CN101401039A - 感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板 - Google Patents

感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN101401039A
CN101401039A CNA2007800083271A CN200780008327A CN101401039A CN 101401039 A CN101401039 A CN 101401039A CN A2007800083271 A CNA2007800083271 A CN A2007800083271A CN 200780008327 A CN200780008327 A CN 200780008327A CN 101401039 A CN101401039 A CN 101401039A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
compound
group
exposure
photosensitive composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800083271A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101401039B (zh
Inventor
高岛正伸
神川弘
藤牧一广
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN101401039A publication Critical patent/CN101401039A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101401039B publication Critical patent/CN101401039B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/035—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyurethanes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H05K3/287—Photosensitive compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Abstract

本发明提供兼顾优异的保存稳定性和高感光度、能够高精细地且高效地形成保护膜、绝缘膜等永久图案的感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法及通过该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。因此，将至少含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发系化合物、热交联剂的该感光性组合物层叠在基体上，在25℃下暗处放置20分钟后，将利用显影液除去层叠在所述基体的感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)作为T1；相对于层叠在所述基体的感光性组合物将该感光性组合物在40℃下暗处放置72小时后，将利用显影液除去所述感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)作为T2时，满足0.5＜T2/T1＜3的关系。

Description

感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板
技术领域
本发明涉及感光度、分辨率和保存稳定性优异，能够高效地形成高精细图案(保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案等)的感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法及通过该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。
背景技术
一直以来，在形成阻焊图案等永久图案时，使用在支承体上涂布感光性组合物进行干燥从而形成有感光层的感光性膜。
作为上述永久图案的制造方法，例如在形成有上述永久图案的覆铜层叠板等的基体上层叠上述感光性膜而形成层叠体，对该层叠体的上述感光层进行曝光，在该曝光后将上述感光层显影形成图案，之后进行固化处理等，从而形成上述永久图案。
在上述感光性组合物中，为了提高稳定性等，提出了含有下述高分子化合物的感光性组合物，所述高分子化合物为，在具有碳原子数1～6个的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酰单体与(甲基)丙烯酸的共聚物上加成具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯化合物后的高分子化合物(参照专利文献1)。
另外，出于与上述提案基本相同的目的，提出了含有下述高分子化合物的感光性组合物，所述高分子化合物为，在侧链具有羧基的共聚物上加成具有脂环式环氧基的不饱和化合物后的高分子化合物(参照专利文献2)。
另外，为了提高耐热性或耐化学药品性等的性能，提出了在组合物中含有具有不饱和双键且具有特定范围的酸值、分子量的粘合剂聚合物及具有不饱和双键且具有特定的酸值、环氧等量的环氧树脂的感光性树脂组合物(参照专利文献3)。
但是，在这些感光性组合物中，感光度和保存稳定性均不充分，特别是在利用激光扫描曝光的图案潜像形成中具有以下问题：由于曝光部的固化不充分，而在碱显影工序中图像部被除去，或者在将感光性组合物膜化制成长尺辊形状时，经时地发生端面的熔融，该熔融部分在层叠时落至层叠体的曝光面，从而在曝光时引起曝光图案的断线等。
另外，使用了碱可溶性环氧树脂的感光性组合物在镀金处理过程中与基板的密合变得不良，观察到感光性组合物浮起，发生可见镀渗(日文；めっき潜り)的现象等问题。
因此，通过含有规定的高分子化合物，仍然无法提供感光度、分辨率和保存稳定性优异、能够高效地形成高精细永久图案(保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案等)的感光性组合物、感光性膜、使用上述感光性膜的图案形成方法以及通过该永久图案形成方法形成有永久图案的印制电路板，现状是期待进一步的改良开发。
专利文献1：日本特开平3-172301号公报
专利文献2：日本特开平10-10726号公报
专利文献3：日本特开平7-199457号公报
发明内容
本发明鉴于该现状而完成，其课题在于解决以往的上述诸问题、达成以下的目的。即，本发明的目的在于提供感光性组合物的经时的显影稳定性优异、能够高效地形成高精细永久图案(保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案等)的感光性组合物、感光性膜、及使用上述感光性组合物和上述感光性膜的永久图案形成方法以及通过该永久图案形成方法形成有永久图案的印制电路板。
作为用于解决上述课题的方法如下所述。即
<1>一种感光性组合物，其为至少含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发系化合物、热交联剂的感光性组合物，其中，将该感光性组合物层叠在基体上，在25℃于暗处放置20分钟后，将利用显影液除去层叠至上述基体的感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)作为T1，对于层叠至上述基体的感光性组合物，将该感光性组合物在40℃于暗处放置72小时后，将利用显影液除去上述感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)作为T2时，满足0.5<T2/T1<3的关系。
<2>根据上述<1>所述的感光性组合物，其中，粘合剂含有在侧链具有酸性基团和乙烯性不饱和键的高分子化合物。
<3>根据上述<1>～<2>中任一项所述的感光性组合物，其中，粘合剂为选自于催化剂共存下在高分子化合物的酸性基团的一部分加成含有环状醚基的聚合性化合物后的高分子化合物和于催化剂共存下在高分子化合物的环状醚基的一部分或全部上加成含有羧基的聚合性化合物后的高分子化合物中的任一种高分子化合物，上述催化剂选自酸性化合物和中性化合物中的任一种。
<4>根据上述<1>～<3>中任一项所述的感光性组合物，其中，粘合剂含有侧链具有酸性基团、可含有杂环的芳香族基团、乙烯性不饱和键的高分子化合物。
<5>根据上述<2>～<4>中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有0.5～3.0meq/g的乙烯性不饱和键。
<6>根据上述<2>～<5>中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物的侧链具有羧基，所述羧基在高分子化合物中的含量为1.0～4.0meq/g。
<7>根据上述<2>～<6>中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物的质均分子量为10000以上且小于100000。
<8>根据上述<2>～<7>中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有20mol％以上的下述结构式(I)所示的结构单元。
Figure A200780008327D00071
结构式(1)
上述结构式(I)中，R1、R2、R3表示氢原子或1价的有机基团。L表示有机基团，也可以没有，Ar表示可含杂环的芳香族基团。
<9>根据上述<1>～<8>中任一项所述的感光性组合物，其中，聚合性化合物含有具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。
<10>根据上述<1>～<9>中任一项所述的感光性组合物，其中，聚合性化合物含有至少1种具有(甲基)丙烯酰基的单体。
<11>根据上述<1>～<10>中任一项所述的感光性组合物，其中，光聚合引发剂含有选自卤化烃衍生物、六芳基二咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫化合物、酮化合物、芳香族鎓盐、金属茂类、酰基膦氧化物化合物中的至少1种。
<12>根据上述<1>～<11>中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂为选自环氧化合物、氧杂环丁烷化合物、聚异氰酸酯化合物、使封端剂与聚异氰酸酯化合物反应而获得的化合物以及蜜胺衍生物的任一种中的至少1种。
<13>根据上述<1>～<12>中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂为碱不溶性。
<14>根据上述<1>～<13>中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比为0.1～1.5。
<15>根据上述<1>～<13>中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比为0.2～1.3。
<16>根据上述<1>～<13>中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比为0.3～1.2。
<17>根据上述<1>～<16>中任一项所述的感光性组合物，其中，感光性组合物含有增敏剂。
<18>根据上述<1>～<17>中任一项所述的感光性组合物，其中，增敏剂为杂稠环系化合物。
<19>根据上述<1>～<18>中任一项所述的感光性组合物，其为存在于感光性组合物中的部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为5％以下、部分结构中具有碱性取代基的总碱成分量为7％以下中的至少任1种。
<20>根据上述<1>～<18>中任一项所述的感光性组合物，其为存在于感光性组合物中的部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为4％以下、部分结构中具有碱性取代基的总碱成分量为5％以下中的至少任1种。
<21>根据上述<1>～<18>中任一项所述的感光性组合物，其为存在于感光性组合物中的部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为2％以下、部分结构中具有碱性取代基的总碱成分量为4％以下中的至少任1种。
<22>根据上述<1>～<18>中任一项所述的感光性组合物，其为存在于感光性组合物中的部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为1％以下、部分结构中具有碱性取代基的总碱成分量为2％以下中的至少任1种。
<23>根据上述<19>～<22>中任一项所述的感光性组合物，其中，碱性取代基为选自伯～叔氨基、季铵盐基、含有氨基三嗪的基团、含有咪唑的基团、胍基的任一种。
<24>根据上述<1>～<23>中任一项所述的感光性组合物，其中，T1为5～120秒、上述T2为5～240秒。
<25>根据上述<1>～<24>中任一项所述的感光性组合物，其中，在曝光和显影前后不改变曝光部分的厚度的上述曝光中所用光的最小能量为0.1～500mJ/cm2。
<26>根据上述<1>～<25>中任一项所述的感光性组合物，其中，光聚合引发剂为选自酰基膦氧化物系化合物和酮化合物的任一种。
<27>一种感光性膜，其中，具有支承体和在该支承体上的由上述<1>～<26>中任一项所述感光性组合物构成的感光层而得。
<28>根据上述<27>所述的感光性膜，其中，在支承体上依次具有热塑性树脂层和感光层。
<29>根据上述<27>～<28>中任一项所述的感光性膜，其为长条状、卷绕成辊状而成。
<30>根据上述<27>～<29>中任一项所述的感光性膜，其中，感光层的厚度为1～100μm。
<31>根据上述<27>～<30>中任一项所述的感光性膜，其中，支承体含有合成树脂且为透明。
<32>根据上述<27>～<31>中任一项所述的感光性膜，其中，感光层上具有保护膜。
<33>一种永久图案形成装置，其中，至少具有能够照射光的光照射机构；调制来自该光照射机构的光，对将<1>～<26>中任一项所述的感光性组合物涂布在基体的表面上进行干燥后而形成的感光层，进行曝光的光调制机构。在上述<33>所述的永久图案形成装置中，上述光照射机构朝向上述光调制机构照射光。上述光调制机构将从上述光照射机构接收的光调制。使通过上述光调制机构调制的光相对于上述感光层曝光。例如，然后将上述感光层显影，形成高精细的图案。以曝光、显影为特征的永久图案形成方法。
<34>一种永久图案形成装置，其具备上述<27>～<32>中任一项所述的感光性膜，其中，至少具有能够照射光的光照射机构；调制来自该光照射机构的光，对上述感光性膜的感光层进行曝光的光调制机构。在上述<34>所述的永久图案形成装置中，上述光照射机构朝向上述光调制机构照射光。上述光调制机构将从上述光照射机构接收的光调制。使通过上述光调制机构调制的光相对于上述感光层曝光。例如，然后将上述感光层显影，形成高精细的图案。
<35>根据上述<33>和<34>中任一项所述的永久图案形成装置，其中，光调制机构还具有根据所形成的图案信息产生控制信号的图案信号产生机构，根据该图案信号产生机构所产生的控制信号使从光照射机构照射的光调制。在上述<35>所述的永久图案形成装置中，上述光调制机构通过具有上述图案信号产生机构，对应该图案信号产生机构所产生的控制信号使从光照射机构照射的光调制。
<36>根据上述<33>～<35>中任一项所述的永久图案形成装置，其中光调制机构具有n个描素部，可以根据所形成的图案信息控制从该n个描素部中开始连续配置的任意少于n个的上述描素部。在上述<36>所述的永久图案形成装置中，通过根据图案信息控制从上述光调制机构的n个描素部中开始连续配置的任意少于n个的描素部，高速地调制来自上述光照射机构的光。
<37>上述<33>～<36>中任一项所述的永久图案形成装置，其中光调制机构为空间光调制元件。
<38>上述<37>所述的永久图案形成装置，其中，空间光调制元件为数字微反射镜设备(DMD)。
<39>上述<36>～<38>中任一项所述的永久图案形成装置，其中描素部为微反射镜。
<40>上述<33>～<39>中任一项所述的永久图案形成装置，其中光照射机构能够合成2种以上的光进行照射。上述<40>所述的永久图案形成装置中，上述光照射机构通过能够合成2种以上的光进行照射，曝光通过焦点深度深的曝光光进行。结果，对上述感光层的曝光极为高精细地进行。之后对上述感光层进行显影时，形成极为高精细的图案。
<41>上述<33>～<40>中任一项所述的永久图案形成装置，其中，光照射机构具有多个激光、多模式光纤维、将由该多个激光分别照射的激光光聚光结合在上述多模式光纤维上的集合光学体系。上述<41>所述的永久图案形成装置中，上述光照射机构通过能够利用上述集合光学体系将由上述多个激光分别照射的激光光聚光、结合在上述多模式光纤维上，曝光通过焦点深度深的曝光光进行。结果，对上述感光层的曝光极为高精细地进行。之后对上述感光层进行显影时，形成极为高精细的图案。
<42>一种永久图案形成方法，其特征在于，至少包括在加热或加压的至少任1情况下将上述<27>～<32>任一项所述的感光性膜的感光层层叠在基体的表面上后，对该感光性进行曝光。
<43>上述<42>所述的永久图案形成方法，其中曝光是使用350～415nm波长的激光光进行的。
<44>上述<42>～<43>中任一项所述的永久图案形成方法，其中曝光是根据所形成的图案信息形象地进行。
<45>上述<42>～<44>中任一项所述的永久图案形成方法，其中，曝光使用曝光头，其具备光照射机构以及具有接收并将来自上述光照射机构的光射出的n个(n为2以上的自然数)配置成2维状的描素部、根据图案信息能够控制所述描素部的光调制机构，相对于该曝光头的扫描方向，所述描素部的列方向按照成所需设定倾斜角度θ而配置，
对于所述曝光头，通过使用描素部指定机构在能够使用的所述描素部中指定用于N重曝光(N为2以上的自然数)的所述描素部，
对于所述曝光头，按照利用描素部控制机构仅将由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部曝光，控制所述描素部，
相对于所述感光层，在扫描方向上相对地移动所述曝光头。
在上述<45>所述的永久图案形成方法中，对于所述曝光头，通过使用描素部指定机构在能够使用的所述描素部中指定用于N重曝光(N为2以上的自然数)的所述描素部，利用描素部控制机构，按照仅由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部曝光，控制所述描素部。通过将所述曝光头相对于所述感光层在扫描方向上相对地移动进行曝光，由于所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移而导致的形成在所述感光层被曝光面的所述图案的分辨率不均或浓度不均被均化。结果，对上述感光层的曝光极为高精细地进行。之后对上述感光层进行显影时，形成极为高精细的图案。
<46>上述<45>所述的永久图案形成方法，其中，曝光使用多个曝光头进行，使用描素部指定机构在与作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头之间连接区域的曝光有关的描素部中，指定用于实现所述头之间连接区域的N重曝光而使用的所述描素部。在上述<46>所述的永久图案形成方法中，曝光使用多个曝光头进行，通过使用描素部指定机构在与作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头之间连接区域的曝光有关的描素部中指定用于实现所述头之间连接区域的N重曝光的所述描素部，由于所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移而导致的形成在所述感光层被曝光面的头之间连接区域的所述图案的分辨率不均或浓度不均被均化。结果，高精细地进行上述感光层的曝光。之后通过对上述感光层进行显影，形成高精细的图案。
<47>上述<46>所述的永久图案形成方法，其中，曝光使用多个曝光头进行，使用描素部指定机构在与作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的多个曝光区域的头之间连接区域以外的曝光有关的描素部中指定用于实现所述头之间连接区域以外区域的N重曝光而使用的所述描素部。在上述<47>所述的永久图案形成方法中，曝光使用多个曝光头进行，通过使用描素部指定机构在与作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头之间连接区域以外的曝光有关的描素部中指定用于实现所述头之间连接区域以外的N重曝光而使用的所述描素部，由于所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移而导致的形成在所述感光层被曝光面的头之间连接区域以外的所述图案的分辨率不均或浓度不均被均化。结果，高精细地进行上述感光层的曝光。之后通过对上述感光层进行显影，形成高精细的图案。
<48>上述<45>～<47>任一项所述的永久图案形成方法，其中，设定倾斜角度θ相对于N重曝光数的N、描素部的列方向的个数s、所述描素部的列方向的间隔p、在使曝光头倾斜的状态下沿着与该曝光头扫描方向垂直方向的描素部列方向的间距δ，相对于满足下式spsinθideal≧Nδ的θideal，按照满足θ≧θideal的关系设定。
<49>上述<45>～<48>任一项所述的永久图案形成方法，其中，N重曝光的N为3以上的自然数。上述<49>所述的永久图案形成方法中，通过N重曝光的N为3以上的自然数，进行多重描绘。结果，通过补偿的效果，由于所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移而导致的形成在所述感光层被曝光面上的所述图案的分辨率不均或浓度不均被更为精密地均化。
<50>上述<45>～<49>任一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描素部指定机构具备在被曝光面上检测由描素部产生的作为构成被曝光面上曝光区域的描素单元的光点位置的光点位置检测机构、根据上述光点位置检测机构的检测结果选择用于实现N重曝光而使用的描素部的描素部选择机构。
<51>上述<45>～<50>任一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描素部指定机构以行单位指定用于实现N重曝光而使用的使用描素部。
<52>上述<50>～<51>任一项所述的永久图案形成方法，其中，光点位置检测机构根据所检测的至少2个光点位置特定倾斜曝光头的状态下的被曝光面上光点列方向与所述曝光头的扫描方向所成实际倾斜角度θ’，描素部选择机构按照吸收所述实际倾斜角度θ’与设定倾斜角度θ的误差而选择使用描素部。
<53>上述<52>所述的永久图案形成方法，其中，实际倾斜角度θ’为倾斜曝光头的状态的被曝光面上的光点列方向与所述曝光头扫描方向所成多个实际倾斜角度的平均值、中央值、最大值和最小值的任一个。
<54>上述<50>～<53>任一项所述的永久图案形成方法，其中，描素部选择机构根据实际倾斜角度θ’，导出接近于满足ttanθ’＝N(N表示N重曝光的N)关系的t的自然树T，选择排列m行(m表示2以上的自然数)的描素部中的第1行开始至上述第T行的所述描素部作为使用描素部。
<55>上述<50>～<54>任一项所述的永久图案形成方法，其中，描素部选择机构根据实际倾斜角度θ’，导出接近于满足ttanθ’＝N(N表示N重曝光的N)关系的t的自然树T，将排列m行(m表示2以上的自然数)的描素部中的第(T+1)行开始至第m行的所述描素部作为不使用描素部特定，选择除去该不使用描素部的所述描素部作为使用描素部。
<56>上述<50>～<55>任一项所述的永久图案形成方法，其中，描素部选择机构在至少含有由多个描素部列形成的被曝光面上的重复曝光区域的区域中为下述装置的任一种：
(1)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域和曝光不足区域的总面积达到最小，选择使用描素部的装置、
(2)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域的描素单元数和曝光不足区域的描素单元数相等，选择使用描素部的装置、
(3)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域的面积最小、且不会产生曝光不足的区域，选择使用描素部的装置、
(4)相对于理想的N重曝光，按照曝光不足区域的面积最小、且不会产生曝光过多的区域，选择使用描素部的装置。
<57>上述<50>～<56>任一项所述的永久图案形成方法，其中，描素部选择机构在作为由多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头之间连接区域中为下述装置的任一种：
(1)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域和曝光不足区域的总面积达到最小，从所述头之间连接区域的曝光有关的描素部中特定不使用描素部，选择除去该不使用描素部的所述描素部作为使用描素部的装置、
(2)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域的描素单元数和曝光不足区域的描素单元数相等，从所述头之间连接区域的曝光有关的描素部中特定不使用描素部，选择除去该不使用描素部的所述描素部作为使用描素部的装置、
(3)相对于理想的N重曝光，按照曝光过多区域的面积最小、且不会产生曝光不足的区域，从所述头之间连接区域的曝光有关的描素部中特定不使用描素部，选择除去该不使用描素部的所述描素部作为使用描素部的装置、
(4)相对于理想的N重曝光，按照曝光不足区域的面积最小、且不会产生曝光过多的区域，从所述头之间连接区域的曝光有关的描素部中特定不使用描素部，选择除去该不使用描素部的所述描素部作为使用描素部的装置。
<58>上述<57>所述的永久图案形成方法，其中不使用描素部以行单位特定。
<59>上述<45>～<58>任一项所述的永久图案形成方法，其中，在使用描素部指定机构中为了指定使用描素部，在能够使用的所述描素部中，相对于N重曝光的N，仅使用构成每(N-1)列的描素部列的所述描素部进行参照曝光。在上述<59>所述的永久图案形成方法中，在使用描素部指定机构中为了指定使用描素部，在能够使用的所述描素部中，相对于N重曝光的N，仅使用构成每(N-1)列的描素部列的所述描素部进行参照曝光，获得略1重描绘的单纯图案。结果，容易地指定上述头之间连接区域的所述描素部。
<60>上述<45>～<58>任一项所述的永久图案形成方法，其中，在使用描素部指定机构中为了指定使用描素部，在能够使用的所述描素部中，相对于N重曝光的N，仅使用构成每1/N行的描素部行的所述描素部进行参照曝光。在上述<60>所述的永久图案形成方法中，在使用描素部指定机构中为了指定使用描素部，在能够使用的所述描素部中，相对于N重曝光的N，仅使用构成每1/N行的描素部行的所述描素部进行参照曝光，获得略1重描绘的单纯永久图案。结果，容易地指定上述头之间连接区域的所述描素部。
<61>上述<45>～<60>任一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描素部指定机构具有作为光点位置检测机构的夹缝和光检测器以及作为描素部选择机构的与所述光检测器相连的演算装置。
<62>上述<45>～<61>任一项所述的永久图案形成方法，其中，N重曝的N为3以上7以下的自然数。
<63>上述<45>～<62>任一项所述的永久图案形成方法，其中，光调制机构进一步具有根据所形成的图案信息产生控制信号的图案信号产生机构，根据该图案信号产生机构产生的控制信号将由光照射机构照射的光调制。上述<63>所述的永久图案形成装置中，上述光调制机构通过具有上述图案信号产生机构，根据该图案信号产生机构产生的控制信号将由所述光照射机构照射的光调制。
<64>上述<45>～<63>任一项所述的永久图案形成方法，其中，光调制机构为空间光调制元件。
<65>上述<64>所述的永久图案形成方法，其中，空间光调制元件为数字微反射镜设备(DMD)。
<66>上述<45>～<65>任一项所述的永久图案形成方法，其中，描素部为微反射镜。
<67>上述<45>～<66>任一项所述的永久图案形成方法，其具有按照图案信息所示图案的规定部分尺寸与通过所指定的使用描素部能够实现的对应部分尺寸一致而变换所述图案信息的变换装置。
<68>上述<45>～<67>任一项所述的永久图案形成方法，其中，光照射机构能够合成2种以上的光进行照射。所述<68>所述的永久图案形成方法中，由于上述光照射机构能够合成2种以上的光进行照射，曝光通过焦点深度深的曝光光进行。结果，极为高精细地进行上述感光性膜的曝光。之后对所述感光层显影时，形成极为高精细的永久图案。
<69>上述<45>～<68>任一项所述的永久图案形成方法，其中，光照射机构具有多个激光、多模式光纤维和将由该多个激光分别照射的激光光聚光使其结合在所述多模式光纤维上的集合光学体系。所述<69>所述的永久图案形成方法中，由于所述光照射机构能够利用所述集合光学体系将由所述多个激光分别照射的激光光聚光、并结合在所述多模式光纤维上，因此曝光以焦点深度深的曝光光进行。结果，极为高精细地进行上述感光性膜的曝光。之后对所述感光层显影时，形成极为高精细的永久图案。
<70>上述<42>～<69>任一项所述的永久图案形成方法，其中，在进行曝光后进行感光层的显影。所述<70>所述的永久图案形成方法中，在进行所述曝光后，将所述感光层显影，从而形成高精细的图案。
<71>上述<70>所述的永久图案形成方法，其中，在进行显影后，进行永久图案的形成。
<72>上述<71>所述的永久图案形成方法，其中，在进行显影后，对感光层进行固化处理。
<73>上述<72>所述的永久图案形成方法，其中，固化处理为全面曝光处理和在120～200℃下进行的全面加热处理的至少1种。
<74>上述<72>～<73>任一项所述的永久图案形成方法，其形成保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案的至少任1个。上述<74>所述永久图案形成方法中，由于形成保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案的至少任1个，因此利用该膜具有的绝缘性、耐热性等，保护导线避免来自外部的冲击或弯曲等。
<75>一种印制电路板，其特征在于，通过上述<42>～<74>任一项所述的永久图案形成方法形成永久图案。
根据本发明可以提供能够解决以往的问题，通过含有所需的高分子化合物，感光性组合物的经时显影稳定性优异、高效地形成高精细永久图案(保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案等)的感光性组合物、感光性膜、使用所述感光性膜的永久图案形成方法及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。而且，通过规定与高分子化合物共存的化合物的种类和量，可以提供在热交联剂存在下的经时显影稳定性优异的感光性组合物、感光性膜、使用所述感光性膜的永久图案形成方法及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。
附图说明
图1为表示图案形成装置的一例的外观的立体图。
图2为表示图案形成装置的扫描器的结构的一例的立体图。
图3A为表示形成于感光层的被曝光面上的经曝光区域的平面图。
图3B为表示该曝光头所产生的曝光区域的排列的平面图。
图4为表示曝光头的大致结构的一例的立体图。
图5A为表示曝光头的详细构成一例的俯视图。
图5B为表示曝光头的详细构成一例的侧面图。
图6为表示图1的图案形成装置的DMD一例的部分放大图。
图7A为用于说明DMD的工作的立体图。
图7B为用于说明DMD的工作的立体图。
图8为表示在具有曝光头的安装角度误差和图案歪曲时在被曝光面上的图案中产生的不均的说明图。
图9为表示1个DMD产生的曝光区域与相应夹缝的位置关系的俯视图。
图10为用于说明使用夹缝测定被曝光面上光点位置的方法的俯视图。
图11为表示曝光中仅使用所选微反射镜的结果、产生于被曝光面的图案中的不均有所改善的状态的说明图。
图12为表示相邻曝光头之间具有相对位置的偏移时，产生于被曝光面上的图案中的不均的例子的说明图。
图13为表示相邻2个曝光头所产生的曝光区域与相应夹缝的位置关系的俯视图。
图14为表示说明使用夹缝测定被曝光面上的光点位置的方法的俯视图。
图15为表示仅图12的例中所选使用像素实际工作、产生于被曝光面上的图案中的不均有所改善的状态的说明图。
图16为表示在相邻曝光头之间具有相对位置的偏离和安装角度误差时产生于被曝光面的图案中的不均的例子的说明图。
图17为表示仅使用图16的例中所选使用描素部的曝光的说明图。
图18A为表示倍率歪曲的例子的说明图。
图18B为表示光束径歪曲的例子的说明图。
图19A为表示使用单一曝光头的参照曝光第一例的说明图。
图19B为表示使用单一曝光头的参照曝光第一例的说明图。
图20为表示使用多个曝光头的参照曝光第一例的说明图。
图21A为表示使用单一曝光头的参照曝光第二例的说明图。
图21B为表示使用单一曝光头的参照曝光第二例的说明图。
图22为表示使用多个曝光头的参照曝光第二例的说明图。
具体实施方式
(感光性组合物)
本发明的感光性组合物至少含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发剂、热交联剂，优选含有增敏剂，进而根据需要含有着色颜料、底质颜料、热固化剂(热交联剂的固化促进剂)、热聚合停止剂、表面活性剂等其它成分。
另外，对由上述感光性组合物构成的感光层进行曝光、显影时，不使该感光层曝光部分厚度在该曝光和显影后改变的所述曝光所用光的最小能量为0.1～500mJ/cm2。
对上述感光层进行曝光、显影时，作为不使该感光层的曝光部分厚度在该曝光和显影后改变的上述曝光所用的光的最小能量只要为0.1～500mJ/cm2，则无特别限定，可以根据目的适当地决定，例如优选为0.2～200mJ/cm2、更优选为0.5～100mJ/cm2、特别优选为1～50mJ/cm2。
上述最小能量小于0.1mJ/cm2时，在黄色灯下加工处理工序中会发生灰雾，超过500mJ/cm2时，曝光所需要的时间延长、处理速度变慢。
这里“不使该感光层的曝光部分厚度在该曝光和显影后改变的上述曝光所用的光的最小能量”是指所谓的显影感光度，例如可以由表示对上述感光层进行曝光时的上述曝光所用光的能量(曝光量)与通过上述曝光之后的上述显影处理而产生的上述固化层厚度的关系的曲线(敏感度曲线)求得。
上述固化层的厚度随着上述曝光量的增加而增加，之后，达到与上述曝光前的上述感光层的厚度基本一致且基本一定。上述显影感光度为通过读取上述固化层厚度基本达到一定时的最小曝光量而求得的值。
这里，当上述固化层的厚度与上述曝光前的上述感光层的厚度为±1μm以内时，视为上述固化层的厚度没有因曝光和显影而变化。
作为上述固化层和上述曝光前的上述感光层的厚度的测定方法并无特别限定，可以根据目的适当地选择，可以举出使用膜厚测定装置、表面粗糙度测定机(例如サ—フコム1400D(东京精密(株)制))等进行测定的方法。
而且，在将该感光性组合物层叠于基体上，在25℃于暗处放置20分钟后，利用显影液除去层叠于上述基体的感光性组合物的未曝光部分所必需的时间(最短显影时间)作为T1；对于层叠于上述基体的感光性组合物，将该感光性组合物在50℃于暗处放置24小时后，利用显影液除去上述感光性组合物的未曝光部分所必需的时间(最短显影时间)作为T2时，有必要满足0.5<T2/T1<3。此时的T1为5～120秒、T2为5～240秒，更优选T2/T1满足0.6<T2/T1≦2.7、更优选满足0.7<T2/T1≦2.4、特别优选满足0.8<T2/T1≦2。T2/T1为上述范围外时，感光组合物的经时保存稳定性不良、有显影时间的变化，难以在将感光性组合物涂布于基体上的状态下进行保存，难以作为在支承体上设置感光层、以被保护膜挟持结构的所谓长条状、辊状的干躁膜形态利用。
予以说明，上述感光性组合物用于后述的永久图案形成方法，该永久图案形成方法通过将该上述感光性组合物的感光层在基体上的层叠而进行。
这里，上述感光层的卤原子的含有率优选为5000ppm以下、更优选为2000ppm以下、进一步优选为1000ppm以下、在无卤素的环境对应方面特别优选500ppm以下。
另外，上述“25℃下暗处放置20分钟后”是指“在遮光状态下一边保持在25℃一边经过20分钟后”。
<粘合剂>
上述粘合剂优选不溶于水中且通过碱性水溶液膨润或溶解的化合物。
上述粘合剂优选侧链含有酸性基团和乙烯性不饱和键的高分子化合物。酸性基团可以举出羧基、磷酸基、磺酸基等，从原料获得的方面出发优选羧基。
另外，上述粘合剂可以使用分子内至少一个的能够聚合的双键、例如(甲基)丙烯酸酯基或(甲基)丙烯酰胺基等丙烯酰基、羧酸的乙烯基酯、乙烯醇、烯丙醚等各种聚合性双键。更具体地说，可以举出使含有环状醚基的聚合性化合物例如丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、桂皮酸等不饱和脂肪酸的缩水甘油酯，或具有脂环式环氧基(例如同一分子中氧化环己烯等环氧基)和(甲基)丙烯酰基的化合物等含环氧基的聚合性化合物加成于含有羧基作为酸性基团的丙烯酸树脂而获得的化合物等。另外，还可以举出使异氰酸酯乙基(甲基)丙烯酸酯等含异氰酸酯基的聚合性化合物加成于含有酸性基团和羟基的丙烯酸树脂而获得的化合物、使(甲基)丙烯酸羟基烷酯等含羟基的聚合性化合物加成于含有酸酐基的丙烯酸树脂而获得的化合物等。另外，还可以举出将甲基丙烯酸缩水甘油酯等含环状醚基的聚合性化合物与(甲基)丙烯酰基烷基酯等的乙烯基单体共聚，在侧链的环氧基上加成(甲基)丙烯酸而获得的化合物等。
这些例子可以举出日本专利2763775号公报、日本特开平3-172301号公报、日本特开2000-232264号公报等。
这些物质中，上述粘合剂优选为选自在高分子化合物的酸性基团的一部分上加成含有环状醚基(例如部分结构具有环氧基、氧杂环丁烷基的基团)的聚合性化合物后的高分子化合物和在高分子化合物的环状醚基的一部分或全部上加成含羧基聚合性化合物后的高分子化合物中的任一种高分子化合物。此时，酸性基团与具有环状醚基的化合物的加成反应优选在催化剂的存在下实施，该催化剂特别优选选自酸性化合物和中性化合物。
其中，从感光性组合物的经时显影稳定性的观点出发，粘合剂优选侧链含有羧基和可含有杂环的芳香族基团以及侧链具有乙烯性不饱和键的高分子化合物。
-可含有杂环的芳香族基团-
上述可含有杂环的芳香族基团(下文也仅称为“芳香族基团”)例如可以举出苯环、2个～3个苯环形成稠合环的基团、苯环与5元不饱和环形成稠合环的基团等。
上述芳香族基团的具体例子可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基、苯并吡咯环基、苯并呋喃环基、苯并噻吩环基、吡唑环基、异噁唑环基、异噻唑环基、吲唑环基、苯并异噁唑环基、苯并异噻唑环基、咪唑环基、噁唑环基、噻唑环基、苯并咪唑环基、苯并噁唑环基、苯并噻唑环基、吡啶环基、喹啉环基、异喹啉环基、哒嗪环基、嘧啶环基、吡嗪环基、酞嗪环基、喹唑啉环基、喹喔啉环基、氮丙啶环基(aziridine ring)、菲啶环基、咔唑环基、嘌呤环基、吡喃环基、哌啶环基、哌嗪环基、吲哚环基、吲哚嗪环基、色烯环基、噌啉环基、吖啶环基、吩噻嗪环基、四唑环基、三嗪环基等。这些物质中优选烃基芳香族基，更优选苯基、萘基。
上述芳香族基团可以举出取代基，上述取代基例如可以举出卤原子、可以具有取代基的氨基、烷氧基羰基、羟基、醚基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硝基、氰基、分别可以具有取代基的烷基、链烯基、炔基、芳基、杂环基等。
上述烷基例如可以举出碳原子数1～20的直链状烷基、支链状的烷基、环状的烷基等。
上述烷基的具体例子可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十六烷基、十八烷基、二十烷基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、1-甲基丁基、异己基、2-乙基己基、2-甲基己基、环己基、环戊基、2-降冰片基等。这些物质中，优选碳原子数1～12的直链状烷基、碳原子数3～12的支链状烷基、碳原子数5～10的环状烷基。
上述烷基可以具有的取代基例如可以举出除去氢原子的一元非金属原子团所构成的基团。这种取代基例如可以举出卤原子(-F、-Br、-Cl-、-I)、羟基、烷氧基、芳氧基、巯基、烷硫基、芳硫基、烷基二硫基、芳基二硫基、氨基、N-烷基氨基、N，N-二烷基氨基、N-芳基氨基、N，N-二芳基氨基、N-烷基-N-芳基氨基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N，N-二烷基氨基甲酰氧基、N，N-二芳基氨基甲酰氧基、N-烷基-N-芳基氨基甲酰氧基、烷基次硫酸基(alkyl sulfoxy group)、芳基次硫酸基、酰硫基、酰氨基、N-烷基酰氨基、N-芳基酰氨基、脲基、N’-烷基脲基、N’，N’-二烷基脲基、N’-芳基脲基、N’，N’-二芳基脲基、N’-烷基-N’-芳基脲基、N-烷基脲基、N-芳基脲基、N’-烷基-N-烷基脲基、N’-烷基-N-芳基脲基、N’，N’-二烷基-N-烷基脲基、N’，N’-二烷基-N-芳基脲基、N’-芳基-N-烷基脲基、N’-芳基-N-芳基脲基、N’，N’-二芳基-N-烷基脲基、N’，N’-二芳基-N-芳基脲基、N’-烷基-N’-芳基-N-烷基脲基、N’-烷基-N’-芳基-N-芳基脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-烷基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基、甲酰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N-烷基氨基甲酰基、N，N-二烷基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基、N，N-二芳基氨基甲酰基、N-烷基-N-芳基氨基甲酰基、烷基亚硫酰基、芳基亚硫酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、磺基(-SO3H)及其共轭碱基(称作磺酸根合基(sulfonato))、烷氧基磺酰基、芳氧基磺酰基、司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-烷基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N，N-二烷基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N，N-二芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-烷基-N-芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、氨磺酰基、N-烷基氨磺酰基、N，N-二烷基氨磺酰基、N-芳基氨磺酰基、N，N-二芳基氨磺酰基、N-烷基-N-芳基氨磺酰基、膦酰基(-PO3H2)及其共轭碱基(称作膦酸根合基(phosphonato))、二烷基膦酰基(-PO3(alkyl)2)(以下“alkyl”是指烷基)、二芳基膦酰基(-PO3(aryl)2)(以下“aryl”是指芳基)、烷基芳基膦酰基(-PO3(alkyl)(aryl))、单烷基膦酰基(-PO3(alkyl))及其共轭碱基(称作烷基膦酸根合基)、单芳基膦酰基(-PO3H(aryl))及其共轭碱基(称作芳基膦酸根合基)、膦酰氧基(-OPO3H2)及其共轭碱基(称作膦酸根合氧基(phosphomatoxy))、二烷基膦酰氧基(-OPO3H(alkyl)2)、二芳基膦酰氧基(-OPO3H(aryl)2)、烷基芳基膦酰氧基(-OPO3(alkyl)(aryl))、单烷基膦酰氧基(-OPO3H(alkyl)))及其共轭碱基(称作烷基膦酰氧基)、单芳基膦酰氧基(-OPO3H(aryl)))及其共轭碱基(称作芳基膦酰氧基)、氰基、硝基、芳基、链烯基、炔基、杂环基、甲硅烷基等。
这些取代基的烷基的具体例子可以举出上述烷基。
上述取代基的芳基的具体例子可以举出苯基、联苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、
Figure A200780008327D0023191041QIETU
基、枯烯基、氯苯基、溴苯基、氯甲基苯基、羟基苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、苯氧基苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、甲基硫苯基、苯基硫苯基、甲基氨基苯基、二甲基氨基苯基、乙酰基氨基苯基、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、乙氧基苯基羰基、苯氧基羰基苯基、N-苯基氨基甲酰基苯基、氰基苯基、磺苯基、磺萘基、膦酰基苯基、膦酸根合苯基等。
上述取代基的链烯基的具体例子可以举出乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、桂皮酰基、2-氯-1-乙烯基等。
上述取代基的炔基的具体例子可以举出乙炔基、1-丙炔基、1-丁炔基、三甲基甲硅烷基乙炔基等。
上述取代基的酰基(R01CO-)的R01可以举出氢原子、上述烷基、芳基等。
这些取代基中，优选卤原子(-F、-Br、-Cl-、-I)、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、N-烷基氨基、N，N-二烷基氨基、酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、酰基氨基、甲酰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N-烷基氨基甲酰基、N，N-二烷基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基、N-烷基-N-芳基氨基甲酰基、磺基、磺酸根合基、氨磺酰基、N-烷基氨磺酰基、N，N-二烷基氨磺酰基、N-芳基氨磺酰基、N-烷基-N-芳基氨磺酰基、膦酰基、膦酸根合基、二烷基膦酰基、二芳基膦酰基、单烷基膦酰基、烷基膦酸根合基、单芳基膦酰基、芳基膦酸根合基、膦酰氧基、膦酸根合氧基、芳基、链烯基等。
另外，上述取代基的杂环基例如可以举出吡啶基、哌啶基等，上述取代基的甲硅烷基可以举出三甲基甲硅烷基等。
另一方面，上述烷基的亚烷基例如可以举出将上述碳原子数1～20的烷基上的氢原子的任一个除去后的2价有机残基，例如碳原子数1～12的直链状亚烷基、碳原子数3～12的支链状亚烷基、碳原子数5～10的环状亚烷基等。
