CN101465386A - 挠性膜状太阳能电池复层体 - Google Patents

挠性膜状太阳能电池复层体 Download PDF

Info

Publication number
CN101465386A
CN101465386A CNA2008101859040A CN200810185904A CN101465386A CN 101465386 A CN101465386 A CN 101465386A CN A2008101859040 A CNA2008101859040 A CN A2008101859040A CN 200810185904 A CN200810185904 A CN 200810185904A CN 101465386 A CN101465386 A CN 101465386A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
flexible
solar cell
film
membrane material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101859040A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101465386B (zh
Inventor
木内雄三
井野一英
岛户典夫
挂川彩子
松岛充
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hiraoka and Co Ltd
Takashima and Co Ltd
Original Assignee
Hiraoka and Co Ltd
Takashima and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hiraoka and Co Ltd, Takashima and Co Ltd filed Critical Hiraoka and Co Ltd
Publication of CN101465386A publication Critical patent/CN101465386A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101465386B publication Critical patent/CN101465386B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种可防止导电部吸湿并可防止发电输出量减小的挠性防水性膜状太阳能电池复层体。其中,在挠性防水性支撑膜材(5)上接合太阳能电池层(1),依次将挠性粘接性树脂层(9)及挠性表面保护薄膜层(10)覆盖到太阳能电池层上,并进一步向其外侧延伸,从而接合在所述支撑膜材(5)上,将太阳能电池层密封,由导电部防湿层直接地、或者经由所述树脂层(9)而间接地覆盖太阳能电池层中的阳、阴两极导电部,根据需要在所述树脂层(9)和薄膜层(10)之间形成交联性树脂层(6)。

