CN101483157A - 抑制电磁波的散热片和电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制电磁波的散热片和电子装置。该抑制电磁波的散热片包括导热片和在该导热片中的至少一个磁性层。该磁性层包括多个板状磁体。因此,可以获得具有高可靠性的柔性抑制电磁波的散热片,同时具有高导热率和明显抑制电磁波的效果。

Description

抑制电磁波的散热片和电子装置
技术领域
本发明涉及抑制电磁波的散热片(radiator sheet),该散热片有效地将热从例如LSI封装体的发热元件(heating element)传导到例如散热板、热管或热沉的散热部件,并抑制电磁波彼此耦合。本发明还涉及采用该抑制电磁波的散热片的电子装置。
背景技术
近年来,电子装置在不断小型化。因为电能(产生的热量)不因应用上的多样化而有太大的变化,所以重要的是考虑装置中的热辐射。
由例如铜和铝的高导热率金属材料制成的散热板、热管和热沉等已经被广泛地用作电子装置中的热辐射手段(或抗热手段)。
为电子装置中的产热部件(高温部位)布置这样的具有优良导热率的散热部件,或者为从发热部件(高温部位)延伸到低温部位的区域布置这样的具有优良导热率的散热部件可以引起装置中辐射效率或者温度弛豫的改善。
然而,导热率优良的散热部件由金属材料制成,从而其将成为高谐波噪音成分(high-harmonic noise component)的天线或者成为高谐波噪音成分的通信电路(communication channel)。
因此,散热部件也可以聚集电信号的高谐波成分,成为不利的影响。因此,它通常会引起不必要的电磁波的辐射。
此外,电子装置中的产热部件(高温部位)主要包括具有大电流密度的芯片(半导体封装体)等。换句话,电流密度越大,可能成为不必要电磁波的辐射成分的电场强度和磁场强度就会增加得越大。
另一方面,散热部件与芯片因它们各自的尺寸以及表面条件而难于大面积接触。在此情形下,由于接触面积减小或者辐射部件和芯片之间产生间隔,热辐射的效率可能降低。
因此,芯片(半导体封装体)与例如热沉的金属散热部件之间的间隔可以填充有高温导热填料(导热片)。
例如,通过使聚合物材料包含诸如氧化铝或者氮化铝的具有高导热率的材料作为填料,可以制备出具有优良导热和填充特性的高温导热填料。
然而,即使使用这样的高温传导填料,也不可能抑制散热部件聚集电信号的高谐波成分。
正如图1中所示意性示出的,如果高温传导填料(热辐射填料片)53设置在芯片51和散热部件(散热板)52之间,则大量的热传导62将经由热辐射填料片53从芯片51到达散热板52。
此外,芯片51引起的电磁场61与散热板52耦合,使得在散热板52中传导具有频率成分的信号63,导致辐射不必要的电磁波64。
为了防止磁场的耦合,可以使用通过混合间隔填料和磁性材料而制备出的间隔填料(抑制电磁波的散热片)。抑制电磁波的散热片可以包含作为填料的高导热率的材料和高磁导率的材料,高导热率的材料例如为氧化铝或者氮化铝,高磁导率的材料例如为硅基或丙烯酸基聚合物中的铁氧体(ferrite)。因此,抑制电磁波的散热片可以设置为将优良的高导热率和抑制电磁波的效果(退耦合电磁场的效果)相结合。
正如图2中所示意性示出的,当抑制电磁波的散热片54设置在芯片51和散热部件(散热板)52之间时,抑制电磁波的散热片54可以抑制由芯片51引起的电磁场61与散热板52的耦合。这将导致散热片52中产生的具有频率成分的信号63的减小,从而减少不必要电磁波64的辐射。
然而,将散热片和磁性材料相结合会使具有优良导热率的材料粉末的含量降低,导致抑制电磁波的散热片的导热率降低。
因此,图2所示的布置将导致经由抑制电磁波的散热片54从芯片51到散热板52的热传导62减少,并且还引起散热板52中的热传导62减少。
对于热辐射填料片和抑制电磁波的散热片还会要求柔性,以使得这些片易于实现,并降低由这些片和发热元件以及散热部件之间的接触所导致的热阻。因此,片中的散热粉末或者磁性粉末的含量受到限制。
为了抑制导热率尽可能小的减少,具有优良磁性特性的磁性粒子可以用于将片中磁性材料的体积降低至绝对最小值。
