CN101541552B - 光学记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一次性光记录介质(10)，其包括：无机记录膜(2)。无机记录膜(2)包括：含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜(2a)；和紧邻氧化物膜(2a)并含有钛(Ti)和锰(Mn)的相邻膜(2b)。

Description

光学记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及光学记录介质及其制造方法。更特别地，本发明涉及具有无机记录膜的光学记录介质。
背景技术
近年来，需要具有高密度记录的光学记录介质，能够记录大量信息。例如，为满足这样的需求，已经制订了蓝光光盘(注册商标；下文称为，BD)的标准V1.1，并且高分辨率图像能够记录并存储到该光学记录介质。假设高分辨率的标准再现速度为1倍速(1x)，依据BD的标准V1.1，光盘已经处理高达2倍速(2x)的记录。
但是，用户要求更高的速度用于记录。在被认为是光盘的旋转速度的极限的接近1000rpm的速度下，光盘必须处理CLV(恒定线速度)模式的4倍速(4x)。而且，未来需要处理以超过10倍速(10x)的采用CAV(恒定角速度)模式的记录。因此，光学记录介质即使在这样的高速记录中也必须具有足够的记录特性。
在另一方面，作为对应于以高达2倍速(2x)进行记录的BD-R(BD-可写)介质，市场上可以购买到具有由镉(Ge)的氧化物膜制成的氧化物膜和邻近于氧化物膜设置并由钛(Ti)制成的金属膜的介质(例如，参考JP-A-2006-281751)。尽管这样的一次性光学记录介质由3层膜或4层膜构成，介质具有宽的功率裕度(power margin)和高的耐久性。
但是，在具有前述膜构造的一次写入型光学记录介质中，如果信息信号是以4倍速(4x)的线性速度记录，功率裕度较窄并且需要改进窄的功率裕度。
发明内容
因此，本发明的目的是提供具有无机记录膜的高速记录时的功率裕度能够得以提高的光学记录介质，及提供用于这样的介质的制造方法。
本发明已经进行了卓有成效的研究以解决相关技术所具有的前述的问题。下文中将描述它的概要。
依据本发明的知识，为在高速记录中实现足够宽的功率裕度，而又不增加总的膜的数量，有效的是添加添加剂至每一层的材料。而且，依据本发明的知识，在具有含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜及含有钛(Ti)作为无机记录膜的相邻膜的一次写入型光学记录介质中，其记录原理是氧化物膜在记录时分离为具有不同氧组分的两层。发生这样的分离是因为相邻膜邻接氧化物膜。相邻膜表面在氧分离中具有重要角色，并且认为记录原理是在相邻膜表面上氧化的钛(Ti)吸收了记录光并出现光催化作用。这因为在如下的例子中获得的实验结果而得到了间接的确认：在例子中，未含有钛(Ti)而例如含有铝(Al)或银(Ag)作为主要成分的材料被用于相邻膜，或者具有仅数nm厚的SiN、ZnS-SiO2等惰性介质膜形成在相邻膜和氧化物膜之间，调制度(modulation degree)极度恶化并且氧化物膜未能清晰分离。
因此，基于关于前述的记录原理的知识，本发明已经进行了卓有成效的研究以改进对于高速记录的记录特性。由此，已经发现在添加添加剂至相邻膜的例子中，添加剂对于记录特性施加了较大的影响，并且在锰(Mn)添加到相邻膜的例子中，获得了较宽的功率裕度，尤其是在高速记录中。
本发明基于如上的测试得出。
为解决前述问题，依据本发明的第一发明，提供了
具有无机记录膜的光学记录介质，其特征在于
无机记录膜具有：
含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜；和
含有钛(Ti)和锰(Mn)并邻接氧化物膜的相邻膜。
依据本发明的第二发明，提供了具有无机记录膜的光学记录介质的制造方法，其特征在于包括如下的步骤：
