CN101403106A - 一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 - Google Patents
一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101403106A CN101403106A CNA2008102025525A CN200810202552A CN101403106A CN 101403106 A CN101403106 A CN 101403106A CN A2008102025525 A CNA2008102025525 A CN A2008102025525A CN 200810202552 A CN200810202552 A CN 200810202552A CN 101403106 A CN101403106 A CN 101403106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- sio
- insulativity
- thickness
- deposit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 38
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title abstract description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title abstract description 19
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title abstract description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title abstract description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title abstract description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明揭示了一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，包括如下步骤：步骤1、通入SiH4/Ar和N2O，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；步骤2、单独通入N2O，利用N2O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO2薄膜进行轰击；步骤3、通入SiH4/Ar和N2O，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。本发明的要点是：在采用PECVD系统淀积SiO2薄膜时，利用N2O产生的高能粒子打断SiO2薄膜中残留的Si－H键和N－H键，使H原子与O原子相结合并挥发出去，从而去除了导电的离子键，大大提高了SiO2薄膜的绝缘性。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造工艺技术领域，涉及一种高绝缘性薄膜的工艺方法，特别涉及一种利用N2O除去SiO2薄膜中导电原子的高绝缘性薄膜的工艺方法。
背景技术
为阻挡外界环境对芯片的侵害，稳定芯片的性能，现有技术常利用PECVD方法在芯片表面低温沉积一层薄膜。
等离子体化学汽相淀积(简称PECVD)技术，由于淀积温度低(＜400℃)，台阶覆盖性能好；生成的SiO2薄膜结构致密；针孔少；具有良好的抗钠、抗潮湿、抗腐蚀性等优点。故广泛地应用于半导体器件的表面钝化。
PECVD的原理为：在高频电场下，稀薄气体的电离，产生光子、电子、离子、受激分子和原子，构成等离子体的成份。电子和离子由于带电而在等离子体中不断旋转和运行，在电场中获得能量而被加速，变为高能粒子，上述高能粒子与反应气体分子、原子碰撞，使反应气体电离或激活成为化学性质十分活泼的活性基团，即等离子体分子、原子、离子或活性基团与周围环境温度相同，而其非平衡电子则由于质量很小，其平均温度可以比其它粒子大一至二个数量级，因此通常要在高温条件下才能实现的许多化学反应，由于非平衡电子具有较高的能量，就能在低温甚至室温下实现。如二氧化硅通常要在750℃以上才能生长，而用PECVD技术只要在200-300℃就能生长出质量较好的薄膜。在淀积等离子体二氧化硅时，表面反应将生成所需的薄膜。在表面反应中，高能粒子流碰击到被吸附在芯片表面上的反应气体，使反应气体获得能量，导致结合键破裂而成为活性物质，这些活性物质反应形成薄膜于晶片表面。
目前，在大量关于利用PECVD方法进行低温沉积SiO2薄膜的报道中，几乎都是采用SiH4/N2O或SiH4/O2混合气体作为源气体，一次性沉积SiO2薄膜。但是，当衬底温度小于300℃时，获得的SiO2薄膜中经常由于H和N的掺入而含有Si-H和N-H键，从而使得SiO2薄膜具有一定的导电性，损坏芯片，降低芯片性能。
请参阅图1，其为现有LED芯片结构示意图，所述LED芯片包括蓝宝石衬底1、N层2、P层3、N电极4、ITO层5、P电极6及SiO2薄膜7。从图1可知，SiO2薄膜覆盖在LED芯片的表面，同时接触P电极6与N电极4，因此，若SiO2薄膜具有一定的导电性，P电极6及N电极4容易通过SiO2薄膜7而漏电，对芯片造成损害，降低芯片性能。
因此，如何在低温时形成一具有高绝缘性的SiO2薄膜实已成为本领域技术人员亟待解决的技术课题。
发明内容
本发明的目的是提供一种在低温条件下制造高绝缘性的SiO2薄膜的工艺方法。
本发明提供的工艺方法包括以下步骤：
步骤1、通入工艺气体，该气体包括SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；
步骤2、单独通入工艺气体N2O，并在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃条件下使所产生的N2O高能粒子对已淀积好的所述SiO2薄膜进行轰击；