Description

挠性膜状太阳能电池复层体
技术领域
本发明涉及一种挠性膜状太阳能电池复层体。进一步详细来说,本发明涉及一种包含挠性太阳能电池单元、且防湿性和防水性优异的挠性膜状太阳能电池复层体。本发明的挠性膜状太阳能电池复层体作为需要卷起或者弯曲来进行搬运或者收纳的大型帐篷结构物、帐篷仓库、遮阳帐篷、屋形帐篷、农业用房、卡车车篷、百叶窗等的构成部件是有用的。
背景技术
太阳能电池的能源是太阳,因而是取之不尽的,不像化石能量那样地能源会枯竭,因此太阳能电池作为对环境零负荷的、对防止全球变暖贡献度最高的清洁能量而受到期待。另外,非晶硅太阳能电池具有可以实现薄型且轻量、制造成本低、容易制成大面积等优点,因此认为会成为今后太阳能电池的主流。
现有的太阳能电池使用玻璃基板,但是从轻质化、施工性、大量生产性方面考虑,将塑料薄膜或者金属薄膜等用作基板的挠性型太阳能电池可以通过利用其柔性的辊对辊(roll to roll)式的制造方法进行大量生产。
对于现有的太阳能电池在建筑物上的使用,是将单晶硅及多晶硅太阳能电池置于屋顶的屋顶放置型太阳能电池,是在屋顶上设置支撑架再在支撑架上固定支撑太阳能电池的方法,而近年来逐渐采用直接在屋顶组装太阳能电池的方法。但是,实际情况是,由于这些方法均使用由玻璃基板构成的模块,因而在作业性、施工性方面存在困难。
另一方面,正在通过将薄膜状柔性太阳能电池在被称作屋顶防水片材的硫化橡胶类、氯乙烯类和沥青类非硫化橡胶等高分子片材的上表面一体化,从而来解决上述问题。但是,如果要得到所希望的柔性,则存在保护太阳能电池的发电元件的材料限于有机材料的缺点。其结果引起防湿性、耐气候性、附着性等降低,从而缩短了太阳能电池的寿命。作为用于改善上述缺点的表面保护材料,已经提出了在氟树脂薄膜表面上形成有氧化硅薄膜的片材(例如,专利文献1)。此外,还提出了将透明的聚氯三氟乙烯树脂薄膜用作表面保护薄膜的方法(例如,专利文献2)。
虽然对利用有机材料来提高防湿性的方法进行了各种研究,但现状是对于与具有所希望的柔性的太阳能电池单元一体化了的膜材,在耐久性方面仍不够。
使得太阳能电池发电输出降低的原因多种多样,但主要是下述原因。
(1)电极部的吸湿:
由于电极部吸湿,电阻值增大,随之最大输出工作电压也降低。结果导致发电输出减小。
由于太阳能电池模块由至少1个单位以上的太阳能电池单元排列构成,因此需要连接各太阳能电池单元的阳极部、阴极部各自的线状集电极。因此,可以将具有导电性粘合剂的导线粘贴在集电极上制成输出用导线。
因此,必需改善因导电性粘合剂的粘合剂层的吸湿而导致电极部电阻值的增大、结果导致发电输出的减小。
(2)由挠性表面保护薄膜层引起的吸湿:
为了防止太阳能电池单元的吸湿,一般经由粘接性树脂来覆盖表面保护薄膜,但在进行了耐湿性试验以及耐气候性试验等的耐久性试验之后,其层间界面的附着性降低,通过从该部分的吸湿,发电输出减小。
因此尤其需要改善表面保护薄膜层与防水性膜材之间的附着耐久性。
专利文献1:日本特开平10-308521号公报
专利文献2:日本特开2006-100527号公报
发明内容
本发明解决了现有的挠性太阳能电池结构体的上述问题点,提供了一种挠性膜状太阳能电池复层体,其在实用上具有充分的挠性,且耐久性高,电极部分无吸湿或吸湿少,并且防止吸湿结构的附着耐久性高。
本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的特征在于,其包含:挠性防水性支撑膜材5;太阳能电池层1,其留出该挠性防水性支撑膜材的边缘部地配置并接合在该挠性防水性支撑膜材的内侧部上;挠性表面保护薄膜层10,其覆盖上述太阳能电池层的整个表面,并进一步向上述太阳能电池层的外侧连续地延伸,与上述挠性防水性支撑膜材的边缘部接合;以及挠性粘接性树脂层9,其将被上述挠性表面保护薄膜层覆盖的上述太阳能电池层的整个表面以及上述挠性防水性支撑膜材的边缘部粘接到上述挠性表面保护薄膜层上。上述太阳能电池层1包含1个以上的挠性太阳能电池模块1A;上述每个太阳能电池模块1A包含1个以上的太阳能电池单元1a和1个集电连接器1b;在上述集电连接器1b上配置有构成1对的阳极集电极3和阴极集电极4;上述太阳能电池单元1a经由阳极导电部7a与上述阳极集电极连接,并经由阴极导电部7b与上述阴极集电极连接;并且,至少上述阳极导电部7a和上述阴极导电部7b被导电部防湿层8直接地、或者经由上述挠性粘接性树脂层9而间接地覆盖。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述导电部防湿层8由选自金属蒸镀聚酯薄膜、金属层与绝缘性树脂薄膜的层叠薄膜以及金属氧化物蒸镀聚酯薄膜中的一种以上的薄膜形成。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述挠性表面保护薄膜层10具有上述太阳能电池层的总表面积的120~200%的面积,并且将覆盖上述太阳能电池层的上述挠性粘接性树脂层完全覆盖,并进一步向上述挠性粘接性树脂层的外侧延伸,接合到上述挠性防水性支撑膜材上。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述挠性表面保护薄膜层10包含至少1层的透明含氟树脂薄膜、透明性金属氧化物蒸镀聚酯薄膜、以及将它们互相接合的紫外线屏蔽性粘接剂层。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述挠性粘接性树脂层9由包含交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的交联生成树脂的薄膜形成,覆盖上述太阳能电池层的至少表面侧的总表面积,并进一步向上述太阳能电池层的外侧延伸,接合到上述挠性防水性支撑膜材上。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述挠性粘接性树脂层9进一步向上述太阳能电池层1与上述挠性防水性支撑膜材5之间延伸,将上述太阳能电池层的背面侧与上述挠性防水性支撑膜材粘接。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述太阳能电池层1包含多个挠性太阳能电池模块1A,这些挠性太阳能电池模块各自分离地被配置并接合在上述挠性防水性支撑膜材5的内侧部上;上述挠性表面保护薄膜层覆盖各挠性太阳能电池模块,并进一步向上述挠性太阳能电池模块的外侧延伸,与上述挠性防水性支撑膜材接合。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述阳极导电部7a和阴极导电部7b分别被上述导电部防湿层8直接覆盖。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,直接覆盖上述阳极导电部7a和阴极导电部7b的上述导电部防湿层8具有分别向上述挠性粘接性树脂层9与上述太阳能电池层1之间、以及上述挠性粘接性树脂层9与上述挠性防水性支撑膜材5之间进一步延伸的导电部防湿层延长部分8f、8g。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述导电部防湿层8配置于上述挠性粘接性树脂层9与上述挠性表面保护薄膜层10之间,由此上述阳极导电部7a和阴极导电部7b经由上述挠性粘接性树脂层9而被上述导电部防湿层8间接覆盖。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,经由交联性粘接树脂层6分别接合上述挠性表面保护薄膜层10与上述挠性粘接性树脂层9、以及上述挠性表面保护薄膜层10与挠性防水性支撑膜材的边缘部5a。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述交联性粘接树脂层6含有选自环氧树脂、异氰酸酯化合物以及偶联剂化合物中一种以上的交联剂的固化物。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,优选的是,上述交联性粘接树脂层6含有具有伯胺基的丙烯酸类树脂、或者具有羟基和羧基的氟代烯烃-乙烯基共聚物树脂中的任意一种。
本发明的挠性膜状太阳能电池层叠体在实用上具有充分的挠性,并且,即使在高温高湿环境下使用时以及长期在室外使用时,也可以防止在输出用导线部分的吸湿,而且还可以防止太阳能电池单元的其它发电元件的吸湿,因此可以达到防止发电输出减小的效果。
附图说明
图1:图1-(A)是本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的构成的一例的平面说明图。
图1-(B)是图1-(A)的挠性膜状太阳能电池复层体沿线B-B的截面说明图。
图2是本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的另一例的平面说明图。
图3:图3-(a)是表示用于形成本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的导电部防湿层的薄膜的一例的构成的截面说明图。
图3-(b)是表示用于形成上述导电部防湿层的薄膜的另一例的构成的截面说明图。
图3-(c)是表示用于形成上述导电部防湿层的薄膜的又一例的构成的截面说明图。
