CN101535882B - 液晶显示元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的主要目的在于提供一种液晶显示元件的制造方法，该液晶显示元件在基板上涂布的强铁电性液晶发生流动时难以在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上发生取向紊乱，另外还难以发生取向缺陷。本发明通过提供具有如下所述的特征的液晶显示元件的制造方法来实现上述目的，其中的特征在于，具有如下所述的工序，即：在液晶侧基板的第1取向膜上，相对在第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地直线状涂布强铁电性液晶的液晶涂布工序。

Description

液晶显示元件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种使用强铁电性液晶的液晶显示元件的制造方法。
背景技术
液晶显示元件由于具有薄型、低消耗电力等特征而其用途已从大型显示器被扩展到移动信息终端，其开发正在被活跃地进行。目前，液晶显示元件已被开发出TN方式、STN的多路(multiplex)驱动、在TN中使用薄层晶体管(TFT)的有源矩阵驱动等，正在被实用化，但由于它们使用向列液晶，所以液晶材料的响应速度慢，为数ms～数十ms，不能充分地应对动画显示。
强铁电性液晶(FLC)的响应速度极短，为μs级(order)，是适于高速设备的液晶。广泛已知强铁电性液晶是Clark与Lagerwall提倡的在无外加电压时具有2个稳定状态的双稳态性的液晶(图10上段)，限于明、暗2个状态下的转换，尽管具有存储性，但存在不能进行灰度显示的问题。
近年来，作为通过电压变化而连续地改变液晶的导向偶极子(分子轴的倾斜)且通过模拟调制透射光度而可进行灰度显示的液晶，无外加电压时的液晶层的状态在一个状态下稳定化(以下将其称为“单稳态”。)的强铁电性液晶受到关注(参照非专利文献1，图10下段)。作为显示这样的单稳态性的液晶，通常使用的是在降温过程中进行胆甾醇相(Ch)-手性碟状液晶(chiral smectic)C(SmC*)相的相变化，不经由碟状液晶A(SmA)相的强铁电性液晶(图2上段)。
另一方面，作为强铁电性液晶，包括在降温过程中，进行胆甾醇相(Ch)-碟状液晶A(SmA)相-手性碟状液晶C(SmC*)相的相变化、经由SmA相而显示SmC*相的液晶材料(图2下段)。在目前报道的强铁电性液晶中，与前者的不经由SmA相的液晶材料相比，后者的经由SmA相的相系列的液晶材料占了大半。后者的具有经由SmA相的相系列的强铁电性液晶通常已知相对1层法线具有2个稳定状态，显示双稳态性。
强铁电性液晶与向列液晶相比，分子的有序性高，所以难以取向。尤其不经由SmA相的强铁电性液晶发生层法线方向不同的两个区域(以下将其称为“双域”)(图2上段)。这样的双域在驱动时变成白黑颠倒的显示(图3)，成为大问题。另一方面，经由SmA相的强铁电性液晶具有在相变化的过程中碟状液晶层的层间隔收缩、为了补偿其体积变化而碟状液晶层发生弯曲的人字纹结构，形成根据该弯曲方向不同而液晶分子的长轴方向不同的域，在其边界面中容易发生被称为锯齿形缺陷或发夹(hair pin)式缺陷的取向缺陷。这样的缺陷成为漏光引起的对比度降低的原因。
近年来，作为液晶的封入方法，液晶滴注(One Drop Fill：ODF)方式受到关注。其是在一对基板的一方，将密封材料涂布成框状，使得包围液晶封入区域，向基板上滴注液晶，接着在对两基板间充分地减压的状态下使两基板叠加，借助密封材料使其粘接的方法。液晶滴注方式与过去的真空注入方式相比，具有大幅度地缩短液晶封入工序所需要的时间的优点。
作为使用强铁电性液晶的利用液晶滴注方式的液晶显示元件的制造方法，例如公开有如下所述的方法，即：在一方的基板上，涂布在溶剂中溶解强铁电性液晶与非液晶性高分子材料而成的液晶溶液，进行溶剂的蒸发，形成强铁电性液晶层，使该强铁电性液晶层中的非液晶性高分子材料固化的方法(参照专利文献1)。如果利用该方法，则由于在强铁电性液晶层中存在非液晶性高分子材料的固化物作为增强材料，所以可以抑制来自外部的压力等引起的取向紊乱。但是，在专利文献1中没有对双域、锯齿形缺陷、发夹式缺陷等取向缺陷的发生的抑制进行描述。
另外，例如还公开有如下所述的方法，即：在一方的基板上，涂布强铁电性液晶与聚合性单体的混合液，使聚合性单体聚合的方法(参照专利文献2及专利文献3)。如果利用该方法，则由于聚合性单体的分子发生取向，同时强铁电性液晶与聚合性单体的复合体各向异性化成拉伸的网状，从而促进液晶分子的取向，所以可以抑制锯齿形缺陷等取向缺陷的发生。进而，在该方法中，与上述的情况同样，可以抑制外部应力引起的取向紊乱。
专利文献1：特开平7-199162号公报
专利文献2：特开2000-122043号公报
专利文献3：特开2006-234885号公报
非专利文献1：NONAKA，T.，LI，J.，OGAWA，A.，HORNUNG，B.，SCHMIDT，W.，WINGEN，R.，and DUBAL，H.，1999，Liq.Cryst.，26，1599.
但是，在液晶滴注方式中，在基板上涂布的强铁电性液晶发生流动时，有时在流动的强铁电性液晶之间接触的界面中会观察到取向发生紊乱、条纹。
例如，在上述专利文献3中公开有如下所述的方法，即：在使2张基板贴合时，通过将使2张基板叠加的部分与接触构件接触并同时使接触构件与2张基板相对地向规定方向移动，从而在使2张基板夹持含有强铁电性液晶的有机材料的状态下使其向规定方向流动。在该方法中，可以对应接触构件与2张基板的移动方向使强铁电性液晶取向，但认为由于强铁电性液晶被填充于2张基板间，所以向包括移动方向的任意方向流动，从而如上所述，在流动的强铁电性液晶之间接触的界面中，取向发生紊乱。
发明内容
本发明正是鉴于上述实际情况而提出的，其主要目的在于提供一种液晶显示元件的制造方法，该液晶显示元件在基板上涂布的强铁电性液晶发生流动时难以在流动的强铁电性液晶之间接触的界面中发生取向紊乱，另外还难以发生取向缺陷。
为了实现上述目的，本发明提供一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于，具有：液晶侧基板配制工序，其具有第1取向膜形成工序，配制在所述第1基材上依次层叠有所述第1电极层及所述第1取向膜的液晶侧基板，所述第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理而形成第1取向膜的工序；对置基板配制工序，其具有第2取向膜形成工序，配制在所述第2基材上依次层叠有所述第2电极层及所述第2取向膜的对置基板，所述第2取向膜形成工序是在形成有第2电极层的第2基材上，形成第2取向膜形成用层，对所述第2取向膜形成用层实施取向处理而形成第2取向膜的工序；液晶涂布工序，其在所述液晶侧基板的第1取向膜上，沿着相对在所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行的方向以直线状涂布强铁电性液晶；基板贴合工序，使所述涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板及所述对置基板以如下方式对置并进行贴合，所述方式是使所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向及所述第2取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行的方式。
如果利用本发明，则通过相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地直线状涂布强铁电性液晶，在已涂布的强铁电性液晶发生流动时，可以抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面中发生取向紊乱，同时还可以抑制双域等取向缺陷的发生。
在上述发明中，优选在上述液晶涂布工序中，在所述第1取向膜上涂布所述强铁电性液晶之前，将所述强铁电性液晶加热至呈现向列相或各向同性相的温度，所述强铁电性液晶的涂布方法为喷出法。这是因为，通过使用喷出法，可以以规定的间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状，可以抑制在涂布后流动的强铁电性液晶之间接触的界面中的取向紊乱。另外，还因为，通过将强铁电性液晶加温至所述温度，可以稳定地喷出强铁电性液晶。
此时，所述喷出法优选为喷墨法。这是因为，通过使用喷墨法，可以将强铁电性液晶涂布成连点状，同时还可以以规定的间隔涂布成多条直线状，从而可以有效地抑制在涂布后流动的强铁电性液晶之间接触的界面中的取向紊乱。
另外，在上述发明中，所述强铁电性液晶的涂布方法也可以为网板印刷法。这是因为，在使用网板印刷法的情况下，可以以规定的间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状，从而可以抑制在涂布后流动的强铁电性液晶之间接触的界面中的取向紊乱。
进而，在本发明中，所述第1取向膜形成工序是在所述形成有第1电极层的第1基材上形成反应性液晶用取向膜形成用层，对所述反应性液晶用取向膜形成用层实施所述取向处理，形成反应性液晶用取向膜，然后在所述反应性液晶用取向膜上形成对反应性液晶进行固定化得到的固定化液晶层的工序。作为所述第1取向膜，优选层叠形成反应性液晶用取向膜及固定化液晶层。这是因为，通过利用反应性液晶用取向膜使反应性液晶取向，例如使反应性液晶聚合来固定化取向状态，可以使固定化液晶层发挥作为使强铁电性液晶取向的取向膜的作用。另外，还因为，反应性液晶的结构与强铁电性液晶比较类似，所以与强铁电性液晶的相互作用强，与使用单一层的取向膜的情况相比，可以有效地控制取向。
另外，在本发明中，所述取向处理优选为光取向处理。这是因为，光取向处理为非接触取向处理，所以可以不发生静电或灰尘地进行定量的取向处理的控制。
进而，在本发明中，所述取向处理还优选为摩擦处理。这是因为，如果是实施了摩擦处理的取向膜，则可以抑制锯齿状缺陷或发夹式缺陷的发生。
另外，在本发明中，所述第1取向膜及所述第2取向膜的构成材料优选为具有夹持所述强铁电性液晶而且彼此不同的组成的材料。这是因为，这样，可以有效地抑制双域等取向缺陷的发生，从而可以得到单域取向。
进而，在本发明中，优选在所述液晶侧基板配制工序中，在所述第1取向膜形成工序之前，进行在所述第1基材上形成多个直线状隔壁的直线状隔壁形成工序，在所述第1取向膜形成工序中，相对所述直线状隔壁的长径方向大致垂直或大致平行地实施所述取向处理，在所述液晶涂布工序中，在相邻的所述直线状隔壁间，相对所述直线状隔壁的长径方向大致平行地将所述强铁电性液晶涂布成多条直线状。通过形成直线状隔壁，可以提高耐冲击性。另外，还因为，通过使直线状隔壁的长径方向与第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向成为上述的关系，在相邻的直线状隔壁间将强铁电性液晶涂布成多条直线状，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成多条直线状，从而可以抑制取向缺陷的发生或取向紊乱。
在本发明中，通过相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状，可以起到如下效果：能够抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上发生取向紊乱，同时还能够抑制双域等取向缺陷的发生。
附图说明
图1是表示利用本发明的液晶显示元件的制造方法得到的液晶显示元件的一例的概略截面图。
图2是表示强铁电性液晶所具有的相系列的差异引起的取向的不同的图。
图3是表示作为强铁电性液晶的取向缺陷的双域的照片。
图4是表示本发明的液晶显示元件的制造方法的一例的工序图。
图5是表示第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向的图。
图6是表示强铁电性液晶的涂布方法的图。
图7是表示第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向的图。
图8是表示第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向的图。
图9是表示液晶分子的举动的模式图。
图10是表示强铁电性液晶的相对外加电压的透射率的变化的曲线图。
图11是表示利用本发明的液晶显示元件的制造方法得到的液晶显示元件的一例的概略立体图。
图中，1-液晶侧基板，2-第1基材，3-第1电极层，4-第1取向膜，5-强铁电性液晶，6-密封材料，11-对置基板，12-第2基材，13-第2电极层，14-第2取向膜，15-液晶分子，d-第1取向膜形成工序中的取向处理方向，n-强铁电性液晶的涂布方向。
具体实施方式
本发明人等为了对强铁电性液晶的涂布方法与强铁电性液晶的涂布方向与涂布后在流动的强铁电性液晶之间接触的界面的取向紊乱的关系进行研究，进行了以下所示的实验。
首先，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上旋涂透明抗蚀剂(resist)(商品名：NN780，JSR公司制)，进行减压干燥，在90℃下进行3分钟预烘焙。接着，利用100mJ/cm2的紫外线进行掩模曝光，利用无机碱溶液进行显影，在230℃下进行30分钟后烘焙。这样，形成了高1.5μm的柱状间隔件(spacer)。
接着，在形成有上述柱状间隔件的基板上，旋涂光二聚化型材料(商品名：ROP-103，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下干燥10分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。进而，在使用光二聚化型材料的取向膜上，旋涂并层叠聚合性液晶材料(商品名：ROF-5101，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在55℃下使其干燥3分钟，然后在55℃下曝光无偏振光紫外线1000mJ/cm2。这样，得到液晶侧基板。
接着，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上旋涂光二聚化型材料(商品名：ROP-102，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下使其干燥15分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。这样，得到对置基板。
接着，在设定成室温(23℃)的单轴载物台上设置液晶侧基板，以约60mm/秒的速度将其移动，并同时使用喷墨装置(Dimatix公司制SE-128)，以约3600Hz的频率，在各向同性相的状态下喷出1秒钟强铁电性液晶(AZ Electronic Materials公司制，商品名：R2301)，以1mm间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状。此时，将强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)设定成相对所述取向处理方向为0°、5°、10°、30°、45°、60°、80°、85°、90°。
接着，使用密封调合器(seal dispenser)，在该液晶侧基板的周缘部涂布紫外线加热固化型密封材料(协立化学产业株式会社制，商品名：WORLD ROCK 718)。
接着，将配置于真空腔内的加热板(hot plate)加热至110℃，在该加热板上放置涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板。接着，用加热至110℃的吸附板吸附对置基板，使液晶侧基板及对置基板相对，且各自的取向膜的取向处理方向平行。接着，为了使两基板间充分地成为减压，在对真空腔进行了排气的状态下，使两基板附着，在施加一定的压力之后，将真空腔内恢复至常压。接着，照射1J/cm2紫外线，使紫外线固化型密封材料固化，从而使两基板粘接。接着，通过将液晶单元缓慢冷却至室温，使强铁电性液晶取向。这样制作了9种评价用元件。
将这些评价用元件配置于配置成正交尼科尔(cross nicol)的偏振板间，进行观察，结果确认了对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的评价用元件而言，均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶。
在此，将层法线方向相同的区域的面积占全部面积的比例为80％以上的情况作为“均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶”。
