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法被蚀刻，同时抗蚀图案留在将成为衬垫的部分中，从而形成衬垫203S。

此后，如图2C所示，抗蚀剂以使用于形成衬垫203S的抗蚀图案留下的状态被填充在除了元件区外的衬垫区中，且玻璃基板被蚀刻以具有预定深度。因此，如图2D所示形成元件槽部分(trench section)。

理想的是，衬垫宽度应被设定为约100至500μm。如果衬垫宽度小于100μm，则存在密封不足的可能性，而且，可产生损坏力。并且，如果衬垫宽度大于500μm，则存在减少分割(可从一个圆片取出的单元数目)和不能减小尺寸的问题。此外，考虑到粘合剂的渗出，理想的是，光接收表面和衬垫之间的距离应被设定为50μm或更大。

衬垫由硅基板形成。从而，如果在为玻璃基板的主要成分的二氧化硅的蚀刻速度比硅的蚀刻速度高得多的蚀刻条件下执行蚀刻，则还可能在衬垫侧壁保持暴露在元件区中的情形下执行蚀刻。在元件槽部分204的形成中，还可以使用切割刀片(磨石)。

在衬垫的蚀刻中，可以粘在上面的杂质具有5μm或更小的尺寸的方式选择蚀刻条件。当粘在上面的杂质具有5μm或更小的尺寸时，如果光接收表面和玻璃基板的下表面之间的距离被设定为0.08μm或更大，则可能防止图像噪音产生，如下所述。

随后，粘合剂层207也形成在衬垫表面上。

在气泡混入粘合剂层的某些情况下，会产生图像噪音。理想的是，粘合剂层207应具有5μm或更小的厚度。如果厚度等于或小于5μm，则厚度为5μm或更大的气泡不会出现。如上所述，如果光接收表面和将在下面描述的玻璃基板的下表面之间的距离设定为0.08mm或更大，则可能防止图像噪音产生。

此外，可再次执行光刻法，以形成这样的抗蚀图案，以使其包括衬垫的整个侧壁，且可通过抗蚀图案执行蚀刻，从而形成槽部分204。因此，获得设置有槽部分204的密封盖玻璃200和衬垫203S。

理想的是，为了防止图像噪音的产生，衬垫应具有0.088mm或更大的高度，为了提高形成衬垫的生产率，应为0.12mm或更小。在衬垫203S将通过蚀刻形成的情况下，还可能通过使用C₄F₈等离子体执行蚀刻，同时保护衬垫的侧壁。此外，优选的是，通过使用SF₆+O₂等离子体的各向异性刻蚀蚀刻底面。

接着，形成IT-CCD基板。在元件基板的形成中，如图3A所示，硅基板101(使用了6英寸的圆片)被预先制备，且通过例如在与分隔线相应的区域中蚀刻等方法形成切割槽104，该分隔线用于在硅基板101表面上分隔成每个IT-CCD。接着，通过使用普通硅加工，沟道截断环层被形成，沟道区被形成，例如电荷转移电极…等元件区被形成。此外，还形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且包括用于外部连接的金层。

接着，如图3B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且密封盖玻璃200装配在设置有如上所述的元件区的IT-CCD基板100上，并如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。理想的是，所述方法应在真空或诸如氮气等的惰性气体大气中执行。在结合中，还可能使用热固和紫外线固化粘合剂以及热固粘合剂。此外，在IT-CCD基板的表面由Si或金属制成的情况下，还可能通过表面激活冷结合来执行结合，而不使用粘合剂。

此后，从玻璃基板201的背面执行CMP(化学机械抛光)，且玻璃基板201的背面被去除以触及槽部分204。

通过所述步骤，可能执行各个分隔，同时减小玻璃基板的厚度。

此外，如图3C所示，以与执行抛光切割槽104部分相同的方式从硅基板101的背面执行CMP。因此，可通过分割获得单独的固态成像设备。

这样，集合装配被执行，接着单独分割被执行，而不执行单独对准和诸如引线接合等电连接。因此，制造可以容易地被执行，且处理可以容易地被执行。

此外，槽部分204预先形成在玻璃基板201上，且在装配后用诸如CMP等方法去除表面，以使其具有触及槽部分204的深度。因此，可非常容易地执行分割。

而且，在非常简单的方法中，其中凹形部分预先形成在玻璃基板的内部上，在结合后通过诸如深腐蚀或CMP等方法执行去除以具有相同深度，用高精度形成这样一结构，其中玻璃基板201的边缘放置在设置有IT-CCD的硅基板101的边缘内部上且硅基板101的表面被暴露。而且，该结构可以高工作能力容易地形成。此外，在元件形成表面通过结合封入间隙C中的状态下可仅通过分割或抛光形成单独的IT-CCD。因此，可能提供很少损坏元件并具有高可靠性的IT-CCD。

此外，硅基板通过CMP变薄以具有约为1/2的深度。因此，可减小尺寸和厚度。此外，在结合到玻璃基板后厚度减小。因此，可能防止机械力的损耗。

此外，参看至外部的连接，设置在构成IT-CCD基板100的硅基板上的焊盘BP暴露在由衬垫203S和玻璃基板201形成的密封部分之外。因此，所述形成可以容易地进行。

因此，根据本发明的结构，在圆片级上执行放置，且顺序执行集合装配和集成以分割每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造并具有高可靠性的固态成像设备。

虽然在第一实施例中包括焊盘的布线层由金层构成，显然的是，不限于金层，可使用诸如铝等的另一金属或诸如硅等的另一导电层。

而且，通过在基板表面上形成透明树脂薄膜和通过从相同表面的离子注入到预定深度形成具有折射率梯度的透镜层，也可设置微型透镜阵列。

而且，对于衬垫，除硅基板以外，可能适当地选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂。

此外，因为每个IT-CCD基板、衬垫、以及玻璃基板具有不同的线性热膨胀系数，这常常造成失真产生。为了防止失真产生或如果失真产生则保持失真在可允许的范围内，用于结合的温度被设定为室温或从20℃至80℃的温度。当粘合剂用于结合时，优选的是使用例如环氧粘合剂、乙氧基(oxetanyl)粘合剂、硅粘合剂、丙烯酸粘合剂、UV固化粘合剂、可见固化粘合剂等，以便粘合剂线较细，从而获得预定的粘合力、防止水渗入、以及实现非常可靠的结合。

在第一实施例中，当用于结合的温度改变时测量失真频率。在实验中，用于结合的温度改变到20℃、25℃、50℃、80℃、和100℃。接着，在每个温度，在使用室温凝固粘合剂和热固粘合剂的每种情况下检查失真频率。在实验中，上述的粘合剂被应用于玻璃基板和衬垫的结合以及衬垫和IT-CCD基板的结合。

根据该实验，在每个温度应用室温凝固粘合剂的情况下，获得与应用热固粘合剂几乎相同的结果。在这些情况下，在20℃和25℃，几乎不产生失真。在50℃，在可允许范围内的失真的产生有时出现。在80℃，在可允许范围内的失真的产生经常出现。在100℃，超出可允许范围的失真的产生有时出现。

从所述实验的上述结果，很显然，用于结合的温度优选设定在80℃以下。

此外，如果光固化粘合剂(UV固化粘合剂、可见固化粘合剂、等等)被应用，则用于结合的温度被设定为等于/低于50℃。因此，根本不会出现失真的产生，且可能获得极好的结果。

而且，对传感器和玻璃之间的距离的最优值进行模拟。模拟条件设定为具有3.5mm的出射光瞳、3.5的F值、以及1.5的玻璃基板折射率。

首先，在玻璃基板的下表面具有尺寸为5μm的瑕疵的情况下，固态成像元件的光电二极管部分的光接收表面和玻璃基板的下表面之间的距离被改变，且该距离和瑕疵投射到固态成像元件上的阴影的密度之间的关系被测量。模拟的结果在下表1中示出。

【47】从表1中显见，如果光接收表面和玻璃基板之间的距离为0.07mm，则阴影密度为比4％大的4.7％。因此，理想的是，光接收表面和玻璃基板之间的距离应等于或大于0.08mm。

表1

而且，表2示出在尺寸为20μm的瑕疵出现在玻璃基板表面上的情况下，通过测量光接收表面和玻璃基板的上表面之间的距离和瑕疵投射到固态成像元件上的阴影的密度而获得的结果。

表2

光接收表面和上表面之间的距离(mm)	阴影的密度(％)
		0.3	8.3
0.4	5.1
		0.5	3.5
0.6	2.5
		0.7	1.9
0.8	1.5
		0.9	1.2
1.0	1.0

从表中显而易见的是，在光接收表面和玻璃基板上表面之间的距离等于或小于0.4mm的情况下，阴影密度等于或大于0.4％。

在背景均匀的情况下，例如天空，投射到固态成像元件的光接收表面上的阴影密度为4％，且阴影开始在打印的图像上可见。因此，当阴影密度被设定为小于4％时，不存在这种瑕疵的影响。

从上述的实验结果可知，玻璃基板表面和CCD之间的间距将为0.08mm。显然的是，间距应理想地设定为0.12mm。

此外，光接收表面和玻璃基板上表面之间的距离等于或大于0.5mm是足够的，即使尺寸为20μm的尘埃被放在玻璃基板的表面上。

而且，在相同的模拟中，获得了这样一结果，即光接收表面和玻璃基板上表面之间的距离等于或大于1.5mm且F值为11是足够的。从上述结果中，当光接收表面和玻璃基板上表面之间的距离被设定为0.5至1.5mm时，可防止看不见的尘埃造成图像噪音(如果有的话)。此外，考虑到设备尺寸、由于较大的玻璃厚度而造成的切割生产力的强度和弱化的问题，理想的是，光接收表面和玻璃基板上表面之间的距离应被设定为1.5mm或更小。

(第二实施例)

接着将描述本发明的第二实施例。

在第一实施例中，切割槽104预先形成在构成IT-CCD基板100的硅基板101上，通过使用由与固态图像拾取(pickup)元件基板100相同的硅制成的衬垫203S，IT-CCD基板100和密封盖玻璃200相互结合，且接着从后部执行CMP以触及切割槽104，以使硅基板101的厚度减小，且同时执行分割。所述示例的特征在于，执行分割而不在硅基板101上形成切割槽，并保持准确的厚度。其它部分以与第一实施例中的部分相同的方式形成。

更具体地，图4A至4D示出结合和分割步骤。如图4A所示，硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通结合方法，沟道截断环层被形成，沟道区被形成，诸如电荷转移电极等的元件区被形成。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层的且其包括用于外部连接的金层。

接着，如图4B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个都与粘合剂层207结合在一起。在这种情况下，由于切割槽未在硅基板101上形成，故机械力很大。

此后，如图4C所示，从玻璃基板201的背面执行CMP(化学机械抛光)，且以与第一实施例相同的方式去除玻璃基板201的背面以触及切割部分204。

通过这个步骤，可能执行单独的分割，同时玻璃基板的厚度减小。

此外，如图4D中所示，从玻璃基板201侧用金刚石刀片(磨石)执行切割，以便执行分为单独的固态成像设备的分割。

根据这种方法，可能形成比第一实施例中获得的固态成像设备更厚且具有高可靠性的设备。

(第三实施例)

接着，将描述本发明的第三实施例。

在第一实施例中，切割槽104预先形成在构成IT-CCD基板100的硅基板101上，接着在结合后从背面执行CMP以触及切割槽104，以使硅基板101的厚度减小并同时执行分割。在这个示例中，由厚度为50至700μm的硅基板形成的隔板301通过粘合剂层302粘附至硅基板101的背面，且在粘附后形成具有触及隔板301的深度的切割槽304。

因此，在分割步骤，粘合剂层302可被软化以消除粘性，从而去除隔板301。

其它部分可以与第一实施例中相同的方式形成。

更具体地，图5A至5E示出结合和分割步骤。硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区，形成诸如电荷转移电极...等的元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。接着，如图5A所示，由硅基板形成的隔板301通过粘合剂层302粘附至硅基板101的背面。

此后，如图5B所示，通过从硅基板101的元件形成表面侧使用金刚石刀片(磨石)形成切割槽304。

随后，如图5C所示，用在IT-CCD基板100和密封盖玻璃200的周缘部分中形成的对准标记(未示出)执行对准，且密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个都与粘合剂层207结合在一起。在这种情况下，尽管所形成的切割槽304穿透硅基板101，但由于隔板301的固定，故机械力很大。

此后，如图5D所示，从玻璃基板201的背面执行CMP(化学机械抛光)，且以与第一实施例中相同的方式去除玻璃基板201的背面以触及切割部分204。

通过这个步骤，可能执行单独的分割，同时玻璃基板的厚度减少。

此外，如图5E中所示，设置在硅基板101背面上的粘合剂层302被软化以去除隔板301，从而执行成为单独的固态成像设备的分割。理想的是，应为粘合剂层302选择具有比用于将衬垫203S结合至玻璃基板201的粘合剂层202更低的软化点的材料。

根据这种方法，在结合之前IT-CCD基板100在隔板301之上经受切割。因此，与在第一实施例中获得的固态成像设备相比，在结合之后将施加的应力变小且可更快地提高制造产量。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。

虽然可通过使用实施例中的粘合剂层执行玻璃基板至衬垫的结合，但是还可能应用阳极结合或表面激活冷结合。根据阳极结合，可能容易地获得牢固的结合。

此外，虽然在第一至第三实施例中使用CMP减小玻璃厚度，还可能使用研磨法、抛光法和蚀刻法。

(第四实施例)

接着，将描述本发明的第四实施例。

在第一实施例中，槽部分204预先形成在与构成密封盖玻璃200的玻璃基板201的元件区相应的区域中，IT-CCD基板结合至玻璃基板，接着从玻璃基板201的背面执行CMP，从而执行分为单独元件的分割。在本实施例中，不具有凹形部分的玻璃基板被结合，在分割期间通过切割或激光使切割线的周缘蒸发，每个IT-CCD的玻璃基板201的边缘被调整以被放置在构成IT-CCD基板100的硅基板101的边缘内部上。其它部分以与第一实施例相同的方式形成。

更具体地，在所述方法中，当如图2B所示形成衬垫时完成玻璃基板的加工。通过将衬垫203S结合至板状玻璃基板201而获得的玻璃基板被用作起始材料。

如图6A所示，硅基板101(使用了6英寸的圆片)被预先制备，且切割槽104通过诸如在与用于分成每个IT-CCD的分割的分割线相应的区域中进行蚀刻等方法形成。接着，通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区和形成诸如电荷转移电极...等的元件区。此外，形成表面上设置有布线层的焊盘BP，且其包括用于外部连接的金层。

接着，如图6B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个都与粘合剂层207结合在一起。

此后，如图6C所示，通过切割或激光使切割线的周边从玻璃基板的背面蒸发，且每个IT-CCD的玻璃基板201的边缘被调整以放置在构成IT-CCD基板100的硅基板101的边缘内部上。