图4:图4-(a)是表示用于形成本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的挠性表面保护薄膜层的薄膜的一例的构成的截面说明图。
图4-(b)是表示用于形成上述挠性表面保护薄膜层的薄膜的另一例的构成的截面说明图。
图5是本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的另一例的截面说明图。
图6是本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的又一例的截面说明图。
图7是本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的再一例的截面说明图。
符号说明
1      太阳能电池层
1A     挠性太阳能电池模块
1a     太阳能电池单元
1b     集电连接器
2      梳状电极
3      阳极集电极
4      阴极集电极
5      挠性防水性支撑膜材
6      交联性粘接树脂层
7a     阳极导电部
7b     阴极导电部
8      导电部防湿层
8a     聚酯薄膜
8b     金属蒸镀层
8c     金属箔
8d     绝缘性树脂薄膜
8e     金属氧化物蒸镀层
8f、8g 导电部防湿层的延长部分
9      挠性粘接性树脂层
10     挠性表面保护薄膜层
11     透明性氟类树脂薄膜
12     透明性粘接剂层
13     透明性聚酯薄膜
14     透明性金属氧化物蒸镀层
15     透明性金属氧化物蒸镀聚酯薄膜
具体实施方式
本发明的挠性膜状太阳能电池复层体如图1(A)、(B)所示,包含:挠性防水性支撑膜材5;太阳能电池层1,其留出该挠性防水性支撑膜材的边缘部地配置并接合在其内侧部上;挠性表面保护薄膜层10,其覆盖上述太阳能电池层的整个表面,并进一步向上述太阳能电池层的外侧连续地延伸,与上述挠性防水性支撑膜材的边缘部接合;挠性粘接性树脂层9,其将被上述挠性表面保护薄膜层覆盖的上述太阳能电池层的整个表面以及上述挠性防水性支撑膜材的边缘部粘接到上述挠性表面保护薄膜层上。优选的是,如图1-(B)所示,上述挠性表面保护薄膜层10经由交联性粘接树脂层6分别与上述挠性粘接性树脂层9及挠性防水性支撑膜材的边缘部接合。
上述挠性表面保护薄膜层、交联性粘接树脂层6以及挠性粘接性树脂层9均可透过太阳光。
在图1-(A)、(B)及图2中,太阳能电池层1含有1个或者多个(图1-(A)中1个,图2中多个)挠性太阳能电池模块1A,该挠性太阳能电池模块分别包含1个(图1-(A))或者多个(图2)太阳能电池单元1a、1个集电连接器1b,上述太阳能电池单元1a具有多个梳状电极2,在上述集电连接器1b上配置了构成1对的阳极集电极3和阴极集电极4,上述太阳能电池单元1a经由阳极导电部7a与上述阳极集电极3连接,并经由阴极导电部7b与上述阴极集电极4连接。集电连接器1b的阳、阴两极集电极分别与配置在挠性防水性支撑膜材5的表面侧或者背面侧上的阳极端子及阴极端子(未图示)相连接。
在图1-(A)及(B)中,太阳能电池层1被配置在挠性防水性支撑膜材5的表面上的内侧部并留出边缘部,并且与挠性防水性支撑膜材5接合,挠性表面保护薄膜层10覆盖太阳能电池层1的整个表面,并进一步向太阳能电池层1的外侧延伸,接合在挠性防水性支撑膜材5的边缘部上。此时,挠性表面保护薄膜层10经由挠性粘接性树脂层9与太阳能电池层1及挠性防水性支撑膜材5的边缘部粘接。此外,优选的是,在挠性表面保护薄膜层10与挠性粘接性树脂层9之间、以及挠性表面保护薄膜层10与挠性防水性支撑膜材5的边缘部之间,形成交联性树脂层6。
在图1-(A)及(B)中,挠性太阳能电池单元1a优选为薄膜状非晶硅太阳能电池单元,并且,对构成阳、阴两极导电部7a、7b的导电材料没有特殊限制,但通常使用实施了镀锡的铜丝。各导电部的厚度优选为0.02~1mm,特别是为了具备良好的柔软性及弯曲性,其厚度更优选为0.05~0.5mm。此外,为了将阳、阴两极导电部7a、7b的背面可通电地粘接固定在太阳能电池单元1a及集电连接器1b上,另外为了可通电地连接到阳、阴两极集电极3、4上,优选连续层状地使用导电性粘合剂。
阳、阴极导电部7a、7b被防湿性优异的导电部防湿层8直接地、或者经由上述挠性粘接性树脂层9而间接地完全覆盖,由此可以防止或者减小由吸湿造成的集电效率的降低。并且,优选阳、阴两极集电极也被防湿层覆盖。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,太阳能电池层可以包含2个以上的挠性太阳能电池模块,此时,配置并接合于1片挠性防水性支撑膜材的内侧部上的2个以上的挠性太阳能电池模块被共同的挠性表面保护薄膜层覆盖,在其中间,也可以配置连续的挠性粘接性树脂层以及根据需要配置的交联性树脂粘接层。
此外,如图2所示,在1片挠性防水性支撑膜材5的内侧部上,相互分离的配置并接合2个以上的挠性太阳能电池模块1A,2个以上的挠性太阳能电池模块1A分别被1片挠性表面保护薄膜层10覆盖,挠性表面保护薄膜层也可以进一步向挠性太阳能电池模块的外侧延伸,接合在上述挠性防水性支撑膜材5上。此时,在挠性太阳能电池模块1A与覆盖它的挠性表面保护薄膜层之间,可以形成挠性粘接性树脂层以及根据需要配置的交联性树脂粘接层。由此,在得到的挠性膜状太阳能电池复层体中,在相互分离地配置的多个挠性太阳能电池模块1A的中间部分,能够得到良好的挠性。
上述导电部防湿层是用防湿性薄膜直接或者间接地覆盖阳、阴两极导电部7a、7b的周面而形成的。防湿性薄膜的构成例如图3-(a)、(b)及(c)所示。
此外,将如图3-(a)、(b)及(c)所示的防湿性薄膜单独使用或者合并使用,1)构成如图5所示的例子,通过只覆盖阳、阴两极导电部7a、7b的周面,从而分别在阳极导电部7a和阴极导电部7b上形成导电部防湿层8;2)构成如图6所示的例子,连续的导电部防湿层8覆盖阳、阴两极导电部7a、7b的周面,且覆盖太阳能电池层1的整个表面,并具有进一步向挠性防水性支撑膜材5的表面延伸且覆盖该表面的延长部8f、8g;此外,3)构成如图7所示的例子,连续的挠性粘接性树脂层9覆盖阳、阴两极导电部7a、7b的周面,且覆盖太阳能电池层1的整个表面,并进一步向挠性防水性支撑膜材5的表面延伸且覆盖该表面,连续的导电部防湿层8覆盖在所述连续的挠性粘接性树脂层9的整个表面上,从而间接地覆盖阳、阴两极导电部7a、7b。如图3-(a)所示的导电部防湿层8用防湿性薄膜由聚酯薄膜8a和金属蒸镀层8b构成。
作为在上述聚酯薄膜上蒸镀的金属,优选选自铝、锡、钛、铟、硅、镁、铁、锌、锆、钴、铬、镍等中的金属。此外,作为形成上述金属蒸镀层的方法,可以使用真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法、各种CVD法等任意的方法,但可以特别优选使用真空蒸镀法、溅镀法、CVD法。金属蒸镀层的厚度优选为5~500nm,更优选为10~200nm。
如图3-(b)所示的导电部防湿层8用防湿性薄膜是在绝缘性树脂薄膜8d上粘贴有金属箔8c的薄膜。作为这种金属箔,可以优选使用金、银、铂、钯、铝、铜、不锈钢等。此外,作为绝缘性树脂薄膜,可以使用普通的热塑性树脂薄膜或者热固化性树脂薄膜。作为热塑性树脂薄膜,可以优选使用聚氯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚缩醛树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂等的薄膜。另一方面,作为热固化性树脂,可以优选使用酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂等的薄膜。为了增强金属箔与绝缘性树脂薄膜的粘接性,可以使用聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等作为粘接剂。此外,通过对绝缘性树脂薄膜实施电晕处理、臭氧处理、等离子体处理等前处理,也可以提高与金属箔的粘接性。
金属箔的厚度优选为1~100μm,更优选为10~50μm。
如图3-(c)所示的导电部防湿层8用防湿性薄膜是在聚酯薄膜8a上蒸镀有金属氧化物蒸镀层8e的薄膜。此时,作为在聚酯薄膜上蒸镀的金属氧化物,可以使用硅、铝、镁、钙、钾、钠、硼、钛、锆、钇等金属的氧化物。特别优选的是氧化硅、氧化铝、氧化镁。
作为形成上述蒸镀层的方法,可以使用真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、各种CVD法等任意的方法,特别优选使用真空蒸镀法、溅镀法、CVD法。金属氧化物蒸镀层的厚度优选为5~500nm,更优选为10~200nm。
上述防湿性薄膜优选用于防湿覆盖阳、阴两极集电极、用于防湿覆盖太阳能电池单元、或用于一起覆盖阳、阴两极集电极和太阳能电池单元,更优选具有透光性。