其中，上述的层法线方向相同的区域的占有面积可以如下所述地进行测定。
例如，如图1所示，在第1基材2上层叠了第1电极层3及第1取向膜4的液晶侧基板1与在第2基材12上层叠了第2电极层13及第2取向膜14的对置基板11之间夹持了强铁电性液晶5的液晶显示元件中，在液晶侧基板1及对置基板11的外侧分别设置偏振板17a及17b，从偏振板17a侧入射光，从偏振板17b侧射出光。2张偏振板17a及17b被配置成各自的偏光轴大致垂直而且偏振板17a的偏光轴与第1取向膜4的取向处理方向(液晶分子的取向方向)成为大致平行。
在无外加电压状态下，为了透射偏振板17a的直线偏振光与液晶分子的取向方向一致，液晶分子的折射率各向异性没有被呈现，透射偏振板17a的直线偏振光直接通过液晶分子，被偏振板17b遮断，成为暗状态。另一方面，在外加电压状态下，液晶分子在圆锥(cone)上移动，成为透射偏振板17a的直线偏振光与液晶分子的取向方向成规定的角度，所以透射偏振板17a的直线偏振光利用液晶分子的双折射而成为椭圆偏振光。在该椭圆偏振光中，只有与偏振板17b的偏光轴一致的直线偏振光透射偏振板17b而成为明状态。
这样，在外加电压状态下，液晶分子在圆锥上移动而成为明状态，而如图2上段所例示，在存在层法线方向不同的区域的情况下，如图3所例示，部分地成为暗状态。因而，可以从在外加电压时得到的白黑(明暗)显示的白·黑的面积比算出层法线方向相同的区域的占有面积。
对于上述的相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的评价用元件而言，层法线方向相同的区域的占有面积均为90％以上。另一方面，对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为10°、80°的评价用元件而言，一部分可见双域取向。在该评价用元件中，层法线方向相同的区域的占有面积约为70％。另外，在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为30°、45°、60°的评价用元件中，确认了双域取向。在这些评价用元件中，层法线方向相同的区域的占有面积为55％以下。
另外，在形成有ITO电极的2张玻璃基板上，分别以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-103，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下使其干燥15分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。
接着，使用电磁控制式调合器，将1滴重量调整成约0.15mg，在一方基板上，以10mm间隔，点状喷出强铁电性液晶(AZ Electronic Materials公司制，商品名：R2301)。
接着，使用密封调合器，在涂布了强铁电性液晶的基板的周缘部涂布紫外线加热固化型密封材料(协立化学产业株式会社制，商品名：WORLDROCK 718)。
接着，将配置于真空腔内的加热板加热至110℃，在该加热板上放置涂布有强铁电性液晶的基板。接着，用加热至110℃的吸附板吸附另一方基板，使两基板相对，且各自的取向膜的取向处理方向平行。接着，为了使两基板间充分地成为减压，在对真空腔进行了排气的状态下，使两基板附着，在施加一定的压力之后，将真空腔内恢复至常压。接着，照射1J/cm2紫外线，使紫外线固化型密封材料固化，从而使两基板粘接。接着，通过将液晶单元缓慢冷却至室温，使强铁电性液晶取向。
将得到的液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果在喷出后流动的强铁电性液晶之间接触的界面观察到条纹。
本发明人等从上述的实验结果得到以下见解：通过以规定的间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状，而且，相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶，在涂布的强铁电性液晶流动时，可以抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面发生取向紊乱，同时还可以抑制双域等取向缺陷的发生。
以下对本发明的液晶显示元件的制造方法进行详细说明。
本发明的液晶显示元件的制造方法的特征在于，具有：液晶侧基板配制工序，其具有第1取向膜形成工序，配制在所述第1基材上依次层叠有所述第1电极层及所述第1取向膜的液晶侧基板，所述第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理而形成第1取向膜的工序；对置基板配制工序，其具有第2取向膜形成工序，配制在所述第2基材上依次层叠有所述第2电极层及所述第2取向膜的对置基板，所述第2取向膜形成工序是在形成有第2电极层的第2基材上，形成第2取向膜形成用层，对所述第2取向膜形成用层实施取向处理而形成第2取向膜的工序；液晶涂布工序，其在所述液晶侧基板的第1取向膜上，沿着相对在所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行的方向以直线状涂布强铁电性液晶；基板贴合工序，使所述涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板及所述对置基板以如下方式对置并进行贴合，所述方式是使所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向及所述第2取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行的方式。
边参照附图边说明本发明的液晶显示元件的制造方法。
图4是表示本发明的液晶显示元件的制造方法的一例的工序图。首先，在形成了第1电极层3的第1基材2上形成第1取向膜形成用层14，向该第1取向膜形成用层14照射直线偏振光紫外线21，进行光取向处理，形成第1取向膜4(图4(a)及(b))。这样得到液晶侧基板1。
接着，将强铁电性液晶5加温至该强铁电性液晶呈现各向同性相的温度(例如100℃)，使用喷墨装置，在第1取向膜4上，在各向同性相的状态下，连点状且以一定的间隔将强铁电性液晶5涂布成多条直线状(图4(c)，液晶涂布工序)。此时，如图5所例示，沿着强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)n相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d为大致垂直的方向，将强铁电性液晶5以一定间隔涂布成多条直线状。其中，在图5中，省略第1电极层及第1取向膜。
此时，强铁电性液晶被加温至呈现各向同性相的温度(例如100℃)，但液晶侧基板被设定成室温，所以液晶侧基板的温度低于强铁电性液晶的温度。因此，在液晶侧基板上涂布的强铁电性液晶被冷却。通常，液晶随着温度的降低而粘度变高。因而，在液晶侧基板上涂布的强铁电性液晶被冷却，粘度变高，变得不再流动。
接着，在第1取向膜4上涂布密封材料6(图4(d))。此时，如图5所例示，在第1基材2的周缘部涂布密封材料6，使得包围涂布了强铁电性液晶5的区域的外周。
接着，如图4(e)所示，将涂布了强铁电性液晶5的液晶侧基板1加热至强铁电性液晶呈现各向同性相的温度(例如110℃)。这样，在液晶侧基板上涂布的强铁电性液晶被加温，成为各向同性相的状态，粘度变低，在第1取向膜上流动。
此时，由于强铁电性液晶被以一定间隔涂布成多条直线状，所以强铁电性液晶流动的方向自然会被限制。例如图6(a)所示，在以一定间隔将强铁电性液晶5涂布成多条直线状的情况下，强铁电性液晶5主要相对强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)n大致垂直地向箭头p的方向流动。另一方面，例如图6(b)所示，在点状涂布强铁电性液晶5的情况下，强铁电性液晶5像箭头p’那样向所有方向流动。这样，在以一定间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状的情况下，强铁电性液晶流动的方向受到限制，所以与强铁电性液晶被涂布成点状的情况等相比，可以缩短强铁电性液晶流动的距离，另外还可以减小强铁电性液晶润湿扩张的面积。这样，可以抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上发生取向紊乱。
另外，在图5所示的例子中，相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致垂直地涂布强铁电性液晶5，而如图7所例示，也可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致平行地涂布强铁电性液晶5。即，可以如图5所例示，第1取向膜形成工序中的取向处理方向d与强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)n所成的角度大致垂直，也可以如图7所例示，第1取向膜形成工序中的取向处理方向d与强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)n所成的角度大致平行。这样，通过相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶，可以抑制双域等取向缺陷的发生。其原因尚不清楚，但从上述的实验结果出发，倾向认为是以下原因：在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶的情况下，可以抑制双域等取向缺陷的发生。
例如图5所示，在强铁电性液晶的涂布方向n相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d为大致垂直的情况下，如上所述，强铁电性液晶流动的方向受到限制，所以强铁电性液晶5被诱发为主要相对强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)n大致垂直地即相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致平行地向箭头p的方向流动。认为强铁电性液晶的取向性由此提高，从而可以抑制双域等取向缺陷的发生。
接着，以下未图示：在形成了第2电极层的第2基材上形成第2取向膜形成用层，向该第2取向膜形成用层照射直线偏振光紫外线，进行光取向处理，形成第2取向膜，准备对置基板。
接着，如图4(e)所示，使涂布了强铁电性液晶5的液晶侧基板1与对置基板11相对，使得第1取向膜4及第2取向膜14的取向处理方向大致平行。此时，不仅将液晶侧基板1而且也将对置基板11加热至强铁电性液晶呈现各向同性相的温度(例如110℃)。
接着，如图4(f)所示，充分地减压液晶侧基板1及对置基板11之间，在减压下叠加液晶侧基板1及对置基板11，施加规定的压力22，使单元间距(cell gap)成为均一。接着，通过恢复至常压，进一步向液晶侧基板1及对置基板11之间施加压力。接着，向涂布了密封材料6的区域照射紫外线23，使密封材料6固化，使液晶侧基板1及对置基板11粘接(基板贴合工序)。
然后，以下未图示：通过缓慢冷却至室温，使已被封入的强铁电性液晶取向。
以下对本发明的液晶显示元件的制造方法中的各工序进行说明。
1.液晶侧基板配制工序
本发明中的液晶侧基板配制工序是具有如下所述的第1取向膜形成工序，即：在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理，从而形成第1取向膜的第1取向膜形成工序，从而配制在所述第1基材上依次层叠有所述第1电极层及所述第1取向膜的液晶侧基板的工序。
以下对液晶侧基板配制工序中的各工序进行说明。
(1)第1取向膜形成工序
本发明中的第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理，从而形成第1取向膜的工序。
在第1取向膜形成工序中，可以形成单一层的取向膜，另外，也可以形成反应性液晶用取向膜，在该反应性液晶用取向膜上形成对反应性液晶进行固定化得到的固定化液晶层。以下分成这2个方式进行说明。
(i)第1方式
本方式的第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理，从而形成第1取向膜的工序，是形成单一层的取向膜作为第1取向膜的工序。
作为第1取向膜的形成方法，只要是能够得到可使所述强铁电性液晶取向的第1取向膜的方法即可，没有特别限定。例如可以在第1电极层上形成第1取向膜形成用层，对该第1取向膜形成用层实施摩擦处理、光取向处理等从而形成第1取向膜。
其中，优选对第1取向膜形成用层实施光取向处理从而形成第1取向膜。这是因为，在为第1取向膜被光取向处理的情况下，可以有效地控制强铁电性液晶的取向。另外，还因为，光取向处理为非接触取向处理，所以可以不发生静电或灰尘地进行定量的取向处理的控制，从该点出发，是有用的。
另外，还优选对第1取向膜形成用层实施摩擦处理来形成第1取向膜。
在此，通常具有经由SmA相的相系列的强铁电性液晶具有在相变化过程中碟状液晶层的层间隔收缩、为了补偿其体积变化而碟状液晶层发生弯曲的人字纹结构，形成根据该弯曲方向不同而液晶分子的长轴方向不同的域，在其边界面上容易发生被称为锯齿形缺陷或发夹式缺陷的取向缺陷。为了防止该锯齿状缺陷或发夹式缺陷的发生而加大预倾(pretilt)角是有效的。
通常，在摩擦处理中，可以实现较高的预倾角。因而，通过实施预倾角处理，可以抑制锯齿状缺陷或发夹式缺陷的发生。
以下对向第1取向膜形成用层实施光取向处理从而形成第1取向膜的方法以及向第1取向膜形成用层实施摩擦处理从而形成第1取向膜的方法进行说明。
a.光取向处理
在向第1取向膜形成用层实施光取向处理从而形成第1取向膜的情况下，在第1电极层上涂布光取向性材料，从而形成第1取向膜形成用层，向该第1取向膜形成用层照射控制了偏振光的光，使其发生光激发反应(分解、异构化、二聚化)，从而向第1取向膜形成用层赋予各向异性，由此可以形成第1取向膜。
作为在本发明中使用的光取向性材料，只要是具有通过照射光从而发生光激发反应来使强铁电性液晶发生取向的效果(光定向性：photoaligning)的材料即可，没有特别限定。作为该光取向性材料，大体上可以分成通过发生光反应来向取向膜赋予各向异性的光反应型材料和通过发生光异构化反应来向取向膜赋予各向异性的光异构化型材料。
以下对光反应型材料及光异构化型材料进行说明。
(光反应型材料)
作为在本发明中使用的光反应型材料，只要是通过发生光反应来向取向膜赋予各向异性的材料即可，没有特别限定，但优选通过发生光二聚化反应或光分解反应来向取向膜赋予各向异性的材料。
在此，光二聚化反应是指在光照射下，已向偏振光方向取向的反应部位进行自由基聚合，从而2个分子发生聚合的反应，可以利用该反应稳定化偏振光方向的取向，从而向取向膜赋予各向异性。另外，光分解反应是指在光照射下分解向偏振光方向取向的聚酰亚胺等的分子链，可以利用该反应使向与偏振光方向垂直的方向发生了取向的分子链残留，从而向取向膜赋予各向异性。其中，由于曝光灵敏度高、材料选择的范围宽，所以优选使用利用光二聚化反应向取向膜赋予各向异性的光二聚化型材料。
作为光二聚化型材料，只要是能够利用光二聚化反应向取向膜赋予各向异性的材料即可，没有特别限定，优选含有具有自由基聚合性的官能团而且具有根据偏振光方向不同而使吸收不同的二色性的光二聚化反应性化合物。这是因为，通过使向偏振光方向取向的反应部位发生自由基聚合，可以使光二聚化反应性化合物的取向稳定化从而容易地向取向膜赋予各向异性。
作为这样的特性的光二聚化反应性化合物，可以举出具有从桂皮酸酯、香豆素、喹啉、查耳酮基及肉桂酰基中选择的至少1种反应部位作为侧链的二聚化反应性聚合物。
其中，作为光二聚化反应性化合物，优选含有桂皮酸酯、香豆素或喹啉的任意一个作为侧链的二聚化反应性聚合物。这是因为，可以通过使向偏振光方向取向的α、β不饱和酮的双键成为反应部位进行自由基聚合来容易地向取向膜赋予各向异性。
作为所述二聚化反应性聚合物的主链，作为聚合物主链，只要是通常已知的主链即可，没有特别限定，但优选不具有芳香族烃基等含有较多妨碍上述侧链的反应部位之间的相互作用的π电子的取代基。
对上述二聚化反应性聚合物的重均分子量没有特别限定，优选为5,000～40,000的范围内，更优选为10,000～20,000的范围内。其中，重均分子量可以利用凝胶渗透色谱(GPC)法进行测定。如果上述二聚化反应性聚合物的重均分子量过小，则有时不能向取向膜赋予适度的各向异性。相反，如果过大，则第1取向膜形成时的涂敷液的粘度变高，从而有时难以形成均一的涂膜。
作为二聚化反应性聚合物，可以例示下述式(1)表示的化合物。