而且，如图6D所示，以与执行抛光直到切割槽104部分相同的方式从硅基板101的背面执行CMP，从而执行分成单独的固态成像设备的分割。此外，这个步骤不限于CMP，也可使用研磨、抛光和蚀刻。

这样，集合装配被执行，接着单独的分割被执行。因此，制造可别容易地执行，且处理可被容易地执行。

此外，槽部分204不是预先形成在玻璃基板201上，而是通过切割或激光引起的蒸发去除边缘。因此，可非常容易地执行分割。

这样，通过用于执行切割或激光引起的蒸发的简单方法，可以高精度形成如下结构，其中玻璃基板201的边缘被放置在装配CCD的硅基板101的边缘内部上，且硅基板101的表面被暴露。

此外，玻璃基板保持相同厚度直到分割步骤。因此，可能减少翘曲和张力。

(第五实施例)

接着，将描述本发明的第五实施例。

在第四实施例中，切割槽104预先形成在构成IT-CCD基板100的硅基板101上，接着在结合后从背面执行CMP以触及切割槽104，以便减小硅基板101的厚度并同时执行分割。所述示例的特征在于，切割槽未形成在硅基板101上，但是执行了分割且保持了准确的厚度。此外，以与第四实施例相同的方式执行结合，而不在玻璃基板201上形成槽部分204，且在分割期间边缘部分蒸发。其它部分以与第一实施例中相同的方式形成。

更具体地，图7A至7D示出结合和分割步骤。如图7A所示，硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区，以及形成诸如电荷转移电极等元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且包括用于外部连接的金层。

接着，如图7B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个都与粘合剂层207结合在一起。在这种情况下，由于既无切割槽又无凹形部分形成在硅基板101和玻璃基板201上，故机械力很大。

接着，如图7C所示，通过切割或激光使切割线的周边从玻璃基板201的背面蒸发，且每个IT-CCD的玻璃基板201的边缘被调整以放置在构成IT-CCD基板100的硅基板101的边缘内部上，从而以与第四实施例相同的方式执行分割。

最后，如图7D所示，从玻璃基板201侧用金刚石刀片(磨石)执行切割，从而执行分为单独的固态成像设备的分割。

根据该方法，可能形成比在第一实施例中获得的固态成像设备更厚并具有高可靠性的设备。

(第六实施例)

接着，将描述本发明的第六实施例。在第四实施例中，切割槽104预先形成在构成IT-CCD基板100的硅基板101上，接着从背面执行CMP，从而执行分割。而且，在第五实施例中，切割槽104预先形成在构成IT-CCD基板100的硅基板101上，且在结合后用金刚石刀片(磨石)执行切割，从而分割硅基板101。在所述示例中，由厚度为50至700μm的硅基板形成的隔板301通过粘合剂层302粘到硅基板101的背面，且以这样的方式，即在将密封盖玻璃200粘附至IT-CCD基板100后不需要分割硅基板101的方式，在粘附后形成具有触及隔板301的厚度的切割槽304。

从而，在分割步骤，粘合剂层302可被软化以去除隔板301。

其它部分以与第四和第五实施例中相同的方式形成。

更具体地，图8A至8E示出结合和分割步骤。如图8A所示，硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区，以及形成诸如电荷转移电极等元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。

此后，如图8B所示，切割槽304通过从硅基板101的元件形成表面侧使用金刚石刀片(磨石)形成。

随后，如图8C所示，用在IT-CCD基板100和密封盖玻璃200的周缘部分中形成的对准标记(未示出)执行对准，且密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个都与粘合剂层207结合在一起。包括衬垫203S的玻璃基板和在图8A至8C中的步骤形成的粘合剂层207被使用。尽管切割槽304穿透硅基板101形成，但由于隔板301的安置，机械力很大。

接着，如图8D所示，通过切割或激光切割线的周边从玻璃基板201的背面蒸发，且每个IT-CCD的玻璃基板201的边缘被调整以放置在构成IT-CCD基板100的硅基板101的边缘内部上，且以与第四实施例中相同的方式执行分割。

此外，如图8E所示，设置在硅基板101的背面上的粘合剂层302被软化以去除隔板301，从而执行分为单独的固态成像设备的分割。理想的是，应为粘合剂层302选择具有比用于结合衬垫203S至玻璃基板201的粘合剂层202低的软化点的材料。

根据所述方法，在结合之间IT-CCD基板100在隔板301上经受切割。因此，与在第一实施例中获得的固态成像设备相比，在结合后将施加的应力变小且制造产量可得到更大的提高。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。

在第四至第六实施例中，玻璃基板可通过划割或蚀刻被切割。

(第七实施例)

接着，将描述本发明的第七实施例。

在第六实施例中，由厚度为50至700μm的硅板形成的隔板301通过粘合剂层302粘附至硅基板101的背面，且在粘附后形成具有触及隔板301的深度的切割槽304，且粘合剂层302被软化以去除隔板301，从而在结合至玻璃基板201后在执行分成单独的IT-CCD的步骤执行分割。在本实施例中，由厚度为50至700μm的玻璃板形成的隔板401通过粘合剂层402粘附至玻璃基板201的背面，且在粘附后形成具有触及隔板401的深度的凹形部分404。在结和至玻璃基板201后执行分为单独的IT-CCD的步骤中，粘合剂层402被软化以去除隔板401，从而执行分割。其它部分以与第六实施例中相同的方式形成。

参看构成IT-CCD基板100的硅基板101，以与第二和第四实施例中相同的方式，在其上既无切割槽又无隔板预先形成的硅基板被使用，且最终用金刚石刀片(磨石)切割和分割。

更具体地，结合和分割步骤在图9A至9E中示出。

首先，如图9A所示，由厚度为50至700μm的玻璃板形成的隔板401通过粘合剂层402粘附至玻璃基板201的背面，而且，在粘附后硅基板203通过粘合剂层202粘合，且以在图2A至2C中示出的第一实施例相同的方式，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法形成为衬垫203S。

接着，如图9B所示，与IT-CCD相应的区域再次被有选择地蚀刻，且以与第一实施例中相同的方式形成具有触及隔板401的深度的凹形部分404。此外，可通过半切割执行形成。

而且，硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工形成沟道截断环层、形成沟道区、形成诸如电荷传输电极...等元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。接着，如图9C所示，用在如此形成的IT-CCD基板100和密封盖玻璃200的周缘部分中形成的对准标记(未示出)执行对准，且具有隔板401的密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。

此后，如图9D所示，执行加热以软化粘合剂层402，从而去除隔板401。这样，玻璃基板201被分割。

随后，如图9E所示，由硅基板101形成的IT-CCD基板通过使用金刚石刀片(磨石)被切割，以执行分为固态成像设备的分割。

根据所述方法，在结合前，通过预先在隔板401上进行切割或蚀刻分割构成密封盖玻璃200的玻璃基板201。因此，与在第一实施例中获得的玻璃基板相比，将在结合后施加的应力变小且制造产量可得到很大的提高。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。

(第八实施例)

接着，将描述本发明的第八实施例。

在第七实施例中，结合被准确执行，而不预先在构成IT-CCD基板100的硅基板101上形成切割槽104，最后通过使用金刚石刀片(磨石)执行切割。所述示例的特征在于，切割槽104预先在构成IT-CCD基板100的硅基板101上形成，且在结合后从背面执行CMP以触及切割槽104，从而执行分割，同时减小硅基板101的厚度。其它部分以与第七实施例中相同的方式形成。

更具体地，图10A至10D示出结合和分割步骤。如图10A所示，设置有切割槽104的硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层、形成沟道区、以及形成诸如电荷转移电极...等元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。

接着，如图10B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有如在第七实施例中形成的隔板401的密封盖玻璃200装配在IT-CCD基板100上，且它们两个通过冷直接结合被集成。虽然形成是通过不使用粘合剂层的直接结合执行的，可用粘合剂层207执行结合。

此后，如图10C所示，从IT-CCD基板100的背面执行CMP(化学机械抛光)，且硅基板101的背面被去除以触及切割槽104。

通过所述步骤，可能单独分割IT-CCD基板，同时其厚度减少。下文中，研磨、抛光或蚀刻可用于代替CMP。

随后，如图10D所示，执行加热以软化粘合剂层402，从而去除隔板401。通过所述步骤，可以容易地执行分割，从而形成固态成像设备。

(第九实施例)

接着，将描述本发明的第九实施例。

在第七实施例中，结合被准确执行，而不预先在构成IT-CCD基板100的硅基板101上形成切割槽104，且最后通过使用金刚石刀片(磨石)执行切割。在所述示例中，隔板预先在构成IT-CCD基板100的硅基板101和构成密封盖玻璃200的玻璃基板201上形成，切割槽104和槽部分204在结合之前预先形成，且粘合剂层402和302被软化以去除隔板301和401，从而在结合后执行分割。其它部分以与第七实施例中相同的方式形成。

更具体地，图11A至11D示出结合和分割步骤。如图11A所示，具有隔板301粘到其上的硅基板101被设定为起始材料，且通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区，以及形成诸如电荷转移电极...等元件区。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。

接着，如图11B所示，切割槽304被形成以触及隔板301。

隔板401以与第七和第八实施例中相同的方式粘附至密封盖玻璃200，而且，凹形部分404通过蚀刻或切割形成。

此后，如图11C所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有如在第七实施例中形成的隔板401的密封盖玻璃200被装配在具有隔板301的IT-CCD基板100上，且执行加热以将它们两个与粘合剂层207结合在一起。

随后，如图11D所示，粘合剂层402和302被软化以去除隔板301和401，从而可执行分为单独的IT-CCD的分割。

这些待使用的粘合剂层302和402可具有几乎相等的软化温度，从而可同时被软化。

此外，粘合剂层302和402中其中之一可被去除以通过用胶带粘合进行固定，且另一粘合剂层302或402可被软化以被去除。

根据这种结构，在结合后不施加额外应力。因此，可能减少对IT-CCD的损坏。

(第十实施例)

接着，将描述本发明的第十实施例。

在第一至第九实施例中，在设置有如图2A和2B所示的衬垫203S的密封盖基板200的形成中，将成为衬垫的硅基板203通过粘合剂粘附至玻璃基板201，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法经受图案化以形成切割槽204。在本实施例中，如图12A和12B所示，通过使用隔板501，衬垫203S在隔板上被蚀刻，接着用粘合剂层202执行至玻璃基板201的粘附。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

更具体地，如图12A所示，将成为衬垫的硅基板203通过具有约50至150℃的软化温度的粘合剂层502粘附至由硅基板形成的隔板501。接着，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法经受图案化，从而形成衬垫203S。

接着，如图12B所示，玻璃基板201通过软化温度为约100至200℃的粘合剂层粘附至衬垫203S侧。

这样，玻璃基板201被粘附，接着执行加热直到约50至150℃以软化粘合剂层502，从而去除隔板501。因此，形成具有衬垫的密封盖玻璃200。

根据这种方法，不必在玻璃基板上加工衬垫。从而，可能防止在玻璃基板201上形成划痕、从而造成模糊。

在光刻法方法中，用于粘附隔板的粘合剂层502可充分耐受烘焙温度。此外，由于需要去除隔板501，用于将衬垫203S粘附至玻璃基板201的粘合剂层202需要具有比粘合剂层502高得多的软化温度。

此外，在凹形部分将在玻璃基板上形成的情况下，优选的是，槽部分204应在粘附之前通过切割或蚀刻形成，如图13所示。而且，优选的是，在去除隔板501后凹凸部分应通过切割或蚀刻形成。

结合步骤和切割步骤与第一至第三实施例中所描述的图3至5中的结合步骤和切割步骤相同。

(第十一实施例)

接着，将描述本发明的第十一实施例。

虽然在第一至第十实施例中衬垫203S被分离地形成且通过粘合剂层被粘附，但在本示例中通过使用光刻法的蚀刻方法形成凹形部分205，且衬垫206因此设置在玻璃基板201上。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

更具体地，如图14A所示，玻璃基板201被制备。

接着，如图14B所示，凹形部分205通过使用光刻法的蚀刻方法形成。从而，形成包括衬垫206的玻璃基板。

根据这种结构，衬垫206被整体形成。因此，可以容易地执行制造且不发生移位，而且，在结合部分中不存在产生张力的可能性。

(第十二实施例)

接着，将描述本发明的第十二实施例。

虽然在第十一实施例中已描述了形成具有与其整体形成的衬垫206的密封盖玻璃200的方法，还可能通过蚀刻形成槽部分204，如图15A至15C所示。

在所述示例中，凹形部分205通过使用光刻法的蚀刻方法形成在玻璃基板201上，从而衬垫206整体形成。接着，槽部分204被形成。从而，通过蚀刻形成用于将密封盖玻璃200的边缘放置在IT-CCD基板100的边缘内部上的玻璃基板的槽部分204。因此，减少了张力的产生，从而可以容易地执行分隔步骤。

更具体地，如图15A所示，玻璃基板201被制备。

接着，如图15B所示，凹形部分205通过使用光刻法的蚀刻方法形成在玻璃基板201上。

此后，如图15C所示，通过使用光刻法的蚀刻方法进一步更深地执行蚀刻，以形成槽部分204。因此，衬垫206被整体形成。

尽管由于不同的蚀刻深度这些加工步骤要求蚀刻两次，还可能形成为呈两层结构的掩模的抗蚀图案，以蚀刻用于形成衬垫的槽部分204，接着仅有选择地去除上层抗蚀图案，从而仅使用下层侧上的抗蚀图案作为掩模执行蚀刻。

此外，结合步骤和切割步骤与第一至第三实施例中所描述的图3至5中的结合步骤和切割步骤相同。

(第十三实施例)

接着，将描述本发明的第十三实施例。

虽然在第十一和十二实施例中已描述了形成具有与其整体形成的衬垫206的密封盖玻璃200的方法，还可能将用于衬垫的硅基板203粘附至设置有槽部分204的玻璃基板201，以通过使用光刻法的蚀刻方法有选择地去除硅基板203，从而形成衬垫203S，如图16A至16D所示。其它部分以与第十一和第十二实施例中相同的方式形成。

在所述示例中，槽部分204通过使用光刻法的蚀刻方法形成在玻璃基板201上，且衬垫206整体形成，而且，通过蚀刻形成用于将密封盖玻璃200的边缘放置在IT-CCD基板100的边缘内部上的玻璃基板201的槽部分204。因此，减少了张力的产生，从而可以容易地执行分割步骤。

更具体地，如图16A所示，玻璃基板201被制备。

接着，如图16B所示，槽部分204通过使用光刻法的蚀刻方法形成在玻璃基板201上。

此后，如图16C所示，为用于衬垫的基板的硅基板203通过粘合剂层202被粘附。

而且，如图16D所示，衬垫203S通过使用光刻法的蚀刻方法整体形成。

通过所述方法，类似地，可能以高精度和高可靠性形成具有衬垫的密封盖玻璃200。

结合步骤和分隔步骤与第一至第三实施例中所描述的图3至5中的结合步骤和分隔步骤相同。

(第十四实施例)