作为形成上述挠性粘接性树脂层9的挠性粘接性树脂,优选使用交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物组合物。乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂中,乙酸乙烯酯的结构单元的含量为1~40mol%、优选为10~35mol%的共聚物树脂可以在树脂的耐气候性、透明性、机械特性方面平衡性良好地使用。另外,在乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂组合物中,为了提高耐气候性,混合交联剂使其具有交联结构,作为该交联剂,一般可以优选使用在100℃以上产生自由基的有机过氧化物。作为这种有机过氧化物,例如可以使用过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-二(叔丁基过氧化)己烷、1,1′-二叔丁基过氧化-3,3,5-三甲基环己烷、1,3-二(叔丁基过氧化)二异丙基苯等。一般来说,这些有机过氧化物的混合量相对于100重量份乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂优选为5重量份以下,更优选为1~3重量份。上述挠性粘接性树脂可以在120~170℃的温度、1Torr以下的压力下熔融,可以填充太阳能电池层和挠性表面保护薄膜层之间的空隙并交联固化。
此外,优选情况下,上述挠性粘接性树脂层覆盖上述太阳能电池层的至少表面侧的总表面积,并且向其外侧延伸,与上述挠性防水性支撑膜材接合。上述挠性粘接性树脂层在只覆盖太阳能电池层的表面侧的状态下,上述挠性粘接性树脂层的表面积优选为太阳能电池层的总表面积的105~150%。上述挠性粘接性树脂层的表面侧面积及太阳能电池层的表面积是指在各自的俯视图中的面积。
如果挠性粘接性树脂层的面积低于太阳能电池层的表面侧的总表面积的105%,则挠性粘接性树脂层对太阳能电池层的覆盖保护会不完全,此时太阳能电池层的覆盖不完全的部分发生吸湿,进而在太阳能电池单元的发生了吸湿的发电元件中产生由吸湿导致的影响,例如内部电阻的增大,由此导致发电输出量下降。此外,优选情况下,上述挠性粘接性树脂层覆盖上述太阳能电池层的表面侧和背面侧的各个的整个表面,每个都具有上述太阳能电池层的总表面积的105~150%的面积,并进一步向其外侧延伸,与上述挠性防水性支撑膜材接合。此时,如果表面侧或者背面侧的挠性粘接性树脂层的面积低于太阳能电池层的表面积的105%,则会对太阳能电池层的覆盖保护不完全,此时太阳能电池层的覆盖不完全的部分发生吸湿,从而在太阳能电池单元的发生了吸湿的发电元件中产生由吸湿导致的影响,例如内部电阻的增大,由此导致发电输出量下降。并且,如果太阳能电池单元长期接触水分,则会产生发电元件的劣化。此外,当上述面积比大于150%时,挠性粘接性树脂层的面积也会大于挠性表面保护薄膜层的面积,则露出到挠性表面保护薄膜层外侧的挠性粘接性树脂层会被尘埃等污染,从而使得产品外观恶化。
太阳能电池层包含多个挠性太阳能电池模块,这些模块相互分离地配置,当各个模块被相互独立地覆盖时,上述挠性防水性树脂层的表面积优选调整成在每个模块上为该模块的总表面积的105~150%。
挠性表面保护薄膜层优选由透明性氟类树脂薄膜形成。作为这种薄膜形成用透明性氟类树脂,可以使用选自氟乙烯、偏氟乙烯、三氟乙烯、三氟氯乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、氟烷基乙烯基醚及乙烯中的一种的单体聚合物树脂或者两种以上的单体共聚物树脂。特别优选使用防湿性优异的三氟氯乙烯。
挠性表面保护薄膜层的厚度优选为0.03~0.5mm,特别优选为0.05~0.3mm。如果厚度低于0.03mm,则防湿性会不够充分,而如果超过0.5mm,则柔软性会不够充分。挠性表面保护薄膜层的透光率优选为80%以上。如果低于80%,则会导致发电输出降低。
上述挠性表面保护薄膜层10优选具有上述太阳能电池层的总表面积的120~200%的面积,并且对覆盖上述太阳能电池层的上述挠性粘接性树脂层完全覆盖,并进一步向其外侧延伸,与上述挠性防水性支撑膜材接合。上述挠性表面保护薄膜层以及太阳能电池层的面积是指各自在俯视图中的面积。如果挠性表面保护薄膜层的面积低于太阳能电池层的总表面积的120%,则挠性表面保护薄膜层对太阳能电池层及挠性粘接性树脂层的覆盖会不完全,并且与挠性防水性支撑膜材的接合也不充分,由此,太阳能电池层模块吸湿,从而使发电元件的内部电阻增大,导致发电输出降低。而如果其超过200%,则挠性表面保护薄膜层过度覆盖挠性防水性支撑膜材,其结果导致所得到的挠性膜状太阳能电池复层体变得难以缝制。因此,挠性防水性支撑膜材的需要缝制的边缘部,优选留出没有被挠性表面保护薄膜层覆盖的部分。
作为形成挠性表面保护薄膜层10的薄膜,如图4-(a)所示,优选使用透明性氟类树脂薄膜11,更优选使用如图4-(b)所示的透明性薄膜,该透明性薄膜是将在聚酯薄膜13的一面上形成有透明性金属氧化物蒸镀层14的透明性金属氧化物蒸镀聚酯薄膜15,以透明性金属氧化物蒸镀层14与上述透明性氟类树脂薄膜11相对置的方式,经由具有紫外线屏蔽作用的透明性粘接剂层12,与透明性氟类树脂薄膜11的单面接合并一体化而得到的。由含有这样的金属氧化物蒸镀层的层叠结构薄膜形成的挠性表面保护薄膜层也优选具有80%以上的透光率。如果该透光率低于80%,则得到的挠性膜状太阳能电池复层体的发电输出会不够充分。
作为如图4-(b)所示的挠性表面保护薄膜层10的紫外线屏蔽性透明性粘接剂层12用粘接剂,可以使用聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等。此外,可以对透明性氟类树脂薄膜11的粘接面进行电晕放电处理、臭氧处理或者等离子体放电处理,以提高其粘接性。另外,为了防止透明性金属酸化物蒸镀聚酯薄膜13的紫外线劣化,使上述透明性粘接剂层12用粘接剂中含有紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂,可以使用氧化钛、氧化锌、氧化铯等紫外吸收性无机化合物。为了保持挠性表面保护薄膜层的高透明性,这些无机化合物的粒径优选为0.1μm以下。此外,作为紫外吸收剂用有机化合物,可以使用二苯甲酮类、苯并三唑类、草酰苯胺类、氰基丙烯酸酯类以及三唑类紫外线吸收剂。通过并用上述无机类紫外线吸收剂和有机类紫外线吸收剂,可以进一步增强紫外线屏蔽效果。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体中,如图1-(B)所示,优选经由交联性粘接树脂层6分别接合上述挠性表面保护薄膜层10与上述挠性粘接性树脂层9、以及上述挠性表面保护薄膜层10与挠性防水性支撑膜材的边缘部。上述交联性粘接树脂包含粘接树脂成分和交联剂成分,作为交联剂可以使用环氧化合物、异氰酸酯化合物、偶联剂化合物等。
作为上述交联剂用环氧化合物,可以使用双酚A、表氯醇型的环氧类树脂、乙二醇缩水甘油醚、聚乙二醇缩水甘油醚、丙三醇缩水甘油醚、丙三醇三缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、二缩水甘油基苯胺、二缩水甘油基胺、N,N,N′,N′-四缩水甘油基-间苯二甲胺、以及1,3-二(N,N′-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷。此外,也可以使用用螯合剂、聚氨酯树脂、合成橡胶等将上述环氧树脂改性后的环氧树脂。
此外,作为交联剂用异氰酸酯化合物,优选使用:脂肪族二异氰酸酯类,例如六亚甲基二异氰酸酯和赖氨酸二异氰酸酯等;脂环式二异氰酸酯类,例如异佛尔酮二异氰酸酯和氢化甲苯二异氰酸酯等;芳香族二异氰酸酯类,例如甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯及二甲苯二异氰酸酯等;异氰脲酸酯类,例如三(六亚甲基异氰酸酯)异氰脲酸酯和三(3-异氰酸酯甲苄基)异氰脲酸酯等;以及使用酚类、肟类、醇类、内酰胺类等封端剂对上述化合物的异氰酸酯基末端进行封端而得到的封端异氰酸酯等。
另外,作为用作上述交联性粘接树脂的交联剂的偶联剂化合物,可以使用选自硅烷类偶联剂、钛类偶联剂、锆类偶联剂、铝类偶联剂、以及锆铝类偶联剂中的至少一种。作为硅烷类偶联剂,可以列举出:氨基硅烷类,例如γ-氨丙基三乙氧基硅烷和N-苯基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷等;环氧硅烷类,例如γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷及β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等;乙烯基硅烷类,例如乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷等;巯基硅烷类,例如γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