形成含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜；和
形成含有钛(Ti)和锰(Mn)并邻接氧化物膜的相邻膜。
依据本发明，推测由于相邻膜含有锰(Mn)，氧化物膜中的氧的分离速度能够进一步升高。
如上所述，依据本发明，由于相邻膜含有钛(Ti)和锰(Mn)，高速记录时的功率裕度能够得以提高。因此，高速记录时的记录特性能够得以提高。
附图说明
图1示出了依据本发明的第一实施例的一次写入型光学记录介质的结构性例的示意性横截面视图；
图2示出了依据本发明的第二实施例的一次写入型光学记录介质的结构性例的示意性横截面视图；并且
图3示出了例2到15和比较例2中的Mn含量、功率裕度和记录敏感性之间的关系的曲线图。
具体实施方式
下文中将参考附图描述本发明的实施例。
(1)第一实施例
(1-1)一次写入型光学记录介质的构造
图1示出了依据本发明的第一实施例的一次写入型光学记录介质的结构性例的示意性横截面视图；一次写入型光学记录介质10具有无机记录膜2、介质膜3和光透射层4顺序地层叠在基底1上的构造。
在依据第一实施例的一次写入型光学记录介质10中，通过从光透射层4一侧照射激光至无机记录膜2，进行信息信号的记录和/或再现。例如，波长范围在400nm至410nm之间的激光束由数值孔径范围在0.84到0.86之间的物镜会聚并从光透射层4一侧照射至无机记录膜2，这样使得信息信号的记录和/或再现得以执行。作为这样的一次写入型光学记录介质10，可举出例如BD-R。
下文中将顺序描述构成一次写入型光学记录介质10的基底1、无机记录膜2、介质膜3和光透射层4。
(基底)
基底1具有环形形状，开口(下文中，参考为中心孔)形成在中心处。基底1的主平面为凹/凸平面11。无机记录膜2形成在凹/凸平面11上。下文中，凹/凸平面11的凹陷部分参考为凹槽(In-groove)11Gin，并且凹/凸平面11的凸出部分参考为槽脊(On-groove)11Gon。
关于凹槽11Gin和槽脊11Gon的形状，例如，可举出例如螺旋形、同心形。凹槽11Gin和/或槽脊11Gon摆动(wobble)以添加地址信息。
基底1的直径选择为例如120mm。考虑刚度选择基底1的厚度，优选地从0.3mm到1.3mm中选择，更为优选地从0.6mm到1.3mm中选择，并且选择为例如1.1mm。中心孔的直径选择为15mm。
关于基底1的材料，例如，能够使用例如聚碳酸酯型树脂、聚烯烃型树脂、丙烯酸型树脂等的塑料，或玻璃等。在考虑到成本的情况中，优选的是使用塑料作为基底1的材料。
(无机记录膜)
无机记录膜2由顺序地层叠在基底1的凹/凸表面11上的金属膜2a和氧化物膜2b构成。金属膜2a含有钛(Ti)和锰(Mn)。如果钛(Ti)和锰(Mn)用作主要材料，通常能够获得良好的记录特性。锰(Mn)的含量优选地在1原子百分比到40原子百分比的范围之间，更为优选地，在2原子百分比到30原子百分比的范围之间，并且进一步优选地，在5原子百分比到28原子百分比的范围之间。这是因为通过设置锰(Mn)含量在这样的范围内，能够提高高速记录时的功率裕度并且能够改进高速记录时的记录特性。另外优选的是允许少量的氮(N)包含在金属膜2a中。如此，能够调节记录敏感性。
氧化物膜2b由例如镉(Ge)的氧化物GeO制成。氧化物膜2b的吸收系数优选地在0.15到0.90之间的范围内，更为优选地，在0.20到0.70之间，并且进一步优选地，从0.25到0.60。氧化物膜2b的厚度优选地在10nm至35nm范围内。通过满足从0.15到0.90的范围，例如，良好的调制度和载波噪声比(下文中，参考为C/N比)能够得以实现。通过满足从0.20到0.70的范围，例如，相比更好的调制度和C/N比能够得以实现。通过满足从0.25到0.60的范围，例如，更为良好的调制度和C/N比能够得以实现。
说明书中的吸收系数k是在410nm的波长的条件下测量的值。为了该测量，使用了偏振光椭圆率测量仪(由Rudolph Co.，Ltd制造；商品名：AutoEL-462P17)。