接着，将描述本发明的第十四实施例。

在第十三实施例中，将成为衬垫的硅基板203通过粘合剂粘附至玻璃基板201，且硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法经受图案化以形成密封盖玻璃200，从而形成密封盖玻璃200，如图16A至16D所示。在本实施例中，如图17A和17B所示，衬垫203S通过使用隔板501在隔板上经受图案化，接着用粘合剂层202执行至设置有槽部分204的玻璃基板201的粘附。其它部分以与第十三实施例中相同的方式形成。

更具体地，将成为衬垫的硅基板203通过软化温度为约50至150℃的粘合剂层502粘附至由硅基板制成的隔板501。接着，如图17A所示，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法经受图案化，从而形成衬垫203S。

此后，如图17B所示，具有槽部分204的玻璃基板201通过软化温度为约100至200℃的粘合剂层202粘附至衬垫203S侧。

这样，玻璃基板201被粘附，接着执行加热直到约50至150℃以软化粘合剂层502，从而去除隔板501。因此，形成具有衬垫的密封盖玻璃200，如图17C所示。

根据这种方法，不必在玻璃基板上加工衬垫。从而，可能防止在玻璃基板201上形成划痕、因而造成模糊。

结合步骤和分隔步骤与在第一至第三实施例中所描述的图3至5中的结合步骤和分隔步骤相同。

(第十五实施例)

接着，将描述本发明的第十五实施例。

在第十二至第十四实施例中，对于制造具有衬垫的密封盖玻璃200的方法已进行了描述，其中该密封盖玻璃包括用于容易地执行分隔步骤的槽部分204。第十五至第十七实施例的特征在于，至隔板401的粘附被执行，且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在结合之前预先被分割，且粘合剂层402在结合后被软化，从而去除隔板，执行分为单独的IT-CCD的分割。其它部分以与第十四实施例中相同的方式形成。

虽然在图15A至15C中示出的实施例中槽部分204形成在衬垫组件型密封盖玻璃的玻璃基板上，且玻璃基板可以容易地被分割，由玻璃基板形成的隔板401通过粘合剂402被使用，且隔板被去除，从而可以容易地执行分隔，如图18所示。

玻璃基板被用作起始材料，且在隔板被粘附后通过使用光刻法的蚀刻方法形成槽部分204和衬垫26。

根据这种结构，在分割期间粘合剂层402仅通过加热被软化是充分的，从而可非常容易地执行该分割。

结合步骤和分隔步骤与在第七至第九实施例中所描述的结合步骤和分隔步骤相同。

(第十六实施例)

接着，将描述本发明的第十六实施例。

所述示例的特征在于，这种类型的玻璃基板201，即能将衬垫203S粘附至具有第十三实施例中所述的凹形部分的类型的玻璃板(plate)，粘附至隔板401，且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在结合前预先被分隔，且粘合剂层402在结合后被软化，从而去除隔板并执行分为单独的IT-CCD的分隔。其它部分以与第十三实施例中相同的方式形成。

在本实施例中，隔板401通过粘合剂层402粘附至根据图16A和16B中所示的实施例的衬垫组件型玻璃板，从而如图19A和19B所示形成槽部分204。

玻璃板被用作起始材料，且在隔板被粘附后，具有触及隔板的深度的槽部分204和衬垫203S以与第十三实施例中相同的方式形成。

更具体地，如图19A所示，隔板401通过粘合剂层402粘附至玻璃基板201。

接着，如图19B所示，通过使用光刻法玻璃基板201被蚀刻，且从玻璃基板201表面触及隔板401的槽部分被形成。

此后，如图19C所示，用于衬垫的硅基板203通过粘合剂层202被粘附。

随后，如图19D所示，通过使用光刻法的蚀刻方法硅基板203被有选择地去除以形成衬垫203S。

根据这种结构，至IT-CCD基板100的结合被执行，接着，在切割中粘合剂层402仅通过加热被软化。这样，分割被非常容易地执行。

结合和分隔步骤与在第七至第九实施例中描述的相同。

(第十七实施例)

接着，将描述本发明的第十七实施例。

所述示例的特征在于，这种类型的玻璃基板201，即能将在隔板501上形成图案的衬垫203S粘附至具有第十四实施例(图17)中所述的凹形部分的类型的玻璃板，粘附至隔板401，且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在结合前预先分隔，且粘合剂层402在结合后软化，从而去除隔板并执行分为单独的IT-CCD的分隔。其它部分以与第十四实施例中相同的方式形成。

在实施例中，隔板401通过粘合剂层402粘附至根据图17A和17B中所示的实施例的衬垫粘附型玻璃板，如图20A至20C所示。

玻璃板被用作起始材料，且在隔板被粘附后，具有足以触及隔板的深度的槽部分204和衬垫203S以与第十五实施例中相同的方式形成。

更具体地，将成为衬垫的硅基板203通过粘合剂层202粘附至由硅基板形成的隔板501，接着，通过使用光刻法的蚀刻方法硅基板203经受蚀刻，从而形成如图20A所示的衬垫203S。

此后，如图20B所示，具有被形成以触及隔板401的槽部分204的玻璃基板201通过粘合剂层202粘附至衬垫203S。

这样，玻璃基板201被粘附，接着粘合剂层502被软化以去除隔板501，从而形成具有衬垫的密封盖玻璃200，如图20C所示。

根据这种结构，在分割期间粘合剂层402仅通过加热被软化，从而可以容易地去除隔板401和非常容易地执行分割。

结合和分隔步骤与在第七至第九实施例中描述的相同。

(第十八实施例)

接着，将描述本发明的第十八实施例。

虽然在第一至第十七实施例中已描述了衬垫形成在半透明基板上的示例，但在下面的第十八至第二十二实施例中将描述衬垫形成在IT-CCD基板侧上的示例。

在所述示例中，衬垫106S与构成IT-CCD基板的硅基板101整体形成。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

首先，抗蚀图案通过光刻法形成在硅基板101的表面上，如图21A所示，且通过有选择的蚀刻使用抗蚀图案作为掩模，形成凹形部分105，从而形成衬垫106S，如图21B所示。

接着，如图21C所示，通过使用普通硅加工，沟道截断环层被形成，沟道区被形成，诸如电荷转移电极...等的元件区被形成在由衬垫106S包围的元件形成区中。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且包括用于外部连接的金层。

此后，如图21D所示，设置有槽部分204的玻璃基板201被制备，且如图21E所示，与IT-CCD基板100的元件形成表面相对执行对准，且玻璃基板201被结合。通过加热涂覆到衬垫106S表面的粘合剂层107进行牢固的结合。

最后，如图21F所示，玻璃基板侧和IT-CCD基板侧通过CMP变薄，从而能执行分为IT-CCD的分隔。该变薄步骤不限于CMP，也可通过研磨、抛光或蚀刻执行。

而且，在槽部分204未在玻璃基板上形成的情况下，切割通过切割或激光执行，以便可用高工作能力进行分隔。此外，在切割槽104未在硅基板101上形成的情况下，通过使用金刚石刀片进行切割，以便可用高工作能力进行分隔。

根据所述方法，衬垫与IT-CCD基板整体形成。因此，可能形成具有高可靠性的固态成像设备，而不在结合部分中产生张力。

(第十九实施例)

接着，将描述本发明的第十九实施例。

虽然在第十八实施例中已描述了衬垫与IT-CCD基板整体形成的示例，在所述示例中，硅基板108可通过粘合剂层107粘附到IT-CCD基板上，以便在IT-CCD基板上经受图案化。其它部分以与第十八实施例中相同的方式形成。

更具体地，首先，在这个示例中，通过使用普通硅加工，沟道截断环层被形成，沟道区被形成，诸如电荷转移电极...等的元件区被形成在硅基板101中，如图22A至22C所示。此外，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且包括用于外部连接的金层。

接着，如图22A所示，硅基板103通过粘合剂层107粘附到IT-CCD基板上。

此后，如图22B所示，通过使用光刻法的蚀刻方法，硅基板103被从IT-CCD基板有选择地去除，以形成衬垫103S。

随后，如图22C所示，粘合剂层109被涂覆到衬垫103S上，且切割槽104被形成。

根据所述方法，在硅基板上形成元件区后衬垫被设置。因此，衬垫在元件区的形成中不是障碍，可以容易地执行制造。由于未执行整体形成，还存在不能避免微小张力的问题。

结合和分隔步骤与实施例中所描述的相同。

(第二十实施例)

接着，将描述本发明的第二十实施例。

虽然在第十九实施例中已描述了硅基板108通过粘合剂层107粘附到IT-CCD基板上并在IT-CCD基板上蚀刻以形成衬垫103S的示例，隔板601可被用于在其上形成衬垫103S，且可粘附至设置有IT-CCD的硅基板101，即，用于形成IT-CCD的基板。其它部分以与第十九实施例中相同的方式形成。

更具体地，如图23A所示，将成为衬垫的硅基板103通过软化温度为约50至150℃的粘合剂层602粘附至由硅基板形成的隔板601。接着，通过使用光刻法的蚀刻方法硅基板103被有选择地去除，从而形成衬垫103S。

接着，如图23B所示，设置有IT-CCD的硅基板101通过软化温度为约100至200℃的粘合剂层202粘附至衬垫103S侧。

这样，设置有IT-CCD的硅基板201被粘附，接着执行加热直到约50至150℃以软化粘合剂层602，从而去除隔板601，如图23C所示。随后，形成切割槽104，从而以与图22B中相同的方式形成具有衬垫的IT-CCD基板100，如图23D所示。

用于玻璃基板和IT-CCD基板的结合和分隔步骤与第十八实施例中描述的相同。

根据这种方法，不必在IT-CCD基板上加工衬垫。从而，可能防止在IT-CCD基板上形成划痕、从而使产量减少。

虽然在本实施例中切割槽104在形成衬垫之后被设置，显然的是，切割槽104可在形成衬垫之前被设置。

在实施例中，通过使用粘合剂层执行玻璃基板和衬垫之间的结合以及构成IT-CCD的硅基板和衬垫之间的结合。可能通过执行表面激活和通过冷直接结合执行结合而获得牢固的结合。

虽然在第一至第二十实施例(除了第十一、第十二、第十五实施例)中硅基板被用作衬垫，但不受此限，也可应用具有几乎等于IT-CCD基板的热膨胀系数的42-合金。而且，也可能使用具有几乎等于半透明基板的热膨胀系数的材料。此外，可使用聚酰亚胺树脂。在这种情况下，可获得柔韧性，且对于由于温度变化而产生的张力，还可产生吸收张力的效果。

而且，衬垫可通过使用粘合带而形成。在这种情况下，在粘附至整个表面后，可能通过使用激光处理的切割用高精度执行加工。

此外，虽然在第一至第二十实施例中硅基板或玻璃基板被用作隔板，但不限于此，也可使用金属板。而且，可使用柔性薄膜。

而且，还可能将半固化树脂、UV固化树脂、UV/热固结合型树脂和热固树脂用作粘合剂层。

此外，可能适当地选择转移方法、丝网印刷术、或分配方法用作形成粘合剂层的方法。

虽然在第十八至第二十实施例中切割槽在形成衬垫之前被设置，显然的是，切割槽可在形成衬垫之后被设置。

(第二十一实施例)

接着，将描述根据本发明的第二十一实施例的包括加强板的固态成像设备。

如图24所示，固态成像设备的特征在于，由通过二氧化硅薄膜(未示出)结合的硅基板形成的加强板701粘附至构成根据第一实施例的固态成像设备的IT-CCD基板100的硅基板101的背面。下文中，由表面上形成有二氧化硅薄膜的硅基板形成的加强板701通过使用表面激活冷结合的直接结合结合到IT-CCD基板上。

元件结构与第一实施例中描述的固态成像设备的元件结构相同，且通过CMP方法使硅基板从背面变薄以具有差不多一半厚度，且加强板701如图24所示结合至背面以补偿由于变薄而引起的力的减少。

根据这种结构，可使IT-CCD基板100变薄以提高驱动速度，且由于变薄引起的力的减少可用加强板补偿。此外，还可提高防潮性。

接着，将描述用于制造固态成像设备的方法。

在玻璃基板粘附到IT-CCD基板的步骤之前将进行的处理基本上与第一实施例相同。更具体地，如图25A所示，通过在预先设置有切割槽104的硅基板101上使用普通硅加工，形成构成IT-CCD的元件区，而且，形成表面上设置有布线层的焊盘BP，其包括用于外部连接的金层。

接着，如图25B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，密封盖玻璃200装配在设置有如上所述的元件区的IT-CCD基板100上，进行加热，以使它们两个与粘合剂层202结合在一起。所述方法可采用表面激活冷结合。

此后，如图25C所示，玻璃基板保持原样，以与抛光切割槽104相同的方式从硅基板101的背面执行CMP方法。这样，可执行分为单独的固态成像设备的分隔。

而且，如图25D所示，通过使用表面激活冷结合的直接结合，由表面上设置有二氧化硅薄膜(未示出)的硅基板形成的加强板701结合至变薄的硅基板101的背面。

最后，玻璃基板201的背面被去除以触及槽部分204，且玻璃基板变薄，同时被单独分隔。最终，通过使用金刚石刀片(磨石)使加强板701经受切割，从而形成具有加强板的固态成像设备，如图25E所示。

这样，可非常容易地形成固态成像设备。

从而，根据本发明的方法，集合装配被执行，接着单独分隔被执行，而不执行单独对准和例如引线接合等电连接。因此，可以容易地执行制造，还可以容易地执行处理。此外，硅基板首先变薄和被分隔，且加强板被粘附，接着经受切割。随后，可获得高可靠性。

虽然在本实施例中衬垫形成在玻璃基板上，但还可能应用设置在IT-CCD基板上或被分离地设置的衬垫。

而且，虽然在本实施例中加强板由与IT-CCD基板分离的硅基板构成，且具有绝热特性，但还可能使用对辐射板具有优良的导热性的基板。并且，根据本实施例，可提高防潮性。此外，同样在未设置切割槽104的情况下，可应用本实施例。

(第二十二实施例)

而且，作为本发明的二十二实施例，还可能通过粘附例如钨或铬等金属基板代替加强板获得屏蔽板801，如图26所示。其它部分以完全相同的方式构成。

根据这种结构，电磁波可被屏蔽，从而可减少不必要的辐射噪音。

(第二十三实施例)

