CN101441408A

CN101441408A - 光掩膜及光掩膜的制造方法,以及图案转印方法

Info

Publication number: CN101441408A
Application number: CNA2008101733697A
Authority: CN
Inventors: 佐野道明
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2007-11-22
Filing date: 2008-11-20
Publication date: 2009-05-27
Anticipated expiration: 2028-11-20
Also published as: KR101031123B1; KR20090053716A; TW200935169A; CN101441408B; JP2009128558A

Abstract

本发明提供一种光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法。本发明的课题在于提供一种灰度掩膜等的光掩膜，可抑制掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的发生，即便万一产生静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案。本发明是在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案(例如灰度掩膜)的光掩膜，具有从电气孤立的多个掩膜图案(10a、10b、10c)中分别引出的导电性图案(11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d)。该导电性图案具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分，例如由半透光膜或透光膜形成。

Description

光掩膜及光掩膜的制造方法，以及图案转印方法

技术领域

本发明涉及一种使用掩膜在被转印体上的光敏抗蚀剂上形成转印图案的图案转印方法、及使用于该图案转印方法的光掩膜以及其制造方法。

背景技术

现在，在液晶显示装置(Liquid Crystal Display：下面称为LCD)的领域中，薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：下面称为TFT—LCD)，与CRT(阴极线管)相比，因易作成薄型、功耗低的优点，现在正迅速推进商品化。TFT—LCD具有，在液晶相的介入下、重合在排列成矩阵状的各象素中排列TFT的结构的TFT基板、和对应于各象素排列红色、绿色及蓝色的象素图案的滤色镜的示意结构。在TFT—LCD中，制造工序多，即便仅TFT基板也使用5～6个光掩膜来制造。这种情况下，在特开2005—37933号公报(专利文献1)中，提议通过使用具有遮光部、透光部和半透光部的多灰度光掩膜(下面称为灰度掩膜)，减少利用于TFT基板制造的掩膜个数。这里，所谓的半透光部，指在使用掩膜将图案转印至被转印体上时，使透过的曝光光的透过量减少给定量，控制被转印体上的光敏抗蚀剂膜显影后的残留膜量的部分。

作为灰度掩膜，具有：透光部，露出透明基板；遮光部，在透明基板上形成遮光曝光光的遮光膜；和，半透光部，在透明基板上形成遮光膜或半透光膜，在透明基板的光透过率为100％时，由其减少透过光量，透过给定量的光。作为这种灰度掩膜，在遮光膜或半透光膜上形成在曝光条件下低于分辨极限的细微图案、或形成具有给定的光透过率的半透光膜作为半透光部之掩膜。

另外，可知因为在使用于半导体装置制造的光掩膜中，存在如下问题：即，在该遮光图案中产生静电，在电气独立的各图案间产生电位差，由产生放电导致静电破坏，因此以特开2003—248294号公报(专利文献2)记载的发明的方式用假图案电连接该独立图案。

所述使用于LCD制造用等的光掩膜通常在作为绝缘体的透明玻璃基板上，形成由铬等金属构成的遮光膜及/或半遮光膜，对其分别实施给定的布图来制造。由于该掩膜制造过程中的清洗、掩膜使用过程中的清洗、或者搬运过程中的处理及摩擦，因此掩膜带电。该带电产生的静电电位，有时为几十KV或其以上，这在掩膜的互相电气孤立的图案间放电时，产生静电破坏，破坏图案。如果将被破坏的图案转印到被转印体上(LCD面板等)的话，则会成为产品不好。

可是，为了在被转印体上形成膜厚分阶段不同的抗蚀剂图案，如所述已知对图案上的特定部位有选择地降低曝光光的透过率、可控制曝光光的透过的光掩膜，即灰度掩膜，作为这样的灰度掩膜，已知在透过曝光光的一部分的半透光部使用半透光膜的掩膜。

