JPH11185295A - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
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- JPH11185295A JPH11185295A JP9363768A JP36376897A JPH11185295A JP H11185295 A JPH11185295 A JP H11185295A JP 9363768 A JP9363768 A JP 9363768A JP 36376897 A JP36376897 A JP 36376897A JP H11185295 A JPH11185295 A JP H11185295A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高密度記録において、ジッタ等の信号品質に
優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性優
れた高記録密度媒体の提供をし、生産性の向上や感度の
安定性を向上することを目的とする。 【解決手段】 基板上の第１保護層、該第１保護層上の
記録層、該記録層上の第２保護層、該第２保護層上の反
射放熱層とを有する光記録媒体において、該第１保護層
の抵抗率を３×１０-3Ω・ｃｍ以下とする。
優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性優
れた高記録密度媒体の提供をし、生産性の向上や感度の
安定性を向上することを目的とする。 【解決手段】 基板上の第１保護層、該第１保護層上の
記録層、該記録層上の第２保護層、該第２保護層上の反
射放熱層とを有する光記録媒体において、該第１保護層
の抵抗率を３×１０-3Ω・ｃｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録デ
ィスクなど、光ビームを照射することにより記録層材料
に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行な
い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関するもの
である。
ィスクなど、光ビームを照射することにより記録層材料
に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行な
い、かつ書換えが可能である情報記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られてい
る。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であ
り、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴と
し、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体とし
て応用されている。その記録材料としてはＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＴｅＳｅ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、
ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−
Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅが挙げられる。特
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の
記録層として開発されている（特開平３−２４０５９０
号公報、特開平４−７８０３１号公報、特開平４−２３
２７７９号公報、特開平５−３４５４７８号公報）。
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られてい
る。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であ
り、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴と
し、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体とし
て応用されている。その記録材料としてはＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＴｅＳｅ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、
ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−
Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅが挙げられる。特
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の
記録層として開発されている（特開平３−２４０５９０
号公報、特開平４−７８０３１号公報、特開平４−２３
２７７９号公報、特開平５−３４５４７８号公報）。
【０００３】これらの光記録媒体に使用される記録層と
基板との間に存在する第１保護層材料を選定する上で、
屈折率、膜厚、熱伝導率、繰返し記録に伴う熱衝撃への
耐久性、内部応力、耐触性等が考慮される。この第１保
護層の屈折率と膜厚は、適切なモジュレーションやトラ
ッキングのための信号に大きく影響する。一方良好な高
密度記録マークを記録する為には、アモルファス部分と
−結晶部分との境界が鮮明良好な輪郭を有することが好
ましい。このためにはアモルファス部分となる記録層の
急冷領域と、結晶部分となる比較的低い温度から徐冷さ
れる徐冷領域とが明確に分離することが好ましく、記録
層の冷却は急冷構造である方が好ましい。急冷構造を得
るためには反射放熱層の熱伝導率を向上させ、記録層と
反射放熱層との間に存在する第２保護層を薄層化するこ
とが好ましいが、これには一定の限界があった。このた
め、第１保護層の膜厚方向の熱伝導率に変化をもたせる
多層構造（特公平−１１１７８８号公報、特開平５−１
４４０８２号公報）、あるいは傾斜材料から成る保護層
（特開平６−１６２５６７号公報）等が提案されてき
た。しかしながら従来技術の第２保護層に使用される材
料はＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ等の誘電体で伝導電子は
ほとんど存在せず、熱伝導性は主としてフォノンやイオ
ン間の相互作用等の格子間の相互作用を通じた格子振動
の伝播による熱伝導によるものが主であった。この場合
繰り返し記録に伴う熱衝撃による微小なクラックが第１
保護層に生じる場合、上記格子振動の伝播による熱伝導
