CN101465283A - 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(1)包括：收容基板(G)的处理腔室(2)；在处理腔室(2)内相对设置的下部电极(3)以及上部电极(20)；向下部电极(3)施加频率为10MHz以上的第一高频电功率的第一高频电源(14)；向下部电极(3)施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率的第二高频电源(17)；向第二电极(20)施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率的第三高频电源(33)；向处理腔室(2)内供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给机构(28)；和对处理腔室(2)进行排气的排气机构(41)。

Description

等离子体处理装置以及等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及对用于制造平板显示器(FPD)的玻璃基板等基板实施干蚀刻等的等离子体的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
背景技术
例如，在FPD的制造工艺和半导体设备的制造工艺中，对玻璃基板和半导体晶片等基板实施干蚀刻等的等离子体处理。在这种等离子体处理中多使用平行平板型等离子体处理装置。
平行平板型等离子体处理装置相对设置在腔内载置基板的载置台和以喷淋状供给处理气体的喷淋头，载置台作为下部电极起作用，喷淋头作为上部电极起作用，通过向两者中的至少一个施加高频电功率，于是在它们之间形成高频电场，利用该高频电场使处理气体等离子体化，然后对玻璃基板实施等离子体处理。
在使用这种平行平板型等离子体处理装置作为等离子体蚀刻装置的情况下，使用向作为上部电极的喷淋头施加频率相对高的第一高频电功率，向作为下部电极的载置台施加频率相对低的第二高频电功率的上部下部施加类型、向作为下部电极的载置台施加频率相对高的第一高频电功率和频率相对低的第二高频电功率的下部双频率施加类型的装置等，采用这种构造，适当地控制等离子体，从而实施良好的蚀刻处理。
但是，对于上述上部下部施加类型和下部双频率施加类型的平行平板型等离子体处理装置，根据放电条件，在作为上部电极的喷淋头的气体喷出孔内发生电弧放电，喷淋头(喷淋头所保持的电极板)发生损坏，导致寿命变短，设备出现缺陷。
作为解决该问题的技术，已经在专利文献1中提出了一种技术，向上部电极施加频率相对低的第二高频电功率，增加上部电极的等离子体层，以防止等离子体侵入喷淋头的气体喷出孔内。
但是，在这种平行平板型等离子体处理装置中，不仅存在因上述异常放电而产生的问题，而且还存在因附着在上部电极上的反应性生成物引起的设备缺陷的发生，成品率降低这样的问题，以及为了除去这种反应生成物，维护周期缩短，生产能力下降这样的问题。
【专利文献】日本特开2006-286791
发明内容
本发明是鉴于上述情况而产生的，其目的在于，提供一种不会因异常放电而产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理室；在上述处理室内相对设置的第一电极以及第二电极；第一高频电功率施加单元，其向上述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率；第二高频电功率施加单元，其向上述第一电极施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率；第三高频电功率施加单元，其向上述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率；气体供给机构，其向上述处理室内供给用于生成等离子体的处理气体；和排气机构，其对上述处理室进行排气。
在上述第一观点中，上述第一电极可以是支撑被处理基板的支撑电极，上述第二电极可以是与上述支撑电极相对设置的对置电极。
此外，上述第三高频电功率优选具有不与上述第一高频电功率以及第二高频电功率发生干扰的频率。具体来讲，上述第三高频电功率的频率优选为上述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率不是其整数倍的频率。此外，上述第三高频电功率优选设定成能够充分除去附着在上述第一电极或者第二电极上的附着物而达到不附着附着物的程度，并且难以使上部电极消耗的功率。具体的功率优选在0.009～0.055W/cm2的范围。另外，上述第三高频电功率更优选的频率范围可以列举600kHz以上1.0MHz以下的范围。
