CN101458464B - 对准方法、对准系统以及具有对准标记的产品 - Google Patents
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Abstract
使用在产品上的对准标记测量产品的位置。辐射被朝向所述对准标记传送并由在对准标记中的图案衍射。从所述衍射的辐射的位相关系确定位置信息。所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，从该导体轨迹中收集所述衍射的辐射，所述图案由作为沿着产品的表面的位置的函数的在连续的轨迹之间的间距变化的图案来定义。因此，例如所述图案包括交替的第一和第二区域，其中，所述间距具有分别的第一和第二值。因为诸如所述第一和第二区域的在所述图案的不同部分的轨迹相互平行，所以改善的测量是可能的。
Description
技术领域
本发明涉及一种在其上具有对准标记的产品和一种用于对准产品的方法。一个实施例涉及用于制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地被称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单独层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分芯片、一个或多个芯片)上。典型地，经由成像将所述图案转移到所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻装置包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在曝光过程中，衬底和图案形成装置需要被精确地对准。为了这个目的，在所述衬底和/或图案形成装置上设置光学对准标记是公知的。一种已知的对准标记具有作为位置的函数周期性变化的反射性能，以使得所述标记能被用作光栅。例如，当波长约为0.6微米的光被用于测量位置时，这种光栅的周期可能是16微米。一种光学系统通过使用来自这种光栅的被选择的衍射级形成所述衍射光的图像，来测量所述衬底和/或图案形成装置的位置。在一个简单的对准标记中通过高反射(例如金属)的一个区域和低反射(例如氧化物)的一个区域来实现所述周期性变化的每个周期，例如在一个周期中的一个8微米宽的金属区域和一个8微米宽的氧化物区域。
可以使用两个这样的对准标记，在其中的一个中，周期性区域沿着晶片的表面在第一方向(X轴)上重复，并且在另一个中，周期性区域沿着晶片的表面在第二方向(Y轴)上重复。此外，典型地用两个波长的光来进行对准测量。
然而，具有由两个均质区域形成的周期的对准标记倾向于利用比在现代集成电路中的轨迹尺寸更大的均质区域。相应地，在对准标记的每个周期中由更细的线构建不同区域是可能的。在Metrology，Inspectionand Process Control for Microlithography XXI(Chas N.Archie editor)ProcSPIE的第6518卷的Henry Megens等的文章题目为＂Advances in Processoverlay-Alignment Solutions for Future Technology Nodes＂中可以知道这样一种对准标记：其中，周期结构交替地包括具有沿第一方向定向的细小的导电轨迹的第一区域和具有沿垂直于第一方向的第二方向定向的细小导电轨迹的第二区域。这些导电轨迹之间的距离被制作成小于用于测量对准标记的位置的光的波长。
这样的线图案导致了线状网格的偏振效应，由此具有平行和垂直于所述轨迹的电场分量的光的偏振分量主要被分别地反射和透射。因为轨迹的方向在对准标记中交替，所以这样的对准标记提供了对于各个偏振分量的在所述周期性变化的反射性能之间的偏差(offset)。由于所述方向变化的图案产生了衍射：所述方向图案作为在不同角度产生不同衍射级的衍射光栅。来自这些衍射级的光被用于测量所述对准标记的位置。
不幸的是，这种类型的对准标记与使用成对的衍射级的衍射成像技术的使用不能兼容。这样的成像技术的一个例子是双极照射方法。在所述双极照射方法中，光以相对于所述照射系统的光轴的斜角入射的方式落到所述掩模上。斜角入射的光会产生具有大衍射角的被传送的衍射级。所述投影系统可以被配置以只捕获零和第一被传送的衍射级，以及把它们投射到抗蚀剂层上从而构建光栅的图像。如果光栅线垂直于入射平面，该入射平面包括光轴和入射束的波矢，光栅的清晰图像将被形成于所述抗蚀剂层上。但是如果光栅线平行于入射的这个平面，光栅的劣质分辨图像将会形成在所述抗蚀剂层上。所述劣质图像导致了具有不同参数的光栅或根本没有光栅。如果对准标记的周期由方向垂直的亚波长线组成，在一个方向上的线将会被很好地分辨并且在垂直方向的线将不会在双极或偏振照射下被分辨。当除了在90度范围上旋转外，在X和Y方向上使用的对准标记相同时，，同一偏振分量不能用于同时测量X和Y标记的位置。
发明内容
希望提供一种具有对准标记的产品，该对准标记允许对来自可选择的衍射级的辐射的不同偏振分量的细线图案的空间上变化的反射性能。
根据本发明的一个方面，提供了一种测量产品位置的方法，该方法包括：
朝向在所述产品的表面的对准标记传送电磁辐射；
收集由所述对准标记衍射的辐射；
从所述衍射的辐射的相位关系确定位置信息，
其中，所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，从该导体轨迹中收集所述衍射的辐射，在连续轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品的表面的位置的函数变化，所述被收集的衍射的辐射发生的角度依赖于作为位置的函数的在所述一组轨迹中的轨迹的间距的变化的图案。
根据本发明的一个方面，提供了一种对准系统，该对准系统包括：
电磁辐射源，该电磁辐射源被配置以传送电磁辐射；