は著しく阻害されるため、良好かつ安定な放熱特性を得
ることには問題があった。このため、記録層の冷却速度
の低下や乱れを生じ、結果として記録層のアモルファス
−結晶境界の乱れに起因するジッター悪化等の記録特性
に悪影響を与えていた。また、保護層層数の増加は、生
産性低下の一因と成っていた。
基板との間に存在する第１保護層材料を選定する上で、
屈折率、膜厚、熱伝導率、繰返し記録に伴う熱衝撃への
耐久性、内部応力、耐触性等が考慮される。この第１保
護層の屈折率と膜厚は、適切なモジュレーションやトラ
ッキングのための信号に大きく影響する。一方良好な高
密度記録マークを記録する為には、アモルファス部分と
−結晶部分との境界が鮮明良好な輪郭を有することが好
ましい。このためにはアモルファス部分となる記録層の
急冷領域と、結晶部分となる比較的低い温度から徐冷さ
れる徐冷領域とが明確に分離することが好ましく、記録
層の冷却は急冷構造である方が好ましい。急冷構造を得
るためには反射放熱層の熱伝導率を向上させ、記録層と
反射放熱層との間に存在する第２保護層を薄層化するこ
とが好ましいが、これには一定の限界があった。このた
め、第１保護層の膜厚方向の熱伝導率に変化をもたせる
多層構造（特公平−１１１７８８号公報、特開平５−１
４４０８２号公報）、あるいは傾斜材料から成る保護層
（特開平６−１６２５６７号公報）等が提案されてき
た。しかしながら従来技術の第２保護層に使用される材
料はＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ等の誘電体で伝導電子は
ほとんど存在せず、熱伝導性は主としてフォノンやイオ
ン間の相互作用等の格子間の相互作用を通じた格子振動
の伝播による熱伝導によるものが主であった。この場合
繰り返し記録に伴う熱衝撃による微小なクラックが第１
保護層に生じる場合、上記格子振動の伝播による熱伝導
は著しく阻害されるため、良好かつ安定な放熱特性を得
ることには問題があった。このため、記録層の冷却速度
の低下や乱れを生じ、結果として記録層のアモルファス
−結晶境界の乱れに起因するジッター悪化等の記録特性
に悪影響を与えていた。また、保護層層数の増加は、生
産性低下の一因と成っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】請求項１、２、３記載
の本発明の目的は、高密度記録において、ジッタ等の信
号品質に優れ、かつ繰返し記録特性優れた高記録密度媒
体の提供にある。請求項４記載の本発明の目的は、ジッ
タ等の信号品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ
繰返し記録特性に優れた高記録密度媒体の感度の向上に
ある。請求項５記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号
品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録
特性に優れ、感度が向上された高記録密度媒体の生産性
の向上にある。請求項６記載の本発明の目的は、ジッタ
等の信号品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰
返し記録特性に優れ、感度が向上され、また生産性が向
上された高記録密度媒体の感度の安定性向上にある。請
求項７記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号品質に優
れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性に優
れ、感度が向上された高記録密度媒体の生産性の向上に
ある。請求項８記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号
品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録
特性に優れ、感度が向上され、また生産性が向上された
高記録密度媒体の感度の安定性向上にある。請求項９記
載の本発明の目的は、ジッタ等の信号品質により優れ、
記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性により優
れ、感度がより向上された高記録密度媒体の生産性の向
上にある。
の本発明の目的は、高密度記録において、ジッタ等の信
号品質に優れ、かつ繰返し記録特性優れた高記録密度媒
体の提供にある。請求項４記載の本発明の目的は、ジッ
タ等の信号品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ
繰返し記録特性に優れた高記録密度媒体の感度の向上に
ある。請求項５記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号
品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録
特性に優れ、感度が向上された高記録密度媒体の生産性
の向上にある。請求項６記載の本発明の目的は、ジッタ
等の信号品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰
返し記録特性に優れ、感度が向上され、また生産性が向
上された高記録密度媒体の感度の安定性向上にある。請
求項７記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号品質に優
れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性に優
れ、感度が向上された高記録密度媒体の生産性の向上に
ある。請求項８記載の本発明の目的は、ジッタ等の信号
品質に優れ、記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録
特性に優れ、感度が向上され、また生産性が向上された
高記録密度媒体の感度の安定性向上にある。請求項９記
載の本発明の目的は、ジッタ等の信号品質により優れ、
記録線速マージンが広く、かつ繰返し記録特性により優
れ、感度がより向上された高記録密度媒体の生産性の向
上にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光記録媒体は、案内溝を有する基板上の第１保護層、記
録層、第２保護層、反射放熱層、環境保護層を有してい
る。基板はポリカーボネート等の樹脂、あるいはガラス
などの透明体で、図示されないトラッキングサーボのた
めの案内溝を有している。第１保護層は、抵抗率が３×
１０-3Ω・ｃｍ以下の低抵抗材料で、記録再生波長で透
明もしくは低吸収の材料が使用される。この膜厚は記録
再生波長での光学的干渉の効果等を考慮にいれ、最適化
される。記録層は、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅ
Ｓ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴ
ｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、
Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ等公知の相変化記録材料から記録線速、記
録方式、密度等を考慮して適宜選択される。反射放熱層
は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはこれ
らの合金、あるいは金属の酸化物、窒化物、炭化物、あ
るいは炭素等、複素屈折率が適切で熱伝導率・電気伝導
度に優れる金属が使用される。第２保護層はＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2やＡｌＮ等の公知の誘電体材料で、記録感度や放
熱層への熱伝導等を考慮にいれ、材料選択とその膜厚が
決定される。また、第２保護層材料として、本発明で使
用される低抵抗率材料を断熱層と共に使用しても良い。
環境保護層は耐蝕性のある公知の金属や合金、誘導体、
あるいは、樹脂等である。例えば、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、紫外線硬化樹脂等で
ある。また、上記環境保護層を積層し、複合環境保護層
としても良い。各層の膜厚範囲は任意であるが、概ね第
１保護層は５０〜３００ｎｍ、記録層は５〜５０ｎｍ、
第２保護層は５〜５０ｎｍ、反射放熱層は３０〜３００
ｎｍ、環境保護層は５０ｎｍ以上の範囲にある。
光記録媒体は、案内溝を有する基板上の第１保護層、記
録層、第２保護層、反射放熱層、環境保護層を有してい
る。基板はポリカーボネート等の樹脂、あるいはガラス
などの透明体で、図示されないトラッキングサーボのた
めの案内溝を有している。第１保護層は、抵抗率が３×
１０-3Ω・ｃｍ以下の低抵抗材料で、記録再生波長で透
明もしくは低吸収の材料が使用される。この膜厚は記録
再生波長での光学的干渉の効果等を考慮にいれ、最適化
される。記録層は、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅ
Ｓ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴ
ｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、
Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ等公知の相変化記録材料から記録線速、記
録方式、密度等を考慮して適宜選択される。反射放熱層
は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはこれ
らの合金、あるいは金属の酸化物、窒化物、炭化物、あ
るいは炭素等、複素屈折率が適切で熱伝導率・電気伝導
度に優れる金属が使用される。第２保護層はＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2やＡｌＮ等の公知の誘電体材料で、記録感度や放
熱層への熱伝導等を考慮にいれ、材料選択とその膜厚が
決定される。また、第２保護層材料として、本発明で使
用される低抵抗率材料を断熱層と共に使用しても良い。
環境保護層は耐蝕性のある公知の金属や合金、誘導体、
あるいは、樹脂等である。例えば、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、紫外線硬化樹脂等で
ある。また、上記環境保護層を積層し、複合環境保護層
としても良い。各層の膜厚範囲は任意であるが、概ね第
１保護層は５０〜３００ｎｍ、記録層は５〜５０ｎｍ、
第２保護層は５〜５０ｎｍ、反射放熱層は３０〜３００
ｎｍ、環境保護層は５０ｎｍ以上の範囲にある。
【０００６】本発明の請求項２記載の光記録媒体は、請
求項１記載の光記録媒体において、さらに第１保護層が
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏであることを特徴としている。Ｓｎの濃
度は概ね０．１〜５％の範囲にあることを特徴とする。
本発明の請求項３記載の光記録媒体は、請求項１記載の
光記録媒体においてさらに第１保護層がＺｎ−Ａｌ−Ｏ
であることを特徴としている。Ａｌの濃度は概ね０．１
〜５％の範囲にあることを特徴としている。本発明の請
求項４記載の光記録媒体は、本発明の請求項１、２又は
３記載の光記録媒体において、記録層と第１保護層との
間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層を有す
ることを特徴としている。絶縁断熱層は電気伝導率、熱
伝導率共に第２保護層より低く、また、光学的には透明
もしくは反射放熱層より低い吸収係数を有する公知の材
料が使用される。構造は非結晶質もしくは記録層材料の
相変化に支障の無い結晶質である。また、絶縁性であっ
ても、高熱伝導率の材料、例えば、ＢｅＯ等は除外され
る。ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ等
が該当する。
求項１記載の光記録媒体において、さらに第１保護層が
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏであることを特徴としている。Ｓｎの濃
度は概ね０．１〜５％の範囲にあることを特徴とする。
本発明の請求項３記載の光記録媒体は、請求項１記載の
光記録媒体においてさらに第１保護層がＺｎ−Ａｌ−Ｏ
であることを特徴としている。Ａｌの濃度は概ね０．１
〜５％の範囲にあることを特徴としている。本発明の請
求項４記載の光記録媒体は、本発明の請求項１、２又は
３記載の光記録媒体において、記録層と第１保護層との
間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層を有す
ることを特徴としている。絶縁断熱層は電気伝導率、熱
伝導率共に第２保護層より低く、また、光学的には透明
もしくは反射放熱層より低い吸収係数を有する公知の材
料が使用される。構造は非結晶質もしくは記録層材料の
相変化に支障の無い結晶質である。また、絶縁性であっ
ても、高熱伝導率の材料、例えば、ＢｅＯ等は除外され
る。ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ等
が該当する。
【０００７】本発明の請求項５記載の光記録媒体は、記
録層と第１保護層との間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以
上の絶縁断熱層を有するものであって、第１保護層を抵
抗率３×１０-3Ω・ｃｍ以下のＩｎ−ＯまたはＩｎ−Ｓ
ｎ−Ｏとし、絶縁断熱層を抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上
