CN101467198A - 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备 - Google Patents

用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101467198A
CN101467198A CNA2007800219106A CN200780021910A CN101467198A CN 101467198 A CN101467198 A CN 101467198A CN A2007800219106 A CNA2007800219106 A CN A2007800219106A CN 200780021910 A CN200780021910 A CN 200780021910A CN 101467198 A CN101467198 A CN 101467198A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
conduit
display device
activation
release
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800219106A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101467198B (zh
Inventor
杰弗里·布莱恩·桑普塞尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Original Assignee
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm MEMS Technologies Inc filed Critical Qualcomm MEMS Technologies Inc
Publication of CN101467198A publication Critical patent/CN101467198A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101467198B publication Critical patent/CN101467198B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/3466—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on interferometric effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0271—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/207—Display of intermediate tones by domain size control
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2074—Display of intermediate tones using sub-pixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种光调制器装置包括：第一电导管、与所述第一导管电隔离的第二电导管、第一显示器元件及第二显示器元件。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态，且当所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态，且当所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述激活电压大致相等且所述释放电压不同，或所述激活电压不同且所述释放电压大致相等。

Description

用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备
技术领域
本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子装置。可使用沉积、蚀刻及/或其它蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置的微机械加工工艺来形成微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。本文所用术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中一者或两者可全部或部分地透明及/或反射，且在施加适当的电信号时能够相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的静止层，而另一个板可包含通过气隙与所述静止层隔开的金属膜。如本文更详细说明，一个板相对于另一个板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛的应用范围，且在所属技术领域中，利用及/或修改这些类型的装置的特性以便可将其特征用于改善现有产品及制造目前尚未开发的新产品将颇为有益。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有若干方面，任何单个方面均不能单独决定其所期望的属性。现在将简要论述本发明的较突出特征，而此并不限定本发明的范围。在参阅此论述之后，尤其是在阅读了标题为“具体实施方式”的章节之后，将理解本发明的特征如何提供优于其它显示器装置的优点。
在某些实施例中，光调制器装置包含：第一电导管；第二电导管，与所述第一导管电隔离；第一显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信；及第二显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
在某些实施例中，光调制器装置包含：用于传导电信号的第一构件；用于传导电信号的第二构件；及用于调制光的第一构件，其经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信。所述第二传导构件与所述第一传导构件电隔离。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一调制构件处于激活状态。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一调制构件处于释放状态。所述第二调制构件经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二调制构件处于激活状态。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二调制构件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
在某些实施例中，一种调制光的方法包含：提供第一显示器元件，其经配置以与第一导管及第二导管进行通信；提供第二显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信；及选择性地将电压施加到所述第一及第二导管以选择性地激活及释放所述第一显示器元件及所述第二显示器元件。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
在某些实施例中，一种显示图像的方法包含：提供多个像素；选择性地激活像素的显示器元件以提供所述像素第一强度范围的第一位密度；及选择性地激活所述像素的显示器元件以提供所述像素第二强度范围的第二位密度。每一像素包含多个显示器元件。所述第二强度范围高于所述第一强度范围。所述第二位密度小于所述第一位密度。
在某些实施例中，一种制造光调制器装置的方法包含：形成第一电导管；形成与所述第一电导管电隔离的第二电导管；形成经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信的第一显示器元件；及形成经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信的第二显示器元件。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
附图说明
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，在所述干涉式调制器显示器中，第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，而第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。
图2是图解说明并入有3 x 3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个实例性实施例的可移动镜面位置对所施加电压的图表。
图4是对可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行及列电压的图解说明。
图5A图解说明图2的3 x 3干涉式调制器显示器中的一个实例性显示器数据帧。
图5B图解说明可用于写入图5A的帧的行及列信号的一个实例性时序图。
图6A及6B是图解说明包含多个干涉式调制器的视觉显示器装置的实施例的系统框图。
图7A是图1装置的截面图。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的截面图。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的截面图。
图7D是干涉式调制器的再一替代实施例的截面图。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的截面图。
图8是单色干涉式调制器的实施例的示意图。
图9是灰度干涉式调制器的实施例的示意图。
图10是彩色干涉式调制器的实施例的示意图。
图11是干涉式调制器的实施例的示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成三个子行。
图12是干涉式调制器的实施例的示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成三个经配置以与共用行驱动器连接进行通信的子行。
图13是可移动镜面位置对所施加正及负电压的图表，其图解说明三个具有嵌套式稳定性窗口的干涉式调制器的一个实例性实施例。
