CN101496104A - 信息记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。

Description

信息记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及通过照射激光光束进行信息的记录和再生的信息记录介质及其制造方法。
背景技术
对在基板上成膜形成的硫属材料等的薄膜照射激光光束进行局部加热时，利用照射条件的不同可使其在光学常数各异的状态间发生相变，如今，利用了此现象的信息记录介质的研究开发和商品化正在广泛进行。
在利用相变的信息记录介质中，光记录介质能通过在至少2种功率水平间调制激光光束的输出来记录信息。只要适当选择功率水平，即可一边消除已记录的信息一边记录新的信息。
发明者发表了具有2层信息层的光记录介质作为使光记录介质大容量化的技术。利用从光记录介质的一个面侧入射到该光记录介质的激光光束，可对2层信息层进行信息的记录和再生。采用这种结构能将光记录介质的记录容量大约提高至2倍。
利用从一个面侧入射的激光光束对2层信息层进行信息的记录和再生的信息记录介质中，利用透过入射侧信息层(以下称为第2信息层)的激光光束，对配置在远离激光光束入射侧(以下有时简称为入射侧)的信息层(以下称为第1信息层)进行信息的记录和再生。因此，第2信息层最好尽可能具有高的透过率。
作为提高透过率的方法，发明者一直以来研究在从激光光束入射侧依次具有记录层和反射层的信息层中，在反射层的与激光光束入射侧相反一侧设置具有高折射率的透过率调节层。
近年发表的采用蓝色激光的2层改写型光记录介质中，通过在上述透过率调节层中使用TiO2使第2信息层的透过率大于46％，能有效地对第1信息层进行记录和再生(参照国际公开第03/025922号小册子)。
TiO2具有折射率高达2.7左右、对蓝色激光的吸收小、即使与含有Ag的反射层直接贴附耐湿性也很好等性质，是作为透过率调节层的出色材料。
据报道，若直接覆盖记录层的保护层以TiO2作为主要成分并添加少量Nb2O5(例如2.5重量％～11重量％(
Figure A20078001240700081
4mol％以下或Nb为2.5原子％以下)的范围)，则折射率提高(例如参照日本专利特开2003-013201号公报和日本专利特开2006-45666号公报)。
但是，TiO2在溅射时的成膜率低，且水分引起的成膜率变化大，因此存在信息记录介质的制造时间长以及难以使TiO2的膜厚保持一定这样的技术问题。
发明内容
本发明用于解决上述问题，目的在于提供具备兼具与以往同等程度的高折射率和稳定的高成膜率的优良的透过率调节层的信息记录介质。本发明的目的还在于提供该信息记录介质的制造方法。
本发明的信息记录介质是在基板上设有N个信息层(N是2以上的整数)，并通过照射激光光束而对上述各信息层进行信息的记录和再生的信息记录介质，当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，上述N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层、反射层和透过率调节层，上述透过率调节层含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta及Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)，且上述透过率调节层中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。另外，在无特殊说明的情况下，本说明书中元素“M”表示选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta、Ce中的至少1种。
本发明的信息记录介质的制造方法是制造上述本发明的信息记录介质的方法，其含有制造上述第L信息层的工序，该工序包含：(i)用含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta及Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)，且Nb的含有比例在2.9原子％以上的第1溅射靶材，成膜形成透过率调节层的透过率调节层成膜工序；(ii)成膜形成反射层的反射层成膜工序；以及(iii)成膜形成通过照射激光光束能引起相变的记录层的记录层成膜工序，上述工序(i)～(iii)按工序(i)、工序(ii)、工序(iii)的顺序或工序(iii)、工序(ii)、工序(i)的顺序进行。
若采用本发明的信息记录介质及其制造方法，则能稳定高效地成膜形成具有与以往同等程度的高折射率的透过率调节层，因而能高效地获得第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)的透过率高、记录再生特性良好的多层信息记录介质。
附图说明
图1是表示本发明的信息记录介质的一结构例的截面图。
图2是表示本发明的信息记录介质的另一结构例的截面图。
图3是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图4是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图5是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图6是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图7是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图8是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图9是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图10是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图11是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图12是表示本发明的信息记录介质的再一结构例的截面图。
图13是可对本发明的信息记录介质进行信息的记录再生的记录再生装置的一个例子的示意图。
图14是表示对本发明的信息记录介质进行信息的记录再生时使用的记录脉冲波形的一个例子的示意图。
图15是表示本发明的信息记录介质的制造方法的一个例子中在透过率调节层制作时省略基板退火工序的例子的流程图。
图16是表示含有基板退火工序的现有的信息记录介质的制造方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，以下的实施方式是示例，本发明不限于以下的实施方式。在以下的实施方式中，相同部分采用相同的符号，有时省略重复说明。
(实施方式1)
在实施方式1中，对本发明的信息记录介质的一个例子进行说明。实施方式1的信息记录介质的局部截面图如图1所示。本实施方式的信息记录介质2是通过照射由物镜5会聚的激光光束4能进行信息的记录再生的光学信息记录介质。
信息记录介质2中，在基板1上依次设有第1信息层11、分离层12、第2信息层13、透明层3。即，本实施方式的信息记录介质2是本发明的信息记录介质中N＝2且L＝2时的例子，第2信息层13相当于第N信息层和第L信息层。另外，在本实施方式的信息记录介质2中，透明层3侧为激光光束入射侧。
图2是详细说明本实施方式的信息记录介质2中第1信息层11和第2信息层13的膜结构的局部截面图。如图2所示，在第1信息层11，从靠近基板1侧(激光光束入射侧的相反侧)开始依次设有反射层112、第1电介质层113、第1界面层114、记录层115、第2界面层116以及第2电介质层117，在夹杂分离层12而设置的第2信息层13，依次设有透过率调节层131、反射层132、第1电介质层133、第1界面层134、记录层135、第2界面层136以及第2电介质层137。即，在第2信息层13，从激光光束入射侧开始依次包含记录层135、反射层132以及透过率调节层131。
对于该信息记录介质2，从透明层3侧用物镜5会聚激光光束4，对第1信息层11的记录层115或第2信息层13的记录层135照射激光光束，即可进行信息的记录再生。此时，到达第1信息层11的激光光束及其反射光因通过第2信息层13而衰减。因此，第1信息层11必须具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层13必须具有高透过率。
在本实施方式中，基板1为圆盘状的形状，用于保持以第1信息层11为首的所有的层。在基板1的第1信息层11侧的面上，可形成用于引导激光光束4的引导槽。基板1的第1信息层11侧的面及其反面优选为平滑的面。基板1的材料可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、玻璃或由它们适当组合而成的材料等。
下面，对构成第1信息层11的各层进行说明。
记录层115是通过照射激光光束4能在晶相与非晶相之间发生相变的层。作为这种记录层115使用的材料，例如可采用含有选自Ge-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Te、Ge-Sb-Sn-Te、Ge-Bi-Sn-Te中的至少任1种材料的材料。记录层115优选在激光光束照射时非晶相能容易地转变成晶相，在不照射激光光束时不转变成晶相。记录层115的膜厚若过薄，则无法得到充分的反射率和反射率变化，若过厚，则因热容变大而导致记录灵敏度下降。因此，记录层115的膜厚优选在5nm～15nm的范围内。
反射层112具有增加记录层115吸收的光量的光学作用和使记录层115产生的热量扩散的热学作用。反射层112的材料可采用含有选自Ag、Au、Cu、Al中的至少1种元素的材料。例如，可使用Ag-Cu、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Au、AlNi、AlCr、Au-Cr、Ag-In等合金。特别是Ag合金因导热系数大而优选作为反射层112的材料。反射层112的膜厚越厚热扩散作用越大，但过厚时热扩散作用过大使记录层115的记录灵敏度下降。因此，反射层112的膜厚优选在30nm～200nm的范围内。
