CN101271707A - 光记录媒体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够提高耐久性的光记录媒体及其制造方法。光记录媒体是具有无机记录膜的光记录媒体，无机记录膜具备：包含钛(Ti)的第一记录膜、包含锗(Ge)和锡(Sn)的氧化物的第二记录膜。第一记录膜中锡(Sn)的含有量是3～12％原子。

Description

光记录媒体及其制造方法
技术领域
本发明涉及光记录媒体及其制造方法。详细说就是涉及具有无机记录膜的光记录媒体。
背景技术
近年来期待有能够记录大容量信息的高密度记录的光记录媒体。例如为了适应该要求而策划有兰光盘(Blu-ray Disc(注册商标)：BD，以下被叫做BD)的规格，能够把高清晰度图象向光记录媒体上录象、保存。若把高清晰度的通常再生速度设定为一倍速时，则在BD-R(Blu-rayDisc-Recordable)的规格ver1.1中已经对应到达两倍速的记录。
作为能够对应上述规格的光记录媒体，例如提案有具备由包含钛(Ti)的第一记录膜和包含锗(Ge)的氧化物的第二记录膜构成的无机记录膜的光记录媒体(例如参照专利文献1)。该光记录媒体由四层膜的少的层数构成，并且由四层膜构成的同时还具有宽的功率界限和非常高的耐久性。
专利文献1：日本特开2006-281751号公报
但该光记录媒体在作为0.1mm厚度的光透射层而使用紫外线固化树脂(以下叫做UV树脂)时，有耐久性恶化的问题。这被认为是由以下所示的理由造成。由形成光透射层的UV树脂的收缩等而以被记录变形的部分作为起点，产生有多数微细裂纹，大气中的水分从这些裂纹侵入，在存在有水的部位锗(Ge)就扩散并凝聚。当无机记录膜中的锗(Ge)扩散并凝聚，则无机记录膜的恶化进展。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够提高耐久性的光记录媒体及其制造方法。
本发明者等为了提高具有无机记录膜的光记录媒体的耐久性而进行了锐意研究，结果发现把锡(Sn)作为添加剂向包含锗(Ge)的氧化物的第二记录膜中添加则能够提高耐久性，以致完成本发明。
本发明的第一发明是具有无机记录膜的光记录媒体，其中，
无机记录膜具备：
包含钛(Ti)的第一记录膜、
包含锗(Ge)和锡(Sn)的氧化物的第二记录膜。
本发明的第二发明是具有无机记录膜的光记录媒体的制造方法，其中，具备：
形成包含钛(Ti)的第一记录膜的工序、
形成包含锗(Ge)和锡(Sn)的氧化物的第二记录膜的工序。
本发明中，当照射记录光，则第二记录膜所含有的氧分离，在第一记录膜与第二记录膜的界面处形成氧含有量多的Ge层。即第二记录膜被分离成光学常数不同的保存稳定性高的稳定的两层。由此，在照射再生光时则被记录光照射过的部分和没被记录光照射的部分的反射光量有变化，所以能够得到良好的信号特性。第一记录膜在记录前后几乎没有物理特性的变化，出现促进与第二记录膜的界面处的反应的所谓催化的作用。
如以上说明的那样，根据本发明，由于第二记录膜包含锗(Ge)和锡(Sn)的氧化物，所以能够提高光记录媒体的耐久性。
附图说明
图1是表示本发明第一实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图；
图2是表示本发明第二实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图；
图3是表示本发明第三实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图；
图4是表示比较例1-1、实施例1-1～1-6的Sn含有量与记录灵敏度Pwo、功率界限的关系的曲线；
图5是表示比较例1-1、实施例1-1～1-6的Sn含有量与2T信号的振幅值R8H*I2pp/I8H的关系的曲线；
图6是表示实施例2-1～2-6的SnO2膜的膜厚度与功率界限的关系的曲线；
图7是表示实施例3-1～3-6的SnO2膜的膜厚度与功率界限的关系的曲线。
符号说明
1基板         2无机记录膜       2a第一记录膜     2b第二记录膜