被对准的产品，该产品包括用以接受辐射的对准标记，该对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，该导体轨迹在连续轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品表面的位置的函数变化，并且所述被收集的衍射的辐射发生的角度依赖于作为位置的函数的在所述一组轨迹中的轨迹的间距的变化的图案；和
探测器被配置以成像选自由所述对准标记衍射的电磁辐射的选择的衍射级的光。
根据本发明的一个方面，提供了包括这样的对准系统的光刻设备，其中，所述产品是半导体晶片。
根据本发明的一个方面，提供了包括对准标记的产品，所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，该导体轨迹在连续的轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品的表面的位置的函数变化，并且所述衍射发生的角度依赖于作为位置的函数的间距的变化的图案。
附图说明
本发明的具体实施方式将只通过实施例的方式参考附随的示意性的附图进行描述，其中相应的附图标记指示相应的部件。
图1描述了依据本发明的实施例的光刻装置；
图2显示了一种光学测量系统；
图3显示了对准标记的一部分的俯视图；
图3a显示了交替的对准标记的一部分的俯视图；
图4显示了对准标记的一部分的侧视图；
图5显示了对于一个波长，作为间距的函数的反射率的曲线图；和
图5a显示了对于两个波长，作为间距的函数的反射率的曲线图。
具体实施方式
图1示意性地描述了依据本发明的实施例的光刻设备。该设备包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节电磁辐射的辐射束B(例如，在可见光、UV或EUV波长范围内)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个芯片)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑所述图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于在辐射束的横截面上赋予图案以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能与在衬底的目标部分上所需的图案不完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其它台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
光刻设备还可以是如下类型：其中至少一部分衬底可由具有相对高折射率的液体(例如水)所覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液还可以施加到光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。这里使用的术语“浸没”不意味着结构(例如衬底)必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和定位传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个定位传感器IF1用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)上。类似地，在将多于一个的芯片设置在图案形成装置MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述芯片之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑结构MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
第一定位器PM和/或其它位置传感器IF1使用光刻设备中的光学测量系统和在衬底W和/或图案形成装置M上的对准标记。图2显示了包括光源20和相位相干检波器22的光学测量系统。在操作中，光源20为产品26(衬底W或图案形成装置M)上的对准标记24供给光(或更通常的电磁辐射)。对准标记24的镜面反射效率作为在对准标记24的表面上的位置的函数变化。因此光从对准标记24上衍射。通过相位相干检波器22收集所述衍射的光。所述相位相干检波器22选择来自两个衍射级的光，并且使用已选择的反射级形成对准标记的图像。因此，图像的强度变化依赖于来自所选择的衍射级的光之间的位相关系。用于这种相位相干位置确定的技术在本质上是已知的，例如从Ramon Navarro、StefanKeij、Arne den Boef、Sicco Schets、Frank van Bilsen、GeertSimons、Ron Schuurhuis、Jaap Burghoom在Proceedings of SPIE的第4344卷上发表的文章题目为“Extended ATHENATM alignmentperformance and application for the 100 nm technology node”中。由于没有这种技术的详细知识也可以理解本发明，因此在这里将不详细对它们进行详细解释。
