CN101461069A - 多量子阱结构、发射辐射的半导体本体和发射辐射的器件 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了一种多量子阱结构(1)，所述多量子阱结构包括至少一个第一量子阱结构(2a)用于产生第一波长(6)的辐射，以及至少一个第二量子阱结构(2b)用于产生第二波长(7)的辐射，该第二波长(7)大于第一波长(6)，并且所述多量子阱结构设计用于发射主波长(14)的辐射，其中第二波长(7)与第一波长(6)相区别，使得主波长(14)在第一波长(6)和第二波长(7)推移时仅仅改变预先给定的最大值。此外描述了一种发射辐射的半导体本体和一种发射辐射的器件。
Description
本发明涉及一种多量子阱结构和一种发射辐射的半导体本体，该半导体本体包括多量子阱结构。此外，本发明涉及一种发射辐射的器件，该器件具有发射辐射的半导体本体。
本专利申请要求德国专利申请10 2006 025 964.5的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
在出版物US 2004/0090779 A1中所描述的LED可以借助构建为量子阱结构的、产生辐射的第一层和构建为量子阱结构的、产生辐射的第二层产生混色的辐射。在两个层之间设置有隧道势垒(Tunnelbarriere)。在两个产生辐射的层的波长被固定的前提下，混色的辐射的色度可以通过改变隧道势垒的厚度而被改变。
由Liang等人所著的文章“Dual wavelength InGaN/GaNmulti-quantum well LEDs grown by metalorganic vapor phase epitaxy”，Journal of Crystal Growth 272(2004)333-339中公开了，在具有产生蓝色和绿色光的量子阱结构的LED中，由LED所发射的辐射的频谱分布取决于量子阱结构的数目和设置以及LED的馈电。例如，LED的增大的馈电(该LED具有在生长方向上的三个产生蓝色光的量子阱结构和一个产生绿色光的量子阱结构)导致强度最大值从蓝色推移到绿色频谱范围中。
当如在许多应用中那样要借助增大的馈电来实现有意地提高辐射强度时，会出现色度的不希望的变化。因为随着增大的电流强度，可以注意到波长朝着较短波长的推移。特别是在基于氮化物-半导体材料如InGaN的LED中情况如此。
本发明的任务是，提出一种多量子阱结构，其适于波长稳定的工作。
该任务通过根据权利要求1所述的多量子阱结构解决。
此外，本发明的任务是，提出一种发射辐射的半导体本体，其适于波长稳定的工作。
该任务通过根据权利要求18所述的发射辐射的半导体本体来解决。
此外本发明的任务是，提出一种发射辐射的器件，其适于波长稳定的工作。
该任务通过根据权利要求21所述的发射辐射的器件来解决。
本发明的有利的改进方案和扩展方案是从属权利要求的主题。
根据本发明的多量子阱结构包括至少一个第一量子阱结构用于产生第一波长的辐射，以及至少一个第二量子阱结构用于产生第二波长的辐射。该第二波长大于第一波长，并且该多量子阱结构设计用于产生主波长的辐射，其中第二波长与第一波长相区别，使得主波长在第一波长和第二波长推移时仅仅改变预先给定的最大值。
优选的是，该最大值为大约3％。特别优选的是，最大值小于3％。
在此，主波长应当如下理解：根据色彩学，在多色的辐射情况下观察者所感知到的色调与主波长或者优势波长关联，该波长对应于一种单色辐射的波长，其中在该单色辐射的波长情况下，观察者会感知到同样的色调。
多量子阱结构所发射的辐射优选至少由在第一量子阱结构中产生的辐射和在第二量子阱结构中产生的辐射组成。如果设计了超过两个量子阱结构，则整个发射的辐射由在各个量子阱结构中产生的辐射组成。典型的是，量子阱结构的辐射具有较高的强度，主复合中心(Hauptrekombinationszentrum)位于该强度的范围中。
在此，主复合中心说明了如下区域：在该区域中，多个电子和空穴以发出辐射的方式复合。
根据一种优选的变形方案，第一量子阱结构设置在n侧，而第二量子阱结构设置在p侧。因为主复合中心在多量子阱结构的馈电增大情况下典型地朝着多量子阱结构的p侧推移，并且第二量子阱结构设置在p侧，所以第二量子阱结构于是可以在较强的馈电的情况下比第一量子阱结构对产生辐射作出更大的贡献。