第1电介质层113位于记录层115与反射层112之间，具有调节从记录层115到反射层112的热扩散的热学作用和调节反射率和吸收率等的光学作用。作为第1电介质层的材料，可使用例如ZrO2、HfO2、ZnO、SiO2、SnO2、Cr2O3、TiO2、In2O3、Ga2O3、Y2O3、CeO2、DyO2等氧化物、ZnS和CdS等硫化物的单体、或它们的混合物。作为混合物，可使用例如ZrO2-SiO2、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、HfO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、ZnS-SiO2。若第1电介质层113的膜厚过厚，则反射层112的冷却效果减弱，从记录层115的热扩散减少，导致记录材料难以非晶质化。另外，若第1电介质层的膜厚过薄，则反射层112的冷却效果增强，从记录层115的热扩散变大，导致记录灵敏度下降。第1电介质层113的膜厚优选在5nm～40nm的范围内。
第1界面层114具有防止因反复记录而在第1电介质层113与记录层115之间产生的物质移动的作用。第1电介质层114优选为在记录时具有不熔的程度的高熔点且与记录层115的密合性良好的材料。作为第1界面层114的材料，可采用例如ZrO2、HfO2、ZnO、SiO2、SnO2、Cr2O3、TiO2、In2O3、Ga2O3、Y2O3、CeO2、DyO2等氧化物的单体、或它们的混合物例如ZrO2-SiO2、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、HfO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-In2O3。另外，还可以使用C等。若第1界面层114的膜厚过薄，则无法发挥作为界面层的效果，若过厚，则会阻碍第1电介质层113的作用。第1界面层114的膜厚优选在0.3nm～15nm的范围内。
第2电介质层117设在记录层115的激光光束入射侧，具有防止记录层115腐蚀、变形等作用和调节反射率和吸收率等的光学作用。作为第2电介质层117的材料，可采用与第1电介质层113相同的材料。第2电介质层117的膜厚只要以记录层115在晶相时和非晶相时的反射率的变化大为前提来确定即可。第2电介质层117的膜厚优选在20nm～80nm的范围内。
第2界面层116与第1界面层114同样，具有防止因反复记录而在第2电介质层117与记录层115之间产生物质移动的作用。因此，优选与第1界面层114具有相同性能的材料。第2界面层116的膜厚优选在0.3nm～15nm的范围内。
上述反射层112、第1电介质层113、第1界面层114、记录层115、第2界面层116和第2电介质层117形成第1信息层11。
分离层12是为了区别第1信息层11和第2信息层13的焦点位置而设置的层。分离层12的厚度优选为由物镜5的开口数NA和激光光束4的波长λ决定的焦点深度以上。另一方面，被分离层12分离的所有信息层(本实施方式中为第1信息层11和第2信息层13)必须在能用物镜5聚光的范围内，因此分离层12以较薄为宜。假设λ＝405nm、NA＝0.85时，分离层12的厚度优选在5μm～50μm的范围内。
分离层12优选对激光光束4的光吸收小。在分离层12的第2信息层13侧的面上，可形成用于引导激光光束4的引导槽。分离层12的材料可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、紫外线固化性树脂、迟效性热固化性树脂、玻璃、或由它们适当组合而成的材料等。
下面，对构成第2信息层13的各层进行说明。
如上所述，在第2信息层13，从靠近第1信息层11侧开始依次设有透过率调节层131、反射层132、第1电介质层133、第1界面层134、记录层135、第2界面层136和第2电介质层137。
记录层135具有与上述第1信息层11的记录层115相同的功能，可采用同样的材料。但是，为了提高第2信息记录层13的透过率，记录层135的膜厚优选在15nm以下，更优选在9nm以下。例如，可使记录层135的厚度在1nm～15nm的范围内(更优选在1nm～9nm的范围内)。
反射层132具有与上述第1信息层11的反射层132相同的功能，可采用同样的材料。但是，为了提高第2信息层13的透过率，反射层132的膜厚优选在18nm以下，更优选在1nm～15nm的范围内。
第1电介质层133具有与上述第1信息层11的第1电介质层113相同的功能，可采用同样的材料。第1电介质层133的膜厚优选在5nm～30nm的范围内。
第1界面层134具有与上述第1信息层11的第1界面层114相同的功能，可采用同样的材料。第1界面层134的膜厚优选在0.3nm～15nm的范围内。
第2电介质层137具有与上述第1信息层11的第2电介质层117相同的功能，可采用同样的材料。第1电介质层137的膜厚优选在15nm～60nm的范围内。
第2界面层136具有与上述第1信息层11的第2界面层116相同的功能，可采用同样的材料。第2界面层136的膜厚优选在0.3nm～15nm的范围内。
透过率调节层131具有调节第2信息层13的透过率的功能。利用该透过率调节层131能同时提高当记录层135为晶相时的第2信息层13的透过率Tc(％)以及当记录层135为非晶相时的第2信息层13的透过率Ta(％)。
为了提高第1信息层13的透过率Tc和Ta，透过率调节层131的折射率nt和消光系数kt优选为nt≥2.4且kt≤0.1。透过率调节层131含有元素M、Nb和氧(O)。透过率调节层131中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。因此，透过率调节层131的材料可采用Nb的氧化物与元素M的氧化物的混合物。特别优选使用Nb的氧化物Nb2O5或含有Nb2O5的材料。含有Nb2O5的材料因折射率大而具有明显提高第2信息层13透过率的效果，且由于具有稳定的高成膜率，因而有助于信息记录介质2的制造。此外，若在Nb2O5中混入元素M的氧化物，则即使在高温高湿的条件下也能得到可靠性高的透过率调节层131。
为了充分提高成膜率并进一步减少因水分引起的成膜率变化(进一步提高成膜率稳定性)，透过率调节层131的材料优选含有8.6原子％以上(例如9原子％以上或15原子％以上)的Nb。例如，优选使用下式(1)表示的材料。
NbxMyO100-x-y(原子％)…(1)
但在上述式(1)中，x和y满足x≥8.6，y＞0，x+y≤y37。为了获得更可靠的效果，可采用x满足x≥9或x≥15的材料。
另外，本说明书中的“NbxMyO100-x-y(原子％)”表示以“Nb”原子、“M”原子以及“O”的总数为基准(100％)的组合式。
当用氧化物来表述透过率调节层131的优选材料时，透过率调节层131优选含有10mol％以上的Nb2O5，为了充分提高成膜率并进一步提高成膜率稳定性，更优选含有30mol％以上的Nb2O5。此时，作为透过率调节层131中含有的材料，例如可优选使用下式(2)表示的材料。
(Nb2O5)z(M-O)100-z(mol％)…(2)
但在上述式(2)中，M-O表示元素M的氧化物，z满足z≥30。
另外，“(Nb2O5)z(M-O)100-z(mol％)”表示zmol％的Nb2O5与(100-z)mol％的元素M的氧化物的混合物。在本说明书中，有时用同样的表述方法表示氧化物的混合物。
透过率调节层131可用仅由元素M、Nb和氧(O)组成的材料来形成，也可用含有元素M、Nb和氧(O)以外的其他元素的材料来形成。当透过率调节层131含有其他元素时，优选将元素M、Nb和氧(O)以其总量计含有90原子％以上。另外，当用氧化物来表述时，透过率调节层131优选含有总计为90mol％以上的Nb的氧化物以及元素M的氧化物。
为了进一步有效地提高透过率Tc、Ta，透过率调节层131的厚度d优选满足λ/32nt≤d≤λ/4nt，更优选满足d＝λ/8nt。其中，λ是激光光束4的波长，nt是透过率调节层131的折射率。同时考虑反射率等其他的条件，透过率调节层131的厚度优选例如在5nm～36nm的范围内。
上述透过率调节层131、反射层132、第1电介质层133、第1界面层134、记录层135、第2界面层136和第2电介质层137形成第2信息层13。
透明层3设置在第2信息层13的激光光束入射侧，具有保护信息层11、13的作用。透明层3优选对激光光束4的光吸收小。透明层3的材料可采用例如聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、紫外线固化性树脂、迟效性热固化性树脂、玻璃、或由它们适当组合而成的材料等。另外，也可使用由这些材料形成的片材。透明层3的膜厚若过薄，则无法发挥保护信息层的作用，若过厚，则从信息记录介质2的激光光束入射侧到各信息层的距离比物镜5的焦点距离长，导致无法在记录层上聚焦。假设NA＝0.85时，透明层的膜厚优选在5μm～150μm的范围内，更优选在15μm～50μm的范围内。
信息记录介质2可用下述方法来制造。
首先，在基板1(例如厚1.1mm)上层叠第1信息层11。第1信息层11由多层膜形成，上述各层可依次通过溅射来形成。另外，根据使用的材料，基板1具有高吸湿性，因此可根据需要在进行溅射前对基板实施退火工序(以下称为基板退火工序、退火工序或基板退火处理)。以除去水分。
各层可通过将构成各层的材料的溅射靶材在Ar气、Kr气或Xe气等稀有气体氛围气中或由稀有气体与反应气体(选自氧气和氮气中的至少1种气体)的混合气体氛围气中进行溅射来形成。作为溅射方法，可根据需要分别使用DC溅射法和RF溅射法。由溅射成膜形成的各层的组成与原来的溅射靶材的组成不完全相同，因此根据材料的不同，有必要考虑因溅射引起的组成偏差来确定溅射靶材的组成。但是，若采用在本发明的信息记录介质的透过率调节层中使用的材料这样的不易因溅射而产生组成偏差的材料，则无需考虑上述组成偏差。因此，此时为了得到所需组成的膜，可使用与目标膜的组成具有同一组成的溅射靶材。另外，例如为氧化物时，溅射易引起缺氧。此时，用氧气作为反应气体能弥补缺氧。另外，溅射靶材和由溅射靶材成膜得到的膜例如可用X射线显微分析仪进行分析来确定组成。
