CN101398578A

CN101398578A - 电容器、硅基液晶显示器及制作方法

Info

Publication number: CN101398578A
Application number: CNA2007100464970A
Authority: CN
Inventors: 刘伟; 傅静; 毛剑宏; 韩轶男
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2007-09-26
Filing date: 2007-09-26
Publication date: 2009-04-01
Anticipated expiration: 2027-09-26
Also published as: CN101398578B

Abstract

一种电容器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。本发明还提供一种电容器、硅基液晶显示器及制作方法。本发明在绝缘层上形成导电保护层，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

Description

电容器、硅基液晶显示器及制作方法

技术领域

本发明涉及硅基液晶(LCOS，Liquid Crystal On Silicon)显示器及其制作方法，特别涉及在制作硅基液晶显示器的过程中，电容器及其制作方法。

背景技术

近几年来，在液晶(LC)业界出现了许多新技术，其中较热门的技术是硅基液晶显示器技术。LCOS属于新型的反射式micro LCD投影技术，其结构是在硅基片上长电晶体，利用半导体工艺制作驱动面板(又称为CMOS-LCD)，然后在电晶体上透过研磨技术磨平，并镀上铝当作微反射镜，形成CMOS基板，然后将CMOS基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合，再抽入液晶，进行封装测试。

与传统的液晶显示器(LCD)及数字光学工艺(DLP，Digital LightProcessing)技术相比，LCOS具有下列技术优势：a.光利用效率高：LCOS与LCD技术类似，主要的差别就是LCOS属反射式成像，所以光利用效率可达40％以上，与DLP相当，而穿透式LCD仅有3％左右；b.体积小：LCOS可将驱动IC等外围线路完全整合至CMOS基板上，减少外围IC的数目及封装成本，并使体积缩小；c.分辨率高：由于LCOS的晶体管及驱动线路都制作于半导体基底内，位于反射面之下，不占表面面积，所以仅有像素间隙占用开口面积，不像穿透式LCD的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)及导线皆占用开口面积，故LCOS不论分辨率或开口率都会比穿透式LCD高；d.制造技术较成熟：LCOS的制作可分为前道的半导体CMOS制造及后道的液晶面板贴合封装制造。前道的半导体CMOS制造已有成熟的设计、仿真、制作及测试技术，所以目前良率已可达90％以上，成本极为低廉；至于后道的液晶面板贴合封装制造，虽然目前的良率只有30％，但由于液晶面板制造已发展得相当成熟，理论上其良率提升速率应远高于数字微镜芯片(DMD，digitalmicromirror device)，所以LCOS应比DLP更有机会成为技术的主流。因此LCOS技术在数码相机、数码摄像机、投影机外、监视器、大尺寸电视、移动电话等应用市场，都深具发展潜力。

LCOS技术中每个像素开关电路由一个MOSFET和一个电容组成，在常规工艺中，电容占整个像素面积的一半，但是随着电路面积的减小，电容面积缩小，这在实际使用中会增加刷新频率。为了增大电容，专利号为6437839的美国专利公开了一种具有多个电容的LCOS像素。其中硅基液晶显示器中金属-绝缘层-金属电容器的制作方法，如图1所示，在包含像素开关层等结构的半导体基底100上形成第一金属层；在第一金属层上采用光刻技术形成图案化第一光阻层(图未示)；以第一光阻层为掩膜，采用蚀刻技术在第一金属层中形成岛状的连接镜面垫层103和光屏蔽层102a，形成所述光屏蔽层102a的目的是防止漏光进入半导体基底100中的电路器件，则影响电路性能以及寿命，因此需要专门用一层金属来遮光。所述连接镜面垫层103和光屏蔽层102a之间的填充间隙103a使得连接镜面垫层103和光屏蔽层102a相互绝缘隔离，所述连接镜面垫层103通过导电插塞与半导体基底100的像素开关层连接。

