CN101504503A - 像素阵列、液晶显示面板以及光电装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种像素阵列、液晶显示面板以及光电装置。所述像素阵列，其包括多条第一扫描线、多条第二扫描线、多条数据线以及多个子像素。各个子像素包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极、第二像素电极、第三开关元件以及多条彼此连接的共通线，其中第一开关元件与第二开关元件与同一条第一扫描线以及同一条数据线电连接，第一像素电极与第一开关元件电连接，第二像素电极与第二开关元件电连接，第一扫描线位于第一像素电极与第二像素电极之间，且共通线分布于第一像素电极以及第二像素电极下方。此外，第三开关元件与第二扫描线以及第一像素电极电连接，第三开关元件具有一电性浮置端。

Description

像素阵列、液晶显示面板以及光电装置

技术领域

本发明是有关于一种像素阵列，且特别是有关于一种具有良好显示品质的像素阵列、液晶显示面板以及光电装置。

背景技术

随着液晶显示器不断地朝向大尺寸的显示规格发展，为了克服大尺寸显示下的视角问题，液晶显示面板的广视角技术也必须不停地进步与突破。其中，多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶显示面板以及高级型多域垂直配向式(Advanced MVA，AMVA)液晶显示面板即为现行常见的广视角技术。由于高级型多域垂直配向式(AMVA)液晶显示面板能够有效改善多域垂直配向式(MVA)液晶显示面板中的色偏问题(color washout)，因此，与多域垂直配向式(MVA)液晶显示面板相较，高级型多域垂直配向式(AMVA)液晶显示面板能够提供较佳的显示品质。

图1为一种像素阵列的等效电路图，而图2为图1中单一子像素的示意图。请参照图1与图2，像素阵列200包括多个子像素P2，且各个子像素P2包括一第一薄膜晶体管TFT1、一第二薄膜晶体管TFT2、一第三薄膜晶体管TFT3、与第一薄膜晶体管TFT1电连接的第一像素电极ITO1以及与第二薄膜晶体管TFT2电连接的第二像素电极ITO2。第一像素电极ITO1会与薄膜晶体管阵列基板上的共通线COM1耦合而形成一第一储存电容Cs1，且第一像素电极ITO1会与对向基板(如彩色滤光基板)上的共通电极耦合而形成一第一液晶电容CLC1。类似地，第二像素电极ITO2会与薄膜晶体管阵列基板上的共通线COM2耦合而形成一第二储存电容Cs2，且第二像素电极ITO2会与对向基板(如彩色滤光基板)上的共通电极耦合而形成一第二液晶电容CLC2。

从图1与图2可知，在与扫描线SL(n-1)电连接的子像素P2中，第一薄膜晶体管TFT1以及第二薄膜晶体管TFT2的栅极会与扫描线SL(n-1)电连接，而第三薄膜晶体管TFT3的栅极会与下一条扫描线SL(n)电连接。此外，第三薄膜晶体管TFT3的源极与第二像素电极ITO2电连接，而第三薄膜晶体管TFT3的漏极D3与第一像素电极ITO1耦合成第一电容CcA，且第三薄膜晶体管TFT3的漏极D3与第一像素电极ITO1下方的共通线COM1耦合成第二电容CcB。当施加一高电压于扫描线SL(n-1)时，图像数据可通过数据线DL(n-1)、DL(n)写入与扫描线SL(n-1)连接的子像素中，此时，第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2的电压是相同的。接着，当施加一高电压于扫描线SL(n)时，第一电容CcA与第二电容CcB会使第一像素电极ITO1的电压与第二像素电极ITO2的电压不同。

由于第二薄膜晶体管TFT2的漏极会跨过第一像素电极ITO1而与第二像素电极ITO2连接，因此第二薄膜晶体管TFT2的漏极D2与第一像素电极ITO1之间便产生一寄生电容Cx1。此外，由于第三薄膜晶体管TFT3的漏极D3会跨过第二像素电极ITO2，因此第三薄膜晶体管TFT3的漏极D3与第二像素电极ITO2之间便产生一寄生电容Cx2。寄生电容Cx1、Cx2会使第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2的电压差异拉开幅度减小，导致色偏问题无法有效地改善，因此如何避免子像素P2中寄生电容Cx1、Cx2对于显示品质的影响，实有其必要性。