3电介体膜     3a第一电介体膜    3b第二电介体膜   4光透射层
5透明导电膜   10光记录媒体      11凹凸面
Gin凹槽       Gon凸槽
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施例。
(1)第一实施例
光记录媒体的结构
图1是表示本发明第一实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图。该光记录媒体10是所谓的追记型光记录媒体，具有在基板1上顺次层合无机记录膜2、电介体膜3和光透射层4的结构。
在该第一实施例的光记录媒体10中，通过从光透射层4侧向无机记录膜2照射激光而能够进行信息信号的记录或再生。例如把具有400nm以上410nm以下范围波长的激光，通过具有0.84以上0.86以下的范围数值孔径的物镜聚光而从光透射层4侧向无机记录膜2照射，进行信息信号的记录或再生。作为这种光记录媒体10例如能够举出BD-R。
以下顺次说明构成光记录媒体10的基板1、无机记录膜2、电介体膜3和光透射层4。
(基板)
基板1具有在中央形成开口(以下叫做中心孔)的圆环形状。该基板1的一主面是凹凸面11，无机记录膜2成膜在该凹凸面11上。以下把凹凸面11中的凹部叫做凹槽Gin，把凸部叫做凸槽Gon。
作为该凹槽Gin和凸槽Gon的形状例如能够举出螺旋状、同心圆状等各种形状。凹槽Gin和/或凸槽Gon例如为了附加地址信息而被制成摆动的(蛇行)。
基板1的径(直径)例如选择为120mm。基板1的厚度若考虑刚性选择时优选是0.3mm～1.3mm，更好是0.6mm～1.3mm，例如选择为1.1mm。中心孔的径(直径)例如选择为15mm。
作为基板1的材料例如能够使用塑料材料或玻璃，从成本的观点看优选是使用塑料材料。作为塑料材料例如能够使用聚碳酸酯类树脂、聚烯烃类树脂、丙烯酸类树脂等。
(无机记录膜)
无机记录膜2包括在基板1的凹凸面11上顺次层合的第一记录膜2a和第二记录膜2b。第一记录膜2a设置在基板1的凹凸面11侧，第二记录膜2b设置在电介体膜3侧。
第一记录膜2a把钛(Ti)作为主要成分包含。从改善功率界限的观点看，第一记录膜2a优选把锰(Mn)、锆(Zr)、铪(Hf)等低导热性金属作为添加剂包含。低导热性金属的含有量优选是1～40％原子、更好是2～30％原子、最优选是5～28％原子。从调整记录灵敏度的观点看，第一记录膜2a优选包含微量的氮(N)。第一记录膜2a的膜厚度优选是10～50nm。
第二记录膜2b包含的主要成分是锗(Ge)的氧化物。第二记录膜2b中锗(Ge)的氧化物的含有量优选是88～97％原子、更好是90～97％原子、最优选是90～95％原子。从提高耐久性的观点看，第二记录膜2b包含的添加剂是锡(Sn)。第二记录膜2b中锡(Sn)的含有量优选是3～12％原子、更好是3～10％原子、最优选是5～10％原子。这是由于在3％以上原子时则能够得到优良的耐久性，在12％以下原子时则能够得到优良的信号特性的缘故。只要第一记录膜2a把钛(Ti)作为主要成分、第二记录膜2b把锗(Ge)的氧化物作为主要成分，基本上就能够得到良好的记录特性。
从提高调制度和载体的载波噪声比(以下叫做C/N)等的观点看，第二记录膜2b的吸收系数k优选是0.15以上0.90以下、更好是0.20以上0.70以下、最优选是0.25以上0.60以下。第二记录膜2b的膜厚度优选是10～35nm。
本说明书的吸收系数k是在波长410nm中的吸收系数。该吸收系数k能够使用偏振光椭圆率测量仪(鲁多鲁伏公司制造(ルドルフ社制)，商品名：Auto EL-462P 17)如下所述地求出。使用偏振光椭圆率测量仪测定由椭圆偏振光的相位角△与椭圆的振幅强度比求出的正切Ψ，根据由表面测量仪(Tencor社制，商品名：P15)求出的膜厚度来求复合折射率N和吸收系数k。利用市场销售的偏振光椭圆率测量仪附属的解析软件使用最小二乘法等进行该作业。
(电介体膜)