のＩｎ−Ｏを有する膜とする。高抵抗率のＩｎ−Ｏ膜は
膜中の酸素濃度が低抵抗のＩｎ−Ｏ膜より高く、Ｉｎ−
Ｏ形成時の反応性の制御によりその抵抗率を制御可能で
ある。本発明の請求項６記載の光記録媒体は、請求項５
記載の光記録媒体において、絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、
Ｓｉを添加することを特徴としている。
録層と第１保護層との間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以
上の絶縁断熱層を有するものであって、第１保護層を抵
抗率３×１０-3Ω・ｃｍ以下のＩｎ−ＯまたはＩｎ−Ｓ
ｎ−Ｏとし、絶縁断熱層を抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以上
のＩｎ−Ｏを有する膜とする。高抵抗率のＩｎ−Ｏ膜は
膜中の酸素濃度が低抵抗のＩｎ−Ｏ膜より高く、Ｉｎ−
Ｏ形成時の反応性の制御によりその抵抗率を制御可能で
ある。本発明の請求項６記載の光記録媒体は、請求項５
記載の光記録媒体において、絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、
Ｓｉを添加することを特徴としている。
【０００８】本発明の請求項７記載の光記録媒体は、記
録層と第１保護層との間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以
上の絶縁断熱層を有するものであって、第１保護層を、
抵抗率３×１０-3Ω・ｃｍ以下のＺｎ−ＯまたはＺｎ−
Ａｌ−Ｏとし、絶縁断熱層を抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以
上のＺｎ−Ｏを有する膜とする。高抵抗率のＺｎ−Ｏ膜
は膜中の酸素濃度が低抵抗のＺｎ−Ｏ膜より高く、Ｚｎ
−Ｏ形成時の反応性の制御によりその抵抗率を制御可能
である。
録層と第１保護層との間に抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以
上の絶縁断熱層を有するものであって、第１保護層を、
抵抗率３×１０-3Ω・ｃｍ以下のＺｎ−ＯまたはＺｎ−
Ａｌ−Ｏとし、絶縁断熱層を抵抗率０．０１Ω・ｃｍ以
上のＺｎ−Ｏを有する膜とする。高抵抗率のＺｎ−Ｏ膜
は膜中の酸素濃度が低抵抗のＺｎ−Ｏ膜より高く、Ｚｎ
−Ｏ形成時の反応性の制御によりその抵抗率を制御可能
である。
【０００９】本発明の請求項８記載の光記録媒体は、請
求項７記載の光記録媒体において、絶縁断熱層にＳｉを
添加することを特徴としている。本発明の請求項９記載
の光記録媒体は、請求項１〜８のいずれか１に記載の、
光記録媒体において、基板と第１保護層との間に抵抗率
が０．０１Ω・ｃｍ以上の基板保護層を付加することを
特徴とする。
求項７記載の光記録媒体において、絶縁断熱層にＳｉを
添加することを特徴としている。本発明の請求項９記載
の光記録媒体は、請求項１〜８のいずれか１に記載の、
光記録媒体において、基板と第１保護層との間に抵抗率
が０．０１Ω・ｃｍ以上の基板保護層を付加することを
特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の光記録媒体では、上記のように、第１
保護層の抵抗率を３×１０-3Ω・ｃｍ以下とした。この
ため大きな急冷構造が得られる。この急冷構造を司る第
１保護層の熱伝導には、前述した格子振動の伝播に加
え、伝導電子による寄与が加わる。このため高導電性の
領域で特に電子による熱伝導が大きくなり、好ましい
が、抵抗率が３×１０-3Ω・ｃｍ以下の領域でこの効果
が発現する。特に繰返し記録に伴う熱衝撃で密着性が弱
くなった場合に格子振動の伝播による熱伝導は大きく阻
害されるが、電子による熱伝播は熱衝撃によるダメージ
がある場合でも比較的良好である。このため、相変化記
録媒体において、電子による熱伝導の寄与が発現する抵
抗率領域で大きな記録層の高い冷却効果とその安全性が
得られる。そして相変化記録層のアモルファス−結晶界
面の境界の乱れが抑制され、良好な信号品質、繰返し記
録に対する耐久性が得られる。
保護層の抵抗率を３×１０-3Ω・ｃｍ以下とした。この
ため大きな急冷構造が得られる。この急冷構造を司る第
１保護層の熱伝導には、前述した格子振動の伝播に加
え、伝導電子による寄与が加わる。このため高導電性の
領域で特に電子による熱伝導が大きくなり、好ましい
が、抵抗率が３×１０-3Ω・ｃｍ以下の領域でこの効果
が発現する。特に繰返し記録に伴う熱衝撃で密着性が弱
くなった場合に格子振動の伝播による熱伝導は大きく阻
害されるが、電子による熱伝播は熱衝撃によるダメージ
がある場合でも比較的良好である。このため、相変化記
録媒体において、電子による熱伝導の寄与が発現する抵
抗率領域で大きな記録層の高い冷却効果とその安全性が
得られる。そして相変化記録層のアモルファス−結晶界
面の境界の乱れが抑制され、良好な信号品質、繰返し記
録に対する耐久性が得られる。
【００１１】第１保護層の材料としては可視光の領域で
透明な導電性材料で、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ、Ｉｎ−Ｗ−Ｏ等があ
る。特に、請求項２記載のＩｎ−Ｓｎ−Ｏは導電性に優
れ、請求項３に記載のＺｎ−Ａｌ−Ｏは耐熱性に優れて
いる。これらの酸化物系材料の導電性は、酸素量に強く
依存する。例えば、酸素欠陥のあるＺｎ−Ｏでは１０-3
Ω・ｃｍ程度の低抵抗が得られ、化学量論組成もしくは
酸素過剰のＺｎ−Ｏでは数Ω・ｃｍ以上の高抵抗率が得
られることが知られている。また、Ｉｎ−Ｏに対するＳ
ｎ、Ｚｎ−Ｏに対するＡｌは数ａｔ．％のドーピングで
ドナーとして作用する。
透明な導電性材料で、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ、Ｉｎ−Ｗ−Ｏ等があ
る。特に、請求項２記載のＩｎ−Ｓｎ−Ｏは導電性に優
れ、請求項３に記載のＺｎ−Ａｌ−Ｏは耐熱性に優れて
いる。これらの酸化物系材料の導電性は、酸素量に強く
依存する。例えば、酸素欠陥のあるＺｎ−Ｏでは１０-3
Ω・ｃｍ程度の低抵抗が得られ、化学量論組成もしくは
酸素過剰のＺｎ−Ｏでは数Ω・ｃｍ以上の高抵抗率が得
られることが知られている。また、Ｉｎ−Ｏに対するＳ
ｎ、Ｚｎ−Ｏに対するＡｌは数ａｔ．％のドーピングで
ドナーとして作用する。
【００１２】第１保護層の熱伝導率が良好なことは信号
品質の点では好ましいが、記録層を融点以上に加熱し、
アモルファス化させる為に必要なレーザーパワーが増加
し、記録感度が小さくなる。記録感度を向上させる為に
は、記録層と第１保護層との間に絶縁断熱層を付加すれ
ば良い。この場合絶縁断熱層の導電性は無い方が、伝導
電子による熱伝導が抑制されるため好ましく、０．０１
Ω・ｃｍ以上の抵抗率が必要である。公知の誘電体が使
