CN101495671A - 用于形成太阳能电池板的系统结构及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于通过使用集群工具由N型掺杂硅、P型掺杂硅、本征非晶硅和本征微晶硅形成太阳能电池板的方法和设备。所述集群工具包括至少一个装载锁定腔(102)和至少一个传送腔(106)。多个处理腔(104)连接到所述传送腔。可以出现少达5个多达13个处理腔。

Description

用于形成太阳能电池板的系统结构及其方法
技术领域
【1】本发明的实施例总体上涉及衬底处理设备和方法，例如用于处理平板显示器(例如LCD、OLED以及其它类型的平板显示器)、处理半导体晶片和处理太阳能电池板的设备和方法。
背景技术
【2】在大面积的衬底(即平板显示器、太阳能电池等)上沉积时，衬底生产量可能是一个挑战。从而，对于改进的设备和方法存在需求。
发明内容
【3】本发明总体上包括用于通过使用集群工具由N型掺杂硅、P型掺杂硅、本征非晶硅和本征微晶硅形成太阳能电池板的方法和设备。所述集群工具包括至少一个装载锁定腔和至少一个传送腔。当使用多个集群时，至少一个缓冲腔可出现在所述集群之间。多个处理腔连接到所述传送腔。
【4】在一个实施例中，公开了一种集群工具设备。所述集群工具设备包括多个六边形传送腔，连接到所述六边形传送腔中的一者的一个或多个P型掺杂硅沉积腔，连接到所述多个六边形传送腔中的一者的一个或多个N型掺杂硅沉积腔，以及连接到所述多个六边形传送腔的多个本征硅沉积腔。本征硅沉积腔的数目大于P型掺杂硅沉积腔的数目以及N型掺杂硅沉积腔的数目之和。
【5】在另一实施例中，公开了一种形成PIN结的方法。该方法包括(a)将第一衬底设置在P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上，(b)将所述第一衬底传送到第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上，(c)将第二衬底设置所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上，(d)将所述第二衬底传送到第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行，(e)将第三衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上，(f)将所述第三衬底传送到第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行，(g)将第四衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第四衬底上，(h)将所述第一衬底传送到N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上的所述本征硅层上，和(i)将所述第四衬底传送到所述第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上。
附图说明
【6】为了更好地理解本发明的上述提到的特征，可以通过参照实施例对上面简单总结的本发明进行更具体的描述，有些实施例在附图中示出。然而，应该理解的是，所附的附图仅仅是本发明的典型实施例并因此不应该被认为是对其范围的限制，因为本发明容许有其它同样有效的实施例。
【7】图1是本发明的单集群工具。
【8】图2是本发明的双集群工具。
【9】图3-5是本发明的三集群工具。
【10】图6A-6C是本发明的集群工具。
具体实施方式
【11】本发明描述了用于通过使用集群工具形成太阳能电池板的方法和设备。所述集群工具包括至少一个装载锁定腔和至少一个传送腔。当使用多集群时，至少一个缓冲腔可出现在所述集群之间。多个处理腔连接到所述传送腔。多个处理腔连接到所述传送腔。在所述集群工具内可以出现少达5个多达13个处理腔。太阳能电池板可由N型掺杂硅、P型掺杂硅、本征非晶硅和本征微晶硅形成。
【12】图1示出可用于形成非晶硅单PIN结太阳能电池板的单集群工具100。所述腔具有单个装载锁定腔102和单个传送腔106。五个处理腔104围绕所述传送腔。在配置为制造单PIN结的所述集群工具的一个实施例中，每个处理腔104可沉积一层(即P型掺杂硅、本征硅和N型掺杂硅)。在配置为制造单PIN结的所述集群工具的另一实施例中，一个处理腔104可沉积P型掺杂硅层，三个处理腔104可沉积本征硅层，并且一个处理腔104可沉积N型掺杂硅层。在形成非晶硅单PIN结太阳能电池板时，单集群工具每小时可处理约18个衬底。
【13】在另一实施例中，单集群工具100可配置为在玻璃上制造晶体硅。一个处理腔104可配置为沉积N型掺杂硅层，一个处理腔104可配置为沉积P型掺杂硅层。三个处理腔104可配置为沉积SiNx层。
【14】在另一实施例中，单集群工具100可配置为形成双PIN结单元。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具100的另一实施例中，每个处理腔104可沉积一层(即P型掺杂硅、本征非晶硅和N型掺杂硅)。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具的另一实施例中，一个处理腔104可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔104可沉积N型掺杂硅层，并且三个处理腔104可沉积本征硅层。在形成非晶硅单PIN结太阳能电池板时，单集群工具每小时可处理约18个衬底。
【15】图2示出可用于形成非晶硅PINPIN双结的双集群工具200。所述集群工具具有两个传送腔212、在两个传送腔212之间的缓冲腔206、装载锁定腔202和卸载锁定腔210，但是可以去除卸载锁定腔210并将其由附加处理腔代替。将会使用的附加处理腔极有可能是本征非晶硅沉积腔。一般地，将会替代所述装载锁定腔的处理腔将会是在后续程序中执行所述处理的处理腔。处理腔204围绕其中一个所述传送腔212并且附加处理腔208围绕另一个传送腔212。通过增加附加腔来沉积最慢的沉积层，可降低衬底积压。