图3显示了对准标记的一个实施例的一部分的俯视图。这个部分包括导电轨迹30(为了示例只标记了几个)，该导电轨迹30都沿着同一方向取向。图3a显示了交替的对准标记的一部分。轨迹30的间距，即连续轨迹的起点之间的距离(轨迹密度(每一单位距离上的轨迹数目)的倒数)，作为位置的函数变化。分别具有第一和第二间距值P1、P2的交替的第一和第二区域32、34可被识别出来。在交替的区域32、34的这些图形的情况下，间距值变化的图案引起了用于测量的衍射。因此不是轨迹30的方向变化的图案，而是间距变化的图案被用以产生用于测量位置的可选择的衍射级。衍射的角度依赖于间距变化的这种图案的间距，也就是，所述区域起到单独的光栅条的功能。单个的轨迹30的间距构成这种图案的基础，并且必定小于区域32、34的图案的间距。所述单独的轨迹不能有效地用作单独的衍射光栅条以产生用于测量位置的可选择的衍射级。因为轨迹的间距通常比辐射的波长小很多和在同样的间距时单独轨迹的重复的周期不能在大的区域上延伸，所以它们这方面的作用小。
选择区域32、34中的轨迹30的间距以提供最大反射偏振分量在第一和第二区域32、34中是不同的。通常地，在区域32、34之间的连续边界之间的距离(即区域的宽度)要比用于位置测量的光的波长大很多，例如至少10倍于波长。在一个例子中，波长大约0.5微米，8微米宽被使用，从而产生16微米的周期。连续轨迹30之间的间距通常比波长小。
图4显示了在横截面中的图3的对准标记的侧视图。轨迹30包括镶嵌于非导电材料的层40中的导电材料。在衬底42上设置层40，该层40可以是具有或没有部分制作的电路结构的半导体晶片。在一个实施例中，轨迹可以包括诸如铜等金属，以及层40可以由氧化硅或碳化硅形成。
图5显示了对于具有一个波长(633纳米的红光)和两个不同偏振分量的光的作为间距的函数的理论反射效率，光的电场分别平行和垂直于轨迹30。可以看到，在小间距时对第一偏振分量的反射效率是高的，对于第二分量是低的。这对应于线网格偏振效应。此外，可以看到，随着间距的增加直到达到在最小值50处的间距值时，第一分量的反射效率降到零或接近零，高于在最小值50处的间距值之后，所述效率升高至渐进值。相反地，随着间距的增加第二分量的反射效率增加，在大约第一分量的反射效率为零的最小值50处的间距值处，反射效率达到一个峰值，在此之后，它降低至渐进值。第一和第二分量的反射效率在相交间距值52处相交。
在一个实施例中，在对准标记的第一区域32中的间距具有对应于图5中的对第一分量的反射效率为零的间距值的第一值。在第二区域34中间距具有远远低于第一值的第二值。结果，实现了对准标记，其中反射效率对于两个偏振分量作为位置的函数周期性变化，但是在两个偏振分量之间具有作为位置的函数的半个周期的位相偏差。
应当注意，当间距并不准确地等于第一分量的反射效率为零处的第一值时，也可达到相似的效果。在第一和第二区域32、34的间距之间的任何差别导致了对于两个偏振分量作为位置的函数的反射效率的一些变化。在一个实施例中，第一和第二区域32、34的间距值是在相交间距值52的相反侧上。因此，不同的偏振分量将分别在第一和第二区域32、34中具有最高的反射效率。
图5a显示了对于两个不同波长的光(红光和绿光)作为位置函数的间距的理论反射效率。除了在图5显示的对于红光的曲线外，显示了对于另一波长(533纳米的绿光)的另外的曲线(用正方形标记)。可以看到，除了对于不同的波长最小值出现在的不同间距值处外，对于两个波长的效应是相似的。在一个实施例中，使用用于测量同一对准标记的反射性能的多个波长进行位置测量。在这个实施例中，可以选择在不同区域的间距值和波长，以便在第一和第二区域32、34中的间距值位于每一个波长的相交间距值52的相反侧上。从图5a中可以看到，对于在红和绿的范围内的波长的光这是可能的。然而，其他波长可被选择作为替代或附加波长。
虽然在一个已经显示的实施例中，所有导电轨迹30的最长轴平行于第一和第二区域32、34之间的边界，可以理解，可替换地长轴可垂直于所述边界(成90度角度)，如图3a中所示，或以任何角度穿过所述边界。彼此对应地选择所述角度和所述偶极子(dipole)方向(穿过不同衍射级的方向矢量的平面)，以便所述偶极子方向与所述长轴方向对准。被定向为平行于第一和第二区域32、34之间的边界的导电轨迹30的使用通常导致不依赖于连续区域边界之间的距离使用任意长度的导电轨迹30的选择性。
在一个实施例中，使用在相互不同的方向上具有周期性的至少两个对准标记来执行沿着衬底W的表面的X和Y方向的测量。也可使用棋盘类型的对准标记，其中，所述区域的图案在彼此成一定角度的两个方向上是周期性的，例如以90度的角度。虽然在已显示的实施例中使用了周期性排列的第一和第二区域32、34，这使得使用简单的级选择系统成为可能，但是，可以理解，可替换地，在不同区域的导体轨迹之间具有不同间距距离的导体轨迹的区域的非周期性排列是可能的。例如使用全息相关技术从这样的对准标记中测量位置。在另一个实施例中，可使用可变间距，该间距作为位置的函数在最小值50处的间距值和低于相交间距值52的间距值之间变化。
虽然本文给出了特定的有关光刻设备在IC制造中的应用参考，但应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”和“芯片”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨迹机(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中处理。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然本文给出了特定的有关本发明的实施例在光刻技术中的应用参考，但应该理解到本发明可以在其他应用中使用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，并不限于光刻。在压印光刻中图案形成装置的表面状况定义了在衬底上产生的图案。所述图案形成装置的表面状况可以被压制到涂覆于衬底上的抗蚀层上，通过施加电磁辐射、加热、压力或它们的组合固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后，移除图案形成装置，在所述抗蚀剂中留下了图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)，以及诸如离子束或电子束的颗粒束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式和磁的、电磁的和静电的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。