添加剂可以添加到氧化物膜2b。作为添加剂，例如，能够使用碲(Te)、钯(Pd)、铂(Pt)、铬(Cr)、锌(Zn)、金(Au)、硅(Si)、钛(Ti)、铁(Fe)、镍(Ni)、锡(Sn)、锑(Sb)、锰(Mn)、铟(In)、锆(Zr)等。通过添加这样的添加剂，能够改进耐久性和/或反应性(记录敏感性)。为改进耐久性，特别地，尤其优选的是钯(Pd)、铂(Pt)、铬(Cr)、或锑(Sb)。
(介质膜)
介质膜3设置在与之接触的无机记录膜2上并用以构成对无机记录膜2的光学或机械保护，即，提高了耐久性，抑制了变形，即，抑制记录时的无机记录膜2的膨胀等。作为介质膜3，例如，能够使用SiN、ZnS-SiO2、AlN、Al2O3、SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)等。为改进记录信号的S/N比并实现好的特性，优选的是使用ZnS-SiO2作为介质膜3。介质膜3的厚度在例如从10nm到100nm的范围内。
(光透射层)
光透射层4由例如具有环形形状的透光片(膜)和用于粘结透光片在基底1上的粘结层构成。粘结层由例如紫外线硬化树脂或压敏粘结剂(PSA)制成。光透射层4的厚度优选地选自从10μm到177μm的范围并且选择为例如100μm。高密度记录能够通过组合这样的薄的光透射层4和具有高的例如大约0.85的NA(数值孔径)的物镜而实现。
优选的是透光片由对用于记录和/和再现的激光束的吸收性能较低的材料制成。特别地，优选的是透光片由透射率等于或大于90％的材料制成。作为透光片的材料，例如，可举出聚碳酸酯树脂材料或聚烯烃型树脂(例如，Xeonex(注册商标))。
透光片的厚度优选地选择为0.3mm或更小并且更为优选地，选自从3μm到177μm的范围。光透射层4的孔(直径)选择为例如22.7mm。
(1-2)一次写入型光记录介质的制造方法
随后，将描述依据本发明的第一实施例的一次写入型光学记录介质的制造方法的例。
(基底的成型步骤)
首先，成型已经在一个主平面上形成凹/凸表面11的基底1。作为基底1的成型方法，例如，可使用注射成型(注射)法、光敏聚合物法(2P法：光聚合)等。
(金属膜的膜形成步骤)
随后，基底1被传送进入具有由例如钛(Ti)和锰(Mn)制成的靶的真空室，并且真空室内保持真空直至其压力达到预定压力。之后，在引入处理气体进入真空室的同时，溅射靶且金属膜2a形成在基底1上。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件的例。
真空限度(ultimate vacuum)：5.0×10-5Pa
大气：0.1至0.6Pa
施加电功率：1到3Kw
气体种类：Ar气和N2气
Ar气流速：10到40sccm
N2气流速：1到10sccm
(氧化物膜的膜形成步骤)
随后，基底1被传送进入具有由例如镉(Ge)制成的靶的真空室并且真空室内保持真空直至其压力达到预定压力。之后，在引入处理气体进入真空室的同时，溅射靶且氧化物膜2b形成在基底1上方。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件的例。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.1至0.6Pa
施加电功率：1到3Kw
气体种类：Ar气和O2气
Ar气流速：24sccm
O2气流速：9sccm
(介质膜的膜成型步骤)
随后，基底1被传送进入具有由例如ZnS-SiO2制成的靶的真空室并且真空室内保持真空直至其压力达到预定压力。之后，在引入处理气体进入真空室的同时，溅射靶且介质膜3形成在基底1上方。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件的例。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.1至0.6Pa
施加电功率：1到4Kw
气体种类：Ar气
Ar气流速：6sccm
(光透射层的膜形成步骤)