通过组合这种取代基与亚烷基而获得的取代烷基的优选具体例子可以举出氯甲基、溴甲基、2-氯乙基、三氟甲基、甲氧基甲基、异丙氧基甲基、丁氧基甲基、仲丁氧基丁基、甲氧基乙氧基乙基、烯丙氧基甲基、苯氧基甲基、甲基硫甲基、甲苯基硫甲基、吡啶基甲基、四甲基哌啶基甲基、N-乙酰基四甲基哌啶基甲基、三甲基甲硅烷基甲基、甲氧基乙基、乙基氨基乙基、二乙基氨基丙基、吗啉代丙基、乙酰氧基甲基、苯甲酰氧基甲基、N-环己基氨基甲酰氧基乙基、N-苯基氨基甲酰氧基乙基、乙酰基氨基乙基、N-甲基苯甲酰基氨基丙基、2-氧代乙基、2-氧代丙基、羧基丙基、甲氧基羰基乙基、烯丙氧基羰基丁基、氯苯氧基羰基甲基、氨基甲酰基甲基、N-甲基氨基甲酰基乙基、N，N-二丙基氨基甲酰基甲基、N-(甲氧基苯基)氨基甲酰基乙基、N-甲基-N-(磺苯基)氨基甲酰基甲基、磺丁基、磺酸根合丁基、氨磺酰基丁基、N-乙基氨磺酰基甲基、N，N-二丙基氨磺酰基丙基、N-甲苯基氨磺酰基丙基、N-甲基-N-(膦酰基苯基)氨磺酰基辛基、膦酰基丁基、膦酸根合己基、二乙基膦酰基丁基、二苯基膦酰基丙基、甲基膦酰基丁基、甲基膦酸根合丁基、甲苯基膦酰基己基、甲苯基膦酸根合己基、膦酰氧基丙基、膦酸氧基丁基、苄基、苯乙基、α-甲基苄基、1-甲基-1-苯基乙基、对甲基苄基、桂皮酰基、烯丙基、1-丙烯基甲基、2-丁烯基、2-甲基烯丙基、2-甲基丙烯基甲基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基等。
上述芳基例如可以举出苯环、2个～3个苯环形成稠合环的基团、苯环与5元环形成稠合环的基团等。
上述芳基的具体例子例如可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基等。其中优选苯基、萘基。
上述烷基可以具有取代基，作为这种具有取代基的芳基(以下也称作“取代芳基”)例如可以举出在上述芳基的环形成碳原子上具有由氢原子以外的一价非金属原子构成的基团作为取代基者。
作为上述芳基可以具有的取代基例如优选作为上述烷基、取代烷基、上述烷基可以具有的取代基所示例的基团。
上述取代芳基的优选具体例可以举出联苯基、甲苯基、二甲苯基、莱基、枯烯基、氯苯基、溴苯基、氟苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基、羟基苯基、甲氧基苯基、甲氧基乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧基苯基、甲基硫苯基、甲苯基硫苯基、乙基氨基苯基、二乙基氨基苯基、吗啉代苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酰氧基苯基、N-环己基氨基甲酰氧基苯基、N-苯基氨基甲酰氧基苯基、乙酰基氨基苯基、N-甲基苯甲酰基氨基苯基、羧基苯基、甲氧基羰基苯基、烯丙氧基羰基苯基、氯苯氧基羰基苯基、氨基甲酰基苯基、N-甲基氨基甲酰基苯基、N，N-二丙基氨基甲酰基苯基、N-(甲氧基苯基)氨基甲酰基苯基、N-甲基-N-(磺苯基)氨基甲酰基苯基、磺苯基、磺酸根合苯基、氨磺酰基苯基、N-乙基氨磺酰基苯基、N，N-二丙基氨磺酰基苯基、N-甲苯基氨磺酰基苯基、N-甲基-N-(膦酰基苯基)氨磺酰基苯基、膦酰基苯基、膦酸根合苯基、二乙基膦酰基苯基、二苯基膦酰基苯基、甲基膦酰基苯基、甲基膦酸根合基苯基、甲苯基膦酰基苯基、甲苯基膦酸根合苯基、烯丙基苯基、1-丙烯基甲基苯基、2-丁烯基苯基、2-甲基烯丙基苯基、2-甲基丙烯基苯基、2-丙炔基苯基、2-丁炔基苯基、3-丁炔基苯基等。
上述链烯基(-C(R02)＝C(R03)(R04))和炔基(-C≡C(R06))例如可以举出R02、R03、R04和R05由一价非金属原子团构成的基团。
上述R02、R03、R04和R05例如可以举出氢原子、卤原子、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基等。它们的具体例子可以举出上述例子示出的基团。这些中，优选氢原子、卤原子、碳原子数1～10的直链状烷基、支链状烷基、环状烷基。
上述链烯基和炔基的优选具体例可以举出乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、1-辛烯基、1-甲基-1-丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-苯基-1-乙烯基、2-氯-1-乙烯基、乙炔基、1-丙炔基、1-丁炔基、苯基乙炔基等。
上述杂环基例如可以举出作为取代烷基的取代基示例的基团等。
上述氧基(R06O-)可以举出R06由氢原子以外的一价非金属原子团构成的基团。
这种氧基例如可以举出烷氧基、芳氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N-烷基氨基甲酰氧基、N-芳基氨基甲酰氧基、N，N-二烷基氨基甲酰氧基、N，N-二芳基氨基甲酰氧基、N-烷基-N-芳基氨基甲酰氧基、烷基磺酰基(alkylsulfoxy)、芳基磺酰基(arylsulfoxy)、膦酰氧基、膦酸根合氧基等。
它们中的烷基和芳基可以举出作为上述烷基、取代烷基、芳基、取代芳基示例的基团。另外，酰氧基的酰基(R07CO-)可以举出R07为作为之前例子举出的烷基、取代烷基、芳基以及取代芳基的酰基。这些取代基中，更优选烷氧基、芳氧基、酰氧基、芳基磺酰基(arylsulfoxy)。
优选的氧基的具体例子可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、十二烷氧基、苄氧基、烯丙氧基、苯乙氧基、羧基乙基氧基、甲氧基羰基乙基氧基、乙氧基羰基乙基氧基、甲氧基乙氧基、苯氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、吗啉代乙氧基、吗啉代丙氧基、烯丙氧基乙氧基乙氧基、苯氧基、甲苯基氧基、二甲苯基氧基、莱基氧基、莱基氧基、枯烯基氧基、甲氧基苯基氧基、乙氧基苯基氧基、氯苯基氧基、溴苯基氧基、乙酰氧基、苯甲酰氧基、萘氧基、苯基磺酰氧基、膦酰氧基、膦酸根合氧基等。
可以含有酰胺基的氨基(R08NH-、(R09)(R010)N-)例如可以举出R08、R09和R010由除了氢原子的一价非金属原子团构成的基团。予以说明，R09和R010可以键合形成环。
上述氨基例如可以举出N-烷基氨基、N，N-二烷基氨基、N-芳基氨基、N，N-二芳基氨基、N-烷基-N-芳基氨基、酰基氨基、N-烷基酰基氨基、N-芳基酰基氨基、脲基、N’-烷基脲基、N’，N’-二烷基脲基、N’-芳基脲基、N’，N’-二芳基脲基、N’-烷基-N’-芳基脲基、N-烷基脲基、N-芳基脲基、N’-烷基-N-烷基脲基、N’-烷基-N-芳基脲基、N’，N’-二烷基-N-烷基脲基、N’-烷基-N’-芳基脲基、N’，N’-二烷基-N-烷基脲基、N’，N’-二烷基-N′-芳基脲基、N’-芳基-N-烷基脲基、N’-芳基-N-芳基脲基、N’，N’-二芳基-N-烷基脲基、N’，N’-二芳基-N-芳基脲基、N’-烷基-N’-芳基-N-烷基脲基、N’-烷基-N’-芳基-N-芳基脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N-烷基-N-烷氧基羰基氨基、N-烷基-N-芳氧基羰基氨基、N-芳基-N-烷氧基羰基氨基、N-芳基-N-芳氧基羰基氨基等。它们中的烷基和芳基可以举出作为上述烷基、取代烷基、芳基、取代芳基示例过的基团。另外，酰基氨基、N-烷基酰基氨基、N-芳基酰基氨基中酰基(R07CO-)的R07如上所述。这些中，更优选N-烷基氨基、N，N-二烷基氨基、N-芳基氨基、酰基氨基。
优选的氨基的具体例子可以举出甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、吗啉基、哌啶子基、吡咯烷子(pyrrolidino)基、苯基氨基、苯甲酰基氨基、乙酰基氨基等。
上述磺酰基(R011-SO2-)例如可以举出R011由一价非金属原子团构成的基团。
这种磺酰基例如优选烷基磺酰基、芳基磺酰基等。它们的烷基和芳基可以举出作为上述烷基、取代烷基、芳基、取代芳基示例过的基团。
上述磺酰基的具体例子可以举出丁基磺酰基、苯基磺酰基、氯苯基磺酰基等。
上述磺酸根合基(-SO3-)如上所述，表示磺基(-SO3H)的共轭碱阴离子基，通常优选与对阳离子一起使用。
这种对阳离子可以适当使用一般已知的离子，例如鎓类(例如铵类、锍类、膦类、碘鎓类、叠氮鎓(アジニウム)类等)、金属离子类(例如Na+、K+、Ca2+、Zn2+等)。
上述羰基(R013-CO-)例如可以举出R013由一价非金属原子团构成的基团。
这种羰基例如可以举出甲酰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N-烷基氨基甲酰基、N，N-二烷基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基、N，N-二芳基氨基甲酰基、N-烷基-N′-芳基氨基甲酰基等。它们中的烷基和芳基可以举出作为上述烷基、取代烷基、芳基、取代芳基示例过的基团。
上述羰基优选甲酰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N-烷基氨基甲酰基、N.N-二烷基氨基甲酰基、N-芳基氨基甲酰基，更优选甲酰基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基。
上述羰基的具体例子可以优选地举出甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、烯丙氧基羰基、二甲基氨基苯基乙烯基羰基、甲氧基羰基甲氧基羰基、N-甲基氨基甲酰基、N-苯基氨基甲酰基、N，N-二乙基氨基甲酰基、吗啉代羰基等。
上述亚磺酰基(R014-SO-)例如可以举出R014由一价非金属原子团构成的基团。
这种亚磺酰基例如可以举出烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-烷基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N，N-二烷基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl
group)、N，N-二芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)、N-烷基-N-芳基司卢非钠莫基(sulfinamoyl group)。它们中的烷基和芳基可以举出作为上述烷基、取代烷基、芳基、取代芳基示例过的基团。其中优选烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基。
上述取代亚磺酰基的具体例子可以优选地举出己基亚磺酰基、苄基亚磺酰基、甲苯基亚磺酰基等。
上述膦酰基是指膦酰基上的羟基的一个～两个被其它有机氧代基团取代后的基团，例如优选上述二烷基膦酰基、二芳基膦酰基、烷基芳基膦酰基、单烷基膦酰基、单芳基膦酰基等。其中，更优选二烷基膦酰基、二芳基膦酰基。
上述膦酰基的优选具体例可以举出二乙基膦酰基、二丁基膦酰基、二苯基膦酰基等。
上述膦酸根合基(-PO3H2-、-PO3H-)如上所述，是指来自膦酰基(-PO3H2-)的酸第一解离、酸第二解离的共轭碱阴离子基团。通常优选与对阳离子一起使用。这种对阳离子可以适当选择一般已知的基团，例如鎓类(例如铵类、锍类、鏻类、碘鎓类、叠氮鎓类等)、金属离子类(例如Na+、K+、Ca2+、Zn2+等)。
上述膦酸根合基可以是膦酰基中羟基取代为一个有机氧代基团的共轭碱阴离子基，这种具体例子可以举出上述单烷基膦酰基(-PO3H(alkyl))、单芳基膦酰基(-PO3H(aryl))的共轭碱。
上述芳香族基团可以通过使1种以上含有芳香族基团的自由基聚合性化合物与1种以上根据需要作为共聚成分的其它自由基聚合性化合物发生通常的自由基聚合法而制造。
上述自由基聚合法例如一般可以举出悬浮聚合法或溶液聚合法等。
作为具有含有上述芳香族基团的自由基聚合性化合物例如优选结构式(A)所示的化合物、结构式(B)所示的化合物。
Figure A200780008327D00291
上述结构式(A)中，R1、R2、R3表示氢原子或1价有机基团。L表示有机基团，可以没有。Ar表示可含有杂环的芳香族基团。
Figure A200780008327D00292
结构式(B)
上述结构式(B)中，R1、R2、R3以及Ar表示与上述结构式(A)相同的意义。
上述L的有机基团例如可以为非金属原子构成的多价有机基团，可以具有由1～60个碳原子、0～10个氮原子、0～50个氧原子、1～100个氢原子、0～20个硫原子构成的基团。
更具体地说，上述L的有机基团可以举出下述结构单元组合构成的基团、多价萘、多价蒽等。
Figure A200780008327D00301
上述L连接基团可以具有取代基，上述取代基可以举出上述卤原子、羟基、羧基、磺酸根合基、硝基、氰基、酰胺基、氨基、烷基、链烯基、炔基、芳基、取代氧基、取代磺酰基、取代羰基、取代亚磺酰基、磺基、膦酰基、膦酸根合基、甲硅烷基、杂环基。
上述结构式(A)所示的化合物和结构式(B)所示化合物中，从感光度的观点出发优选结构式(A)。上述结构式(A)中，从稳定性的观点出发优选具有连接基团的，上述L的有机基团从非显影部的除去性(显影性)的观点出发优选碳原子数1～4的亚烷基。
上述结构式(A)所示的化合物成为含有下述结构式(I)结构单元的化合物。另外，上述结构式(B)所示的化合物成为含有下述结构式(II)结构单元的化合物。其中，从保存稳定性的观点出发优选结构式(I)的结构单元。
Figure A200780008327D00311
结构式(I)
Figure A200780008327D00312
结构式(II)
上述结构式(I)和(II)中，R1、R2、R3以及Ar表示与上述结构式(A)和(B)相同的意义。
上述结构式(I)和(II)中，从非图像部的除去性(显影性)的观点出发，优选R1、R2为氢原子、R3为甲基。
另外，从非图像部的除去性(显影性)的观点出发，优选上述结构式(I)的L为碳原子数1～4的亚烷基。
上述结构式(A)所示化合物或结构式(B)所示化合物并无特别限定，例如可以举出下述化合物(1)～(30)。
Figure A200780008327D00321
Figure A200780008327D00331
上述示例化合物(1)～(30)中，优选(5)、(6)、(11)、(14)和(28)，其中从保存稳定性和显影性的观点出发优选(5)和(6)。
上述可含有杂环的芳香族基团的上述粘合剂的含量并无特别限定，在以高分子化合物的全部结构单元作为100摩尔％时，优选含有20摩尔％以上的上述结构式(I)所示结构单元、更优选含有30～45摩尔％。上述含量小于20摩尔％时，保存稳定性会降低，超过45摩尔％时，显影性会降低。
-乙烯性不饱和键-
上述乙烯性不饱和键并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选用下述结构式(III)～(V)表示。
Figure A200780008327D00341
结构式(III)
Figure A200780008327D00342
结构式(IV)
Figure A200780008327D00343
结构式(V)
上述结构式(III)～(V)中，R1～R11各自独立地表示1价有机基团。X和Y各自独立地表示氧原子、硫原子或-N-R4。Z表示氧原子、硫原子、-N-R4、或亚苯基。R4表示氢原子或1价有机基团。
上述结构式(III)中，R1优选各自独立地表示例如氢原子、可以具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的方面出发更优选氢原子、甲基。
上述R2和R3各自独立地举出例如氢原子、卤原子、氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，从自由基反应性高的观点出发更优选氢原子、羧基、烷氧基羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。
上述R4例如优选可具有取代基的烷基等，由于自由基反应性高，因此更优选氢原子、甲基、乙基、异丙基。
这里，可以导入的上述取代基例如可以举出烷基、链烯基、炔基、芳基、烷氧基、芳氧基、卤原子、氨基、烷基氨基、芳基氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、酰胺基、烷基磺酰基、芳基磺酰基等。
上述结构式(4)中，R4～R8例如可以举出氢原子、卤原子、氨基、二烷基氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，更优选氢原子、羧基、烷氧基羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。
可以导入的上述取代基例如可以举出在上述结构式(III)中举出的例子。
上述结构式(5)中，R9例如可以举出氢原子、可具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的观点出发，更优选氢原子、甲基。
上述R10、R11各自独立地优选例如氢原子、卤原子、氨基、二烷基氨基、羧基、烷氧基羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，由于自由基反应性高，因此更优选氢原子、羧基、烷氧基羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。
可以导入的上述取代基例如可以举出在上述结构式(III)中举出的例子。
上述Z表示氧原子、硫原子、-NR13-、或可具有取代基的亚苯基。R13表示可具有取代基的烷基，由于自由基反应性高，因此优选氢原子、甲基、乙基、异丙基。
上述结构式(III)～(V)所示的侧链乙烯性不饱和键中，结构式(III)者的聚合反应性更高、感光度更高，更为优选。
上述乙烯性不饱和键的上述高分子化合物的含量并无特别限定，优选为0.5～3.0meq/g、更优选1.0～3.0meq/g、特别优选1.5～2.8meq/g。上述含量小于0.5meq/g时，由于固化反应量少，因此成为低感光度，超过3.0meq/g时，保存稳定性会恶化。
这里，上述含量(meq/g)例如可以通过碘价滴定测定。
作为在侧链导入上述结构式(III)所示的乙烯性不饱和键的方法并无特别限定，例如可以举出使侧链含有羧基的高分子化合物与具有乙烯性不饱和键和环氧基的化合物加成反应而获得。
上述侧链含有羧基的高分子化合物例如可以使1种以上含有羧基的自由基聚合性化合物与根据需要的作为共聚成分的1种以上的其它自由基聚合性化合物发生通常的自由基聚合法而制造，上述自由基聚合法例如可以举出悬浮聚合法、溶液聚合法等。
上述具有乙烯性不饱和键和环氧基的化合物并无特别限定，例如优选下述结构式(VI)所示的化合物和(VII)所示的化合物。特别是从高感光度化的观点出发优选使用结构式(VI)所示化合物。
Figure A200780008327D00361
结构式(VI)
上述结构式(VI)中，R1表示氢原子或甲基。L1表示有机基团。
结构式(VII)
上述结构式(VII)中，R2表示氢原子或甲基。L2表示有机基团。W表示4～7元环的脂肪族烃基。
上述结构式(VI)所示化合物和结构式(VII)所示化合物中，优选结构式(VI)所示的化合物，上述结构式(VI)中，L1更优选碳原子数1～4的亚烷基。
上述结构式(VI)所示化合物和结构式(VII)所示化合物并无特别限定，例如可以举出下述化合物(31)～(40)。
Figure A200780008327D00371
上述含有羧基的自由基聚合性化合物例如有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、音巴豆酸(incrotonic acid)、马来酸、对羧基苯乙烯等，特别优选丙烯酸、甲基丙烯酸等。
作为上述侧链上的导入反应，例如可以通过以三乙胺、苄基甲基胺等叔胺，十二烷基三甲基氯化铵、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵等季铵盐，吡啶，三苯基膦等作为催化剂，在有机溶剂中反应温度50～150℃下反应数小时～数十小时，从而进行。
上述侧链具有乙烯性不饱和键的结构单元并无特别限定，例如优选下述结构式(i)所示的结构、结构式(ii)所示的结构以及它们的混合所表示的结构。
Figure A200780008327D00381
结构式(i)
Figure A200780008327D00382
结构式(ii)
上述结构式(i)和(ii)中，Ra～Rc表示氢原子或1价有机基团。R1表示氢原子或甲基。L1表示可具有连接基团的有机基团。
上述结构式(i)所示结构及结构式(ii)所示结构在高分子化合物中的含量优选为20摩尔％以上、更优选为20～50摩尔％、特别优选为25～45摩尔％。上述含量小于20摩尔％时，由于固化反应量少，因此变为低感光度，多于50摩尔％时，保存稳定性会恶化。
-羧基-
本发明的高分子化合物中，为了提高非图像部除去性等诸性能，可以含有羧基。
上述羧基可以通过使具有酸性基团的自由基聚合性化合物共聚而赋予至上述高分子化合物。
这种具有自由基聚合性的酸性基团例如可以举出羧基、磺酸、磷酸基等，特别优选羧酸。
具有上述羧基的自由基聚合性化合物并无特别限定，可以根据目的适当地选择，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、音巴豆酸(incrotonic acid)、马来酸、对羧基苯乙烯等，特别优选丙烯酸、甲基丙烯酸、对羧基苯乙烯等。这些物质可以单独使用1种还可以并用2种以上。
上述羧基在粘合剂中的含量为1.0～4.0meq/g、优选1.5～3.0meq/g。上述含量小于1.0meq/g时，显影性会变得不足，超过4.0meq/g时，易于受到碱水显影所导致的图像强度破坏。
本发明的高分子化合物为了提高图像强度等诸性能，除了上述自由基聚合性化合物之外，优选进一步共聚其它自由基聚合性化合物。
上述其它自由基聚合性化合物例如可以举出选自丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、苯乙烯类等的自由基聚合性化合物等。
具体地可以举出丙烯酸烷基酯等丙烯酸酯类，丙烯酸芳基酯、甲基丙烯酸烷基酯等甲基丙烯酸酯类，甲基丙烯酸芳基酯、苯乙烯、烷基苯乙烯等苯乙烯类，烷氧基苯乙烯、卤代苯乙烯等。
上述丙烯酸酯类优选烷基的碳原子数为1～20者，例如可以举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸叔辛酯、丙烯酸氯乙酯、丙烯酸2，2-二甲基羟基丙酯、丙烯酸5-羟基戊酯、三羟甲基丙烷单丙烯酸酯、季戊四醇单丙烯酸酯、丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸甲氧基苄酯、丙烯酸糠酯、丙烯酸四氢糠酯等。
上述丙烯酸芳基酯例如可以举出丙烯酸苯酯等。
上述甲基丙烯酸酯类优选烷基的碳原子数为1～20者，例如可以举出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸氯苄酯、甲基丙烯酸辛酯、4-羟基丁基甲基丙烯酸酯、5-羟基戊基甲基丙烯酸酯、2，2-二甲基-3-羟基丙基甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷单甲基丙烯酸酯、季戊四醇单甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸糠酯、甲基丙烯酸四氢糠酯等。
上述甲基丙烯酸芳基酯例如可以举出甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸甲苯酯、甲基丙烯酸萘酯等。
上述苯乙烯类例如可以举出甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、异丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、环己基苯乙烯、癸基苯乙烯、苄基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、三氟甲基苯乙烯、乙氧基甲基苯乙烯、乙酰氧基甲基苯乙烯等。
上述烷氧基苯乙烯例如可以举出甲氧基苯乙烯、4-甲氧基-3-甲基苯乙烯、二甲氧基苯乙烯等。
上述卤代苯乙烯例如可以举出氯苯乙烯、二氯苯乙烯、三氯苯乙烯、四氯苯乙烯、五氯苯乙烯、溴苯乙烯、二溴苯乙烯、碘苯乙烯、氟苯乙烯、三氟苯乙烯、2-溴-4-三氟甲基苯乙烯、4-氟-3-三氟甲基苯乙烯等。
这些自由基聚合性化合物可以单独使用1种，还可以并用2种以上。
合成本发明高分子化合物时使用的溶剂并无特别限定，可以根据目的适当地选择，例如可以举出二氯乙烯、环己酮、甲乙酮、丙酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、2-甲氧基乙基乙酸酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、甲苯、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。这些物质可以单独使用1种，还可以混合使用2种以上。
本发明的高分子化合物的分子量以质均分子量表示优选为10000以上、更优选为10000～50000。上述质均分子量低于10000时，有固化膜强度不足的情况，超过50000时，有显影性降低的倾向。
另外，本发明的高分子化合物中可以含有未反应的单体。此时，上述单体在上述高分子化合物中的含量优选为15质量％以下。
本发明的高分子化合物可以单独使用1种，还可以混合使用2种以上。另外，还可以混合使用其它高分子化合物。此时，上述其它高分子化合物在上述本发明高分子化合物中的含量优选为50质量％以下、更优选为30质量％以下。
上述粘合剂在上述感光性组合物中的固态成分含量优选为5～80质量％、更优选为10～70质量％。
[聚合性化合物]
上述聚合性化合物并无特别限定，可以根据目的适当地选择，例如优选具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。
上述乙烯性不饱和键例如可以举出(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基、苯乙烯基、乙烯基酯或乙烯基醚等乙烯基、烯丙基醚或烯丙基酯等的烯丙基等。
作为上述具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以优选地举出选自具有(甲基)丙烯酸基的单体的至少1种。
上述具有(甲基)丙烯酸基的单体并无特别限定，可以根据目的适当地选择，例如可以举出聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯，聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯，苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等单官能丙烯酸酯或单官能甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯，三羟甲基乙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷二丙烯酸酯，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯，己二醇二(甲基)丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三(丙烯酰氧基丙基)醚，三(丙烯酰氧基乙基)异氰酸酯，三(丙烯酰氧基乙基)氰酸酯，甘油三(甲基)丙烯酸酯，在三羟甲基丙烷或甘油、双酚等多官能醇上加成反应环氧乙烷或环氧丙烷后而(甲基)丙烯酸酯化的产物，日本特公昭48-41708号公报，日本特公昭50-6034号，日本特开昭51-37193号各公报所记载的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类；日本特开昭48-64183号、日本特公昭49-43191号、日本特公昭52-30490号各公报所记载的聚酯丙烯酸酯类；作为环氧树脂与(甲基)丙烯酸的反应产物的环氧基丙烯酸酯类等多官能丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等。其中，特别优选三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。
上述聚合性化合物在上述感光性组合为固态成分中的固态成分含量优选为5～50质量％、更优选为10～40质量％。该固态成分含量小于5质量％时，会发生显影性恶化、曝光感光度降低等问题，超过50质量％时，感光层的粘合性变得过强。
<光聚合引发系化合物>
上述光聚合引发系化合物可以含有光聚合引发剂(自由基产生剂和供氢体等)、还可以含有增敏剂。
上述光聚合引发系化合物只要具有引发上述聚合性化合物的聚合的能力，则无特别限定，可以从公知的光聚合引发剂中适当选择，例如优选相对于紫外线区域～可见光的光线具有感光性的物质，还可以是与光激发的上述增敏剂发生某种作用产生活性自由基的活性剂，还可以是对应单体的种类引发阳离子聚合的引发剂。
上述光聚合引发剂优选含有至少1种在约300～800nm(更优选330～500nm)的范围内至少具有约50分子吸光系数的成分。
<<光聚合引发剂>>
上述光聚合引发剂例如可以举出具有卤化烃衍生物(例如具有三嗪骨架者、具有噁二唑骨架者等)、六芳基二咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫化合物、酮化合物、芳香族鎓盐、金属茂类、酰基膦氧化物化合物等。从保存稳定性的观点出发，光聚合引发剂优选酰基膦氧化物化合物、酮化合物。
上述具有三嗪骨架的卤化烃化合物例如可以举出若林等著Bull.Chem.Soc.Japan，42、2924(1969)记载的化合物、英国专利1388492号说明书记载的化合物、日本特开昭53-133428号公报记载的化合物、德国专利3337024号说明书记载的化合物、F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.；29、1527(1964)记载的化合物、日本特开昭62-58241号公报记载的化合物、日本特开平5-281728号公报记载的化合物、日本特开平5-34920号公报记载化合物等，作为具有噁二唑骨架的化合物例如可以举出美国专利第4212976号说明书记载的化合物等。
上述若林等著Bull.Chem.Soc.Japan，42、2924(1969)记载的化合物例如可以举出2-苯基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-氯苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-甲苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(2，4-二氯苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-甲基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-正壬基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(α，α，β-三氯乙基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪等。
上述英国专利1388492号说明书记载的化合物例如可以举出2-苯乙烯基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-甲基苯乙烯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-甲氧基苯乙烯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-甲氧基苯乙烯基)-4-氨基-6-三氯甲基-1，3，5-三嗪等。
上述日本特开昭53-133428号公报记载的化合物例如可以举出2-(4-甲氧基-萘-1-基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-乙氧基-萘-1-基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-[4-(2-乙氧基乙基)-萘-1-基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4，7-二甲氧基-萘-1-基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(苊并-5-基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪等。
上述德国专利3337024号说明书记载的化合物例如可以举出2-(4-苯乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-(4-甲氧基苯乙烯基)苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(1-萘基亚乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-氯苯乙烯基苯基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-噻吩-2-亚乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-噻吩-3-亚乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-呋喃-2-亚乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-苯并呋喃-2-亚乙烯基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪等。
上述F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.；29、1527(1964)记载的化合物例如可以举出2-甲基-4，6-双(三溴甲基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(三溴甲基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(二溴甲基)-1，3，5-三嗪、2-氨基-4-甲基-6-三(溴甲基)-1，3，5-三嗪、2-甲氧基-4-甲基-6-三氯甲基-1，3，5-三嗪等。
上述日本特开昭62-58241号公报记载的化合物例如可以举出2-(4-苯基乙炔基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-萘基-1-乙炔基苯基-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-(4-甲氧基乙炔基)苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-(4-甲氧基苯基)乙炔基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-(4-异丙基苯基乙炔基)苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(4-(4-乙基苯基乙炔基)苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪等。
上述日本特开平5-281728号公报记载的化合物例如可以举出2-(4-三氟甲基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(2，6-二氟苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(2，6-二氯苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2-(2，6-二溴苯基)-4，6-双(三氯甲基)-1，3，5-三嗪等。
上述日本特开平5-34920号公报记载化合物例如可以举出2，4-双(三氯甲基)-6-[4-(N，N-二乙氧基羰基甲基氨基)-3-溴苯基]-1，3，5-三嗪、美国专利4239850号说明书记载的三卤甲基-s-三嗪化合物、2，4，6-三(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-氯苯基)-4，6-双(三溴甲基)-s-三嗪等。
上述美国专利第4212976号说明书记载的化合物例如可以举出2-三氯甲基-5-苯基-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(2-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-苯基-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-(2-萘基)-1，3，4-噁二唑；2-三氯甲基-5-苯乙烯基-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-甲氧基苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-正丁氧基苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-苯乙烯基-1，3，4-噁二唑等。
上述六芳基二咪唑例如可以举出2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(邻-氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2-溴苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2，4-二氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四(3-甲氧基苯基)二咪唑、2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四(4-甲氧基苯基)二咪唑、2，2’-双(4-甲氧基苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2，4-二氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2-硝基苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2-甲基苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、2，2’-双(2-三氟甲基苯基)-4，4’，5，5’-四苯基二咪唑、WO00/52529号公报所记载的化合物等。
上述二咪唑类例如可以通过Bull.Chem.Soc.Japan，33，565(1960)和J.Org.Chem，36(16)2262(1971)公开的方法容易地合成。
上述肟衍生物例如可以举出3-苯甲酰氧基亚氨基丁烷-2-酮、3-乙酰氧基亚氨基丁烷-2酮、3-丙酰氧基亚氨基丁烷-2酮、3-乙酰氧基亚氨基戊烷-3-酮、2-乙酰氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1酮、2-苯甲酰氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮、3-(4-甲苯磺酰氧基)亚氨基丁烷-2-酮、2-乙氧基羰基氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮等。
上述酮化合物例如可以举出二苯甲酮、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、4-甲氧基二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4-溴二苯甲酮、2-羧基二苯甲酮、2-乙氧基羰基二苯甲酮、二苯甲酮四羧酸或其四甲基酯、4，4’-双(二烷基氨基)二苯甲酮类(例如4，4’-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二环己基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二羟基乙基氨基)二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基氨基二苯甲酮、4，4’-二甲氧基二苯甲酮、4-二甲基氨基二苯甲酮、4-二甲基氨基苯乙酮、联苯甲酰、蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-甲基蒽醌、菲醌、呫吨酮、硫杂呫吨酮、2-氯-硫杂呫吨酮、2，4-二乙基硫杂呫吨酮、芴酮、2-苄基-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫)苯基]-2-吗啉代-1-丙酮、2-羟基-2-甲基-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙醇寡聚物、苯偶姻、苯偶姻醚类(例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻苯基醚、苯偶酰二甲基缩酮)、吖啶酮、氯吖啶酮、N-甲基吖啶酮、N-丁基吖啶酮、N-丁基-氯吖啶酮等。
上述金属茂类例如可以举出双(η5-2，4-环戊二烯-1-基)双(2，6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)钛、η5-环戊二烯-η6-枯基-铁(1+)-六氟磷酸酯(1-)、日本特开昭53-133428号公报、日本特公昭57-1819号公报、日本特公昭57-6096号公报和美国专利第3615445号说明书记载的化合物等。
上述酰基膦氧化物化合物例如可以举出双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基膦氧化物、双(2，6-二甲基苯甲酰基)-2，4，4-三甲基-戊基苯基膦氧化物、Lucirin TPO、LucirinTPO-L等。
另外，上述以外的光聚合引发剂可以举出吖啶衍生物(例如9-苯基吖啶、1，7-双(9，9’-吖啶基)庚烷等)、N-苯基甘氨酸等、多卤化合物(例如四氯化碳、苯基三溴甲基砜、苯基三氯甲基酮等)、香豆素类(例如3-(2-苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-苯甲酰基)-7-(1-吡咯烷基)香豆素、3-苯甲酰基-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二甲基氨基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3，3’-羰基双(5，7-二正丙氧基香豆素)、3，3’-羰基双(7-二乙基氨基香豆素)、3-苯甲酰基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二乙基氨基肉桂酰基)-7-二乙基氨基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲酰基-5，7-二丙氧基香豆素、7-苯并三唑-2-基香豆素、日本特开平5-19475号、日本特开平7-271028号、日本特开2002-363206号、日本特开2002-363207号、日本特开2002-363208号、日本特开2002-363209号公报等记载的香豆素化合物等)、胺类(例如4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸正丁酯、4-二甲基氨基苯甲酸苯乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸2-邻苯二甲酰亚胺乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯、五亚甲基双(4-二甲基氨基苯甲酸酯)、3-二甲基氨基苯甲酸的苯乙酯、五亚甲基酯、4-二甲基氨基苯甲醛、2-氯-4-二甲基氨基苯甲醛、4-二甲基氨基苄醇、乙基(4-二甲基氨基苯甲酰基)乙酸酯、4-哌啶基苯乙酮、4-二甲基氨基苯偶姻、N，N-二甲基-4-甲苯胺、N，N-二乙基-3-氨基苯乙醚、三苄基胺、二苄基苯基胺、N-甲基-N-苯基苄基胺、4-溴-N，N-二甲基苯胺、三(十二烷基)胺、氨基荧烷类(ODB、ODBII等)、结晶紫内酯、隐色结晶紫等)等。
进而还可以举出美国专利第2367660号说明书所记载的连位聚缩酮多尼尔(bicynal polyketaldonyl)化合物、美国专利第2448828号说明书所记载的偶姻醚化合物、美国专利第2722512号说明书所记载的α-烃所取代的芳香族偶姻化合物、美国专利第3046127号说明书和美国专利第2951758号说明书所记载的多核醌化合物、日本特开2002-229194号公报所记载的有机硼化合物、自由基引发剂、三芳基锍盐(例如与六氟锑、六氟磷酸盐的盐)、鏻盐化合物(例如(苯基硫代苯基)二苯基锍盐)(作为阳离子聚合引发剂有效)、WO01/71428号公报记载的鎓盐化合物等。
上述光聚合引发剂可以单独使用1种，还可以并用2种以上。
上述光聚合引发剂的特别优选例可以举出在后述曝光中能够对应波长405nm激光的上述膦氧化物类、上述α-氨基烷基酮类、组合有上述具有三嗪骨架的卤化烃化合物和作为后述增敏剂的胺化合物的复合光引发剂、六芳基二咪唑化合物或茂钛等。
上述光聚合引发剂在上述感光性组合物中的含量优选为0.1～30质量％、更优选为0.5～20质量％、特别优选为0.5～15质量％。
<<增敏剂>>
为了调整对上述感光层曝光的曝光感光度和感光波长，除了上述光聚合引发剂之外，还可以添加增敏剂。
上述增敏剂可以根据作为后述光照射机构的可见光线或紫外光激光和可见光激光等适当选择。
上述增敏剂由于活性能量射线而成为激发状态，通过与其它物质(例如自由基引发剂、氧产生剂等)相互作用(例如能量移动、电子移动等)，有可能产生自由基或氧等有用基团。
上述光聚合引发剂和上述增敏剂的组合例如可以举出日本特开2001-305734号公报所记载的电子移动型引发剂[(1)供电子型引发剂和增感色素、(2)受电子型引发剂及增感色素、(3)供电子型引发剂、增感色素和受电子型引发剂(三元引发剂)]等的组合。