步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。
较佳地，步骤1的工艺条件还包括有：所淀积的SiO2薄膜，厚度为
淀积速率为
步骤2的工艺条件还包括有：N2O流量50-600sccm，轰击时间为1-15Min。
步骤3的工艺条件还包括有：淀积速率为
进一步的，步骤1中所淀积的SiO2薄膜，厚度优选为
所述RF功率优选为90-100W，所述压力优选为70-80Pa。
步骤2中所述轰击时间优选为4-6Min，所述N2O流量为200-400sccm，所述RF功率优选为90-100W，所述压力优选为70-80Pa。
步骤3中所述压力优选为70-80Pa，所述RF功率优选为90-100W。
本发明的有益效果在于：在制作SiO2薄膜时，利用N2O产生的高能粒子打断掺入的Si-H和N-H键，使H原子与O原子相结合并挥发出去，从而去除了导电的离子键，大大提高了SiO2薄膜的绝缘性。
附图说明
图1为现有技术中LED芯片及表面低温沉积SiO2薄膜的结构剖面示意图。
图2为本发明的制造高绝缘性薄膜的工艺方法的流程图。
图3为LED芯片的I-V特性曲线图。
具体实施方式
实施例一
在本实施例中，以SiO2薄膜为例，对利用PECVD方法制造低温沉积高绝缘性薄膜的工艺方法加以说明。在本实施例中，采用的机台为Samco PD-220型PECVD，工艺气体是SiH4/Ar和N2O，其中SiH4/Ar表示为SiH4与Ar的混合气体。
请参阅图2，利用PECVD方法制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，包括以下步骤：
步骤1、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃、淀积速率为
的条件下，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；
步骤2、单独通入工艺气体N2O，利用N2O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO2薄膜，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃、轰击时间为1-15Min条件下使所产生的N2O高能粒子对已淀积好的所述SiO2薄膜进行轰击，打断H键，使H原子与O原子结合挥发出去；
步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃、淀积速率为的条件下，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。
其中，步骤1中所淀积的SiO2薄膜，厚度为
本发明的原理如下：由于N2O的轰击，SiO2薄膜中常掺入的H键被打断，H原子与O原子相结合，挥发出去，从而去除了导电的离子键，就能在低温的情况下，制造出具有高绝缘性的薄膜。
通过以上改进，利用本发明方法制作SiO2薄膜时，利用N2O产生的高能粒子打断掺入的Si-H和N-H键，使H原子与O原子相结合并挥发出去，从而去除了导电的离子键，大大提高了SiO2薄膜的绝缘性。
实施例二
本实施例中，利用PECVD方法制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，包括以下步骤：
步骤1、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-100W、压力为70-80Pa、温度为200℃左右、淀积速率为
的工艺条件下，利用PECVD方法，淀积一层厚度为的SiO2薄膜；
步骤2、单独通入N2O，利用N2O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO2薄膜，在N2O流量为200-400sccm、RF功率为90-100W、压力为70-80Pa、温度为200℃左右、轰击时间为4-6Min的工艺条件下进行轰击，打断H键，使H原子与O原子结合挥发出去；
步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-100W、压力为70-80Pa、温度为200℃左右、淀积速率为
的工艺条件下，利用PECVD方法，淀积剩余厚度的SiO2薄膜。
步骤1至步骤3的温度为可为180℃-220℃，如196℃、211℃。
实施例三
本实施例中，利用PECVD方法制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，包括以下步骤：
步骤1、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为95W、压力为75Pa、温度为200℃、淀积速率为
的工艺条件下，利用PECVD方法，淀积一层厚度为的SiO2薄膜；
步骤2、单独通入N2O，利用N2O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO2薄膜，在N2O流量为300sccm、RF功率为100W、压力为75Pa、温度为200℃、轰击时间为5Min的工艺条件下进行轰击，打断H键，使H原子与O原子结合挥发出去；
步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为96W、压力为76Pa、温度为205℃、淀积速率为
的工艺条件下，利用PECVD方法，淀积剩余厚度的SiO2薄膜。
请参阅图3，根据LED的电压与电流的特定关系，SiO2薄膜导电只有在小电流驱动下才能表现出来，因此，为充分说明本发明所达到的技术效果，所以在小电流0.01mA驱动的条件下对LED芯片两端的电压进行测量，对比沉积SiO2薄膜前后电压差异，对比常规沉积SiO2薄膜方法与本发明沉积SiO2薄膜方法的SiO2薄膜电性差异。
表A所示为本次测量所用的常规LED芯片的常规沉积SiO2薄膜方法的工艺条件，表B所示为本此测量所用的本发明提供的LED芯片的本发明提供的沉积SiO2薄膜方法的工艺条件，表B中所示的工艺条件亦是本发明所提供的沉积SiO2薄膜方法的较佳工艺条件。
| 步骤1 | |
| SiH4/Ar(sccm) | 80 |