根据另一种优选的变形方案，第一和第二波长朝着较短波长的推移。这种推移特别是在多量子阱结构的馈电增大情况下出现。推移的程度在此与波长相关，其中波长越大，则推移越大。
本发明基于的原理是，第二波长相对于第一波长失调，使得在馈电增大的情况下出现的第一和第二波长的推移(该推移又会导致主波长的推移)可以借助对产生辐射作出更大贡献的第二量子阱结构而均衡。有利的是，两个所提及的“推移效应”(量子阱结构的波长推移和主复合中心的推移)根据本发明被耦合，使得在馈电增大的情况下，具有如上所述的多量子阱结构的发射辐射的器件也可能波长稳定地工作。
特别地，第一波长开始可以大致对应于主波长，其中主复合中心位于第一量子阱结构的区域中。在馈电增大的情况下，一方面主复合中心朝着第二量子阱结构推移，另一方面第二波长朝着较短波长方向推移。特别优选的是，当主复合中心位于第二量子阱结构的区域中时，第二波长相对于第一波长或者主波长失调，使得第二波长借助波长推移接近第一波长的初始值或主波长的初始值。推移的第二波长于是可以大致对应于主波长。
根据一种优选的变形方案，第二波长可以与第一波长相差一位的纳米范围的数值，优选相差大约5nm。特别是针对520nm至540nm的主波长，情况如此。在更大的主波长情况下，第一和第二波长之间的差别优选更大。
例如，多量子阱结构可以具有四个量子阱结构，其中前三个量子阱结构具有对应于第一波长的带隙，而第四量子阱结构具有对应于第二波长的带隙，该第二波长与第一波长相差大约5nm。在工作中，不必四个量子阱结构都对产生辐射作出贡献。如果前三个量子阱结构设置在n侧，则在馈电增大时，主复合中心从第一量子阱结构朝着第四量子阱结构推移。在此，主波长可以基本上保持不变。
多量子阱结构所发射的辐射并不固定在确定的主波长上。然而，主波长优选位于短波的频谱范围中，例如在绿色频谱范围中，其中主波长可以具有范围在510nm到560nm之间的值。这种适于发射短波辐射的多量子阱结构特别是可以保护基于氮化物的半导体材料。
根据一种优选的扩展方案，多量子阱结构分别包括属于第一和第二量子阱结构的层序列，其中在层序列之间设置了势垒层。载流子可以通过势垒层从第一量子阱结构到达第二量子阱结构以及从第二量子阱结构到达第一量子阱结构。例如，电子可以从多量子阱结构的其上设置有第一量子阱结构的侧进入到主复合中心中，而空穴从第二量子阱结构到那里。
载流子可以通过势垒层扩散或隧穿。
势垒层的厚度优选与主复合中心的推移匹配。势垒层越薄，则主复合中心可以越容易地推移。
根据另一种优选的实施形式，势垒层的厚度具有一位至两位的纳米范围中的值。特别地，厚度在4nm至25nm之间。借助合适材料的混合物，可以实现有效地降低带边缘以及由此实现载流子更好地传输通过势垒层，由此势垒层可以构建为厚几纳米。对于降低带边缘合适的材料特别是In。
势垒层优选n掺杂。这有利地能够实现比较好的载流子传输或者导致在制成的器件中的减小的正向电压。替代地，势垒层也可以不掺杂。特别是当势垒层已经在未掺杂的状态中能够实现足够好的载流子传输时，情况如此。掺杂可以具有0到1018/cm3的值。
特别优选的是，势垒层被Si掺杂。典型的是，Si掺杂在1017/cm3至1018/cm3之间。根据本发明，小于大约3-4＊1017/cm3的Si掺杂是优选的。有利的是，可以借助较小的掺杂来增大主复合中心的扩展，由此更多的量子阱结构对发射辐射的复合作出贡献。
此外，势垒层可以包含基于氮化物的半导体材料。
“基于氮化物的半导体材料”在本上下文中应当理解为氮化物-III/V-化合物半导体材料，该材料优选由AlnGamIn1-n-mN构成，其中0≤n≤1、0≤m≤1并且n+m≤1。在此，该材料并非一定必须具有按照上面的式子的在数学上精确的组分。更准确地说，它可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成成分，它们基本上不改变AlnGamIn1-n-mN材料的典型的物理特性。然而，出于简单的原因，上面的式子仅仅包含晶格的主要组成成分(Al，Ga，In，N)，即使这些成分还可部分被少量其他材料所代替。
优选的是，势垒层包含GaN、InGaN或者AlInGaN。
属于第一和第二量子阱结构的层序列优选包含InxGa(1-x)N，其中0≤x<1。这种多量子阱结构适于产生绿色至紫外频谱范围中的短波辐射。因为可能将短波辐射例如借助转换材料转换为长波辐射，所以多量子阱结构也可以有利地用作用于产生长波辐射的有源层。