此外，它还可以构成为包括：第一阻抗调节器，其与上述第二电极连接，并且按照对于上述第一高频电功率的频率是最佳阻抗，对于上述第二高频电功率的频率以及第三频率变成高阻抗的方式调节阻抗；和第二阻抗调节器，其与上述第二电极连接，并且按照对于上述第二高频电功率的频率是最佳阻抗，对于上述第一高频电功率的频率以及上述第三频率变成高阻抗的方式调节阻抗。在这种情况下，它还可以包括第三阻抗调节器，其与上述处理室的侧壁连接，并且按照对于上述第三高频电功率的频率是最佳阻抗，对于上述第一高频电功率的频率以及上述第二频率变成高阻抗的方式调节阻抗。
使用绝缘性基板作为上述被处理基板。
在本发明的第二观点中，提供一种等离子体处理方法，其是在收容被处理基板的处理室内相对设置第一电极以及第二电极，在它们之间形成高频电场，利用该高频电场使处理气体等离子化，对被处理体实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：向上述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率和频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率，生成等离子体，向上述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的第三高频电功率，溅射、清洗上述第一电极或者上述第二电极的表面。
在上述第二观点中，与第一观点相同，上述第一电极可以是支撑被处理基板的支撑电极，上述第二电极可以是与上述支撑电极相对设置的对置电极。
此外，与第一观点相同，上述第三高频电功率优选具有不与上述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率发生干扰的频率。具体来讲，上述第三高频电功率的频率优选为上述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率不是其整数倍的频率。此外，上述第三高频电功率优选设定成能够充分除去附着在上述第一电极或者第二电极上的附着物而达到不附着附着物的程度，并且难以使上部电极消耗的功率。具体的功率优选在0.009～0.055W/cm2的范围。上述第三高频电功率更优选的频率范围可以列举600kHz以上1.0MHz以下的范围。
使用绝缘性基板作为上述被处理基板。
根据本发明，通过向第一电极施加第一高频电功率以及第二高频电功率，使等离子层扩大，能够使其难以发生异常放电，此外，通过向第二电极施加第三高频电功率，利用其溅射效果，能够清洗第一电极或者第二电极的表面，典型的例子是能够清洗上部电极的表面。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的截面图。
图2是表示第三高频电功率的频率与Vdc的关系的图。
图3是表示掌握了第三高频电功率的功率与溅射力的关系的实验中的上部电极的样品位置。
图4是表示第三高频电功率(750kHz)的功率与蚀刻速率的平均值的关系的图。
图5是用于说明阻抗调节器的模式图。
图6是表示设置有第三高频电功率用的阻抗调节器的状态的图。
符号说明
1、等离子体处理装置
2、处理腔室
3、载置台
5、基材
6、静电卡盘
14、第一高频电源
17、第二高频电源
20、喷淋头
28、处理气体供给源
33、第三高频电源
34、第一阻抗调节器
35、第二阻抗调节器
45、第三阻抗调节器
50、控制部
G、玻璃基板
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的截面图。该等离子体处理装置1构成对FPD用玻璃基板G的规定膜进行等离子体蚀刻的电容耦合式平行平板等离子体蚀刻装置。此处，作为FPD列举液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
该等离子体处理装置1具有例如表面被阳极化处理(阳极氧化处理)的铝制成的方筒形状的处理腔室2。在该处理腔室2内的底部设有用于载置作为被处理基板的玻璃基板G的载置台3。