作为第1信息层11的制造顺序，具体而言，首先在基板1上成膜形成反射层112。将由构成反射层112的金属或合金形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成反射层112。
接着，在反射层112上成膜形成第1电介质层113。将由构成第1电介质层113的化合物形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成第1电介质层113。
接着，在第1电介质层113上成膜形成第1界面层114。将由构成第1界面层114的化合物形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形第1界面层114。
接着，在第1界面层114上成膜形成记录层115。将由构成记录层115的化合物形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成记录层115。
接着，在记录层115上成膜形成第2界面层116。将由构成第2界面层116的化合物形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成第2界面层116。
接着，在第2界面层116上成膜形成第2电介质层117。将由构成第2电介质层117的化合物形成的溅射靶材在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成第2电介质层117。
如上所述，在基板1上层叠第1信息层11，然后形成分离层12。
分离层12例如可用如下方法来制作：在第1信息层11上涂布紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂，然后使整体旋转，将树脂均匀延展(旋转涂布)后，使该树脂固化。
接着，在层叠了第1信息层11和分离层12的基板1上，从分离层12侧(分离层12上)层叠第2信息层13。第2信息层13与第1信息层11同样由多层膜形成，其各层可依次通过溅射来形成。分离层12也与基板1同样，根据材料的不同而具有高吸湿性，因此可实施退火工序。
首先，在分离层12上成膜形成透过率调节层131(透过率调节层成膜工序)。将由构成透过率调节层131的化合物形成的溅射靶材(第1溅射靶材)在稀有气体氛围气中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围气中进行溅射，可形成透过率调节层131。另外，透过率调节层131采用的材料不易因溅射产生组成偏差。因此，可采用与目标的透过率调节层131的组成具有同样组成的溅射靶材。具体而言，采用含有元素M、Nb和氧(O)且Nb的含有比例为2.9原子％以上的溅射靶材。因此，可使用含有Nb的氧化物与元素M的氧化物的混合物的溅射靶材。特别优选使用Nb的氧化物Nb2O5或含有Nb2O5的溅射靶材。含有Nb2O5的材料因能达到稳定的高成膜率而适用于信息记录介质2的透过率调节层131的成膜。此外，因水分引起的成膜率变化小，因而可省略基板退火工序，能实现更高的效率。为了充分提高成膜率且进一步减小因水分引起的成膜率变化(进一步提高成膜率稳定性)，优选使用含有8.6原子％以上(例如9原子％以上)Nb的溅射靶材。例如，优选使用上述式(1)表示的材料。当用氧化物表述透过率调节层131中采用的溅射靶材时，优选含有10mol％以上的Nb2O5，为了充分提高成膜率并进一步提高成膜率稳定性，更优选含有30mol％以上的Nb2O5。此时，例如优选采用上式(2)表示的材料。这里使用的溅射靶材可用仅由元素M、Nb和氧(O)组成的材料来形成，也可用含有元素M、Nb和氧(O)以外的其他元素的材料来形成。当含有其他元素时，优选将元素M、Nb和氧(O)以其总量计含有90原子％以上。另外，当用氧化物表述该溅射靶材时，优选含有总计为90mol％以上的Nb的氧化物和元素M的氧化物。
接着，在透过率调节层131上成膜形成反射层132(反射层成膜工序)。反射层132可用与第1信息层11的形成方法中所述的反射层112相同的方法来形成。例如，可使用含有选自Ag、Au、Cu、Al中的至少1种元素的溅射靶材(第3溅射靶材)。
接着，在反射层132上成膜形成第1电介质层133(第1电介质层成膜工序)。第1电介质层133可用与第1信息层11的形成方法中所述的第1电介质层113相同的方法来形成。
接着，在第1电介质层133上成膜形成第1界面层134(第1界面层成膜工序)。第1界面层134可用与第1信息层11的形成方法中所述的第1界面层114相同的方法来形成。
接着，在第1界面层134上成膜形成上述记录层135(记录层成膜工序)。记录层135可用与第1信息层11的形成方法中所述的记录层115相同的方法来形成。例如，可使用含有选自Ge-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Te、Ge-Sb-Sn-Te、Ge-Bi-Sn-Te中的至少任1种材料的溅射靶材(第2溅射靶材)。
接着，在记录层135上成膜形成第2界面层136(第2界面层成膜工序)。第2界面层136可用与第1信息层11的形成方法中所述的第2界面层116相同的方法来形成。
接着，在第2界面层136上成膜形成第2电介质层137(第2电介质层成膜工序)。第2电介质层137可用与第1信息层11的形成方法中所述的第2电介质层117相同的方法来形成。
如上所述，在分离层12上层叠第2信息层13，然后在第2信息层13上形成透明层3。
透明层3例如可通过在第2信息层13上涂布紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂并旋转涂布后使该树脂固化来形成。另外，透明层3也可用圆盘状的聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、玻璃等基板来形成。此时，透明层3可通过如下方法来形成：在第2信息层13上涂布紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂，使基板与第2信息层13密合后进行旋转涂布，然后使树脂固化。
信息记录介质2的各记录层通常在成膜后为非晶质状态，因此可根据需要，进行照射激光光束等使其结晶的初期化工序。
按上述方法操作，即可制造本实施方式的信息记录介质2。另外，如上所述，在本实施方式的信息记录介质2中，由于采用因水分引起的成膜率的变化小的材料来成膜形成透过率调节层131，因此在透过率调节层131成膜时可省略基板退火处理(基板退火工序)。参照图15所示的流程图，对本实施方式的信息记录介质2的制造方法中在透过率调节层131制作时省略基板退火工序的例子进行说明。首先，准备基板1(步骤S1)，在基板1上通过溅射依次成膜形成构成第1信息层11的各层(步骤S2)。接着，在制成的第1信息层11上制作分离层12(步骤S3)。然后，不进行基板退火工序，通过溅射在分离层12上成膜形成透过率调节层131，然后依次成膜形成反射层132、第1电介质层133、第1界面层134、记录层135、第2界面层136和第2电介质层137，制作第2信息层13(步骤S4)。然后，在第2信息层13上制作透明层3(步骤S5)，最后进行初期化(步骤S6)。为了比较，图16表示必须进行基板退火工序的现有的信息记录介质制造方法的流程图。如图16所示，在现有的方法中，基板1的准备(步骤S11)、利用溅射的第1信息层11的成膜(步骤S12)以及分离层12的制作(步骤S13)与图15所示的本实施方式的例子相同，之后必须进行基板退火工序(步骤S14)。基板退火工序结束后，与本实施方式的例子同样，通过溅射成膜形成透过率调节层131，然后依次成膜形成第2信息层13的各层，制作第2信息层(步骤S15)。然后，进行透明层3的制作(步骤S16)和初期化工序(步骤S17)。
以上说明的图1和图2所示的信息记录介质2是具有2层信息层的信息记录介质，但本实施方式的信息记录介质也可以是如图3所示的具有4层信息层的信息记录介质6。图3所示为本发明的信息记录介质中N＝4时的结构例、即设有4层信息层(第1信息层21、第2信息层23、第3信息层24以及第4信息层25)的信息记录介质6的结构例。这种信息记录介质6的第1信息层21可具有与图1和图2中所示的第1信息层11相同的结构。此外，这种信息记录介质6的第2信息层23、第3信息层24以及第4信息层25中的至少1个信息层(相当于本发明的信息记录介质中的第L信息层的信息层)具有与图1或图2所示的第2信息层13基本相同的膜结构(含有透过率调节层的结构)。另外，第2～第4信息层23、24、25可以全部具有与第2信息层13相同的基本结构，也可以包含膜结构不同于第2信息层13的信息层。即，第2～第4信息层23、24、25中可包含未设有反射层、透过率调节层的信息层。
在信息记录介质6中，到达设在第4信息层25的基板1侧的信息层的激光光束及其反射光由于通过设在该信息层的激光光束入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层21、第2信息层23以及第3信息层24必须具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层23、第3信息层24以及第4信息层25必须具有高透过率。
在更一般的情况下，本实施方式的信息记录介质可以是具有N个信息层(这里N为3以上的整数)的信息记录介质。图4所示为设有N个信息层(第1信息层31、第2信息层33、…、第N-1信息层38以及第N信息层39)的信息记录介质7的结构例。这种信息记录介质7的第1信息层31可具有与图1和图2所示的第1信息层11相同的膜结构。另外，这种信息记录介质7的第2信息层33、…、第N-1信息层38以及第N信息层39中的至少1个信息层(相当于本发明的信息记录介质的第L信息层的信息层)具有与图1或图2所示的第2信息层13基本相同的结构(含有透过率调节层的结构)。另外，第2～第N信息层33，…，38，39可全部具有与第2信息层13相同的结构，也可包含膜结构不同于第2信息层13的信息层。即，第2～第N信息层33，…，38，39中包含未设有反射层、透过率调节层的信息层。
