CN101426946B - 硬质涂膜的脱膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种将硬质涂膜脱膜的方法，如图(3)所示，在步骤S(2)中通过较大质量的氪离子束高效地蚀刻了硬质涂膜(30)后，在步骤S(3)中利用小质量的氩离子束缓慢地蚀刻硬质涂膜(30)，由此，可以将对工具基材(20)的影响(形状变化及尺寸变化)抑制在最小限度，且可以在短时间内进行脱膜处理。由于氪及氩均为惰性气体，故即使在工具基材(20)的表面露出的情况下，也完全没有对该工具基材(20)的化学侵蚀引起的表面的脆弱化，且即使在该工具基材(20)上再涂覆硬质涂膜(30)而再生硬质涂膜涂覆加工工具(12)，也可以以优良的附着强度涂覆硬质涂膜(30)。
Description
技术领域
本发明涉及一种TiAlN、TiCN等硬质涂膜的脱膜方法，特别是涉及尽可能不损伤本体地将硬质涂膜脱膜的方法。
背景技术
已知在本体的表面上涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜的硬质涂膜涂覆部件。在专利文献1等中提出，例如在立铣刀及丝锥、钻头、车刀等加工工具中，在由超硬合金制成的工具基材(本体)的表面上，即至少设有切割刃等加工部，用离子镀敷法等PVD(物理气相沉积)法涂覆上述硬质涂膜而成的硬质涂膜涂覆加工工具。
而且，在这样的硬质涂膜涂覆部件中，可以考虑在硬质涂膜磨损或损伤的情况、或制造时因涂覆不良等有次品发生的情况下，除去硬质涂膜再使用工具基材等本体。即，使用过氧化氢等，利用湿式方法化学地分解涂膜使其从本体脱膜。
专利文献1：(日本)特开2005-7555号公报
然而，这样利用化学反应进行脱膜时，当由于硬质涂膜的膜厚的不均及涂膜的剥落容易度不同等，本体部分地先露出时，该露出的本体的表面也被处理液损伤，因此，将硬质涂膜完全除去时，本体的表面有时局部粗糙或变脆弱。例如，在本体由超硬合金构成时，有时表层部分的WC粒子被化学侵蚀而使表面变得脆弱，同时，切削刃的刃尖变圆、或直径尺寸减小等，形状变化。而且，在这样的本体上再涂覆硬质涂膜时，由于表面的脆弱性而对附着性造成损伤，不能得到本来的涂膜性能(耐久性、耐磨损性等)，或刃尖变圆致使切削性能降低。
发明内容
本发明是以上述情况为背景而完成的，其目的在于，可尽可能地不损伤硬质涂膜涂覆部件的本体而将硬质涂膜脱膜。
为了实现这样的目的，本发明的第一方面提供从硬质涂膜涂覆部件的本体上将硬质涂膜脱膜的方法，所述本体的表面涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜，其特征在于，通过对所述硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，将该硬质涂膜从所述本体脱膜。
本发明的第二方面在第一方面的基础上，提供将硬质涂膜脱膜的方法，其特征在于，对所述硬质涂膜照射将惰性气体作为工作气体生成的离子束进行蚀刻。
本发明的第三方面在第二方面的基础上，提供将硬质涂膜脱膜的方法，其特征在于，具有：(a)对所述硬质涂膜照射将第一惰性气体作为工作气体生成的离子束从而对硬质涂膜进行蚀刻的第一蚀刻工序；(b)对所述硬质涂膜照射将所述工作气体切换为原子量比第一惰性气体小的第二惰性气体后生成的离子束，从而对硬质涂膜进行蚀刻的第二蚀刻工序。
本发明的第四方面在第三方面的基础上，提供将硬质涂膜脱膜的方法，其特征在于，(a)所述第一蚀刻工序中，作为所述工作气体使用氡、氙、及氪中的任一种气体，(b)所述第二蚀刻工序中，使用氩气作为所述工作气体。
本发明的第五方面在第一～第四方面中任一方面的基础上，提供将硬质涂膜脱膜的方法，其特征在于，所述本体由超硬合金制成。
本发明的第六方面在第一～第五方面中任一方面的基础上，提供将硬质涂膜脱膜的方法，其特征在于，所述硬质涂膜涂覆部件为至少在加工部涂覆有所述硬质涂膜的硬质涂膜涂覆加工工具。