发明内容

本发明提供一种像素阵列、液晶显示面板以及光电装置，其具有良好的显示品质。

本发明提供一种像素阵列，其包括多条第一扫描线、多条第二扫描线、多条数据线以及多个子像素。各个第二扫描线分别位置二相邻的第一扫描线之间，数据线实质上交错于第一扫描线及第二扫描线。各个子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电连接。各个子像素包括一第一开关元件、一第二开关元件、一第一像素电极、一第二像素电极、一第三开关元件以及多条彼此连接的共通线，其中第一开关元件与第二开关元件与同一条第一扫描线以及同一条数据线电连接，第一像素电极与第一开关元件电连接，第二像素电极与第二开关元件电连接，且第一扫描线位于第一像素电极与第二像素电极之间，且共通线分布于第一像素电极以及第二像素电极下方。此外，第三开关元件与第二扫描线以及第一像素电极电连接，第三开关元件具有一电性浮置端，而电性浮置端与第二像素电极耦合为一第一电容，且电性浮置端与第二像素电极下方的共通线耦合为一第二电容。

在本发明一实施例中，前述的第一扫描线的延伸方向实质上平行于第二扫描线的延伸方向。

在本发明一实施例中，前述的子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线以及同一条第二扫描线电连接。

在本发明一实施例中，与同一列子像素电连接的第一扫描线与第二扫描线彼此电性绝缘。

在本发明一实施例中，前述的子像素排列成多列，且与第n列子像素电连接的第二扫描线以及与第(n+1)列子像素电连接的第一扫描线是彼此电连接。

在本发明一实施例中，前述的各第二扫描线位于第一像素电极与第二像素电极之间。

在本发明一实施例中，前述的第二像素电极位于第一扫描线与第二扫描线之间。

在本发明一实施例中，各个第一开关元件为一第一薄膜晶体管，而第一薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电连接的第一栅极、一与其中一条数据线电连接的第一源极以及一与第一像素电极电连接的第一漏极。

在本发明一实施例中，各个第二开关元件为一第二薄膜晶体管，而第二薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电连接的第二栅极、一与其中一条数据线电连接的第二源极以及一与第二像素电极电连接的第二漏极。

在本发明一实施例中，各个第三开关元件为一第三薄膜晶体管，而第三薄膜晶体管具有一与其中一条第二扫描线电连接的第三栅极、一与第一像素电极电连接的第三源极以及前述的电性浮置端。

在本发明一实施例中，前述的第三源极与第一像素电极直接连接。

在本发明一实施例中，前述的第三源极与第一漏极直接连接，且第三源极通过第一漏极与第一像素电极电连接。

在本发明一实施例中，前述的电性浮置端位于第二像素电极下方。

在本发明一实施例中，位于相同子像素中的第一扫描线的线宽(line width)实质上大于与第二扫描线的线宽。

本发明另提供一种聚合物稳定配向液晶显示面板(PSA-LCD panel)，其包括一第一基板、一第二基板、两聚合物稳定配向层以及一液晶层。第一基板具有前述的像素阵列，第二基板配置于第一基板上方，而两聚合物稳定配向层分别配置于第一基板与第二基板上。液晶层配置于聚合物稳定配向层之间。