作为钛类偶联剂,可以列举出:烷氧基类,例如四异丙氧基钛、四正丁氧基钛、以及四(2-乙基己氧基)钛等;酰化物类,例如三正丁氧基钛硬脂酸酯(tri-n-butoxytitanium stearate)和异丙氧基钛三硬脂酸酯(isopropoxytitanium tristearate)等。作为锆类偶联剂,可以列举出:例如锆酸四丁酯、四(三乙醇胺)锆酸酯和四异丙基锆酸酯等。作为铝类偶联剂可以列举出:例如乙酰基烷氧基二异丙醇铝(acetoalkoxy aluminumdiisopropylate)。此外,作为锆铝类偶联剂,可以列举出锆铝酸四丙酯(tetrapropyl zircoaluminate)。在上述偶联剂中,从耐湿性、耐光性的观点出发,特别优选使用γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、以及β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等环氧硅烷等的环氧硅烷。
交联性粘接树脂层中含有的交联剂的量相对于交联性粘接树脂层的总质量,优选在0.5~30质量%的范围内。如果交联剂的含量低于0.5质量%,则得到的交联性粘接树脂层的耐水性及粘接性会不够充分。而如果其含量超过30质量%,则得到的交联性粘接树脂层会变硬,从而使得到的挠性膜状太阳能电池复层体的柔软挠性不够充分。
上述交联性粘接树脂层中的粘接树脂成分,优选由选自含有伯胺基的丙烯酸类树脂、或者含有羟基及羧基的氟代烯烃-乙烯基共聚物树脂中的任意一种组成。在具有伯胺基的丙烯酸类树脂中,从反应性、粘接性方面考虑,特别优选的是通过使吖丙啶与丙烯酸类树脂的羧基开环加成从而导入了伯胺基的丙烯酸类树脂。另外,在含有羟基及羧基的氟代烯烃-乙烯基共聚物树脂中,从反应性、耐久性方面考虑,特别优选的是三氟氯乙烯-乙烯基共聚物树脂。
此外,通过电晕处理、臭氧处理以及等离子体处理等对表面保护薄膜层进行前处理,可以提高与交联性粘接树脂的粘接性。
本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的挠性防水性支撑膜材5由挠性防水性片材组成,优选具有0.1~3.0mm的厚度以及150~2500g/m2的单位面积质量。挠性防水性片材根据需要可以含有纤维布帛(织布、编布或无纺布)作为基布。此时,优选在由纤维布帛构成的基布的至少一个面上、更优选在两个面上,涂布或者浸渍挠性防水性合成树脂,从而形成挠性防水树脂层。作为形成基布用纤维布帛的纤维,可以使用选自以下纤维中的至少一种:天然纤维,例如棉、麻等;无机纤维,例如玻璃纤维、碳纤维、金属纤维等;再生纤维,例如粘胶丝、铜氨纤维等;半合成纤维,例如二乙酸纤维及三乙酸纤维等;以及合成纤维,例如尼龙6、尼龙66等的聚酰胺纤维、凯芙拉(Kevlar)等的芳香族聚酰胺纤维、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二酸乙二醇酯等的聚酯纤维(饱和聚酯)以及聚乳酸纤维等的脂肪酸聚酯纤维、聚芳酯纤维、芳香族聚醚纤维、聚酰亚胺纤维、丙烯酸纤维、维尼纶纤维、聚乙烯纤维、聚丙烯纤维等的聚烯烃纤维以及聚氯乙烯纤维等。形成纤维布帛的纤维材料可以是短纤维纺纱、长纤维丝状、裂膜丝、扁丝等任意的形状。另外,纤维性基布的构成可以是织物、编物、无纺布或者它们的复合物中的任意一种。
作为挠性防水性支撑膜材用挠性防水性树脂,可以选自以下树脂:聚氯乙烯树脂、聚烯烃树脂、氯化聚烯烃类树脂、乙烯-乙酸乙烯酯类共聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸酯类共聚物树脂、离聚物类树脂(乙烯-(甲基)丙烯酸酸类共聚物的盐等)、聚氨酯类树脂、聚酯类树脂(包括脂肪族聚酯类树脂)、丙烯酸类树脂、含氟树脂、苯乙烯类共聚物树脂(苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物以及它们的氢化物等)、聚酰胺类树脂、聚乙烯醇类树脂、乙烯-乙烯醇共聚物树脂、硅酮类树脂、以及其它的合成树脂(包括热塑性弹性体)等。上述防水性合成树脂可以单独使用或者作为两种以上的混合物使用。
可以在挠性防水性支撑膜材的表面覆盖防污层。防污层由具有防污性的树脂涂膜形成。作为防污性树脂,例如,可以使用选自以下合成树脂中的至少一种:氟类树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、烯烃类树脂、离聚物类树脂、乙烯-乙酸乙烯酯类共聚物树脂、乙烯-乙烯醇类共聚物树脂、聚乙烯醇类树脂、聚乙烯醇缩丁醛类树脂、纤维素类树脂、聚酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚酰胺类树脂、硅酮类树脂、丙烯酸-硅酮类树脂等。在本发明中,优选使用选自氟类树脂、丙烯酸类树脂中的至少一种。
在本发明挠性膜状太阳能电池复层体中的挠性粘接性树脂层的另一个实施方式中,如图5所示,上述挠性粘接性树脂层9向上述太阳能电池层1和上述挠性防水性支撑膜材5之间延伸,将上述太阳能电池层与上述挠性防水性支撑膜材粘接。这样通过挠性粘接性树脂层的一部分将太阳能电池层的背面侧与挠性防水性支撑膜材粘接,因而可以将太阳能电池层牢固地粘接保持在挠性防水性支撑膜材上,从而可以保护太阳能电池层。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的导电部防湿层8的又一个实施方式中,如图6所示,直接覆盖上述阳极导电部7a和阴极导电部7b的导电部防湿层8分别向上述挠性粘接性树脂层9与上述挠性太阳能电池模块1A之间、以及上述挠性粘接性树脂层9与上述挠性防水性支撑膜材5之间进一步延伸,从而具有导电部防湿层延长部分8f、8g。由此,直接覆盖阳极和阴极导电部7a、7b的2个导电部防湿层8、形成于2个导电部内侧中间的中间导电部防湿层延长部分8f、以及在上述2个导电部防湿层8的外侧延伸至挠性表面保护薄膜层与挠性防水性支撑膜材5的接合部的左右导电部防湿层延长部分8g一体地形成,从而可以将阳极和阴极导电部7a、7b以及太阳能电池模块1A完全覆盖,由此可以提高对太阳能电池模块1A的防湿效果。在图6中,左右导电部防湿层延长部分的末端部延伸至挠性防水性支撑部材5与挠性表面保护薄膜层10及交联性粘接树脂层6的接合部中,但挠性防水性支撑膜材5和挠性表面保护薄膜层10也可以经由延伸至其中的交联性粘接树脂层6接合,或者挠性防水性支撑膜材5也可以与挠性表面保护薄膜层10和交联性粘接树脂层6双方的末端直接接合。
在本发明的挠性膜状太阳能电池复层体的导电部防湿层8的另一个实施方式中,如图7所示,挠性防水性支撑膜材5上的太阳能电池层1及阳极和阴极导电部7a、7b被挠性粘接性树脂层9覆盖,该挠性粘接性树脂层9上形成导电部防湿层8,阳极和阴极导电部7a、7b经由挠性粘接性树脂层9被上述导电部防湿层8间接地防湿覆盖。由此,可以使用防湿性薄膜容易地形成覆盖阳极和阴极导电部7a、7b以及太阳能电池模块1的导电部防湿层8。
在图7中,导电部防湿层8的左右端部延伸至挠性防水性支撑膜材与挠性表面保护薄膜层10及交联性粘接树脂层6的接合部中,但挠性防水性支撑膜材也可以在挠性表面保护薄膜层10的末端经由延伸至其间的交联性粘接树脂层6的末端部进行接合,或者也可以分别与挠性表面保护薄膜层10及交联性粘接树脂层6的末端接合。
实施例
通过以下实施例对本发明的挠性膜状太阳能电池复层体作进一步地说明。
在以下实施例和对比例中制造的电池复层体被用于以下试验。
(1)发电输出的测定
根据JIS-C8935-1995对环境试验前后的试样的发电输出进行测定。
(2)耐湿性
将试样置于85℃、85%RH的环境下,测定放置1000小时后的发电输出保持率(%),并对外观(色泽、薄膜剥落、鼓起、其它)进行如下四个等级的评价。
(外观评价)
4:与测定开始前的状态相比,无变化。
3:发现轻微着色。
2:发现黄变,发现在试样局部发生薄膜(挠性表面保护薄膜层)鼓起、剥落。
1:发现黄变,发现在试样整体上发生薄膜鼓起、剥落。
(3)耐气候性
使用Metal weather超促进耐候试验机,在下述条件下对试样进行紫外线照射后,测定其发电输出保持率,并对外观(色泽、薄膜剥落、鼓起、其它)进行如下四个等级的评价。
(试验条件)
紫外线强度:50(mW/cm2)
L时(光):温度60℃、湿度39%、设定时间4小时
D时(结露):温度60℃、湿度90%以上、设定时间4小时
L时和D时的总时间:8小时
将以上条件作为1个周期,以共计15个周期(120小时)作为1个单位的试验时间,进行共10个单位、1200小时的照射。
(外观评价)
4:与测定开始前的状态相比,无变化。
3:发现轻微着色。
2:发现黄变,发现在试样的局部发生薄膜(挠性表面保护薄膜层)鼓起、剥落。
1:发现黄变,发现在试样整体上发生薄膜鼓起、剥落。
实施例1
将10个单位单元的尺寸是宽度为260mm、长度为80mm的太阳能电池单元串联配置,然后将其与1个集电连接器组装而成挠性太阳能电池模块,将该挠性太阳能电池模块经由后述的粘接树脂层叠在宽度为1000mm、长度为1500mm的挠性防水性支撑膜材的中央部并接合一体化。
作为粘接树脂,使用通过偶联剂化合物(例如环氧类硅烷偶联剂)及环氧树脂(例如尿烷改性的环氧树脂)而交联了的丙烯酸类树脂。
并且,作为挠性防水性支撑膜材的基布用纤维布帛,使用将聚酯纤维丝条(纤维粗细:84dtex)用作经线、纬线的基布平纹织物(单位面积质量:160g/m2、密度:经线40条/25.4mm、纬线50条/25.4mm)。并且,在上述挠性防水性支撑膜材的基布上粘贴下述挠性防水性树脂薄膜。