根据本发明的第一方面的将硬质涂膜脱膜的方法，通过对硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，以溅射现象为主从本体除去硬质涂膜，因此，即使因硬质涂膜的膜厚不均及脱膜速度不同等本体表面局部地先露出，与以化学反应为主进行脱膜的情况比较，也能够抑制化学侵蚀引起的表面的脆弱化，同时，对本体的影响也小，也可减轻形状变化及尺寸变化。由此，可将本体直接或稍加加工再使用，且通过再涂覆硬质涂膜，可廉价地再生硬质涂膜涂覆部件，同时，硬质涂膜的附着强度提高，得到与新品相同的本来的涂膜性能(耐久性及耐磨损性等)。
本发明的第二方面中，由于对所述硬质涂膜照射将惰性气体作为工作气体而生成的离子束进行蚀刻，故通过专门的离子照射的溅射现象机械地除去硬质涂膜。因此，虽然其脱膜速度迟缓，但即使在本体的表面露出的情况下，由于对本体的化学侵蚀引起的表面的脆弱化完全没有，因此，再涂覆的硬质涂膜的附着强度进一步提高。
本发明的第三方面中，第一蚀刻工序中，使用原子量较大的第一惰性气体进行蚀刻，由此，可以以大质量的离子的溅射现象有效率地除去硬质涂膜，另一方面，第二蚀刻工序中，使用原子量较小的第二惰性气体进行蚀刻，由此，可以以小质量的离子的溅射现象缓慢地除去硬质涂膜，因此，通过适当设定这些的处理时间，可以将对本体的影响(形状变化及尺寸变化)抑制在最小限度且可缩短脱膜处理的时间。另外，在第一蚀刻工序及第二蚀刻工序中，由于基本上只要切替工作气体即可，故可在将硬质涂膜涂覆部件保持在规定的蚀刻处理容器内的状态下，连续地进行第一蚀刻工序及第二蚀刻工序等。
本发明的第五方面中，由于本体由超硬合金制成，因此，在使用过氧化氢以化学反应进行脱膜时，表层部分的WC粒子被化学侵蚀，从而表面变脆弱，但通过应用以离子束引起的溅射现象为主进行脱膜的本发明，显著得到抑制本体表面的脆弱化、并提高再涂覆后的硬质涂膜的附着强度等的本发明的效果。
附图说明
图1为说明可以适合实施本发明方法的硬质涂膜脱膜装置之一例的概略构成图；
图2为表示通过图1的装置将硬质涂膜脱膜的硬质涂膜涂覆加工工具之一例的图，(a)为正面图(b)为涂覆了硬质涂膜的刃部的表面部分的放大剖面图；
图3为说明使用图1的硬质涂膜脱膜装置将硬质涂膜脱膜时的顺序的流程图；
图4是将根据本发明方法从工具基材脱膜硬质涂膜后，在该工具基材上再涂覆了硬质涂膜的硬质涂膜涂覆加工工具的耐久性的调查结果与通过现有的化学处理将硬质涂膜脱膜并再生的加工工具(现有方法1、现有方法2)及新品比较表示的图。
符号说明
12：硬质涂膜涂覆加工工具(硬质涂膜涂覆部件)
20：工具基材(本体)
24：刃部(加工部)
30：硬质涂膜
步骤S2：第一蚀刻工序
步骤S3：第二蚀刻工序
具体实施方式
本发明优选适用于例如立铣刀及钻头、丝锥、车刀等切削工具或滚轧成形模等的硬质涂膜涂覆加工工具，可适用于涂覆了硬质涂膜的硬质涂膜涂覆半导体装置等各种的硬质涂膜涂覆部件的脱膜。
作为涂覆硬质涂膜的工具基材，优选使用超硬合金，但也可以使用高速工具钢等其它的工具材料。为了提高附着性，可以对工具基材的表面实施粗面化处理、或设其它的涂膜作为基底等，进行规定的前处理。硬质涂膜涂覆半导体装置的情况也相同。
硬质涂膜涂覆部件只要至少涂覆元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜、例如TiAlN、TiCN、TiCrN、TiN等即可，也可适用于在该硬质涂膜的上或下设置有金刚石涂膜或DLC(diamond-like carbon)涂膜等其它涂膜的情况。在具有金刚石涂膜等基底层的情况下，也可以只将TiAlN等硬质涂膜用离子束蚀刻进行脱膜而残留基底层。