图7(a)是表示使用对曝光光具有给定光透过率的半透光膜作为半透光部的灰度掩膜的截面图。即，图7(a)所示的灰度掩膜，在透明基板24上具有：遮光部21，在该灰度掩膜使用时遮光曝光光(透过率大约为0％)；透光部22，使透明基板24表面露出的曝光光透过；和，半透光部23，在透光部的曝光光透过率为100％时，使透过率降低至10～80％左右。如图7(a)所示的遮光部21，是由形成于透明基板24上的遮光膜25构成的，另外，半透光部23，是由形成于透明基板24上的光半透过性的半透光膜26构成的。另外，图7(a)的遮光部21、透光部22及半透光部23的图案形状表示了一个例子。

可是，作为构成所述遮光部21的遮光膜25的材质，例如使用Cr或以Cr为主要成分的化合物。这样形成图案的光掩膜，由于清洗、其它的使用时的处理等，在电气孤立的各图案中易积存电荷。另外，灰度掩膜的情况具有液晶面板制造成本变为非常有利的优点。再有，在希望得到廉价的制造成本时，使用多倒角的大型掩膜制造的需要越发高涨。在这种灰度掩膜中，因为在多个基板上形成电子独立的、较大面积的图案，所以易产生图案间的电位差，因此，由于具有因大型化而电位差变大的倾向，所以图案膜的静电破坏严重。并且，在TFT制造用的灰度掩膜的情况下，具有对应于沟道部图案等图案的细微化，易产生静电破坏的情形。例如，如图7(b)中的箭头D所示，由于相邻的遮光部21间的电位差引起的放电，遮光膜25、半透光膜26的一部分因静电破坏而消失。

在这种灰度掩膜使用时的处理中，未预期产生的图案的静电破坏是导致使用该掩膜形成的被转印体的成品率下降、液晶显示装置等最终产品的动作不良的重大问题。

因此，抑制灰度掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的产生是极重要的课题。

根据由假图案连接电子独立的图案的专利文献2的方法，由于形成连接的结果形成的、同样电子独立的大面积图案，所以存在在该图案与电位不同的其它图案或导电体部件之间产生放电时，破坏导致的损坏反而增大的危险。

发明内容

本发明鉴于所述以往的问题，其目的在于：第一，提供一种灰度掩膜等的光掩膜，可抑制掩膜使用时处理中引起的图案的静电破坏的产生，即便万一引起静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案；第二，提供一种图案转印方法，使用这种光掩膜，可在被转印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印图案。

为了解决所述课题，本发明具有以下结构。

(结构1)在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案的光掩膜中，其特征在于：具有从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

(结构2)根据结构1所述的光掩膜，其特征在于：所述掩膜图案具有遮光部、透光部、和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部，在使用掩膜向被转印体照射曝光光时，根据部位不同有选择地减少对被转印体的曝光光的照射量，在被转印体上的光敏抗蚀剂膜上，形成包含残留膜值不同的部分的期望转印图案，所述遮光部至少由遮光膜形成，所述半透光部由至少透过曝光光的一部分的半透光膜而形成。

(结构3)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：所述掩膜图案的遮光部，在透明基板上依次具有半透光膜及遮光膜。

(结构4)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：所述掩膜图案的遮光部，在透明基板上依次具有遮光膜及半透光膜。

(结构5)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：所述导电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料而构成。

(结构6)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：所述导电性图案是由通过曝光不会转印到被转印体上的线幅形成的直线或曲线状的线图案。

(结构7)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：所述导电性图案是半透光性或透光性的图案。

(结构8)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于：从电气孤立的任意一对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。

(结构9)一种具有如下工序的光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该工序在透明基板上使用形成了半透光膜和遮光膜的掩膜版，利用光刻法在所述半透光膜和所述遮光膜上分别进行期望的布图，形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案；在所述布图时，形成从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

(结构10)根据结构9所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：所述导电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料而构成。

(结构11)根据结构10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：使用在透明基板上依次形成有半透光膜、遮光膜的掩膜版。

(结构12)一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案的工序，还包含在透明基板上使用形成所述遮光膜的掩膜版进行布图，形成透光部和遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案的整个面上形成半透光膜，对该半透光膜和该遮光膜实施布图，形成透明基板露出的透光部的工序，所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

(结构13)一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案的工序，还包含在透明基板上，使用形成所述遮光膜的掩膜版进行布图，形成遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案上的整个面上形成半透光膜，在该半透光膜上进行布图，形成透明基板露出的透光部的工序，所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