上述增敏剂并无特别限定，可以从公知的增敏剂中适当选择，例如可以举出公知的多核芳香族类(例如芘、苝、苯并[9，10]菲)、呫吨类(例如荧光素、曙红、赤藓红、罗丹明B、玫瑰红)、花青类(例如吲哚羰花青(indocarbocyanine)、硫杂羰花青、氧杂羰花青)、部花青类(例如部花青、卡伯迈璐花青(carbomelocyanine)、噻嗪类(例如硫堇、亚甲基蓝、甲苯胺蓝)、吖啶类(例如吖啶橙、氯黄素、吖啶黄、9-苯基吖啶、1，7双(9，9’-吖啶基)庚烷)、蒽醌类(例如蒽醌)、方鎓(squalium)类(例如方鎓)、吖啶酮类(例如吖啶酮、氯吖啶酮、N-甲基吖啶酮、N-丁基吖啶酮、N-丁基-氯吖啶酮(例如2-氯-10-丁基吖啶酮等)等)、香豆素类(例如3-(2-苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-苯甲酰基)-7-(1-吡咯烷基)香豆素、3-苯甲酰基-7-二乙基氨基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二甲基氨基苯甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3，3’-羰基双(5，7-二正丙氧基香豆素)、3，3’-羰基双(7-二乙基氨基香豆素)、3-苯甲酰基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃甲酰基)-7-二乙基氨基香豆素、3-(4-二乙基氨基肉桂酰基)-7-二乙基氨基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲酰基-5，7-二丙氧基香豆素、日本特开平5-19475号、日本特开平7-271028号、日本特开2002-363206号、日本特开2002-363207号、日本特开2002-363208号、日本特开2002-363209号公报等记载的香豆素化合物等)、硫杂呫吨酮化合物(硫杂呫吨酮、异丙基硫杂呫吨酮、2，4-二乙基硫杂呫吨酮、1-氯-4-丙基氧基硫杂呫吨酮、QuantacureQTX等)等，其中，优选芳香族环、杂环经环缩后的化合物(缩环系化合物)，以及至少2个芳香族烃环和芳香族杂环的任一个被取代后的胺系化合物。
上述缩环系化合物中，更优选杂缩环系酮化合物(吖啶酮系化合物、硫杂呫吨酮系化合物、香豆素系化合物)和吖啶系化合物。上述杂缩环系酮化合物中，特别优选吖啶化合物和硫杂呫吨酮化合物。
上述至少2个芳香族烃环和芳香族杂环的任一个被取代的胺系化合物优选相对于330～450nm的波长区域光具有最大吸收的增敏剂，例如可以举出二取代氨基二苯甲酮系化合物，相对于苯环上的氨基、对位的碳原子上具有杂环基作为取代基的二取代氨基-苯系化合物，相对于苯环上的氨基、对位的碳原子上具有含有磺酰亚胺基的取代基的二取代氨基-苯系化合物，形成有喹诺酮骨架的二取代氨基-苯系化合物以及作为部分结构含有具有至少2个芳香族环键合在氮原子上的结构的化合物等的二取代氨基-苯的化合物。
上述增敏剂可以单独使用1种，还可以并用2种以上。
上述增敏剂的配合量优选为上述感光性组合物总固态成分中的0.01～4质量％、更优选为0.02～2质量％、特别优选为0.05～1质量％。
上述含量小于0.01质量％时，感光度会降低，超过4质量％时，图案的形状会恶化。
<热交联剂>
上述热交联剂并无特别限定，可以根据目的适当选择，为了改良使用上述感光性组合物形成的感光层的固化后膜强度，可以在不对显影性等产生不良影响的范围内使用例如1分子内具有至少2个环氧乙烷基的环氧化合物、1分子内具有至少2个氧杂环丁烷基的氧杂环丁烷化合物。
上述1分子中具有至少2个环氧乙烷基的环氧化合物例如可以举出对二甲苯酚型或双酚型环氧树脂(“YX4000日本环氧树脂社制”等)或它们的混合物、具有异氰酸酯骨架的杂环式环氧树脂(“TEPIC；日产化学工业(株)制”)、“アラルダイトPT810；汽巴精化社制”等)、双酚A型环氧树脂、清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚清漆型环氧树脂、卤化环氧树脂(例如低溴化环氧树脂、高卤化环氧树脂、溴化酚醛清漆型环氧树脂等)、含烯丙基的双酚A型环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、二苯基二甲醇型环氧树脂、双酚联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂(“HP-7200、HP-7200H；大日本油墨化学工业(株)制等”)、缩水甘油胺型环氧树脂(二氨基二苯基甲烷型环氧树脂、二缩水甘油苯胺、三缩水甘油氨基苯酚等)；缩水甘油酯型环氧树脂(邻苯二甲酸二缩水甘油酯、己二酸二缩水甘油酯、六氢苯二甲酸二缩水甘油醚、二聚酸二缩水甘油酯等)、乙内酰脲型环氧树脂、脂环式环氧树脂(3，4-环氧基环己基甲基-3’，4’-环氧基环己烷羧酸酯、双(3，4-环氧基环己基甲基)己二酸酯、二环戊二烯二环氧化物、“GT-300、GT-400、ZEHPE3150；大赛璐化学工业制”等)、酰亚胺型脂环式环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、双酚A清漆型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂、苯二甲酸缩水甘油酯树脂、四缩水甘油基二甲苯酚乙烷树脂、含萘基的环氧树脂(萘酚芳烷型环氧树脂、萘酚清漆型环氧树脂、4官能萘型环氧树脂、市售品“ESN-190、ESN-360；新日铁化学(株)制”)、“HP-4032、EXA-4750、EXA-4700；大日本油墨化学工业(株)制等”、苯酚化合物与二乙烯基苯或二环戊二烯等二烯烃化合物的加成反应而获得的聚苯酚化合物与表氯醇的反应物、用过乙酸等将4-乙烯基环己烯-1-氧化物的开环聚合物环氧化的产物、具有线状含磷结构的环氧树脂、具有环状含磷结构的环氧树脂、α-甲基苯乙烯型液晶环氧树脂、二苯甲酰氧基苯型液晶环氧树脂、偶氮苯基型液晶环氧树脂、偶氮甲碱苯基型液晶环氧树脂、联萘型液晶环氧树脂、吖嗪型环氧树脂、缩水甘油基甲基丙烯酸酯共聚系环氧树脂(“CP-50S、CP-50M；日本油脂(株)制”等)、环己基马来酰亚胺与缩水甘油基甲基丙烯酸酯的共聚环氧树脂、双(缩水甘油氧基苯基)芴型环氧树脂、双(缩水甘油氧基苯基)金刚烷型环氧树脂等，但并非局限于这些。这些环氧树脂可以单独使用1种，还可以并用2种以上。
另外，除了1分子中具有至少2个环氧乙烷基的上述环氧化合物以外，还可以使用至少1分子中含有2个β位具有烷基的环氧基的环氧化合物，特别优选含有β位被烷基取代的环氧基(更具体地β-烷基取代缩水甘油基等)的化合物。
上述至少含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物可以是分子中所含2个以上的环氧基全部为β-烷基取代缩水甘油基，还可以是至少1个的环氧基为β-烷基取代缩水甘油基。
上述含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物从室温下的保存稳定性的观点出发，优选上述感光性组合物中所含的上述环氧化合物总量中的总环氧基中的β-烷基取代缩水甘油基的比例为30％以上、更优选为40％以上、特别优选为50％以上。
上述β-烷基取代缩水甘油基并无特别限定，可以根据目的适当地选择，例如可以举出β-甲基缩水甘油基、β-乙基缩水甘油基、β-丙基缩水甘油基、β-丁基缩水甘油基等，其中，从提高上述感光性树脂组合物的保存稳定性的观点以及合成容易性的观点出发，优选β-甲基缩水甘油基。
作为上述含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物例如优选由多酚化合物与β-烷基表氯醇衍生的环氧化合物。
上述β-烷基表氯醇并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出β-甲基表氯醇、β-甲基表溴醇、β-甲基表氟醇等β-甲基表卤醇；β-乙基表氯醇、β-乙基表溴醇、β-乙基表氟醇等β-乙基表卤醇；β-丙基表氯醇、β-丙基表溴醇、β-丙基表氟醇等β-丙基表卤醇；β-丁基表氯醇、β-丁基表溴醇、β-丁基表氟醇等β-丁基表卤醇等。其中，从与多酚化合物的反应性和流动性的观点出发优选β-甲基表卤醇。
上述多酚化合物只要是1分子中含有2个以上芳香族羟基的化合物则无特别限定，可以根据目的适当决定，例如可以举出双酚A、双酚F、双酚S等双酚化合物，联苯、四甲基联苯等联苯化合物，二羟基萘、联萘等萘酚化合物，苯酚-甲醛缩聚物等酚醛清漆型树脂、甲酚-甲醛缩聚物等碳原子数1～10的单烷基取代苯酚-甲醛缩聚物、二甲苯酚-甲醛缩聚物等碳原子数1～10的二烷基取代苯酚-甲醛缩聚物、双酚A-甲醛缩聚物等双酚化合物-甲醛缩聚物、苯酚与碳原子数1～10的单烷基取代苯酚与甲醛的共缩聚物、苯酚化合物与二乙烯基苯的加成聚合物等。其中，在以提高流动性和保存稳定性为目的进行选择时，优选上述双酚化合物。
作为上述含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物例如可以举出双酚A的二-β-烷基缩水甘油醚、双酚F的二-β-烷基缩水甘油醚、双酚S的二-β-烷基缩水甘油醚等双酚化合物的二-β-烷基缩水甘油醚；联苯的二-β-烷基缩水甘油醚、四甲基联苯的二-β-烷基缩水甘油醚等联苯化合物的二-β-烷基缩水甘油醚；二羟基萘的二-β-烷基缩水甘油醚、联萘的二-β-烷基缩水甘油醚等萘酚化合物的β-烷基缩水甘油醚；苯酚-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚、甲酚-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚等碳原子数1～10的单烷基取代苯酚-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚；二甲苯酚-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚等碳原子数1～10的二烷基取代苯酚-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚、双酚A-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚等双酚化合物-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚；苯酚化合物与二乙烯基苯的加成聚合物的多-β-烷基缩水甘油醚等。
其中，优选下述结构式(iii)所示的双酚化合物、由其与表氯醇等获得的聚合物衍生的β-烷基缩水甘油醚、下述结构式(iv)所示苯酚化合物-甲醛缩聚物的多-β-烷基缩水甘油醚。
Figure A200780008327D00511
                                                     结构式(iii)
结构式(iv)
上述结构式(iii)中，R表示氢原子和碳原子数1～6的烷基的任一种，n表示0～20的整数。
上述结构式(iv)中，R表示氢原子和碳原子数1～6的烷基的任一种，R”表示氢原子和CH3的任一个，n表示0～20的整数。
这些含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物可以单独使用1种，还可以并用2种以上。另外，还可并用1分子中具有至少2个环氧乙烷基的环氧化合物以及含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物。
上述氧杂环丁烷化合物，除了可以举出双[(3-甲基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]醚、双[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]醚、1，4-双[(3-甲基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯、1，4-双[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯、丙烯酸(3-甲基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、丙烯酸(3-甲基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、甲基丙烯酸(3-甲基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、甲基丙烯酸(3-乙基-3-氧杂环丁烷基)甲酯和它们的寡聚物或共聚物等多官能氧杂环丁烷类之外，还可以举出具有氧杂环丁烷基的化合物与清漆型树脂、聚(对羟基苯乙烯)、硝卤水型(caldo-type)双酚类、杯芳烃类、杯间苯二酚芳烃(calix resorcinarene)类、硅倍半氧烷(silsesquioxane)等具有羟基的树脂等的醚化合物，另外，还可以举出具有氧杂环丁烷环的不饱和单体与(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物等。
另外，为了促进上述环氧化合物或上述氧杂环丁烷化合物的热固化，例如可以使用胺化合物(例如双氰胺、苄基二甲胺、4-(二甲基氨基)-N，N-二甲基苄胺、4-甲氧基-N，N-二甲基苄胺、4-甲基-N，N-二甲基苄胺等)、季铵盐化合物(例如三乙基苄基氯化铵等)、嵌段异氰酸酯化合物(例如二甲基胺等)、咪唑衍生物二环式脒化合物及其盐(例如咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰基乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等)、磷化合物(例如三苯基膦等)、胍胺化合物(例如蜜胺、胍胺、乙酰基胍胺、苯并胍胺等)、S-三嗪衍生物(例如2，4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基-S-三嗪衍生物、2-乙烯基-2，4-二氨基-S-三嗪、2-乙烯基-4，6-二氨基-S-三嗪·异氰脲酸加成物、2，4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基-S-三嗪·异氰脲酸加成物等)等。这些物质可以单独使用1种，还可以并用2种以上。予以说明，只要是上述环氧树脂化合物或上述氧杂环丁烷化合物的固化催化剂或者是能够促进它们与羧基的反应的物质，则无特别限定，可以使用上述以外的能够促进热固化的化合物。
上述环氧树脂化合物、上述氧杂环丁烷化合物以及能够促进它们与羧酸的热固化的化合物在上述感光性组合物固态成分中的固态成分含量通常为0.01～15质量％。
另外，上述热交联剂可以使用日本特开平5-9407号公报所记载的聚异氰酸酯化合物，该聚异氰酸酯化合物可以由含有至少2个异氰酸酯基的脂肪族、环式脂肪族或芳香族取代脂肪族化合物衍生。具体地可以举出2官能异氰酸酯(例如1，3-苯二异氰酸酯与1，4-苯二异氰酸酯的混合物、2，4-和2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-和1，4-二甲苯二异氰酸酯、双(4-异氰酸酯-苯基)甲烷、双(4-异氰酸酯环己基)甲外、异氟尔酮二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等)、该2官能异氰酸酯与三羟甲基丙烷、季戊四醇、甘油等的多官能醇；该多官能醇的烷氧化物加成体与上述2官能异氰酸酯的加成体；1，6-己二异氰酸酯、六亚甲基-1，6-二异氰酸酯及其衍生物的环式三聚体等。
而且，为了提高本发明感光性组合物的保存性，还可以使用使封端剂与上述聚异氰酸酯及其衍生物的异氰酸酯基反应而获得的化合物。
上述异氰酸酯基封端剂可以举出醇类(例如异丙醇、叔丁醇等)、内酯类(例如ε-己内酯等)、酚类(例如苯酚、甲酚、对叔丁基苯酚、对仲丁基苯酚、对仲戊基苯酚、对辛基苯酚、对壬基苯酚等)、杂环式羟基化合物(例如3-羟基吡啶、8-羟基喹啉等)、活性亚甲基化合物(例如马来酸二烷基酯、甲乙酮肟、乙酰丙酮、烷基乙酰乙酸酯肟、丙酮肟、环己酮肟等)等。另外，还可以使用日本特开平6-295060号公报记载的分子内具有至少1个能够聚合的双键和至少1个封端异氰酸酯基中的任一者的化合物等。
另外，上述热交联剂可以使用蜜胺衍生物。该蜜胺衍生物例如可以举出羟甲基蜜胺、烷基化羟甲基蜜胺(用甲基、乙基、丁基等将羟甲基醚化的化合物)等。这些物质可以单独使用1种，还可并用2种以上。其中，从保存稳定性良好、感光层的表面硬度或固化膜的膜强度本身的提高有效的方面出发，优选烷基化羟甲基蜜胺，特别优选六甲基化羟甲基蜜胺。
上述热交联剂在上述感光性组合物固态成分中的固态成分含量优选为1～50质量％、更优选为3～30质量％。该固态成分含量小于1质量％时，未见固化膜的膜强度提高，超过50质量％时，会发生显影性降低或曝光感光度降低。
<其它成分>
上述其它成分例如可以举出热聚合停止剂、增塑剂、着色剂(着色颜料或染料)、底质颜料等，还可以并用对基体表面的密合促进剂及其辅助剂类(例如导电性粒子、填充剂、消泡剂、阻燃剂、均化剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、表面张力调整剂、链转移剂等)。通过适当含有这些成分，可以调整目标感光性组合物或后述感光性膜的稳定性、照片性、膜物性等性质。
<<热聚合停止剂>>
上述热聚合停止剂可以为了防止上述聚合性化合物的热聚合或经时聚合而添加。
上述热聚合停止剂例如可以举出4-甲氧基苯酚、氢醌、烷基或芳基取代氢醌、叔丁基邻苯二酚、1，2，3-苯三酚、2-羟基二苯甲酮、4-甲氧基-2-羟基二苯甲酮、氯化亚铜、吩噻嗪、氯醌、萘胺、β-萘酚、2，6-二叔丁基-4-甲酚、2，2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、吡啶、硝基苯、二硝基苯、苦味酸、4-甲苯胺、亚甲蓝、与铜的有机螯合剂反应物、水杨酸甲酯、吩噻嗪、亚硝基化合物、亚硝基化合物与A1的螯合剂等。
上述热聚合停止剂的含量相对于上述聚合性化合物优选为0.001～5质量％、更优选为0.005～2质量％、特别优选为0.01～1质量％。该含量小于0.001质量％时，保存时的稳定性会降低，超过5质量％时，相对于活性射线的感光度会降低。
<<着色颜料>>
上述着色颜料并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如维多利亚纯蓝BO(C.I.42595)、金胺(C.I.41000)、脂肪黑HB(C.I.26150)、Monolight黄GT(C.I.颜料黄12)、永固黄GR(C.I.颜料黄17)、永固黄HR(C.I.颜料黄83)、永固洋红色FBB(C.I.颜料红146)、郝司他喷姆(Hostaperm)红ESB(C.I.颜料紫19)、永固红玉色FBH(C.I.颜料红11)、Fastel Pink BSpura(C.I.颜料红81)、Monastral永固蓝(C.I.颜料蓝15)、Monastral永固黑(C.I.颜料黑1)、炭、C.I.颜料红97、C.I.颜料红122、C.I.颜料红149、C.I.颜料红168、C.I.颜料红177、C.I.颜料红180、C.I.颜料红192、C.I.颜料红215、C.I.颜料蓝7、C.I.颜料蓝36、C.I.颜料蓝15：1、C.I.颜料蓝15：4、C.I.颜料蓝15：6、C.I.颜料蓝22、C.I.颜料蓝60、C.I.颜料蓝64等。这些物质可以单独使用1种，还可以并用2种以上。另外，还可以根据需要使用从公知染料中适当选择的染料。
上述着色颜料在上述感光性组合物固态成分中的固态成分含量可以考虑永久图案形成时的感光层的曝光感光度、分辨率等决定，随上述着色颜料的种类而不同，一般优选为0.05～10质量％、更优选为0.1～5质量％。
<<底质颜料>>
上述感光性组合物中，为了提高永久图案的表面硬度、将线膨胀系数抑制到较低或者将固化膜本身的介电常数或介质损耗正切抑制到较低，可以根据需要添加无机盐料或有机微粒子。
上述无机盐料并无特别限定，可以从公知物质中适当选择，例如可以举出高岭土、硫酸钡、钛酸钡、氧化硅粉、微粉状氧化硅、气相法二氧化硅、无定形二氧化硅、结晶性二氧化硅、熔融二氧化硅、球状二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、云母等。
上述无机盐料的平均粒径优选小于10μm、更优选3μm以下。该平均粒径为10μm以上时，由于光散射会发生分辨率降低。
上述有机微粒子并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出蜜胺树脂、苯并胍胺树脂、交联苯乙烯树脂等。另外，可以使用平均粒径1～5μm、吸油量100～200m2/g左右的二氧化硅、由交联树脂而成的球状多孔微粒等。
上述底质颜料的添加量优选为5～60质量％。该添加量少于5质量％时，有时无法充分地降低线膨胀系数，超过60质量％时，则在感光层表面上形成固化膜时，该固化膜的膜质变脆，在使用永久图案形成导线时，会有损作为导线的保护膜的功能。
<<密合促进剂>>
为了提高各层间的密合性、感光层与基体的密合性，可以在各层中使用公知的所谓密合促进剂。
上述密合促进剂例如可以优选地举出日本特开平5-11439号公报、日本特开平5-341532号公报、日本特开平6-43638号公报等所记载的密合促进剂。具体地可以举出苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并噻唑、3-吗啉代甲基-1-苯基-三唑-2-硫、3-吗啉代甲基-5-苯基-噁二唑-2-硫、5-氨基-3-吗啉代甲基-噻二唑-2-硫、2-巯基-5-甲基硫代-噻二唑、三唑、四唑、苯并三唑、羧基苯并三唑、含氨基的苯并三唑、硅烷偶联剂等。
上述密合促进剂的含量相对于上述感光性组合物中的总成分优选为0.001质量％～20质量％、更优选为0.01～10质量％、特别优选为0.1质量％～5质量％。
上述感光层的形成方法作为第1方式可以举出将上述感光性组合物涂布在上述基体的表面上进行干燥的方法，作为第2方式可以举出在对感光性膜进行加热和加压的至少1情况下层叠于基体表面上的方法。
上述第1方式的感光层的形成方法为在上述基体上涂布上述感光性组合物并干燥，形成感光层。
上述涂布和干燥的方法并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出将上述感光性组合物溶解于水中或溶剂中，使其乳化或分散制备感光性组合物溶液，将该溶液直接涂布在上述基体的表面上进行干燥，从而进行层叠的方法。
上述感光性组合物溶液的溶剂并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、正己醇等醇类；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、二异丁基酮等酮类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸正戊酯、硫酸甲酯、丙酸乙酯、苯二甲酸二甲酯、苯甲酸乙酯、甲氧基丙基乙酸酯等酯类；甲苯、二甲苯、苯、乙基苯等芳香族烃类；四氯化碳、三氯乙烯、氯仿、1，1，1-三氯乙烷、二氯甲烷、单溴苯等卤化烃类；四氢呋喃、二乙基醚、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、1-甲氧基-2-丙醇等醚类；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、环丁砜等。这些物质可以单独使用1种，还可以并用2种以上。另外，还可以添加公知的表面活性剂。
上述涂布方法并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以使用旋涂机、夹缝旋涂机、辊涂机、模涂机、帘式涂布机等直接涂布在上述基体上的方法。
上述干燥条件随各成分、溶剂的种类、使用比例等不同，通常为60～110℃的温度下进行30秒钟～15分钟左右。
上述感光层的厚度并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为3～100μm、更优选为5～70μm。
上述第2方式的感光层形成方法为在加热和加压的至少任一情况下将具有支承体以及将感光性组合物层叠在该支承体上而成的感光层的感光性膜层叠在上述基体的表面上。予以说明，当上述感光性膜具有后述保护膜时，优选将该保护膜剥离，以上述感光层与上述基体重叠的方式而层叠。
(感光性膜)
上述感光性膜至少具有支承体和感光层，优选具有保护膜而成，进而根据需要具有缓冲层、阻氧层(PC层)等其它层。
上述感光性膜的形态并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出在上述支承体上按顺序具有上述感光层、上述保护膜而成的形态，在上述支承体上按顺序具有上述PC层、上述感光层、上述保护膜而成的形态，在上述支承体上按顺序具有上述缓冲层、上述PC层、上述感光层、上述保护膜而成的形态等。予以说明，上述感光层可以为单层，可以为多层。
<支承体>
上述支承体并无特别限定，可以根据目的适当选择，优选能够剥离上述感光层、且透光性良好，更优选表面的平滑性良好。
上述支承体优选为合成树脂制、且透明，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、三醋酸纤维素、二醋酸纤维素、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、聚(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯乙烯、玻璃纸、聚偏氯乙烯共聚物、聚酰胺、聚酰亚胺、氯乙烯·醋酸乙烯酯共聚物、聚四氟乙烯、聚三氟乙烯、纤维素系膜、尼龙膜等各种塑料膜，其中，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。这些物质可以单独使用1种，还可以并用2种以上。
予以说明，上述支承体例如可以使用日本特开平4-208940号公报、日本特开平5-80503号公报、日本特开平5-173320号公报、日本特开平5-72724号公报等记载的支承体。
上述支承体的厚度并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为4～300μm、更优选为5～175μm。
上述支承体的形状并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选长条状。上述长条状支承体的长度并无特别限定，例如可以举出10～20000m的长度。
-感光性膜的感光层-
上述感光性膜的感光层由上述感光性组合物形成。
上述感光层在上述感光性膜中的设置位置并无特别限定，可以根据目的适当选择，通常层叠在上述支承体上。
上述感光性膜的感光层的厚度并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为3～100μm、更优选为5～70μm。
上述感光性膜的感光层的形成可以通过同样的方法在上述基体上涂布和干燥上述感光性组合物溶液(上述第1方式的感光层的形成方法)而进行，例如可以举出使用旋涂机、夹缝旋涂机、辊涂机、模涂机、帘式涂布机等涂布该感光性组合物溶液的方法。
<保护膜>
上述保护膜具有防止上述感光层的污染或损伤、进行保护的功能。
上述保护膜在上述感光性膜中的设置位置并无特别限定，可以根据目的适当选择，通常层叠在上述感光层上。
上述保护膜例如可以举出上述支承体中使用的保护膜，有机硅纸，层叠有聚乙烯、聚丙烯的纸，聚烯烃或聚四氟乙烯片材等，其中优选聚乙烯膜、聚丙烯膜。
上述保护膜的厚度并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为5～100μm、更优选为8～30μm。
使用上述保护膜时，优选上述感光层和上述支承体的粘接力A与上述感光层和保护膜的粘接力B为粘接力A>粘接力B的关系。
上述支承体和保护膜的组合(支承体/保护膜)例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚乙烯、聚氯乙烯/玻璃纸、聚酰亚胺/聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚对苯二甲酸乙二醇酯等。另外，通过对支承体和保护膜的至少1者实施表面处理，可以满足上述粘接力的关系。上述支承体的表面处理可以为了提高与上述感光层的粘接力而实施，例如可以举出底涂层的涂设、电晕放电处理、火焰处理、紫外线照射处理、高频率照射处理、电弧放电照射处理、活性等离子体照射处理、激光光线照射处理等。
另外，上述支承体与上述保护膜的静摩擦系数优选为0.3～1.4、更优选为0.5～1.2。
上述静摩擦系数小于0.3时，由于过滑，因此在制成辊状时会发生卷绕错位，超过1.4时，难以卷成良好的辊状。
上述感光性膜例如优选卷绕成圆筒状的卷芯，以长条状卷成辊状而保管。上述长条状的感光性膜的长度并无特别限定，例如可以从10～20000m的范围内适当选择。另外，为了使用者易于使用，还可以进行剪切加工，将100～1000m范围的长尺体制成辊状。予以说明，此时优选按照上述支承体处于最外侧而卷绕。另外，还可以将上述辊状的感光性膜剪切成片状。从保管时进行端面的保护、防止边缘粗糙的观点出发，优选在端面上设置隔离物(特别是防湿性隔离物、装有干燥剂的隔离物)，另外包装也优选使用透湿性低的原料。
上述保护膜为了调整上述保护膜与上述感光层的粘结性可以进行表面处理。上述表面处理例如为在上述保护膜的表面上形成聚有机硅氧烷、氟化聚烯烃、聚氟乙烯、聚乙烯醇等聚合物构成的底涂层。该底涂层的形成可以如下进行：将上述聚合物的涂布液涂布在上述保护膜的表面上后，在30～150℃(特别50～120℃)下干燥1～30分钟，从而形成。
另外，除了上述感光层、上述支承体、上述保护膜之外，还可以举出缓冲层、阻氧层(PC层)、剥离层、粘接层、光吸收层、表面保护层等层。
上述缓冲层是常温下没有缓冲性，在真空·加热条件下进行层叠时熔融、流动的层。
上述PC层通常为以聚乙烯醇为主成分形成的0.5～5μm左右的覆膜。
(感光性组合物的制造方法)
上述感光性组合物例如可以如下制造。
首先将上述感光性组合物所含的材料溶解于水或有机溶剂中使其乳化或分散，制备感光性组合物用的感光性组合物溶液。另外，可以添加公知的表面活性剂。
接着，在上述基体上或上述支承体上涂布上述感光性组合物溶液将其干燥，形成感光层，可以制造感光性组合物。
上述感光性组合物溶液的涂布方法并无特别限定，可以根据目的适当决定，例如可以举出喷雾法、辊涂法、旋涂法、夹缝涂布法、挤出涂布法、帘式涂布法、模涂法、凹版涂布法、丝棒涂布法、刮刀涂布法等各种涂布方法。
上述干燥条件随各成分、溶剂的种类、使用比例等不同，通常在60～100℃的温度下干燥30秒～15分钟左右。
<层叠体的形成>
使用本发明的感光性组合物进行图案形成时，将该感光性组合物的感光层层叠在基体上形成层叠体。
上述基体并无特别限定，可以从公知的材料中适当选择表面平滑性高～具有凹凸表面的基体，优选板状的基体(印制电路板)，具体地说可以举出公知的印制布线板形成用基板(例如覆铜层叠板)、玻璃板(例如碱玻璃板等)、合成树脂性膜、纸、金属板等。
上述层叠体的层构成并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选按顺序具有上述基体、上述感光层和上述支承体的层构成。予以说明，上述感光性组合物具有上述保护膜时，优选将该保护膜剥离，按照感光层重叠在上述基体上进行层叠。
该层叠体的形成方法并无特别限定，可以适当选择，优选在上述基体上涂布感光性组合物的感光性组合物进行干燥从而进行层叠的方式，以及在加热和加压的至少任一情况下将上述感光性组合物层叠于上述基体上的方式。
上述加热温度并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为70～130℃、更优选为80～110℃。
上述加压的压力并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选为0.01～1.0MPa、更优选为0.05～1.0MPa。
进行上述加热和加压的至少任一种的装置并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选地举出加热板、加热辊层叠器(例如大成ラミネ—ト(株)制、VP-II)、真空层叠器(例如ニチゴ—モ—トン(株)制、VP130)等。
本发明的感光性组合物通过含有规定的高分子化合物，感光度和保存稳定性优异，能够高效地形成高精细的图案，因而可以优选用于保护膜、层间绝缘膜、阻焊图案等永久图案等各种图案形成用，滤光器、柱材、肋条材料、隔离物、隔壁等液晶结构部件的制造用，全息图案(hologram)、微型机器、校样等图案形成用等中，特别是可以优选用于印制电路板的永久图案形成用。
本发明的图案形成装置具备本发明的上述感光性层叠体，至少具有光照射机构和光调制机构。
本发明的永久图案形成方法至少包含曝光工序，含有适当选择的显影工序等其它工序。
予以说明，本发明的上述图案形成装置通过本发明上述永久图案形成方法的说明可了解。
[曝光工序]
上述曝光工序为对本发明的感光性组合物的感光层进行曝光的工序。本发明的上述感光性组合物和基体的材料如上所述。
上述曝光的对象只要是上述感光性组合物的感光层则无特别限定，可以根据目的适当选择，例如如上所述，优选对在进行加热和加压的至少任一情况下将感光性组合物层叠在基体上而形成的层叠体进行。
上述曝光并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出数字曝光、模拟曝光等，其中优选数字曝光。
上述数字曝光并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选使用根据所形成的图案形成信息产生控制信号、并根据该控制信号进行调制的光，例如优选进行如下方法：使用曝光头，所述曝光头具有相对于上述感光层的光照射机构、以及接收来自上述光照射机构的光并将其射出的n个(n为2以上的自然数)排列为2维状的描素部，并具备根据图案信息能够控制上述描素部的光调制机构，并且该曝光头中所述描素部的列方向相对于该曝光头的扫描方向被配置成规定的设定倾斜角度θ，对于上述曝光头，利用使用描素部指定机构在能够使用的上述描素部中指定用于N重曝光(N为2以上的自然数)的上述描素部，对于上述曝光头，利用描素部控制机构按照仅用上述使用描素部指定机构指定的上述描素部与曝光相关的方式进行上述描素部的控制，并相对于上述感光层使上述曝光头在扫描方向上相对地移动。
本发明中“N重曝光”是指在上述感光层的被曝光面上曝光区域的基本所有区域上，按照平行于所述曝光头扫描方向的直线与照射在上述被曝光面上的N根光点列(像素列)相交而设定，从而进行的曝光。这里“光点列(像素列)”是指在作为由上述描素部所产生的描素单元的光点(像素)的排列中，与上述曝光头的扫描方向所成角度为更小的方向的排列。予以说明，上述描素部的配置并非必须为矩形格子状，例如还可以为平行四边形状的配置等。这里，曝光区域的“基本所有区域”的原因在于：在各描素部的两侧缘部处，通过倾斜描素部列，与平行于上述曝光头扫描方向的直线相交的使用描素部的描素部列的数量减少；即便在该情况下连接多个曝光头进行使用，由于该曝光头的安装角度或配置等的误差，也会微量地增减与平行于扫描方向的直线相交的使用描素部的描素部列的数量；在各使用描素部的描素部列间的连接的分辨率以下的极少部分处，由于安装角度或描素部配置等的误差，沿着与扫描方向垂直方向的描素部的间隔不会严密地与其它部分的描素部间隔一致，与平行于扫描方向的直线相交的使用描素部的描素部列的数量会在±1的范围内增减。予以说明，以下的说明中，将N为2以上自然数的N重曝光总称作“多重曝光”。在以下的说明中，对于作为描绘装置或描绘方法实施本发明的曝光装置或曝光方法的方式，作为对应于“N重曝光”或“多重曝光”的用语使用“N重描绘”和“多重描绘”的用语。
上述N重曝光的N只要为2以上的自然数则无特别限定，可以根据目的适当选择，优选为3以上的自然数、更优选为3以上7以下的自然数。
参照附图说明本发明永久图案形成方法所涉图案形成装置的一例。
上述图案形成装置是所谓的平板型曝光装置，如图1所示，具备将层叠上述感光性组合物的至少上述感光层而成的片状感光材料12(以下称作“感光层12”)吸附在表面上、进行保持的平板状移动台14。在被4根脚部16支撑的厚板状的设置台18的上面设置有沿着台移动方向延伸的2根导轨20。台14按照其长边方向朝向台移动方向而配置、同时能够被导轨20往复移动地支撑。予以说明，该图案形成装置10设有沿着导轨20驱动台14的台驱动装置(未图示)。
在设置台18的中央部上按照跨越台14的移动路径而设置字状的栅22。字状栅22的各个端部固定在设置台18的两侧面上。以挟持该栅22的方式在一侧设置扫描器24，在另一侧设置检测感光材料12的前端和后端的多个(例如2个)传感器26。扫描器24和传感器26分别安装在栅22上，固定配置于台14的移动路径的上方。予以说明，扫描器24和传感器26连接于控制它们的未图示控制器。
这里，为了说明，在平行于台14表面的平面内如图1所示，规定相互垂直的X轴和Y轴。
沿着台14的扫描方向，在上游侧(以下仅称作“上游侧”)的端缘部上等间隔地形成10根朝向X轴方向打开的形成为“ㄑ”字型的夹缝28。各夹缝28由位于上游侧的夹缝28a和位于下游侧的夹缝28构成。夹缝28a和夹缝28b相互垂直，同时相对于X轴夹缝28具有-45度、夹缝28b具有+45度的角度。
夹缝28的位置与上述曝光头30的中心基本一致。另外，各个夹缝28的大小为充分覆盖对应的曝光头30所产生的曝光区域32幅度的大小。另外，夹缝28的位置可以与相邻经曝光的区域34间的重复部分的中心位置基本一致。此时，各夹缝28的大小为充分覆盖经曝光区域34间的重复部分幅度的大小。
在台14内部的各夹缝28的下方位置上分别组装在后述的使用描素部制定处理中作为光点位置检测机构来检测作为描素单元的光点的单一池型光检测器(未图示)。另外，各光检测器连接于在后述使用描绘部指定处理中作为进行上述描素部选择的描素部选择机构的演算装置(未图示)。
作为曝光时的上述图案形成装置的工作方式可以是在不停地移动曝光头的同时连续地进行曝光的方式；在阶段地移动曝光头的同时，在各移动前端的位置处使曝光头静止进行曝光动作的方式。
<<曝光头>>
各曝光头30安装在扫描器24上，使得后述内部的数字微反射镜设备(DMD)36的各描素部(微反射镜)列方向与扫描方向成所需的设定倾斜角度θ。因此，各曝光头30所形成的曝光区域32成为相对于扫描方向倾斜的矩形区域。随着台14的移动，在感光层12上每个曝光头30地形成带状经曝光区域34。在图2和图3B所示例中，扫描器24具备排列成2行5列的略矩阵状的10个曝光头。
予以说明，以下中表示排列在第m行的第n列的各个曝光头时，表述为曝光头30mn，表示由排列在第m行的第n列的各个曝光头所产生的曝光区域时，表述为曝光区域32mn。
另外，如图3A和图3B所示，按照带状的经曝光区域34分别与相邻经曝光区域34部分重叠的方式，将排列为线状的各行曝光头30分别距离规定间隔(曝光区域的长边的自然数倍、本实施方式为2倍)配置在其排列方向上。因此，第1行曝光区域3211和曝光区域3212之间的无法曝光部分可以用第2行的曝光区域3221进行曝光。
曝光头30分别如图4、图5A和图5B所示，作为对应图像数据每个描素部地调制所入射的光的光调制机构(每个描素部地进行调制的空间光调制元件)具备DMD36(美国テキサスインスツルメンツ社制)。该DMD36连接于具备数据处理器和反射镜驱动控制部的作为描素部控制机构的控制器。该控制器的数据处理部中，根据所输入的图像数据，每个曝光头30地产生驱动控制DMD36上使用区域内的各微反射镜的控制信号。另外，在反射镜驱动控制部中，根据由图像数据处理部产生的控制信号，每个曝光头30地控制DMD36的各微反射镜反射面的角度。
如图4所示，在DMD36的光入射侧按顺序配置纤维阵列光源38、校正从光纤维阵列光源38射出的激光并使激光聚集在DMD上的透镜系40、将透过该透镜系40的激光朝向DMD36反射的反射镜42，其中所述光纤维阵列光源38具备光纤维的出射端部(发光点)沿着与曝光区域32长边方向一致的方向被排列成一列的激光出射部。予以说明，图4中概略地显示透镜系40。
上述透镜系40如图5A和图5B所示，由将从纤维阵列光源38射出的激光平行光化的1对组合透镜44、进行校正使得经平行光化的激光的光量分布变得均匀的1对组合透镜46和将光量分布经校正的激光聚集在DMD36上的聚光透镜48构成。
另外，DMD36的光反射侧上配置有将被DMD36反射的激光成像在感光层12的被曝光面上的透镜系50。透镜系50由按照DMD36与感光层12的被曝光面处于共轭关系而配置的2张透镜52和54构成。
本实施方式中，从纤维阵列光源38射出的激光按照基本被扩大5倍后、来自DMD36上的各微反射镜的光线被上述透镜系50减径至约5μm的方式进行设定。
-光调制机构-
上述光调制机构只要是具有n个(n为2以上的自然数)排列为2维状的上述描素部，且可以根据上述图案信息控制上述描素部的装置，则无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选空间光调制元件。
上述空间光调制元件例如可以举出数字微反射镜设备(DMD)、MEMS(光电机械系统)型的空间光调制元件(SLM：空间光调制器)、通过电光学效果调制透射光的光学元件(PLZT元件)、液晶光栅(FLC)等，其中优选DMD。
上述光调制机构优选具有根据所形成的图案信息产生控制信号的图案信号产生机构。此时，上述光调制机构根据上述图案信号产生机构产生的控制信号来调制光。
上述控制信号并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选地举出数字信号。
以下参照附图说明上述光调制机构的一例。
DMD36是如图6所示，在SRAM单元(存储单元)56上作为构成各个描素(像素)的描素部，多个微反射镜58排列成格子状而成的反射镜设备。本实施方式中使用1024列×768行微反射镜58排列而成的DMD36，但其中能够通过连接于DMD36的控制器驱动的、即能够使用的微反射镜58仅为1024列×256行。DMD36的数据处理速度具有界限，由于与所用微反射镜数成比例地决定每列的调制速度，因此通过如此仅使用一部分的微反射镜，每列的调制速度增加。各微反射镜58被支柱支撑，在其表面上蒸镀有铝等反射率高的材料。予以说明，本实施方式中，各微反射镜58的反射率为90％以上，其排列间隔在纵方向、横方向上均为13.7μm。SRAM单元56是介由包含铰链和轭状物的支柱利用通常的半导体储存器的生产线制造的硅栅的CMOS，整体构成为单片(一体型)。
在DMD36的SRAM单元(存储单元)56上写入用2值表示构成所需2维图案的各点浓度的图像信号时，被支柱支撑的各微反射镜58以对角线为中心相对于配置有DMD36的基板侧以±α度(例如±10度)的任一种倾斜。图7A表示微反射镜58处于开(on)状态的+α度倾斜的状态，图7B表示微反射镜58处于关(off)状态的-α度倾斜的状态。如此，对应图像信号，通过如图6所示地控制DMD36的各像素的微反射镜58的倾斜，入射到DMD36的激光B在各个微反射镜58的倾斜方向上被反射。
图6表示放大DMD36的一部分、各微反射镜58控制在+α度或α度的状态的一例。各个微反射镜58的开关控制通过连接在DMD36的上述控制器进行。另外，在被关状态的微反射镜58反射的激光B的行进方向上配置光吸收体(未图示)。
-光照射机构-
上述光照射机构并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出(超)高压水银灯、氙灯、碳弧灯、卤灯、复印机用等荧光管、LED、半导体激光等公知光源、或者能够合成2种以上的光进行照射的装置，其中优选能够合成2种以上的光进行照射的装置。
作为从上述光照射机构照射的光例如在介由支承体进行光照射时，可以举出透过该支承体、且活化所用光聚合引发剂或增敏剂的电磁波、紫外～可见光线、电子射线、X射线、激光等，其中优选激光，更优选合成2种以上光的激光(下文称作“合波激光”)。另外，即便在剥离支承体后进行光照射时，也可以使用同样的光。
上述紫外～可见光线的波长例如优选为300～1500nm、更优选为320～800nm、特别优选为330～650nm。
上述激光的波长例如优选为200～1500nm、更优选为300～800nm、进一步优选为330～500nm、特别优选为400～450nm。
作为能够照射上述合波激光的机构例如优选具有多个激光、多模式光纤维、将由该多个激光分别照射的激光束聚光并结合在上述多模式光纤维上的集合光学体系的机构。
作为能够照射上述合波激光的机构(纤维阵列光源)例如可以举出日本特开2005-258431号公报[0109]～[0146]所记载的装置。
<<使用描素部指定机构>>
上述使用描素部指定机构优选至少具备在被曝光面上检测作为描素单元的光点位置的光点位置检测机构、根据利用上述光点位置检测机构的检测结果选择用于实现N重曝光而使用的描素部的描素部选择机构。
以下，对于利用上述使用描素部指定机构的用于N重曝光的描素部的指定方法的例子进行说明。
(1)单一曝光头内的使用描素部的指定方法
本实施方式(1)中，说明利用图案形成装置10对感光材料12进行2重曝光的情况，即减轻各曝光头30的安装角度误差所引起的分辨率的不均和浓度不均、用于实现理想2重曝光的使用描素部的指定方法。
作为描素部(微反射镜58)的列方向相对于曝光头30的扫描方向的设定倾斜角度θ，只要是没有曝光头30的安装角度误差等的理想状态，则采用相比较于使用能够使用的1024列×256行描素部恰好达到2重曝光的角度θideal大若干度的角度。
该角度θideal如下求得：对于N重曝光的数N、能够使用的微反射镜58的列方向的个数s、能够使用的微反射镜58的列方向间隔p以及在倾斜曝光头30的状态下由微反射镜形成的扫描线的间隔δ，用下述式1
spsinθ≧Nδ(式1)
求得。本实施方式的DMD36如上所述，由于纵横的配置间隔相等的多个微反射镜58配置成矩形格子状，因此为
pcosθideal＝δ(式2)，
上述式1成为
stanθideal＝N(式3)。本实施方式(1)中，如上所述，s＝256、N＝2，因此由上述式3，角度θideal约为0.45度。因而，设定倾斜角度θ例如可以采用0.50度左右的角度。图案形成装置10在能够调整的范围内进行初期调整，使得各曝光头30、即各DMD36的安装角度达到接近该设定倾斜角度θ的角度。
图8为如上经初期调整的图案形成装置10中，由于1个曝光头30的安装角度误差和图案歪曲的影响而在被曝光面上的图案中产生的不均的说明图。以下的附图和说明中，对于由各描素部(微反射镜)产生、构成被曝光面上的曝光区域的描素单元的光点，将第m行的光点表述为r(m)、将第n列的光点表述为c(n)、将第m行第n列的光点表述为P(m，n)。
图8的上段部分表示在使台14静止的状态下投影于感光材料12的被曝光面上、来自能够使用的微反射镜58的光点群的图案；下段部分表示在上段部分所示光点群的图案呈现的状态下移动台14进行连续曝光时，形成在被曝光面上的曝光图案的状态。
予以说明，图8中为了说明方便，分开表示能够使用的微反射镜58的奇数列所形成的曝光图案和偶数列所形成的曝光图案，实际的被曝光面上的曝光图案为重叠这2个曝光图案的结果。
图8的例子中，作为采用比上述角度θideal大若干角度的设定倾斜角度θ的结果、另外由于曝光头30的安装角度的微调困难因而实际安装角度与上述设定角度θ存在误差的结果，在被曝光面上的任何区域上均会产生浓度不均。具体地说，奇数列微反射镜所产生的曝光图案和偶数列微反射镜所产生的曝光图案两者在由多个描素部列形成的被曝光面上的重复曝光区域中，相对于理想的2重曝光，曝光变得过多，产生描绘变得冗长的区域、发生浓度不均。
而且，图8的例子为呈现于被曝光面上的图案歪曲的一例，发生投影于被曝光面上的各像素列的倾斜角度变得不均匀的“角度歪曲”。作为这种角度歪曲产生的原因，可以举出DMD36与被曝光面间的光学体系的各种象差或调整偏离、以及DMD36本身的歪曲或微反射镜的配置误差等。
图8例所呈现的角度歪曲是相对于扫描方向的倾斜角度越靠图左侧列越小、越靠图右侧列越大的形态的歪曲。该角度歪曲的结果为，成为曝光过多的区域在图左侧所示被曝光面上越来越小、在图右侧所示被曝光面上越来越大。
为了减少上述由多个描素部列形成的、被曝光面上的重复曝光区域的浓度不均，作为上述光点位置检测机构使用夹缝28和光检测器的组，每个曝光头30地特定实际倾斜角度θ’，根据该实际倾斜角度θ’，作为上述描素部选择机构使用连接于上述光检测器的上述演算装置，选择实际曝光所用的微反射镜进行处理。
实际倾斜角度θ’为根据光点位置检测机构检测的至少2个光点位置，利用使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点列方向与上述曝光头扫描方向所成的角度特定。
