CN101517748B - 太阳能电池模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括在光入射面具有凹凸面的光电变换部(101)；和覆盖凹凸面而设置的由树脂构成的保护层(10)。在保护层(10)的与光的入射方向平行的截面中，与凹凸面的凹部的厚度(W1)相比，凹凸面的凸部的厚度(W2)更薄。

Description

太阳能电池模块
技术领域
本发明涉及包括在光入射面具有凹凸面的光电变换部的太阳能电池模块。
背景技术
太阳能电池模块具有由一般使用单晶硅、多晶硅等结晶类半导体材料、以非晶硅为代表的非晶半导体材料、或者GaAs、CuInSe等化合物半导体材料构成的包括pn结或pin结的多层构造构成的光电变换部。通过光的入射在该光电变换部中生成的电子、空穴对，通过一对电极被取出到外部。
此外，为了实现保护该光电变换部的表面的目的等，已知在光电变换部上形成保护层的方法(例如参照专利文献1)。通过形成保护层，能够抑制光敏元件的表面部的损伤，抑制由水分、紫外线等引起的光敏元件的劣化。
另一方面，由于在保护层的内部产生的应力，产生光敏元件弯曲等问题。因此，作为保护层希望使用应力较小的材料。作为减小在保护层的内部产生的应力的方法，公开有在保护层中添加微粒子的方法(例如参照专利文献2)。此外，为了抑制由于微粒子的添加而产生的粘着(密着)力的降低，提出了变更保护层的深度方向的微粒子浓度的技术(例如参照专利文献3)。
专利文献1：日本特开2002-335002号公报
专利文献2：日本特开2000-261010号公报
专利文献3：日本专利第2756050号公报
发明内容
现在，正在开发在光电变换部的受光面上具有被称作纹理(texture)的凹凸面的太阳能电池模块。通过以该凹凸面使入射光散射，能够使入射至光电变换部内的光的光程长增大，实现光电变换效率的提高。
在具有这样的凹凸构造的光敏元件中，根据其形状的不同，应力、粘着力的影响也不同，因此，优选形成适于凹凸构造的保护层。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种在具有凹凸构造的光敏元件中，能够降低保护层的内部应力、提高耐候性的太阳能电池模块。
本发明的特征在于一种太阳能电池模块，其包括：在光入射面具有凹凸面的光电变换部；和覆盖凹凸面而设置的由树脂构成的保护层，在保护层的与光的入射方向平行的截面中，相比于凹凸面的凹部的厚度，凹凸面的凸部的厚度更薄。
根据涉及本发明的特征的太阳能电池模块，因为凸部的膜厚较薄，所以能够降低凸部的应力，因此，能够减少光敏元件的弯曲和剥离，能够提高耐候性。
此外，在涉及本发明的特征的太阳能电池模块中，优选保护层至少在凹部中包含微粒子，配置在该凹部的微粒子，与保护层的光入射侧相比在光电变换部侧配置得更多。
根据该太阳能电池模块，在保护层凹部的底面大量配置有微粒子，由此，凹部的底面层作为应力缓和层起作用，能够缓和施加于光敏元件的应力。
此外，在涉及本发明的特征的太阳能电池模块中，优选保护层的凹部所包含的固化剂的量，与保护层的光入射侧相比在光电变换部侧较少。
根据该太阳能电池模块，在保护层凹部的底面上不怎么包含固化剂，由此，凹部的底面层作为应力缓和层起作用，能够缓和施加于光敏元件的应力。
此外，在涉及本发明的特征的太阳能电池模块中，优选保护层包含微粒子，在保护层的与光的入射方向平行的截面中，与以凹凸面的凹部为中心的每单位长度的第一区域所包含的微粒子的数量除以该第一区域的面积而得到的值相比，以凹凸面的凸部为中心的每单位长度的第二区域所包含的微粒子的数量除以该第二区域而得到的值较小。
根据该太阳能电池模块，在凹部大量配置微粒子，由此，能够抑制光敏元件的弯曲，并且能够抑制凸部的耐摩擦性的降低。
此外，在涉及本发明的特征的太阳能电池模块中，优选在保护层的凹部，在形成该保护层的树脂中包含空孔。
根据该太阳能电池模块，空孔成为气垫，能够缓和应力。
根据本发明，在具有凹凸构造的光敏元件中，能够提供保护层的内部应力降低，提高耐候性的太阳能电池模块。
附图说明
图1是本发明的实施方式的光敏元件的示意截面图。
图2是本发明的实施方式的光敏元件中的受光面侧保护层的示意截面图(其一)。
图3是本发明的实施方式的光敏元件中的受光面侧保护层的示意截面图(其二)。
图4是本发明的实施方式的太阳能电池模块的示意截面图。
图5是用于说明现有的太阳能电池模块中的问题点的图。
图6是用于说明本发明的实施例中的涂层材料的涂敷方法的图。
具体实施方式
接着，使用附图对本发明的实施方式进行说明。在以下附图的记载中，对于相同或类似的部分标注相同或类似的符号。但是，附图只是示意，应注意各尺寸的比率等与现实产品不同。从而，应参照以下的说明判断具体的尺寸等。此外，当然在附图相互之间也包括相互的尺寸的关系、比率不同的部分。
(光敏元件)
参照图1和图2对本发明的实施方式的光敏元件进行说明。
