CN103748535B - 触摸感测显示装置及相关方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供关于包括感测装置及显示装置的触摸感测显示装置的系统、方法及设备。在一个方面中，触摸感测显示装置可包括自适应寻址架构以至少部分地基于感测装置的感测特性而调整寻址特性。在另一方面中，触摸感测显示装置可包括自适应感测架构以至少部分地基于显示装置的寻址特性及／或由所述显示装置的寻址电路变更的电干扰特性而调整感测装置的感测特性。

Description

触摸感测显示装置及相关方法
技术领域
本发明涉及触摸感测显示装置，且更特定来说涉及并入有自适应感测架构及/或自适应寻址架构的触摸感测显示装置。
背景技术
机电系统包括具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如，镜)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统，包括但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包括具有介于从大约一微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包括具有小于一微米的大小(举例来说，包括小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺形成机电元件。
一种类型的机电系统装置称作干涉式调制器(IMOD)。如本文中所用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉式调制器可包括一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明的及/或反射的且能够在施加适当电信号时相对运动。在实施方案中，一个板可包括沉积于衬底上的固定层且另一板可包括通过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用，且预期用于改进现有产品及形成新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。
用于触摸感测显示装置的许多现有触摸感测装置包括由导电材料(举例来说，氧化铟锡(ITO))形成的电隔离导电行及列，所述电隔离导电行及列用以检测导电物体(例如，手指)在感测装置上的位置。这些感测装置可安置于显示器(举例来说，IMOD)上方使得通过感测装置可看到下伏显示器。然而，感测装置的性能可受到相关联的显示装置所产生的电干扰影响。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面，所述方面中的单个方面均不单独地决定本文中所揭示的所要属性。
本发明中所描述的标的物的一个创新性方面可实施于一种显示装置中。所述显示装置可包括经配置以调整显示器的至少一个寻址特性的寻址电路且调整所述至少一个寻址特性可变更所述显示器的干扰特性。所述显示装置还可包括经配置以接收识别寻址特性或干扰特性的信息的感测电路。所述感测电路可经配置以至少部分地基于所接收信息而调整触摸传感器的至少一个感测特性。在一个方面中，所述感测电路可经配置以基于所接收信息而进行感测。在一个方面中，所述寻址电路可经配置以调整所述至少一个寻址特性使得干扰特性增加且所述感测电路可经配置以降低所述至少一个感测特性。在一个方面中，所述寻址电路可经配置以调整所述至少一个寻址特性使得干扰特性降低且所述感测电路可经配置以增加所述至少一个感测特性。
本发明中所描述的一个创新性面可实施于一种显示装置中。所述显示装置可包括用于调整显示器的至少一个寻址特性的装置且调整所述至少一个寻址特性可变更所述显示器的干扰特性。所述显示装置还可包括用于至少部分地基于识别寻址特性或干扰特性的信息而调整触摸传感器的至少一个感测特性的装置。在一个方面中，所述寻址装置可经配置以调整所述至少一个寻址特性使得干扰特性增加且所述感测装置可经配置以降低所述至少一个感测特性。在一个方面中，所述寻址装置可经配置以调整所述至少一个寻址特性使得干扰特性降低且所述感测装置可经配置以增加所述至少一个感测特性。
本发明中所描述的另一创新性方面可实施于一种方法中。所述方法可包括调整显示器的至少一个寻址特性使得调整所述至少一个寻址特性变更所述显示器的干扰特性。所述方法还可包括至少部分地基于寻址特性或干扰特性而调整触摸传感器的至少一个感测特性及基于经调整的感测特性而进行感测。在一个方面中，调整所述至少一个寻址特性可增加干扰特性且可降低所述至少一个感测特性。在一个方面中，调整所述至少一个寻址特性可降低干扰特性且可增加所述至少一个感测特性。
在随附图式及以下描述中阐明本说明书中所描述的标的物的一个或一个以上实施方案的细节。根据所述描述、图式及权利要求书将明了其它特征、方面及优点。注意，以下各图的相对尺寸可能并未按比例绘制。
附图说明
图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的实例。
图2展示图解说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。
图3展示图解说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对所施加电压的图的实例。
图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。
图5A展示图解说明在图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。
图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。
图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例。
图6B到6E展示干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。
图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺的流程图的实例。
图8A到8E展示制作干涉式调制器的方法中的各种阶段的横截面示意性图解的实例。
图9A展示具有用于检测导电物体在传感器阵列上方的存在的多个导电行及列的实例性感测装置的俯视侧视图。
图9B展示图解说明操作感测装置的实例性方法的流程图。
图9C展示触摸感测显示装置的实例。
图10A及10B展示包括安置于显示装置上方的感测装置的触摸感测显示装置的两个实例性实施方案的横截面。
图11A到11D展示具有自适应寻址架构的触摸感测显示装置的实例。
图12A展示具有自适应感测及/或自适应寻址架构的触摸感测显示装置的实例。
图12B及12C展示可用于图12A的触摸感测显示装置中的查找表的实例。
图13展示供与触摸感测显示装置一起使用的过程的实例。
图14A及14B展示图解说明包括多个干涉式调制器的显示装置的系统框图的实例。
在各个图式中，相似的参考编号及标示指示相似的元件。
具体实施方式
以下详细描述针对用于描述创新性方面的目的的某些实施方案。然而，可以多种不同方式应用本文中的教示。所描述的实施方案可在经配置以显示图像(无论是处于运动(例如，视频)还是静止的(例如，静止图像)，且无论是文本、图形的还是图片的)的任一装置中实施。更特定来说，本发明预期：所述实施方案可在以下多种电子装置中实施或可与所述电子装置相关联：例如(但不限于)，移动电话、具有多媒体因特网能力的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、蓝牙装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、上网本、笔记本计算机、智能本、打印机、复印机、扫瞄仪、传真装置、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏控制台、手表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(例如，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等等)、驾驶舱控制件及/或显示器、相机视图显示器(例如，车辆的后视相机的显示器)、电子照片、电子告示牌或标牌、投影仪、建筑结构、微波炉、冰箱、立体声系统、盒式录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、无线电设备、便携式存储器芯片、洗衣机、干衣机、洗衣机/干衣机、停车计时器、封装(例如，MEMS及非MEMS)、美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示器)及多种机电系统装置。本文中的教示还可用于非显示应用中，例如(但不限于)：电子切换装置、射频滤波器、传感器、加速计、陀螺仪、运动感测装置、磁力计、消费型电子器件的惯性组件、消费型电子产品的部件、变容二极管、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造工艺、电子测试设备。因此，所述教示并不打算限于仅描绘于各图中的实施方案，而是具有所属领域的技术人员将容易明了的宽广适用性。
在一些实施方案中，触摸感测显示装置可包括安置于显示装置(举例来说，干涉式显示器)的至少一部分上方的感测装置。感测装置可经配置以检测呈导电物体(举例来说，人类手指或手写笔)的触摸或接近定位的形式的用户输入。感测装置可进一步经配置以检测用户输入相对于感测装置的位置且此所检测位置可通过感测电路提供到寻址下伏显示器的外部电路(举例来说，寻址电路)。因此，下伏显示装置的寻址可至少部分地基于寻址电路从感测装置所接收的输入。举例来说，在一些实施方案中，感测装置可检测手指或手写笔的触摸且寻址电路可显示接近于所检测触摸的光标元件。此外，在包括一个或一个以上感测装置的触摸感测显示装置的实施方案中，寻址显示器可产生影响所述感测装置的性能的电干扰。