上述硬质涂膜优选通过例如电弧离子镀法或溅射法等PVD法设置，但也可通过等离子体CVD法等其它的成膜法设置。硬质涂膜的膜厚可根据涂膜的种类等适宜确定，例如1～5μm的程度为适合。也可以为相互层叠2种以上的硬质涂膜的多层的层叠涂膜等，可以为多种方式。
离子束的蚀刻优选为按照对硬质涂膜均一照射离子束的方式根据需要使发射该离子束的离子束枪和硬质涂膜涂覆部件进行相对移动而进行。应实施蚀刻的硬质涂膜的蚀刻领域以外的部分只要以光致抗蚀剂等掩蔽剂掩盖即可。
工作气体作为生成离子束的离子的源，将工作气体离子化对硬质涂膜进行照射。在本发明的第二方面中，使用惰性气体作为工作气体，但在实施本发明的第一方面时，也可以使用惰性气体以外的气体进行离子束蚀刻。该情况下，在硬质涂膜和化学活性的气体的情况下，不仅通过溅射现象而且通过化学反应除去硬质涂膜，和目前的以化学反应为主的湿式脱膜相比可大幅抑制本体的损伤。
另外，也可以只用离子束蚀刻将硬质涂膜脱膜，但也可和其它的脱膜技术并用进行。即，在抑制对工具基材等本体的损伤方面，希望至少在脱膜的最终阶段采用离子束蚀刻，且可为在用其它的脱膜技术有效地对硬质涂膜进行粗去除后，使用惰性气体等工作气体通过离子束蚀刻逐渐使硬质涂膜脱膜等多种的方式。
在本发明的第四方面中，可以为如下各种方式，在第一蚀刻工序中可使用氡、氙及氪中的任一种气体，在第二蚀刻工序中可使用氩，这些气体的原子量为氡>氙>氪>氩，因此，在实施本发明的第三方面时，也可以在第一蚀刻工序中使用氙气，同时，在第二蚀刻工序中使用氪气。另外，作为惰性气体除此以外有氖及氦，但由于其质量太小，故不适合本发明的蚀刻处理。
实施例
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
图1为根据本发明的方法可以将硬质涂膜脱膜的硬质涂膜脱膜装置10的概略构成图，其利用离子束蚀刻装置，硬质涂膜涂覆加工工具12通过卡盘14以同其中心线S同心地配置于蚀刻处理容器16内的旋转工作台18上。硬质涂膜涂覆加工工具12相当于硬质涂膜涂覆部件，图为立铣刀的情况，如图2所示，在由超硬合金构成的工具基材20上一体地设有刀柄22及刃部24。在刃部24上作为切削刃设置有外周刃26及底刃28，同时，在该刃部24的表面以电弧离子镀法等PVD法的涂覆技术涂覆有硬质涂膜30。硬质涂膜30由元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物或它们的相互固溶体形成，在本实施例中，TiAlN以单层设置，同时，其膜厚在1～5μm的范围内约为3μm。
图2的(a)是从与轴心为直角的方向看到的硬质涂膜涂覆加工工具12的正面图，(b)是涂覆有硬质涂膜30的刃部24的表面部分的放大剖面图。另外，图2(a)的斜线部表示硬质涂膜30，涂覆有硬质涂膜30的刃部24以向上的姿势配置在上述旋转工作台18上。该硬质涂膜涂覆加工工具12为由于使用而使硬质涂膜30被磨损、或损伤的半旧品、或制造时因硬质涂膜30涂覆不良等产生的次品，图1中，硬质涂膜涂覆加工工具12只与旋转工作台18同心地设置一根，但也可以与中心线S平行地配置多个硬质涂膜涂覆加工工具12，同时进行脱膜处理。工具基材20相当于本体，刃部24相当于加工部。
图1的硬质涂膜脱膜装置10为通过从具有离子发生源的一对离子束枪32a、32b发射的离子束将硬质涂膜30蚀刻并除去的装置。工作气体供给装置40将成为离子束的离子源的工作气体(working gas)供给到离子束枪32a、32b，在本实施例中，可以切换供给氪气及比该氪气原子量小的氩气，根据工作气体的种类，从离子束枪32a、32b择一地发射氪离子束及氩离子束。蚀刻处理容器16内通过真空泵42减压，在本实施例中，真空度(pressure)为0.1Pa，同时，离子的加速电压(acceleration voltage)为3.0kV。另外，从离子束枪32a、32b到硬质涂膜涂覆加工工具12的距离约为200mm，通过偏压电源44对该硬质涂膜涂覆加工工具12施加50kHz、500V的负载偏压(Bias)，离子发生源的电流值(Ion source current)为500mA。