随后，环形透光片通过使用压敏粘结剂(PSA)而粘结到基底1上的凹/凸表面11侧上，压敏粘结剂(PSA)预先均匀地涂覆该片的一个主平面。由此，形成光透射层4以覆盖在基底1上/上方形成的每个膜。
通过前述步骤获得在图1中示出的一次写入型光学记录介质10。
依据本发明的第一实施例，能够实现如下的效果。
由于能够仅通过顺序地层叠金属膜2a、氧化物膜2b、介质膜3和光透射层4在基底1上而形成一次写入型光学记录介质10，能够提供具有简单膜结构的具有高记录密度的一次写入型光学记录介质10，即低价的具有高记录密度的一次写入型光学记录介质10。
高速记录时的功率裕度等能够仅通过添加锰(Mn)到金属膜2a内而得以提高。因此，能够通过例如总计三或四层或更少层的膜设置在高速记录中具有优秀记录特性的一次写入型光学记录介质10，而又不增加膜的总数。即，能够设置在高速记录中具有优秀记录特性的一次写入型光学记录介质10，而不会导致工厂和设备投入成本的增加。另外，由于金属膜2a含有钛(Ti)，还能够实现优秀的耐久性。
由于锰(Mn)具有低的导热性，能够实现稳定的记录敏感性。而且，由于锰(Mn)是过渡元素并且另外如钛(Ti)一样具有极其稳定的化学特性，能够实现优秀的耐久性。因此，在具有含有钛(Ti)和锰(Mn)的金属膜2a的一次写入型光学记录介质中，能够实现改进高速记录时的记录特性(宽的功率裕度)，同时具有稳定的记录敏感性和耐久性。
记录时，金属膜2a的物理特性在记录前的时刻和记录后的时刻几乎不改变，并且金属膜2用作促进金属膜2和氧化物膜2b之间的界面处的反应，即，引起所谓的催化操作。记录之后，氧化物膜2b中的氧分离并且含有大量氧组分的Ge层形成在金属膜2a的界面中。采用这种方式，氧化物膜2b分离为稳定的两个层，所述两个层的光学常量不同并且其保存稳定性较高。当再现光照射至已经分离成为如上提到的两层的氧化物膜2b时，反射光量发生变化，从而获得良好的再现信号。
(2)第二实施例
依据第二实施例，介质膜由具有不同材料和组分的多个介质膜构成。在将作为例描述的情况中，介质膜由具有不同材料和组分的两层介质膜构成。
图2示出了依据本发明的第二实施例的光学记录介质的构造性例的横截面视图。类似于前述第一实施例中的部分的部分由相同的参考标号标注，并略去对于它们的描述。
介质膜5由第一介质膜5a和第二介质膜5b构成，并且第二介质膜5b设置在光透射层4一侧上。第一介质膜5a由例如具有高的膜形成速度的ZnS-SiO2制成。第二介质膜5b由比ZnS-SiO2更稳定的例如SiN等的介质材料制成。
依据本发明的第二实施例，能够获得除前述第一实施例的效果的如下效果。
由于第二介质膜5b设置在第一介质膜5a和光透射层4之间，能够抑制包含在第一介质膜5a中的例如硫(S)组分与光透射层4中的PSA等反应、光透射层4恶化、及耐久性恶化的情况。即，能够抑制光斑中发生大量畸变、再现信号恶化等的情况。
本发明在下文中将通过例子具体地解释。本发明并不仅限于这些例。在如下例中，对应于前述实施例的部分标注为相同的参考标号。
作为本发明的例，示出了依据使用数值孔径0.85的2组物镜和波长405nm的紫蓝光半导体激光光源用作BD的光学系统的光盘记录和再现设备而设计的一次写入型光学记录介质10。
作为评估设备，使用了Pulstec工业有限公司制造的BD光盘检测器“ODU-1000”。光源波长为405.2nm。
关于抖动，通过使用由Yokogawa电子公司制造的时间间隔分析仪“TA720”测量通过由Pulstec工业有限公司制造的均衡器板的信号。均衡器与标准一致，测量穿过限幅均衡器后得到的信号的抖动。
另外，为测量幅度、调制度等，使用了由Tektronix公司制造的数字示波器“TDS7104”。
记录的线性速度设置为19.67m/sec(4倍速记录)。再现的线性速度设置为4.92m/sec(1倍速)。信道位长度设置为74.50nm(用于直径12cm的光盘的25GB记录密度)。
调制系统设置为17PP。作为最小刻录长度的2T刻录标志的刻录长度等于0.149μm。8T刻录标志的刻录长度等于0.596μm。道间距设置为0.32μm。