本文中所揭示的各种实施方案包括具有自适应感测架构及/或自适应寻址架构的触摸感测显示装置。在一些实施方案中，触摸感测显示装置可包括寻址显示器的寻址电路，所述显示器借此产生电干扰。由于所述电干扰可影响感测装置的性能，因此所述触摸感测显示装置可包括自适应感测电路，所述自适应感测电路至少部分地基于通过寻址所述显示器产生的电干扰而调整所述感测装置的至少一个感测特性。在一些实施方案中，可通过感测电路调整的感测特性可包括(举例来说)信噪比、敏感度阈值、开始/停止时间、部分扫描、到感测电路的输入波形的电压、感测波形的电流驱动、频率(例如，取样速率)及施加到所接收感测信号的滤波的类型及量。由于电干扰可至少部分地与显示器的寻址特性相关，因此在一些实施方案中，自适应感测电路可至少部分地基于相关联显示器的寻址特性及/或至少部分地基于由所述显示器产生的电干扰而调整感测装置的至少一个感测特性。
在一些实施方案中，触摸感测显示装置可包括检测触摸输入的感测电路且所述感测电路可将此输入提供到自适应寻址电路。所述寻址电路可至少部分地基于从感测电路接收的触摸输入而调整显示器的寻址特性。在一些实施方案中，可通过寻址电路调整的寻址特性可包括(举例来说)部分更新、更新速度、识别寻址区、高电压寻址、低电压寻址、高分段驱动、低分段驱动、线反转、点反转、帧反转及分辨率。在一些实施方案中，触摸感测显示装置可包括自适应感测架构及自适应寻址架构，使得可通过用户输入(举例来说，触摸)来调整寻址特性，且所述寻址特性及/或所得电干扰的调整可至少部分地导致对一个或一个以上感测特性的调整。
可实施本发明中所描述的标的物的特定实施方案以实现以下潜在优点中的一者或一者以上。举例来说，本文中所揭示的触摸感测显示装置可并入有自适应寻址架构以限制显示器的电力耗散或消耗及/或限制由所述显示器产生的电干扰。减少电干扰可改进相关联感测装置的性能且限制电力耗散可改进电池寿命且减少操作成本。在另一实例中，本文中所揭示的触摸感测显示装置可并入有自适应感测架构以至少部分地基于显示器的寻址特性及/或由所述显示器产生的电干扰而调整感测装置的感测特性。举例来说，当针对例如手写的应用使用导电手写笔时，感测特性可经修改以允许较高分辨率及较高速度。此修改可需要来自相关联显示面板的较低干扰。因此，所述感测装置可基于正寻址显示器的方式而调适以改进所述感测装置的性能。此外，减小显示器驱动及/或到感测装置的输入信号可减少由触摸感测显示装置作为整体发射的电磁干扰的总量。
可应用所描述的实施方案的适合MEMS装置的实例为反射式显示装置。反射式显示装置可并入有用以使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射入射于其上的光的干涉式调制器(IMOD)。IMOD可包括吸收器、可相对于所述吸收器移动的反射器及界定于所述吸收器与所述反射器之间的光学共振腔。所述反射器可移动到两个或两个以上不同位置，此可改变光学共振腔的大小且借此影响所述干涉式调制器的反射比。IMOD的反射光谱可形成可跨越可见波长移位以产生不同色彩的相当宽的光谱带。可通过改变光学共振腔的厚度(即，通过改变反射器的位置)来调整所述光谱带的位置。
图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的实例。所述IMOD显示装置包括一个或一个以上干涉式MEMS显示元件。在这些装置中，MEMS显示元件的像素可处于亮或暗状态。在亮(“松弛”、“打开”或“接通”)状态中，所述显示元件将入射可见光的一大部分反射到(例如)用户。相反地，在暗(“激活”、“关闭”或“关断”)状态中，所述显示元件反射甚少的入射可见光。在一些实施方案中，可反转接通与关断状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在特定波长下反射，从而允许除黑色及白色以外还进行彩色显示。
IMOD显示装置可包括行/列IMOD阵列。每一IMOD可包括一对反射层，即，可移动反射层及固定部分反射层，所述对反射层以彼此相距可变且可控的距离进行定位以形成气隙(还称作光学间隙或腔)。所述可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)中，可移动反射层可定位于距固定部分反射层相对大的距离处。在第二位置(即，激活位置)中，可移动反射层可更靠近于部分反射层而定位。取决于可移动反射层的位置，从两个层反射的入射光可以相长或相消方式干涉，从而产生每一像素的总体反射或非反射状态。在一些实施方案中，所述IMOD可在未被激活时处于反射状态，从而反射在可见光谱内的光，且可在未被激活时处于暗状态，从而反射在可见范围之外的光(例如，红外光)。然而，在一些其它实施方案中，IMOD可在未被激活时处于暗状态且在被激活时处于反射状态。在一些实施方案中，引入所施加电压可驱动像素改变状态。在一些其它实施方案中，所施加电荷可驱动像素改变状态。
图1中所描绘的像素阵列部分包括两个邻近的干涉式调制器12。在左侧(如所图解说明)的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于距包括部分反射层的光学堆叠16预定距离处的松弛位置。跨越左侧IMOD 12施加的电压V0不足以致使可移动反射层14激活。在右侧的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于接近或邻近光学堆叠16的激活位置。跨越右侧IMOD 12施加的电压Vbias足以使可移动反射层14维持处于激活位置。
在图1中，大体图解说明像素12的反射性质，其中箭头13指示入射于像素12上的光且光15从左侧像素12反射。虽然未详细地图解说明，但所属领域的技术人员将理解，入射于像素12上的光13的大部分将穿过透明衬底20朝向光学堆叠16透射。入射于光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将往回反射穿过透明衬底20。光13的透射穿过光学堆叠16的部分将在可移动反射层14处往回朝向(且穿过)透明衬底20反射。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长性或相消性)将确定从像素12反射的光15的波长。
光学堆叠16可包括单个层或数个层。所述层可包括电极层、部分反射且部分透射层及透明电介质层中的一者或一者以上。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电、部分透明且部分反射的，且可(举例来说)通过将以上层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制作。所述电极层可由多种材料形成，例如各种金属，举例来说，氧化铟锡(ITO)。所述部分反射层可由多种部分反射的材料形成，例如各种金属，例如铬(Cr)、半导体及电介质。所述部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包括单个半透明厚度的金属或半导体，其充当光学吸收器及导体两者，同时(例如光学堆叠16或IMOD的其它结构的)不同的更多导电层或部分可用于在IMOD像素之间运送信号。光学堆叠16还可包括覆盖一个或一个以上导电层或导电/吸收层的一个或一个以上绝缘或电介质层。
在一些实施方案中，可将光学堆叠16的层图案化成若干平行条带，且其可在显示装置中形成行电极，如下文进一步描述。如所属领域的技术人员将理解，术语“图案化”在本文中用于指掩蔽以及蚀刻工艺。在一些实施方案中，可将高度导电且反射的材料(例如铝(AL))用于可移动反射层14，且这些条带可在显示装置中形成列电极。可移动反射层14可形成为用以形成沉积于柱18及在柱18之间沉积的介入牺牲材料的顶部上的列的一个或若干所沉积金属层的一系列平行条带(正交于光学堆叠16的行电极)。当蚀刻掉所述牺牲材料时，可在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成经界定间隙19或光学腔。在一些实施方案中，柱18之间的间隔可为约1um到1000um，而间隙19可小于10,000埃
在一些实施方案中，所述IMOD的每一像素(无论是处于激活状态还是松弛状态)基本上均为由固定反射层及移动反射层形成的电容器。当不施加电压时，可移动反射层14保持处于机械松弛状态，如图1中左侧的像素12所图解说明，其中可移动反射层14与光学堆叠16之间具有间隙19。然而，当向选定行及列中的至少一者施加电位差(例如，电压)时，在对应像素处的行电极与列电极的相交点处形成的电容器变得被充电，且静电力将所述电极拉在一起。如果所施加的电压超过阈值，那么可移动反射层14可变形且移动而接近或抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的电介质层(未展示)可防止短路且控制层14与16之间的分离距离，如图1中右侧的经激活像素12所图解说明。不管所施加电位差的极性如何，行为均相同。虽然在一些实例中可将阵列中的一系列像素称作“行”或“列”，但所属领域的技术人员将容易理解，将一个方向称作“行”且将另一方向称作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可将行视为列，且将列视为行。此外，显示元件可均匀地布置成正交的行与列(“阵列”)，或布置成非线性配置，举例来说，相对于彼此具有某些位置偏移(“镶嵌块”)。术语“阵列”及“镶嵌块”可指代任一配置。因此，虽然将显示器称作包括“阵列”或“镶嵌块”，但在任一实例中，元件本身不需要彼此正交地布置或安置成均匀分布，而是可包括具有不对称形状及不均匀分布元件的布置。
图2展示图解说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。所述电子装置包括可经配置以执行一个或一个以上软件模块的处理器21。除执行操作系统以外，处理器21还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包括web浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任一其它软件应用程序。
处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包括将信号提供到(例如)显示阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图2中的线1-1展示图1中所图解说明的IMOD显示装置的横截面。虽然为清晰起见图2图解说明3×3IMOD阵列，但显示阵列30可含有极大数目个IMOD且可在列中具有与在行中不同数目的IMOD，且反之亦然。