本发明又提供一种光电装置，其包括前述的像素阵列或聚合物稳定配向液晶显示面板。

基于上述，由于本发明将子像素中的第一扫描线设置于第一像素电极与第二像素电极之间，因此本发明的像素阵列具有较低的寄生电容且能够提供较佳的图像品质。

附图说明

图1为一种像素阵列的等效电路图。

图2为图1中单一子像素的示意图。

图3A为本发明第一实施例的像素阵列的等效电路图。

图3B为本发明第一实施例的像素阵列的示意图。

图3B’为沿着图3B中A-A’剖面线的剖面示意图。

图3C为本发明第一实施例的像素阵列与周边电路的示意图。

图3D为图3B中单一子像素的示意图。

图4为另一种单一子像素的示意图。

图5A为本发明第二实施例的像素阵列的等效电路图。

图5B为本发明第二实施例的像素阵列的示意图。

图5B’为沿着图5B中B-B’剖面线的剖面示意图。

图5C与图5D分别为图5B中单一子像素的示意图。

图6为第一像素电极与第二像素电极的电压变化示意图。

图7为本发明的聚合物稳定配向液晶显示面板的示意图。

图8为本发明的光电装置的示意图。

附图标号

200、300、400：像素阵列

500：栅极驱动电路

600：聚合物稳定配向液晶显示面板

610：第一基板

620：第二基板

630、640：聚合物稳定配向层

650：液晶层

700：光电装置

P2、P3、P3’、P4：子像素

SL、SL(n-1)～SL(n+1)：扫描线

SL1、SL1(1)～SL1(n+2)：第一扫描线

SL2、SL1(1)～SL1(n+1)：第二扫描线

DL、DL(n-1)、DL(n)：数据线

TFT1、TFT2、TFT3：开关元件

G1、G2、G3：栅极

S1、S2、S3：源极

D1、D2、D3：漏极

CcA：第一电容

CcB：第二电容

Cs1、Cs2：储存电容

Cx1、Cx2：寄生电容

CLC1、CLC2：液晶电容

ITO1、ITO2：像素电极

COM、COM1、COM2：共通线

V1、V2、V3：接触窗

GI：栅绝缘层

PV：保护层

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

第一实施例：

图3A为本发明第一实施例的像素阵列的等效电路图，图3B为本发明第一实施例的像素阵列的示意图，而图3B’为沿着图3B中A-A’剖面线的剖面示意图。请同时参照图3A与图3B，本实施例的像素阵列300包括多条第一扫描线SL1、多条第二扫描线SL2、多条数据线DL以及多个子像素P3。此处，第一扫描线SL1包括第一扫描线SL1(1)～SL1(n+1)，第二扫描线SL2包括第二扫描线SL2(1)～SL2(n)，而数据线DL包括数据线DL(1)～DL(n)。图3A与图3B中仅绘示出部分的第一扫描线SL1、第二扫描线SL2以及数据线DL。

各条第二扫描线SL2分别位置二相邻的第一扫描线SL1之间，数据线DL实质上交错于第一扫描线SL1及第二扫描线SL2。各个子像素P3与其中一条第一扫描线SL1、其中一条第二扫描线SL2以及其中一条数据线DL电连接。各个子像素P3包括一第一开关元件TFT1、一第二开关元件TFT2、一第一像素电极ITO1、一第二像素电极ITO2以及一第三开关元件TFT3，其中第一开关元件TFT1与第二开关元件TFT2与同一条第一扫描线SL1以及同一条数据线DL电连接，第一像素电极ITO1与第一开关元件TFT1电连接，第二像素电极ITO2与第二开关元件TFT2电连接，且第一扫描线SL1位于第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2之间。此外，第三开关元件TFT3与第二扫描线SL2以及第一像素电极ITO1电连接，第三开关元件TFT3具有一电性浮置端D3，而此电性浮置端D3与第二像素电极ITO2耦合为一第一电容CcA，且电性浮置端D3与第二像素电极ITO2下方的共通线COM2耦合为一第二电容CcB。在一较佳实施例中，电性浮置端D3延伸于第二像素电极ITO2下方且位于共通线COM2的上方，如图3B’所示。换言之，电性浮置端D3覆盖于共通线COM2的上方，且电性浮置端D3与共通线COM2之间具有栅绝缘层GI，此外，第二像素电极ITO2覆盖于电性浮置端D3的上方，且第二像素电极ITO2与电性浮置端D3之间具有保护层PV。因此，共通线COM2、栅绝缘层GI、电性浮置端D3、保护层PV以及第二像素电极ITO2共同形成一堆迭结构。