[化1]
在上述式(1)中，M11及M12分别独立地表示单聚合物或共聚物的单体单元。例如，可以举出乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、2-氯丙烯酸酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、2-氯丙烯酰胺、苯乙烯衍生物、马来酸衍生物、硅氧烷等。作为M12，也可以为丙烯腈、甲基丙烯腈、甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸羟基烷基酯或甲基丙烯酸羟基烷基酯。x及y表示作为共聚物的情况下的各单体单元的摩尔比，分别为0＜x≤1、0≤y＜1，而且，满足x+y＝1的数。n表示4～30,000的整数。D1及D2表示间隔基单元。
R1为-A1-(Z1-B1)Z-Z2-表示的基团，R2为-A1-(Z1-B1)Z-Z3-表示的基团。在此，A1及B1分别独立地表示共有单键、吡啶-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、1，4-环亚己基、1，3-二噁烷-2，5-二基、或者可具有取代基的1，4-亚苯基。另外，Z1及Z2分别独立地表示共有单键、-CH2-CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-CONR-、-RNCO-、-COO-或-OOC-。R为氢原子或低级烷基，Z3为氢原子、可具有取代基的碳原子数1～12的烷基或烷氧基、氰基、硝基、卤素。Z为0～4的整数。E1表示光二聚化反应部位，例如可以举出桂皮酸酯、香豆素、喹啉、查耳酮基、肉桂酰基等。j及k分别独立地为0或1。
作为这样的二聚化反应性聚合物，可以具体举出下述式(2)～(5)表示的化合物。
[化2]
Figure G2007800420631D00161
R11：-A11-(Z11-B11)t-Z12-，
A11及B11：1，4-亚苯基、共有单键、吡啶-2，5-二基、嘧啶-2，5-二基、1，4-环亚己基、或1，3-二噁烷-2，5-二基，
Z11及Z12：-CH2-CH2-、-COO-、-OOC-或共有单键，
t：0～4的整数，
R12：低级烷基，
n：4～30,000的整数。
另外，作为上述二聚化反应性聚合物，可以更具体地举出下述式(6)～(9)表示的化合物。
[化3]
作为光二聚化反应性化合物，可以从上述的化合物中对应要求特性选择各种光二聚化反应部位或取代基。另外，光二聚化反应性化合物也可以使用单独1种或组合使用2种以上。
另外，除了上述光二聚化反应性化合物以外，光二聚化型材料也可以在不妨碍取向膜的光定向性的范围内含有添加剂。作为上述添加剂，可以举出聚合引发剂、阻聚剂等。
只要根据光二聚化反应性化合物的种类，适当地从通常公知的化合物中选择使用聚合引发剂或阻聚剂即可。相对光二聚化反应性化合物，聚合引发剂或阻聚剂的添加量优选为0.001质量％～20质量％的范围内，更优选为0.1质量％～5质量％的范围内。这是因为，如果聚合引发剂或阻聚剂的添加量过小，则有时聚合不被引发(抑制)，相反，如果过大，则有时会妨碍反应。
另一方面，作为利用光分解反应的光分解型材料，例如可以举出日产化学工业(株)制的聚酰亚胺“RN1199”等。
光反应型材料发生光反应的光的波长区域优选在紫外光域的范围内、即10nm～400nm的范围内，更优选在250nm～380nm的范围内。
(光异构化型材料)
作为在本发明中使用的光异构化型材料，只要是通过发生光异构化反应来向取向膜赋予各向异性的材料即可，没有特别限定，但优选含有通过发生光异构化反应来向取向膜赋予各向异性的光异构化反应性化合物。这是因为，通过含有这样的光异构化反应性化合物，在光照射下，多个异构体中稳定的异构体增加，由此可以容易地向取向膜赋予各向异性。
作为光异构化反应性化合物，只要是具有如上所述的特性的材料即可，没有特别限定，但优选具有根据偏振光方向不同而使吸收不同的二色性而且在光照射下发生光异构化反应的化合物。这是因为，通过使具有这样的特性的光异构化反应性化合物的向偏振光方向取向的反应部位的异构化发生，可以容易地向取向膜赋予各向异性。
另外，作为光异构化反应性化合物发生的光异构化反应，优选顺式-反式异构化反应。这是因为，在光照射下，顺式体或反式体的任意一方的异构体增加，由此可以向取向膜赋予各向异性。
作为这样的光异构化反应性化合物，可以举出单分子化合物、或在光或热的作用下发生聚合的聚合性单体。它们只要对应使用的强铁电性液晶的种类适当地选择即可，而从在光照射下向取向膜赋予各向异性之后，可以通过聚合物化来稳定化其各向异性出发，优选使用聚合性单体。在这样的聚合性单体中，从可以在向取向膜赋予各向异性之后，在将其各向异性维持在良好的状态下，容易地进行聚合物化出发，优选丙烯酸酯单体、甲基丙烯酸酯单体。
上述聚合性单体可以为单官能的单体，也可以为多官能的单体，而从聚合物化引起的取向膜的各向异性变得更稳定出发，优选2官能的单体。
作为这样的光异构化反应性化合物，可以具体举出具有偶氮苯骨架或茋骨架等顺式-反式异构化反应性骨架的化合物。
这种情况下，在分子内含有的顺式-反式异构化反应性骨架的数目可以为1个或2个以上，但从强铁电性液晶的取向控制变得容易出发，优选为2个。
为了进一步提高与液晶分子的相互作用，上述顺式-反式异构化反应性骨架也可以具有取代基。取代基只要能够提高与液晶分子的相互作用而且不妨碍顺式-反式异构化反应性骨架的取向即可，没有特别限定，例如可以举出羧基、磺酸钠基、羟基等。这些结构可以对应所使用的强铁电性液晶的种类适当地选择。
另外，作为光异构化反应性化合物，在分子内，除了顺式-反式异构化反应性骨架以外，也可以为了进一步提高与液晶分子的相互作用而具有芳香族烃基等含有很多π电子的基团，顺式-反式异构化反应性骨架与芳香族烃基也可以借助结合基团结合。结合基团只要可以提高与液晶分子的相互作用即可，没有特别限定，例如可以举出-COO-、-OCO-、-O-、-C≡C-、-CH2-CH2-、-CH2O-、-OCH2-等。
此外，在使用聚合性单体作为光异构化反应性化合物的情况下，优选具有上述顺式-反式异构化反应性骨架作为侧链。这是因为，通过具有上述顺式-反式异构化反应性骨架作为侧链，向取向膜赋予的各向异性的效果变得更大，变得特别适于强铁电性液晶的取向控制。这种情况下，为了提高与液晶分子的相互作用，优选与顺式-反式异构化反应性骨架一起在侧链中含有前述的在分子内含有的芳香族烃基或结合基团。
另外，为了使顺式-反式异构化反应性骨架变得容易取向，也可以在上述聚合性单体的侧链中具有亚烷基等脂肪族烃基作为间隔基。
在如上所述的单分子化合物或聚合性单体的光异构化反应性化合物中，作为在本发明中使用的光异构化反应性化合物，优选在分子内具有偶氮苯骨架的化合物。这是因为，由于偶氮苯骨架含有很多π电子，所以与液晶分子的相互作用高，特别适于强铁电性液晶的取向控制。
以下对能够通过偶氮苯骨架发生光异构化反应来向取向膜赋予各向异性的理由进行说明。首先，如果向偶氮苯骨架照射直线偏振光紫外光，则如下述式所示，分子长轴向偏振光方向取向的反式体的偶氮苯骨架变成顺式体。
[化4]
Figure G2007800420631D00201
反式体                       顺式体        反式体
由于偶氮苯骨架的顺式体在化学上没有反式体稳定，所以遇热或吸收可见光时恢复成反式体，但此时，是变成上述式的左的反式体还是变成右的反式体，发生的概率相同。因此，如果持续吸收紫外光，则右侧的反式体的比例增加，偶氮苯骨架的平均取向方向变成相对紫外光的偏振光方向垂直。在本发明中，可以通过利用该现象，使得偶氮苯骨架的取向方向一致，从而向取向膜赋予各向异性，控制该膜上的液晶分子的取向。
在这样的在分子内具有偶氮苯骨架的化合物中，作为单分子化合物，例如可以举出由下述式(10)表示的化合物。
[化5]
Figure G2007800420631D00211
在上述式(10)中，R41分别独立地表示羟基。R42表示由-(A41-B41-A41)m-(D41)n-表示的连结基，R43表示(D41)n-(A41-B41-A41)m-表示的连结基。在此，A41表示二价的烃基，B41表示-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-NHCOO-或-OCONH-，m表示0～3的整数。D41在m为0时表示二价的烃基，在m为1～3的整数时表示-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-NHCOO-或-OCONH-，n表示0或1。R44分别独立地表示卤原子、羧基、卤代甲基、卤代甲氧基、氰基、硝基、甲氧基或甲氧羰基。其中，羧基也可以与碱金属形成盐。R45分别独立地表示羧基、磺基、硝基、氨基或羟基。其中，羧基或磺基也可以与碱金属形成盐。
作为由上述式(10)表示的化合物的具体例，可以举出下述式(11)～(14)表示的化合物。
[化6]
Figure G2007800420631D00221
另外，作为具有上述偶氮苯骨架作为侧链的聚合性单体，例如可以举出下述式(15)表示的化合物。
[化17]
Figure G2007800420631D00222
在上述式(15)中，R51分别独立地表示(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰胺基、乙烯氧基、乙烯氧基羰基、乙烯基亚氨基羰基、乙烯基亚氨基羰氧基、乙烯基、异丙烯氧基、异丙烯氧基羰基、异丙烯基亚氨基羰基、异丙烯基亚氨基羰氧基、异丙烯基或环氧基。R52表示由-(A51-B51-A51)m-(D51)n-表示的连结基，R53表示(D51)n-(A51-B51-A51)m-表示的连结基。在此，A51表示二价的烃基，B51表示-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-NHCOO-或-OCONH-，m表示0～3的整数。D51在m为0时表示二价的烃基，在m为1～3的整数时表示-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-NHCOO-或-OCONH-，n表示0或1。R54分别独立地表示卤原子、羧基、卤代甲基、卤代甲氧基、氰基、硝基、甲氧基或甲氧羰基。其中，羧基也可以与碱金属形成盐。R55分别独立地表示羧基、磺基、硝基、氨基或羟基。其中，羧基或磺基也可以与碱金属形成盐。
作为由上述式(15)表示的化合物的具体例，可以举出下述式(16)～(19)表示的化合物。
[化8]
在本发明中，可以对应要求特性，从这样的光异构化反应性化合物中选择各种顺式-反式异构化反应性骨架或取代基。其中，这些光异构化反应性化合物也可以单独使用1种或组合使用2种以上。
另外，光异构化型材料除了上述光异构化反应性化合物以外，在不妨碍取向膜的光定向性的范围内，也可以含有添加剂。在使用聚合性单体作为上述光异构化反应性化合物的情况下，作为添加剂，可以举出聚合反应剂、阻聚剂等。
只要根据光异构化反应性化合物的种类，适当地从通常公知的化合物中选择使用聚合引发剂或阻聚剂即可。相对光异构化反应性化合物，聚合引发剂或阻聚剂的添加量优选为0.001质量％～20质量％的范围内，更优选为0.1质量％～5质量％的范围内。这是因为，如果聚合引发剂或阻聚剂的添加量过小，则有时聚合不被引发(抑制)，相反，如果过大，则有时会妨碍反应。
光异构化型材料发生光异构化反应的光的波长区域优选在紫外光域的范围内、即10nm～400nm的范围内，更优选在250nm～380nm的范围内。
(光取向处理方法)
接着，对光取向处理方法进行说明。首先，在第1电极层上，涂布利用有机溶剂稀释上述的光取向性材料而成的第1取向膜形成用涂敷液，形成第1取向膜形成用层，使其干燥。
第1取向膜形成用涂敷液中的光二聚化反应性化合物或光异构化反应性化合物的含量优选为0.05质量％～10质量％，更优选为0.2质量％～2质量％的范围内。这是因为，如果含量少于上述范围，则变得难以向取向膜赋予适度的各向异性，相反，如果含量多于上述范围，则由于涂敷液的粘度变高而变得难以形成均一的涂膜。
作为第1取向膜形成用涂敷液的涂布方法，例如可以使用旋涂法(spincoat)、辊涂(roll coat)法、杆棒涂(rod bar coat)法、喷涂(spray coat)法、气刀刮涂(air knife coat)法、缝口模头涂敷(slot die coat)法、条锭涂(wire bar coat)法、喷墨(ink jet)法、凸版(flexo)印刷法、网板(screen)印刷法等。
涂布上述第1取向膜形成用涂敷液得到的第1取向膜形成用层的厚度优选为1nm～1000nm的范围内，更优选为3nm～100nm的范围内。这是因为，如果第1取向膜形成用层的厚度比上述范围薄，则可能会不能得到足够的光定向性，相反，如果第1取向膜形成用层的厚度比上述范围厚，则有时成本上不利。
得到的第1取向膜形成用层可以通过照射已控制偏振光的光来发生光激发反应从而赋予各向异性。照射的光的波长区域只要对应使用的光取向性材料适当地选择即可，优选在紫外光域的范围内、即100nm～400nm的范围内，更优选在250nm～380nm的范围内。另外，偏振光方向只要能够使上述光激发反应发生即可，没有特别限定。
进而，作为光取向性材料，在上述的光异构化反应性化合物中，使用聚合性单体的情况下，可以在进行光取向处理之后通过加热来进行聚合物化，从而稳定化向取向膜赋予的各向异性。
b.摩擦处理
在向第1取向膜形成用层实施摩擦处理从而形成第1取向膜的情况下，可以在第1电极层上涂布后述的材料来形成第1取向膜形成用层，通过用摩擦布向一定方向擦该第1取向膜形成用层，由此向第1取向膜形成用层赋予各向异性，从而形成第1取向膜。
作为摩擦膜使用的材料，只要是能够利用摩擦处理向第1取向膜形成用层赋予各向异性的材料即可，没有特别限定，例如可以举出聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚乙烯醇、聚氨酯等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。
其中，优选聚酰亚胺，特别优选使聚酰胺酸发生脱水闭环(酰亚胺化)而成的聚酰亚胺。
聚酰胺酸可以通过使二胺化合物与酸二酐反应合成。
作为在合成聚酰胺酸时使用的二胺化合物，可以例示脂环式二胺、碳环式芳香族二胺类、杂环式二胺类、脂肪族二胺、芳香族二胺。
作为脂环式二胺，例如可以举出1，4-二氨基环己烷、1，3-二氨基环己烷、4，4’-二氨基二环己基甲烷、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二环己烷、异佛尔酮二胺等。
作为碳环式芳香族二胺类，例如可以举出邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、二氨基甲苯类(具体而言，2，4-二氨基甲苯)、1，4-二氨基-2-甲氧基苯、二氨基二甲苯类(具体而言，1，3-二氨基-2，4-二甲基苯)、1，3-二氨基-4-氯苯、1，4-二氨基-2，5-二氯苯、1，4-二氨基-4-异丙苯、2，2’-双(4-氨基苯基)丙烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、2，2’-二氨基茋、4，4’-二氨基茋、4，4’-二氨基二苯基醚、4，4’-二苯硫醚、4，4’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯砜、4，4’-二氨基苯甲酸苯基酯、4，4’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基苯酰、双(4-氨基苯基)膦化氧、双(3-氨基苯基)砜、双(4-氨基苯基)苯基膦化氧、双(4-氨基苯基)环己基膦化氧、N，N-双(4-氨基苯基)-N-苯基胺、N，N-双(4-胺苯基)-N-甲胺、4，4’-二氨基二苯基脲、1，8-二氨基萘、1，5-二氨基萘、1，5-二氨基蒽醌、二氨基芴类(具体而言，2，6-二氨基芴)、双(4-氨基苯基)二乙基硅烷、双(4-氨基苯基)二甲基硅烷、3，4’-二氨基二苯基醚、联苯胺、2，2’-二甲基联苯胺、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、4，4’-双(4-氨基苯氧基)联苯基、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯等。
作为杂环式二胺类，例如可以举出2，6-二氨基吡啶、2，4-二氨基吡啶、2，4-二氨基-s-三嗪、2，5-二氨基二苯并呋喃、2，7-二氨基咔唑、3，6-二氨基咔唑、3，7-二氨基吩噻嗪、2，5-二氨基-1，3，4-噻二唑、2，4-二氨基-6-苯基-s-三嗪等。