| N2O(sccm) | 480 |
| 压力(Pa) | 75 |
| RF功率(w) | 95 |
| 轰击时间(s) | 222 |
| 温度(℃) | 200 |
表A-常规沉积SiO2薄膜方法的工艺条件
| 步骤1 | 步骤2 | 步骤3 | |
| SiH4/Ar(sccm) | 80 | 80 | |
| N2O(sccm) | 480 | 300 | 480 |
| 压力(Pa) | 75 | 75 | 75 |
| RF功率(w) | 95 | 100 | 95 |
| 轰击时间(s) | 48 | 300 | 174 |
| 温度(℃) | 200 | 200 | 200 |
表B-本发明提供的沉积SiO2薄膜方法的工艺条件
表C所示为采用常规沉积SiO2薄膜方法的LED芯片与采用本发明提供的沉积SiO2薄膜方法的LED芯片在SiO2薄膜沉积前后的电压差对比，其中，A为常规沉积SiO2薄膜的方法，B为本发明提供的沉积SiO2薄膜的方法，VF1为沉积SiO2薄膜之前所测量的电压，VF2为沉积SiO2薄膜之后所测量的电压，沉积SiO2薄膜之前对LED芯片10、20、30、40在0.01mA的电流驱动下测量电压(什么的电压)，之后样品10、20用常规沉积SiO2薄膜方法沉积SiO2，样品30、40用本发明沉积SiO2薄膜方法沉积SiO2，并再次在0.01mA的电流驱动下测量电压。数据如下表：
表C-采用常规沉积SiO2薄膜方法的LED芯片与采用本发明提供的沉积SiO2薄膜方法的LED芯片在SiO2薄膜沉积前后的电压差对比
从数据来看，采用常规沉积SiO2薄膜方法沉积的SiO2薄膜在SiO2薄膜沉积前后具有0.02-0.04左右的电压差，存在一定的漏电现象，而采用本发明提供的沉积SiO2薄膜方法沉积的SiO2薄膜在SiO2薄膜沉积前后电压差几乎为零，绝缘性明显提高。
由此可见，本发明提供的工艺方法可以有效增加SiO2薄膜的绝缘性，减少SiO2薄膜的漏电现象。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其他形式、结构、布置、比例，以及用其他元件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其他变形和改变。
Claims (6)
1、一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、通入工艺气体，该气体包括SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面，淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；
步骤2、单独通入工艺气体N2O，并在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃条件下使所产生的N2O高能粒子对已淀积好的所述SiO2薄膜进行轰击；
步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。
2、根据权利要求1所述的制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于：步骤1中所淀积的所述SiO2薄膜，厚度为
3、如权利要求2所述的制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于：所述SiO2薄膜的优选厚度为
4、根据权利要求1所述的制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于，步骤1及步骤3的工艺条件还包括：淀积速率为
所述压力优选为70-80Pa，所述RF功率优选为90-100W。
5、根据权利要求1所述的制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于，步骤2的工艺条件还包括：轰击时间为1-15Min，N2O流量为50-600sccm，所述RF功率优选为90-100W，所述压力优选为70-80Pa。
6、根据权利要求5所述的制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于：所述轰击时间优选为4-6Min，所述N2O流量优选为200-400sccm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102025525A CN101403106B (zh) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | 一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102025525A CN101403106B (zh) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | 一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101403106A true CN101403106A (zh) | 2009-04-08 |
| CN101403106B CN101403106B (zh) | 2010-06-16 |
Family
ID=40537262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008102025525A Expired - Fee Related CN101403106B (zh) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | 一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101403106B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916093A (zh) * | 2012-08-31 | 2013-02-06 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种低损伤PECVD沉积高绝缘性SiO2薄膜的方法 |