由于与第一扫描线SL1连接的开关元件数量较多(第一与第二开关元件)，为了平衡第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2的降低电阻-电容迟滞(RCdelay)，本实施例可另第一扫描线SL1的线宽(line width)大于与第二扫描线SL2的线宽SL2。然而，在本发明的其他可行的实施例中，亦可通过材质的选择而降低第一扫描线SL1的电阻-电容迟滞。

在本实施例中，第一像素电极ITO1会与薄膜晶体管阵列基板上的共通线耦合而形成一第一储存电容Cs1，且第一像素电极ITO1会与对向基板(如彩色滤光基板)上的共通电极耦合而形成一第一液晶电容CLC1。类似地，第二像素电极ITO2会与薄膜晶体管阵列基板上的共通线耦合而形成一第二储存电容Cs2，且第二像素电极ITO2会与对向基板(如彩色滤光基板)上的共通电极耦合而形成一第二液晶电容CLC2。从图3A可知，第一像素电极ITO1的面积大于第二像素电极ITO2的面积，然而，本实施例并不限定第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2的面积比例。

如图3A所示，本实施例的第一扫描线SL1的延伸方向实质上平行于第二扫描线SL2的延伸方向。此外，子像素P3排列成多列，且排列于同一列的子像素P3与同一条第一扫描线SL1以及同一条第二扫描线SL2电连接，且与同一列子像素P3电连接的第一扫描线SL1与第二扫描线SL2是彼此电性绝缘。

在本实施例中，各个子像素P3中的第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2皆位于第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2之间。由于第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2皆位于第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2之间，因此第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2与第三开关元件TFT3会集中于第一像素电极ITO1与第二像素电极ITO2之间的区域，有利于第一像素电极ITO1以及第二像素电极ITO2与第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2以及第三开关元件TFT3之间的电连接。

从图3A可知，本实施例的第一开关元件TFT1为一第一薄膜晶体管，而第一薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线SL1电连接的第一栅极G1、一与其中一条数据线DL电连接的第一源极S1以及一与第一像素电极ITO1电连接的第一漏极D1。第二开关元件TFT2为一第二薄膜晶体管，而第二薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线SL1电连接的第二栅极G2、一与其中一条数据线DL电连接的第二源极S2以及一与第二像素电极ITO2电连接的第二漏极D2。此外，第三开关元件TFT3为一第三薄膜晶体管，而第三薄膜晶体管具有一与其中一条第二扫描线SL2电连接的第三栅极G3、一与第一像素电极ITO1电连接的第三源极S3以及以第三漏极D3(即前述的电性浮置端D3)。

图3C为本发明第一实施例的像素阵列与周边电路的示意图。请参照图3B与图3C，本实施例的像素阵列300可进一步包括多条彼此连接的共通线COM(即共通线COM1、COM2)，且共通线COM分布于第一像素电极ITO1以及第二像素电极ITO2下方。详言之，共通线COM1会从周边区域延伸至第一像素电极ITO1，而共通线COM2会从周边区域延伸至第二像素电极ITO2下方。

从图3C可知，像素阵列300中的子像素P3会排列成多列，且与第n列子像素P3电连接的第二扫描线SL2(n)以及与第(n+1)列子像素P3电连接的第一扫描线SL1(n+1)是彼此电连接。类似地，第二扫描线SL2(n+1)以及第一扫描线SL1(n+2)亦彼此电连接。此外，第一扫描线SL1(n)、SL1(n+1)、SL1(n+2)会与一栅极驱动电路500的不同输出端子电连接。