作为脂肪族二胺，例如可以举出1，2-二氨基乙烷、1，3-二氨基丙烷、1，4-二氨基丁烷、1，5-二氨基戊烷、1，6-二氨基己烷、1，8-二氨基辛烷、1，10-二氨基癸烷、1，3-二氨基-2，2-二甲基丙烷、1，6-二氨基-2，5-二甲基己烷、1，5-二氨基-2，4-二甲基庚烷、1，7-二氨基-3-甲基庚烷、1，9-二氨基-5-甲基壬烷、2，11-二氨基十二烷、1，12-二氨基十八烷、1，2-双(3-氨基丙氧基)乙烷等。
作为芳香族二胺，例如可以举出具有由下述式的结构表示的长链烷基或全氟基的芳香族二胺。
[化9]
Figure G2007800420631D00261
在此，在上述式中，R21表示碳原子数5以上、优选碳原子数5～20的长链烷基或者含有长链烷基或全氟烷基的1价有机基。
另外，作为在合成聚酰胺酸时用作原料的酸二酐，可以例示芳香族酸二酐、脂环式酸二酐。
作为芳香族酸二酐，例如可以举出均苯四酸二酐、3，3’，4，4’-联苯基四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯基四羧酸二酐、2，3，3’，4’-联苯基四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)醚二酐、双(3，4-二羧基苯基)磺酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐等。
作为脂环式酸二酐，例如可以举出1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-环戊烷四羧酸二酐、2，3，4，5-四氢呋喃四羧酸二酐、1，2，4，5-环己烷四羧酸二酐、3，4-二羧基-1-环己基琥珀酸二酐、3，4-二羧基-1，2，3，4-四氢-1-萘琥珀酸二酐、双环[3，3，0]辛烷-2，4，6，8-四羧酸二酐等。
这些酸二酐可以单独使用，也可以组合使用2种以上。从聚合物的透明性的观点出发，优选使用脂环式酸二酐。
另外，聚酰胺酸可以通过在有机溶剂的存在下，将上述的二胺化合物和酸二酐，在-20℃～150℃、优选0℃～80℃下，反应30分钟～24小时、优选1小时～10小时来合成。
作为使用聚酰胺酸得到聚酰亚胺的膜的方法，可以举出在使聚酰胺酸成膜之后，利用加热或催化剂，全部或部分地使其脱水闭环(酰亚胺化)的方法；或者，利用加热或催化剂，使聚酰胺酸全部或部分地脱水闭环(酰亚胺化)而成为可溶性聚酰亚胺，然后使该可溶性聚酰亚胺成膜的方法。其中，由于酰亚胺化聚酰胺酸得到的可溶性聚酰亚胺的贮藏稳定性出色，所以优选使可溶性聚酰亚胺成膜的方法。
作为进行用于使聚酰胺酸成为可溶性聚酰亚胺的酰亚胺化反应的方法，可以举出直接加热聚酰胺酸溶液的热酰亚胺化、在聚酰胺酸溶液中添加催化剂从而进行酰亚胺化的化学上的酰亚胺化等。其中，在较低温下进行酰亚胺化反应的化学上的酰亚胺化由于难以发生得到的可溶性聚酰亚胺的分子量降低，所以优选。
化学上的酰亚胺化反应优选在有机溶剂中，在酰胺酸基的0.5～30摩尔倍、优选1～20摩尔倍的碱催化剂和酰胺酸基的0.5～50摩尔倍、优选1～30摩尔倍的酸酐的存在下，在-20℃～250℃、优选0℃～200℃的温度下，使聚酰胺酸反应1小时～100小时。这是因为，如果碱催化剂或酸酐的量少，则反应不会充分地进行，另外，如果过多，则变得难以在反应结束之后完全地除去。
作为在化学上的酰亚胺化反应时使用的碱催化剂，可以例示吡啶、三乙胺、三甲胺、三丁胺、三辛胺等。其中，由于吡啶具有对于反应进行而言适度的碱性，所以优选。
另外，作为酸酐，可以例示醋酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸二酐等。其中，如果使用醋酸酐，则反应结束后的纯化变得容易，所以优选。
作为进行酰亚胺化反应时的有机溶剂，可以使用在聚酰胺酸合成时使用的溶剂。
利用化学上的酰亚胺化的酰亚胺化率可以通过调节催化剂量和反应温度来控制。其中，上述酰亚胺化率优选为全部聚酰胺酸的摩尔数的0.1％～99％，更优选为5％～90％，进而优选为30％～70％。这是因为，酰亚胺化率如果过低，则贮藏稳定性变差，如果过高，则溶解性差进而有时会析出。
作为摩擦膜的材料，可以优选使用日产化学工业(株)制的“SE-5291”、“SE-7992”。
作为上述材料的涂布方法，例如可以使用辊涂法、杆棒涂法、缝口模头涂敷法、条锭涂法、喷墨法、凸版印刷法、网板印刷法等。
另外，摩擦膜的厚度被设定在1nm～1000nm左右，优选在50nm～100nm的范围内。
作为摩擦布，例如可以使用由尼龙树脂、乙烯基树脂、人造丝、棉等纤维构成的布。例如，通过边使卷绕这样的摩擦布的鼓旋转边使其接触使用上述的材料的膜的表面，由此在膜表面向一个方向形成微细的沟，从而向第1取向膜形成用层赋予各向异性。
(ii)第2方式
本方式的第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理，形成第1取向膜的工序，其是首先形成反应性液晶用取向膜形成用层，对该反应性液晶用取向膜形成用层实施取向处理，形成反应性液晶用取向膜，接着，在反应性液晶用取向膜上形成将反应性液晶固定而成的固定化液晶层(反应性液晶层)的工序。即，作为第1取向膜，层叠形成反应性液晶用取向膜及固定化液晶层。在本方式中，对反应性液晶用取向膜形成用层实施的取向处理成为在本发明中所述的第1取向膜形成工序中的取向处理。
在反应性液晶用取向膜上形成固定化液晶层时，可以利用反应性液晶用取向膜使反应性液晶取向，例如照射紫外线，使反应性液晶聚合，由此来固定化反应性液晶的取向状态。因此，可以向固定化液晶层赋予反应性液晶用取向膜的取向控制力，可以使固定化液晶层发挥作为用于使强铁电性液晶取向的取向膜的作用。另外，由于反应性液晶被固定化，所以具有不受温度等的影响的优点。进而，反应性液晶的结构与强铁电性液晶比较类似，所以与强铁电性液晶的相互作用变强，与使用单一层的取向膜的情况相比，可以有效地控制强铁电性液晶的取向。
在此，“反应性液晶”是指固定化液晶的取向状态前的液晶，例如在将要使液晶聚合的情况下，是指固定化液晶的取向状态前的能够聚合的液晶。
另外，“固定化液晶层”是指由固定化液晶的取向状态之后的已被固定化的液晶构成的层，例如在将要使液晶聚合的情况下，是指由已聚合的液晶构成的层。
其中，对于反应性液晶用取向膜而言，由于与在上述第1方式中记载的第1取向膜相同，所以在此省略对其说明。
作为在本发明中使用的反应性液晶，优选显现向列相的液晶。这是因为，向列相在液晶相中比较容易控制取向。
另外，反应性液晶优选含有聚合性液晶材料。这是因为，这样可以将反应性液晶的取向状态固定化。作为聚合性液晶材料，可以使用聚合性液晶单体、聚合性液晶寡聚物、以及聚合性液晶聚合物的任意一种，但其中优选使用聚合性液晶单体。这是因为，聚合性液晶单体与其他聚合性液晶材料即聚合性液晶寡聚物或聚合性液晶聚合物相比，可以在更低温下取向，而且，取向时的灵敏度也高，容易使其取向。
作为聚合性液晶单体，只要是具有聚合性官能团的液晶单体即可，没有特别限定，例如可以举出单丙烯酸酯单体、二丙烯酸酯单体等。另外，这些聚合性液晶单体可以单独使用，也可以混合使用2种以上。
作为单丙烯酸酯单体，可以例示下述式(20)、(21)表示的化合物。
[化10]
Figure G2007800420631D00301
在上述式(20)、(21)中，A、B、D、E及F表示苯、环己烷或嘧啶，它们也可以具有卤素等取代基。另外，A及B或D及E也可以借助乙炔基、亚甲基、酯基等结合基结合。M1及M2可以为氢原子、碳原子数3～9的烷基、碳原子数3～9的烷氧羰基、或氰基的任意一种。进而，分子链末端的丙烯酰氧基与A或D也可以借助碳原子数3～6的亚烷基等间隔基结合。
另外，作为二丙烯酸酯单体，例如可以举出下述式(22)所示的化合物。
[化11]
Figure G2007800420631D00302
在上述式(22)中，Z31及Z32分别独立地表示直接结合的-COO-、-OCO-、-O-、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-OCH2-、-CH2O-、-CH2CH2COO-、-OCOCH2CH2-，R31、R32及R33分别独立地表示氢或碳原子数1～5的烷基。另外，k及m表示0或1，n表示2～8的范围内的整数。优选：R31、R32及R33在k＝1的情况下，分别独立地表示碳原子数1～5的烷基，在k＝0的情况下，分别独立地表示氢或碳原子数1～5的烷基。该R31、R32及R33也可以彼此相同。
另外，作为上述式(22)表示的化合物的具体例，可以举出下述式(23)所示的化合物。
[化12]
Figure G2007800420631D00311
在上述式(23)中，Z21及Z22分别独立地表示直接结合的-COO-、-OCO-、-O-、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-OCH2-、-CH2O-、-CH2CH2COO-、-OCOCH2CH2-。另外，m表示0或1，n表示2～8的范围内的整数。
另外，作为二丙烯酸酯单体，例如还可以举出下述式(24)、(25)所示的化合物。
[化13]
Figure G2007800420631D00312
在上述式(24)、(25)中，X及Y表示氢、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烯基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数1～20的烷氧羰基、甲酰基、碳原子数1～20的烷基羰基、碳原子数1～20的烷基羰氧基、卤素、氰基或硝基。另外，m表示2～20的范围内的整数。进而，X优选为碳原子数1～20的烷氧羰基、甲基或氯，其中优选碳原子数1～20的烷氧羰基，尤其优选CH3(CH2)4OCO。
在上述中，优选使用由上述式(22)、(24)表示的化合物。尤其优选由上述式(24)表示的化合物。具体而言，可以举出旭电化工业株式会社制的“ADEKA CHIRACOL PLC-7183”、“ADEKA CHIRACOLPLC-7209”、“ADEKA CHIRACOL PLC-7218”等。
另外，在聚合性液晶单体中，优选二丙烯酸酯单体。这是因为，二丙烯酸酯单体可以在将取向状态维持为良好的状态下容易地使其聚合。
在上述的聚合性液晶单体中，其自身也可以不显现向列相。这是因为，这些聚合性液晶单体也可以如上所述地混合使用2种以上，只要混合它们而成的组合物即反应性液晶显现向列相即可。
进而，也可以根据需要向上述反应性液晶中添加光聚合引发剂或阻聚剂等。例如，在利用电子射线照射使聚合性液晶材料聚合时，有时会不需要光聚合引发剂，但在通常使用的例如利用紫外线照射的聚合的情况下，通常为了促进聚合而使用光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如可以举出二苯甲酰(也称为联苯酰(bibenzoyl))、苯偶姻异丁醚、苯偶姻异丙醚、二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯甲酰基-4’-甲基二苯基硫化物、二苯甲酰基甲基缩酮、二甲胺基甲基苯甲酸酯、2-正丁氧基乙基-4-二甲基氨基苯甲酸酯、对二甲胺基苯甲酸异戊酯、3，3’-二甲基-3-甲氧基苯甲酮、甲基苯甲酰基甲酸酯、2-甲基-1-(4-(甲基硫代)苯基)-2-吗啉代丙烷-1-酮、2-二苯甲酰基-2-二甲胺基-1-(4-吗啉代苯基)-丁烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、2-氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮等。其中，除了光聚合引发剂以外，也可以在不破坏本发明的目的的范围内添加增感剂。
另外，作为光聚合引发剂的添加量，可以在0.01～20质量％左右、优选0.1～10质量％、更优选0.5～5质量％的范围内，在上述反应性液晶中添加。
在本发明中，可以通过在反应性液晶用取向膜上涂布含有上述反应性液晶的固定化液晶层形成用涂敷液，进行取向处理，固定化反应性液晶的取向状态，由此形成固定化液晶层。另外，也可以通过预先形成干膜(dryfilm)等，将其在反应性液晶用取向膜上层叠，由此形成固定化液晶层。其中，从工序简便的点出发，优选涂布固定化液晶层形成用涂敷液的方法。
固定化液晶层形成用涂敷液可以通过在溶剂中溶解或分散反应性液晶来配制。
作为在固定化液晶层形成用涂敷液中使用的溶剂，只要可以使上述反应性液晶等溶解或分散而且不妨碍反应性液晶用取向膜的取向能即可，没有特别限定。作为这样的溶剂，例如可以举出苯、甲苯、二甲苯、正丁苯、二乙苯、萘满等烃类；甲氧基苯、1，2-二甲氧基苯、二甘醇二甲醚等醚类；丙酮、甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、环己酮、2，4-戊间二酮等酮类；乙酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、γ-丁内酯等酯类；2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲替甲酰胺、二甲替乙酰胺等酰胺系溶剂；叔丁醇、二丙酮醇、甘油、一醋精、乙二醇、三甘醇、己二醇等醇类；苯酚、对氯苯酚等酚类；甲基溶纤素、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、乙二醇单甲醚乙酸酯等溶纤剂类；等。这些溶剂可以单独使用，也可以并用2种以上。
另外，如果只使用单一种类的溶剂，则有时上述反应性液晶等的溶解性不充分，或者，如上所述，反应性液晶用取向膜被侵蚀。这种情况下，通过混合使用2种以上溶剂，可以避免该不良情形。在上述溶剂中，作为单独溶剂，优选烃类及二醇单醚乙酸酯系溶剂，作为混合溶剂，优选醚类或酮类与二醇系溶剂的混合体系。
由于固定化液晶层形成用涂敷液的固体成分浓度依赖于反应性液晶的溶解性或固定化液晶层的厚度，所以不能一概而论，但通常在0.1～40质量％、优选在1～20质量％的范围内调节。这是因为，如果固定化液晶层形成用涂敷液的固体成分浓度低于上述范围，则有时反应性液晶变得难以取向，相反，如果固定化液晶层形成用涂敷液的固体成分浓度高于上述范围，则由于固定化液晶层形成用涂敷液的粘度变高，所以有时变得难以形成均一的涂膜。
进而，在不破坏本发明的目的的范围内，可以在上述固定化液晶层形成用涂敷液中添加如下所示的化合物。作为可以添加的化合物，例如可以举出向使多元醇与一元酸或多元酸缩合得到的聚酯预聚物，反应(甲基)丙烯酸得到的聚酯(甲基)丙烯酸酯；在使具有多元醇基和2个异氰酸酯基的化合物彼此反应之后，向该反应生成物反应(甲基)丙烯酸得到的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯；使双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、多羧酸聚缩水甘油酯、多元醇聚缩水甘油醚、脂肪族或脂环式环氧树脂、胺环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、二羟基苯型环氧树脂等环氧树脂与(甲基)丙烯酸反应得到的环氧(甲基)丙烯酸酯等光聚合性化合物；具有丙烯酸基或甲基丙烯酸基的光聚合性的液晶性化合物；等。
在不破坏本发明的目的的范围内，选择这些化合物相对上述反应性液晶的添加量。通过添加这些化合物，反应性液晶的固化性提高，得到的固定化液晶层的机械强度增大，另外，其稳定性得到改善。
作为固定化液晶层形成用涂敷液的涂布方法，例如可以举出旋涂法、辊涂法、印刷法、浸涂法、金属型涂布法、浇铸法、棒涂法、刮涂法、喷涂法、凹板印刷涂敷法、反式涂敷法、挤压涂布法、喷墨法、凸版印刷法、网板印刷法等。
另外，在涂布上述固定化液晶层形成用涂敷液之后，除去溶剂。作为除去溶剂的方法，例如可以举出减压除去或加热除去、进而组合它们的方法等。
在固定化液晶层形成用涂敷液的涂布之后，利用反应性液晶用取向膜，使涂布的反应性液晶取向，从而成为具有液晶规则性的状态。即，在反应性液晶中显现向列相。其通常利用在从向列相向各向同性相转变的温度(N-I转变点)以下得条件下进行热处理的方法等方法进行。
如上所述，反应性液晶含有聚合性液晶材料，为了固定化这样的聚合性液晶材料的取向状态，使用照射活化聚合的活性放射线的方法。在此所述的活性放射线是指相对聚合性液晶材料而言具有使聚合发生的能力的放射线，在必要时，也可以在聚合性液晶材料内含有光聚合引发剂。
作为这样的活性放射线，只要是可以使聚合性液晶材料聚合的放射线即可，没有特别限定，但通常从装置的容易性等观点出发，使用紫外线或可见光，使用波长150～500nm、优选250～450nm、进而优选300～400nm的照射光。
其中，优选对光聚合引发剂在紫外线的作用下发生自由基从而聚合性液晶材料进行自由基聚合之类的聚合性液晶材料，照射紫外线作为活性放射线的方法。这是因为，由于使用紫外线作为活性放射线的方法是已经确立的技术，所以容易含有所使用的光聚合引发剂从而向本发明应用。