图1是用于说明本发明的实施方式的光敏元件100的构造的示意截面图。基板1是n型的单晶硅基板，在受光面1A上具有纹理面。在基板1的受光面1A上，依次叠层有厚度10nm左右的i型非晶硅层2、厚度10nm左右的p型非晶硅层3和由厚度100nm左右的ITO构成的受光面侧透明电极层4。入射光从受光面侧透明电极层4侧射入。因为基板1在受光面1A具有纹理面，所以在受光面1A上叠层的i型非晶硅层2、p型非晶硅层3和受光面侧透明电极层4的受光面，也形成有反映在基板1的受光面1A上形成的纹理面的形状的凹凸面。此外，在受光面侧透明电极层4的受光面上，局部地形成有由Ag膏等导电性膏构成的集电用的受光面侧电极5。
作为单晶硅基板的基板1的背面1B具有纹理面，在背面1B上依次叠层有厚度10nm左右的i型非晶硅层6、厚度10nm左右的n型非晶硅层7和由厚度100nm左右的ITO构成的背面侧透明电极层8。此外，在背面侧透明电极层8的表面，局部地形成有由Ag膏等导电性膏构成的集电用的背面侧电极9。
此外，光电变换部101由受光面侧透明电极层4、p型非晶硅层3、i型非晶硅层2、n型单晶硅基板1、i型非晶硅层6、n型非晶硅层7和背面侧透明电极层8的叠层体构成。而且，与该光电变换部101的受光面相当的受光面侧透明电极层4的受光面4A具有凹凸面。
在光电变换部101的受光面4A上，以包括受光面侧电极5的表面在内地覆盖受光面4A的方式设置有受光面侧保护层10。
接着，参照图2对本实施方式的太阳能电池中的受光面侧保护层10的结构进行详细说明。图2是放大表示图1所示的光敏元件100中的光电变换部101的受光面4A附近的截面构造的示意截面图。
如图2所示，光电变换部101的受光面4A具有凹凸面，以覆盖该凹凸面的整个表面的方式形成有受光面侧保护层10。受光面侧保护层10，在与光的入射方向平行的截面中，相比于凹凸面的凹部的厚度W1，凹凸面的凸部的厚度W2更薄。
此外，受光面侧保护层10，可以在其内部至少在凹部含有多个微粒子。配置在该凹部的微粒子，与受光面侧保护层10的光入射侧相比在光电变换部101侧配置得更多。
此外，受光面侧保护层10，也可以遍布其内部整体地含有多个微粒子。此时，如图3所示，在受光面侧保护层10的与光的入射方向平行的截面中，与以凹凸面的凹部为中心的每单位长度(L+L＝2L)的第一区域所包含的微粒子的数量除以第一区域的面积A1而得到的值相比，以凹凸面的凸部为中心的每单位长度(L+L＝2L)的第二区域所包含的微粒子的数量除以第二区域的面积A2而得到的值较小。另外，在此将从凸部到凹部的距离设为5L。此外，以下将以凹部或凸部为中心的每单位长度的区域所包含的微粒子的数量除以该区域的面积而得到的值定义为“数量密度”。
作为配置在该受光面侧保护层10的内部的微粒子，具有与保护层10的膨胀系数相比较小的膨胀系数的粒子是合适的。作为材质，能够使用ZnO、SiO2、ITO、MgO、TiO2、Al2O3等由透光性材料构成的粒子。特别是，通过使用由金属氧化物构成的微粒子，能够抑制微粒子的可见光吸收，因此是优选的。进而，通过使用ZnO、TiO2等，能够吸收紫外线，因此，能够抑制受光面侧保护层10以下的受光面侧电极5和光电变换部101中的由紫外线引起的变色等劣化。结果，能够进一步提高耐候性。
此外，优选微粒子的大小为粒径在受光面侧保护层10的膜厚的10％以下。特别是20～80nm左右的粒径，还能够得到光散射的效果，因此更加优选。
此外，作为形成受光面侧保护层10的树脂，使用丙烯酸树脂等具有透光性的有机类材料。除此之外，还可以使用硅树脂、氟树脂、环氧树脂等，也可以混合多个树脂。在此，在树脂中含有固化剂的情况下，优选受光面侧保护层10的凹部所包含的固化剂的量，与保护层的光入射侧相比在光电变换部101侧更少。
此外，受光面侧保护层10也可以通过叠层粘度不同的树脂而在受光面侧保护层10内变化粘度。而且，在受光面侧保护层10的凹部，优选形成该保护层的树脂的粘度，与光入射侧相比在光电变换部101侧更小。
此外，在受光面侧保护层10的凹部，也可以在形成该保护层的树脂中包含空孔。
(太阳能电池模块)
接着，参照图4所示的截面图对使用上述光敏元件的太阳能电池模块进行说明。
如图4所示，太阳能电池模块200包括：上述光敏元件100；配置在光敏元件100的光入射侧的受光面侧透光性部件21；配置在与光敏元件100的光入射侧相反的一侧的背面侧部件23；和配置在受光面侧透光性部件21与背面侧部件23之间、密封光敏元件100的树脂22。光敏元件100包括在受光面具有凹凸面的光电变换部101、和覆盖凹凸面而设置的受光面侧保护层10。
受光面侧透光性部件21例如由玻璃、塑料等透光性材料构成。背面侧部件23例如由金属、塑料、树脂膜、或玻璃等部件构成。而且，多个光敏元件100，通过未图示的配线部件串联或并联地电连接，在受光面侧透光性部件21与背面侧部件23之间，通过具有透光性的密封用的树脂层22进行密封。
(作用和效果)
如图2所示，本实施方式的太阳能电池模块，在受光面侧保护层10的与光的入射方向平行的截面中，相比于凹凸面的凹部的厚度W1，凹凸面的凸部的厚度W2更薄。如果如现有的太阳能电池模块那样，凹部和凸部的厚度相同，则如图5所示，由于树脂的膨胀等引起的保护层内的应力沿着与光电变换部的界面向上产生。因此，存在在凸部保护层从光电变换部剥离的情况。在本实施方式中，因为凸部的膜厚薄，所以能够减少凸部的应力，因此，能够减少光敏元件的弯曲和剥离，结果，能够提高耐候性。