尽管存在数个关于功率裕度的测量的具体方法，在本说明书中，通过限幅均衡器后的抖动值等于或小于8.5％的范围被定义为记录敏感性的裕度，并且通过其功率范围除以最佳功率获得的值被定义为功率裕度。
(例1)
首先，通过注射成型而制造出具有1.1mm厚度的聚碳酸酯基底(下文中，参考为PC基底)1。具有凹槽11Gin和槽脊11Gon的凹/凸表面11形成在PC基底1上。凹槽11Gin的深度设置为20nm并且道间距设置为0.32μm。
随后，具有22nm厚度的TiMn膜2a、具有25nm厚度的GeO膜2b、具有52nm厚度的ZnS-SiO2膜5a和具有4nm厚度的SiN膜5b通过使用膜形成设备(由Unaxis有限公司制造，商品名称：Sprinter)而连续地形成在基底1上。之后，聚碳酸酯片(下文中，参考为PC片)由压敏粘结剂(PSA)粘结在PC基底1的凹/凸平面11侧上并且光透射层4形成在SiN膜5b上。光透射层4的厚度设置为100μm，其中包括PSA和PC片。由此，获得所希望的一次写入型光学记录介质10。
下文中示出每个膜的膜形成条件。
首先，在真空室内部形成真空后，引入Ar和N2气体进入真空室，同时溅射TiMn靶，并且具有22nm厚度的TiMn的膜形成在基底1上。TiMn靶中的Mn的含量设置为20原子百分比。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.2Pa
施加电功率：3Kw
Ar气流速：30sccm
N2气流速：6sccm
随后，在真空室内部形成真空后，引入Ar气体和O2气体进入真空室，同时反应性溅射Ge靶，并且具有25nm厚度的GeO膜2b形成在TiMn膜2a上。GeO膜2b中的氧含量设置成使得GeO膜2b的吸收系数k等于0.6的值。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.2Pa
施加电功率：2Kw
Ar气流速：30sccm
氧气流速：44sccm
随后，在真空室内部形成真空后，引入Ar气体进入真空室，同时溅射ZnS-SiO2靶，并且具有52nm厚度的ZnS-SiO2膜5a形成在GeO膜2b上。ZnS-SiO2膜5a中的组分比(原子比)ZnS：SiO2设置成80：20。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.1Pa
施加电功率：1Kw
Ar气流速：6sccm
随后，在真空室内部形成真空后，引入Ar气体和N2气体进入真空室，同时溅射Si靶，并且具有10nm厚度的Si3N4的膜5b形成在基底1上。
下面示出了在膜形成步骤中的膜形成条件。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.3Pa
施加电功率：4Kw
Ar气流速：50sccm
N2流速：37sccm
对如上提到地在如上的条件下获得的一次写入型光学记录介质10进行记录和再现，这样获得10.2mW的记录敏感性和6.5％的本底抖动。依据前述定义的功率裕度等于21.6％，并且良好的记录得以执行。
(比较例1)
随后，除TiMn膜2改变为TiSi之外，类似于例1中的条件设置全部条件，由此获得一次写入型光学记录介质10。Si含量设置为25原子百分比。下面示出了TiSi膜的膜形成条件。
真空限度：5.0×10-5Pa
大气：0.2Pa
施加电功率：3Kw
Ar气流速：30sccm
N2流速：7.5sccm
在如上膜形成条件下获得的一次写入型光学记录介质10是SL(单层)介质，其符合BD-R的版本V1.1。
对如上提到地在如上的条件下所获得的一次写入型光学记录介质10得以执行记录和再现，使得获得10.7mW的记录敏感性和6.5％的本底抖动。依据前述定义的功率裕度等于17％。因此，将能够明白，与比较例1相比，依据例1的一次写入型光学记录介质10，记录敏感性提高0.5mW并且功率裕度提高4.6个点。
(例2到16，比较例2)