用可能であるが、上述したように化学量論組成もしくは
酸素過剰で高抵抗率・低熱伝導率となったＺｎ−Ｏ膜や
Ｉｎ−Ｏ膜も使用可能である。この場合、請求項５記載
の光記録媒体におけるように、第１保護層をＩｎ−Ｏま
たはＩｎ−Ｓｎ−Ｏとし、絶縁断熱層を化学量論組成も
しくは酸素過剰のＩｎ−Ｏを有する膜とする。
品質の点では好ましいが、記録層を融点以上に加熱し、
アモルファス化させる為に必要なレーザーパワーが増加
し、記録感度が小さくなる。記録感度を向上させる為に
は、記録層と第１保護層との間に絶縁断熱層を付加すれ
ば良い。この場合絶縁断熱層の導電性は無い方が、伝導
電子による熱伝導が抑制されるため好ましく、０．０１
Ω・ｃｍ以上の抵抗率が必要である。公知の誘電体が使
用可能であるが、上述したように化学量論組成もしくは
酸素過剰で高抵抗率・低熱伝導率となったＺｎ−Ｏ膜や
Ｉｎ−Ｏ膜も使用可能である。この場合、請求項５記載
の光記録媒体におけるように、第１保護層をＩｎ−Ｏま
たはＩｎ−Ｓｎ−Ｏとし、絶縁断熱層を化学量論組成も
しくは酸素過剰のＩｎ−Ｏを有する膜とする。
【００１３】あるいは、請求項７記載の光記録媒体にお
けるように、第１保護層をＺｎ−ＯまたはＺｎ−Ａｌ−
Ｏとし、絶縁断熱層を化学量論組成もしくは酸素過剰の
Ｚｎ−Ｏを有する膜とすれば、同一の真空槽内で順次絶
縁断熱層形成・第１保護層膜形成を容易に行なうことが
でき、光記録媒体形成に使用されるインラインスパッタ
装置や枚葉スパッタ装置での生産性を向上させることが
できる。また、絶縁断熱層と第１保護層との密着性も良
好なので、繰返し記録に対する信頼性も損なわれない。
けるように、第１保護層をＺｎ−ＯまたはＺｎ−Ａｌ−
Ｏとし、絶縁断熱層を化学量論組成もしくは酸素過剰の
Ｚｎ−Ｏを有する膜とすれば、同一の真空槽内で順次絶
縁断熱層形成・第１保護層膜形成を容易に行なうことが
でき、光記録媒体形成に使用されるインラインスパッタ
装置や枚葉スパッタ装置での生産性を向上させることが
できる。また、絶縁断熱層と第１保護層との密着性も良
好なので、繰返し記録に対する信頼性も損なわれない。
【００１４】請求項６記載の光記録媒体におけるよう
に、Ｉｎ−Ｏから成る絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、Ｓｉの
酸化物を添加する、あるいは、請求項８記載の光記録媒
体におけるように、Ｚｎ−Ｏから成る絶縁断熱層にＳｉ
の酸化物を添加すれば、絶縁断熱層の高抵抗率が安定化
し、記録感度が安定化する。
に、Ｉｎ−Ｏから成る絶縁断熱層にＺｎ、Ｍｇ、Ｓｉの
酸化物を添加する、あるいは、請求項８記載の光記録媒
体におけるように、Ｚｎ−Ｏから成る絶縁断熱層にＳｉ
の酸化物を添加すれば、絶縁断熱層の高抵抗率が安定化
し、記録感度が安定化する。
【００１５】さらに、請求項９記載の光記録媒体におけ
るように、基板と第１保護層との間に断熱性に優れる抵
抗率０．０１Ω・ｃｍ以上の基板保護層を加えれば、第
１保護層に伝導する熱による基板の劣化を抑制すること
ができ、繰返し記録の安定性向上に寄与する。
るように、基板と第１保護層との間に断熱性に優れる抵
抗率０．０１Ω・ｃｍ以上の基板保護層を加えれば、第
１保護層に伝導する熱による基板の劣化を抑制すること
ができ、繰返し記録の安定性向上に寄与する。
【００１６】
【実施例】図１は請求項１記載の光記録媒体に対応する
本発明の一実施例の断面の一部を示す概念図である。図
示されない案内溝を有するポリカーボネート基板上１に
Ｉｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が第１保護層１０上にあ
り、記録層２０上にＩｎ−Ｏからなる第２保護層３０が
ある。この第２保護層３０上にＡｇからなる反射放熱層
４０がある。各層の膜厚であるが、第１保護層１０：１
５０ｎｍ、記録層２０：２０ｎｍ、第２保護層３０：３
０ｎｍ、反射放熱層４０：１００ｎｍである。成膜装置
は枚葉スパッタ装置で、Ｉｎ−Ｏから成る第１保護層１
０は金属Ｉｎをターゲットとして、Ａｒ＋Ｏ2を導入ガ
スとする反応性スパッタ法により形成可能である。酸素
流量は抵抗率が最小と成る流量で、１０-4Ω・ｃｍ台の
低抵抗な透明導電膜が得られる。なお、図は概念図であ
り、各層の膜厚を正確には反映していない。また、反射
放熱層４０の上にＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０
が付加されている。
本発明の一実施例の断面の一部を示す概念図である。図
示されない案内溝を有するポリカーボネート基板上１に
Ｉｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が第１保護層１０上にあ
り、記録層２０上にＩｎ−Ｏからなる第２保護層３０が
ある。この第２保護層３０上にＡｇからなる反射放熱層
４０がある。各層の膜厚であるが、第１保護層１０：１
５０ｎｍ、記録層２０：２０ｎｍ、第２保護層３０：３
０ｎｍ、反射放熱層４０：１００ｎｍである。成膜装置
は枚葉スパッタ装置で、Ｉｎ−Ｏから成る第１保護層１
０は金属Ｉｎをターゲットとして、Ａｒ＋Ｏ2を導入ガ
スとする反応性スパッタ法により形成可能である。酸素
流量は抵抗率が最小と成る流量で、１０-4Ω・ｃｍ台の
低抵抗な透明導電膜が得られる。なお、図は概念図であ
り、各層の膜厚を正確には反映していない。また、反射
放熱層４０の上にＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０
が付加されている。
【００１７】ここで、上記金属Ｉｎターゲットに２ａ
ｔ．％のＳｎを添加すればＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜が形成さ
れ、更に低抵抗な透明導電膜となる。ここで、第１保護
層形成用のターゲットをＡｌが添加されたＺｎＯとすれ
ば、Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ透明導電膜が得られる。このＺｎ−
Ａｌ−Ｏ透明導電膜はＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜と比較するとａ
ｓｄｅｐｏでの抵抗率は若干高いが、耐熱性に優れてお
り、繰返し記録に伴う熱履歴で、添加元素であるＡｌが
徐々に活性化され、膜の劣化に伴う高抵抗化を抑制する
作用を有し、繰返し記録特性の安定化に寄与する。
ｔ．％のＳｎを添加すればＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜が形成さ
れ、更に低抵抗な透明導電膜となる。ここで、第１保護
層形成用のターゲットをＡｌが添加されたＺｎＯとすれ
ば、Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ透明導電膜が得られる。このＺｎ−