【16】图2的集群工具200可用于形成混合非晶/微晶(micromorph)单元或非晶硅/微晶硅叠层单元。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具200的一个实施例中，每个处理腔204、208可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层、本征微晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具200的另一实施例中，一个处理腔204可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔204可沉积N型掺杂硅层，两个处理腔204可沉积本征非晶硅层，四个或五个处理腔208可沉积本征微晶硅层。
【17】对于非晶硅PINPIN双结的一个实施例，所述双集群工具可具有三个P型掺杂硅沉积腔、两个N型掺杂硅沉积腔、和三或四个本征非晶硅沉积腔。在另一实施例中，具有一个P型掺杂硅沉积腔、一个N型掺杂硅沉积腔、和六或七个本征非晶硅沉积腔。通过使用双集群工具，非晶硅PINPIN双结的生产量约为18个衬底/小时。
【18】图3示出可用于形成非晶硅/微晶硅叠层PINPIN双结的线性三集群工具300。对于线性集群工具300，应该理解其是指装载锁定腔302、传送腔314、卸载锁定腔312和任何缓冲腔306沿着同一平直的平面布置。所述集群工具300具有卸载锁定腔312，但是可以去除所述卸载锁定腔312并将其由附加处理腔代替。将会使用的附加处理腔极有可能是本征非晶硅沉积腔。一般地，将会替代所述装载锁定腔的处理腔将会是在后续程序中执行所述处理的处理腔。本征微晶硅层通常是最慢形成的层。从而，如果卸载锁定腔312由处理腔代替，那么所述处理腔通常可以是本征微晶硅沉积腔。通过增加附加腔来沉积最慢的沉积层，可降低衬底积压。在一个实施例中(如图4)，在形成如图3和4中示出的直线型形式时，对于尺寸为1950mm×2250mm的衬底，所述集群工具可以约22000mm长，并且约11000mm宽。
【19】具有由处理腔304、308、310围绕的三个传送腔314。在集群之间还具有两个缓冲腔306。一个缓冲腔306在第一和第二集群之间，并且一个缓冲腔306出现在第二和第三集群之间。
【20】图3的集群工具300可用于形成混合非晶/微晶单元或非晶硅/微晶硅叠层单元。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具300的一个实施例中，每个处理腔304、308、310可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层、本征微晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具300的另一实施例中，一个处理腔304可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔304可沉积N型掺杂硅层，两个处理腔304可沉积本征非晶硅层，八个或九个处理腔308、310可沉积本征微晶硅层。
【21】图3的集群工具300可用于形成双PIN结单元。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具300的一个实施例中，每个处理腔304、308、310可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具300的另一实施例中，一个处理腔304可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔304可沉积N型掺杂硅层，十个或十一个处理腔308、310可沉积本征非晶硅层。
【22】图4示出三集群工具400，其具有装载锁定腔402、处理腔404、408、410、缓冲腔406、传送腔414和卸载锁定腔412。
【23】图4的集群工具400可用于形成混合非晶/微晶单元或非晶硅/微晶硅叠层单元。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具400的一个实施例中，每个处理腔404、408、410可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层、本征微晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具400的另一实施例中，一个处理腔404可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔404可沉积N型掺杂硅层，两个处理腔404可沉积本征非晶硅层，八个或九个处理腔408、410可沉积本征微晶硅层。
【24】图4的集群工具400可用于形成双PIN结单元。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具400的一个实施例中，每个处理腔404、408、410可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具的另一实施例中，一个处理腔404可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔404可沉积N型掺杂硅层，十个或十一个处理腔408、410可沉积本征非晶硅层。
【25】在形成非晶硅/微晶硅叠层双结太阳能电池板时，三集群工具每小时可处理约14个衬底。在每个P型掺杂硅层沉积和每个本征硅层沉积之间，所述腔被净化约30秒。
【26】图5示出线性三集群工具500，其具有装载锁定腔502和卸载锁定腔512。装载锁定腔502和卸载锁定腔512是单槽腔。单槽腔是仅具有一个槽通向正在处理的集群环境的腔。正在处理的集群环境由包括在处理腔504、508、510、传送腔514、装载锁定腔502、512和缓冲腔506内的所有区域构成。
【27】缓冲腔506是双槽腔。每个槽通向传送腔514。包括在传送腔514内的传送机器人是双臂真空机器人或单臂真空机器人。传送腔514为真空；从而，所述机器人是真空机器人。所述机器人具有两个臂，所述两个臂用于在将衬底从一个腔朝向另一个腔移动时握取和支撑所述衬底。