(结构14)根据结构10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：从电气孤立的任意一对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。

(结构15)一种图案转印方法，其特征在于：使用基于结构1至8中的任一项所述的光掩膜或结构9至13中的任一项所述的制造方法制造的光掩膜，向被转印体照射曝光光，在被转印体上形成期望的转印图案。

本发明的光掩膜是在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案的光掩膜，具有从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

作为所述光掩膜，例如是在透明基板上具有由遮光部和透光部构成的掩膜图案的双掩膜。并且，作为另外的所述光掩膜，例如是多灰度(灰度)掩膜，该掩膜在透明基板上具有由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的掩膜图案，在使用掩膜向被转印体照射曝光光时，根据部位不同有选择地减少对被转印体的曝光光的照射量，在被转印体上的光敏抗蚀剂上，形成包含残留膜值不同的部分的期望转印图案。

在该光掩膜中，由于通过具有所述导电性图案，在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，该导电性图案在电位差小的阶段进行放电，难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制产生用于设备形成的掩膜图案的静电破坏。并且，掩膜图案的任何一个，在其它部件和其它图案之间产生电位差、引起放电时，放电的电荷量也不会过大，进行冲击小的放电。即，不使电子独立的图案的面积过大，即，不使积蓄的电荷过大，在该导电性图案的部位中可优先地产生放电。

并且，在该光掩膜中，通过具有所述导电性图案，即便假设因放电而静电破坏图案，也由于该破坏在具有邻近且不接触的部分的导电性图案的部分产生，所以不影响用于设备形成的掩膜图案的部分。即，通过具备从电气孤立的多个掩膜图案分别引出、并且具有邻近且不接触的部分的导电性图案，可在远离使用于设备形成的重要图案的部位放电，即便假设产生因这种放电而破坏图案，也由于该图案是导电性图案的一部分，与使用于设备形成的掩膜图案无关，所以不会对使用本发明的光掩膜所制造的产品产生放电破坏的坏影响。另外，希望该导电性图案在电气孤立的图案间设置多个，以在产生静电破坏时，在破坏该导电性图案之后也能使用的掩膜。

并且，不仅在掩膜使用时，在掩膜制作工序中也发挥基于该导电性图案的、掩膜图案的静电破坏防止效果。例如通过在透明基板上的整个面上使用形成半透光膜和遮光膜的光掩膜版，在各个膜上进行布图，形成光掩膜，在该半透光膜布图时，形成本发明的导电性图案，除抑制所述掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏之外，还可有效地抑制在掩膜制作阶段引起的图案的静电破坏。

并且，所述导电性图案，除使用光掩膜的遮光膜之外，也可由透明膜、或对曝光光具有半透过性的半透光膜形成，由此，例如即便可将线幅增大到某种程度，也难以向被转印体转印。并且，即便万一将所述导电性图案转印到被转印体上，由于互不接触，所以也不对制造的设备电路产生坏影响。

并且，例如灰度掩膜的情况，通过在半透光部中由具有导电性的半透光膜形成，利用将半透光膜进行布图的工序，可在同一工序中制作由所述半透光膜形成的导电性图案。

并且，通过使用这种本发明的光掩膜向被转印体进行图案转印，可在被转印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印图案。

附图说明

图1是用于说明使用本发明相关的灰度掩膜的图案转印方法的截面图。

图2是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图。

图3是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图。

图4是表示将本发明适用于灰度掩膜的(A)实施方式1、(B)实施方式2和(C)实施方式3的截面图。

图5是表示本发明的实施方式1的灰度掩膜的制造工序的截面图。

图6是表示将本发明适用于双掩膜的实施方式4的截面图。

图7是用于说明以往的灰度掩膜中的课题的掩膜截面图。

具体实施方式

下面，根据附图说明实施本发明的最佳实施方式。

图1是用于说明使用作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的图案转印方法的截面图。图1所示的灰度掩膜20，用于在被转印体30上，形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案33。另外，在图1中，符号32A、32B表示在被转印体30中叠层在基板31上的膜。

图1所示的灰度掩膜20，在透明基板24上具有掩膜图案，该掩膜图案是由在该灰度掩膜20使用时遮光曝光光(透过率大约为0％)的遮光部21、使透明基板24的表面露出的曝光光透过的透光部22、和在透光部的曝光光透过率为100％时使透过率降低至10～80％左右的半透光部23构成的。曝光光透过率如果是20～60％，则更优选在被转印体上的抗蚀剂图案形成条件中产生自由度。图1所示的半透光部23是由形成于透明基板24上的光半透过性的半透光膜26构成的，遮光部21按半透光膜、遮光膜的顺序形成所述半透光膜26和遮光膜25而构成。

在使用所述的灰度掩膜20时，由于在遮光部21实质上不透过曝光光、在半透光部23减少曝光光，所以涂抹在被转印体30上的抗蚀剂膜(阳极型光敏抗蚀剂膜)在转印后、经显影时，可形成在对应于遮光膜21的部分膜厚变厚、在对应于半透光部23的部分膜厚变薄、在对应于透光部22的部分没有膜(实质上不产生残留膜)的、膜厚阶段性不同(即有级差)的抗蚀剂图案33。

而且，在图1所示的抗蚀剂图案33的没有膜部分，对被转印体30中的例如膜32A及32B实施第1蚀刻，通过老化等去除抗蚀剂图案33的膜厚薄的部分，在该部分对被转印体30中的例如膜32B实施第2蚀刻。这样，通过使用1个灰度掩膜20，在被转印体30上形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案33，实施以往2个光掩膜量的工序，减少掩膜个数。

图2是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图。10a、10b、10c分别是用于制造独立的显示装置的掩膜图案，这里，模式地表示在1个透明基板24上具有3面的3倒角的光掩膜。

在10a～10c的各掩膜图案中，例如包含多个TFT制造用的图案，这些各自具有遮光部、透光部、半透光部。例如，在透明基板24上形成该灰度掩膜使用时遮光曝光光(透过率大致为0％)的遮光部、透光部的曝光光透过率为100％时将透过率降低至10～80％最好为20～60％左右的半透光部。而且，具有从电气孤立的各掩膜图案10a、10b、10c分别引出的导电性图案11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d。该导电性图案具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分。

在该灰度掩膜中，通过具有所述导电性图案，由于在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制产生使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏。另外，掩膜图案之一在与其它部件或其它图案之间产生电位差，引起放电时，放电的电荷量也不会过大，能进行冲击小的放电。

例如，由于液晶基板的大型化，因此各液晶面板制造用的掩膜图案也大型化了。这种大型、且电气独立的图案，易存积非常大的电荷，当这些电荷位于较邻近的位置时，易产生放电引起的静电破坏。

另外，以往在掩膜图案中，使用掩膜在被转印体上形成图案，在最终得到的液晶面板等的电子设备的图案中，在易产生静电破坏的位置上，预先形成以防止图案破坏为目的的图案(下面称为ESD图案)。其主要是将彼此电气孤立的图案配置在较邻近的位置上，索性促使其放电，防止积蓄大的电荷的形状。这种图案即便在光掩膜中也易放电，在光掩膜中该图案造成静电破坏，并且该坏影响波及用于设备形成的重要的掩膜图案。因此，即便对该ESD图案也在掩膜上配置所述导电性图案是很有用的。

即，在本发明的光掩膜中，通过具备所述导电性图案，即便假设因放电静电破坏了图案，也由于该破坏在具有邻近且不接触的部分的导电性图案的部分产生，所以不影响使用于设备形成的掩膜图案的部分。即，通过具备从电气孤立的多个掩膜图案分别引出、并且具有邻近且不接触的部分的导电性图案，可在远离使用于设备形成的重要图案的部位放电，由于即便假设产生因这种放电破坏了图案，该图案也是导电性图案的部分，与使用于设备形成的掩膜图案无关，所以不对使用本发明的光掩膜制造的产品产生放电破坏的坏影响。

并且，电气孤立的图案彼此具有角部，该角部位于该图案彼此最邻近位置时，易产生静电破坏。因此，即便对这些图案彼此也适用本发明的导电性图案是很有用的。并且，在该导电性图案的前端设置角部也有效。

从各掩膜图案10a、10b、10c分别引出的所述导电性图案11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d各自具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分，该邻近部分的间隔(间隙)优选例如2～5μm左右，更优选3～4μm左右。