图3展示图解说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对所施加电压的图的实例。对于MEMS干涉式调制器，行/列(即，共用/分段)写入程序可利用图3中所图解说明的这些装置的滞后性质。干涉式调制器可需要(举例来说)大约10伏电位差致使可移动反射层或镜从松弛状态改变为激活状态。当电压从所述值减小时，随着电压回降到低于(例如)10伏，所述可移动反射层维持其状态，然而，所述可移动反射层不会完全松弛直到电压下降到低于2伏为止。因此，如图3中所展示，存在约3伏到7伏的电压范围，在所述电压范围内存在所施加电压窗，在所述窗内，装置稳定在松弛状态或激活状态中。在本文中将此窗称作“滞后窗”或“稳定窗”。对于具有图3的滞后特性的显示阵列30，行/列写入程序可经设计以一次寻址一个或一个以上行，使得在对给定行的寻址期间使经寻址行中待激活的像素暴露于大约10伏的电压差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在寻址之后，使像素暴露于稳定状态或约5伏的偏置电压差使得其保持在先前选通状态中。在此实例中，在被寻址之后，每一像素经历在大约3伏到7伏的“稳定窗”内的电位差。此滞后性质特征使得(例如)图1中所图解说明的像素设计能够在相同所施加电压条件下保持稳定在激活状态或松弛预存状态中。由于每一IMOD像素(无论是处于激活状态还是松弛状态)基本上均为由固定反射层及移动反射层形成的电容器，因此此稳定状态可保持在滞后窗内的稳定电压下而实质上不消耗或损失电力。此外，如果所施加的电压电位保持实质上固定，那么基本上有甚少或无电流流动到IMOD像素中。
在一些实施方案中，可通过根据给定行中的像素的状态的所要改变(如果有的话)沿着所述组列电极以“分段”电压的形式施加数据信号来形成图像的帧。可依次寻址所述阵列的每一行，使得一次一行地写入所述帧。为了将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于所述第一行中的像素的所要状态的分段电压施加于列电极上，且可将呈特定“共用”电压或信号形式的第一行脉冲施加到第一行电极。接着，可使所述组分段电压改变为对应于第二行中的像素的状态的所要改变(如果有的话)，且可将第二共用电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，第一行中的像素不受沿着列电极施加的分段电压的改变影响，且保持于在第一共用电压行脉冲期间其被设定到的状态。可以循序方式针对整个系列的行或替代地整个系列的列重复此过程，以产生图像帧。可通过以每秒某一所要数目的帧不断地重复此过程来寻址、刷新及/或用新的图像数据更新所述帧。
跨越每一像素所施加的分段与共用信号的组合(即，跨越每一像素的电位差)确定了每一像素的所得状态。图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。如所属领域的技术人员将容易理解，可将“分段”电压施加到列电极或行电极，且可将“共用”电压施加到列电极或行电极中的另一者。
如在图4中(以及在图5B中所展示的时序图中)所图解说明，当沿着共用线施加释放电压VCREL时，沿着共用线的所有干涉式调制器元件将被置于松弛状态(或者称作释放或未激活状态)中，而不管沿着分段线所施加的电压(即，高分段电压VSH及低分段电压VSL)如何。特定来说，当沿着共用线施加释放电压VCREL时，在沿着所述像素的对应分段线施加高分段电压VSH及低分段电压VSL两者时，跨越调制器的电位电压(或者称作像素电压)在松弛窗(参见图3，也称作释放窗)内。
当将保持电压(例如高保持电压VCHOLD_H或低保持电压VCHOLD_L)施加于共用线上时，干涉式调制器的状态将保持恒定。举例来说，松弛IMOD将保持处于松弛位置，且激活IMOD将保持处于激活位置。所述保持电压可经选择使得在沿着对应分段线施加高分段电压VSH及低分段电压VSL两者时，像素电压将保持在稳定窗内。因此，分段电压摆幅(即，高VSH与低分段电压VSL之间的差)小于正稳定窗或负稳定窗的宽度。
当将寻址或激活电压(例如高寻址电压VCADD_H或低寻址电压VCADD_L)施加于共用线上时，可通过沿着相应分段线施加分段电压选择性地将数据写入到沿着所述线的调制器。所述分段电压可经选择使得激活取决于所施加的分段电压。当沿着共用线施加寻址电压时，施加一个分段电压将导致稳定窗内的像素电压，从而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一分段电压将导致超出所述稳定窗的像素电压，从而导致所述像素的激活。致使激活的特定分段电压可取决于使用了哪一寻址电压而变化。在一些实施方案中，当沿着共用线施加高寻址电压VCADD_H时，施加高分段电压VSH可致使调制器保持处于其当前位置，而施加低分段电压VSL可致使所述调制器激活。作为推论，当施加低寻址电压VCADD_L时，分段电压的影响可为相反的，其中高分段电压VSH致使所述调制器激活，且低分段电压VSL对所述调制器的状态无影响(即，保持稳定)。
在一些实施方案中，可使用跨越调制器始终产生相同极性电位差的保持电压、寻址电压及分段电压。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电位差的极性交替的信号。跨越调制器的极性的交替(即，写入程序的极性的交替)可减少或抑制在单个极性的重复写入操作之后可能发生的电荷积累。
图5A展示图解说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。可将所述信号施加到(例如)图2的3×3阵列，此将最终产生图5A中所图解说明的线时间60e的显示布置。图5A中的经激活调制器处于暗状态，即，其中反射光的实质部分在可见光谱之外，以便给(例如)观看者产生暗外观。在写入图5A中所图解说明的帧之前，所述像素可处于任一状态，但图5B的时序图中所图解说明的写入程序假定在第一线时间60a之前每一调制器已被释放且驻存于未激活状态中。
在第一线时间60a期间：将释放电压70施加于共用线1上；施加于共用线2上的电压以高保持电压72开始且移动到释放电压70；且沿着共用线3施加低保持电压76。因此，沿着共用线1的调制器(共用1，分段1)、(1,2)及(1,3)在第一线时间60a的持续时间内保持处于松弛或未激活状态，沿着共用线2的调制器(2,1)、(2,2)及(2,3)将移动到松弛状态，且沿着共用线3的调制器(3,1)、(3,2)及(3,3)将保持处于其先前状态。参考图4，沿着分段线1、2及3施加的分段电压将对干涉式调制器的状态无影响，因为在线时间60a期间，共用线1、2或3中的任一者均未暴露于致使激活的电压电平(即，VCREL-松弛及VCHOLD_L-稳定)。
在第二线时间60b期间，共用线1上的电压移动到高保持电压72，且由于未将寻址或激活电压施加于共用线1上，因此不管所施加的分段电压如何，沿着共用线1的所有调制器均保持处于松弛状态。沿着共用线2的调制器因释放电压70的施加而保持处于松弛状态，且当沿着共用线3的电压移动到释放电压70时，沿着共用线3的调制器(3,1)、(3,2)及(3,3)将松弛。
在第三线时间60c期间，通过将高寻址电压74施加于共用线1上来寻址共用线1。由于在施加此寻址电压期间沿着分段线1及2施加低分段电压64，因此跨越调制器(1,1)及(1,2)的像素电压大于调制器的正稳定窗的高端(即，电压差超过预定义阈值)，且激活调制器(1,1)及(1,2)。相反地，由于沿着分段线3施加高分段电压62，因此跨越调制器(1,3)的像素电压小于调制器(1,1)及(1,2)的像素电压，且保持在所述调制器的正稳定窗内；调制器(1,3)因此保持松弛。此外，在线时间60c期间，沿着共用线2的电压减小到低保持电压76，且沿着共用线3的电压保持处于释放电压70，从而使沿着共用线2及3的调制器处于松弛位置。
在第四线时间60d期间，共用线1上的电压返回到高保持电压72，从而使沿着共用线1上的调制器处于其相应经寻址状态。将共用线2上的电压减小到低寻址电压78。由于沿着分段线2施加高分段电压62，因此跨越调制器(2,2)的像素电压低于所述调制器的负稳定窗的较低端，从而致使调制器(2,2)激活。相反地，由于沿着分段线1及3施加低分段电压64，因此调制器(2,1)及(2,3)保持处于松弛位置。共用线3上的电压增加到高保持电压72，从而使沿着共用线3的调制器处于松弛状态中。
最后，在第五线时间60e期间，共用线1上的电压保持处于高保持电压72，且共用线2上的电压保持处于低保持电压76，从而使沿着共用线1及2的调制器处于其相应经寻址状态。共用线3上的电压增加到高寻址电压74以寻址沿着共用线3的调制器。在将低分段电压64施加于分段线2及3上时，调制器(3,2)及(3,3)激活，而沿着分段线1所施加的高分段电压62致使调制器(3,1)保持处于松弛位置。因此，在第五线时间60e结束时，3×3像素阵列处于图5A中所展示的状态，且只要沿着共用线施加保持电压就将保持处于所述状态，而不管可能在正寻址沿着其它共用线(未展示)的调制器时发生的分段电压的变化如何。
在图5B的时序图中，给定写入程序(即，线时间60a到60e)可包括高保持及寻址电压或低保持及寻址电压的使用。一旦已针对给定共用线完成写入程序(且将共用电压设定为具有与激活电压相同的极性的保持电压)，所述像素电压便保持在给定稳定窗内，且不通过松弛窗，直到将释放电压施加于所述共用线上为止。此外，由于每一调制器是在寻址所述调制器之前作为写入程序的一部分而释放，因此调制器的激活时间而非释放时间可确定必需的线时间。具体来说，在其中调制器的释放时间大于激活时间的实施方案中，可将释放电压施加达长于单个线时间，如在图5B中所描绘。在一些其它实施方案中，沿着共用线或分段线所施加的电压可变化以考虑到不同调制器(例如不同色彩的调制器)的激活及释放电压的变化。
