JPH0779962B2 - 硬質薄膜材料の平坦加工方法 - Google Patents
硬質薄膜材料の平坦加工方法Info
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- JPH0779962B2 JPH0779962B2 JP1107317A JP10731789A JPH0779962B2 JP H0779962 B2 JPH0779962 B2 JP H0779962B2 JP 1107317 A JP1107317 A JP 1107317A JP 10731789 A JP10731789 A JP 10731789A JP H0779962 B2 JPH0779962 B2 JP H0779962B2
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- Japan
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- anode
- film material
- hard thin
- flattening
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はダイヤモンド膜、TiN膜、TiC膜等の硬質薄膜
材料の表面を平坦に加工する方法に関するものである。
材料の表面を平坦に加工する方法に関するものである。
従来の硬質薄膜材料等の硬質薄膜材料の平坦加工方法と
しては、ダイヤモンド砥粒による方法がある。
しては、ダイヤモンド砥粒による方法がある。
しかし、ダイヤモンド砥粒による方法においては、加工
速度が小さいから、多大な時間を要し、またダイヤモン
ド砥粒は高価でありかつ消費量が多いため、コストが非
常に大きくなり、さらに微細で複雑な形状の部分のみを
平坦に加工することができない。
速度が小さいから、多大な時間を要し、またダイヤモン
ド砥粒は高価でありかつ消費量が多いため、コストが非
常に大きくなり、さらに微細で複雑な形状の部分のみを
平坦に加工することができない。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもの
で、短時間に加工することができ、コストが安価であ
り、微細で複雑な形状の部分のみを平坦に加工すること
ができる硬質薄膜材料の平坦加工方法を提供することを
目的とする。
で、短時間に加工することができ、コストが安価であ
り、微細で複雑な形状の部分のみを平坦に加工すること
ができる硬質薄膜材料の平坦加工方法を提供することを
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 この目的を達成するため、この発明においては、真空容
器内に筒状の陽極が設けられ、上記陽極の上下に対向陰
極が設けられ、磁力線の方向が上記陽極の中心線と平行
である磁石が設けられ、上記対向陰極の一方に透過孔が
設けられた平坦加工装置の上記透過孔が設けられた上記
対向陰極の裏側でかつ上記透過孔の部分に硬質薄膜材料
を位置させ、上記平坦加工装置で発生した冷陰極放電に
より生じた粒子、ガスイオンを上記硬質薄膜材料に衝突
させて、上記硬質薄膜材料の表面を平坦に加工する。
器内に筒状の陽極が設けられ、上記陽極の上下に対向陰
極が設けられ、磁力線の方向が上記陽極の中心線と平行
である磁石が設けられ、上記対向陰極の一方に透過孔が
設けられた平坦加工装置の上記透過孔が設けられた上記
対向陰極の裏側でかつ上記透過孔の部分に硬質薄膜材料
を位置させ、上記平坦加工装置で発生した冷陰極放電に
より生じた粒子、ガスイオンを上記硬質薄膜材料に衝突
させて、上記硬質薄膜材料の表面を平坦に加工する。
上記の硬質薄膜材料の平坦加工方法においては、粒子、
ガスイオンを硬質薄膜材料に衝突させて、硬質薄膜材料
の表面を平坦に加工するから、加工速度が大きく、また
実施に使用する装置が非常に安価であり、さらにアパー
チャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工するこ
とができる。
ガスイオンを硬質薄膜材料に衝突させて、硬質薄膜材料
の表面を平坦に加工するから、加工速度が大きく、また
実施に使用する装置が非常に安価であり、さらにアパー
チャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工するこ
とができる。
第１図はこの発明に係る硬質薄膜材料の平坦加工方法を
実施するための平坦加工装置を示す概略断面図、第２図
は第１図に示した装置により加工すべき試料を示す断面
図である。図において、１は真空容器、２は真空容器１
に設けられた真空排気管で、真空排気管２は真空排気装
置（図示せず）に接続されている。３は真空容器１に設
けられたガス導入管で、ガス導入管３は不活性ガス供給
装置（図示せず）に接続されている。４は真空容器１内
に設けられた円筒状の陽極で、陽極４はSUSからなる。
５は陽極４に取り付けられた陽極リードで、陽極リード
５は直流高電圧電源（図示せず）に接続されている。６