所述导电性图案11a～11d、12a～12d，例如可由导电性高的材料的细线图案来形成，但未转印到被转印体上，即，作为被转印体上的抗蚀剂图案，优选显影后实质上不出现的图案线幅。在本发明的导电性图案由遮光膜构成时，优选在曝光条件下为分辨极限以下(例如1μm以下)的线幅。本发明的导电性图案在对曝光光为半透光性乃至透光性时，难以转印到被转印体上，未必在曝光条件下为分辨极限以下(例如1μm以下程度)的线幅。优选1μm～5μm左右。并且，可知如果是透光性膜，则线幅也可更大。但是，即便万一将所述导电性图案转印到被转印体上，也因为互不接触，而不对制造的设备电路产生坏影响。

并且，通过半透光膜形成本发明的导电性图案如后所述，具有制造上的优点。

可是，形成于各掩膜图案间的所述导电性图案例如对各掩膜图案也可是1处，如图2所示，通过在多处形成导电性图案，即便产生多次放电，也可取得本发明的效果。

另外，图3是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图，从各掩膜图案10a、10b、10c分别引出的导电性图案11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d通过分别上下错位成互不接触的程度，形成较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分。

另外，在所述图2及图3中，表示从各掩膜图案引出的导电性图案为直线状的线图案的情况，但不限于此，例如也可为曲线状的线图案、或在该线图案的一部分中包含点状的图案。换言之，在所述导电性图案中，所述互不接触的邻近部分也可存在多个。

图4的(A)、(B)、(C)无论哪个都是表示将本发明适用于灰度掩膜时的实施方式的截面图。

图4(A)所示的实施方式1，利用半透光膜形成在各掩膜图案间形成的所述导电性图案。该灰度掩膜，在透明基板24上形成掩膜图案，该掩膜图案的构成为：遮光部21，在该灰度掩膜使用时遮光曝光光(透过率大约为0％)；透光部22，使透明基板24的表面露出的曝光光透过；和，半透光部23，设透光部的曝光光透过率为100％时，使透过率降低至10～80％。半透光部23是由形成于透明基板24上的光半透过性的、具有导电性的半透光膜26构成的，遮光部21是按半透光膜、遮光膜的顺序形成所述半透光膜26和遮光膜25而构成的。而且，图4(A)中所示的导电性图案11(对应于图2所示的细线状的导电性图案11a～11d)，是由构成所述半透光部23的半透光膜26构成的。在本实施方式中，通过由具有与半透光部23相同的导电性的半透光膜26形成所述导电性图案11，可利用制作半透光部的工序，同时制作由所述半透光膜26形成的导电性图案11。该导电性图案11的线幅为不将该图案转印到被转印体上的程度。

图5是表示本发明的所述实施方式1的灰度掩膜的制造工序的截面图。

本实施方式中使用的掩膜版按半透光膜、遮光膜的顺序在透明基板24上形成例如包含具有导电性的钼硅化物的半透光膜26、和例如以铬为主要成分的遮光膜25，在其上涂抹抗蚀剂形成抗蚀剂膜27(参照图5(a))。

作为遮光膜25的材质，除所述以Cr为主要成分的材料外，还举出Si、W、Al等。在本实施方式中，遮光部的透过率，根据所述遮光膜25和半透光膜26的膜材质和膜厚的选定来设定。

另外，半透光膜26相对于透明基板24的曝光光透过量，具有10～80％、优选20～60％左右的透过量。作为所述半透光膜26，在本实施方式的情况下，举出具有导电性的Mo化合物、Cr、W、Al等。其中，作为Mo化合物，除MoSi_x之外，还包含MoSi的氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化物等。其它优选的材料包含Cr的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物等。在确定这些化合物的组成时，通过调整金属含量，可形成具有能防止静电破坏的导电性的化合物。并且，形成的掩膜上的半透光部的透过率，根据所述半透光膜26的膜材质和膜厚的选定来设定。

在本实施方式中，分别采用基于溅射成膜的、包含钼硅化物的半透光膜(曝光光透过率50％)及以铬为主要成分的遮光膜。

使用该图5(a)所示的掩膜版，制作由遮光部21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案、及形成于各掩膜图案间的导电性图案11。