根据上文所阐明的原理操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说，图6A到6E展示包括可移动反射层14及其支撑结构的干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例，其中金属材料条带(即，可移动反射层14)沉积于从衬底20正交延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且在拐角处或接近拐角处经由系链32附接到支撑件。在图6C中，可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且悬挂于可变形层34上，可变形层34可包括柔性金属。可变形层34可围绕可移动反射层14的周界直接或间接地连接到衬底20。这些连接在本文中称作支撑柱。图6C中所展示的实施方案具有源于可移动反射层14的光学功能与其机械功能(其由可变形层34来实施)解耦合的额外益处。此解耦合允许用于反射层14的结构设考虑到材料与用于可变形层34的结构设考虑到材料彼此独立地进行优化。
图6D展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14包括反射子层14a。可移动反射层14靠在支撑结构(例如，支撑柱18)上。支撑柱18提供可移动反射层14与下部固定电极(即，所图解说明的IMOD中的光学堆叠16的一部分)的分离，使得(举例来说)当可移动反射层14处于松弛位置时，在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包括可经配置以充当电极的导电层14c及支撑层14b。在此实例中，导电层14c安置于支撑层14b的远离衬底20的一侧上，且反射子层14a安置于支撑层14b的接近于衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可为导电的且可安置于支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包括电介质材料(举例来说，氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一个或一个以上层。在一些实施方案中，支撑层14b可为若干层的堆叠，例如，SiO2/SiON/SiO2三层堆叠。反射子层14a及导电层14c中的任一者或两者可包括(例如)具有大约0.5％铜(Cu)的铝(Al)合金或另一反射金属材料。在电介质支撑层14b上面及下面采用导体层14a、14c可平衡应力且提供增强的传导性。在一些实施方案中，可出于多种设计目的(例如实现可移动反射层14内的特定应力分布曲线)而由不同材料形成反射子层14a及导电层14c。
如在图6D中所图解说明，一些实施方案还可包括黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非作用区(例如在像素之间或在柱18下方)中以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示装置的非作用部分反射或透射穿过所述部分借此增加对比度来改进所述显示器的光学性质。另外，黑色掩模结构23可为导电的且经配置以充当电运送层。在一些实施方案中，可将行电极连接到黑色掩模结构23以减小所连接行电极的电阻。可使用包括沉积及图案化技术的多种方法来形成黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可包括一个或一个以上层。举例来说，在一些实施方案中，黑色掩模结构23包括充当光学吸收器的钼-铬(MoCr)层、SiO2层及充当反射器及运送层的铝合金，其分别具有在大约到到及到的范围中的厚度。可使用多种技术来图案化所述一个或一个以上层，包括光刻及干蚀刻，举例来说，所述干蚀刻包括用于MoCr及SiO2层的四氟化碳(CF4)及/或氧气(O2)以及用于铝合金层的氯气(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些实施方案中，黑色掩模23可为标准具或干涉式堆叠结构。在此些干涉式堆叠黑色掩模结构23中，导电吸收器可用于在每一行或列的光学堆叠16中的下部固定电极之间传输或运送信号。在一些实施方案中，间隔件层35可用于将吸收器层16a与黑色掩模23中的导电层大体电隔离。
图6E展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案不包括支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置处接触下伏光学堆叠16，且可移动反射层14的曲率提供足够的支撑使得可移动反射层14在跨越干涉式调制器的电压不足以致使激活时返回到图6E的未激活位置。为清晰所见，此处将可含有多个数种不同层的光学堆叠16展示为包括光学吸收器16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收器16a可充当固定电极及部分反射层两者。
在例如图6A到6E中所展示的实施方案的实施方案中，IMOD充当直视装置，其中从透明衬底20的前侧(即，与其上布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施方案中，可对所述装置的背面部分(即，所述显示装置的在可移动反射层14后面的任一部分，举例来说，包括图6C中所图解说明的可变形层34)进行配置及操作而不影响或负面地影响显示装置的图像质量，因为反射层14光学屏蔽所述装置的所述部分。举例来说，在一些实施方案中，可在可移动反射层14后面包括总线结构(未图解说明)，其提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如电压寻址及由此寻址产生的移动)分离的能力。另外，图6A到6E的实施方案可简化处理(例如，图案化)。
图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺80的流程图的实例，且图8A到8E展示此制造工艺80的对应阶段的横截面示意性图解的实例。在一些实施方案中，除图7中未展示的其它框以外，制造工艺80还可经实施以制造(例如)图1及6中所图解说明的一般类型的干涉式调制器。参考图1、6及7，工艺80在框82处开始，其中在衬底20上方形成光学堆叠16。图8A图解说明在衬底20上方形成的此光学堆叠16。衬底20可为透明衬底(例如玻璃或塑料)，其可为柔性的或相对刚性且不易弯曲的，且可能已经受先前准备工艺，例如，用以促进有效地形成光学堆叠16的清洁。如上文所论述，光学堆叠16可为导电、部分透明且部分反射的且可(举例来说)通过将具有所要性质的一个或一个以上层沉积到透明衬底20上来制作。在图8A中，光学堆叠16包括具有子层16a及16b的多层结构，但在一些其它实施方案中可包括更多或更少的子层。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可经配置而具有光学吸收及导电性质两者，例如组合式导体/吸收器子层16a。另外，可将子层16a、16b中的一者或一者以上图案化成若干平行条带，且其可在显示装置中形成行电极。可通过掩蔽及蚀刻工艺或此项技术中已知的另一适合工艺来执行此图案化。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可为绝缘或电介质层，例如沉积于一个或一个以上金属层(例如，一个或一个以上反射及/或导电层)上方的子层16b。另外，可将光学堆叠16图案化成形成显示器的行的个别且平行条带。
工艺80在框84处继续在光学堆叠16上方形成牺牲层25。稍后移除牺牲层25(例如，在框90处)以形成腔19且因此在图1中所图解说明的所得干涉式调制器12中未展示牺牲层25。图8B图解说明包括形成于光学堆叠16上方的牺牲层25的经部分制作的装置。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包括以经选择以在随后移除之后提供具有所要设计大小的间隙或腔19(还参见图1及8E)的厚度沉积二氟化氙(XeF2)可蚀刻材料，例如钼(Mo)或非晶硅(Si)。可使用例如物理气相沉积(PVD，例如，溅镀)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂等沉积技术来实施牺牲材料的沉积。
工艺80在框86处继续形成支撑结构，例如，如图1、6及8C中所图解说明的柱18。形成柱18可包括以下步骤：图案化牺牲层25以形成支撑结构孔口，接着使用例如PVD、PECVD、热CVD或旋涂等沉积方法将材料(例如，聚合物或无机材料，例如二氧化硅)沉积到所述孔口中以形成柱18。在一些实施方案中，形成于牺牲层中的支撑结构孔口可延伸穿过牺牲层25及光学堆叠16两者而到达下伏衬底20，使得柱18的下部端接触衬底20，如在图6A中所图解说明。或者，如在图8C中所描绘，形成于牺牲层25中的孔口可延伸穿过牺牲层25，但不穿过光学堆叠16。举例来说，图8E图解说明支撑柱18的下部端与光学堆叠16的上部表面接触。可通过将支撑结构材料层沉积于牺牲层25上方并图案化支撑结构材料的位于远离牺牲层25中的孔口的部分来形成柱18或其它支撑结构。所述支撑结构可位于所述孔口内，如在图8C中所图解说明，但还可至少部分地延伸到牺牲层25的一部分上方。如上文所提及，牺牲层25及/或支撑柱18的图案化可通过图案化及蚀刻工艺来执行，但也可通过替代蚀刻方法来执行。
工艺80在框88处继续形成可移动反射层或膜，例如图1、6及8D中所图解说明的可移动反射层14。可通过采用一个或一个以上沉积步骤(例如，反射层(例如，铝、铝合金)沉积)连同一个或一个以上图案化、掩蔽及/或蚀刻步骤来形成可移动反射层14。可移动反射层14可为导电的且称作导电层。在一些实施方案中，可移动反射层14可包括如图8D中所展示的多个子层14a、14b、14c。在一些实施方案中，所述子层中的一者或一者以上(例如子层14a、14c)可包括针对其光学性质选择的高度反射子层，且另一子层14b可包括针对其机械性质选择的机械子层。由于牺牲层25仍存在于在框88处形成的经部分制作的干涉式调制器中，因此可移动反射层14在此阶段处通常不可移动。在本文中还可将含有牺牲层25的经部分制作的IMOD称作“未释放”IMOD。如上文结合图1所描述，可将可移动反射层14图案化成形成显示器的列的个别且平行条带。
工艺80在框90处继续形成腔(例如，如图1、6及8E中所图解说明的腔19)。可通过将牺牲材料25(在框84处沉积)暴露于蚀刻剂来形成腔19。举例来说，可通过干化学蚀刻(例如，通过将牺牲层25暴露于气态或蒸气蚀刻剂，例如衍生自固体XeF2的蒸气)达有效地移除所要的材料量(通常相对于环绕腔19的结构选择性地移除)的时间周期来移除可蚀刻牺牲材料，例如Mo或非晶Si。还可使用其它蚀刻方法，例如，湿蚀刻及/或等离子蚀刻。由于在框90期间移除了牺牲层25，因此可移动反射层14在此阶段之后通常可移动。在移除牺牲层25之后，在本文中可将所得的经完全或部分制作的IMOD称作“经释放”IMOD。