上述旋转工作台18通过具有电动机及减速器的旋转驱动装置46绕中心线S以规定的旋转速度旋转驱动，硬质涂膜涂覆加工工具12也和旋转工作台18一体地绕轴心旋转(自转)，离子束大致均等地照射刃部24的全周。另外，在旋转工作台18的上方配设有上下移动台48，上述离子束枪32a、32b分别经由2轴的照射角度调节装置34a、34b而配置，可以调节离子束枪32a、32b相对于硬质涂膜涂覆加工工具12的姿势，即照射角度。在上下移动台48上，还根据硬质涂膜涂覆加工工具12的直径尺寸等设有使离子束枪32a、32b与照射角度调节装置34a、34b一起相对于硬质涂膜涂覆加工工具12接近、离开的接近离开装置。
上述上下移动台48可通过具有例如通过电动机向正反两方向旋转驱动的进给螺旋的轴方向移动装置50向上下方向、即与固定于旋转工作台18的硬质涂膜涂覆加工工具12的轴心(中心线S)平行的方向直线移动。并且，通过具有微型计算机等的电子控制装置52，分别控制旋转驱动装置46及轴方向移动装置50，使硬质涂膜涂覆加工工具12绕轴心旋转驱动，同时使离子束枪32a、32b上下移动，由此，向涂覆有硬质涂膜30的刃部24的全长度上的整个圆周照射离子束。离子束的照射时间根据刃部24的长度尺寸及硬质涂膜30的膜厚适宜确定。另外，在硬质涂膜30的涂覆领域以外的部分、即刀柄22上根据需要设置光致抗蚀剂等掩模剂，防止离子束的蚀刻。
接下来，将使用这样的硬质涂膜脱膜装置10对硬质涂膜30进行脱膜的顺序根据图3的流程进行说明。在图3的步骤S1中，将硬质涂膜涂覆加工工具12配置于旋转工作台18上后，通过真空泵42将蚀刻处理容器16内减压至例如0.1Pa程度。在步骤S2中，通过旋转驱动装置46及轴方向移动装置50使硬质涂膜涂覆加工工具12绕轴心旋转驱动，使离子束枪32a、32b上下移动，另一方面，从工作气体供给装置40将作为工作气体的氪气供给向离子束枪32a、32b，由此将氪离子束照射在硬质涂膜30上进行蚀刻。由于氪气为惰性气体，故和TiAlN的硬质涂膜30不会引起化学反应，基于专门的氪离子的照射产生的溅射现象机械地除去硬质涂膜30，但由于氪的原子量为83.80，比较大，故通过大质量的氪离子的照射产生的溅射现象有效除去硬质涂膜30。该氪离子束产生的蚀刻处理在例如准确地涂覆有硬质涂膜30的部分(膜厚3μm)只进行预先确定的规定时间(例如20小时程度)，以在完全除去硬质涂膜30使工具基材20的表面露出之前结束。但是，在实际的步骤S2中，根据硬质涂膜30的状态等工具基材20的表面局部地露出。该步骤S2为第一蚀刻工序。
接下来，执行步骤S3，将从工作气体供给装置40向离子束枪32a、32b供给的工作气体由氪气切替为氩气，由此向硬质涂膜30照射氩离子束进行蚀刻。由于氩气为惰性气体，故与上述步骤S2同样，不会和TiAlN的硬质涂膜30起化学反应，而基于专门的氩离子照射产生的溅射现象机械地除去硬质涂膜30，由于氩的原子量为39.95，比较小，故通过小质量的氩离子照射产生的溅射现象较慢地除去硬质涂膜30。该氩离子束的蚀刻处理只进行可以完全除去硬质涂膜30规定的时间(例如10小时的程度)。该步骤S3为第二蚀刻工序。
由此，一系列的蚀刻处理完成，将硬质涂膜30被脱膜后的工具基材20从蚀刻处理容器16中取出，根据需要将外周刃26及底刃28再磨削后，使用电弧离子镀法等蚀刻技术在刃部24上涂覆TiAlN的硬质涂膜30，由此，作为硬质涂膜涂覆加工工具12再生。