Ａｌ−Ｏ透明導電膜はＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜と比較するとａ
ｓｄｅｐｏでの抵抗率は若干高いが、耐熱性に優れてお
り、繰返し記録に伴う熱履歴で、添加元素であるＡｌが
徐々に活性化され、膜の劣化に伴う高抵抗化を抑制する
作用を有し、繰返し記録特性の安定化に寄与する。
【００１８】図２は請求項４記載の光記録媒体に対応す
る一実施例の断面の一部を示す概念図である。図示され
ない案内溝を有するポリカーボネート基板上１にＩｎ−
Ｓｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、この
第１保護層上にＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る絶縁断熱層８
０がある。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が絶縁断
熱層８０上にあり、記録層２０上にＺｎＳ−ＳｉＯ2か
ら成る第２保護層３０がある。この第２保護層３０上に
Ａｇから成る反射放熱層４０がある。各層の膜厚である
が、第１保護層１０：１６０ｎｍ、絶縁断熱層８０：１
５ｎｍ、記録層２０：２０ｎｍ、第２保護層３０：２０
ｎｍ、反射放熱層４０：１００ｎｍである。成膜装置は
スパッタ装置で、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから成る第１保護層１
０はＳｎがドープされた金属Ｉｎをターゲットとして、
Ａｒ＋Ｏ2を導入ガスとする反応性スパッタ法により形
成可能である。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ膜の抵抗率は５×１０-4
Ω・ｃｍである。なお、図は概念図であり、各層の膜厚
を正確には反映していない。また、反射放熱層４０の上
にＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０が付加されてい
る。絶縁断熱層の作用により記録波長６３５ｎｍ、記録
線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで
の記録感度は向上し、９ｍＷとなる。
る一実施例の断面の一部を示す概念図である。図示され
ない案内溝を有するポリカーボネート基板上１にＩｎ−
Ｓｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、この
第１保護層上にＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る絶縁断熱層８
０がある。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が絶縁断
熱層８０上にあり、記録層２０上にＺｎＳ−ＳｉＯ2か
ら成る第２保護層３０がある。この第２保護層３０上に
Ａｇから成る反射放熱層４０がある。各層の膜厚である
が、第１保護層１０：１６０ｎｍ、絶縁断熱層８０：１
５ｎｍ、記録層２０：２０ｎｍ、第２保護層３０：２０
ｎｍ、反射放熱層４０：１００ｎｍである。成膜装置は
スパッタ装置で、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから成る第１保護層１
０はＳｎがドープされた金属Ｉｎをターゲットとして、
Ａｒ＋Ｏ2を導入ガスとする反応性スパッタ法により形
成可能である。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ膜の抵抗率は５×１０-4
Ω・ｃｍである。なお、図は概念図であり、各層の膜厚
を正確には反映していない。また、反射放熱層４０の上
にＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０が付加されてい
る。絶縁断熱層の作用により記録波長６３５ｎｍ、記録
線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで
の記録感度は向上し、９ｍＷとなる。
【００１９】図３（ａ）（ｂ）に本実施例のジッタの線
記録密度依存性、及び、線記録密度０．２６７μｍ／ｂ
ｉｔでの繰返し記録に伴うジッタの変化をそれぞれ示
す。記録再生波長は６３５ｎｍ、記録再生線速は３．５
ｍ／ｓである。図３（ａ）には比較例として、第２保護
層の導電率が０．１Ω・ｃｍの場合のジッタの線記録密
度依存性を示す。第２保護層の抵抗率を低抵抗化するこ
とは、特に、高記録密度での記録特性に好ましい影響を
与え、０．２６７μｍ／ｂｉｔという高記録密度で１万
回程度の安定した繰返し記録回数が確保される。図３
（ｃ）は本実施例のジッタの記録線速依存性を示す。高
記録線速での記録特性が改善され、より広いパワーマー
ジンが得られる。
記録密度依存性、及び、線記録密度０．２６７μｍ／ｂ
ｉｔでの繰返し記録に伴うジッタの変化をそれぞれ示
す。記録再生波長は６３５ｎｍ、記録再生線速は３．５
ｍ／ｓである。図３（ａ）には比較例として、第２保護
層の導電率が０．１Ω・ｃｍの場合のジッタの線記録密
度依存性を示す。第２保護層の抵抗率を低抵抗化するこ
とは、特に、高記録密度での記録特性に好ましい影響を
与え、０．２６７μｍ／ｂｉｔという高記録密度で１万
回程度の安定した繰返し記録回数が確保される。図３
（ｃ）は本実施例のジッタの記録線速依存性を示す。高
記録線速での記録特性が改善され、より広いパワーマー
ジンが得られる。
【００２０】請求項５記載の光記録媒体に対応する一実
施例では、上記請求項４に記載の光記録媒体に対応する
一実施例において、絶縁断熱層の材料が化学量論組成又
は酸素過剰のＩｎ−Ｏに変更される。この場合、絶縁断
熱層と第１保護層との密着性は良好で、繰返し記録に伴
う熱衝撃により剥離することは無い。そして、絶縁断熱
層と第１保護層との屈折率差はほとんど無いので、この
界面での光反射は生じず、光学的干渉効果を損なわずに
絶縁断熱層を付加することも可能と成る。また、この実
施例での絶縁断熱層と第１保護層をスパッタ法で生産す
る場合、両者とも金属Ｉｎをターゲットとする酸素雰囲
気中反応性スパッタ法で形成可能であり、同一の真空槽
で連続的に薄膜形成を行なうことが出来る。即ち、絶縁
断熱層を形成する場合に酸素を十分に供給する場合に
は、化学量論組成または酸素過剰のＩｎＯ膜となり、抵
抗率０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層が形成され、次
に成膜を中断すること無く酸素流量を適量に減少させる
だけで、抵抗率が１０-4Ω・ｃｍ台の透明導電膜が形成
される。これは生産性の向上に寄与する。
施例では、上記請求項４に記載の光記録媒体に対応する
一実施例において、絶縁断熱層の材料が化学量論組成又
は酸素過剰のＩｎ−Ｏに変更される。この場合、絶縁断
熱層と第１保護層との密着性は良好で、繰返し記録に伴
う熱衝撃により剥離することは無い。そして、絶縁断熱