首先，对所述掩膜版的抗蚀剂膜27，描绘给定的设备图案(在对应于遮光部、半透光部以及导电性图案11的区域形成抗蚀剂图案的图案)。描绘时，通常多使用电子射线或光(短波光)，但在本实施方式中使用激光。因此，作为所述抗蚀剂，使用阳极型光敏抗蚀剂。而且，通过在描绘后进行显影，形成对应于遮光部、半透光部以及导电性图案的区域的抗蚀剂图案27(参照图5(b))。

接着，以所述抗蚀剂图案27作为蚀刻掩膜，蚀刻遮光膜25，形成遮光膜图案，接着，以该遮光膜图案作为蚀刻掩膜，蚀刻下层的半透光膜26，使透光部区域的透明基板24露出，形成透光部。作为蚀刻方法，干蚀刻或湿蚀刻哪一个都可以，但在本实施方式中利用了湿蚀刻。去除残留的抗蚀剂图案(参照图5(c))。

接着，在整个基板面上形成与所述相同的抗蚀剂膜，进行第2次描绘。通过第2次描绘，描绘给定的图案，以在遮光部及透光部上形成抗蚀剂图案的方式进行给定图案的描绘。描绘后，通过进行显影，在对应于遮光部及透光部的区域上形成抗蚀剂图案28(参照图5(d))。

接着，以所述抗蚀剂图案28作为蚀刻掩膜，蚀刻露出的半透光部及导电性图案区域上的遮光膜25，形成半透光部23及导电性图案11(参照图5(e))。作为这时的蚀刻方法，在本实施方式中利用湿蚀刻。而且，去除残留的抗蚀剂图案，在透明基板24上形成灰度掩膜，该灰度掩膜具有：遮光部21，由半透光膜26和遮光膜25的顺序的叠层膜构成；透光部22，露出透明基板24；半透光部23，由半透光膜26构成；以及，导电性图案11，同样由半透光膜26构成。(参照图5(f))。

本实施方式的所述灰度掩膜，通过具备从各掩膜图案引出的导电性图案，即具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生。而且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。因此，通过使用这种本实施方式的灰度掩膜，如图1所示进行向被转印体31的图案转印，可在被转印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印图案(抗蚀剂图案33)。

并且，根据本实施方式，使用于掩膜制作的掩膜版，由于在透明基板24上具有所述导电性的半透光膜26，所以可有效地抑制在掩膜制作工序中产生的图案的静电破坏的发生。

另外，遮光部21、透光部22、半透光部23及导电性图案11的图案形状不过是代表性的一个实例，自然没有将本发明限定于此的意思。

并且，图4(B)所示的实施方式2，由透明导电膜29形成在各掩膜图案间形成的所述导电性图案11。即，该灰度掩膜，在透明基板24上，形成由遮光部21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案，图4(B)中所示的导电性图案11(对应于图2所示的导电性图案11a～11d)，通过布图在所述透明基板24和半透光膜26之间形成的透明导电膜29来形成。

所述透明导电膜29，具有取得本发明的效果的导电性，如果是曝光光的透过率高的材料，则不特别限制材质。

从这种观点出发，所述透明导电膜29，优选由包含例如从锑(Sb)、锡(Sn)、铟(In)中选择的至少一个元素的化合物来形成。这种化合物具有适于本发明的导电性，并且通过选择适当的膜厚，得到80％以上的高曝光光透过率，并且具有对掩膜制作时的蚀刻、清洗等的良好耐性。具体地说，优选举出氧化锑锡等。

本实施方式的所述灰度掩膜，通过具备从各掩膜图案引出、具有互不接触且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生，并且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。

并且，图4(C)所示的实施方式3，由Cr等遮光膜形成在各掩膜图案间形成的所述导电性图案。即，该灰度掩膜，在透明基板24上，形成由遮光部21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案，半透光部23由形成于透明基板24上的半透光膜26构成，遮光部21是按遮光膜、半透光膜的顺序形成遮光膜25和所述半透光膜26而构成的。而且，图4(C)中所示的导电性图案11(对应于图2所示的导电性图案11a～11d)，由构成所述遮光部21的遮光膜25而构成。