在信息记录介质7中，到达设于第N信息层39的基板1侧的信息层的激光光束及其反射光由于通过设于该信息层的激光入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层31、第2信息层33、…、第N-1信息层38必须具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层33、第3信息层34、…、第N-1信息层38及第N信息层39必须具有高透过率。
图3所示的具有4个信息层的信息记录介质6可用与图1和图2所示的具有2个信息层的信息记录介质2相同的方法来制作。即，在基板1上间隔分离层22依次层叠第1信息层21、第2信息层23、第3信息层24和第4信息层25，然后在第4信息层25上形成透明层3，即可制作信息记录介质6。
另外，如图4所示的具有N个信息层的信息记录介质7也可用与图1和图2所示的具有2个信息层的信息记录介质2相同的方法来制作。在基板1上间隔分离层32依次层叠第1信息层31、第2信息层33、…、第N-1信息层38以及第N信息层39。然后，在第N信息层39上形成透明层3，即可制作信息记录介质7。
信息记录介质6和信息记录介质7的各记录层通常在成膜后为非晶质状态，因此可根据需要进行照射激光光束等使其结晶的初期化工序。
按上述方法操作，即可制造信息记录介质6和信息记录介质7。
以上对具有2层以上可进行信息的记录再生的信息层的信息记录介质及其制造方法进行了说明，但本发明的信息记录介质不限于该结构和制造方法，至少1个信息层(第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数))从激光光束入射侧开始依次含有产生相变的记录层、反射层、透过率调节层即可。
在例如具有4个信息层的信息记录介质中，可使4个信息层中的2个为再生专用的信息层，2个为含有产生相变的记录层、反射层、透过率调节层的信息层。此外，记录层可以是产生可逆相变的记录层，也可以是产生不可逆相变的记录层。
在本实施方式中，作为构成信息层的各层的成膜方法，采用溅射法，但不限于此，也可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE(Molecular BeamEpitaxy：分子束外延)法等。
(实施方式2)
在实施方式2中，对本发明的信息记录介质的另一例子进行说明。实施方式2的信息记录介质的局部截面图如图5所示。本实施方式的信息记录介质8与实施方式1中所述的信息记录介质2同样，是通过照射由物镜5会聚的激光光束4能进行信息的记录再生的光学信息记录介质。
信息记录介质8的结构为：分别在第1基板53上层叠第2信息层13、在第2基板51上层叠第1信息层11，通过粘接层52将第1信息层11与第2信息层13接合。即，本实施方式的信息记录介质8是本发明的信息记录介质中N＝2且L＝2时的例子，第2信息层13相当于第N信息层和第L信息层。另外，在本实施方式的信息记录介质8中，第1基板53侧为激光光束入射侧。
第1基板53和第2基板51为圆盘状。此外，第1基板53近似透明。第1基板53和第2基板51的材料可与实施方式1中所述的基板1同样，采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、玻璃或由它们适当组合而成的材料等。在第1基板53的第2信息层13侧的面和第2基板51的第1信息层11侧的面上，可形成用于引导激光光束4的引导槽。另外，第1基板53和第2基板51的厚度需满足具有足够的强度且信息记录介质8的总厚度为1.2mm左右，因此优选在0.3mm～0.9mm的范围内。
粘接层52的材料可采用紫外线固化性树脂等。另外，基于与实施方式1的分离层12相同的理由，粘接层52的厚度优选在5μm～50μm的范围内。
如图6所示，第1信息层11和第2信息层13分别具有与实施方式1中所述的信息记录介质2中设置的2层信息层相同的膜结构。因此，在此省略对第1信息层11和第2信息层13中分别含有的各层的说明。
信息记录介质8可用下述方法来制造。
首先，在第1基板53(例如厚0.6mm)上形成第2信息层13。具体而言，在第1基板53上通过溅射依次成膜形成第2电介质层137、第2界面层136、记录层135、第1界面层134、第1电介质层133、反射层132以及透过率调节层131。另外，各层可用与实施方式1相同的方法来成膜。
然后，在第2基板51(例如厚0.6mm)上形成第1信息层11。具体而言，在第2基板51上通过溅射依次成膜形成反射层112、第1电介质层113、第1界面层114、记录层115、第2界面层116以及第2电介质层117。另外，各层可用与实施方式1相同的方法来成膜。
最后，用粘接层52将分别层叠有信息层的第1基板53与第2基板51贴合。即，使第1信息层11与第2信息层13相互贴合。具体而言，在层叠于第2基板51上的第1信息层11上，涂布紫外线固化性树脂等，使层叠于第1基板53上的第2信息层13与第1信息层11密合并旋转涂布后，使树脂固化即可。
另外，上述例子是当本发明的信息记录介质的制造方法是如下方法时的具体例子，即：含有(I)在第1基板上依次制造第N信息层～第m信息层(m是满足2≤m≤N的整数)的工序、(II)在第2基板上依次制造第1信息层～第m-1信息层的工序和(III)使第m信息层与第m-1信息层相互贴合的工序，当L满足m≤L≤N时，上述工序(I)按照工序(iii)、工序(ii)、工序(i)的顺序含有制造第L信息层的工序中的上述工序(i)～(iii)，当L满足2≤L≤m-1时，上述工序(II)按照工序(i)、工序(ii)、工序(iii)的顺序含有制造第L信息层的工序中的上述工序(i)～(iii)。详细而言是第2信息层13相当于第m信息层、第1信息层11相当于第m-1信息层时的例子。另外，如上所述，工序(i)是本发明的制造方法中的透过率调节层成膜工序，工序(ii)是反射膜成膜工序，工序(iii)是记录层成膜工序。
信息记录介质8的各记录层通常在成膜后为非晶质状态，因此可根据需要进行照射激光光束等使其结晶的初期化工序。
按上述方法操作，即可制造信息记录介质8。
以上说明的图5和图6所示的信息记录介质8是具有2层信息层的信息记录介质，但本实施方式的信息记录介质也可以是如图7所示的具有4个信息层的信息记录介质9。图7所示为本发明的信息记录介质中N＝4时的结构例、即设有4个信息层(第1信息层21、第2信息层23、第3信息层24以及第4信息层25)的信息记录介质9的结构例。这种信息记录介质9的第1信息层21与图5和图6所示的第1信息层11具有相同的膜结构。而且，这种信息记录介质9的第2信息层23、第3信息层24和第4信息层25中的至少1个信息层(相当于本发明的信息记录介质中的第L信息层的信息层)与图5和图6所示的第2信息层13具有基本相同的结构(含有透过率调节层的结构)。第2～第4信息层23、24、25可全部具有与第2信息层13相同的结构，也可以包含膜构成不同于第2信息层13的信息层。即，第2～第4信息层23、23、25中可包含未设有反射层、透过率调节层的信息层。
在信息记录介质9中，到达设于第4信息层25的第2基板51侧的信息层的激光光束及其反射光因通过设于该信息层的激光光束入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层21、第2信息层23以及第3信息层24必须具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层23、第3信息层24以及第4信息层25必须具有高透过率。
在更一般的情况下，本实施方式的信息记录介质可以是具有N个信息层(这里N是3以上的整数)的信息记录介质。图8所示为设有N个信息层(第1信息层31、第2信息层33、…、第N-1信息层38和第N信息层39)的信息记录介质10的结构例。这种信息记录介质10的第1信息层31可具有与图5或图6所示的第1信息层11相同的结构。另外，这种信息记录介质10的第2信息层33、…、第N-1信息层38和第N信息层39中的至少1个信息层(相当于本发明的信息记录介质的第L信息层的信息层)具有与图5和图6所示的第2信息层13基本相同的结构(含有透过率调节层的结构)。第2～第N信息层33，…，38，39可全部具有与第2信息层13相同的结构，也可含有膜结构不同于第2信息层13的信息层。即，第2～第N信息层33，…，38，39中可含有未设有反射层、透过率调节层的信息层。
在信息记录介质10中，到达设于第N信息层39的第2基板51侧的信息层的激光光束及其反射光因通过设于该信息层的激光光束入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层31、第2信息层33、…、第N-1信息层38必须具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层33、…、第N-1信息层38以及第N信息层39必须具有高透过率。
图7所示的具有4个信息层的信息记录介质9可采用与图5和图6所示的具有2层信息层的信息记录介质8相同的方法来制作。即，首先在第1基板53上间隔分离层12依次形成第4信息层25、第3信息层24和第2信息层23(第m信息层)。分离层12可用与实施方式1所述的方法相同的方法来形成。
然后，在第2基板51上形成第1信息层21(第m-1信息层)。
最后，将分别层叠有信息层的第1基板53和第2基板51用粘接层52贴合。与信息记录介质8同样，在层叠于第2基板51上的第1信息层11上涂布紫外线固化性树脂等，使层叠于第1基板53上的第2信息层13与第1信息层密合并旋转涂布后，使树脂固化即可。
图8所示的具有N个信息层的信息记录介质10，也可用与图7所示的具有4层信息层的信息记录介质9相同的方法来制作。
首先，在第1基板53上间隔分离层12依次形成第N信息层39、第N-1信息层38、…、第2信息层33(第m信息层)。分离层12可用与实施方式1中所述的方法同样的方法来形成。
然后，在第2基板51上形成第1信息层31(第m-1信息层)。
最后，将分别层叠有信息层的第1基板53与第2基板51用粘接层52贴合。与信息记录介质8同样，在层叠于第2基板51上的第1信息层31上，涂布紫外线固化性树脂等，使层叠于第1基板53上的第2信息层33与第1信息层密合并旋转涂布后，使树脂固化即可。
信息记录介质9和信息记录介质10的各记录层通常在成膜后为非晶质状态，因此可根据需要进行照射激光光束等使其结晶的初期化工序。
按上述方法操作，即可制造信息记录介质9和信息记录介质10。
