CN103390703B - 低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低损伤、高致密性膜的制备方法及具有该膜的LED芯片，包括：a）、在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；b）、向反应腔体中通入N2O气体，然后向反应腔体中通入硅烷气体，预热基片沉积得到厚度为1‑50nm的二氧化硅膜；c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体；d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50‑2000nm，最终沉积得到低损伤、高致密性膜；本发明有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，本发明制备得到的低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片制造领域，具体涉及了一种低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的LED芯片。
背景技术
随着氮化物（市场上一般为GaN）基第三代半导体材料的兴起，蓝色以及白色LED（Light Emitting Diode，发光二极管）的研制成功，发光强度发光效率的不断提高，LED已经被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源，因而在近年来成为全球关注的焦点。
LED的核心部件为LED芯片，将LED芯片进行封装后即可得到LED。LED芯片的制作工艺主要为：采用在衬底上依次制作由N型导电层、发光层和P型导电层组成的外延层得到LED外延片，然后在LED外延片上制作透明导电层（TCL，Transparent Contact Layer）和由P型电极、N型电极组成的连接电极得到LED芯片，其中，N型电极与N型导电层相连通，P型电极与透明导电层相连通。
在LED芯片的设计及制造中，由于传统LED芯片结构的一部分电流会从P型电极直接流入位于其正下方的P型导电层和发光层，而位于P型电极正下方的发光层发出的光基本上会被P型电极挡住，基本属于无效发光区，这部分光会被反射或者被吸收，而被反射的部分在LED芯片内部经过多次反射后也有相当大的一部分会被吸收，最终导致LED芯片的出光量大大降低。为了对上述问题进行改善，现有一般在P型电极正下方及其周围处设置一层采用绝缘材料组成的电流阻挡层，其材料一般为Si化合物，主要为二氧化硅，电流阻挡层将原本从P型电极直接流入P型导电层和发光层的电流截断，有 效确保P型电极的全部电流通过透明导电层再流入P型导电层和发光层的有效发光区，提高LED芯片有效发光区的电流密度，进而提高LED芯片电流的利用率，最终提高LED芯片的出光量。
此外，为了确保LED芯片与外界隔绝，避免LED芯片的正向工作电压受到影响以及漏电，通常在LED芯片的透明导电层以及N型导电层的表面生长沉积一层由绝缘介质组成的绝缘膜，绝缘膜的材料同样一般为Si化合物，主要为二氧化硅，同时由于这些绝缘膜材料的折射率大于空气，因而绝缘膜还能增加LED芯片的出光量，且不会影响其外观和电学性能。
然而如果选用的制备方法不理想，会导致制备得到的电流阻挡层和绝缘膜易损伤、致密性低，会严重影响电流阻挡层和绝缘膜以上所述的基本功能，进而导致LED芯片的出光量大大降低，同时易损伤、致密性低的绝缘膜会还导致LED芯片的正向工作电压（也称为开启电压）受到影响，即导致LED芯片发生漏电，影响LED器件的性能受损。而通过现有技术制备得到的电流阻挡层和绝缘膜，其抗损伤性以及致密性均是不够理想的。
正如公开号为CN102916093A的中国专利中的背景技术记载到：“通常采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强型化学气相沉积法)沉积二氧化硅薄膜，一般为了增加二氧化硅薄膜的致密性和绝缘性，需要较大的射频功率（大于80W）。但增大射频功率会对GaN发光材料造成损伤，致使LED器件电压升高、发光强度下降。但若采取降低PECVD射频功率的方法制备二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜表面会存在大量未氧化游离Si离子，导致二氧化硅薄膜的致密性和绝缘性能下降。为此，公开号为CN102916093A的中国专利公开了一种二氧化硅薄膜，在沉积过程中多次引入气体N2O对二氧化硅薄膜进行氧化和纯化处理，N2O电离后产生的氧离子与二氧化硅膜层表面存在的游离Si离子发生氧化反应生成二氧化硅，与游离的H离子发生反应生成水，进而提高了二氧化硅薄膜的抗损伤性以及致密性。 然而由于该专利的N2O气体与硅烷气体同时通入反应腔中，在LED基片上直接沉积二氧化硅膜，然而由于N2O气体电离形成负氧离子过程需要耗费一定的时间，若将反应气体直接混合添加入反应腔，会直接影响初步沉积的二氧化硅膜在LED基片上的附着效果，易剥落，抗损伤性和致密性均较差；进一步地，该专利在后续多次引入N2O气体之前，均未进行抽真空处理，又会大大弱化N2O对二氧化硅薄膜进行氧化和纯化处理的效果以及后续沉积反应的效果，最终影响沉积得到二氧化硅膜的抗损伤性和致密性。
同时通过上述方法制备得到的绝缘二氧化硅薄膜的抗损伤性和致密性仍然是较低的，更不适合作为具有更高抗损伤性和致密性要求的电流阻挡层，因此在上述现有技术基础上，仍然有必要寻求一种低损伤、高致密性膜的制备方法来解决上述技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的LED芯片，有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，本发明制备得到的低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。
为了实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，包括：
a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；
b）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1-50nm的二氧化硅膜；
c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；
d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm；
e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。
优选地，所述的步骤b）包括：