随后，除TiMn膜2a中的Mn(锰)的含量改变在O原子百分比到50原子百分比范围内之外，类似于例1中的条件设置全部条件，并且获得多个一次写入型光学记录介质10。以类似于例1的方式得出如上面提到的所获得的一次写入型光学记录介质10的功率裕度、敏感性、及本底抖动。它们的结果示出在表1和图3中。
(表1)
 
Mn含量[原子百分比] 功率裕度[％] 记录敏感性[mW] 抖动[％]
比较例2 0 15.0 12.0 8.0
例2 1 16.0 11.1 7.2
例3 2 17.0 10.7 6.5
例4 5 22.3 10.3 6.6
例5 8 22.2 10.0 6.6
例6 10 23.0 10.0 6.5
例7 13 22.9 10.6 6.5
例8 15 22.0 10.4 6.5
例9 17 21.6 10.4 6.6
例10 18 21.0 10.4 6.4
例11 20 21.6 10.2 6.3
例12 25 21.1 10.3 6.4
例13 28 20.7 10.3 6.4
例14 30 18.0 10.7 6.6
例15 40 15.0 10.8 6.5
例16 50 12.6 10.8 6.5
依据表1和图3将理解下面各点：(a)功率裕度、(b)记录敏感性和(c)本底抖动。
(a)功率裕度
当TiMn膜2a中的Mn含量小于5原子百分比时，功率裕度开始突然变窄。当Mn含量等于2原子百分比时，功率裕度等于17％，这类似于具有TiSi膜的比较例1中的情况。当Mn含量等于18原子百分比或更大时，功率裕度略变窄。当Mn含量超过28原子百分比时，功率裕度突然变窄。当Mn含量等于30原子百分比时，功率裕度等于18原子百分比，类似于比较例1中的情况。当Mn含量等于40原子百分比时，功率裕度小于比较例2中的功率裕度，在比较例2中的Mn含量等于O原子百分比。
(b)记录敏感性
如果含有Mn，则记录敏感性得以提高。当Mn含量在从1原子百分比到30原子百分比的范围内时，尽管记录敏感性略波动，其保持在从10.0mW到11.1mW的范围内。当Mn含量超过30原子百分比时，功率裕度几乎为常量。
(c)本底抖动
当Mn含量等于O原子百分比时，本底抖动由于噪声增加而恶化至8.0％。但是，如果含有1原子百分比的Mn，本底抖动降低至7.2％。当Mn含量等于2原子百分比或者更大时，则不管含量是多少，本底抖动等于大约6.5％。
当考虑到如上各点时，优选地使用添加有Mn的TiMn膜2a以处理高速记录。Mn含量优选地在从1原子百分比到40原子百分比的范围内，更为优选地，在从2原子百分比到30原子百分比的范围内，并且进一步优选地，在从5原子百分比到28原子百分比的范围内。
而且，当比较比较例1与例2到15时，将会明白，通过使用添加有Mn的TiMn膜2a，能够进行比比较例1更为良好的记录并且能够获得更宽的功率裕度。
尽管本发明的实施例和例已经如上具体地进行了描述，本发明并不局限于前述实施例的例，而多种基于本发明的技术思想的修改是可以的。
例如，前述实施例和例中提到的数值仅是示例，并且其它不同于它们的数值可以根据需要使用。
另外，尽管已经参考其中氧化物膜2b由一层的氧化物膜构成的示例描述了如上的实施例和示例，氧化物膜2b也能够由两层或更多的具有不同材料、组分等的层的氧化物膜形成。
另外，尽管已经参考金属膜2a由一层的金属膜构成的示例描述了如上的实施例和示例，金属膜2a也能够由两层或更多的具有不同材料、组分等的层的金属膜形成。
另外，尽管已经参考金属膜2a由钛(Ti)和锰(Mn)构成的示例描述了如上的实施例和示例，金属膜2a也能够由两层或更多的具有不同材料、组分等的层的金属膜形成。表现出不同于钛(Ti)等的光催化效应的金属材料可以使用以替代钛(Ti)。

Claims (4)

1.一种具有无机记录膜的光学记录介质
其中，所述无机记录膜包括：
含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜；和
含有钛(Ti)和锰(Mn)并紧挨所述氧化物膜的相邻膜，
所述光学记录介质的特征在于：所述相邻膜中锰(Mn)的含量大于等于1原子百分比、且小于等于40原子百分比。