此外，在本实施方式的太阳能电池模块中，优选受光面侧保护层10至少在凹部含有微粒子，配置在该凹部的微粒子，与保护层的光入射侧相比在光电变换部101侧配置得更多。这样，通过在受光面侧保护层10的凹部的底面大量配置微粒子，凹部的底面层作为应力缓和层起作用，能够缓和施加于光敏元件的应力。在此，微粒子具有与粘合剂(binder)的膨胀系数相比较小的膨胀系数。在日本特开平5-25324号公报等中记载了这样的微粒子。
此外，在本实施方式的太阳能电池模块中，优选受光面侧保护层10的凹部所包含的固化剂的量，与保护层的光入射侧相比在光电变换部侧较少。这样，在受光面侧保护层10的凹部的底面不怎么含有固化剂，由此，凹部的底面层作为应力缓和层起作用，能够缓和施加于光敏元件的应力。
此外，在本实施方式的太阳能电池模块中，优选在受光面侧保护层10的凹部，形成该保护层的树脂的粘度，与保护层的光入射侧相比在光电变换部侧较小。这样，保护层凹部的底面的树脂的粘度低，凹部的底面层作为应力缓和层起作用，能够缓和施加于光敏元件的应力。
此外，在本实施方式的太阳能电池模块中，优选受光面侧保护层10包含微粒子，在保护层的与光的入射方向平行的截面中，与以凹凸面的凹部为中心的每单位长度的第一区域所包含的微粒子的数量除以该第一区域的面积而得到的值相比，以凹凸面的凸部为中心的每单位长度的第二区域所包含的微粒子的数量除以该第二区域而得到的值较小。这样，通过在凹部大量配置微粒子，能够抑制光敏元件的弯曲，并且能够抑制凸部的耐摩擦性的降低。其中，所谓耐摩擦性是指凸部相对于由于太阳能电池模块的搬运等引起的摩擦的耐性。
此外，在本实施方式的太阳能电池模块中，优选在受光面侧保护层10的凹部，在形成该保护层的树脂中包含空孔。这样，通过配置空孔，空孔成为气垫，能够缓和应力。
(其它实施方式)
本发明通过上述实施方式进行了记载，但作为该公开的一部分的论述和附图并不应该被理解为对本发明的限定。根据该公开，本领域的技术人员能够了解各种代替实施方式、实施例和运用技术。
例如，作为本实施方式的太阳能电池模块的结构，在图2中表示了光电变换部101的结构，但光电变换部101的结构并不限定于图2所示的结构。作为光电变换部的结构，能够采用下述公知的结构等：使用单晶硅或多晶硅等的结晶类半导体形成、并在内部具有pn结的结构；或者使用非晶硅、微晶硅等薄膜半导体形成、并在内部具有pin结的结构。
像这样，本发明当然包括在此没有记载的各种实施方式等。因此，本发明的技术范围仅由根据上述说明的妥当的权利要求的范围所涉及的发明特定事项所决定。
实施例
以下，对本发明的薄膜类太阳能电池模块，举出实施例进行具体说明，但本发明并不限定于下述实施例所示的内容，在不变更其主旨的范围内，能够适当变更并实施。
(太阳能电池模块的制作方法)
以下对本发明的实施例的太阳能电池模块的制作方法进行说明。
通过对电阻率为约1Ω·cm、厚度为300μm的n型(100)单晶硅晶片的表面实施各向异性蚀刻而形成纹理面。然后，对n型(100)单晶硅晶片进行通常清洗，除去杂质。接着，使用公知的RF等离子体CVD(13.56MHz)，在形成温度100～300℃、反应压力5～100Pa、RF功率1～500W/cm2的条件下，分别叠层10nm左右的i型和p型a-Si，制作出接合(结)。作为p型掺杂剂，举出作为IIIA族元素的B、Al、Ga、In。通过将包含它们中的至少一种的化合物气体混合在SiH4等源气体中，能够进行价电子控制，成为p型。作为用于得到n型半导体的价电子控制，使用包含作为VA族元素的P、N、As、Sb中的至少一种的化合物气体。氢化非晶Si，除此之外，能够使用蒸镀法、溅射法、RF等离子体CVD法、微波等离子体CVD法、ECR法、热CVD法、LPCVD法等公知的方法。半导体可以是晶质，或者是包含氢、氟中的至少一种的非晶质，或者是微结晶Si、SiGe、SiGeC、SiN、SiGeN、SiSn、SiSnN、SiSnO、SiO、Ge、GeC、GeN中的任一种。
接着，在p型氢化非晶硅上堆积氧化铟薄膜。在本实施例中，作为透光性导电膜使用掺杂有Sn的氧化铟(以下称作ITO)。首先，使SnO2粉末为5wt％，以其与In2O3粉末的烧结体作为靶(target)，设置于阴极。除Sn以外，作为掺杂剂也可以使用Si、Ge、Ti、Mo、W、Zn中的至少一种。将这些化合物粉末适量混于氧化铟粉末并烧结，制作靶即可。通过改变SnO2的量，能够使ITO中的Sn量变化，但优选相对于In的Sn的量为1～10at％，进一步优选为2～7at％。靶的烧结密度优选为90％以上。
接着，将使银(Ag)微粉末炼入环氧树脂中的Ag膏，通过丝网印刷法形成为高度约10～30μm、宽度100～500μm的，以200℃烧制固化80分钟，形成具有多个相互平行的分支部的梳形集电极和集合在梳形电极中流动的电流的母线(busbar)电极。
在这样形成的光电变换部上涂敷无机材料、或丙烯酸树脂、硅树脂、氟树脂、环氧树脂等有机材料作为保护层。此外，也可以向这些保护层添加由SiO2、ZnO、TiO2等构成的微粒子。在保护层的形成中，能够使用喷射法、辊涂法(roll coater)等已知的保护层形成法。此外，也可以在保护层中添加树脂固化剂。