【28】在所述传送腔514内，所述机器人可绕所述腔的中心转动。所述机械臂可伸入到相邻的腔中以放置和取走衬底。每个腔具有朝向传送腔514的槽。当沉积是CVD时，所述传送腔514可在约1Torr的基本压力下操作。当处理腔是PVD腔时，传送腔514可以在约1mTorr的基本压力下操作。缓冲腔506可具有狭口阀(slit valve)以在CVD和PVD之间隔离并防止围绕集群传送腔514的处理腔弄脏。在此情况下，其中一个集群将具有PVD沉积而另一个将具有CVD沉积。如果只有CVD或只有PVD在所述集群工具内执行，则在缓冲腔506中不需要存在狭口阀。缓冲腔506可想衬底提供主动加热或冷却。缓冲腔506还可对齐衬底以补偿在衬底传送期间可能会出现的衬底位置误差。机器人可具有绕传送腔514转动并伸入到缓冲腔506和处理腔504、508、510中的能力。所述机器人还可沿z轴移动。
【29】图5的机器人可用于形成混合非晶/微晶单元或非晶硅/微晶硅叠层单元。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具500的一个实施例中，每个处理腔504、508、510可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层、本征微晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具500的另一实施例中，一个处理腔504可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔504可沉积N型掺杂硅层，两个处理腔504可沉积本征非晶硅层，八个或九个处理腔508、510可沉积本征微晶硅层。
【30】图5的集群工具500可用于形成双PIN结单元。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具500的一个实施例中，每个处理腔504、508、510可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具的另一实施例中，一个处理腔504可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔504可沉积N型掺杂硅层，十个或十一个处理腔508、510可沉积本征微晶硅层。
【31】图6A示出本发明的另一线性三集群工具600。该集群工具600具有装载锁定腔602、卸载锁定腔612、处理腔604、608、610、传送腔614、和两个缓冲腔606。
【32】图6B示出中央供给的线性三集群工具640。仅存在一个装载锁定腔642和十二个处理腔644、648、650。所述装载锁定腔642出现在中央集群处。左边的集群包括五个处理腔644，右边的集群也包括五个处理腔650。还具有三个传送腔652和两个缓冲腔642。
【33】图6C示出单缓冲腔686的三集群工具680。存在一个装载锁定腔682、十二个处理腔684、688、690和三个传送腔692。仅存在一个缓冲腔686。三个集群绕着所述缓冲腔居中定位，所述缓冲腔具有三个槽，每个腔一个槽。
【34】图6A-6C的集群工具600、640、680可用于形成混合非晶/微晶单元或非晶硅/微晶硅叠层单元。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具600、640、680的一个实施例中，每个处理腔604、608、610、644、648、650、684、688、690可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层、本征微晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述混合或叠层单元的所述集群工具600、640、680的另一实施例中，一个处理腔604、644、684可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔604、644、684可沉积N型掺杂硅层，两个处理腔604、644、684可沉积本征非晶硅层，八个或九个处理腔608、610、648、650、688、690可沉积本征微晶硅层。
【35】图6A-6C的集群工具600、640、680可用于形成双PIN结单元。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具600、640、680的一个实施例中，每个处理腔604、608、610、644、648、650、684、688、690可沉积一层(即P型掺杂硅层、本征非晶硅层和N型掺杂硅层)。在配置为制造所述双PIN结单元的所述集群工具600、640、680的另一实施例中，一个处理腔604、644、684可沉积P型掺杂硅层，一个处理腔604、644、684可沉积N型掺杂硅层，十个或十一个处理腔608、610、648、650、688、690可沉积本征非晶硅层。
【36】在形成太阳能电池板时，所述集群工具非常有益于使用。所述集群工具提供灵活的配置，所述配置可配置为用于形成PIN结所必需的多种处理腔组合形式。所述集群工具还提供高生产量，从而可优化处理腔的使用。具有高机械可靠性、高粒子性能和高平均故障间隔时间(MTBF)。材料成本和操作成本也低。当使用所述集群工具配置时具有低过程风险。
【37】太阳能电池板衬底可以具有各种尺寸。例如，所述衬底可以是1950×2250mm2。集群工具系统的生产量约为20个衬底/小时。集群工具系统的每个系统可具有约5个到约13个处理腔。
【38】当形成单PIN结时，可使用单集群工具。单集群工具可具有单个装载锁定腔和五个处理腔。因为本征硅可能比N型掺杂硅层沉积慢约3倍并且比P型掺杂硅层沉积慢约3倍，所以存在三个用于沉积本征硅层的处理腔，而只存在一个N型掺杂硅沉积腔和一个P型掺杂硅沉积腔。单集群工具每小时可处理约10.4个到约17.6个衬底。相反，当单个腔用于沉积PIN结的所有层时，生产量仅为约9.9个到约14.1个衬底/小时。