以上对具有2个以上能进行信息的记录再生的信息层的信息记录介质及其制造方法进行了说明，但本发明的信息记录介质不限于此结构和制造方法，只要至少1个信息层(第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数))从激光光束入射侧依次含有产生相变的记录层、反射层、透过率调节层即可。
在例如具有4个信息层的信息记录介质中，可以使4个信息层中的2个为再生专用的信息层，其余2个为含有能引起相变的记录层、反射层、透过率调节层的信息层。此外，记录层可以是产生可逆相变的记录层，也可以是产生不可逆相变的记录层。
另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的成膜方法，采用溅射法，但不限于此，也可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE(Molecular BeamEpitaxy：分子束外延)法等。
(实施方式3)
在实施方式3中，说明本发明的信息记录介质的另一例子。实施方式3中的信息记录介质的局部截面图如图9所示。本实施方式的信息记录介质15与实施方式1中所述的信息记录介质2同样，是在由物镜5会聚的激光光束4的照射下能进行信息的记录再生的光学信息记录介质。
信息记录介质15通过在基板55上层叠第2信息层13、分离层12、第1信息层11并通过粘接层52将第1信息层11与隔板60接合来形成。即，本实施方式的信息记录介质15是本发明的信息记录介质中N＝2和L＝2时的方式，第2信息层13相当于第N信息层和第L信息层。另外，在本实施方式的信息记录介质15中，基板55侧为激光光束入射侧。图10是详细表示本实施方式的信息记录介质15的第1信息层11和第2信息层13的膜结构的局部截面图。
基板55和隔板60为圆盘状。此外，基板55近似透明。关于基板55和隔板60的材料，可与实施方式1中所述的基板1同样，采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯类树脂、玻璃或由它们适当组合而成的材料等。在基板55的第2信息层13侧的面上可形成用于引导激光光束4的引导槽。另外，基板55和隔板60的厚度需满足具有足够的强度且信息记录介质15的总厚度为1.2mm左右，因此优选在0.3mm～0.9mm的范围内。
粘接层52的材料可采用紫外线固化性树脂等。另外，基于与实施方式1的分离层12相同的理由，粘接层52的厚度优选在5μm～50μm的范围内。
如图10所示，第1信息层11和第2信息层13具有与实施方式1中所述的信息记录介质2中设置的2层信息层分别相同的膜结构，因此在此省略各信息层中含有的各层的说明。
信息记录介质15可用下述方法来制造。
首先，在基板55(例如厚0.6mm)上形成第2信息层13。具体而言，在基板55上通过溅射依次成膜形成第2电介质层137、第2界面层136、记录层135、第1界面层134、第1电介质层133、反射层132以及透过率调节层131。此时，可根据需要在溅射前实施退火工序。另外，各层可用与实施方式1相同的方法来成膜。
按上述方法在基板55上层叠第2信息层13，然后与实施方式1同样地形成分离层12。
然后在分离层12上层叠第1信息层11。具体而言，在分离层12上通过溅射依次成膜形成第2电介质层117、第2界面层116、记录层115、第1界面层114、第1电介质层113、反射层112。另外，各层可用与实施方式1相同的方法来成膜。
最后，用粘接层52将层叠了第1信息层11和第2信息层13的基板55与隔板60贴合。具体而言，在层叠于基板55上的第1信息层11上，涂布紫外新固化性树脂等，使隔板60与第1信息层11密合并旋转涂布后，使树脂固化即可。
信息记录介质15的各记录层通常在成膜后为非晶质状态，因此可根据需要进行照射激光光束等使其结晶的初期化工序。
按上述方法操作，即可制造本实施方式的信息记录介质15。
与实施方式1和2同样，本实施方式的信息记录介质可以是图11所示的具有4个信息层的信息记录介质16，也可以是图12所示的具有N个信息层的信息记录介质17。在例如具有4个信息层的信息记录介质中，可以使4个信息层中的2个为再生专用的信息层，其余2个为含有能引起相变的记录层、反射层和透过率调节层的信息层。此外，记录层可以是产生可逆相变的记录层，也可以是产生不可逆相变的记录层。
(实施方式4)
在实施方式4中，对在实施方式1、2和3中所述的信息记录介质上进行信息的记录再生的方法的一个例子进行说明。
图13是表示用于对本发明的信息记录介质进行信息的记录再生的记录再生装置的一个例子的示意图。该记录再生装置包括用于使信息记录介质506旋转的电动机505、激光二极管501、半透镜503、物镜504和光电检测器507。从激光二极管501射出的激光光束502通过半透镜503和物镜504，聚焦于在电动机505的作用下旋转的信息记录介质506的信息层上。使来自信息记录介质506的反射光射入光电检测器507，检测信号，从而进行信息的再生。另外，信息记录介质506是具有实施方式1～3中所述的任一结构的介质。
进行信息的记录时，在多个功率水平间调制激光光束502的强度。作为调制激光光束502的强度的方法，例如可采用调制激光二极管501的驱动电流的电流调制方法。对于形成记录标记的部分，可施加峰值功率Pp的单一矩形脉冲，特别是当形成长标记时，为了除去多余的热量使标记宽度均一，可使用如图14所示那样由在峰功率Pp和底功率Pb(其中，Pp＞Pb)间调制的多个脉冲列形成的记录脉冲列。另外，可在末尾的脉冲之后，设置冷却功率Pc的冷却区间。对于不形成标记的部分，在偏置功率Pe(其中，Pp＞Pe)下保持恒定。
[实施例]
下面，用实施例更具体地说明本发明。
(实施例1)
在实施例1中，对由Nb2O5或TiO2形成的溅射靶材分别测定成膜的效率和稳定性。表1按基板的退火工序的有无来分别表示用由Nb2O5或TiO2形成的直径200mm的溅射靶材进行溅射时的成膜率。
[表1]
按以下方法进行成膜率的测定。首先，准备贴有玻璃片的聚碳酸酯基板，根据需要进行基板的退火工序。然后，将该聚碳酸酯基板置于溅射装置，在聚碳酸酯基板上的贴有玻璃片一侧通过DC溅射法形成溅射膜。另外，DC溅射法的条件为在Ar和氧的混合气体0.5Pa的氛围气(氧浓度为3％)下、输入功率2.5kW。然后，从聚碳酸酯基板基板取下玻璃片，用小刀刮去玻璃片的溅射膜，制作与溅射膜的膜厚相当的高度差，用高度差计测定该高度差，即可测定膜厚。由溅射膜的膜厚与成膜时间之间的关系来计算成膜率。
当实施基板退火工序时，将聚碳酸酯基板在80℃且干燥的炉中保管10小时，除去吸附于聚碳酸酯基板上的水分后，进行溅射。当不实施基板退火工序时，将聚碳酸酯基板在实验室内在常温下的大气中放置10小时后，进行溅射。
经证实：由Nb2O5形成的溅射靶材的成膜率高，且无论有无退火工序，成膜率均不变化，因而能高效并稳定地进行溅射(样品1-1、1-2)。另一方面，由TiO2形成的溅射靶材的成膜率比Nb2O5低，且在进行了退火工序时的成膜率为2nm/sec，而在不进行退火工序时的成膜率为1nm/sec，退火工序的有无对成膜率的影响大(样品1-3、1-4)。由此可知由TiO2形成的溅射靶材的溅射效率差且不稳定。另外，判断本实施例中的成膜率稳定性时，无论聚碳酸酯基板有无退火工序成膜率均不变时为“○”，变化时为“×”。
(实施例2)
在实施例2中，分析与图2所示的信息记录介质2具有相同结构的信息记录介质在高温高湿的条件下的腐蚀情况。
本实施例中使用的信息记录介质按如下方法来制造。首先，作为基板1，准备形成有用于引导激光光束的引导槽的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚1.1mm)。然后，在该聚碳酸酯基板上，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为反射层112的Ag-Pd-Cu层(厚80nm)。但是，在反射层112成膜前，进行10小时的基板退火工序。
接着，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第1电介质层113的ZrO2-SiO2-In2O3层(厚21nm)。然后，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为记录层115的Ge40Sn5Bi4Te51层(厚11nm)。在记录层115的溅射中，考虑到各原子的溅射率的不同，采用调节至成膜状态下的目标组成的直径200mm的Ge-Sn-Bi-Te溅射靶材(以下所有的实施例均相同)。然后，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第2界面层116的ZrO2-SiO2-Cr2O3层(厚5nm)。接着，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率5kW用RF溅射法成膜形成作为第2电介质层117的ZnS-SiO2层(厚48nm)，形成第1信息层11。
然后，在第1信息层11上涂布紫外线固化性树脂，旋转涂布后，照射紫外线使树脂固化，从而形成分离层12(厚25μm)。
然后，在分离层12上，在Ar和氧的混合气体0.5Pa的氛围气(氧浓度3％)中，以输入功率2kW用DC溅射法成膜形成透过率调节层131(厚22nm)。透过率调节层131是Nb2O5、TiO2或Nb2O5与TiO2的混合物，用组成为(Nb2O5)z(TiO2)100-z(mol％)(其中，z＝0、2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95、98、100)的直径200mm的溅射靶材来成膜。但是，在透过率调节层131成膜前，进行10小时的基板退火工序。