は陽極リード５を真空容器１に固定する絶縁体、７、８
は真空容器１に取り付けられた一対の平板状対向陰極
で、対向陰極７、８は陽極４の両側に位置しており、対
向陰極７、８は陽極４の中心線と直角であり、また対向
陰極７、８はアース電位であり、さらに対向陰極７、８
はAuからなる。９は対向陰極７に設けられた透過孔で、
透過孔９の中心線は陽極４の内側を通る。10は対向陰極
７の裏側すなわち陽極４とは反対側に設けられた穴明
板、11は穴明板10に設けられた円形のアパーチャで、ア
パーチャ11の直径は2mmであり、アパーチャ11の中心線
は透過孔９の中心線とほぼ一致している。12は真空容器
１の外側に設けられた磁石で、磁石12の磁力線の方向は
陽極４の中心線と平行であり、磁石12の磁束密度は0.1T
である。20は大きさが10mm×10mm、厚さが0.5mmのSi基
板、21はSi基板20の片面にマイクロ波プラズマCVD法
（特開昭58−110494号公報）により形成されたダイヤモ
ンド膜で、ダイヤモンド膜21の厚さは３μｍ、ダイヤモ
ンド膜21の表面の平均粗さは約0.5μｍで、Si基板20と
ダイヤモンド膜21とで試料22を構成している。
実施するための平坦加工装置を示す概略断面図、第２図
は第１図に示した装置により加工すべき試料を示す断面
図である。図において、１は真空容器、２は真空容器１
に設けられた真空排気管で、真空排気管２は真空排気装
置（図示せず）に接続されている。３は真空容器１に設
けられたガス導入管で、ガス導入管３は不活性ガス供給
装置（図示せず）に接続されている。４は真空容器１内
に設けられた円筒状の陽極で、陽極４はSUSからなる。
５は陽極４に取り付けられた陽極リードで、陽極リード
５は直流高電圧電源（図示せず）に接続されている。６
は陽極リード５を真空容器１に固定する絶縁体、７、８
は真空容器１に取り付けられた一対の平板状対向陰極
で、対向陰極７、８は陽極４の両側に位置しており、対
向陰極７、８は陽極４の中心線と直角であり、また対向
陰極７、８はアース電位であり、さらに対向陰極７、８
はAuからなる。９は対向陰極７に設けられた透過孔で、
透過孔９の中心線は陽極４の内側を通る。10は対向陰極
７の裏側すなわち陽極４とは反対側に設けられた穴明
板、11は穴明板10に設けられた円形のアパーチャで、ア
パーチャ11の直径は2mmであり、アパーチャ11の中心線
は透過孔９の中心線とほぼ一致している。12は真空容器
１の外側に設けられた磁石で、磁石12の磁力線の方向は
陽極４の中心線と平行であり、磁石12の磁束密度は0.1T
である。20は大きさが10mm×10mm、厚さが0.5mmのSi基
板、21はSi基板20の片面にマイクロ波プラズマCVD法
（特開昭58−110494号公報）により形成されたダイヤモ
ンド膜で、ダイヤモンド膜21の厚さは３μｍ、ダイヤモ
ンド膜21の表面の平均粗さは約0.5μｍで、Si基板20と
ダイヤモンド膜21とで試料22を構成している。
そして、この発明に係るダイヤモンド膜の平坦加工方法
においては、ダイヤモンド膜21の加工部分をアパーチャ
11に対応したところに位置させたのち、真空排気装置に
より真空容器１内を１×10-4Paの真空に排気したうえ
で、真空容器１内に不活性ガス供給装置からガス導入管
３を介してArガスを導入することにより、真空容器１内
を２×10-2PaのArガス雰囲気とし、直流高電圧電源によ
り陽極４に、1.5kVの正電位を与えると、陽極４と対向
陰極７、８との間に冷陰極放電が生じ、これによって生
成されるArガスの正イオンが対向陰極７、８の表面を衝
撃し、対向陰極７、８からAu原子がスパッタリングさ
れ、スパッタリングされたAu原子の一部、Arガスの正イ
オンが透過孔９、アパーチャ11を透過し、ダイヤモンド
膜21の表面を衝撃して、ダイヤモンド膜21の表面が侵食
される。
においては、ダイヤモンド膜21の加工部分をアパーチャ
11に対応したところに位置させたのち、真空排気装置に
より真空容器１内を１×10-4Paの真空に排気したうえ
で、真空容器１内に不活性ガス供給装置からガス導入管
３を介してArガスを導入することにより、真空容器１内
を２×10-2PaのArガス雰囲気とし、直流高電圧電源によ
り陽極４に、1.5kVの正電位を与えると、陽極４と対向
陰極７、８との間に冷陰極放電が生じ、これによって生
成されるArガスの正イオンが対向陰極７、８の表面を衝
撃し、対向陰極７、８からAu原子がスパッタリングさ
れ、スパッタリングされたAu原子の一部、Arガスの正イ
オンが透過孔９、アパーチャ11を透過し、ダイヤモンド
膜21の表面を衝撃して、ダイヤモンド膜21の表面が侵食
される。
そして、陽極４に、1.5kVの正電圧を10分印加したとこ
ろ、第３図に示すように、ダイヤモンド膜21に直径が2m
mで、深さが１μｍの円形の凹所が形成され、この凹所
の表面の平均粗さは0.02μｍであった。
ろ、第３図に示すように、ダイヤモンド膜21に直径が2m
mで、深さが１μｍの円形の凹所が形成され、この凹所
の表面の平均粗さは0.02μｍであった。