第一和第二层序列分别具有势阱层(Topfschicht)，该势阱层的厚度优选在1nm至5nm之间。借助势阱层的厚度，可以调节量子阱的深度。相互关系是：势阱层越厚，则辐射波长越长。可能的是，不同的势阱层具有不同的厚度。
根据本发明的多量子阱结构适于在一位至两位的毫安范围中进行馈电，优选在大于0mA至15mA之间是特别适合的。电流密度优选在大于0mA/mm2至大约160mA/mm2之间。
有利的是，在该范围中，辐射强度与电流强度成比例地增大，而不会出现主波长的推移。
优选的是，外延地制造多量子阱结构。确定外延的过程参数如温度和气体浓度对于多量子阱结构的特性可以是决定性的。例如有不同的可能性，以在第二量子阱结构中实现较小的带隙。一方面可以降低过程温度，由此In被更好地引入，这导致更小的带隙。另一方面可以提高过程气体中的In浓度，这又导致更好地引入In以及更小的带隙。两个过程参数变化的结合也是可能的。量子阱的深度可以借助In成分来调节，其中In成分越大，则辐射波长越长。
名称量子阱结构在本申请的范围内包括任意的、其中载流子由于限制(confinement)而会经历其能量状态的量子化的结构。特别地，名称量子阱结构不包含关于量子化的维数的说明。由此，其尤其是包括量子槽、量子线和量子点，以及这些结构的任意组合。
根据本发明的发射辐射的半导体本体包括如上所述的多量子阱结构。该多量子阱结构优选用作发射辐射的半导体本体的有源层。形成多量子阱结构的这些层或者层序列可以设置在衬底上。特别地，第一层序列在朝向衬底的侧具有n型的层，而第二层序列在背离衬底的侧上具有p型的层。应理解的是，半导体本体可以包括其他的层，例如金属层。此外，反射层也是可能的，其适于将多量子阱结构发射的辐射向耦合输出侧反射。
根据一种优选的扩展方案，半导体本体构建为薄膜发光二极管芯片。
一种薄膜发光二极管芯片，其特征特别是在于以下特征至少之一：-在产生辐射的外延层序列的朝向支承元件的第一主面上施加或者构建有反射层，该反射层将外延层序列中产生的电磁辐射的至少一部分反射回该外延层序列中；
-外延层序列具有20μm或者更小范围中的厚度，特别是10μm范围中的厚度；以及
-外延层序列包含至少一个半导体层，该半导体层具有至少一个面，该面具有混匀结构(Durchmischungsstruktur)，该混匀结构在理想情况下导致光在外延的外延层序列中的近似各态历经分布，即其具有尽可能各态历经的随机散射特性。
薄膜发光二极管芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人于1993年10月18日所著的Appl.Phys.Lett.63(16)，2174-2176页中进行了描述，其公开内容通过引用结合于此。
薄膜发光二极管芯片良好地近似于朗伯(Lambert’scher)表面辐射器。
典型的是，在薄膜发光二极管芯片中将生长衬底剥离。这例如具有的优点是，与传统的、借助生长衬底电连接或者所产生的辐射通过生长衬底耦合输出的发光二极管不同，生长衬底不必具有特别的导电能力，也不必具有特别的辐射穿透性。
根据本发明的发射辐射的器件具有如上所述的发射辐射的半导体本体。这种器件适合于特别是在提高电流强度和与此关联的提高辐射强度时波长稳定的工作。
根据一种变形方案，发射辐射的半导体本体设置在壳体内。此外，半导体本体可以嵌入到包封物中。借助合适的包封材料，例如可以降低辐射损耗，该损耗会由于在折射率边界上的全反射而出现。
根据另一变形方案，在发射辐射的半导体本体之后在耦合输出侧设置有光学元件。特别地，该光学元件适于辐射成形，并且例如可以构建为透镜。
优选的是，发射辐射的器件可以调光。这意味着，可以有利地借助电流强度来调节发射辐射的器件的辐射强度。
根据本发明的多量子阱结构和发射辐射的半导体本体或者器件的其他有利的特征、有利的扩展方案和改进方案以及优点由以下结合附图1至9进一步阐述的实施例而得到。
其中
图1以图表的方式示意性地示出了传统的蓝色发光二极管的与电流强度相关的主波长；
图2以图表的方式示意性地示出了传统的绿色发光二极管的与电流强度相关的主波长；
图3示出了多量子阱结构的模型的示意图；
图4示出了根据本发明的多量子阱结构的一个实施例的示意图；
图5以图表的方式示意性地示出了多量子阱结构的频谱分布；
图6以图表的方式示意性地示出了不同的发射辐射的半导体本体的、与电流强度相关的主波长；