如上文所论述，触摸感测显示装置可包括可安置于一个或一个以上显示器上方的感测装置，举例来说，参考图1到8E所描述的干涉式调制器。在一些实施方案中，触摸感测装置可安置于一个或一个以上MEMS装置、干涉式调制器装置、反射显示装置及/或其它显示装置的至少一部分上方。触摸感测装置的性能可受到由与所述感测装置相关联的经寻址显示器产生的电干扰的不利影响。另外，显示器的寻址可至少部分地基于由感测装置接收的触摸输入。本文中所揭示的触摸感测显示装置可包括自适应感测架构及/或自适应寻址架构。如下文进一步详细地论述，通过至少部分地基于由感测电路提供到寻址电路的触摸输入而寻址显示器，自适应寻址架构可限制电力耗散且可限制电干扰。另外，自适应感测架构可通过至少部分地基于由寻址电路提供到感测电路的寻址特性进行感测及/或通过至少部分地基于显示装置的电干扰特性进行感测来改进感测性能。
图9A展示具有用于检测导电物体在传感器阵列上方的存在的多个导电行及列的实例性感测装置的俯视侧视图。虽然可将本文中所揭示的导电结构中的一些导电结构称作“行”或“列”，但所属领域的技术人员将容易理解将一个方向称作“行”且将另一方向称作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可将行视为列，且将列视为行。此外，导电结构可均匀地布置成正交的行与列(“阵列”)，或布置成非线性配置，举例来说，相对于彼此具有某些位置偏移(“镶嵌块”)。因此，在任一实例中，称作行及列的导电结构无需彼此正交地布置，或以均匀分布安置，而是可包括具有不对称形状及不均匀分布的元件的布置。
感测装置900a可经配置以确定导电物体(举例来说，用户的手指或手写笔)相对于感测装置900a的位置且将此位置提供到外部电路(举例来说，寻址电路)、计算机或其它电子装置。在一个实施方案中，感测装置900a可安置于下伏反射式显示器(未展示)(举例来说，干涉式显示器)上方。在此实施方案中，观看者可通过感测装置900a的传感器区908a观察下伏反射式显示器的至少一部分。
感测装置900a可包括实质上透明的覆盖衬底902a，覆盖衬底902a具有安置于覆盖衬底902a下方的一组导电行906a及一组导电列904a。为清晰起见，图9A中未展示所述组导电行906a及所述组导电列904a的细节。覆盖衬底902a可包括绝缘材料，举例来说，玻璃。导电行906a及导电列904a界定传感器区908a内的传感器阵列920a。导电行906a及导电列904a通过导电引线912a、914a电耦合到感测电路910a。
在一些实施方案中，感测电路910a将脉冲信号周期性地施加到个别导电行906a及导电列904a且检测单独导电行906a与导电列904a之间及/或导电行或列与任意接地之间的电容。感测电路910a可包括硬件及/或可编程逻辑。导电行与导电列之间的电容可称作“互电容”且导电行或列与任意接地之间的电容可称作“自电容”。接近导电行906a与导电列904a之间的重叠定位导电物体改变局部静电场，这减少导电行906a与导电列904a之间的互电容。感测电路910a可通过周期性地检测导电行906a与导电列904a的互电容及/或自电容且比较从默认条件的电容改变来检测接近于传感器区908a的区域而定位(例如，触摸或接近而安置)的导电物体的存在。因此，可改变接近一个或一个以上行906a及列904a的局部静电场的其它因素(举例来说，由另一电路(例如，下伏显示器)产生的电干扰)可影响感测电路910a的感测性能。基于导电行906a及导电列904a的几何形状的图案化，可确定导电物体相对于感测装置900a的位置。此所感测的位置可由感测电路910a提供到控制下伏反射式显示器的外部电路，举例来说，提供到寻址电路。如参考图11A到11D所论述，寻址电路可至少部分地基于由感测电路提供到寻址电路的所感测位置而调整下伏显示装置的寻址特性。
图9B展示图解说明操作感测装置的实例性方法的流程图。可使用方法930来操作各个感测装置，举例来说，图9A的感测装置900a。如框932处所展示，可提供彼此间隔开的导电行及列以在传感器区内形成传感器阵列。如上文所论述，所述传感器区可安置于下伏显示器(举例来说，反射式显示器)上方。如框934处所展示，可由外部感测电路将信号提供到每一导电行及列且可随时间测量每一行及列的电容变化，如框936处所展示。感测电路可比较邻近行与邻近列之间的时间电容变化，如框938处所展示。每一行可与传感器区上的坐标位置(例如，垂直位置)相关联且每一列可与传感器区上的另一坐标位置(例如，水平位置)相关联，使得使用经比较的电容变化来确定导电物体在传感器区上方的二维输入位置(例如，水平-垂直坐标位置)，如框940处所展示。
图9C展示触摸感测显示装置的实例。触摸感测显示装置950c可包括感测装置900c及安置于感测装置900c的至少一部分下方的显示装置960c。显示装置960c可包括类似于上文参考图2所论述的显示器的干涉式调制器显示器。显示装置960c可包括可经配置以寻址多个显示行966c及多个显示列964c的寻址电路962c。在一些实施方案中，寻址电路962c可包括通过导电引线970c将信号提供到多个显示行966c的行驱动器电路。在一些实施方案中，寻址电路962c还可包括通过导电引线972c将信号提供到多个显示列964c的列驱动器电路。如上文所论述，寻址多个显示行966c及/或多个显示列964c可形成可影响感测装置900c的性能的电干扰。
类似于上文参考图9A所论述的感测装置900a，图9C中的感测装置900c可包括实质上透明的覆盖衬底902c，覆盖衬底902c具有安置于覆盖衬底902c下方的一组导电行906c及一组导电列904c。导电行906c及导电列904c可界定传感器区908c内的传感器阵列920c。导电行906c及导电列904c可通过导电引线912c、914c电耦合到感测电路910c。
感测电路910c可将脉冲信号周期性地施加到个别导电行906c及导电列904c且检测单独导电行906c与导电列904c之间及/或导电行或列与任意接地之间的电容。可根据一个或一个以上感测特性(举例来说，信噪比、敏感度阈值、开始/停止时间、部分扫描、到感测电路的输入波形的电压、感测波形的电流驱动、频率及施加到所接收感测信号的滤波的类型及量)将脉冲信号施加到导电行906c及导电列904c。
接近导电行906c与导电列904c之间的重叠定位导电物体可改变局部静电场，这可减少导电行906c与导电列904c之间的互电容。感测电路910c可通过周期性地检测导电行906c与导电列904c的互电容及/或自电容且比较从默认条件的电容改变来检测接近于传感器区908c的区域而定位(例如，触摸或接近而安置)的导电物体的存在。然而，由下伏显示装置960c产生的电干扰可影响感测装置900c的敏感度。因此，如下文参考图12A到12C所论述，可调整感测装置900c的感测特性以考虑到在寻址电路962c寻址多个显示行966c及多个显示列964c时由显示装置960c产生的电干扰。
图10A及10B展示感测装置的两个实例性实施方案的横截面。图10A展示显示装置1000a的横截面，显示装置1000a包括安置于下伏干涉式显示器1070a上方的感测装置1001a。如上文所论述，感测装置可安置于其它类型的显示器及/或并非显示器的物体上方。在一些实施方案中，感测装置可与不安置于感测装置下方的显示装置相关联。举例来说，感测装置可与邻近所述感测装置而安置的显示装置相关联。
感测装置1001a可包括安置于第一侧上的覆盖层1002a及安置于相对侧上的绝缘层1082a。在一些实施方案中，覆盖层1002a可经配置以保护安置于覆盖层1002a下面的组件且可具有在0.02mm与1.5mm之间的厚度。在其它实施方案中，覆盖层1002a可具有小于20μm且薄至约0.5μm的厚度。在一些实施方案中，绝缘层1082a可包括任何非导电材料且可经配置以将感测装置1001a与下伏干涉式显示器1070a电隔离。
感测装置1001a还可包括大体平行于x轴(在图中展示为左到右)延伸的导电行1006a及大体垂直于导电行1006a且大体平行于y轴(展示为进出所述图的平面)延伸的一组导电列1004a。导电列1004a及导电行1006a可形成传感器阵列1005a，传感器阵列1005a可与一个或一个以上感测电路(未展示)电耦合以形成如上文所论述的感测装置。穿过绝缘层及跨接或穿接分段(未展示)的电通孔允许导电列1004a或导电行1006a的部分分别电连接到导电列1004a或导电行1006a的其它部分，同时避免邻近或重叠的导电行1006a与导电列1004a之间的电短路。
仍参考图10A，干涉式显示器1070a可安置于传感器阵列1005a下方使得入射于显示装置1000a上的光通过传感器阵列1005a而朝向干涉式显示器1070a。干涉式显示器1070a可包括吸收器层1016a(例如，部分反射且部分透射层)及通过一个或一个以上柱1018a从吸收器层1016a偏移的可移动反射器层1014a。一个或一个以上光学共振腔1019a可安置于吸收器层1016a与可移动反射器层1014a之间。如上文所论述，关于参考图1到8E中的一些图所描述的可移动反射层，可在至少两个状态之间驱动可移动反射器层1014a以改变从显示装置1000a反射的光的波长。因此，寻址电路可通过在第一状态与第二状态之间驱动可移动反射器层1014a来寻址干涉式显示器1070a。
图10B示意性地图解说明显示装置1000b的另一实施方案，显示装置1000b并入有安置于下伏干涉式显示器1070b上方的感测装置1001b。在此实施方案中，传感器阵列1005b可包括安置于一组导电行1006b与一组导电列1004b之间的第二绝缘层1084b。第一绝缘层1082b及第二绝缘层1084b可包括经配置以将导电行1006b及导电列1004b彼此隔离且使其与吸收器层1016b隔离的任何绝缘或电介质材料。第一绝缘层1082b及第二绝缘层1084b可为光学透明的以允许光通过其而不显著吸收。另外，第一绝缘层1082b及第二绝缘层1084b的折射率可经选择以抑制通过其的光的反射。举例来说，绝缘层1082b、1084b可与直接安置于这些层上面或下面的材料折射率匹配。此外，在一些实施方案中，任选抗反射层可安置于绝缘层1082b、1084b上面及/或下面。此些抗反射层可由厚度为波长的四分之一、折射率等于直接在抗反射层上面及下面的材料的反射率的乘积的根的材料层形成。在一些实施方案中，绝缘层1082b、1084b及/或任选抗反射层可具有在从1.30到1.60的范围中的折射率。