(应力评价)
在本发明中，着眼于保护层的应力进行讨论。一般为了缓和应力，已知微粒子添加、与应力低的材料的混合等。于是，为了调查实际上是否具有应力缓和的效果，对各种保护层的应力进行了评价。
此处，直接测定保护层的内部应力是很困难的。于是，为了间接测定内部应力，测定了保护层的变化率。作为实验方法，在切割成10cm×1cm的厚度50μm的PVF膜上涂敷各种保护层并进行干燥。此处，只要没有特别说明，保护层为约2μm的厚度。此外，干燥条件为在150℃下进行20分钟。此时，因为PVF基于保护层的应力而变形，所以使用其长度方向的变化率进行应力的评价。具体而言，测定从150℃返回到常温时的变化率。以没有涂敷任何材料的PVF单体的收缩量作为100％，对变化率进行标准化。即，标准化变化率的值越小，就表示内部应力越小。在表1中表示该结果。
[表1]
  保护层材料   标准化变化率
  丙烯酸树脂(无固化剂)   400％
  丙烯酸树脂(有固化剂)   466％
  ZnO混合丙烯酸树脂(ZnO75％：有固化剂)   200％
  ZnO混合丙烯酸树脂(ZnO75％：无固化剂)   133％
  ZnO混合丙烯酸树脂(ZnO67％：无固化剂)   167％
  ZnO混合丙烯酸树脂(ZnO60％：无固化剂)   333％
  ZnO混合丙烯酸树脂(ZnO75％：有固化剂)：膜厚10μm 533％
  丙烯酸树脂&低应力树脂材料(有固化剂)   200％
在表1中，ZnO混合丙烯酸树脂是表示包含ZnO微粒子，数值表示相对于形成保护层的树脂的含有率。例如，ZnO75％意味着含有相对于树脂为75重量％的ZnO粒子(干燥前的状态)。另外，有固化剂意味着在形成保护层的树脂中含有固化剂，作为固化剂，使用异氰酸酯预聚物。此外，丙烯酸树脂&低应力树脂材料表示作为保护层使用1∶1混合丙烯酸树脂和硅树脂的材料。
根据表1可知，通过混合ZnO微粒子能够降低应力，以及，通过加入固化剂能够增加应力。此外，能够确认如果增加膜厚则应力变高、通过混合应力低的树脂能够降低应力等根据现有技术可知的倾向。
(实验1)
使用两种喷射器在光电变换部上形成包含粒径20nm左右的ZnO微粒子的保护层(ZnO含有量75％)。另外，在此，仅在光入射侧形成保护层。使用的保护层材料为1cp左右的低粘度材料。喷射器A喷淋状地在高压下涂敷保护材料，因此能够形成凹部厚、凸部薄的保护层。喷射器B螺旋状地涂敷保护材料，因此能够形成不论在凹凸部膜厚都大致均匀的保护层。另外，涂敷的保护材料的量，以两喷射器为大致相同程度的方式进行调整。保护层的厚度根据涂敷重量进行换算，为0.5μm以下。
以下，对喷射器A和B的涂敷方法进行详细说明。
如图6(a)所示，喷射器A从光电变换部的正上方涂敷涂层材料，并且用于使涂层材料雾化的高压空气从正上方被喷出。结果，被涂敷的涂层材料，由于高压空气和涂敷方向的影响而被向下方推动，形成凸部薄、凹部厚的形状的保护层。另一方面，如图6(b)所示，关于喷射器B，涂层材料以涂敷方向为回旋形的方式被涂敷。此外，用于进行雾化的高压空气也回旋喷射，因此向下方推动涂层材料的力非常小。结果，成为大致均匀的膜厚。
在表2中表示对利用这两种喷射器分别涂敷得到的构造的耐候性评价的结果。
[表2]
  耐候性
  喷射器A   1.00
  喷射器B   0.96
在此，在耐候性评价中，在形成模块构造的基础上，使用向温度85℃、湿度85％RH的高温高湿炉中投入2000小时后的输出除以投入前的输出的值。另外，在表2中，以喷射器A为1进行标准化。此外，在2000小时的耐候性评价中，为了进行中途评价而包括多次到室温的冷却工序。进而，在本评价中，为了加速确认耐候性评价，模块的背面膜为PVF膜。
根据表2可知，与大致均匀地涂敷保护层相比，在凹凸部具有膜厚差的构造的耐候性更高。即，可知与能够均匀地涂敷作为现有技术的构造的保护层的喷射器B相比，用喷射器A涂敷的不均匀的构造更加能够得到高耐候性。在此，对将这些的耐候性评价后的样本投入到120℃的高温炉1小时后的外观进行确认。结果，关于喷射器B能够确认，特别是位于凸部的区域的保护层的剥离较多。
一般地，认为应力与膜本身所具有的内部应力和膜厚成比例。在这种情况下，凸部的内部应力，如果考虑其膨胀系数，则预想是向扩展方向施加力。在凸部，在向扩展方向施加力的情况下，认为在光电变换部和保护层剥离的方向产生力，认为这可能是上述剥离的原因(参照图5)。在凹部，保护层的膨胀为向光电变换部推压的方向，因此可以认为几乎没有表现出剥离。
该凸部的剥离(在上述实验中在120℃的加热时得到确认，认为在耐候性评价时也产生了目视无法确认的剥离)，能够成为水分的侵入口，认为从而产生表2所示的耐候性的差。即，通过采用使凸部的膜厚较薄的构造，能够形成耐候性优异的保护层。