作为该照射光的光源，可以例示低压水银灯(杀菌灯、荧光化学灯、黑光)、高压放电灯(高压水银灯、金属卤化物灯)、短弧、放电灯(超高压水银灯、氙灯、水银氙灯)等。其中，推荐使用金属卤化物灯、氙灯、高压水银灯等。另外，照射强度可以利用反应性液晶的组成或光聚合引发剂的多寡适当地调节、照射。
这样的活性照射线的照射可以在上述聚合性液晶材料成为液晶相的温度条件下进行，另外，也可以在低于成为液晶相的温度的温度下进行。这是因为，一旦成为液晶相的聚合性液晶材料即使之后使其温度降低，其取向状态也不会很快地发生紊乱。
此外，作为固定化聚合性液晶材料的取向状态的方法，除了上述的照射活性放射线的方法以外，还可以使用加热从而使聚合性液晶材料发生聚合的方法。作为在这种情况下使用的反应性液晶，优选在反应性液晶的N-I转变点以下的条件下，反应性液晶中含有的聚合性液晶单体发生热聚合的反应性液晶。
如上所述，这样地进行得到的固定化液晶层起到作为用于使强铁电性液晶发生取向的取向膜的作用，具有取向控制力。
另外，由于固定化液晶层是通过在反应性液晶用取向膜的作用下使反应性液晶发生取向，例如，照射紫外线，使反应性液晶发生聚合来固定化反应性液晶的取向状态从而得到的，所以具有相位差。
另外，固定化液晶层的厚度可以对应目的各向异性适当地调节，例如可以在1nm～1000nm的范围内设定，优选在3nm～100nm的范围内。这是因为，如果固定化液晶层的厚度过厚，则发生必要以上的各向异性，另外，如果固定化液晶层的厚度过薄，则有时不能得到规定的各向异性。
(iii)第1基材
在本发明中使用的第1基材只要是通常被用作液晶显示元件的基材即可，没有特别限定，例如可以优选举出玻璃板、塑料板等。
(iv)第1电极层
在本发明中使用的第1电极层只要是通常被用作液晶显示元件的电极的电极层即可，没有特别限定，但优选液晶侧基板的第1电极层及对置基板的第2电极层中的至少一方由透明导电体形成。作为透明导电体材料，可以优选举出氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)等。
在利用使用了TFT的有源矩阵方式使在本发明中得到的液晶显示元件驱动的情况下，在液晶侧基板及对置基板中的一方上设置由上述透明导电体形成的全面共用电极，在另一方上将门电极和源电极排列成矩阵状，在被门电极和源电极包围的部分，设置TFT元件及像素电极。
作为第1电极层的形成方法，可以举出化学蒸镀(CVD)法、溅射法、离子镀法、真空蒸镀法等物理蒸镀(PVD)法等。
(2)柱状间隔件形成工序
在本发明中的液晶侧基板配制工序中，也可以在第1取向膜形成工序之前，进行在第1基材上形成柱状间隔件的柱状间隔件形成工序。如后所述，在对置基板配制工序中，进行在第2基材上形成柱状间隔件的柱状间隔件形成工序的情况下，不进行在第1基材上形成柱状间隔件的柱状间隔件形成工序。即，可以在液晶侧基板上形成柱状间隔件，也可以在对置基板上形成柱状间隔件。
作为柱状间隔件的形成材料，可以使用通常在液晶显示元件的柱状间隔件中使用的材料。具体而言，作为柱状间隔件的形成材料，可以举出树脂，其中，优选使用感光性树脂。这是因为，感光性树脂容易形成图案。
作为柱状间隔件的形成方法，只要是能够在规定的位置形成柱状间隔件的方法，则没有特别限定，可以适用通常的图案形成方法，例如可以举出光刻法、喷墨法、网板印刷法等。
柱状间隔件形成多个，优选在规定的位置规则地形成多个柱状间隔件，特别优选以等间隔形成。这是因为，如果多个柱状间隔件的形成位置为无序的，则有时会难以正确地控制强铁电性液晶的涂布量。
柱状间隔件的间距可以为100μm～3mm左右，优选在200μm～1.5mm的范围内，更优选在300μm～1.0mm的范围内。这是因为，如果柱状间隔件的间距比上述范围窄，则可能由于在柱状间隔件附近的强铁电性液晶的取向不良而显示品位降低。还因为，相反，如果柱状间隔件的间距比上述范围宽，则虽然根据液晶显示元件的大小的不同而不同，但有时不能得到需要的耐冲击性或者难以将单元间距保持为一定。此外，柱状间隔件的间距是指从相邻的柱状间隔件的中心部到中心部的距离。
另外，作为柱状间隔件的大小，例如在柱状间隔件为圆柱形状的情况下，底面的直径为1μm～100μm左右，优选为2μm～50μm的范围内，更优选为5μm～20μm的范围内。这是因为，如果柱状间隔件的大小大于上述范围，则成为在像素区域也设置柱状间隔件，而有效像素面积变窄从而有时不能得到良好的图像显示，另外，如果柱状间隔件的大小比上述范围小，则有时难以形成柱状间隔件。
进而，柱状间隔件的高度通常与单元间距为同等程度。
此外，上述柱状间隔件的间距、大小及高度可以通过使用扫描型电子显微镜(SEM)观察隔壁的截面来测定。
作为柱状间隔件的形状，例如可以举出圆柱形状、角柱形状、截头锥体形状等。
另外，作为柱状间隔件的形成位置，没有特别限定，但优选在非像素区域形成柱状间隔件。这是因为，由于在柱状间隔件附近容易发生强铁电性液晶的取向不良，所以优选在对图像显示没有影响的非像素区域形成柱状间隔件。例如在液晶侧基板为TFT基板的情况下，可以在形成为矩阵状的门电极及源电极上配置间隔件。
作为柱状间隔件的数目，只要是多个即可，没有特别限定，可以根据液晶显示元件的大小适当地选择。
柱状间隔件形成工序只要在第1取向膜形成工序前进行即可，可以在第1基材上形成柱状间隔件，也可以在第1电极层上形成柱状间隔件。即，可以在第1基材上依次形成柱状间隔件及第1电极层，也可以依次形成第1电极层及柱状间隔件。
(3)直线状隔壁形成工序
在本发明中的液晶侧基板配制工序中，优选在第1取向膜形成工序之前，进行在第1基材上形成直线状隔壁的直线状隔壁形成工序。这是因为，通过形成直线状隔壁，可以提高耐冲击性。由于SmC*相对外部冲击非常弱，所以耐冲击性高的在使用强铁电性液晶的液晶显示元件中是很有用的。
在液晶侧基板配制工序中进行直线状隔壁形成工序的情况下，在上述第1取向膜形成工序中，相对直线状隔壁的长径方向大致垂直或大致平行地对第1取向膜形成用层实施取向处理，在后述的液晶涂布工序中，相对直线状隔壁的长径方向大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状。通过使直线状隔壁的长径方向与第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向成为这样的关系，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状，从而可以提高强铁电性液晶的取向性从而抑制取向缺陷的发生。
例如，如图8(a)所示，在直线状隔壁8a的长径方向m与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度大致垂直的情况下，通过相对直线状隔壁8a的长径方向m大致平行地将强铁电性液晶5涂布成直线状，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致垂直地将强铁电性液晶5涂布成直线状，即，可以使强铁电性液晶的涂布方向n与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度成为大致垂直。
另外，例如，如图8(b)所示，在直线状隔壁8a的长径方向m与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度大致平行的情况下，通过相对直线状隔壁8a的长径方向m大致平行地将强铁电性液晶5涂布成直线状，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致平行地将强铁电性液晶5涂布成直线状，即，可以使强铁电性液晶的涂布方向n与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度大致平行。
此外，如果相对直线状隔壁的长径方向大致垂直或大致平行地实施取向处理，则直线状隔壁的长径方向与第1取向膜形成工序中的取向处理方向所成的角度为90°±5°的范围，该角度优选为90°±2°的范围。另外，直线状隔壁的长径方向与第1取向膜形成工序中的取向处理方向所成的角度大致平行是指，直线状隔壁的长径方向与第1取向膜形成工序中的取向处理方向所成的角度为0°±5°的范围，该角度优选为0°±2°的范围。
作为直线状隔壁的形成材料，可以使用通常在液晶显示元件的隔壁中使用的材料。具体而言，作为直线状隔壁的形成材料，可以举出树脂，其中，可以优选使用感光性树脂。这是因为，感光性树脂容易使其形成图案。
作为直线状隔壁的形成方法，只要是可以在规定的位置形成直线状隔壁的方法即可，没有特别限定，可以适用通常的图案形成方法，例如可以举出光刻法、喷墨法、网板印刷法等。
直线状隔壁形成多个，优选在规定的位置规则地形成多个直线状隔壁，特别优选大致平行地以等间隔形成。这是因为，如果多个直线状隔壁的形成位置为无序的，则有时会难以正确地控制强铁电性液晶的涂布量。
另外，作为直线状隔壁的形成位置，没有特别限定，优选在非像素区域形成直线状隔壁。这是因为，由于在直线状隔壁附近容易发生强铁电性液晶的取向不良，所以优选在对图像显示没有影响的非像素区域形成直线状隔壁。例如在液晶侧基板为TFT基板的情况下，可以在形成为矩阵状的门电极及源电极上配置直线状隔壁。
直线状隔壁的间距可以为1mm～10mm左右，优选在1.0mm～5.0mm的范围内，更优选在2.0mm～3.0mm的范围内。这是因为，如果直线状隔壁的间距比上述范围窄，则可能由于在直线状隔壁附近的强铁电性液晶的取向不良而显示品位降低。还因为，相反，如果直线状隔壁的间距比上述范围宽，则虽然根据液晶显示元件的大小的不同而不同，但有时不能得到需要的耐冲击性或者难以将单元间距保持为一定。此外，直线状隔壁的间距是指从相邻的直线状隔壁的中心部到中心部的距离。
另外，直线状隔壁的宽度为1μm～50μm左右，优选为2μm～30μm的范围内，更优选为5μm～20μm的范围内。这是因为，如果直线状隔壁的宽度大于上述范围，则成为在像素区域也设置直线状隔壁，而有效像素面积变窄从而有时不能得到良好的图像显示，另外，如果直线状隔壁的宽度比上述范围小，则有时难以形成直线状隔壁。
进而，直线状隔壁的高度通常与单元间距为同等程度。
此外，上述直线状隔壁的间距、宽度及高度可以通过使用扫描型电子显微镜(SEM)观察直线状隔壁的截面来测定。
作为直线状隔壁的数目，只要是多个即可，没有特别限定，可以根据液晶显示元件的大小适当地选择。
直线状隔壁形成工序只要在第1取向膜形成工序前进行即可，可以在第1基材上形成直线状隔壁，也可以在第1电极层上形成直线状隔壁。即，可以在第1基材上依次形成直线状隔壁及第1电极层，也可以依次形成第1电极层及直线状隔壁。
此外，如后所述，在对置基板配制工序中，进行在第2基材上形成直线状隔壁的直线状隔壁形成工序的情况下，不进行在第1基材上形成直线状隔壁的直线状隔壁形成工序。即，可以在液晶侧基板上形成直线状隔壁，也可以在对置基板上形成直线状隔壁。
(4)框状隔壁形成工序
在本发明中的液晶侧基板配制工序中，也可以在第1取向膜形成工序前，进行在第1基材上形成框状隔壁的框状隔壁形成工序。这是因为，如图8(a)及(b)所例示，通过在第1基材2的周缘部形成框状隔壁8b，在框状隔壁8b的外周涂布密封材料6的情况下，可以防止强铁电性液晶5与未固化状态的密封材料6接触，从而避免密封材料中的杂质等的混入引起的强铁电性液晶的特性劣化。
如后所述，在对置基板配制工序中，进行在第2基材上形成框状隔壁的框状隔壁形成工序的情况下，不进行在第1基材上形成框状隔壁的框状隔壁形成工序。即，可以在液晶侧基板上形成框状隔壁，也可以在对置基板上形成框状隔壁。
此外，对于框状隔壁的形成材料、形成方法及形成位置等而言，分别与在上述直线状隔壁形成工序中记载的直线状隔壁的形成材料、形成方法及形成位置等相同，所以在此省略对其说明。
框状隔壁的宽度只要是可以防止强铁电性液晶与未固化状态的密封材料的接触的宽度即可，具体而言，为10μm～3mm左右，优选为10μm～1mm的范围内，更优选为10μm～500μm的范围内。这是因为，如果框状隔壁的宽度大于上述范围，则成为在像素区域也设置框状隔壁，而有效像素面积变窄从而有时不能得到良好的图像显示，另外，如果框状隔壁的宽度比上述范围小，则有时难以形成框状隔壁。
另外，框状隔壁的高度通常与单元间距为同等程度。
此外，上述框状隔壁的宽度及高度可以通过使用扫描型电子显微镜(SEM)观察框状隔壁的截面来测定。
框状隔壁形成工序只要在第1取向膜形成工序前进行即可，可以在第1基材上形成框状隔壁，也可以在第1电极层上形成框状隔壁。即，可以在第1基材上依次形成框状隔壁及第1电极层，也可以依次形成第1电极层及框状隔壁。
(5)着色层形成工序
在本发明中的液晶侧基板配制工序中，也可以在第1取向膜形成工序前，进行在第1基材上形成着色层的着色层形成工序。如后所述，在对置基板配制工序中进行在第2基材上形成着色层的着色层形成工序的情况下，不进行在第1基材上形成着色层的着色层形成工序。即，可以在液晶侧基板上形成着色层，也可以在对置基板上形成着色层。
在形成了着色层的情况下，可以得到能够利用着色层实现彩色显示的滤色片方式的液晶显示元件。
作为着色层的形成方法，可以适用在形成通常的滤色片中的着色层的方法，例如可以使用颜料分散法(彩色抗蚀剂(color resist)法、蚀刻法)、印刷法、喷墨法等。
2.对置基板配制工序
本发明中的对置基板配制工序是具有如下所述的第2取向膜形成工序，配制在所述第2基材上依次层叠有所述第2电极层及所述第2取向膜的对置基板的工序，所述第2取向膜形成工序是在形成有第2电极层的第2基材上，形成第2取向膜形成用层，对所述第2取向膜形成用层实施取向处理，从而形成第2取向膜的第2取向膜形成工序，。
在对置基板配制工序中，在第2取向膜形成工序之前，可以进行在第2基材上形成柱状间隔件的柱状间隔件形成工序，也可以进行在第2基材上形成直线状隔壁的直线状隔壁形成工序，也可以进行在第2基材上形成框状隔壁的框状隔壁形成工序，也可以进行在第2基材上形成着色层的着色层形成工序，
此外，对于第2取向膜形成工序、柱状间隔件形成工序、直线状隔壁形成工序、框状隔壁形成工序及着色层形成工序而言，分别与上述液晶侧基板配制工序中的第1取向膜形成工序、柱状间隔件形成工序、直线状隔壁形成工序、框状隔壁形成工序及着色层形成工序相同，所以在此省略对其说明。
以下对第1取向膜及第2取向膜的构成材料的组成进行说明。
(1)第1取向膜及第2取向膜的构成材料的组成
作为在第1取向膜及第2取向膜中使用的材料的组合，没有特别限定，但优选第1取向膜及第2取向膜的构成材料夹持强铁电性液晶，具有彼此不同的组成。通过使用具有彼此不同的组成的材料来形成第1取向膜及第2取向膜，可以对应各自的材料而使第1取向膜表面及第2取向膜表面的极性不同。这是因为，这样，强铁电性液晶与第1取向膜的极性表面相互作用及强铁电性液晶与第2取向膜的极性表面相互作用变得不同，所以通过考虑第1取向膜及第2取向膜的表面极性来适当地选择材料，可以抑制锯齿状缺陷、发夹式缺陷、双域等取向缺陷的发生。尤其可以有效地抑制双域的发生，从而可以得到单域取向。
为了使第1取向膜及第2取向膜的构成材料的组成不同，例如只要使一方为光取向膜、另一方为摩擦膜，或者使一方为反应性液晶用取向膜与固定化液晶层层叠而成的膜，使另一方为光取向膜或摩擦膜即可。另外，还可以通过使双方为摩擦膜，且使摩擦膜的构成材料的组成不同，或者，使双方为光取向膜，且使光取向膜的构成材料的组成不同，或者，使双方为反应性液晶用取向膜与固定化液晶层层叠而成的膜，且使固定化液晶层的构成材料的组成不同，来使第1取向膜及第2取向膜的构成材料的组成不同。
另外，在第1取向膜及第2取向膜为光取向膜的情况下，例如可以通过使一方的光取向膜使用光异构化型材料，另一方的光取向膜使用光反应型材料，来使光取向膜的构成材料的组成不同。
进而，在第1取向膜及第2取向膜为使用光异构化型材料的光取向膜的情况下，可以通过从上述的光异构化反应性化合物中根据要求特性来选择各种顺式一反式异构化反应性骨架或取代基，来使光取向膜的构成材料的组成不同。进而，还可以通过改变上述的添加剂的添加量来改变组成。
另外，进而在第1取向膜及第2取向膜为使用光反应型材料的光取向膜的情况下，可以通过选择各种上述的光二聚化反应性化合物例如光二聚化反应性聚合物，来使光取向膜的构成材料的组成不同。进而，还可以通过改变上述的添加剂的添加量来改变组成。