图11A到11D展示包括自适应寻址架构的触摸感测显示装置的实例。触摸感测显示装置1100可包括可至少部分地安置于显示装置(举例来说，干涉式调制器)上方的传感器区1108。如图11A中所展示，触摸感测显示装置1100可经配置以感测导电物体(举例来说，手指1102)的触摸输入的区域1110。包括于触摸感测显示装置1100中的感测装置可包括一个或一个以上导电行1106及一个或一个以上导电列1104。为清晰起见，图11A及11B图解说明单一导电行1106及单一导电列1104。
如上文参考图9A及9C所论述，感测电路可周期性地将脉冲信号施加到个别导电行1106及导电列1104以检测单独导电行1106与导电列1104之间及/或导电行或列与任意接地之间的电容。接近导电行1106与导电列1104之间的重叠定位手指1102可改变局部静电场，这减少导电行1106与导电列1104之间的互电容。感测电路可通过周期性地检测导电行1106与导电列1104的互电容及/或自电容且比较从默认条件的电容改变来检测接近于传感器区1108的区域1110而定位(例如，触摸或接近而安置)的手指1102的存在。在触摸感测显示装置的一些实施方案中，可使用触摸输入与嵌入式软件交互。举例来说，可使用触摸输入来操纵光标元件以在软件中导览及/或显示手写文本及/或将手写文本键入到存储器中。
现在转到图11B，示意性地图解说明触摸感测显示装置1100，其中光标元件1112显示于图11A的触摸输入的区域1110下方。用户可通过使触摸输入的位置变化来操纵光标元件1112。举例来说，用户可用手指1102触摸传感器区1108使得光标元件1112显示于触摸区域1110下方，且可随后将手指1102移动到传感器区1108的第二区域使得光标元件1112显示于第二区域下方。
在许多实例中，光标元件1112可显示于静态背景图像(例如，网页的图像或字处理文档的图像)上方。在包括反射式显示器(例如，干涉式调制器)的触摸感测显示装置的实施方案中，所述装置可在保持模式中具有较低电力耗散且在寻址显示器时(例如，当刷新显示器时)具有较高电力耗散。由于光标元件的显示可需要连续寻址以反映光标元件的移动，因此现有触摸感测显示装置可在显示光标元件时寻址整个显示区域，从而导致高的电力耗散及电干扰的产生。如下文参考图11C及11D所论述，本文中所揭示的触摸感测装置的实施方案可并入有自适应寻址架构以在仅连续寻址显示器的一部分时限制电力耗散及电干扰。
图11C示意性地图解说明可由触摸感测显示装置1100的寻址电路寻址以显示光标元件1112的显示行1106a及显示列1104a。触摸感测显示装置1100可包括多个显示行1106及多个显示列1104使得可寻址装置的其它部分以显示图像。然而，如果显示器的除了光标元件1112之外的部分为静态的，那么自适应寻址电路可仅连续寻址显示行1106a及显示列1104a以显示动态光标元件1112而不连续寻址显示器的静态部分。因此，在触摸感测显示装置中并入自适应寻址架构可通过响应于触摸输入而仅寻址显示器的一部分来限制电力耗散及电干扰。在一些实施方案中，可连同显示行1106a及显示列1104a一起连续寻址邻近显示行1106a的一个或一个以上显示行1106及邻近显示列1104a的一个或一个以上显示列1104以确保甚至在触摸输入稍微偏离区域1110时也连续显示光标元件1112。在此些实施方案中，可通过不寻址从显示行1106a偏移的其它显示行1106且通过不寻址从显示列1104a偏移的显示列1104来减少电力耗散及电干扰。
图11D示意性地图解说明图11A到11C的触摸输入的光标元件1112从第一位置到第二位置的操纵。图11D包括在第一位置中的表示图11C的光标元件1112的第一光标元件1112a及在第二位置中的表示图11C的光标元件1112的第二光标元件1112b。如所展示，可通过寻址显示行1106a及显示列1104a来显示第一光标元件1112a。类似地，可通过寻址显示行1106b及显示列1104b来显示第二光标元件1112b。在光标元件1112从第一位置移动到第二位置时，自适应寻址电路可仅寻址对应于用户的触摸输入的那些显示行1106及列1104使得不寻址其它显示行及列。以此方式，自适应寻址电路可限制电力耗散及电干扰。限制电干扰可允许增加的感测敏感度且增加感测速度。在一些实施方案中，感测装置可基于光标元件的较早移动路径的轨迹来预测光标元件的移动路径。可由感测电路将触摸输入路径预测提供到自适应寻址电路以增加触摸感测显示装置的寻址速度及/或进一步限制电力耗散及/或电干扰。
如上文所论述，本文中所揭示的触摸感测显示装置的一些实施方案可包括自适应寻址架构以限制电力耗散及/或电干扰。此外，触摸感测显示装置的一些实施方案可包括自适应感测架构。自适应感测架构可包括感测电路，所述感测电路至少部分地基于寻址电路的寻址特性及/或相关联显示器的电干扰特性而调整感测装置的感测特性。因此，可实施自适应感测架构以随着显示器的寻址特性改变来调整感测性能。在一些实施方案中，寻址特性可包括部分更新、更新速度、识别寻址区、高电压寻址、低电压寻址、高分段驱动、低分段驱动、线反转、点反转、帧反转及分辨率。
在一些实施方案中，感测特性可包括信噪比、敏感度阈值、开始/停止时间、部分扫描、到感测电路的输入波形的电压、感测波形的电流驱动、频率及施加到所接收感测信号的滤波的类型及量。在一个实例中，调整显示器的寻址特性可增加显示器的电干扰特性且感测电路可基于增加的电干扰特性及/或基于经调整的寻址特性而降低感测特性(举例来说，敏感度阈值)。因此，可连同由寻址特性改变产生的电干扰改变一起调整感测装置的性能。在另一实例中，调整显示器的寻址特性可降低显示器的电干扰特性且感测电路可基于经降低的电干扰特性及/或基于经调整的寻址特性而增加感测特性。在另一实例中，感测定时与寻址定时可彼此干扰。在此实例中，如果寻址频率或其谐波中的一者接近于感测频率，那么电干扰特性将增加。为了限制及/或降低电干扰特性，可调整寻址频率或感测特性中的任一者。举例来说，如果调整寻址频率以适应到系统的视频输入速率的改变很重要，那么可改变感测频率。或者，如果寻址波形的振幅增加以适应环境条件(例如，温度)的改变，那么电干扰特性可增加。在此实例中，感测特性可经调整以需要更多平均化及/或感测电路可发送出更大电压脉冲。
图12A展示具有自适应感测及/或自适应寻址架构的触摸感测显示装置的实例。图12的触摸感测显示装置1250c类似于图9C的触摸感测显示装置950c。然而，寻址电路962c与感测电路910c可(举例来说)经由连接980彼此通信。在一些实施方案中，寻址电路962c可从感测电路910c接受输入及/或感测电路910c可从寻址电路962c接受输入。
在一些实施方案中，感测电路910c可至少部分地基于从寻址电路962所接收的输入而调整感测装置900c的感测特性。在一些实施方案中，感测电路910c对感测特性的调整可基于通过寻址电路962c对寻址特性的调整而变更的电干扰特性。如下文参考图12B及12C所论述，感测电路910c对感测特性的调整可基于一个或一个以上查找表。举例来说，寻址电路962c可增加寻址特性，例如可增加由显示器产生的电干扰的分辨率。感测电路910c可从寻址电路接收关于对寻址特性的调整及/或关于电干扰的增加的输入且可相应地调整感测特性。因此，感测电路910c可至少部分地基于对寻址特性的调整响应于电干扰的改变而调整感测特性。在一些实施方案中，感测电路910c可感测电干扰的改变且至少部分地基于所感测的改变而调整感测特性。
在一些实施方案中，寻址电路962c可至少部分地基于从感测电路910c所接收的输入而调整显示装置960c的寻址特性。在一些实施方案中，寻址电路962c对寻址特性的调整可基于由感测电路910c提供到寻址电路962c的触摸输入。在一个实例中，可将对应于传感器区908c的区域的触摸输入提供到寻址电路962c，使得仅寻址对应于传感器区908c的区域的显示行966c及显示列964c而不寻址所述显示器的其它部分。以此方式，寻址电路962c可至少部分地基于从感测电路910c所接收的输入来限制显示装置960c的电力耗散及其所产生的电干扰。
在一些实施方案中，触摸感测显示装置1250c可包括自适应感测架构及自适应寻址架构两者。在一些此类实施方案中，感测电路可检测触摸输入的位置且将所述位置提供到寻址电路。所述寻址电路可至少部分地基于触摸输入而改变显示器的寻址特性。举例来说，寻址电路可调整显示器的寻址特性(举例来说，部分更新)使得光标元件显示于触摸输入下方而显示器的其余部分包括静态图像。感测电路可接收识别经调整的寻址特性及/或识别由所述寻址特性导致的干扰改变的信息。所述感测电路可至少部分地基于所接收信息而调整感测特性。在一些实施方案中，感测电路可响应于经调整的寻址特性及/或响应于显示器的电干扰特性而调整显示器的被扫描的部分。举例来说，当寻址电路显示光标元件时，感测电路可仅部分地扫描显示器的包括光标元件的区及/或增加显示器的包括光标元件的区的扫描速率。
图12B及12C展示可用于图12A的触摸感测显示装置中的查找表的实例。图12B展示查找表1280b的实例，查找表1280b包括寻址特性输入列1282b及感测特性输出列1284b。寻址特性输入列1282b可包括可由寻址电路调整且提供到感测电路的各种寻址特性。为清晰起见，由若干数字识别包括于寻址特性输入列1282b中的寻址特性，其中每一数字对应于一寻址特性，举例来说，部分更新、更新速度、识别寻址区、高电压寻址、低电压寻址、高分段驱动、低分段驱动、线反转、点反转、帧反转及分辨率。在一些实施方案中，包括于寻址特性输入列1282b中的每一寻址特性可为相同类型。举例来说，寻址特性输入列1282b中的每一寻址特性可为显示器的一部分的分辨率。在一些实施方案中，包括于寻址特性输入列1282b中的寻址特性可包括不同类型的寻址特性。这些寻址特性中的每一者可任选地由寻址电路在寻址显示器时变更且可导致由显示器产生的干扰改变。
感测特性输出列1284b可包括对应于寻址特性输入列1282b中的一个或一个以上寻址特性的各种感测特性。作为一实例，包括于感测特性输入列1284b中的感测特性被识别为部分扫描特性。然而，包括于感测输入列1284b中的感测特性可为不同类型，举例来说，部分扫描特性及频率。另外，在一些实施方案中，多个感测特性可对应于寻址特性输入列1282b中的单个寻址特性输入。因此，感测电路可基于从寻址电路所接收的一个或一个以上寻址特性输入来调整不同类型的感测特性及/或多种感测特性。