此处，保护层需要一定程度的膜厚。这是因为，在薄膜构造中作为保护层的功能降低。但是，虽然需要形成尽量厚的保护层，但在这种情况下，应力的影响变大，弯曲等的影响变强。在本实验中，采用大致同量的涂敷重量，但在此情况下，喷射器A在凸部形成薄膜部。另一方面，在凹部形成厚膜部。保护层的功能受膜厚的影响很大，关于喷射器A，由于存在薄膜部，因此从耐候性的观点来看是不利的，但是因为存在与喷射器B相比保护层更厚的部分，所以从样本整体来看，能够得到大致同等的耐候性。实际上，除了保护性能以外，关于喷射器B还发现上述剥离等的影响，结果，可知喷射器A能够得到更高的耐候性。
(实验2)
根据在实验1中得到的结果可知，凸部的膜厚优选为薄膜构造。另一方面，也可知为了维持元件整体的耐候性，优选凹部为厚膜构造。于是，对于凹部的应力对耐候性造成的影响进行了确认。使用喷射器A，进行应力较大的丙烯酸树脂单层的涂敷。结果可知，在涂敷丙烯酸树脂层后使其干燥，从而能够观察到光敏元件的弯曲。这可以认为是，关于喷射器A，凹部成为膜厚较厚的厚膜构造，弯曲的影响是凹部中的应力的影响所大为表达的。特别是，在凹部保护层膨胀的情况下，该力较大地施加在凹部的侧面。认为由于该力而产生元件的弯曲。
即，认为如何降低凹部的应力变得重要。因此，为了缓和凹部的应力，尝试在凹部形成应力缓和层。具体而言，在保护层的形成中，使用喷射器A形成具有双层构造的膜。涂敷膜厚是，两层合在一起以涂敷重量换算为约3μm(第一层相当于1μm、第二层相当于2μm的涂敷)。作为应力缓和层的形成方法，参考表1所得到的结果，着眼于微粒子添加、固化剂不添加、低应力树脂混合这3种，形成分别对应的样本。在表3～5中表示在实验2中制作得到的保护层形状和耐候性评价的结果。
[表3]
  保护层构造   耐候性   备注
  实施例1   丙烯酸树脂层   1.00   有弯曲
  实施例2   丙烯酸树脂ZnO层/丙烯酸树脂层   1.07
[表4]
  保护层构造   耐候性
 实施例3   丙烯酸树脂ZnO层(有固化剂)   1.00
实施例4   丙烯酸树脂ZnO层(无固化剂)/丙烯酸树脂层ZnO(有固化剂) 1.02
[表5]
  保护层构造   耐候性
 实施例5   丙烯酸树脂ZnO层   1.00
实施例6   丙烯酸树脂&低粘度树脂ZnO层/丙烯酸树脂ZnO层 1.03
在表3～5中，没有形成作为耐候性评价的指标的应力缓和层的保护层(以下称为参照(reference))为单层构造，但为了使条件一致，与形成应力缓和层的多个构造同样，分两次进行涂层材料的涂敷。另外，以各自的作为参照的构造为1，对耐候性进行标准化。此外，本实验中的保护层的构造与实验1同样，是与凸部相比，凹部的膜厚更厚的构造。特别是第一层将雾化压力设定得较高，因此，成为几乎是第二次涂敷在凸部上的材料形成为单层的构造。
此外，实施例2～6中的丙烯酸树脂ZnO层是指在树脂中含有75重量％的ZnO微粒子(干燥前的状态)。进一步，实施例6中的丙烯酸树脂&低粘度树脂ZnO层是指，作为保护层将丙烯酸树脂和硅树脂以1∶1混合，并包含75重量％的ZnO微粒子。此外，在实施例2、4、6中，记载了两个种类的保护层，在前面记载的层为下层，在后面记载的层为上层。例如，在实施例2中，是在丙烯酸树脂ZnO层上形成有丙烯酸树脂层的保护层。
根据表3～5的结果可知，在将应力低的膜作为凹部的基底层而设置的构造中，耐候性优异。即，在保护层的凹部设置添加有ZnO微粒子的层(实施例2)、或不添加使应力增加的固化剂的层(实施例4)、或低应力树脂混入层(实施例6)等那样的应力缓和层，由此能够提高耐候性。此外，在表3中，确认到了弯曲。认为以该弯曲为原因，在光敏元件内产生裂纹等，耐候性降低。在表4和表5所示的实验中，虽然无法目视确认弯曲，但是认为由于长时间的耐候性评价和评价时的温度变化等而反复产生微小的弯曲，结果在耐候性方面产生差。这样，可知利用在凹部设置应力缓和层的构造能够得到高的耐候性。
即，如在实验1中考察得到的那样，优选凸部的膜厚较薄，但在考虑到对光电变换部的保护性能的情况下，优选在凹部形成与均匀成膜时相比膜厚较厚的保护层。在这种情况下，虽然由应力引起的保护层剥离不会很大，但是应力以元件的弯曲的形式表现出来，该弯曲成为裂纹等的产生原因，结果发现耐候性降低。因此，优选在凹部形成虽然是厚膜但也表现出应力缓和的层。
(实验3)
实验2采用设置应力缓和层的构造，在实验3中，对为了缓和凹部的应力而将应力缓和材料放入凹部整体的构造进行了评价。此处，作为应力缓和材料，使用涂敷有ZnO微粒子的构造。使用喷射器A，将雾化压力设定得较高，形成添加ZnO微粒子和不添加ZnO微粒子的两种保护层。此外，添加有ZnO微粒子的保护层在凸部中的数量密度比凹部中的数量密度小。此外，涂敷膜厚以涂敷量换算为约3μm。在表6中表示在实验3中制作得到的保护层构造和耐候性评价的结果。
[表6]
  保护层构造   耐候性   备注
 实施例7   丙烯酸树脂层(有固化剂)   1.00   有弯曲
 实施例8   ZnO混合丙烯酸树脂层(有固化剂)   1.08
另外，在表6中，将仅以丙烯酸树脂形成保护层的结构作为1进行标准化。本实验中的保护层的构造与实验1同样，是与凸部相比，凹部的膜厚更厚的构造，此外，通过TEM观察的结果可确认在凸部几乎不含有ZnO粒子。即，确认是在实验3所形成的保护层的凸部和凹部中ZnO微粒子浓度不同的构造。