图7以图表的方式示意性地示出了不同的发射辐射的半导体本体的、与电流强度相关的辐射强度；
图8示出了根据本发明的发射辐射的半导体本体的一个实施例的示意性横截面图；
图9示出了根据本发明的发射辐射的器件的一个实施例的示例性横截面图。
如已经在发明内容部分所提及的那样，特别是在包含基于氮化物的半导体材料的发光二极管中，在馈电增大的情况下会出现波长朝着较短的波长方向的推移。
由图1可以看出，当电流强度从大于0mA提高到100mA时，传统的、在蓝色频谱区域中发光的发光二极管的主波长从大约473.5nm向大约468.25nm推移。
图2中所示的曲线如同在图1中所示的曲线示出了，当电流强度从大于0mA提高到100mA时，主波长改变。该测量在传统的发光二极管上进行，该发光二极管在绿色范围中发光。在从大于0mA提高到100mA时，波长从大约545nm向大约512.5nm推移。
在图3中以模型示出的多量子阱结构1包括第一量子阱结构2a和第二量子阱结构2b。优选的是，量子阱结构2a和量子阱结构2b都基于InGaN/GaN。
电子4进入(einpraegen)第一量子阱结构2a中，这些电子可以以一定的概率横穿势垒层3。如果这种情况发生，则可能进行与进入第二量子阱结构2b中的空穴5复合而发出辐射。能级的距离确定了发射的辐射7的第二波长。
如电子4那样，空穴5也可以以一定的概率横穿势垒层3。由此到达第一量子阱结构2a中的空穴5可以与在那里的电子4复合而发出辐射。这样产生的辐射6具有与相关的能级的距离对应的第一波长。
因为在第一量子阱结构2a中的能量距离大于在第二量子阱结构2b中的能量距离，所以第一波长短于第二波长。
具有多量子阱结构1作为有源层的、发射辐射的半导体本体发射混色辐射14，其由第一量子阱结构2a发射的辐射6和第二量子阱结构2b发射的辐射7组成。典型的是，主波长可以指派给辐射14。
在图4中示出了根据本发明的多量子阱结构1的一种可能的结构。在优选包含蓝宝石、SiC、GaN或者GaAs这些材料之一的衬底8上设置有n型的层9。借助n型的层9，电子可以进入多量子阱结构1中。第一层10(该层为第一层序列200a的一部分)设置在n型的层9的背离衬底8的侧上。第一层10之后设置有属于第一量子阱结构2a和第一层序列200a的势阱层11，该势阱层优选具有1nm至5nm之间的厚度。第一量子阱结构2a借助层10、势阱层11和势垒层3形成。势垒层3之后在背离衬底8的侧上设置有势阱层12和层13，它们形成第二层序列200b。层序列200b和势垒层3一同形成了第二量子阱结构2b。层序列200b之后设置有p型的层16，该p型的层设计用于将空穴引入多量子阱结构1中。层10和13设计作为间隔(spacer)层，其优选具有2nm至20nm之间的厚度。
层10、11、3、12和13优选包含基于氮化物的半导体材料，特别是InxGa(1-x)N，其中0≤x<1。
为了获得包括多于两个量子阱结构的多量子阱结构1，在势垒层3和势阱层12之间可以设置其他的势阱层11’和11”以及其他的势垒层3’和3”。层11’和11”或者势垒层3’和3”含有何种材料例如取决于在量子阱结构中产生的辐射应当具有什么波长。
层9、10、11、12、3、13和16特别是借助外延来制造，其中衬底8形成生长衬底。
在图5中示出了包括五个量子阱结构的多量子阱结构的频谱分布，其中从多量子阱结构的n型的侧出发，相继有四个量子阱结构，它们具有对应于绿色频谱范围的波长(例如大约500nm)的带隙。设置在p侧的第五量子阱结构具有对应于蓝色频谱范围中的波长(例如大约450nm)的带隙。
从曲线I至曲线VIII，电流强度持续地增加(曲线I：0.1mA；曲线II：0.2mA；曲线III：1.0mA；曲线IV：2.0mA；曲线V：3.0mA；曲线VI：5.0mA；曲线VII：10.0mA；曲线VIII：20.0mA)。测量在室温下进行。
在横坐标上绘出了第四和第五量子阱结构发射的辐射的波长λ[nm]，而纵坐标给出了发射的辐射的强度Iv(无单位)。对于第五量子阱结构，强度最大值在大约450nm处，而针对第四量子阱结构在大约500nm处。
可以从图5中获得的重要信息是，第五量子阱结构产生的辐射的强度Iv在馈电增大时比第四量子阱结构产生的辐射的强度更强烈地增大。其原因在于，在馈电增大时主复合中心朝向第五量子阱结构的方向推移。
图6中示出了在四个不同的多量子阱结构上进行的测量曲线，它们分别包括四个量子阱结构。