图14是时序图，其图解说明施加到图12的阵列的实施例的顶部行以产生所图解说明的显示器布置的一系列行及列信号。
图15是图解说明驱动干涉式调制器阵列的方法的一个实施例的流程图。
图16是干涉式调制器的实施例的示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成四个子行且其中两个子行经配置以与共用行驱动器连接进行通信。
图17是可移动镜面位置对所施加正电压的图表，其图解说明两个具有不同的稳定性窗口的干涉式调制器的一个实例性实施例，其中释放电压大约相同但激活电压不同。
图18是可移动镜面位置对所施加正电压的图表，其图解说明两个具有不同的稳定性窗口的干涉式调制器的一个实例性实施例，其中释放电压不同但激活电压大约相同。
图19示意性地图解说明图10的示意图所提供的量化步长及量化级。
图20是图解说明图10的示意图所提供的量化步长及量化级的图表。
图21示意性地图解说明图16的示意图所提供的量化步长及量化级。
图22是图解说明图16的示意图所提供的量化步长及量化级的图表。
图23是另一干涉式调制器的实施例的示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成四个子行且其中两个子行经配置以与共用行驱动器连接进行通信。
图24示意性地图解说明图23的示意图所提供的量化步长及量化级。
图25是图解说明图23的示意图所提供的量化步长及量化级的图表。
图26是干涉式调制器的实施例的示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成五个子行，其中两个子行经配置以与一个共用行驱动器连接进行通信，且其中另外两个子行经配置以与另一共用行驱动器连接进行通信。
图27示意性地图解说明图26的示意图所提供的量化步长及量化级。
图28是图解说明图26的示意图所提供的量化步长及量化级的图表。
图29是干涉式调制器的实施例的部分示意图，在所述干涉式调制器中所述行已被细分成六个子行，其中两个子行经配置以与一个共用行驱动器连接进行通信，其中两个其它子行经配置以与另一共用行驱动器连接进行通信，且其中剩余两个子行经配置以与再一共用行驱动器连接进行通信。
图30示意性地图解说明图29的示意图所提供的量化步长及量化级。
具体实施方式
以下详细说明涉及本发明的某些具体实施例。然而，本发明可通过多种不同的方式来体现。在本说明中，会参照附图，在所有附图中，使用相同的编号来指代相同的部件。根据以下说明将明了，所述实施例可在任何经配置以显示图像(不管是动态图像(例如，视频)还是静态图像(例如，静止图像)，不管是文本还是图片)的装置中实施。更特定来说，涵盖可在例如(但不限于)以下等各种电子装置中或与其相关联地实施所述实施例：移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式计算机或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄录机、游戏机、手表、时钟、计算器、电视机监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、驾驶舱控制及/或显示器、相机景物显示器(例如，车辆的后视相机显示器)、电子照片、电子告示牌或标牌、投影仪、建筑结构、包装及美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示器)。与本文所说明MESE装置具有类似结构的MEMS装置也可用于非显示器应用，例如用于电子切换装置。
提供一组显示器元件，其或具有大致相等的激活电压及不同的释放电压，或具有大致相等的释放电压及不同的激活电压。使用这些滞后窗口的操作允许减少电导管的数量，因为所述显示器元件可共享共用行及列驱动器。在某些实施例中，对所述显示器元件的光学活性区域进行加权以提供增强的低范围位深度。在某些实施例中，所述显示器元件的光学活性区域的比率是3、7、15、31、127或255。
图1中图解说明一个包含干涉式MEMS显示器元件的干涉式调制器显示器实施例。在这些装置中，像素处于亮或暗状态。在亮(“接通”或“打开”)状态下，显示器元件将入射可见光的一大部分反射到用户。当在暗(“关断”或“关闭”)状态下时，显示器元件几乎不向用户反射入射可见光。取决于实施例，可颠倒“接通”及“关断”状态的光反射比性质。MEMS像素可经配置以便主要以所选定的色彩进行反射，从而除黑色及白色以外还允许彩色显示。
图1是描绘视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包含MEMS干涉式调制器。在某些实施例中，干涉式调制器显示器包含由这些干涉式调制器构成的行/列阵列。每一干涉式调制器包括一对反射层，所述对反射层定位成彼此相距可变且可控制的距离，以形成具有至少一个可变尺寸的光学谐振腔。在一个实施例中，所述反射层中的一者可在两个位置之间移动。在本文中称为松弛位置的第一位置中，所述可移动反射层定位于距固定的局部反射层相对较大距离的位置处。在本文中称作激活位置的第二位置中，可移动反射层定位于更紧密地邻近所述局部反射层的位置处。取决于所述可移动反射层的位置，从所述两个层反射的入射光相长或相消地干涉，从而形成每一像素的总体反射或非反射状态。
在图1中描绘的像素阵列部分包括两个相邻的干涉式调制器12a及12b。在左侧的干涉式调制器12a中，图中显示可移动反射层14a处于松弛位置处，所述松弛位置距包括局部反射层的光学堆叠16a一预定的距离。在右侧的干涉式调制器12b中，图中显示可移动反射层14b处于邻近光学堆叠16b的激活位置处。
本文中所提及的光学堆叠16a及16b(统称为光学堆叠16)通常包含若干融合层，所述若干融合层可包括电极层(例如，氧化铟锡(ITO))、局部反射层(例如，铬)及透明电介质。因此，光学堆叠16具有导电性、局部透明性及局部反射性，且(举例来说)可通过将以上层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制作。所述局部反射层可由各种具有局部反射性的材料(例如，各种金属、半导体及电介质)形成。所述部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料的组合来形成。
在某些实施例中，光学堆叠16的层图案化为平行条带，且如下文进一步说明可在显示器装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为一系列由沉积于支柱18顶部上的所沉积金属层或层(与行电极16a、16b垂直)及沉积于支柱18之间的中间牺牲材料构成的平行条带。当蚀刻掉所述牺牲材料时，可移动反射层14a、14b与光学堆叠16a、16b间隔经界定的间隙19。反射层14可使用具有高度导电性及反射性的材料(例如，铝)，且这些条带可形成显示器装置中的列电极。
如图1中的像素12a所图解说明，在不施加电压的情形下，腔19保持位于可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态。然而，当向所选定行及列施加电位差时，对应像素处的行及列电极的交叉点处所形成的电容器会变得带电荷，且静电力会将所述电极拉在一起。如果所述电压足够高，那么可移动反射层14会变形并受迫压抵光学堆叠16。如图1中右侧的像素12b所图解说明，光学堆叠16内的电介质层(在所此图中未图解说明)可防止短路并控制层14与16之间的间隔距离。不管所施加的电位差极性如何，所述行为均相同。以此方式，可控制反射与非反射像素状态的行/列激活与常规LCD及其它显示器技术中所用的行/列激活在许多方面相似。
图2至图5B图解说明用于在显示器应用中使用干涉调制器阵列的一个实例性过程及系统。
图2是图解说明可并入有本发明的方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在所述实例性实施例中，所述电子装置包括处理器21，其可以是任何通用单芯片或多芯片微处理器，例如ARM、
Figure A200780021910D00131
Pro、8051、
Figure A200780021910D00132
或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。所属技术领域中的常规情况是，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统以外，所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，其中包括网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21也经配置以与阵列驱动器22进行通信。在一个实施例中，阵列驱动器22包括行驱动器电路24及列驱动器电路26，其向显示器阵列或面板30提供信号。图1中所图解说明的阵列的截面在图2中通过线1-1显示。对于MEMS干涉式调制器，所述行/列激活协议可利用图3所图解说明的这些装置的滞后性质。举例来说，可能需要10伏的电位差来使可移动层从松弛状态变形到激活状态。然而，当所述电压从所述值降低时，在所述电压降回至10伏以下时，所述可移动层将维持其状态。在图3的实例性实施例中，所述可移动层直到所述电压降低到2伏以下才完全松弛。因此，图3所图解说明的实例中存在约3V到7V的所施加电压窗口，在所述所施加电压窗口内所述装置稳定在松弛或激活状态下。在本文中将其称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说，行/列激活协议可经设计以便在行选通期间对所选通行中将要激活的像素施加约10伏的电压差，并对将要松弛的像素施加接近零伏的电压差。在所述选通之后，对所述像素施加约5伏的稳态电压差，以使其保持在行选通使其所处的任何状态。在写入之后，每一像素在此实例中承受所述3-7伏“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1所图解说明的像素设计在相同的所施加电压条件下稳定在激活或松弛的预存在状态。由于干涉式调制器的每一像素(不管处于激活状态还是松弛状态)本质上是由固定反射层及移动反射层形成的电容器，因此可在滞后窗口内的电压下保持此稳定状态而几乎不会消耗功率。如果所施加的电位固定，那么基本上不会有电流流入像素中。