从表6所示的实施例7和8可知，与丙烯酸树脂单层时相比，包含混合有ZnO微粒子的膜的保护层的耐候性更高。即，认为通过采用使ZnO微粒子混合于凹部，降低内部应力的构造，能够得到高耐候性。这认为是由与通过实验1生成的剥离不同的原因所引起的。在实施例7中，在涂敷之后立即能够目视确认样本的弯曲。即，由应力引起的弯曲对耐候性的结果造成影响。可以认为是由于光敏元件弯曲而在光敏元件内部发生裂纹等，产生接合部的剥离等，因此导致长期可靠性降低。结果，产生表6所示的耐候性的差。
此处，在凹部和凸部中ZnO的数量密度的不同如上所述。在此，令将图3所示的凹部构造的凹部和凸部间的距离5等分的距离为L，将从凹部和凸部的顶部向两端各扩展L的范围定义为位于凹部或凸部的区域，计算该部分所包含的层内的微粒子数，将其除以该部分的面积所得到的值作为数量密度。
在该凹部数量密度低、凸部数量密度高的构造中，可知能够提高耐摩擦性。一般地，在粘合剂内含有微粒子的情况下，在与元件的接触界面处存在大量的微粒子。元件与保护层的粘接力受到粘合剂与元件的接触面积的较大影响，因此，通过增加微粒子会使粘着力降低。通过在保护层内包含微粒子能够缓和应力、热膨胀等，因此，可以认为由微粒子添加引起的粘着力降低的影响变得比较小。但是，在相对于摩擦等机械力的剥离中，粘着力的影响很大。在这种情况下，耐摩擦性向凸部施加较大的负荷。因此，在凸部的粘着力降低的元件中，耐摩擦性降低。特别是，在为了使凹部的应力降低而添加有微粒子的情况下，不得不考虑在凸部含有大量微粒子的构造中耐摩擦性的降低。因此，如在实验3中所得到的那样，例如更优选将雾化压力设定得较高，从而降低凸部的微粒子的数量密度。
(实验4)
在实验4中，对以应力缓和为目的在保护层内导入空孔的方法进行研究。在此，通过喷射法和辊涂法各自涂敷包含ZnO微粒子的丙烯酸树脂层。在辊涂法中，以从上部按压保护材料的方式进行成膜。因此，通过采用在凹部按压压力较弱，进行多次成膜的方法，能够在凹部形成空孔。在表7中表示这些样本的耐候性评价结果。此处，将使用喷射法的样本的耐候性作为1进行标准化。另外，此处叙述的空孔是至少长径为1μm以上的较大的空孔。
[表7]
  耐候性   备注
  喷射法   1.00   -
  辊涂法   1.02   在凹部包含空孔
从表7可知使用辊涂法的样本的耐候性变高。这可以认为是空孔的存在带来较大的影响。即，是空孔作为用于缓和应力的缓冲区起作用的结果。因此，可知通过形成包含空孔的层作为应力缓和层也能够提高耐候性。
另外，日本专利申请第2006-269254号(2006年9月29日申请)的全部内容被引入本申请作为参照。
产业上的可利用性
如上所述，根据本发明，能够提供在具有凹凸构造的光敏元件中，保护层的内部应力降低、耐候性提高的太阳能电池模块，在太阳光发电方面是有用的。

Claims (5)

1.一种太阳能电池模块，其特征在于，包括：
光敏元件；
配置在所述光敏元件的光入射侧的受光面侧透光性部件；
配置在所述光敏元件的与光入射侧相反的一侧的背面侧部件；和
配置在所述受光面侧透光性部件与所述背面侧部件之间、密封所述光敏元件的树脂，其中，
所述光敏元件具有：在受光面具有凹凸面的光电变换部；和覆盖所述凹凸面而设置的受光面侧保护层，
所述受光面侧保护层由树脂构成，
在所述受光面侧保护层的与光的入射方向平行的截面中，与所述凹凸面的凹部的厚度相比，所述凹凸面的凸部的厚度更薄。
2.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述保护层至少在所述凹部包含微粒子，
配置在该凹部的所述微粒子，与所述保护层的光入射侧相比，在光电变换部侧配置得更多。
3.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述保护层的凹部所包含的固化剂的量，与所述保护层的光入射侧相比，在光电变换部侧较少。
4.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于：
所述保护层包含微粒子，
在所述保护层的与光的入射方向平行的截面中，与以所述凹凸面的凹部为中心的每单位长度的第一区域所包含的微粒子的数量除以该第一区域的面积而得到的值相比，以所述凹凸面的凸部为中心的每单位长度的第二区域所包含的微粒子的数量除以该第二区域的面积而得到的值较小。
5.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于：
在所述保护层的凹部，在形成该保护层的树脂中包含空孔。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2161758A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-10 Flexucell ApS Solar cell and method for the production thereof
KR20120095790A (ko) * 2011-02-21 2012-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치