また、第１図に示した装置の穴明板10の代わりに、SUS
からなり、厚さが0.1mmであり、直径が５μｍの円形の
アパーチャが設けられた穴明板を用いて、第１図に示し
た装置で試料22のダイヤモンド膜21を平坦加工したとこ
ろ、アパーチャと対応した部分すなわち直径が５μｍの
円形の部分を平坦に加工をすることができた。
からなり、厚さが0.1mmであり、直径が５μｍの円形の
アパーチャが設けられた穴明板を用いて、第１図に示し
た装置で試料22のダイヤモンド膜21を平坦加工したとこ
ろ、アパーチャと対応した部分すなわち直径が５μｍの
円形の部分を平坦に加工をすることができた。
さらに、第１図に示した装置の穴明板10の代わりに、第
４図に示すような、SUSからなり、幅が10μｍでかつほ
ぼＳ字状のアパーチャを有する穴明板を用いて、第１図
に示した装置で試料22のダイヤモンド膜21に平坦加工を
したところ、アパーチャと対応した部分を平坦に加工を
することができた。
４図に示すような、SUSからなり、幅が10μｍでかつほ
ぼＳ字状のアパーチャを有する穴明板を用いて、第１図
に示した装置で試料22のダイヤモンド膜21に平坦加工を
したところ、アパーチャと対応した部分を平坦に加工を
することができた。
また、第１図に示した装置のアパーチャ11に対応したと
ころにTiN膜、TiC膜を位置させたのち、陽極４に1.5kV
の正電圧を５分印加したところ、TiN膜、TiC膜に直径が
2mmで、深さが1.5μｍの円形の凹所が形成され、この凹
所の部分を平坦に加工することができた。さらに、第１
図に示した装置の穴明板10の代わりに、SUSからなり、
厚さが0.1mmであり、直径が５μｍの円形のアパーチャ
が設けられた穴明板を用いて、第１図に示した装置でTi
N膜、TiC膜に平坦加工したところ、直径が５μｍの円形
の部分を平坦に加工することができた。また、第１図に
示した装置の穴明板10の代わりに、第４図に示す穴明板
を用いて、第１図に示した装置でTiN膜、TiC膜に平坦加
工したところ、アパーチャと対応した部分を平坦に加工
することができた。
ころにTiN膜、TiC膜を位置させたのち、陽極４に1.5kV
の正電圧を５分印加したところ、TiN膜、TiC膜に直径が
2mmで、深さが1.5μｍの円形の凹所が形成され、この凹
所の部分を平坦に加工することができた。さらに、第１
図に示した装置の穴明板10の代わりに、SUSからなり、
厚さが0.1mmであり、直径が５μｍの円形のアパーチャ
が設けられた穴明板を用いて、第１図に示した装置でTi
N膜、TiC膜に平坦加工したところ、直径が５μｍの円形
の部分を平坦に加工することができた。また、第１図に
示した装置の穴明板10の代わりに、第４図に示す穴明板
を用いて、第１図に示した装置でTiN膜、TiC膜に平坦加
工したところ、アパーチャと対応した部分を平坦に加工
することができた。
このように、この発明に係る硬質薄膜材料の平坦加工方
向においては、短時間で平坦加工を行なうことができ、
また実施に使用する装置が非常に安価であり、さらにア
パーチャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工す
ることができる。
向においては、短時間で平坦加工を行なうことができ、
また実施に使用する装置が非常に安価であり、さらにア
パーチャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工す
ることができる。
なお、上述実施例においては、陽極として円筒状の陽極
４を用いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠き
を有する筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結
した中空状の陽極等を用いてもよい。また、上述実施例
においては、真空容器１内をArガス雰囲気としたが、真
空容器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、対向陰
極がAuのように不活性物質からなるときには、真空容器
内を活性ガス雰囲気としてもよい。
４を用いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠き
を有する筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結
した中空状の陽極等を用いてもよい。また、上述実施例
においては、真空容器１内をArガス雰囲気としたが、真
空容器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、対向陰
極がAuのように不活性物質からなるときには、真空容器
内を活性ガス雰囲気としてもよい。
以上説明したように、この発明に係る硬質薄膜材料の平
坦加工方法においては、加工速度が大きいから、短時間
に加工することができ、また実施に使用する装置が非常
に安価であるから、コストが安価であり、さらにアパー
チャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工するこ
とができるから、微細で複雑な形状の部分のみを平坦に
加工することができる。このように、この発明の効果は
顕著である。
坦加工方法においては、加工速度が大きいから、短時間
に加工することができ、また実施に使用する装置が非常
に安価であるから、コストが安価であり、さらにアパー
チャの形状に応じた形状の部分のみを平坦に加工するこ
とができるから、微細で複雑な形状の部分のみを平坦に
加工することができる。このように、この発明の効果は
顕著である。
第１図はこの発明に係る硬質薄膜材料の平坦加工方法を
実施するための平坦加工装置を示す概略断面図、第２図
は第１図に示した装置により加工すべき試料を示す断面
図、第３図は試料に平坦加工をした状態を示す断面図、
第４図は穴明板を示す斜視図である。 １……真空容器、４……陽極 ７、８……対向陰極、10……穴明板 11……アパーチャ
実施するための平坦加工装置を示す概略断面図、第２図
は第１図に示した装置により加工すべき試料を示す断面
図、第３図は試料に平坦加工をした状態を示す断面図、
第４図は穴明板を示す斜視図である。 １……真空容器、４……陽極 ７、８……対向陰極、10……穴明板 11……アパーチャ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｃ 8417−4Ｋ Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｖ 8216−4Ｇ 33/12 8216−4Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内に筒状の陽極が設けられ、上記
陽極の上下に対向陰極が設けられ、磁力線の方向が上記
陽極の中心線と平行である磁石が設けられ、上記対向陰
極の一方に透過孔が設けられた平坦加工装置の上記透過
孔が設けられた上記対向陰極の裏側でかつ上記透過孔の
部分に硬質薄膜材料を位置させ、上記平坦加工装置で発
生した冷陰極放電により生じた粒子、ガスイオンを上記
硬質薄膜材料に衝突させて、上記硬質薄膜材料の表面を
平坦に加工することを特徴とする硬質薄膜材料の平坦加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107317A JPH0779962B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 硬質薄膜材料の平坦加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107317A JPH0779962B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 硬質薄膜材料の平坦加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290243A JPH02290243A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0779962B2 true JPH0779962B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=14456006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107317A Expired - Lifetime JPH0779962B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 硬質薄膜材料の平坦加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779962B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112006003841B4 (de) * | 2006-04-10 | 2015-02-05 | Osg Corp. | Verfahren zur Entfernung eines Hartbeschichtungsfilms |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145435A (en) * | 1974-10-16 | 1976-04-17 | Toyota Auto Body Co Ltd | Shatsutaano boshinbosuisochi |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1107317A patent/JPH0779962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02290243A (ja) | 1990-11-30 |
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