载置台3通过绝缘部件4被支撑在处理腔室2的底部，具有金属制的凸形基材5和在基材5的凸部5a的上面设置的用于吸附玻璃基板G的静电卡盘6、在静电卡盘6以及基材5的凸部5a的周围设置的由绝缘性陶瓷例如氧化铝构成的框架状的密封环7、在基材5的周围设置的由绝缘性陶瓷例如氧化铝构成的环状绝缘环8。静电卡盘6通过在陶瓷等电介质构成的本体6a中埋设电极6b构成。供电线18与电极6b连接，直流电源19与供电线18连接，通过从直流电源19向电极6b施加直流电压，利用库仑力等的静电吸附力吸附玻璃基板G。
按照贯通处理腔室2的底壁、绝缘部件4以及载置台3的方式，插入用于向其上装载及卸载玻璃基板G的能够升降的升降销10。该升降销10在搬送玻璃基板G时上升至载置台3上方的搬送位置，其余时间处于隐藏在载置台3内部的状态。
载置台3的基材5与用于供给第一高频电功率的供电线12连接，该供电线12与第一匹配器13及第一高频电源14连接。从第一高频电源14向载置台3的基材5供给10MHz以上例如13.56MHz的第一高频电功率。基材5与用于供给第二高频电功率的供电线15连接，该供电线15与第二匹配器16及第二高频电源17连接。从第二高频电源17向载置台3的基材5供给2MHz以上小于10MHz例如3.2MHz的第二高频电功率。因此，载置台3具有作为下部电极的功能。
在上述载置台3的上方设置与该载置台3平行相对并且具有作为上部电极功能的喷淋头20。喷淋头20通过绝缘部件29被支撑在处理腔室2的上部，在内部具有内部空间21，并且在与载置台3的相对面上形成有多个喷出处理气体的气体喷出孔22。该作为上部电极的喷淋头20与作为下部电极的载置台3一起构成一对平行的平行平板电极。
在喷淋头20的上面设置有气体导入口24，该气体导入口24与处理气体供给管25连接，该处理气体供给管25与处理气体供给源28连接。另外，在处理气体供给管25中设置有开闭阀26以及质量流量控制器27。从处理气体供给源28供给用于等离子体蚀刻的处理气体。作为处理气体可以使用卤素气体、O2气体、Ar气体等在该领域中常用的气体。
此外，作为上部电极的喷淋头20与用于供给第三高频电功率的供电线31连接，该供电线31与第三匹配器32及第三高频电源33连接。从第三高频电源33向作为上部电极的喷淋头20供给400kHz以上1.6MHz以下例如750kHz的第三高频电功率。第三高频电功率的频率是不与第一高频电功率以及第二高频电功率的频率干扰的频率。即，使上述第三高频电功率的频率不是第一高频电功率以及第二高频电功率频率的整数分之一。反之，使第一高频电功率以及第二高频电功率的频率不是第三高频电功率频率的整数倍。
此外，在作为上部电极的喷淋头20的上部外侧连接第一高频电功率用的第一阻抗调节器34与第二高频电功率用的第二阻抗调节器35。
第一阻抗调节器34按照与线圈36以及可变电容器37串联连接的方式构成，按照相对于第一高频电功率的频率的阻抗的绝对值低，相对于其它的高频电功率的频率的阻抗的绝对值高的方式设定电路常数，于是，第一高频电功率流动，第二以及第三高频电功率几乎不流动。
第二阻抗调节器35按照与线圈38以及可变电容器39串联连接的方式构成，按照相对于第二高频电功率的频率阻抗的绝对值低，相对于其它的高频电功率的频率阻抗的绝对值高的方式设定电路常数，于是，第二高频电功率流动，第一以及第三高频电功率几乎不流动。
在处理腔室2的底部形成有排气管40，该排气管40与排气装置41连接。排气装置41配备涡轮分子泵等真空泵，这样就能将处理腔室2内抽真空至规定的减压氛围。另外，在处理腔室2的侧壁设置有基板搬入搬出口42，该基板搬入搬出口42通过闸阀43能够打开关闭。而且，在使该闸阀43处于打开的状态下，玻璃基板G被搬送装置(图中未示)搬入搬出。
该等离子体处理装置1的各构成部被控制部50控制。该控制部50具有：存储用于实施规定控制的控制程序等的程序存储部、根据控制程序实际控制各构成部的控制器、以及由键盘和显示器等构成的用户界面。
具体来讲，该控制部50控制从各个高频电源施加高频电功率的时刻、控制它们的功率、控制气体的供给以及排气、控制闸阀、升降销等的驱动、控制向静电卡盘供给电压等。
下面，对以上述方式构成的等离子体处理装置1中的处理操作进行说明。
首先，打开闸阀43，利用搬送臂(图中未示)通过基板搬入搬出口42将玻璃基板G搬入处理腔室2内，载置在载置台3的静电卡盘6上。在这种情况下，使升降销10向上方突出而位于支撑位置，将搬送臂上的玻璃基板G转移到升降销10上。然后，使升降销10下降，将玻璃基板G载置在载置台3的静电卡盘6上。