作为挠性防水性树脂薄膜,采用压延成型法对下述聚氯乙烯树脂组合物进行混练、压延,制成厚度为0.15mm的薄膜。在上述基布的表面上对该薄膜进行165℃、2分钟热压接,制作挠性防水性支撑膜材。该膜材的单位面积质量为500g/m2
此外,在挠性防水性支撑膜材的表面涂布偏氟乙烯类树脂溶液,形成厚度为约10μm的防污层。
氯乙烯树脂                                          100重量份
苯二甲酸酯类增塑剂                                  50重量份
磷酸酯类增塑剂                                      15重量份
环氧类化合物                                        3重量份
Ba-Ca类稳定剂                                       1重量份
芳香族异氰酸酯化合物                                5重量份
苯并三唑类紫外线吸收剂                              0.1重量份
颜料(氧化钛)                                        5重量份
使用在薄膜基板上层叠了非晶硅太阳能电池而成的挠性元件作为太阳能电池单元。
用导电部防湿层形成用铝蒸镀聚酯薄膜(厚度为50μm、铝蒸镀层的厚度:60nm)全面覆盖挠性太阳能电池模块的阳、阴两极导电部。
使用厚度为0.6mm、宽度为300mm、长度为890mm的交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材(具有相对于太阳能电池层面积为120%的面积)形成挠性粘接性树脂层。
使用厚度为50μm、宽度为340mm、长度为970mm的氟类树脂薄膜(相当于太阳能电池单元面积的150%的面积)形成挠性表面保护片材层,并且,在表面保护薄膜层的背面施加交联性粘接树脂。
另外,使用三氟氯乙烯薄膜作为表面保护薄膜。并且,进行电晕处理作为前处理,以提高粘接性。
作为交联性粘接树脂,使用通过含有环氧树脂(例如尿烷改性的环氧树脂)和偶联剂化合物(例如环氧类硅烷偶联剂)的交联剂进行交联而得到的含有伯胺基的丙烯酸类树脂。
在对三氟氯乙烯薄膜的背面进行电晕处理之后,再将该交联性粘接树脂溶液进行凹版式涂敷,形成干燥后厚度为10μm的粘接剂层。
用上述挠性粘接性树脂层用交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材对配置接合于上述挠性防水性支撑膜材的中央部的太阳能电池层进行覆盖,将向该太阳能电池层的外侧延伸出的片材边缘部接合在挠性防水性支撑膜材上,在其上,覆盖带有上述交联性粘接树脂层的挠性表面保护薄膜用氟类树脂薄膜,从而使上述交联性粘接树脂层与上述挠性粘接性树脂层接合,并经由上述交联性粘接树脂层将向上述挠性粘接性树脂层的外侧延伸出的薄膜边缘部接合到挠性防水性支撑膜材上。
将如上所述形成的层叠体在160℃的温度、1Torr的真空下真空加热10分钟,使所有的层粘接一体化,制作挠性膜状太阳能电池复层体,并将其用于上述试验。
通过上述真空加热,挠性粘接性树脂层用交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材发生熔融,填充了太阳能电池层与挠性表面保护薄膜层下的交联性粘接树脂层之间的间隙空间,并且发生交联硬化。
试验结果如表1所示。
实施例2
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,用具有相对于太阳能电池层面积为150%的面积的乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜(厚度为50μm)形成挠性表面保护薄膜层。
试验结果如表1所示。
实施例3
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,用具有相对于太阳能电池层面积为150%的面积的聚氟乙烯薄膜(厚度为50μm)形成挠性表面保护薄膜层。
试验结果如表1所示。
实施例4
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,使用具有相对于太阳能电池层面积为150%的面积、且经由含有苯并三唑类紫外线吸收剂的丙烯酸类粘接剂将氧化硅蒸镀聚酯薄膜(厚度为12μm)层叠在聚偏氟乙烯类薄膜(厚度为50μm)上而得到的层叠薄膜,形成挠性表面保护薄膜层。
试验结果如表1所示。
实施例5
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,作为交联性粘接树脂,使用了通过环氧类硅烷偶联剂及封端异氰酸酯化合物而交联得到的含有羟基和羧基的三氟氯乙烯-乙烯基共聚物树脂。
试验结果如表1所示。
实施例6
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,作为导电部防湿层用防湿薄膜,使用经由丙烯酸类粘合剂将厚度为50μm的铝箔层叠粘合到厚度为100μm的聚氯乙烯树脂薄膜上而得到的层叠薄膜。
试验结果如表1所示。
实施例7
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,作为挠性防水性支撑膜材,使用了以下膜材(单位面积的质量:500g/m2):该膜材是在与实施例1同样的聚酯纤维平纹织物基布的表面上层叠采用压延成型法对具有下述组成的组合物进行混练、压延而形成的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂组合物薄膜(厚度为0.17mm),并在130℃进行2分钟加压、压接而制造得到的。
(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂组合物)
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂                            100重量份
稳定剂(酚类化合物)                                   0.5重量份
颜料(氧化钛)                                         5重量份
试验结果如表1所示。
实施例8
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,在太阳能电池层的表面和背面覆盖厚度为0.6mm、宽度为300mm、长度为890mm的交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材(具有相对于太阳能电池层面积为120%的面积),并在太阳能电池层的两面上设置挠性粘接性树脂层。试验结果如表1所示。
实施例9
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,省略了阳极导电部和阴极导电部的局部性的铝蒸镀聚酯薄膜覆盖。取而代之的是,将氧化硅蒸镀聚酯薄膜(宽度为300mm、长度为890mm、厚度为50μm、氧化硅蒸镀层的厚度:60nm)作为阳、阴两极导电部覆盖层,将包括阳极导电部和阴极导电部以及太阳能电池单元的整个表面覆盖(具有相对于太阳能电池层面积为120%的面积),并形成作为进一步向挠性防水性支撑膜材的表面延伸的构成连续覆盖层的导电部防湿层。试验结果如表1所示。
实施例10
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,省略了阳极导电部和阴极导电部的局部性的铝蒸镀聚酯薄膜覆盖,而是覆盖厚度为0.6mm、宽度为300mm、长度为890mm的交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材(具有相对于太阳能电池层面积为120%的面积)形成挠性粘接性树脂层,进一步在挠性粘接性树脂层的整个面上设置氧化硅蒸镀聚酯薄膜(宽度为300mm、长度为890mm、厚度为50μm、氧化硅蒸镀层的厚度:60nm),形成将阳极导电部和阴极导电部间接地覆盖防湿的导电部防湿层。试验结果如表1所示。
对比例1
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,不对阳、阴两极导电部进行导电部防湿层的覆盖。
试验结果如表1所示。
参考例1
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,包含上述交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片材的挠性粘接性树脂层的面积与太阳能电池层的总表面积相同,并且不覆盖太阳能电池层的周侧面部分。
试验结果如表1所示。
对比例2
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,在太阳能电池层和挠性表面保护薄膜层之间,不形成挠性粘接性树脂层。
试验结果如表1所示。
参考例2
采用与实施例1同样的方法制造挠性膜状太阳能电池复层体,并用于试验。但是,不形成交联性粘接树脂层。
试验结果如表1所示。
表1
Figure A200810185904D00271