US9437758B2 (en) * 2011-02-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
FR2972298B1 (fr) * 2011-03-04 2015-07-31 Commissariat Energie Atomique Procede de metallisation de surfaces texturees
EP2830101A4 (en) * 2012-03-23 2015-04-08 Sanyo Electric Co SOLAR CELL MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO2013168515A1 (ja) * 2012-05-10 2013-11-14 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
WO2014064929A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 三洋電機株式会社 太陽電池
JP5991945B2 (ja) * 2013-06-07 2016-09-14 信越化学工業株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
KR101821394B1 (ko) * 2016-01-14 2018-01-23 엘지전자 주식회사 태양전지
WO2018003891A1 (ja) * 2016-06-30 2018-01-04 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
US10937915B2 (en) 2016-10-28 2021-03-02 Tesla, Inc. Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels
US10560049B2 (en) 2017-03-01 2020-02-11 Tesla, Inc. System and method for packaging photovoltaic roof tiles
US10381973B2 (en) 2017-05-17 2019-08-13 Tesla, Inc. Uniformly and directionally colored photovoltaic modules
US11258398B2 (en) 2017-06-05 2022-02-22 Tesla, Inc. Multi-region solar roofing modules
US10734938B2 (en) 2017-07-21 2020-08-04 Tesla, Inc. Packaging for solar roof tiles
US10857764B2 (en) 2017-07-25 2020-12-08 Tesla, Inc. Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles
US10978990B2 (en) 2017-09-28 2021-04-13 Tesla, Inc. Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile
US10454409B2 (en) 2018-02-02 2019-10-22 Tesla, Inc. Non-flat solar roof tiles
US10862420B2 (en) 2018-02-20 2020-12-08 Tesla, Inc. Inter-tile support for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
US11431279B2 (en) 2018-07-02 2022-08-30 Tesla, Inc. Solar roof tile with a uniform appearance
US11245354B2 (en) 2018-07-31 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile spacer with embedded circuitry
US11082005B2 (en) 2018-07-31 2021-08-03 Tesla, Inc. External electrical contact for solar roof tiles
US11245355B2 (en) 2018-09-04 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile module
US11581843B2 (en) 2018-09-14 2023-02-14 Tesla, Inc. Solar roof tile free of back encapsulant layer