铁氧体粉末是金属氧化物,主要用作抑制电磁波的散热片中的磁性粉末,以获得绝缘特性。
金属磁性材料具有优良的磁性特性。然而,当在片中混合该磁性材料时,金属粉末可能暴露于片的表面。在电子装置中使用该材料可能引起电短路。
混合在抑制电磁波的散热片中的铁氧体粉末可以是微米尺寸。
微米尺寸的铁氧体粉末主要是通过将固相反应方法获得的烧结铁氧体块研磨成粉末来制备。因此,由于研磨过程中铁氧体粒子的晶体畸变,得到的铁氧体粉末与烧结的铁氧体块相比,磁性特性将退化。
如上所述,烧结的铁氧体块比微米尺寸的铁氧体粉末具有更高的磁性特性。从而,已经提出将铁氧体板设置在散热片中的堆叠结构(例如,见日本未审查专利申请公开No.2001-15656)。通过这样的结构,铁氧体板获得了相对高的抑制电磁波的效果,同时通过减小磁性材料的体积比确保了相当高的导热率。
发明内容
如上所述,对于抑制电磁波的散热片可能需要柔性,以容易地实现这些片,并降低由发热元件和散热部件的接触所导致的热阻。
然而,铁氧体板比树脂硬得多,从而日本未审查专利申请公开No.2001-15656中描述的使用一个铁氧体板的结构会在柔性上不够。
人们希望提供可靠性高的抑制电磁波的散热片,其中该片具有高导热率和抑制电磁波的效果,同时还具有柔性。此外,希望提供采用该散热片的电子装置。
根据本发明的实施例,提供抑制电磁波的散热片,其包括导热片和在该导热片中的至少一个磁性层,其中该磁性层包括多个板状磁体。
根据本发明的另一个实施例,提供电子装置,其包括:电子部件;散热材料,用于释放来自该电子部件的热;以及根据本发明上述实施例的抑制电磁波的散热片。抑制电磁波的散热片设置在电子部件和散热材料之间,并与电子部件和散热材料接触。
根据本发明上述实施例的抑制电磁波的散热片的构造,导热片包括至少一个磁性层,该磁性层具有多个板状磁体。该板状磁体与铁氧体粉末相比具有良好的磁性。因此,在具有多个板状磁体的磁性层中可以充分地获得抑制电磁波的有利效果。
另外,因为磁性层由多个分开的板状磁体形成,所以与单个大尺寸板状磁体形成的磁性层相比,该抑制电磁波的散热片的柔性可得以改善。
根据本发明上述实施例的电子设备的构造,该设备包括:电子部件;散热材料,用于释放来自该电子部件的热;以及根据本发明上述实施例的抑制电磁波的散热片。抑制电磁波的散热片设置在电子部件和散热材料之间,并与电子部件和散热材料接触。因此,可以抑制电子部件所产生的电磁波。此外,由电子部件所产生的热可以充分地传导至散热材料。
根据本发明的上述实施例,可以获得足够明显的抑制电磁波的效果。换句话说,可以获得明显的抑制电磁波的效果,而不增加磁体的体积分数。因此,可以通过增加导热片中的高导热材料的体积分数来增加磁体的导热率。
此外,与以单个的大尺寸板状磁体形成的磁性层相比,可以改善抑制电磁波的散热片的柔性。因此,可以容易地实施抑制电磁波的散热片,从而减少其与发热元件和散热部件接触的热阻。
根据本发明的任一个上述实施例,可以获得具有高可靠性的柔性抑制电磁波的散热片,同时具有高导热率和明显抑制电磁波的效果。
此外,根据本发明的任一个上述实施例,可以获得高稳定性的电子装置,这是因为可以通过抑制电磁波的散热片来抑制不必要的电磁波辐射。
附图说明
图1是示出设置在芯片和散热部件之间的高温传导填料的示意图。
图2是示出设置在芯片和散热部件之间的抑制电磁波的散热片的示意图。
图3A到3C是示出根据本发明实施例的抑制电磁波的散热片构造的示意图,其中图3A是透视图,图3B是平面图,而图3C是该片的横截面图。
图4A到4C是示出根据本发明另一个实施例的抑制电磁波的散热片构造的示意图,其中图4A是透视图;图4B是平面图;而图4C是该片的横截面图。
图5是示出根据本发明再一个实施例的抑制电磁波的散热片的截面示意图。
图6A和6B是示出作为实验中使用的样品的抑制电磁波的散热片的示意透视图,其中图6A是样品A的视图,图6B是样品B的视图。
图7是示出执行实验的系统构造的示意图。
图8是表示频率和磁场强度之间的关系的曲线图。
图9是示出根据本发明实施例的电子装置的主要部分的示意透视图。