在典型应用中，可通过根据第一行中的所需激活像素组断言列电极组来形成显示帧。然后，将行脉冲施加到第1行电极，从而激活对应于所断言列线的像素。然后，改变所断言的列电极组以对应于第二行中的所需激活像素组。然后，向第2行电极施加脉冲，从而根据所断言的列电极来激活第2行中的适当像素。第1行像素不受第2行脉冲的影响，且保持其在第1行脉冲期间所设定的状态。可按顺序方式对整个系列的行重复此步骤，以产生所述帧。通常，通过以某一所需的帧数/秒的速度连续重复此过程来用新的显示数据刷新及/或更新所述帧。许多种用于驱动像素阵列的行及列电极以产生显示帧的协议也为人们所熟知，且可结合本发明一同使用。
图4、5A及5B图解说明用于在图2的3x3阵列上形成显示帧的一种可行激活协议。图4图解说明一组可能的列及行电压电平，其可用于展示图3的滞后曲线的像素。在图4实施例中，激活像素涉及将适当的列设定为-Vbias，并将适当的行设定为+ΔV，其可分别对应于-5伏及+5伏。可通过将适当的列设定为+Vbias并将适当的行设定为相同的+ΔV来完成使所述像素松弛，从而产生跨越所述像素的零伏电位差。在那些其中行电压保持在零伏的行中，像素稳定于其最初所处的状态，而与所述列处于+Vbias还是-Vbias无关。也如同图4中所图解说明，应了解，可使用极性与上文所说明的那些电压极性相反的电压，例如激活像素可涉及将适当的列设定为+Vbias且将适当的行设定为-ΔV。在此实施例中，可通过将适当的列设定为-Vbias且将适当的行设定为相同的-ΔV来完成对像素的释放，从而产生跨越所述像素的零伏电位差。
图5B是显示一系列施加到图2的3x3阵列的行及列信号的时序图，其将形成图5A中所图解说明的显示器布置，其中所激活的像素为非反射性。在写入图5A中所图解说明的帧之前，像素可处于任何状态，且在此实例中，所有行均处于0伏，而所有列均处于+5伏。在这些所施加电压下，所有像素稳定在其现有的激活状态或松弛状态。
在图5A的帧中，激活像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)。为完成此步骤，在第1行的“线时间”期间将第1列及第2列设定为-5伏，且将第3列设定为+5伏。此不会改变任何像素的状态，因为所有像素均保持处于3-7伏的稳定窗口内。然后，通过从0伏上升至5伏然后又下降到零伏的脉冲来选通第1行。此激活像素(1，1)及(1，2)并使像素(1，3)松弛。阵列中的其它像素不受影响。为如需地设定第2行，将第2列设定为-5伏，且将第1列及第3列设定为+5伏。然后，施加到第2行的相同选通脉冲将激活像素(2，2)并使像素(2，1)及(2，3)松弛。同样，阵列中的任何其它像素不受影响。类似地，通过将第2列及第3列设定为-5伏且将第1列设定为+5伏来设定第3行。第3行选通脉冲如图5A所示设定第3行像素。在写入帧之后，所述行电位为零，而所述列电位可保持在+5或-5伏，且然后所述显示稳定在图5A的布置中。应了解，可对由数十或数百个行及列构成的阵列采用相同的程序。还应了解，用于执行行及列激活的电压的时序、顺序及电平可在上文概述的一般原理内广泛变化，且以上实例仅为实例性，且任何激活电压方法可与本文所说明的系统及方法一同使用。
图6A及6B是图解说明显示器装置40的实施例的系统框图。举例来说，显示器装置40可以是蜂窝式电话或移动电话。然而，显示器装置40的相同组件或其稍作变化的形式也可作为(例如)电视机及便携式媒体播放器等各种类型显示器装置的例证。
显示器装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器44、输入装置48及麦克风46。外壳41通常由所属技术领域中的技术人员所熟知的各种制造工艺中的任何一种制成，其中包括注射模制及真空成形。另外，外壳41可由各种材料中的任何一种制成，其中包括但不限于塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷，或其组合。在一个实施例中，外壳41包括可移动部分(未显示)，其可与其它具有不同色彩或包含不同标志、图片或符号的可移动部分互换。
实例性显示器装置40的显示器30可以是各种显示器中的任何一种，其中包括本文所说明的双稳态显示器。在其它实施例中，如所属技术领域中的技术人员所熟知，显示器30包括平板显示器(例如，如上文所说明的等离子显示器、EL、OLED、STNLCD或TFT LCD)或非平板显示器(例如，CRT或其它显像管装置)。然而，出于说明本实施例的目的，显示器30包括如本文所说明的干涉式调制器显示器。
图6B示意性地图解说明实例性显示器装置40的一个实施例的组件。所图解说明的实例性显示器装置40包括外壳41，且可包括至少部分地封闭于其中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，实例性显示器装置40包括网络接口27，网络接口27包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，而处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以对信号进行调节(例如，对信号进行滤波)。调节软件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28并耦合到阵列驱动器22，而阵列驱动器22又耦合到显示器阵列30。电源50根据特定的实例性显示器装置40设计的需要向所有组件提供功率。
网络接口27包括天线43及收发器47，以使实例性显示器装置40可在网络上与一个或一个以上装置进行通信。在一个实施例中，网络接口27也可具有某些处理能力，以降低对处理器21的要求。天线43是所属技术领域中的技术人员已知的用于传输及接收信号的任何天线。在一个实施例中，所述天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a)，(b)，或(g))传输及接收RF信号。在另一实施例中，所述天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准传输及接收RF信号。倘若为蜂窝式电话，那么所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或用于在无线移动电话网络中进行通信的其它已知信号。收发器47预处理从天线43接收的信号，使得其可由处理器21接收及进一步操控。收发器47还处理从处理器21接收的信号，使得其可经由天线43从实例性显示器装置40传输。
在替代实施例中，可用接收器来取代收发器47。在再一替代实施例中，网络接口27可由可存储或产生将要发送到处理器21的图像数据的图像源替代。举例来说，所述图像源可以是数字视频光盘(DVD)或包含图像数据的硬盘驱动，或产生图像数据的软件模块。
处理器21通常控制实例性显示器装置40的整体操作。处理器21从网络接口27或图像源接收例如经压缩图像数据等数据，并将所述数据处理成原始图像数据或易于处理成原始图像数据的格式。然后，处理器21将经处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以进行存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，所述图像特性可包括色彩、饱和度及灰度级。
在一个实施例中，处理器21包括微控制器、CPU或用于控制实例性显示器装置40的操作的逻辑单元。调节硬件52通常包括用于向扬声器45传输信号及从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可以是实例性显示器装置40内的离散组件，或可并入到处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28提取处理器21所产生的原始图像数据，并适当地将所述原始图像数据重新格式化以便高速传输到阵列驱动器22。具体来说，驱动器控制器29将所述原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据流，使得其具有适于扫描显示器阵列30的时间次序。然后，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如，LCD控制器)经常作为独立集成电路(IC)与系统处理器21相关联，但所述控制器可以许多方式实施。其可作为硬件嵌入于处理器21中，作为软件嵌入于处理器21中，或与阵列驱动器22一同完全集成于硬件中。
通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收经格式化的信息并将视频数据重新格式化成一组平行波形，所述组平行波形每秒很多次地施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百条且有时数千条引线。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示器阵列30适用于本文所说明的任何类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成在一起。所述实施例在(例如)蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器等高度集成的系统中很常见。在又一实施例中，显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包括干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制实例性显示器装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包括小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、触敏屏幕、压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是实例性显示器装置40的输入装置。当使用麦克风46向所述装置输入数据时，可由用户提供语音命令来控制实例性显示器装置40的操作。
电源50可包括各种所属技术领域中熟知的能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是可再充电式电池，例如镍-镉电池或锂离子电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池，其中包括塑料太阳能电池及太阳能电池涂料。在另一实施例中，电源50经配置以从墙上插座接收电力。
在某些实施例中，如上文所说明，控制可编程能力驻存在驱动器控制器中，而所述驱动器控制器可位于电子显示系统中的若干位置处。在某些实施例中，控制可程序化能力驻存在阵列驱动器22中。所属技术领域中的技术人员应认识到，可以任何数量的硬件及/或软件组件且可以各种配置来实施上文所说明的优化。