接着，将描述本发明的第二十三实施例。

在第一至第二十二实施例中，在IT-CCD基板表面上形成的焊盘被形成，以使其被暴露，且以电连接可在IT-CCD基板表面上执行的方式，半透明基板(玻璃基板)201的边缘被形成以使其被放置在IT-CCD基板边缘的内部上。所述示例的特征在于，IT-CCD基板和玻璃基板的边缘被同等构成，且经由穿透IT-CCD基板100和粘附至其背面的加强板701的通孔H达到(fetch)背面，如图27C所示。108表示导体层，109表示将成为绝缘层的二氧化硅层。更具体地，为半透明组件的玻璃基板201结合至IT-CCD基板100的表面，该IT-CCD基板100包括将成为半导体基板的硅基板101，其通过衬垫S203设置有IT-CCD 102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，而且，垫113和凸起114被形成为外部读取端子，该外部读取端子经由在硅基板101上形成的通孔H形成在IT-CCD基板100的背面上，且边缘通过切割单独分隔，通过凸起114执行外部连接。如图28D所示，通过各向异性导电薄膜115执行至外围电路板901的连接。此外，使用超声波的扩散结合、焊接接合、和使用热压的共晶结合是有效的。而且，间隙可用树脂底层填充。衬垫203S具有30至150μm的高度，优选为80至120μm。其它部分以与第一实施例中相同的方式形成。

用于制造固态成像设备的方法在图27A至27C和图28A至28D中示出。

更具体地，在所述方法中，通过表面激活冷结合，由设置有二氧化硅薄膜(未示出)的硅基板形成的加强板701结合至IT-CCD基板100的背面，该IT-CCD基板100设置有元件区，该元件区用于以与第四实施例中图6A和6B中所示的步骤相同的方式通过使用普通硅加工形成IT-CCD和用于外部连接的焊盘BP(图27A)。

接着，如图27B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有结合至板状玻璃基板201的衬垫203S的盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。

通过使用光刻法的蚀刻方法，在加强板701的背面上形成通孔。接着，二氧化硅薄膜109通过CVD方法形成在通孔中。此后，执行例如RIE或ICP干蚀刻等各向异性蚀刻，以使二氧化硅薄膜109仅保留在通孔侧壁上且焊盘BP被暴露，如图27C所示。

随后，如图28A所示，通过使用WF₆的CVD方法，钨薄膜形成为导体层108，以与通孔中的焊盘接触。

接着，如图28B所示，焊盘113和凸起114形成在加强板701的表面上。

这样，可能在加强板701侧上形成信号读取电极端子和导电电极端子。

此后，如图28C所示，各向异性薄膜115(ACP)被涂覆到加强板701表面上。

最后，如图28D所示，设置有驱动电路的电路板901通过各向异性导电薄膜115被连接。电路板901设置有由填充在穿透电路板和焊盘118的通孔中的导体层形成的接触层117。

因此，可能通过焊盘118容易地获得至诸如印刷板等的电路板的连接。而且，接触层117被如此形成以使其与形成在IT-CCD基板上的导体层108成一直线。

接着，整个设备沿切割线DC经受切割，且分为单独的固态成像设备的分割被执行(在图中仅示出一个单元，且在一个圆片上连续形成多个IT-CCD)。

这样，可用高工作能力非常容易地形成固态成像设备。

加强板701由设置有二氧化硅薄膜的硅基板构成。因此，可能执行与IT-CCD基板100的热绝缘和电绝缘。

此外，虽然在本实施例中导体层通过CVD方法形成在通孔中，但可能通过使用喷镀法、真空丝网印刷法、或真空抽吸法用高精度容易地将传导层填充在具有高长宽比的接触孔中。

而且，虽然在实施例中IT-CCD基板的表面和后面和装配外围电路的电路板的电连接使用通过通孔执行，但不限于此，还可使用通过表面和背面的杂质扩散形成接触以电连接表面和后面的方法。

这样，可能在加强板701侧上形成信号读取电极端子和导电电极端子。

(第二十四实施例)

接着，将描述本发明的第二十四实施例。

虽然在第二十三实施例中通孔被如此形成以穿透加强板701，且导体层111被形成，但在本实施例中IT-CCD基板通过使用预先设置有孔(垂直孔)的硅基板形成。由于垂直孔的小的形成深度是足够的，所以可提高生产率和可提高制造产量。其他部分以与第二十三实施例中相同的方式形成。

更具体地，如图29A所示，在形成IT-CCD之前抗蚀图案首先通过光刻法形成在硅基板的后面，且通过将抗蚀图案用作掩模，垂直孔118通过RIE(活性离子蚀刻)形成。在所述步骤，由铝制成的垫110被设置在表面上，且垂直孔118被如此形成以触及垫110。

接着，如图29B所示，二氧化硅薄膜119通过CVD方法形成在垂直孔118的内壁上。

如图29C所示，通过使用与每个实施例中相同的普通硅加工，用于形成IT-CCD的元件区被设置。

接着，如图29D所示，用在每个基板的周缘部分上形成的对准标记执行对准，且具有结合至板状玻璃基板201的衬垫203S的盖玻璃200被装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。类似地，可在结合步骤使用表面激活冷结合。

此后，如图29E所示，加强板701通过表面激活冷结合结合到IT-CCD基板100的背面上，且通孔108通过使用光刻法的蚀刻方法形成以从背面触及垂直孔118。类似地，理想的是，应使通孔的内壁绝缘。此外，还可能使用预先设置有通孔的加强板。

随后，执行在第二十三实施例中描述的图28A至28D中示出的步骤。从而，可能容易地形成具有如此结构即设置有外围电路的电路板被层压的结构的固态成像设备。

在本实施例中，如上所述，由于垂直孔的小的形成深度，可提高生产率，且可提高制造产量。

(第二十五实施例)

接着，将描述本发明的第二十五实施例。

在第二十四实施例中，触点穿透加强板701形成，从电路板侧引出(fetch)IT-CCD基板和电路板和电极。本实施例的特征在于，将成为布线层的导体层120形成在侧壁上，且电极从固态成像设备的侧壁引出，如图30A和30B所示。其它部分以与第二十四实施例中相同的方式形成。

制造方法几乎与第二十四实施例相同。使通孔的位置与固态成像设备的每个末端相应，且通过使用包括通孔的切割线DC执行切割。从而，可能容易地形成布线层在侧壁上形成的固态成像设备。

此外，待填充在通孔中的导体层120由例如钨等屏蔽材料构成。因此，尽管固态成像设备不被完全屏蔽，但可减少出错。

如果必要，当加强板由聚酰亚胺薄膜、陶瓷、结晶玻璃或表面和背面氧化的硅基板构成时，其可起绝热基板的作用。此外，加强板可由屏蔽材料形成。

(第二十六实施例)

接着，将描述本发明的第二十六实施例。

虽然在第二十三和二十四实施例中IT-CCD基板100的背面通过加强板设置在外围电路板上，如图28所示，但在所述示例中IT-CCD基板100被设置在外围电路板901上，加强板701继而设置在外围电路板901的背面上，如图31所示。其它部分以与第二十四或二十五实施例相同的方式形成。

加强板还起辐射板的作用。

虽然制造方法几乎与第二十三和二十四实施例中的每个相同，IT-CCD基板100和外围电路板901彼此靠近设置。因此，可减小连接阻抗，并可执行高速驱动。

(第二十七实施例)

接着，将描述本发明的第二十七实施例。

虽然在第二十六实施例中通孔形成在基板中，且电极从外围电路板的背面引出，本示例的特征在于，将成为布线层的导体层120通过绝缘模121形成在侧壁上，如图32所示。其它部分以与第二十六实施例相同的方式形成。

制造几乎与第二十五实施例中相同。仅通过在包括形成在通孔上的触点的位置中设置切割线，可能容易地形成具有侧壁布线的固态成像设备。

在固态成像设备中，布线形成在侧壁上。因此，可能在侧壁上形成信号读取端子和电源端子。显然的是，位于外围电路板901背面上的垫和凸起可被形成以执行连接。701表示加强板。

在第二十一至二十七实施例中，密封盖玻璃200可以与第一至第二十实施例中的每个实施例相同的制造方法形成。

(第二十八实施例)

接着，将描述本发明的第二十八实施例。

在第二十三实施例中，通孔形成在基板中，电极在外围电路板的背面上引出。本示例的特征在于，导体层209形成在穿过玻璃基板201和衬垫203S设置的通孔208中，且垫210形成在玻璃基板201的上表面上，信号读取端子和电源端子形成在其上。其它部分以与图27和28中所示的第二十三实施例中相同的方式形成。

接着，用于制造固态成像设备的方法在图34A、34A`、34B至34F、以及图35A至35E中示出。

更具体地，在第二十三实施例中，在图27C中所示的步骤，通孔形成在IT-CCD基板100上，信号读取端子和电源端子形成在IT-CCD基板100的背面上。另一方面，所述方法的特征在于，衬垫203S粘附至构成密封盖玻璃200的玻璃基板201上，通孔208被形成以穿透衬垫203S和处于此状态的玻璃基板201，导体层形成在其中，信号读取端子和电源端子形成在密封盖玻璃200的表面侧上。

首先，如图34A所示，用于形成衬垫的具有30至120μm的厚度的硅基板203被制备。

接着，如图34A`所示，用于构成密封盖玻璃200的玻璃基板201被制备。

接着，如图34B所示，粘合剂层202被涂覆到基板203的表面上。

此后，如图34C所示，具有粘合剂层202涂覆到其上的硅基板203粘附至玻璃基板201的表面。

随后，如图34D所示，通过光刻法形成抗蚀图案，通过将抗蚀图案用作掩模执行RIE(活性离子蚀刻)，粘合剂预先被涂覆以去除凹形部分205，该凹形部分205包括与光电二极管相应的区域，即与光接收区(图1B中的40)相应的区域，或在RIE后通过氧等离子体执行去除处理。

接着，如图34E所示，通过光刻法形成抗蚀图案，通过将抗蚀图案用作掩模执行RIE(活性离子蚀刻)。从而，通孔208被形成以穿透衬垫203S和玻璃基板201。

此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)由CVD至少设置在由硅制成的衬垫的内壁上。

在衬垫由例如玻璃或树脂等绝缘体形成的情况下，不要求有此步骤。此外，屏蔽薄膜可形成在衬垫的内壁或外壁上。

此后，如图35A所示，导体层209形成在通孔的侧壁上，该通孔通过真空丝网印刷或使用例如银膏或铜膏等导电膏的金属镀绝缘，且穿透衬垫203S和玻璃基板201的贯穿的(through)接触区被形成。

随后，如图35B所示，金焊盘210和211或凸起212形成在玻璃基板的表面和背面上，该玻璃基板具有衬垫，以连接至贯穿的接触区。在薄膜形成中，薄薄的金膜形成在表面和背面上，且通过使用光刻法的蚀刻方法执行图案化，或可应用丝网印刷或有选择的喷镀。

而且，各向异性导电树脂薄膜213被涂覆，如图35C所示。

另一方面，如图35D所示，设置有加强板701的IT-CCD基板100以与第二十三实施例中相同的方式被制备。

接着，如图35E所示，用形成在每个基板的周缘部分中的对准标记执行对准，且具有结合至板状玻璃基板201的衬垫203S的盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个与各向异性导电薄膜213整体形成。

接着，整个设备沿切割线DC经受切割，且分为单独的固态成像设备的分割被执行。

这样，可用高工作能力非常容易地形成设置有例如密封盖玻璃上的焊盘等接触区的固态成像设备。

(第二十九实施例)

接着，将描述本发明的第二十九实施例。

虽然在第二十八实施例中已对其中穿透玻璃基板和衬垫的通孔被形成和例如焊盘等接触区形成在密封盖玻璃上的固态成像设备进行了描述，在以下的第三十至三十三实施例中将描述一种改变。

首先，本实施例的特征在于，在衬垫上形成的通孔和玻璃基板201被制备，如图36A所示。

如图36B所示，照相排版树脂通过光屏蔽方法形成在玻璃基板201的表面上，从而形成衬垫213。

接着，如图36C所示，通孔208通过使用光刻法的蚀刻方法形成。

这样，可能容易地获得具有衬垫且设置有通孔的密封盖玻璃。

随后，图35A至35E中所示的装配步骤以与第二十八实施例中所述相同的方式被执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行以执行切割。从而，可获得图35E中所示的固态成像设备。

根据这种方法，可以容易地形成衬垫。虽然在本实施例中使用了照相排版树脂，但也可使用粘合剂自身。玻璃基板和衬垫被整体形成，且翘曲和张力可减少，而且，还可以容易地执行制造。

(第三十实施例)

接着，将描述本发明的第三十实施例。

虽然在第二十八实施例中用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板且经受图案化，但在本实施例中玻璃基板可在一次蚀刻步骤被蚀刻以同时形成凹形部分和通孔。其他部分按照与第二十八实施例相同的方式形成。

在本实施例中，首先，玻璃基板201被制备，如图37A所示。

接着，如图37B所示，抗蚀图案R在玻璃基板201的表面和背面上形成，开口被设置在待形成通孔的区域中的表面和背面，且开口仅设置在待形成凹形部分205(和切割槽204，如果必要)的区域中的背面。

此后，如图37C所示，通过使用位于表面和背面上的抗蚀图案作为掩模，从两个表面蚀刻玻璃基板，从而同时形成凹形部分205、切割槽

(未示出)割通孔208。

这样，可能容易地获得具有与其整体形成的衬垫和在其中形成的通孔的密封盖玻璃。

随后，图35A至35E中所示的装配步骤以与第二十八实施例中所述相同的方式执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行以执行切割。从而，可获得图35E中所示的固态成像设备。

玻璃基板和衬垫整体形成，且可减少翘曲和张力，而且，还可以容易地执行制造。

(第三十一实施例)

接着，将描述本发明的第三十一实施例。

虽然在第二十八实施例中用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板且经受图案化，但在本实施例中具有形成于其上的图案的衬垫203S粘附至玻璃基板201，且最终在蚀刻步骤形成通孔。其它部分以与第二十八实施例相同的方式形成。

首先，在本实施例中，玻璃基板201被制备，如图38A所示。

另一方面，用于形成衬垫的硅基板203被制备，如图38A`所示。

接着，如图38B所示，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法被处理，从而获得衬垫203S。

此后，如图38C所示，粘合剂202被涂覆到经受图案化的衬垫203S的表面上。

随后，如图38D所示，衬垫203S被粘附，使其与玻璃基板201成一直线。

接着，如图38E所示，通孔208通过使用光刻法的蚀刻方法形成。

这样，可能容易地获得具有粘附到其上的衬垫和形成在其中的通孔的密封盖玻璃。

此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通过CVD至少设置在由硅制成的衬垫内壁上。

在衬垫由例如玻璃或树脂等绝缘体制成的情况下，不需要此步骤。此外，屏蔽薄膜可形成在衬垫的内壁或外壁上。

随后，图35A至35E中所示的装配步骤以与第二十八实施例中所述相同的方式被执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行以执行切割。从而，可获得图35E中所示的固态成像设备。

还可能通过使用紫外线固化树脂、热固树脂或这二者或涂覆半固化粘合剂将玻璃基板粘附至衬垫。而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器(dispenser)、丝网印刷或模压传递(stamp transfer)适当选择供给。

而且，如图38C所示，还可能通过将钨膜溅射到衬垫的凹形部分内壁内的方法形成屏蔽膜215。

从而，可能不用单独提供屏蔽膜而获得优良的图像传感特征。

(第三十二实施例)