接着，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为反射层132的Ag-Pd-Cu(厚10nm)。然后，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第1电介质层133的ZrO2-SiO2-In2O3层(厚12nm)。然后，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为记录层135的Ge40Sn5Bi4Te51层(厚7nm)。在记录层135的溅射中，与第1信息层11相同，考虑到各原子的溅射率的不同，采用调节至成膜状态下的目标组成的直径200mm的Ge-Sn-Bi-Te溅射靶材。然后，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第2界面层136的ZrO2-SiO2-Cr2O3层(厚5nm)。接着，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率5kW用RF溅射法成膜形成作为第2电介质层137的ZnS-SiO2层(厚37nm)，形成第2信息层13。
最后，在第2信息层13上涂布紫外线固化性树脂，旋转涂布后，照射紫外线使树脂固化，从而形成透明层3(厚75μm)。
按上述方法操作，制作与信息记录介质2具有相同膜结构的15种样品(样品2-1～2-15)。对上述各样品从透明层3侧射入激光光束，将整个记录层初期化。
将制得的样品在温度90℃、湿度80％条件的炉中放置200小时后，确认透过率调节层附近的腐蚀情况。另外，使用光学显微镜，将信息记录介质的表面放大至200倍来观测，确认腐蚀情况。结果如表2所示。
[表2]
仅由Nb2O5形成透过率调节层的信息记录介质(样品2-15)发生腐蚀。透过率调节层中含有TiO2的信息记录介质(样品2-1～2-14)，未发生难以使用的程度上的腐蚀。而且证实，通过使Nb2O5的含有比例为90mol％以下(样品2-1～2-12)，能进一步可靠地消除腐蚀。另外，判断耐湿性时，用光学显微镜观测，出现难以作为信息记录介质使用的程度的腐蚀或剥离时为“×”，未出现时为“○”。
(实施例3)
在实施例3中，与实施例2同样，分析与图2所示的信息记录介质2具有相同结构的信息记录介质在高温高湿条件下的腐蚀情况。信息记录介质的制造方法与实施例2相同。但在实施例3中，用Nb2O5、Bi2O3或Nb2O5与Bi2O3的混合物且组成为(Nb2O5)z(Bi2O3)100-z(mol％)(其中，z＝0、2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95、98、100)的直径200mm的溅射靶材成膜形成透过率调节层131。
将制得的样品在温度90℃、湿度80％条件的炉中放置200小时后，使用光学显微镜将信息记录介质的表面放大至200倍，观测腐蚀情况。结果如表3所示。
[表3]
Figure A20078001240700311
耐湿性的判断标准与实施例2相同。由其结果可知，当用Bi2O3或Nb2O5与Bi2O3的混合物作为透过率调节层的材料时，能抑制腐蚀的产生(样品No.3-1～3-14)。还证实，与实施例2的结果同样，通过使Nb2O5的含有比例为90mol％以下(样品3-1～3-12)，能进一步可靠地消除腐蚀。
(实施例4)
在实施例4中，对通过溅射成膜形成本发明的信息记录介质中的透过率调节层时采用的材料，分别分析成膜效率和稳定性。实施例4中测定的是由Nb2O3与元素M的氧化物(Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce的氧化物(M-O))的混合物(摩尔比均为50％∶50％、用(Nb2O5)50(M-O)50表示)形成的直径200mm的溅射靶材的成膜率。成膜率的测定方法与实施例1相同。
表4表示对透过率调节层溅射上述各溅射靶材时的成膜率。
[表4]
Figure A20078001240700331
作为参考，在表4中同时显示实施例1中测得的TiO2的成膜率。可知，不管聚碳酸酯基板有无退火，Nb2O3与Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce的氧化物的混合物的成膜率均稳定。另外，判断本实施例的成膜率稳定性时，不管聚碳酸酯基板有无退火成膜率均不变时为“○”，产生变化时为“×”。
由此结果可知，从成膜率的观点出发，元素M优选为选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Bi、In和Ta中的至少1种元素，进一步优选元素M为选自Ti、Zr、Hf、Zn、Ga、Bi、In和Ta中的至少1种元素，进一步优选元素M为选自Zn、Ga、Bi、In和Ta中的至少1种元素，更优选元素M为选自Bi和In中的至少1种元素。
(实施例5)
在实施例5中，对通过溅射成膜形成本发明的信息记录介质中的透过率调节层时采用的材料的成膜效率和稳定性。实施例5中分析的是Nb2O5、Ta2O5或Nb2O5与Ta2O5的混合物且组成为(Nb2O5)z(Ta2O5)100-z(mol％)(z＝0、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95、100)的直径200mm的溅射靶材的成膜率。成膜率的测定方法与实施例1相同。
表5-A表示对透过率调节层溅射上述溅射靶材时的成膜率。
[表5-A]
Figure A20078001240700351
证实：含有2.9原子％以上Nb(10mol％以上Nb的氧化物(Nb2O5))的材料与仅由Ta2O5构成的材料(样品5A-1、5A-2)相比，成膜率高。此外，随着Nb含有比例的增加，由聚碳酸酯基板有无退火引起的成膜率之差减小，即成膜率比((无退火的成膜率)/(有退火的成膜率))接近1。而且，通过含有8.6原子％以上Nb(30mol％以上Nb的氧化物(Nb2O5))，不仅能进一步提高成膜率，还能充分抑制因聚碳酸酯基板有无退火而引起的成膜率的变化(能使成膜率变稳定)。另外，判断成膜率稳定性时，无论聚碳酸酯基板有无退火成膜率均不变时“○”，成膜率比超过0.5时为“△”，成膜率比在0.5以下时为“×”。
另外，对用Ti作元素M的情况也用同样方法分析成膜效率和稳定性，得到表5-B所示的结果。此结果证实，Ti也可获得与Ta相同的效果。
[表5-B]
(实施例6)
在实施例6中，对通过溅射成膜形成本发明的信息记录介质中的透过率调节层时采用的材料，分别分析成膜效率和稳定性。实施例6中分析的是由Nb2O5与TiO2组成的混合物或由Nb2O5、TiO2及LaF3组成的混合物且组成为[(Nb2O5)80(TiO2)20]100-a(LaF3)a(mol％)(其中，a＝0、5、10、15、20)的直径200mm的溅射靶材的成膜率。成膜率的测定方法与实施例1相同。
表6溅射上述各溅射靶材时的成膜率和成膜率稳定性。另外，成膜率稳定性的评价与实施例5同样。
[表6]
Figure A20078001240700371
实验证实：[(Nb2O5)80(TiO2)20]100-a(LaF3)a(mol％)所示组成中a≤10时，无论聚碳酸酯基板有无退火，成膜率均稳定。
(实施例7)
在实施例7中，制造图2所示的信息记录介质2中没有第1信息层11和分离层12并在基板1上仅形成第2信息层13和透明层3的样品，分析透过率调节层131的折射率nt、消光系数kt及厚度d和第2信息层13的透过率Tc、Ta的关系。
按如下方法制造样品。首先，作为基板1，准备形成有用于引导激光光束的引导槽的聚碳酸酯基板1(直径120mm、厚1.1mm)。
然后，在该聚碳酸酯基板上，在Ar和氧的混合气体0.5Pa的氛围气(氧浓度为3％)中，以输入功率2kW用DC溅射法成膜形成透过率调节层131。但在透过率调节层131的成膜前，进行10小时的基板退火工序。另外，制得的透过率调节层的组成如表7所示。
接着，在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为反射层132的Ag-Pd-Cu层(厚10nm)。在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第1电介质层133的ZrO2-SiO2-In2O3层(厚12nm)。在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用DC溅射法成膜形成作为记录层135的Ge40Sn5Bi4Te51层(厚7nm)。在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率0.2kW用RF溅射法成膜形成作为第2界面层136的ZrO2-SiO2-Cr2O3层(厚5nm)。在Ar气0.5Pa的氛围气中，以输入功率2kW用RF溅射法成膜形成作为第2电介质层137的ZrS-SiO2层(厚37nm)。如上操作，形成第2信息层13。
最后，在第2信息层13上涂布紫外线固化性树脂，旋转涂布后，照射紫外线使树脂固化，从而形成透明层3(厚100μm)。
按上述方法操作，制作6种样品。
对这些样品从透明层3侧照射激光光束，将记录层的一部分初期化。
对各样品，测定记录层135为非晶相时的透过率Ta、以及记录层为晶相时的透过率Tc。透过率的测定采用分光器，测定波长405nm的透过率。
表7中显示透过率调节层131的折射率nt、消光系数kt以及第2信息层13的透过率Tc、Ta。
[表7]
样品No. 溅射靶材的组成 nt kt   Tc(％)   Ta(％)   透过率判定
  7-1   Ta2O5   2.35   0.03   43   44   △
  7-2   (Nb2O5)50(Ta2O5)50   2.41   0.04   45   46   ○
  7-3   Nb2O5   2.52   0.05   47   48   ○
  7-4   (Nb2O5)50(TiO2)50   2.62   0.03   48   50   ○
  7-5   TiO2   2.70   0.02   49   51   ○
  7-6   (Nb2O5)50(Bi2O3)50   2.80   0.02   52   53   ○
表7所示的样品中，透过率调节层131的膜厚均为22nm，作为材料，使用Nb2O5、Ta2O5、TiO2、(Nb2O5)50(Ta2O5)50(mol％)、(Nb2O5)50(TiO2)50(mol％)或(Nb2O5)50(Bi2O3)50(mol％)的直径200mm的溅射靶材。另外，用椭偏仪测定折射率和消光系数。
若是信息记录介质2的结构，第2信息层13优选透过率Ta和透过率Tc均在45％以上，透过率调节层131的折射率越大透过率越高。由表7所知，本实施例制造的样品的透过率调节成131的折射率nt优选2.4以上。判断透过率时，Ta、Tc均在45％以上时为“○”，任一方在35％以上不足45％时为“△”，任一方不足35％时为“×”。