以下使用图9和图10，说明上述实际倾斜角度θ’的特定和使用像素选择处理。
-实际倾斜角度θ’的特定-
图9为表示1个DMD36所产生的曝光区域32与对应夹缝28的位置关系的俯视图。夹缝28的大小为充分覆盖曝光区域32幅度的大小。
本实施方式(1)的例子中，测定位于曝光区域32大致中心的第512列的光点列和曝光头30扫描方向所成之角度作为上述实际倾斜角度θ’。具体地说，使DMD36的第1行第512列的微反射镜58和第256行第512列的微反射镜58处于打开状态，检测各个对应的被曝光面上的光点P(1，512)和P(256，512)的位置，将连接上述位置的直线与曝光头扫描方向所成之角度作为实际倾斜角度θ’特定。
图10为说明光点P(256，512)位置的检测方法的俯视图。
首先，在照亮第256行第512列的微反射镜58的状态下，慢慢移动台14、使夹缝28沿着Y轴方向相对地移动，使夹缝28位于光点P(256，512)在上右流夹缝28a和下游侧夹缝28b之间移动的任意位置上。将此时的夹缝28a和夹缝28b的交点的坐标作为(X0，Y0)。该坐标(X0，Y0)的值由台14移动至赋予台14的驱动信号所示上述位置的移动距离和已知夹缝28的X方向位置决定，进行记录。
接着，移动台14，使夹缝28沿着Y轴向图10的右侧相对地移动。如图10中双点划线所示，当光点P(256，512)的光通过左侧的夹缝28b、用光检测器能够检测时停止台14。此时的夹缝28a和夹缝28b的交点坐标(X0，Y1)作为光点P(256，512)的位置记录。
接着，使台14在相反方向上移动，使夹缝28沿着Y轴向图10的左侧相对地移动。然后，如图10中双点划线所示，当光点P(256，512)的光通过右侧的夹缝28a、用光检测器能够检测时停止台14。记录此时的夹缝28a和夹缝28b的交点坐标(X0，Y2)作为光点P(256，512)的位置。
由以上的测定结果，通过X＝X0+(Y1-Y2)/2、Y＝(Y1+Y2)/2的计算，决定表示光点P(256，512)在被曝光面上的位置的坐标(X，Y)。通过同样的测定决定表示P(1，512)位置的坐标，导出连接各个坐标的直线与曝光头30扫描方向所成的倾斜角度，将其作为实际倾斜角度θ’特定。
-使用描素部的选择-
使用如此特定的实际倾斜角度θ’，连接于上述光检测器的上述演算装置导出最接近于满足下述式4
ttanθ’＝N(式4)
关系的t的自然数T，进行选择DMD36上的第1行～第T行的微反射镜作为主曝光时实际使用的微反射镜的处理。由此，在第512列附近的曝光区域上，相对于理想的2重曝光，可以选择曝光过多区域与曝光不足区域的总面积达到最小的微反射镜作为实际所用的微反射镜。
这里，还可以代替导出最接近上述值t的自然数，导出值t以上的最小自然数。此时，在第512列附近的曝光区域上，相对于理想的2重曝光，可以选择曝光过多的区域的面积成为最小且不产生曝光不足区域的微反射镜作为实际所用的微反射镜。
另外，还可以导出值t以下的最大自然数。此时，在第512列附近的曝光区域上，相对于理想的2重曝光，可以选择曝光不足的区域的面积成为最小且不产生曝光过多区域的微反射镜作为实际所用的微反射镜。
图11为显示仅使用如上作为实际所用微反射镜选择的微反射镜所产生的光点进行的曝光中，图8所示被曝光面上的不均如何被改善的说明图。
该例中，作为上述自然数T导出T＝253，选择第1行～第253行的微反射镜。相对于未选择的第254行～第256行的微反射镜，利用上述描素部控制机构送出经常设定为关闭状态的角度的信号，这些微反射镜与曝光基本无关。如图11所示，在第512列附近的曝光区域上，曝光过多和曝光不足基本被完全解除，实现极为接近理想2重曝光的均匀曝光。
另一方面，在图11的左侧区域(图中c(1)附近)处，由于上述角度歪曲，被曝光面上的光点列的倾斜角度小于中央附近区域(图中c(512)附近)区域的光线列的倾斜角度。因此，在仅利用根据以c(512)为基准测定的实际倾斜角度θ’选择的微反射镜的曝光中，分别在偶数列所形成的曝光图案和奇数列所形成的曝光图案中稍微产生相对于理想2重曝光成为曝光不足的区域。
但是，在重叠图示的奇数列所形成的曝光图案和偶数列所形成的曝光图案而成的实际曝光图案中，成为曝光量不足的区域互相补充，可以通过利用2重曝光的补偿效果使上述角度歪曲所导致的曝光不均为最小。
另外，图11右侧的区域(图中c(1024)附近)由于上述角度歪曲，被曝光面上的光线列的倾斜角度大于中央附近(图中c(512)附近)区域的光线列的倾斜角度。因此，在利用根据以c(512)为基准测定的实际倾斜角度θ’所选的微反射镜的曝光中，如图所示，稍微产生相对于理想2重曝光成为曝光过多的区域。
但是，在重叠图示的奇数列所形成的曝光图案和偶数列所形成的曝光图案而成的实际曝光图案中，成为曝光过多的区域相互补充，可以用利用2重曝光的补偿效果使上述角度歪曲所产生的浓度不均达到最小。
本实施方式(1)中，如上所述，测定第512列光线列的实际倾斜角度θ’，使用该实际倾斜角度θ’，根据由上述式(4)导出的T选择所用微反射镜58，作为上述实际倾斜角度θ’的特定方法，还可以分别测定多个描素部的列方向(光点列)与所述曝光头扫描方向所成的多个实际倾斜角度，将它们的平均值、中央值、最大值和最小值的任一个作为实际倾斜角度θ’特定，通过上述式4等选择实际曝光时实际使用的微反射镜。
使上述平均值或上述中央值作为实际倾斜角度θ’时，可以实现相对于理想N重曝光、曝光过多区域和曝光不足区域的平衡性良好的曝光。例如，可以将曝光过多区域与曝光量不足区域的总面积抑制在最小、且能够实现曝光过多区域的描素单元数(光点数)和曝光不足区域的描素单元数(光电数)相等的曝光。
另外，当使上述最大值为实际倾斜角度θ’时，可以实现更加重视排除相对于理想N重曝光成为曝光过多的区域的曝光，例如可以将曝光不足的区域的面积抑制在最小、且能够实现不产生曝光过多区域的曝光。
而且，当使上述最小值为实际倾斜角度θ’时，可以实现更加重视排除相对于理想N重曝光成为曝光不足的区域的曝光，例如可以将曝光过多的区域的面积抑制在最小、且能够实现不产生曝光不足区域的曝光。
另一方面，上述实际倾斜角度θ’的特定并非限于基于同一描素部的列(光电列)中至少2个光点位置的方法。例如可以将由同一描素部列c(n)中的1个或多个光点位置和该c(n)附近列中的1个或多个光点位置求得的角度作为实际倾斜角度θ’特定。
具体地说，可以检测c(n)中的1个光点位置和沿着曝光头扫描方向在直线上且附近光点列所含1个或多个光点位置，由它们的位置信息求得实际倾斜角度θ’。而且，还可以将根据c(n)列附近的光点列中的至少2个光点(例如按照跨越c(n)而配置的2个光点)的位置求得的角度作为实际倾斜角度θ’特定。
如上所述，通过使用图案形成装置10的本实施方式(1)的使用描素部的指定方法，可以减轻由于各曝光头的安装角度误差或者图案歪曲的影响所导致的分辨率不均或浓度不均，可以实现理想的N重曝光。
(2)多个曝光头间的使用描素部的指定方法<1>
本实施方式(2)中，说明当利用图案形成装置10对感光材料12进行2重曝光的情况下，在作为由多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域中，减少由于2个曝光头(作为一个例子，曝光头3012和3021)在X轴方向上的相对位置从理想状态偏离所引起的分辨率不均和浓度不均、用于实现理想2重曝光的使用描素部的指定方法。
作为各曝光头30、即各DMD36的设定倾斜角度θ，当为没有曝光头30的安装角度误差等的状态时，采用使用能够使用的1024列×256行描素部微反射镜58、恰好成为2重曝光的角度θideal。
该角度θideal与上述实施方式(1)同样由上述式1～3求得。本实施方式(2)中，图案形成装置10按照各曝光头30、即各DMD36的安装角度达到该角度θideal进行初期调整。
图12为表示如上经初期调整的图案形成装置10中，由于2个曝光头(作为一个例子，曝光头3012和3021)在X轴方向上的相对位置从理想状态偏离的影响，在被曝光面上的图案中产生的浓度不均的说明图。各曝光头在X轴方向的相对位置的偏离是由于曝光头之间的相对位置的微调困难所引起的。
图12的上段部分为在使台14静止的状态下投影于感光材料12的被曝光面上的、来自具有曝光头3012和3021的DMD36的能够使用的微反射镜58的光点群的图案的图。图12的下段部分为在上段部分所示光点群的图案呈现的状态下移动台14进行连续曝光时，对于曝光区域3212和3221显示形成在被曝光面上的曝光图案的状态。
予以说明，图12中为了说明方便，以像素列群A所产生的曝光图案和像素列B所产生的曝光图案分别显示能够使用的微反射镜58的每隔1列的曝光图案，但实际被曝光面上的曝光图案为重叠这2个曝光图案的结果。
图12的例子中，作为上述X轴方向的曝光头3012和3021之间的相对位置偏离理想状态的结果为像素列群A所产生的曝光图案和像素列B所产生的曝光图案在曝光区域3212和3221的上述头之间连接区域上产生相比较于理想2重曝光状态为曝光量过多的部分。
为了减轻上述呈现在由多个上述曝光头形成于被曝光面上的上述头之间连接区域的浓度不均，本实施方式(2)中使用夹缝28和光检测器的组作为上述光点位置检测机构，对于来自曝光头3012和3021的光点群中构成形成于被曝光面上的上述头之间连接区域的光点中的数个检测其位置(坐标)。根据该位置(坐标)，使用连接于上述光检测器的演算装置作为上述描素部选择机构，进行选择实际曝光所用微反射镜的处理。
-位置(坐标)的检测-
图13为表示与图12同样的曝光区域3212和3221与相应夹缝28的位置关系的俯视图。夹缝28的大小为充分覆盖曝光头3012和3021所产生的经曝光区域34间的重复部分幅度的大小，即充分覆盖由曝光头3012和3021形成于被曝光面上的上述头之间连接区域的大小。
图14为作为一例说明检测曝光区域3221的光点P(256，1024)的位置时的检测方法的俯视图。
首先，在照亮第256行第1024列的微反射镜的状态下，慢慢移动台14、使夹缝28沿着Y轴方向相对移动，使夹缝28位于光点P(256，1024)在上游侧夹缝28a和下游侧夹缝28b之间移动的任意位置上。将此时的夹缝28a和夹缝28b的交点的坐标作为(X0，Y0)。该坐标(X0，Y0)的值由台14移动至赋予台14的驱动信号所示上述位置的移动距离和已知夹缝28的X方向位置决定，进行记录。
接着，移动台14，使夹缝28沿着Y轴向图14的右侧相对地移动。如图14中双点划线所示，当光点P(256，1024)的光通过左侧的夹缝28b、用光检测器能够检测时停止台14。此时的夹缝28a和夹缝28b的交点坐标(X0，Y1)作为光点P(256，1024)的位置记录。
接着，使台14在相反方向上移动，使夹缝28沿着X轴向图14的左侧相对地移动。然后，如图14中双点划线所示，当光点P(256，1024)的光通过右侧的夹缝28a、用光检测器能够检测时停止台14。此时的夹缝28a和夹缝28b的交点坐标(X0，Y2)作为光点P(256，1024)的位置记录。
由以上的测定结果，通过X＝X0+(Y1-Y2)/2、Y＝(Y1+Y2)/2的计算，决定表示光点P(256，1024)在被曝光面上的位置的坐标(X，Y)。
-不使用描素部的特定-
图12的例子中，首先利用夹缝28和光检测器的组作为上述光点位置检测机构检测曝光区域3212的光点P(256，1)的位置。接着，按顺序将曝光区域3212的第256行光点行r(256)上的各光点位置检测为P(256，1024)、P(256，1023)…，当检测到显示比曝光区域3212的光点P(256，1)更大X坐标的曝光区域3212的光点P(256，n)时，结束检测动作。然后，将对应于构成曝光区域3212的光点列c(n+1)～c(1024)的光点的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜(不使用描素部)特定。
例如，图12中，当曝光区域3212的光点P(256，1020)显示大于曝光区域3212的光点P(256，1)的X坐标、检测到该曝光区域3212的光点P(256，1020)时，结束检测动作，则将对应于构成相当于图15中斜线覆盖部分70的曝光区域3212的第1021～1024行的光点的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜特定。
接着，对于N重曝光的数N，检测曝光区域3212的光点P(256，N)的位置。本实施方式(2)中，由于N＝2，因此检测光点P(256，2)的位置。
接着，在曝光区域3212的光点列中，除了作为对应于上述主曝光时不使用的微反射镜的光点列特定者之外，将构成最右侧的第1020列的光点的位置从P(1，1020)按顺序检测为P(1，1020)、P(2，1020)…，在检测到显示比曝光区域3212的光点P(256，2)更大X坐标的光点P(m，1020)时，结束检测动作。
之后，在连接于上述光检测器的演算装置中，比较曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标和曝光区域3212的光点P(m，1020)和P(m-1，1020)的X坐标，当曝光区域3212的光点P(m，1020)的X坐标接近曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标时，对应于曝光区域3212的光点P(1，1020)～P(m-1，1020)的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜特定。
另外，当曝光区域3212的光点P(m-1，1020)的X坐标接近于曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标时，对应于曝光区域3212的光点P(1，1020)～P(m-2，1020)的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜特定。
而且，对于曝光区域3212的光点P(256，N-1)、即光点P(256，1)的位置与构成作为曝光区域3212下一列的第1019列的各光点位置，也进行同样的检测处理和不使用的微反射镜的特定。
结果，例如追加对应于构成图15网格所覆盖区域72的光点的微反射镜作为实际曝光中不使用的微反射镜。向这些微反射镜送出经常将该微反射镜角度设定为关闭状态的角度的信号，这些微反射镜在曝光中基本不使用。
这样，通过特定实际曝光中不使用的微反射镜、选择除了该未使用微反射镜之外的微反射镜作为实际曝光时使用的微反射镜，可以在曝光区域3212和3221的上述头之间连接区域上将相对于理想2重曝光成为曝光过多的区域和成为曝光不足的区域的总面积达到最小，如图15的下段所示，能够实现极为接近理想的2重曝光的均匀曝光。
予以说明，上述例子中，在特定构成图15中被网格覆盖区域72的光点时，还可以不比较曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标与曝光区域3212的光点P(m，1020)和P(m-1，1020)的X坐标、立即将对应曝光区域3212的光点P(1，1020)～P(m-2，1020)的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜特定。此时，可以选择在上述头之间连接区域上相对于理想2重曝光为曝光过多的区域的面积成为最小、且不会产生曝光不足区域的微反射镜作为实际使用的微反射镜。
另外，还可以将对应曝光区域3212的光点P(1，1020)～(m-1，1020)的微反射镜作为主曝光时不使用的微反射镜特定。此时，可以选择在上述头之间连接区域上相对于理想2重曝光为曝光不足的区域的面积成为最小、且不会产生曝光过多区域的微反射镜作为实际使用的微反射镜。
而且，还可以按照在上述头之间连接区域上相对于理想2重曝光为曝光过多的区域的描素单元数(光点数)与曝光不足区域的描素单元数(光点数)相等，选择实际使用的微反射镜。
如上所述，通过使用图案形成装置10的本实施方式(2)的使用描素部的指定方法，可以减轻多个曝光头X轴方向的相对位置偏离所引起的分辨率不均和浓度不均、实现理想的N重曝光。
(3)多个曝光头之间的使用描素部的指定方法<2>
本实施方式(3)中，说明当利用图案形成装置10对感光材料12进行2重曝光的情况下，在作为由多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域中，减少由于2个曝光头(作为一个例子，曝光头3012和3021)在X轴方向上的相对位置从理想状态偏离以及各曝光头的安装角度误差和2个曝光头之间的相对安装角度误差所引起的分辨率不均和浓度不均、用于实现理想2重曝光的使用描素部的指定方法。
作为各曝光头30、即各DMD36的设定倾斜角度，当为没有曝光头30的安装角度误差等的状态时，采用若干大于使用能够使用的1024列×256行描素部(微反射镜58)、恰好成为2重曝光的角度θideal的角度。
该角度θideal是使用上述式1～3与上述(1)的实施方式同样求得的值，本实施方式中，如上所述由于s＝256、N＝2，因此角度θideal约为0.45度。因此，设定倾斜角度θ例如可以采用0.50度左右的角度。图案形成装置10按照在能够调整的范围内各曝光头30、即各DMD36的安装角度接近该设定倾斜角度θ的角度，进行初期调整。
图16为显示在上述各曝光头30、即各DMD36的安装角度经初期调整的图案形成装置10中，由于2个曝光头(作为一个例子，曝光头3012和3021)的安装角度误差和各曝光头3012和3021之间的相对安装角度误差和相对位置的偏移的影响，产生于被曝光面上图案的不均的说明图。
图16的例子中，作为与图12的例子同样的X轴方向的曝光头3012和3021的相对位置偏移的结果，每隔一列的光点群(像素列群A和B)所形成的曝光图案的两者在曝光区域3212和3221的被曝光面上的与上述曝光头扫描方向垂直的坐标轴上重复的曝光区域上，相比较于理想的2重曝光状态，产生曝光量过多的区域74，这会引起浓度不均。
而且，图16的例子中，由于使各曝光头的设定倾斜角度θ大于满足上述式(1)的角度θideal若干的结果以及各曝光头的安装角度的微调困难，因此作为实际安装角度从上述设定倾斜角度θ偏离的结果是，即便是被曝光面上的与上述曝光头扫描方向垂直的坐标轴上重复的曝光区域以外的区域，每隔一列的光点群(像素列群A和B)所产生的曝光图案的两者在由多个描素部列形成的作为被曝光面上的重复曝光区域的描素部列间连接区域上，产生相比较于理想2重曝光状态的曝光量过多的区域76，这会引起进一步的浓度不均。
本实施方式(3)中，首先进行用于减轻由于各曝光头3012和3021的安装角度误差和相对安装角度偏移的影响所导致的浓度不均的使用像素选择处理。
具体地说，使用夹缝28和光检测器的组作为上述光点位置检测机构，对于曝光头3012和3021分别特定实际倾斜角度θ’，根据该实际倾斜角度θ’，作为上述描素部选择机构使用连接于光检测器的演算装置，进行选择实际曝光所用微反射镜的处理。
-实际倾斜角度θ’的特定-
实际倾斜角度θ’的特定为分别利用上述实施方式(2)所用夹缝28和光检测器的组，对于曝光头3012检测曝光区域3212内的光点P(1，1)和P(256，1)的位置，对于曝光头3021检测曝光区域3221内的光点P(1，1024)和P(256，1025)的位置，测定连接它们的直线的倾斜角度与曝光头的扫描方向所成角度，从而进行。
-不使用描素部的特定-
使用如此特定的实际倾斜角度θ’，连接于光检测器的演算装置与上述实施方式(1)的演算装置同样，对于曝光头3012和3021分别导出最接近于满足下述式4
ttanθ’＝N(式4)
的关系的值t的自然数T，进行将DMD36上的第(T+1)行～第256行的微反射镜特定为主曝光中不使用的微反射镜的处理。
例如，对于曝光头3012导出T＝254、对于曝光头3021导出T＝255时，对应于构成图17中被斜线覆盖的部分78和80的光点的微反射镜作为主曝光中不使用的微反射镜特定。由此，在曝光区域3212和3221中的头之间连接区域以外的各区域上，可以使相对于理想2重曝光的曝光过多区域和曝光不足区域的总面积为最小。
这里，还可以取代导出最接近于上述值t的自然数，导出值t以上的最小自然数。此时，在曝光区域3212和3221的作为由多个曝光头形成的被曝光面上重复曝光区域的头之间连接区域以外的各区域上，可以使得相对于理想2重曝光成为曝光量过多的面积达到最小、且不会产生曝光量不足的面积。
或者，还可以导出值为t以下的最大自然数。此时，在曝光区域3212和3221的作为由多个曝光头形成的被曝光面上重复曝光区域的头之间连接区域以外的各区域上，可以使得相对于理想2重曝光成为曝光不足的面积达到最小、且不会产生曝光过多的区域。
还可以在作为由多个曝光头形成的被曝光面上重复曝光区域的头之间连接区域以外的各区域上，按照相对于理想2重曝光成为曝光过多区域的描素单元数(光点数)与成为曝光不足区域的描素单元数(光点数)相等，特定主曝光时不使用的微反射镜。
之后，对于对应于构成图17中被斜线覆盖区域78和80的光点以外的光点的微反射镜而言，进行与使用图12～图16说明的本实施方式(3)同样的处理，特定对应于构成图17中被斜线覆盖区域82和被网格覆盖区域84的光点的微反射镜，作为主曝光时不使用的微反射镜追加。
相对于这些作为曝光时不使用的微反射镜特定的微反射镜，利用上述描素部控制机构送出经常设定为关闭状态的角度的信号，这些微反射镜与曝光基本无关。
如上所述，通过使用图案形成装置10的本实施方式(3)的使用描素部的指定方法，可以减轻由于多个曝光头在X轴方向的相对位置偏移、各曝光头的安装角度误差和曝光头之间的相对安装角度误差所引起的分辨率不均和浓度不均，可以实现理想的N重曝光。
以上详细地说明了利用图案形成装置10的使用描素部指定方法，但上述实施方式(1)～(3)不过是一例，可以在不脱离本发明的范围内进行各种变更。
另外，在上述实施方式(1)～(3)中，作为用于检测被曝光面上的光点位置的装置使用夹缝28和单一池型的光检测器的组，但并非局限于此，可以使用任何形态的装置，例如可以使用2维检测器等。
而且，上述实施方式(1)～(3)中，由利用夹缝28和光检测器的组的被曝光面上的光点位置检测结果，求得实际倾斜角度θ’，根据该实际倾斜角度θ’选择使用的微反射镜，但也可以为不介由实际倾斜角度θ’的导出选择能够使用的微反射镜的方式。而且，例如进行使用全部能够使用的微反射镜的参照曝光，通过参照曝光结果的利用目视确认分辨率或浓度不均等，操作者手动地指定所用微反射镜的方式也包含在本发明的范围内。
予以说明，能够产生于被曝光面上的图案歪曲中除了上述例子中说明的角度歪曲之外，还存在各种方式。
作为一例，如图18A所示，有来自DMD36上的各微反射镜58的光线以不同的倍率到达曝光面上的曝光区域32的倍率歪曲的方式。
另外，作为其它例子，如图18B所示，还有来自DMD36上的各微反射镜58的光线以不同的光束径到达被曝光面上的曝光区域32的光束径歪曲的方式。这些倍率歪曲和光束歪曲主要是由于DMD36与被曝光面间的光学体系的各种象差或调整偏离所引起的。
进而，作为其它的例子还有来自DMD36上的各微反射镜58的光线以不同的光量到达被曝光面上的曝光区域32的光量歪曲的方式。该光量歪曲除了各种象差或调整偏离之外，还由于DMD36与被曝光面之间的光学要素(例如作为1张透镜的图5A和图5B的透镜52和54)的透射率的位置依赖性或DMD36本身所导致的光量不均所引起的。这些方式的图案歪曲也会在形成于被曝光面上的图案中产生分辨率或浓度的不均。
通过上述实施方式(1)～(3)，选择主曝光中实际使用的微反射镜后的这些方式的图案歪曲的残留要素也与上述角度歪曲的残留要素同样，可以通过利用多重曝光的补偿效果均化，可以在各曝光头的整个曝光区域上减轻分辨率或浓度不均。
<<参照曝光>>
作为上述实施方式(1)～(3)的变更例，按照仅使用能够使用的微反射镜中构成每隔(N-1)列的微反射镜列或相当于总光点行中的1/N行的相邻行的微反射镜群进行参照曝光、可以实现均匀的曝光，从而可以特定上述参照曝光中使用的微反射镜中实际曝光时不使用的微反射镜。
将利用上述参照曝光装置的参照曝光结果采样输出，相对于该输出的参照曝光结果，确认分辨率的不均或浓度的不均，进行推测实际倾斜角度等的分析。上述参照曝光的结果分析可以是利用操作者目视的分析。
图19A和图19B是显示使用单一曝光头，仅使用每隔(N-1)列的微反射镜进行参照曝光的方式之一例的说明图。
该例中，主曝光时为2重曝光，因此N＝2。首先，仅使用对应图19A实线所示奇数列的光点列的微反射镜进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。根据上述采样输出的参照曝光结果，确认分辨率的不均或浓度的不均，推测实际倾斜角度，从而可以指定在主曝光时使用的微反射镜。
例如，对应图19B被斜线覆盖的的光点列的微反射镜以外的微反射镜作为在构成奇数列光点列的微反射镜中在主曝光中实际使用的微反射镜。对于偶数列的光点列，可以另外同样地进行参照曝光，指定主曝光时使用的微反射镜，还可以使用与相对于奇数列的光点列的图案相同的图案。
通过如此指定主曝光时使用的微反射镜，在使用奇数列和偶数列两者的微反射镜的主曝光中，可以实现接近理想2重曝光的状态。
图20为显示使用多个曝光头，仅使用隔(N-1)列的微反射镜进行参照曝光的方式之一例的说明图。
该例子中，主曝光时为2重曝光，因此N＝2。首先，仅使用对应图20A实线所示X轴方向的相邻2个曝光头(作为一例，曝光头3012和3021)的奇数列的光点列的微反射镜进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。根据上述采样输出的参照曝光结果，确认通过2个曝光头形成在被曝光面上的头之间连接区域以外的区域的分辨率不均或浓度不均，推测实际倾斜角度，从而可以指定在主曝光时使用的微反射镜。
例如，对应图20B被斜线覆盖的区域86和网格所示区域88内的光点列的微反射镜以外的微反射镜作为在构成奇数列光点的微反射镜中在主曝光中实际使用的微反射镜指定。对于偶数列的光点列，可以另外同样地进行参照曝光，指定主曝光时使用的微反射镜，还可以使用与相对于奇数列像素列的图案相同的图案。
通过如此指定主曝光时实际使用的微反射镜，在使用奇数列和偶数列两者的微反射镜的主曝光中，在由2个曝光头形成在被曝光面上的上述头之间连接区域以外的区域中，可以实现接近理想2重曝光的状态。
图21A和图21B为显示使用单一曝光头，仅使用构成相当于总光点行数的1/N行的相邻行的微反射镜群进行参照曝光的方式之一例的说明图。
该例中，主曝光时为2重曝光，因此N＝2。首先，仅使用对应图21A实线所示第1行～第128(＝256/2)行的光电的微反射镜进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。根据上述采样输出的参照曝光结果，可以指定在主曝光时使用的微反射镜。
例如，对应于图21B被斜线覆盖的光点群的微反射镜以外的微反射镜作为在第1行～第128行的微反射镜中在主曝光中实际使用的微反射镜。对于第129行～第256行的微反射镜，可以另外同样地进行参照曝光，指定主曝光时使用的微反射镜，还可以使用与相对于第1行～第128行的微反射镜的图案相同的图案。
通过如此指定主曝光时实际使用的微反射镜，在使用全体微反射镜的主曝光中，可以实现接近理想2重曝光的状态。
图22为显示使用多个曝光头，对于X方向上相邻2个曝光头(作为一例为曝光头3012和3021)，仅分别使用构成相当于总光点行数的1/N行的相邻行的微反射镜群进行参照曝光的方式之一例的说明图。
该例中，主曝光时为2重曝光，因此N＝2。首先，仅使用对应图22A实线所示第1行～第128(＝256/2)行光点的微反射镜进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。根据上述采样输出的参照曝光结果，可以指定在主曝光时使用的微反射镜，使得能够实现将由2个曝光头形成于被曝光面上的头之间连接区域以外区域的分辨率不均或浓度不均抑制在最小限的主曝光。
例如，对应图22被斜线覆盖的区域90和网格所示区域92内光点列的微反射镜以外的微反射镜作为在第1行～第128行的微反射镜中在主曝光中实际使用的微反射镜指定。对于第129行～第256行的微反射镜，可以另外同样地进行参照曝光，指定主曝光中使用的微反射镜，还可以使用与相对于第1行～第128行的微反射镜的图案相同的图案。
通过如此指定主曝光时实际使用的微反射镜，可以在由2个曝光头形成于被曝光面上的头之间连接区域以外的区域上实现接近理想2重曝光的状态。
在以上实施方式(1)～(3)和变更例中，均对使主曝光为2重曝光的情况进行了说明，但并非限定于此，还可以是2重曝光以上的任何多重曝光。特别是通过成为3重曝光～7重曝光左右，可以实现确保高分辨率、分辨率的不均和浓度不均所有减轻的曝光。
另外，上述实施方式和变更例所涉及的曝光装置中优选设有转换图像数据的装置，使得图像数据表示的2维图案的规定部分的尺寸与通过所选使用像素能够实现的对应部分的尺寸一致。通过如此转换图像数据，可以在被曝光面上形成如所需2维图案的高精细图案。
[显影工序]
上述显影通过除去上述感光层的未曝光部位而进行。
上述未固化区域的除去方法并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出使用显影液除去的方法等。
上述显影液并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以举出碱性水溶液、水性显影液、有机溶剂等，其中优选弱碱性的水溶液。该弱碱性水溶液的碱成分例如可以举出氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢锂、碳酸氢钠、碳酸氢钾、磷酸钠、磷酸钾、焦磷酸钠、焦磷酸钾、硼砂等。
上述弱碱性的水溶液的pH例如优选约为8～12、更优选约为9～11。上述弱碱性的水溶液例如可以举出0.1～5质量％的碳酸钠水溶液或碳酸钾水溶液。
上述显影液的温度可以对应上述感光层的显影性适当选择，例如优选约为25～40℃。
上述显影液还可以与表面活性剂、消泡剂、有机碱(例如乙二胺、乙醇胺、四甲基氢氧化铵、二乙三胺、三乙五胺、吗啉、三乙醇胺等)、用于促进显影的有机溶剂(例如醇类、酮类、酯类、醚类、酰胺类、内酯类等)等并用。另外，上述显影液可以是混合有水或碱水溶液与有机溶液的水性显影液，还可以是有机溶剂单独。
[固化处理工序]
上述固化处理工序为在进行上述显影工序之后，对所形成的图案的感光层进行固化处理的工序。
上述固化处理工序并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如优选举出全面曝光处理、全面加热处理等。
上述全面曝光处理的方法例如可以举出在上述显影后，对形成上述永久图案的上述层叠体上的整个面进行曝光的方法等。通过该全面曝光，形成上述感光层的感光性组合物中的树脂的固化被促进，上述永久图案的表面被固化。
作为进行上述全面曝光的装置并无特别限定，可以根据目的适当选择，例如可以优选地举出超高压水银灯等的UV曝光机。
上述全面加热处理的方法可以举出在上述显影后加热形成有上述永久图案的上述层叠体上的整个面的方法。通过该全面加热，上述永久图案的表面的膜强度提高。
上述全面加热的加热温度优选为120～250℃、更优选为120～200℃。该加热温度小于120℃时，无法利用加热处理获得膜强度的提高，超过250℃时，发生上述感光性组合物中的树脂分解、膜质变脆。
上述全面加热的加热时间优选为10～120分钟、更优选为15～60分钟。
进行上述全面加热的装置并无特别限定，可以从公知的装置中根据目的适当选择，例如可以举出干燥烘箱、加热板、IR加热器等。
-保护膜、层间绝缘膜、阻焊永久图案形成方法-
上述图案的形成方法为形成保护膜、层间绝缘膜和阻焊图案的至少任一者的永久图案形成方法时，可以通过利用上述永久图案形成方法在印制布线板上形成永久图案，进而如下进行焊锡。
即，通过上述显影形成作为上述永久图案的固化层，金属层露出至上述印制布线板表面。相对于露出至该印制布线板表面的金属层的部位进行镀金后，进行焊锡。然后再进行焊锡的部位上安装半导体或部件等。此时，利用上述固化层的永久图案发挥作为保护膜或绝缘膜(层间绝缘膜)、阻焊剂的功能，防止来自外部的冲击或相邻电极的导通。
在上述图案形成装置和永久图案形成方法中，通过上述永久图案形成方法形成的永久图案为上述保护膜或上述层间绝缘膜时，可以保护导线避免来自外部的冲击或弯曲，特别是为上述层间绝缘膜时，例如对于半导体或部件在多层导线基板或积累导线基板等上的高密度安装有用。
本发明的上述永久图案形成方法由于使用本发明上述感光性组合物，因而可以优选用于保护膜、层间绝缘膜、阻焊图案等永久图案等各种图案形成用，滤光器、柱材、肋条材料、隔离物、隔壁等液晶结构构件的制造用，全息图像、微型机器、校样等图案形成用等中，特别是可以优选用于印制电路板的永久图案形成用。
实施例
以下，通过实施例更加具体地说明本发明，但本发明并非局限于此。
(合成例1)
在1000mL三颈烧瓶中放入1-甲氧基-2丙醇159g，在氮气流下加热至85℃。向其中用2小时的时间滴加63.4g甲基丙烯酸苄酯、72.3g甲基丙烯酸、4.15gV-601(和光纯药(株)制)的1-甲氧基-2-丙醇159g溶液。滴加结束后进一步加热反应5小时。接着，停止加热，获得甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸(30/70mol％比)的共聚物。
接着，将上述共聚物溶液内的120.0g移至300mL三颈烧瓶中，加入16.6g甲基丙烯酸缩水甘油酯、0.16g对甲氧基苯酚，搅拌使其溶解。溶解后加入三苯基膦2.4g，加热至100℃，进行加成反应。利用气相色谱法确认甲基丙烯酸缩水甘油酯的消失，停止加热。加入1-甲氧基-2-丙醇，制备固态成分30质量％的下述表1所示高分子化合物1的溶液。
利用以聚苯乙烯为标准物质的凝胶渗透色谱法(GPC)测定所得高分子化合物的质均分子量(Mw)，结果为15000。
另外，由使用氢氧化钠的滴定可知，单位固态成分的酸值为2.2meq/g。
而且，通过碘滴定法求得的单位固态成分的乙烯性不饱和键的含量(C＝C价)为2.1meq/g。
(合成例2～27)
为了获得目标高分子化合物，将合成例1的甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸和甲基丙烯酸缩水甘油酯适当变更为任意单体，除此之外与合成例1同样地分别制备表1～表5所示高分子化合物2～27。
表1
Figure A200780008327D00851
表2
Figure A200780008327D00861
表3
Figure A200780008327D00871
表4
表5
表1～表5中，*1表示下述结构式(a)所示结构和下述结构式(b)所示架构的混合，*2表示下述结构式(c)所示结构和下述结构式(d)所示结构的混合。
Figure A200780008327D00892
结构式(a)
Figure A200780008327D00893
结构式(b)
Figure A200780008327D00901
结构式(c)
Figure A200780008327D00902
结构式(d)
(合成例28)
在1000mL三颈烧瓶中放入1-甲氧基-2丙醇159g，在氮气流下加热至85℃。向其中用2小时的时间滴加36g甲基丙烯酸甲酯、72.3g甲基丙烯酸、4.15gV-601(和光纯药(株)制)的1-甲氧基-2-丙醇159g溶液。滴加结束后进一步加热反应5小时。接着，停止加热，获得甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸(30/70mol％比)的共聚物。
接着，将上述共聚物溶液内的120.0g移至300mL三颈烧瓶中，加入16.6g甲基丙烯酸缩水甘油酯、0.16g对甲氧基苯酚，搅拌使其溶解。溶解后加入三苯基膦2.4g，加热至100℃，进行加成反应。利用气相色谱法确认甲基丙烯酸缩水甘油酯的消失，停止加热。加入1-甲氧基-2-丙醇，制备固态成分30质量％的下述结构式所示高分子化合物28的溶液。
利用以聚苯乙烯为标准物质的凝胶渗透色谱法(GPC)测定所得高分子化合物的质均分子量(Mw)，结果为15000。
另外，由使用氢氧化钠的滴定可知，单位固态成分的酸值为2.3meq/g。
而且，通过碘滴定法求得的单位固态成分的乙烯性不饱和键的含量(C＝C价)为2.6meq/g。
Figure A200780008327D00903
高分子化合物28
(实施例1)
-感光性组合物的制备-
以下述量配合各成分，制备感光性组合物溶液。
[感光性组合物溶液的各成分量]
·高分子化合物(上述1-甲氧基-2-丙醇溶液中固态成分质量30质量％)......87.4质量份
·二季戊四醇六丙烯酸酯(聚合性化合物)......14质量份
·Lucirin-TPO(酰基膦氧化物化合物、光聚合引发剂)......6质量份
·エポト—トYD-8125(环氧基等量170g/eq、双酚A系环氧树脂)碱不溶性的热交联剂......7.8质量份
·热固化剂(双氰胺)......0.77质量份
·氟系表面活性剂(メガファツクF-176、大日本油墨化学工业(株)制、30质量％2-丁烷溶液)......0.2质量份
·硫酸钡分散液(堺化学工业(株)B-30)......80质量份
·甲乙酮......15质量份
予以说明，上述硫酸钡分散液如下制备：预先混合硫酸钡(堺化学工业(株)、B30)30质量份、高分子化合物1(上述1-甲氧基-2-丙醇溶液中固态成分质量30质量％)溶液29.2质量份、0.2质量份C.I.颜料蓝15：3、0.05质量份C.I.颜料黄185、40.55质量份甲乙酮，使用电动搅拌器M-200(アイガ—社制)用直径1.0mm的二氧化锆株粒以周速9m/s分散3.5小时，从而制备。
予以说明，本实施例1中，“热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比”为(7.8/170)/(87.4*0.3*0.0022+29.2*0.3*0.8*0.0022)＝0.63。
另外，部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为0％，部分结构具有碱性取代基的总碱成分量是双氰胺的0.9％。
-感光性膜的制造-
利用棒涂机将所得感光性组合物溶液涂布在作为上述支承体的厚度16μm(东丽(株)制、16FB50)、宽300mm、长200m的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜上，在80℃热风循环式干燥机中干燥，形成厚度30μm的感光层。接着，在该感光层上利用层叠机层叠作为保护膜的膜厚20μm、宽度310mm、长度210m的聚丙烯膜(王子制纸(株)制、E-200)，制造上述感光性膜。
--感光性膜辊的制作—
使用卷绕机卷绕上述感光性膜，制造感光性膜原反辊。
使用同轴切条机剪切所得上述感光性膜原反辊，以250mm宽度卷绕在长度300mm、内径76mm的ABS树脂制圆筒状卷绕芯上，卷绕150m，制作感光性膜辊。
用黑色聚乙烯制筒状袋(膜厚：80μm、水蒸气透过率：25g/m2·24hr以下)包裹如此获得的上述感光性膜辊，将聚丙烯制套衬挤入卷绕芯的两端。
-永久图案的形成-
--感光性层叠体的制备—
接着，作为上述基体，对印制基板、即经导线形成的覆铜层叠板(无穿通孔、铜厚度12μm)的表面实施化学研磨处理进行制备。在该覆铜层叠板上，一边按照上述感光性膜的感光层与上述覆铜层叠板相接触的方式剥离上述感光性膜的保护膜，一边使用真空层叠机(ニチゴ—モ—トン(株)制、VP130)将其层叠，制备按顺序层叠有上述覆铜层叠板、上述感光层、上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(支承体)的感光性层叠体。
压接条件为抽真空的时间40秒、压接温度70℃、压接压力0.2MPa、加压时间10秒钟。
对于上述感光性层叠体，进行最短显影时间、感光度、分辨率、保存稳定性和边缘粗糙的评价。结果示于表6。
<分辨率的评价>
(1)最短显影时间的评价方法
从上述感光性层叠体上剥离聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(支承体)，以0.15MPa的压力将30℃的1质量％碳酸钠水溶液喷雾在覆铜层叠板上的上述感光层整个面上，测定从碳酸钠水溶液的喷雾开始至覆铜层叠板上的感光层被溶解除去所需要的时间，将其作为最短显影时间。
(2)感光度的评价方法
对于上述制备的感光性层叠体的感光性膜的感光层，由上述支承体侧使用以下说明的图案形成装置，以0.1mJ/cm2～21/2倍间隔照射光能量不同直至100mJ/cm2的光，进行2重曝光，使上述感光层的一部分区域固化。在室温下静置10分钟后，将上述支承体从上述感光性层叠体上剥离，在覆铜层叠板上的感光层整个面上以0.15MPa喷雾30℃的1质量％碳酸钠水溶液，喷雾时间2倍于上述(1)求得的最短显影时间，将未固化的区域溶解除去，测定剩余固化区域的厚度。接着，对光照射量与固化层厚度的关系做曲线，获得感光度曲线。由该感光度曲线，将固化区域厚度与曝光前感光层相同、达到30μm时的光能量作为用于固化感光层所必需的能量。
<<图案形成装置>>
使用图案形成装置10，其具备：作为上述光照射机构的日本特开2005-258431号公报所记载的合波激光光源；作为上述光调制机构的按照在图6所示概略图的主扫描方向上排列有1024个微反射镜58的微反射镜列、但在副扫描方向排列的768组中仅驱动1024个×256列而控制的DMD36；具有将图5A和图5B所示光成像在上述感光性膜的光学体系的曝光头30。
作为各曝光头30、即各DMD36的设定倾斜角度，采用若干大于使用能够使用的1024列×256行的微反射镜58恰好达到2重曝光的角度θideal的角度。该角度θideal如下求得：对于N重曝光的数N、能够使用的微反射镜58的列方向的个数s、能够使用的微反射镜58的列方向间隔p以及在倾斜曝光头30的状态下由微反射镜形成的扫描线的间隔δ，用下述式1
spsinθ≧Nδ(式1)
求得。本实施方式的DMD36如上所述，由于纵横的配置间隔相等的多个微反射镜58配置成矩形格子状，因此为
pcosθideal＝δ(式2)、上述式1成为
stanθideal＝N(式3)，
由于s＝256、N＝2，因此角度θideal约为0.45度。因而，设定倾斜角度θ例如可以采用0.50度左右的角度。
首先，为了校正2重曝光的分辨率不均和曝光不均，研究被曝光面的曝光图案的状态。结果示于图16。图16表示在使台14静止的状态下投影于感光性膜12的被曝光面上的、来自具有曝光头3012和3021的DMD36的能够使用的微反射镜58的光点群图案。另外，下段部分表示在呈现示于上段部分的光点群的图案的状态下移动台14进行连续曝光时，对于曝光区域3212和3221显示形成在被曝光面上的曝光图案的状态。予以说明，图16中为了说明方便，以像素列群A所产生的曝光图案和像素列B所产生的曝光图案分别显示能够使用的微反射镜58的每隔1列的曝光图案，但实际的被曝光面上的曝光图案为重叠这2个曝光图案的结果。
如图16所示，作为曝光头3012和3021之间的相对位置偏离理想状态的结果，为像素列群A所产生的曝光图案和像素列B所产生的曝光图案两者在垂直于曝光区域3212和3221的上述曝光头扫描方向的坐标轴上重复的曝光区域上产生相比较于理想2重曝光状态曝光量过多的区域。
作为上述光点位置检测机构使用夹缝28和光检测器的组，对于曝光头3012检测曝光区域3212内的光点P(1，1)和P(256，1)的位置，对于曝光头3021检测曝光区域3221内的光点P(1，1024)和P(256，1024)的位置，测定连接它们的直线的倾斜角度与曝光头扫描方向所成的角度。
使用实际倾斜角度θ’，对于曝光区域3012和3021分别导出最接近于满足下述式4
ttanθ’＝N(式4)
关系的t的自然数T。对于曝光头3012导出T＝254、对于曝光头3021导出T＝255时，结果，特定构成图17中被斜线覆盖的部分78和80的微反射镜作为主曝光中不使用的微反射镜。
之后，对于构成图17中被斜线覆盖的部分78和80的光点以外的光点的微反射镜，同样地特定对应于构成图17中被斜线覆盖的区域82和被网格覆盖区域84的光点的微反射镜，作为主曝光时不使用的微反射镜追加。
相对于这些作为曝光时不使用的微反射镜而特定的微反射镜，利用上述描素部控制机构送出经常设定为关闭状态的角度的信号，进行控制使得这些微反射镜与曝光基本无关。
由此，在曝光区域3212和3221中，在作为由多个上述曝光头形成的被曝光面上重复曝光区域的头之间连接区域以外的各区域上，可以使相对于理想2重曝光的成为曝光过多区域和成为曝光不足区域的总面积为最小。
(4)分辨率的评价方法
在与上述(1)的最短显影时间评价方法相同的方法和条件下制作上述感光性层叠体，在室温(23℃、55％RH)下静置10分钟。由所得层叠体的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(支承体)上，使用上述图案形成装置以线/间隔＝1/1用1μm刻痕进行各线宽的曝光，至线宽10～100μm。此时的曝光量为用于固化上述(2)测定的上述感光性膜的感光层而必需的光能量。在室温下静置10分钟后，从上述感光性层叠体上剥取聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(支承体)。以喷雾压0.15MPa将30℃的1质量％碳酸钠水溶液喷雾在覆铜层叠板上的感光层整个面上，时间2倍于上述(1)求得的最短显影时间，溶解除去未固化区域。利用光学显微反射镜观察如此获得的带固化树脂粘合剂的覆铜层叠板的表面，固化树脂粘合剂在线中没有堵塞、错位等异常，且测定能够形成间隔的最小线宽，将其作为分辨率。该分辨率的数值越小则越良好。结果示于表1中。
<保存稳定性(显影时间的经时变化率)的评价>
-显影时间的测定-
(显影时间T1的测定)
在25℃下暗处放置上述层叠体20分钟后，剥取聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(支承体)，对上述感光层进行显影处理。上述显影处理为使用1质量％碳酸钠水溶液作为碱显影液、在30℃下喷淋于覆铜层叠板上的上述感光层整个面上，从而进行，测定上述感光层完全被除去的所需时间，将其作为显影时间T1。
(显影时间T2的测定)
将上述层叠体放入防潮袋(黑色聚乙烯制的筒状袋、膜厚：80μm、水蒸汽透过率：25g/m2·24hr以下)，在温度40℃的环境下静置72小时，之后，通过与上述显影时间T1的测定方法相同的方法测定显影时间(T2)。
(显影时间变化率的计算)
根据由所测定显影时间T2和上述显影时间T1计算的显影时间的变化率(T2/T1)和下述评价标准，评价保存稳定性。
[评价标准]
◎…显影时间的变化满足0.5<(T2/T1)<2.5
○…显影时间的变化满足0.5<(T2/T1)<3
×…显影时间的变化不满足0.5<(T2/T1)<3
将如此求得的T1、T2、(T2/T1)和评价结果示于表6。
(实施例2～实施例7和比较例1～3)
实施例1中，除了将上述高分子化合物分别取代为下述表6所示高分子化合物之外，与实施例1同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体与实施例1同样地评价感光度、分辨率、保存稳定性。结果示于表6。
予以说明，下述表6中，比较例1使用的高分子化合物(B-1)、比较例2使用的高分子化合物(B-2)分别如下合成。
另外，下述表6中，比较例3使用的高分子化合物(B-3)采用下述结构式(e)所示高分子化合物(Mw：8000、酸值：80mgKOH/g)。
(合成例29)
除了将合成例1的三苯基膦2.4g改变为四乙基氯化铵2.4g之外，同样地合成，获得高分子化合物(B-1)。
(合成例30)
除了将合成例28的三苯基膦2.4g改变为四乙基氯化铵2.4g之外，同样地合成，获得高分子化合物(B-2)。
Figure A200780008327D00961
表6
 