然而，本发明并不限定第二扫描线必须与下一级第一扫描线电连接，第一扫描线与第二扫描线亦可以分别地与栅极驱动电路500的不同输出端子电连接。

图3D为图3B中单一子像素的示意图。请同时参照图3B与图3D，在单一子像素P3中，由于第一扫描线SL1与第二扫描线SL2皆位于第一像素电极ITO1以及第二像素电极ITO2之间，因此当第二薄膜晶体管TFT2的第二漏极D2与第二像素电极ITO2电连接时，第二漏极D2不会跨过第一像素电极ITO1而产生寄生电容(已知中所提及的寄生电容Cx1)。此外，当第三薄膜晶体管TFT3的第三漏极D3与第二像素电极ITO2耦合成第一电容CcA并且与第二像素电极ITO2下方的共通线耦合成第二电容CcB时，第三漏极D3亦不会与第一像素电极ITO1耦合而产生寄生电容。因此，与已知技术相较，本实施例的子像素P3具有较少的寄生电容。

从图3D可以清楚得知，第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3与第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极D1直接连接，且第三源极S3通过第一漏极D1与第一像素电极ITO1电连接。换言之，第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极D1以及第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3是通过相同的接触窗V1与第一像素电极ITO1电连接。此外，第二薄膜晶体管TFT2的第二漏极D1是通过接触窗V2与第二像素电极ITO2电连接。

图4为另一种单一子像素的示意图。请参照图4，在子像素P3’中，第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3与第一像素电极ITO1直接连接。换言之，第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极D1以及第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3是分别通过不同的接触窗V1、V3与第一像素电极ITO1电连接。此外，第二薄膜晶体管TFT2的第二漏极D1是通过接触窗V2与第二像素电极ITO2电连接。

从图3D与图4可知，图3D中所绘示的子像素P3不具有接触窗V3，因此图3D中所绘示的子像素P3具有较高的透光面积。

第二实施例：

图5A为本发明第二实施例的像素阵列的等效电路图，图5B为本发明第二实施例的像素阵列的示意图，图5B’为沿着图5B中B-B’剖面线的剖面示意图，而图5C与图5D为图5B中单一子像素的示意图。请参照图5A至图5C，本实施例的像素阵列500与第一实施例的像素阵列300类似，惟二者主要差异之处在于：各子像素P4中的第二像素电极ITO2位于第一扫描线SL1与第二扫描线SL2之间。详言之，第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3会跨过第二像素电极ITO2而与第一漏极D1直接电连接(如图5C所绘示)，此时，第三源极S3与第二像素电极ITO2之间会产生寄生电容Cx2。虽然子像素P4中有寄生电容Cx2的存在，但与已知的子像素P2相较，子像素P4中仅有寄生电容Cx2存在，寄生电容Cx1(绘示于图2)则不会产生，因此本实施例的子像素仍具有较少的寄生电容。

承上述，各子像素P4亦可以采用图5D中的布局，详言之，第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极D1以及第三薄膜晶体管TFT3的第三源极S3是分别通过不同的接触窗V1、V3与第一像素电极ITO1电连接。

图6为第一像素电极与第二像素电极的电压变化示意图。请参照图6，当寄生电容Cx1与Cx2存在时，第一像素电极与第二像素电极之间的电压差异拉开幅度较小，反之，当寄生电容Cx1与Cx2不存在时，第一像素电极与第二像素电极之间的电压差异能够被拉开。据此，与已知的子像素P2相较，前述第一实施例与第二实施例的子像素P3、P4能够更有效地改善色偏问题。

第三实施例：

图7为本发明的聚合物稳定配向液晶显示面板的示意图。请参照图7，本实施例的聚合物稳定配向液晶显示面板600包括一第一基板610、一第二基板620、两聚合物稳定配向层630、640以及一液晶层650。第一基板610具有前述第一实施例或第二实施例中的像素阵列(300或400)，第二基板620配置于第一基板610上方，而两聚合物稳定配向层630、640分别配置于第一基板610与第二基板620上。此外，液晶层650配置于两聚合物稳定配向层630、640之间。值得注意的是，液晶层650在制作上是采用包含有能够被能量源聚合的单体的液晶材料，当能量源(如紫外光)被施加于液晶层650时，这些能够被能量源聚合的单体会分别聚合于第一基板610与第二基板620的表面上，以形成两聚合物稳定配向膜630、640。