然后关闭闸阀43，利用排气装置41将处理腔室2内抽真空至规定的真空度。接着，从直流电源19向静电卡盘6的电极6b施加电压，静电吸附玻璃基板G。然后打开阀26，对于从处理气体供给源28供给的处理气体，利用质量流量控制器27调节其流量，并且通过处理气体供给管25、气体导入口24将其导入喷淋头20的内部空间21，进而通过喷出孔22均匀地向基板G喷出，一边调节排气量一边将处理腔室2内控制在规定的压力。
在该状态下，从第一高频电源14通过第一匹配器13向作为下部电极的载置台3的基材5供给10MHz以上例如13.56MHz的第一高频电功率，从第二高频电源17通过第二匹配器16向基材5供给2MHz以上小于10MHz例如3.2MHz的第二高频电功率，使在作为下部电极的载置台3与作为上部电极的喷淋头20之间产生高频电场，生成处理气体的等离子体，利用该等离子体对玻璃基板G实施等离子体蚀刻处理。
此处，将第一高频电功率的频率设为10MHz以上的原因在于，等离子体中的离子无法瞬间响应电场，变成发生负的直流电压(自偏压)的频带，而且能够实现等离子体的高密度化。另外，将第二高频电功率的频率设为2MHz以上小于10MHz的原因在于，使离子进一步加速，促进基板表面反应，提高各向异性蚀刻的效率，如果是小于2MHz的低频，那么，等离子体中的离子因电场的变化而变化，并非变成自偏压而是变成离子冲撞(溅射效果)，对基板的损伤有可能增大。
如上所述，通过向作为下部电极的载置台3供给第一高频电功率以及第二高频电功率然后使它们重叠，这样就能适当地控制等离子体，实施良好的蚀刻处理，但是，如果继续实施蚀刻，那么，反应生成物就会附着在作为上部电极的喷淋头20的表面，由于它的原因，有可能出现器件的缺陷，成品率下降。另外，如果为了不发生这种器件的缺陷而缩短维护周期，那么就会导致装置运转率降低。
从防止发生此类情况的观点来看，在本实施方式中，从第三高频电源33通过第三匹配器32按照适当的功率向作为上部电极的喷淋头20施加频率更低的400kHz以上1.6MHz以下例如750kHz的第三高频电功率。于是，扩大上部电极的等离子体层，主动提高层电压，利用离子溅射干洗附着在作为上部电极的喷淋头20上的反应生成物(附着物)。
将第三高频电功率的频率设为400kHz以上1.6MHz以下的范围的原因在于，在该范围能够获得良好的溅射力。对确认这一点的实验进行说明。此处，将下部电极当作上部电极，进行实验来测定施加了各个频率的高频电功率的下部电极的自偏压(Vdc)，求出第三高频电功率的频率与作为溅射力指标的自偏压(Vdc)的关系。图2表示其结果。图2中的横坐标作为高频电功率的频率，纵坐标作为自偏压(Vdc)，表示这些关系的坐标图。由该坐标图可知，Vdc在800kHz(0.8MHz)时获得极大值，在400kHz(0.4MHz)～1.6MHz的范围获得600V以上的高Vdc。更优选的范围是600kHz(0.6MHz)～1.0MHz的范围。从该频率范围选择不与第一高频电功率以及第二高频电功率的频率发生干扰的频率。
下面，对掌握第三高频电功率的功率与溅射力两者关系的实验进行说明。此处，将切成30mm×30mm的正方形的硅晶片样品贴在上部电极(220cm×250cm)的图3所示的位置，然后分别向下部电极施加频率13.56MHz、功率5kW的高频电功率作为第一高频电功率，施加频率3.2MHz、功率5kW的高频电功率作为第二高频电功率，改变功率向上部电极施加频率750kHz的高频电功率作为第三高频电功率，掌握硅晶片样品的蚀刻速率。图4表示其结果。图4中的横坐标作为第三高频电功率(750kHz)的功率，纵坐标作为硅晶片的蚀刻速率的平均值，它表示两者的关系。如该图所示可知，通过施加第三高频电功率，蚀刻速率上升，即附着物的溅射效果提高。而且可以确认蚀刻速率随着第三高频电功率的功率的增加而上升。
由此可知，需要设定成能够充分除去反应生成物(附着物)并且不会发生反应生成物附着的功率，然后再供给第三高频电功率。但是，如果第三高频电功率的功率过大，那么，上部电极就会被消耗，因此，必需设定成不会发生此类情况的适当功率。第三高频电功率的功率的优选范围是0.009～0.055W/cm2程度。
作为利用该第三高频电功率清洗作为上部电极的喷淋头20的方法，在对玻璃基板G实施蚀刻处理时，可以在施加第一高频电功率以及第二高频电功率后，稍后再施加第三高频电功率，实时除去附着在作为上部电极的喷淋头20上的反应生成物，使其从外表看没有附着反应生成物。另外，也可以在施加第一高频电功率以及第二高频电功率对玻璃基板G实施规定个数的等离子体处理后，例如在批量的转换时等，在载置台上载置模拟基板的状态下或者什么都未载置的状态下，除了第一高频电功率以及第二高频电功率之外，还供给第三高频电功率，然后清洗作为上部电极的喷淋头20。此外，也可以同时施加第一高频电功率以及第二高频电功率与第三高频电功率。作为其它方法，也可以在仅进行清洗时，仅供给第一高频电功率与第三高频电功率。