【39】当形成非晶硅/多晶硅叠层双结时，可使用双集群工具或三集群工具。当使用双集群工具时，P型掺杂硅层和N型掺杂硅层可在本征非晶硅层的时间的约一半时间内沉积。P型掺杂硅层和N型掺杂硅层可比本征微晶硅层快约8倍。从而，由于两个P型掺杂硅层出现在所述结构中并且两个N型掺杂硅层出现在所述结构中，所以可为每层出现两个单独的沉积。从而，可存在单个P型掺杂硅沉积腔、单个N型掺杂硅沉积腔和单个本征非晶硅沉积腔，可存在四个本征微晶硅沉积腔。在一个实施例中，存在两个本征非晶硅处理腔。双集群工具的生产量可为约9.4个衬底/小时。
【40】当使用三集群工具时，本征非晶硅沉积腔的数目和本征微晶硅沉积腔的数目增加，同时N型掺杂硅层和P型掺杂硅层的数目保持相同。三集群工具的生产量可为约9.4个衬底/小时，与双集群工具的正好相同。相反，如果单集群工具用于沉积整个结构，每小时可处理约2.2到6.3个衬底。
【41】当形成本征非晶硅PINPIN双结结构时，可使用单集群工具。用于第一PIN结的本征非晶硅可花费约两倍于N型掺杂硅和P型掺杂硅层沉积时间。对于双PIN结，本征非晶硅可花费约两倍于到四倍于N型掺杂硅和P型掺杂硅层沉积时间内的任何时间。从而，需要单个P型掺杂硅沉积腔、单个N型掺杂硅沉积腔。可能需要两个或三个本征非晶硅沉积腔以形成用于所述结构的两个PIN结的本征非晶硅。单集群工具的生产量可为约8.3个到14.5个衬底/小时。相反，当使用单个腔来沉积所有层时，每小时可处理约5.9个到约14.5个衬底。
【42】本征非晶硅和本征微晶硅层沉积时间长于N型掺杂硅层和P型掺杂硅层沉积时间，因为本征硅层的沉积厚度大于掺杂硅层。非晶硅可沉积约50nm/分钟，微晶硅可沉积约100nm/分钟。
【43】当形成非晶硅/多晶硅PINPIN叠层双结时，可遵循一种处理方法。可使用双或三集群系统。第一衬底可通过装载锁定腔进入并进入到P型掺杂硅沉积腔中。然后，第一衬底可在其上沉积P型掺杂硅层。在沉积P型掺杂硅层后，第一衬底可被传送到第一本征非晶硅沉积腔。
【44】在第一衬底位于第一本征非晶硅沉积腔内的同时，第二衬底被放入到P型掺杂硅沉积腔中。在第二衬底上沉积P型掺杂硅层后，第二衬底被传送到第二本征非晶硅沉积腔。
【45】在第一衬底和第二衬底上正在沉积本征非晶硅层的同时(分别在单独的本征非晶硅沉积腔中)，第三衬底被放入到P型掺杂硅沉积腔中。在第一和第二衬底上沉积本征非晶硅层的同时，在第三衬底上沉积P型掺杂硅层。
【46】在第一衬底上沉积本征非晶硅层后，第一衬底被移动到N型掺杂硅沉积腔，并且第三衬底被移动到第一本征非晶硅沉积腔中。在第一衬底上沉积N型掺杂硅层后，第一衬底被移动到P型掺杂硅沉积腔，并且第二衬底被移动到N型掺杂硅沉积腔中。
【47】在第二衬底上沉积第二P型掺杂硅层后，第一衬底穿过缓冲腔被传送到第二集群中，随后被放入本征微晶硅沉积腔中。在第二衬底上沉积N型掺杂硅层后，第二衬底被传送到P型掺杂硅沉积腔。第三衬底从第一本征非晶硅沉积腔被传送到N型掺杂硅沉积腔中。
【48】在第二衬底上沉积P型掺杂硅层后，第二衬底被传送到第二集群系统从而被放置在本征微晶硅沉积腔中。在第三衬底上沉积N型掺杂硅层后，第三衬底被传送到P型掺杂硅沉积腔。
【49】一旦在第三衬底上沉积了P型掺杂硅层，第三衬底就被传送到第二集群系统并被放置到本征微晶硅沉积腔中。一旦在第一衬底上沉积了本征微晶硅层，第一衬底就被传送回到第一集群并被放置在N型掺杂硅沉积腔中。一旦在第一衬底上沉积了N型掺杂硅层，第一衬底就被传送到装载锁定腔并从系统传送出。一旦在第二衬底上沉积了本征微晶硅层，第二衬底就被传送回到第一集群并被放置在N型掺杂硅沉积腔中。一旦在第二衬底上沉积了N型掺杂硅层，第二衬底就被传送到装载锁定腔并从系统传送出。
【50】一旦在第三衬底上沉积了本征微晶硅层，第三衬底就被传送回到第一集群并被放置在N型掺杂硅沉积腔中。一旦在第三衬底上沉积了N型掺杂硅层，第三衬底就被传送到装载锁定腔并从系统传送出。
【51】尽管如上所述的处理方法已经仅借助三个衬底进行了描述，应该理解的是也可同时处理另外的衬底。只要衬底可在处理腔内处理并且在处理腔之间传送，而不需要传送超出机器人可以处理的衬底或者处理超出每次所能处理的衬底，那么待处理的衬底数目可以基于在给定腔内衬底可处理的时间以及在任何时刻可用于同时处理的腔的数目。
【52】对于本征微晶硅沉积，因为本征微晶硅层厚于N型掺杂硅层、P型掺杂硅层或本征非晶硅层，所以衬底可能在本征微晶硅沉积腔中需要比在其它沉积腔中的停留时间长。为此，本征微晶硅沉积腔的数目多于其它沉积腔是有利的。由于具有更多的本征微晶硅沉积腔，附加的衬底可在“较快”的沉积腔中处理，并被放置在附加的本征微晶硅沉积腔中。理论上，本征微晶硅沉积腔的数目可选择为使得本征微晶硅沉积腔一完成处理，衬底就被取走而新衬底就被放入该沉积腔内。
【53】同样的原因也适用于本征非晶硅沉积腔。理论上，本征非晶硅沉积腔的数目可选择为使得其中一个本征非晶硅沉积腔一完成处理，衬底就被取走而新衬底就被放入该沉积腔内。实际上，本征非晶硅和本征微晶硅沉积腔可以沉积材料的速度不仅有助于确定所需腔的数目，也有助于确定需要单集群系统、双集群系统还是三集群系统。自然地，决定是需要形成单结结构还是双结结构也可确定是需要单集群系统还是双集群系统还是三集群系统。
【54】在每次沉积之前，P型掺杂硅沉积腔可进行约270秒的预加热。在每次沉积前，其它每个沉积腔可进行约50秒的预加热。P型掺杂硅层可沉积到约20nm的厚度。本征非晶硅层可沉积到约150nm到300nm的厚度。N型掺杂硅层可沉积到约20nm的厚度。本征微晶硅层可沉积到约300nm的厚度。
【55】尽管前面着眼于本发明的实施例，在不偏离其基本范围的情况下也可设计本发明的其它和另外的实施例，并且本发明的范围由所附的权利要求所确定。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1、一种集群工具设备，包括：
多个六边形传送腔；
一个或多个缓冲腔，其与所述六边形传送腔相邻并连接在所述六边形传送腔之间；
一个或多个P型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；
一个或多个N型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；以及