Claims (10)
1.一种用于测量产品的位置的方法，该方法包括：
朝向在所述产品表面的对准标记传送电磁辐射；
收集由所述对准标记衍射的辐射；及
从所述衍射的辐射的相位关系确定位置信息，
其中，所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，从该导体轨迹收集所述衍射的辐射，在连续轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品的表面的位置的函数变化，所述被收集的衍射的辐射发生的角度依赖于在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为位置的函数的变化的图案，所述间距具有分别在所述对准标记的第一和第二区域中的第一间距值和第二间距值，所述被传送的辐射包括具有第一和第二相互正交的偏振分量的辐射，其具有一波长，在该波长时来自具有第一和第二间距值的间距的导体轨迹的对准标记对第一偏振分量的反射效率分别高于和低于对于第二偏振分量的反射效率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，电磁辐射的波长定义了相交间距值，在该相交间距值处对所述第一和第二偏振分量的反射效率是相等的，所述第一和第二间距值分别在所述相交间距值以上和以下。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述波长定义了对第一偏振分量具有最小反射效率的间距值，所述第一间距值是所述对第一偏振分量具有最小反射效率的间距值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述被传送的辐射进一步包括具有第三和第四相互正交的偏振分量的辐射，其具有与所述波长相间隔的另外的波长，在此另外的波长时，来自具有第一和第二间距值的间距的导体轨迹的对准标记对第三偏振分量的反射效率分别高于和低于对第四偏振分量的反射效率。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准标记包括周期性的排列，其中，所述第一和第二区域在位置上相交替地布置，所述连续的导体轨迹分别具有在第一和第二区域中的具有第一和第二值的间距。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导体轨迹的最长轴被取向成平行于所述第一和第二区域之间的边界。
7.一种对准系统，该对准系统包括：
电磁辐射源，该电磁辐射源被配置以传送电磁辐射；
被对准的产品，该产品包括用以接受辐射的对准标记，该对准标记包括一组具有相互平行的导体轨迹，该导体轨迹在连续轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品表面的位置的函数变化，所述被收集的衍射的辐射发生的角度依赖于在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为位置的函数的变化的图案；和
探测器被配置以探测来自选择的衍射级的光，所述选择的衍射级选自由所述对准标记衍射的电磁辐射，
其中所述间距具有分别在所述对准标记的第一和第二区域中的第一间距值和第二间距值，所述被传送的辐射包括具有第一和第二相互正交的偏振分量的辐射，其具有一波长，在该波长时来自具有第一和第二间距值的间距的导体轨迹的对准标记对第一偏振分量的反射效率分别高于和低于对于第二偏振分量的反射效率。
8.一种光刻设备，该光刻设备包括根据权利要求7的对准系统，其中，所述产品是半导体晶片。
9.一种包括对准标记的产品，所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，该导体轨迹具有在连续的轨迹之间的间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品的表面的位置的函数变化，衍射发生的角度依赖于间距作为位置的函数的变化的图案，
其中所述间距具有分别在所述对准标记的第一和第二区域中的第一间距值和第二间距值，对于包括具有第一和第二相互正交的偏振分量且具有一波长的辐射的、被所述对准标记所接受的辐射，在该波长时来自具有第一和第二间距值的间距的导体轨迹的对准标记对第一偏振分量的反射效率分别高于和低于对于第二偏振分量的反射效率。
10.一种器件的制造方法，该方法包括：
将图案从图案形成装置转移至产品，该产品包括在制造中的所述器件，其中，所述转移包括依据一种方法对准衬底，该方法包括：
朝向在所述产品的表面的对准标记传送电磁辐射；
收集由所述对准标记衍射的辐射；以及
从所述衍射的辐射的相位关系确定位置信息，
其中，所述对准标记包括一组相互平行的导体轨迹，从该导体轨迹收集所述衍射的辐射，在连续轨迹之间具有间距，在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为沿着产品的表面的位置的函数变化，所述被收集的衍射的辐射发生的角度依赖于在所述一组轨迹中的轨迹的间距作为位置的函数的变化的图案，所述间距具有分别在所述对准标记的第一和第二区域中的第一间距值和第二间距值，所述被传送的辐射包括具有第一和第二相互正交的偏振分量的辐射，其具有一波长，在该波长时来自具有第一和第二间距值的间距的导体轨迹的对准标记对第一偏振分量的反射效率分别高于和低于对于第二偏振分量的反射效率。
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