下面，对阻抗调节进行说明。
本实施方式的成为对象的玻璃基板日益大型化，变成一边超过2m的大型基板，在对这种大型玻璃基板进行等离子体处理的情况下，装置也变成大型装置，因此，难以均一地形成等离子体，容易发生等离子体的偏离。因此，从防止这样的等离子体偏离的观点来看，也如图5中的模式图所示，在作为上部电极的喷淋头20的上部外侧设置第一高频电功率用的第一阻抗调节器34、第二高频电功率用的第二阻抗调节器35，第一阻抗调节器34使对于第一高频电功率的阻抗最优化从而仅使第一高频电功率流动，第二阻抗调节器35使对于第二高频电功率的阻抗最优化从而仅使第二高频电功率流动，然后将第一高频电功率以及第二高频电功率导向作为上部电极的喷淋头20，这样就不会在这些高频电功率中产生偏离。即，第一阻抗调节器34以及第二阻抗调节器35除了具有阻抗调节功能之外，也具有过滤功能。
过去一直使用上述阻抗调节器，但是，在本实施方式中，由于向作为上部电极的喷淋头20供给第三高频电功率，因此，第一以及第二阻抗调节器34、35除了具有上述功能之外，必需设定第一以及第二阻抗调节器34、35的电路常数，以使第三高频电功率不会通过第一以及第二阻抗调节器34、35流向接地一侧。即，如图5所示，在第一阻抗调节器34中，使对于第一高频电功率的阻抗最优化，设定电路常数从而使对于第二以及第三高频电功率的阻抗的绝对值增大，从而基本上仅使第一高频电功率流过，在第二阻抗调节器35中，使对于第二高频电功率的阻抗最优化，设定电路常数从而使对于第一以及第三高频电功率的阻抗的绝对值增大，从而基本上仅使第二高频电功率流过。如上所述，由于第三高频电功率未通过第一以及第二阻抗调节器34、35流向接地一侧，因此，如图5所示，流向处理腔室2的侧壁部一侧。在这种情况下，如图6所示，在处理腔室2的侧壁设置第三阻抗调节器45，使对于第三高频电功率的阻抗最优化，设定电路常数从而使对于第一高频电功率以及第二高频电功率的阻抗的绝对值增大，从而基本上仅使第二高频电功率流过，从而能够使第三高频电功率主动流向侧壁。
如上所述，利用第一以及第二阻抗调节器34、35来进行阻抗调节，这样，第一高频电功率以及第二高频电功率从作为下部电极的载置台3快速流向作为上部电极的喷淋头20，并且第三高频电功率流向处理腔室2的侧壁，因此，第三高频电功率不会对在第一高频电功率以及第二高频电功率中生成的等离子体产生不良影响。
另外，本发明并非局限于上述实施方式，可以进行各种各样的变形。例如，在上述实施方式中，向下部电极供给第一高频电功率以及第二高频电功率，向上部电极供给第三高频电功率，但是，也可以向上部电极供给第一以及第三高频电功率，向下部电极供给第二高频电功率。此外，在上述实施方式中，对在作为绝缘体的FPD用玻璃基板的等离子体处理中应用本发明的情况进行了阐述，但是，并非局限于此，也可以应用于其它各种各样的基板中。

Claims (18)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理室；
在所述处理室内相对设置的第一电极以及第二电极；
第一高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率；
第二高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率；
第三高频电功率施加单元，其向所述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率；
气体供给机构，其向所述处理室内供给用于生成等离子体的处理气体；和
排气机构，其对所述处理室进行排气。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一电极是支撑被处理基板的支撑电极，所述第二电极是与所述支撑电极相对设置的对置电极。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三高频电功率具有不与所述第一高频电功率以及第二高频电功率发生干扰的频率。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三高频电功率的频率为所述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率不是其整数倍的频率。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三高频电功率设定成能够充分除去附着在所述第一电极或者第二电极上的附着物，而达到不附着附着物的程度，并且难以使上部电极消耗的功率。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三高频电功率的功率在0.009～0.055W/cm2的范围。