电介体膜3与无机记录膜2相接设置，对无机记录膜2进行光学和机械保护，即，用于提高耐久性以及进行抑制记录时无机记录膜2的变形即鼓起等。作为该电介体膜3的材料，例如能够使用SiN、ZnS-SiO2、AIN、Al2O3、SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2(以下叫做SCZ)等。优选使用ZnS-SiO2。这是由于能够提高记录信号的S/N，能够得到良好的信号特性的缘故。电介体膜3的膜厚度优选是10～100nm的范围。
(光透射层)
光透射层4例如是树脂涂镀型或片贴合型的光透射层4。在此，树脂涂镀型的贴合层4是表示由树脂涂镀法形成的光透射层4，片贴合型的光透射层4是表示由片贴合法形成的光透射层4。树脂涂镀法和片贴合法在后面叙述。
光透射层4的厚度优选是从10～177μm的范围内选择，例如选择为100μm。通过把这种薄的光透射层4与例如0.85左右的高NA(numericalaperture)化的物镜进行组合而能够实现高密度记录。光透射层4的内径(直径)例如选择为是22.7mm。
树脂涂镀型的光透射层4是把UV树脂等感光性树脂固化而成的树脂保护层。片贴合型的光透射层例如包括具有圆环形状的光透射性片(膜)和用于把该光透射性片向基板1贴合的粘接层。粘接层例如由UV树脂或压敏性粘接剂(Pressure Sensitive Adhesive：PSA，以下叫做PSA)构成。
光透射性片和树脂保护层优选由对于记录和再生所使用的激光的吸收能够低的材料构成，具体地优选由透射率百分之九十以上的材料构成。作为光透射性片的材料例如能够举出聚碳酸酯类树脂、聚烯烃类树脂(例如泽欧乃科丝(ゼオネツクス)(登录商标))等。作为树脂保护层的材料例如能够举出紫外线固化型的丙烯酸类树脂。光透射性片的厚度优选在0.3mm以下，更好是从3～177μm的范围内选择。
如上所述，把包含钛(Ti)的第一记录膜2a和包含锗(Ge)氧化物的第二记录膜2b作为无机记录膜2而具备的光记录媒体10，在记录时第二记录膜2b被分离成氧含有量不同的两层的情况成为记录的机理。利用第一记录膜2a与第二记录膜2b邻接而产生这种第二记录膜2b的分离。在该氧分离中第一记录膜2a的表面担任着重要的作用，第一记录膜2a表面的Ti氧化物吸收记录光即兰色光等，认为是出现光催化效果成为记录原理。这从使用不包含钛(Ti)的材料而例如使用以铝(Al)、银(Ag)为主要成分的合金，或在第一记录膜2a与第二记录膜2b之间仅形成数nm的SiN、ZnS-SiO2等惰性绝缘电介体膜时，第二记录膜2b完全不分离而调制度极端低下，从得到这样的实验结果就间接地进行了证实。
由于是这种记录机理，所以向第二记录膜2b添加添加剂则对锗(Ge)与氧(O)的分离影响大。由于向第一记录膜2a添加添加剂而使光催化效果改变，所以向第一记录膜2a添加添加剂而给予记录特性的影响大。且如后所述，通过把透明导电膜邻接形成在第二记录膜2b的某一个主面上，对功率界限等记录特性产生有影响。
光记录媒体的制造方法
下面说明本发明第一实施例光记录媒体制造方法的一例。
(基板的成型工序)
首先成型在一主面形成有凹凸面11的基板1。作为基板1的成型方法例如能够使用射出成型(喷射)法、光聚合物法(2P法：PhotoPolymerization)等。
(第一记录膜的成膜工序)
接着把基板1运送到具备例如包含主要成分的Ti的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在基板1上成膜第一记录膜2a。
以下表示该成膜工序中成膜条件的一例。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～3kW
气体种类：Ar气体和N2气体
Ar气体流量：10～40sccm
N2气体流量：1～10sccm
(第二记录膜的成膜工序)
接着把基板1运送到具备例如由锗(Ge)构成的靶和由锡(Sn)构成的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在第一记录膜2a上成膜第二记录膜2b。
以下表示该成膜工序中成膜条件的一例。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～3kW
气体种类：Ar气体和O2气体
Ar气体流量：24sccm
O2气体流量：9sccm