多个本征硅沉积腔，其连接到所述多个六边形传送腔，所述本征硅沉积腔的数目大于所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述N型掺杂硅沉积腔的数目之和。
2、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到同一个传送腔，其中，所述一个或多个缓冲腔包括狭口阀。
3、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔，所述多个本征硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔。
4、如权利要求1所述的设备，还包括：
一个装载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔；以及
一个卸载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十二个腔。
5、如权利要求1所述的设备，其中，所述多个六边形传送腔包括三个以非线性排列方式连接到一起的六边形传送腔。
6、如权利要求1所述的设备，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十三个腔。
7、一种形成PIN结的方法，包括：
(a)将第一衬底设置在P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上；
(b)将所述第一衬底传送到第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上；
(c)将第二衬底设置所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上；
(d)将所述第二衬底传送到第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；
(e)将第三衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上；
(f)将所述第三衬底传送到第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；
(g)将第四衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第四衬底上；
(h)将所述第一衬底传送到N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上的所述本征硅层上；和
(i)将所述第四衬底传送到所述第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上。
8、如权利要求7所述的方法，其中，(h)发生在(g)之前，并且所述第一衬底和所述第四衬底是同一衬底，还包括：
重复(b)-(h)。
9、如权利要求8所述的方法，其中，所述本征硅层是本征非晶硅层。
10、如权利要求8所述的方法，其中，一个本征硅层是本征非晶硅层，另一个本征硅层是本征微晶硅层。
11、如权利要求8所述的方法，其中，所述本征硅层是本征微晶硅层。
12、如权利要求7所述的方法，还包括：
(j)将第五衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第五衬底上；
(k)将所述第二衬底传送到所述N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上的所述本征硅层上；和
(l)将所述第五衬底传送到所述第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行。
13、如权利要求12所述的方法，还包括：
(m)将第六衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第六衬底上；
(n)将所述第三衬底传送到所述N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上的所述本征硅层上；和
(o)将所述第六衬底传送到所述第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第六衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第六衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行。
14、如权利要求13所述的方法，其中，所述第一衬底、第二衬底、第三衬底、第四衬底、第五衬底和第六衬底是不同的衬底。
15、如权利要求13所述的方法，其中，所述PIN结是单结PIN结或PINPIN双结结构。

Claims (20)

1、一种集群工具设备，包括：
多个六边形传送腔；
一个或多个缓冲腔，其与所述六边形传送腔相邻并连接在所述六边形传送腔之间；
一个或多个P型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；
一个或多个N型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；以及
多个本征硅沉积腔，其连接到所述多个六边形传送腔，所述本征硅沉积腔的数目大于所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述N型掺杂硅沉积腔的数目之和。
2、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到同一个传送腔。
3、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个缓冲腔包括狭口阀。
4、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔，所述多个本征硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔。