接着，将描述本发明的第三十二实施例。

在第二十八实施例中，已描述了用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板且经受图案化、待穿透玻璃基板和衬垫的通孔最终通过蚀刻形成的示例。在本实施例中，如图39A至39F所示，通过蚀刻硅基板执行形状加工，且通过使用圆片级上的对准标记，形成为图39E中所示的通孔208a的衬垫203S和设置有图39B`中所示的通孔208b的玻璃基板201被对准，且它们两个与粘合剂层202粘合在一起。其它部分以与第二十八实施例中相同的方式形成。

同样在这种情况下，还可能在面向衬垫的凹形部分的内壁上形成屏蔽膜(215)。

根据这种方法，由于通孔被单独形成以执行粘附，要求进行对准，且差不多一半长宽比是足够的。从而，可以容易地形成通孔。

随后，图35A至35E中所示的装配步骤以与第二十八实施例中相同的方式执行，且至IT-CCD的粘附被执行以执行切割。从而，可获得在图35E中所示的固态成像设备。

(第三十三实施例)

接着，将描述本发明的第三十三实施例。

在第二十八实施例中，用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板，导体层209在蚀刻步骤形成在穿透玻璃基板和衬垫的通孔中，接着IT-CCD基板100粘附到其上。本实施例的特征在于，具有设置有第二十八至三十二实施例中的通孔208的衬垫的玻璃基板200与具有粘附至圆片级上的背面的加强板701的IT-CCD基板100对准，接着导体层209在通孔208中形成，如图40A至40D所示。此外，焊盘210被形成以连接至导体层209。其它部分以与第二十八实施例中相同的方式形成。

类似地，当导体层209将被填充时，通过使用例如铜膏等导电膏的真空丝网印刷或金属镀，可能容易地执行形成。

(第三十四实施例)

接着，将描述本发明的第三十四实施例。

当在第一至三十三实施例中由板状组件制成的密封盖玻璃被用作半透明组件时，使密封盖玻璃自身具有图像形成功能，以构成光学组件，从而可极大地减小尺寸。

如图41所示，固态成像设备的特征在于，代替根据第二十八至第三十三实施例的密封盖玻璃200，具有透镜阵列的密封盖玻璃220被使用。

密封盖玻璃220通过屏蔽方法或蚀刻方法形成。

此外，其它部分以与第二十八实施例中几乎相同的方式形成。

在第二十八实施例中，如图33所示，导体层209形成在设置在玻璃基板201和衬垫203S中的通孔208中，而且，垫210形成在玻璃基板201的上表面上，且信号读取端子和电源端子形成在其上。本示例的特征在于，焊盘BP连接至位于未示出的部分区域中的外部连接端子，且信号读取端子和电源端子被构成。其它部分以与图33和34中所示的第二十八实施例中相同的方式形成。

接着，用于制造固态成像设备的方法在图42A至42D和图43A至43C中示出。

更具体地，由于具有透镜阵列的密封盖玻璃220被用于代替根据第二十八至第三十三实施例的密封盖玻璃200，制造方法变化很大。

而且，虽然在第三十三实施例中，衬垫203S粘附至构成密封盖玻璃200的玻璃基板201，通孔208被形成以穿透衬垫203S和处于此状态的玻璃基板201，导体层在其中形成，且信号读取端子和电源端子形成在密封盖玻璃的表面侧上，在本示例中可以相同的方式执行形成。

粘合剂层207形成在密封盖玻璃220的衬垫203S的表面上，该密封盖玻璃220具有在图42A至42D中所示的步骤设置的透镜阵列(其在图43A中示出)。

另一方面，以与第二十八实施例中使用的相同的方式，设置有加强板701的IT-CCD基板100被制备，如图43B所示。

接着，如图43C所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有粘附衬垫203S的透镜阵列的盖玻璃220装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。

此外，用于制造具有衬垫的密封盖玻璃220的方法的变化将在第三十五至三十八实施例中进行描述。

(第三十五实施例)

接着，将描述本发明的第三十五实施例。

如图44A和44B所示，本实施例的特征在于，具有透镜阵列的密封盖玻璃220被制备，凹形部分225通过蚀刻形成在其背面上，且衬垫223S被整体形成。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

根据这种结构，可用高精度容易地执行形成，而且，可能获得具有透镜阵列的密封该玻璃220，由于提高了整体形成和可靠性，在透镜阵列中不产生张力。

(第三十六实施例)

接着，将描述本发明的第三十六实施例。

在本实施例中，首先，具有透镜阵列的密封盖玻璃220被制备，如图45A所示。

接着，如图45B所示，光固化树脂通过光屏蔽方法形成在具有透镜阵列的密封盖玻璃220上，且衬垫223S被形成。

这样，可能容易地获得具有衬垫且设置有通孔的密封盖玻璃。

随后，以与第三十四实施例中所述相同的方式执行图43A至43C中所示的装配步骤，并执行至IT-CCD基板的粘附以执行切割。因此，可获得图43C中所示的固态成像设备。

(第三十七实施例)

接着，将描述本发明的第三十七实施例。

在第三十四实施例中，如图46A至46D所示，由蚀刻方法形成的衬垫可粘附至具有透镜阵列的密封盖玻璃220。在装配步骤，以与第三十六实施例中相同的方式执行至IT-CCD基板的粘附，以执行切割。因此，可获得固态成像设备。

(第三十八实施例)

接着，将描述本发明的第三十八实施例。

而且，如图47所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220、衬垫203S、和具有加强板701的IT-CCD基板100可被同时安装。

(第三十九实施例)

接着，将描述本发明的第三十九实施例。

而且，如图48A至48D所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220还可应用到固态成像设备上，其中外围电路板901通过在第二十三实施例中图28A至28D中所示的各向异性导电薄膜115被设置。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

而且，同样在外围电路板901的连接中，使用超声波的扩散结合、焊接接合、和使用热压的共晶结合也是有效的。此外，使用树脂的底层填料可被执行。

具有透镜阵列的密封盖玻璃220可用于代替由板状组件形成的密封盖玻璃200。

(第四十实施例)

接着，将描述本发明的第四十实施例。

而且，如图49所示，IT-CCD基板100、外围电路板901、以及加强板701可以第二十六实施例中图31中所示的顺序被设置。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

(第四十一实施例)

接着，将描述本发明的第四十一实施例。

而且，如图50所示，布线221在衬垫的侧壁上形成也是有效的。

制造以与第二十七实施例中相同的方式执行，且可通过在衬垫中设置通孔、在通孔中形成导体层、将IT-CCD基板粘附至具有透镜的密封盖玻璃220、接着沿包括通孔的切割线执行切割，可能在侧壁上容易地形成布线。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

虽然在实施例中对用粘合剂层或用阳极结合执行构成密封盖玻璃的玻璃基板至衬垫的结合和IT-CCD基板至密封盖玻璃的结合的方法、或利用阳极结合或表面激活冷结合的方法进行了描述，在所有实施例中，在衬垫和IT-CCD基板的表面由Si或金属制成的情况下，还可能通过表面激活冷结合而不使用粘合剂执行结合。在粘合剂被使用的情况下，除了UV固化粘合剂外，还可能将热固粘合剂和热固结合UV固化粘合剂用作粘合剂层。

在半固化粘合剂被用于结合的情况下，以液态执行粘合剂的涂覆。接着，用半固化粘合剂执行对准。因此，当执行对准时可能调整位置。从而，可能获得具有精密复杂的定位的固态成像设备。

而且，在所有实施例中，除了已在第一实施例中描述的硅基板外，可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂作为衬垫。

而且，当IT-CCD基板将通过使用粘合剂层结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，应形成贮液器。参看衬垫和IT-CCD基板或密封盖玻璃的结合部分，类似地，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，凹形或凸形部分应设置在结合部分中，以形成贮液器，如图51A至51F中衬垫的结合端的形状的示例中所示。

而且，如图52所示，为了加强IT-CCD基板和用于屏蔽的盖玻璃之间的结合并防止IT-CCD基板劣化(deterioration)，用于屏蔽的树脂可适用于屏蔽包括用于屏蔽的盖玻璃201的玻璃基板202和衬垫203S之间的结合构件，且用于屏蔽的树脂M可适用于屏蔽衬垫和IT-CCD基板100之间的结合构件。因此，可能防止水渗入结合构件并获得可靠的IT-CCD。

作为用于屏蔽的树脂，环氧树脂、乙氧基(oxetany)、硅酮树脂(silicony)、丙烯酸树脂等材料是适当的。可能用树脂屏蔽能形成用于屏蔽的预定区域的任何树脂，防止水渗入结合构件，从而获得可靠的IT-CCD。

为了形成上述的IT-CCD，通过使用用于掩模的分配器和JIG，用于屏蔽的树脂被供给要求焊盘BP(电极盘)的区域。接着，在固化树脂后，掩盖焊盘的JIG被去除。从而，可能进行树脂屏蔽而不用涂覆焊盘。在此方法期间，优选将在80℃以下能固化的树脂以及上述的粘合剂用作屏蔽树脂。作为树脂，优选使用光固化树脂或热固化树脂。如果光固化树脂被用于屏蔽，优选将可传输光的组件作为JIG。

虽然在实施例中为了将设置有切割槽的基板分割成单独的元件而执行CMP直到切割槽的位置，还可能利用研磨、抛光或全部蚀刻。

而且，在加强板(701)被用于实施例中的情况下，如果聚酰亚胺树脂、陶瓷、结晶玻璃、或表面和背面被氧化的硅基板被用作材料，如果必要，加强板可作为绝热基板。此外，屏蔽材料可被使用。

而且，在实施例中，在有必要将玻璃基板粘附至衬垫的情况下，可通过使用紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或通过涂覆半固化粘合剂执行粘附。而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器、丝网印刷、或模压传递适当地选择供给。

此外，在实施例中所述的示例可在整个构造的可适用范围内相互修改。

(第四十二实施例)

如图53A的截面图和在图53B中示出主部的放大截面图所示，固态成像设备的特征在于，将成为半透明组件的玻璃基板201结合至IT-CCD基板100的表面，该IT-CCD基板100包括将成为半导体基板的硅基板101，该硅基板101设置有穿过衬垫203S的IT-CCD 102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，而且，导体层209在设置在玻璃基板201和衬垫203S中的通孔208中形成，且垫210在玻璃基板201的上表面上形成，以便执行至硅基板101的焊盘BP的连接，且信号读取端子和电源端子在其上形成。衬垫203S具有为10至500μm的高度，且优选为80至120μm。

IT-CCD基板的结构几乎与第一实施例中的结构相同。

在本实施例中，过滤层46的上层用包括微型透镜50的微型透镜阵列覆盖，通过使用平展的绝缘膜48，该微型透镜50通过用光刻法在含有光敏树脂的半透明树脂上形成图案而形成，该光敏树脂具有为1.3至2.0的折射率，接着，熔化相同的半透明树脂，用表面张力使熔化的半透明树脂成圆形，此后冷却变圆的半透明树脂。

接着，将对制造固态成像设备的方法进行描述。这种方法基于所谓的圆片级CSP方法，其中在圆片级上执行定位(positioning)，执行集合装配和集成，接着执行用于每个IT-CCD的分隔，如图54A至54E和图55A至55E中示出制造方法的视图所示(在图中仅示出一个部件，而在一个圆片上连续形成多个IT-CCD)。所述方法以具有预先设置有衬垫203S的衬垫和穿透玻璃基板和衬垫的通孔的密封盖玻璃200的使用为特征。

更具体地，所述方法的特征在于，衬垫203S粘附至构成密封盖玻璃200的玻璃基板201，且通孔208被形成以穿透衬垫203S和处于此状态的玻璃基板201，且导体层209在其中形成，信号读取端子和电源端子在密封盖玻璃200的表面侧上形成。

首先，如图54A所示，用于形成衬垫的具有10至500μm的厚度的硅基板203被制备。

接着，如图54A`所示，用于构成密封盖玻璃200的玻璃基板201被制备。

接着，如图54B所示，粘合剂层202被涂覆到基板203表面上。

此后，如图54C所示，具有粘合剂层202涂覆于其上的硅基板203粘附至玻璃基板201的表面。

随后，如图54D所示，通过光刻法形成抗蚀图案，通过使用抗蚀图案作为掩模执行RIE(活性离子蚀刻)，且粘合剂被预先涂覆以去除凹形部分205，该凹形部分205包括与光电二极管相应的区域，即与光接收区(图53B中的40)相应的区域，或在RIE后通过氧等离子体执行去除处理。

接着，如图54E所示，通过光刻法形成抗蚀图案，通过使用抗蚀图案作为掩模执行RIE(活性离子蚀刻)。从而，通孔208被形成以穿透衬垫203S和玻璃基板201。

此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通过CVD至少形成在由硅制成的衬垫的内壁上。

在衬垫由例如玻璃或树脂等绝缘体形成的情况下，不要求此步骤。此外，屏蔽薄膜可形成在衬垫的内壁或外壁上。

此后，如图55A所示，导体层209形成在通孔的内壁上，该通孔通过使用例如银膏或铜膏等导电膏的真空丝网印刷或金属镀绝缘，且穿透衬垫203S和玻璃基板201的贯穿的接触区被形成。

随后，如图55B所示，金焊盘210和211或凸起212形成在玻璃基板的表面和背面上，该玻璃基板具有连接至贯穿的接触区的衬垫。在薄膜形成中，薄薄的金膜形成在表面和背面上，且通过使用光刻法的蚀刻方法执行图案化，或丝网印刷或选择性喷镀可被应用。

此外，各向异性导电树脂薄膜213被涂覆，如图55C所示。

另一方面，如图55D所示，设置有加强板701的IT-CCD基板100被制备。

接着，如图55E所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有结合至板状玻璃基板201的衬垫203S的盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个与各向异性导电薄膜213结合在一起。在结合中，也可使用使用超声波的扩散结合、焊接结合、和共晶结合。

接着，整个设备沿切割线DC经受切割，且分为单独的固态成像设备的分隔被执行。

这样，可用高工作能力非常容易地形成在密封盖玻璃上设置有例如焊盘等结合区的固态成像设备。

这样，集合装配被执行，接着单独分隔被执行，而不执行单独对准和例如布线结合等电连接。因此，制造可以容易地被执行，且处理可以容易地被执行。

而且，槽部分(未示出)预先形成在玻璃基板201上，且在装配后通过例如CMP等方法去除表面以使其具有触及槽部分的深度。从而，可非常容易地执行分隔。

而且，可用高工作能力容易地执行形成。此外，在元件形成表面通过结合密封在间隙C中的状态下可能仅通过切割或抛光形成单独的IT-CCD。因此，可以容易地提供其中元件较少损坏、灰尘没有混入且具有高可靠性的IT-CCD。

此外，硅基板通过CMP变薄以具有约1/2的深度。因此，尺寸和厚度可被减小。而且，在结合至玻璃基板后厚度可减小。因此，可能防止机械力的变弱。

这样，根据本发明的结构，在圆片级上执行定位，且顺序执行集合装配和集成以分隔每个IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