高分子化合物 感光度(MJ/cm2) 分辨率(μm)  T1 T2 T2/T1 保存稳定性  
实施例1 1 40 25 15 24 1.6 ◎
实施例2 2 50 30 15 24 1.6 ◎
实施例3 3 60 35 20 48 2.4 ◎
实施例4 4 60 37 20 50 2.5 ◎
实施例5 5 55 35 20 45 2.25 ◎
实施例6 6 49 30 15 32 2.13 ◎
实施例7 28 55 40 12 34 2.83 ○
比较例1 B-1 40 25 15 54 3.6 ×
比较例2 B-2 55 40 12 48 4 ×
比较例3 B-3 79 50 12 60 5 ×
(实施例8)
以下述量配合各成分，制备感光性组合物溶液，除此之外与实施例1同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
[感光性组合物溶液的各成分量]
·高分子化合物(上述1-甲氧基-2-丙醇溶液中固态成分质量30质量％)......87.4质量份
·二季戊四醇六丙烯酸酯(聚合性化合物)......14质量份
·Irgacure819(酰基膦氧化物化合物、汽巴精化社制、光聚合引发剂)......4质量份
·エポト—トYDF-8170C(环氧基等量155g/eq、双酚A系环氧树脂、碱不溶性的热交联剂)......11.3质量份
·热固化剂(双氰胺)......0.77质量份
·氟系表面活性剂(メガファツクF-176、大日本油墨化学工业(株)制、30质量％2-丁烷溶液)......0.2质量份
·硫酸钡分散液(堺化学工业(株)B-30)......80质量份
·甲乙酮......30质量份
予以说明，上述硫酸钡分散液与实施例1同样地制备。
本实施例8中，“热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比”为1.3/155)/(87.4*0.3*0.0022+29.2*0.3*0.8*0.0022)＝1.0。
另外，部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为0％，部分结构具有碱性取代基的总碱成分量是双氰胺的0.9％。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体，与实施例1同样地评价感光度、分辨率和保存稳定性。显影后用超高压水银灯以50mJ/cm2全面曝光。通过以下方法也评价无电解镀金耐性。结果示于表7。
<无电解镀金耐性的评价>
根据后述的工序对上述试验基板进行非电解镀金，对于该试验基板进行外观的变化和使用胶带的剥离试验，用以下标准评价抗蚀剂覆膜的剥离状态。
-评价标准-
○：没有外观变换、完全没有抗蚀剂覆膜的剥离
△：没有外观变换、但抗蚀剂覆膜稍有剥离
×：可见抗蚀剂覆膜的浮起，可见电镀潜影，在剥离试验中抗蚀剂覆膜的剥离大
--非电解镀金工序—
将形成有阻焊图案(永久图案)的试验基板浸渍在30℃的酸性脱脂液(日本マクダ—ミツト(株)制、MetexL-5B的20质量％水溶液)3分钟后，浸渍于流水中3分钟进行水洗。
接着，在14.3质量％过硫酸铵水溶液中室温下浸渍3分钟后，在流水中浸渍3分钟进行水洗，进而在10质量％硫酸水溶液室温下浸渍试验基板1分钟后，浸渍在流水中30秒～1分钟进行水洗。
接着，将该基板浸渍在30℃的催化剂液(メルテツクス社制、メタルプレ—トアクチベ—タ—350的10质量％水溶液)7分钟后，在流水中浸渍3分钟进行水洗，接着浸渍在85℃的镀镍液(メルテツクス社制、メツプレ—トNi-865M、20容量％水溶液、pH4.6)20分钟，进行非电解镀镍后，在室温下浸渍于10质量％硫酸水溶液1分钟后，在流水中浸渍30秒～1分钟进行水洗。
接着，将试验基板浸渍于75℃的镀金液(奥野制药工业(株)制、OPCムデンゴ—ルド、pH12～13、加厚镀金0.3μm)4分钟，进行非电解镀金后，在流水中浸渍3分钟进行水洗后，进而用60℃的温水浸渍3分钟充分地水洗后干燥，获得无电解镀金的试验基板。
(实施例9～13)
实施例8中，除了将上述高分子化合物分别替换为下述表7所示高分子化合物之外，与实施例8同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体与实施例8同样地评价感光度、分辨率、非电解镀金耐性和保存稳定性。结果示于表7。
(比较例4)
实施例8中，除了将上述高分子化合物替换为下述结构式(f)所示高分子化合物(B-4，Mw：30000、酸值：2.0meq/g)之外，与实施例8同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
Figure A200780008327D00991
         结构式(f)
表7
 