如图2所示，去除第一光阻层；在光屏蔽层102a、连接镜面垫层103上以及间隙103a内采用高密度等离子体化学气相沉积技术形成氧化硅层104；用化学机械研磨法平坦化氧化硅层104至露出光屏蔽层102a、连接镜面垫层103，氧化硅层104用于光屏蔽层102a和连接镜面垫层103之间的隔离；在光屏蔽层102a、连接镜面垫层102和填充在间隙103a内的氧化硅层104的表面上形成绝缘层106；在绝缘层106上形成图案化第二光阻层(图未示)；以第二光阻层为掩膜，用等离子蚀刻法蚀刻绝缘层106，形成开口107，所述开口107暴露出部分连接镜面垫层103。

如图3所示，在绝缘层106以及开口107内形成第二金属层，所述开口107内填充的金属材料把第二金属层和连接镜面垫层103相电连接，所述第二金属层采用反射率比较大的金属材料，可以为铝、铜以及它们形成的合金；平坦化第二金属层，形成微反射镜面108a，其中光屏蔽层102a、绝缘层106与微反反射镜面108a构成了金属-绝缘层-金属电容器，光屏蔽层102a为电容器第一电极，微反射镜面108a为电容器第二电极。

在如下中国专利申请200310122960还可以发现更多与上述技术方案相关的信息，由光屏蔽层、绝缘层与微反射镜面构成了金属-绝缘层-金属电容器。

现有技术中，在绝缘层上形成暴露出部分连接镜面垫层的开口的时候，绝缘层在光刻和刻蚀等工艺中，容易受到等离子体损伤，导致漏电增大和可靠性下降。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种电容器、硅基液晶显示器及制作方法，保护绝缘层免受等离子体损伤。

为解决上述问题，本发明提供一种电容器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。

可选的，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。所述导电保护层的厚度为50埃至500埃。所述形成的导电保护层的方法为物理气相沉积法。刻蚀导电保护层及绝缘层的方法为反应离子刻蚀。

本发明提供一种电容器，包括：半导体基底；位于半导体基底上的作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层；覆盖光屏蔽层和连接金属垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的第二金属层，其特征在于，绝缘层与第二金属层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接金属垫层的开口，第二金属层通过所述开口与连接金属垫层电连接。

可选的，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。所述导电保护层的厚度为50埃至500埃。

本发明提供一种硅基液晶显示器的制作方法，包括下列步骤：在带有像素开关电路层的半导体基底上形成作为电容器第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层和覆盖光屏蔽层及连接镜面垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层和绝缘层，形成露出连接镜面垫层的开口；在导电保护层上形成微反射镜层，其中，微反射镜层作为电容器的第二电极，通过开口与连接镜面垫层相电连接。

本发明提供一种硅基液晶显示器，包括：带有像素开关层的半导体基底，位于半导体基底上的作为电容器第一电极的光屏蔽层，与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层；覆盖光屏蔽层和连接镜面垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的微反射镜层，微反射镜层与连接镜面垫层电连接，其特征在于，绝缘层与微反射镜层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接镜面垫层的开口，微反射镜层通过所述开口与连接镜面垫层电连接。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：在绝缘层上形成导电保护层，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

附图说明

图1至图3是现有在硅基液晶显示器工艺中形成金属-绝缘层-金属电容器的示意图；

图4是本发明形成电容器的具体实施方式流程图；

图5至图8是本发明形成电容器的实施例示意图；

图9是本发明形成硅基液晶显示器的具体实施方式流程图；

图10至图20是本发明形成硅基液晶显示器的实施例示意图。

具体实施方式

本发明在绝缘层上形成导电保护层，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图4是本发明形成电容器的具体实施方式流程图。参考图4，执行步骤S101，提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；执行步骤S102，在绝缘层上形成导电保护层；执行步骤S103，刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；执行步骤S104，在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。