虽然在第一实施例中包括焊盘的布线层由金层构成，显然不限于金层，也可使用例如铝等另一金属或例如硅化物等另一导体层。

此外，也可通过在基板表面上形成透明树脂薄膜和通过从相同表面进行离子注入到预定深度形成具有折射率梯度的透镜层设置微型透镜阵列。

此外，除了硅基板外，可能适当选择玻璃或聚碳酸脂作为衬垫。

(第四十三实施例)

接着，将描述本发明的第四十三实施例。

虽然在第四十二实施例中对其中形成穿透玻璃基板和衬垫的通孔和例如焊盘等结合区形成在密封盖玻璃上的固态成像设备进行了描述，在下面的实施例中将描述变化。

首先，本实施例的特征是在衬垫上形成通孔和玻璃基板被制备，如图56A所示。

如图56B所示，照相排版树脂通过照相模压方法形成在玻璃基板201的表面上，从而形成衬垫213。

接着，如图56C所示，通过通过使用光刻法的蚀刻方法形成。

这样，可能容易地获得具有衬垫且设置有通孔的密封盖玻璃。

随后，图55A至55E中所示的装配步骤以与第四十二实施例中所述相同的方式被执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行以执行切割。从而，可获得图55E中所示的固态成像设备。

根据这种结构，衬垫可被容易地形成。虽然在本实施例种使用了照相排版树脂，也可使用粘合剂本身。玻璃基板和衬垫被整体形成，且翘曲和张力可被减少，而且，制造还可被容易地执行。

(第四十四实施例)

接着，将描述本发明的第四十四实施例。

虽然在第四十二实施例中用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板并经受图案化，但在本实施例中玻璃基板可在一次蚀刻步骤被蚀刻以同时形成凹形部分和通孔。其它部分以与在第四十二实施例中相同的方式形成。

在本实施例中，首先，玻璃基板201被制备，如图57A所示。

接着，如图57B所示，抗蚀图案R形成在玻璃基板201的表面和背面上，开口设置在位于待形成通孔的区域中的表面和背面上，且开口仅设置在待形成凹形部分205(和切割槽204，如果必要)的区域中的背面上。

此后，如图57C所示，通过将表面和背面上的抗蚀图案用作掩模，从两个表面蚀刻玻璃基板201，从而同时形成凹形部分205、切割槽(未示出)和通孔208。

这样，可能容易地获得具有与其整体形成的衬垫和在其中形成的通孔的密封盖玻璃。

随后，以与第四十二实施例中所述相同的方式执行图55A至55E中所示的装配步骤，且执行至IT-CCD基板的粘附以执行切割。从而，可获得在图55E中示出的固态成像设备。

玻璃基板和衬垫被整体形成，且翘曲和张力可被减少，而且，制造还可被容易地执行。

(第四十五实施例)

接着，将描述本发明的第四十五实施例。

虽然在第四十二实施例中用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板并经受图案化，具有在其上形成的图案的衬垫203S粘附至玻璃基板201，且通孔最终在蚀刻步骤形成。其它部分以与在第四十二实施例中相同的方式形成。

首先，在本实施例中，玻璃基板201被制备，如图58A所示。

另一方面，用于形成衬垫的硅基板203被制备，如图58A`所示。

接着，如图58B所示，硅基板203通过使用光刻法的蚀刻方法进行处理，从而获得衬垫203S。

此后，如图58C所示，粘合剂202被涂覆到经受图案化的衬垫203S的表面上。

随后，如图58D所示，衬垫203S被粘附，使其与玻璃基板201成一直线。

接着，如图58E所示，通孔208通过使用光刻法的蚀刻方法形成。

这样，可能容易地获得具有粘附到其上的衬垫和在其上形成的通孔的密封盖玻璃。

此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通过CVD至少形成在由硅制成的衬垫的内部上。

在衬垫由例如玻璃或树脂等绝缘体形成的情况下，不要求此步骤。而且，屏蔽膜可在衬垫的内壁或外壁上形成。

随后，以与第四十二实施例中相同的方式执行图55A至55E中所示的装配步骤，且执行至IT-CCD基板的粘附以执行切割。从而，可获得在图55E中示出的固态成像设备。

还可能通过使用紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或利用半固化粘合剂将玻璃基板粘附至衬垫。而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器、丝网印刷或模压传递适当选择供给。

此外，如图58C所示，还可能通过将钨膜溅射到衬垫的凹形部分内壁内的方法形成屏蔽膜215。

从而，可能不单独提供屏蔽膜而获得优良的图像传感特征。

(第四十六实施例)

接着，将描述本发明的第四十六实施例。

在第四十二实施例中，已对其中用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板并被图案化、且穿透玻璃基板和衬垫的通孔最终通过蚀刻形成的示例进行了描述。在本实施例中，如图59A至59F所示，通过蚀刻硅基板进行形状加工，且通过使用圆片级上的对准标记，形成为图59E中所示的通孔208a的衬垫203S和设置有图59B`中所示的通孔208b的玻璃基板201被对准，且它们两个与粘合剂层202粘在一起。其它部分以与第四十二实施例中相同的方式形成。

同样在这种情况下，还可能在面向衬垫的凹形部分的内壁上形成屏蔽膜(215)。

根据这种结构，由于通孔被单独形成以执行粘附，故要求对准，且几乎一半的长宽比是足够的。从而，可以容易地形成通孔。

随后，以与第四十二实施例中所述相同的方式执行图55A至55E中所示的装配步骤，且执行至IT-CCD基板的粘附以执行切割。从而，可获得图55E中所示的固态成像设备。

还可能在衬垫203S和玻璃基板201的每个通孔中形成导体层，接着使它们两个对准以执行粘附。

(第四十七实施例)

接着，将描述本发明的第四十七实施例。

在第四十二实施例中，用于形成衬垫的硅基板粘附至玻璃基板，且在蚀刻步骤导体层209形成在穿透玻璃基板和衬垫的通孔上，接着IT-CCD基板被粘附到其上。本实施例的特征在于，具有设置有第一至四十五实施例中的通孔208的衬垫的玻璃基板200与具有加强板701粘附至圆片级上的背面的IT-CCD基板100对准，且它们粘附在一起，接着导体层209形成在通孔208中，如图60A至60D所示。而且，焊盘210被形成以连接至导体层209。其它部分以与第二十八实施例中相同的方式形成。

当导体层209将被填充时，可能通过使用例如铜膏等导电膏的真空丝网印刷或金属镀容易地执行形成。

虽然在实施例中已描述了用粘合剂层执行构成密封盖玻璃的玻璃基板至衬垫的结合、IT-CCD基板100至密封盖玻璃的结合的方法，在所有实施例中，在衬垫和IT-CCD基板的表面由Si、金属或无机化合物制成的情况下，还可能通过表面激活冷处理而不使用粘合剂适当执行结合。如果盖玻璃是硼硅酸耐热玻璃，则当衬垫由Si制成时也可使用阳极结合。在粘合剂层被使用的情况下，除了UV粘合剂外，还可能使用热固粘合剂、半固化型粘合剂、和热固结合UV固化粘合剂作为粘合剂层。

而且，在所有实施例中，除了硅基板外，可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂作为衬垫，这已在第四十二实施例中作了描述。

而且，当IT-CCD基板100将通过使用粘合剂层结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如应形成贮液器。参看衬垫和IT-CCD基板100或密封盖玻璃的结合部分，类似地，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，凹形或凸形部分应被形成以在结合部分中设置贮液器。

虽然在实施例中为了将设置有切割槽的基板分隔成单独的元件执行CMP直到切割槽的位置，还可能使用研磨、抛光或全部蚀刻。

而且，在加强板(701)被用于实施例的情况下，如果聚酰亚胺树脂、陶瓷、结晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，该加强板可用作绝热基板。而且，可使用屏蔽材料。

此外，可通过使用防潮密封材料或屏蔽材料执行形成。

而且，在有必要将玻璃基板粘附至如上所述的衬垫的情况下，可通过紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或通过使用半固化粘合剂执行粘附。

而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器、丝网印刷或模压传递适当选择供给。

此外，在实施例中描述的示例在整个构造的可适用范围内可被相互修改。

(第四十八实施例)

如图61A的截面图和在图61B中示出主部的放大截面图所示，固态成像设备具有如此结构，即所形成的密封盖玻璃自身具有聚光和图像形成功能以构成光学组件。因此，尺寸可得到极大的减小。

通过使用模压或蚀刻或离子注入到半透明聚碳酸脂树脂形成具有不同折射率的透镜区域的方法设置密封盖玻璃220。具有将成为光学组件的透镜的玻璃基板220被结合至IT-CCD基板100表面，该IT-CCD基板100包括为半导体基板的硅基板101，该硅基板101设置有穿过衬垫203S的IT-CCD 102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，且硅基板101的周缘通过切割单独分隔，至外部电路(未示出)的电连接可通过在硅基板101的表面上形成的焊盘BP获得。

在所述示例中，焊盘BP被形成以暴露在未示出的部分区域中的衬垫203S之外，从而构成信号读取端子和电源端子。衬垫203S具有为10至500μm的高度，且优选为80至120μm。

本实施例中IT-CCD的其它部分几乎与在第一实施例或第四十二实施例中设置的IT-CCD相同。

接着，用于制造固态成像设备的方法在图62A、62A`、62B至62D、以及图63A至63C中示出。

如图62A所示，透镜阵列通过离子注入法形成，从而具有该透镜阵列的密封盖玻璃220被形成。具有该透镜阵列的密封盖玻璃220还可通过模压或蚀刻形成。

粘合剂层202在如图62A`所示的用于衬垫的硅基板203上形成，且它们如图62C所示被结合。

通过使用由使用光刻法的蚀刻方法形成的抗蚀图案作为掩模，执行蚀刻以形成衬垫203S，如图62D所示。

接着，粘合剂层207在密封盖玻璃220的衬垫203S的表面上形成，该密封盖玻璃220具有在图62D所示的步骤形成的透镜阵列。

另一方面，设置有加强板701的IT-CCD基板100被制备，如图63(b)所示。在元件基板的形成中，如图63(b)所示，硅基板101(使用了4至8英寸的圆片)被预先制备(在图中仅示出一个单元，且在一个圆片上连续形成多个IT-CCD)。在装配后还可能通过蚀刻在与分割线相应的区域中形成切割槽的方法容易地执行分割，以在硅基板101表面上分成每个IT-CCD。

接着，通过使用普通硅加工，沟道截断环层被形成，沟道区被形成，且例如电荷转移电极…等元件区102被形成。而且，形成焊盘BP，其表面上设置有布线层，且其包括用于外部连接的金层。

此后，如图63(c)所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有透镜阵列的密封盖玻璃220装配在设置有如上所述的元件区的IT-CCD基板100上，其中衬垫203S结合至该透镜阵列，且执行加热，以将它们两个与粘合剂层207结合在一起。理想的是，所述步骤在真空或例如氮气等惰性气体环境中执行。

此外，在以下的实施例中将描述用于制造衬垫和具有透镜阵列的密封盖玻璃220的方法的变化。

(第四十九实施例)

接着，将描述本发明的第四十九实施例。

如图64A和64B所示，本实施例的特征在于，具有透镜阵列的密封盖玻璃220被制备，凹形部分225通过蚀刻形成在其背面上，且衬垫223S整体形成。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

根据这种结构，可用高精度并容易地执行形成，而且可能获得具有透镜阵列的密封盖玻璃220，其中由于整体形成没有形成张力，且可靠性提高。

(第五十实施例)

接着，将描述本发明的第五十实施例。

在本实施例中，首先，具有透镜阵列的玻璃基板220被制备，如图65A所示。

接着，如图65B所示，光固化树脂通过照相模压方法在具有透镜阵列的玻璃基板220的表面上形成，且衬垫223S被制备。

这样，可能容易地获得具有衬垫且设置有通孔的密封盖玻璃。

随后，图63A至63C所示的装配步骤以与实施例中所述相同的方式执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行以执行切割。从而，可获得在图63C中示出的固态成像设备。

(第五十一实施例)

接着，将描述本发明的第五十一实施例。

虽然在第四十八实施例中硅基板粘附至具有透镜阵列的密封盖玻璃220并经受图案化，在本示例中通过蚀刻方法形成的衬垫203S可粘附至具有透镜阵列的盖玻璃220，如图66A至66D所示。在装配步骤，类似地，至IT-CCD基板的粘附被执行，且切割以与第五十实施例中相同的方式执行，从而可获得固态成像设备。

(第五十二实施例)

接着，将描述本发明的第五十二实施例。

此外，如图67A至67D所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220、衬垫203S、以及具有加强板701的IT-CCD基板100可被同时安装。

(第五十三实施例)

接着，将描述本发明的第五十三实施例。

此外，如图68A至68D所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220也可应用到其中外围电路板901通过各向异性导电薄膜115被设置的固态成像设备上。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

而且，同样在外围电路的连接中，使用超声波的扩散结合、焊接结合、和通过热压的共晶结合也是有效的。此外，使用树脂的底层填料可被执行。

具有透镜阵列的密封盖玻璃220可被用于代替由板状组件形成的密封盖玻璃200。

(第五十四实施例)

接着，将描述本发明的第五十四实施例。

此外，如图69所示，IT-CCD基板100、外围电路板901和加强板701可以此顺序设置。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

(第五十五实施例)

接着，将描述本发明的第五十五实施例。

此外，如图70所示，布线221在衬垫的侧壁上形成也是有效的。

在制造中，通过在衬垫中设置通孔、在通孔中形成导体层、将IT-CCD基板粘附至具有透镜的密封盖玻璃220、接着沿包括通孔的切割线执行切割，可能容易地在侧壁上形成布线。其它部分以与实施例中相同的方式形成。

虽然在实施例中对用粘合剂层执行构成密封盖玻璃的玻璃基板至衬垫的结合、以及IT-CCD基板至密封盖玻璃的结合的方法进行了描述，在所有实施例中，在衬垫和IT-CCD基板的表面由Si、金属、或无机化合物制成的情况下，还可能通过表面激活冷结合而不使用粘合剂执行结合。如果盖玻璃是硼硅酸耐热玻璃，则当衬垫由Si制成时也可使用阳极结合。在使用粘合剂层的情况下，除了UV粘合剂外，还可能使用热固粘合剂、半固化型粘合剂、以及热固结合UV固化粘合剂。

而且，在所有实施例中，除了硅基板外，可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂作为衬垫，这已在第四十二实施例中作了描述。

而且，当IT-CCD基板100将通过使用粘合剂结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如应形成贮液器。参看衬垫和IT-CCD基板100或密封盖玻璃的结合部分，类似地，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，凹形或凸形部分应被形成以在结合部分中设置贮液器。

虽然在实施例中为了将设置有切割槽的基板分隔成单独的元件执行CMP直到切割槽的位置，还可能使用研磨、抛光或全部蚀刻。

而且，在加强板(701)被用于实施例中的情况下，如果聚酰亚胺树脂、陶瓷、结晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，该加强板可用作绝热基板。而且，可使用屏蔽材料。