b10）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1-30nm的二氧化硅膜；
b20）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为10-50nm的二氧化硅膜；
其中，所述的步骤a）进行后依次执行步骤b10）和步骤c），然后依次执行步骤b20）和步骤c），再执行步骤d）；
所述的步骤d）为：重复执行步骤b20）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm。
优选地，所述的预热温度为200-300℃。
优选地，在所述的步骤a）和步骤c)中，经抽真空处理后的反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa。
优选地，在所述的步骤b）中，N2O气体与硅烷气体的体积比为5:1-10:1；向反应腔体中通入硅烷气体的同时通入惰性保护气体，所述的惰性保护气体与硅烷气体的体积比为100:3-100:8。
优选地，所述的惰性保护气体为氮气或氩气。
优选地，在所述的步骤b）和步骤c）中，反应腔体的射频功率为20-100W， 压力为40-100Pa。
优选地，在步骤a）进行前还包括：
a0）、对初始基片表面进行清洗，得到步骤a）中所述的基片。
优选地，一种LED芯片，包括LED外延片、电流阻挡层、透明导电层和由P型电极、N型电极组成的连接电极，其中，所述的电流阻挡层采用如上所述的低损伤、高致密性膜的制备方法制备得到。
优选地，一种LED芯片，包括LED外延片、透明导电层、由P型电极、N型电极组成的连接电极和绝缘膜，其中，所述的绝缘膜采用如上所述的低损伤、高致密性膜的制备方法制备得到。
本发明提出一种优化的PECVD法制备得到低损伤、高致密性膜，该低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜，具体地，本发明提出将作为反应气体之一的N2O气体首先通入经抽真空处理的反应腔体中，N2O气体被电离形成大量负氧离子，使得反应腔体形成负氧离子氛围，然后再将另一反应气体，即硅烷气体通入该具有负氧离子氛围的等离子反应腔中，在预先设定的射频功率和压力的等离子体电浆作用下，硅烷气体充分被负氧离子氧化，在基片上初步沉积得到具有一定厚度的、且与基片附着效果极佳的二氧化硅薄膜，不易剥落，有效确保初步沉积二氧化硅薄膜的低损伤、高致密性；
进一步地，本发明提出在进行PECVD沉积反应开始之前，将基片预先进行预热，使得基片表面被活化，使得进入PECVD沉积反应后，二氧化硅在基片上的初步沉积附着力进一步强化提高；再进一步地，如本专利的背景技术所述，由于二氧化硅薄膜表面存在较多的游离Si离子，会影响二氧化硅的致密性，进而影响其相关性能，本发明提出反复沉积一定厚度的二氧化硅薄膜，且在每次沉积结束后，采用N2O气体，在预先设定的射频功率和压力的等离子体电浆作用下，将游离Si离子被充分氧化成二氧化硅，进一步确保二氧化 硅的低损伤、高致密性；
本发明更进一步优化地提出，在每次将二氧化硅薄膜表面的游离Si离子充分氧化完毕后，对反应腔体均重新进行抽真空处理，然后重复执行沉积具有一定厚度的二氧化硅薄膜、以及将位于二氧化硅薄膜表面的游离Si离子充分氧化等步骤，从而有效避免反应腔体内存在杂质对后续PECVD的沉积效果造成不利影响，进而确保二氧化硅薄膜的低损伤和高致密性。
综合以上内容所述，采用经本发明优化的PECVD法制备得到的二氧化硅膜具有低损伤、高致密性，有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1中的低损伤、高致密性膜的制备方法的步骤框图；
图2是本发明实施例9中LED芯片的截面结构示意图；
图3是本发明实施例10中LED芯片的截面结构示意图。
具体实施方式
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，包括：
a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；
b）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，硅烷气体在具有 负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，预热基片沉积得到厚度为1-50nm的二氧化硅膜；
c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；
d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到实际需要的设定厚度，具体地，一般二氧化硅膜的厚度为50-2000nm；
e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。
由于二氧化硅薄膜在基片表面上的初步沉积效果是决定最终得到的二氧化硅薄膜抗损伤性和致密性是否优异的重要因素，若初步沉积效果较差，会导致二氧化硅薄膜被剥落、损伤，且不够致密，因此，优选地，本发明将二氧化硅的初步沉积厚度数值设定在相对较低的范围内，在确保沉积效果的前提下，为了提高沉积效率，将后续二氧化硅的非初步沉积厚度设定在相对较高的范围内，并进行循环重复沉积，具体地，步骤b）包括：
b10）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，预热基片沉积得到厚度为1-30nm的二氧化硅膜；
b20）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，预热基片沉积得到厚度为10-50nm的二氧化硅膜；
其中，步骤a）进行后依次执行步骤b10）和步骤c），然后依次执行步骤b20）和步骤c），再执行步骤d）；
步骤d）为：重复执行步骤b20）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm。
优选地，预热温度为200-300℃。
优选地，在步骤a）和步骤c)中，经抽真空处理后的反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa。
优选地，在步骤b）中，N2O气体与硅烷气体的体积比为5:1-10:1；向反应腔体中通入硅烷气体的同时通入惰性保护气体，惰性保护气体与硅烷气体的体积比为100:3-100:8。
优选地，惰性保护气体为氮气或氩气。
优选地，在步骤b）和步骤c）中，反应腔体的射频功率为20-100W，压力为40-100Pa。
优选地，在步骤a）进行前还包括：
a0）、对初始基片表面进行清洗，得到步骤a）中基片，将基片表面的杂质有效去除，进一步增强二氧化硅的PECVD沉积效果。
本发明实施例还公开了一种LED芯片，包括LED外延片、电流阻挡层、透明导电层和由P型电极、N型电极组成的连接电极，其中，电流阻挡层采用如上所述的低损伤、高致密性膜的制备方法制备得到。