高分子化合物 感光度(MJ/cm2) 分辨率(μm)  非电解镀金耐性 T1 T2 T2/T1 保存稳定性
实施例8 1 48 28 ○ 15 24 1.6 ◎
实施例9 7 48 28 ○ 25 40 1.6 ◎
实施例10 8 59 33 ○ 12 29 2.42 ◎
实施例11 11 53 29 ○ 15 35 4.33 ◎
实施例12 12 50 30 ○ 15 32 2.13 ◎
实施例13 13 49 30 ○ 15 34 2.27 ◎
比较例4 B-4 170 35 × 15 47 3.13 ×
(实施例14)
以下述量配合各成分，制备感光性组合物溶液，除此之外与实施例1同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
[感光性组合物溶液的各成分量]
·高分子化合物(上述1-甲氧基-2-丙醇溶液中固态成分质量30质量％)......87.4质量份
·二季戊四醇六丙烯酸酯(聚合性化合物)......14质量份
·Irgacure907(汽巴精化社制、含氨基烷基的碱性、溶剂可溶性的光聚合引发剂)......1.5质量份
·TEPIC-5(环氧基等量99g/eq、难溶性环氧树脂、碱不溶性的热交联剂)......3.73质量份
·热固化剂(双氰胺)......0.77质量份
·氟系表面活性剂(メガファツクF-176、大日本油墨化学工业(株)制、30质量％2-丁烷溶液)......0.2质量份
·硫酸钡分散液(堺化学工业(株)B-30)......80质量份
·甲乙酮......15质量份
予以说明，上述硫酸钡分散液与实施例1同样地制备。
本实施例14中，“热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比”为(3.73/99)/(87.4*0.3*0.0022+29.2*0.3*0.8*0.0022)＝0.52。
另外，部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为1.9％，部分结构具有碱性取代基的总碱成分量是双氰胺的2.8％。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体，与实施例1同样地评价感光度、分辨率和保存稳定性。结果示于表8。
Figure A200780008327D01001
    结构式(g)
(实施例15和比较例5)
实施例14中，除了将上述高分子化合物的种类如表8所示进行替代之外，与实施例14同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体与实施例14同样地评价感光度、分辨率和保存稳定性。结果示于表8。
表8
 