根据上述原理操作的干涉式调制器的详细结构可广泛地变化。举例来说，图7A-7E图解说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的截面图，其中将金属材料条带14沉积于垂直延伸的支撑物18上。在图7B中，可移动反射层14通过系链32仅在拐角处附接到支撑物。在图7C中，可移动反射层14悬挂在可变形层34上，可变形层34可包含挠性金属。可变形层34直接或间接地在可变形层34的周界周围连接到衬底20。这些连接在本文中称作支撑柱。图7D中所图解说明的实施例具有支撑柱插头42，可变形层34停留在支撑柱插头42上。如图7A-7C中所示，可移动反射层14保持悬挂在所述腔上方，但可变形层34并不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的洞来形成支撑柱。而是，所述支撑柱由用于形成支撑柱插头42的平面化材料形成。图7E中所图解说明的实施例基于图7D中所示的实施例，但也可经修改以与图7A-7C中所图解说明实施例中的任一者以及未显示的额外实施例一同工作。在图7E所示的实施例中，已使用额外的金属或其它导电材料层来形成总线结构44。此允许信号沿干涉式调制器的背面路由，从而消除了原本必须在衬底20上形成的多个电极。
在例如图7所示的那些实施例中，干涉式调制器用作直视式装置，其中从透明衬底20的前侧(与其上布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施例中，反射层14可以光学方式屏蔽干涉式调制器的位于反射层侧(其与衬底20相对)上的部分，其中包括可变形层34。此允许对所述屏蔽区域进行配置及处理，而不会不利地影响图像质量。所述屏蔽允许图7E中的总线结构44提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质分离开的能力，例如寻址及因所述寻址而产生的移动。此种可分离的调制器架构允许选择调制器机电方面所采用的结构设计及材料及调制器光学方面所采用的结构设计及材料且允许其彼此独立地起作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有得自反射层14的光学性质与其机械性质解耦的额外益处，此由可变形层34来实施。此允许反射层14所使用的结构设计及材料在光学性质方面得到优化，且允许可变形层34所使用的结构设计及材料在所需机械性质方面得到优化。
图8图解说明单色显示器的一个实施例，所述单色显示器每一像素包括一个干涉式调制器，所述调制器的“接通”或“关断”状态是基于每一像素的一个数据位的值设定的。所述像素经配置以与一个列导管及一个行导管进行通信。灰度图像每一像素可包括若干数据位。举例来说，“3位”灰度显示器每一像素包括三个数据位，所述三个数据位对应于可能被指派到每一像素的八个(23)灰色深浅度中的一者。所述像素经配置以与一个列导管及三个行导管进行通信。图9图解说明用于显示3位灰度图像的显示器的实例性实施例，所述图像每一像素90包括三个干涉式调制器91、92、93。为获得所述八个深浅度，所述三个调制器91、92、93可根据变化的大小比率来反射光。在一个所述实施例中，干涉式调制器91、92、93中的每一者包括镜面，所述镜面具有根据4:2:1的比率变化的反射表面面积。可将一个镜面或调制器的反射部分描述为“对着”所述像素的一部分。举例来说，在4:2:1的实施例中表面面积占据一的镜面对着所述像素的约1/7。通过基于所述三个数据位中的对应位的二进制值将每一调制器设定为“接通”或“关断”状态来获得像素中的特定深浅度。
图10图解说明彩色显示器的一个实施例，除了像素100包括一群组红色干涉式调制器101、102、103、绿色干涉式调制器104、105、106及蓝色干涉式调制器107、108、109以外，所述彩色显示器具有以类似于图9的灰度像素90的方式工作的像素100。举例来说，像素100响应于9位信号，其中三个3位群组各自对应于所述三种色彩。作为另一实例，在12位的彩色显示器中，所述十二个位中的四个位对应于红色、绿色或蓝色干涉式调制器所产生的十六个红色、绿色及蓝色强度中的每一者。
与单色显示器相比，所述灰度或彩色显示器具有更多要寻址的显示器元件。为寻址所述灰色或彩色显示器实施例的这些显示器元件，到显示器控制的导管(或“驱动器连接”或“寻址线路”或“引线”)数量通常会增多。举例来说，图11图解说明3位灰度显示器的一个实施例，其中像素为3x3配置，其中三个行中的每一者被细分成三个调制器子行。所述实施例总共具有十二个驱动器连接，其中九个行驱动器连接及三个列驱动器连接，而不是3x3单色显示器所使用的六个驱动器连接。减少驱动器连接数量的一种方式是：配置与单个行导管进行通信的调制器群组(例如(如图12中所描绘)，上述3位灰度实施例中的三个子行)，且使用改变所述群组中所选定子组的状态的信号来驱动所述群组。
在某些实施例中，所述子行中的每一者的干涉式调制器可具有变化的激活及释放电压，以便启用经配置以与将要单独寻址的单个行导管进行通信的子行群组。图13是可移动镜面位置对所施加正及负电压的图表，其图解说明三个具有嵌套式稳定性窗口的干涉式调制器的一个实例性实施例。本文所用术语“嵌套”意指激活电压与释放电压两者中具有可利用的差。最内部的嵌套式滞后窗口(其由迹线802指示)具有量值分别为8伏及4伏的激活及释放电压。此滞后窗口嵌套于迹线804所指示的滞后窗口中且嵌套于迹线806所指示的滞后窗口中。由迹线804指示的下一个嵌套滞后窗口具有量值分别为10伏及2伏的激活及释放电压。此滞后窗口嵌套于迹线806所指示的滞后窗口中。由迹线806指示的最外部滞后窗口具有量值分别为12伏及0伏的激活及释放电压。
可通过改变与每一子行相关联的调制器的几何形状及/或材料来选择所述调制器的滞后窗口。特定来说，可通过改变所述调制器的几何形状及材料性质来选择所述激活及释放电压的宽度(所述激活电压与释放电压之间的差)、位置(所述激活电压及释放电压的绝对值)及相对值。举例来说，所述改变的性质可包括：可移动镜面支撑物之间的距离；与所述可移动镜面相关联的相对于弹簧常数的质量；所述镜面及/或移动所述镜面的层或机构的厚度、拉伸应力或刚性；及静止电极与可移动电极之间的电介质层的介电常数及/或厚度。在2004年9月27日提出申请的名称为“用于对滞后窗口进行选择性调整的方法及装置(Method and Device for Selective Adjustment ofHysteresis Window)”的第11/193,012号美国专利申请案中揭示了关于选择干涉式调制器的滞后性质的更多细节，所述专利申请案以全文引用的方式并入本文中。
在其中所述子行中的每一者的调制器具有彼此嵌套的滞后稳定性窗口的一个实施例中，如图12中那样布置所述干涉式调制器。在所述所图解说明实施例中，所述稳定性窗口从外部到内部地嵌套，例如图13中所描绘的从顶部子行到底部子行的窗口。图14是图解说明一系列行及列信号的实例性时序图，所述系列行及列信号施加到所述实施例的顶部行(第1行)以产生图12的第1行中所图解说明的显示器布置。一般来说，如图13中所示，正电压范围与负电压范围大致彼此相等。尽管本文从正电压范围方面进行说明及图解说明，但在某些实施例中，所述干涉式调制器可在负电压范围内类似地操作。所述行脉冲在量值上从左到右地减小，从而对应于从顶部到底部的子行。所述脉冲减小的量值可经选择以仅寻址具有较小激活电压而具有较大释放电压的子行中的那些调制器。举例来说，在所述所图解说明的实施例中，对列施加+6及-6伏的电位，而对行施加+6、+4及+2伏的行脉冲。
图14的脉冲可如下地将所述显示器的第1行的状态设定为图12中所描绘的状态。对于第1行、第1列的第一线时间，与+6伏的行脉冲一同施加-6伏的第1列电位，从而产生跨越第1行、第1列的调制器的12伏的差，以如沿图14底部所图解说明将第1行、第1列子行中的每一者的调制器状态设定为激活位置。所述第1列电位会在剩余的第1行线时间内保持在-6，以继续将第1行、第1列子行中的元件中的每一者的状态设定为激活位置。在第2列中，在所述第一线时间中结合+6伏的行脉冲施加+6伏的第2列电位，从而产生跨越第1行、第2列的调制器的零伏的差，以释放第1行、第2列子行中的所有调制器。在第1行的第二线时间期间，结合+4伏的行脉冲施加-6伏的第2列电位，从而产生跨越第1行、第2列的调制器的10伏的差，以激活第1行、第2列底部的两个子行。在第1行的第三行时间期间，结合+2伏的行脉冲施加+6伏的第2列电位，从而产生跨越第1行、第2列的调制器的4伏的差，以释放第1行、第2列底部子行中的调制器。在第3列中，在所述第一线时间中结合+6伏的行脉冲施加-6伏的第3列电位，从而产生跨越第1行、第3列的调制器的12伏的差，以激活第1行、第3列子行中的所有调制器。在第1行的第二线时间期间，结合+4伏的行脉冲施加+6伏的第3列电位，从而产生跨越第1行、第3列的调制器的2伏的差，以释放第1行、第3列底部的两个子行。在第1行的第三行时间期间，结合所述+2伏的行脉冲施加-6伏的第3列电位，从而产生跨越第1行、第3列的调制器的8伏的差，以激活第1行、第3列底部子行中的调制器。
图15是图解说明更新显示器的实施例(例如，图12中所描绘)的方法850的一个实施例的流程图。方法850开始于方块852处，其中图2的驱动器22接收子行的图像数据值。在一个实施例中，驱动器22从帧缓冲器接收所述数据值。接下来，在方块854处，驱动器22会连同对应于所述图像数据值的列电位对干涉式调制器的所有子行施加行选通。移至方块856，驱动器22接收下一个子行的数据。接下来，在方块860处，针对所述子行中的每一者重复方块854及856的动作。在一个实施例中，方块854及856的动作至少部分地同时发生。
本发明的至少一个方面是以下认识：对于用户，量化伪影在低强度区域中比在高强度区域中更加明显，因为量化级之间的百分比变化在较低强度下更大。举例来说，在7位(27＝128个量化级)系统中，从级100到级101的强度变化是1％。大多数用户无法察觉低于约4％的强度变化，因此在此量化级处或以下的过渡会显得平滑。然而，从级10到级11的变化是10％，大多数用户会容易地看见所述强度变化。因此，在低强度量化级下，可将模拟数据到离散数字化量化步长的量化明确地看作伪影。此问题最直接的方法是以较高的位密度进行数字化。举例来说，作为在所述强度范围上将给定信号数字化成7个位的替代，可在所述强度范围上将所述给定信号数字化成10个位(210＝1,024个量化级)，使得原本在所述128级的配置中下降到级10左右的模拟量化级在所述1,024级的配置中下降到级80左右。从级80到级81的过渡约为1.2％，而用户将不会察觉。然而，系统位密度的所述增大可导致较大的系统复杂性及成本(例如，驱动器连接的数量将从3 x 3 7位灰度显示器中的24增加到3 x 3 10位灰度显示器中的33，增加了约38％)。