本实施方式形成的一种电容器，包括：半导体基底；位于半导体基底上的作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层；覆盖光屏蔽层和连接金属垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的第二金属层，其特征在于，绝缘层与第二金属层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接金属垫层的开口，第二金属层通过所述开口与连接金属垫层电连接。

图5至图8是本发明形成电容器的实施例示意图。如图5所示，在包含驱动电路等结构的半导体基底200上形成厚度为1000埃至6000埃的第一金属层，所述第一金属层的材料为铝或者铝铜合金等，所述形成第一金属层的方法为本领域技术人员公知的技术，例如物理气相沉积方法；在第一金属层上采用光刻技术形成图案化第一光阻层(图未示)；以第一光阻层为掩膜，采用本领域技术人员公知的蚀刻技术在第一金属层中形成作为电容器第一电极的光屏蔽层202及与光屏蔽层202隔绝的岛状的连接金属垫层203，所述连接金属垫层203和光屏蔽层202之间的填充间隙203a使得连接金属垫层203和光屏蔽层202相互绝缘隔离，所述连接金属垫层203通过导电插塞与半导体基底200的驱动电路连接。

本实施例中，所述第一金属层的厚度具体例如1000埃、1500埃、2000埃、2500埃、3000埃、3500埃、4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃等。

如图6所示，灰化法去除第一光阻层；在光屏蔽层202、连接金属垫层203上以及间隙203a内采用高密度等离子体化学气相沉积技术形成氧化硅层204；用化学机械研磨法平坦化氧化硅层204至露出光屏蔽层202、连接金属垫层203，氧化硅层204用于光屏蔽层202和连接金属垫层203之间的隔离；在光屏蔽层202、连接金属垫层203和填充在间隙203a内的氧化硅层204的表面上用等离子体增强化学气相沉积方法形成厚度为350埃～450埃的绝缘层206，所述绝缘层206的材料可以是氧化硅、氧化硅-氮化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅，本实施例优选氧化硅-氮化硅-氧化硅；用物理气相沉积方法在绝缘层206上形成厚度为50埃～500埃的导电保护层208，在后续光刻和刻蚀工艺中保护绝缘层206免受等离子的损伤，所述导电保护层208的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。

本实施例中，绝缘层206的厚度具体例如350埃、360埃、370埃、380埃、390埃、400埃、410埃、420埃、430埃、440埃或450埃等，优选400埃。

本实施例中，导电保护层208的厚度具体例如50埃、100埃、200埃、250埃、300埃、350埃、400埃、450埃或500埃等。

如图7所示，用旋涂法在导电保护层208上形成图案化第二光阻层(图未示)；以第二光阻层为掩膜，用反应离子刻蚀法刻蚀导电保护层208和绝缘层206，形成开口207，所述开口207暴露出连接金属垫层203。

现有技术中，在绝缘层206上由于没有导电保护层208，形成暴露出部分连接金属垫层203的开口207的时候，绝缘层206在光刻和刻蚀等工艺中，容易受到等离子体损伤，导致漏电增大和可靠性下降。

本实施例在绝缘层206上形成导电保护层208，在光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层206，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

如图8所示，用物理气相沉积方法在导电保护层208上以及开口207内形成厚度为1000埃至6000埃的第二金属层210，所述开口207内填充的金属材料把第二金属层210和连接金属垫层203相电连接，所述第二金属层210采用反射率比较大的金属材料，可以为铝、铜以及它们形成的合金；平坦化第二金属层210，第二金属层210作为电容器的第二电极。

本实施例中，所述第二金属层210的厚度具体例如1000埃、1500埃、2000埃、2500埃、3000埃、3500埃、4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃等。

基于以上工艺实施以后，得到电容器的结构如图8所示，包括：半导体基底200；位于半导体基底200上的作为电容器第一电极的光屏蔽层202，与光屏蔽层202隔绝的连接金属垫层203；氧化硅层204，位于光屏蔽层202和连接金属垫层203之间，隔离光屏蔽层202和连接金属垫层203；绝缘层206，位于光屏蔽层202、连接金属垫层203和氧化硅层204上；导电保护层208，位于绝缘层206上且覆盖绝缘层206；开口207，贯穿导电保护层208和绝缘层206，露出连接金属垫层203；第二金属层210，位于导电保护层208上及开口207内，作为电容器的第二电极，与连接金属垫层203电连接。

图9是本发明形成硅基液晶显示器的具体实施方式流程图。参考图9，执行步骤S201，在带有像素开关电路层的半导体基底上形成作为电容器第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层和覆盖光屏蔽层及连接镜面垫层的绝缘层；执行步骤S202，在绝缘层上形成导电保护层；执行步骤S203，刻蚀导电保护层和绝缘层，形成露出连接镜面垫层的开口；执行步骤S204，在导电保护层上形成微反射镜层，其中，微反射镜层作为电容器的第二电极，通过开口与连接镜面垫层相电连接。

本实施方式形成的一种硅基液晶显示器，包括：带有像素开关层的半导体基底，位于半导体基底上的作为电容器第一电极的光屏蔽层，与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层；覆盖光屏蔽层和连接镜面垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的微反射镜层，微反射镜层与连接镜面垫层电连接，其特征在于，绝缘层与微反射镜层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接镜面垫层的开口，微反射镜层通过所述开口与连接镜面垫层电连接。

图10至图20是本发明形成硅基液晶显示器的示意图。如图10所示，首先在半导体基底301上形成像素开关电路层302，所述内部驱动电路为MOS晶体管304和电容器305相串联组成的动态随机存储器，形成像素开关电路层302，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内的接地垫层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔，所述接地垫层308接地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304施加电压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电路的MOS晶体管304的漏端电连接，则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和通孔相电连接(即为上电极)，第一电容器的另一端通过通孔和接地垫层308电连接(即为下电极)。

然后在层间绝缘层306上形成第一金属层312，所述第一金属层312为一层或者多层导电材料构成，比较优化的第一金属层312依次采用金属钛、氮化钛、铝铜合金、金属钛和氮化钛组成的多层结构，比较优化的厚度范围为1000埃至6000埃，具体厚度例如1000埃、1500埃、2000埃、2500埃、3000埃、3500埃、4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃等。

如图11所示，在第一金属层312上采用现有的光刻技术形成图案化第一光阻层(未图示)；以第一光阻层为掩膜，采用现有刻蚀技术在第一金属层312中形成岛状的连接镜面垫层313和光屏蔽层312a，形成所述光屏蔽层312a的目的是防止漏光进入硅基片中的电路器件，则影响电路性能以及寿命，因此需要专门用一层金属来遮光。所述连接镜面垫层313和光屏蔽层312a之间的间隙313a使得连接镜面垫层313和光屏蔽层312a相互绝缘隔离，所述连接镜面垫层313通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层302的MOS晶体管304的源端相电连接，所述光屏蔽层312a通过像素开关电路层302的通孔和接地垫层308相电连接，所述接地垫层308接地。

参照图12，去除第一光阻层；在光屏蔽层312a、连接镜面垫层313上以及间隙313a内采用高密度等离子体化学气相沉积技术形成氧化硅层314，由于要填充满间隙313a，在所述氧化硅层314表面对着间隙313a处产生凹槽，所述形成的氧化硅层314的厚度范围为200nm至1000nm。

本实施例中，氧化硅层314的具体厚度例如200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm、750nm、800nm、850nm、900nm、950nm或1000nm。

如图13所示，在氧化硅层314表面形成有机抗反射层(BARC)315，所述有机抗反射层315流动性较好，完全填平了氧化层314表面的凹槽，形成有机抗反射层315的目的是为了填充氧化硅层315表面的凹槽，以保护凹槽部分氧化硅，使得蚀刻后表面平整。

如图14所示，去除有机抗反射层315，去除之后，残留的有机抗反射层315a填平了氧化硅层314表面的凹槽，去除部分有机抗反射层315的方法为本领域技术人员公知技术，本发明给出比较优化的实施方式，采用O₂等离子体蚀刻有机抗反射层315，使部分有机抗反射层315与O₂等离子体反应生成CO₂，H₂O等气体物质脱离半导体基底表面。

如图15所示，去除氧化硅层314，在光屏蔽层312a、连接镜面垫层313表面及间隙313a中存在残留的氧化硅层314a，去除的氧化硅层207采用现有本领域技术人员公知技术，本发明给出比较优化的实施方式，采用干法蚀刻氧化硅层314。去除氧化硅层314之后，由于干法刻蚀的本身固有缺陷，在间隙313a处会形成小凸起。这些小凸起会造成最终的微反射镜不平整，微反射镜上面覆盖着液晶，如果微反射镜表面不平整，会影响液晶排列方向以及加在液晶中的电场，从而影响显示性能。

参照图16，平坦化残留的氧化硅层314a的表面，平坦化工艺中去除了光屏蔽层312a上的残留的氧化硅314a部分直至暴露出光屏蔽层312a，之后，形成了由光屏蔽层312a、连接镜面垫层313和填充在间隙313a内的氧化硅层314b所组成的光滑表面，平坦化氧化硅层314a的表面为采用本领域技术人员公知技术，本发明给出了一个优化的实施方式，采用化学机械抛光(CMP)设备同时磨平氧化硅层314a和光屏蔽层312a表面，最终形成光滑平整的表面。

如图17所示，在光屏蔽层312a、连接镜面垫层313和填充在间隙313a内的氧化硅层314b的表面上形成绝缘层316，所述绝缘层316可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他们的组合，也可以是由比如氧化铪、氧化铝、氧化锆等高-k介质组成的绝缘层316，本发明给出一个比较优化的实施方式，采用氧化硅、氮化硅、氧化硅组成的三层结构ONO层作为绝缘层316，所述绝缘层316的厚度范围为350埃至450埃，形成绝缘层316的方法为本领域技术人员公知技术，具体例如等离子体增强化学气相沉积。

用物理气相沉积方法在绝缘层316上形成厚度为50埃至500埃的导电保护层318，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层316免受等离子体损伤，所述导电保护层318的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层等。

本实施例中，绝缘层316的具体厚度例如350埃、360埃、370埃、380埃、390埃、400埃、410埃、420埃、430埃、440埃或450埃等，优选400埃。

本实施例中，所述导电保护层318的厚度具体例如50埃、100埃、200埃、250埃、300埃、350埃、400埃、450埃或500埃等。

如图18所示，在导电保护层318和绝缘层316上形成开口319，所述开口319暴露出连接镜面垫层313，形成开口319的方法为本领域技术人员公知技术，为反应离子刻蚀法。

现有技术中，在绝缘层316上由于没有导电保护层318的保护，在形成暴露出部分连接镜面垫层313的开口319的时候，绝缘层316在光刻和刻蚀等工艺中，容易受到等离子体损伤，导致漏电增大和可靠性下降。

本实施例在绝缘层316上形成导电保护层318，在光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层316，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

如图19所示，在绝缘层316以及开口319内形成第二金属层320，所述开口319内填充的金属材料把第二金属层320和连接镜面垫层313相电连接，所述第二金属层320采用反射率比较大的金属材料，可以为铝、银以及它们形成的合金，本发明给出一个比较优化的实施方式，第二金属层320采用金属铝，所述第二金属层320的厚度范围为1000埃～6000埃，由于开口319的存在，形成第二金属层320后，在第二金属层320表面的对着开口319处形成凹槽，凹槽的深度范围为100埃～200埃。

参照图20，平坦化第二金属层320，形成微反射镜层320a，平坦化第二金属层320的技术为本领域技术人员公知技术，本发明给出一个比较优化的实施方式，采用化学机械抛光(CMP)设备平坦化第二金属层320的表面，最终形成光滑平整的微反射镜层320a，所述微反射镜层320a的厚度范围为800埃～5800埃，所述微反射镜层320a通过填充在开口319内的金属材料和连接镜面垫层313相电连接，从而与像素开关电路层302的MOS晶体管的源端相连。

基于以上工艺实施以后，得到硅基液晶显示器的结构如图10至图20所示。包括形成在半导体基底301上的像素开关电路层302，所述像素开关电路层302包括一个MOS晶体管和与MOS晶体管源端相电连接的第一电容器；位于像素开关电路层302上的光屏蔽层312a；位于光屏蔽层312a上的绝缘层316；位于绝缘层316上的导电保护层318；位于导电保护层318上的微反射镜层320a，所述微反射镜层320a、绝缘层316和光屏蔽层312a构成电容器，所述微反射镜层320a与金属-氧化物-半导体场效应管的源端相电连接，所述光屏蔽层312a接地。

所述光屏蔽层312a中间形成有与之绝缘的岛状的连接镜面垫层313，所述光屏蔽层312a和像素开关电路层302内的接地垫层308相电连接，所述接地垫层308接地；所述连接镜面垫层313通过形成在像素开关电路层302的连接垫层310和MOS晶体管的源端相电连接；所述导电保护层318和绝缘层316中形成有开口319，所述开口319内填充的与微反射镜层320a相同金属材料把微反射镜层320a与连接镜面垫层313相电连接。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims

1.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；

在绝缘层上形成导电保护层；

刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；

在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。

2.根据权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。

3.根据权利要求2所述电容器的制作方法，其特征在于，所述导电保护层的厚度为50埃至500埃。

4.根据权利要求3所述电容器的制作方法，其特征在于，所述形成的导电保护层的方法为物理气相沉积法。

5.根据权利要求4所述电容器的制作方法，其特征在于，刻蚀导电保护层及绝缘层的方法为反应离子刻蚀。

6.一种电容器，包括：半导体基底；位于半导体基底上的作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层；覆盖光屏蔽层和连接金属垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的第二金属层，其特征在于，绝缘层与第二金属层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接金属垫层的开口，第二金属层通过所述开口与连接金属垫层电连接。

7.根据权利要求6所述电容器，其特征在于，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。

8.根据权利要求7所述电容器，其特征在于，所述导电保护层厚度为50埃至500埃。

9.一种硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

在带有像素开关电路层的半导体基底上形成作为电容器第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层和覆盖光屏蔽层及连接镜面垫层的绝缘层；

在绝缘层上形成导电保护层；

刻蚀导电保护层和绝缘层，形成露出连接镜面垫层的开口；

在导电保护层上形成微反射镜层，其中，微反射镜层作为电容器的第二电极，通过开口与连接镜面垫层相电连接。

10.根据权利要求9所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。

11.根据权利要求10所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，所述导电保护层的厚度为50埃至500埃。

12.根据权利要求11所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，所述形成的导电保护层的方法为物理气相沉积法。

13.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，刻蚀导电保护层及绝缘层的方法为反应离子刻蚀。

14.一种硅基液晶显示器，包括：带有像素开关层的半导体基底，位于半导体基底上的作为电容器第一电极的光屏蔽层，与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层；覆盖光屏蔽层和连接镜面垫层的绝缘层；位于绝缘层上的作为电容器第二电极的微反射镜层，微反射镜层与连接镜面垫层电连接，其特征在于，绝缘层与微反射镜层之间有导电保护层，所述导电保护层和绝缘层内形成有露出连接镜面垫层的开口，微反射镜层通过所述开口与连接镜面垫层电连接。

15.根据权利要求14所述硅基液晶显示器，其特征在于，所述导电保护层的材料为钛、氮化钛或钛和氮化钛叠层。

16.根据权利要求15所述硅基液晶显示器，其特征在于，所述导电保护层厚度为50埃至500埃。