Claims (13)

1、一种挠性膜状太阳能电池复层体,其特征在于,包含:
挠性防水性支撑膜材(5);
太阳能电池层(1),其留出该挠性防水性支撑膜材的边缘部地配置并接合在该挠性防水性支撑膜材的内侧部上;
挠性表面保护薄膜层(10),其覆盖所述太阳能电池层的整个表面,并进一步向所述太阳能电池层的外侧连续地延伸,与所述挠性防水性支撑膜材的边缘部接合;以及,
挠性粘接性树脂层(9),其将被所述挠性表面保护薄膜层覆盖的所述太阳能电池层的整个表面以及所述挠性防水性支撑膜材的边缘部粘接到所述挠性表面保护薄膜层上;
所述太阳能电池层(1)包含1个以上的挠性太阳能电池模块(1A);
每个所述太阳能电池模块(1A)包含1个以上的太阳能电池单元(1a)和1个集电连接器(1b);
在所述集电连接器(1b)上配置有构成1对的阳极集电极(3)和阴极集电极(4);
所述太阳能电池单元(1a)经由阳极导电部(7a)与所述阳极集电极连接,并经由阴极导电部(7b)与所述阴极集电极连接;并且,
至少所述阳极导电部(7a)和所述阴极导电部(7b)被导电部防湿层(8)直接地、或者经由所述挠性粘合树脂层(9)而间接地覆盖。
2、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述导电部防湿层(8)由选自金属蒸镀聚酯薄膜、金属层与绝缘性树脂薄膜的层叠薄膜以及金属氧化物蒸镀聚酯薄膜中的一种以上的薄膜形成。
3、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述挠性表面保护薄膜层(10)具有所述太阳能电池层的总表面积的120~200%的面积,并且将覆盖所述太阳能电池层的所述挠性粘接性树脂层完全覆盖,并进一步向所述挠性粘接性树脂层的外侧延伸,接合到所述挠性防水性支撑膜材上。
4、根据权利要求1或3所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述挠性表面保护薄膜层(10)包含至少1层的透明含氟树脂薄膜、透明性金属氧化物蒸镀聚酯薄膜、以及将它们互相接合的紫外线屏蔽性粘接剂层。
5、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述挠性粘接性树脂层(9)由包含交联性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的交联生成树脂的薄膜形成,覆盖所述太阳能电池层的至少表面侧的总表面积,并进一步向所述太阳能电池层的外侧延伸,接合到所述挠性防水性支撑膜材上。
6、根据权利要求5所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述挠性粘接性树脂层(9)进一步向所述太阳能电池层(1)与所述挠性防水性支撑膜材(5)之间延伸,将所述太阳能电池层的背面侧与所述挠性防水性支撑膜材粘接。
7、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述太阳能电池层(1)包含多个挠性太阳能电池模块(1A),这些挠性太阳能电池模块各自分离地被配置并接合在所述挠性防水性支撑膜材(5)的内侧部上;所述挠性表面保护薄膜层覆盖各挠性太阳能电池模块,并进一步向所述挠性太阳能电池模块的外侧延伸,与所述挠性防水性支撑膜材接合。
8、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述阳极导电部(7a)和阴极导电部(7b)分别被所述导电部防湿层(8)直接覆盖。
9、根据权利要求8所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,直接覆盖所述阳极导电部(7a)和阴极导电部(7b)的导电部防湿层(8)具有分别向所述挠性粘接性树脂层(9)与所述太阳能电池层(1)之间、以及所述挠性粘接性树脂层(9)与所述挠性防水性支撑膜材(5)之间进一步延伸的导电部防湿层延长部分(8f、8g)。
10、根据权利要求1所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述导电部防湿层(8)配置于所述挠性粘接性树脂层(9)与所述挠性表面保护薄膜层(10)之间,由此,所述阳极导电部(7a)和阴极导电部(7b)经由所述挠性粘接性树脂层(9)而被所述导电部防湿层(8)间接覆盖。
11、根据权利要求1和3~10中任一项所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,经由交联性粘接树脂层(6)分别接合所述挠性表面保护薄膜层(10)与所述挠性粘接性树脂层(9)、以及所述挠性表面保护薄膜层(10)与挠性防水性支撑膜材的边缘部(5a)。
12、根据权利要求11所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述交联性粘接树脂层(6)含有选自环氧树脂、异氰酸酯化合物以及偶联剂化合物中的一种以上的交联剂的固化物。
13、根据权利要求11所述的挠性膜状太阳能电池复层体,其中,所述交联性粘接树脂层(6)含有具有伯胺基的丙烯酸类树脂、或者具有羟基和羧基的氟代烯烃-乙烯基共聚物树脂中的任意一种。
CN2008101859040A 2007-12-18 2008-12-16 挠性膜状太阳能电池复层体 Expired - Fee Related CN101465386B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP326398/2007 2007-12-18
JP2007326398 2007-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101465386A true CN101465386A (zh) 2009-06-24
CN101465386B CN101465386B (zh) 2012-11-14