此外，可通过使用防潮密封材料或屏蔽材料执行形成。

而且，在实施例中，在有必要将玻璃基板粘附至衬垫的情况下，可通过紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或通过使用半固化粘合剂执行粘附。此外，可能使用分配器、丝网印刷或模压传递适当选择供给。

此外，在整个构造的可适用范围内对实施例中描述的示例可进行相互修改。

虽然包括焊盘的布线层由第四十八实施例中的金层构成，显然的是，不限于金层，也可使用例如铝等另一金属或例如硅化物等另一导体层。

此外，也可通过在基板表面上形成透明树脂薄膜、通过从表面通过离子注入预定深度形成具有折射率的透镜层设置微型透镜阵列。

(第五十六实施例)

如图71A的截面图和在图71B中示出主部的放大截面图所示，固态成像设备具有如此结构，即所形成的密封盖玻璃自身具有聚光和图像形成功能，以构成光学组件。因此，尺寸可得到极大的减小。

通过将离子注入半透明聚碳酸脂树脂的表面形成具有不同折射率的透镜区域设置密封盖玻璃220。具有为光学组件的透镜的玻璃基板220结合至IT-CCD基板100的表面，该IT-CCD基板100包括将成为第一半导体基板的硅基板101，该硅基板101设置有穿过衬垫203S的IT-CCD102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，并且，包括硅基板(其为第二半导体基板)的外围电路板901结合至IT-CCD基板100的背面，且接触垫118在背面上形成，而且，硅基板101的周缘通过切割单独分隔。

本实施例中的IT-CCD结构几乎与第一实施例相同，且本实施例的IT-CCD的制造方法的步骤几乎与第四十八实施例相同。

在本实施例中，导体层117在IT-CCD基板100的背面上形成，以经由通孔H连接至IT-CCD基板100，而且，垫118被形成，从而形成图71A中所示的固态成像设备。二氧化硅玻璃119在通孔H的内壁上形成。

这样，可能获得易于装配且具有小尺寸和高可靠性的固态成像设备。

此外，用于制造衬垫和具有透镜阵列的密封盖玻璃220的方法的变化将在下面的实施例中描述。

(第五十七实施例)

接着，将描述本发明的第五十七实施例。

如图74A和74B所示，本实施例的特征在于，具有透镜阵列的密封盖玻璃220被制备，且凹形部分225通过蚀刻形成在其背面上，且衬垫223S整体形成。

根据这种结构，可用高精度容易地执行形成，而且可能获得具有透镜阵列的密封盖玻璃220，其中由于整体形成没有形成张力，且可靠性提高。

(第五十八实施例)

接着，将描述本发明的第五十八实施例。

在本实施例中，首先，具有透镜阵列的玻璃基板220被制备，如图75A所示。

接着，如图75B所示，光固化树脂通过分配器、或丝网印刷形成在具有透镜阵列的玻璃基板220的表面上，且衬垫223S被制备。

这样，可能容易地获得具有衬垫且设置有通孔的密封盖玻璃。

随后，图73A至73C中所示的装配步骤以与实施例中所述相同的方式执行，且至IT-CCD基板的粘附被执行，而且外围电路板901被结合。最后，通孔被形成以将IT-CCD基板100电连接至外围电路板901，然后切割被执行。从而，可获得在图73C中示出的固态成像设备。

(第五十九实施例)

接着，将描述本发明的第五十九实施例。

在第五十九实施例中，如图76A、76A`、以及76B至76D所示，经受图案化的衬垫203S可粘附至具有透镜阵列的密封盖玻璃220。

(第六十实施例)

接着，将描述本发明的第六十实施例。

此外，如图77A至77D所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220、衬垫203S和具有加强板701的IT-CCD基板100可被同时安装。

(第六十一实施例)

接着，将描述本发明的第六十一实施例。

此外，如图78A至78D所示，具有透镜阵列的密封盖玻璃220也可应用到其中外围电路板901通过各向异性导电薄膜115被设置的固态成像设备上。

具有透镜阵列的密封盖玻璃220可被用于代替由板状组件形成的密封盖玻璃200。

而且，同样在外围电路901的连接中，使用超声波的扩散结合、焊接结合、和通过热压的共晶结合也是有效的。此外，使用树脂的底层填料可被执行。

(第六十二实施例)

接着，将描述本发明的第六十二实施例。

此外，如图79所示，将穿透外围电路板的通孔和IT-CCD基板可被单独形成二次，且导体层117可形成在其中以被向下拿出。221表示布线层。

(第六十三实施例)

接着，将描述本发明的第六十三实施例。

此外，如图80所示，布线221在衬垫的侧壁上形成也是有效的。

在制造中，通过在衬垫中设置通孔、在通孔中形成导体层、将IT-CCD基板粘附至具有透镜的密封盖玻璃220、接着沿包括通孔的切割线执行切割，可能容易地在侧壁上形成布线。

虽然在实施例中对用粘合剂层将IT-CCD基板结合至密封盖玻璃的方法进行了描述，但不限于此，也可采用灌注铸模树脂(mold resin)的方法、使用直接结合和冷激活直接结合的方法。

此外，当IT-CCD基板将通过使用粘合剂层结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如应在结合部分中形成凹形部分(贮液器)。

这样，在本发明的方法中，集合装配被执行，接着单独分隔被执行，而不执行单独对准和例如引线结合等电连接。因此，可以容易地执行制造且还可以容易地执行处理。

这样，根据这种结构，在圆片级上执行定位，且集合装配和集成被顺序执行以分隔每个IT-CCD。从而，可能形成易于制造并具有高可靠性的固态成像设备。

虽然在实施例中已描述了用粘合剂层执行构成密封盖玻璃的玻璃基板至衬垫的结合、IT-CCD基板100至密封盖玻璃的结合的方法，在所有实施例中，在衬垫和IT-CCD基板的表面由Si、金属、或无机化合物制成的情况下，还可能通过表面激活冷处理而不使用粘合剂适当执行结合。如果盖玻璃是硼硅酸耐热玻璃，则当衬垫由Si制成时也可使用阳极结合。在使用粘合剂层的情况下，除了UV粘合剂外，还可能使用热固粘合剂、半固化型粘合剂、和热固结合UV固化粘合剂作为粘合剂层。

而且，在所有实施例中，除了硅基板外，还可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂作为衬垫，这已在第四十二实施例中作了描述。

而且，当IT-CCD基板100将通过使用粘合剂层结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如应形成贮液器。参看衬垫和IT-CCD基板100或密封盖玻璃的结合部分，类似地，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，凹形或凸形部分应被形成以在结合部分中设置贮液器。

虽然在实施例中为了将设置有切割槽的基板分隔成单独的元件，执行CMP直到切割槽的位置，还可能使用研磨、抛光或全部蚀刻。

而且，在加强板(701)被用于实施例中的情况下，如果聚酰亚胺树脂、陶瓷、结晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，该加强板可用作绝热基板。而且，可使用屏蔽材料。

而且，在有必要将玻璃基板粘附至实施例的衬垫的情况下，可通过紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或通过使用半固化粘合剂执行粘附。而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器、丝网印刷或模压传递适当选择供给。

此外，实施例中所描述的示例在整个构造的可适用范围内可被相互修改。

虽然包括焊盘的布线层由第五十六实施例中的金层构成，显然的是，不限于金层，也可使用例如铝等另一金属或例如硅化物等另一导体层。

此外，微型透镜还可通过在基板表面上形成透明树脂薄膜和通过从表面进行离子注入到预定深度形成具有折射率的透镜层而被设置。

(第六十四实施例)

如图81A的截面图和在图81B中示出主部的放大截面图所示，固态成像设备具有如此结构，即为半透明组件的玻璃基板201结合至IT-CCD基板100的表面，该IT-CCD基板100包括为半导体基板的硅基板101，该硅基板101设置有穿过衬垫203S的IT-CCD 102，以具有与硅基板101的光接收区相应的间隙C，而且，外围电路板901连接至背面。

垫113和凸起114被形成为外部读取端子，其经由设置在硅基板101中的通孔H形成在IT-CCD基板100的背面上。接着，通过各向异性薄膜115执行至外部电路板901的连接，且周缘通过切割单独分隔，从而通过焊盘118执行外部连接。衬垫203S具有为10至500μm的高度，优选为80至120μm。数字701是指加强板。

在本实施例中，IT-CCD基板100具有几乎与第一实施例中的IT-CCD基板相同的结构。差别是通孔不是出现在部分上，而是被形成以连接至本实施例中的电荷转移电极32。

接着，将对用于制造固态成像设备的方法进行描述。所述方法基于所谓的圆片级CSP方法，其中在圆片级上执行定位，执行集合装配和集成，接着每个IT-CCD的分割被执行，如在图82A至82D和图83A至83C中示出的制造方法的视图所示。(在下图中仅显示了两个单元，且许多IT-CCD连续形成在圆片上)。所述方法的特征在于，IT-CCD基板和玻璃基板的边缘被同等构成，且在背面上的读取经由穿透IT-CCD基板100和粘附至其背面的加强板701的通孔被执行。此外，使用了密封盖玻璃200，其具有预先设置有衬垫203S的衬垫。

首先，将描述具有衬垫的玻璃基板的形成。

如图82A所示，为衬垫的硅基板203通过包括紫外线固化型粘合剂(阳离子聚合能量线固化粘合剂)的粘合剂层202粘附至玻璃基板201表面，抗蚀图案R1通过使用光刻法的蚀刻方法被形成，以保留在将成为衬垫的部分中。

接着，如图82B所示，硅基板203通过将抗蚀图案R1用作掩模被蚀刻，从而形成衬垫203S。

此后，如图82C所示，抗蚀剂被填充在除了元件区外的衬垫区中，该元件区处于留下用于形成衬垫203S的抗蚀图案R1的状态中，且玻璃基板201被蚀刻以具有预定深度。因此，元件槽部分204被形成，如图82D所示。随后，粘合剂层207形成在衬垫203S的表面上。衬垫203S由硅基板203形成。为此原因，如果在为玻璃基板201的主要成分的二氧化硅的蚀刻速度比硅的蚀刻速度高得多的蚀刻条件下执行蚀刻，则蚀刻可被执行，同时衬垫203S的侧壁暴露在元件区外。在元件槽部分204的形成中，切割刀片(磨石)可被使用。

此外，可再次执行光刻法，以形成这样的抗蚀图案R，以使其包括衬垫203S的整个侧壁，且可穿过抗蚀图案R执行蚀刻，从而形成槽部分204。因此，获得设置有槽部分204的密封盖玻璃200和衬垫203S。

接着，IT-CCD基板被形成。在元件基板的形成中，如图83A所示，硅基板101(使用了6英寸的圆片)被预先制备(在下图中仅显示了一个单元，而很多IT-CCD连续形成在圆片上)。接着，通过使用普通硅加工，形成沟道截断环层，形成沟道区，且形成例如电荷转移电极…等元件区。此后，由设置有二氧化硅的硅基板形成的加强板701通过表面激活冷结合结合至IT-CCD基板100的背面(图83A)。

接着，如图83B所示，用在每个基板的周缘部分中形成的对准标记执行对准，且具有粘附至板状玻璃基板201的衬垫203S的密封盖玻璃200装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。理想的是，所述方法应在真空或诸如氮气等惰性气体环境中执行。

随后，通孔H通过光刻法形成在加强板701的背面上。接着，二氧化硅薄膜109通过CMP方法形成在通孔H中。此后，各向异性蚀刻被执行，以使二氧化硅薄膜109仅保留在通孔H的侧壁上，如图83C所示。

随后，如图84A所示，通过使用WF₆的CVD方法，钨膜形成为导体层108，以与通孔H中的焊盘接触。

接着，如图84B所示，焊盘113和凸起114形成在加强板701的表面上。

这样，可能在加强板701侧上形成信号读取电极端子和导电电极端子。

此后，如图84C所示，各向异性薄膜115(ACP)被涂覆到加强板701表面上。

最后，如图84D所示，设置有驱动电路的电路板901通过各向异性导电薄膜115被连接。电路板901设置有由填充在穿透电路板和焊盘118的通孔H中的导体层形成的接触层117。至电路板901的连接也可通过使用超声波的结合、焊接结合、或共晶结合执行。

因此，可能通过焊盘118容易地获得至诸如印刷板等的电路板的连接。

接着，整个设备沿包括接触层117和导体层108的切割线DC经受切割，从而分为单独的固态成像设备的分割被执行(在图中仅示出一个单元，而在一个圆片上连续形成多个IT-CCD)。

这样，可以高工作能力非常容易地形成固态成像设备。

加强板701由设置有二氧化硅薄膜的硅基板构成。因此，可能执行与IT-CCD基板100的热绝缘和电工绝缘。

虽然在本实施例中导体层通过CVD方法形成在通孔中，但可能通过使用喷镀法、真空丝网印刷法或真空抽吸法用高精度容易地将导体层填充在具有高的长宽比的接触孔中。

而且，虽然在本实施例中，通过使用通孔执行IT-CCD基板的表面和后面和装配外围电路的电路板的电连接，但不限于此，还可使用通过表面和背面的杂质扩散形成接触以电连接表面和后面的方法。

这样，可能在加强板701侧上形成信号读取电极端子和导电电极端子。

而且，集合装配被执行，接着单独的分割被执行，而不执行单独对准和诸如引线接合等电连接。因此，制造可以容易地被执行，且处理也可以容易地被执行。

此外，槽部分204预先形成在玻璃基板201上，且在装配后用诸如CMP等方法去除表面，以使其具有触及槽部分204的深度。因此，可非常容易地执行分割。

而且，可仅通过在元件形成表面通过结合围在间隙C中的状态下进行切割和抛光而形成单独的IT-CCD。因此，可能提供其中元件很少损坏、灰尘不会混入且获得高可靠性的IT-CCD。

此外，硅基板通过CMP变薄以具有约为1/2的深度。因此，尺寸和厚度可被减小。此外，在结合到玻璃基板后厚度可被减小。因此，可能防止机械力的损耗。

因此，根据本发明的结构，在圆片级上执行定位，且顺序执行用于分割每个IT-CCD的集合装配和集成。因此，可能形成易于制造并具有高可靠性的固态成像设备。

虽然在本实施例中通过在圆片级CSP上执行共同连接和切割的方法执行形成，还可能形成通孔H，以分别在设置有凸起114的IT-CCD基板100上执行切割和装配密封盖玻璃200。

此外，通过在基板表面上形成透明薄膜和通过从相同表面进行离子注入到预定深度形成具有折射率的透镜层，也可设置微型透镜阵列。

而且，在所有实施例中，除了硅基板外，还可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂，这也已在第一实施例中描述过。

(第六十五实施例)

接着，将描述本发明的第六十五实施例。

虽然在第六十四实施例中通孔被如此形成以穿透加强板701，且导体层111被形成，但在本实施例中IT-CCD基板通过使用预先设置有孔(垂直孔)的硅基板形成。由于垂直孔的小的形成深度是足够的，所以可提高生产率和可提高制造产量。