5、如权利要求1所述的设备，其中，所述多个六边形传送腔包括三个六边形传送腔，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到所述三个六边形传送腔的第一六边形传送腔，所述多个本征硅沉积腔连接到所述三个六边形传送腔的第二和第三六边形传送腔。
6、如权利要求1所述的设备，还包括：
一个装载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔；以及
一个卸载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔。
7、如权利要求6所述的设备，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十二个腔。
8、如权利要求1所述的设备，其中，所述多个六边形传送腔包括三个以非线性排列方式连接到一起的六边形传送腔。
9、如权利要求1所述的设备，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十三个腔。
10、一种形成PIN结的方法，包括：
(a)将第一衬底设置在P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上；
(b)将所述第一衬底传送到第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上；
(c)将第二衬底设置所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上；
(d)将所述第二衬底传送到第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；
(e)将第三衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上；
(f)将所述第三衬底传送到第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；
(g)将第四衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第四衬底上；
(h)将所述第一衬底传送到N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上的所述本征硅层上；和
(i)将所述第四衬底传送到所述第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上。
11、如权利要求10所述的方法，其中，(h)发生在(g)之前，并且所述第一衬底和所述第四衬底是同一衬底，还包括：
重复(b)-(h)。
12、如权利要求11所述的方法，其中，所述本征硅层是本征非晶硅层。
13、如权利要求11所述的方法，其中，一个本征硅层是本征非晶硅层，另一个本征硅层是本征微晶硅层。
14、如权利要求11所述的方法，其中，所述本征硅层是本征微晶硅层。
15、如权利要求10所述的方法，其中，所述本征硅层是本征非晶硅层。
16、如权利要求10所述的方法，还包括：
(j)将第五衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第五衬底上；
(k)将所述第二衬底传送到所述N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上的所述本征硅层上；和
(l)将所述第五衬底传送到所述第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行。
17、如权利要求16所述的方法，还包括：
(m)将第六衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第六衬底上；
(n)将所述第三衬底传送到所述N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上的所述本征硅层上；和
(o)将所述第六衬底传送到所述第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第六衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第六衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第五衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行。
18、如权利要求17所述的方法，其中，所述第一衬底、第二衬底、第三衬底、第四衬底、第五衬底和第六衬底是不同的衬底。
19、如权利要求17所述的方法，其中，所述PIN结是单结PIN结。
20、如权利要求17所述的方法，其中，所述PIN结是PINPIN双结结构。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102104088A (zh) * 2009-12-17 2011-06-22 吉林庆达新能源电力股份有限公司 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
CN103904155A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 理想能源设备(上海)有限公司 硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法
CN112786507A (zh) * 2021-01-13 2021-05-11 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 模块化半导体设备传输腔体单元及晶圆传输系统

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200715448A (en) * 2005-07-25 2007-04-16 Canon Anelva Corp Vacuum processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