在基于干涉式调制器的系统中，这些复杂性问题往往会影响驱动器集成电路的成本及复杂性及所述系统本身的成本及复杂性。已揭示若干种用于复杂的干涉式调制器显示器的驱动方案方法，所述驱动方案方法以对所述干涉式调制器系统施加更进一步的操作限制及更严格的制造公差为代价来降低驱动器的复杂性及成本。这些驱动方案中的许多方案也涉及向干涉式调制器添加额外的寻址循环。这些额外循环往往会降低最大帧高度及干涉式调制器的速率能力，或需要对干涉式调制器进行进一步的技术开发以维持先前水平的帧速率。尽管没有必要减小数字化信号范围的高强度端处的步长(例如，至少在从约30到31(仅3.3％)的量化步长以上)，但许多这些解决方案及改进在减小所述数字化信号整个范围内的量化步长的意义上比较过分。
图16是彩色干涉式调制器像素160的实施例的示意图。在图16所图解说明的实施例中，图10的干涉式调制器101已由两个干涉式调制器161、162(或“显示器元件”)分割或取代，所述两个干涉式调制器布置成两个经配置以与共用行导管进行通信的子行。在图10中，调制器101对着第一列的面积的约4/7。当如图16中那样进行分割时，调制器161对着第一列的约一半(7/14)，而调制器162对着第一列的约1/14。第一显示器元件161具有第一光学活性区域，而第二显示器元件162具有第二光学活性区域。在某些实施例中，第一光学活性区域与第二光学活性区域的比率约等于一个整数比一(例如，7比1，7:1、7/1)。在某些实施例中，所述整数是2、3、4、5、6、7、8、9或10。在某些实施例中，所述整数是3、7、15、31、63、127、255或任何数2n-1(其中n是大于或等于2的整数)。
当一同驱动调制器161、162两者时，像素160的功能与图10中示意性描绘的像素100相比未改变。尽管图16表示分割图10中的调制器101、104及107的实施例，但所述分割也可适用于灰度显示器(例如，通过分割图9中所描绘的调制器91)。
如本文中使用，与各种实施例的多个干涉式调制器或镜面相关的术语“划分”、“分割”及“取代”并不需要实际地形成较大的干涉式调制器或镜面并然后将其分割成较小的干涉式调制器或镜面。而是，所述术语用来将所述相应结构与先前所说明的配置作比较。举例来说，与图10中所描绘的形成为单个调制器101并然后分割成较小的调制器相反，图16中的调制器161及162通常是彼此独立地形成。此外，独立形成在某些实施例中为优选，以允许单独调整上文所说明调制器161、162的滞后曲线。
图17是调制器位置对所施加正电压的图表，其图解说明两个具有滞后曲线稳定性窗口的干涉式调制器(例如，图16中所图解说明的两个调制器161、162)的一个实例性实施例，其中激活电压不同但释放电压大致相同。迹线810表示调制器161的滞后回路，而迹线808表示调制器162的滞后回路。在某些实施例中，当所述两个调制器161、162的相应释放电压之间的任何差并非用来选择性地释放所述调制器中的一者(而不释放另一调制器)时，那么认为所述释放电压大致彼此相等。迹线808所描绘的滞后回路具有约9伏的激活电压及约1伏的释放电压。迹线810所表示的滞后回路具有约15伏的激活电压且具有约1伏的释放电压。由于图17的滞后回路的释放电压并非彼此可利用地不同(即，不存在可被施加以可靠地释放一个调制器而不释放另一调制器的电压)，因此不能如本文所界定的那样认为图17的滞后回路为“嵌套式”。
图18是调制器位置对所施加正电压的图表，其图解说明两个具有不同的稳定性窗口的干涉式调制器(例如，图16中所图解说明的两个调制器161、162)的另一实例性实施例，其中释放电压不同但激活电压大致相同。迹线814表示调制器161的滞后回路，而迹线812表示调制器162的滞后回路。在某些实施例中，当所述两个调制器161、162的相应激活电压之间的任何差并非用来选择性地激活所述调制器中的一者(而不激活另一调制器)时，那么认为所述激活电压大致彼此相等。迹线812所描绘的滞后回路具有约15伏的激活电压及约6伏的释放电压。迹线814所表示的滞后回路具有约15伏的激活电压，但具有约1伏的释放电压。由于图18的滞后回路的激活电压并非彼此可利用地不同(即，不存在可被施加以可靠地激活一个调制器而不激活另一调制器的电压)，因此不能如本文所界定的那样认为这些滞后回路为“嵌套式”。
不同于上文所说明的实施例(其中嵌套式滞后窗口既定用于以不同电压选择性地激活及选择性地释放调制器两者)，图16-18中所描绘的实例性实施例提供额外的制造优点。图13的嵌套式滞后回路中的每一者的激活电压及释放电压彼此接近。举例来说，回路804的释放电压约为2伏，而回路802的释放电压约为4伏。因此，为选择性地释放回路802所表示的调制器但选择性地不释放回路804所表示的调制器，所施加的电压将在2与4伏之间，优选地在3伏左右。如果所述在2伏及4伏下释放的调制器的制造公差不够精确，那么此电压精确性可呈现问题。举例来说，如果回路802所表示的调制器经制造使得其释放电压为3.5伏而回路804所表示的调制器经制造使得其释放电压为2.5伏，那么所施加电压的公差窗口将显著收缩。所施加的电压也可因制造公差而变化，使得向所述调制器施加3伏电压实际上产生跨越所述调制器的接近2.5伏的电压差。因此，施加到所述调制器以释放回路802所表示的调制器的电压也可无意中释放回路804所表示的调制器。图13中所表示的三个子行中的每一者的制造公差将需要高度地精确，因为需要实现六个精确的激活及释放电压以便精确地、有差别地激活及释放所述三个调制器中的每一者。相比之下，图17或图18中的滞后回路所表示的两个调制器需要仅三个电压(由线A、B及C表示)以便有差别地激活及释放所述两个调制器。另外，由于调制器161与调制器162之间的大小差别较大，因此与图13中所描绘的配置的电压相比，所述激活及/或释放电压可有利地较不精确。
图19示意性地图解说明图10的示意图提供的量化级。在级0中，没有调制器处于“接通”状态，而在级7中，所有调制器均处于“接通”状态。在级1至6中，某些调制器会处于“接通”状态，从而提供变化的强度量。低强度范围处的位密度与高强度范围处的位密度相同。举例来说，如图20中所示，对于图10的像素100，级4以下的强度的连续量化步长之间的强度差(例如，为一的强度差)与级4以上的强度的连续量化步长之间的强度差相同(例如，为一的强度差)。
在某些实施例中，使用图16的两个具有图17的滞后曲线810、808的调制器161、162，以在较低强度范围处提供比在较高强度范围处高的位密度。举例来说，在每一列可提供的级序列0至7中(例如，如图20中所描绘)，调制器161仅在级4及更高级的情形下被激活或置于“接通”状态。因此，对于级4以下的所有量化步长，可降低调制器161、162上的激活驱动电压，以便选择性地激活仅调制器162。如图21中所图解说明，由于此调制器162具有优选地约为调制器164的镜面一半光学重量的镜面，因此调制器162、164及163分别具有比率为1:2:4的重量，且其可用以产生量化级4以下的八个量化步长。级4以下的所述量化步长图解说明于图22中。类似地，在某些其它实施例中，使用图16的两个具有图18的滞后曲线814、812的调制器161、162，以在较低强度范围处提供比在较高强度范围处高的位密度。
再次参照图16，当镜面164、163、162、161分别以2:4:1:7的比率对着所述像素时，那么在所述显示强度范围的下部部分(其是所述量化范围中最需要较精细量化的部分)中，连续量化步长的数量比其两倍还多。举例来说，比较图20与22，图22中级4以下的强度的连续量化步长数量(即，八个)比图20或图22中级4以上的强度的连续量化步长数量(即，三个)的两倍还多。也就是说，并非如图19及20中所描绘激活及释放三个调制器以实现七个量化步长(其中四个步长在第四量化级以下)，而是如图21及22中所描绘激活及释放四个调制器以提供十一个量化步长(其中八个步长在第四量化级以下)。如本文所用术语“量化步长”是指从一个强度量到下一个强度量的变化，而术语“量化级”是指从一个位深度到下一个位深度的变化。举例来说，在图21的顶部行中，从一个调制器到下一个调制器的强度变化是量化步长而不是量化级，而在图21的底部行中，从一个调制器到下一个调制器的强度变化既是量化步长也是量化级。应了解，在大于3位的位深度处所述效应更加明显。
图23是彩色干涉式调制器像素230的实施例的示意图。尽管图23表示分割图10中的调制器102、105及108的实施例，但所述分割也可适用于灰度显示器(例如，通过分割图9中所描绘的调制器92)。在图23所图解说明的实施例中，调制器104已被划分成两个布置成子行的调制器232、233(或“显示器元件”)，所述子行经配置以与共用行导管进行通信。在图10中，调制器102对着第一列的面积的约2/7。当如图23中那样进行分割时，调制器232对着第一列的约3/14，而调制器233对着第一列的约1/14。当一同驱动调制器232、233两者时，像素200的功能与图10中示意性描绘的像素100相比未改变。如图17及18中显示，调制器232、233的滞后回路可共享共用激活电压或共用释放电压。
当调制器234、233、232、231分别以2:1:3:8的比率对着所述像素时，那么在所述显示量化范围的级2以下(其是所述量化范围中最需要更精细量化的部分)，连续量化步长的数量加倍(即，两个)。并非如图21及22中所描绘激活及释放四个调制器以提供十一个量化步长(其中八个步长在第四量化级以下)，而是如图24及25中所描绘激活及释放四个调制器以提供十一个量化步长(其中六个步长在第四量化级以下)。由于图16中所图解说明的示意图在级2与级4之间提供更精细的量化步长，因此分割图10的镜面101比分割图10的镜面104更佳。
如图26中的示意图所图解说明，可通过分割图10中所描绘的镜面101及镜面104两者来产生甚至更精细的量化。如图27及28所示，所述示意图产生17个量化步长，其中12个步长在第四量化级以下。作为“量化步长”与“量化级”之间的差异的另一实例，从图27顶部行中左侧的第二调制器到图27顶部行中左侧的第三个调制器的强度变化是量化步长，而从图27顶部行中左侧的第一调制器到图27顶部行中左侧的第五个调制器的强度变化是量化级。
如图29中的示意图所图解说明，可通过分割图10中的全部三个镜面101、104及107来实现更进一步精细的量化。如图30所示，所述配置产生26个量化步长，其中18个步长在第四量化级以下。因此，尽管总共仅维持六个步长便可导致彩色像素，但量化步长的数量有利地从7增加到26，其中大多数步长在最需要更精细量化的低强度区域中。此配置可急剧地减小最需要所述配置的低强度显示范围处的量化级间距而不增加来自驱动器IC的寻址线的数量。
上文已说明了各种具体实施例。尽管已参照这些具体实施例说明了本发明，但所述说明既定说明本发明，而并非既定限制本发明。所属技术领域中的技术人员可在不背离所附权利要求书中所界定的本发明实际范围的情况下想出各种修改及应用。