图12C展示查找表1280c的实例，查找表1280c包括干扰特性输入列1283c及感测特性输出列1284c。干扰特性输入列1283c可包括可受寻址电路影响且提供到感测电路的各种干扰特性(例如，电干扰特性)。为清晰起见，由若干数字识别包括于干扰特性输入列1283c中的干扰特性，其中每一数字对应于一干扰特性。在一些实施方案中，干扰可随着沿干扰特性输入列1283c移动而增加。这些干扰特性中的每一者可任选地由寻址电路在寻址显示器时影响且可通过变更接近一个或一个以上感测元件的局部静电场来影响触摸传感器装置的性能。
感测特性输出列1284c可包括对应于干扰特性输入列1283c中的一个或一个以上干扰特性的各种感测特性。作为实例，包括于感测特性输入列1284c中的感测特性被识别为频率或取样速率。然而，包括于感测输入列1284c中的感测特性可为不同类型，举例来说，部分扫描特性及频率。另外，在一些实施方案中，多个感测特性可对应于干扰特性输入列1283c中的单个寻址特性输入。因此，感测电路可基于干扰特性输入而调整不同类型的感测特性及/或多个感测特性。
查找表1280b、1280c可经编程以包括预设输入及输出及/或可由用户输入编程以改变输入及输出。查找表1280b、1280c可存储于耦合到寻址电路的一个或一个以上存储装置中。或者，寻址电路可硬连线到查找表1280b、1280c中所陈述的值。在操作中，寻址电路可根据一个或一个以上寻址特性来寻址显示器。用以在给定时间寻址显示器的寻址特性可导致可影响感测性能的干扰。因此，可由寻址电路接收寻址特性及/或干扰特性。感测电路可至少部分地基于如查找表(举例来说，图12B及12C的查找表1280b、1280c)中所陈述的所接收寻址特性及/或干扰特性而任选地调整感测特性。查找表1280b、1280c可存储于耦合到感测电路的一个或一个以上存储装置中。或者，感测电路可硬连线到查找表1280b、1280c中所陈述的值。在一些实施方案中，感测电路可基于寻址特性输入查找表(例如，表1280b)而调整感测特性。在一些实施方案中，感测电路可基于干扰特性输入查找表(例如，表1280c)而调整感测特性。在一些实施方案中，感测电路可基于干扰特性输入查找表及寻址特性输入查找表而调整感测特性。以此方式，可通过一个或一个以上查找表来确定感测电路对感测特性的调整。
图13展示供与触摸感测显示装置一起使用的过程的实例。如框1301中所展示，实例性过程1300可包括调整显示器的至少一个寻址特性，其中调整所述至少一个寻址特性变更显示器的干扰特性。经调整的寻址特性可包括(举例来说)识别寻址区或更新速度。
如框1303中所展示，实例性过程1300可包括至少部分地基于寻址特性或干扰特性而调整触摸传感器的至少一个感测特性。在一些实施方案中，经调整的感测特性可包括(举例来说)信噪比、敏感度阈值、开始/停止时间、部分扫描、到感测电路的输入波形的电压、感测波形的电流驱动、频率及施加到所接收感测信号的滤波的类型及/或量。在一些实施方案中，调整所述至少一个寻址特性可降低干扰特性且调整感测特性可增加感测特性。在一些实施方案中，调整至少一个寻址特性可增加干扰特性且调整感测特性可降低感测特性。实例性过程1300还可包括基于经调整的感测特性进行感测，如框1305中所展示。
图14A及14B展示图解说明包括多个干涉式调制器的显示装置40的系统框图的实例。举例来说，显示装置40可为蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其轻微变化形式也为对各种类型的显示装置的说明，例如，电视、电子阅读器及便携式媒体播放器。
显示装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41可由多种制造工艺中的任一者形成，包括注射模制及真空形成。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，包括(但不限于)：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包括可装卸部分(未展示)，其可与其它不同色彩或含有不同标识、图片或符号的可装卸部分互换。
显示器30可为多种显示器中的任一者，包括本文中所描述的双稳态或模拟显示器。显示器30还可经配置以包括平板显示器(例如等离子显示器、EL、OLED、STN LCD或TFTLCD)或非平板显示器(例如CRT或其它管式装置)。另外，显示器30可包括干涉式调制器显示器，如本文中所描述。
在图14B中示意性地图解说明显示装置40的组件。显示装置40包括外壳41，且可包括至少部分地包封于其中的额外组件。举例来说，显示装置40包括网络接口27，网络接口27包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以对信号进行调节(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。电力供应器50可按特定显示装置40设计的需要而向所有组件提供电力。
网络接口27包括天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。网络接口27还可具有一些处理能力以减轻(例如)处理器21的数据处理要求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据包括IEEE 16.11(a)、(b)或(g)的IEEE 16.11标准或包括IEEE 802.11a、b、g或n的IEEE 802.11标准发射及接收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据蓝牙标准发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况中，天线43经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用包无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、地面中继无线电(TETRA)、宽带CDMA(W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、1×EV-DO、EV-DO修订版A、EV-DO修订版B、高速包接入(HSPA)、高速下行链路包接入(HSDPA)、高速上行链路包接入(HSUPA)、演进高速包接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS或用于在无线网络内(例如利用3G或4G技术的系统)通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信号使得其可由处理器21接收及进一步操纵。收发器47还可处理从处理器21接收的信号使得其可经由天线43从显示装置40发射。
在一些实施方案中，可由接收器来替换收发器47。另外，可由图像源来替换网络接口27，所述图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。处理器21可控制显示装置40的总体操作。处理器21从网络接口27或图像源接收数据(例如经压缩图像数据)，且将所述数据处理成原始图像数据或处理成容易被处理成原始图像数据的格式。处理器21可将经处理数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常指代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。举例来说，此些图像特性可包括色彩、饱和度及灰度级。
处理器21可包括用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节硬件52可包括用于向扬声器45发射信号及从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入于处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，且可适当地将原始图像数据重新格式化以供高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据流，使得其具有适合于跨越显示阵列30进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。虽然驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常作为独立的集成电路(IC)与系统处理器21相关联，但可以许多方式实施此些控制器。举例来说，可将控制器作为硬件嵌入于处理器21中、作为软件嵌入于处理器21中或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化的信息且可将视频数据重新格式化成一组平行波形，所述组平行波形每秒许多次地施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百条且有时数千条(或更多)引线。
在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适于本文中所描述的显示器类型中的任一者。举例来说，驱动器控制器29可为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，IMOD显示器驱动器)。此外，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包括IMOD阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成在一起。此实施方案在高度集成系统(例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器)中为常见的。
在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(例如)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包括小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、摇杆、触敏屏或者压敏或热敏膜。麦克风46可配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，可使用通过麦克风46所做的话音命令来控制显示装置40的操作。