(电介体膜的成膜工序)
接着把基板1运送到具备例如由ZnS-SiO2构成的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在第二记录膜2b上成膜电介体膜3。
以下表示该成膜工序中成膜条件的一例。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～4kW
气体种类：Ar气体
Ar气体流量：6sccm
(光透射层的形成工序)
接着在电介体膜3上形成光透射层4。作为光透射层4的形成方法例如能够使用树脂涂镀法、片粘接法等，从降低成本的观点看优选是树脂涂镀法。所谓树脂涂镀法是把UV树脂等感光树脂自旋涂镀在电介体膜3上，通过向感光树脂照射UV光等的光而形成作为树脂保护层的光透射层4。所谓片粘接法是使用粘接剂把光透射性片贴合在基板1上的凹凸面11侧而形成光透射层4。
作为片粘接法例如能够使用片树脂粘接法和片PSA粘接法等。所谓片树脂粘接法是使用涂布在电介体膜3上的UV树脂等感光树脂，把光透射性片贴合在基板1上的凹凸面11侧，这样来形成光透射层4。片PSA粘接法通过使用预先均匀涂布在该片一主面上的压敏性粘接剂(PSA)而把光透射性片贴合在基板1上的凹凸面11侧，这样来形成光透射层4。
利用以上的工序能够得到图1所示的光记录媒体10。
如上所述，根据本发明的第一实施例，由于第二记录膜2b包含有锡(Sn)，所以能够提高具有树脂涂镀型或贴合型光透射层4的光记录媒体10的耐久性，特别是能够提高具有树脂涂镀型光透射层4的光记录媒体10的耐久性。
由于仅通过把第一记录膜2a、第二记录膜2b、电介体膜3和光透射层4顺次层合在基板1上就能够形成光记录媒体10，所以能够实现具有单纯膜结构的高记录密度的光记录媒体10。即，能够提供廉价的高记录密度的光记录媒体10。
(2)第二实施例
图2是表示本发明第二实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图。第二实施例是在上述第一实施例中把电介体膜3由第一电介体膜3a和第二电介体膜3b构成。在与上述第一实施例相同的部分付与相同的符号而省略其说明。
第一电介体膜3a被设置在无机记录膜2侧，第二电介体膜3b被设置在光透射层4侧。第一电介体膜3a和第二电介体膜3b例如由相互不同的材料和/或组成的电介体所构成。
作为第一电介体膜3a的材料，从成膜速度等观点看优选使用ZnS-SiO2。第一电介体膜3a的膜厚度例如是10～100nm。作为第二电介体膜3b的材料，从抑制光透射层4恶化等的观点看，优选使用SiN、SCZ等稳定的电介体。若使用这种稳定的电介体，则在作为光透射层4而使用贴合型的结构时，能够抑制第一电介体膜3a所包含的硫磺(S)等成分与光透射层4的PSA等反应而使光透射层4恶化和耐久性降低。在作为光透射层4而使用树脂涂镀型的结构时，能够抑制由树脂固化时的收缩而引起的耐久性降低。第二电介体膜3b的膜厚度例如在1～10nm的范围。
下面说明本发明第二实施例光记录媒体制造方法的一例。该光记录媒体的制造方法是在上述第一实施例中代替电介体膜的成膜工序而具备第一电介体膜和第二电介体膜的成膜工序。
以下表示第一电介体膜和第二电介体膜成膜条件的一例。
(第一电介体膜的成膜工序)
把基板1运送到具备例如由ZnS-SiO2构成的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在第二记录膜2b上成膜第一电介体膜3a。
以下表示该成膜工序中成膜条件的一例。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～4kW
气体种类：Ar气体
Ar气体流量：6sccm
(第二电介体膜的成膜工序)
接着把基板1运送到具备例如由SCZ构成的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在第一电介体膜3a上成膜第二电介体膜3b。
以下表示该成膜工序中成膜条件的一例。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～3kW