Claims (41)

1、一种光调制器装置，其包含：
第一电导管；
第二电导管，其与所述第一导管电隔离；
第一显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态；及
第二显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态，其中或者所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或者所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
2、如权利要求1所述的光调制器装置，其中所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且其中所述第一释放电压不同于所述第二释放电压。
3、如权利要求1所述的光调制器装置，其中所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压且其中所述第一激活电压不同于所述第二激活电压。
4、如权利要求1所述的光调制器装置，其中所述第一显示器元件具有第一光学活性区域且所述第二显示器元件具有第二光学活性区域，其中所述第一光学活性区域与所述第二光学活性区域的比率大约等于一个整数比一。
5、如权利要求4所述的光调制器装置，其中所述整数是2、3、4、5、6、7、8、9或10。
6、如权利要求4所述的光调制器装置，其中所述整数是3、7、15、31、63、127或255。
7、如权利要求1所述的光调制器装置，其中所述第一显示器元件是干涉式显示器元件且所述第二显示器元件是干涉式显示器元件。
8、如权利要求1所述的光调制器装置，其中所述装置包含像素阵列、位于同一像素中的所述第一显示器元件及所述第二显示器元件。
9、如权利要求1所述的光调制器，其中所述第一释放电压的量值小于所述第一激活电压的量值。
10、如权利要求9所述的光调制器，其中所述第二激活电压的量值大于所述第二释放电压的量值。
11、一种包括如权利要求1所述的光调制器的显示器，其包含：
处理器，其经配置以与所述显示器进行通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及
存储器装置，其经配置以与所述处理器进行通信。
12、如权利要求11所述的显示器，其进一步包含经配置以将至少一个信号发送到所述显示器的驱动器电路。
13、如权利要求12所述的显示器，其进一步包含经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
14、如权利要求11所述的显示器，其进一步包含经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
15、如权利要求14所述的显示器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及传输器中的至少一者。
16、如权利要求11所述的显示器，其进一步包含经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。
17、一种光调制器装置，其包含：
用于传导电信号的第一构件；
用于传导电信号的第二构件，所述第二传导构件与所述第一传导构件电隔离；
用于调制光的第一构件，其经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信，当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一调制构件处于激活状态，当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一调制构件处于释放状态；及
用于调制光的第二构件，其经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信，当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二调制构件处于激活状态，当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二调制构件处于释放状态，其中或者所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或者所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
18、如权利要求17所述的光调制器装置，其中所述第一传导构件包含电导管。
19、如权利要求17所述的光调制器装置，其中所述第二传导构件包含电导管。
20、如权利要求17所述的光调制器装置，其中所述第一调制构件包含干涉式调制器。
21、如权利要求17所述的光调制器装置，其中所述第二调制构件包含干涉式调制器。
22、一种调制光的方法，所述方法包含：
提供经配置以与第一导管及第二导管进行通信的第一显示器元件，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态；
提供经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信的第二显示器元件，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态，其中或者所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或者所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压；及
选择性地将电压施加到所述第一及第二导管以选择性地激活及释放所述第一显示器元件及所述第二显示器元件。
23、如权利要求22所述的方法，其中所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且其中所述第一释放电压不同于所述第二释放电压。
24、如权利要求23所述的方法，其中选择性地施加电压包含：通过在所述第一导管与所述第二导管之间施加第一电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件两者置于所述激活状态，所述第一电压具有大于所述第一激活电压的量值。
25、如权利要求24所述的方法，其中选择性地施加电压进一步包含：通过在施加所述第一电压差之后在所述第一导管与所述第二导管之间施加第二电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件中的仅一者置于所述释放状态，所述第二电压差具有在所述第一释放电压与所述第二释放电压之间的量值。
26、如权利要求25所述的方法，其中选择性地施加电压进一步包含：通过在施加所述第二电压差之后在所述第一导管与所述第二导管之间施加第三电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件两者置于所述释放状态，所述第三电压差具有低于所述第一释放电压及所述第二释放电压的量值。
27、如权利要求22所述的方法，其中所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且其中所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
28、如权利要求27所述的方法，其中选择性地施加电压包含：通过在所述第一导管与所述第二导管之间施加第一电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件中的仅一者置于所述激活状态，所述第一电压具有在所述第一激活电压与所述第二激活电压之间的量值。
29、如权利要求28所述的方法，其中选择性地施加电压进一步包含：通过在施加所述第一电压差之后在所述第一导管与所述第二导管之间施加第二电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件两者置于所述激活状态，所述第二电压差具有大于所述第一激活电压及所述第二激活电压的量值。
30、如权利要求29所述的方法，其中选择性地施加电压进一步包含：通过在施加所述第二电压差之后在所述第一导管与所述第二导管之间施加第三电压差，将所述第一显示器元件及所述第二显示器元件两者置于所述释放状态，所述第三电压差具有小于所述第一释放电压的量值。
31、一种显示图像的方法，所述方法包含：
提供多个像素，每一像素包含多个显示器元件；
选择性地激活一像素的所述显示器元件以为所述像素的第一强度范围提供第一位密度；及
选择性地激活所述像素的所述显示器元件以为所述像素的第二强度范围提供第二位密度，所述第二强度范围高于所述第一强度范围，所述第二位密度小于所述第一位密度。
32、如权利要求31所述的方法，其中所述第一位密度每一量化级包含至少两个量化步长且第二位密度每一量化级包含至少一个量化步长。
33、如权利要求31所述的方法，其中提供多个像素包含：提供第一显示器元件，其经配置以与第一电导管及与所述第一导管电隔离的第二电导管进行通信，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态；及提供第二显示器元件，其经配置以与所述第一电导管及所述第二电导管进行通信，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态，其中或者所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或者所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
34、如权利要求33所述的方法，其中提供多个像素进一步包含：提供第三显示器元件，其经配置以与所述第一导管及与所述第一导管电隔离的第三电导管进行通信；及提供第四显示器元件，其经配置以与所述第一导管及与所述第一导管电隔离的第四电导管进行通信。
35、如权利要求34所述的方法，其中选择性地激活所述显示器元件以提供第一位密度包含选择性地激活及释放所述第一及第二显示器元件，且其中选择性地激活所述显示器元件以提供第二位密度包含选择性地激活及释放所述第一、第二、第三及第四显示器元件。
36、如权利要求33所述的方法，其中所述第一显示器元件具有第一光学活性区域且所述第二显示器元件具有第二光学活性区域，其中所述第一光学活性区域与所述第二光学活性区域的比率大约等于一个整数比一。
37、如权利要求36所述的方法，其中所述整数是2、3、4、5、6、7、8、9或10。
38、如权利要求36所述的方法，其中所述整数是3、7、15、31、63、127或255。
39、如权利要求36所述的方法，其中所述第三显示器元件具有第三光学活性区域且所述第四显示器元件具有第四光学活性区域，其中所述第一光学活性区域比所述第二光学活性区域比所述第三光学活性区域比所述第四光学活性区域的比率约为1:7:2:4。
40、一种制造光调制器装置的方法，所述方法包含：
形成第一电导管；
形成与所述第一导管电隔离的第二电导管；
形成经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信的第一显示器元件，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态；及
形成经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信的第二显示器元件，当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态，当所述第一导管与所述第二导管之间的所述电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态，其中或者所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或者所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。
41、一种通过如权利要求40所述的方法制作的光调制器装置。
CN2007800219106A 2006-06-15 2007-04-30 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备 Expired - Fee Related CN101467198B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/454,162 US7471442B2 (en) 2006-06-15 2006-06-15 Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US11/454,162 2006-06-15
PCT/US2007/010499 WO2007145720A2 (en) 2006-06-15 2007-04-30 Method and apparatus for low range bit depth enhancement for mems display architectures