7.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三高频电功率的频率在600kHz以上1.0MHz以下的范围。
8.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，进一步包括：
第一阻抗调节器，其与所述第二电极连接，并且按照对于所述第一高频电功率的频率是最佳阻抗，对于所述第二高频电功率的频率以及第三频率变成高阻抗的方式调节阻抗；和
第二阻抗调节器，其与所述第二电极连接，并且按照对于所述第二高频电功率的频率是最佳阻抗，对于所述第一高频电功率的频率以及所述第三频率变成高阻抗的方式调节阻抗。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
进一步包括第三阻抗调节器，与所述处理室的侧壁连接，并且按照对于所述第三高频电功率的频率是最佳阻抗，对于所述第一高频电功率的频率以及所述第二频率变成高阻抗的方式调节阻抗。
10.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
使用绝缘性的基板作为所述被处理基板。
11.一种等离子体处理方法，其是在收容被处理基板的处理室内相对设置第一电极以及第二电极，在它们之间形成高频电场，利用该高频电场使处理气体等离子化，对被处理体实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：
向所述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率和频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率，生成等离子体，
向所述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的第三高频电功率，溅射、清洗所述第一电极或者所述第二电极的表面。
12.如权利要求11所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第一电极是支撑被处理基板的支撑电极，所述第二电极是与所述支撑电极相对设置的对置电极。
13.如权利要求11所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第三高频电功率具有不与所述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率发生干扰的频率。
14.如权利要求13所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第三高频电功率的频率为所述第一高频电功率以及第二高频电功率的频率不是其整数倍的频率。
15.如权利要求11～14中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第三高频电功率设定成能够充分除去附着在所述第一电极或者第二电极上的附着物，而达到不附着附着物的程度，并且难以使上部电极消耗的功率。
16.如权利要求15所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第三高频电功率的功率在0.009～0.055W/cm2的范围。
17.如权利要求11～14中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述第三高频电功率的频率在600kHz以上1.0MHz以下的范围。
18.如权利要求11～14中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
使用绝缘性基板作为所述被处理基板。
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