CN101420211B - 具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一个下基板、一个第一中基板、一个第二中基板和上基板；一个下基板的上端表面形成一电极层，该电极层分别包含传输线和接地线作用的电极，其中作为传输线的电极上至少形成有一个将该电极层切开且延伸至该下基板内部的沟槽；一个第一中基板，设于下基板的上方，其表面相对至下基板上的沟槽位置，形成有相对的沟槽；一个第二中基板，设于第一中基板的上方，其表面相对至下基板上具有沟槽的电极方向，形成有相对的电极层；一个上基板，设于第二中基板上方；一组端电极，形成于外周。在该电极层中的任一方向电极线的两端，各形成有一中空气隙以作为过电压保护机构。
Description
技术领域
本发明涉及一种馈通滤波器，特别是涉及一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器。
背景技术
如今电子产品讲求的是高速传输讯号，如HDMI讯号频率达742.5MHz，对于静电放电(ESD)所需要的过电压保护装置特性要求更是严格，低容值的过电压保护装置可以避免在速度快的高频讯号有衰减作用。
目前业界有瞬时电压抑制二极管(Transient Voltage Suppress Diode，TVSD)装置、积层式压敏电阻(Multi-Layer Varistor，MLV)装置等。
但上述对于过电压的保护仍有不足，且无馈通滤波的功能。
发明内容
本发明的目的，在于提供一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，结合馈通式滤波与中空气隙过电压保护功能，以解决信号在高传输速度所面臨的ESD(静电防护)与EMI(滤波)的双重问题。
本发明是采用以下技术手段实现的：
本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一下基板；一电极层形成于该下基板的上端表面，此电极层为一十字型电极形式，在其中一方向电极上形成雨个沟槽，该沟槽将该电极层切开且延伸至该下基板之内；一中基板，具有第二沟槽，该第二沟槽与下基板的第一沟槽相对，且具有与该第一沟槽相同的宽度与长度；一第二中基板，其上方形成有一电极层，其电极层方向与下基板具有沟槽的电极线方向一致，该上基板覆盖于中基板之上，然后覆盖下基板，使得上基板、中基板与下基板接合。
本发明与现有技术相比，具有以下明显的优势和有益效果：
上述形成于下基板和第一中基板的沟槽，以切割方式形成，当整体叠合完成之后，沟槽即相当于一中空气室，可用以提供过电压保护。并且，可依照需求及规格而调整尺寸，例如气隙的深度与宽度，不会因为制程而受到限制。
此外，上述由沟槽所切开的电极层，在切开端可分别形成尖端狀，使其具备尖端放电的功能。
附图说明
图1为本发明的立体分解图；
图2为本发明的成品图；
图3为本发明的另一实施例立体分解；
图4为本发明的另一实施例图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施例加以说明：
如图1所示，本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一个下基板1、一个第一中基板2、一个第二中基板3及一个上基板4；其中，下基板1的上方表面形成一电极层11，该电极层11呈十字型，其包含传输线和接地线作用的电极，其中作为传输线的电极上形成有雨个沟槽121、122，该沟槽121、122不仅将电极层切开，并且延伸至下基板1的内部；
第一中基板2，设于下基板1的上方，其表面相对至下基板1的沟槽121、122的位置，形成有相对的沟槽21、22，沟槽21、22和沟槽121、122的位置相对，宽度和长度也相同。
第二中基板3，设于第一中基板2的上方，其上端表面形成一电极31，该电极31可为直线形或弯曲形，电极31的方向和下基板1上具有沟槽121、122的电极的方向一致；
上基板4，设于第二中基板3的上方。
如图2所示，当下基板1、第一中基板2、第二中基板3及上基板4依序叠合后，在周边的四个边各形成一端电极51、52、53、54，其中端电极51、52作为接地端，端电极53、54作为输出端及输入端。
上述本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其下基板1和上基板4，系以铝元素(例如氧化铝(Al2O3))、钛元素或硅元素等绝缘材料所形成，也可以为积层式薄带(Multi-layer thin film)。
上述的电极层11和电极31，得使用金，银，钯，铂，钨，铜等金属之一，其任意组合的合金，或包含其任意组合的混合材料所形成。
上述形成于下基板1和第一中基板2的沟槽121、122及21、22，以切割方式形成，当整体叠合完成之后，沟槽121、122、21、22即相当于一中空气室，可用以提供过电压保护。并且，可依照需求及规格而调整尺寸，例如气隙的深度与宽度，不会因为制程而受到限制。
请参照图3所示，为本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器的另一实施例，即本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，可以是如图1、图2所示的单一组件，也可如图3所示，形成矩阵结构。
如图3所示，本发明的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，为矩阵结构时，使形成于下基板6上端表面的电极层60，在传输线的方向具有多数延伸段61、62、63、64，在每一延伸段61、62、63、64上均形成两个沟槽65、66；第一中基板7，设于下基板6的上方，其表面相对至下基板6的多数沟槽65、66的位置，形成有相对数的沟槽71、72，沟槽71、72和沟槽65、66不仅位置相对，宽度和长度也相同。第二中基板8，其表面形成有与下基板的电极层的延伸段61、62、63、64相对应的多数电极81、82、83、84；一上基板9，设于最上方。如此形成多组馈通式滤波电路与中空气隙的过电压保护装置。