图10是示出根据本发明另一个实施例的电子装置的主要部分的侧视图。
具体实施方式
首先,将在说明本发明的具体示例之前简要描述其实施例。
为了抑制电磁波并同时保持导热率,本申请的发明人将他们的注意力放到了片中磁性材料的磁性特性及其结构上。本发明的发明人发明了抑制电磁波的柔性散热片,具有高导热率和电磁兼容性(EMC,electromagneticcompatibility)。
根据本发明实施例的抑制电磁波的散热片,包括导热片和在导热片中的至少一个磁性层,其中磁性层包括多个板状的磁体。因此,如上所述,这样的抑制电磁波的散热片可以是高可靠性和高柔性的,具有高导热率以及抑制电磁波的效果。
例如,板状磁体可以是由烧结的铁氧体块制成的铁氧体板,或者由磁性金属元素或者合金制成的磁性金属板。
烧结的铁氧体块制成的铁氧体板提供具有高磁性特性的抑制电磁波的散热片。每一个都具有沿磁性层的平面方向的1mm到5mm的长度并且具有10μm到3mm的厚度的两个或多个铁氧体板,以1μm到3mm的间距布置在导热片中。因此,弯曲铁氧体所导致的应力可以被分散,并且由此而可以提供具有柔性的抑制电磁波的散热片。
磁性金属板可以改善抑制电磁波的散热片的磁性特性,同时使散热片保持其柔性。
此外,磁性金属板(金属)在导热率方面优于铁氧体板(氧化物)。从而,导热率和磁性特性都可以得到改善。每一个都具有沿磁性层的平面方向的1mm到10mm的长度并且具有100nm到2mm的厚度的两个或多个磁性金属板,以1μm到3mm的间距布置在导热片中,从而提供具有充足柔性的抑制电磁波的散热片。
此外,在片中布置磁性金属板使抑制电磁波的散热片防止金属暴露于表面。从而,可以提供具有优良导热率及实现可靠性的抑制电磁波的散热片。
此外,磁性金属板的周围可以涂布绝缘材料,以更彻底地绝缘该板。
导热片可以包含热辐射填料,来增加聚合物材料中的导热率。聚合物材料可以是硅树脂或丙烯酸树脂等。
增加片导热率的热辐射填料可以是具有高导热率的陶瓷粉末,例如氧化铝、氮化硼、氮化硅、氮化铝或者碳化硅,以及涂布有绝缘材料的铜或铝等的粉末。
在此情形下,填料粉末可以优选具有10W/mK或更大的导热率。
然而,本发明实施例中采用的热辐射填料并不局限于这些材料中的任何一个。
可以用于铁氧体板的材料包括由铁的氧化物制成的磁性材料,例如Mn-Zn铁氧体、Ni-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Cu-Mg-Zn铁氧体、Mn-Mg-Al铁氧体、钇铁石榴石(YIG)铁氧体和Ba铁氧体。
然而,可以用于本实施例的铁氧体板的材料并不局限于这些材料。
可以用于磁性金属板的材料包括软磁性金属材料,例如,诸如Fe、Co、和Ni的磁性金属元素和诸如FeNi、FeCo、FeAl、FeSi、FeSiAl、FeSiB和CoSiB的磁性金属合金。
在本发明的实施例中,可以用于磁性金属板的材料并不局限于这些材料。
覆盖磁性板的绝缘材料的示例包括将氧化铝、氮化铝及氮化硼粉末中的任一个与树脂相混合而制成的材料。在此情形下的粉末可以优选具有10W/mK或更大的导热率
此外,例如,可以采用从氧化铝、氮化铝和氮化硼中选择出的任何材料。
此外,例如,可以采用从Mn-Zn铁氧体、Ni-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Cu-Mg-Zn铁氧体、Mn-Mg-Al铁氧体、YIG铁氧体和Ba铁氧体中选择出的任何材料。换句话说,可以是任何铁基氧化物的绝缘材料。
根据本发明实施例的抑制电磁波的散热片可不具有与采用磁性填料的相关技术相似的磁体随机布置,而是具有沿水平方向规则布置的磁体。因此,该片可以容易地结合磁场。
下面,将描述根据本发明实施例的具体示例。
图3A到3C是示出根据本发明实施例的抑制电磁波的散热片10的示意图,其中图3A是片的透视图,图3B是片的平面图,而图3C是片的截面视图。
抑制电磁波的散热片10包括导热片11,其中大量的板状小磁体(下面称作“磁性板”)12沿片11的水平方向布置,以形成磁性层。各个磁性板12具有正方形形状,并大体上以行和列布置。