更具体地，如图85A所示，在形成IT-CCD之前抗蚀图案首先通过光刻法在硅基板的背面上形成，且通过将抗蚀图案用作掩模，垂直孔118通过RIE(活性离子蚀刻)形成。在此步骤，由铝制成的垫110被设置在表面上，且垂直孔118被如此形成以触及垫110。

接着，如图85B所示，二氧化硅薄膜119通过CVD方法形成在垂直孔118的内壁上。

此后，如图85C所示，通过使用与每个实施例中相同的普通硅加工，用于形成IT-CCD的元件区被设置。

随后，如图85D所示，用在每个基板的周缘部分上形成的对准标记执行对准，且具有结合至板状玻璃基板201的衬垫203S的盖玻璃200被装配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此进行加热，以使它们两个与粘合剂层207结合在一起。类似地，可在结合步骤使用表面激活冷结合。

接着，如图85E所示，加强板701通过表面激活冷结合结合到IT-CCD基板100的背面上，且通孔108通过使用光刻法的蚀刻方法形成以从背面触及垂直孔118。类似地，理想的是，应使通孔的内壁绝缘。此外，还可能使用预先设置有通孔的加强板。

随后，执行在第六十四实施例中描述的图84A至84D中示出的步骤。从而，可能容易地形成具有设置有外围电路的电路板被层压的结构的固态成像设备。

在本实施例中，如上所述，垂直孔的小的形成深度是足够的，从而可提高生产率，且可提高制造产量。

(第六十六实施例)

接着，将描述本发明的第六十六实施例。

在第六十五实施例中，触点被形成以穿透加强板701，IT-CCD基板和电路板和电路板和电极被从电路板侧引出。本实施例的特征在于，为布线层的导体层120形成在侧壁上，且电极从固态成像设备的侧壁引出，如图86A和86B所示。

制造方法几乎与第六十五实施例相同。通孔的位置被设定为与固态成像设备的每个末端相应，且通过使用包括通孔的切割线DC执行切割。从而，可能容易地形成具有在侧壁上形成的布线层的固态成像设备。

此外，待填充在通孔中的导体层120由例如钨等屏蔽材料构成。因此，由于固态成像设备被屏蔽，故可减少出错。

当加强板由聚酰亚胺薄膜、陶瓷、结晶玻璃或表面和背面氧化的硅基板构成时，其可起绝热基板的作用。此外，加强板可由屏蔽材料形成。

(第六十七实施例)

【166】接着，将描述本发明的第六十七实施例。

虽然在第二和第六十六实施例中IT-CCD基板100的背面通过加强板设置在外围电路板上，在本实施例中IT-CCD基板100设置在外围电路板901上，且加强板701顺序设置在外围电路板901的背面上，如图87所示。

加强板也起辐射板的作用。

虽然制造方法几乎与第二和第六十六实施例的每个相同，IT-CCD基板100和外围电路板901可相互靠近设置。因此，可减少连接阻抗，且可执行高速驱动。

(第六十八实施例)

接着，将描述本发明的第六十八实施例。

虽然在第六十八实施例中通孔在基板上形成且电极在外围电路板的背面上读取，本示例的特征在于，为布线层的导体层121形成在侧壁上，如图88所示。

在制造中，以与第六十六实施例中相同的方式，仅通过将切割线设置在包括在通孔中形成的触点位置中，可能容易地形成具有侧壁布线的固态成像设备。

在固态成像设备中，布线形成在侧壁上。因此，可能在侧壁上形成信号读取端子和电源端子。显然的是，外围电路板901的背面上的垫和凸起可被形成已执行连接。701表示加强板。

虽然在实施例中已描述了用粘合剂层执行构成密封盖玻璃的玻璃基板至衬垫的结合、IT-CCD基板100至密封盖玻璃的结合的方法，在所有实施例中，在衬垫和IT-CCD基板的表面由Si、金属或无机化合物制成的情况下，还可能通过表面激活冷处理而不使用粘合剂适当执行结合。如果盖玻璃是硼硅酸耐热玻璃，则当衬垫由Si制成时也可使用阳极结合。在使用粘合剂层的情况下，除了UV粘合剂外，还可能使用热固粘合剂、半固化型粘合剂、和热固结合UV固化粘合剂作为粘合剂层。

而且，在所有实施例中，除了硅基板外，可能适当选择42-合金、金属、玻璃、光敏聚酰亚胺和聚碳酸脂树脂作为衬垫，这也已在第六十四实施例中作了描述。

而且，当IT-CCD基板100通过使用粘合剂层结合至密封盖玻璃时，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如应形成贮液器。参看衬垫和IT-CCD基板100或密封盖玻璃的结合部分，类似地，优选的是，应防止熔化的粘合剂层流出，例如，凹形或凸形部分应被形成以在结合部分中设置贮液器。

虽然在实施例中为了将设置有切割槽的基板分隔成单独的元件执行CMP直到切割槽的位置，还可能使用研磨、抛光或全部蚀刻。

而且，在加强板(701)使用在实施例中的情况下，如果聚酰亚胺树脂、陶瓷、结晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，该加强板可用作绝热基板。而且，可使用屏蔽材料。

而且，在有必要将玻璃基板粘附至实施例中的衬垫的情况下，可通过使用紫外线固化树脂、热固树脂或它们二者或通过使用半固化粘合剂执行粘附。而且，在粘合剂的形成中，可能使用分配器、丝网印刷或模压传递适当选择供给。

此外，在整个构造的可适用范围内在上述实施例中描述的示例可被相互修改。

[本发明的优点]

如上所述，根据依照本发明制造固态成像设备的方法，定位在圆片级上执行，且集合装配被执行以获得结合，包括用于外部读取的电极端子的形成，接着用于每个IT-CCD基板的分隔被执行。从而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

如上所述，根据依照本发明的固态成像设备，通孔被形成以穿透衬垫和密封盖玻璃，且电极读取端子被设置在密封盖玻璃上。从而，至外部的连接可被容易地执行且尺寸可减小。

根据依照本发明制造固态成像设备的方法，定位在圆片级上执行，且通孔被形成以穿透衬垫和密封盖玻璃，且集合装配被执行以获得结合，包括用于外部读取的电极端子的形成，该电极端子设置在密封盖玻璃上，接着用于每个IT-CCD基板的分隔被执行。从而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

此外，如上所述，根据依照本发明的固态成像设备，具有例如透镜等光学组件的半透明基板被使用。因此，不需要安装光学组件，且尺寸可减小，可靠性可提高。

而且，根据依照本发明制造固态成像设备的方法，相对于具有例如透镜等光学组件的半透明基板，IT-CCD基板被放置在圆片级上，且集合装配被执行以获得结合，包括用于外部读取的电极端子的形成，接着执行用于每个IT-CCD的分割。因此，可能形成以与制造且具有高可靠性的固态成像设备。

此外，根据依照本发明的固态成像设备，具有光学组件(例如透镜和外围电路板)的半透明基板和IT-CCD基板被整体结合。因此，可能提供具有小尺寸和高可靠性的固态成像设备。

而且，根据依照本发明制造固态成像设备的方法，相对于具有例如透镜和外围电路板等光学组件的半透明基板，IT-CCD基板被放置在圆片级上，且集合装配被执行以获得包括用于外部读取的电极端子的形成的结合，接着用于每个IT-CCD基板的分隔被执行。从而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固态成像设备。

如上所述，根据本发明，可能形成具有小尺寸和高驱动速度的固态成像设备。

此外，根据本发明，定位在圆片级和IT-CCD基板上执行，且外围电路板和半透明组件被集体装配从而被集成，且接着分隔为每个IT-CCD。因此，制造可以容易地被执行，且定位可用高精度执行。

Claims (39)

1、一种固态成像设备，包括：

设置有IT-CCD的半导体基板；以及

为了具有与所述IT-CCD的光接收区相应的间隙，连接至所述半导体基板的半透明组件，

其中连接端子设置在所述半透明组件的表面上，所述半透明组件的表面与所述半导体基板的连接表面相对，以及

所述连接端子经由设置在所述半透明组件中的通孔电连接至所述半导体基板。

2、根据权利要求1所述的固态成像设备，

其中所述半透明组件通过衬垫连接至所述半导体基板。

3、根据权利要求2所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由与所述半透明组件相同的材料构成。

4、根据权利要求2所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由与所述半导体基板相同的材料构成。

5、根据权利要求2所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由树脂材料构成。

6、根据权利要求1至4中任一所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由42-合金或硅构成。

7、一种制造固态成像设备的方法，包括如下步骤：

在半导体基板的表面上形成多个IT-CCD；

为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙，将具有用导电材料填充的通孔的半透明组件结合到所述半导体基板的表面上；以及

对于每个IT-CCD，分离在所述结合步骤获得的结合组件。

8、根据权利要求7所述制造固态成像设备的方法，其中所述结合半透明组件的步骤包括以下步骤：

制备半透明基板，其中所述半透明基板在与待形成所述IT-CCD的区域相应的位置中具有凹形部分，且在所述凹形部分附近具有通孔；以及

将所述半透明基板结合至所述半导体基板的表面。

9、根据权利要求8所述制造固态成像设备的方法，还包括：

在所述结合步骤之前，在所述半导体基板表面上形成凸出部分以环绕所述光接收区、由所述凸出部分在所述光接收区和所述半透明组件之间形成间隙的步骤。

10、根据权利要求8所述制造固态成像设备的方法，

其中在所述结合步骤，间隙通过被设置以环绕所述光接收区的衬垫形成在所述半导体基板和所述半透明组件之间。

11、一种固态成像设备，包括：

设置有IT-CCD的半导体基板；以及

为了具有与所述IT-CCD的光接收区相对的间隙，连接至所述半导体基板的半透明组件，

其中所述半透明组件构成具有聚光功能的光学组件。

12、根据权利要求11所述的固态成像设备，

其中所述半透明组件通过衬垫连接至所述半导体基板。

13、根据权利要求12所述的固态成像设备，

其中由所述衬垫与所述半透明组件相同的材料构成。

14、根据权利要求12所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由与所述半导体基板相同的材料构成。

15、根据权利要求12所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由树脂材料构成。

16、根据权利要求11至14中任一所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由42-合金或硅构成。

17、根据权利要求12所述的固态成像设备，

其中所述IT-CCD的周缘部分的表面暴露在所述半透明组件之外。

18、根据权利要求17所述的固态成像设备，

其中所述暴露的部分包括连接端子。

19、一种制造固态成像设备的方法，包括如下步骤：

在半导体基板的表面上形成多个IT-CCD；

为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙，将具有聚光功能的光学组件结合到所述半导体基板的表面上；以及

对于每个IT-CCD，分离在所述结合步骤获得的结合组件。

20、根据权利要求19所述制造固态成像设备的方法，其中所述结合半透明组件的步骤包括以下步骤：

制备半透明基板，其中所述半透明基板包括在与待形成所述IT-CCD的区域相应的位置中的多个凹形部分并具有聚光功能；以及

将所述半透明基板结合至所述半导体基板的表面。

21、根据权利要求19所述制造固态成像设备的方法，还包括以下步骤：

在所述结合步骤之前在所述半导体基板表面上形成凸出部分以环绕所述光接收区、由所述凸出部分在所述光接收区和所述半透明组件之间形成间隙。

22、根据权利要求19所述制造固态成像设备的方法，

其中在所述结合步骤，间隙通过被设置以环绕所述光接收区的衬垫形成在所述半导体基板和所述半透明组件之间。

23、根据权利要求19至22中任一所述制造固态成像设备的方法，

其中所述分离步骤包括，以所述IT-CCD的周缘部分的表面暴露在所述所述半透明组件之外的方式，切割所述半透明组件，以将所述半透明组件的周缘部分放置到所述IT-CCD的周缘部分的内部。

24、一种固态成像设备，包括：

设置有IT-CCD的第一半导体基板；以及

具有聚光功能的半透明组件，为了具有与所述IT-CCD的光接收区相对的间隙，所述半透明组件连接至所述第一半导体基板，

其中构成外围电路的第二半导体基板设置在所述第一半导体基板上。

25、根据权利要求24所述的固态成像设备，

其中所述半透明组件通过衬垫连接至所述半导体基板。

26、根据权利要求25所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由与所述半透明组件相同的材料构成。

27、根据权利要求25所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由与所述第一半导体基板相同的材料构成。

28、根据权利要求25所述的固态成像设备，

其中所述衬垫由树脂材料构成，所述树脂材料填充在所述半透明组件和所述第一半导体基板之间。

29、根据权利要求25所述的固态成像设备，

其中所述第一半导体基板的每个IT-CCD的周缘部分的表面暴露在所述半透明组件之外。

30、根据权利要求29所述的固态成像设备，

其中所述暴露的部分包括连接端子。

31、一种制造固态成像设备的方法，包括以下步骤：

在第一半导体基板的表面上形成多个IT-CCD；

在第二半导体基板的表面上形成外围电路；

为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙，将具有聚光功能的光学组件结合到所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的表面上；以及

对于每个IT-CCD，分离在所述结合步骤获得的结合组件。

32、一种固态成像设备，包括：

设置有IT-CCD的第一半导体基板；以及

为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙，连接至所述第一半导体基板的半透明组件，

其中，其上具有外围电路的第二半导体基板设置在与所述第一半导体基板的表面相对的表面上，在所述第一半导体基板上待形成所述IT-CCD，以及

所述外围电路通过设置在所述第一半导体基板上的通孔连接至所述IT-CCD。

33、根据权利要求32所述的固态成像设备，

其中所述第一和第二半导体基板彼此直接结合。

34、根据权利要求32所述的固态成像设备，

其中在所述第一和第二半导体基板之间使用粘合剂层使其彼此结合。

35、根据权利要求32所述的固态成像设备，

其中在所述第一和第二半导体基板之间使用热绝缘材料使其彼此结合。

36、根据权利要求32所述的固态成像设备，

其中在所述第一和第二半导体基板之间使用磁屏蔽材料使其彼此结合。

37、一种制造固态成像设备的方法，包括以下步骤：

在第一半导体基板的表面上形成多个IT-CCD；

在第二半导体基板的表面上形成外围电路；

为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙，将半透明组件结合到所述第一半导体基板的表面上；

将所述第二半导体基板结合到所述第一半导体基板的背面；

在所述结合步骤和所述半导体基板结合步骤之前或之后在所述第一半导体基板上形成通孔，并将所述IT-CCD电连接至所述第一半导体基板的背面；以及

对于每个IT-CCD，分离在所述结合步骤获得的结合组件。

38、根据权利要求37所述制造固态成像设备的方法，

其中在所述半导体基板结合步骤，所述第一和第二半导体基板通过直接结合彼此结合。

39、根据权利要求37所述制造固态成像设备的方法，

其中在所述半导体基板结合步骤，在所述第一和第二半导体基板之间使用粘合剂层使其彼此结合。

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