气体种类：Ar气体
Ar气体流量：15sccm
如上所述，根据本发明第二实施例，由于在第二记录膜2b中添加了锡(Sn)，且把电介体膜3由第一电介体膜3a和第二电介体膜3b构成，所以与第一实施例相比更能够提高耐久性。
(3)第三实施例
图3是表示本发明第三实施例光记录媒体一结构例的概略剖面图。第三实施例是在上述第一实施例中在无机记录膜2与电介体膜3之间具备透明导电膜5。在与上述第一实施例相同的部分付与相同的符号而省略其说明。透明导电膜5优选把SnO2和In2O3的至少一种作为主要成分包含。透明导电膜5的膜厚度优选是1～5nm。在1nm以上则能够把功率界限变宽广，在5nm以下则能够得到优良的记录灵敏度。
下面说明本发明第三实施例光记录媒体制造方法的一例。该光记录媒体的制造方法是在上述第一实施例中在第二记录膜的成膜工序后且在电介体膜的成膜工序前具备透明导电膜的成膜工序。
以下表示透明导电膜5成膜条件的一例。
(透明导电膜的成膜工序)
把基板1运送到具备例如由SnO2构成的靶的真空室内，把真空室内抽真空到规定的压力。然后一边向真空室内导入处理气体一边溅射靶，在第二记录膜2b上成膜透明导电膜5。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1～0.6Pa
接通电力：1～3kW
气体种类：Ar气体
Ar气体流量：24sccm
如上所述，根据本发明第三实施例，由于在第二记录膜2b中添加了锡(Sn)，且在无机记录膜2与电介体膜3之间设置了透明导电膜5，所以膜总数是3～5层左右，能够提高功率界限等记录特性和耐久性。通过适当地调整膜厚度和添加剂，能够从低线速度记录到高线速度记录把功率界限、2T的振幅和反射率等基本的记录再生特性最优化。
通过调制包含锗(Ge)氧化物的第二记录膜2b的氧含有量和膜厚度以及包含钛(Ti)的第一记录膜2a的膜厚度等，即使在把光记录媒体10高记录灵敏度化的情况下，也能够抑制记录功率界限变狭窄。由于在把锗(Ge)的氧化物作为记录材料时记录原理基本上是热记录，所以记录灵敏度的线速度依赖性是某一定比，功率界限等记录特性的线速度依赖性少。因此，为了提高高线速度记录时的记录灵敏度，即使在低线速度也对提高灵敏度有效，这时，在确保广的功率界限宽度时，即使在低线速度也同样确保功率界限宽广成为提高整体特性的指标。
[实施例]
以下通过实施例具体说明本发明，但本发明并不仅限定于这些实施例。以下实施例中与上述实施形式对应的部分被付与相同符号。
本实施例的光记录媒体10是与BD光学系统对应设计的光记录媒体，具体说就是符合使用数值孔径0.85的两组物镜和波长405nm的兰紫色半导体激光光源的光盘记录再生装置而设计的光记录媒体。
本实施例作为评价光记录媒体的装置是使用BD盘检查机(帕鲁丝特科(パツステツク)工业株式会社制，商品名：ODU-1000)。光源波长是405.2nm。记录时的线速度是19.67m/s(4倍速记录：4x)或9.83m/s(2倍速记录：2x)，再生时的线速度是4.92m/s(1倍速)，信道位长度74.50nm(直径12cm的光盘中是25GB的记录密度)。调制方式是17PP，最短标记即2T标记的标记长度是0.149μm，8T标记的标记长度是0.596μm，磁道间距是0.32μm。
跳动测定是通过帕鲁丝特科(パツステツク)工业株式会社制的均衡器台而使用横河电机株式会社制的时间间隔分析仪TA720来进行。均衡器设定规格标准来测定通过极限均衡器后的信号跳动。
记录灵敏度Pwo的测定是从低功率向高功率侧进行功率扫描，把系统能够容许的过功率侧和欠功率侧的记录功率值的中心作为Pwo。对于功率界限的测定有几个规定的方法，但本实施例把通过了极限均衡器后的跳动值在8.5％以下范围作为记录灵敏度的界限，把该功率范围用最佳功率去除所得的值定义为功率界限。
另外，在振幅、调制度等的测定中，使用特科突鲁尼科思(テクトロニクズ)社制的数字示波器TDS7104。
本实施例的吸收系数k使用偏振光椭圆率测量仪(鲁多鲁伏社制，商品名：Auto EL-462P17)如下地求出。使用偏振光椭圆率测量仪测定根据椭圆偏振光的相位角△与椭圆的振幅强度比求出的正切Ψ，根据由厚度仪(Tencor社制，商品名：P15)求出的膜厚度来求复合折射率N和吸收系数k。吸收系数k是在波长410nm中的吸收系数。