磁性板12可以是铁氧体板或者磁性金属板。
多种材料可以用作片11以及磁性板(铁氧体板或者磁性金属板)12的材料。
在根据上述实施例的抑制电磁波的散热片10的上述构造中,其中包括有多个水平布置的磁性板12的磁性层设置在导热片11中。可以以包括有多个磁性板12的磁性层来获得足够明显的抑制电磁波的效果,这是因为磁性板12是具有优于铁氧体粉末的磁性特性的磁性材料块。
此外,磁性层由多个分离的磁性板12形成,使得抑制电磁波的散热片10与包括由单个大尺寸磁性板形成的磁性层的片相比,具有更高的柔性。
此外,通过将磁性层设置在抑制电磁波的散热片10中,可以获得足够明显的抑制电磁波的效果。换句话说,即使不具有大的磁体体积分数,也可以获得明显的抑制电磁波的效果。因此,导热片11中可以增加高热导材料的体积分数,以使导热片11获得高的导热率。
此外,与具有单个大尺寸板状磁体形成磁性层相比,可以增加抑制电磁波的散热片10的柔性。因此,抑制电磁波的散热片10可以容易地实施,由此降低了其与发热元件和散热部件的接触热阻。
因此,本实施例的构造可以导致获得柔性的抑制电磁波的散热片10,以高可靠性抑制电磁波,同时具有抑制电磁波的效果。
图4A到4C是示出根据本发明另一个实施例的抑制电磁波的散热片20的示意图。图4A是其透视图,图4B是其平面图,而图4C是其截面图。
抑制电磁波的散热片20以与图3A到3C所示的上述抑制电磁波的散热片10相似的方式形成,除了两个磁性层逐个堆叠在导热片11中之外。在本实施例中,每个磁性层都包括多个沿水平方向排列的磁性板12。
根据本实施例的抑制电磁波的散热片20的构造,每个磁性层都包括多个沿水平方向排列的磁性板12,正如上述实施例中抑制电磁波的散热片10的情形一样。因此,可以实现具有高可靠性同时具有高导热率和抑制电磁波的明显效果的柔性抑制电磁波的散热片20。
此外,因为抑制电磁波的散热片20包括两个逐个堆叠的磁性层,所以可以抑制磁场沿垂直或者厚度方向的扩展。从而,抑制电磁波的散热片20将更有效地抑制电磁波。
图5是示出根据本发明再一个实施例的抑制电磁波的散热片30的示意性截面视图。
图5所示的本实施例的抑制电磁波的散热片30以与抑制电磁波的散热片10或者20相似的方式形成,除了抑制电磁波的散热片30包括三个磁性层之外。在本实施例中,每个磁性层都包括沿水平方向排列并且以在垂直方向(厚度方向)相邻的两个磁性层错开排列的构造来布置的多个磁性板12。
根据本实施例的抑制电磁波的散热片30的构造,每个磁性层都包括多个沿水平方向排列的磁性板12,正如上述实施例中抑制电磁波的散热片10和20的情形。因此,可以获得具有高可靠性同时具有高导热率和明显的抑制电磁波效果的柔性的抑制电磁波的散热片30。
此外,磁性板12以在垂直方向(厚度方向)相邻的两个磁性层错开排列的构造来布置。因此,磁性板12之间的非磁性材料不在垂直方向连续地布置。从而,可以进一步降低抑制电磁波的散热片30在垂直方向上的电场泄漏。
如上所述,在抑制电磁波的散热片30的一个方向上的截面视图示于图5中,并且相邻磁性板12以在垂直方向(厚度方向)相邻的两个磁性层错开排列的构造来布置。优选地,磁性板12也在与图中所示截面垂直的方向以错开排列的构造来布置,从而降低抑制电磁波的散热片30在垂直方向上的电场泄漏。
在图5所示的实施例中,磁性板12以在垂直方向相邻的两个磁性层错开排列的构造来布置。或者,相邻磁性层中的磁性板12可以不同地布置,或者其位置相互移动,使得相邻磁性层中的磁性板12之间的间隔在垂直方向不连续。同样在此情形下,具有抑制抑制电磁波的散热片30在垂直方向上的电场泄漏的效果。
根据本实施例的以在垂直方向的两个磁性层错开排列的构造来布置的磁性层12可以应用于具有两个或多个磁性层的抑制电磁波的散热片。
示于上述每个实施例中的抑制电磁波的散热片可以如下面的描述来制造。
第一种制造方法包括:预先制备小磁性板,以及当制造片时在每个磁性层中水平布置这些小磁性板。
第二种制造方法包括:将一个大尺寸磁性板设置在散热片上,然后通过准分子激光器蚀刻将该磁性板切割成多个小尺寸磁性板。