層と第１保護層との屈折率差はほとんど無いので、この
界面での光反射は生じず、光学的干渉効果を損なわずに
絶縁断熱層を付加することも可能と成る。また、この実
施例での絶縁断熱層と第１保護層をスパッタ法で生産す
る場合、両者とも金属Ｉｎをターゲットとする酸素雰囲
気中反応性スパッタ法で形成可能であり、同一の真空槽
で連続的に薄膜形成を行なうことが出来る。即ち、絶縁
断熱層を形成する場合に酸素を十分に供給する場合に
は、化学量論組成または酸素過剰のＩｎＯ膜となり、抵
抗率０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層が形成され、次
に成膜を中断すること無く酸素流量を適量に減少させる
だけで、抵抗率が１０-4Ω・ｃｍ台の透明導電膜が形成
される。これは生産性の向上に寄与する。
【００２１】請求項６記載の光記録媒体に対応する実施
例では、請求項５記載の光記録媒体に対応する実施例に
おいて、絶縁断熱層にＺｎ、ＭｇまたはＳｉを添加す
る。この添加元素は絶縁断熱層の高抵抗化の維持に寄与
し、記録感度が安定化する。
例では、請求項５記載の光記録媒体に対応する実施例に
おいて、絶縁断熱層にＺｎ、ＭｇまたはＳｉを添加す
る。この添加元素は絶縁断熱層の高抵抗化の維持に寄与
し、記録感度が安定化する。
【００２２】請求項７記載の光記録媒体の一実施例で
は、上記請求項４記載の光記録媒体に対応する一実施例
において、絶縁断熱層の材料が化学量論組成または酸素
過剰のＺｎ−Ｏに、第１保護層の材料がＺｎ−Ｏまたは
Ｚｎ−Ａｌ−Ｏに変更される。この場合、絶縁断熱層と
第１保護層との密着性も良好で、繰返し記録に伴う熱衝
撃により剥離することは無い。また、請求項５記載の光
記録媒体に対応する実施例の場合と同様の生産性の向上
の効果がある。
は、上記請求項４記載の光記録媒体に対応する一実施例
において、絶縁断熱層の材料が化学量論組成または酸素
過剰のＺｎ−Ｏに、第１保護層の材料がＺｎ−Ｏまたは
Ｚｎ−Ａｌ−Ｏに変更される。この場合、絶縁断熱層と
第１保護層との密着性も良好で、繰返し記録に伴う熱衝
撃により剥離することは無い。また、請求項５記載の光
記録媒体に対応する実施例の場合と同様の生産性の向上
の効果がある。
【００２３】請求項８記載の光記録媒体に対応する実施
例では、請求項７記載の光記録媒体に対応する実施例に
おいて、絶縁断熱層にＳｉを添加する。この添加元素は
絶縁断熱層の高抵抗化の維持に寄与し、記録感度が安定
化する。
例では、請求項７記載の光記録媒体に対応する実施例に
おいて、絶縁断熱層にＳｉを添加する。この添加元素は
絶縁断熱層の高抵抗化の維持に寄与し、記録感度が安定
化する。
【００２４】図４は請求項９記載の光記録媒体に対応す
る一実施例の断面の一部を示す概念図である。図示され
ない案内溝を有するポリカーボネート基板上１にＳｉＯ
2から成る基板保護層９０があり、この基板保護層９０
上にＺｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、
この第１保護層上にＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る絶縁断熱
層８０がある。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が絶
縁断熱層８０上にあり、記録層２０上にＺｎＳ−ＳｉＯ
2から成る第２保護層３０がある。この第２保護層３０
上にＡｕからなる反射放熱層４０がある。各層の膜厚で
あるが、基板保護層９０：４０ｎｍ、第１保護層１０：
８０ｎｍ、絶縁断熱層８０：１５ｎｍ、記録層２０：２
０ｎｍ、第２保護層３０：２０ｎｍ、反射放熱層４０：
１００ｎｍである。成膜装置はスパッタ装置で、Ｚｎ−
Ｏから成る第１保護層１０は金属Ｚｎをターゲットとし
て、Ａｒ＋Ｏ2を導入ガスとする反応性スパッタ法によ
り形成可能である。Ｚｎ−Ｏ膜の抵抗率は１×１０-3Ω
・ｃｍである。なお、図は概念図であり、各層の膜厚を
正確には反映していない。また、反射放熱層４０の上に
ＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０が付加されてい
る。基板保護層は第１保護層の膜厚が薄い場合に特に有
効である。
る一実施例の断面の一部を示す概念図である。図示され
ない案内溝を有するポリカーボネート基板上１にＳｉＯ
2から成る基板保護層９０があり、この基板保護層９０
上にＺｎ−Ｏから成る第１保護層１０がある。そして、
この第１保護層上にＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る絶縁断熱
層８０がある。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２０が絶
縁断熱層８０上にあり、記録層２０上にＺｎＳ−ＳｉＯ
2から成る第２保護層３０がある。この第２保護層３０
上にＡｕからなる反射放熱層４０がある。各層の膜厚で
あるが、基板保護層９０：４０ｎｍ、第１保護層１０：
８０ｎｍ、絶縁断熱層８０：１５ｎｍ、記録層２０：２
０ｎｍ、第２保護層３０：２０ｎｍ、反射放熱層４０：
１００ｎｍである。成膜装置はスパッタ装置で、Ｚｎ−
Ｏから成る第１保護層１０は金属Ｚｎをターゲットとし
て、Ａｒ＋Ｏ2を導入ガスとする反応性スパッタ法によ
り形成可能である。Ｚｎ−Ｏ膜の抵抗率は１×１０-3Ω
・ｃｍである。なお、図は概念図であり、各層の膜厚を
正確には反映していない。また、反射放熱層４０の上に
ＵＶ硬化樹脂から成る環境保護層６０が付加されてい
る。基板保護層は第１保護層の膜厚が薄い場合に特に有
効である。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明によれば、第１には、ジッタ等の信号
品質に優れ、かつ、繰返し記録特性に優れる光記録媒体
が提供され、第２に感度が向上し、第３に生産性が向上
し、第４に感度が安定化し、第５に、記録感度が安定化
され、第６に、記録線速マージンが拡大するという極め
て優れた効果が発揮される。
なように、本発明によれば、第１には、ジッタ等の信号
品質に優れ、かつ、繰返し記録特性に優れる光記録媒体
が提供され、第２に感度が向上し、第３に生産性が向上
し、第４に感度が安定化し、第５に、記録感度が安定化
され、第６に、記録線速マージンが拡大するという極め
て優れた効果が発揮される。
【図１】本発明の光記録媒体の１例を示す概念図であ
る。
る。
【図２】本発明の光記録媒体の別の１例を示す概念図で
ある。
ある。
【図３】図３に示される光記録媒体の記録特性を示す図
であり、図３（ａ）はジッタの同光記録媒体の線記録密
度依存性を示す図であり、図３（ｂ）は同光記録媒体の
線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの繰返し記録に伴
うジッタの変化を示す図であり、図３（ｃ）は、同光記