高分子化合物 感光度(MJ/cm2) 分辨率(μm)  T1 T2 T2/T1
实施例14 1 60 30 15 38 2.53
实施例15 15 60 32 18 50 2.78
比较例5 B-1 60 30 15 65 4.33
(实施例16)
实施例8中，将光聚合引发剂“Irgacure819(酰基膦氧化物化合物、汽巴精化社制)”4质量份”改为“Irgacure651(烷基二苯甲酮型、汽巴精化社制)3质量份，将碱不溶性的热交联剂“エポト—トYDF-8170C(环氧基等量155g/eq、双酚F系环氧树脂)”11.3质量份改为“エポト—トYDCN-701(环氧基等量196g/eq.热塑型环氧树脂)11.3质量份”之外，与实施例8同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
相对于该感光性层叠体，另外制作具有与实施例1同样图案的玻璃制负掩模，将该负掩模接触于层叠体上利用超高压水银灯以100mJ/cm2的曝光量进行曝光。之后，利用与实施例1同样的方法进行显影，进行分辨率评价，同时与实施例1同样地对上述感光性膜进行保存稳定性的评价。结果示于表9。
(实施例17和比较例6)
实施例16中，除了将上述高分子化合物的种类如表9所示进行替代之外，与实施例16同样地制造感光性膜和感光性层叠体。
另外，对于上述感光性膜和感光性层叠体与实施例16同样地评价感光度、分辨率和保存稳定性。结果示于表9。
表9
 