此外,如果在第二种制造方法中存在两个或多个磁性层,则小心地将上磁性层中的磁性板切割成块,以保持下磁性板的完整。从而,可以得到如图5所示的以错开排列的构造来布置的磁性板。
本发明上述实施例中的任一个抑制电磁波的散热片都可以用于制造电子装置,使抑制电磁波的散热片设置在例如LSI封装体的发热元件和例如热沉的散热部件之间。
采用本发明上述实施例中的任一个抑制电磁波的散热片的电子装置都具有合适的热辐射特性。即使发热元件的驱动频率较高并且释放大量的热,该装置也可以稳定地运行,并获得高可靠性。
此外,抑制电磁波的散热片可以抑制发热元件产生的电磁波。从而,不必要的电磁波的辐射可以显著地降低。
在本发明上述实施例的示例中,所采用的磁性板可以是相结合的铁氧体板和磁性金属板。例如,一个磁性层可以包括铁氧体板,另一个可以包括磁性金属板。此外,例如,铁氧体板和磁性金属板可以在同一磁性层中结合使用。
磁性板之间的间隔优选较窄,以将磁场泄漏减少到尽可能小。
此外,磁性板之间的间隔优选可以填充有导热片材料以提高导热率,而不是留有间隔。
此外,磁性板可以不是正方形的形状。或者,它可以是矩形、圆形、三角形或六边形等形状。
具体地讲,磁性板可以设计为覆盖全部的平坦表面。该形式的示例包括例如等边三角形、等腰三角形和直角三角形的三角形、正方形、矩形和六边形。通过设计为覆盖全部平坦表面的磁性板,磁性板之间的间隔可以减小。因此,可以降低磁场泄漏。
为了获得EMC(电磁兼容性),除了本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片外,还可以采用各种抑制电磁波的材料。采用本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片都将导致其它抑制电磁波的材料的数目的减少,或者与其它抑制电磁波的材料结合从整体上提高抑制电磁波的效果。此外,即使IC驱动频率增加,也可以抑制电磁波。
实验
这里,本发明实施例的抑制电磁波的散热片被实际地制备,并进行下面的实验,以证实本发明实施例的抑制电磁波的效果。
图6A和6B是分别示出实验中使用的两种不同抑制电磁波的散热片样品的示意性透视图。
抑制电磁波的散热片的第一个样品41示于图6A中。抑制电磁波的散热片的第二个样品42示于图6B中。这些样品的每一个都是正方形板的形式,具有25mm长、25mm宽和2.0mm厚的外形尺寸。
此外,任一个样品都采用包含氧化铝颗粒的片作为导热片11和铁氧体板作为构成磁性层的磁性板12。在第一个样品41中,仅仅设置了单个的磁性层。在第二个样品42中,三个磁性层彼此堆叠。
所采用铁氧体板的每一个都是正方形板形式的Ni-Zn铁氧体,具有2.0mm长、2.0mm宽和0.2mm厚的尺寸。
铁氧体板在片的平面内以0.5mm的间隔布置成10乘10的板矩阵。最外的铁氧体板12与导热片11外围间的距离是0.25mm。
由铁氧体板12形成的磁性层可以布置为设置在导热片11沿厚度方向的中央。在第一个样品41中,铁氧体板12与片的上或下表面间的距离是0.9mm。在第二个样品中,两个磁性层间的距离是0.3mm。最上或最下磁性层的铁氧体板12与片的上或下表面间的距离是0.4mm。
图7示意性地示出实验中所采用系统的构造。
在该系统中,设置在基板31上的LSI封装体32设置为噪音源。为了测试LSI封装体32的磁场强度,线圈状的磁场验证装置34连接至光谱分析仪33。LSI封装体32的上表面和磁场验证装置34之间的距离d保持为3mm的恒定距离。存在或不存在样品41或样品42时的磁场强度均被评估。如上所述,样品41或42的厚度t是2mm,并且样品41或42的上表面与磁场验证装置42的距离为1mm。
所采用的LSI封装体32的驱动频率是33MHz。
在本实验中所采用的样品41和42的每一个中,测试了铁氧体的体积分数。在第一个样品(一层)41中,铁氧体的体积分数是6.4%。在第二个样品(三层)中,铁氧体的体积分数是19.2%。
采用图7所示的装置,测试了每个样品的磁场强度。频率从50MHz变化到1000MHz,以确定各个频率的磁场强度。