録媒体の線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの初期記
録線速マージンを示す図である。
であり、図３（ａ）はジッタの同光記録媒体の線記録密
度依存性を示す図であり、図３（ｂ）は同光記録媒体の
線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの繰返し記録に伴
うジッタの変化を示す図であり、図３（ｃ）は、同光記
録媒体の線記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの初期記
録線速マージンを示す図である。
【図４】本発明の光記録媒体のさらに別の１例を示す概
念図である。
念図である。
１ 基板 １０ 第１保護層 ２０ 記録層 ３０ 第２保護層 ４０ 反射放熱層 ６０ 環境保護層 ８０ 絶縁断熱層 ９０ 基板保護層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上の第１保護層、該第１保護層上の
記録層、該記録層上の第２保護層、該第２保護層上の反
射放熱層とを有する光記録媒体において、該第１保護層
の抵抗率が３×１０-3Ω・ｃｍ以下とすることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 第１保護層をＩｎ−Ｓｎ−Ｏとすること
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 第１保護層をＺｎ−Ａｌ−Ｏとすること
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 第１保護層と記録層との間に抵抗率が
０．０１Ω・ｃｍ以上の絶縁断熱層を付加することを特
徴とする請求項１、２又は３に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 第１保護層をＩｎ−ＯまたはＩｎ−Ｓｎ
−Ｏとし、第１保護層と記録層との間に抵抗率が０．０
１Ω・ｃｍ以上で、化学量論組成もしくは酸素過剰のＩ
ｎ−Ｏ膜からの絶縁断熱層が付加されたことを特徴とす
る請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 絶縁断熱層がＺｎ、Ｍｇ又はＳｉを含有
することを特徴とする請求項４又は５に記載の光記録媒
体。 - 【請求項７】 第１保護層をＺｎ−ＯまたはＺｎ−Ａｌ
−Ｏとし、第１保護層と記録層との間に抵抗率が０．０
１Ω・ｃｍ以上で、該絶縁断熱層を化学量論組成もしく
は酸素過剰のＺｎ−Ｏ膜からの絶縁断熱層が付加された
ことを特徴とする請求項１、３又は４のいずれか１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項８】 絶縁断熱層がＳｉを含有することを特徴
とする請求項７に記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 基板と第１保護層との間に抵抗率が０．
０１Ω・ｃｍ以上の基板保護層を付加することを特徴と
する請求項１〜８のいずれか１に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363768A JPH11185295A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363768A JPH11185295A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 相変化光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11185295A true JPH11185295A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18480149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9363768A Pending JPH11185295A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11185295A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008243240A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP2008243241A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US8017209B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-09-13 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
-
1997
- 1997-12-17 JP JP9363768A patent/JPH11185295A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017209B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-09-13 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| JP2008243240A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP2008243241A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
| EP2052871A1 (en) * | 2007-03-23 | 2009-04-29 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing the same |
| EP2052871A4 (en) * | 2007-03-23 | 2009-11-11 | Sony Corp | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP4535080B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP4605171B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US8075975B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-12-13 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing the same |
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