给出了测量曲线IV的多量子阱结构具有Si掺杂的势垒层。各量子阱结构的层序列关于带隙彼此区别并不明显。由此，测量曲线用作曲线I、II和III的参考曲线，曲线I、II和III借助多量子阱结构而被确定，第四量子阱结构具有与前面三个量子阱结构不同的带隙。
参考曲线IV示出了在馈电增大时主波长λdom朝向较短波长方向推移。曲线I和III也示出了该特性。只是曲线II示出了至少在大约10mA的电流强度之下的多量子阱结构的波长稳定的特性。
在曲线I的情况下，第四量子阱结构的带隙与其他量子阱结构的带隙不同在于，差别对应于在大约10nm以下的波长。这例如可以如下实现：第四量子阱结构的层序列在比其他量子阱结构的层序列更高的过程温度情况下生长。特别地，过程温度为在7K以上。优选的是，所有势垒层Si掺杂。
在曲线III中，第四量子阱结构的带隙与其他量子阱结构的带隙区别在于，差别对应于在大约10nm以上的波长。这例如可以如下实现：第四量子阱结构的层序列在比其他层序列更低的过程温度情况下生长。特别地，过程温度降低7K。优选的是，所有势垒层Si掺杂。
在曲线II中，第四量子阱结构的带隙与其他量子阱结构的带隙区别在于，差别对应于在大约5nm以上的波长。这例如可以如下实现：第四量子阱结构的层序列在比其他层序列更低的过程温度情况下生长。特别地，过程温度降低3K。此外，在生长方向上在第四量子阱结构的层序列之前设置的势垒层未掺杂。
作为结果，由此可以理解的是，借助第四量子阱结构相对于前三个量子阱结构的少量的波长失调，波长稳定的工作是可能的。
图7中示出了辐射的与电流强度I[mA]相关的强度Iv(无单位)。测量在已经结合图6描述的多量子阱结构中进行。
如从图7中可以看出的，曲线II的走向比其他曲线更强烈地接近线性分布。
有利的是，于是可以借助其第四量子阱相对于前三个量子阱结构具有少量波长失调的多量子阱结构，实现在电流强度均匀增大时辐射强度的近似线性增大以及波长稳定的工作。
图8中示出的发射辐射的半导体本体18具有多量子阱结构1作为有源层。多量子阱结构1至少包括第一量子阱结构2a和第二量子阱结构2b。优选的是，半导体本体18包括多量子阱结构1，其在馈电增大的情况下能够在同时增大辐射强度的情况下实现波长稳定的工作。特别地，这可以如下实现：构建对应于在图6和7中提供测量曲线II的多量子阱结构1。例如，多量子阱结构1包括四个量子阱结构，其中第四量子阱结构的带隙与其他量子阱结构的带隙区别在于，差别对应于大约在5nm以上的波长。第一量子阱结构在此设置在n侧，而第四量子阱结构设置在p侧。
多量子阱结构1设置在n型的层9和p型的层16之间。优选的是，半导体本体18的层9、10、11、3、12、13、16外延地生长在衬底8上。特别地，衬底8导电。由此，可以在衬底8的背离层序列的侧上设置n电极15。在半导体本体18的与其对置的侧上设置有p电极17。借助两个电极15和17可以将半导体本体18电连接。
替代地，可以剥离生长衬底，其中半导体本体于是构建为薄膜半导体本体。
图9示出了发射辐射的器件19，其具有发射辐射的半导体本体18。发射辐射的半导体本体18例如可以如图8所示地构建。
半导体本体18设置在散热器20上，该散热器设计用于半导体本体18的冷却。由此可以有利地增大器件19的工作时间。
散热器20可以在半导体本体18设置于其上的侧上中间地沉入，使得半导体本体18安装在反射槽21中。反射槽21的侧壁借助壳体22而得到延长，其中散热器20嵌入到该壳体中。借助以这种方式形成的反射器23，可以有利地提高在主辐射方向24中的辐射强度。
为了保护，半导体本体18嵌入包封物25中，该包封物例如可以包含反应树脂如环氧树脂或者丙烯酸树脂。包封物25优选填满反射器23。为了将半导体本体18产生的辐射集束，包封物25优选在辐射出射侧可以具有弯曲的表面。由此可以实现透镜的作用。替代地，在发射辐射的器件19之后在辐射出射侧可以设置光学元件。
发射辐射的半导体本体18与导电的散热器20电连接。特别地，半导体本体18背面地焊接或者粘合。此外，散热器20与第一连接带26a电连接。此外，半导体本体18例如借助线连接(未示出)正面地与第二连接带26b电连接。借助两个连接带26a和26b，半导体本体18可以电连接。
本发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，特别是包含于权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求中或者实施例中被明确说明。