此外,为了对比,将样品41和42从图7所示的系统移除,然后确定没有任何样品时的磁场强度。
测试结果绘制于图8,以表示频率和磁场强度之间的关系。在图中,“没有样品”表示没有任何样品时来自于LSI封装体32的磁场强度。在图8的纵轴中,以每5dB(每刻度单位为5dB)来绘制相对磁场强度。
如图8所示,与没有任何样品的测试相比,具有6.4%铁氧体体积分数的第一样品(一层)41显示出了大约2dB到3dB的抑制磁场效果。
具有19.2%铁氧体体积分数的第二样品(三层)42显示出了大约3dB到5dB的抑制磁场的效果。
其中,第二样品(三层)42的结果显示出与商用抑制电磁波的散热片相同的抑制磁场效果,在商用抑制电磁波的散热片中,分散着铁氧体粒子(大约40%的铁氧体体积分数)和氧化铝粒子。
此外,各个样品41和42的柔性足够使用。
由上述结果,如果本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片都设计为具有与商用抑制电磁波的散热片相同的铁氧体体积分数,则可以获得更明显的抑制磁场的效果。
此外,如果打算获得与商用抑制电磁波的散热片相同的抑制磁场的效果,则本发明任一个实施例的片的铁氧体体积分数可以比商用抑制电磁波的散热片的小。因此,氧化铝粒子(高导热粒子)的含量可以与铁氧体体积的减小一样多地增加。从而,可以获得更高的导热率。
由上述结果,根据任一个上述实施例的抑制电磁波的散热片的构造,可以获得具有优良柔性的高性能抑制电磁波的散热片,而不会损害铁氧体的磁性特性。
此外,与铁氧体相比,磁性金属的磁性特性和导热率优良。因此,磁性金属板可以用作磁性板,以提供高性能的抑制电磁波的散热片。
优选地,本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片布置在例如大量热从其产生的集成电路(LSI)的电子部件和用于辐射电子部件的热的散热材料之间,而与电子部件和散热材料接触。
下面,将描述根据本发明实施例的电子装置。该电子装置包括本发明实施例的抑制电磁波的散热片,为该电子部件如上所述地布置。
图9是示出根据本发明实施例的电子装置的电子部件的主要部分的透视图。
如图9所示,抑制电磁波的散热片40设置在LSI封装体43和热沉44之间而与LSI封装体43和热沉44接触,其中LSI封装体43为具有从其产生大量热的电子部件,热沉44为散热材料。
用于热辐射的鳍44A安装在热沉44的顶部。
根据如上所述的本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片将用作抑制电磁波的散热片40。
根据本发明的实施例,在图9所示的电子装置的构造中,抑制电磁波的散热片40设置在LSI封装体43和热沉44之间而与LSI封装体43和热沉44接触。因此,抑制电磁波的散热片40可以抑制LSI封装体43产生的电磁波以及辐射不必要电磁波的产生。此外,LSI封装体43所产生的热可以经由抑制电磁波的散热片40充分地传导至热沉44。
接着,图10是示出根据本发明另一个实施例的电子装置的主要部件的侧视图。
该装置包括两个电路板50,并且每个电路板50都连接至LSI封装体45,LSI封装体45为产生大量热的电子部件。
此外,各个电路板50的LSI封装体45共享散热材料制成的散热板46。
抑制电磁波的散热片40设置在散热板46和在两个电路板50上的各个LSI封装体45之间,使其可以与LSI封装体45和散热板46二者相接触。
根据如上所述的本发明任一个实施例的抑制电磁波的散热片将被用作抑制电磁波的散热片40。
根据图10所示的本实施例的电子装置的构造,抑制电磁波的散热片40设置在LSI封装体45和散热板46之间,使其可与LSI封装体45和散热板46接触。因此,可以抑制LSI封装体45所产生的电磁波,并且由此可以抑制不必要的电磁波的辐射。此外,LSI封装体45所产生的热可以分别经由多个抑制电磁波的散热片40充分地传导至散热板46。
本发明不应该被认为局限于上述实施例。本发明可以以各种其它的形式来实施,只要在本发明的要旨之内。