此外，如图4所示，上述由沟槽所切开的电极层，在切开端可分别形成尖端狀101、102，使其具备尖端放电的功能。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.一种具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，包含：一个下基板、一个第一中基板、一个第二中基板和一个上基板；其特征在于：
所述的一个下基板，其上端表面形成一电极层，该电极层分别包含传输线和接地线作用的电极，其中作为传输线的电极上至少形成有一个将该电极层切开且延伸至该下基板内部的沟槽；
所述的一个第一中基板，设于下基板的上方，其表面相对至下基板上的沟槽位置，形成有相对的沟槽；
所述的一个第二中基板，设于第一中基板的上方，其表面相对至下基板上具有沟槽的电极方向，形成有相对的电极层；
所述的一个上基板，设于第二中基板上方；
一组端电极，形成于外周。
2.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的下基板和第二中基板的电极层为金，银，钯，铂，钨，铜金属之一，其任意组合的合金，或包含其任意组合的混合材料。
3.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的上基板、第一中基板、第二中基板与下基板，为绝缘材料所制成。
4.根据权利要求3所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的绝缘材料至少包含铝元素，钛元素或硅元素。
5.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的第二中基板的电极层，为直线形或弯曲形。
6.根据权利要求1所述的具有过电压保护功能的芯片型馈通滤波器，其特征在于：所述的下基板的电极层，在传输线的方向具有多数延伸段，每一延伸段均设有沟槽；第一中基板于相对至下基板的沟槽的位置形成有相对数的沟槽；第二中基板于下基板的延伸段的相对位置则形成有相对数的电极层，以此形成矩阵式结构。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2496186Y (zh) * | 2001-09-30 | 2002-06-19 | 北京中石电子有限公司 | 无焊接馈通滤波器 |
| US6414835B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Medtronic, Inc. | Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device |
| CN1357939A (zh) * | 2000-12-11 | 2002-07-10 | 肇庆冠华现代电子元件有限公司 | 一种片式叠层emi滤波器 |
| US6473314B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-10-29 | Powerwave Technologies, Inc. | RF power amplifier assembly employing multi-layer RF blocking filter |
| CN1595793A (zh) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | 联发科技股份有限公司 | 可减低时钟馈通效应的切换式电容电路与相关方法 |
| CN1666397A (zh) * | 2002-06-25 | 2005-09-07 | 泰科电子有限公司 | 为数据总线接口提供过电流和过电压保护及共模滤波的集成装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414835B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Medtronic, Inc. | Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device |
| US6473314B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-10-29 | Powerwave Technologies, Inc. | RF power amplifier assembly employing multi-layer RF blocking filter |
| CN1357939A (zh) * | 2000-12-11 | 2002-07-10 | 肇庆冠华现代电子元件有限公司 | 一种片式叠层emi滤波器 |
| CN2496186Y (zh) * | 2001-09-30 | 2002-06-19 | 北京中石电子有限公司 | 无焊接馈通滤波器 |
| CN1666397A (zh) * | 2002-06-25 | 2005-09-07 | 泰科电子有限公司 | 为数据总线接口提供过电流和过电压保护及共模滤波的集成装置 |
| CN1595793A (zh) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | 联发科技股份有限公司 | 可减低时钟馈通效应的切换式电容电路与相关方法 |
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