本实施方式的灰度掩膜，通过具备从各掩膜图案引出、具有互不接触且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生，并且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。

并且，在本实施方式中，通过与遮光部21相同、由Cr等具有导电性的遮光膜25构成所述导电性图案11，可利用例如使用最初在透明基板24上形成遮光膜25的掩膜版制作遮光部的工序，制作由所述遮光膜25形成的导电性图案11。

并且，这时，半透光膜26的原料优选导电性。因为更优选叠层的整个图案(上下方向)为等电位。

另外，在图4(C)中，在遮光膜25上叠层半透光膜26来形成遮光部，但叠层也可相反。

并且，图6是表示将本发明适用于双掩膜时的实施方式的截面图。图6所示的实施方式4的双掩膜，在透明基板24上，形成由遮光部21和透光部22构成的掩膜图案，遮光部21由例如以Cr等作为主要成分的遮光膜25来构成。而且，图6中所示的导电性图案11，通过布图形成于所述透明基板24和遮光膜25之间的透明导电膜29来形成。这里，作为导电性，指例如电阻值不足3兆Ω。

所述透明导电膜29，与所述实施方式2的情况(参照图4(B))相同，具有取得本发明的效果的导电性，如果是曝光光透过率高的材料，则不特别限制材质。作为具体的材质，与实施方式2中举出的相同。透明导电膜29也可是导电性的半透光性膜，只要曝光光透过率高于遮光膜25的膜即可。这种双掩膜可通过与一般的多灰度掩膜(灰度掩膜)同样的工艺来制作。

即便在这种本实施方式的双掩膜中，也通过具备从各掩膜图案引出、具有互不接触且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生，而且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。

以上，参照附图说明了本发明的实施方式，但本发明的技术范围不被所述的实施方式左右。显然在权利范围所述的技术思想范畴内，本领域技术人员可想到各种变更例或修正例，可知这些实例当然也属于本发明的技术范围。

Claims

1.一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，其特征在于：

具有从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

2.根据权利要求1所述的光掩膜，其特征在于：

所述掩膜图案具有遮光部、透光部、和将用于掩膜使用时的曝光光透过量减少给定量的半透光部，在使用掩膜向被转印体照射曝光光时，根据部位不同有选择地减少对被转印体的曝光光的照射量，在被转印体上的光敏抗蚀剂膜上，形成包含残留膜值不同的部分的期望转印图案，

所述遮光部至少由遮光膜形成，

所述半透光部由至少透过曝光光的一部分的半透光膜形成。

3.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

所述掩膜图案的遮光部在透明基板上依次具有半透光膜及遮光膜。

4.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

所述掩膜图案的遮光部在透明基板上依次具有遮光膜及半透光膜。

5.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

所述导电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料构成。

6.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

所述导电性图案是由通过曝光不会转印到被转印体上的线幅形成的直线或曲线状的线图案。

7.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

所述导电性图案是半透光性或透光性的图案。

8.根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于：

从电气孤立的任意一对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。

9.一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，所述制造方法具有如下工序：

在透明基板上使用形成了半透光膜和遮光膜的掩膜版，利用光刻法在所述半透光膜和所述遮光膜上分别进行期望的布图，形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案；

在所述布图时，形成从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

10.根据权利要求9所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：

11.根据权利要求10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：

使用在透明基板上依次形成有半透光膜、遮光膜的掩膜版。

12.一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案的工序，

还包含在透明基板上使用形成所述遮光膜的掩膜版进行布图，形成透光部和遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案的整个面上形成半透光膜，对该半透光膜和该遮光膜实施布图，形成透明基板露出的透光部的工序，

所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。

13.一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案的工序，

还包含在透明基板上，使用形成所述遮光膜的掩膜版进行布图，形成遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案上的整个面上形成半透光膜，在该半透光膜上进行布图，形成透明基板露出的透光部的工序，

14.根据权利要求10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于：

15.一种图案转印方法，其特征在于：

使用基于权利要求1至8中的任一项所述的光掩膜或权利要求9至13中的任一项所述的制造方法制造的光掩膜，向被转印体照射曝光光，在被转印体上形成期望的转印图案。