本发明实施例还公开了一种LED芯片，包括LED外延片、透明导电层、由P型电极、N型电极组成的连接电极和绝缘膜，其中，绝缘膜采用如上所述的低损伤、高致密性膜的制备方法制备得到。
本发明实施例提出一种优化的PECVD法制备得到低损伤、高致密性膜，该低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜，具体地，本发明实施例提出将作为反应气体之一的N2O气体首先通入经抽真空处理的反应腔体中，N2O气体被电离形成大量负氧离子，使得反应腔体形成负氧离子氛围，然后再将另一反应气体，即硅烷气体通入该具有负氧离子氛围的等离子反应腔中，在预先设定的射频功率和压力的等离子体电浆作用下，硅烷气体充分被负氧离子氧化，在基片上初步沉积得到具有一定厚度的、且与基 片附着效果极佳的二氧化硅薄膜，不易剥落，有效确保初步沉积二氧化硅薄膜的低损伤、高致密性；
进一步地，本发明实施例提出在进行PECVD沉积反应开始之前，将基片预先进行预热，使得基片表面被活化，使得进入PECVD沉积反应后，二氧化硅在基片上的初步沉积附着力进一步强化提高；再进一步地，如本专利的背景技术所述，由于二氧化硅薄膜表面存在较多的游离Si离子，会影响二氧化硅的致密性，进而影响其相关性能，本发明实施例提出反复沉积一定厚度的二氧化硅薄膜，且在每次沉积结束后，采用N2O气体，在预先设定的射频功率和压力的等离子体电浆作用下，将游离Si离子被充分氧化成二氧化硅，进一步确保二氧化硅的低损伤、高致密性；
本发明实施例更进一步优化地提出，在每次将二氧化硅薄膜表面的游离Si离子充分氧化完毕后，对反应腔体均重新进行抽真空处理，然后重复执行沉积具有一定厚度的二氧化硅薄膜、以及将位于二氧化硅薄膜表面的游离Si离子充分氧化等步骤，从而有效避免反应腔体内存在杂质对后续PECVD的沉积效果造成不利影响，进而确保二氧化硅薄膜的低损伤和高致密性。
综合以上内容所述，采用经本发明实施例优化的PECVD法制备得到的二氧化硅膜具有低损伤、高致密性，有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。综合以上内容所述，采用经本发明实施例实施例优化的PECVD法制备得到的二氧化硅膜具有低损伤、高致密性，有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描 述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
实施例1：
请参见图1所示的步骤框图，一种低损伤、高致密性膜的制备方法，包括：
a0）、对初始基片表面进行清洗，得到步骤a）中的基片，具体步骤可以为：
将初始基片放入去胶液中在80-120℃的温度下清洗10分钟，然后采用酒精在常温下清洗5分钟，冲水甩干。
a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，该反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa，在200-300℃的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；
b10）、将反应腔体保持在200-300℃，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，N2O气体与硅烷气体的体积比为5:1-10:1，同时通入惰性保护气体，优选地，在本实施方式中，惰性保护气体为氮气，氮气与硅烷气体的体积比为100:3-100:8，在射频功率为20-100W，压力为40-100Pa的条件下，硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，预热基片沉积得到厚度为5nm的二氧化硅膜；
c）、对反应腔体进行抽真空处理，该反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b10）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；
b20）、将反应腔体保持在200-300℃，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，N2O气体与硅烷气体的体积比为5:1-10:1，同时通入氮气，氮气与硅烷气体的体积比为 100:3-100:8，在射频功率为20-100W，压力为40-100Pa的条件下，硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，预热基片沉积得到厚度为20nm的二氧化硅膜；
c）、对反应腔体进行抽真空处理，该反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b20）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；
d）、重复执行步骤b20）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到85nm；
e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。
实施例2：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为1nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为10nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到51nm。
实施例3：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为8nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为20nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到108nm。
实施例4：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为10nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为30nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到220nm。
实施例5：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为20nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为40nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到500nm。