作为在第1取向膜及第2取向膜中使用的材料的组合，在上述中，优选使一方为反应性液晶用取向膜与固定化液晶层层叠而成的膜，另一方为光取向膜或摩擦膜，或者，使一方为使用光二聚化型材料的光取向膜，使另一方为使用光异构化型材料的光取向膜，或者，使一方为使用光二聚化型材料的光取向膜，使另一方为摩擦膜，或者，使一方为使用光异构化型材料的光取向膜或摩擦膜，使另一方为摩擦膜。固定化液晶层的趋势在于，与光取向膜或摩擦膜相比，正的极性相对强。因此，在该组合的情况下，趋势在于，在极性表面相互作用的作用下，强铁电性液晶的自发极化的负极朝向固定化液晶层侧。另外，使用光二聚化型材料的光取向膜的趋势在于，与使用光异构化型材料的光取向膜相比，正的极性相对强，所以在该组合的情况下，趋势在于，在极性表面相互作用的作用下，强铁电性液晶的自发极化的负极朝向使用光二聚化型材料的光取向膜侧。进而，使用光二聚化型材料的光取向膜的趋势在于，与摩擦膜相比，正的极性相对强，所以趋势在于，在极性表面相互作用的作用下，强铁电性液晶的自发极化的负极朝向使用光二聚化型材料的光取向膜侧。另外，摩擦膜与使用光异构化型材料的光取向膜相比，正的极性相对强，所以趋势在于，在极性表面相互作用的作用下，强铁电性液晶的自发极化的负极朝向摩擦膜侧。在这样的组合的情况下，可以抑制强铁电性液晶的自发极化的朝向，从而可以有效地抑制取向缺陷的发生。
尤其优选使第1取向膜为反应性液晶用取向膜与固定化液晶层层叠而成的膜，使第2取向膜为光取向膜或摩擦膜，或者，使第1取向膜为使用光二聚化型材料的光取向膜，使第2取向膜为使用光异构化型材料的光取向膜，或者，使第1取向膜为使用光二聚化型材料的光取向膜，使第2取向膜为摩擦膜，或者，使第1取向膜为摩擦膜，使第2取向膜为使用光异构化型材料的光取向膜。在本发明中，在液晶侧基板的第1取向膜上涂布强铁电性液晶来制作液晶显示元件，但在得到的液晶显示元件中，存在强铁电性液晶的自发极化的负极朝向涂布了强铁电性液晶的液晶侧基板侧的趋势。另外，如上所述，固定化液晶层存在的趋势在于，与光取向膜或摩擦膜相比，正的极性相对强，使用光二聚化型材料的光取向膜存在的趋势在于，与使用光异构化型材料的光取向膜相比，正的极性相对强，使用光二聚化型材料的光取向膜存在的趋势在于，与摩擦膜相比，正的极性相对强，摩擦膜存在的趋势在于，与使用光异构化型材料的光取向膜相比，正的极性相对强。因此，为了有效地抑制取向缺陷，优选使在第1取向膜及第2取向膜中使用的材料的组合成为上述组合。
3.液晶涂布工序
本发明中的液晶涂布工序是在上述液晶侧基板的第1取向膜上，相对上述第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状的工序。
以下对在本发明中使用的强铁电性液晶及强铁电性液晶的涂布方法进行说明。
(1)强铁电性液晶
在本发明中使用的强铁电性液晶只要是显现手性碟状液晶C(SmC*)相的液晶即可，没有特别限定。例如可以举出，相系列在降温过程中进行向列相(N)-胆甾醇相(Ch)-手性碟状液晶C相(SmC*)的相变化的强铁电性液晶，进行向列相(N)-手性碟状液晶C相(SmC*)的相变化的强铁电性液晶，进行向列相(N)-碟状液晶A相(SmA)-手性碟状液晶C相(SmC*)的相变化的强铁电性液晶，进行向列相(N)-胆甾醇相(Ch)-碟状液晶A相(SmA)-手性碟状液晶C相(SmC*)的相变化的强铁电性液晶等。
通常，具有经由如图2下段所例示的SmA相的相系列的强铁电性液晶具有在相变化的过程中碟状液晶层的层间隔收缩从而为了补偿其体积变化而碟状液晶层发生弯曲的人字纹结构，形成根据该弯曲方向不同而液晶分子的长轴方向不同的域，在其边界面上容易发生被称为锯齿形缺陷或发夹式缺陷的取向缺陷。另外，通常，具有不经由如图2上段所例示的SmA相的相系列的强铁电性液晶容易发生层法线方向不同的两个区域(双域)。在本发明中，通过相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶，可以抑制这样的取向缺陷的发生。
在上述中，在本发明中使用的强铁电性液晶优选不经由SmA相。这是因为，如上所述，不经由SmA相的强铁电性液晶容易发生双域等取向缺陷，但通过相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶，可以抑制双域等取向缺陷的发生。
在利用场序彩色(field sequential color)方式使本发明的液晶显示元件驱动的情况下，优选使用示出单稳态性的液晶材料。这是因为，通过使用示出单稳态性的液晶材料，利用使用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵方式进行驱动成为可能，另外，利用电压调制进行灰度控制成为可能，从而可以实现高精细、高品位的显示。
如图9所例示，强铁电性液晶的液晶分子15从层法线z倾斜，沿着具有与层法线z垂直的底面的圆锥(cone)的棱线进行旋转。在这样的圆锥(cone)中，将液晶分子15的相对层法线z的倾斜角作为倾(tilt)角θ。
其中，“示出单稳态性”是指无外加电压时的强铁电性液晶的状态在1个状态下稳定化的状态。如果具体地说明，则如图9所示，液晶分子15可以在相对层法线z倾斜倾角±θ的2个状态间在圆锥上进行动作，但在无外加电压时，液晶分子15在上述圆锥上的任意一个状态下稳定化的状态。
在示出单稳态性的液晶材料中，特别优选示出例如如图10左下所示的液晶分子只在外加正负任意电压时进行动作的半V型切换(half-Vshaped switching)(以下称为HV字型切换)特性的液晶材料。这是因为，通过使用这样的示出HV字型切换特性的强铁电性液晶，可以使作为白黑快门(shutter)的开口时间足够长，这样，可以更明亮地显示可在时间上转换的各颜色，从而可以实现进行明亮的彩色显示的液晶显示元件。
其中，“HV字型切换特性”是指相对外加电压的光透射率为非对称的电光学特性。
作为这样的强铁电性液晶，可以从通常已知的液晶材料中对应要求特性进行各种选择。
尤其从Ch相没有经由SmA相而显现SmC*相的液晶材料很适于作为示出HV字型切换特性的液晶材料。具体而言，可以举出AZ ElectronicMaterials公司制“R2301”。
另外，作为经由SmA相的液晶材料，从选择材料的范围宽的角度出发，优选从Ch相经由SmA相而显现SmC*相的液晶材料。这种情况下，也可以使用示出SmC*相的单一的液晶材料，但从为低粘度、可以实现更快的响应性出发，优选通过在为低粘度且容易示出SmC相的无手性(nonchiral)的液晶(以下有时称为主液晶)中少量添加其自身不示出SmC相但诱发大的自发极化和适当的螺旋间距的旋光性物质，从而示出如上所述的相系列的液晶材料。
作为上述主液晶，优选在宽的温度范围内示出SmC相的材料，只要是通常已知作为强铁电性液晶的主液晶的材料即可，可以没有特别限定地使用。例如，可以使用由下述通式：
Ra-Q1-X1-(Q2-Y1)m-Q3-Rb
(式中，Ra及Rb分别为直链状或分支状的烷基、烷氧基、烷氧羰基、烷酰氧基或烷氧羰氧基，Q1、Q2及Q3分别为1，4-亚苯基、1，4-环亚己基、吡啶-2，5-二基、吡嗪-2，5-二基、哒嗪-3，6-二基、1，3-二噁烷-2，5-二基，这些基团也可以具有卤原子、羟基、氰基等取代基，X1及Y1分别为-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-C≡C-或单键，m为0或1。)表示的化合物。作为主液晶，可以单独使用1种或组合使用2种以上上述化合物。
作为在上述主液晶中添加的旋光性物质，只要是自发极化大、具有诱发适当的螺旋间距的能力的材料即可，没有特别限定，可以使用通常已知作为在示出SmC相的液晶组合物中添加的材料的材料。尤其优选可以以少量的添加量诱发大的自发极化的材料。作为这样的旋光性物质，例如可以使用由下述通式：
Rc-Q1-Za-Q2-Zb-Q3-Zc-Rd
(式中，Q1、Q2、Q3表示与上述同式相同的意思，Za、Zb及Zc表示-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-C≡C-、-CH＝N-、-N＝N-、-N(→O)＝N-、-C(＝O)S-或单键，Rc为可具有不对称碳原子的直链状或分支状的烷基、烷氧基、烷氧羰基、烷酰氧基或烷氧羰氧基，Rd为具有不对称碳原子的直链状或分支状的烷基、烷氧基、烷氧羰基、烷酰氧基或烷氧羰氧基，Rc及Rd也可以被卤原子、氰基、羟基取代。)表示的化合物。作为旋光性物质，可以单独使用1种或组合使用2种以上上述化合物。
作为经由SmA相的强铁电性液晶，可以具体举出AZ ElectronicMaterials公司制“FELIXM4851-100”等。
可以在强铁电性液晶中对应液晶显示元件要求的功能添加具备任意功能的化合物。作为该化合物，可以举出聚合性单体。这是因为，通过在强铁电性液晶中添加聚合性单体，在基板贴合工序之后，使该聚合性单体发生聚合，而强铁电性液晶的排列被所谓的“高分子稳定化”，从而可以得到出色的取向稳定性。
作为聚合性单体，只要是在聚合反应下产生聚合物的化合物即可，没有特别限定，可以举出利用加热处理发生聚合反应的热固化性树脂单体以及在活性放射线的照射下发生聚合反应的活性放射线固化性树脂单体。其中，优选使用活性放射线固化性树脂单体。在使用热固化性树脂单体的情况下，由于为了使聚合反应发生而必需加温处理，所以可能会由于这样的加温处理而破坏强铁电性液晶的规则的排列或者诱发相转换。还因为，另一方面，在使用活性放射线固化性树脂单体的情况下，没有这样的担心，由于发生聚合反应而妨碍强铁电性液晶的排列的情况少。
作为活性放射线固化性树脂单体，可以举出在电子射线的照射下发生聚合反应的电子射线固化性树脂单体以及在光照射下发生聚合反应的光固化性树脂单体。其中，优选使用光固化性树脂单体。这是因为，通过使用光固化性树脂单体，可以简化制造工序。
作为光固化性树脂单体，只要是通过照射波长为150nm～500的范围内的光来发生聚合反应的树脂单体即可，没有特别限定。其中，优选使用通过照射波长在250nm～450nm的范围内、尤其在300nm～400nm的范围内的光来发生聚合反应的紫外线固化性树脂单体。这是因为，在照射装置的容易性等方面有优势。
紫外线固化性树脂单体具有的聚合性官能团只要在上述波长区域的紫外线照射下发生聚合反应即可，没有特别限定。尤其优选使用具有丙烯酸酯基的紫外线固化型树脂单体。
另外，紫外线固化性树脂单体可以为在一分子中具有一个聚合性官能团的单官能性单体，另外，也可以为在一分子中具有两个以上聚合性官能团的多官能性单体。其中，优选使用多官能性单体。通过使用多官能性单体，可以形成更强的聚合物网络(network)，所以可以强化分子间力及取向膜界面的聚合物网络。这样，可以抑制温度变化引起的强铁电性液晶的排列的紊乱。
在多官能性单体中，优选使用在分子的两末端具有聚合性官能团的2官能性单体。这是因为，通过在分子的两端具有聚合性官能团，可以形成聚合物之间的间隔宽的聚合物网络，从而可以防止通过含有聚合性单体的聚合物引起的强铁电性液晶的驱动电压的降低。
另外，在紫外线固化性树脂单体中，优选使用显现液晶性的紫外线固化性液晶单体。这样的紫外线固化性液晶单体的优选理由如下所述。即，由于紫外线固化性液晶单体示出液晶性，所以可以在取向膜的取向控制力的作用下规则地排列。因此，通过在使紫外线固化性液晶单体规则地排列之后发生聚合反应，可以在维持规则的排列状态不变的前提下进行固定化。由于存在具有这样的规则的排列状态的聚合物，所以可以提高强铁电性液晶的取向稳定性，从而可以得到出色的耐热性及耐冲击性。
作为紫外线固化性液晶单体示出的液晶相，没有特别限定，例如可以举出N相、SmA相、SmC相。
作为在本发明中使用的紫外线固化性液晶单体，例如可以举出下述式(20)、(21)、(25)所示的化合物。
[化14]
Figure G2007800420631D00481
在上述式(20)、(21)中，A、B、D、E及F表示苯、环己烷或嘧啶，它们也可以具有卤素等取代基。另外，A及B或者D及E也可以借助乙炔基、亚甲基、酯基等结合基结合。M1及M2可以为氢原子、碳原子数3～9的烷基、碳原子数3～9的烷氧羰基、或氰基的任意一种。进而，分子链末端的丙烯酰氧基与A或D也可以借助碳原子数3～6的亚烷基等结合基结合。
另外，在上述式(25)中，Y表示氢、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烯基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数1～20的烷氧羰基、甲酰基、碳原子数1～20的烷基羰基、碳原子数1～20的烷基羰氧基、卤素、氰基或硝基。
在上述中，作为优选使用的化合物，可以例示下述式的化合物。
[化15]
Figure G2007800420631D00501
[化16]
Figure G2007800420631D00511
[化17]
Figure G2007800420631D00521
另外，上述聚合性单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。在使用2种以上不同的聚合性单体的情况下，例如可以使用由上述式表示的紫外线固化性液晶单体与其他紫外线固化性树脂单体。
在使用紫外线固化性液晶单体作为聚合性单体的情况下，作为可以通过使聚合性单体聚合得到的聚合物，可以为通过在主链上具有示出液晶性的原子团而主链示出液晶性的主链液晶型聚合物，也可以为通过在侧链上具有示出液晶性的原子团而侧链示出液晶性的侧链液晶型聚合物。其中，优选聚合性单体的聚合物为侧链液晶型聚合物。这是因为，通过在侧链上存在示出液晶性的原子团，从而该原子团的自由度变高，所以示出液晶性的原子团变得容易取向。另外，还因为，结果可以提高强铁电性液晶的取向稳定性。
作为聚合性单体的添加量，只要在能够使强铁电性液晶的取向稳定性在需要的程度的范围内即可，没有特别限定，但优选相对强铁电性液晶及聚合性单体的全部质量，为0.5质量％～30质量％的范围内，更优选为1质量％～20质量％的范围内，进而优选为1质量％～10质量％的范围内。这是因为，如果聚合性单体的添加量多于上述范围，则有时强铁电性液晶的驱动电压增加或者响应速度降低。另外，还因为，如果聚合性单体的添加量比上述范围少，则强铁电性液晶的取向稳定性变得不充分，耐热性或耐冲击性可能会降低。
(2)强铁电性液晶的涂布方法
在本发明中，在液晶侧基板的第1取向膜上，相对上述第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状。
其中，“相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直地将强铁电性液晶涂布成直线状”是指第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)所成的角度为90°±5°的范围，该角度优选为90°±2°的范围。另外，“相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状”是指第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)所成的角度为0°±5°的范围，该角度优选为0°±2°的范围。
其中，在本发明中，优选在液晶侧基板的第1取向膜上，相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直地将强铁电性液晶涂布成直线状。
另外，在本发明中，在上述液晶侧基板配制工序中进行直线状隔壁形成工序的情况下，如图8(a)、(b)所例示，利用液晶涂布工序，在相邻的直线状隔壁8a间，相对直线状隔壁8a的长径方向m大致平行地将强铁电性液晶5涂布成多条直线状。这是因为，通过这样地涂布强铁电性液晶，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地涂布强铁电性液晶，从而可以有效地抑制取向缺陷的发生。
例如，如图8(a)所示，在直线状隔壁8a的长径方向m与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度大致平行、直线状隔壁8a的长径方向m与强铁电性液晶的涂布方向n所成的角度大致平行的情况下，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致垂直地将强铁电性液晶5涂布成直线状。
另外，例如，如图8(b)所示，在直线状隔壁8a的长径方向m与第1取向膜形成工序中的取向处理方向d所成的角度大致平行、直线状隔壁8a的长径方向m与强铁电性液晶的涂布方向n所成的角度大致平行的情况下，可以相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向d大致平行地将强铁电性液晶5涂布成直线状。
另外，通过在相邻的直线状隔壁间，以一定的间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状，如上所述，强铁电性液晶流动的方向受到限制，所以与将强铁电性液晶涂布成点状的情况等相比，可以缩短强铁电性液晶流动的距离，另外还可以减小强铁电性液晶润湿扩张的面积。这样，可以抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上发生取向紊乱。