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310005807XA Division CN103021350A (zh) 2006-06-15 2007-04-30 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101467198A true CN101467198A (zh) 2009-06-24
CN101467198B CN101467198B (zh) 2013-02-27

Family

ID=38814584

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800219106A Expired - Fee Related CN101467198B (zh) 2006-06-15 2007-04-30 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备
CN201310005807XA Pending CN103021350A (zh) 2006-06-15 2007-04-30 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310005807XA Pending CN103021350A (zh) 2006-06-15 2007-04-30 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备

Country Status (10)

Country Link
US (3) US7471442B2 (zh)
EP (2) EP2383726A1 (zh)
JP (2) JP4981131B2 (zh)
KR (2) KR101296143B1 (zh)
CN (2) CN101467198B (zh)
BR (2) BRPI0712548A2 (zh)
CA (1) CA2654185A1 (zh)
RU (2) RU2440623C2 (zh)
TW (2) TW200807060A (zh)
WO (1) WO2007145720A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102667573A (zh) * 2009-12-18 2012-09-12 高通Mems科技公司 用于选择性地启动装置阵列的电荷控制技术
CN103748535A (zh) * 2011-07-21 2014-04-23 高通Mems科技公司 触摸感测显示装置及相关方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US20080111834A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Mignard Marc M Two primary color display
US7916378B2 (en) * 2007-03-08 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing a light absorbing mask in an interferometric modulator display
US8111262B2 (en) 2007-05-18 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator displays with reduced color sensitivity
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7791783B2 (en) * 2008-06-25 2010-09-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US9344694B2 (en) * 2008-08-26 2016-05-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator sub-pixel architecture and method
KR101542400B1 (ko) * 2008-12-29 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8736590B2 (en) * 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
KR101588000B1 (ko) * 2009-08-18 2016-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 구동 방법 및 이를 이용한 표시 장치
WO2011126953A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same
BR112012026329A2 (pt) 2010-04-16 2019-09-24 Flex Lighting Ii Llc sinal compreendendo um guia de luz baseado em película
CA2796519A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Flex Lighting Ii, Llc Illumination device comprising a film-based lightguide
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US20130003158A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for optical decoupling
US20130127926A1 (en) * 2011-11-11 2013-05-23 Qualcomm Mens Technologies, Inc. Systems, devices, and methods for driving a display
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US20140168223A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel actuation voltage tuning
US10341622B2 (en) 2013-05-07 2019-07-02 Dolby Laboratories Licensing Corporation Multi-half-tone imaging and dual modulation projection/dual modulation laser projection
BR122020009989B1 (pt) 2013-05-07 2022-11-16 Dolby Laboratories Licensing Corporation Método, projetor e visor para imageamento de múltiplos meios-tons e projeção de modulação dual/ projeção laser de modulação dual
US20150317944A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Qualcomm Incorporated Mobile device based color management of digital displays
US20150317928A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Qualcomm Incorporated Mobile device based color management of digital displays
CN110190093A (zh) * 2019-05-22 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其发光亮度的控制方法

Family Cites Families (291)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US3037189A (en) 1958-04-23 1962-05-29 Sylvania Electric Prod Visual display system
US3247392A (en) * 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
US3210757A (en) 1962-01-29 1965-10-05 Carlyle W Jacob Matrix controlled light valve display apparatus
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (zh) 1968-07-05 1971-03-22
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
US3701586A (en) 1971-04-21 1972-10-31 George G Goetz Light modulating deflectable membrane
US3755190A (en) * 1971-11-09 1973-08-28 Ncr Capsule manufacture
JPS4946974A (zh) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4087810A (en) 1976-06-30 1978-05-02 International Business Machines Corporation Membrane deformographic display, and method of making
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
JPS60159731A (ja) 1984-01-30 1985-08-21 Sharp Corp 液晶表示体
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4655554A (en) 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP2700903B2 (ja) 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5446479A (en) * 1989-02-27 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Multi-dimensional array video processor system
KR100202246B1 (ko) * 1989-02-27 1999-06-15 윌리엄 비. 켐플러 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
DE69113150T2 (de) 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5034351A (en) 1990-10-01 1991-07-23 Motorola, Inc. Process for forming a feature on a substrate without recessing the surface of the substrate
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
EP0562424B1 (en) 1992-03-25 1997-05-28 Texas Instruments Incorporated Embedded optical calibration system
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5638084A (en) 1992-05-22 1997-06-10 Dielectric Systems International, Inc. Lighting-independent color video display
JPH06214169A (ja) * 1992-06-08 1994-08-05 Texas Instr Inc <Ti> 制御可能な光学的周期的表面フィルタ
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
JP3240724B2 (ja) 1993-02-09 2001-12-25 ソニー株式会社 配線形成方法
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5337191A (en) 1993-04-13 1994-08-09 Photran Corporation Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5510824A (en) * 1993-07-26 1996-04-23 Texas Instruments, Inc. Spatial light modulator array
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5894686A (en) * 1993-11-04 1999-04-20 Lumitex, Inc. Light distribution/information display systems
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
US5796378A (en) 1994-03-29 1998-08-18 Casio Computer Co., Ltd. Birifringence control type liquid crystal display device and apparatus and method of driving the same
US5457900A (en) 1994-03-31 1995-10-17 Roy; Avery J. Footwear display device
GB9407116D0 (en) 1994-04-11 1994-06-01 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal display with greyscale
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7826120B2 (en) 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5619059A (en) * 1994-09-28 1997-04-08 National Research Council Of Canada Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US5835256A (en) 1995-06-19 1998-11-10 Reflectivity, Inc. Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
US6849471B2 (en) * 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US5739945A (en) * 1995-09-29 1998-04-14 Tayebati; Parviz Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror
US5740150A (en) * 1995-11-24 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Galvanomirror and optical disk drive using the same
US5889568A (en) 1995-12-12 1999-03-30 Rainbow Displays Inc. Tiled flat panel displays
JP3799092B2 (ja) * 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
JP3597305B2 (ja) 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
US5867301A (en) 1996-04-22 1999-02-02 Engle; Craig D. Phase modulating device
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6123431A (en) 1997-03-19 2000-09-26 Sanyo Electric Co., Ltd Backlight apparatus and light guide plate
US6034752A (en) 1997-03-22 2000-03-07 Kent Displays Incorporated Display device reflecting visible and infrared radiation
DE69806846T2 (de) * 1997-05-08 2002-12-12 Texas Instruments Inc., Dallas Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren
FI104658B (fi) 1997-05-26 2000-03-15 Nokia Mobile Phones Ltd Kahden näytön näyttöjärjestely ja päätelaite
US5959777A (en) 1997-06-10 1999-09-28 The University Of British Columbia Passive high efficiency variable reflectivity image display device
US6285424B1 (en) 1997-11-07 2001-09-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Black mask, color filter and liquid crystal display
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6282010B1 (en) 1998-05-14 2001-08-28 Texas Instruments Incorporated Anti-reflective coatings for spatial light modulators
JP3865942B2 (ja) 1998-07-17 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 アクティブマトリクス素子、及びアクティブマトリクス素子を用いた発光素子、光変調素子、光検出素子、露光素子、表示装置
GB2341476A (en) 1998-09-03 2000-03-15 Sharp Kk Variable resolution display device
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6323834B1 (en) * 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
US6171945B1 (en) * 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6465956B1 (en) 1998-12-28 2002-10-15 Pioneer Corporation Plasma display panel
US6358021B1 (en) * 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6215221B1 (en) * 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
JP3864204B2 (ja) 1999-02-19 2006-12-27 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネル
DE19911287C1 (de) * 1999-03-13 2000-08-31 Thyssenkrupp Stahl Ag Verfahren zum Erzeugen eines Warmbandes
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6862029B1 (en) * 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6518944B1 (en) 1999-10-25 2003-02-11 Kent Displays, Inc. Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device
US7061678B1 (en) 1999-11-10 2006-06-13 Thomson Licensing Stereoscopic display device with two back light sources
AU1813001A (en) * 1999-12-03 2001-06-12 California Institute Of Technology Optically efficient liquid crystal display device
US6552840B2 (en) * 1999-12-03 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Electrostatic efficiency of micromechanical devices
US6674090B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6545335B1 (en) * 1999-12-27 2003-04-08 Xerox Corporation Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits
US6548908B2 (en) * 1999-12-27 2003-04-15 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
WO2001063588A1 (en) 2000-02-24 2001-08-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device comprising a light guide
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6747775B2 (en) * 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
JP3480710B2 (ja) * 2000-03-28 2003-12-22 松下電器産業株式会社 送信電力制御装置及び送信電力制御方法
US7008812B1 (en) * 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
EP1170618B1 (en) 2000-07-03 2010-06-16 Sony Corporation Optical multilayer structure, optical switching device, and image display
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
JP3823016B2 (ja) 2000-07-21 2006-09-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6376787B1 (en) * 2000-08-24 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer
JP4304852B2 (ja) * 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
CN1480000A (zh) 2000-10-12 2004-03-03 ���ŷ� 基于数字光线处理的3d投影系统与方法
JP2002333870A (ja) * 2000-10-31 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置、ｅｌ表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法
JP3466148B2 (ja) * 2000-11-02 2003-11-10 富士通株式会社 ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
TW565726B (en) 2000-11-27 2003-12-11 Asulab Sa Reflective liquid crystal display device with improved display contrast
US6847752B2 (en) 2000-12-07 2005-01-25 Bluebird Optical Mems Ltd. Integrated actuator for optical switch mirror array
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
JP3818857B2 (ja) 2001-02-07 2006-09-06 シャープ株式会社 表示装置
GB0108309D0 (en) 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
JP4603190B2 (ja) 2001-04-16 2010-12-22 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
JP4181495B2 (ja) 2001-06-29 2008-11-12 シチズンホールディングス株式会社 液晶表示パネル
US6862022B2 (en) * 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6661562B2 (en) 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
US6870581B2 (en) * 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
US6574043B2 (en) * 2001-11-07 2003-06-03 Eastman Kodak Company Method for enhanced bit depth in an imaging apparatus using a spatial light modulator
EP1446791B1 (en) * 2001-11-20 2015-09-09 E Ink Corporation Methods for driving electrophoretic displays
US20050117109A1 (en) * 2001-12-10 2005-06-02 Johannes Marra Display panel comprising a light guide
CN1639866B (zh) 2001-12-14 2010-04-28 莱尔德技术公司 包括有损耗的介质的电磁干扰屏蔽件
US20030128175A1 (en) 2002-01-09 2003-07-10 International Business Machines Corporation Stereoscopic display system and method
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
GB0205479D0 (en) 2002-03-08 2002-04-24 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix display devices
JP4348457B2 (ja) 2002-03-13 2009-10-21 ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション 高ダイナミックレンジのディスプレイ、ディスプレイコントローラ及び画像表示方法
EP1497820A4 (en) 2002-04-11 2009-03-11 Genoa Color Technologies Ltd COLOR DISPLAY DEVICES AND METHODS HAVING IMPROVED ATTRIBUTES
US6778034B2 (en) 2002-05-07 2004-08-17 G.M.W.T. (Global Micro Wire Technology) Ltd. EMI filters
DE10221301B4 (de) 2002-05-14 2004-07-29 Junghans Uhren Gmbh Vorrichtung mit Solarzellenanordnung und Flüssigkristallanzeige
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
US7071895B2 (en) 2002-08-22 2006-07-04 Novus Communication Technologies, Inc. Pseudo bit-depth system for dynamic billboards
JP2004145264A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Victor Co Of Japan Ltd 投射型表示装置
WO2004027497A1 (ja) 2002-09-20 2004-04-01 Hitachi Displays, Ltd. 半透過反射型液晶表示装置
US6885409B2 (en) 2002-09-27 2005-04-26 Eastman Kodak Company Cholesteric liquid crystal display system
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
KR100491257B1 (ko) 2002-12-31 2005-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시장치
US7079154B2 (en) * 2003-01-18 2006-07-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sub-pixel assembly with dithering
US7250930B2 (en) 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
KR100925195B1 (ko) 2003-03-17 2009-11-06 엘지전자 주식회사 대화형 디스크 플레이어의 이미지 데이터 처리장치 및처리방법
US6913942B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TW583469B (en) 2003-03-28 2004-04-11 Au Optronics Corp Back light module and liquid crystal display
TWI226504B (en) * 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
US7072093B2 (en) * 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
JP4012118B2 (ja) * 2003-05-19 2007-11-21 キヤノン株式会社 画像表示装置
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
US7190380B2 (en) 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
JP4552400B2 (ja) * 2003-08-07 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置、画像表示方法及び画像表示プログラム
TW200506479A (en) 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
US6880959B2 (en) * 2003-08-25 2005-04-19 Timothy K. Houston Vehicle illumination guide
US6982820B2 (en) 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
US7324176B2 (en) 2003-10-07 2008-01-29 American Panel Corporation Flat panel display having integral heater, EMI shield, and thermal sensors
US7265809B2 (en) 2003-10-07 2007-09-04 Universal Avionics Systems Corporation Flat panel display having integral metal heater optically hidden behind an EMI shield
US7545553B2 (en) * 2006-08-30 2009-06-09 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Display control system for spatial light modulators
US7782523B2 (en) * 2003-11-01 2010-08-24 Fusao Ishii Analog micromirror devices with continuous intermediate states
US7142346B2 (en) * 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7161728B2 (en) * 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
TWI256941B (en) * 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US20050195370A1 (en) 2004-03-02 2005-09-08 Gore Makarand P. Transmissive/reflective light engine
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
US7612759B2 (en) 2004-05-12 2009-11-03 Shimano Inc. Cycle computer display apparatus
EP1779173A1 (en) 2004-07-29 2007-05-02 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7532195B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7310179B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
CN1755750A (zh) * 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 显示区域架构
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7893919B2 (en) * 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7184202B2 (en) 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
KR100815337B1 (ko) 2004-10-08 2008-03-19 삼성전기주식회사 디지탈 미세 경사형 회절격자 광변조기
US7170697B2 (en) 2004-10-20 2007-01-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Programmable waveform for lamp ballast
US7675665B2 (en) 2005-02-23 2010-03-09 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for actuating displays
JP4743846B2 (ja) 2005-05-10 2011-08-10 シチズン電子株式会社 光通信装置及びそれを用いた情報機器
JP4641478B2 (ja) * 2005-09-27 2011-03-02 キヤノン株式会社 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US8574823B2 (en) 2005-10-05 2013-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-level layer
US7513327B1 (en) * 2005-10-13 2009-04-07 Kent Peterson System for converting a recreational vehicle
US7628493B2 (en) 2006-04-18 2009-12-08 Xerox Corporation Projector based on tunable individually-addressable Fabry-Perot filters
US20070268201A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Sampsell Jeffrey B Back-to-back displays
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7566664B2 (en) * 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7403180B1 (en) 2007-01-29 2008-07-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Hybrid color synthesis for multistate reflective modulator displays