在此，在本实施例中，通过对硬质涂膜30照射离子束进行蚀刻，以溅射现象为主从工具基材20除去硬质涂膜30，因此，即使因硬质涂膜30的膜厚不均及脱膜速度不同等而使工具基材20的表面局部地先露出，与以化学反应为主的脱膜情况比较，也能够抑制因化学侵蚀引起的表面的脆弱化，同时，对工具基材20的影响小，也可以减轻形状变化及尺寸变化。由此，工具基材20直接或只需稍作加工即可再使用，通过再涂覆硬质涂膜30，可以廉价地再生硬质涂膜涂覆部件12，同时，硬质涂膜30的附着强度提高，可得到与新品相同的本来的涂膜性能(耐久性、摩擦性等)。
特别是在本实施例中，由于使用氪气及氩气惰性气体作为生成离子束的工作气体，故不会与硬质涂膜30起化学反应，通过专门的离子照射产生的溅射现象机械地除去硬质涂膜30。因此，虽然其脱膜速度迟缓，但即是工具基材20的表面露出的情况，也完全没有对该工具基材20的化学侵蚀引起的表面的脆弱化，从而也可以进一步提高再涂覆的硬质涂膜30的附着强度。
另外，在本实施例中，由于工具基材20由超硬合金制成，故在使用过氧化氢通过化学反应进行脱膜时，表层部分的WC粒子因化学侵蚀而使表面变脆弱，但是，通过使用惰性气体作为工作气体的离子束产生的溅射现象进行脱膜，避免了工具基材20的表面的脆弱化，可以更显著得到再涂覆后的硬质涂膜30的附着强度提高等的上述效果。
另外，在本实施例中，在步骤S2中，通过使用氪气进行蚀刻，以较大质量的氪离子的溅射现象有效除去硬质涂膜30，另一方面，在步骤S3中，通过使用氩气进行蚀刻，以小质量的氩离子的溅射现象缓慢地除去硬质涂膜30，因此，通过适当地设定这些处理时间等，将对工具基材20的影响(形状变化及尺寸变化)抑制在最小限度，同时可以缩短脱膜处理时间。例如，在步骤S2中，设定为在正确地涂覆有硬质涂膜30的部分(膜厚3μm)工具基材20未露出的范围内尽可能长的处理时间，在步骤S3中设定为可以完全除去步骤S2中残留的硬质涂膜30所需最小限度的处理时间。
另外，由于上述步骤S2及S3中只要切换工作气体即可，故可在将硬质涂膜涂覆加工工具12保持于蚀刻处理容器16内的状态下，连续地进行步骤S2及S3等。
因此，对于以3μm的膜厚在由超硬合金构成的工具基材20的刃部24涂覆了作为上述硬质涂膜30的TiAlN的工具直径D＝10mm的2片刃的立铣刀而言，准备根据本发明方法再生得到的试验品、和通过现有方法再生得到的现有方法1、现有方法2、及新品的试验品、共计四种试验品，以以下的加工条件进行切削加工，调查后刀面磨损幅度VB(mm)，得到如图4所示的结果。本发明方法的试验品是直接使用将上述步骤S2的处理时间设为20小时、步骤S3的处理时间设为10小时进行脱膜处理得到的工具基材20，再涂覆硬质涂膜30的试验品。现有方法1、现有方法2的试验品均为在通过使用过氧化氢的化学处理进行了脱膜的工具基材20上再涂覆硬质涂膜30的试验品。
《加工条件》
·工具 2片刃超硬立铣刀、Φ10
·切削速度 34.5m/分钟
·进给速度 0.03mm/刃
·切入 轴方向aa＝15mm
径方向ar＝0.5mm
·切削油剂 空气喷射
·加工的种类 侧面(向下)
·被切削材 SKD61(40HRC)
如从图4的测定结果所表明的那样，根据本发明的方法，与现有方法1、2比较后刀面的磨损幅度VB为约1/2，得到与新品同程度的良好的耐磨损性。可以认为这是由于硬质涂膜30对工具基材20的附着强度与新品同程度，且外周刃26的切削刃的形状与新品同程度，可得到良好的切削性能的原因。
以上，基于附图对本发明的实施例进行了详细说明，但其只是一个实施方式，基于本领域技术人员的知识，本发明可以以增加各种变更、改良的方式实施。
工业上的可利用性
根据本发明的将硬质涂膜脱膜的方法，通过对硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，以溅射现象为主从本体除去硬质涂膜，因此，与以化学反应为主进行脱膜情况比较，化学侵蚀引起的表面的脆弱化被抑制，同时，对本体的影响变小，从而形状变化及尺寸变化也减轻。由此，本体可直接或稍加加工再使用，通过再涂覆硬质涂膜，可以廉价地再生硬质涂膜涂覆部件，同时，硬质涂膜的附着强度提高，得到与新品同样的本来的涂膜性能。即，本发明适用于将立铣刀、丝锥、钻头等硬质涂膜涂覆部件的硬质涂膜脱膜，并再使用工具基材等本体再生硬质涂膜涂覆部件的情况。