此外，相对直线状隔壁的长径方向大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状是指第1取向膜形成工序中的取向处理方向与强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)所成的角度为0°±5°的范围，该角度优选为0°±2°的范围。
在液晶侧基板的第1取向膜上涂布强铁电性液晶时，可以加温强铁电性液晶，也可以不加温。该强铁电性液晶的温度可以根据后述的强铁电性液晶的涂布方法适当地选择。
例如，在使用喷出法作为强铁电性液晶的涂布方法的情况下，优选将强铁电性液晶加温至该强铁电性液晶示出各向同性相或向列相的温度，尤其优选加温至强铁电性液晶示出各向同性相的温度。这是因为，如果不加温强铁电性液晶，则强铁电性液晶的粘度会过高，堵塞喷嘴，从而稳定地喷出强铁电性液晶变得非常困难。
在上述情况下，作为强铁电性液晶的温度，设定成强铁电性液晶示出各向同性相或向列相的温度。作为具体的温度，根据强铁电性液晶的种类不同而不同，可以适当地选择。此外，强铁电性液晶的温度的上限为强铁电性液晶不会发生劣化的温度。通常，强铁电性液晶的温度被设定成向列相-各向同性相转变温度附近，或者，比向列相-各向同性相转变温度高0℃～10℃。
另外，在使用喷出法作为强铁电性液晶的涂布方法的情况下，优选将强铁电性液晶加温至强铁电性液晶的粘度为30mPa·s以下、其中优选10mPa·s～20mPa·s的范围内。这是因为，如果强铁电性液晶的粘度过高，则会堵塞喷嘴，从而稳定地喷出强铁电性液晶变得非常困难。
另一方面，在使用涂敷法或印刷法作为强铁电性液晶的涂布方法的情况下，优选不加温强铁电性液晶。在使用涂敷法或印刷法的情况下，为了提高涂敷性，优选使用用溶剂稀释强铁电性液晶而成的强铁电性液晶溶液。这是因为，如果加温强铁电性液晶溶液，则强铁电性液晶溶液中的溶剂会挥发，从而涂布强铁电性液晶变得非常困难。
另外，在液晶侧基板的第1取向膜上涂布强铁电性液晶时，可以加热液晶侧基板，也可以不加热。该液晶侧基板的温度可以根据强铁电性液晶的涂布方法适当地选择。
例如，在使用喷出法作为强铁电性液晶的涂布方法的情况下，可以加热液晶侧基板，也可以不加热。
在加热液晶侧基板的情况下，作为该液晶侧基板的温度，优选设定成强铁电性液晶示出各向同性相或向列相的温度，尤其优选设定成强铁电性液晶示出各向同性相的温度。作为具体的温度，根据强铁电性液晶的种类不同而不同，可以适当地选择。此外，液晶侧基板的温度的上限为强铁电性液晶不会发生劣化的温度。通常，液晶侧基板的温度被设定成向列相-各向同性相转变温度附近，或者，比向列相-各向同性相转变温度高5℃～10℃。
在加热液晶侧基板的情况下，在液晶侧基板涂布的强铁电性液晶在被涂布的同时开始流动。
另一方面，在使用涂敷法或印刷法作为强铁电性液晶的涂布方法的情况下，优选不加热液晶侧基板。这是因为，如果加热液晶侧基板，则涂布的强铁电性液晶溶液中的溶剂会挥发，从而强铁电性液晶的取向可能会紊乱。
作为在强铁电性液晶溶液中使用的溶剂，只要是能够使上述强铁电性液晶等溶解或分散的溶剂即可，没有特别限定，例如可以使用二氯甲烷、氯仿、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、丙酮、甲基乙基甲酮、乙酸乙酯等。这些溶剂可以单独使用，也可以混合使用2种以上。
另外，作为强铁电性液晶溶液中的强铁电性液晶的浓度，可以对应涂布方法、需要的膜厚等适当地选择。
在本发明中，只要相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状即可，其中，在涂布成直线状的强铁电性液晶在第1取向膜上流动时，优选以在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上不发生取向紊乱的间隔，将强铁电性液晶涂布成多条直线状。在强铁电性液晶在第1取向膜上以各向同性相的状态流动时，如果强铁电性液晶的流动距离过长或者强铁电性液晶润湿扩张的面积过大，则在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上有可能会发生取向紊乱。
进而，优选规则地将强铁电性液晶涂布成多条直线状，尤其优选以等间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状。这是因为，如果强铁电性液晶的涂布位置为无序的，则在液晶侧基板及对置基板间，有可能会产生没有填充强铁电性液晶的部分。
具体而言，优选以3mm以下的间隔，将强铁电性液晶涂布成多条直线状。上述间隔根据强铁电性液晶的种类或涂布方法等不同而不同，但进而优选为0.5mm～2mm的范围内。这是因为，通过以这样的间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状，可以有效地抑制在流动的强铁电性液晶之间接触的界面的取向紊乱。
作为强铁电性液晶的涂布方法，只要是能够相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行地将强铁电性液晶涂布成直线状，而且，能够涂布可以封入的规定量的方法即可，没有特别限定。其中，在涂布成直线状的强铁电性液晶在第1取向膜上流动时，优选能够以在流动的强铁电性液晶之间接触的界面上没有发生取向紊乱的间隔，将强铁电性液晶涂布成多条直线状的方法。
作为这样的涂布方法，例如可以举出喷墨法或调合器法等喷出法、棒涂法或缝口模头涂敷法等涂敷法、凸版印刷法、凹版印刷法、平板印刷法、网板印刷法等印刷法等。其中，优选喷出法，特别优选喷墨法。这是因为，通过使用喷墨法，可以将强铁电性液晶涂布成连点状而且以规定间隔涂布成直线状，所以可以将强铁电性液晶涂布成流动距离变短，可以有效地抑制在涂布后流动的强铁电性液晶之间接触的界面的取向紊乱。另外，还优选网板印刷法。这是因为，通过使用网板印刷法，与喷墨法相同，可以以规定的间隔将强铁电性液晶涂布成直线状，所以可以将强铁电性液晶涂布成流动距离变短，可以有效地抑制在涂布后流动的强铁电性液晶之间接触的界面的取向紊乱。
在使用喷墨法的情况下，喷出的强铁电性液晶的液滴量优选每1次的喷出为1pl(皮升)～1000pl的范围内，更优选2pl～200pl的范围内，进而优选10pl～100pl的范围内。这是因为，如果液滴量多于上述范围，则强铁电性液晶的流动距离变长，润湿扩张面积变大，所以有可能会发生取向紊乱。另外，如果液滴量少于上述范围，则强铁电性液晶的涂布所需要的时间变得非常长。此外，过去在基板上喷出强铁电性液晶的情况下，喷出的强铁电性液晶的液滴量为每1次喷出10ng左右，所以可知，上述范围是较少的液滴量。
另外，作为涂布强铁电性液晶的位置，只要涂布了可以封入强铁电性液晶的规定量即可，没有特别限定。
4.基板贴合工序
本发明中的基板贴合工序是使所述涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板及所述对置基板，以所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向及所述第2取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行的方式相对并进行贴合的工序。
在贴合液晶侧基板及对置基板之前，在液晶侧基板或对置基板的至少任意一方的周缘部涂布密封材料。如图5所例示，通常密封材料6被涂布成框状，使得包围涂布了强铁电性液晶5的区域的外周。另外，如图8(a)及(b)所例示，在设置了框状隔壁8b的情况下，将密封材料6涂布成包围框状隔壁8b的外周。
另外，在液晶侧基板上涂布密封材料的情况下，可以在第1基材上涂布密封材料，也可以在第1取向膜上涂布。在第1基材上涂布密封材料的情况下，可以提高液晶侧基板及对置基板的附着力。在第1基材上涂布密封材料的情况下，为了不在第1基材的周缘部形成第1取向膜，将第1取向膜形成为图案状。另一方面，在对置基板上涂布密封材料的情况下，可以在第2基材上涂布密封材料，也可以在第2取向膜上涂布。
密封材料在与柱状间隔件或直线状隔壁的关系中，可以在形成了柱状间隔件或直线状隔壁的基板上涂布，也可以在没有形成柱状间隔件或直线状隔壁的基板上涂布，也可以在双方的基板上涂布。另外，密封材料在与强铁电性液晶的关系中，可以在涂布了强铁电性液晶的液晶侧基板上涂布，也可以在没有涂布强铁电性液晶的对置基板上涂布，也可以在双方的基板上涂布。无论在何种情况下，在使液晶侧基板及对置基板叠加时，均将密封材料涂布成用密封材料包围涂布了强铁电性液晶的区域的外周。
另外，在液晶侧基板上涂布密封材料的情况下，可以在液晶侧基板上涂布强铁电性液晶之前涂布密封材料，也可以在液晶侧基板上涂布强铁电性液晶之后涂布密封材料。
作为密封材料，可以使用通常在液晶显示元件中使用的密封材料，例如可以举出热固化性树脂及紫外线固化性树脂。
作为密封材料的涂布方法，只要是能够在规定的位置上涂布密封材料的方法即可，没有特别限定，例如可以举出调合器法、网板印刷法等。
在这样地涂布密封材料之后，使液晶侧基板及对置基板叠加。在使液晶侧基板及对置基板叠加时，以第1取向膜形成工序中的取向处理方向及第2取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行的方式，使液晶侧基板及对置基板相对。
另外，在使液晶侧基板及对置基板叠加时，加热液晶侧基板及对置基板。作为液晶侧基板及对置基板的温度，优选设定成强铁电性液晶示出各向同性相或向列相的温度，其中，优选设定成强铁电性液晶示出各向同性相的温度。作为具体的温度，根据强铁电性液晶的种类不同而不同，可以适当地选择。此外，液晶侧基板及对置基板的温度的上限为强铁电性液晶不会发生劣化的温度。通常，液晶侧基板及对置基板的温度被设定成向列相-各向同性相转变温度附近，或者，比向列相-各向同性相转变温度高5℃～10℃。
另外，优选将液晶侧基板及对置基板加热至强铁电性液晶的粘度为30mPa·s以下、其中优选10mPa·s～20mPa·s的范围内。这是因为，如果强铁电性液晶的粘度过高，则强铁电性液晶会变得难以在第1取向膜上流动。
在利用印刷法在第1取向膜上涂布用溶剂稀释强铁电性液晶而成的强铁电性液晶溶液的情况下，可以在上述的液晶侧基板的加热时除去溶剂。
进而，在使液晶侧基板及对置基板叠加时，优选将腔内排气，充分地对液晶侧基板及对置基板间进行减压。这样，可以防止在液晶单元内残留空隙。
在这样地使液晶侧基板及对置基板相对之后，在减压下使液晶侧基板及对置基板叠加，施加一定的压力，使得单元间距变均一。接着，将腔内恢复至常压，进一步向液晶侧基板及对置基板间施加压力。这样，可以使单元间距更均一。这样地进行，然后借助密封材料，压粘液晶侧基板及对置基板。
在使液晶侧基板及对置基板叠加之后，使密封材料固化，使液晶侧基板及对置基板贴合。
作为密封材料的固化方法，根据使用的密封材料的种类不同而不同，例如可以举出照射紫外线的方法、加热的方法等。此时，通常在保持使液晶侧基板及对置基板叠加时的压力不变的状态下，使密封材料固化。
在使液晶侧基板及对置基板叠加之后，使向液晶侧基板及对置基板间封入的强铁电性液晶取向。具体而言，使强铁电性液晶成为手性碟状液晶C(SmC*)相的状态。如上所述，液晶侧基板及对置基板被加热至规定的温度，这样强铁电性液晶被加温而成为例如向列相或各向同性相的状态，所以可以通过冷却该强铁电性液晶而成为SmC*相的状态。
在冷却已被加温的强铁电性液晶时，通常将强铁电性液晶缓慢冷却至室温。
另外，在向强铁电性液晶添加聚合性单体的情况下，在使强铁电性液晶取向之后，使聚合性单体发生聚合。作为聚合性单体的聚合方法，可以对应聚合性单体的种类适当地选择，例如在使用紫外线固化性树脂单体作为聚合性单体的情况下，可以利用紫外线照射来使聚合性单体发生聚合。
另外，在使聚合性单体发生聚合时，可以向包含强铁电性液晶的液晶层外加电压，也可以不外加电压，但其中优选在不向液晶层外加电压的状态下使聚合性单体发生聚合。
作为包含强铁电性液晶的液晶层的厚度，优选1.2μm～3.0μm的范围内，更优选1.3μm～2.5μm，进而优选1.4μm～2.0μm的范围内。这是因为，如果液晶层的厚度过薄，则对比度可能会降低，相反，如果液晶层的厚度过厚，则强铁电性液晶可能会变得难以取向。上述液晶层的厚度可以利用柱状间隔件、直线状隔壁、框状隔壁等调节。
5.液晶显示元件的驱动方法
作为利用本发明得到的液晶显示元件的驱动方法，可以利用强铁电性液晶的高速响应性，所以适合时间分割1个像素且为了得到良好的动画显示特性而尤其必需高速响应性的场序彩色方式。
另外，液晶显示元件的驱动方法不限定于场序方式，也可以为使用着色层进行彩色显示的滤色片方式。
进而，作为液晶显示元件的驱动方法，优选使用了薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵方式。这是因为，通过采用使用了TFT的有源矩阵方式，可以可靠地点亮、熄灭目的像素，所以实现高品质的显示器成为可能。
图11表示使用了TFT的有源矩阵方式的液晶显示元件的一例。图11所例示的液晶显示元件具有在第1基材2上配置有TFT元件21的TFT基板(液晶侧基板)1；在第2基材12上形成有共用电极(第2电极层)13及第2取向膜14的共用电极基板(对置基板)11。在TFT基板(液晶侧基板)1上形成门电极22x、源电极22y及像素电极(第1电极层)3。门电极22x及源电极22y分别纵横排列，可以通过向门电极22x及源电极22y加信号，使TFT元件21工作，驱动强铁电性液晶。门电极22x及源电极22y交叉的部分虽未图示但被绝缘层绝缘，门电极22x的信号与源电极22y的信号可以独立地进行动作。被门电极22x及源电极22y包围的部分是作为驱动液晶显示元件的最小单位的像素，在各像素上形成有至少1个以上TFT元件21及像素电极(第1电极层)3。接着，可以通过依次向门电极及源电极加信号电压，来使各像素的TFT元件动作。其中，在图11中，液晶层及第1取向膜被省略。
在上述的例子中，液晶侧基板为TFT基板，对置基板为共用电极基板，但不限定于此，也可以是液晶侧基板为共用电极基板，对置基板为TFT基板。
另外，液晶显示元件的驱动方法也可以为分段(segment)方式。
此外，本发明不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有与在本发明的权利要求的范围中记载的技术思想实质上相同的构成、起到同样的作用效果的所有方式均被包括在本发明的技术范围内。
实施例
以下示出实施例及比较例，进一步详细地说明本发明。
[实施例1]
首先，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上旋涂透明抗蚀剂(商品名：NN780、JSR公司制)，减压干燥，在90℃下进行3分钟预烘焙。接着，利用100mJ/cm2的紫外线进行掩模曝光，利用无机碱溶液进行显影，在230℃下进行30分钟后烘焙。这样，形成了高1.5μm的柱状间隔件。
接着，在形成有上述柱状间隔件的基板上，以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-103，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下干燥10分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。进而，在使用了光二聚化型材料的光取向膜上，旋涂聚合性液晶材料(商品名：ROF-5101，RolicTechnologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在55℃下使其干燥3分钟，然后在55℃下曝光无偏振光紫外线1000mJ/cm2。这样，得到液晶侧基板。
接着，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-102，RolicTechnologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下使其干燥15分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。这样，得到对置基板。
接着，在设定成室温(23℃)的单轴载物台上设置液晶侧基板，以约60mm/秒的速度将其移动，并同时使用喷墨装置(Dimatix公司制SE-128)，以约3600Hz的频率，在各向同性相的状态下喷出1秒钟强铁电性液晶(AZ Electronic Materials公司制，商品名：R2301)，以1mm间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状。此时，将强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)设定成相对所述取向处理方向为0°、5°、10°、30°、45°、60°、80°、85°、90°。