US11431280B2 (en) 2019-08-06 2022-08-30 Tesla, Inc. System and method for improving color appearance of solar roofs
CN113088116B (zh) * 2021-03-16 2022-06-07 杭州玻美文化艺术有限公司 具有蜂窝状彩色钢化涂层的太阳能玻璃面板及其生产方法、彩色太阳能光伏组件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1647284A (zh) * 2002-02-04 2005-07-27 阳光风格有限公司 向手持装置提供电能的太阳能装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525324A (ja) 1991-07-23 1993-02-02 Toagosei Chem Ind Co Ltd 重合体粉末
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
JP2756050B2 (ja) * 1992-03-03 1998-05-25 キヤノン株式会社 光起電力装置
JP3078933B2 (ja) * 1992-12-28 2000-08-21 キヤノン株式会社 光起電力装置
JP3795103B2 (ja) * 1994-07-21 2006-07-12 シャープ株式会社 リンを含む酸化チタン膜の形成方法および太陽電池の製造装置
JPH1056191A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Canon Inc 太陽電池モジュール
JP3416024B2 (ja) * 1997-05-23 2003-06-16 シャープ株式会社 薄膜太陽電池における微粒子塗布膜
JPH11135817A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Sharp Corp 光電変換素子およびその製造方法
JPH11317475A (ja) * 1998-02-27 1999-11-16 Canon Inc 半導体用封止材樹脂および半導体素子
JP2000261010A (ja) 1999-03-10 2000-09-22 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JP2000323735A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Mitsubishi Electric Corp 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置
JP2001267597A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Sharp Corp 光電変換素子
TW480737B (en) * 2000-10-06 2002-03-21 Shinetsu Handotai Kk Solar cell and method of manufacture thereof
JP2002335002A (ja) 2001-05-09 2002-11-22 Canon Inc 光起電力素子及びその製造方法
KR100643031B1 (ko) * 2002-03-06 2006-11-10 샤프 가부시키가이샤 광전 변환 소자 및 그 제조 방법
JP2004266194A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Sharp Corp 薄膜の製造方法および太陽電池
JP2006146027A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Konica Minolta Opto Inc 防眩性反射防止フィルム、偏光板及び表示装置
EP1956659A4 (en) * 2005-09-30 2012-07-25 Sanyo Electric Co SOLAR BATTERY AND SOLAR BATTERY MODULE

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1647284A (zh) * 2002-02-04 2005-07-27 阳光风格有限公司 向手持装置提供电能的太阳能装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2006-146027A 2006.06.08
JP特开平11-317475A 1999.11.16
JP特开平5－335610A 1993.12.17

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