本领域的技术人员应当理解,在权利要求或其等同特征的范围内,可以根据设计要求和其他因素来进行各种修改、组合、部分组合及替换。
本发明包含2008年1月11日提交至日本专利局的日本专利申请JP2008-004967涉及的主题,将其全部内容引用结合于此。

Claims (14)

1、一种抑制电磁波的散热片,包括:
导热片和在所述导热片中的至少一个磁性层,其中
所述磁性层包括多个板状磁体。
2、根据权利要求1所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述板状磁体从铁氧体板和磁性金属板中选出。
3、根据权利要求2所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述板状磁体是铁氧体板,所述铁氧体板具有10μm到3mm的厚度和沿所述磁性层的平面方向的1mm到5mm的长度;并且
所述多个板状磁体以1μm到3mm的间隔沿所述磁性层的平面方向布置。
4、根据权利要求2所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述板状磁体是磁性金属板,所述磁性金属板具有100nm到2mm的厚度和沿所述磁性层的平面方向的1mm到10mm的长度;并且
所述多个板状磁体以1μm到3mm的间隔沿所述磁性层的平面方向布置。
5、根据权利要求2所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述铁氧体板由从Mn-Zn铁氧体、Ni-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Cu-Mg-Zn铁氧体、Mn-Mg-Al铁氧体、YIG铁氧体和Ba铁氧体中选择出的材料制成。
6、根据权利要求2所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述磁性金属板由从Fe、Co、Ni、FeNi、FeCo、FeAl、FeSi、FeSiAl、FeSiB和CoSiB中选择出的软磁性材料制成。
7、根据权利要求1所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述导热片由混合有从氧化铝、氮化铝和氮化硼中选择出的材料的粉末的树脂制成。
8、根据权利要求7所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述粉末具有10W/mK或更大的导热率。
9、根据权利要求2所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述磁性材料板覆盖有绝缘材料。
10、根据权利要求9所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述绝缘材料由混合有从氧化铝、氮化铝和氮化硼中选择出的材料的粉末的树脂制成。
11、根据权利要求9所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述绝缘材料是从氧化铝、氮化铝和氮化硼中选择出的材料。
12、根据权利要求9所述的抑制电磁波的散热片,其中
所述绝缘材料是从Mn-Zn铁氧体、Ni-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Cu-Mg-Zn铁氧体、Mn-Mg-Al铁氧体、YIG铁氧体和Ba铁氧体中选择出的材料。
13、根据权利要求1所述的抑制电磁波的散热片,其中
两个或多个所述磁性层逐个堆叠,并且
所述板状磁体布置为在垂直方向相邻的两个磁性层相错开排列的构造。
14、一种电子装置,包括:
电子部件;
散热材料,用于释放来自所述电子部件的热;和
抑制电磁波的散热片,包括导热片和在所述导热片中的至少一个磁性层,其中所述磁性层包括多个板状磁体,其中
所述抑制电磁波的散热片设置在所述电子部件和所述散热材料之间,并与所述电子部件和所述散热材料接触。
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