电力供应器50可包括如此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，电力供应器50可为可再充电电池，例如镍-镉电池或锂离子电池。电力供应器50还可为可再生能源、电容器或太阳能电池，包括塑料太阳能电池或太阳能电池涂料。电力供应器50还可经配置以从壁式插座接收电力。
在一些实施方案中，控制可编程性驻存于驱动器控制器29中，驱动器控制器29可位于电子显示系统中的数个位置中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻存于阵列驱动器22中。上文所描述的优化可以任何数目个硬件及/或软件组件且以各种配置实施。
可将结合本文中所揭示的实施方案描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及算法步骤实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。已就功能性大体描述且在上文所描述的各种说明性组件、框、模块、电路及步骤中图解说明了硬件与软件的可互换性。此功能性是以硬件还是软件实施取决于特定应用及对总体系统强加的设计约束。
可借助通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述的功能的其任一组合来实施或执行用于实施结合本文中所揭示的方面所描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块及电路的硬件及数据处理设备。通用处理器可为微处理器或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、一个或一个以上微处理器与DSP核心的联合或任何其它此种配置。在一些实施方案中，可通过给定功能特有的电路来执行特定步骤及方法。
在一个或一个以上方面中，可以硬件、数字电子电路、计算机软件、固件(包括本说明书中所揭示的结构及其结构等效物)或以其任一组合来实施所描述的功能。本说明书中所描述的标的物的实施方案还可实施为编码于计算机存储媒体上以用于由数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作的一个或一个以上计算机程序，即，一个或一个以上计算机程序指令模块。
所属领域的技术人员可容易明了对本发明中所描述的实施方案的各种修改，且本文中所定义的类属原理可应用于其它实施方案，此并不背离本发明的精神或范围。因此，本发明并非打算限制于本文中所展示的实施方案，而是被赋予与本文中所揭示的权利要求书、原理及新颖特征相一致的最宽广范围。词语“示范性”在本文中专用于意指“用作实例、例子或图解说明”。在本文中描述为“示范性”的任何实施方案未必解释为比其它实施方案优选或有利。另外，所属领域的技术人员将容易了解，术语“上部”及“下部”有时为了便于描述各图而使用，且指示对应于图在经恰当定向的页面上的定向的相对位置，且可能不反映如所实施的IMOD的恰当定向。
还可将在本说明书中在单独实施方案的背景中描述的某些特征以组合形式实施于单个实施方案中。相反地，还可将在单个实施方案的背景中描述的各种特征单独地或以任一适合子组合的形式实施于多个实施方案中。此外，虽然上文可将特征描述为以某些组合的形式起作用且甚至最初如此主张，但在一些情况中，可从所主张的组合去除来自所述组合的一个或一个以上特征，且所主张的组合可针对子组合或子组合的变化形式。
类似地，尽管在图式中以特定次序来描绘操作，但并不应将此理解为需要以所展示的特定次序或以循序次序来执行此些操作或执行所有所图解说明的操作来实现所要结果。此外，所述图式可以流程图的形式示意性地描绘一个以上实例性工艺。然而，可将其它并未描绘的操作并入于示意性地图解说明的实例性工艺中。举例来说，可在所图解说明的操作中的任一者之前、之后、同时或之间执行一个或一个以上额外操作。在某些情形中，多任务化及并行处理可为有利的。此外，不应将上文所描述的实施方案中的各种系统组件的分离理解为在所有实施方案中均需要此分离，且应理解，一般来说，可将所描述的程序组件及系统一起集成于单个软件产品中或封装成多个软件产品。另外，其它实施方案在以上权利要求书的范围内。在一些情况中，可以不同次序执行权利要求书中所叙述的动作且其仍实现所要的结果。

Claims (31)

1.一种触摸传感显示装置，其包含：
触摸传感器；
显示装置，其布置于所述触摸传感器的至少一部分下面；
寻址电路，其能够根据所述显示装置的至少一个寻址特性寻址所述显示装置的多个显示行，其中所述寻址引起所述显示装置的干扰特性的变化；及
感测电路，其能够至少部分地基于所述干扰特性的变化而调整所述触摸传感器的至少一个感测特性，其中所述至少一个感测特性包含取样速率或敏感度阈值。
2.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述感测电路能够基于所述至少一个寻址特征或所述干扰特性而进行感测。
3.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述寻址使所述干扰特性增加。
4.根据权利要求3所述的触摸传感显示装置，其中所述感测电路经配置以降低所述至少一个感测特性。
5.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述寻址使所述干扰特性降低。
6.根据权利要求5所述的触摸传感显示装置，其中所述感测电路经配置以增加所述至少一个感测特性。
7.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述至少一个感测特性包含信噪比。
8.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述寻址特性包含识别寻址区的信息。
9.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述寻址特性包含更新速度。
10.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其中所述显示装置包含干涉式调制器。
11.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其进一步包含存储于耦合到所述感测电路的一个或一个以上存储装置中的查找表，其中所述查找表包括所述至少一个寻址特性及所述至少一个感测特性。
12.根据权利要求1所述的触摸传感显示装置，其进一步包含：
处理器，其能够与所述显示装置通信，所述处理器能够处理图像数据；及
存储器装置，其能够与所述处理器通信。
13.根据权利要求12所述的触摸传感显示装置，其进一步包含：
驱动器电路，其经配置以将至少一个信号发送到所述显示装置。
14.根据权利要求13所述的触摸传感显示装置，其进一步包含能够将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
15.根据权利要求12所述的触摸传感显示装置，其进一步包含能够将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
16.根据权利要求15所述的触摸传感显示装置，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。
17.根据权利要求12所述的触摸传感显示装置，其进一步包含能够接收输入数据且将所述输入数据传递到所述处理器的输入装置。
18.根据权利要求17所述的触摸传感显示装置，其中所述输入装置包含触摸传感器。
19.一种触摸传感显示装置，其包含：
用于感测触摸输入的装置；
用于显示信息的装置，其布置于所述感测装置的至少一部分下面；
用于寻址所述用于显示信息的装置；
用于调整所述用于显示信息的装置的至少一个寻址特性的装置，其中调整所述至少一个寻址特性变更所述用于显示信息的装置的干扰特性；及
用于至少部分地基于所述寻址特性及所述干扰特性中的至少一者而调整所述感测装置的至少一个感测特性的装置。
20.根据权利要求19所述的装置，其中所述寻址装置包含寻址电路。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述感测装置包含感测电路。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述感测装置能够基于经调整的感测特性而进行感测。
23.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述寻址装置能够调整所述至少一个寻址特性使得所述干扰特性增加。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述感测装置能够降低所述至少一个感测特性。
25.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述寻址装置能够调整所述至少一个寻址特性使得所述干扰特性降低。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中所述感测装置能够增加所述至少一个感测特性。
27.一种供与触摸传感显示装置一起使用的方法，其包含：
调整显示器的至少一个寻址特性，其中所述显示器布置于触摸传感器的至少一部分的下面，其中调整所述至少一个寻址特性变更所述显示器的干扰特性；
至少部分地基于所述寻址特性或所述干扰特性而调整所述触摸传感器的至少一个感测特性；及
基于经调整的感测特性而进行感测。
28.根据权利要求27所述的方法，其中调整所述至少一个寻址特性增加所述干扰特性。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述至少一个感测特性被降低。
30.根据权利要求27所述的方法，其中调整所述至少一个寻址特性降低所述干扰特性。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述至少一个感测特性被增加。
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