接着，使用密封调合器(seal dispenser)，在该液晶侧基板的周缘部涂布紫外线加热固化型密封材料(协立化学产业株式会社制，商品名：WORLD ROCK 718)。
接着，将配置于真空腔内的加热板加热至110℃，在该加热板上放置涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板。接着，用加热至110℃的吸附板吸附对置基板，使液晶侧基板及对置基板相对，使得各自的取向膜的取向处理方向平行。接着，为了使两基板间充分地成为减压，在对真空腔进行了排气的状态下，使两基板附着，在施加一定的压力之后，将真空腔内恢复至常压。接着，照射1J/cm2紫外线，使紫外线固化型密封材料固化，从而使两基板粘接。接着，通过将液晶单元缓慢冷却至室温，使强铁电性液晶取向。这样制作了9种液晶显示元件。
将这些液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果确认了对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言为均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶。
在此，将层法线方向相同的区域的面积占全部面积的比例为80％以上的情况作为“均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶”。
对于上述的相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言，层法线方向相同的区域的占有面积分别为95％、90％、91％、97％。
另一方面，对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为10°、80°的液晶显示元件而言，一部分可见双域取向。在该液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积分别为68％、67％。
另外，在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为30°、45°、60°的液晶显示元件中，确认了双域取向。在这些液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积均为55％以下。
[比较例1]
首先，充分地洗涤形成有ITO电极的2张玻璃基板，在这些玻璃基板上，分别以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-103，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下使其干燥15分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。
接着，使用电磁控制式调合器，将1滴重量调整成约0.15mg，在一方基板上，以10mm间隔，点状喷出强铁电性液晶(AZ Electronic Materials公司制，商品名：R2301)。
接着，使用密封调合器，在该液晶侧基板的周缘部涂布紫外线加热固化型密封材料(协立化学产业株式会社制，商品名：WORLD ROCK 718)。
接着，将配置于真空腔内的加热板加热至110℃，在该加热板上放置涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板。接着，用加热至110℃的吸附板吸附另一方基板，使两基板相对以使各自的取向膜的取向处理方向平行。接着，为了使两基板间充分地成为减压，在对真空腔进行了排气的状态下，使两基板附着，在施加一定的压力之后，将真空腔内恢复至常压。接着，照射1J/cm2紫外线，使紫外线固化型密封材料固化，从而使两基板粘接。接着，通过将液晶单元缓慢冷却至室温，使强铁电性液晶取向。
将得到的液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果在喷出后流动的强铁电性液晶之间接触的界面观察到条纹。
[实施例2]
首先，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上旋涂透明抗蚀剂(商品名：NN780、JSR公司制)，减压干燥，在90℃下进行3分钟预烘焙。接着，利用100mJ/cm2的紫外线进行掩模曝光，利用无机碱溶液进行显影，在230℃下进行30分钟后烘焙。这样，形成了高1.5μm、间距3.0mm的直线状隔壁。
接着，在形成有上述直线状隔壁的基板上，以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-103，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下干燥10分钟，然后照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。进而，在使用光二聚化型材料的光取向膜上，旋涂聚合性液晶材料(商品名：ROF-5101，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在55℃下使其干燥3分钟，然后在55℃下曝光无偏振光紫外线1000mJ/cm2。这样，得到液晶侧基板。
接着，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上以转数1500rpm旋涂15秒钟光二聚化型材料(商品名：ROP-102，RolicTechnologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在130℃下使其干燥15分钟，然后在25℃下照射约100mJ/cm2直线偏振光紫外线，进行取向处理。此时，取向处理方向设定成相对上述直线状隔壁的长径方向为0°、5°、10°、30°、45°、60°、80°、85°、90°。这样，得到对置基板
接着，在设定成室温(23℃)的单轴载物台上设置液晶侧基板，以约60mm/秒的速度将其移动，并同时使用喷墨装置(Dimatix公司制SE-128)，以约3600Hz的频率，在各向同性相的状态下喷出1秒钟强铁电性液晶(AZ Electronic Materials公司制，商品名：R2301)，以1.0mm间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状。此时，将强铁电性液晶的涂布方向(直线状的涂布图案的直线方向)设定成相对所述取向处理方向为0°、5°、10°、30°、45°、60°、80°、85°、90°，而且，设定成相对上述直线状隔壁的长径方向为0°。
接着，使用密封调合器，在该液晶侧基板的周缘部涂布紫外线加热固化型密封材料(协立化学产业株式会社制，商品名：WORLD ROCK 718)。
接着，将配置于真空腔内的加热板加热至110℃，在该加热板上放置涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板。接着，用加热至110℃的吸附板吸附对置基板，使液晶侧基板及对置基板相对，以使各自的取向膜的取向处理方向平行。接着，为了使两基板间充分地成为减压，在对真空腔进行了排气的状态下，使两基板附着，在施加一定的压力之后，将真空腔内恢复至常压。接着，照射1J/cm2紫外线，使紫外线固化型密封材料固化，从而使两基板粘接。接着，通过将液晶单元缓慢冷却至室温，使强铁电性液晶取向。这样制作了9种液晶显示元件。
将这些液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果确认了对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言为均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶。
在此，与实施例1同样地将层法线方向相同的区域的面积占全部面积的比例为80％以上的情况作为“均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶”。
在上述的相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积分别为95％、87％、90％、94％。
另一方面，对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为10°、80°的液晶显示元件而言，一部分可见双域取向。在该液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积分别为67％、68％。
另外，在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为30°、45°、60°的液晶显示元件中，确认了双域取向。在这些液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积均为55％以下。
[实施例3]
在实施例2中，除了以0.5mm间隔将强铁电性液晶涂布成多条直线状以外，与实施例2同样地进行，制作9种液晶显示元件。
将这些液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果确认了对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言为均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶。
在此，与实施例1同样地将层法线方向相同的区域的面积占全部面积的比例为80％以上的情况作为“均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶”。
对于上述的相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言，层法线方向相同的区域的占有面积分别为95％、85％、87％、93％。
另一方面，对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为10°、80°的液晶显示元件而言，一部分可见双域取向。在该液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积分别为67％、65％。
另外，在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为30°、45°、60°的液晶显示元件中，确认了双域取向。在这些液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积均为55％以下。
[实施例4]
与实施例2同样地进行，在形成有ITO电极的玻璃基板上形成直线状隔壁。
接着，在形成有上述直线状隔壁的基板上，以转数1000rpm旋涂15秒钟聚酰亚胺膜(商品名：SE610，日产化学工业公司制)的溶液，在100℃下干燥15分钟，然后以200℃烧成1小时，进行摩擦处理。进而，在该实施了摩擦处理的取向膜上，旋涂聚合性液晶材料(商品名：ROF-5101，Rolic Technologies公司制)的2质量％环戊酮溶液，在55℃下使其干燥3分钟，然后在55℃下曝光无偏振光紫外线1000mJ/cm2。这样，得到液晶侧基板。
接着，充分地洗涤形成有ITO电极的玻璃基板，在该玻璃基板上以转数1000rpm旋涂15秒钟聚酰亚胺膜(商品名：SE610，日产化学工业公司制)的溶液，在100℃下使其干燥15分钟，然后以200℃烧成1小时，进行摩擦处理。此时，取向处理方向设定成相对上述直线状隔壁的长径方向为0°、5°、10°、30°、45°、60°、80°、85°、90°。这样，得到对置基板
接着，与实施例2同样地进行，制作了9种液晶显示元件。
将这些液晶显示元件配置于配置成正交尼科尔的偏振板间，进行观察，结果确认了对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言为均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶。
在此，与实施例1同样地将层法线方向相同的区域的面积占全部面积的比例为80％以上的情况作为“均一的单域取向的单稳态性的强铁电性液晶”。
对于上述的相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为0°、5°、85°、90°的液晶显示元件而言，层法线方向相同的区域的占有面积分别为90％、85％、88％、92％。
另一方面，对于相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为10°、80°的液晶显示元件而言，一部分可见双域取向。在该液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积分别为65％、67％。
另外，在相对第1取向膜形成工序中的取向处理方向的强铁电性液晶的涂布方向为30°、45°、60°的液晶显示元件中，确认了双域取向。在这些液晶显示元件中，层法线方向相同的区域的占有面积均为55％以下。

Claims (9)

1.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于，具有：
液晶侧基板配制工序，其具有第1取向膜形成工序，配制在第1基材上依次层叠有第1电极层及所述第1取向膜的液晶侧基板，所述第1取向膜形成工序是在形成有第1电极层的第1基材上，形成第1取向膜形成用层，对所述第1取向膜形成用层实施取向处理而形成第1取向膜的工序；
对置基板配制工序，其具有第2取向膜形成工序，配制在第2基材上依次层叠有第2电极层及所述第2取向膜的对置基板，所述第2取向膜形成工序是在形成有第2电极层的第2基材上，形成第2取向膜形成用层，对所述第2取向膜形成用层实施取向处理而形成第2取向膜的工序；
液晶涂布工序，其在所述液晶侧基板的第1取向膜上，沿着相对在所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向大致垂直或大致平行的方向以直线状涂布强铁电性液晶；和
基板贴合工序，使所述涂布有强铁电性液晶的液晶侧基板及所述对置基板以如下方式对置并进行贴合，所述方式是使所述第1取向膜形成工序中的取向处理方向及所述第2取向膜形成工序中的取向处理方向大致平行的方式。
2.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
在所述液晶涂布工序中，在所述第1取向膜上涂布所述强铁电性液晶之前，将所述强铁电性液晶加热至显示向列相或各向同性相的温度，
所述强铁电性液晶的涂布方法为喷出法。
3.根据权利要求2所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述喷出法为喷墨法。
4.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述强铁电性液晶的涂布方法为网板印刷法。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述第1取向膜形成工序是下述的工序，作为所述第1取向膜，层叠形成反应性液晶用取向膜及固定化液晶层，所述第1取向膜形成工序是在所述形成有第1电极层的第1基材上形成反应性液晶用取向膜形成用层，对所述反应性液晶用取向膜形成用层实施所述取向处理而形成反应性液晶用取向膜之后，在所述反应性液晶用取向膜上形成对反应性液晶进行固定化得到的固定化液晶层的工序。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述取向处理为光取向处理。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述取向处理为摩擦处理。
8.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
所述第1取向膜及所述第2取向膜的构成材料是夹持所述强铁电性液晶而且具有彼此不同的组成的材料。
9.根据权利要求1～4中任意一项所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于，
在所述液晶侧基板配制工序中，在所述第1取向膜形成工序之前，进行在所述第1基材上形成多个直线状隔壁的直线状隔壁形成工序，
在所述第1取向膜形成工序中，沿着相对所述直线状隔壁的长径方向大致垂直或大致平行的方向实施所述取向处理，
在所述液晶涂布工序中，在相邻的所述直线状隔壁间，沿着相对所述直线状隔壁的长径方向大致平行的方向以多条直线状涂布所述强铁电性液晶。
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