Claims (8)
1.从硬质涂膜涂覆部件(12)的本体(20)上将硬质涂膜(30)脱膜的方法，所述本体的表面上涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜，通过对所述硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，将该硬质涂膜从所述本体脱膜，其特征在于，
对所述硬质涂膜(30)照射将惰性气体作为工作气体生成的离子束进行蚀刻，所述蚀刻包括：
对所述硬质涂膜(30)照射将第一惰性气体作为工作气体生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第一蚀刻工序；和
对所述硬质涂膜(30)照射将所述工作气体切换为原子量比所述第一惰性气体小的第二惰性气体后生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第二蚀刻工序；
其中，
在所述第一蚀刻工序中，使用氡、氙、及氪中的任一种气体作为所述工作气体，
在所述第二蚀刻工序中，使用氩气作为所述工作气体。
2.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述本体(20)由超硬合金制成。
3.如权利要求1或2所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述硬质涂膜涂覆部件(12)为至少在加工部(24)涂覆有所述硬质涂膜(30)的硬质涂膜涂覆加工工具。
4.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱模的方法，其中，在通过离子束进行蚀刻的过程中，离子束发射部件(32a，32b)与所述硬质涂膜涂覆部件(12)相对移动。
5.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，在所述硬质涂膜脱膜的最终阶段进行离子束蚀刻。
6.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述硬质涂膜(30)的厚度为1μm至5μm。
7.如权利要求2所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述本体(20)的表面被粗面化处理或形成其它涂膜作为基底。
8.从硬质涂膜涂覆部件(12)的本体(20)上将硬质涂膜(30)脱膜的方法，所述本体的表面上涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜，通过对所述硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，将该硬质涂膜从所述本体脱膜，其特征在于，
对所述硬质涂膜(30)照射将惰性气体作为工作气体生成的离子束进行蚀刻，所述蚀刻包括：
对所述硬质涂膜(30)照射将第一惰性气体作为工作气体生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第一蚀刻工序；和
对所述硬质涂膜(30)照射将所述工作气体切换为原子量比所述第一惰性气体小的第二惰性气体后生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第二蚀刻工序；
其中，所述第一蚀刻工序使用氙气，所述第二蚀刻工序使用氪气。
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