Claims (24)
1.一种多量子阱结构(1)，
-所述多量子阱结构包括至少一个第一量子阱结构(2a)用于产生第一波长(6)的辐射，以及至少一个第二量子阱结构(2b)用于产生第二波长(7)的辐射，该第二波长(7)大于第一波长(6)，并且
-所述多量子阱结构设计用于发射主波长(14)的辐射，
其中
第二波长(7)与第一波长(6)相区别，使得主波长(14)在第一波长(6)和第二波长(7)推移时仅仅改变预先给定的最大值。
2.一种多量子阱结构(1)，其中第一量子阱结构(2a)设置在n侧，而第二量子阱结构(2b)设置在p侧。
3.根据权利要求1或2所述的多量子阱结构(1)，其中推移朝着较短波长方向进行。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中第二波长(7)与第一波长(6)相差一位的纳米范围的数值。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中主波长(14)位于短波的频谱范围中，例如在绿色频谱范围中。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中所述多量子阱结构分别具有属于第一量子阱结构(2a)和第二量子阱结构(2b)的层序列(200a，200b)，其中在层序列(200a，200b)之间设置了势垒层(3)。
7.根据权利要求6所述的多量子阱结构(1)，其中势垒层(3)的厚度在4nm至25nm之间。
8.根据权利要求6或7所述的多量子阱结构(1)，其中势垒层(3)被n掺杂。
9.根据权利要求8所述的多量子阱结构(1)，其中势垒层被Si掺杂。
10.根据权利要求9所述的多量子阱结构(1)，其中Si掺杂在1017/cm3至1018/cm3之间。
11.根据权利要求6至10中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中势垒层(3)包含基于氮化物的半导体材料。
12.根据权利要求11所述的多量子阱结构(1)，其中势垒层(3)包含GaN、InGaN或者AlInGaN。
13.根据权利要求6或者引用权利要求6的权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中层序列(200a，200b)包含InxGa(1-x)N，其中0≤x<1。
14.根据权利要求6或者引用权利要求6的权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中层序列(200a，200b)分别包括势阱层(11，12)，该势阱层的厚度在1nm至5nm之间。
15.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中所述多量子阱结构能够在一位至两位的毫安范围中进行馈电，优选在大约1mA至15mA之间馈电。
16.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，其中所述多量子阱结构能够以大于0mA/mm2至大约160mA/mm2之间的电流密度馈电。
17.根据上述权利要求中的任一项所述的多量子阱结构(1)，所述多量子阱结构被外延地制造。
18.一种发射辐射的半导体本体(18)，该半导体本体具有根据权利要求1至17中的任一项所述的多量子阱结构(1)。
19.根据权利要求18所述的发射辐射的半导体本体(18)，其中多量子阱结构(1)用作有源层。
20.根据权利要求18或19所述的发射辐射的半导体本体(18)，该半导体本体构建为薄膜发光二极管芯片。
21.一种发射辐射的器件(19)，该发射辐射的器件具有根据权利要求17至20中的任一项所述的发射辐射的半导体本体(18)。
22.根据权利要求21所述的发射辐射的器件(19)，其中发射辐射的半导体本体(18)设置在壳体(22)内。
23.根据权利要求21或22所述的发射辐射的器件(19)，其中发射辐射的半导体本体(18)之后在耦合输出侧设置有光学元件。
24.根据权利要求21至23中的任一项所述的发射辐射的器件(19)，该发射辐射的器件能够调光。
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