实施例6：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为25nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为45nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到810nm。
实施例7：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为20nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为50nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到1420nm。
实施例8：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其余均同实施例1，区别仅在于：
在步骤b10）中，预热基片沉积得到厚度为30nm的二氧化硅膜；在步骤b20）中，预热基片沉积得到厚度为50nm的二氧化硅膜，在步骤d）中，二氧化硅膜的厚度达到1630nm。
实施例9：
请参见图2所示的LED芯片截面结构示意图，LED芯片的制作工艺主要为：采用在衬底1上制作由N型导电层4、发光层9和P型导电层5组成的外延层得到LED外延片，优选地，在本实施方式中，衬底采用蓝宝石衬底，导电层采用GaN材料制成，然后在LED外延片上制作透明导电层6和由P型电极7、N型电极3组成的连接电极得到LED芯片10，其中，N型电极3与N型导电层4相连通，P型电极7与透明导电层6相连通，其中，在LED 芯片10的导电层外表面（如图2所示的透明导电层6和N型导电层4的外表面）生长沉积有一层绝缘膜2，其中，绝缘膜2采用本实施例1上述的制备方法制备得到，绝缘膜2具有低损伤、高致密性，具体地，绝缘膜2可以在完成透明导电层6的制作后或完成连接电极的的制作后进行制备。
经检测对比，本实施例1的LED芯片的正向工作电压范围为2.3-2.5V，现有常规的LED芯片的正向工作电压小于2.2V，说明本实施例的LED芯片有效避免了发生漏电。进一步地，本实施例1的LED芯片相对于现有常规的LED芯片，出光量提高了6-9%。
实施例10：
请参见图3所示的LED芯片截面结构示意图，LED芯片的制作工艺主要为：采用在衬底1上制作由N型导电层4、发光层9和P型导电层5组成的外延层得到LED外延片，优选地，在本实施方式中，衬底采用蓝宝石衬底，导电层采用GaN材料制成，然后在LED外延片上制作透明导电层6和由P型电极7、N型电极3组成的连接电极得到LED芯片10，其中，N型电极3与N型导电层4相连通，P型电极7与透明导电层6相连通，其中，P型电极7正下方及其周围处设置有电流阻挡层8，电流阻挡层8采用本实施例1上述的制备方法制备得到，电流阻挡层8具有低损伤、高致密性，具体地，电流阻挡层8可以在完成外延片沉积后或完成外延片台阶刻蚀后进行制备；在LED芯片10的导电层外表面（如图3所示的透明导电层6和N型导电层4的外表面）生长沉积有一层电流阻挡层8，其中，绝缘膜2采用本实施例1上述的制备方法制备得到，绝缘膜2具有低损伤、高致密性，具体地，绝缘膜2可以在完成透明导电层6的制作后或完成连接电极的制作后进行制备。
经试验检测对比，本实施例2的LED芯片相对于现有常规的LED芯片，出光量提高了8-12%。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节， 而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，包括：
a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；
b）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1-50nm的二氧化硅膜；
c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；
d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm；
e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。
2.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤b）包括：
b10）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1-30nm的二氧化硅膜；
b20）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为10-50nm的二氧化硅膜；
其中，所述的步骤a）进行后依次执行步骤b10）和步骤c），然后依次执行步骤b20）和步骤c），再执行步骤d）；
所述的步骤d）为：重复执行步骤b20）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm。
3.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，所述的预热温度为200-300℃。
4.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，在所述的步骤a）和步骤c)中，经抽真空处理后的反应腔体的真空度为1.333×10-1-1.333×10-6Pa。
5.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，在所述的步骤b）中，N2O气体与硅烷气体的体积比为5:1-10:1；向反应腔体中通入硅烷气体的同时通入惰性保护气体，所述的惰性保护气体与硅烷气体的体积比为100:3-100:8。
6.如权利要求5所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，所述的惰性保护气体为氮气或氩气。
7.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，在所述的步骤b）和步骤c）中，反应腔体的射频功率为20-100W，压力为40-100Pa。
8.如权利要求1所述的低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，在步骤a）进行前还包括：
a0）、对初始基片表面进行清洗，得到步骤a）中所述的基片。
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