实施例1-1～1-6，比较例1-1
实施例1-1～1-6、比较例1-1向由锗(Ge)的氧化物构成的第二记录膜2b添加锡(Sn)来制作光记录媒体10，评价其特性。
首先利用射出成型来制作厚度1.1mm的聚碳酸酯基板(以下叫做PC基板)1。该PC基板1上形成有具有凹槽Gin和凸槽Gon的凹凸面11。该凹槽Gin的深度是20nm，磁道间距是0.32μm。
然后使用成膜装置(Unaxis公司制造，商品名：Sprinter)把膜厚度22nm的TiMnN膜2a、膜厚度25nm的GeOSn膜2b、膜厚度52nm的ZnS-SiO2膜3a、膜厚度4nm的Si3N4膜3b顺次在PC基板1上成膜。然后把UV树脂向Si3N4膜3b上旋转涂镀，并通过照射UV光而使UV树脂固化，形成光透射层4。该光透射层4的厚度是100μm。通过如上的方法，得到目的的光记录媒体10。
具体的成膜次序如下。
(TiMnN膜的成膜工序)
首先把真空室内抽真空后，一边向真空室内导入Ar气体和N2气体一边溅射TiMn靶，把膜厚度22nm的TiMnN膜2a在PC基板1上成膜。该TiMn靶中的锰(Mn)含有量是20％原子。
以下表示该成膜工序的成膜条件。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.2Pa
接通电力：3kW
Ar气体流量：30sccm
N2气体流量：6sccm
(GeOSn膜的成膜工序)
然后把真空室内抽真空后，一边向真空室内导入Ar气体和O2气体一边利用反应性溅射来共溅射Ge靶和Sn靶，把膜厚度25nm的GeOSn膜2b在TiMnN膜2a上成膜。把GeOSn膜2b中氧(O)的含有量调制成使GeOSn膜2b的吸收系数k成为0.67。把GeOSn膜2b的组成调制成如表1所示那样的GeOSn膜2b中的锡(Sn)的含有量在0～13％原子范围、GeOSn膜2b中的GeOx(0＜x＜2)的含有量在87～100％原子范围。
以下表示该成膜工序的成膜条件。为了改变锡(Sn)的含有量而制作多个样品，由使用三个靶的共溅射来在TiMnN膜2a上进行成膜。配合希望的锡(Sn)的含有量调制氧(O)的含有量，以使在成膜后测定吸收系数大致在0.67。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.2Pa
接通电力：Ge靶(两个靶)0.4kW，Sn靶0.1～0.5kW
Ar气体流量：30sccm
氧气体流量：30～40sccm
(ZnS-SiO2膜的成膜工序)
接着把真空室内抽真空后，一边向真空室内导入Ar气体一边溅射ZnS-SiO2靶，把膜厚度52nm的ZnS-SiO2膜3a在GeOSn膜2b成膜。调制ZnS-SiO2膜3a的组成以使ZnS-SiO2膜3a的组成比(原子比)成为ZnS∶SiO2是80∶20。
以下表示该成膜工序的成膜条件。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.1Pa
接通电力：1kW
Ar气体流量：6sccm
(Si3N4膜的成膜工序)
接着把真空室内抽真空后，一边向真空室内导入Ar气体和N2处理气体一边溅射Si靶，把膜厚度4nm的Si3N4膜3b在ZnS-SiO2膜3a上成膜。
以下表示该成膜工序的成膜条件。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.3Pa
接通电力：4kW
Ar气体流量：50sccm
N2气体流量：37sccm
<跳动的评价>
把上述那样得到的光记录媒体10按上述条件以4x进行记录、以1x进行再生来求跳动，结果是对于所有的锡(Sn)的含有量都能够得到底跳动-6.5％的良好记录特性。
<记录灵敏度和功率界限的评价>
求出光记录媒体10的记录灵敏度Pwo和功率界限。把其结果表示在表1和图4。从表1和图4了解到，锡(Sn)的含有量在0～13％原子的范围内则记录灵敏度Pwo和功率界限对Sn的添加依赖性少，能够得到良好的特性。
<振幅值的评价>