高分子化合物 分辨率(μm)  T1 T2 T2/T1 保存稳定性
实施例16 1 40 15 29 1.93 ◎
实施例17 21 40 20 45 2.25 ◎
比较例6 B-2 50 12 50 4.17 ×
由表6～9的结果可知，使用含有本发明高分子化合物的实施例1～17的感光性组合物形成感光层而成的感光性膜的保存稳定性高，而且通过实施例1～17的曝光方法形成的永久图案的感光度和分辨率也不会受损，高效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜、阻焊图案等)。
另外，由实施例8～13可知，除了上述性能之外，还可以赋予非电解镀金耐性。该非电解镀金耐性的提高通过使用碱不溶性的热交联剂而表现。
而且，由于使用普通且廉价的热交联剂发挥上述效果，因此可以减轻热交联剂所需要的成本，拓宽该热交联剂的选择范围。
产业实用性
本发明的感光性组合物和感光性膜通过含有规定的高分子化合物，感光度、分辨率和保存稳定性优异，能够高效地形成高精细的图案，因而可以优选用于保护膜、层间绝缘膜、阻焊图案等永久图案等各种图案形成用，滤光器、柱材、肋条材料、隔离物、隔壁等液晶结构构件的制造用，全息图像、微型机器、校样等图案形成用等中，特别是可以优选用于印制电路板的永久图案形成用。
本发明的永久图案形成方法由于使用本发明的上述感光性组合物，因而可以优选用于保护膜、层间绝缘膜、阻焊图案等永久图案等各种图案形成用，滤光器、柱材、肋条材料、隔离物、隔壁等液晶结构构件的制造用，全息图像、微型机器、校样等图案形成用等中，特别是可以优选用于印制电路板的永久图案形成用。

Claims (21)

1.一种感光性组合物，其为至少含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发系化合物以及热交联剂的感光性组合物，其特征在于，
T1和T2满足0.5<T2/T1<3的关系，所述T1为将该感光性组合物层叠在基体上，在25℃于暗处放置20分钟后，利用显影液除去层叠在上述基体的感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)；所述T2为相对于层叠在上述基体的感光性组合物将该感光性组合物在40℃于暗处放置72小时后，利用显影液除去上述感光性组合物的未曝光部分所需要的时间(最短显影时间)。
2.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，粘合剂含有在侧链具有酸性基团和乙烯性不饱和键的高分子化合物。
3.根据权利要求1～2中任一项所述的感光性组合物，其中，粘合剂为选自在催化剂共存下在高分子化合物的酸性基团的一部分加成含有环状醚基的聚合性化合物后的高分子化合物和在催化剂共存下在高分子化合物的一部分或全部的环状醚基上加成含有羧基的聚合性化合物后的高分子化合物中的任一种的高分子化合物，上述催化剂选自酸性化合物和中性化合物中的任一种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光性组合物，其中，粘合剂含有侧链具有酸性基团、可含有杂环的芳香族基团、乙烯性不饱和键的高分子化合物。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有0.5～3.0meq/g的乙烯性不饱和键。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物的侧链具有羧基，所述羧基在高分子化合物中的含量为1.0～4.0meq/g。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物的质均分子量为10000以上且小于100000。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有20mol％以上的下述结构式(I)所示的结构单元，
Figure A200780008327C00031
结构式(I)
上述结构式(I)中，R1、R2、R3表示氢原子或1价的有机基团；L表示有机基团，可以没有；Ar表示可含杂环的芳香族基团。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的感光性组合物，其中，聚合性化合物含有具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂为选自环氧化合物、氧杂环丁烷化合物、聚异氰酸酯化合物、使封端剂与聚异氰酸酯化合物反应而获得的化合物以及蜜胺衍生物的任一种中的至少1种。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂为碱不溶性。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的感光性组合物，其中，热交联剂的交联基的摩尔比/粘合剂的酸性基团的摩尔比为0.1～1.5。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的感光性组合物，其满足下述中的任一种，
存在于感光性组合物中的部分结构具有碱性取代基的溶剂可溶性成分的总量为5％以下、以及部分结构中具有碱性取代基的总碱成分量为7％以下。
14.根据权利要求13所述的感光性组合物，其中，碱性取代基选自伯～叔氨基、季铵盐基、含有氨基三嗪的基团、含有咪唑的基团、胍基的任一种。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的感光性组合物，其中，T1为5～120秒、上述T2为5～240秒。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的感光性组合物，其中，光聚合引发剂选自酰基膦氧化物系化合物和酮化合物中的任一种。
17.一种感光性膜，其特征在于，具有支承体、在该支承体上的由权利要求1～16中任一项所述感光性组合物构成的感光层而成。
18.根据权利要求17所述的感光性膜，其为长条状、且被卷绕成辊状而得的感光性膜。
19.一种永久图案形成方法，其特征在于，将权利要求1～16中任一项所述感光性组合物涂布在基体的表面上，进行干燥形成感光层后，再进行曝光、显影。
20.一种永久图案形成方法，其特征在于，在加热和加压的至少任一种情况下将权利要求17～18中任一项所述感光性膜层叠在基体的表面上后，进行曝光、显影。
21.一种印制电路板，其特征在于，通过权利要求19～20中任一项所述永久图案形成方法形成永久图案。
CN2007800083271A 2006-03-08 2007-02-06 感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板 Expired - Fee Related CN101401039B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006063261A JP4711862B2 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板
JP063261/2006 2006-03-08
PCT/JP2007/052000 WO2007102289A1 (ja) 2006-03-08 2007-02-06 感光性組成物、感光性フィルム、該感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及びプリント基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101401039A true CN101401039A (zh) 2009-04-01
CN101401039B CN101401039B (zh) 2012-06-20

Family

ID=38474731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800083271A Expired - Fee Related CN101401039B (zh) 2006-03-08 2007-02-06 感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4711862B2 (zh)
KR (1) KR20080104135A (zh)
CN (1) CN101401039B (zh)
TW (1) TWI403837B (zh)
WO (1) WO2007102289A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102329468A (zh) * 2010-06-01 2012-01-25 新日铁化学株式会社 含有(甲基)丙烯酸酯树脂的热硬化性树脂组成物及使用该热硬化性树脂组成物的硬化物
CN102346373A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 Jsr株式会社 射线敏感性树脂组合物、固化膜、固化膜的形成方法及彩色滤光片
CN102378494A (zh) * 2011-10-31 2012-03-14 深南电路有限公司 一种电路板阻焊加工方法
CN102854750A (zh) * 2010-07-30 2013-01-02 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图形制法、引线框制法及线路板制法
CN103975295A (zh) * 2011-12-05 2014-08-06 日立化成株式会社 触摸面板用电极的保护膜的形成方法、感光性树脂组合物、感光性元件、触摸面板的制造方法及触摸面板用电极的保护膜
CN103999023A (zh) * 2011-12-05 2014-08-20 日立化成株式会社 树脂固化膜图案的形成方法、感光性树脂组合物、感光性元件、触摸面板的制造方法以及树脂固化膜
CN111722484A (zh) * 2019-03-22 2020-09-29 富士施乐株式会社 静电荷像显影用色粉、静电荷像显影剂及色粉盒

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009086015A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Hitachi Via Mechanics Ltd マスクレス露光装置
JP5232576B2 (ja) * 2008-09-05 2013-07-10 富士フイルム株式会社 硬化性高分子化合物の製造方法および組成物、ならびに平版印刷版原版
JP5393198B2 (ja) * 2009-02-27 2014-01-22 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物
TWI829929B (zh) * 2020-05-14 2024-01-21 奇美實業股份有限公司 黑色感光性樹脂組成物、黑色圖案、彩色濾光片以及液晶顯示裝置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1573545A (zh) * 2003-06-20 2005-02-02 富士胶片株式会社 感光性转印片、感光性层合体、图像花样的形成方法以及布线花样的形成方法
CN1580953A (zh) * 2003-08-15 2005-02-16 富士胶片株式会社 感光性转印片、感光性层合体、图像花样的形成方法以及布线花样的形成方法
JP4489566B2 (ja) * 2003-11-27 2010-06-23 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物、およびプリント配線板
JP4389582B2 (ja) * 2003-12-26 2009-12-24 住友化学株式会社 感光性樹脂組成物
JP2005309247A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び感光性フィルム、並びに、永久パターン及びその形成方法
JP2006058821A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Mitsubishi Chemicals Corp 着色樹脂組成物、カラーフィルタ、及び液晶表示装置
JP2007197530A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Taiyo Ink Mfg Ltd 硬化性組成物及びその硬化物

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102329468B (zh) * 2010-06-01 2015-10-14 新日铁住金化学株式会社 含有(甲基)丙烯酸酯树脂的热硬化性树脂组成物及使用该热硬化性树脂组成物的硬化物
CN102329468A (zh) * 2010-06-01 2012-01-25 新日铁化学株式会社 含有(甲基)丙烯酸酯树脂的热硬化性树脂组成物及使用该热硬化性树脂组成物的硬化物
CN102346373A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 Jsr株式会社 射线敏感性树脂组合物、固化膜、固化膜的形成方法及彩色滤光片
CN102854750B (zh) * 2010-07-30 2014-08-27 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图形制法、引线框制法及线路板制法
CN102854750A (zh) * 2010-07-30 2013-01-02 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图形制法、引线框制法及线路板制法
CN102378494B (zh) * 2011-10-31 2014-03-26 深南电路有限公司 一种电路板阻焊加工方法
CN102378494A (zh) * 2011-10-31 2012-03-14 深南电路有限公司 一种电路板阻焊加工方法
CN103999023A (zh) * 2011-12-05 2014-08-20 日立化成株式会社 树脂固化膜图案的形成方法、感光性树脂组合物、感光性元件、触摸面板的制造方法以及树脂固化膜
CN103975295A (zh) * 2011-12-05 2014-08-06 日立化成株式会社 触摸面板用电极的保护膜的形成方法、感光性树脂组合物、感光性元件、触摸面板的制造方法及触摸面板用电极的保护膜
US9348223B2 (en) 2011-12-05 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film
US9964849B2 (en) 2011-12-05 2018-05-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film
US10042254B2 (en) 2011-12-05 2018-08-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method of forming protective film for touch panel electrode photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel
US10386719B2 (en) 2011-12-05 2019-08-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film
US10663861B2 (en) 2011-12-05 2020-05-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film
CN111722484A (zh) * 2019-03-22 2020-09-29 富士施乐株式会社 静电荷像显影用色粉、静电荷像显影剂及色粉盒
CN111722484B (zh) * 2019-03-22 2023-09-22 富士胶片商业创新有限公司 静电荷像显影用色粉、静电荷像显影剂及色粉盒

Also Published As

Publication number Publication date
TW200745750A (en) 2007-12-16
KR20080104135A (ko) 2008-12-01
CN101401039B (zh) 2012-06-20
JP4711862B2 (ja) 2011-06-29
JP2007240882A (ja) 2007-09-20
TWI403837B (zh) 2013-08-01
WO2007102289A1 (ja) 2007-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101401039B (zh) 感光性组合物、感光性膜、使用该感光性组合物的永久图案形成方法和印制电路板
CN101401038A (zh) 感光性组合物、感光性膜、感光性层叠体、永久图案形成方法和印制电路板
CN101315522B (zh) 感光性组合物、感光性薄膜及印刷电路板
CN101403859B (zh) 感光性树脂组合物及其固化物
CN101183217B (zh) 感光性组合物
CN101627338A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案的形成方法及印制电路板
CN102445850B (zh) 碱显影型阻焊剂及其固化物以及使用其得到的印刷线路板
CN101192001B (zh) 阻焊膜形成方法和感光性组合物
CN101410757A (zh) 光固化性热固化性树脂组合物及其固化物以及使用其所得到的印刷电路板
CN101533221A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、感光性层叠体、永久图案形成方法及印刷电路板
CN102419514A (zh) 光固化性树脂组合物及其固化物、干膜、印刷电路板
CN101398620A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、感光性层叠体、永久图案形成方法及印刷电路板
CN101189557A (zh) 永久图案形成方法
CN101644893A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、感光性层叠体、永久图案形成方法及印刷电路板
CN101652716A (zh) 感光性树脂组合物、感光性膜、以及使用了它的图案形成方法及印制电路板
JP2007310027A (ja) 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
CN101587298B (zh) 感光性组合物、感光性膜、感光性层叠体、永久图案形成方法以及印制电路板
CN101149562A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法及印刷电路板
JP2007310025A (ja) 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
CN101416111B (zh) 感光性组合物及感光性薄膜、以及图案的形成方法及印制电路板
CN101639627A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、感光性层叠体、永久图案形成方法以及印制电路板
CN101438210B (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法及印制电路板
CN101405657B (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法以及印制电路板
CN101218546A (zh) 图案形成方法
CN101401037A (zh) 感光性组合物、感光性薄膜、感光性层叠体、永久图案形成方法及印刷电路板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120620

Termination date: 20160206