US20070281090A1 (en) * 2006-04-11 2007-12-06 Shinichi Kurita System architecture and method for solar panel formation
US7655542B2 (en) 2006-06-23 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device
US7875486B2 (en) * 2007-07-10 2011-01-25 Applied Materials, Inc. Solar cells and methods and apparatuses for forming the same including I-layer and N-layer chamber cleaning
US7687300B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Applied Materials, Inc. Method of dynamic temperature control during microcrystalline SI growth
US20090130827A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-21 Soo Young Choi Intrinsic amorphous silicon layer
JP2009147266A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池製造装置システム及び共通基板保管ラック
BRPI0907078A2 (pt) * 2008-03-26 2015-07-07 Du Pont "artigo laminado"
CN102832281A (zh) * 2008-04-04 2012-12-19 纳幕尔杜邦公司 包含高熔体流动速率的聚(乙烯醇缩丁醛)包封材料的太阳能电池模块
US20090288701A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 E.I.Du Pont De Nemours And Company Solar cell laminates having colored multi-layer encapsulant sheets
WO2009149000A2 (en) 2008-06-02 2009-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell module having a low haze encapsulant layer
US8895842B2 (en) 2008-08-29 2014-11-25 Applied Materials, Inc. High quality TCO-silicon interface contact structure for high efficiency thin film silicon solar cells
US20100101647A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-autoclave lamination process for manufacturing solar cell modules
CN102333786B (zh) 2008-10-31 2014-12-17 纳幕尔杜邦公司 包含低雾度包封材料的太阳能电池模块
US8080727B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising an encapsulant sheet of a blend of ethylene copolymers
US8084129B2 (en) * 2008-11-24 2011-12-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laminated articles comprising a sheet of a blend of ethylene copolymers
US20100154867A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Mechanically reliable solar cell modules
US8399081B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-19 E I Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising encapsulant sheets with low haze and high moisture resistance
KR20110122121A (ko) * 2009-01-22 2011-11-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 태양 전지 모듈에 대한 킬레이트제를 포함하는 폴리(비닐 부티랄) 밀봉제
EP3249699B1 (en) * 2009-03-18 2020-04-15 Evatec AG Method of inline manufacturing a solar cell panel
US8609777B2 (en) * 2009-07-31 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable encapsulants for photovoltaic cells
US8609980B2 (en) 2010-07-30 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable ionomeric encapsulants for photovoltaic cells