求出再生时2T信号的振幅值R8H*I2pp/I8H。把其结果表示在表2和图5。该振幅值R8H*I2pp/I8H被按BD-R规格定义。表示2T信号的反射率的变动量，R8H是RF信号的8T区间反射率、I2pp是2T振幅的检测电压值、I8H是8T区间的检测电压值。从表2和图5了解到，随着锡(Sn)含有量的增加而R8H*I2pp/I8H变小，在锡(Sn)的含有量12％原子处则降低到规格值0.36％左右。因此，GeOSn膜2b中锡(Sn)的含有量优选是12％原子以下，更好是10％原子以下。
<耐久性的评价>
然后把对于得到光记录媒体10的耐久性试验如下进行。首先在恒温槽中把光记录媒体10在80℃、85％RH(相对湿度)下保持400小时，然后进行SER(Symbol Error Rate)的测定和显微镜观察。其结果是在锡(Sn)的含有量不到3％原子的光记录媒体10中SER的上升变大，利用显微镜观测到多个10μm大的白点。在3％原子以上的光记录媒体10中则利用显微镜观测不到白点，锡(Sn)的含有量越多则SER越低。因此，添加锡(Sn)对提高耐久性有效，其添加量优选是3％原子以上，更好是5％原子以上。
根据以上的评价和从提高信号特性与耐久性的观点看，锡(Sn)的含有量优选是3～12％原子，更好是3～10％原子，最优选是5～10％原子。
[表1]
  锡(Sn)的含有量[％原子]   记录灵敏度[mW]   功率界限[％]
  比较例1-1   0.00   9.37   27.0
  实施例1-1   2.80   9.42   26.6
  实施例1-2   5.30   9.38   27.1
  实施例1-3   7.56   9.50   26.8
  实施例1-4   11.44   9.33   27.3
  实施例1-5   12.50   9.41   27.9
  实施例1-6   13.00   9.51   27.7
[表2]
  锡(Sn)的含有量[％原子]   振幅RSH*I2pp/I8H[％]
  比较例1-1   0.00   0.40
  实施例1-1   2.80   0.40
  实施例1-2   5.30   0.40
  实施例1-3   7.56   0.38
  实施例1-4   11.44   0.36
  实施例1-5   12.50   0.35
  实施例1-6   13.00   0.35
实施例2-1～2-6
在实施例2-1～2-6中，制作在无机记录膜2与电介体膜3之间设置有透明导电膜5的光记录媒体10，评价其特性。
在GeOSn膜2b成膜后不暴露在大气中，在如表3所示那样把膜厚度0～5nm的SnO2膜5进行成膜，接着不暴露在大气中地把ZnS-SiO2膜3a成膜，除此以外则与实施例1-2相同，得到光记录媒体10。
具体的SnO2膜的成膜条件如下。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.2Pa
接通电力：SnO2靶0.4kW
Ar气体流量：10sccm
膜厚度由溅射时间调制。
<功率界限的评价>
把上述那样得到的光记录媒体10以4x进行记录、以1x进行再生来求光记录媒体10的功率界限。把其结果表示在表3和图6。从表3和图6了解到SnO2膜5的膜厚度越厚则功率界限越有扩展的倾向。
<记录灵敏度的评价>
把上述那样得到的光记录媒体10以2x进行记录、以1x进行再生来求光记录媒体10的记录灵敏度Pwo。其结果是了解到当SnO2膜3的膜厚度是5nm以下时，能够满足2x规格的记录灵敏度7mW。对于SnO2膜的膜厚度是6nm以上的光记录媒体10以2x进行记录、以1x进行再生来同样地求记录灵敏度Pwo，确认当SnO2膜的膜厚度是6nm以上时，不能满足2x规格的记录灵敏度7mW。
根据以上的评价结果和从功率界限的观点看，优选在无机记录膜2与电介体膜3之间设置透明导电膜5。从功率界限和记录灵敏度的观点看，在无机记录膜2与电介体膜3之间设置透明导电膜5的同时，优选把其膜厚度设定在1～5nm的范围内。
[表3]
  SnO2膜的厚度[nm]   功率界限[％]
  实施例2-1   0   27.3
  实施例2-2   1   28.5