图8为本发明的光电装置的示意图。请参照图8，本实施例亦提出一种光电装置700，其包括前述第一实施例或第二实施例中的像素阵列(300或400)或是图7中的聚合物稳定配向液晶显示面板600。而光电装置的类型包括便携式产品(如手机、摄影机、照相机、笔记本电脑、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器、数码相片、或类似的产品)、影音产品(如影音播放器或类似的产品)、荧幕、电视、看板、投影机内的面板等。

基于上述，由于本发明将子像素中的第一扫描线设置于第一像素电极与第二像素电极之间，因此本发明的像素阵列具有较低的寄生电容，且能够提供较佳的图像品质。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属本技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定为准。

Claims (16)

1.一种像素阵列，其特征在于，所述像素阵列包括：

多条第一扫描线；

多条第二扫描线，其中各所述第二扫描线分别位置二相邻的第一扫描线之间；

多条数据线，所述这些数据线实质上交错于所述这些第一扫描线及所述这些第二扫描线；

多个子像素，各所述子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电连接，且各所述子像素包括：

一第一开关元件；

一第二开关元件，其中所述第一开关元件与所述第二开关元件与同一条第一扫描线以及同一条数据线电连接；

一第一像素电极，与所述第一开关元件电连接；

一第二像素电极，与所述第二开关元件电连接，其中所述第一扫描线位于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间；

多条彼此连接的共通线，分布于所述第一像素电极以及所述第二像素电极下方；

一第三开关元件，与所述第二扫描线以及所述第一像素电极电连接，其中所述第三开关元件具有一电性浮置端，所述电性浮置端与所述第二像素电极耦合为第一电容，且所述电性浮置端与所述第二像素电极下方的所述共通线耦合为一第二电容。

2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述这些第一扫描线的延伸方向实质上平行于所述这些第二扫描线的延伸方向。

3.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述这些子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线以及同一条第二扫描线电连接。

4.如权利要求3所述的像素阵列，其特征在于，与同一列子像素电连接的第一扫描线与第二扫描线彼此电性绝缘。

5.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述这些子像素排列成多列，与第n列子像素电连接的第二扫描线以及与第n+1列子像素电连接的第一扫描线是彼此电连接，其中n为正整数。

6.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各所述第二扫描线位于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间。

7.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第二像素电极位于所述第一扫描线与所述第二扫描线之间。

8.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各所述第一开关元件为一第一薄膜晶体管，而所述第一薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电连接的第一栅极、一与其中一条数据线电连接的第一源极以及一与所述第一像素电极电连接的第一漏极。

9.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各所述第二开关元件为一第二薄膜晶体管，而所述第二薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电连接的第二栅极、一与其中一条数据线电连接的第二源极以及一与所述第二像素电极电连接的第二漏极。

10.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各所述第三开关元件为一第三薄膜晶体管，而所述第三薄膜晶体管具有一与其中一条第二扫描线电连接的第三栅极、一与所述第一像素电极电连接的第三源极以及所述电性浮置端。

11.如权利要求10所述的像素阵列，其特征在于，所述第三源极与所述第一像素电极直接连接。

12.如权利要求10所述的像素阵列，其中所述第三源极与所述第一漏极直接连接，且所述第三源极通过所述第一漏极与所述第一像素电极电连接。

13.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述电性浮置端位于所述第二像素电极下方。

14.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于相同子像素中的所述第一扫描线的线宽实质上大于与所述第二扫描线的线宽。

15.一种聚合物稳定配向液晶显示面板，其特征在于，所述面板包括：

一第一基板，具有如权利要求1所述的像素阵列；

一第二基板，配置于所述第一基板上方；

两聚合物稳定配向层，分别配置于所述第一基板与所述第二基板上；以及

一液晶层，配置于所述这些聚合物稳定配向层之间。

16.一种光电装置，其特征在于，所述光电装置包括权利要求1所述的像素阵列。

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