此外，对透过率调节层131的膜厚d与透过率Tc、Ta的关系也进行了分析。结果如表8所示。另外，透过率的判断标准与表7相同。
[表8]
Figure A20078001240700391
在(表8)所示的样品中，作为透过率调节层131的材料，采用(Nb2O5)50(Bi2O3)50(mol％)的直径200mm的溅射靶材，成膜形成膜厚2nm、5nm、9nm、18nm、36nm、42nm。由表8可知，当透过率调节层131的膜厚d在λ/32nt～λ/4nt(λ是激光光束的波长，在本实施例中λ＝405nm)的范围内时(膜厚d为5nm～36nm时)，透过率Tc、Ta均在45％以上，得到良好的结果。特别是当膜厚d为λ/8nt时，得到高透过率。
(实施例8)
在实施例8中，对图3所示的信息记录介质6在高温高湿条件下的腐蚀情况进行分析。信息记录介质6具备4个信息层。
本实施例中的信息记录介质6按如下方法制造。首先，按与实施例2同样的顺序在基板1上形成第1信息层21、分离层12(厚10μm)。然后，在分离层12上形成第2信息层23。另外，由于在本实施例中制作的第2信息层23与图2所示的信息记录介质2的第2信息层13具有相同的膜结构，因此各层的符号与构成信息记录介质2的第2信息层13的各层的符号相同，以下说明第2信息层23的形成方法。
在分离层12上通过溅射成膜形成透过率调节层131(厚22nm)。透过率调节层131的材料为Nb2O5、TiO2或Nb2O5与TiO2的混合物，用组成为(Nb2O5)z(TiO2)100-z(mol％)(其中，z＝0、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100)的直径200mm的溅射靶材成膜。但是，在透过率调节层131的成膜前，进行10小时的基板退火工序。
接着，通过溅射依次层叠作为反射层132的Ag-Pd-Cu层(厚8nm)、作为第1电介质层133的ZrO2-SiO2-In2O3层(厚10nm)、作为记录层135的Ge40Sn5Bi4Te51层(厚6nm)、作为第2界面层136的ZrO2-SiO2-Cr2O3层(厚5nm)、作为第2电介质层137的ZnS-SiO2层(厚33nm)，形成第2信息层23。然后，在第2信息层23上形成分离层12(厚15μm)，在该分离层12上形成第3信息层24、分离层12(厚20μm)、第4信息层25。制得的第3信息层24和第4信息层25不具有透过率调节层和反射层，使记录层的厚度薄为4nm，从而提高透过率，此外的膜结构与第2信息层23相同。最后，在第4信息层25上涂布紫外线固化性树脂，旋转涂布后，照射紫外线使树脂固化，从而形成透明层3(厚55μm)。
按上述方法操作，制作本实施例的各样品。
对各样品从透明层3侧照射激光光束，将整个记录层初期化。
将制得的样品在温度90℃、湿度80％条件的炉中放置200小时后，使用光学显微镜将信息记录介质的表面放大至200倍，观测腐蚀情况。结果与实施例2中得到的结果相同，仅用Nb2O5制作透过率调节层131时，发现有腐蚀产生，但在Nb2O5中混入TiO2可抑制腐蚀的产生。
(实施例9)
在实施例9中，对图4所示的信息记录介质7在高温高湿条件下的腐蚀情况进行分析。图4所示的信息记录介质7具有N个信息层，但在本实施例中，制作N＝6时的具有6个信息层的信息记录介质。
本实施例的样品按以下方法制造。首先，按与实施例2的同样的顺序在基板1上形成第1信息层31、分离层12(厚10μm)。然后，在分离层12上形成第2信息层23。另外，由于在本实施例中制作的第2信息层33与图2所示的信息记录介质2的第2信息层13具有相同的膜结构，因此各层的符号与构成信息记录介质2的第2信息层13的各层的符号相同，以下说明本实施例的第2信息层33的形成方法。
在分离层12上通过溅射成膜形成透过率调节层131(厚22nm)。透过率调节层131的材料为Nb2O5、TiO2或Nb2O5与TiO2的混合物，用组成为(Nb2O5)z(TiO2)100-z(mol％)(其中，z＝0、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100)的直径200mm的溅射靶材成膜。但是，在透过率调节层131的成膜前，进行10小时的基板退火工序。
接着，通过溅射依次层叠作为反射层132的Ag-Pd-Cu层(厚7nm)、作为第1电介质层133的ZrO2-SiO2-In2O3层(厚10nm)、作为记录层135的Ge40Sn5Bi4Te51层(厚5nm)、作为第2界面层136的ZrO2-SiO2-Cr2O3层(厚5nm)、作为第2电介质层137的ZnS-SiO2层(厚30nm)，形成第2信息层33。然后，在第2信息层23上形成分离层12(厚12μm)，在分离层12上形成第3信息层、分离层12(厚14μm)、第4信息层、分离层12(厚16μm)、第5信息层、分离层12(厚18μm)、第6信息层。此时，制得的第3信息层、第4信息层、第5信息层和第6信息层不具有透过率调节层和反射层，此外，为了提高透过率，使第3信息层和第4信息层的记录层厚度薄为3nm，使第5信息层38和第6信息层39的记录层厚度薄为2nm，此外的膜结构与第2信息层23相同。最后，在第6信息层39上涂布紫外线固化性树脂，旋转涂布后，照射紫外线使树脂固化，从而形成透明层3(厚30μm)。
对按上述方法制得的各样品从透明层3侧照射激光光束，将整个记录层初期化。
将制得的样品在温度90℃、湿度80％条件的炉中放置200小时后，使用光学显微镜将信息记录介质的表面放大至200倍，观测腐蚀情况。结果与实施例2中得到的结果相同，仅用Nb2O5制作透过率调节层131时，发现有腐蚀产生，但在Nb2O5中混入TiO2可抑制腐蚀的产生。
(实施例10)
在实施例10中，制作与图2所示的信息记录介质2具有相同结构的信息记录介质，分析在第2信息层13的透过率调节层131的成膜前进行的退火工序的实施时间与第2信息层13的透射性能的关系。具体而言，对透过率调节层131的组成为TiO2的信息记录介质和组成为(Nb2O5)50(Bi2O3)50(mo1％)的信息记录介质，分别制作在透过率调节层131的成膜前实施退火工序的样品和不实施退火工序的样品，确认所有信息记录介质的第2信息层13的透射性能。退火工序的时间为2小时、5小时、10小时和24小时。通过测定第1信息层11的反射率和记录灵敏度来确认第2信息层13的透射性能。利用透过第2信息层13的激光光束来进行第1信息层11的记录和再生，第1信息层的反射率和记录灵敏度因第2信息层13的透射性能而改变。
本实施例中的信息记录介质的制造方法与实施例2相同。但是，第2信息层13的透过率调节层131的溅射时的成膜率采用实施10小时退火工序后的成膜率。
用图13所示的记录再生装置测定第2信息层13的透射性能。激光光束502的波长为405nm，物镜504的开口数为0.85，测定时的信息记录介质506的线速度为4.9m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。
用物镜504使激光光束502聚焦于第1信息层11，使来自第1信息层11的反射光射入光电检测器507，测定信号强度来分析反射率。另外，反射率为记录层115为晶相时的反射率。
如图14所示那样，在0～Pp(mW)间调制激光光束的功率，记录标记长度从0.149μm(2T)到0.596μm(8T)的随机信号，用时间间隔分析仪测定记录标记的前端抖晃(记录标记前端部的标记位置的误差)、后端抖晃(记录标记后端部的标记位置的误差)，评价记录灵敏度。另外，抖晃值越小，记录性能越好。确定Pp、Pe、Pc和Pb以使平均抖晃(前端抖晃和后端抖晃的平均值)，将此时的最佳Pp作为记录灵敏度。
表9显示制得的信息记录介质的第1信息层11的记录灵敏度(Pp)、反射率Rc和第2信息层13的反射率Rc、透过率Tc。
[表9]
Figure A20078001240700421
但是，在具有2层信息层的信息记录介质2中，无法测定第2信息层13的透过率，因此制作如实施例7所示那样在基板1上仅形成第2信息层13和保护层3的样品，测定透过率。
反射率、透过率均是当记录层为晶相时的值。另外，在离信息记录介质2的中心为半径40mm的圆周上进行测定。判断性能稳定性时，若无论有无基板退火工序信息记录介质的性能均不变时为“○”，改变时为“×”。
证实：透过率调节层131为(Nb2O5)50(TiO2)50(mol％)时，记录灵敏度(Pb)、反射率以及透过率无论有无基板退火工序均不变，性能稳定(样品9-1～9-5)。当为TiO2时，若进行10小时以上基板退火工序则性能稳定(样品9-6、9-7)，若基板退火工序时间不足10小时，则记录灵敏度(Pb)、反射率Rc以及透过率Tc均因基板退火工序的有无而发生改变，性能不稳定(样品9-7～9-10)。
产业上利用的可能性
本发明的信息记录介质及其制造方法由于透过率调节层能稳定高效地成膜，因而有助于高效获得记录再生特性良好的多层信息记录介质。

Claims (44)

1.一种信息记录介质，其是在基板上设有N个信息层(N是2以上的整数)，并通过照射激光光束而对所述各信息层进行信息的记录和再生的信息记录介质，其中，
当将所述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次设为第1信息层～第N信息层时，所述N个信息层中所包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层、反射层和透过率调节层，
所述透过率调节层含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)，且所述透过率调节层中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有8.6原子％以上的Nb。
3.根据权利要求2所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有下式表示的材料，
NbxMyO100-x-y(原子％)
x和y满足x≥8.6、y＞0、x+y≤37。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有10mol％以上的Nb的氧化物。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有30mol％以上的Nb的氧化物。