| CN103390703A (zh) * | 2013-08-05 | 2013-11-13 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的led芯片 |
| CN115369385A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-22 | 福建兆元光电有限公司 | 一种led二氧化硅薄膜的制作方法 |
-
2008
- 2008-11-11 CN CN2008102025525A patent/CN101403106B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916093A (zh) * | 2012-08-31 | 2013-02-06 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种低损伤PECVD沉积高绝缘性SiO2薄膜的方法 |
| CN103390703A (zh) * | 2013-08-05 | 2013-11-13 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的led芯片 |
| CN103390703B (zh) * | 2013-08-05 | 2016-08-17 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的led芯片 |
| CN115369385A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-22 | 福建兆元光电有限公司 | 一种led二氧化硅薄膜的制作方法 |
| CN115369385B (zh) * | 2022-08-29 | 2024-01-09 | 福建兆元光电有限公司 | 一种led二氧化硅薄膜的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101403106B (zh) | 2010-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102007597B (zh) | 低温薄膜晶体管工艺、装置特性和装置稳定性改进 | |
| CN101026093A (zh) | 形成硅层的方法及使用该硅层的显示基板的制造方法 | |
| JP2007096136A (ja) | カーボンナノ構造体を用いた光起電力素子 | |
| US8936702B2 (en) | System and method for sputtering a tensile silicon nitride film | |
| TWI684283B (zh) | 薄膜電晶體的製造方法 | |
| US5660694A (en) | Film forming method | |
| CN112376024A (zh) | 一种氧化物薄膜的制备方法 | |
| CN101403106B (zh) | 一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法 | |
| CN104218090B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示装置 | |
| CN103201839B (zh) | 沉积薄膜电极与薄膜堆迭的方法 | |
| US20200043757A1 (en) | Part for manufacturing semiconductor, part for manufacturing semiconductor containing composite coating layer, and method for manufacturing same | |
| EP2368282B1 (en) | Process of forming protecting layer by particles having low energy | |
| Potts et al. | Effects of rf power and reactant gas pressure on plasma deposited amorphous hydrogenated silicon | |
| CN104282567A (zh) | 制造igzo层和tft的方法 | |
| CN110965022A (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| TW201351503A (zh) | 用於低蝕刻速率硬遮罩膜之具有氧摻雜之ｐｖｄ氮化鋁膜 | |
| JP3509856B2 (ja) | 安定化層のための保護層及びその製法 | |
| CN102738243A (zh) | 晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置 | |
| US6352910B1 (en) | Method of depositing amorphous silicon based films having controlled conductivity | |
| CN107768519B (zh) | 反相器及其制备方法 | |
| CN107768520B (zh) | 倍频器及其制备方法 | |
| JPS6083373A (ja) | 薄膜トランジスタアレイとその製造方法 | |
| JP4178202B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| CN103117201B (zh) | Pecvd装置及半导体器件的形成方法 | |
| CN103021931B (zh) | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100616 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |