CN101405657B - 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法以及印制电路板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于通过含有规定的高分子化合物从而提供一种灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)的感光性组合物、感光性薄膜、使用所述感光性薄膜的永久图案形成方法以及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。为此，本发明提供一种感光性组合物，其中，含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发剂以及碱不溶性的热交联剂，所述粘合剂含有高分子化合物，该高分子化合物在侧链具有可具有杂环的芳香族基及乙烯性不饱和键。

Description

感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法以及印制电路板

技术领域

本发明涉及一种灵敏度、析像度以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)的感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法以及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。 

背景技术

一直以来，在形成阻焊剂(solder resist)图案等永久图案时，使用的是通过在支撑体上涂布、干燥感光性树脂组合物而形成感光层的感光性薄膜。作为所述永久图案的制造方法，例如在形成所述永久图案的镀铜层叠板等的基体上，层叠所述感光性薄膜从而形成层叠体，对该层叠体中的所述感光层进行曝光，在该曝光后，显影所述感光层进而形成图案，然后通过进行固化处理等形成所述永久图案。 

作为所述感光性组合物，为了提高稳定性等，提出了内含向具有碳原子数1～6个的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸单体与(甲基)丙烯酸的共聚物加成具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯化合物而成的高分子化合物的感光性组合物(参照专利文献1)。另外，为了与所述提议大致相同的目的，提出了内含在侧链具有羧基的共聚物上加成具有脂环式环氧基的不饱和化合物而成的高分子化合物的感光性组合物(参照专利文献2)。进而，为了提高耐热性或耐药品性等性能，提出了在组合物中含有具有不饱和双键且特定范围的酸值及分子量的粘合剂聚合物和具有不饱和双键且特定的酸值及环氧当量的环氧树脂的感光性组合物(参照专利文献3)。 

但是，即使在这些感光组合物中，还存在如下问题，即：灵敏度及贮存稳定性不充分，尤其在利用激光扫描曝光的图案潜像形成中，曝光部的固化不充分，在碱显影工序中除去图像部，或者在薄膜化感光性组合物并成为长尺辊形态的情况下，经时地发生端面的熔合，该熔合部分在层叠时 落到层叠体的曝光面上，而在曝光时发生曝光图案的断线等故障。另外，在使用碱可溶性的环氧树脂的情况下，在镀金处理过程中，与基板的粘附不良，可见感光性组合物的浮起，存在发生镀敷渗透的现象等问题。 

因而，目前尚未通过含有规定的高分子化合物来提供一种灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)的感光性组合物、感光性薄膜、使用所述感光性薄膜的永久图案形成方法以及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板，有待进一步改良开发。 

专利文献1：日本特开平3—172301号公报 

专利文献2：日本特开平10—10726号公报 

专利文献3：日本特开平7—199457号公报 

发明内容

本发明正是鉴于这种现状而提出的，其课题在于解决以往的所述各问题并实现以下目的。即，本发明的目的在于提供一种通过含有规定的高分子化合物来提供一种灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)的感光性组合物、感光性薄膜、使用所述感光性薄膜的永久图案形成方法以及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。 

作为用于解决所述课题的手段，如下所述。即， 

<1>一种感光性组合物，其特征在于，含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发剂以及碱不溶性的热交联剂，所述粘合剂含有高分子化合物，该高分子化合物在侧链具有可含有杂环的芳香族基及乙烯性不饱和键。在所述<1>中记载的感光性组合物，由于粘合剂含有高分子化合物，该高分子化合物在侧链具有可含有杂环的芳香族基及乙烯性不饱和键，所以灵敏度、析像度以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)。 

<2>根据所述<1>所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有0.5～3.0meq/g乙烯性不饱和键。 

<3>根据所述<1>或<2>所述的感光性组合物，其中，高分子化合物在 侧链具有羧基，所述羧基在所述高分子化合物中的含量为1.0～4.0meq/g。 

<4>根据所述<1>～<3>中任意一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物的质均分子量为10,000以上且不到100,000。 

<5>根据所述<1>～<4>中任意一项所述的感光性组合物，其中，高分子化合物含有20mol％以上由下述结构式(I)表示的结构单元。 

其中，在所述结构式(I)中，R₁、R₂及R₃表示氢原子或1价的有机基。L表示有机基，也可以没有。Ar表示芳香族基。 

<6>根据所述<1>～<5>中任意一项所述的感光性组合物，其中，聚合性化合物含有具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。 

<7>根据所述<6>所述的感光性组合物，其中，聚合性化合物含有从具有(甲基)丙烯酸基的单体中选择的至少一种。 

<8>根据所述<1>～<7>中任意一项所述的感光性组合物，其中，光聚合引发剂含有从卤代烃衍生物、六芳基联咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鎓盐、芳环烯金属衍生物类及酰基氧化膦化合物中选择的至少一种。 

<9>根据所述<1>～<8>中任意一项所述的感光性组合物，其中，碱不溶性的热交联剂含有环氧化合物。 

<10>根据所述<9>所述的感光性组合物，其中，碱不溶性的热交联剂为至少含有在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物。 

<11>根据所述<1>～<10>中任意一项所述的感光性组合物，其中，感光性组合物含有增感剂，该增感剂为杂缩环系酮。 

<12>一种感光性薄膜，其特征在于，具有支撑体和在该支撑体上的由所述<1>～<11>中任意一项所述的感光性组合物构成的感光层。 

<13>根据所述<12>所述的感光性薄膜，其中，感光层的厚度为1～100μm。

<14>根据所述<12>或<13>所述的感光性薄膜，其中，支撑体含有合成树脂且为透明。 

<15>根据所述<12>～<14>中任意一项所述的感光性薄膜，其中，支撑体为长条状。 

<16>根据所述<12>～<15>中任意一项所述的感光性薄膜，其中，感光性薄膜为长条状，且被卷成辊状。 

<17>根据所述<12>～<16>中任意一项所述的感光性薄膜，其中，在感光性薄膜中的感光层上具有保护薄膜。 

<18>一种图案形成装置，其特征在于，具备所述<12>～<17>中任意一项所述的感光性薄膜中的感光层， 

至少具有：可以照射光的光照射机构，和调制来自该光照射机构的光、对所述感光性薄膜中的感光层进行曝光的光调制机构。在所述<18>中记载的图案形成装置中，所述光照射机构向所述光调制机构照射光。所述光调制机构调制从所述光照射机构接受的光。利用所述光调制机构调制的光对所述感光层进行曝光。例如，如果之后显影所述感光层，则可以得到高精细的图案。 

<19>根据所述<18>所述的图案形成装置，其中，光调制机构进一步具有基于形成的图案信息产生控制信号的图案信号生成机构而成，对应该图案信号生成机构产生的控制信号，对从光照射机构照射的光进行调制。在所述<19>中记载的图案形成装置中，所述光调制机构通过具有所述图案信号生成机构，对应该图案信号生成机构产生的控制信号，对从所述光照射机构照射的光进行调制。 

<20>根据所述<18>或<19>所述的图案形成装置，其中，光调制机构具有n个描绘部而成，可以对应将要形成的图案信息，对从该n个描绘部中连续地配置的任意的不到n个所述描绘部进行控制。在所述<20>中记载的图案形成装置中，通过对应图案信息，对从所述光调制机构中的n个描绘部中连续地配置的任意的不到n个描绘部进行控制，从而来自所述光照射机构的光被高速地调制。 

<21>根据所述<18>～<20>中任意一项所述的图案形成装置，其中，光调制机构为空间光调制元件。

<22>根据所述<21>所述的图案形成装置，其中，空间光调制元件是数字·微镜·器件(digital·micromirror·device)(DMD)。 

<23>根据所述<20>～<22>中任意一项所述的图案形成装置，其中，描绘部为微镜。 

<24>根据所述<18>～<23>中任意一项所述的图案形成装置，其中，光照射机构可以复合照射两种以上的光。在所述<24>中记载的图案形成装置中，通过所述光照射机构可以复合照射两种以上的光，可以利用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述感光层进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。 

<25>根据所述<18>～<24>中任意一项所述的图案形成装置，其中，光照射机构具有多种激光器、多模光纤、和将从该多种激光器分别照射的激光进行聚光从而结合于所述多模光纤的聚光光学系。在所述<25>中记载的图案形成装置中，所述光照射机构通过利用所述聚光光学系可以将从该多种激光器分别照射的激光进行会聚从而结合在所述多模光纤，可以用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述感光层进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。 

<26>一种永久图案形成方法，其特征在于，至少包括对所述<12>～<17>中任意一项所述的感光性薄膜中的感光层进行曝光。 

<27>根据所述<26>所述的永久图案形成方法，其中，曝光使用350～415nm的波长的激光进行。 

<28>根据所述<26>或<27>所述的永久图案形成方法，其中，基于将要形成的图案信息对像样本进行曝光。 

<29>根据所述<26>～<28>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，包括：使用曝光头，所述曝光头具备：光照射机构；及具有接受来自所述光照射机构的光并射出的n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的描绘部、可以对应图案信息来控制所述描绘部的光调制机构，所述曝光头配置成所述描绘部的列方向相对该曝光头的扫描方向呈规定的设定倾斜角度θ， 

利用使用描绘部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描 绘部中的用于N重曝光(其中，N为2以上的自然数)的所述描绘部， 

利用描绘部控制机构，对于所述曝光头，进行所述描绘部的控制，使得只有由所述使用描绘部指定机构指定的所述描绘部参与曝光， 

相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动，从而进行曝光的工序。在所述<29>中记载的永久图案形成方法中，利用使用描绘部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描绘部中的用于N重曝光(其中，N为2以上的自然数)的所述描绘部，利用描绘部控制机构，对于所述曝光头，进行所述描绘部的控制，使得只有由所述使用描绘部指定机构指定的所述描绘部参与曝光。相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动，来进行曝光，从而平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。 

<30>根据所述<29>所述的永久图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描绘部指定机构指定在作为利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域的曝光中涉及的描绘部中在为了实现所述头间连接区域中的N重曝光而使用的所述描绘部。在所述<30>中记载的永久图案形成方法中，利用多个曝光头进行曝光，使用描绘部指定机构指定在作为利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域的曝光中涉及的描绘部中在为了实现所述头间连接区域中的N重曝光而使用的所述描绘部，由此，平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上的头间连接区域形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。 

<31>根据所述<30>所述的永久图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描绘部指定机构指定在作为利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的曝光中涉及的描绘部中在为了实现所述头间连接区域以外的区域中的N重曝光而使用的所述描绘部。在所述<31>中记载的永久图案形成方法中，利用多个曝光头进行 曝光，使用描绘部指定机构指定在作为利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的曝光中涉及的描绘部中在为了实现所述头间连接区域以外的区域中的N重曝光而使用的所述描绘部，由此，平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上的头间连接区域以外形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。 

<32>根据所述<29>～<31>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，设定倾斜角度θ设定成：相对N重曝光数的N、描绘部的列方向的个数s、所述描绘部的列方向的间隔p、及在使曝光头倾斜的状态下沿着与该曝光头的扫描方向正交的方向上的描绘部的列方向的间距δ，相对满足下述式spsinθ_ideal≧Nδ的θ_ideal，满足θ≧θ_ideal的关系。 

<33>根据所述<29>～<32>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，N重曝光的N为3以上的自然数。在所述<33>中记载的永久图案形成方法中，可以通过使N重曝光的N为3以上的自然数，进行多重描绘。结果，由于补偿效果，可以更精密地平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。 

<34>根据所述<29>～<33>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描绘部指定机构具备： 

在被曝光面上检测作为利用描绘部生成的构成被曝光面上的曝光区域的描绘单元的光点位置的光点位置检测机构，和 

基于所述光点位置检测机构的检测结果来选择用于实现N重曝光而使用的描绘部的描绘部选择机构。 

<35>根据所述<29>～<34>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描绘部指定机构用行单位指定为了实现N重曝光而使用的使用描绘部。 

<36>根据所述<34>或<35>所述的永久图案形成方法，其中，基于光点位置检测机构检测出的至少2个光点位置，特定利用在使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点的列方向与所述曝光头的扫描方向所成的实 倾斜角度θ’，选择使用描绘部，从而使描绘部选择机构吸收所述实倾斜角度θ’与设定倾斜角度θ的误差。 

<37>根据所述<36>所述的永久图案形成方法，其中，实倾斜角度θ’是在使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点的列方向与所述曝光头的扫描方向所成的多个实倾斜角度的平均值、中央值、最大值及最小值的任意一个。 

<38>根据所述<34>～<37>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，描绘部选择机构基于实倾斜角度θ’，导出满足ttanθ’＝N(其中，N表示N重曝光数的N)的关系的t最近的自然数T，将排列成m行(其中，m表示2以上的自然数)的描绘部中从第1行到所述第T行的所述描绘部选为使用描绘部。 

<39>根据所述<34>～<38>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，描绘部选择机构基于实倾斜角度θ’，导出离满足ttanθ’＝N(其中，N表示N重曝光数的N)的关系的t最近的自然数T，将排列成m行(其中，m表示2以上的自然数)的描绘部中从第(T+1)行到第m行的所述描绘部特定为不使用描绘部，将除了该不使用描绘部以外的所述描绘部选作使用描绘部。 

<40>根据所述<34>～<39>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，描绘部选择机构为：在至少包括利用多个描绘部列形成的被曝光面上的重复曝光区域的区域中， 

(1)选择使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小的机构； 

(2)选择使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的描绘单元数与成为曝光不足的区域的描绘单元数相等的机构； 

(3)选择使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光不足的区域的机构；及 

(4)选择使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光不足的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光过多的区域的机构； 

的任意一种。 

<41>根据所述<34>～<40>中任意一项所述的永久图案形成方法，其 中，描绘部选择机构为：在作为利用多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域中， 

(1)将以下所述的描绘部选作使用描绘部的机构，即：从在所述头间连接区域的曝光中涉及的描绘部，特定不使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小，除了该不使用描绘部以外的所述描绘部； 

(2)将以下所述的描绘部选作使用描绘部的机构，即：从在所述头间连接区域的曝光中涉及的描绘部，特定不使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的描绘单元数与成为曝光不足的区域的描绘单元数相等，除了该不使用描绘部以外的所述描绘部； 

(3)将以下所述的描绘部选作使用描绘部的机构，即：从在所述头间连接区域的曝光中涉及的描绘部，特定不使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光不足的区域，除了该不使用描绘部以外的所述描绘部；及 

(4)将以下所述的描绘部选作使用描绘部的机构，即：从在所述头间连接区域的曝光中涉及的描绘部，特定不使用描绘部，以使相对理想的N重曝光成为曝光不足的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光过多的区域，除了该不使用描绘部以外的所述描绘部； 

的任意一种。 

<42>根据所述<41>所述的永久图案形成方法，其中，用行单位特定不使用描绘部。 

<43>根据所述<29>～<42>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，为了在使用描绘部指定机构中特定使用描绘部，在可以使用的所述描绘部中，相对N重曝光的N，只使用构成每(N—1)列的描绘部列的所述描绘部，进行参照曝光。在所述<43>中记载的永久图案形成方法中，为了在使用描绘部指定机构中特定使用描绘部，在可以使用的所述描绘部中，相对N重曝光的N，只使用构成每(N—1)列的描绘部列的所述描绘部，进行参照曝光，可以得到大致1重描绘的单纯的图案。结果，可以容易地指定所述头间连接区域中的所述描绘部。 

<44>根据所述<29>～<42>中任意一项所述的永久图案形成方法，其 中，为了在使用描绘部指定机构中特定使用描绘部，在可以使用的所述描绘部中，相对N重曝光的N，只使用构成每1/N行的描绘部列的所述描绘部，进行参照曝光。在所述<44>中记载的永久图案形成方法中，为了在使用描绘部指定机构中特定使用描绘部，在可以使用的所述描绘部中，相对N重曝光的N，只使用构成每1/N行的描绘部列的所述描绘部，进行参照曝光，可以得到大致1重描绘的单纯的图案。结果，可以容易地指定所述头间连接区域中的所述描绘部。 

<45>根据所述<29>～<44>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，使用描绘部指定机构具有缝隙及光检测器作为光点位置检测机构，以及，具有与所述光检测器接续的运算装置作为描绘部选择机构。 

<46>根据所述<29>～<45>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，N重曝光的N为3以上7以下的自然数。 

<47>根据所述<29>～<46>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，光调制机构进一步具有基于形成的图案信息生成控制信号的图案信号生成机构而成，对应该图案信号生成机构生成的控制信号来调制从光照射机构照射的光。在所述<47>中记载的永久图案形成装置中，所述光调制机构通过具有所述图案信号生成机构，可以对应该图案信号生成机构生成的控制信号来调制从所述光照射机构照射的光。 

<48>根据所述<29>～<47>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，光调制机构为空间光调制元件。 

<49>根据所述<48>所述的永久图案形成方法，其中，空间光调制元件是数字·微镜·器件(digital·micromirror·device)(DMD)。 

<50>根据所述<29>～<49>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，描绘部为微镜。 

<51>根据所述<29>～<507>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，具有使图案信息表示的图案的规定部分的尺寸与能够利用指定的使用描绘部实现的对应部分的尺寸一致地转换所述图案信息的转换机构。 

<52>根据所述<29>～<51>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，光照射机构可以复合照射两种以上的光。在所述<52>中记载的永久图案形成方法中，通过所述光照射机构可以复合照射两种以上的光，可以利 用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述感光性薄膜进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。 

<53>根据所述<29>～<52>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，光照射机构具有多种激光器、多模光纤、和将从该多种激光器分别照射的激光束进行聚光从而结合于所述多模光纤的聚光光学系。在所述<53>中记载的永久图案形成方法中，所述光照射机构通过利用所述聚光光学系可以将从该多种激光器分别照射的激光束进行会聚从而结合在所述多模光纤，可以用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述感光性薄膜进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。 

<54>根据所述<26>～<53>中任意一项所述的永久图案形成方法，其中，在进行曝光之后，进行感光层的显影。在所述<55>中记载的永久图案形成方法中，在进行所述曝光之后，进行所述感光层的显影，由此，可以形成高精细的图案。 

<55>根据所述<54>所述的永久图案形成方法，其中，在进行了显影之后，进行永久图案的形成。 

<56>一种永久图案，其特征在于，利用所述<26>～<55>中任意一项所述的永久图案形成方法形成。 

<57>根据所述<56>所述的永久图案，其为保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案中的至少任意一种。在所述<57>中记载的永久图案中，为保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案中的至少任意一种，所以该膜具有的绝缘性、耐热性等可以保护布线不受来自外部的冲击或弯曲等。 

<58>一种印制电路板，其特征在于，利用所述<26>～<55>中任意一项所述的永久图案的形成方法形成永久图案。 

如果利用本发明，可以解决以往问题，可以通过含有规定的高分子化合物来提供一种灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案(保护膜、层间绝缘膜以及阻焊剂图案等)的感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法以及利用该永久图案形成方法形成永久图案的印制电路板。

在本发明的感光性组合物中，提高灵敏度、析像度及贮存稳定性的作用机制尚不明确，可能是由于粘合剂含有的高分子化合物在侧链具有乙烯性不饱和键，从而有效地发生共聚合反应引起的显影液的不溶化，从而提高灵敏度及析像度。另外，所述高分子化合物通过在侧链具有芳香族基，从而与感光性组合物中的成分例如光聚合引发剂、聚合性化合物等低分子化合物、热交联剂以及寡聚物的互溶性出色，所以可以抑制在室温附近的感光性组合物的流动性，提高贮存稳定性，抑制在使感光性组合物成为薄膜并成为长尺辊形态时的端面的熔合。进而，通过使用碱不溶性的热交联剂而实现耐镀金性的提高。 

附图说明

图1是表示图案形成装置的一例的外观的透视图。 

图2是表示图案形成装置的扫描器(scanner)结构的一例的透视图。 

图3A是表示在感光层的被曝光面上形成的已曝光区域的俯视图。 

图3B是表示各曝光头所曝光范围的排列的俯视图。 

图4是表示曝光头的概略结构的一例的透视图。 

图5A是表示曝光头的具体结构的一例的俯视图。 

图5B是表示曝光头的具体结构的一例的侧面图。 

图6是表示图1的图案形成装置的DMD的一例的局部放大图。 

图7A是表示用于说明DMD的动作的透视图。 

图7B是表示用于说明DMD的动作的透视图。 

图8是表示在存在曝光头的安装角度误差及图案偏斜时，在被曝光面上的图案中产生的不均的例子的说明图。 

图9是表示1个DMD的曝光范围与对应的缝隙的位置关系的俯视图。 

图10是表示用于说明使用缝隙测定被曝光面上的光点的位置的方法的俯视图。 

图11是表示用于说明在只有被选择的微镜(micromirror)被用于曝光的结果，在被曝光面上的图案上产生的不均被改善的状态的说明图。 

图12是表示在相邻的曝光头之间存在相对位置的偏离时，在被曝光面上的图案中产生的不均的例子的说明图。

图13是表示相邻的2个曝光头的曝光范围与对应的缝隙之间的位置关系的俯视图。 

图14是表示用于说明使用缝隙测定被曝光面上的光点的位置的方法的俯视图。 

图15是表示在图12的例子中只有被选择的使用像素在实际工作，在被曝光面上的图案中产生的不均被改善的状态的说明图。 

图16是表示在相邻的曝光头间存在相对位置的偏离及安装角度误差时，在被曝光面上的图案上产生的不均的例子的说明图。 

图17是表示在图16的例子中只使用选择的使用描绘部的曝光的说明图。 

图18A是表示倍率偏斜的例子的说明图。 

图18B是表示光束直径偏斜的例子的说明图。 

图19A是表示使用单一曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。 

图19B是表示使用单一曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。 

图20是表示使用多个曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。 

图21A是表示使用单一曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。 

图21B是表示使用单一曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。 

图22是表示使用多个曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。 

具体实施方式

(感光性组合物) 

本发明的感光性组合物含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发剂以及碱不溶性的热交联剂，并根据需要含有其他成分而成。 

[粘合剂] 

作为所述粘合剂，含有在侧链具有可含有杂环的芳香族基及在侧链具有乙烯性不饱和键的高分子化合物，优选所述高分子化合物在侧链具有羧基。 

所述粘合剂优选为不溶于水且因碱性水溶液发生溶胀乃至溶解的化合物。 

—可含有杂环的芳香族基—

作为所述可含有杂环的芳香族基(以下有时简称为“芳香族基”。)，例如可以举出苯环、由2～3个苯环形成稠环的基、苯环与5员不饱和环形成稠环的基等。 

作为所述芳香族基的具体例，可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基、苯并吡咯环基、苯并呋喃环基、苯并噻吩环基、吡唑环基、异噁唑环基、异噻唑环基、吲唑环基、苯并异噁唑环基、苯并异噻唑环基、咪唑环基、噁唑环基、噻唑环基、苯并咪唑环基、苯并噁唑环基、苯并噻唑环基、吡啶环基、喹啉环基、异喹啉环基、哒嗪环基、嘧啶环基、吡嗪环基、酞嗪环基、喹唑啉环基、喹喔啉环基、氮丙啶环基、菲啶环基、咔唑环基、嘌呤环基、吡喃环基、哌啶环基、哌嗪环基、吲哚环基、吲哚嗪环基、色烯环基、肉啉环基、吖啶环基、吩噻嗪环基、四唑环基、三嗪环基等。其中，优选具有烃芳香族基，更优选苯基、萘基。 

所述芳香族基也可以具有取代基，作为所述取代基，例如可以举出卤原子、可具有取代基的氨基、烷氧羰基、羟基、醚基、硫醇基、硫醚基、甲硅烷基、硝基、氰基、可分别具有取代基的烷基、链烯基、炔基、芳基、杂环基等。 

作为所述烷基，例如可以举出碳原子数为1～20的直链状的烷基、分支状的烷基、环状的烷基等。 

作为所述烷基的具体例，可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十六烷基、十八烷基、二十烷基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、1—甲基丁基、异己基、2—乙基己基、2—甲基己基、环己基、环戊基、2—降冰片基等。其中，更优选碳原子数为1～12的直链状的烷基、碳原子数为3～12的分支状的烷基以及碳原子数为5～10的环状的烷基。 

作为所述烷基可具有的取代基，例如可以举出去除氢原子的一价的非金属原子团构成的基，作为这样的取代基，例如可以举出卤原子(—F、—Br、—Cl、—I)、羟基、烷氧基、芳氧基、巯基、烷基硫代基、芳基硫代基、烷基二硫代基、芳基二硫代基、氨基、N—烷基氨基、N，N—二烷基氨基、N—芳基氨基、N，N—二芳基氨基、N—烷基—N—芳基氨基、 酰氧基、氨基甲酰氧基、N—烷基氨基甲酰氧基、N—芳基氨基甲酰氧基、N，N—二烷基氨基甲酰氧基、N，N—二芳基氨基甲酰氧基、N—烷基—N—芳基氨基甲酰氧基、烷基硫氧(sulfoxy)基、芳基硫氧(sulfoxy)基、酰基硫代基、酰胺基、N—烷基酰胺基、N—芳基酰胺基、酰脲基(ureido)、N’—烷基酰脲基、N’，N’—二烷基酰脲基、N’—芳基酰脲基、N’，N’—二芳基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基酰脲基、N—烷基酰脲基、N—芳基酰脲基、N’—烷基—N—烷基酰脲基、N’—烷基—N—芳基酰脲基、N’，N’—二烷基—N—烷基酰脲基、N’，N’—二烷基—N—芳基酰脲基、N’—芳基—N—烷基酰脲基、N’—芳基—N—芳基酰脲基、N’，N’—二芳基—N—烷基酰脲基、N’，N’—二芳基—N—芳基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基—N—烷基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基—N—芳基酰脲基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、N—烷基—N—烷氧基羰基氨基、N—烷基—N—芳氧基羰基氨基、N—芳基—N—烷氧基羰基氨基、N—芳基—N—芳氧基羰基氨基、甲酸基、酰基、羧基、烷氧羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N—烷基氨基甲酰基、N，N—二烷基氨基甲酰基、N—芳基氨基甲酰基、N，N—二芳基氨基甲酰基、N—烷基—N—芳基氨基甲酰基、烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、磺基(—SO₃H)及其共轭碱基(称为磺酸根基(sulfonato，スルホナト基))、烷氧基磺酰基、芳氧基磺酰基、氨亚磺酰(スルフイナモイル，sulphinamoyl)基、N—烷基氨亚磺酰基、N，N—二烷基氨亚磺酰基、N—芳基氨亚磺酰基、N，N—二芳基氨亚磺酰基、N—烷基—N—芳基氨亚磺酰基、氨磺酰基、N—烷基氨磺酰基、N，N—二烷基氨磺酰基、N—芳基氨磺酰基、N，N—二芳基氨磺酰基、N—烷基—N—芳基氨磺酰基、膦酰基(—PO₃H₂)及其共轭碱基(称为膦酸根(ホスホナト，phosphonato)基)、二烷基膦酰基(—PO₃(alkyl)₂)“以下“alkyl”是指烷基。”、二芳基膦酰基(—PO₃(aryl)₂)“以下“aryl”是指芳基。”、烷基芳基膦酰基(—PO₃(alkyl)(aryl))、一烷基膦酰基(—PO₃(alkyl))及其共轭碱基(称为烷基膦酸根(ホスホナト，phosphonato)基)、一芳基膦酰基(—PO₃H(aryl))及其共轭碱基(称为芳基膦酸根基)、膦酰基氧基(—OPO₃H₂)及其共轭碱基(称为膦酸根氧基)、二烷基膦酰基氧基(—OPO₃H(alkyl)₂)、二芳基膦酰基氧 基(—OPO₃(aryl)₂)、烷基芳基膦酰基氧基(—OPO₃(alkyl)(aryl))、一烷基膦酰基氧基(—OPO₃H(alkyl))及其共轭碱基(称为烷基膦酸根氧基)、一芳基膦酰基氧基(—OPO₃H(aryl))及其共轭碱基(称为芳基膦酸根氧基)、氰基、硝基、芳基、链烯基、炔基、杂环基、甲硅烷基等。 

作为这些取代基中的烷基的具体例，可以举出上述的烷基。 

作为所述取代基中的芳基的具体例，可以举出苯基、联苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、米(mesityl)基、枯烯基、氯苯基、溴苯基、氯甲基苯基、羟基苯基、甲氧苯基、乙氧苯基、苯氧苯基、乙酸基苯基、苯甲酸基苯基、甲硫基苯基、苯硫基苯基、甲胺基苯基、二甲胺基苯基、乙酰胺基苯基、羧苯基、甲氧羰基苯基、乙氧苯基羰基、苯氧羰基苯基、N—苯羰基苯基、氰基苯基、磺基苯基、磺酸根苯基、膦酰基苯基、膦酸根苯基等。 

作为所述取代基中的链烯基的具体例，可以举出乙烯基、1—丙烯基、1—丁烯基、肉桂基、2—氯—1—乙烯基等。 

作为所述取代基中的炔基的具体例，可以举出乙炔基、1—丙炔基、1—丁炔基、三甲基甲硅烷基乙炔基等。 

作为所述取代基中的酰基(R⁰¹CO—)的R⁰¹，可以举出氢原子、所述的烷基、芳基等。 

在这些取代基中，优选卤原子(—F、—Br、—Cl、—I)、烷氧基、芳氧基、烷基硫代基、芳基硫代基、N—烷基氨基、N，N—二烷基氨基、酰氧基、N—烷基氨基甲酰氧基、N—芳基氨基甲酰氧基、酰胺基、甲酸基、酰基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、N—烷基氨基甲酰基、N，N—二烷基氨基甲酰基、N—芳基氨基甲酰基、N—烷基—N—芳基氨基甲酰基、磺基、磺酸根基(sulfonato，スルホナト基)、氨磺酰基、N—烷基氨磺酰基、N，N—二烷基氨磺酰基、N—芳基氨磺酰基、N—烷基—N—芳基氨磺酰基、膦酰基、膦酸根基、二烷基膦酰基、二芳基膦酰基、一烷基膦酰基、烷基膦酸根基、一芳基膦酰基、芳基膦酸根基、膦酰基氧基、膦酸根基氧基、芳基、链烯基等。 

另外，作为所述取代基中的杂环基，例如可以举出吡啶基、哌啶基等，作为所述取代基中的甲硅烷基，可以举出三甲基甲硅烷基等。

另一方面，作为取代烷基中的亚烷基，例如可以举出从所述碳原子数为1～20的烷基上除去任意一个氢原子而成为2价的有机残基的亚烷基，例如可以优选举出碳原子数为1～12的直链状的亚烷基、碳原子数为3～12的分支状的亚烷基以及碳原子数为5～10的环状的亚烷基等。 

作为这样通过组合取代基和亚烷基得到的取代烷基的优选具体例，可以举出氯甲基、溴甲基、2—氯乙基、三氟甲基、甲氧基甲基、异丙氧基甲基、丁氧基甲基、叔丁氧基丁基、甲氧基乙氧基乙基、烯丙氧基甲基、苯氧基甲基、苯氧甲基、甲硫基甲基、甲苯基硫代甲基、吡啶基甲基、四甲基哌啶基甲基、N—乙酰基四甲基哌啶基甲基、三甲基甲硅烷基甲基、甲氧基乙基、乙胺基乙基、二乙胺基丙基、吗啉代丙基、乙酰氧基甲基、苯甲酸基甲基、N—环己基氨基甲酰氧基乙基、N—苯基氨基甲酰氧基乙基、乙酰胺基乙基、N—甲基苯甲酰基氨基丙基、2—氧基乙基、2—氧基丙基、羧基丙基、甲氧羰基乙基、烯丙氧基羰基丁基、氯苯氧羰基甲基、氨基甲酰基甲基、N—甲基氨基甲酰基乙基、N，N—二丙基氨基甲酰基甲基、N—(甲氧苯基)氨基甲酰基乙基、N—甲基—N—(磺基苯基)氨基甲酰基甲基、磺基丁基、磺酸根基(sulfonato，スルホナト基)丁基、氨磺酰丁基、N—乙基氨磺酰甲基、N，N—二丙基氨磺酰丙基、N—甲苯基氨磺酰丙基、N，N—二丙基氨磺酰丙基、N—甲苯基氨磺酰丙基、N—甲基—N—(膦酰基苯基)氨磺酰辛基、膦酰基丁基、膦酸根基已基、二乙基膦酰基丁基、二苯基膦酰基丙基、甲基膦酰基丁基、甲基膦酸根基丁基、甲苯基膦酰基己基、甲苯基膦酸根基己基、膦酰基氧基丙基、膦酸根基氧基丁基、苄基、苯乙基、α—甲基苄基、1—甲基—1—苯乙基、对甲苄基、肉桂基、烯丙基、1—丙烯基甲基、2—丁烯基、2—甲代烯丙基、2—甲基丙烯基甲基、2—丙炔基、2—丁炔基、3—丁炔基等。 

作为所述芳基，例如可以举出苯环、2～3个苯环形成稠环而成的基、苯环与5员不饱和环形成稠环而成的基等。 

作为芳基的具体例，例如可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、芴基等。其中，更优选苯基、萘基。 

所述烷基也可以具有取代基，作为具有这样的取代基的芳基(以下有时也称为“取代芳基”。)，例如作为在所述芳基的环形成碳原子上的取代 基，可以举出具有去掉氢原子的—价的非金属原子团构成的基的取代基。 

作为所述芳基可具有的取代基，例如可以举出所述的烷基、取代烷基、作为所述烷基可具有的取代基显示的基。 

作为所述取代芳基的优选具体例，可以举出联苯基、甲苯基、二甲苯基、米(mesityl)基、枯烯基、氯苯基、溴苯基、氟苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基、羟苯基、甲氧苯基、甲氧基乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧苯基、甲硫基苯基、苯硫基苯基、乙胺基苯基、二乙胺基苯基、吗啉代苯基、乙酰氧基苯基、苯甲酸基苯基、N—环己基氨基甲酰氧基苯基、N—苯基氨基甲酰氧基苯基、乙酰胺基苯基、N—甲基苯甲酰基氨基苯基、羧苯基、甲氧羰基苯基、烯丙氧基羰基苯基、氯苯氧羰基苯基、氨基甲酰基苯基、N—甲基氨基甲酰基苯基、N，N—二丙基氨基甲酰基苯基、N—(甲氧苯基)氨基甲酰基苯基、N—甲基—N—(磺基苯基)氨基甲酰基苯基、磺基苯基、磺酸根基(sulfonato，スルホナト基)苯基、氨磺酰苯基、N—乙基氨磺酰苯基、N，N—二丙基氨磺酰苯基、N—甲苯基氨磺酰苯基、N—甲基—N—(膦酰基苯基)氨磺酰苯基、膦酰基苯基、膦酸根基苯基、二乙基膦酰基苯基、二苯基膦酰基苯基、甲基膦酰基苯基、甲基膦酸根基苯基、甲苯基膦酰基苯基、甲苯基膦酸根基苯基、烯丙基苯基、1—丙烯基甲基苯基、2—丁烯基苯基、2—甲基烯丙基苯基、2—甲基丙烯基苯基、2—丙炔基苯基、2—丁炔基苯基、3—丁炔基苯基等。 

作为所述链烯基(—C(R⁰²)＝C(R⁰³)(R⁰⁴))及炔基(—C≡C(R⁰⁵))，例如可以举出R⁰²、R⁰³、R⁰⁴及R⁰⁵为由一价的非金属原子团构成的基的基。 

作为R⁰²、R⁰³、R⁰⁴、R⁰⁵，例如举出氢原子、卤原子、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基等。作为它们的具体例，可以举出作为上述例子显示的基。其中，优选为氢原子、卤原子、碳原子数为1～10的直链状的烷基、分支状的烷基、环状的烷基。 

作为所述链烯基及炔基的优选具体例，可以举出乙烯基、1—丙烯基、1—丁烯基、1—戊烯基、1—己烯基、1—辛烯基、1—甲基—1—丙烯基、2—甲基—1—丙烯基、2—甲基—1—丁烯基、2—苯基—1—乙烯基、2—氯—1—乙烯基、乙炔基、1—丙炔基、1—丁炔基、苯基乙炔基等。 

作为所述杂环基，可以举出作为取代烷基的取代基例示的吡啶基等。

作为所述氧基(R⁰⁶O—)，可以使用R⁰⁶为去除氢原子的一价的非金属原子团构成的基的取代基。 

作为这样的氧基，可以举出烷氧基、芳氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、N—烷基氨基甲酰氧基、N—芳基氨基甲酰氧基、N，N—二烷基氨基甲酰氧基、N，N—二芳基氨基甲酰氧基、N—烷基—N—芳基氨基甲酰氧基、烷基硫氧基、芳基硫氧基、膦酰基氧基、膦酸根基氧基等。 

作为它们中的烷基以及芳基，可以举出所述作为烷基、取代烷基、芳基、取代芳基显示的基。另外，作为酰氧基中的酰基(R⁰⁷CO—)，可以举出R⁰⁷为作为前面的例子举出的烷基、取代烷基、芳基以及取代芳基的基。在这些取代基中，更优选烷氧基、芳氧基、酰氧基、芳基硫氧基。 

作为优选的氧基的具体例，可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、十二烷氧基、苄氧基、烯丙氧基、苯乙氧基、羧基乙氧基、甲氧羰基乙氧基、乙氧羰基乙氧基、甲氧基乙氧基、苯氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、吗啉代乙氧基、吗啉代丙氧基、烯丙氧基乙氧基乙氧基、苯氧基、甲苯氧基、二甲苯氧基、米(mesityl)氧基、米氧基、异丙苯氧基、甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、乙酰氧基、苯甲酸基、萘氧基、苯磺酰氧基、膦酰基氧基、膦酸根基氧基等。 

作为也含有酰胺基的氨基(R⁰⁸NH—、(R⁰⁹)(R⁰¹⁰)N—)，例如可以举出R⁰⁸、R⁰⁹、R⁰¹⁰为去除氢原子的一价的非金属原子团构成的基的取代基。其中，R⁰⁹、R⁰¹⁰也可以结合形成环。 

作为所述氨基，例如可以举出N—烷基氨基、N，N—二烷基氨基、N—芳基氨基、N，N—二芳基氨基、N—烷基—N—芳基氨基、酰胺基、N—烷基酰胺基、N—芳基酰胺基、酰脲基、N’—烷基酰脲基、N’，N’—二烷基酰脲基、N’—芳基酰脲基、N’，N’—二芳基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基酰脲基、N—烷基酰脲基、N—芳基酰脲基、N’—烷基—N—烷基酰脲基、N’—烷基—N—芳基酰脲基、N’，N’—二烷基—N—烷基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基酰脲基、N’，N’—二烷基—N—烷基酰脲基、N’，N’—二烷基—N’—芳基酰脲基、N’—芳基—N—烷基酰脲基、N’—芳基—N—芳基酰脲基、N’，N’—二芳基—N—烷基酰脲基、N’，N’—二芳基—N —芳基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基—N—烷基酰脲基、N’—烷基—N’—芳基—N—芳基酰脲基、烷氧羰基氨基、芳氧羰基氨基、N—烷基—N—烷氧羰基氨基、N—烷基—N—烷氧羰基氨基、N—芳基—N—烷氧羰基氨基、N—芳基—N—芳氧羰基氨基等。作为它们中的烷基及芳基，可以举出上述的作为烷基、取代烷基、芳基、以及取代芳基显示的基。另外，酰胺基、N—烷基酰胺基、N—芳基酰胺基中的酰基(R⁰⁷CO—)的R⁰⁷如上所述。其中，更优选N—烷基氨基、N，N—二烷基氨基、N—芳基氨基、酰胺基。 

作为氨基的优选具体例，可以举出甲胺基、乙胺基、二乙胺基、吗啉代基、哌啶基、吡咯代基、苯胺基、苯甲酰胺基、乙酰胺基等。 

作为所述磺酰基(R⁰¹¹—SO₂—)，例如可以举出R⁰¹¹为由一价的非金属原子团构成的基的取代基。 

作为这样的磺酰基，例如优选烷基磺酰基、芳基磺酰基等。作为它们中的烷基及芳基，可以举出上述的作为烷基、取代烷基、芳基、以及取代芳基显示的基。 

作为所述磺酰基的具体例，可以举出丁基磺酰基、苯磺酰基、氯苯基磺酰基等。 

如上所述，所述磺酸根基(sulfonato，スルホナト基)(—SO₃ ^-)是指磺基(—SO₃H)的共轭碱阴离子基，通常优选与对阳离子一起使用。 

作为这样的对阳离子，可以适当选择使用通常已知的对阳离子，例如鎓类(例如铵类、锍类、鏻类、碘鎓类、叠氮鎓(アジ_ニウム)类等)、金属离子类(例如Na⁺、K⁺、Ca²+、Zn²⁺等)。 

作为所述羰基(R⁰¹³—CO—)，可以使用R⁰¹³为由一价的非金属原子团构成的基的取代基。 

作为这样的羰基，例如可以举出甲酰基、酰基、羧基、烷氧羰基、芳氧羰基、氨基甲酰基、N—烷基氨基甲酰基、N，N—二烷基氨基甲酰基、N—芳基氨基甲酰基、N，N—二芳基氨基甲酰基、N—烷基—N’—芳基氨基甲酰基等。作为它们中的烷基及芳基，可以举出上述作为烷基、取代烷基、芳基、以及取代芳基显示的基。 

作为所述羰基，可以举出甲酰基、酰基、羧基、烷氧羰基、芳氧羰基、 氨基甲酰基、N—烷基氨基甲酰基、N，N—二烷基氨基甲酰基、N—芳基氨基甲酰基，进而更优选甲酸基、酰基、烷氧羰基以及芳氧羰基。 

作为所述羰基的具体例，可以举出甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、甲氧羰基、乙氧羰基、烯丙氧基羰基、二甲胺基苯基乙烯基羰基、甲氧羰基甲氧羰基、N—甲基氨基甲酰基、N—苯基氨基甲酰基、N，N—二乙基氨基甲酰基、吗啉代羰基等。 

作为所述亚磺酰基(R⁰¹⁴—SO—)，可以使用R⁰¹⁴为由一价的非金属原子团构成的基的取代基。 

作为这样的亚磺酰基，例如可以举出烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基、氨亚磺酰基、N—烷基氨亚磺酰基、N，N—二烷基氨亚磺酰基、N—芳基氨亚磺酰基、N，N—二芳基氨亚磺酰基、N—烷基—N—芳基氨亚磺酰基等。作为它们中的烷基及芳基，可以举出所述作为烷基、取代烷基、芳基、以及取代芳基显示的基。其中，更优选烷基亚磺酰基、芳基亚磺酰基。 

作为这样的取代亚磺酰基的具体例，可以举出己基亚磺酰基、苄基亚磺酰基、甲苯基亚磺酰基等。 

所述膦酰基是指膦酰基上的羟基的一个或两个被其他有机氧基取代的基，例如可以举出上述的二烷基膦酰基、二芳基膦酰基、烷基芳基膦酰基、一烷基膦酰基、一芳基膦酰基等。其中，更优选二烷基膦酰基、二芳基膦酰基。 

作为所述膦酰基的更优选的具体例，可以举出二乙基膦酰基、二丁基膦酰基、二苯基膦酰基等。 

如上所述，所述膦酸根基(—PO₃H₂ ^-、—PO₃H^-)是指膦酰基(—PO₃H₂)的来源于酸第一解离或酸第二解离的共轭碱阴离子基。通常优选与对阳离子一起使用。作为这样的对阳离子，可以适当选择通常已知的对阳离子，例如各种鎓类(铵类、锍类、鏻类、碘鎓类、叠氮鎓(アジニウム)类等)、金属离子类(Na⁺、K⁺、Ca²⁺、Zn²⁺等)。 

所述膦酸根基是指上述的膦酰基中将一个羟基取代成有机氧基的基的共轭碱阴离子基，作为这样的具体例，可以举出上述的一烷基膦酰基(—PO₃H(alkyl))、一芳基膦酰基(—PO₃H(aryl))的共轭碱。 

所述芳香族基可以利用通常的自由基聚合法制造一种以上含有芳香 族基的自由基聚合性化合物和一种以上根据需要作为共聚合成分的其他自由基聚合性化合物。 

作为所述自由基聚合法，通常可以举出例如悬浮聚合法或者溶液聚合法等。 

作为所述含有芳香族基的自由基聚合性化合物，例如优选下述结构式(A)表示的化合物、下述结构式(B)表示的化合物。 

其中，所述结构式(A)中，R₁、R₂及R₃表示氢原子或1价的有机基。L表示有机基，也可以没有。Ar表示可含有杂环的芳香族基。 

结构式(B) 

其中，所述结构式(B)中，R₁、R₂及R₃以及Ar表示与所述结构式(A)相同的意义。 

作为所述L的有机基，例如为由非金属原子构成的多价的有机基，可以举出由1～60个碳原子、0～10个氮原子、0～50个氧原子、1～100个氢原子以及0～20个硫原子构成的有机基。 

更具体而言，作为所述L的有机基，可以举出组合下述结构单元而构成的有机基、多价萘、多价蒽等。

所述L的连结基也可以具有取代基，作为所述取代基，可以举出所述的卤原子、羟基、羧基、磺酸根基、硝基、氰基、酰胺基、氨基、烷基、链烯基、炔基、芳基、取代氧基、取代磺酰基、取代羰基、取代亚磺酰基、磺基、膦酰基、膦酸根基、甲硅烷基、杂环基。 

在所述结构式(A)表示的化合物以及结构式(B)表示的化合物中，从灵敏度的点出发，优选结构式(A)。另外，在所述结构式(A)中，从稳定性的点出发，优选具有连结基，作为所述L的有机基，从非图像部的除去性(显影性)的点出发，优选碳原子数为1～4的亚烷基。 

所述结构式(A)表示的化合物成为含有下述结构式(I)的结构单元的化合物。另外，所述结构式(B)表示的化合物成为含有下述结构式(II)的结构单元的化合物。其中，从贮存稳定性的点出发，优选结构式(I)的结构单元。 

结构式(II) 

其中，在所述结构式(I)及结构式(II)中，R₁、R₂及R₃以及Ar表示与所述结构式(A)及结构式(B)相同的意义。 

在所述结构式(I)及结构式(II)中，从非图像部的除去性(显影性)的点出发，优选R₁及R₂为氢原子，R₃为甲基。 

另外，从非图像部的除去性(显影性)的点出发，所述结构式(I)的L优选为碳原子数为1～4的亚烷基。 

作为所述结构式(A)表示的化合物或结构式(B)表示的化合物，没有特别限制，例如可以举出以下的例示化合物(1)～(30)。

在所述例示化合物(1)～(30)中，优选(5)、(6)、(11)、(14)及(28)，其中，从贮存稳定性及显影性的点出发，更优选(5)及(6)。 

对所述可含有杂环的芳香族基在所述粘合剂中的含量，没有特别限制，在将高分子化合物的全部结构单元设为100mol％的情况下，优选含有20mol％以上所述结构式(I)表示的结构单元，更优选含有30～45mol％。如果所述含量不到20mol％，则贮存稳定性可能会变低，如果超过45mol％，则显影性可能会降低。 

—乙烯性不饱和键— 

作为所述乙烯性不饱和键，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选下述结构式(III)～(V)表示的乙烯性不饱和键。 

结构式(III) 

结构式(IV) 

结构式(V) 

其中，所述结构式(III)～(V)中，R₁～R₃及R₅～R₁₁彼此独立，并表示1价有机基。X及Y彼此独立，表示氧原子、硫原子或—N—R₄。Z表示氧原子、硫原子、—N—R₄或亚苯基。R₄表示氢原子或1价的有机基。 

在所述结构式(III)中，作为R₁，彼此独立，例如优选为氢原子、可具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的点出发，更优选氢原子、甲基。 

作为所述R₂及R₃，彼此独立，例如可以举出氢原子、卤原子、氨基、羧基、烷氧羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，从自由基反应性高的点出发，更优选氢原子、羧基、烷氧羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。 

作为所述R₄，例如优选可具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的点出发，更优选氢原子、甲基、乙基、异丙基。 

在此，作为可以导入的所述取代基，例如可以举出烷基、链烯基、炔基、芳基、烷氧基、芳氧基、卤原子、氨基、烷基氨基、芳基氨基、羧基、烷氧羰基、磺基、硝基、氰基、酰胺基、烷基磺酰基、芳基磺酰基等。

在所述结构式(IV)中，作为R₄～R₈，例如优选氢原子、卤原子、氨基、二烷基氨基、羧基、烷氧羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，更优选氢原子、羧基、烷氧羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。 

作为可以导入的所述取代基，例示在所述结构式(III)中举出的取代基。 

在所述结构式(V)中，作为R₉，例如优选氢原子、可具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的点出发，更优选氢原子、甲基。 

作为所述R₁₀、R₁₁，彼此独立，例如优选氢原子、卤原子、氨基、二烷基氨基、羧基、烷氧羰基、磺基、硝基、氰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳氧基、可具有取代基的烷基氨基、可具有取代基的芳基氨基、可具有取代基的烷基磺酰基、可具有取代基的芳基磺酰基等，从自由基反应性高的点出发，更优选氢原子、羧基、烷氧羰基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基。 

在此，作为可以导入的所述取代基，例示在结构式(III)中举出的取代基。 

作为所述Z，表示氧原子、硫原子、—NR₁₃—或可具有取代基的亚苯基。R₁₃表示可具有取代基的烷基等，从自由基反应性高的点出发，优选氢原子、甲基、乙基、异丙基。 

在所述结构式(III)～(V)表示的侧链乙烯性不饱和键中，从聚合反应性高、灵敏度高的点出发，更优选结构式(III)。 

对所述乙烯性不饱和键在所述高分子化合物中的含量，没有特别限制，优选为0.5～3.0meq/g，更优选为1.0～3.0meq/g，特别优选为1.5～2.8meq/g。如果所述含量不到0.5meq/g，则固化反应量少，因而可能会成为低灵敏度，如果多于3.0meq/g，则贮存稳定性可能会劣化。 

在此，所述含量(meq/g)例如可以利用碘值滴定来测定。 

作为向侧链导入所述结构式(III)表示的乙烯性不饱和键的方法，没 有特别限制，例如可以通过使在侧链含有羧基的高分子化合物与乙烯性不饱和键及含有环氧基的化合物发生加成反应得到。 

所述在侧链具有羧基的高分子化合物，例如可以利用通常的自由基聚合法制造一种以上含有羧基的自由基聚合性化合物和一种以上根据需要作为共聚合成分的其他自由基聚合性化合物，作为所述自由基聚合法，例如可以举出悬浮聚合法、溶液聚合法等。 

作为所述具有乙烯性不饱和键及环氧基的化合物，只要具有它们即可，没有特别限制，例如优选下述结构式(VI)表示的化合物及(VII)表示的化合物，从高灵敏度化的点出发，特别优选使用结构式(VI)表示的化合物。 

结构式(VI) 

其中，所述结构式(VI)中，R₁表示氢原子或甲基。L₁表示有机基。 

结构式(VII) 

其中，所述结构式(VII)中，R₂表示氢原子或甲基。L₂表示有机基。W表示4～7员环的脂肪族烃基。 

在所述结构式(VI)表示的化合物及结构式(VII)表示的化合物中，优选结构式(VI)表示的化合物，在所述结构式(VI)中，更优选L1为碳原子数为1～4的亚烷基。 

作为所述结构式(VI)表示的化合物及结构式(VII)表示的化合物，没有特别限制，例如可以举出以下的例示化合物(31)～(40)。 

作为所述含有羧基的自由基聚合性化合物，例如包括丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、异巴豆酸、马来酸、对羧基苯乙烯等，特别优选丙烯酸、甲基丙烯酸等。 

作为所述向侧链的导入反应，例如可以通过将三乙胺、苄基甲胺等叔胺，十二烷基三甲基氯化铵、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵等季铵盐，吡啶，三苯膦等作为催化剂，在有机溶剂中，使其在反应温度50～150℃下反应数小时～数十小时来进行。 

作为所述在侧链具有乙烯性不饱和键的结构单元，没有特别限制，例如优选下述结构式(i)表示的结构、结构式(ii)表示的结构以及利用它们的混合表示的结构。

结构式(i) 

结构式(ii) 

其中，所述结构式(i)及(ii)中，Ra～Rc表示氢原子或1价的有机基。R₁表示氢原子或甲基。L₁表示可具有连结基的有机基。 

在所述结构式(i)表示的结构或结构式(ii)表示的结构的高分子化合物中的含量，优选为20mol％以上，更优选为20～50mol％，特别优选为25～45mol％。如果所述含量不到20mol％，则固化反应量少，因而可能会成为低灵敏度，如果多于50mol％，则贮存稳定性可能会劣化。 

—羧基— 

在本发明的高分子化合物中，为了提高非图像部除去性等各性能，也可以具有羧基。 

所述羧基可以通过使具有酸基的自由基聚合性化合物发生共聚合而向所述高分子化合物赋予。 

作为这样的具有自由基聚合性的酸基，例如可以举出羧酸、磺酸、磷酸基等，特别优选羧酸。 

作为所述具有羧基的自由基聚合性化合物，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、异巴豆酸、马来酸、对羧基苯乙烯等，其中，优选丙烯酸、甲基丙烯酸、对羧基苯乙烯。它们可以单独使用一种，也可以并用两种以上。 

所述羧基在粘合剂中的含量，为1.0～4.0meq/g，优选为1.5～3.0meq/g。所述含量不到1.0meq/g时，显影性有时会变得不充分，如果超过4.0meq/g，则可能会变得容易受到碱水显影引起的图像强度受损。 

在此，所述含量(meq/g)可以利用例如使用氢氧化钠的滴定来测定。 

为了提高图像强度等各性能，本发明的高分子化合物除了所述自由基聚合性化合物以外，还优选使其他自由基聚合性化合物共聚合。

作为所述其他自由基聚合性化合物，例如可以举出从丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、苯乙烯类等中选择的自由基聚合性化合物等。 

具体而言，可以举出丙烯酸烷基酯等丙烯酸酯类，丙烯酸芳基酯，甲基丙烯酸烷基酯等甲基丙烯酸酯类，甲基丙烯酸芳基酯，苯乙烯、烷基苯乙烯等苯乙烯类，烷氧基苯乙烯，卤代苯乙烯等。 

作为所述丙烯酸酯类，烷基的碳原子数优选为1～20，例如可以举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸乙基己基酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸叔辛酯、丙烯酸氯乙基酯、丙烯酸2，2—二甲基羟基丙基酯、丙烯酸5—羟基戊基酯、三羟甲基丙烷一丙烯酸酯、季戊四醇一丙烯酸酯、缩水甘油丙烯酸酯、丙烯酸苄基酯、丙烯酸甲氧基苄基酯、丙烯酸糠酯、四氢糠醇丙烯酸酯等。 

作为所述丙烯酸芳基酯，例如可以举出丙烯酸苯基酯等。 

作为所述甲基丙烯酸酯类，烷基的碳原子数优选为1～20，例如可以举出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸戊基酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苄基酯、甲基丙烯酸氯苄基酯、甲基丙烯酸辛基酯、甲基丙烯酸4—羟基丁基酯、甲基丙烯酸5—羟基戊基酯、甲基丙烯酸2，2—二甲基—3—羟基丙基酯、三羟甲基丙烷一甲基丙烯酸酯、季戊四醇一甲基丙烯酸酯、缩水甘油基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸糠酯、四氢糠醇甲基丙烯酸酯等。 

作为所述甲基丙烯酸芳基酯，例如可以举出甲基丙烯酸苯基酯、甲基丙烯酸甲苯基酯、甲基丙烯酸萘基酯等。 

作为所述苯乙烯类，例如可以举出甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、异丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、环己基苯乙烯、癸基苯乙烯、苄基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、三氟甲基苯乙烯、乙氧基甲基苯乙烯、乙酸基甲基苯乙烯等。 

作为所述烷氧基苯乙烯，例如可以举出甲氧基苯乙烯、4—甲氧基—3—甲基苯乙烯、二甲氧基苯乙烯等。 

作为所述卤代苯乙烯，例如可以举出氯苯乙烯、二氯苯乙烯、三氯苯乙烯、四氯苯乙烯、五氯苯乙烯、溴苯乙烯、二溴苯乙烯、碘苯乙烯、氟苯乙烯、三氟苯乙烯、2—溴—4—三氟甲基苯乙烯、4—氟—3—三氟甲基 苯乙烯等。 

这些自由基聚合性化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上。 

作为在合成本发明的高分子化合物时使用的溶媒，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出二氯化乙烯、环己酮、甲基乙基甲酮、丙酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、2—甲氧基乙基乙酸酯、1—甲氧基—2—丙醇、1—甲氧基—2—丙基乙酸酯、N，N—二甲基甲酰胺、N，N—二甲基乙酰胺、二甲亚砜、甲苯、醋酸乙酯、乳酸乙酯等。它们可以单独使用一种，也可以混合使用两种以上。 

本发明的高分子化合物的分子量以质均分子量优选为10,000以上且不到100,000，更优选为10,000～50,000。所述质均分子量如果低于10，000，则固化膜强度可能会不足，如果超过100,000，则显影性存在降低的趋势。 

另外，在本发明的高分子化合物中也可以含有未反应的单体。这种情况下，所述单体在所述高分子化合物中的含量优选为15质量％以下。 

本发明中的高分子化合物可以单独使用一种，也可以混合使用两种以上。另外，也可以混合使用其他高分子化合物。 

作为所述其他高分子化合物的例子，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出在特开昭51—131706号、特开昭52—94388号、特开昭64—62375号、特开平2—97513号、特开平3—289656号、特开平61—243869号、特开2002—296776号等各公报中记载的具有酸性基的环氧丙烯酸酯化合物。 

在此，环氧丙烯酸酯化合物是指具有环氧化合物来源的骨架而且在分子中含有乙烯性不饱和双键和羧基的化合物。这样的化合物例如可以通过使多官能环氧化合物与含羧基单体反应，进而使其加成多元酸酐的方法等得到。 

另外，作为所述其他高分子化合物的例子，除了本发明以外，还可以举出在侧链具有(甲基)丙烯酰基及具有酸性基的乙烯共聚物等。 

这种情况下，所述其他高分子化合物在所述本发明的高分子化合物中的含量，优选为50质量％以下，更优选为30质量％以下。 

所述粘合剂在所述感光性组合物中的固体成分含量优选为5～80质 量％，更优选为10～70质量％。该固体成分含量如果不到5质量％，则感光层的膜强度容易变弱，该感光层的表面的粘性(tack)有时会恶化，如果超过80质量％，则曝光灵敏度可能会降低。 

[聚合性化合物] 

作为所述聚合性化合物，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。 

作为所述乙烯性不饱和键，例如可以举出(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯基、乙烯酯或乙烯醚等的乙烯基、烯丙醚或烯丙酯等的烯丙基等。 

作为所述具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出从具有(甲基)丙烯酸基的单体中选择的至少一种。 

作为所述具有(甲基)丙烯酸基的单体，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出聚乙二醇一(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇一(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙基酯等单官能丙烯酸酯或单官能甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基乙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(丙烯酰基羟基丙基)醚、三(丙烯酰基羟基乙基)三聚异氰酸酯、三(丙烯酰基羟基乙基)氰尿酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷或甘油、双酚等向多官能醇加成反应环氧乙烷或环氧丙烷之后进行(甲基)丙烯酸酯化的产物；特公昭48—41708号、特公昭50—6034号、特开昭51—37193号等各公报中记载的氨基甲酸酯丙烯酸酯类；特开昭48—64183号、特公昭49—43191号、特公昭52—30490号等各公报中记载的聚酯丙烯酸酯类；作为环氧树脂与(甲基)丙烯酸的反应生成物的环氧丙烯酸酯类等多官能丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等。其中，特别优选三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。

所述聚合性化合物在所述感光性组合物固体成分中的固体成分含量，优选为5～50质量％，更优选为10～40质量％。如果该固体成分含量不到5质量％，则会产生显影性的恶化、曝光灵敏度的降低等问题，如果超过50质量％，则感光层的粘合性有时会变得过强。 

[光聚合引发剂] 

作为光聚合引发剂，只要具有引发上述聚合性化合物的聚合的能力即可，没有特别限制，可以从公知的光聚合引发剂中适当选择，例如优选对从紫外线区域到可见的光线具有感光性的光聚合引发剂，可以为与光激发的增感剂产生某种作用，产生活性自由基的活化剂，也可以为对应单体的种类来引发阳离子聚合的引发剂。 

另外，上述光聚合引发剂优选至少含有1种在约300～800nm(更优选为330～500nm)的范围内至少具有约50的摩尔消光系数的成分。 

作为上述光聚合引发剂，例如可以举出卤化烃衍生物(例如具有三嗪骨架的、具有噁二唑骨架的卤化烃衍生物等)、六芳基联咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鎓盐、芳环烯金属衍生物类等。其中，从感光层的灵敏度、保存性以及感光层与印制线路板形成用基板的粘附性等观点出发，优选具有三嗪骨架的卤代烃、肟衍生物、酮化合物、六芳基联咪唑系化合物。 

作为所述六芳基联咪唑，例如可以举出2，2’—双(2—氯苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(o—氟苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2—溴苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2，4—二氯苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2—氯苯基)—4，4’，5，5’—四(3—甲氧基苯基)联咪唑、2，2’—双(2—氯苯基)—4，4’，5，5’—四(4—甲氧基苯基)联咪唑、2，2’—双(4—甲氧基苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2，4—二氯苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2—硝基苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2—甲基苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、2，2’—双(2—三氟甲基苯基)—4，4’，5，5’—四苯基联咪唑、WO00/52529号公报中记载的化合物等。 

所述联咪唑类例如可以容易地利用在Bull.Chem.Soc.Japan，33，565 (1960)以及J.Org.Chem，36(16)2262(1971)中公开的方法合成。 

作为具有三嗪骨架的卤化烃化合物，例如可以举出若林等著，Bull.Chem.Soc.Japan，42，2924(1969)记载的化合物、英国专利1388492号说明书中记载的化合物、特开昭53—133428号公报中记载的化合物、德国专利3337024号说明书中记载的化合物、F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.；29，1527(1964)记载的化合物、特开昭62—58241号公报记载的化合物、特开平5—281728号公报记载的化合物、特开平5—34920号公报记载的化合物、美国专利第4212976号说明书记载的化合物等。 

作为上述若林等著，Bull.Chem.Soc.Japan，42，2924(1969)记载的化合物，例如可以举出2—苯基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—氯苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—甲苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—甲氧基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(2，4—二氯苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2，4，6—三(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—甲基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—正壬基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪及2—(α，α，β—三氯乙基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪等。 

作为上述英国专利第1388492号说明书中记载的化合物，例如可以举出2—苯乙烯基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—甲基苯乙烯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—甲氧基苯乙烯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—甲氧基苯乙烯基)—4—氨基—6—三氯甲基—1，3，5—三嗪等。 

作为上述特开昭53—133428号公报中记载的化合物，例如可以举出2—(4—甲氧基—萘—1—酰基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—乙氧基—萘—1—酰基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—[4—(2—乙氧基乙基)—萘—1—酰基]—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4，7—二甲氧基—萘—1—酰基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪及2—(苊并(アセナフト)—5—酰基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪等。 

作为上述德国专利3337024号说明书中记载的化合物，例如可以举出 2—(4—苯乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—(4—甲氧基苯乙烯基)苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(1—萘基亚乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—氯苯乙烯基苯基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—噻吩—2—亚乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—噻吩—3—亚乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—呋喃—2—亚乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪及2—(4—苯并呋喃—2—亚乙烯基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪等。 

作为上述F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.；29，1527(1964)记载的化合物，例如可以举出2—甲基—4，6—双(三溴甲基)—1，3，5—三嗪、2，4，6—三(三溴甲基)—1，3，5—三嗪、2，4，6—三(二溴甲基)—1，3，5—三嗪、2—氨基—4—甲基—6—三(溴甲基)—1，3，5—三嗪及2—甲氧基—4—甲基—6—三氯甲基—1，3，5—三嗪等。 

作为上述特开昭62—58241号公报中记载的化合物，例如可以举出2—(4—苯基乙炔基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—萘基—1—乙炔基苯基—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—(4—三乙炔基)苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—(4—甲氧基苯基)乙炔基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—(4—异丙基苯基乙炔基)苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(4—(4—乙基苯基乙炔基)苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪等。 

作为上述特开平5—281728号公报中记载的化合物，例如可以举出2—(4—三氟甲基苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(2，6—二氟苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(2，6—二氯苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪、2—(2，6—二溴苯基)—4，6—双(三氯甲基)—1，3，5—三嗪等。 

作为上述特开平5—34920号公报中记载的化合物，例如可以举出2，4—双(三氯甲基)—6—[4—(N，N—二乙氧基羰基甲基氨基)—3—溴苯基]—1，3，5—三嗪、美国专利第4239850号说明书中记载的三卤代甲 基—s—三嗪化合物、进而2，4，6—三(三氯甲基)—s—三嗪、2—(4—氯苯基)—4，6—双(三溴甲基)—s—三嗪等。 

作为上述美国专利第4212976号说明书中记载的化合物。例如可以举出具有噁二唑骨架的化合物(例如2—三氯甲基—5—苯基—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(4—氯苯基)—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(1—萘基)—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(2—萘基)—1，3，4—噁二唑、2—三溴甲基—5—苯基—1，3，4—噁二唑、2—三溴甲基—5—(2—萘基)—1，3，4—噁二唑；2—三氯甲基—5—苯乙烯基—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(4—氯苯乙烯基)—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(4—甲氧基苯乙烯基)—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(1—萘基)—1，3，4—噁二唑、2—三氯甲基—5—(4—正丁氧基苯乙烯基)—1，3，4—噁二唑、2—三溴甲基—5—苯乙烯基—1，3，4—噁二唑等)等。 

作为在本发明中优选使用的肟衍生物，例如可以举出下述结构式(1)～(34)表示的化合物。

结构式(1)                                结构式(2) 

结构式(3)                            结构式(4) 

结构式(5)                             结构式(6) 

结构式(7)                              结构式(8) 

结构式(9)                         结构式(10) 

结构式(11)

结构式(12) 

结构式(13) 

结构式(14) 

结构式(17)                            结构式(18) 

结构式(19)

结构式(20)                             结构式(21) 

结构式(26)

结构式(28) 

作为上述酮化合物，例如可以举出苯甲酮、2—甲基苯甲酮、3—甲基苯甲酮、4—甲基苯甲酮、4—甲氧基苯甲酮、2—氯苯甲酮、4—氯苯甲酮、4—溴苯甲酮、2—羧基苯甲酮、2—乙氧基羰基苯甲酮、苯甲酮四羧酸或 其四甲基酯、4，4’—双(二烷基氨基)苯甲酮类(例如4，4’—双(二甲胺基)苯甲酮、4，4’—双(二环己基氨基)苯甲酮、4，4’—双(二乙基氨基)苯甲酮、4，4’—双(二羟基乙基氨基)苯甲酮、4—甲氧基—4’—二甲胺基苯甲酮、4，4’—二甲氧基苯甲酮、4—二甲胺基苯甲酮、4—二甲胺基乙酰苯、二苯甲酰、蒽醌、2—叔丁基蒽醌、2—甲基蒽醌、菲醌、氧杂蒽酮、噻吨酮、2—氯—噻吨酮、2，4—二乙基噻吨酮、芴酮、2—苄基—二甲胺基—1—(4—吗啉代苯基)—1—丁酮、2—甲基—1—[4—(甲基硫代)苯基]—2—吗啉代—1—丙酮、2—羟基—2—甲基[4(1—甲基乙烯基)苯基]丙醇寡聚物、苯偶姻、苯偶姻醚类(例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻苯基醚、苄基二甲基缩酮)、吖啶酮、氯吖啶酮、N—甲基吖啶酮、N—丁基吖啶酮、N—丁基—氯吖啶酮等。 

作为所述芳环烯金属衍生物类，例如可以举出双(η⁵—2，4—环戊二烯—1—酰基)—双(2，6—二氟—3—(1H—吡咯—1—酰基)—苯基)钛、η⁵—环戊二烯基—η⁶—枯烯基—铁(1+)—六氟磷酸盐(1—)等)、特开昭53—133428号公报、特公昭57—1819号公报、同57—6096号公报及美国专利第3615455号说明书中记载的化合物等。 

另外，作为上述以外的光聚合引发剂，可以举出吖啶衍生物(例如9—苯基吖啶、1，7—双(9，9’—吖啶基)庚烷等)、N—苯基甘氨酸等，聚卤素化合物(例如四溴化碳、苯基三溴甲基砜、苯基三氯甲基甲酮等)、香豆素类(例如3—(2—苯并呋喃甲酰基)—7—二乙基氨基香豆素、3—(2—苯并呋喃甲酰基)—7—(1—吡咯烷基)香豆素、3—苯甲酰—7—二乙基氨基香豆素、3—(2—甲氧基苯甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3—(4—二甲基氨基苯甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3，3’—羰基双(5，7—二—正丙氧基香豆素)、3，3’—羰基双(7—二乙基氨基香豆素)、3—苯甲酰—7—甲氧基香豆素、3—(2—呋喃甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3—(4—二乙基氨基肉桂酰基)—7—二乙基氨基香豆素、7—甲氧基—3—(3—吡啶基羰基)香豆素、3—苯甲酰—5，7—二丙氧基香豆素、7—苯并三唑—2—酰基香豆素、还有特开平5—19475号、特开平7—271028号、特开2002—363206号、特开2002—363207号、特开2002—363208 号、特开2002—363209号公报等中记载的香豆素化合物等)，胺类(例如4—二甲胺基苯甲酸乙酯、4—二甲胺基苯甲酸正丁酯、4—二甲胺基苯甲酸苯乙基酯、4—二甲胺基苯甲酸2—苯二酰亚氨基乙基酯、4—二甲胺基苯甲酸2—甲基丙烯酰氧基乙基酯、环戊烷双(4—二甲基氨基安息香酸酯)、3—二甲胺基苯甲酸苯乙基酯、环戊烷酯、4—二甲氨基苯甲醛、2—氯—4—二甲氨基苯甲醛、4—二甲胺基苄醇、乙基(4—二甲胺基苯甲酰)乙酸酯、4—哌啶基乙酰苯、4—二甲胺基苯偶姻、N，N—二甲基—4—二甲基甲苯胺、N，N—二乙基—3—氨基苯乙醚、三苄胺、二苄基苯胺、N—甲基—N—苯基苄基胺、4—溴—N，N—二甲基替苯胺、三(十二烷基)胺、氨基荧烃类(ODB、ODBII等)、结晶紫内酯、无色结晶紫等)、酰基膦化氧类(例如双(2，4，6—三甲基苯甲酰)—苯基膦化氧、双(2，6—二甲氧基苯甲酰)—2，4，4—三甲基—戊基苯基膦化氧、LucirinTPO等)等。 

进而，还可以举出美国专利第2367660号说明书中记载的连位聚缩酮基(ビシナルポリケタルドニル)化合物、美国专利第2448828号说明书中记载的偶因醚化合物、美国专利第2722512号说明书中记载的用α—烃取代的芳香族偶因化合物、美国专利第3046127号说明书及美国专利第2951758号说明书中记载的多环醌化合物、特开2002-229194号公报中记载的有机硼化合物、自由基产生剂、三芳基锍盐(例如与六氟化锑或六氟磷酸盐的盐)、鏻盐化合物(例如(苯基硫代苯基)二苯基锍盐等)(作为阳离子聚合引发剂为有效)、WO01/71428号公报中记载的鎓盐化合物等。 

所述光聚合引发剂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。作为2种以上的组合，例如可以举出美国专利第3549367号说明书中记载的六芳基联咪唑与4—氨基酮类的组合、特公昭51—48516号公报中记载的苯并噻唑化合物与三卤甲基—s—三嗪化合物的组合、另外还有芳香族酮化合物(例如噻吨酮等)与氢给与体(例如含二烷基氨基化合物、苯酚化合物等)的组合、六芳基联咪唑与二茂钛的组合、香豆素类与二茂钛与苯基甘氨酸类的组合等。 

作为所述光聚合引发剂的特别优选的例子，可以举出在后述的曝光中可以对应波长450nm的激光的所述膦化氧类、所述α—氨基烷基酮类、组 合所述具有三嗪骨架的卤代烃化合物与后述的作为增感剂的胺化合物的复合光引发剂、六芳基联咪唑化合物、二茂钛等。 

另外，还优选组合α—氨基烷基酮类与噻吨酮类等芳香族酮化合物作为增感剂的光聚合引发剂。 

所述光聚合引发剂在所述感光性组合物中的含量优选为0.1～30质量％，更优选为0.5～20质量％，特别优选为0.5～15质量％。 

[碱不溶性的热交联剂] 

作为所述碱不溶性的热交联剂，没有特别限制，可以根据目的适当选择，为了改良用所述感光性组合物形成的感光层在固化后的膜强度，在不给显影性等带来不良影响的范围内，例如可以使用含有环氧化合物的化合物。 

作为所述环氧化合物，例如可以举出联二甲苯酚型或联酚型环氧树脂(“YX4000日本环氧树脂(Japan Epoxy Resin)公司制”等)或它们的混合物、具有三聚异氰酸酯骨架等的杂环式环氧树脂(“TEIPIC；日产化学工业公司制”、“アラルダイトPT810；千叶特殊化学药品(CIBASPECIALTY CHEMICALS)公司制”等)、双酚A型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、卤素化环氧树脂(例如低溴化环氧树脂、高卤素化环氧树脂、溴化苯酚酚醛清漆型环氧树脂等)、含丙烯基双酚A型环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、二苯基二甲醇型环氧树脂、苯酚联苯撑型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂(“HP—7200、HP—7200H；大日本油墨化学工业公司制”等)、缩水甘油胺型环氧树脂(二氨基二苯基甲烷型环氧树脂、二缩水甘油基苯胺、三缩水甘油基氨基苯酚等)、缩水甘油酯型环氧树脂(邻苯二甲酸二缩水甘油基酯、己二酸二缩水甘油基酯、六氢化邻苯二甲酸二缩水甘油基酯、二聚酸二缩水甘油基酯等)、乙内酰脲型环氧树脂、脂环式环氧树脂(3，4—环氧基环己基甲基—3’，4’—环氧基环己烷羧酸酯、双(3，4—环氧基环己基甲基)己二酸酯、二环戊二烯二环氧化物、“GT—300、GT—400、ZEHPE3150；ダイセル化学工业制”等)、酰亚胺型脂环式环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、双酚A型酚醛清漆型环氧树脂、四苯酚基乙 烷型环氧树脂、邻苯二甲酸缩水甘油基酯树脂、四缩水甘油基二甲苯酰基乙烷树脂、含萘基环氧树脂(萘酚芳烷基型环氧树脂、萘酚酚醛清漆型环氧树脂、4官能萘型环氧树脂、作为市售品的“ESN—190、ESN—360；新日铁化学公司制”、“HP—4032、EXA—4750、EXA—4700；大日本油墨化学工业公司制”等)、利用苯酚化合物与二乙烯基苯或二环戊二烯等二烯烃化合物的加成反应得到的聚苯酚化合物与表氯醇的反应物、用过乙酸等环氧化4—乙烯基环己烯—1—氧化物的开环聚合物得到的产物、具有线状含磷结构的环氧树脂、具有环状含磷结构的环氧树脂、α—甲基芪型液晶环氧树脂、二苯甲酰氧化苯型液晶环氧树脂、苯偶氮基型液晶环氧树脂、偶氮甲基苯基型液晶环氧树脂、联萘型液晶环氧树脂、连氮型环氧树脂、甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚合系环氧树脂(“CP—50S、CP—50M；日本油脂公司制”等)、环己基马来酰亚胺与甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚合环氧树脂、双(缩水甘油氧基苯基)芴型环氧树脂等，但不被这些所限定。这些环氧树脂可以单独使用一种或并用两种以上。 

另外，除了可以使用至少在1分子中含有2个在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物，特别优选含有β位被烷基取代的环氧基(更具体而言β—烷基取代缩水甘油基等)的化合物。 

所述至少含有在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物可以为1分子中含有的2个以上的环氧基全部为β—烷基取代缩水甘油基，也可以为至少1个环氧基为β—烷基取代缩水甘油基。 

作为所述β—烷基取代缩水甘油基，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出β—甲基缩水甘油基、β—乙基缩水甘油基、β—丙基缩水甘油基、β—丁基缩水甘油基等，其中，从提高所述感光性组合物的贮存稳定性的观点及合成的容易性的观点出发，优选β—甲基缩水甘油基。 

作为所述含有β位具有烷基的环氧基的环氧化合物，例如优选多元酚化合物与β—烷基表卤醇衍生而成的环氧化合物。 

作为所述β—烷基表卤醇，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出β—甲基表氯醇、β—甲基环氧溴丙烷、β—甲基表氟醇等β—甲基表卤醇；β—乙基表氯醇、β—乙基环氧溴丙烷、β—乙基表氟醇等 β—乙基表卤醇；β—丙基表氯醇、β—丙基环氧溴丙烷、β—丙基表氟醇等β—丙基表卤醇；β—丁基表氯醇、β—丁基环氧溴丙烷、β—丁基表氟醇等β—丁基表卤醇等。其中，从与所述多元酚的反应性及流动性的观点出发，优选β—甲基表卤醇。 

作为所述多元酚化合物，只要是在1分子中含有2以上的芳香族性羟基的化合物即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出双酚A、双酚F、双酚S等双酚化合物，联酚、四甲基联酚等联酚化合物，二羟萘、联萘酚等萘酚化合物，苯酚—甲醛缩聚物等苯酚酚醛清漆树脂，甲酚—甲醛缩聚物等碳原子数为1～10的一烷基取代苯酚—甲醛缩聚物，二甲苯酚—甲醛缩聚物等碳原子数为1～10的二烷基取代苯酚—甲醛缩聚物，双酚A—甲醛缩聚物等双酚化合物—甲醛缩聚物，苯酚与碳原子数为1～10的一烷基取代苯酚与甲醛的共聚缩合物，苯酚化合物与二乙烯基苯的加聚物等。其中，例如在为了提高流动性及贮存稳定性而进行选择的情况下，优选所述双酚化合物。 

作为所述含有在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物，例如可以举出双酚A的二—β—烷基缩水甘油醚、双酚F的二—β—烷基缩水甘油醚、双酚S的二—β—烷基缩水甘油醚等双酚化合物的二—β—烷基缩水甘油醚；联酚的二—β—烷基缩水甘油醚、四甲基联酚的二—β—烷基缩水甘油醚等联酚化合物的二—β—烷基缩水甘油醚；二羟萘的二—β—烷基缩水甘油醚、联萘酚的二—β—烷基缩水甘油醚等萘酚化合物的β—烷基缩水甘油醚；苯酚—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚；甲酚—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚等碳原子数为1～10的一烷基取代苯酚—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚；二甲苯酚—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚等碳原子数为1～10的二烷基取代苯酚—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚；双酚A—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚等双酚化合物—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚；苯酚化合物与二乙烯基苯的加聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚等。 

其中，优选下述结构式(i)表示的双酚化合物、以及从其与表氯醇等得到的聚合物衍生的β—烷基缩水甘油醚、以及下述结构式(ii)表示的苯酚化合物—甲醛缩聚物的聚—β—烷基缩水甘油醚。

结构式(i) 

结构式(ii) 

其中，所述结构式(i)中，R表示氢原子及碳原子数为1～6的烷基的任意一种，n表示0～20的整数。 

其中，所述结构式(ii)中，R表示氢原子及碳原子数为1～6的烷基的任意一种，R”表示氢原子及CH₃的任意一种，n表示0～20的整数。 

这些含有在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上。另外，还可以并用在1分子中至少具有2个环氧乙烷环的环氧化合物以及含有在β位具有烷基的环氧基的环氧化合物。 

另外，作为碱不溶性的热交联剂，可以使用氧杂环丁烷化合物。作为该氧杂环丁烷化合物，例如可以举出双[(3—甲基—3—氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]醚、双[(3—乙基—3—氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]醚、1，4—双[(3—甲基—3—氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯、1，4—双[(3—乙基—3—氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯、丙烯酸(3—甲基—3—氧杂环丁烷基)甲基酯、丙烯酸(3—乙基—3—氧杂环丁烷基)甲基酯、甲基丙烯酸(3—甲基—3—氧杂环丁烷基)甲基酯、甲基丙烯酸(3—乙基—3—氧杂环丁烷基)甲基酯或它们的寡聚物或者共聚物等多官能氧杂环丁烷类，除此以外，还可以举出具有氧杂环丁烷基的化合物与酚醛清漆树脂、聚(对羟基苯乙烯)、卡尔多(カルド)型双酚类、杯(Calix，カリツクス)芳烃类、杯(Calix，カリツクス)间苯二酚芳烃类、倍半硅氧烷(Silsesquioxane，シルセスキオキサン)等具有羟基的树脂等之间的醚化合物，此外，还可以举出具有氧杂环丁烷环的不饱和单体与(甲基)丙烯酸烷基酯之间的共聚物等。

另外，作为所述碱不溶性的热交联剂，还可以使用特开平5—9407号公报中记载的聚异氰酸酯化合物。该聚异氰酸酯化合物也可以从至少含有两个异氰酸酯基的脂肪族、环式脂肪族或芳基取代脂肪族化合物衍生而来。具体而言，可以举出二官能异氰酸酯(例如1，3—亚苯基二异氰酸酯与1，4—亚苯基二异氰酸酯的混合物、2，4—及2，6—甲苯二异氰酸酯、1，3—及1，4—二甲苯二异氰酸酯、双(4—异氰酸酯—苯基)甲烷、双(4—异氰酸酯环己基)甲烷、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等)、该二官能异氰酸酯与三羟甲基丙烷、季戊四醇、甘油等之间的多官能醇；该多官能醇的环氧烷烃加成物与所述二官能异氰酸酯之间的加成物；六亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基—1，6—二异氰酸酯及其衍生物等的环式三聚体等。 

进而，为了提高本发明的感光性薄膜的保存性，也可以使用使封端剂与所述聚异氰酸酯及其衍生物的异氰酸酯基反应得到的化合物。 

作为所述异氰酸酯基封端剂，可以举出醇类(例如异丙醇、叔丁醇等)、内酰胺类(例如ε—己内酰胺等)、苯酚类(例如苯酚、甲酚、对叔丁基苯酚、对仲丁基苯酚、对仲戊基苯酚、对辛基苯酚、对壬基苯酚等)、杂环式羟基化合物(例如3—羟基吡啶、8—羟基喹啉等)、活性亚甲基化合物(例如丙二酸二烷基酯、甲基乙基甲酮肟、乙酰丙酮、烷基乙酰乙酸肟、丙酮肟、环己酮肟等)等。此外，还可以使用特开平6—295060号公报中记载的在分子内具有至少一个可以聚合的双键及至少一个嵌段异氰酸酯基的任意一方的化合物等。 

另外，作为所述碱不溶性的热交联剂，还可以使用蜜胺衍生物。作为该蜜胺衍生物，例如可以举出羟甲基蜜胺、烷基化羟甲基蜜胺(用甲基、乙基、丁基等醚化羟甲基得到的化合物)等。它们可以单独使用一种或并用两种以上。其中，从贮存稳定性良好、在感光层的表面硬度或固化膜的膜强度本身的提高上是有效的点出发，优选烷基化羟甲基蜜胺，特别优选六甲基化羟甲基蜜胺。 

另外，为了促进所述碱不溶性的热交联剂的热固化，例如可以使用胺化合物(例如双氰胺、苄基二甲胺、4—(二甲胺基)—N，N—二甲苄胺、4—甲氧基—N，N—二甲苄胺、4—甲基—N，N—二甲苄胺等)、季铵盐 化合物(例如三乙基苄基氯化铵等)、嵌段异氰酸酯化合物(例如二甲胺等)、咪唑衍生物二环式脒化合物及其盐(例如咪唑、2—甲基咪唑、2—乙基咪唑、2—乙基—4—甲基咪唑、2—苯基咪唑、4—苯基咪唑、1—氰乙基—2—苯基咪唑、1—(2—氰乙基)—2—乙基—4—甲基咪唑等)、磷化合物(例如三苯膦等)、鸟粪胺化合物(例如蜜胺、鸟粪胺、甲基胍胺、苯鸟粪胺等)、S—三嗪衍生物(例如2，4—二氨基—6—甲基丙烯酰氧基乙基)—S—三嗪、2—乙烯基—2，4—二氨基—S—三嗪、2—乙烯基—4，6—二氨基—S—三嗪·三聚异氰酸加成物、2，4—二氨基—6—甲基丙烯酰氧基乙基—S—三嗪·三聚异氰酸加成物等)等。它们可以单独使用一种或并用两种以上。此外，只要是所述碱不溶性的热交联剂的固化催化剂或者可以促进羧基与它们进行反应的物质即可，没有特别限制，也可以使用上述以外的可以促进热固化的化合物。 

所述碱不溶性的热交联剂以及可以促进它们与羧酸的热固化的化合物在所述感光性组合物中的固体成分含量优选为0.01～15质量％。 

所述碱不溶性的热交联剂在所述感光性组合物中的固体成分含量优选为1～50质量％，更优选为3～30质量％。如果该固体成分含量不到1质量％，则没有固化膜的膜强度的提高，如果超过50质量％，则有时发生显影性的恶化或曝光灵敏度的降低。 

[其他成分] 

作为所述其他成分，例如可以举出增感剂、热聚合抑制剂、增塑剂、着色剂(着色颜料或染料)填充颜料等，进而也可以并用对基材表面的粘附促进剂及其他辅助剂类(例如导电性颗粒、填充剂、消泡剂、阻燃剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、表面张力调节剂、链移动剂等)。 

通过适当含有这些成分，可以调节需要的感光性组合物的稳定性、照相性、膜物理性能等性质。 

—增感剂— 

作为上述增感剂，没有特别限制，可以从公知的增感剂中根据目的适当选择，例如可以举出公知的多环芳香族类(例如芘、二萘嵌苯、9，10—苯并菲)、氧杂蒽类(例如荧光素、四溴萤光素、红霉素、若丹明B、罗斯琼脂(ロ—ズベンガル))、青色素类(例如吲哚羰花青、噻羰花青、 氧杂羰花青)、份菁类(例如份菁、羰份菁)、噻嗪类(例如硫堇、亚甲蓝、甲苯胺蓝)、吖啶类(例如吖啶橙、氯黄素、吖啶黄、9—苯基吖啶、1，7—双(9，9’—吖啶基)庚烷)、蒽醌类(例如蒽醌)、斯夸母(スクアリウム)类(例如斯夸母)、吖啶酮类(例如吖啶酮、氯吖啶酮、N—甲基吖啶酮、N—丁基吖啶酮、2—氯—10—丁基吖啶酮等)、香豆素类(例如3—(2—苯并呋喃甲酰基)—7—二乙基氨基香豆素、3—(2—苯并呋喃甲酰基)—7—(1—吡咯烷基)香豆素、3—苯甲酰—7—二乙基氨基香豆素、3—(2—甲氧基苯甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3—(4—二甲基氨基苯甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3，3’—羰基双(5，7—二—正丙氧基香豆素)、3，3’—羰基双(7—二乙基氨基香豆素)、3—苯甲酰—7—甲氧基香豆素、3—(2—呋喃甲酰)—7—二乙基氨基香豆素、3—(4—二乙基氨基肉桂酰基)—7—二乙基氨基香豆素、7—甲氧基—3—(3—吡啶基羰基)香豆素、3—苯甲酰—5，7—二丙氧基香豆素等)以及；噻吨酮化合物(噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4—二乙基噻吨酮、1—氯—4—丙氧基噻吨酮、全塔库耳(Quantacure)QTX等)等，此外，还可以举出特开平5—19475号、特开平7—271028号、特开2002—363206号、特开2002—363207号、特开2002—363208号、特开2002—363209号等各公报中记载的香豆素化合物等)，其中，优选芳香族环或杂环发生缩环而成的化合物(缩环系化合物)，更优选杂缩环系酮化合物及吖啶类。在所述杂缩环系酮化合物中，特别优选吖啶酮化合物及噻吨酮化合物。 

作为上述光聚合引发剂与上述增感剂的组合，例如可以举出特开2001—305734号公报中记载的电子迁移型引发系[(1)电子供给型引发剂及敏化染料、(2)电子接受型引发剂及敏化染料、(3)电子供给型引发剂、敏化染料及电子接受型引发剂(三元引发剂)]等组合。 

作为上述增感剂的含量，相对上述感光性组合物中的全部成分，优选为0.01～4质量％，更优选为0.02～2质量％，特别优选为0.05～1质量％。 

所述含量如果不到0.01质量％，那么有时灵敏度降低，如果超过4质量％，那么有时图案形状变差。 

—热聚合抑制剂—

所述热聚合抑制剂可以防止发生所述感光层中的所述聚合性化合物的热聚合或经时地聚合，所以也可以添加。 

作为所述热聚合抑制剂，例如可以举出4—甲氧基苯酚、氢醌、烷基或芳基取代氢醌、叔丁基儿茶酚、焦酚、2—羟基苯甲酮、4—甲氧基—2—羟基苯甲酮、氯化亚铜、吩噻嗪、四氢醌、萘胺、β—萘酚、2，6—二叔丁基—4—甲酚、2，2’—亚甲基双(4—甲基—6—叔丁基苯酚)、吡啶、硝基苯、二硝基苯、苦味酸、4—甲苯胺、亚甲蓝、铜与有机螯合剂反应物、水杨酸甲酯及吩噻嗪、亚硝基化合物、亚硝基化合物与A1的螯合物等。 

作为所述热聚合抑制剂的含量，相对所述感光层的所述聚合性化合物，优选0.001～5质量％，更优选0.005～2质量％，特别优选0.01～1质量％。 

该含量如果不到0.001质量％，则有时保存时的稳定性会降低，如果超过5质量％，则相对活性能量线的灵敏度会降低。 

—增塑剂— 

为了控制所述感光层的膜物理性能(挠性)，也可以添加所述增塑剂。 

作为所述增塑剂，例如可以举出邻苯二酸二甲酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二异丁酯、邻苯二甲酸二庚酯、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二环己酯、邻苯二甲酸二十三烷基酯、邻苯二甲酸丁基苄基酯、邻苯二甲酸二异癸酯、邻苯二甲酸二苯基酯、邻苯二甲酸二烯丙基酯、邻苯二甲酸辛基癸酰基酯等邻苯二甲酸酯类；三甘醇二乙酸酯、四甘醇二乙酸酯、邻苯二甲酸二甲基葡萄糖酯、邻苯二甲酸(一乙酯)、邻苯二甲酸(甲基)乙醇酸乙酯、邻苯二甲酸丁酯(丁氧甲酰基)甲酯、三甘醇二辛酸酯等乙二醇酯类；磷酸三甲苯酚酯、磷酸三苯酯等磷酸酯类；4—甲苯磺酰胺、苯磺酰胺、N—正丁基苯磺酰胺、N—正丁基乙酰胺等酰胺类；己二酸二异丁酯、己二酸二辛酯、癸二酸二甲酯、癸二酸二丁酯、癸二酸二辛酯、壬二酸二辛酯、顺丁烯二酸二丁酯等脂肪酸二元酸酯类；柠檬酸三乙酯、柠檬酸三丁酯、甘油三乙酸酯、月桂酸丁酯、4，5—二乙氧基环己烷—1，2—二羧酸二辛酯等聚乙二醇、聚丙二醇等乙二醇类。 

所述增塑剂的含量，相对所述感光层的全部成分，优选0.1～50质量 ％，更优选0.5～40质量％，特别优选1～30质量％。 

—着色颜料— 

作为所述着色颜料，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出维多利亚纯蓝BO(C.I.42595)、(碱性)槐黄(C.I.41000)、脂溶(fat)黑HB(C.I.26150)、莫诺赖特·黄GT(C.I.颜料黄12)、永久黄GR(C.I.颜料黄17)、永久黄HR(C.I.颜料黄83)、永久胭脂红FBB(C.I.颜料红146)、广告画颜料红ESB(C.I.颜料紫19)、永久红宝石FBH(C.I.颜料红11)、法斯特尔粉红B苏普拉(C.I.颜料红81)、莫钠斯特拉尔坚牢蓝(C.I.颜料蓝15)、莫诺赖特坚牢黑B(C.I.颜料黑1)、碳、C.I.颜料红97、C.I.颜料红122、C.I.颜料红149、C.I.颜料红168、C.I.颜料红177、C.I.颜料红180、C.I.颜料红192、C.I.颜料红215、C.I.颜料绿7、C.I.颜料绿36、C.I.颜料蓝15：1、C.I.颜料蓝15：4、C.I.颜料蓝15：6、C.I.颜料蓝22、C.I.颜料蓝60、C.I.颜料蓝64等。它们可以单独使用—种或并用两种以上。另外，根据需要，也可以使用从公知的染料中适当选择的染料。 

所述着色颜料在所述感光性组合物固体成分中的固体成分含量，可以考虑永久图案形成时的感光层的曝光灵敏度、析像度等决定，根据所述着色颜料的种类不同而不同，通常优选为0.01～10质量％，更优选为0.05～5质量％。 

—填充颜料— 

为了提高永久图案的表面硬度、或将线膨胀系数抑制为低值、将固化膜自身的介电常数或电介质损耗角正切抑制为低值，可以根据需要在所述感光性组合物中添加无机颜料或有机微粒。 

作为所述无机颜料，没有特别限制，可以从公知的无机颜料中适当选择，例如可以举出高岭土、硫酸钡、钛酸钡、氧化硅粉、微粉状氧化硅、气相法二氧化硅、无定形二氧化硅、结晶性二氧化硅、熔融二氧化硅、球状二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、云母等。 

所述无机颜料的平均粒径优选不到10μm，更优选3μm以下。如果该平均粒径为10μm以上，则光弥散有时引起析像度变差。 

作为所述有机微粒，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出蜜胺树脂、苯鸟粪胺树脂、交联聚苯乙烯树脂等。另外，还可以使 用平均粒径1～5μm、吸油量100～200m²/g左右的由二氧化硅、交联树脂构成的球状多孔微粒等。 

所述填充颜料的添加量优选为5～60质量％。如果该添加量不到5质量％，则有时不能充分地降低线膨胀系数，如果超过60质量％，则在感光层表面形成固化膜时，有时该固化膜的膜质变脆，用永久图案形成布线时，有时作为布线的保护膜的功能被破坏。 

——粘附促进剂—— 

为了含有通过使用本发明的感光性组合物形成的感光层的感光性薄膜的各层间的粘附性或所述感光性薄膜与基体之间的粘附性，可以在各层中使用公知的所谓粘附促进剂。 

作为所述粘附促进剂，例如可以优选举出特开平5—11439号公报、特开平5—341532号公报及特开平6—43638号公报等中记载的粘附促进剂。具体而言，可以举出苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、2—巯基苯并咪唑、2—巯基苯并噁唑、2—巯基苯并噻唑、3—吗啉代甲基—1—苯基—三唑—2—硫酮、3—吗啉代甲基—5—苯基—噁二唑—2—硫酮、5—氨基—3—吗啉代甲基—噻二唑—2—硫酮、及2—巯基—5—甲基硫代—噻二唑、三唑、四唑、苯并三唑、羧基苯并三唑、含氨基苯并三唑、硅烷偶合剂等。 

作为所述粘附促进剂的含量，相对所述感光层的全部成分，优选为0.001质量％～20质量％，更优选为0.01～10质量％，特别优选为0.1质量％～5质量％。 

本发明的感光性组合物的灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案。所以，可以广泛地用作被广泛用作印刷线路板、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等显示器用构件、全息摄影、微型电机，印样(proof)等永久图案形成用，可以在本发明的永久图案及其形成方法中优选使用。 

特别是由于本发明的感光性薄膜的该薄膜的厚度均一，所以在形成永久图案时，即使薄层化永久图案(保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂等)，在高加速度试验(HAST)中也不会发生离子迁移(ion migration)，可以得到耐湿性出色的高精细的永久图案，所以可以高精细地进行向基材的层 叠。 

(感光性薄膜) 

本发明的感光性薄膜至少具有支撑体和在该支撑体上的由本发明的所述感光性组合物构成的感光层，根据需要层叠热塑性树脂层等适当选择的其他层而成。 

<感光层> 

使用本发明的感光性组合物形成所述感光层。 

另外，在对所述感光层进行曝光、显影的情况下，作为该感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在所述曝光中使用的光的最小能量，优选为0.1～200mJ/cm²，更优选为0.2～100mJ/cm²，进而优选为0.5～50mJ/cm²，特别优选为1～30mJ/cm²。 

所述最小能量如果不到0.1mJ/cm²，则有时在处理工序中发生灰雾，如果超过200mJ/cm²，则有时曝光所需时间变长，处理速度变慢。 

在此，所述“使该感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在所述曝光中使用的光的最小能量”是指所谓的显影灵敏度，例如可以从表示对所述感光层进行曝光时的所述曝光中使用的光的能量(曝光量)与接着所述曝光而利用所述显影处理产生的所述固化层的厚度之间的关系的曲线图(灵敏度曲线)求得。 

所述固化层的厚度随着所述曝光量增加而增加，然后变成与所述曝光前的所述感光层的厚度大致相同而且大致恒定。所述显影灵敏度是通过读取所述固化层的厚度成为大致恒定时的最小曝光量而求得的值。 

在此，所述固化层的厚度与所述曝光前的所述感光层的厚度之间的差为±1μm以内时，认为所述固化层的厚度不被曝光及显影改变。 

作为所述固化层及所述曝光前的所述感光层的厚度的测定方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出使用膜厚测定装置、表面粗糙度测定机(例如サ—フコム1400D(东京精密公司制))等进行测定的方法等。 

对所述感光层的厚度没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选为1～100μm，更优选为2～50μm，特别优选为4～30μm。 

<支撑体及保护薄膜>

作为所述支撑体，没有特别限制，可以根据目的适当选择，优选可以剥离所述感光层且光的透过性良好的支撑体，进而更优选表面的平滑性良好的支撑体。作为所述支撑体及保护薄膜，具体而言，例如在特开2005—258431号公报的[0342]及[0344]～[0348]中所记载。 

<其他层> 

作为所述感光性薄膜中的其他层，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出缓冲层、阻氧层(PC层)、剥离层、粘接层、光吸收层、表面保护层等层。这些层可以单独具有1种，也可以具有2种以上。另外，也可以在所述感光层上具有保护薄膜。 

—缓冲层— 

作为所述缓冲层，没有特别限制，可以根据目的适当选择，可以对碱性液为溶胀性乃至可溶性，也可以为不溶性。 

所述缓冲层相对碱性液为溶胀性乃至可溶性的情况下，作为所述热塑性树脂，例如可以举出乙烯与丙烯酸酯共聚物的皂化物、苯乙烯与(甲基)丙烯酸酯共聚物的皂化物、乙烯基甲苯与(甲基)丙烯酸酯共聚物的皂化物、聚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁酯与醋酸乙烯酯等的(甲基)丙烯酸酯共聚物等的皂化物、(甲基)丙烯酸酯与(甲基)丙烯酸酯的共聚物、苯乙烯与(甲基)丙烯酸酯与(甲基)丙烯酸的共聚物等。 

作为这种情况下的热塑性树脂的软化点(Vicat)没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选为80℃以下。 

作为所述软化点为80℃以下的热塑性树脂，除了上述热塑性树脂以外，还可以举出在“塑料性能便览”(日本塑料工业连盟，全日本塑料成形工业连合会编著，工业调查会发行，1968年10月25日发行)的软化点约为80℃以下的有机高分子中对碱性液为可溶的热塑性树脂。另外，在软化点为80℃以上的有机高分子物质中，也可以将向该有机高分子物质中添加与该有机高分子物质具有互溶性的各种增塑剂，将实际上的软化点降到80℃以下。 

另外，所述缓冲层相对碱性液为溶胀性乃至可溶性的情况下，作为所述感光性薄膜的层间粘接力，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如在各层的层间粘接力中，优选所述支撑体与所述缓冲层之间的层间粘接 力为最小。通过成为这样的层间粘接力，可以在从所述感光性薄膜只剥离所述支撑体并经由所述缓冲层对所述感光层进行曝光之后，用碱性的显影液对该感光层进行显影。另外，还可以留下所述支撑体，在对所述感光层进行曝光之后，从所述感光性薄膜只剥离所述支撑体，用碱性的显影液对该感光层进行显影。 

作为所述层间粘接力的调节方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出向所述热塑性树脂中添加公知的聚合物、过冷却物质、粘附改良剂、表面活性剂、脱模剂等的方法。 

作为所述增塑剂，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出聚丙二醇、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二庚酯、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三甲苯酚酯、磷酸甲苯二苯基酯、磷酸联苯基二苯基酯等醇类或酯类；甲苯磺酰胺等酰胺类等。 

所述缓冲层相对碱性液为不溶性的情况下，作为所述热塑性树脂，例如可以举出主要成分为将乙烯作为必须的共聚合成分的共聚物。 

作为将乙烯作为必须的共聚合成分的共聚物，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出乙烯—醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯—丙烯酸乙酯共聚物(EEA)等。 

所述缓冲层相对碱性液为不溶性的情况下，作为所述感光性薄膜的层间粘接力，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如在各层的层间粘接力中，优选所述感光层与所述缓冲层之间的粘接力为最小。通过成为这样的层间粘接力，可以在从所述感光性薄膜只剥离所述支撑体及缓冲层，对所述感光层进行曝光之后，用碱性的显影液对该感光层进行显影。另外，还可以留下所述支撑体，在对所述感光层进行曝光之后，从所述感光性薄膜剥离所述支撑体和所述缓冲层，用碱性的显影液对该感光层进行显影。 

作为所述层间粘接力的调节方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出向所述热塑性树脂中添加各种聚合物、过冷却物质、粘附改良剂、表面活性剂、脱模剂等的方法，以下说明的调节乙烯共聚合比的方法等。 

对将所述乙烯作为必须的共聚合成分的共聚物中的乙烯共聚合比，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选60～90质量％，更优选 60～80质量％，特别优选65～80质量％。 

所述乙烯的共聚合比如果不到60质量％，则所述缓冲层与所述感光层之间的层间粘接力变高，有时会难以在该缓冲层与该感光层之间的界面进行剥离，如果超过90质量％，则由于所述缓冲层与所述感光层之间的层间粘接力变得过小，所以该缓冲层与该感光层之间非常容易剥离，有时会难以制造含有所述缓冲层的感光性薄膜。 

对所述缓冲层的厚度没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选5～50μm，更优选10～50μm，特别优选15～40μm。 

如果所述厚度不到5μm，则基体的表面中的凹凸或对气泡等的凹凸追随性降低，有时不能形成高精细的永久图案，如果超过50μm，则有时会产生制造上的干燥负荷增大等不良情况。 

—阻氧层(PC层)— 

所述阻氧层通常优选以聚乙烯醇为主要成分形成，优选为厚度在0.5～5μm左右的被膜。 

—保护薄膜— 

所述保护薄膜具有防止、保护所述感光层的污染或损伤的功能。 

作为所述保护薄膜在所述感光性薄膜上设置的位置，没有特别限制，可以根据目的适当选择，通常设于所述感光层上。 

作为所述保护薄膜，例如可以举出在所述支撑体中使用的保护薄膜，硅酮纸，层叠有聚乙烯、聚丙烯的纸，聚烯烃或聚四氟乙烯片材等，其中，优选聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜。 

作为所述保护薄膜的厚度，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选5～100μm，更优选8～30μm。 

使用所述保护薄膜的情况下，所述感光层及所述支撑体的粘接力A、与所述感光层及保护薄膜的粘接力B优选为粘接力A>粘接力B的关系。 

作为所述支撑体与保护薄膜的组合(支撑体/保护薄膜)，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚乙烯、聚氯乙烯/赛璐玢、聚酰亚胺/聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚对苯二甲酸乙二醇酯等。另外，通过表面处理支撑体及保护薄膜的至少一个，可以满足这样的粘接力的关系。所述支撑体的表面处理也可以用于提高与所述感光 层的粘接力而实施，例如可以举出底涂层的涂设、电晕放电处理、火焰处理、紫外线照射处理、高频照射处理、辉光放电照射处理、活性等离子照射处理、激光光线照射处理等。 

另外，作为所述支撑体与所述保护薄膜之间的静摩擦系数，优选为0.3～1.4，更优选为0.5～1.2。 

如果所述静摩擦系数不到0.3，则由于过滑，在成为辊状的情况下，可能会发生卷偏离，如果超过1.4，可能会难以卷成良好的辊状。 

所述保护薄膜也可以为了调节所述保护薄膜与所述感光层之间的粘接性而进行表面处理。所述表面处理例如在所述保护薄膜的表面形成由聚有机硅氧烷、氟化聚烯烃、聚氟乙烯、聚乙烯醇等聚合物构成的底涂层。该底涂层的形成可以通过在所述保护薄膜的表面涂敷所述聚合物的涂敷液之后，使其在30～150℃(特别优选50～120℃)下干燥1～30分钟形成。 

[感光性薄膜的制造方法] 

所述感光性薄膜例如可以如下所述制造。 

首先，将所述感光性组合物中含有的材料溶解、乳化或分散于水或溶剂中，配制感光性薄膜用的感光性组合物溶液。 

作为所述溶媒，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、正己醇等醇类；丙酮、甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、环己酮、二异丁基甲酮等酮类；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸正戊酯、硫酸二甲酯、丙酸乙酯、酞酸二甲酯、苯甲酸乙酯及甲氧基丙基乙酸酯等酯类；甲苯、二甲苯、苯、乙苯等芳香族烃类；四氯化碳、三氯乙烯、氯仿、1，1，1—三氯乙烷、二氯甲烷、一氯苯等卤代烃类；四氢呋喃、二乙醚、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、1—甲氧基—2—丙醇等醚类；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、环丁砜等。它们可以单独使用1种或并用2种以上。另外，也可以添加公知的表面活性剂。 

接着，可以在所述支撑体上涂敷所述感光性组合物溶液，使其干燥，形成感光层，制造感光性薄膜。 

作为所述感光性组合物溶液的涂敷方法，没有特别限制，可以根据目 的适当选择，例如可以举出喷射法、辊涂法、旋涂法、缝隙涂布法、挤压涂布法、帘涂法、模涂法、凹板印刷涂布法、拉丝锭涂布法、气刀涂法等公知涂敷方法。 

作为所述干燥的条件，根据各成分、溶媒的种类、使用比例等而不同，但通常在60～110℃的温度下为30秒～15分钟左右。 

所述感光性薄膜例如优选卷绕在圆筒状的卷芯上，以长条状卷成辊状保管。 

作为所述长条状的感光性薄膜的长度，没有特别限制，例如可以从10～20,000m的范围适当选择。另外，为了便于用户使用，也可以进行切断加工，使100～1,000m范围的长条状成为辊状。此外，这种情况下，优选所述支撑体被卷绕成为最外侧。另外，也可以将所述辊状的感光性薄膜切成薄片状。保管时，从保护端面、防止边缘熔合的观点出发，优选在端面设置隔离件(separator)(特别是防湿性的隔离件、放干燥剂的隔离件)，另外还优选包装也使用透湿性低的材料。 

(感光性层叠体) 

所述感光性层叠体是在基体上至少具有所述感光层、层叠根据目的适当选择的其他层而成的。 

<基体> 

所述基体应该成为形成有感光层的被处理基体或转印有本发明的感光性薄膜的至少感光层的被转印体，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以从表面平滑性高的基体到具有有凸凹的表面的基体中任意选择。优选板状的基体，可以使用所谓的基板。具体而言，可以举出公知的印刷线路板制造用基板(印制电路板)、玻璃板(例如钠钙玻璃板等)、合成树脂性薄膜、纸、金属板等。 

[感光性层叠体的制造方法] 

作为所述感光性层叠体的制造方法，作为第一方式，可以举出在所述基体的表面涂敷并干燥所述感光性组合物的方法，作为第二方式，可以举出对本发明的感光性薄膜中的至少感光层进行加热及加压的至少一种，并同时转印进而层叠的方法。 

所述第一方式的感光性层叠体的制造方法是在所述基体上涂敷及干 燥所述感光性组合物，从而形成感光层。 

作为所述涂敷及干燥的方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选在所述基体的表面上，使所述感光性组合物溶解、乳化或分散于水或溶剂，配制感光性组合物溶液，直接涂敷并干燥该溶液从而层叠的方法。 

作为所述感光性组合物溶液的溶剂没有特别限制，可以根据目的适当选择，可以举出与所述感光性薄膜中使用的相同的溶剂。它们可以单独使用一种或并用两种以上。另外，也可以添加公知的表面活性剂。 

作为所述涂敷方法及干燥条件，没有特别限制，可以根据目的适当选择，与在所述感光性薄膜中使用的相同的方法及条件下进行。 

所述第二方式的感光性层叠体的制造方法是在所述基体的表面边进行加热及加压的至少一方边层叠本发明的感光性薄膜。其中，所述感光性薄膜具有所述保护薄膜的情况下，优选剥离该保护薄膜，在所述基体上重叠所述感光层从而进行层叠。 

作为所述加热温度，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但例如优选15～180℃，更优选60～140℃。 

作为所述加压的压力，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但例如优选0.1～1.0MPa，更优选0.2～0.8MPa。 

作为进行所述加热及加压的至少任意一种的装置，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出层压机(例如大成层压机公司制，VP—II，ニチゴ—モ—トン(株)制VP130)等。 

本发明的感光性薄膜及所述感光性层叠体由于通过含有规定的高分子化合物，而灵敏度、析像度、非电解镀金耐性以及贮存稳定性出色，可以有效地形成高精细的永久图案，所以可以优选用于保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案等永久图案等各种图案的形成、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等液晶结构构件的制造、全息摄影、微型电机，印样等图案形成用等，特别可以优选用于本发明的图案形成装置及永久图案形成方法以及印制电路板的永久图案形成用。 

(图案形成装置及永久图案形成方法) 

本发明的图案形成装置具备所述感光层，至少具有光照射机构和光调 制机构。 

本发明的永久图案形成装置包括曝光工序，还包括适当选择的显影工序等其他工序。 

此外，本发明的所述图案形成装置通过本发明的永久图案形成方法的说明加以明确。 

[曝光工序] 

所述曝光工序是对本发明的感光性薄膜中的感光层进行曝光的工序。本发明的所述感光性薄膜以及基材的材料如上所述。 

作为曝光的对象，只要是所述感光性薄膜中的感光层即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如如上所述，优选对边进行加热及加压的至少任意一种边在基材上层叠感光性薄膜从而形成的层叠体进行。 

作为所述曝光，没有特别限制，可以根据目的适当选择，可以举出数字曝光、模拟曝光等，其中，优选数字曝光。 

作为所述数字曝光，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选基于形成的图案形成信息生成控制信号，使用对应该控制信号调制的光进行，例如优选如下所述的方法，即：所述数字曝光是具备光照射机构、及具有接受来自所述光照射机构的光并射出的n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的描绘部，且可以对应图案信息来控制所述描绘部的光调制机构的曝光头，所述曝光头配置成所述描绘部的列方向相对该曝光头的扫描方向而呈规定的设定倾斜角度θ，对于所述曝光头，利用使用描绘部指定机构，指定可以使用的所述描绘部中的用于N重曝光(其中，N为2以上的自然数)的所述描绘部，对于所述曝光头，利用描绘部控制机构，进行所述描绘部的控制，使得只有由所述使用描绘部指定机构所指定的所述描绘部参与曝光，相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动。 

在本发明中，“N重曝光”是指被设定成在所述感光层的被曝光面上的曝光区域的大致全部区域，与所述曝光头的扫描方向平行的直线与照射到所述被曝光面上的N根光点列(像素列)交叉的曝光。在此，“光点列(像素列)”是指利用所述描绘部产生的作为描绘单元的光点(像素)的排列中比与所述曝光头的扫描方向所成的角度更小的方向的排列。其中， 所述描绘部的配置不一定为矩形格子状，也可以为例如平行四边形状的配置等。 

在此，称为曝光区域的“大致全部区域”是因为，在各描绘部的两侧缘部，通过使描绘部列倾斜，与平行于所述曝光头的扫描方向的直线交叉的使用描绘部的描绘部列的数目会减少，所以这种情况下，即使将多个曝光头合起来使用，由于该曝光头的安装角度或配置等误差，而与扫描方向平行的直线交叉的使用描绘部的描绘部列的数目可能会略微增减，另外，在各使用描绘部的描绘部列间的连接部分的析像度程度以下的极少的部分，由于安装角度或描绘部配置等误差，沿着与扫描方向正交的方向的描绘部的间距(pitch)不会与其他部分的描绘部的间距严格地一致，与扫描方向平行的直线交叉的使用描绘部的描绘部列的数目在±1的范围增减。此外，在以下的说明中，将N为2以上的自然数的N重曝光总称为“多重曝光”。进而，在以下的说明中，对于将本发明的曝光装置或曝光方法作为描绘装置或描绘方法实施的方式，将“N重描绘”及“多重描绘”的用语用作对应“N重曝光”及“多重曝光”的用语。 

作为所述N重曝光的N，只要是2以上的自然数，没有特别限制，可以根据目的适当选择，优选3以上的自然数，更优选3以上7以下的自然数。 

参照附图，对本发明的永久图案形成方法中的图案形成装置的一例进行说明。 

作为所述图案形成装置，为所谓平板型(flat bed type)的曝光装置，如图1所示，具备在表面吸附并保持层叠所述感光性薄膜中的至少所述感光层而成的片状的感光材料12(以下有时称为“感光层12”)的平板状移动平台14。在由4根脚部16支撑的厚板状的设置台18的上面，设置沿着平台移动方向延伸的2根导轨20。平台14被配置成其长径方向朝向平台移动方向，同时被支撑为可以利用导轨20来回移动。此外，在该图案形成装置10中设有沿着导轨20驱动平台14的平台驱动装置(未图示)。 

在设置台18的中央部设有横跨平台14的移动路径的“コ”字状的门22。“コ”字状的门22的端部分别被固定于设置台18的两侧面。在夹持该门22的一侧设有扫描器24，另一侧设有检测感光材料12的前端及后 端的多个(例如2个)的感受器26。扫描器24及感受器26分别被安装于门22，被固定配置于平台14的移动路径的上方。此外，扫描器24及感受器26与控制它们的未图示的控制器相连。 

在此，为了说明，如图1所示，在与平台14的表面平行的平面内，规定彼此正交的X轴及Y轴。 

沿着平台14的扫描方向，在上游侧(以下有时简单地称为“上游侧”。)的端缘部，以等间隔形成10根向X轴方向开口的“く”字型缝隙28。各缝隙28由位于上游侧的缝隙28a和位于下游侧的分散28b构成。缝隙28a与缝隙28b彼此正交，同时相对X轴，缝隙28a具有—45度、缝隙28b具有+45度的角度。 

使缝隙28的位置与所述曝光头30的中心大致一致。另外，各缝隙28的大小为充分覆盖对应的曝光头30的曝光范围32的宽度的大小。另外，作为缝隙28的位置，也可以使其与相邻的已曝光区域34间的重复部分的中心位置大致一致。这种情况下，各缝隙28的大小为充分覆盖已曝光区域34间的重复部分的宽度的大小。 

在平台14内部的各缝隙28的下方位置，在后述的使用描绘部指定处理中，分别插入作为检测作为描绘单元的光点的光点位置检测机构的单一单元型光检测器(未图示)。另外，在后述的使用描绘部指定处理中，各光检测器与作为进行所述描绘部的选择的描绘部选择机构的运算装置(未图示)连接。 

作为曝光时的所述图案形成装置的动作方式，可以为经常使曝光头移动，并同时进行连续地曝光的方式，也可以为阶段地使曝光头移动，并同时在各移动目的地的位置使曝光头静止进行曝光动作的方式。 

《曝光头》 

各曝光头30被安装于扫描器24，并使后述的内部的数字·微镜·器件(digital·micromirror·device)(DMD)36的各描绘部(微镜)的列方向与扫描方向成规定的设定倾斜角度θ。所以，各曝光头30的曝光范围32成为相对扫描方向倾斜的矩形状的范围。伴随着平台14的移动，在感光层12的每个曝光头30形成带状的已曝光区域34。在图2及图3B所示的例子中，在扫描器24上具备排列成2行5列的近似矩阵状的10个曝光 头。 

此外，在以下，在表示排列在第m行的第n列的各曝光头时，标记成曝光头30mn，在表示排列在第m行的第n列的各曝光头的曝光范围时，标记为曝光范围32mn。 

另外，如图3A及图3B所示，为了使带状的已曝光区域34分别与相邻的已曝光区域34部分重叠，已排列成线(line)状的各行曝光头30分别向其排列方向错开规定间隔(曝光范围的长边的自然数倍，在本实施方式中为2倍)配置。所以，在第1行的曝光范围32₁₁与曝光范围32₁₂之间不能曝光的部分，可以利用第2行的曝光范围32₂₁曝光。 

如图4及图5A及图5B所示，曝光头30分别具备DMD36(美国德克萨斯州仪器(Texas·インスツルメンツ)公司制)，作为对应图像数据在每个像素对入射的光进行调制的光调制机构(调制每个像素部的空间光调制元件)。该DMD36与具备数据处理部和镜驱动控制部的作为描绘部控制机构的控制器连接。该控制器的数据处理部基于输入的图像数据，在每个曝光头30，产生对DMD36上的使用区域内的各微镜进行驱动控制的控制信号。另外，镜驱动控制部基于在图像数据处理部产生的控制信号，在每个曝光头30，对DMD36的各微镜的反射面的角度进行控制。 

如图4所示，在DMD36的光入射侧，依次配置：具备光纤的射出端部(发光点)沿着与曝光范围32的长边方向一致的方向排列成一列的激光射出部的光纤阵列光源38，校正从光纤阵列光源38射出的激光并聚光于DMD上的透镜系40，向DMD36反射透过该透镜系40的激光的镜42。此外，图4概略地表示透镜系40。 

如图5A及图5B所详示，所述透镜系40由如下所述结构构成，即：使从光纤阵列光源38射出的激光平行光化的一对组合透镜44、将被平行光化的激光的光量分布校正成均一的一对组合透镜46及将光量分布已被校正的激光聚光于DMD36上的聚光透镜48构成。 

另外，在DMD36的光反射侧配置有使在DMD36射出的激光在感光层12的被曝光面上成像的透镜系50。透镜系50由被配置成DMD36与感光层12的被曝光面成共轭关系的2片透镜52及54构成。 

在本实施方式中，从光纤阵列光源38射出的激光在实际上被放大5 倍之后，被设定为来自DMD36上的各微镜的光线被所述透镜系50集中成约5μm。 

—光调制机构— 

作为所述光调制机构，只要具有n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的所述描绘部、可以对应所述图案信息控制所述描绘部即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选空间光调制元件。 

作为所述空间光调制元件，例如可以优选举出数字·微镜·器件(DMD)(digital·micromirror·device)、MEMS(微电子机械系统(MicroElectro Mechanical Systems))型的空间光调制元件(SLM；空间光调节器(Spetial Light Modulator))、利用电光学效果调制透过光的光学元件(PLZT元件)、液晶光开闭器(FLC)等，其中，可以优选举出DMD。 

另外，所述光调制机构优选具有基于要形成的图案信息生成控制信号的图案信号生成机构。这种情况下，所述光调制元件对应所述图案信号生成机构所生成的控制信号调制光。 

作为所述控制信号，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出数字信号。 

以下参照附图，对所述光调制机构的一例进行说明。 

如图6所示，DMD36是在SRAM单元(存储器单元)56上，使大多数微镜58作为分别构成描绘(像点(pixel))的描绘部，排列成格子状而成的镜器件。在本实施方式中，使用1024列×768行的微镜58排列而成的DMD36，其中，可以利用与DMD36连接的控制器驱动的即可以使用的微镜58仅为1024列×256行。DMD36的数据处理速度存在极限，与使用的微镜数成正比，确定每1线的调制速度，所以通过这样地只使用一部分微镜，每1线的调制速度会变快。各微镜58被支柱支撑，在其表面蒸镀铝等反射率高的材料。此外，在本实施方式中，各微镜58的反射率在90％以上，其排列间距在纵方向、横方向均为13.7μm。SRAM单元56是借助包括铰接(hinge)及轭(yoke)的支柱，在通常的半导体存储器的制造线上制造的硅栅(silicon gate)的CMOS的SRAM单元，整体被构成为单片型(monolithic)(一体型)。 

如果向DMD36的SRAM单元(存储器单元)56输入以2值表示构 成需要的二维图案的各点的浓度的图像信号，则被支柱支撑的各微镜58，在以对角线为中心相对配置DMD36的基板侧，以±α度(例如±10度)的任意角度倾斜。图7A表示微镜58处于作为开(ON)状态的向+α度倾斜的状态，图7B表示微镜58处于作为关(OFF)状态的向—α度倾斜的状态。这样，如图6所示，通过对应图像信号控制DMD36的各像点中的微镜58的倾斜度，向DMD36入射的激光B被向各自的微镜58的倾斜方向反射。 

图6是表示放大DMD36的一部分，各微镜58被控制为+α度或—α度的状态的一例。利用与DMD36连接的所述控制器，进行各微镜58的开关控制。另外，在关状态的微镜58反射的激光B前进的方向上，配置光吸收体(未图示)。 

—光照射机构— 

作为所述光照射机构，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出(超)高压汞灯、氙灯、炭棒弧光灯、卤素灯、复写机用等荧光管、LED、半导体激光器等公知光源或可以合成照射2种以上的光的机构，其中，优选可以合成照射2种以上的光的机构。 

作为从所述光照射机构照射的光，例如在借助支撑体进行光照射的情况下，可以举出透过该支撑体并活化使用的光聚合引发剂或增感剂的电磁波、从紫外到可见光线、电子射线、X射线、激光等，其中，优选激光，更优选复合2种以上的光的激光(以下有时称为“合波激光”)。另外，从剥离支撑体开始进行光照射的情况下，也可以使用同样的光。 

作为所述从紫外到可见光线的波长，例如优选300～1,500nm，更优选320～800nm，特别优选330nm～650nm。 

作为所述激光的波长，例如优选200～1,500nm，更优选300～800nm，进而优选330nm～500nm，特别优选400nm～450nm。 

作为可以照射所述合波激光的机构，例如优选具有多种激光器、多模光纤和从该多种激光器分别照射的激光光束进行聚光并使其结合于所述多模光纤的聚光光学系的机构。 

以下对所述可以照射合波激光的机构(光纤阵列光源)，例如可以举出特开2005—258431号公报[0109]～[0146]中记载的方法等。

《使用描绘部指定机构》 

作为所述使用描绘部指定机构，优选至少具备在被曝光面上检测作为描绘单元的光点的位置的光点位置检测机构，和基于所述光点位置检测机构的检测结果来选择用于实现N重曝光而使用的描绘部的描绘部选择机构。 

以下对利用所述使用描绘部指定机构指定N重曝光中使用的描绘部的指定方法的例子进行说明。 

(1)单一曝光头内的使用描绘部的指定方法 

在本实施方式(1)中，是利用图案形成装置10，对感光材料12进行2重曝光的情况，对减轻各曝光头30的安装角度误差引起的析像度的不均和浓度不均的、用于实现理想的2重曝光的使用描绘部的指定方法进行说明。 

作为相对曝光头30的扫描方向的描绘部(微镜58)的列方向的设定倾斜角度θ，如果是没有曝光头30的安装角度误差等的理想的状态，使用可以使用的1024列×256行的描绘部，采用恰好略大于成为2重曝光的角度θ_ideal的角度。 

该角度θ_ideal是对于N重曝光的数目N、可以使用的微镜58的列方向的个数s、可以使用的微镜58的列方向的间隔p及在使曝光头30倾斜的状态下利用微镜形成的扫描线的间距δ，利用下述式1 

spsinθ_ideal≧Nδ(式1) 

得到。本实施方式中的DMD36如上所述，纵横配置间隔相等的大多数微镜58被配置成矩形栅格状，所以为 

pcosθ_ideal＝δ(式2) 

上述式1成为 

stanθ_ideal＝N(式3) 

在本实施方式(1)中，如上所述，s＝256、N＝2，所以根据所述式3，角度θ_ideal约为0.45度。因而，作为设定倾斜角度θ，例如也可以采用0.50度左右的角度。图案形成装置10在可以调节的范围内，被初期调节为各曝光头30即各DMD36的安装角度成为接近该设定倾斜角度θ的角度。 

图8是表示在被如上所述初期调节的图案形成装置10中，在1个曝 光头30的安装角度误差及图案偏斜的影响下，在被曝光面上的图案上产生的不均的例子的说明图。在以下的附图及说明中，对于由各描绘部(微镜)产生的作为构成被曝光面上的曝光区域的描绘单元的光点，分别将第m行的光点标记成r(m)、第n列的光点标记成c(n)、第m行第n列的光点标记成P(m，n) 

图8的上段部分表示在使平台14静止的状态下在感光材料12的被曝光面上投影的、来自可以使用的微镜58的光点组的图案，下段部分表示在上段部分所示之类的光点组的图案出现的状态下使平台14移动并进行连续曝光时，在被曝光面上形成的曝光图案的状态。 

其中，在图8中，为了便于说明，将可以使用的微镜58分成奇数列的曝光图案和偶数列的曝光图案进行表示，但实际上的被曝光面上的曝光图案重叠了这2个曝光图案。 

在图8的例子中，作为设定倾斜角度θ采用若干大于所述角度θideal的角度的结果，另外还由于曝光头30的安装角度的微调节很困难，所以作为实际的安装角度与所述设定倾斜角度θ之间具有误差的结果，在被曝光面上的任意区域也产生了浓度不均。具体而言，在利用奇数列的微镜的曝光图案及利用偶数列的微镜的曝光图案双方，在由多个描绘部列形成的被曝光面上的重复曝光区域，相对理想的2重曝光，成为曝光过多，产生描绘变得冗长的区域，产生浓度不均。 

进而，在图8的例子中，是在被曝光面上出现的图案偏斜的一例，产生投影到被曝光面上的各像素列的倾斜角度变得不均一的“角度偏斜”。作为这样的角度偏斜产生的原因，可以举出DMD36与被曝光面间的光学系的各种像差或定位偏离及DMD36自身的偏斜或微镜的配置误差等。 

图8的例子中出现的角度偏斜是相对扫描方向的倾斜角度，越在图的左方列越变小、越在图的右方列越变大的方式的偏斜。作为该角度偏斜的结果，变得曝光过多的区域，越在图的左方所示的被曝光面上越变小、越在图的右方所示的被曝光面上越变大。 

为了减轻如上所述的利用多个描绘部列形成的被曝光面上的重复曝光区域的浓度不均，将缝隙28及光检测器的组用作所述光点位置检测机构，在每个曝光头30，特定实倾斜角度θ’，基于该实倾斜角度θ’，将与 所述光检测器连接的所述运算装置用作所述描绘部选择机构，进行选择实际的曝光中使用的微镜的处理。 

基于光点位置检测机构检测出的至少2个光点位置，利用在使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点的列方向与所述曝光头的扫描方向所成的角度来特定实倾斜处理θ’。 

以下使用图9及图10，对所述实倾斜角度θ’的特定及使用像素选择处理进行说明。 

—实倾斜角度θ’的特定— 

图9是表示1个DMD36的曝光范围32与对应的缝隙28之间的位置关系的俯视图。缝隙28的大小为充分覆盖曝光范围32的宽度的大小。 

在本实施方式(1)的例子中，将位于曝光范围32的大致中心的第512列光点列与曝光头30的扫描方向之间所成的角度作为所述实倾斜角度θ’测定。具体而言，使DMD36上的第1行第512列的微镜58及第256行第512列的微镜58处于开(ON)状态，检测对应它们的被曝光面上的光点P(1，512)及P(256，512)的位置，将连接它们的直线与曝光头的扫描方向所成角度特定为实倾斜角度θ’。 

图10是说明光点P(256，512)的位置的检测方法的俯视图。 

首先，在使第256行第512列的微镜58点亮的状态下，缓慢移动平台14，沿着Y轴使缝隙28相对移动，使缝隙28位于使光点P(256，512)位于上游侧的缝隙28a与下游侧的缝隙28b之间的任意位置。此时的缝隙28a与缝隙28b之间的交点的座标为(X0，Y0)。该座标(X0，Y0)的值由直到给予平台14的驱动信号所示的所述位置的平台14的移动距离及已知的缝隙28的X方向位置来确定并被记录。 

接着，使平台14移动，使缝隙28沿着Y轴在图10的右方相对移动。那么，在图10中，如两点划线所示，光点P(256，512)的光通过左侧的缝隙28b并被光检测器检测出后，使平台14停止。将此时的缝隙28a与缝隙28b的交点的座标(X0，Y1)作为光点P(256，512)的位置进行记录。 

接着，使平台14向相反方向移动，使缝隙28沿着Y轴在图10的左方相对移动。那么，在图10中，如两点划线所示，光点P(256，512) 的光通过右侧的缝隙28a并被光检测器检测出后，使平台14停止。将此时的缝隙28a与缝隙28b的交点的座标(X0，Y2)作为光点P(256，512)的位置进行记录。 

从以上的结果，利用X＝X0+(Y1—Y2)/2、Y＝(Y1+Y2)/2的计算，确定表示光点P(256，512)在被曝光面上的位置的座标(X，Y)。也利用同样的测定，确定表示P(1，512)的位置的座标，导出连接它们的座标的直线与曝光头30的扫描方向所成的倾斜角度，将其特定为实倾斜角度θ’。 

—使用描绘部的选择— 

使用这样特定的实倾斜角度θ’，与所述光检测器连接的所述运算装置导出满足下述式4 

ttanθ’＝N(式4) 

的关系的值t最近的自然数T，进行将DMD36上的第1行到第T行的微镜选作本曝光时实际使用的微镜的处理。这样，在第512列附近的曝光区域中，可以将相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域与成为曝光不足的区域的面积总计为最小的微镜选作实际使用的微镜。 

在此，也可以代替导出所述值t最近的自然数，导出值t以上的最小的自然数。这种情况下，在第512列附近的曝光区域中，可以将相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域的面积变得最小而且不产生成为曝光不足的区域的微镜选作实际使用的微镜。 

另外，也可以导出值t以下的最大的自然数。这种情况下，在第512列附近的曝光区域中，可以将相对理想的2重曝光成为曝光不足的区域的面积变得最小而且不产生成为曝光过多的区域的微镜选作实际使用的微镜。 

图11是表示在仅使用被选作如上所述实际使用的微镜的微镜产生的光点进行曝光中，如何改善图8所示的被曝光面上的不均的说明图。 

在该例中，导出T＝253作为所述自然数T，选择从第1行到第253行的微镜。相对被选择的第254行～第256行的微镜，利用所述描绘部控制机构，传送设定时常关状态的角度的信号，这些微镜实际上不与参与曝光。如图11所示，在第512列附近的曝光区域，曝光过多及曝光不足几 乎被完全消解，可以实现与理想的2重曝光极为接近的均一的曝光。 

另一方面，在图11的左方的区域(图中的c(1)附近)，在所述角度偏斜的作用下，被曝光面上的光点列的倾斜角度变得小于中央附近(图中的c(512)附近)的区域的光线列的倾斜角度。因而，在只利用基于以c(512)为标准测定的实倾斜角度θ’而选择的微镜的曝光中，分别在利用偶数列的曝光图案及利用奇数列的曝光图案中，略微产生相对理想的2重曝光而成为曝光不足的区域。 

但是，在重叠图示的利用奇数列的曝光图案与利用偶数列的曝光图案而成的实际的曝光图案中，成为曝光量不足的区域被彼此补充，可以用利用2重曝光的补偿的效果使所述角度偏斜引起的曝光不均最小。 

另外，在图11的右方的区域(图中的c(1024)附近)，在所述角度偏斜的作用下，被曝光面上的光线列的倾斜角度变得大于中央附近(图中的c(512)附近)的区域的光线列的倾斜角度。因而，在只利用基于以c(512)为标准测定的实倾斜角度θ’而选择的微镜的曝光中，如图所示，略微产生相对理想的2重曝光而成为曝光过多的区域。 

但是，在重叠图示的利用奇数列的曝光图案与利用偶数列的曝光图案而成的实际的曝光图案中，成为曝光量过多的区域被彼此补充，可以用利用2重曝光的补偿的效果使所述角度偏斜引起的浓度不均最小。 

在本实施方式(1)中，如上所述，测定第512列的光线列的实倾斜角度θ’，使用该实倾斜角度θ’，选择基于利用所述式(4)导出的T使用的微镜58，但作为所述实倾斜角度θ’的特定方法，也可以为分别测定多个描绘部的列方向(光点列)与所述曝光头的扫描方向所成的多个实倾斜角度，将这些平均值、中央值、最大值及最小值的任意一个特定作为实倾斜角度θ’，利用所述式4等选择实际的曝光时实际使用的微镜的方式。 

如果将所述平均值或所述中央值作为实倾斜角度θ’，则可以实现相对理想的N重曝光而成为曝光过多的区域与成为曝光不足的区域的平衡良好的曝光。例如，可以实现将成为曝光过多的区域与成为曝光量不足的区域的总面积抑制为最小，而且成为曝光过多的区域的描绘单元数(光点数)与成为曝光不足的区域的描绘单元数(光点数)变成相等的曝光。 

另外，如果将所述最大值作为实倾斜角度θ’，则可以实现更加重视相 对理想的N重曝光而成为曝光过多的区域的排除的曝光，例如可以实现将成为曝光不足的区域的面积抑制为最小，而且不产生成为曝光过多的区域的曝光。 

进而，如果将所述最小值作为实倾斜角度θ’，则可以实现更加重视相对理想的N重曝光而成为曝光不足的区域的排除的曝光，例如可以实现将成为曝光过多的区域的面积抑制为最小，而且不产生成为曝光不足的区域的曝光。 

另一方面，所述实倾斜角度θ’的特定不限于基于同一描绘部的列(光点列)中的至少2个光点的位置的方法。例如也可以将从同一描绘部列c(n)中的1个或多个光点的位置和该c(n)附近的列中的1个或多个光点的位置求得的角度特定作为实倾斜角度θ’。 

具体而言，可以检测c(n)中的1个光点位置和沿着曝光头的扫描方向的直线上而且附近的光点列中含有的1个或多个光点位置，从这些位置信息求得实倾斜角度θ’。进而，也可以将基于c(n)列附近的光点列中的至少2个光点(例如配置成跨越c(n)的2个光点)的位置求得的角度特定作为实倾斜角度θ’。 

如上所述，如果利用使用图案形成装置10的本实施方式(1)的使用描绘部的指定方法，可以减轻各曝光头的安装角度误差或图案偏斜的影响引起的析像度的不均或浓度不均，实现理想的N重曝光。 

(2)多个曝光头间的使用描绘部的指定方法<1> 

在本实施方式(2)中，对在利用图案形成装置10，对感光材料12进行2重曝光的情况下、减轻在作为利用多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域、2个曝光头(作为一例为曝光头30₁₂和30₂₁)的X轴方向相关的相对位置从理想状态偏离引起的析像度的不均和浓度不均、用于实现理想的2重曝光的使用描绘部的指定方法进行说明。 

作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度θ，如果为没有曝光头30的安装角度误差等的理想状态，采用使用可以使用的1024列×256行的描绘部微镜58而恰好成为2重曝光的角度θ_ideal的状态。 

该角度θ_ideal与所述实施方式(1)同样地从所述式1～3求得。在本实 施方式(2)中，图案形成装置10被初期调节成各曝光头30即各DMD36的安装角度成为该角度θ_idea1。 

图12是表示在如上所述进行初期调节的图案形成装置10中，在2个曝光头(作为一例为曝光头30₁₂和30₂₁)的X轴方向相关的相对位置从理想状态偏离的影响下，在被曝光面上的图案上产生浓度不均的例子的说明图。各曝光头的X轴方向相关的相对位置的偏离可以由于难以微调节曝光头间的相对位置而产生。 

图12的上段部分是表示在使平台14静止的状态下，向感光材料12的被曝光面上投影的来自可以使用具有曝光头30₁₂和30₂₁的DMD36的微镜58的光点组的图案的图。图12的下段部分在表现如上段部分所示的光点组的图案的状态下使平台14移动进行连续曝光时，对曝光范围32₁₂和32₂₁在被曝光面上形成的曝光图案的状态的图。 

其中，在图12中，为了便于说明，将可以使用的微镜58的每隔1列的曝光图案分成利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案表示，而实际的被曝光面上的曝光图案重叠了这2个曝光图案。 

在图12的例子中，作为所述X轴方向相关的曝光头30₁₂和30₂₁之间的相对位置从理想状态的偏离结果，在利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案的双方，在曝光范围32₁₂和32₂₁的所述头间连接区域，相对于理想的2重曝光的状态，产生曝光量过多的部分。 

为了减轻如上所述的利用多个所述曝光头而在被曝光面上形成的所述头间连接区域出现的浓度不均，在本实施方式(2)中，将缝隙28及光检测器的组用作所述光点位置检测机构，对来自曝光头30₁₂和30₂₁的光点组中构成在被曝光面上形成的所述头间连接区域的几个光点，检测其位置(座标)。基于该位置(座标)，使用与所述光检测器连接的运算装置作为所述描绘部选择机构，进行选择实际曝光中使用的微镜的处理。 

—位置(座标)的检测— 

图13是表示与图12同样的曝光范围32₁₂及32₂₁与对应的缝隙28之间的位置关系的俯视图。缝隙28的大小为充分覆盖利用曝光头30₁₂和30₂₁的已曝光区域34间的重复部分的宽度的大小，即充分覆盖利用曝光头30₁₂和30₂₁在被曝光面上形成的所述头间连接区域的大小。

图14是表示作为一例检测曝光范围32₂₁的光点P(256，1024)的位置时的检测方法的俯视图。 

首先，在使第256行第1024列的微镜点亮的状态下，缓慢移动平台14，沿着Y轴使缝隙28相对移动，使缝隙28位于使光点P(256，1024)位于上游侧的缝隙28a与下游侧的缝隙28b之间的任意位置。此时的缝隙28a与缝隙28b之间的交点的座标为(X0，Y0)。该座标(X0，Y0)的值由直到给予平台14的驱动信号所示的所述位置的平台14的移动距离及已知的缝隙28的X方向位置来确定并被记录。 

接着，使平台14移动，使缝隙28沿着Y轴在图14的右方相对移动。那么，在图14中，如两点划线所示，光点P(256，1024)的光通过左侧的缝隙28b并被光检测器检测出后，使平台14停止。将此时的缝隙28a与缝隙28b的交点的座标(X0，Y1)作为光点P(256，1024)的位置进行记录。 

接着，使平台14向相反方向移动，使缝隙28沿着Y轴在图14的左方相对移动。那么，在图14中，如两点划线所示，光点P(256，1024)的光通过右侧的缝隙28a并被光检测器检测出后，使平台14停止。将此时的缝隙28a与缝隙28b的交点的座标(X0，Y2)作为光点P(256，1024)的位置进行记录。 

从以上的测定结果，利用X＝X0+(Y1—Y2)/2、Y＝(Y1+Y2)/2的计算，确定表示光点P(256，1024)在被曝光面上的位置的座标(X，Y)。 

—不使用描绘部的特定— 

在图12的例子中，首先利用缝隙28和光检测器的组作为所述光点位置检测机构检测曝光范围32₁₂的光点P(256，1)的位置。接着，按照P(256，1024)、P(256，1023)…的顺序检测曝光范围3221的第256行的光点行r(256)上的各光点的位置，检测表示大于曝光范围32₁₂的光点P(256，1)的X座标的曝光范围32₂₁的光点P(256，n)后，结束检测动作。接着，将对应构成从曝光范围32₂₁的光点列c(n+1)到c(1024)的光点的微镜特定作为本曝光时不使用的微镜(不使用描绘部)。 

例如，在图12中，曝光范围32₂₁的光点P(256，1020)表示大于曝 光范围32₁₂的光点P(256，1)的X座标，如果在检测该曝光范围32₂₁的光点P(256，1020)之后结束检测动作，对应构成相当于在图15中被斜线覆盖的部分70的曝光范围32₂₁的第1021行～1024行的光点的微镜，在本曝光时被特定作为不使用的微孔。 

接着，相对N重曝光的数目N，检测曝光范围32₁₂的光点P(256，N)的位置。在本实施方式(2)中，N＝2，所以检测光点P(256，2)的位置。 

接着，曝光范围32₂₁的光点列中，除了被特定作为对应在所述本曝光时不使用的微镜的光点列以外，将构成最右侧的第1020列的光点的位置，从P(1，1020)依次检测为P(1，1020)、P(2，1020)…，检测表示大于曝光范围32₁₂的光点P(256，2)的X座标的光点P(m，1020)后，结束检测动作。 

然后，在与所述光检测器连接的运算装置中，比较曝光范围32₁₂的光点P(256，2)的X座标和曝光范围32₂₁的光点P(m，1020)及P(m—1，1020)的X座标，曝光范围32₂₁的光点P(m，1020)的X座标的一方接近曝光范围32₁₂的光点P(256，2)的X座标的情况下，对应曝光范围32₂₁的从光点P(1，1020)到P(m—1，1020)的微镜被特定作为本曝光时不使用的微镜。 

另外，曝光范围32₂₁的光点P(m—1，1020)的X座标的一方接近曝光范围32₁₂的光点P(256，2)的X座标的情况下，对应曝光范围32₂₁的从光点P(1，1020)到P(m—2，1020)的微镜被特定作为本曝光时不使用的微镜。 

进而，对曝光范围32₁₂的光点P(256，N—1)即光点P(256，1)的位置和构成作为曝光范围32₂₁的次列的第1019列的各光点的位置，也进行同样的检测处理及不使用的微镜的特定。 

结果，例如在图15中对应构成用网格覆盖的区域72的光点的微镜被追加为实际的曝光时不使用的微镜。经常向这些微镜送来将该微镜的角度设定为关状态的角度的信号，这些微镜实际上在曝光时不使用。 

这样，通过特定在实际的曝光时不使用的微镜，将除了该不使用的微镜以外的微镜选作实际曝光时使用的微镜，在曝光范围32₁₂与32₂₁的所述 头间连接区域，可以使相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小，如图15的下段所示，可以实现极为接近理想的2重曝光的均一的曝光。 

其中，在所述例子中，在图15中特定构成用网格覆盖的区域72的光点时，也可以不比较曝光范围32₁₂的光点P(256，2)的X座标和曝光范围32₂₁的光点P(m，1020)及P(m—1，1020)的X座标，而立即将对应曝光范围32₂₁的光点P(1，1020)到P(m—2，1020)的微镜特定作为本曝光时不使用的微镜。这种情况下，在所述头间连接区域，可以将相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域的面积变得最小，而且不产生成为曝光不足的区域之类的微镜，选作实际使用的微镜。 

另外，也可以将对应曝光范围32₂₁的光点P(1，1020)到P(m—1，1020)的微镜特定作为本曝光时不使用的微镜。这种情况下，在所述头间连接区域，可以将相对理想的2重曝光成为曝光不足的区域的面积变得最小，而且不产生成为曝光过多的区域之类的微镜，选作实际使用的微镜。 

进而，在所述头间连接区域，也可以在选择实际使用的微镜时，使相对理想的2重描绘成为曝光过多的区域的描绘单元数(光点数)与成为曝光不足的区域的描绘单元数(光点数)相等。 

如上所述，如果利用使用图案形成装置10的本实施方式(2)的使用描绘部的指定方法，可以减轻多个曝光头的X轴方向相关的相对位置的偏离引起的析像度的不均和浓度不均，实现理想的N重曝光。 

(3)多个曝光头间的使用描绘部的指定方法<2> 

在本实施方式(3)中，对在利用图案形成装置10，相对感光材料12进行2重曝光的情况下、减轻在作为利用多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域、2个曝光头(作为一例为曝光头30₁₂和30₂₁)的X轴方向相关的相对位置从理想状态偏离以及各曝光头的安装角度误差及2个曝光头间的相对安装角度误差引起的析像度的不均和浓度不均、用于实现理想的2重曝光的使用描绘部的指定方法进行说明。 

作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度，如果为没有曝光头30的安装角度误差等的理想状态，则采用使用可以使用的1024列×256行的描绘部(微镜58)而恰好若干大于成为2重曝光的角度θ_ideal的角度 的状态。 

该角度θ_ideal使用所述式1～3与所述(1)的实施方式同样地求得。在本实施方式中，如上所述，s＝256、N＝2，所以角度θ_ideal约为0.45度。因而，作为设定倾斜角度θ，例如也可以采用0.50度左右的角度。图案形成装置10在可以调节的范围内，被初期调节为各曝光头30即各DMD36的安装角度成为接近该设定倾斜角度θ的角度。 

图16是表示在将各曝光头30即各DMD36的安装角度如上所述初期调节的图案形成装置10中，在2个曝光头(作为一例为曝光头30₁₂和30₂₁)的安装角度误差以及各曝光头30₁₂和30₂₁1间的相对安装角度误差及相对位置的偏离的影响下，在被曝光面上的图案上产生的不均的例子的说明图。 

在图16的例子中，与图12的例子相同，作为X轴方向相关的曝光头30₁₂和30₂₁的相对位置的偏离的结果，在利用每隔一列的光点组(像素列组A及B)的曝光图案的双方，在曝光范围32₁₂与32₂₁在与被曝光面上的所述曝光头的扫描方向正交的坐标轴上重复的曝光区域，产生与理想的2重曝光的状态相比曝光量过多的区域74，这引起浓度不均。 

进而，在图16的例子中，由于使各曝光头的设定倾斜角度θ若干大于满足所述式(1)的角度θ_ideal的结果，另外还由于各曝光头的安装角度的微调节很困难，所以作为实际的安装角度偏离所述设定倾斜角度θ的结果，在与被曝光面上的所述曝光头的扫描方向正交的坐标轴上重复的曝光区域以外的区域，利用每隔一列光点组(像素列组A及B)的曝光图案的双方，在利用多个描绘部列形成的作为被曝光面上的重复曝光区域的描绘部列间联合区域，产生相对理想的2重曝光的状态成为曝光过多的区域76，这引起了进一步的浓度不均。 

在本实施方式(3)中，首先进行用于减轻各曝光头30₁₂和30₂₁的安装角度误差及相对安装角度的偏离的影响下产生的浓度不均的使用像素选择处理。 

具体而言，将缝隙28及光检测器的组用作所述光点位置检测机构，对每个曝光头30₁₂和30₂₁，特定实倾斜角度θ’，基于该实倾斜角度θ’，将与光检测器连接的运算装置用作所述描绘部选择机构，进行选择实际的曝 光中使用的微镜的处理。 

—实倾斜角度θ’的特定— 

实倾斜角度θ’的特定是通过利用在所述实施方式(2)中使用的缝隙28和光检测器的组分别检测，对于曝光头30₁₂而言的曝光范围32₁₂内的光点P(1，1)和P(256，1)的位置，对于曝光头3021而言的曝光范围32₂₁内的光点P(1，1024)和P(256，1024)的位置，测定连接它们的直线的倾斜角度与曝光头的扫描方向所成角度来进行的。 

—不使用描绘部的特定— 

使用如上所述特定的实倾斜角度θ’，与光检测器连接的运算装置与所述实施方式(1)中的运算装置同样，分别对于曝光头30₁₂和30₂₁，导出满足下述式4 

ttanθ’＝N(式4)  

的关系的值t最近的自然数T，进行将DMD36上的第(T+1)行到第256行的微镜特定作为本曝光时不使用的微镜。 

例如，如果对于曝光头30₁₂导出T＝254、对于曝光头30₂₁导出T＝255，在图17中对应构成用斜线覆盖的部分78及80的光点的微镜被特定作为本曝光中不使用的微镜。这样，在曝光头32₁₂和32₂₁中头间连接区域以外的各区域，可以使相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积成为最小。 

在此，也可以代替导出所述值t最近的自然数，而导出值t以上的最小的自然数。这种情况下，在曝光范围32₁₂和32₂₁的作为利用多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的各区域中，可以将相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域的面积变得最小而且不产生成为曝光不足的面积。 

或者，也可以导出值t以下的最大的自然数。这种情况下，在曝光范围32₁₂和32₂₁的作为利用多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的各区域中，可以将相对理想的2重曝光成为曝光不足的区域的面积变得最小而且不产生成为曝光过多的区域。 

在作为利用多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的各区域中，也可以在特定本曝光时不使用的微镜时，使相对 理想的2重曝光成为曝光过多的区域的描绘单元数(光点数)与成为曝光不足的区域的描绘单元数(光点数)变得相等。 

然后，关于在图17中对应构成用斜线覆盖的区域78及80的光点以外的微镜，进行与使用图12～15说明的本实施方式(3)同样的处理，特定在图17中对应构成用斜线覆盖的区域82及用网格覆盖的区域84的光点的微镜，追加作为在本曝光时不使用的微镜。 

相对被特定作为这些曝光时不使用的微镜，利用所述描绘部控制机构，传送设定成经常关状态的角度的信号，这些微镜实际上不参与曝光。 

如上所述，如果利用使用图案形成装置10的本实施方式(3)的使用描绘部的指定方法，可以减轻多个曝光头的X轴方向相关的相对位置的偏离以及各曝光头的安装角度误差及曝光头间的相对安装角度误差引起的析像度的不均或浓度不均，实现理想的N重曝光。 

以上对利用图案形成装置10的使用描绘部指定方法进行了详细说明，但所述实施方式(1)～(3)只不过为一例，可以在不脱离本发明的范围下进行各种变更。 

另外，在所述实施方式(1)～(3)中，作为用于检测被曝光面上的光点的位置的机构，使用缝隙28和单一单元型的光检测器的组，但也可以不限于此而使用任意方式的机构，例如可以使用二维检测器等。 

进而，在所述实施方式(1)～(3)中，从利用缝隙28和光检测器的组进行被曝光面上的光点的位置检测结果求得实倾斜角度θ’，选择基于该实倾斜角度θ’使用的微镜，但也可以为选择可以不经过实倾斜角度θ’的导出而使用的微镜的方式。进而，例如通过进行使用所有可以使用的微镜的参照曝光，利用目视参照曝光结果来确认析像度或浓度的不均等，从而用手动指定操作者使用的微镜的方式也被包括的本发明的范围。 

此外，在被曝光面上产生得到的图案偏斜，除了在所述例子中说明的角度偏斜以外，还存在各种方式。 

作为一例，如图18A所示，来自DMD36上的各微镜58的光线，存在以不同倍率到达曝光面上的曝光范围32的倍率偏斜的方式。 

另外，作为其他例子，如图18B所示，来自DMD36上的各微镜58的光线，还存在以不同的光束直径到达被曝光面上的曝光范围32的光束 直径偏斜的方式。这些倍率偏斜及光束直径偏斜主要由于DMD36与被曝光面间的光学系的各种像差或定位偏离引起产生。 

进而作为另一个例子，来自DMD36上的各微镜58的光线，还存在以不同的光量到达被曝光面上的曝光范围32的光量偏斜的方式。该光量偏斜除了各种像差或定位偏离以外，还由于DMD36与被曝光面间的光学要素(例如作为1张透镜的图5A及图5B的透镜52及54)的透过率的位置依存性或DMD36本身引起的光量不均引起产生。这些方式的图案偏斜也在被曝光面上形成的图案中产生析像度或浓度的不均。 

利用所述实施方式(1)～(3)，在选择本曝光中实际使用的微镜之后的这些方式的图案偏斜的残留要素，也可以与所述角度偏斜的残留要素同样地用利用多重曝光的补偿效果来平均，可以在各曝光头的整个曝光区域减轻析像度或浓度不均。 

《参照曝光》 

作为所述实施方式(1)～(3)的变更例，为了只使用构成可以使用的微镜中的每隔(N—1)列的微镜列或全光点行中相当于1/N行的相邻行的微镜组进行参照曝光，可以实现均一的曝光，也可以特定在所述参照曝光中使用的微镜中实际曝光时不使用的微镜。 

取样输出利用所述参照曝光机构的参照曝光的结果，相对该输出的参照曝光结果，确认析像度的不均或浓度的不均，进行推断实倾斜角度等的分析。所述参照曝光的结果的分析也可以为利用操作者的目视的分析。 

图19A及图19B是表示使用单一曝光头，只使用每隔(N—1)列的微镜进行参照曝光的方式的一例的说明图。 

在该例中，本曝光时为2重曝光，因而N＝2。首先，只使用对应图19A中用实线表示的奇数列的光点列的微镜，进行参照曝光，取样输出参照曝光结果。通过基于所述取样输出的参照曝光结果，确认析像度的不均或浓度的不均或者推断实倾斜角度，可以指定在本曝光时使用的微镜。 

例如，对应图19B中用斜线覆盖的光点列的微镜以外的微镜，被指定作为在构成奇数列的光点列的微镜中的本曝光中实际使用的微镜。对应偶数列的光点列，也可以另外同样地进行参照曝光，指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与相对奇数列的光点列的图案相同的图案。

可以通过这样指定在本曝光时使用的微镜，在使用奇数列及偶数列双方的微镜的本曝光中，实现接近理想的2重曝光的状态。 

图20是表示使用多个曝光头，只使用每隔(N—1)列的微镜进行参照曝光的方式的一例的说明图。 

在该例中，本曝光时为2重曝光，因而N＝2。首先，只使用对应图20中用实线表示的X轴方向相关的相邻的2个曝光头(作为一例为30₁₂和30₂₁)的奇数列的光点列的微镜，进行参照曝光，取样输出参照曝光结果。通过基于所述输出的参照曝光结果，确认利用2个曝光头在被曝光面上形成的头间连接区域以外的区域中的析像度的不均或浓度的不均或者推断实倾斜角度，可以指定在本曝光时使用的微镜。 

例如，对应图20中用斜线覆盖表示的区域86及用网格表示的区域88内的光点列的微镜以外的微镜，被指定作为在构成奇数列的光点的微镜中在本曝光时实际使用的微镜。对应偶数列的光点列，也可以另外同样地进行参照曝光，指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与相对第奇数列的像素列的图案相同的图案。 

可以通过这样指定在本曝光时使用的微镜，在使用奇数列及偶数列双方的微镜的本曝光中，在利用2个曝光头在被曝光面上形成的所述头间连接区域以外的区域，实现接近理想的2重曝光的状态。 

图21A及图21B是表示使用单一曝光头，只使用构成相当于全光点行数的1/N行的相邻的行的微镜组进行参照曝光的方式的一例的说明图。 

在该例中，本曝光时为2重曝光，因而N＝2。首先，只使用对应图21A中用实线表示的第1行～第128(＝256/2)行的光点的微镜，进行参照曝光，取样输出参照曝光结果。可以通过基于所述取样输出的参照曝光结果，指定在本曝光时使用的微镜。 

例如，对应图21B中用斜线覆盖表示的光点组的微镜以外的微镜，可以被指定作为在第1行～第128行的微镜中的本曝光时实际使用的微镜。对于第129行～第256行的微镜，也可以另外同样地进行参照曝光，指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与相对第1行～第128行的微镜的图案相同的图案。 

可以通过这样指定在本曝光时使用的微镜，在使用全体微镜的本曝光 中，实现接近理想的2重曝光的状态。 

图22是表示使用多个曝光头，对于X轴方向相关的相邻的2个曝光头(作为一例的曝光头30₁₂和30₂₁)，只使用分别构成相当于全光点行数的1/N行的相邻的行的微镜组进行参照曝光的方式的一例的说明图。 

在该例中，本曝光时为2重曝光，因而N＝2。首先，只使用对应图22中用实线表示的第1行～第128(＝256/2)行的光点的微镜，进行参照曝光，取样输出参照曝光结果。通过基于所述取样输出的参照曝光结果，可以指定在本曝光时使用的微镜，使其能够实现将利用2个曝光头在被曝光面上形成的头间连接区域以外的区域中的析像度的不均或浓度的不均控制在最小限度的本曝光。 

例如，对应图22中用斜线覆盖表示的区域90及用网格表示的区域92内的光点列的微镜以外的微镜，被指定作为在第1行～第128行的微镜中在本曝光时实际使用的微镜。对于第129行～第256行的微镜，也可以另外同样地进行参照曝光，指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与相对第1行～第128行的微镜的图案相同的图案。 

可以通过这样指定在本曝光时使用的微镜，在利用2个曝光头在被曝光面上形成的所述头间连接区域以外的区域，实现接近理想的2重曝光的状态。 

在以上的实施方式(1)～(3)及变更例中，均对本曝光为2重曝光的情况进行了说明，但不限定于此，也可以为2重曝光以上的任意多重曝光。特别是可以通过使其为3重曝光～7重曝光程度，实现确保高析像度，减轻析像度的不均及浓度不均的曝光。 

另外，为了使图像数据所表示的二维图案的规定部分的尺寸与可以利用选择的使用像素实现的对应部分的尺寸一致，优选在所述实施方式及变更例中的曝光装置中进一步设置转换图像数据的机构。可以通过这样转换图像数据，在被曝光面上形成按照需要的二维图案的高精细的图案。 

[显影工序] 

作为所述显影，是通过除去所述感光层的未曝光部分进行的。 

作为所述未固化区域的除去方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出使用显影液除去的方法等。

作为所述显影液，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出碱性水溶液、水系显影液、有机溶剂等，其中，优选弱碱性的水溶液。作为该弱碱水溶液的碱成分，例如可以举出氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢锂、碳酸氢钠、碳酸氢钾、磷酸钠、磷酸钾、焦磷酸钠、焦磷酸钾、硼砂等。 

作为所述弱碱性的水溶液的pH，例如优选约为8～12，更优选约为9～11。作为所述弱碱性的水溶液，例如可以举出0.1～5质量％的碳酸钠水溶液或碳酸钾水溶液等。 

作为所述显影液的温度，可以根据所述感光层的显影性适当选择，例如优选约为25～40℃。 

所述显影液也可以与表面活性剂、消泡剂、有机碱(例如乙二胺、乙醇胺、四甲基氢氧化铵、二亚乙基三胺、三亚乙基五胺、吗啉、三乙醇胺等)或用于促进显影的有机溶剂(例如醇类、酮类、酯类、醚类、酰胺类、内酯类等)等并用。另外，所述显影液可以为混合水或碱水溶液与有机溶剂的水系显影液，也可以单独为有机溶剂。 

[固化处理工序] 

所述固化处理工序是在进行所述显影工序之后，对形成的图案的感光层进行固化处理的工序。 

作为所述固化处理工序，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出整个面曝光处理、整个面加热处理等。 

作为所述整个面曝光处理的方法，例如可以举出在所述显影之后，对形成有所述永久图案的所述层叠体上的整个面进行曝光的方法。利用该整个面曝光，可以促进将要形成所述感光层的感光性组合物中的树脂的固化，可以使所述永久图案的表面固化。 

作为进行所述整个面曝光的装置，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出超高压汞灯等UV曝光机。 

作为所述整个面加热处理的方法，可以举出在所述显影之后，对已形成的所述永久图案的所述层叠体上的整个面进行加热的方法。利用该整个面加热，可以提高所述永久图案的表面的膜强度。 

作为所述整个面加热中的加热温度，优选为120～250℃，更优选为 120～200℃。如果该加热温度不到120℃，则有时不能得到利用加热处理的膜强度的提高，如果超过250℃，则有时发生所述感光性组合物中的树脂的分解，膜质轻微变脆。 

作为所述整个面加热的加热时间，优选为10～120分钟，更优选为15～60分钟。 

作为进行所述整个面加热的装置，没有特别限制，可以从公知的装置中根据目的适当选择，例如可以举出干烤箱(dryoven)、热板、IR加热器等。 

—保护膜、层间绝缘膜、阻焊剂图案形成方法— 

所述图案的形成方法在为形成保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案的至少任意一种的永久图案形成方法的情况下，可以利用所述永久图案形成方法，在该印刷线路板上形成永久图案，进而如下所述进行焊锡锡接。 

即，利用所述显影，可以形成作为所述永久图案的固化层，可以在所述印刷线路板的表面露出金属层。对在该印刷线路板的表面露出的金属层的部位进行镀金之后，进行焊锡锡接。接着，在已进行焊锡锡接的部位，实装半导体或构件等。此时，利用所述固化层的永久图案，可以发挥出作为保护膜或绝缘膜(层间绝缘膜)、阻焊剂的功能，可以防止来自外部的冲击或相邻电极的导通。 

在所述图案形成装置及永久图案形成方法中，利用所述永久图案形成方法形成的永久图案，如果为所述保护膜或所述层间绝缘膜，则可以保护布线不受来自外部的冲击或弯曲，特别是在为所述层间绝缘膜的情况下，例如可以用于半导体或构件向多层布线基板或内装布线基板等的高密度实装。 

本发明的所述永久图案形成方法由于使用本发明的所述感光性薄膜，所以可以优选用于保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案等永久图案等各种图案的形成、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等液晶结构构件的制造、全息摄影、微型电机，印样等的制造，特别可以优选用于印制电路板等永久图案形成。 

实施例 

以下利用实施例对本发明进行更详细说明，但本发明不被这些实施例 所限定。 

(合成例1) 

向1,000mL三口烧瓶中加入1—甲氧基—2—丙醇159g，在氮气流下，加热到85℃。用2小时向其中滴注甲基丙烯酸苄基酯63.4g、甲基丙烯酸72.3g、V—601(和光纯药制)4.15g的1—甲氧基—2—丙醇159g溶液。滴注结束后，进一步加热5小时，使其反应。接着，停止加热，得到甲基丙烯酸苄基酯/甲基丙烯酸(30/70mol％比)的共聚物。 

接着，将所述共聚物溶液中的120.0g移至300mL三口烧瓶中，加入甲基丙烯酸缩水甘油酯16.6g、对甲氧基苯酚0.16g，搅拌使其溶解。溶解后，加入四乙基氯化铵2.4g，加热至100℃，进行加成反应。用气相色谱法(gas chromatography)确认甲基丙烯酸缩水甘油酯消失后，停止加热。加入1—甲氧基—2—丙醇，配制固体成分为30质量％的下述表1所示的高分子化合物1的溶液。 

利用将聚苯乙烯作为标准物质的凝胶渗透色谱法(GPC)测定得到的高分子化合物的质均分子量(Mw)，其结果为15,000。 

另外，使用氢氧化钠进行滴定，结果，单位固体成分的酸值(羧基的含量)约为2.2meq/g。 

进而，利用碘值滴定求得的单位固体成分的乙烯性不饱和键的含量(C＝C值)约为2.1meq/g。 

(合成例2～27) 

为了得到目的高分子化合物，将合成例1中的甲基丙烯酸苄基酯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸缩水甘油酯适当地变更成任意单体，除此以外，与合成例1同样地进行，分别制备表1～表5所示的高分子化合物2～27。 

[表1]

[表2] 

[表3]

[表4] 

[表5] 

表1～表5中，^*1表示由下述结构式(a)表示的结构及由(b)表示的结构的混合(混合比不明)，^*2表示由下述结构式(c)表示的结构及(d)的混合(混合比不明)。 

结构式(a) 

结构式(b)

结构式(c) 

结构式(d) 

(实施例1) 

—感光性组合物的配制— 

用以下的量配合各成分，配制感光性组合物溶液。 

[感光性组合物溶液的各成分量] 

·所述高分子化合物1(在所述1—甲氧基—2—丙醇溶液中固体成分质量30质量％)…406质量份 

·由下述式M—1表示的聚合性化合物…48.5质量份 

·由下述式I—1表示的光聚合引发剂…25.6质量份 

·由下述式S—1表示的增感剂…1.4质量份 

·由下述式H—1表示的碱不溶性的热交联剂…60.0质量份 

·热固化剂(双氰胺)…2.4质量份 

·氟系表面活性剂(メガフアツクF—176，大日本油墨化学工业(株)制，30质量％2—丁酮溶液)…0.85质量份 

·聚合抑制剂(对甲氧基苯酚)…0.18质量份 

·酞菁绿…0.8质量份 

·硫酸钡分散液(堺化学工业公司制，B—30)…400质量份 

·甲基乙基甲酮…122质量份 

其中，所述硫酸钡分散液是在预先混合硫酸钡(堺化学公司制，B30)30质量份、由下述式J—1表示的环氧丙烯酸酯化合物的二甘醇一甲醚乙酸酯61.2质量％溶液34.29质量份和甲基乙基甲酮35.71质量份之后，用电动磨机M—200(EIGER公司制)，使用直径1.0mm的氧化锆珠，以线 速度9m/s，分散3.5小时，来进行制备。 

—感光性薄膜的制造— 

用棒涂机，将得到的感光性组合物溶液涂敷于作为所述支撑体的厚 16μm、宽300mm、长200m的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上，并在80℃的热风循环式干燥机中使其干燥，形成厚30μm的感光层。接着，在该感光层上，利用层压来层叠作为所述保护薄膜的厚20μm、宽310mm、长210m的聚丙烯薄膜，制造所述感光性薄膜。 

—永久图案的形成— 

——感光性层叠体的配制—— 

接着，作为所述基材，向作为印制电路板的已形成布线的镀铜叠层板(没有穿通孔，铜厚为12μm)的表面实施化学研磨处理，从而配制。在该镀铜叠层板上，剥离所述感光性薄膜中的保护薄膜，以使所述感光性薄膜的感光层与所述镀铜叠层板接触，同时用真空层压机(ニチゴ—モ—トン(株)社制，VP130)使其层叠，从而配制成依次层叠所述镀铜叠层板、所述感光层和所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)而成的感光性层叠体。 

压粘条件为真空吸引时间40秒、压粘温度70℃、压粘压力0.2MPa、加压时间10秒。 

对所述感光性层叠体，进行最短显影时间、灵敏度、析像度、贮存稳定性及边缘粗糙度的评价。结果如表6所示。 

<析像度的评价> 

(1)最短显影时间的评价方法 

从所述感光性层叠体剥离聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)，利用0.15MPa的压力，向镀铜叠层板上的所述感光层的整个面喷射30℃的1质量％碳酸钠水溶液，测定从碳酸钠水溶液的喷射开始到溶解除去镀铜叠层板上的感光层所需要的时间，将其作为最短显影时间。 

(2)灵敏度的评价方法 

对所述已配制的感光性层叠体中的感光性薄膜的感光层，从所述支撑体侧，使用以下说明的图案形成装置，照射以2^1/2倍间隔、从0.1mJ/cm²到100mJ/cm²的光能量不同的光，进行2重曝光，使所述感光层的一部分区域固化。在室温下静置10分钟，然后从所述感光性层叠体剥去所述支撑体，用喷射压0.15MPa向镀铜叠层板上的感光层的整个面喷射30℃的1质量％碳酸钠水溶液，喷射时间为在所述(1)中求得的最短显影时间的 2倍，溶解除去未固化的区域，测定残留的固化区域的厚度。接着，绘制光的照射量与固化层的厚度之间的关系的曲线图，得到灵敏度曲线。这样从得到的灵敏度曲线可知，固化区域的厚度成为与曝光前的感光层同样为30μm时的光能量，为使感光层固化所必需的光能量。 

《图案形成装置》 

作为所述光照射机构，使用特开2005—258431号公报中记载的，具有合波激光光源，和作为所述光调制机构的将图6中的概略图所示的将主扫描方向上排列1024个微镜58的微镜列在副扫描方向排列成768组内、控制成仅驱动1024个×256列的DMD36，和图5A及图5B所示的将光成像于所述感光性薄膜的光学系的具备曝光头30的图案形成装置10。 

作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度，采用使用可以使用的1024列×256行的微镜58而恰好成为若干大于成为2重曝光的角度θ_ideal的角度。该角度θ_ideal是相对N重曝光的数目N、可以使用的微镜58的列方向的个数s、可以使用的微镜58的列方向的间隔p及在使曝光头30倾斜的状态下利用微镜形成的扫描线的间距δ，利用下述式1： 

spsinθ_ideal≧Nδ  (式1) 

得到。本实施方式中的DMD36如上所述，纵横配置间隔相等的大多数微镜58被配置成矩形格子状，所以为 

pcosθ_ideal＝δ(式2) 

，上述式1成为 

stanθ_ideal＝N(式3) 

，由于s＝256、N＝2，所以角度θ_ideal约为0.45度。因而，作为设定倾斜角度θ，例如采用0.50度。 

首先，为了校正2重曝光中的析像度的不均或曝光不均，分析被曝光面的曝光图案的状态。结果见图16。在图16中，表示在使平台14静止的状态下，来自向感光性薄膜12的被曝光面上投影的曝光头30₁₂和30₂₁具有的DMD36可以使用的微镜58的光点组的图案。另外，在下段部分，在如上段部分所示的光点组的图案出现的状态下使平台14移动并进行连续曝光时，对曝光范围32₁₂和32₂₁显示在被曝光面上形成的曝光图案的状态。此外，在图16中，为了便于说明，将可以使用的微镜58的每隔1列 的曝光图案分成利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案进行表示，但实际的被曝光面上的曝光图案重叠了这2个曝光图案。 

如图16所示，判断为，作为曝光头30₁₂和30₂₁之间的相对位置的从理想的状态偏离的结果，在利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案的双方，在曝光范围32₁₂和32₂₁的与所述曝光头的扫描方向正交的坐标轴上重复的曝光区域，相对于理想的2重曝光的状态，产生曝光量过多的部分。 

作为所述光点位置检测机构，使用缝隙28及光检测器的组，对于曝光头30₁₂而言的曝光范围32₁₂内的光点P(1，1)和P(256，1)的位置，对于曝光头30₂₁而言的曝光范围32₂₁内的光点P(1，1024)和P(256，1024)的位置，进行检测，测定连接它们的直线的倾斜角度与曝光头的扫描方向所成角度。 

使用实倾斜角度θ’，分别对于曝光头30₁₂和30₂₁，导出满足下述式4 

ttanθ’＝N(式4) 

的关系的值t最近的自然数T。分别对于曝光头30₁₂导出T＝254，对于曝光头30₂₁导出T＝255。结果，构成图17中用斜线覆盖的部分78及80的微镜被特定作为本曝光时不使用的微镜。 

然后，关于对应构成在图17中用斜线覆盖的区域78及80的光点以外的光点的微镜，同样地对应构成在图17中用斜线覆盖的区域82及用网格表示的区域84的光点的微镜被特定，追加作为本曝光时不使用的微镜。 

相对这些被特定作为曝光时不使用的微镜，利用所述描绘部控制机构，传送设定成经常关状态的角度的信号，这些微镜实际上不参与曝光。 

这样，在曝光范围32₁₂和32₂₁中的作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的头间连接区域以外的各区域，可以使相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小。 

(3)析像度的评价方法 

用与所述(1)的最短显影时间的评价相同的方法及条件制作所述感光性层叠体，在室温下(23℃，55％RH)静置10分钟。从得到的层叠体的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)上，使用所述图案形成装置，以线(line)/空间(space)＝1/1，线(line)宽10～100μm，以每隔1μm， 进行各线宽的曝光。此时的曝光量为固化在所述(2)中测定的所述感光性薄膜的感光层所必需的光能量。在室温下静置10分钟之后，从所述感光性层叠体剥去聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)。用喷射压0.15MPa向镀铜叠层板上的感光层的整个面喷射30℃的1质量％碳酸钠水溶液，喷射时间为在所述(1)中求得的最短显影时间的2倍，溶解除去未固化区域。用光学显微镜观察这样地进行得到的带固化树脂图案的镀铜叠层板的表面，在固化树脂图案的线中测定没有堵塞、皱巴等异常且可以形成空间的最小线宽，将其作为析像度。该析像度的数值越小越为良好。结果如表1所示。 

<贮存稳定性> 

用卷绕机卷绕所述感光性薄膜，制造感光性薄膜卷筒辊。 

利用同轴切条机切得到的所述感光性薄膜卷筒辊，在长300mm、内径76mm的ABS树脂制圆筒状卷芯上，以250mm宽，卷绕150m，制作感光性薄膜辊。 

在黑色聚乙烯制的筒状袋(膜厚：80μm，水蒸气透过率：25g/m²·24hr以下)中包而得到的所述感光性薄膜辊，在卷芯的两端压入聚丙烯制衬轴。 

在25℃、55％RH下保存21天用所述衬轴塞两端的辊状的样本，然后观察端面熔合的有无，用下述标准进行贮存稳定性的评价。 

[评价标准] 

〇：没有确认到端面熔合，可以良好地使用层叠体的状态。 

△：在端面的一部分有光泽，发生若干量的端面熔合的状态(使用极限)。 

×：在端面整个面有光泽，大量发生端面熔合的状态。 

<边缘粗糙度的评价> 

向所述感光性层叠体，使用所述图案形成装置，进行照射、2重曝光，使与所述曝光头的扫描方向正交的方向的横线图案形成，与所述析像度的测定中的(3)同样地在所述感光层的一部分区域形成图案。得到的图案中，对线宽50μm的线的任意5处，使用激光显微镜(VK—9500，基恩斯(keyence)(株)制；物镜50倍)观察，将视野内的边缘位置中最膨胀的地方(凸出部)与最狭窄的地方(凹陷部)之间的差作为绝对值求得， 算出观察的5处的平均值，将其作为边缘粗糙度。该边缘粗糙度越小，则越显示良好的性能，优选。结果见表1所示。 

(实施例2～实施例7及比较例1～3) 

在实施例1中，分别将所述高分子化合物代替成下述表6所示的高分子化合物，除此以外，与实施例1同样地进行，制作感光性薄膜及感光性层叠体。 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例1同样地，评价灵敏度、析像度、贮存稳定性及边缘粗糙度。结果如表6所示。 

此外，下述表6中，比较例1～3中使用的高分子化合物B—1～B—3分别由下述式表示。 

B—1Mw20.000 

酸值2.0meq/g 

C＝C值2.1meq/g 

B—2Mw23.000 

酸值2.0meq/g 

C＝C值2.3meq/g 

B—3Mw30.000 

酸值2.0meq/g 

C＝C值0meq/g

[表6] 

  

	高分子化合物	最短显影时间            (秒)	灵敏度          (mJ/cm2)	析像度      (μm)	贮存稳定性	边缘粗糙度          (μm)
							实施例1	1	15	20	25	〇	1.5
实施例2	2	15	30	30	〇	1.6
							实施例3	3	20	40	35	〇	1.6
实施例4	4	20	40	37	〇	1.6
							实施例5	5	20	35	35	〇	1.6
实施例6	6	15	30	30	〇	1.6
							实施例7	7	15	20	25	〇	1.5
比较例1	B—1	15	50	45	×	1.9
							比较例2	B—2	20	60	50	×	1.9
比较例3	B—3	15	230	35	△	1.7

(实施例8) 

以下述的量配合各成分，配制感光性组合物溶液，除此以外，与实施例1同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

[感光性组合物溶液的各成分量] 

·所述高分子化合物1(在所述1—甲氧基—2—丙醇溶液中固体成分质量30质量％)…541质量份 

·由下述式M—1表示的聚合性化合物…48.5质量份 

·光聚合引发剂I—2^*…20质量份 

·增感剂(二乙基噻吨酮)…3质量份 

·所述式H—1表示的碱不容性的热交联剂…62.0质量份 

·热固化剂(双氰胺)…2.4质量份 

·氟系表面活性剂(メガフ_アツクF—176，大日本油墨化学工业(株)制，30质量％2—丁酮溶液)…0.85质量份 

·聚合抑制剂(对甲氧基苯酚)…0.18质量份 

·酞菁绿…0.8质量份 

·硫酸钡分散液(堺化学工业公司制，B—30)…200质量份

·甲基乙基甲酮…122质量份 

^*光聚合引发剂I—2为艾加库而(Irgacure)907与艾加库而(Irgacure)369(分别为千叶特殊化学药品公司制)的1：1混合物。 

此外，与实施例1同样地进行配制所述硫酸钡分散液。 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例1同样地，评价灵敏度、析像度及贮存稳定性。另外，还利用以下方法评价非电解镀金耐性。这些结果如表7所示。 

<非电解镀金耐性的评价> 

按照后述的工序，在所述试验基板上进行非电解镀金，对该试验基板，进行外观的变化及使用赛璐玢粘合带的剥皮试验，按照以下标准评价抗蚀剂被膜的剥离状态。 

—评价标准— 

〇：没有外观变化，完全没有抗蚀剂被膜的剥离。 

△：没有外观变化，但抗蚀剂被膜有略微剥离。 

×：可见抗蚀剂被膜的脱离，出现了镀敷渗透，在剥皮试验中抗蚀剂被膜的剥离大。 

—非电解镀金工序— 

将形成有阻焊剂图案(永久图案)的试验基板浸渍于30℃的酸性脱脂液(日本マクダ—ミツト公司制，Metex L—5B的20质量％水溶液)中3分钟，然后在流水中浸渍3分钟，水洗。 

接着，在室温下，在14.3质量％过硫酸锑水溶液中浸渍3分钟，然后在流水中浸渍3分钟，水洗，进而，在室温下，在10质量％硫酸水溶液中浸渍1分钟试验基板，然后在流水中浸渍30秒～1分钟，水洗。 

接着，在30℃的催化剂液(メルテツクス公司制，钣金活化剂(metalplate activator，メタルプレ—トアクチベ—タ—)350的10质量％水溶液)中浸渍7分钟，然后在流水中浸渍3分钟，水洗，接着，在85℃的镀镍液(メルテツクス公司制，メルプレ—トNi—865M，20容量％水溶液，pH4.6)中浸渍20分钟，进行非电解镀镍，然后，在10质量％硫酸水溶液中，在室温下浸渍1分钟，然后在流水中浸渍30秒～1分钟，水洗。 

接着，将试验基板浸渍于75℃的镀金液(奥野制药工业公司制，OPC ムデンゴ—ルド，pH12～13，厚涂镀金0.3μm)4分钟，进行非电解镀金，然后在流水中浸渍3分钟，水洗，然后在60℃的温水中浸渍3分钟，充分地水洗，然后干燥，得到进行了非电解镀金的试验基板。 

(实施例9～13) 

在实施例8中，将所述高分子化合物分别代替成下述表7所示的高分子化合物，除此以外，与实施例8同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例8同样地，评价灵敏度、析像度、非电解镀金耐性及贮存稳定性。结果如表7所示。 

(比较例4) 

以特开平7—199457作为参考，用下述方法配制感光性组合物溶液，除此以外，与实施例8同样地进行，制造感光性薄膜及层叠体。 

—粘合剂(C)的合成— 

以偶氮二异丁腈2质量份作为催化剂，在75℃下使甲基丙烯酸甲酯80质量份、丙烯酸50质量份、甲基丙烯酸苄基酯80质量份、乙二醇—甲醚乙酸酯240质量份构成的配合成分发生聚合反应4小时，然后，添加溶解有作为热聚合抑制剂的甲基对苯二酚2质量份的丙烯酸缩水甘油酯45质量份，使其进—步反应2小时，得到质均分子量40,000、酸值84的粘合剂聚合物(C)。 

—含不饱和双键的环氧树脂(D)的合成— 

边加热边在丙二醇一甲醚乙酸酯150质量份中溶解苯酚酚醛清漆型环氧树脂(东都化成公司制：“YDPN—638”)110质量份，接着，加入丙烯酸34质量份、苄基二甲胺0.8质量份，使其在100～120℃下反应8小时后，得到酸值70、环氧当量5,000的含不饱和双键的环氧树脂(D)。 

接着，以下述量配合各成分，配制感光性组合物溶液，与实施例8同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

[感光性组合物溶液的各成分量] 

·所述粘合剂(C)…50质量份 

·所述含不饱和双键的环氧树脂(D)…50质量份 

·由所述式M—1表示的聚合性化合物…12质量份

·二乙基噻吨酮…4质量份 

·艾加库而(Irgacure)907…8质量份 

·酞菁绿…2质量份 

·硫酸钡(堺化学工业公司制，B—30)…40质量份 

·氟系表面活性剂(メガフアツクF—176，大日本油墨化学工业(株)制，30质量％2—丁酮溶液)…0.85质量份 

·丙二醇一甲醚…40质量份 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例8同样地，评价灵敏度、析像度、非电解镀金耐性及贮存稳定性。结果如表7所示。 

此外，利用3根辊磨机混炼所述感光性组合物溶液，然后与实施例8同样地，涂敷、干燥及卷绕成长条状，涂敷厚度不均为±5μm，卷曲形状也在端面不整齐，为不良。另外，在切加工时，发生感光层来源的切屑，为不良。 

[表7] 

  

	高分子化合物	灵敏度          (mJ/cm2)	析像度      (μm)	非电解镀金耐性	贮存稳定性
						实施例8	1	42	28	〇	〇
实施例9	7	42	28	〇	〇
						实施例10	8	50	33	〇	〇
实施例11	11	43	29	〇	〇
						实施例12	12	45	30	〇	〇
实施例13	13	42	30	〇	〇
						比较例4	粘合剂(C)             环氧树脂(D)	120	60	×	△

(实施例14) 

以下述量配合各成分，配制感光性组合物溶液，除此以外，与实施例1同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

[感光性组合物溶液的各成分量] 

·所述高分子化合物1(在所述1—甲氧基—2—丙醇溶液中固体成分 质量30质量％)…420质量份 

·由下述式M—2表示的聚合性化合物…50质量份 

·由下述式I—1表示的光聚合引发剂…30质量份 

·由下述式S—1表示的增感剂…1.8质量份 

·由下述式H—2表示的碱不溶性的热交联剂…65.0质量份 

·热固化剂(双氰胺)…2.4质量份 

·氟系表面活性剂(メガフアツクF—176，大日本油墨化学工业(株)制，30质量％2—丁酮溶液)…0.85质量份 

·聚合抑制剂(对甲氧基苯酚)…0.18质量份 

·酞菁绿…0.8质量份 

·硫酸钡分散液(堺化学工业公司制，B—30)…105质量份 

·甲基乙基甲酮…122质量份 

此外，与实施例1同样地进行配制所述硫酸钡分散液。 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例1同样地，评价灵敏度、析像度及贮存稳定性，同时与实施例8同样地，评价贮存稳定性。结果如表8所示。 

(实施例15～19以及比较例5及比较例6) 

在实施例14中，将所述高分子化合物分别代替成下述表8所示的高分子化合物，除此以外，与实施例14同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

另外，对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例14同样地，评价灵敏度、析像度及贮存稳定性。结果如表8所示。

[表8] 

  

	高分子化合物	灵敏度          (mJ/cm2)	析像度      (μm)	贮存稳定性
					实施例14	1	20	25	〇
实施例15	15	20	28	〇
					实施例16	16	25	30	〇
实施例17	17	20	25	〇
					实施例18	18	20	25	〇
实施例19	20	25	32	〇
					比较例5	B—1	38	45	×
比较例6	B—2	40	45	×

(实施例20) 

在实施例8中，将20质量份光聚合引发剂I—2和3质量份增感剂(二乙基噻吨酮)代替成下述表I—3表示的光聚合引发剂(千叶特殊化学药品公司制，Irgacure907)10质量份，除此以外，与实施例8同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。对所述感光性层叠体，另外制作具有与实施例1相同的图案的玻璃制负掩模，使该负掩模接触层叠体上方，用超高压汞灯，以150mJ/cm²的曝光量，进行曝光。然后，用与实施例1相同的方法，进行显影，评价析像度，同时与实施例1同样地对所述感光性薄膜评价贮存稳定性。结果如表9所示。 

(实施例21～23及比较例7) 

在实施例20中，将所述光聚合引发剂的种类及量代替成表9所示，除此以外，与实施例20同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例20同样地，评价析像度及贮存稳定性。结果如表9所示。

(实施例24) 

在实施例20中，将所述高分子化合物及所述光聚合引发剂的种类及量代替成表9所示，进而，将由所述式H—1表示的碱不溶性的热交联剂62.0质量份变更成由式H—3表示的碱不溶性的热交联剂62.0质量份，除此以外，与实施例20同样地进行，制造感光性薄膜及感光性层叠体。 

对所述感光性薄膜及感光性层叠体，与实施例20同样地，评价析像度及贮存稳定性。结果如表9所示。 

[表9] 

表9中，I—4及I—5分别用下述式表示。

从表6～9的结果可以判断，在含有本发明的高分子化合物的实施例1～24的感光性薄膜中，通过所述高分子化合物具有乙烯性不饱和键，与只含有不具有所述乙烯性不饱和键的高分子化合物的比较例3的感光性薄膜相比，灵敏度及析像度极为提高。另外，所述实施例1～24的感光性薄膜通过具有芳香族基，与只含有不具有所述芳香族基的高分子化合物的比较例1～7的感光性薄膜相比，贮存稳定性极为提高。另外，从实施例8～13可以判断，除了所述性能，通过使碱不溶性的热交联剂共存，可以付与非电解镀金耐性。 

产业上的可利用性 

本发明的感光性组合物及感光性薄膜由于通过含有规定的高分子化合物而灵敏度、析像度、非电解镀金耐性及贮存稳定性良好且可以有效地形成高精细的永久图案，所以可以优选用于保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案等永久图案等各种图案的形成、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等液晶结构构件的制造、全息摄影、微型电机，印样的制造等，特别可以优选用于印制电路板等永久图案形成用。 

本发明的所述永久图案形成方法由于使用本发明的所述感光性薄膜，所以可以优选用于保护膜、层间绝缘膜及阻焊剂图案等永久图案等各种图案的形成、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等液晶结构构件的制造、全息摄影、微型电机，印样等的制造等，特别可以优选用于印制电路板等永久图案形成。

Claims (11)

1.一种感光性组合物，其特征在于，

含有粘合剂、聚合性化合物、光聚合引发剂以及碱不溶性的热交联剂，所述粘合剂含有高分子化合物，该高分子化合物含有由下述结构式(I)所示的结构单元，并且该高分子化合物还含有由结构式(i)所示的结构单元、由结构式(ii)所示的结构单元或者它们的混合所示的结构单元，

结构式(I)

其中，在所述结构式(I)中，R₁、R₂及R₃表示氢原子或1价的有机基；L表示有机基，也可以没有；Ar表示可含有杂环的芳香族基，

结构式(i)

结构式(ii)

其中，所述结构式(i)及(ii)中，Ra～Rc表示氢原子或1价的有机基，R₁表示氢原子或甲基，L₁表示可具有连结基的有机基。

2.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

高分子化合物含有0.5～3.0meq/g乙烯性不饱和键。

3.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

高分子化合物在侧链具有羧基，所述羧基在所述高分子化合物中的含量为1.0～4.0meq/g。

4.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

高分子化合物的质均分子量为10,000以上且不到100,000。

5.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

高分子化合物含有20mol％以上由所述结构式(I)表示的结构单元。

6.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

聚合性化合物含有具有1个以上乙烯性不饱和键的化合物。

7.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，

碱不溶性的热交联剂含有环氧化合物。

8.一种感光性薄膜，其特征在于，

具有支撑体和在该支撑体上的由权利要求1所述的感光性组合物构成的感光层。

9.根据权利要求8所述的感光性薄膜，其中，

感光性薄膜为长条状，且被卷成辊状。

10.一种永久图案形成方法，其特征在于，

具有对权利要求8所述的感光性薄膜中的感光层进行曝光的步骤。

11.一种印制电路板，其特征在于，

利用权利要求10所述的永久图案形成方法形成永久图案。

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