  实施例2-3   2   30.8
  实施例2-4   3   32.5
  实施例2-5   4   33.5
  实施例2-6   5   35.0
实施例3-1～3-6
在实施例3-1～3-6中，制作在无机记录膜2与第一电介体膜3a之间设置有透明导电膜5，且作为第二电介体膜3b的电介体使用SCZ的光记录媒体10，评价其特性。
在ZnS-SiO2膜3a成膜后不暴露在大气中，并把膜厚度4nm的SCZ膜3b进行成膜，除此以外则与实施例2-1～2-6相同，得到光记录媒体10。
具体的SCZ膜3b的成膜条件如下。
到达真空度：5.0×10-5Pa
环境：0.2Pa
接通电力：SCZ靶2.0kW
Ar气体流量：15sccm
膜厚度由溅射时间调制。
<功率界限的评价>
把上述那样得到的光记录媒体10以4x进行记录、以1x进行再生来求光记录媒体10的功率界限。把其结果表示在表4和图7。从表4和图7了解到SnO2膜5的膜厚度越厚则功率界限越有扩展的倾向。即了解到与光透射层4之下设置的第二电介体膜3b的种类无关，能够得到与实施例2同样的效果。
<记录灵敏度的评价>
把上述那样得到的光记录媒体10以2x进行记录、以1x进行再生来求光记录媒体10的记录灵敏度Pwo。其结果是了解到当SnO2膜3的膜厚度是5nm以下时，能够满足2x规格的记录灵敏度7mW。对于SnO2膜的膜厚度是6nm以上的光记录媒体10以2x进行记录、以1x进行再生来同样地求记录灵敏度Pwo，确认当SnO2膜的膜厚度是6nm以上时，不能满足2x规格的记录灵敏度7mW。
根据以上的评价结果和从功率界限的观点看，优选在无机记录膜2与电介体膜3之间设置透明导电膜5。从功率界限和记录灵敏度的观点看，在无机记录膜2与电介体膜3之间设置透明导电膜5，并且优选把其膜厚度设定在1～5nm的范围内。
[表4]
  SnO2膜的厚度[nm]   功率界限[％]
  实施例3-1   0   26.2
  实施例3-2   1   28.0
  实施例3-3   2   29.5
  实施例3-4   3   33.5
  实施例3-5   4   35.0
  实施例3-6   5   37.5
以上具体地说明了本发明的实施方式和实施例，但本发明并不限定于上述的实施方式和实施例，根据本发明的技术思想可进行各种变更。
例如上述实施方式和实施例中所举的数值说到底不过是例子，根据需要也可以使用与它不同的数值。
上述实施方式和实施例的各结构，只要不脱离本发明的主旨则能够相互组合。
上述实施方式和实施例对于具有单层无机记录膜的光记录媒体说明了适用本发明的例，但本发明对于具有两层以上无机记录膜的光记录媒体也能够适用。
上述实施方式和实施例对于无机记录膜上具有光透射层并且通过从该光透射层侧向无机记录膜照射激光而进行信息信号的记录或再生的光记录媒体适用本发明的情况为例进行说明，但本发明并不限定于该例。例如对于在基板上具有无机记录膜并且通过从基板侧向无机记录膜照射激光而进行信息信号的记录或再生的光记录媒体，或对于把两片基板进行贴合并且从一片基板侧向基板之间的无机记录膜照射激光而进行信息信号的记录或再生的光记录媒体，也能够适用本发明。

Claims (6)

1、一种光记录媒体，其具有无机记录膜，其特征在于，
所述无机记录膜具备：
包含钛Ti的第一记录膜、
包含锗Ge和锡Sn的氧化物的第二记录膜。
2、如权利要求1所述的光记录媒体，其特征在于，所述第二记录膜中锡Sn的含有量是3～12％原子。
3、如权利要求1所述的光记录媒体，其特征在于，还具备有：
设置在所述第二记录膜上的透明导电膜和设置在所述透明导电膜上的电介体膜。
4、如权利要求3所述的光记录媒体，其特征在于，所述透明导电膜包含锡Sn的氧化物。
5、如权利要求3所述的光记录媒体，其特征在于，所述透明导电膜的膜厚度是1～5nm。
6、一种光记录媒体的制造方法，该光记录媒体具有无机记录膜，其特征在于，具备：
形成包含钛Ti的第一记录膜的工序、
形成包含锗Ge和锡Sn的氧化物的第二记录膜的工序。
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Open date: 20080924