Family

ID=40805839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101859040A Expired - Fee Related CN101465386B (zh) 2007-12-18 2008-12-16 挠性膜状太阳能电池复层体

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2009170890A (zh)
CN (1) CN101465386B (zh)
HK (1) HK1130565A1 (zh)

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011160257A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for bonding composite solar cell structure
CN102498578A (zh) * 2009-09-17 2012-06-13 东洋油墨Sc控股株式会社 太阳能电池用背面保护片、其制造方法及太阳能电池模组
CN102651409A (zh) * 2011-05-03 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 建筑防水型光伏组件及其制备方法
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
CN104025312A (zh) * 2011-10-25 2014-09-03 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池组件
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8975152B2 (en) 2011-11-08 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9012302B2 (en) 2011-09-26 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9023732B2 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9236266B2 (en) 2011-08-01 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9299582B2 (en) 2013-11-12 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
CN110854225A (zh) * 2018-07-25 2020-02-28 比亚迪股份有限公司 一种双玻光伏组件
US10593539B2 (en) 2004-02-26 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Support assembly
CN112004182A (zh) * 2020-08-24 2020-11-27 国光电器股份有限公司 一种扬声器的音膜材料及其制备方法和应用
CN112219285A (zh) * 2018-06-08 2021-01-12 奥迪股份公司 光电活性的层压件
WO2022026032A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 Northrop Grumman Systems Corporation Flexible solar array for extraterrestrial deployment
US12009228B2 (en) 2023-02-27 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8188363B2 (en) * 2009-08-07 2012-05-29 Sunpower Corporation Module level solutions to solar cell polarization
JP5574332B2 (ja) * 2010-06-09 2014-08-20 平岡織染株式会社 可撓性膜状太陽電池積層体
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
JP2015135914A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 三菱化学株式会社 太陽電池モジュール一体型膜材
JP6402564B2 (ja) * 2014-10-01 2018-10-10 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材一体化裏面保護シートの製造方法及び当該製法によって得られる太陽電池モジュール
TWI726562B (zh) * 2019-12-31 2021-05-01 財團法人工業技術研究院 太陽能電池模組
US11695089B2 (en) 2019-12-31 2023-07-04 Industrial Technology Research Institute Solar cell modules

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860509A (en) * 1987-05-18 1989-08-29 Laaly Heshmat O Photovoltaic cells in combination with single ply roofing membranes
JP2911153B2 (ja) * 1989-12-29 1999-06-23 日本カーバイド工業株式会社 新規な複合体
JP3267738B2 (ja) * 1993-05-07 2002-03-25 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JPH07142756A (ja) * 1993-06-24 1995-06-02 Canon Inc 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO1995009442A1 (fr) * 1993-09-30 1995-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Module a cellules solaires ayant une matiere de revetement de surface a structure en trois couches
JP2004319812A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Canon Inc 電力変換器付き太陽電池モジュール
JP2007067131A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd 太陽電池一体型防水シート材およびその施工方法。

Cited By (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10593539B2 (en) 2004-02-26 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Support assembly
CN102498578A (zh) * 2009-09-17 2012-06-13 东洋油墨Sc控股株式会社 太阳能电池用背面保护片、其制造方法及太阳能电池模组
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
WO2011160257A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for bonding composite solar cell structure
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
CN102651409A (zh) * 2011-05-03 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 建筑防水型光伏组件及其制备方法
US9236266B2 (en) 2011-08-01 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US9012302B2 (en) 2011-09-26 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Intrench profile
CN104025312B (zh) * 2011-10-25 2017-05-24 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池组件
CN104025312A (zh) * 2011-10-25 2014-09-03 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池组件
US8975152B2 (en) 2011-11-08 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9887096B2 (en) 2012-09-17 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US9449845B2 (en) 2012-12-21 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9607856B2 (en) 2013-03-05 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US9093390B2 (en) 2013-03-07 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US9153442B2 (en) 2013-03-15 2015-10-06 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9184055B2 (en) 2013-03-15 2015-11-10 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9093371B2 (en) 2013-03-15 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9991134B2 (en) 2013-03-15 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9023732B2 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9209012B2 (en) 2013-09-16 2015-12-08 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9711366B2 (en) 2013-11-12 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9299582B2 (en) 2013-11-12 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
CN112219285A (zh) * 2018-06-08 2021-01-12 奥迪股份公司 光电活性的层压件
CN110854225A (zh) * 2018-07-25 2020-02-28 比亚迪股份有限公司 一种双玻光伏组件
WO2022026032A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 Northrop Grumman Systems Corporation Flexible solar array for extraterrestrial deployment
CN112004182A (zh) * 2020-08-24 2020-11-27 国光电器股份有限公司 一种扬声器的音膜材料及其制备方法和应用
CN112004182B (zh) * 2020-08-24 2022-02-11 国光电器股份有限公司 一种扬声器的音膜材料及其制备方法和应用
US12009228B2 (en) 2023-02-27 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems

Also Published As

Publication number Publication date
CN101465386B (zh) 2012-11-14
JP2009170890A (ja) 2009-07-30
HK1130565A1 (en) 2009-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101465386B (zh) 挠性膜状太阳能电池复层体
KR100350594B1 (ko) 태양전지모듈
JP3825843B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP4154004B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
US6521825B2 (en) Backside covering material for a solar cell module and its use
JP3222361B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
US6133522A (en) Solar cell module and reinforcing member for solar cell module
US5800631A (en) Solar cell module having a specific back side covering material and a process for the production of said solar cell module
JP3913306B2 (ja) 太陽電池モジュール
US20090272436A1 (en) Non-glass photovoltaic module and methods for manufacture
KR19980070676A (ko) 광기전력 소자
CN102939665A (zh) 太阳能电池组件
CN102891019A (zh) 光电转换元件模块和建筑结构
CN108987512A (zh) 一种轻质柔性太阳能电池组件
JPH09116182A (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JPH11214734A (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法およびその施工方法および太陽電池発電システム
JP3710187B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN111341868A (zh) 光伏建筑一体化组件及其制备方法
JP3032145B2 (ja) 太陽電池モジュール
JPH09199739A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JPH1187755A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN220272483U (zh) 一种轻质光伏组件及光伏系统
JPH10294486A (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
JPH1027920A (ja) 太陽電池モジュール
JPH11177110A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1130565

Country of ref document: HK

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1130565

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121114

Termination date: 20181216