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102667573A (zh) * 2009-12-18 2012-09-12 高通Mems科技公司 用于选择性地启动装置阵列的电荷控制技术
CN103748535A (zh) * 2011-07-21 2014-04-23 高通Mems科技公司 触摸感测显示装置及相关方法
CN103748535B (zh) * 2011-07-21 2017-03-22 追踪有限公司 触摸感测显示装置及相关方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7471442B2 (en) 2008-12-30
US7898725B2 (en) 2011-03-01
RU2011131707A (ru) 2013-02-10
KR20120064123A (ko) 2012-06-18
US20100328755A1 (en) 2010-12-30
US7808695B2 (en) 2010-10-05
EP2383726A1 (en) 2011-11-02
TW200807060A (en) 2008-02-01
JP4981131B2 (ja) 2012-07-18
JP2009540382A (ja) 2009-11-19
WO2007145720A3 (en) 2008-03-13
KR20090023687A (ko) 2009-03-05
EP2027575A2 (en) 2009-02-25
US20070290961A1 (en) 2007-12-20
BRPI0722427A2 (pt) 2013-11-26
CA2654185A1 (en) 2007-12-21
RU2008146783A (ru) 2010-07-20
US20090103168A1 (en) 2009-04-23
RU2440623C2 (ru) 2012-01-20
BRPI0712548A2 (pt) 2012-10-16
CN101467198B (zh) 2013-02-27
TW201145246A (en) 2011-12-16
JP2011237812A (ja) 2011-11-24
WO2007145720A2 (en) 2007-12-21
CN103021350A (zh) 2013-04-03
KR101296143B1 (ko) 2013-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101467198B (zh) 用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备
CN1755493B (zh) 用于干涉式调制中的多级亮度的系统及方法
CN101208736B (zh) 激活mems显示元件的系统及方法
CN1760970B (zh) 用于降低显示器中的功率消耗的方法及系统
US8144385B2 (en) Method and device for multistate interferometric light modulation
CN101326564B (zh) 用于将数据写入到微机电系统显示元件的方法和系统
CN1755478B (zh) 用于干涉式调制器阵列的导电总线结构
CN101546526B (zh) 用于寻址mems显示器的系统和方法
US7777715B2 (en) Passive circuits for de-multiplexing display inputs
CN101385066B (zh) 用于将数据写入到微机电系统显示器元件的方法和系统
CN102254506A (zh) 用于向mems显示元件写入数据的方法及系统
CN102576150A (zh) 具有干涉式反射器的干涉式显示器
CN101663701A (zh) 用于对显示器输入进行多路分用的无源电路
CN102792260A (zh) 用于以交替的定向进行帧缓冲器存储及检索的系统及方法
CN101006490A (zh) 电流模式显示器驱动电路实现特征
CN100547453C (zh) 两侧均具有可观看显示器的反射性显示装置
CN101694767B (zh) 用于寻址mems显示器的系统和方法
CN102667573A (zh) 用于选择性地启动装置阵列的电荷控制技术
MXPA05009166A (en) System and method for addressing a mems display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1129152

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1129152

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130227

Termination date: 20150430

EXPY Termination of patent right or utility model