6.根据权利要求5所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有Nb的氧化物和元素M的氧化物，含有下式表示的材料，
(Nb2O5)z(M-O)100-z(mol％)
M-O表示元素M的氧化物，z满足z≥30。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层中，将元素M、Nb和氧(O)以其总量计含有90原子％以上。
8.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层含有总计为90mol％以上的Nb的氧化物和元素M的氧化物。
9.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述记录层含有选自Ge-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Te、Ge-Sb-Sn-Te和Ge-Bi-Sn-Te中的至少任一种材料，所述记录层的厚度在1nm～15nm的范围内。
10.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，当所述激光光束的波长为λ，所述透过率调节层的折射率为nt时，所述透过率调节层的厚度d满足λ/32nt≤d≤λ/4nt。
11.根据权利要求10所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层的厚度d满足d＝λ/8nt。
12.根据权利要求10所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层的厚度d在5nm～36nm的范围内。
13.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层中所含有的元素M是选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Bi、In及Ta中的至少一种元素。
14.根据权利要求13所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层中所含有的元素M是选自Ti、Zr、Hf、Zn、Ga、Bi、In及Ta中的至少一种元素。
15.根据权利要求14所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层中所含有的元素M是选自Zn、Ga、Bi、In及Ta中的至少一种元素。
16.根据权利要求15所述的信息记录介质，其中，所述透过率调节层中所含有的元素M是选自Bi、In中的至少一种元素。
17.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述反射层含有选自Ag、Au、Cu及Al中的至少一种元素，所述反射层的厚度在1nm～15nm的范围内。
18.根据权利要求1所述的信息记录介质，其还含有设置在所述反射层与所述记录层之间的第1电介质层。
19.根据权利要求18所述的信息记录介质，其还含有设置在所述第1电介质层与所述记录层之间的第1界面层。
20.根据权利要求1所述的信息记录介质，其还含有设置在所述记录层的激光光束入射侧的第2电介质层。
21.根据权利要求20所述的信息记录介质，其还含有设置在所述记录层与所述第2电介质层之间的第2界面层。
22.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，N＝2。
23.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，N＝4。
24.一种信息记录介质的制造方法，其是制造权利要求1所述的信息记录介质的方法，其中，
包括制造所述第L信息层的工序，该工序包含：
(i)用含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta及Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)且Nb的含有比例在2.9原子％以上的第1溅射靶材，成膜形成透过率调节层的透过率调节层成膜工序；
(ii)成膜形成反射层的反射层成膜工序；以及
(iii)成膜形成通过照射激光光束而能引起相变的记录层的记录层成膜工序，
所述工序(i)～(iii)按工序(i)、工序(ii)、工序(iii)的顺序或工序(iii)、工序(ii)、工序(i)的顺序进行。
25.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其包含：
(I)在第1基板上依次制造第N信息层～第m信息层(m是满足2≤m≤N的整数)的工序；
(II)在第2基板上依次制造第1信息层～第m-1信息层的工序；以及
(III)将第m信息层与第m-1信息层相互贴合的工序，
当L满足m≤L≤N时，所述工序(I)按工序(iii)、工序(ii)、工序(i)的顺序含有制造第L信息层的工序中的所述工序(i)～(iii)，
当L满足2≤L≤m-1时，所述工序(II)按工序(i)、工序(ii)、工序(iii)的顺序含有制造第L信息层的工序中的所述工序(i)～(iii)。
26.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述透过率调节层成膜工序中，在所述透过率调节层成膜前不进行基板退火处理。
27.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有8.6原子％以上的Nb。
28.根据权利要求27所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有下式表示的材料，
NbxMyO100-x-y(原子％)
x和y满足x≥8.6、y＞0、x+y≤37。
29.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有10mol％以上的Nb的氧化物。
30.根据权利要求29所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有30mol％以上的Nb的氧化物。
31.根据权利要求30所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有Nb的氧化物、元素M的氧化物，并含有下式表示的材料，
(Nb2O5)z(M-O)100-z(mol％)
M-O表示元素M的氧化物，z满足z≥30。
32.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材中，将元素M、Nb和氧(O)以其总量计含有90原子％以上。
33.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，所述第1溅射靶材含有总计为90mol％以上的Nb的氧化物和元素M的氧化物。
34.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述记录层成膜工序中，用含有选自Ge-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Te、Ge-Sb-Sn-Te和Ge-Bi-Sn-Te中的至少任一种材料的第2溅射靶材，成膜形成厚度在1nm～15nm的范围内的所述记录层。
35.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，当在信息的记录和再生中使用的激光光束的波长为λ，在所述波长λ下的所述第1溅射靶材的折射率为nt时，在所述透过率调节层成膜工序中，成膜形成所述透过率调节层的厚度d满足λ/32nt≤d≤λ/4nt的所述透过率调节层。
36.根据权利要求35所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述透过率调节层成膜工序中，成膜形成所述透过率调节层的厚度d满足d＝λ/8nt的所述透过率调节层。
37.根据权利要求35所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述透过率调节层成膜工序中，成膜形成厚度在5nm～36nm的范围内的所述透过率调节层。
38.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述反射层成膜工序中，用含有选自Ag、Au、Cu及Al中的至少一种元素的第3溅射靶材，成膜形成厚度在1nm～15nm的范围内的所述反射层。
39.根据权利要求38所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述反射层成膜工序与所述记录层成膜工序之间，还包含成膜形成第1电介质层的第1电介质层成膜工序。
40.根据权利要求39所述的信息记录介质的制造方法，其在所述第1电介质层成膜工序与所述记录层成膜工序之间，还含有成膜形成第1界面层的第1界面层成膜工序。
41.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其还含有成膜形成第2电介质层的第2电介质层成膜工序，
当所述工序(i)～(iii)按工序(i)、工序(ii)、工序(iii)的顺序进行时，在工序(iii)之后进行所述第2电介质层成膜工序，
当所述工序(i)～(iii)按工序(iii)、工序(ii)、工序(i)的顺序进行时，在工序(iii)之前进行所述第2电介质层成膜工序。
42.根据权利要求41所述的信息记录介质，其在所述记录层成膜工序与所述第2电介质层成膜工序之间，还含有成膜形成第2界面层的第2界面层成膜工序。
43.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，N＝2。
44.根据权利要求24所述的信息记录介质的制造方法，其中，N＝4。
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