US20130017644A1 (en) * 2011-02-18 2013-01-17 Air Products And Chemicals, Inc. Fluorine Based Chamber Clean With Nitrogen Trifluoride Backup
KR102374689B1 (ko) * 2012-08-08 2022-03-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 링크된 진공 프로세싱 툴들 및 그 사용 방법들
US10125205B2 (en) 2012-12-19 2018-11-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable acid copolymer composition and its use in glass laminates
WO2015171575A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulant composition comprising a copolymer of ethylene, vinyl acetate and a third comonomer
KR102296919B1 (ko) * 2015-01-16 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
CN112055894A (zh) 2018-03-08 2020-12-08 性能材料北美股份有限公司 具有改进的抗电势诱导衰减的光伏模块和密封剂组合物
CN110835743A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 中智(泰兴)电力科技有限公司 用于太阳电池制造的9腔体立式hwcvd-pvd一体化设备
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4226898A (en) * 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JPH07230942A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Hitachi Ltd マルチチャンバシステム及びその制御方法
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
JPH08340034A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Mitsui Toatsu Chem Inc 薄膜形成装置
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US6440261B1 (en) * 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
TWI298895B (en) * 2004-06-02 2008-07-11 Applied Materials Inc Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7296673B2 (en) * 2005-06-10 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Substrate conveyor system
US7438175B2 (en) * 2005-06-10 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Linear vacuum deposition system
US20060283688A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Applied Materials, Inc. Substrate handling system
US7432201B2 (en) * 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
US20070017445A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
TWI295816B (en) * 2005-07-19 2008-04-11 Applied Materials Inc Hybrid pvd-cvd system
US20070281090A1 (en) * 2006-04-11 2007-12-06 Shinichi Kurita System architecture and method for solar panel formation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102104088A (zh) * 2009-12-17 2011-06-22 吉林庆达新能源电力股份有限公司 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
CN103904155A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 理想能源设备(上海)有限公司 硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法
CN103904155B (zh) * 2012-12-28 2017-12-05 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法
CN112786507A (zh) * 2021-01-13 2021-05-11 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 模块化半导体设备传输腔体单元及晶圆传输系统

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