2.如权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述相邻膜中锰(Mn)的含量大于等于5原子百分比、且小于等于28原子百分比。
3.如权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，一个或多个介质膜进一步形成在所述氧化物膜的表面中与所述相邻膜相对一侧的表面上。
4.一种具有无机记录膜的光学记录介质的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：
形成含有镉(Ge)的氧化物的氧化物膜；和
形成含有钛(Ti)和锰(Mn)并邻接所述氧化物膜的相邻膜，
其中所述相邻膜中的锰(Mn)的含量大于等于1原子百分比、且小于等于40原子百分比。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141417A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Sony Corp 追記型光記録媒体およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1479287A (zh) * 2000-08-17 2004-03-03 松下电器产业株式会社 光学信息记录媒体及其制造方法、记录及重放方法和装置
CN1689088A (zh) * 2002-10-01 2005-10-26 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257291A (ja) 1984-06-01 1985-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材
JP2004158134A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Ricoh Co Ltd 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置
JP2006281751A (ja) * 2004-04-28 2006-10-19 Sony Corp 追記型光記録媒体
US7427431B2 (en) * 2004-04-28 2008-09-23 Sony Corporation Write once optical recording medium
JP4345563B2 (ja) * 2004-04-28 2009-10-14 ソニー株式会社 追記型記録媒体
JP4251142B2 (ja) * 2005-03-10 2009-04-08 ソニー株式会社 追記型光記録媒体
JP4403414B2 (ja) * 2005-06-17 2010-01-27 ソニー株式会社 追記型光記録媒体
JP4605171B2 (ja) * 2007-03-23 2011-01-05 ソニー株式会社 光記録媒体およびその製造方法
JP4535080B2 (ja) * 2007-03-23 2010-09-01 ソニー株式会社 光記録媒体およびその製造方法
JP2009003993A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Sony Corp 記録媒体およびその製造方法、並びに記録媒体用原盤およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1479287A (zh) * 2000-08-17 2004-03-03 松下电器产业株式会社 光学信息记录媒体及其制造方法、记录及重放方法和装置
CN1689088A (zh) * 2002-10-01 2005-10-26 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其制造方法

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